JP2002189102A - シリカ層、及びシリカ層を用いた反射防止フィルム - Google Patents
シリカ層、及びシリカ層を用いた反射防止フィルムInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射防止フィルムの反射防止積層体に用いら
れる薄層において、従来から最外層として用いられてい
るシリカ層と同一の原料である酸化ケイ素によって形成
することができ、生産性の高いシリカ層、および当該シ
リカ層を用いた反射防止フィルムを提供することを目的
とする。 【解決手段】 シリカ層の屈折率を１．５５以上２．５
０以下（λ＝５５０ｎｍ）とし、層の組成をＳｉＯxＣy
（ｘ＝０．５〜１．７、ｙ＝０．２〜２．０）とし、消
衰係数が０．０１８（λ＝５５０ｎｍ）以下とする。ま
た当該シリカ層を用いて反射防止フィルムをプラズマＣ
ＶＤ法により製造する。
れる薄層において、従来から最外層として用いられてい
るシリカ層と同一の原料である酸化ケイ素によって形成
することができ、生産性の高いシリカ層、および当該シ
リカ層を用いた反射防止フィルムを提供することを目的
とする。 【解決手段】 シリカ層の屈折率を１．５５以上２．５
０以下（λ＝５５０ｎｍ）とし、層の組成をＳｉＯxＣy
（ｘ＝０．５〜１．７、ｙ＝０．２〜２．０）とし、消
衰係数が０．０１８（λ＝５５０ｎｍ）以下とする。ま
た当該シリカ層を用いて反射防止フィルムをプラズマＣ
ＶＤ法により製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、炭素（Ｃ）が含有
されたケイ素化合物からなるシリカ層、及び当該シリカ
層を用いた反射防止フィルムに関する。
されたケイ素化合物からなるシリカ層、及び当該シリカ
層を用いた反射防止フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイ、プラズマディスプレ
イ、ＣＲＴなどのコンピューター、ワープロ、テレビ、
表示板等に使用される各種ディスプレイや、計器等の表
示体、バックミラー、ゴーグル、窓ガラスなどには、ガ
ラスやプラスチックなどの透明な基板が使用されてい
る。そして、それらの透明な基板を通して、文字や図形
その他の情報を読み取るため、透明な基板の表面で光が
反射するとそれらの情報が読み取り難くなるという欠点
がある。
イ、ＣＲＴなどのコンピューター、ワープロ、テレビ、
表示板等に使用される各種ディスプレイや、計器等の表
示体、バックミラー、ゴーグル、窓ガラスなどには、ガ
ラスやプラスチックなどの透明な基板が使用されてい
る。そして、それらの透明な基板を通して、文字や図形
その他の情報を読み取るため、透明な基板の表面で光が
反射するとそれらの情報が読み取り難くなるという欠点
がある。
【０００３】現在では、上記欠点を解決するために、基
材フィルム上に互いに屈折率の異なる層を積層すること
により反射防止フィルムを形成し、当該反射防止フィル
ムを前記透明な基板表面に貼ることにより光の反射を防
止することが行われている。そして、このような反射防
止積層体を有する反射防止フィルムにおいては、その最
外層（反射防止フィルムの基材とは反対の表面）には、
効率よく光の反射を防止するために屈折率の小さい層を
設けることが好ましいことが知られており、当該屈折率
の小さい層としては、シリカ層が好適に用いられてい
る。
材フィルム上に互いに屈折率の異なる層を積層すること
により反射防止フィルムを形成し、当該反射防止フィル
ムを前記透明な基板表面に貼ることにより光の反射を防
止することが行われている。そして、このような反射防
止積層体を有する反射防止フィルムにおいては、その最
外層（反射防止フィルムの基材とは反対の表面）には、
効率よく光の反射を防止するために屈折率の小さい層を
設けることが好ましいことが知られており、当該屈折率
の小さい層としては、シリカ層が好適に用いられてい
る。
【０００４】しかしながら、従来の反射防止フィルムに
おいては、前記のように最外層としてはシリカ層を用い
ている場合が多いが、最外層以外の層（最外層とは屈折
率の異なる層）は、それぞれ異なる原料を用いて形成さ
れている場合が多い。例えば、低屈折率層と中屈折率層
と高屈折率層とを基材フィルム上に積層してなる反射防
止フィルムにおいては、最外層となる低屈折率層として
はシリカ層を用い、中屈折率層と高屈折率層としては酸
化チタン層を用いることが多く、当該中屈折率層や高屈
折率層は、一般的にはスパッタリング法等により形成さ
れている場合が多い。
おいては、前記のように最外層としてはシリカ層を用い
ている場合が多いが、最外層以外の層（最外層とは屈折
率の異なる層）は、それぞれ異なる原料を用いて形成さ
れている場合が多い。例えば、低屈折率層と中屈折率層
と高屈折率層とを基材フィルム上に積層してなる反射防
止フィルムにおいては、最外層となる低屈折率層として
はシリカ層を用い、中屈折率層と高屈折率層としては酸
化チタン層を用いることが多く、当該中屈折率層や高屈
折率層は、一般的にはスパッタリング法等により形成さ
れている場合が多い。
【０００５】したがって、従来の反射防止フィルムを形
成する際には、屈折率の異なる薄層、例えば中屈折率層
や高屈折率層をそれぞれ別の原料を用いて別々にスパッ
タリング法等で形成する必要があったため、歩留まりが
悪く、またコスト的にも問題が生じていた。
成する際には、屈折率の異なる薄層、例えば中屈折率層
や高屈折率層をそれぞれ別の原料を用いて別々にスパッ
タリング法等で形成する必要があったため、歩留まりが
悪く、またコスト的にも問題が生じていた。
【０００６】このような状況において、上記問題を解決
するために、中屈折率層や高屈折率層をシリカ層で形成
する場合がある。これは、シリカ層は、ＳｉＯXのＸの
値（つまり１個のケイ素原子に結合している酸素原子の
数）を２（化学量論比）より小さくすることにより、屈
折率を増加させることができ、これによりケイ素原子の
酸化度を調整して、屈折率を制御できるからである。こ
のように、シリカ層を中屈折率層や高屈折率層として用
いることにより、低屈折率層として用いられるシリカ層
と同一原料、同一装置を用いて連続的に反射防止フィル
ムを形成することができる。
するために、中屈折率層や高屈折率層をシリカ層で形成
する場合がある。これは、シリカ層は、ＳｉＯXのＸの
値（つまり１個のケイ素原子に結合している酸素原子の
数）を２（化学量論比）より小さくすることにより、屈
折率を増加させることができ、これによりケイ素原子の
酸化度を調整して、屈折率を制御できるからである。こ
のように、シリカ層を中屈折率層や高屈折率層として用
いることにより、低屈折率層として用いられるシリカ層
と同一原料、同一装置を用いて連続的に反射防止フィル
ムを形成することができる。
【０００７】しかしながら、上記のようにシリカ層を形
成するＳｉＯXのＸの値を小さくすることで屈折率を調
整した場合には、当該シリカ層の可視光域での光吸収が
徐々に増加してしまい、その結果、当該シリカ層を光学
層として用いた場合には、透過率が減少したり、透過色
が変化するといった問題が生じる。このような問題が生
じる原因としては、可視光領域での吸収があるＳｉ−Ｓ
ｉ結合が増加することによりシリカ層の消衰係数が増加
したためであると考えられる。
成するＳｉＯXのＸの値を小さくすることで屈折率を調
整した場合には、当該シリカ層の可視光域での光吸収が
徐々に増加してしまい、その結果、当該シリカ層を光学
層として用いた場合には、透過率が減少したり、透過色
が変化するといった問題が生じる。このような問題が生
じる原因としては、可視光領域での吸収があるＳｉ−Ｓ
ｉ結合が増加することによりシリカ層の消衰係数が増加
したためであると考えられる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題に
鑑みなされたものであり、反射防止フィルムの反射防止
積層体に用いられる薄層において、従来から最外層とし
て用いられているシリカ層と同一の原料である酸化ケイ
素によって形成することができ、生産性の高いシリカ層
や、当該層中のＳｉ−Ｓｉ結合の割合が小さいので、透
過率の減少や透過色の変化が生じないシリカ層、さらに
は当該シリカ層を用いた反射防止フィルムを提供するこ
とを目的とする。
鑑みなされたものであり、反射防止フィルムの反射防止
積層体に用いられる薄層において、従来から最外層とし
て用いられているシリカ層と同一の原料である酸化ケイ
素によって形成することができ、生産性の高いシリカ層
や、当該層中のＳｉ−Ｓｉ結合の割合が小さいので、透
過率の減少や透過色の変化が生じないシリカ層、さらに
は当該シリカ層を用いた反射防止フィルムを提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、請求項１において、屈折率が１．５５以上
２．５０以下（λ＝５５０ｎｍ）であって、層の組成が
ＳｉＯxＣy（ｘ＝０．５〜１．７、ｙ＝０．２〜２．
０）であり、消衰係数が０．０１８（λ＝５５０ｎｍ）
以下であることを特徴とするシリカ層を提供する。
するために、請求項１において、屈折率が１．５５以上
２．５０以下（λ＝５５０ｎｍ）であって、層の組成が
ＳｉＯxＣy（ｘ＝０．５〜１．７、ｙ＝０．２〜２．
０）であり、消衰係数が０．０１８（λ＝５５０ｎｍ）
以下であることを特徴とするシリカ層を提供する。
【００１０】屈折率が１．５５以上２．５０以下（λ＝
５５０ｎｍ）である本発明のシリカ層は、屈折率の異な
る複数の薄層を積層してなる反射防止積層体を有する反
射防止フィルムにおいて、当該反射防止積層体中の中屈
折率層または高屈折率層として用いることが可能であ
り、さらに、層の組成をＳｉＯxＣy（ｘ＝０．５〜１．
７、ｙ＝０．２〜２．０）とすることにより所望の屈折
率とすることができるため、一般的に反射防止フィルム
の最外層として用いられることが多いシリカ層と同じケ
イ素化合物を原料とすることができる。これにより、反
射防止積層体を形成する際の歩留まりを向上することが
でき、またコストダウンを図ることも可能となる。ま
た、本発明のシリカ層は、消衰係数が０．０１８（λ＝
５５０ｎｍ）以下であるため、層の透明度も充分であ
り、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ
等に使用される各種ディスプレイにおいて用いられる反
射防止フィルムを構成する反射防止積層体中においても
好適に用いることが可能である。
５５０ｎｍ）である本発明のシリカ層は、屈折率の異な
る複数の薄層を積層してなる反射防止積層体を有する反
射防止フィルムにおいて、当該反射防止積層体中の中屈
折率層または高屈折率層として用いることが可能であ
り、さらに、層の組成をＳｉＯxＣy（ｘ＝０．５〜１．
７、ｙ＝０．２〜２．０）とすることにより所望の屈折
率とすることができるため、一般的に反射防止フィルム
の最外層として用いられることが多いシリカ層と同じケ
イ素化合物を原料とすることができる。これにより、反
射防止積層体を形成する際の歩留まりを向上することが
でき、またコストダウンを図ることも可能となる。ま
た、本発明のシリカ層は、消衰係数が０．０１８（λ＝
５５０ｎｍ）以下であるため、層の透明度も充分であ
り、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ
等に使用される各種ディスプレイにおいて用いられる反
射防止フィルムを構成する反射防止積層体中においても
好適に用いることが可能である。
【００１１】また、本発明は上記目的を達成するため
に、請求項２において、屈折率が１．５５以上１．８０
未満（λ＝５５０ｎｍ）であって、層の組成がＳｉＯa
Ｃb（ａ＝０．７〜１．７、ｂ＝０．２〜１．４）であ
ることを特徴とするシリカ層を提供する。
に、請求項２において、屈折率が１．５５以上１．８０
未満（λ＝５５０ｎｍ）であって、層の組成がＳｉＯa
Ｃb（ａ＝０．７〜１．７、ｂ＝０．２〜１．４）であ
ることを特徴とするシリカ層を提供する。
【００１２】シリカ層の屈折率を上記範囲内とすること
により、当該シリカ層を反射防止フィルムの反射防止積
層体における中屈折率層として好適に用いることができ
る。また、当該シリカ層の組成を上記組成とすることに
より当該シリカ層の屈折率を所望の屈折率（１．５５以
上１．８０未満（λ＝５５０ｎｍ））とすることがで
き、前記請求項１に記載する発明と同様の効果、つまり
反射防止フィルムにおける反射防止積層体の内の一層と
して用いた場合に、当該反射防止積層体形成の際の歩留
まりを向上することができ、またコストダウンを図るこ
とも可能であるという効果を奏することができる。
により、当該シリカ層を反射防止フィルムの反射防止積
層体における中屈折率層として好適に用いることができ
る。また、当該シリカ層の組成を上記組成とすることに
より当該シリカ層の屈折率を所望の屈折率（１．５５以
上１．８０未満（λ＝５５０ｎｍ））とすることがで
き、前記請求項１に記載する発明と同様の効果、つまり
反射防止フィルムにおける反射防止積層体の内の一層と
して用いた場合に、当該反射防止積層体形成の際の歩留
まりを向上することができ、またコストダウンを図るこ
とも可能であるという効果を奏することができる。
【００１３】また、本発明は上記目的を達成するため
に、請求項３において、屈折率が１．８０以上２．５０
以下（λ＝５５０ｎｍ）であって、層の組成がＳｉＯd
Ｃe（ｄ＝０．５〜０．９、ｅ＝０．２〜２．０）であ
ることを特徴とするシリカ層を提供する。
に、請求項３において、屈折率が１．８０以上２．５０
以下（λ＝５５０ｎｍ）であって、層の組成がＳｉＯd
Ｃe（ｄ＝０．５〜０．９、ｅ＝０．２〜２．０）であ
ることを特徴とするシリカ層を提供する。
【００１４】シリカ層の屈折率を上記範囲内とすること
により、当該シリカ層を反射防止フィルムの反射防止積
層体における高屈折率層として好適に用いることができ
る。また、当該シリカ層の組成を上記組成とすることに
より当該シリカ層を所望の屈折率（１．８０以上２．５
０以下（λ＝５５０ｎｍ））とすることができ、前記請
求項１及び請求項２に記載する発明と同様の効果を奏す
ることができる。
により、当該シリカ層を反射防止フィルムの反射防止積
層体における高屈折率層として好適に用いることができ
る。また、当該シリカ層の組成を上記組成とすることに
より当該シリカ層を所望の屈折率（１．８０以上２．５
０以下（λ＝５５０ｎｍ））とすることができ、前記請
求項１及び請求項２に記載する発明と同様の効果を奏す
ることができる。
【００１５】また、前記請求項１乃至請求項３のいずれ
かの請求項に記載の発明においては、請求項４に記載す
るように、シリカ層中におけるケイ素原子（Ｓｉ）の全
結合に対するＳｉ−Ｓｉ結合の割合が１％以下であるこ
とが好ましい。
かの請求項に記載の発明においては、請求項４に記載す
るように、シリカ層中におけるケイ素原子（Ｓｉ）の全
結合に対するＳｉ−Ｓｉ結合の割合が１％以下であるこ
とが好ましい。
【００１６】従来、中屈折率層や高屈折率層としてのシ
リカ層を形成するために、ＳｉＯXのＸの値を小さくし
て屈折率を調整した場合には、層中のＳｉ−Ｓｉ結合が
増加し、その結果、当該シリカ層の可視光域での光吸収
が徐々に増加してしまい、透過率が減少したり、透過色
が変化したりする場合があった。しかしながら、シリカ
層中におけるケイ素原子（Ｓｉ）の全結合に対するＳｉ
−Ｓｉ結合の割合を１％以下とすることにより、層中に
はＳｉ−Ｓｉ結合がほとんど存在していないと考えら
れ、したがってＳｉ−Ｓｉ結合の光吸収の影響を受ける
ことがない。その結果、消衰係数を０．０１８（λ＝５
５０ｎｍ）以下とすることができる。
リカ層を形成するために、ＳｉＯXのＸの値を小さくし
て屈折率を調整した場合には、層中のＳｉ−Ｓｉ結合が
増加し、その結果、当該シリカ層の可視光域での光吸収
が徐々に増加してしまい、透過率が減少したり、透過色
が変化したりする場合があった。しかしながら、シリカ
層中におけるケイ素原子（Ｓｉ）の全結合に対するＳｉ
−Ｓｉ結合の割合を１％以下とすることにより、層中に
はＳｉ−Ｓｉ結合がほとんど存在していないと考えら
れ、したがってＳｉ−Ｓｉ結合の光吸収の影響を受ける
ことがない。その結果、消衰係数を０．０１８（λ＝５
５０ｎｍ）以下とすることができる。
【００１７】また、前記請求項１乃至請求項４のいずれ
かの請求項に記載の発明においては、請求項５に記載す
るように、プラズマＣＶＤ法により形成することが好ま
しい。
かの請求項に記載の発明においては、請求項５に記載す
るように、プラズマＣＶＤ法により形成することが好ま
しい。
【００１８】プラズマＣＶＤ法を用いることにより、シ
リカ層を形成する際の成層条件を比較的容易に管理する
ことができ、また複数の薄層を同時に形成することがで
きるため歩留まりの向上を図ることができるからであ
る。
リカ層を形成する際の成層条件を比較的容易に管理する
ことができ、また複数の薄層を同時に形成することがで
きるため歩留まりの向上を図ることができるからであ
る。
【００１９】また、前記請求項５に記載の発明において
は、請求項６に記載するように、原料が有機シリコーン
であることが好ましい。
は、請求項６に記載するように、原料が有機シリコーン
であることが好ましい。
【００２０】プラズマＣＶＤ法を用いて本発明のシリカ
層を形成する際の原料を有機シリコーンとすることによ
り、当該シリカ層を効率よく形成することができるから
である。
層を形成する際の原料を有機シリコーンとすることによ
り、当該シリカ層を効率よく形成することができるから
である。
【００２１】さらに、本発明においては、請求項７に記
載するように、基材と、この基材上に設けられており、
複数の薄層が積層されてなる反射防止積層体と、を有す
る反射防止フィルムにおいて、当該反射防止積層体を形
成する薄層中には、少なくとも前記請求項１乃至請求項
６のいずれかに記載のシリカ層が含まれていることを特
徴とする反射防止フィルムを提供する。
載するように、基材と、この基材上に設けられており、
複数の薄層が積層されてなる反射防止積層体と、を有す
る反射防止フィルムにおいて、当該反射防止積層体を形
成する薄層中には、少なくとも前記請求項１乃至請求項
６のいずれかに記載のシリカ層が含まれていることを特
徴とする反射防止フィルムを提供する。
【００２２】上記請求項１乃至請求項５に記載された本
発明のシリカ層は、屈折率が１．５５〜２．５０である
ため、反射防止フィルムにおけるいわゆる中屈折率層ま
たは高屈折率層として好適に用いることができ、また反
射防止積層体を有する反射防止フィルムは、プラズマＣ
ＶＤ法により効率よく形成することも可能だからであ
る。
発明のシリカ層は、屈折率が１．５５〜２．５０である
ため、反射防止フィルムにおけるいわゆる中屈折率層ま
たは高屈折率層として好適に用いることができ、また反
射防止積層体を有する反射防止フィルムは、プラズマＣ
ＶＤ法により効率よく形成することも可能だからであ
る。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のシリカ層および
当該シリカ層を用いた反射防止フィルムについて具体的
に説明する。
当該シリカ層を用いた反射防止フィルムについて具体的
に説明する。
【００２４】［１］シリカ層について 本発明のシリカ層は、屈折率が１．５５〜２．５０（λ
＝５５０ｎｍ）であり、層の組成がＳｉＯxＣy（ｘ＝
０．５〜１．７、ｙ＝０．２〜２．０）であり、消衰係
数が０．０１８（λ＝５５０ｎｍ）以下であることに特
徴を有するものである。以下にこれらの特徴について具
体的に説明する。
＝５５０ｎｍ）であり、層の組成がＳｉＯxＣy（ｘ＝
０．５〜１．７、ｙ＝０．２〜２．０）であり、消衰係
数が０．０１８（λ＝５５０ｎｍ）以下であることに特
徴を有するものである。以下にこれらの特徴について具
体的に説明する。
【００２５】まず、本発明のシリカ層は、その屈折率が
１．５５〜２．５０であり、かつ層の組成がＳｉＯxＣy
（ｘ＝０．５〜１．７、ｙ＝０．２〜２．０）であるこ
とに特徴を有している。
１．５５〜２．５０であり、かつ層の組成がＳｉＯxＣy
（ｘ＝０．５〜１．７、ｙ＝０．２〜２．０）であるこ
とに特徴を有している。
【００２６】本発明のシリカ層は、反射防止フィルムを
構成する反射防止積層体中の一層として、より具体的に
は中屈折率層または高屈折率層として利用することを主
たる目的としているため、その屈折率は上記の範囲であ
ることが好ましい。
構成する反射防止積層体中の一層として、より具体的に
は中屈折率層または高屈折率層として利用することを主
たる目的としているため、その屈折率は上記の範囲であ
ることが好ましい。
【００２７】また、本発明のシリカ層の組成は、ＳｉＯ
xＣy（ｘ＝０．５〜１．７、ｙ＝０．２〜２．０）、つ
まり、単なる酸化ケイ素（ＳｉＯx）による層ではな
く、炭素（Ｃ）を含有するケイ素化合物（炭化ケイ素化
合物）により構成されていることに特徴を有している。
このように、炭素を含有することにより、当該シリカ層
を所望の屈折率とすることができる。
xＣy（ｘ＝０．５〜１．７、ｙ＝０．２〜２．０）、つ
まり、単なる酸化ケイ素（ＳｉＯx）による層ではな
く、炭素（Ｃ）を含有するケイ素化合物（炭化ケイ素化
合物）により構成されていることに特徴を有している。
このように、炭素を含有することにより、当該シリカ層
を所望の屈折率とすることができる。
【００２８】ここで、本発明のシリカ層中のケイ素原子
（Ｓｉ）と結合している酸素原子（Ｏ）の数ｘは０．５
〜１．７である。これは、結合している酸素原子の数が
０．５より少なくなると、それだけケイ素原子（Ｓｉ）
とケイ素原子（Ｓｉ）とが結合する割合、つまりＳｉ−
Ｓｉ結合の割合が増加することになり、消衰係数が増加
し、その結果、シリカ層の透明度が低下して反射防止フ
ィルムの反射防止積層体中の一層として好適に用いるこ
とができなくなるからである。一方、ケイ素原子に結合
している酸素原子の数ｘを１．７より多くすると、単な
るシリカ層（ＳｉＯ2）と同様の屈折率（１．４６〜
１．５５）になってしまい、反射防止フィルムを構成す
る中屈折率または高屈折率層として好適に用いることが
できないからである。
（Ｓｉ）と結合している酸素原子（Ｏ）の数ｘは０．５
〜１．７である。これは、結合している酸素原子の数が
０．５より少なくなると、それだけケイ素原子（Ｓｉ）
とケイ素原子（Ｓｉ）とが結合する割合、つまりＳｉ−
Ｓｉ結合の割合が増加することになり、消衰係数が増加
し、その結果、シリカ層の透明度が低下して反射防止フ
ィルムの反射防止積層体中の一層として好適に用いるこ
とができなくなるからである。一方、ケイ素原子に結合
している酸素原子の数ｘを１．７より多くすると、単な
るシリカ層（ＳｉＯ2）と同様の屈折率（１．４６〜
１．５５）になってしまい、反射防止フィルムを構成す
る中屈折率または高屈折率層として好適に用いることが
できないからである。
【００２９】また、本発明のシリカ層中のケイ素原子
（Ｓｉ）と結合している炭素原子（Ｃ）の数ｙは０．２
〜２．０である。これは、結合している炭素原子の数が
０．２より少ないと単なるシリカ層（ＳｉＯ2）と同様
の屈折率（１．４６〜１．５５）となってしまい、反射
防止フィルムを構成する中屈折率層または高屈折率層と
して好適に用いることができないからである。また一
方、ケイ素原子に結合している炭素原子の数ｙを２．０
より多くすると、シリカ層の透明度が低下してしまい、
反射防止フィルムの反射防止積層体中の一層として好適
に用いることができなくなると同時にシリカ層の内部応
力が増加して、層へのクラック発生や、層剥がれなどが
発生しやすくなるからである。
（Ｓｉ）と結合している炭素原子（Ｃ）の数ｙは０．２
〜２．０である。これは、結合している炭素原子の数が
０．２より少ないと単なるシリカ層（ＳｉＯ2）と同様
の屈折率（１．４６〜１．５５）となってしまい、反射
防止フィルムを構成する中屈折率層または高屈折率層と
して好適に用いることができないからである。また一
方、ケイ素原子に結合している炭素原子の数ｙを２．０
より多くすると、シリカ層の透明度が低下してしまい、
反射防止フィルムの反射防止積層体中の一層として好適
に用いることができなくなると同時にシリカ層の内部応
力が増加して、層へのクラック発生や、層剥がれなどが
発生しやすくなるからである。
【００３０】ここで、本発明のシリカ層においては、上
記炭素原子（Ｃ）の数ｙは０．２〜１．０であることが
特に好ましい。
記炭素原子（Ｃ）の数ｙは０．２〜１．０であることが
特に好ましい。
【００３１】さらに本発明のシリカ層においては、消衰
係数が０．０１８（λ＝５５０ｎｍ）以下であることに
も特徴を有している。本発明のシリカ層は、消衰係数が
０．０１８（λ＝５５０ｎｍ）以下であるため、層の透
明度も充分であり、例えば、液晶ディスプレイ、プラズ
マディスプレイ等に使用される各種ディスプレイにおい
て用いられる反射防止フィルムを構成する反射防止積層
体中においても好適に用いることが可能である。
係数が０．０１８（λ＝５５０ｎｍ）以下であることに
も特徴を有している。本発明のシリカ層は、消衰係数が
０．０１８（λ＝５５０ｎｍ）以下であるため、層の透
明度も充分であり、例えば、液晶ディスプレイ、プラズ
マディスプレイ等に使用される各種ディスプレイにおい
て用いられる反射防止フィルムを構成する反射防止積層
体中においても好適に用いることが可能である。
【００３２】ここで上記消衰係数とは、層の各波長にお
ける吸収割合を示す数値であり、屈折率の虚数部分にあ
たる。具体的には、分光器で測定した透過、反射スペク
トルにＣａｕｇｈｙの式を適用することにより算出でき
る。また、光学異方性のない基材（例えば、ケイ素、ポ
リカーボネート、ガラス等）上へ作製した薄層を、エリ
プソメトリ（偏光解析法）を用いる方式でも算出するこ
とができる。
ける吸収割合を示す数値であり、屈折率の虚数部分にあ
たる。具体的には、分光器で測定した透過、反射スペク
トルにＣａｕｇｈｙの式を適用することにより算出でき
る。また、光学異方性のない基材（例えば、ケイ素、ポ
リカーボネート、ガラス等）上へ作製した薄層を、エリ
プソメトリ（偏光解析法）を用いる方式でも算出するこ
とができる。
【００３３】また、本発明のシリカ層にあっては、その
屈折率が１．５５以上１．８０未満（λ＝５５０ｎｍ）
であって、層の組成をＳｉＯaＣb（ａ＝０．７〜１．
７、ｂ＝０．２〜１．４）とすることができる。反射防
止フィルムを構成する反射防止積層体中の中屈折率層と
して好適に用いることができるからである。ここで、中
屈折率層として用いる場合には、ａ＝１．０〜１．７、
ｂ＝０．２〜１．０とするのが特に好ましい。
屈折率が１．５５以上１．８０未満（λ＝５５０ｎｍ）
であって、層の組成をＳｉＯaＣb（ａ＝０．７〜１．
７、ｂ＝０．２〜１．４）とすることができる。反射防
止フィルムを構成する反射防止積層体中の中屈折率層と
して好適に用いることができるからである。ここで、中
屈折率層として用いる場合には、ａ＝１．０〜１．７、
ｂ＝０．２〜１．０とするのが特に好ましい。
【００３４】さらに、本発明のシリカ層にあっては、そ
の屈折率が１．８０以上２．５０以下（λ＝５５０ｎ
ｍ）であって、層の組成をＳｉＯdＣe（ｄ＝０．５〜
０．９、ｅ＝１．０〜２．０）とすることもできる。こ
の場合には、反射防止フィルムを構成する反射防止積層
体中の高屈折率層として好適に用いることができるから
である。また、高屈折率層として用いる場合において
は、ｄ＝０．５〜１．２、ｅ＝０．２〜１．０の範囲と
することも可能である。
の屈折率が１．８０以上２．５０以下（λ＝５５０ｎ
ｍ）であって、層の組成をＳｉＯdＣe（ｄ＝０．５〜
０．９、ｅ＝１．０〜２．０）とすることもできる。こ
の場合には、反射防止フィルムを構成する反射防止積層
体中の高屈折率層として好適に用いることができるから
である。また、高屈折率層として用いる場合において
は、ｄ＝０．５〜１．２、ｅ＝０．２〜１．０の範囲と
することも可能である。
【００３５】ここで、中屈折率層および高屈折率層と
は、反射防止積層体を構成する薄層をそれぞれの屈折率
により相対的に比較した場合において、それぞれの薄層
を区別するための名称であり、比較的屈折率の高い層を
高屈折率層、比較的屈折率の低い層を低屈折率層とし、
前記高屈折率層と低屈折率層の中間の屈折率を有する層
を中屈折率層としている。一般的には、屈折率が１．８
０以上を高屈折率層、１．５５以上１．８０未満を中屈
折率層、１．５５未満を低屈折率層とする場合が多い。
は、反射防止積層体を構成する薄層をそれぞれの屈折率
により相対的に比較した場合において、それぞれの薄層
を区別するための名称であり、比較的屈折率の高い層を
高屈折率層、比較的屈折率の低い層を低屈折率層とし、
前記高屈折率層と低屈折率層の中間の屈折率を有する層
を中屈折率層としている。一般的には、屈折率が１．８
０以上を高屈折率層、１．５５以上１．８０未満を中屈
折率層、１．５５未満を低屈折率層とする場合が多い。
【００３６】さらに、本発明のシリカ層は、当該層中に
おけるケイ素原子（Ｓｉ）の全結合に対するＳｉ−Ｓｉ
結合の割合が１％以下であることが好ましい。シリカ層
中のＳｉ−Ｓｉ結合は可視光領域で光を吸収するので、
この結合が層中に多く存在していると、当該層の透過率
が低下したり、透過色の変化が生じる場合があるからで
ある。ここで、当該層中におけるケイ素原子（Ｓｉ）の
全結合に対するＳｉ−Ｓｉ結合の割合とは、つまりＳｉ
−Ｓｉ結合とＳｉ−Ｏ結合とＳｉ−Ｃ結合を全体とした
場合のＳｉ−Ｓｉ結合の占める割合のことである。
おけるケイ素原子（Ｓｉ）の全結合に対するＳｉ−Ｓｉ
結合の割合が１％以下であることが好ましい。シリカ層
中のＳｉ−Ｓｉ結合は可視光領域で光を吸収するので、
この結合が層中に多く存在していると、当該層の透過率
が低下したり、透過色の変化が生じる場合があるからで
ある。ここで、当該層中におけるケイ素原子（Ｓｉ）の
全結合に対するＳｉ−Ｓｉ結合の割合とは、つまりＳｉ
−Ｓｉ結合とＳｉ−Ｏ結合とＳｉ−Ｃ結合を全体とした
場合のＳｉ−Ｓｉ結合の占める割合のことである。
【００３７】本発明においてシリカ層中のＳｉ−Ｓｉ結
合の割合は、光電子分光測定における波形分離に基づく
ものである。具体的には、高分子分光測定装置（VG Sci
entific製：ESCALAB 220i-XL）を用い、以下の条件でＳ
ｉの２ｐスペクトルを測定した際の割合である。なお、
測定は、Ａｒイオンにより約数ｎｍをエッチング後に行
い、結合エネルギーの補正は、Ｃ−Ｃ結合の１ｓピーク
を２８４．６ｅＶとして補正した。また、波形分離にあ
っては、各結合の結合エネルギーを、Ｓｉ−Ｏは１０
３．５ｅＶ、Ｓｉ−Ｓｉは９９．０ｅＶ、Ｓｉ−Ｃは１
００．５ｅＶとして分離した。
合の割合は、光電子分光測定における波形分離に基づく
ものである。具体的には、高分子分光測定装置（VG Sci
entific製：ESCALAB 220i-XL）を用い、以下の条件でＳ
ｉの２ｐスペクトルを測定した際の割合である。なお、
測定は、Ａｒイオンにより約数ｎｍをエッチング後に行
い、結合エネルギーの補正は、Ｃ−Ｃ結合の１ｓピーク
を２８４．６ｅＶとして補正した。また、波形分離にあ
っては、各結合の結合エネルギーを、Ｓｉ−Ｏは１０
３．５ｅＶ、Ｓｉ−Ｓｉは９９．０ｅＶ、Ｓｉ−Ｃは１
００．５ｅＶとして分離した。
【００３８】（測定条件） Ｘ線源：単色化Ａｌ Ｋα線 Ｘ線出力：１０ＫＶ，２０ｍＡ 測定領域：０．７ｍｍφ 光電子脱出深度：９０度
【００３９】［２］反射防止フィルムについて 次に、上述してきたシリカ層を用いた反射防止フィルム
について説明する。
について説明する。
【００４０】図１に示すように、本発明の反射防止フィ
ルム１は、基材２と、この基材２上に設けられており、
複数の薄層が積層されてなる反射防止積層体３とを有す
るものであり、当該反射防止積層体３を形成する薄層中
には、上述した本発明のシリカ層が含まれていることを
特徴とするものである。
ルム１は、基材２と、この基材２上に設けられており、
複数の薄層が積層されてなる反射防止積層体３とを有す
るものであり、当該反射防止積層体３を形成する薄層中
には、上述した本発明のシリカ層が含まれていることを
特徴とするものである。
【００４１】以下に図１を用いて本発明の反射防止フィ
ルム１を構成する反射防止積層体３、および基材２
についてそれぞれ説明する。
ルム１を構成する反射防止積層体３、および基材２
についてそれぞれ説明する。
【００４２】反射防止積層体 まず、本発明の反射防止フィルムを構成する反射防止積
層体３について説明する。当該反射防止積層体３は、基
材２上設けられるものであり、上述した本発明のシリカ
層が少なくとも一層以上積層されていればよく、反射防
止積層体３を構成するその他の薄層については特に限定
するものではなく、反射防止フィルム全体として反射防
止効果を奏するように自由に積層することが可能であ
る。
層体３について説明する。当該反射防止積層体３は、基
材２上設けられるものであり、上述した本発明のシリカ
層が少なくとも一層以上積層されていればよく、反射防
止積層体３を構成するその他の薄層については特に限定
するものではなく、反射防止フィルム全体として反射防
止効果を奏するように自由に積層することが可能であ
る。
【００４３】図１に示す反射防止積層体３は、本発明の
反射防止フィルムにおける反射防止積層体の一例を示す
ものであり、最外層（基材と接する層の反対側の層）を
低屈折率層４とし、この低屈折率層から基材の方向へ向
かって、高屈折率層５、中屈折率層６、およびハードコ
ート層７を順次積層した構造となっている。
反射防止フィルムにおける反射防止積層体の一例を示す
ものであり、最外層（基材と接する層の反対側の層）を
低屈折率層４とし、この低屈折率層から基材の方向へ向
かって、高屈折率層５、中屈折率層６、およびハードコ
ート層７を順次積層した構造となっている。
【００４４】そして、図１に示す反射防止積層体３中の
高屈折率層５には、屈折率が１．８０以上２．５０以下
（λ＝５５０ｎｍ）であって、層の組成がＳｉＯdＣ
e（ｄ＝０．５〜０．９、ｅ＝１．０〜２．０）である
ことを特徴とする本発明のシリカ層が用いられている。
高屈折率層５には、屈折率が１．８０以上２．５０以下
（λ＝５５０ｎｍ）であって、層の組成がＳｉＯdＣ
e（ｄ＝０．５〜０．９、ｅ＝１．０〜２．０）である
ことを特徴とする本発明のシリカ層が用いられている。
【００４５】上記のシリカ層を高屈折率層５として用い
ることにより、反射防止積層体３中において、当該高屈
折率層５の上側（基材側と反対の方向）に設けられた低
屈折率層４と組み合わせにより、夫々の屈折率の違いに
より光の反射を効率よく防止することができる。
ることにより、反射防止積層体３中において、当該高屈
折率層５の上側（基材側と反対の方向）に設けられた低
屈折率層４と組み合わせにより、夫々の屈折率の違いに
より光の反射を効率よく防止することができる。
【００４６】ここで、高屈折率層５として本発明のシリ
カ層を用いる場合には、その屈折率が２．０〜２．３
（λ＝５５０ｎｍ）であることが特に好ましい。反射防
止フィルムを形成する際においては、当該高屈折率層５
の屈折率は積層されている他の層との関係で相対的に決
定することが好ましく、反射防止積層体３全体としての
バランスにより反射防止効果を奏するものであるが、一
般的には高屈折率層の屈折率は上記のような範囲である
ことが好ましい。
カ層を用いる場合には、その屈折率が２．０〜２．３
（λ＝５５０ｎｍ）であることが特に好ましい。反射防
止フィルムを形成する際においては、当該高屈折率層５
の屈折率は積層されている他の層との関係で相対的に決
定することが好ましく、反射防止積層体３全体としての
バランスにより反射防止効果を奏するものであるが、一
般的には高屈折率層の屈折率は上記のような範囲である
ことが好ましい。
【００４７】また、本発明のシリカ層により形成される
高屈折率層５の厚さは、特に限定されるものではなく、
反射防止効果を奏することができればいかなる厚さでも
よいが、０．００５〜０．３μｍが特に好ましく、０．
０１〜０．１５μｍがさらに好ましい。層の厚さが０．
００５μｍより薄いと、反射防止効果をほとんど期待で
きないからであり、逆に層の厚さが０．３μｍより厚い
と、層の応力による基材変形や層剥れを発生するからで
ある。
高屈折率層５の厚さは、特に限定されるものではなく、
反射防止効果を奏することができればいかなる厚さでも
よいが、０．００５〜０．３μｍが特に好ましく、０．
０１〜０．１５μｍがさらに好ましい。層の厚さが０．
００５μｍより薄いと、反射防止効果をほとんど期待で
きないからであり、逆に層の厚さが０．３μｍより厚い
と、層の応力による基材変形や層剥れを発生するからで
ある。
【００４８】また、図１に示す反射防止積層体３中の中
屈折率層６には、屈折率が１．５５以上１．８０未満
（λ＝５５０ｎｍ）であって、層の組成がＳｉＯaＣ
b（ａ＝０．７〜１．７、ｂ＝０．２〜１．４）である
ことを特徴とする本発明のシリカ層が用いられている。
屈折率層６には、屈折率が１．５５以上１．８０未満
（λ＝５５０ｎｍ）であって、層の組成がＳｉＯaＣ
b（ａ＝０．７〜１．７、ｂ＝０．２〜１．４）である
ことを特徴とする本発明のシリカ層が用いられている。
【００４９】上記のシリカ層を中屈折率層６として用い
ることにより、反射防止積層体３中において、他の薄層
（例えば、前記高屈折率層など）との相乗的な効果をも
って反射防止機能を高めることができる。
ることにより、反射防止積層体３中において、他の薄層
（例えば、前記高屈折率層など）との相乗的な効果をも
って反射防止機能を高めることができる。
【００５０】ここで、当該中屈折率層６を設ける位置に
ついては、本発明は特に限定するものではなく反射防止
積層体３全体として反射防止機能が向上するような位置
であればいかなる位置に設けることも可能である。しか
しながら、図１に示すように高屈折率層５と低屈折率層
４とは接触している方が効率よく光の反射を防止するこ
とができるため、当該中屈折率層６は高屈折率層５の下
に設置することが好ましい。
ついては、本発明は特に限定するものではなく反射防止
積層体３全体として反射防止機能が向上するような位置
であればいかなる位置に設けることも可能である。しか
しながら、図１に示すように高屈折率層５と低屈折率層
４とは接触している方が効率よく光の反射を防止するこ
とができるため、当該中屈折率層６は高屈折率層５の下
に設置することが好ましい。
【００５１】また、本発明のシリカ層により形成される
中屈折率層６の厚さは、特に限定されるものではなく、
反射防止効果を奏することができればいかなる厚さでも
よいが、上記の高屈折率層と同様に、０．００５〜０．
３μｍが特に好ましく、０．０１〜０．１５μｍがさら
に好ましい。層の厚さが０．００５μｍより薄いと、反
射防止効果をほとんど期待できないからであり、逆に層
の厚さが０．３μｍより厚いと、層の応力による基材変
形や層剥れを発生するからである。
中屈折率層６の厚さは、特に限定されるものではなく、
反射防止効果を奏することができればいかなる厚さでも
よいが、上記の高屈折率層と同様に、０．００５〜０．
３μｍが特に好ましく、０．０１〜０．１５μｍがさら
に好ましい。層の厚さが０．００５μｍより薄いと、反
射防止効果をほとんど期待できないからであり、逆に層
の厚さが０．３μｍより厚いと、層の応力による基材変
形や層剥れを発生するからである。
【００５２】次に、図１に示す反射防止積層体３の最外
層（基材と反対側の表面）に設けられた低屈折率層につ
いて説明する。
層（基材と反対側の表面）に設けられた低屈折率層につ
いて説明する。
【００５３】低屈折率層は、反射防止フィルムの光学特
性（反射防止機能）を向上せしめるために設けられるも
のであり、当該低屈折率層を最外層に設けることにより
効率よく光を透過することができる。
性（反射防止機能）を向上せしめるために設けられるも
のであり、当該低屈折率層を最外層に設けることにより
効率よく光を透過することができる。
【００５４】本発明においては、当該低屈折率層につい
て特に限定するものではなく、いかなる層を用いること
も可能である。中でもシリカ層は、従来から低屈折率層
として用いられていることが多く、本発明の反射防止フ
ィルムにおいても好適に用いることが可能である。ま
た、本発明の反射防止ファイルにおいては、上述してき
たように、中屈折率層や高屈折率層として、それぞれ屈
折率の異なるシリカ層を用いているため、低屈折率層に
シリカ層を用いることにより、反射防止積層体を構成し
ており、光学的作用を奏する薄層（つまり、ハードコー
ト層などのようにフィルムの強度を向上する等の目的で
設けられる薄層ではなく、反射防止機能を奏し得る薄
層）をシリカ層のみで形成することが可能となる。この
ように反射防止積層体を形成する薄層をシリカ層のみで
形成することにより、歩留まりを向上することができ、
またコスト的にも好ましいだけでなく、それぞれの薄層
の密着性も向上することができるため（原料の異なる層
同士の密着性に比べ、同一原料の層同士の密着性はよ
い。）好ましい。
て特に限定するものではなく、いかなる層を用いること
も可能である。中でもシリカ層は、従来から低屈折率層
として用いられていることが多く、本発明の反射防止フ
ィルムにおいても好適に用いることが可能である。ま
た、本発明の反射防止ファイルにおいては、上述してき
たように、中屈折率層や高屈折率層として、それぞれ屈
折率の異なるシリカ層を用いているため、低屈折率層に
シリカ層を用いることにより、反射防止積層体を構成し
ており、光学的作用を奏する薄層（つまり、ハードコー
ト層などのようにフィルムの強度を向上する等の目的で
設けられる薄層ではなく、反射防止機能を奏し得る薄
層）をシリカ層のみで形成することが可能となる。この
ように反射防止積層体を形成する薄層をシリカ層のみで
形成することにより、歩留まりを向上することができ、
またコスト的にも好ましいだけでなく、それぞれの薄層
の密着性も向上することができるため（原料の異なる層
同士の密着性に比べ、同一原料の層同士の密着性はよ
い。）好ましい。
【００５５】また、図１に示す反射防止積層体３中に
は、ハードコート層７も設けられている。
は、ハードコート層７も設けられている。
【００５６】本発明に用いられるハードコート層７は、
本発明の反射防止フィルムに強度を持たせることを目的
として形成される層である。従って、反射防止フィルム
の用途によっては必ずしも必要なものではない。
本発明の反射防止フィルムに強度を持たせることを目的
として形成される層である。従って、反射防止フィルム
の用途によっては必ずしも必要なものではない。
【００５７】ハードコート層７を形成するための材料と
しては、同様に可視光域で透明な材料であり反射防止フ
ィルムに強度をもたせることができるものであれば特に
限定されるものではなく、例えばＵＶ硬化型アクリル系
ハードコートや熱硬化型シリコーン系ハードコート等を
用いることができる。また、当該ハードコート層の肉厚
は、通常１〜３０μｍの範囲内であり、このようなハー
ドコート層の製造方法は、通常のコーティング方法を用
いることも可能であり、特に限定されるものではない。
しては、同様に可視光域で透明な材料であり反射防止フ
ィルムに強度をもたせることができるものであれば特に
限定されるものではなく、例えばＵＶ硬化型アクリル系
ハードコートや熱硬化型シリコーン系ハードコート等を
用いることができる。また、当該ハードコート層の肉厚
は、通常１〜３０μｍの範囲内であり、このようなハー
ドコート層の製造方法は、通常のコーティング方法を用
いることも可能であり、特に限定されるものではない。
【００５８】また、ハードコート層を設ける位置である
が、ハードコートを設ける目的は反射防止フィルムに強
度を持たせることであり、反射防止機能を向上せしめる
ためのものではないため、最上層のシリカ層４から離れ
た位置に設置することが好ましく基材２のすぐ上に設置
することが好ましい。
が、ハードコートを設ける目的は反射防止フィルムに強
度を持たせることであり、反射防止機能を向上せしめる
ためのものではないため、最上層のシリカ層４から離れ
た位置に設置することが好ましく基材２のすぐ上に設置
することが好ましい。
【００５９】基材 次に基材２について説明する。本発明の反射防止フィル
ムにおいて、基材２は、前記のシリカ層の反対面に位置
するものであり、当該反射防止フィルムの土台となる部
分である。基材２は、可視光域で透明な高分子フィルム
であれば特に限定されるものではない。前記高分子フィ
ルムとしては、例えば、トリアセチルセルロースフィル
ム、ジアセチルセルロースフィルム、アセテートブチレ
ートセルロースフィルム、ポリエーテルサルホンフィル
ム、ポリアクリル系フィルム、ポリウレタン系フィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネイトフィル
ム、ポリスルホンフィルム、ポリエーテルフィルム、ト
リメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィル
ム、アクリロニトリルフィルム、メタクリロニトリルフ
ィルム等が挙げられる。さらには、無色のフィルムがよ
り好ましく使用できる。中でも、一軸または二軸延伸ポ
リエステルフィルムが透明性、耐熱性に優れていること
から好適に用いられ、特にポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）フィルムが好ましい。また、光学異方性のな
い点でトリアセチルセルロースも好適に用いられる。高
分子フィルムの厚みは、通常は６μm〜１８８μm程度の
ものが好適に用いられる。
ムにおいて、基材２は、前記のシリカ層の反対面に位置
するものであり、当該反射防止フィルムの土台となる部
分である。基材２は、可視光域で透明な高分子フィルム
であれば特に限定されるものではない。前記高分子フィ
ルムとしては、例えば、トリアセチルセルロースフィル
ム、ジアセチルセルロースフィルム、アセテートブチレ
ートセルロースフィルム、ポリエーテルサルホンフィル
ム、ポリアクリル系フィルム、ポリウレタン系フィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネイトフィル
ム、ポリスルホンフィルム、ポリエーテルフィルム、ト
リメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィル
ム、アクリロニトリルフィルム、メタクリロニトリルフ
ィルム等が挙げられる。さらには、無色のフィルムがよ
り好ましく使用できる。中でも、一軸または二軸延伸ポ
リエステルフィルムが透明性、耐熱性に優れていること
から好適に用いられ、特にポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）フィルムが好ましい。また、光学異方性のな
い点でトリアセチルセルロースも好適に用いられる。高
分子フィルムの厚みは、通常は６μm〜１８８μm程度の
ものが好適に用いられる。
【００６０】次に、上記で説明してきた低屈折率層、及
び本発明の高屈折率層や中屈折率層、さらにはハードコ
ート層を用いて本発明の反射防止フィルムを形成する場
合における図１以外の積層パターンについて図面を用い
て具体的に説明する。
び本発明の高屈折率層や中屈折率層、さらにはハードコ
ート層を用いて本発明の反射防止フィルムを形成する場
合における図１以外の積層パターンについて図面を用い
て具体的に説明する。
【００６１】例えば、図２に示すように屈折率が１．８
０以上２．５０以下（λ＝５５０ｎｍ）であって、層の
組成がＳｉＯdＣe（ｄ＝０．５〜０．９、ｅ＝１．０〜
２．０）であることを特徴とする本発明のシリカ層を高
屈折率層として用い、また従来から用いられている通常
のシリカ層（屈折率は約１．４６）を低屈折率層として
用いて、これら２種類のシリカ層を図２に示すように、
各々二層づつ交互に積層した構造（基材と反対側の表面
を低屈折率のシリカ層とし、その下に本発明のシリカ
層、その下に低屈折率のシリカ層、さらにその下に本発
明のシリカ層）としてもよい。このような構成とするこ
とにより、反射防止効果が向上するからである。なお、
この場合においても図２に示すようにハードコート層を
用いることが好ましい。
０以上２．５０以下（λ＝５５０ｎｍ）であって、層の
組成がＳｉＯdＣe（ｄ＝０．５〜０．９、ｅ＝１．０〜
２．０）であることを特徴とする本発明のシリカ層を高
屈折率層として用い、また従来から用いられている通常
のシリカ層（屈折率は約１．４６）を低屈折率層として
用いて、これら２種類のシリカ層を図２に示すように、
各々二層づつ交互に積層した構造（基材と反対側の表面
を低屈折率のシリカ層とし、その下に本発明のシリカ
層、その下に低屈折率のシリカ層、さらにその下に本発
明のシリカ層）としてもよい。このような構成とするこ
とにより、反射防止効果が向上するからである。なお、
この場合においても図２に示すようにハードコート層を
用いることが好ましい。
【００６２】［３］本発明のシリカ層及び反射防止フィ
ルムの製造方法について 次に、本発明のシリカ層及び反射防止フィルムの製造方
法について説明する。ここで、前記［１］で説明したシ
リカ層の製造方法ついても、本発明の反射防止フィルム
におけるシリカ層と同様であるため同時に説明すること
とする。
ルムの製造方法について 次に、本発明のシリカ層及び反射防止フィルムの製造方
法について説明する。ここで、前記［１］で説明したシ
リカ層の製造方法ついても、本発明の反射防止フィルム
におけるシリカ層と同様であるため同時に説明すること
とする。
【００６３】本発明においては、上述してきたような反
射防止積層体を形成することが可能であれば、その製造
方法について特に限定するものではなく、例えば、真空
蒸着法やスパッタリング法、熱ＣＶＤ法、あるいは、ゾ
ルゲル法等によるウェットコーティングなどの方法を用
いることができる。
射防止積層体を形成することが可能であれば、その製造
方法について特に限定するものではなく、例えば、真空
蒸着法やスパッタリング法、熱ＣＶＤ法、あるいは、ゾ
ルゲル法等によるウェットコーティングなどの方法を用
いることができる。
【００６４】上記製造方法の中でも、本発明のシリカ層
及び反射防止フィルムを製造する際には、プラズマＣＶ
Ｄ法を用いることが好ましい。
及び反射防止フィルムを製造する際には、プラズマＣＶ
Ｄ法を用いることが好ましい。
【００６５】ここで、プラズマＣＶＤ法とは、所定のガ
スが導入された反応室内でプラズマ生成することにより
原子または分子ラジカル種が生成されて固体表面に付着
し、多くの場合表面反応によってさらに揮発性分子を放
出して固体表面に取り込まれる現象を利用した成層方法
である。プラズマＣＶＤ法を用いて本発明のシリカ層を
形成する際の原料を有機シリコーンとすることにより、
当該シリカ層を効率よく形成することができるからであ
る。また、当該プラズマＣＶＤ法には、プラズマを発生
するために用いる電力の印加方法の違いにより、容量結
合型プラズマＣＶＤ法と、誘導結合型のプラズマＣＶＤ
法の２種類があるが、本発明においてはどちらのプラズ
マＣＶＤ法を用いることも可能である。
スが導入された反応室内でプラズマ生成することにより
原子または分子ラジカル種が生成されて固体表面に付着
し、多くの場合表面反応によってさらに揮発性分子を放
出して固体表面に取り込まれる現象を利用した成層方法
である。プラズマＣＶＤ法を用いて本発明のシリカ層を
形成する際の原料を有機シリコーンとすることにより、
当該シリカ層を効率よく形成することができるからであ
る。また、当該プラズマＣＶＤ法には、プラズマを発生
するために用いる電力の印加方法の違いにより、容量結
合型プラズマＣＶＤ法と、誘導結合型のプラズマＣＶＤ
法の２種類があるが、本発明においてはどちらのプラズ
マＣＶＤ法を用いることも可能である。
【００６６】ここで、本発明においては上記のようなプ
ラズマＣＶＤ法の中でも、図３に示すようなプラズマＣ
ＶＤ装置を用いることが特に好ましい。当該プラズマＣ
ＶＤ装置により本発明の反射防止フィルムを連続的に製
造でき、かつ基材となる高分子フィルムの温度制御も正
確に行うことができるからである。
ラズマＣＶＤ法の中でも、図３に示すようなプラズマＣ
ＶＤ装置を用いることが特に好ましい。当該プラズマＣ
ＶＤ装置により本発明の反射防止フィルムを連続的に製
造でき、かつ基材となる高分子フィルムの温度制御も正
確に行うことができるからである。
【００６７】図３に示すプラズマＣＶＤ装置３０は容量
結合型のプラズマＣＶＤ装置であり、ウエッブ状の高分
子フィルム３１は基材巻き出し部３２より巻きだされ
て、真空容器３３中の反応室（ａ，ｂ，ｃ）に導入され
る。そして、当該反応室内の成層用ドラム３４上で所定
の層が形成され、基材巻き取り部３６により巻き取られ
る。
結合型のプラズマＣＶＤ装置であり、ウエッブ状の高分
子フィルム３１は基材巻き出し部３２より巻きだされ
て、真空容器３３中の反応室（ａ，ｂ，ｃ）に導入され
る。そして、当該反応室内の成層用ドラム３４上で所定
の層が形成され、基材巻き取り部３６により巻き取られ
る。
【００６８】当該プラズマＣＶＤ装置３０は、複数（３
つ）の反応室を有している点に特徴を有し、夫々の反応
室（ａ，ｂ，ｃ）は隔離壁３５で隔離されることで形成
されている。ここで、以下の説明の便宜上、当該３つの
反応室を右側から反応室ａ、反応室ｂ、反応室ｃとす
る。そして、各反応室には、夫々電極版ａ１、ｂ１、ｃ
１及び原料ガス導入口ａ２、ｂ２、ｃ２が設置されてい
る。各反応室（ａ，ｂ，ｃ）は、成層用ドラム３４の外
周に沿って設置されている。これは、反射防止積層体が
形成される高分子フィルムは、成層用ドラム３４と同期
しながら反応室内に挿入され、かつ成層用ドラム上にお
いて反射防止積層体を形成するものであることから、こ
のように配置することにより連続して各層を積層するこ
とができるからである。
つ）の反応室を有している点に特徴を有し、夫々の反応
室（ａ，ｂ，ｃ）は隔離壁３５で隔離されることで形成
されている。ここで、以下の説明の便宜上、当該３つの
反応室を右側から反応室ａ、反応室ｂ、反応室ｃとす
る。そして、各反応室には、夫々電極版ａ１、ｂ１、ｃ
１及び原料ガス導入口ａ２、ｂ２、ｃ２が設置されてい
る。各反応室（ａ，ｂ，ｃ）は、成層用ドラム３４の外
周に沿って設置されている。これは、反射防止積層体が
形成される高分子フィルムは、成層用ドラム３４と同期
しながら反応室内に挿入され、かつ成層用ドラム上にお
いて反射防止積層体を形成するものであることから、こ
のように配置することにより連続して各層を積層するこ
とができるからである。
【００６９】上述したようなプラズマＣＶＤ装置によれ
ば、各反応室へ導入する原料ガスを変化させることによ
り、夫々の反応室内で独立して層を形成することが可能
である。
ば、各反応室へ導入する原料ガスを変化させることによ
り、夫々の反応室内で独立して層を形成することが可能
である。
【００７０】例えば、図１に示す反射防止フィルムを製
造する場合においては、まず、基材となるＰＥＴフィル
ム上にハードコート層を従来からのウェットコーティン
グにより形成して、その後、中屈折率層、高屈折率層と
しての本発明のシリカ層、及び低屈折率層としての従来
からのシリカ層を当該プラズマＣＶＤ装置により形成す
ることができる。この場合、それぞれの反応室（ａ，
ｂ，ｃ）にケイ素を含むガスを導入することにより、高
分子フィルム３１が成層用ドラム３４を経て基材巻き取
り部３６へ巻き取られるまでに当該高分子フィルム３１
上に本発明の中屈折率層と高屈折率層、及び低屈折率層
としてのシリカ層が形成された反射防止フィルムを形成
することが可能となる。
造する場合においては、まず、基材となるＰＥＴフィル
ム上にハードコート層を従来からのウェットコーティン
グにより形成して、その後、中屈折率層、高屈折率層と
しての本発明のシリカ層、及び低屈折率層としての従来
からのシリカ層を当該プラズマＣＶＤ装置により形成す
ることができる。この場合、それぞれの反応室（ａ，
ｂ，ｃ）にケイ素を含むガスを導入することにより、高
分子フィルム３１が成層用ドラム３４を経て基材巻き取
り部３６へ巻き取られるまでに当該高分子フィルム３１
上に本発明の中屈折率層と高屈折率層、及び低屈折率層
としてのシリカ層が形成された反射防止フィルムを形成
することが可能となる。
【００７１】さらに、上記の場合においてそれぞれの反
応室に導入されたガスは、全てケイ素を含むガスである
が、各々の反応室内の条件、例えばガスの流量や圧力、
放電条件等を変化させることにより、形成されるシリカ
層の特性（屈折率等）を変化させることも可能である。
応室に導入されたガスは、全てケイ素を含むガスである
が、各々の反応室内の条件、例えばガスの流量や圧力、
放電条件等を変化させることにより、形成されるシリカ
層の特性（屈折率等）を変化させることも可能である。
【００７２】本発明の反射防止フィルムを上記図３に示
すプラズマＣＶＤ装置で製造する場合において、本発明
のシリカ層（中屈折率層及び高屈折率層）を形成するた
めの原料としては、いずれも有機シリコーンが好まし
く、具体的には、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳ
Ｏ）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、メチ
ルトリメトキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、メチルシラン、
ジメチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、テ
トラメトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキ
サン、テトラエトキシシラン等である。
すプラズマＣＶＤ装置で製造する場合において、本発明
のシリカ層（中屈折率層及び高屈折率層）を形成するた
めの原料としては、いずれも有機シリコーンが好まし
く、具体的には、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳ
Ｏ）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、メチ
ルトリメトキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、メチルシラン、
ジメチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、テ
トラメトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキ
サン、テトラエトキシシラン等である。
【００７３】このように、本発明の反射防止フィルムに
おける反射防止積層体を構成するそれぞれの薄層（低屈
折率層、中屈折率層、高屈折率層）は、いずれもシリカ
層であるため、上記のようにプラズマＣＶＤ法を用いて
製造することにより、一度で成層することが可能であ
り、歩留まりを向上することができるだけでなく、それ
ぞれの薄層の密着性をも向上することができる。
おける反射防止積層体を構成するそれぞれの薄層（低屈
折率層、中屈折率層、高屈折率層）は、いずれもシリカ
層であるため、上記のようにプラズマＣＶＤ法を用いて
製造することにより、一度で成層することが可能であ
り、歩留まりを向上することができるだけでなく、それ
ぞれの薄層の密着性をも向上することができる。
【００７４】なお、本発明は、上述してきた反射防止フ
ィルム及びその製造方法に限定されるものではない。上
記実施の形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲
に記載された技術的範囲と実質的に同一な構成を有し、
同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであって
も本発明の技術的範囲に包含される。
ィルム及びその製造方法に限定されるものではない。上
記実施の形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲
に記載された技術的範囲と実質的に同一な構成を有し、
同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであって
も本発明の技術的範囲に包含される。
【００７５】
【実施例】本発明を実施例により更に詳細に説明する。
【００７６】（実施例１）本発明の実施例として図３の
装置を使用し、以下の条件で本発明の実施例１のシリカ
層を形成した。この際、形成する層はシリカ層のみであ
るため、反応室はａのみを使用した。以下にシリカ層を
形成した際の条件を示す。
装置を使用し、以下の条件で本発明の実施例１のシリカ
層を形成した。この際、形成する層はシリカ層のみであ
るため、反応室はａのみを使用した。以下にシリカ層を
形成した際の条件を示す。
【００７７】［成層条件］ 原料ガス：ＨＭＤＳＯ（（ＣＨ3）3ＳｉＯＳｉ（Ｃ
Ｈ3）3）、Ｏ2、Ｈｅ プラズマ励起周波数：４０ｋＨｚ 基材：ＰＥＴフィルム（商品名：ルミラーＴ６０ 東レ
製） ＨＭＤＳＯ流量：１ｓｌｍ Ｏ2ガス流量：１ｓｌｍ Ｈｅガス流量：０．５ｓｌｍ 電力：１ｋＷ 成層圧力：７０ｍＴｏｒｒ 成層速度：１．２μｍ・ｍ／ｍｉｎ
Ｈ3）3）、Ｏ2、Ｈｅ プラズマ励起周波数：４０ｋＨｚ 基材：ＰＥＴフィルム（商品名：ルミラーＴ６０ 東レ
製） ＨＭＤＳＯ流量：１ｓｌｍ Ｏ2ガス流量：１ｓｌｍ Ｈｅガス流量：０．５ｓｌｍ 電力：１ｋＷ 成層圧力：７０ｍＴｏｒｒ 成層速度：１．２μｍ・ｍ／ｍｉｎ
【００７８】（実施例２）以下に示す条件以外の条件に
ついては上記実施例１と同様の条件で本発明の実施例２
のシリカ層を形成した。
ついては上記実施例１と同様の条件で本発明の実施例２
のシリカ層を形成した。
【００７９】［実施例１とは異なる成層条件］ Ｏ2ガス流量：０．５ｓｌｍ 電力：１．５ｋＷ 成層圧力：５０ｍＴｏｒｒ
【００８０】（実施例３）以下に示す条件以外の条件に
ついては上記実施例１と同様の条件で本発明の実施例３
のシリカ層を形成した。
ついては上記実施例１と同様の条件で本発明の実施例３
のシリカ層を形成した。
【００８１】［実施例１とは異なる成層条件］ Ｏ2ガス流量：０ｓｌｍ 電力：３ｋＷ 成層圧力：２０ｍＴｏｒｒ
【００８２】（実施例４）以下に示す条件以外の条件に
ついては上記実施例１と同様の条件で本発明の実施例２
のシリカ層を形成した。
ついては上記実施例１と同様の条件で本発明の実施例２
のシリカ層を形成した。
【００８３】［実施例１とは異なる成層条件］ Ｏ2ガス流量：０．２ｓｌｍ 電力：２ｋＷ 成層圧力：２５ｍＴｏｒｒ
【００８４】（比較例１）以下に示す条件以外の条件に
ついては上記実施例１と同様の条件で本発明の比較例１
のシリカ層を形成した。
ついては上記実施例１と同様の条件で本発明の比較例１
のシリカ層を形成した。
【００８５】［実施例１とは異なる成層条件］ 原料ガス：ＴＭＳ（テトラメチルシラン）、Ｏ2、Ｈｅ ＴＭＳ流量：１ｓｌｍ Ｏ2ガス流量：０．２ｓｌｍ 電力：３ｋＷ 成層圧力：４Ｐａ
【００８６】（比較例２）以下に示す条件以外の条件に
ついては上記実施例１と同様の条件で本発明の比較例２
のシリカ層を形成した。
ついては上記実施例１と同様の条件で本発明の比較例２
のシリカ層を形成した。
【００８７】［実施例１とは異なる成層条件］ 原料ガス：ＴＭＯＳ（テトラメトキシシラン）、Ｏ2、
Ｈｅ ＴＭＯＳ流量：１ｓｌｍ
Ｈｅ ＴＭＯＳ流量：１ｓｌｍ
【００８８】（比較例３）従来公知の巻き取り式スパッ
タリング装置を用い、以下の条件で本発明の実施例３の
シリカ層を形成した。
タリング装置を用い、以下の条件で本発明の実施例３の
シリカ層を形成した。
【００８９】［成層条件］ ターゲット：ｐ−Ｓｉ 導入ガス：Ｏ2、Ａｒ Ｏ2ガス流量：５０ｓｃｃｍ Ａｒガス流量：４５０ｓｃｃｍ 電力：３ｋＷ 成層圧力：０．４Ｐａ 成層速度：２０ｎｍ・ｍ／ｍｉｎ 上記で形成した本発明の実施例１〜４、及び比較例１〜
３のシリカ層の層組成、屈折率ｎ（λ＝５５０ｎｍ）、
及び消衰係数ｋ（λ＝５５０ｎｍ）を以下の表１に示
す。なお、組成分析には光電子分光分析装置を用い、シ
リカ層中の結合状態の把握に赤外吸収分光分析装置を用
い、光学特性測定には紫外可視分光分析装置とエリプソ
メーターを用いた。
３のシリカ層の層組成、屈折率ｎ（λ＝５５０ｎｍ）、
及び消衰係数ｋ（λ＝５５０ｎｍ）を以下の表１に示
す。なお、組成分析には光電子分光分析装置を用い、シ
リカ層中の結合状態の把握に赤外吸収分光分析装置を用
い、光学特性測定には紫外可視分光分析装置とエリプソ
メーターを用いた。
【００９０】
【表１】
【００９１】表１からも分かるように、実施例１、２の
シリカ層は中屈折率層として、また実施例３，４のシリ
カ層は高屈折率層としてそれぞれ好適な屈折率を有して
いることが分かる。また、本発明の実施例１〜４のシリ
カ層はどれも消衰係数は０．０１８以下であり、優れた
透明性を有していることも分かった。
シリカ層は中屈折率層として、また実施例３，４のシリ
カ層は高屈折率層としてそれぞれ好適な屈折率を有して
いることが分かる。また、本発明の実施例１〜４のシリ
カ層はどれも消衰係数は０．０１８以下であり、優れた
透明性を有していることも分かった。
【００９２】一方、比較例１のシリカ層は、その屈折率
は高屈折率層として好ましい範囲内にあるが、組成中の
酸素原子の数が０．３と少ないことが分かる。したがっ
て、層中のＳｉ−Ｓｉ結合の割合が大きく、その結果消
衰係数が０．０１８以上となっており、透明性に欠ける
層であることが明らかとなった。
は高屈折率層として好ましい範囲内にあるが、組成中の
酸素原子の数が０．３と少ないことが分かる。したがっ
て、層中のＳｉ−Ｓｉ結合の割合が大きく、その結果消
衰係数が０．０１８以上となっており、透明性に欠ける
層であることが明らかとなった。
【００９３】また、比較例２のシリカ層は、組成中の炭
素原子Ｃの数が０．１と少ないことが分かる。したがっ
て、当該シリカ層は純粋な二酸化ケイ素層（ＳｉＯ2）
に近い層であり、屈折率が小さく、中屈折率層や高屈折
率層としては使用できない層であることが明らかとなっ
た。
素原子Ｃの数が０．１と少ないことが分かる。したがっ
て、当該シリカ層は純粋な二酸化ケイ素層（ＳｉＯ2）
に近い層であり、屈折率が小さく、中屈折率層や高屈折
率層としては使用できない層であることが明らかとなっ
た。
【００９４】さらに、比較例３のシリカ層は巻き取り式
のスパッタリング装置を用いて形成したシリカ層であ
り、その屈折率高屈折率層として好ましい範囲内にある
が、消衰係数が０．０１８以上となっており、透明性に
欠ける層であることが明らかとなった。
のスパッタリング装置を用いて形成したシリカ層であ
り、その屈折率高屈折率層として好ましい範囲内にある
が、消衰係数が０．０１８以上となっており、透明性に
欠ける層であることが明らかとなった。
【００９５】（実施例５）本発明の実施例５として、基
材上にハードコート層をウェットコートで６μｍ形成し
た後、図３の装置を使用して基材上に本発明の中屈折率
層としてのシリカ層を８８ｎｍ形成し、当該中屈折率層
としてのシリカ層の上に酸化チタン層を４５ｎｍ形成
し、さらに当該酸化チタン層の上に低屈折率層としての
シリカ層を１００ｎｍ形成することにより、図４に示す
ような反射防止フィルムを形成した。この際、当該装置
の反応室ａで本発明の中屈折率層としてのシリカ層を、
反応室ｂで酸化チタン層を、反応室ｃで低屈折率層とし
てのシリカ層を形成した。以下にそれぞれの反応室の成
層条件を示す。なお、基材は、ＰＥＴフィルム（商品
名：ルミラーＴ６０ 東レ製）を用いた。
材上にハードコート層をウェットコートで６μｍ形成し
た後、図３の装置を使用して基材上に本発明の中屈折率
層としてのシリカ層を８８ｎｍ形成し、当該中屈折率層
としてのシリカ層の上に酸化チタン層を４５ｎｍ形成
し、さらに当該酸化チタン層の上に低屈折率層としての
シリカ層を１００ｎｍ形成することにより、図４に示す
ような反射防止フィルムを形成した。この際、当該装置
の反応室ａで本発明の中屈折率層としてのシリカ層を、
反応室ｂで酸化チタン層を、反応室ｃで低屈折率層とし
てのシリカ層を形成した。以下にそれぞれの反応室の成
層条件を示す。なお、基材は、ＰＥＴフィルム（商品
名：ルミラーＴ６０ 東レ製）を用いた。
【００９６】反応室ａ（中屈折率層としてのシリカ層） 原料ガス：ＨＭＤＳＯ、Ｏ2 プラズマ生成手段：１３．５６ＭＨｚのＲＦ波 ＨＭＤＳＯの流量：１ｓｌｍ Ｏ2ガスの流量：０．３ｓｌｍ Ｈｅガスの流量：１ｓｌｍ 電力：３ｋＷ 圧力：３Ｐａ
【００９７】反応室ｂ（酸化チタン層） 原料ガス：Ｔｉ（Ｏ−ｉＣ3Ｈ7）3とＯ2 プラズマ生成手段：１３．５６ＭＨｚのＲＦ波 Ｔｉ（Ｏ−ｉＣ3Ｈ7）3の流量：１ｓｌｍ Ｏ2ガスの流量：５ｓｌｍ Ｈｅガスの流量：０ｓｌｍ 電力：２ｋＷ 圧力：７Ｐａ
【００９８】反応室ｃ（低屈折率層としてのシリカ層） 原料ガス：ＨＭＤＳＯ、Ｏ2 プラズマ生成手段：１３．５６ＭＨｚのＲＦ波 ＨＭＤＳＯの流量：１ｓｌｍ Ｏ2ガスの流量：１ｓｌｍ Ｈｅガスの流量：０ｓｌｍ 電力：０．５ｋＷ 圧力：１３Ｐａ
【００９９】上記条件により、形成した反射防止フィル
ムの基材裏面（反射防止積層体が形成されている面と反
対側の面）に黒色のテープを貼付けて反射率を測定した
結果視感度反射率は０．４２％であり、良好な反射防止
フィルムを得ることができた。
ムの基材裏面（反射防止積層体が形成されている面と反
対側の面）に黒色のテープを貼付けて反射率を測定した
結果視感度反射率は０．４２％であり、良好な反射防止
フィルムを得ることができた。
【０１００】なお、上記の光学特性測定には紫外可視分
光分析装置を用いた。
光分析装置を用いた。
【０１０１】（実施例６）本発明の実施例６として、基
材上にハードコート層をウェットコートで６μｍ形成し
た後、図３の装置を使用して基材上に本発明の高屈折率
層としてのシリカ層を９０ｎｍ形成し、当該高屈折率層
としてのシリカ層の上に低屈折率層としてのシリカ層を
１０３ｎｍ形成することにより、図５に示すような反射
防止フィルムを形成した。この際、当該装置の反応室ａ
で本発明の高屈折率層としてのシリカ層を、反応室ｂで
低屈折率層としてのシリカ層を形成し、反応室ｃは使用
しなかった。以下にそれぞれの反応室の成層条件を示
す。なお、基材は、ＰＥＴフィルム（商品名：ルミラー
Ｔ６０ 東レ製）を用いた。
材上にハードコート層をウェットコートで６μｍ形成し
た後、図３の装置を使用して基材上に本発明の高屈折率
層としてのシリカ層を９０ｎｍ形成し、当該高屈折率層
としてのシリカ層の上に低屈折率層としてのシリカ層を
１０３ｎｍ形成することにより、図５に示すような反射
防止フィルムを形成した。この際、当該装置の反応室ａ
で本発明の高屈折率層としてのシリカ層を、反応室ｂで
低屈折率層としてのシリカ層を形成し、反応室ｃは使用
しなかった。以下にそれぞれの反応室の成層条件を示
す。なお、基材は、ＰＥＴフィルム（商品名：ルミラー
Ｔ６０ 東レ製）を用いた。
【０１０２】反応室ａ（高屈折率層としてのシリカ層） 原料ガス：ＨＭＤＳＯ、Ｏ2 プラズマ生成手段：１３．５６ＭＨｚのＲＦ波 ＨＭＤＳＯの流量：１ｓｌｍ Ｏ2ガスの流量：０ｓｌｍ Ｈｅガスの流量：１ｓｌｍ 電力：３ｋＷ 圧力：３Ｐａ
【０１０３】反応室ｂ（低屈折率層としてのシリカ層） 原料ガス：ＨＭＤＳＯ、Ｏ2 プラズマ生成手段：１３．５６ＭＨｚのＲＦ波 ＨＭＤＳＯの流量：１ｓｌｍ Ｏ2ガスの流量：１ｓｌｍ Ｈｅガスの流量：０ｓｌｍ 電力：０．５ｋＷ 圧力：１３Ｐａ
【０１０４】上記条件により、形成した反射防止フィル
ムの基材裏面（反射防止積層体が形成されている面と反
対側の面）に黒色のテープを貼付けて反射率を測定した
結果視感度反射率は０．４５％であり、良好な反射防止
フィルムを得ることができた。
ムの基材裏面（反射防止積層体が形成されている面と反
対側の面）に黒色のテープを貼付けて反射率を測定した
結果視感度反射率は０．４５％であり、良好な反射防止
フィルムを得ることができた。
【０１０５】なお、上記の光学特性測定には紫外可視分
光分析装置を用いた。
光分析装置を用いた。
【０１０６】上記実施例３及び実施例４から、本発明の
シリカ層を中屈折率層や高屈折率層として用いた反射防
止フィルムは、いずれも視感度反射率が小さく良好な反
射防止フィルムであることがわかる。
シリカ層を中屈折率層や高屈折率層として用いた反射防
止フィルムは、いずれも視感度反射率が小さく良好な反
射防止フィルムであることがわかる。
【０１０７】
【発明の効果】本発明のシリカ層は、その屈折率が１．
５５以上２．５０以下（λ＝５５０ｎｍ）であるので、
反射防止積層体を有する反射防止フィルムにおいて、中
屈折率層または高屈折率層として用いることが可能であ
り、さらに、層の組成をＳｉＯ xＣy（ｘ＝０．５〜１．
７、ｙ＝０．２〜２．０）とし、一般的に反射防止フィ
ルムの最外層として用いられることが多いシリカ層と同
じケイ素化合物を原料としているため、反射防止積層体
を形成する際の歩留まりを向上することができ、またコ
ストダウンを図ることも可能となるだけでなく、反射防
止積層体を形成するそれぞれの層の密着度を向上するこ
ともできる。また、本発明のシリカ層は、消衰係数が
０．０１８（λ＝５５０ｎｍ）以下であるため、層の透
明度も充分であり、例えば、液晶ディスプレイ、プラズ
マディスプレイ等に使用される各種ディスプレイにおい
て用いられる反射防止フィルムを構成する反射防止積層
体中においても好適に用いることが可能である。
５５以上２．５０以下（λ＝５５０ｎｍ）であるので、
反射防止積層体を有する反射防止フィルムにおいて、中
屈折率層または高屈折率層として用いることが可能であ
り、さらに、層の組成をＳｉＯ xＣy（ｘ＝０．５〜１．
７、ｙ＝０．２〜２．０）とし、一般的に反射防止フィ
ルムの最外層として用いられることが多いシリカ層と同
じケイ素化合物を原料としているため、反射防止積層体
を形成する際の歩留まりを向上することができ、またコ
ストダウンを図ることも可能となるだけでなく、反射防
止積層体を形成するそれぞれの層の密着度を向上するこ
ともできる。また、本発明のシリカ層は、消衰係数が
０．０１８（λ＝５５０ｎｍ）以下であるため、層の透
明度も充分であり、例えば、液晶ディスプレイ、プラズ
マディスプレイ等に使用される各種ディスプレイにおい
て用いられる反射防止フィルムを構成する反射防止積層
体中においても好適に用いることが可能である。
【０１０８】また、本発明のシリカ層は、シリカ層中に
おけるケイ素原子（Ｓｉ）の全結合に対するＳｉ−Ｓｉ
結合の割合を１％以下とすることにより、層中にはＳｉ
−Ｓｉ結合がほとんど存在していないと考えられ、した
がってＳｉ−Ｓｉ結合の光吸収の影響を受けることがな
い。その結果、消衰係数を０．０１８（λ＝５５０ｎ
ｍ）以下とすることができる。
おけるケイ素原子（Ｓｉ）の全結合に対するＳｉ−Ｓｉ
結合の割合を１％以下とすることにより、層中にはＳｉ
−Ｓｉ結合がほとんど存在していないと考えられ、した
がってＳｉ−Ｓｉ結合の光吸収の影響を受けることがな
い。その結果、消衰係数を０．０１８（λ＝５５０ｎ
ｍ）以下とすることができる。
【０１０９】さらに、本発明のシリカ層は、上記のよう
に反射防止フィルムにおける中屈折率層や高屈折率層と
して好適に用いることができ、当該反射防止フィルム
は、プラズマＣＶＤ法により効率よく形成することも可
能である。
に反射防止フィルムにおける中屈折率層や高屈折率層と
して好適に用いることができ、当該反射防止フィルム
は、プラズマＣＶＤ法により効率よく形成することも可
能である。
【図１】本発明の反射防止フィルムを説明するための概
略断面図である。
略断面図である。
【図２】本発明の反射防止フィルムの一例を示す概略断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の反射防止フィルムを製造するためのプ
ラズマＣＶＤ装置の概略断面図である。
ラズマＣＶＤ装置の概略断面図である。
【図４】本発明の反射防止フィルムの一例（実施例５に
より製造）を示す概略断面図である。
より製造）を示す概略断面図である。
【図５】本発明の反射防止フィルムの一例（実施例６に
より製造）を示す概略断面図である。
より製造）を示す概略断面図である。
１…反射防止フィルム ２…基材 ３…反射防止積層体 ４…低屈折率層としてのシリカ層 ５…中屈折率層としてのシリカ層 ６…高屈折率層としてのシリカ層 ７…ハードコート層 ３０…プラズマＣＶＤ装置
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Claims (7)
- 【請求項１】 屈折率が１．５５以上２．５０以下（λ
＝５５０ｎｍ）であって、層の組成がＳｉＯxＣy（ｘ＝
０．５〜１．７、ｙ＝０．２〜２．０）であり、消衰係
数が０．０１８（λ＝５５０ｎｍ）以下であることを特
徴とするシリカ層。 - 【請求項２】 屈折率が１．５５以上１．８０未満（λ
＝５５０ｎｍ）であって、層の組成がＳｉＯaＣb（ａ＝
０．７〜１．７、ｂ＝０．２〜１．４）であることを特
徴とするシリカ層。 - 【請求項３】 屈折率が１．８０以上２．５０以下（λ
＝５５０ｎｍ）であって、層の組成がＳｉＯdＣe（ｄ＝
０．５〜０．９、ｅ＝１．０〜２．０）であることを特
徴とするシリカ層。 - 【請求項４】 シリカ層中におけるケイ素原子（Ｓｉ）
の全結合に対するＳｉ−Ｓｉ結合の割合が１％以下であ
ることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかの
請求項に記載のシリカ層。 - 【請求項５】 プラズマＣＶＤ法により形成されたこと
を特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかの請求項
に記載のシリカ層。 - 【請求項６】 原料が有機シリコーンであることを特徴
とする請求項５に記載のシリカ層。 - 【請求項７】 基材と、この基材上に設けられており、
複数の薄層が積層されてなる反射防止積層体と、を有す
る反射防止フィルムにおいて、 当該反射防止積層体を形成する薄層中には、少なくとも
前記請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のシリカ層
が含まれていることを特徴とする反射防止フィルム。
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