JP2002184837A - 半導体チップ移送方法及び半導体チップ収納帯状体、並びにダイスピック装置及びバンプボンド装置及びフリップチップボンド装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄型の半導体チップを各工程間で搬送する間
に損傷を発生する恐れを無くすことができる半導体チッ
プ移送方法を提供する。 【解決手段】 ある程度の反り・曲げを作用させても割
れが発生しない厚みを有する薄型の半導体チップ１を、
ダイシングしたウエハから平坦な帯状薄板７上に等間隔
で連続的に載置し、帯状薄板７上に薄いフィルム１３を
被せ、それらの両側で平面同士で結合して半導体チップ
１を挟み込み、半導体チップ１を収容保持した帯状体を
形成し、この帯状体を円筒状の収納リール１６に巻き取
る。この収納リール１６を次工程に搬送して収納リール
１６から帯状体を繰り出しながらフィルム１３を剥がす
ことで半導体チップ１を取り出すようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄型半導体を取り
扱う半導体実装設備において、ウエハから半導体チップ
を取り出した後、各工程の設備間で半導体チップを搬送
する方法及び装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、形態電話をはじめとするモバイル
機器の高機能化、ＩＣカードの薄型化に対応して、これ
ら商品に搭載される半導体チップも益々薄型化、積層実
装化が進んでおり、薄型半導体チップの実装技術が重要
になってきている。半導体チップの厚みは０．３〜０．
４ｍｍから０．０５〜０．１ｍｍまで薄型化が進んでい
る。

【０００３】従来、半導体チップをダイボンダ、バンプ
ボンダ、フリップチップボンダなどの半導体実装設備に
供給する手段としては、２インチや４インチのワッフル
トレーを用いることが多い。

【０００４】従来の導電性接着材をバンプに転写してフ
リップチップボンドするスタッドバンプボンディング
（ＳＢＢ）工法による実装設備における半導体チップの
流れを図７（ａ）〜（ｃ）に示す。

【０００５】図７（ａ）において、１は半導体チップ、
２はエキスパンドシート、３はＸＹテーブル、４は突き
上げピン、５は移載アーム、４０はワッフルトレーであ
り、図７（ｂ）において、１９は超音波ホーン、２０は
加熱ステージ、２１はレベリングステージ、２２はレベ
リングプレートであり、図７（ｃ）において、２３は装
着ヘッド、２４は反転ヘッド、２５は基板、２６は基板
ステージ、２７は転写ユニット、２８は導電性接着材で
ある。

【０００６】図７（ａ）のダイスピック工程では、エキ
スパンドシート２上で個片にダイシングされた半導体チ
ップ１を突き上げピン４で順次突き上げ、移載アーム５
にて格子状に区切られたワッフルトレー４０のポケット
に移載する。ワッフルトレー４０のポケットの大きさは
今後半導体チップ１を取り出したり収納したりする必要
があるため、半導体チップ１の大きさより１割から２割
程度大きいのが一般的である。また、ポケットの深さも
ワッフルトレー４０を上下に重ねて使用することと半導
体チップ１の回路面が損傷しないようにする必要から半
導体チップ１の厚みより０．２ｍｍ程深いのが一般的で
ある。このようなワッフルトレー４０は何枚も用意さ
れ、各設備間の半導体チップの搬送に随時使用される。
ダイスピック工程で半導体チップ１を満載したワッフル
トレー４０を作業者が図７（ｂ）の次工程のバンプボン
ド工程に供給する。

【０００７】バンプボンド工程では、ワッフルトレー４
０から移載アーム５で半導体チップ１を加熱ステージ２
０に移載し、超音波ホーン１９を用いて半導体チップ１
の電極にバンプボンドする。次に、半導体チップ１を移
載アーム５で加熱ステージ２０から取り出してレベリン
グステージ２１に移載し、レベリングプレート２２にて
上から押圧してバンプの頭頂を平坦にする。半導体チッ
プ１は再び移載アーム５で取り出し、ワッフルトレー４
０に収納する。バンプボンド工程で半導体チップ１を満
載したワッフルトレー４０を作業者が図７（ｃ）の次工
程のフリップチップボンド工程に供給する。

【０００８】フリップチップボンド工程では、ワッフル
トレー４０から半導体チップ１を反転ヘッド２４で取り
出した後、その表裏が逆になるように反転ヘッド２４が
上下に１８０°反転する。装着ヘッド２３は反転ヘッド
２４上の半導体チップ１を取り出し、転写ユニット２７
で導電性接着材２８を転写した後、基板ステージ２６上
に位置決め固定された基板２５上に移動し、認識により
位置ずれを補正して基板２５上に装着する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように半導体チップ１の装置間での移送にワッフルトレ
ー４０を用いる方法では、その半導体チップ１が０．１
ｍｍ以下のように非常に薄い場合において、ワッフルト
レー４０のポケットと半導体チップ１の大きさや深さと
厚みの違いがあるため、作業者がワッフルトレー４０を
搬送する間に、振動によって半導体チップ１がポケット
内で動き、衝撃で半導体チップ１が割れたり、コーナー
が欠けたりすることが多くなる。

【００１０】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、薄型
の半導体チップを各工程間で搬送する間に損傷を発生す
る恐れを無くすことができる半導体チップ移送方法及び
半導体チップ収納帯状体、並びにダイスピック装置及び
バンプボンド装置及びフリップチップボンド装置を提供
することを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体チップ移
送方法は、ある程度の反り・曲げを作用させても割れが
発生しない厚みを有する薄型の半導体チップを平坦な帯
状薄板上に等間隔で連続的に載置し、これら帯状薄板及
び半導体チップ上を薄いフィルムで覆ってその両側部を
平面同士で帯状薄板に結合して半導体チップを収納した
帯状体を形成し、この帯状体を移送するものであり、こ
のような構成により搬送中の振動で半導体チップの動き
が生じないために、衝撃で半導体チップが割れたり、コ
ーナーが欠けたりすることが無くなる。

【００１２】また、ある程度の反り・曲げを作用させて
も割れが発生しない厚みを有する薄型の半導体チップ
を、ダイシングしたウエハから平坦な帯状薄板上に等間
隔で連続的に載置する工程と、帯状薄板上を薄いフィル
ムで覆ってその両側部を平面同士で帯状薄板に結合して
半導体チップを挟み込み、半導体チップを収納保持した
帯状体を形成する工程と、帯状体を円筒状のリールに巻
き取る工程と、リールを次工程に搬送する工程と、リー
ルから帯状体を繰り出しながらフィルムを剥がすことで
半導体チップを取り出す工程とを有すると、例えば厚み
が０．１ｍｍ以下で、大きさが１０ｍｍ角程度の半導体
チップでは、帯状薄板をリールに巻き取って収納しても
自らの弾性変形でその曲率に馴染むことができ、割れな
どの損傷を起こすこともなく、半導体チップの収納量が
多くなれば、ワッフルトレーを重ねて収納する場合に比
べて取扱いも楽になる。

【００１３】また、帯状薄板上の半導体チップの載置と
フィルムを被せる工程を、ダイシングしたウエハの表面
を真空雰囲気中でプラズマ洗浄した後その雰囲気中で行
うと、プラズマ洗浄により半導体チップ表面の不純物を
除去した後直ちにこの半導体チップを帯状薄板とフィル
ムによって挟み込んで外気に触れること無く真空パック
することができ、ワイヤボンドやバンプボンドする直前
にフィルムを剥がして、その工程に供給することにより
半導体チップ表面の不純物を非常に少なくできるためボ
ンディングの接合性を高めることができる。

【００１４】また、金属製で長手方向に等間隔に穴を形
成した帯状薄板における各穴の上に半導体チップを載置
し、バンプボンド工程において、半導体チップを穴を通
じて吸着保持するとともに帯状薄板上で加熱し、またバ
ンプボンド済みの半導体チップを、帯状薄板を一定量送
ることで上下に対向する加圧手段の隙間に供給し、隙間
を狭めてバンプの頭頂を平坦にするレベリング工程を行
うと、バンプボンド工程において、半導体チップを供給
部から加熱ステージへ、また加熱ステージからレベリン
グステージへ移載アームを用いずに移載して連続生産す
ることができ、移載アームにて半導体チップを取り出す
際の半導体チップの損傷を無くすことができる。

【００１５】また、半導体チップをフリップチップボン
ドする工程において、フィルムが下側になるようにリー
ルを設置し、半導体チップを下向きに取り出すと、半導
体チップを表裏反転して供給できるので、半導体チップ
を表裏反転する機構を不要とすることができ、装着ヘッ
ドにて直接半導体チップを取り出して装着することがで
き、反転ヘッドで半導体チップを取り出す際に生じる損
傷の機会を無くすことができ、またフリップチップボン
ド設備のコストダウンやコンパクト化も図ることができ
る。

【００１６】また、本発明の半導体チップ収納帯状体
は、平坦な帯状薄板上に、ある程度の反り・曲げを作用
させても割れが発生しない厚みを有する薄型の半導体チ
ップを等間隔で連続的に配置し、帯状薄板及び半導体チ
ップの上を薄いフィルムで覆うとともにその両側部を平
面同士で帯状薄板に結合し、半導体チップを収納保持し
た帯状体を構成したものであり、上記移送方法を実施し
てその効果を奏することができる。

【００１７】また、帯状薄板とフィルムを、フィルムの
両側部に塗布したＵＶ光の照射にて粘着性が変化する接
着剤にて結合すると、半導体チップの取り出し時にＵＶ
光を照射するだけでフィルムを微弱な力で剥離できるよ
うにすることができる。

【００１８】また、帯状薄板が金属板から成り、その半
導体チップ配置位置に吸着用の穴を形成すると、上記の
ように帯状薄板上で半導体チップを吸着してバンプボン
ド等の処理を行うことができ、また帯状薄板上に載置し
たまま半導体チップを工程間で移動させることができ
る。

【００１９】また、本発明のダイスピック装置は、半導
体チップの供給部と、平坦な帯状薄板を巻回した供給リ
ールから帯状薄板を引き出して所定の移動経路に沿って
所定ピッチ間隔で間欠移動させて収納リールに巻き取る
帯状薄板送り手段と、供給部から帯状薄板上に半導体チ
ップを載置する移載手段と、帯状薄板上を覆うように薄
いフィルムを供給してその両側部を帯状薄板に結合させ
るフィルム被覆手段とを備えたものであり、上記半導体
チップ収納帯状体を製造することができる。

【００２０】また、帯状薄板の移動経路に、半導体チッ
プの表面をプラズマ洗浄するプラズマ発生装置を配設し
た真空チャンバを配設すると、上記のように半導体チッ
プの表面を洗浄できてボンディングの接合性を高めるこ
とができる。

【００２１】また、真空チャンバ内にフィルム被覆手段
を配設すると、真空チャンバから出るとフィルムにて半
導体チップが拘束されてその移動を確実に防止できると
ともに、外気に触れること無く移送することができて半
導体チップ表面の不純物を非常に少なくできる。

【００２２】また、本発明のバンプボンド装置は、半導
体チップを帯状薄板上に載置しフィルムで覆って成る半
導体チップ収納帯状体を供給リールから引き出して所定
の移動経路に沿って所定ピッチ間隔で間欠移動させ収納
リールに巻き取る帯状体送り手段と、半導体チップ上に
バンプを形成するバンプ形成手段と、帯状体送り手段の
移動経路上でフィルムを剥がす手段と、帯状薄板上の半
導体チップを取り出してバンプ形成手段に移載し、バン
プボンド処理の完了した半導体チップを帯状薄板上に載
置する移載手段と、帯状体送り手段の移動経路上でフィ
ルムを被覆する手段とを備えたものであり、半導体チッ
プに割れや欠けを生じることなくバンプボンドして次工
程に供給することができる。

【００２３】また、半導体チップを帯状薄板上に載置し
フィルムで覆って成る半導体チップ収納帯状体を供給リ
ールから引き出して所定の移動経路に沿って所定ピッチ
間隔で間欠移動させ収納リールに巻き取る帯状体送り手
段と、半導体チップ上に帯状体送り手段の移動経路上で
フィルムを剥がす手段と、帯状体送り手段の移動経路上
で帯状薄板上の半導体チップ上にバンプを形成するバン
プ形成手段と、帯状体送り手段の移動経路上でフィルム
を被覆する手段とを備えると、半導体チップを移載する
ことなく、さらに半導体チップに割れや欠けを生じるこ
となくバンプボンドして次工程に供給することができ
る。

【００２４】また、帯状薄板に半導体チップを吸着する
ための穴を設け、バンプ形成手段のステージには帯状薄
板に形成された穴に対応して吸着源に接続された吸着経
路を設けると、半導体チップを帯状薄板上に載置したま
ま、半導体チップに割れや欠けを生じることなく、かつ
効率的にバンプボンドして次工程に供給することができ
る。

【００２５】また、バンプ形成手段は、帯状薄板を支持
する加熱ステージとバンプを形成する超音波ホーン、及
び帯状薄板を支持するレベリングステージとバンプの頭
頂を押圧して平坦にするレベリングプレートとを備えて
いると、頭頂が平坦なバンプを効率的に形成することが
できる。

【００２６】また、本発明のフリップチップボンド装置
は、半導体チップを帯状薄板上に載置しフィルムで覆っ
て成る半導体チップ収納帯状体を供給リールから引き出
して所定の移動経路に沿って所定ピッチ間隔で間欠移動
させ収納リールに巻き取る帯状体送り手段と、帯状体送
り手段の移動経路上でフィルムを剥がす手段と、帯状薄
板上の半導体チップを取り出して上下を反転させる反転
ヘッドと、反転ヘッド上の半導体チップを取り出して基
板上に装着する装着ヘッドとを備えたものであり、半導
体チップに割れや欠けを生じることなく、基板に半導体
チップを装着することができる。

【００２７】また、半導体チップを帯状薄板上に載置し
フィルムで覆って成る半導体チップ収納帯状体を供給リ
ールからフィルムを下側にして引き出して所定の移動経
路に沿って所定ピッチ間隔で間欠移動させる帯状体送り
手段と、帯状薄板とフィルムを剥離して移動経路の上方
に配設された収納リールに帯状薄板を巻き取る手段と、
フィルムをさらに水平に移動させた後巻き取る手段と、
フィルム上の半導体チップを取り出して基板上に装着す
る装着ヘッドとを備えると、半導体チップを反転ヘッド
で反転させる動作無しで基板に半導体チップを装着する
ことができ、さらに半導体チップに割れや欠けを生じる
のを少なくできるとともに、コストダウン及びコンパク
ト化を図ることができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体チップの移
送方法及び及び半導体チップ集合体、並びにダイスピッ
ク装置及びバンプボンド装置及びフリップチップボンド
装置の各実施形態について、図１〜図６を参照して説明
する。尚、図７を参照して説明した構成要素と同一の構
成要素については、同一参照符号を付して説明を省略す
る。

【００２９】（第１の実施形態）図１〜図３は、本発明
の半導体チップの移送方法を、半導体チップのバンプに
導電性接着材を転写してフリップチップボンドするスタ
ッドバンプボンディング（ＳＢＢ）工法に適用した実施
形態を示す。

【００３０】図１は、ダイスピック装置を示す。図１に
おいて、６は供給リール、７は帯状薄板、８は真空チャ
ンバ、９ａ、９ｂは真空チャンバ８の入口と出口のド
ア、１０は真空ポンプ、１１はバルブ、１２はプラズマ
発生装置、１３はフィルム、１４はフィルム１３を帯状
薄板７に結合する圧着ローラ、１５は送り用のスプロケ
ット、１６は収納リール、１７は供給リールモータ、１
８は収納リールモータであり、３０は半導体チップ収納
帯状体である。

【００３１】エキスパンドシート２上に貼り付けられ、
個片にダイシングされた半導体チップ１は、ダイスピッ
ク装置に供給され、ＸＹ方向に移動可能なＸＹテーブル
３で突き上げピン４の上に移動し、突き上げピン４が上
昇してエキスパンドシート２と半導体チップ１の裏面と
を分離する。移載アーム５がこの半導体チップ１をエキ
スパンドシート２から取り出し、帯状薄板７の所定の移
載位置に載置する。

【００３２】帯状薄板７は、厚みが均一で平坦な１本の
帯材であり、厚みが０．１ｍｍ程度で幅が約３０ｍｍの
ステンレス鋼板にて構成されている。また、ピッチ送り
可能なように両側にスプロケット１５の歯と噛み合うよ
うに等間隔に送り穴３５（図５参照）が形成されていて
送り量はスプロケット１５の回転量で制御される。帯状
薄板７は供給リール６から半導体チップ１の移載位置を
通り、真空チャンバ８内のプラズマ発生装置１２による
プラズマ洗浄位置を通って収納リール１６に巻き取られ
ていく。帯状薄板７は半導体チップ１の移載が完了する
度に、モータ１７で回転量が制御された供給リール６か
ら一定量引き出され、その分だけ同様にモータ１８で回
転量が制御された収納リール１６が巻き取って収納して
いく。

【００３３】移載アーム５が帯状薄板７上に半導体チッ
プ１を載置すると、スプロケット１５が一定量回転し、
次の半導体チップ１の載置を可能にする。この一連の動
きで半導体チップ１は帯状薄板７とともに真空チャンバ
８内に引き込まれる。真空チャンバ８の入口と出口のド
ア９ａ、９ｂは、内部の真空を保つために帯状薄板７の
搬送動作と連動して開閉される。真空チャンバ８の入
口、出口とドア９ａ、９ｂの間には帯状薄板７の厚み分
の隙間が設けられている。帯状薄板７を送る時には、バ
ルブ１１が開いて真空チャンバ８内の圧力が大気圧に戻
され、ドア９ａ、９ｂが開放されると、半導体チップ１
が載置された帯状薄板７を真空チャンバ８内に引き込む
ように構成されている。

【００３４】真空チャンバ８内ではプラズマ発生装置１
２によるプラズマ洗浄にて半導体チップ１上の有機性の
不純物を除去し、次工程でのバンプボンドやワイヤボン
ドなどの金属間接合の強度を高め、不着の不良を無くし
ている。

【００３５】こうして帯状薄板７は一定量づつ順次送ら
れていき、両側にＵＶ接着剤を塗布したフィルム１３を
圧着ローラ１４によって押圧して帯状薄板７に貼り付
け、半導体チップ１を帯状薄板７とフィルム１３にて挟
み込む。このとき、圧着ローラ１４の形状は、半導体チ
ップ１を押圧しないようにその厚み分だけ中央部の直径
が小さく、ＵＶ接着剤を塗布した部分のみが押圧できる
ように両端部の直径が大きくなっている。こうして半導
体チップ収納帯状体３０が形成される。

【００３６】この半導体チップ収納帯状体３０が真空チ
ャンバ８の出口のドア９ｂを通過すると、帯状薄板７と
フィルム１３との隙間は真空が残留しているので、フィ
ルム１３は半導体チップ１の外形に倣うように変形し、
その表面張力によって半導体チップ１が振動などで帯状
薄板７上で動いたり、飛び跳ねたりするのを防ぐ。

【００３７】最後に、帯状薄板７とフィルム１３によっ
て半導体チップ１を保持した半導体チップ収納帯状体３
０が収納リール１６に巻き取られていく。このとき薄型
の半導体チップ１が反りによって割れないような曲率に
するため、収納リール１６の直径は約４００ｍｍ以上に
する。収納リール１６が半径方向に潰れないようにする
ためと、巻き取り時にリールの軸方向にずれないように
するために、収納リール１６の両端にはフランジを取り
付けられている。

【００３８】半導体チップ収納帯状体３０が全て収納リ
ール１６に巻き取られると、これをダイスピック設備か
ら取り外し、上記と同様な帯状薄板７の一定量送り機構
を備えた次工程のバンプボンド装置に供給する。

【００３９】図２にバンプボンド装置を示す。図２にお
いて、２９はＵＶランプである。バンプボンドするため
に半導体チップ１を帯状薄板７から取り出す際、ＵＶ接
着剤でフィルム１３が結合している部分にＵＶ光を照射
するとその粘着性が失われ、帯状薄板７からフィルム１
３を微弱な力で引き剥がすことができる。フィルム１３
を除去された帯状薄板７上に置かれている半導体チップ
１を移載アーム５にて取り出し、加熱ステージ２０に移
載し、超音波ホーン１９にてバンプボンドが行われる。
バンプボンドが完了した半導体チップ１は移載アーム５
でレベリングステージ２１に移載され、移載アーム５は
退避してレベリングプレート２２で半導体チップ１を上
から押圧してバンプの頭頂を平坦にする。

【００４０】半導体チップ１は再び移載アーム５で取り
出され、当初半導体チップ１を取り出した位置から数ピ
ッチ先の帯状薄板７上に載置される。この後、ダイスピ
ック装置と同様な方法でフィルム１３を半導体チップ１
上から覆い被せて収納リール１６に巻き取って行く。た
だし、この工程でフィルム１３を押圧する圧着ローラ１
４の中央部の直径は、半導体チップ１の厚みに加えバン
プの高さ分小さくする必要がある。また、フィルム１３
の材質は、その表面張力によってバンプが変形しないよ
うに軟質の材料を選定する。

【００４１】帯状薄板７が全て収納リール１６に巻き取
られると、これをバンプボンド装置から取り外し、上記
と同様な帯状薄板７の一定量送り機構を備えた次工程の
フリップチップボンド装置に供給する。

【００４２】図３にフリップチップボンド装置を示す。
図３において、フリップチップボンド工程では、帯状薄
板７から半導体チップ１を反転ヘッド２４で取り出した
後、これの表裏が逆になるように反転ヘッド２４が上下
に１８０°反転する。装着ヘッド２３は反転ヘッド２４
上の半導体チップ１を取り出し、転写ユニット２７で導
電性接着剤２８を転写すると基板ステージ２６上に位置
決め固定されている基板２５上に移動し、認識により位
置ずれを補正して基板２５上に装着する。

【００４３】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態におけるバンプボンド装置について、図４、図
５を参照して説明する。

【００４４】本実施形態においては、図４に示すよう
に、帯状薄板７の流れとバンプボンドを行う加熱ステー
ジ２０とレベリングステージ２１が同一線上に配置され
ている。第１の実施形態と同様の方法で供給される帯状
薄板７に、図５に示すように、予め半導体チップ１を吸
着保持するのに必要な数だけ小径の穴３１（３１ａ、３
１ｂ）が開けられている。この穴３１はエッチングなど
の方法によりバリやかえりの無いものが得られ、精度良
く連続的に加工できる。帯状薄板７の穴３１の配置は、
図５に示すように、半導体チップ１の中心に対して対角
方向に放射状に複数の穴３１ａ、３１ｂを配置するのが
良い。

【００４５】また、加熱ステージ２０やレベリングステ
ージ２１には、帯状薄板７の穴３１（３１ａ、３１ｂ）
に対応して吸着溝３２（３２ａ、３２ｂ）が設けられ、
それぞれ吸引経路３３（３３ａ、３３ｂ）に接続され、
かつ品種切替えなどで半導体チップ１の大きさが変われ
ば吸引経路３３ａ、３３ｂをバルブ３４の切替えにて任
意に選択できるように構成されている。例えば、１０ｍ
ｍ角の半導体チップ１であれば、１３ｍｍ角に設けられ
た吸着溝３２ａを用いず、８ｍｍ角に設けられた吸着溝
３２ｂと帯状薄板７にこれと対応して配置された穴３１
ｂを通じて半導体チップ１を吸着保持する。図５中、３
５は送り穴である。

【００４６】供給リール６から引き出された帯状薄板７
は、第１の実施形態と同様の方法でフイルム１３を引き
剥がした後、そのまま加熱ステージ２０上に半導体チッ
プ１を供給する。帯状薄板７を通して半導体チップ１は
加熱され、さらには加熱ステージ２０に設けられた吸着
溝３２と穴３１を通して吸着保持されるので、帯状薄板
７上でのバンプボンドが可能になる。

【００４７】バンプボンドが完了すると、スプロケット
１５によって帯状薄板７は一定量送られ、この一連の動
きで半導体チップ１はレベリングステージ２１上に供給
される。加熱ステージ２０と同様に半導体チップ１を吸
着保持し、レベリングプレート２２を下降させてバンプ
頭頂を所定の高さに平坦にそろえる。帯状薄板７は非常
に薄く、厚みを均一に製作できるので、頭頂高さがばら
ついたり、傾くことは少ない。

【００４８】さらに、帯状薄板７が送られると、第１の
実施形態と同様にフィルム１３が被された後収納リール
１６に巻き取られ、フリップチップボンド装置に供給さ
れる。このような方法によれば、品種切替え時に生じる
帯状薄板７や加熱ステージ２０、レベリングステージ２
１の交換作業を不要にできる。

【００４９】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態におけるフリップチップボンド装置について、
図６を参照して説明する。

【００５０】本実施形態のフリップチップボンド装置に
おいては、図６に示すように、帯状薄板７の供給リール
６からの引き出し方法が第１の実施形態とは異なり、フ
ィルム１３が帯状薄板７の下側になるように供給リール
６が設置される。ＵＶランプ２９で帯状薄板７の下側か
らＵＶ光を照射してフィルム１３と分離し、上方に配置
された収納リール１６で帯状薄板７を巻き取り、フィル
ム１３を水平方向に引き出し、スプロケット１５にて送
ってフィルム収納リール３６で巻き取っていくことで、
このフィルム１３上に回路面を下側に向けて半導体チッ
プ１を受けて取り出し位置に供給する。

【００５１】このような場合はフィルム１３側にもピッ
チ送りが可能なように両側にスプロケット１５の歯と噛
み合うように等間隔に送り穴を開けておき、送り量をス
プロケット１５の回転量で制御する。

【００５２】このように供給された半導体チップ１は装
着ヘッド２３により取り出されて基板２５上に実装され
る。

【００５３】

【発明の効果】本発明によれば、以上のようにある程度
の反り・曲げを作用させても割れが発生しない厚みを有
する薄型の半導体チップを平坦な帯状薄板上に等間隔で
連続的に載置し、これら帯状薄板及び半導体チップ上を
薄いフィルムで覆ってその両側部を平面同士で帯状薄板
に結合して半導体チップを収納した帯状体を形成し、こ
の帯状体を移送するので、移送中の振動で半導体チップ
の動きが生じないために、衝撃で半導体チップが割れた
り、コーナーが欠けたりすることが無くなり、また半導
体チップの収納量が多くなっても従来のワッフルトレー
の場合に比べて取扱いも楽になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の半導体チップ移送方
法を適用したダイスピック装置の概略構成図である。

【図２】同実施形態の半導体チップ移送方法を適用した
バンプボンド装置の概略構成図である。

【図３】同実施形態の半導体チップ移送方法を適用した
フリップチップボンド装置の概略構成図である。

【図４】本発明の第２の実施形態の半導体チップ移送方
法を適用したバンプボンド装置の概略構成図である。

【図５】同実施形態の半導体チップ移送方法を適用した
バンプボンド装置における要部の詳細を示し、（ａ）は
平面図、（ｂ）は正面図である。

【図６】本発明の第３の実施形態の半導体チップ移送方
法を適用したフリップチップボンド装置の概略構成図で
ある。

【図７】従来例の半導体チップ移送方法を適用した半導
体実装設備を示し、（ａ）はダイスピック工程の概略構
成図、（ｂ）はバンプボンド工程の概略構成図、（ｃ）
はフリップチップボンド工程の概略構成図である。

【符号の説明】

１ 半導体チップ ５ 移載アーム ６ 供給リール ７ 帯状薄板 ８ 真空チャンバ １２ プラズマ発生装置 １３ フィルム １４ 圧着ローラ １５ スプロケット １６ 収納リール １９ 超音波ホーン ２０ 加熱ステージ ２１ レベリングステージ ２２ レベリングプレート ２３ 装着ヘッド ２４ 反転ヘッド ２５ 基板 ３０ 半導体チップ収納帯状体 ３１ 穴 ３２ 吸着溝 ３３ 吸引経路 ３６ フィルム収納リール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 徳永 哲也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 笹岡 達雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 3E067 AA11 AB41 AC18 BA31A BB11A EA04 EE46 FA09 GD08 5F031 CA13 DA15 DA20 EA01 EA14 FA03 FA05 FA09 FA11 FA21 FA22 GA23 MA23 MA35 MA37 MA38 MA39 MA40 NA05 NA07 PA20

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ある程度の反り・曲げを作用させても割
   れが発生しない厚みを有する薄型の半導体チップを平坦
   な帯状薄板上に等間隔で連続的に載置し、これら帯状薄
   板及び半導体チップ上を薄いフィルムで覆ってその両側
   部を平面同士で帯状薄板に結合して半導体チップを収納
   した帯状体を形成し、この帯状体を移送することを特徴
   とする半導体チップ移送方法。
2. 【請求項２】 ある程度の反り・曲げを作用させても割
   れが発生しない厚みを有する薄型の半導体チップを、ダ
   イシングしたウエハから平坦な帯状薄板上に等間隔で連
   続的に載置する工程と、帯状薄板上を薄いフィルムで覆
   ってその両側部を平面同士で帯状薄板に結合して半導体
   チップを挟み込み、半導体チップを収納保持した帯状体
   を形成する工程と、帯状体を円筒状のリールに巻き取る
   工程と、リールを次工程に搬送する工程と、リールから
   帯状体を繰り出しながらフィルムを剥がすことで半導体
   チップを取り出す工程とを有することを特徴とする半導
   体チップ移送方法。
3. 【請求項３】 帯状薄板上の半導体チップの載置とフィ
   ルムを被せる工程を、ダイシングしたウエハの表面を真
   空雰囲気中でプラズマ洗浄した後その雰囲気中で行うこ
   とを特徴とする請求項１又は２記載の半導体チップ移送
   方法。
4. 【請求項４】 金属製で長手方向に等間隔に穴を形成し
   た帯状薄板における各穴の上に半導体チップを載置し、
   バンプボンド工程において、半導体チップを穴を通じて
   吸着保持するとともに帯状薄板上で加熱することを特徴
   とする請求項１〜３の何れかに記載の半導体チップ移送
   方法。
5. 【請求項５】 バンプボンド済みの半導体チップを、帯
   状薄板を一定量送ることで上下に対向する加圧手段の隙
   間に供給し、隙間を狭めてバンプの頭頂を平坦にするレ
   ベリング工程を行うことを特徴とする請求項４記載の半
   導体チップ移送方法。
6. 【請求項６】 半導体チップをフリップチップボンドす
   る工程において、フィルムが下側になるようにリールを
   設置し、半導体チップを下向きに取り出すことを特徴と
   する請求項１〜５の何れかに記載の半導体チップ移送方
   法。
7. 【請求項７】 平坦な帯状薄板上に、ある程度の反り・
   曲げを作用させても割れが発生しない厚みを有する薄型
   の半導体チップを等間隔で連続的に配置し、帯状薄板及
   び半導体チップの上を薄いフィルムで覆うとともにその
   両側部を平面同士で帯状薄板に結合し、半導体チップを
   収納保持した帯状体を構成したことを特徴とする半導体
   チップ収納帯状体。
8. 【請求項８】 帯状薄板とフィルムは、フィルムの両側
   部に塗布したＵＶ光の照射にて粘着性が変化する接着剤
   にて結合したことを特徴とする請求項７記載の半導体チ
   ップ収納帯状体。
9. 【請求項９】 帯状薄板が金属板から成り、その半導体
   チップ配置位置に吸着用の穴を形成したことを特徴とす
   る請求項７又は８記載の半導体チップ収納帯状体。
10. 【請求項１０】 半導体チップの供給部と、平坦な帯状
    薄板を巻回した供給リールから帯状薄板を引き出して所
    定の移動経路に沿って所定ピッチ間隔で間欠移動させて
    収納リールに巻き取る帯状薄板送り手段と、供給部から
    帯状薄板上に半導体チップを載置する移載手段と、帯状
    薄板上を覆うように薄いフィルムを供給してその両側部
    を帯状薄板に結合させるフィルム被覆手段とを備えたこ
    とを特徴とするダイスピック装置。
11. 【請求項１１】 帯状薄板の移動経路に、半導体チップ
    の表面をプラズマ洗浄するプラズマ発生装置を配設した
    真空チャンバを配設したことを特徴とする請求項１０記
    載のダイスピック装置。
12. 【請求項１２】 真空チャンバ内にフィルム被覆手段を
    配設したことを特徴とする請求項１１記載のダイスピッ
    ク装置。
13. 【請求項１３】 半導体チップを帯状薄板上に載置しフ
    ィルムで覆って成る半導体チップ収納帯状体を供給リー
    ルから引き出して所定の移動経路に沿って所定ピッチ間
    隔で間欠移動させ収納リールに巻き取る帯状体送り手段
    と、半導体チップ上にバンプを形成するバンプ形成手段
    と、帯状体送り手段の移動経路上でフィルムを剥がす手
    段と、帯状薄板上の半導体チップを取り出してバンプ形
    成手段に移載し、バンプボンド処理の完了した半導体チ
    ップを帯状薄板上に載置する移載手段と、帯状体送り手
    段の移動経路上でフィルムを被覆する手段とを備えたこ
    とを特徴とするバンプボンド装置。
14. 【請求項１４】 半導体チップを帯状薄板上に載置しフ
    ィルムで覆って成る半導体チップ収納帯状体を供給リー
    ルから引き出して所定の移動経路に沿って所定ピッチ間
    隔で間欠移動させ収納リールに巻き取る帯状体送り手段
    と、半導体チップ上に帯状体送り手段の移動経路上でフ
    ィルムを剥がす手段と、帯状体送り手段の移動経路上で
    帯状薄板上の半導体チップ上にバンプを形成するバンプ
    形成手段と、帯状体送り手段の移動経路上でフィルムを
    被覆する手段とを備えたことを特徴とするバンプボンド
    装置。
15. 【請求項１５】 帯状薄板に半導体チップを吸着するた
    めの穴を設け、バンプ形成手段のステージには帯状薄板
    に形成された穴に対応して吸着源に接続された吸着経路
    を設けたことを特徴とすることを特徴とする請求項１４
    記載のバンプボンド装置。
16. 【請求項１６】 バンプ形成手段は、帯状薄板を支持す
    る加熱ステージとバンプを形成する超音波ホーン、及び
    帯状薄板を支持するレベリングステージとバンプの頭頂
    を押圧して平坦にするレベリングプレートとを備えてい
    ることを特徴とする請求項１４又は１５記載のバンプボ
    ンド装置。
17. 【請求項１７】 半導体チップを帯状薄板上に載置しフ
    ィルムで覆って成る半導体チップ収納帯状体を供給リー
    ルから引き出して所定の移動経路に沿って所定ピッチ間
    隔で間欠移動させ収納リールに巻き取る帯状体送り手段
    と、帯状体送り手段の移動経路上でフィルムを剥がす手
    段と、帯状薄板上の半導体チップを取り出して上下を反
    転させる反転ヘッドと、反転ヘッド上の半導体チップを
    取り出して基板上に装着する装着ヘッドとを備えたこと
    を特徴とするフリップチップボンド装置。
18. 【請求項１８】 半導体チップを帯状薄板上に載置しフ
    ィルムで覆って成る半導体チップ収納帯状体を供給リー
    ルからフィルムを下側にして引き出して所定の移動経路
    に沿って所定ピッチ間隔で間欠移動させる帯状体送り手
    段と、帯状薄板とフィルムを剥離して移動経路の上方に
    配設された収納リールに帯状薄板を巻き取る手段と、フ
    ィルムをさらに水平に移動させた後巻き取る手段と、フ
    ィルム上の半導体チップを取り出して基板上に装着する
    装着ヘッドとを備えたことを特徴とするフリップチップ
    ボンド装置。