JP2002184606A - Thermistor and its manufacturing method - Google Patents
Thermistor and its manufacturing methodInfo
- Publication number
- JP2002184606A JP2002184606A JP2000385566A JP2000385566A JP2002184606A JP 2002184606 A JP2002184606 A JP 2002184606A JP 2000385566 A JP2000385566 A JP 2000385566A JP 2000385566 A JP2000385566 A JP 2000385566A JP 2002184606 A JP2002184606 A JP 2002184606A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- paste
- layers
- external electrode
- baking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば温度検知あ
るいは回路部品の温度補償などに用いられるサーミスタ
及びその製造方法に関し、より詳細には、プリント回路
基板などに表面実装され得るチップ型のサーミスタ及び
その製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermistor for use in, for example, temperature detection or temperature compensation of circuit components, and a method of manufacturing the same. It relates to the manufacturing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、温度検知や電子回路の温度補償を
行うために、サーミスタが広く用いられている。サーミ
スタは、半導体セラミックスよりなるサーミスタ素体の
外表面に一対の外部電極を形成した構造を有する。製造
に際しては、半導体セラミックスよりなるセラミック焼
結体を得た後に、導電ペーストの塗布・焼付により外部
電極を形成する。2. Description of the Related Art Conventionally, a thermistor has been widely used for temperature detection and temperature compensation of an electronic circuit. The thermistor has a structure in which a pair of external electrodes are formed on the outer surface of a thermistor body made of a semiconductor ceramic. In manufacturing, after obtaining a ceramic sintered body made of a semiconductor ceramic, an external electrode is formed by applying and baking a conductive paste.
【０００３】上記サーミスタとしては、従来より種々の
構造のものが知られている。例えば特開平９−１８６０
０２号公報には、図４に示すサーミスタ５１が開示され
ている。サーミスタ５１では、サーミスタ素体５２の両
端に外部電極５３，５４が形成されている。外部電極５
３，５４は、それぞれ、下地となる素子電極５３ａ，５
４ａと、素子電極５３ａ，５４ａ上に形成されたカバー
電極５３ｂ，５４ｂとを有する。素子電極５３ａ，５４
ａは、ＲｕＯ2 などの低抵抗値の酸化物からなり、カバ
ー電極５３ｂ，５４ｂは、Ａｇなどを主成分とする導電
ペーストの塗布・焼付により形成されている。ここで
は、低抵抗の酸化物からなる素子電極５３ａ，５４ａを
形成することにより、半田付け時に半田食われなどによ
りカバー電極５３ｂ，５４ｂの一部が消失したとして
も、素子電極５３ａ，５４ａが残存しているため、サー
ミスタ５１の電気的特性、例えば比抵抗やＢ定数の低下
を防止することができるとされている。As the thermistor, those having various structures are conventionally known. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-1860
No. 02 discloses a thermistor 51 shown in FIG. In the thermistor 51, external electrodes 53 and 54 are formed at both ends of a thermistor body 52. External electrode 5
Reference numerals 3 and 54 denote element electrodes 53a and 5 serving as bases, respectively.
4a and cover electrodes 53b and 54b formed on the element electrodes 53a and 54a. Device electrodes 53a, 54
a is made of a low-resistance oxide such as RuO 2, and the cover electrodes 53 b and 54 b are formed by applying and baking a conductive paste mainly containing Ag or the like. Here, by forming the element electrodes 53a and 54a made of a low-resistance oxide, the element electrodes 53a and 54a remain even if a part of the cover electrodes 53b and 54b disappears due to solder erosion or the like during soldering. Therefore, it is said that the electrical characteristics of the thermistor 51, for example, a decrease in specific resistance and B constant can be prevented.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】サーミスタでは、その
用途に応じた電気的特性、すなわち比抵抗やＢ定数を有
するものが用いられる。他方、従来のサーミスタでは、
抵抗値等を容易に補正することが困難であった。すなわ
ち、半導体セラミックスからなるサーミスタ素体を得た
後には、外表面に形成される一対の外部電極間の距離を
変更したりすることによってしか抵抗値の調整ができな
かった。そのため、抵抗値の調整範囲が狭く、目的とす
る電気的特性のサーミスタを速やかに提供することが困
難であった。As the thermistor, a thermistor having an electrical characteristic according to its use, that is, a specific resistance or a B constant is used. On the other hand, in the conventional thermistor,
It was difficult to easily correct the resistance value and the like. That is, after obtaining a thermistor body made of semiconductor ceramics, the resistance value can be adjusted only by changing the distance between a pair of external electrodes formed on the outer surface. Therefore, the adjustment range of the resistance value is narrow, and it has been difficult to quickly provide a thermistor having the desired electrical characteristics.
【０００５】特開平９−１８６００２号公報に開示され
ている上記サーミスタ５１においても、電気的特性の劣
化を防止することができ、高温半田による配線処理に適
しているものの、従来より周知のサーミスタと同様に、
サーミスタ素体を得た後に、電気的特性を調整すること
については、何ら言及されていない。[0005] The thermistor 51 disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-186002 can also prevent deterioration of electrical characteristics and is suitable for wiring processing using high-temperature solder. Similarly,
There is no mention of adjusting the electrical properties after obtaining the thermistor body.
【０００６】本発明の目的は、半導体セラミックスより
なるサーミスタ素体を得た後に、抵抗値等の電気的特性
を大幅にかつ容易に調整することが可能なサーミスタ及
びその製造方法を提供することにある。An object of the present invention is to provide a thermistor capable of greatly and easily adjusting electric characteristics such as resistance after obtaining a thermistor body made of a semiconductor ceramic, and a method of manufacturing the same. is there.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の広い局面によれ
ば、セラミック焼結体よりなり、対向し合う第１，第２
の面を有するサーミスタ素体と、第１，第２の面におい
て、サーミスタペーストの焼付けにより形成された第
１，第２のサーミスタ層と、第１，第２のサーミスタ層
上に形成された第１，第２の外部電極とを備えるサーミ
スタが提供される。According to a broad aspect of the present invention, first and second opposed ceramic and sintered bodies are formed.
The first and second thermistor layers formed by baking the thermistor paste on the first and second surfaces, and the first and second thermistor layers formed on the first and second thermistor layers. A thermistor comprising: a first external electrode;
【０００８】本発明の特定の局面では、前記第１，第２
の面が、対向し合っている第１，第２の端面であり、か
つ前記サーミスタ素体内に形成された複数の内部電極を
有し、該複数の内部電極が第１の端面または第２の端面
に引き出されている。In a particular aspect of the present invention, the first and second
Are the first and second end faces facing each other, and have a plurality of internal electrodes formed in the thermistor body, and the plurality of internal electrodes are the first end face or the second end face. It is pulled out to the end face.
【０００９】本発明の他の特定の局面では、前記外部電
極が導電ペーストの焼付けにより形成された導電膜によ
り構成されており、かつ外部電極の外表面に積層された
メッキ膜がさらに備えられる。In another specific aspect of the present invention, the external electrode is formed of a conductive film formed by baking a conductive paste, and further includes a plating film laminated on an outer surface of the external electrode.
【００１０】本発明のさらに別の特定の局面では、上記
セラミック焼結体は、負の抵抗温度特性を有する半導体
セラミックスからなる。本発明の別の広い局面によれ
ば、セラミック焼結体よりなり、対向し合う第１，第２
の面を有するサーミスタ素体を用意する工程と、サーミ
スタ素体の第１，第２の面上にサーミスタペーストを付
与する工程と、前記サーミスタペーストを焼成し、第
１，第２のサーミスタ層を形成する工程と、第１，第２
のサーミスタ層上に導電ペーストを塗布し、焼き付ける
ことにより第１，第２の外部電極を形成する工程とを備
えるサーミスタの製造方法が提供される。In a further specific aspect of the present invention, the ceramic sintered body is made of a semiconductor ceramic having a negative resistance temperature characteristic. According to another broad aspect of the present invention, the first and second opposed ceramic first and second bodies are made of a ceramic sintered body.
Preparing a thermistor body having surfaces of the following, applying a thermistor paste on the first and second surfaces of the thermistor body, and firing the thermistor paste to form first and second thermistor layers. Forming step, first and second
Forming a first and a second external electrode by applying a conductive paste on the thermistor layer and baking the conductive paste on the thermistor layer.
【００１１】本発明に係るサーミスタの製造方法の他の
特定の局面では、サーミスタ素体の第１，第２の面にサ
ーミスタペーストを付与するに先立ち、サーミスタ素体
をバレル研磨し、サーミスタ素体の第１，第２の面の外
周縁に存在する稜線を研磨する工程がさらに備えられ
る。In another specific aspect of the method for manufacturing a thermistor according to the present invention, the thermistor body is barrel-polished before applying the thermistor paste to the first and second surfaces of the thermistor body. The method further includes a step of polishing a ridge existing on the outer peripheral edges of the first and second surfaces.
【００１２】本発明のサーミスタの製造方法のさらに他
の特定の局面では、前記第１，第２の面が、サーミスタ
素体の対向し合っている第１，第２の端面であり、前記
サーミスタ素体として、内部に複数の内部電極が形成さ
れておりかつ複数の内部電極が第１，第２の端面に引き
出されているサーミスタ素体が用いられる。In still another specific aspect of the method for manufacturing a thermistor of the present invention, the first and second surfaces are first and second end surfaces of the thermistor body facing each other, and As the element body, a thermistor element body in which a plurality of internal electrodes are formed and the plurality of internal electrodes are drawn out to the first and second end surfaces is used.
【００１３】本発明に係るサーミスタの製造方法のさら
に別の特定の局面によれば、前記外部電極を形成した後
に、外部電極表面にメッキ膜を形成する工程がさらに備
えられる。According to still another specific aspect of the method for manufacturing a thermistor according to the present invention, the method further includes a step of forming a plating film on the surface of the external electrode after forming the external electrode.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の具体的な実施例を挙げることにより、本発明を明らか
にする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be clarified by giving specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.
【００１５】図１は、本発明の一実施例に係るＮＴＣサ
ーミスタを示す断面図である。ＮＴＣサーミスタ１は、
直方体状のサーミスタ素体２を有する。サーミスタ素体
２は、負の抵抗温度特性を有する半導体セラミックスか
らなるセラミック焼結体を用いて構成されている。FIG. 1 is a sectional view showing an NTC thermistor according to one embodiment of the present invention. NTC thermistor 1
The thermistor body 2 has a rectangular parallelepiped shape. The thermistor body 2 is configured using a ceramic sintered body made of a semiconductor ceramic having a negative resistance temperature characteristic.
【００１６】サーミスタ素体２内には、複数の内部電極
３〜６がサーミスタ素体層を介して重なり合うように配
置されている。内部電極３〜６は、Ａｇペーストなどの
導電ペーストの焼付けにより形成されている。In the thermistor body 2, a plurality of internal electrodes 3 to 6 are arranged so as to overlap with each other via a thermistor body layer. The internal electrodes 3 to 6 are formed by baking a conductive paste such as an Ag paste.
【００１７】内部電極３，５は、サーミスタ素体２の第
１の端面２ａに引き出されている。内部電極４，６は、
第１の端面と対向している第２の端面２ｂに引き出され
ている。The internal electrodes 3 and 5 are extended to the first end face 2a of the thermistor body 2. The internal electrodes 4, 6
It is drawn out to the second end face 2b facing the first end face.
【００１８】端面２ａ，２ｂを覆うように、それぞれ、
第１，第２のサーミスタ層７，８が形成されている。サ
ーミスタ層７，８は、サーミスタペーストの焼付けによ
り形成されている。すなわち、サーミスタ素体２を得た
後に、サーミスタペーストを端面２ａ，２ｂを覆うよう
に塗布し、焼き付けることにより、サーミスタ層７，８
が形成されている。In order to cover the end surfaces 2a and 2b,
First and second thermistor layers 7 and 8 are formed. The thermistor layers 7, 8 are formed by baking a thermistor paste. That is, after the thermistor body 2 is obtained, the thermistor paste is applied so as to cover the end faces 2a and 2b, and baked, so that the thermistor layers 7 and 8 are formed.
Are formed.
【００１９】上記サーミスタペーストとしては、負の抵
抗温度特性を有する半導体セラミック粉末を主体とする
ものが用いられる。この場合、サーミスタ層７，８を構
成する半導体セラミック粉末は、サーミスタ素体２を構
成している半導体セラミックスと同じ材料であってもよ
く、異なる材料であってもよい。As the thermistor paste, a paste mainly composed of a semiconductor ceramic powder having a negative resistance temperature characteristic is used. In this case, the semiconductor ceramic powder forming the thermistor layers 7 and 8 may be the same material as the semiconductor ceramic forming the thermistor body 2, or may be a different material.
【００２０】サーミスタ層７，８は、端面２ａ，２ｂだ
けでなく、サーミスタ素体２の上面２ｃ、下面２ｄ及び
図示されていない一対の側面にも至るように形成されて
いる。サーミスタ層７，８及び後述する外部電極が、サ
ーミスタ素体２の上面２ｃ，２ｄ及び一対の側面に至っ
ている部分を、以下、被り部と称する。The thermistor layers 7 and 8 are formed so as to reach not only the end surfaces 2a and 2b but also the upper surface 2c and the lower surface 2d of the thermistor body 2 and a pair of side surfaces (not shown). A portion where the thermistor layers 7 and 8 and an external electrode described later reach the upper surfaces 2c and 2d and a pair of side surfaces of the thermistor body 2 is hereinafter referred to as a covering portion.
【００２１】サーミスタ層７，８の外表面には、導電ペ
ーストの塗布・焼付により形成された第１，第２の外部
電極９，１０を有する。外部電極９，１０は、サーミス
タ層７，８の外表面を覆うように形成されている。従っ
て、外部電極９，１０もまた、上記被り部を有するよう
に構成されている。The outer surfaces of the thermistor layers 7 and 8 have first and second external electrodes 9 and 10 formed by applying and baking a conductive paste. The external electrodes 9 and 10 are formed so as to cover the outer surfaces of the thermistor layers 7 and 8. Therefore, the external electrodes 9 and 10 are also configured to have the above-mentioned covering portions.
【００２２】外部電極９，１０を構成する導電ペースト
については、Ａｇペーストなどの従来より電極材料とし
て用いられている適宜の導電ペーストを用いることがで
きる。As the conductive paste forming the external electrodes 9 and 10, an appropriate conductive paste conventionally used as an electrode material such as an Ag paste can be used.
【００２３】図１から明らかなように、外部電極９，１
０と、端面２ａ，２ｂとの間にサーミスタ層７，８が介
在されているので、内部電極３〜６は外部電極９，１０
に直接電気的に接続されていない。As is apparent from FIG. 1, the external electrodes 9, 1
0 and the end faces 2a, 2b, the thermistor layers 7, 8 are interposed, so that the internal electrodes 3 to 6 are connected to the external electrodes 9, 10
Not directly electrically connected to
【００２４】外部電極９，１０の外表面には、メッキ膜
１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂが積層されている。メ
ッキ膜１１ａ，１２ａは、外部電極９，１０の外表面に
直接形成されており、例えばＮｉなどの半田食われが生
じ難い金属により構成されている。他方、メッキ膜１１
ａ，１２ａ上に形成された第２のメッキ膜１１ｂ，１２
ｂは、Ｓｎや半田などの半田付け性に優れた金属材料に
より構成されている。On outer surfaces of the external electrodes 9 and 10, plating films 11a, 11b, 12a and 12b are laminated. The plating films 11a and 12a are formed directly on the outer surfaces of the external electrodes 9 and 10, and are made of, for example, a metal such as Ni that is unlikely to be eroded by solder. On the other hand, the plating film 11
a, 12a formed on the second plating films 11b, 12a
b is made of a metal material having excellent solderability such as Sn or solder.
【００２５】ＮＴＣサーミスタ１の特徴は、上記サーミ
スタ層７，８が、外部電極９，１０と端面２ａ，２ｂと
の間に介在されていることにある。すなわち、本実施例
のＮＴＣサーミスタ１では、サーミスタ素体２を得た後
に、上記サーミスタ層７，８及び外部電極９，１０が形
成されるので、サーミスタ層７，８を構成する材料及び
サーミスタ層７，８の厚みを調整することにより、抵抗
値等の電気的特性を大幅に調整することができる。これ
を、具体的な実験例に基づき説明する。The NTC thermistor 1 is characterized in that the thermistor layers 7, 8 are interposed between the external electrodes 9, 10 and the end faces 2a, 2b. That is, in the NTC thermistor 1 of this embodiment, since the thermistor layers 7, 8 and the external electrodes 9, 10 are formed after the thermistor body 2 is obtained, the material forming the thermistor layers 7, 8 and the thermistor layer By adjusting the thicknesses of the layers 7 and 8, electrical characteristics such as resistance values can be largely adjusted. This will be described based on specific experimental examples.
【００２６】Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏなどの酸化物からなる負
の抵抗温度特性を有する半導体セラミック粉末と、有機
バインダーと水とを加え、混練することによりセラミッ
クスラリーを得た。このセラミックスラリーを用い、厚
み５０μｍのセラミックグリーンシートを作製し、矩形
形状に打ち抜いた。A ceramic slurry was obtained by adding and kneading a semiconductor ceramic powder composed of an oxide such as Mn, Ni or Co and having a negative resistance temperature characteristic, an organic binder and water. Using this ceramic slurry, a ceramic green sheet having a thickness of 50 μm was prepared and punched into a rectangular shape.
【００２７】矩形形状のセラミックグリーンシート上
に、内部電極を形成するためのＡｇ／Ｐｄペーストを印
刷した。しかる後、内部電極形成用Ａｇ／Ｐｄペースト
が印刷された複数枚のセラミックグリーンシートを積層
し、最上部及び最下部に、無地の矩形の複数枚のセラミ
ックグリーンシートを積層し、厚み方向に加圧して、マ
ザーの積層体を得た。このマザーの積層体を個々のサー
ミスタ単位の積層体に切断した後、１３００℃で焼成
し、セラミック焼結体よりなるサーミスタ素体２を得
た。An Ag / Pd paste for forming an internal electrode was printed on a rectangular ceramic green sheet. Thereafter, a plurality of ceramic green sheets on which the Ag / Pd paste for forming internal electrodes is printed are laminated, and a plurality of solid rectangular ceramic green sheets are laminated on the uppermost and lowermost portions, and are added in the thickness direction. By pressing, a mother laminate was obtained. The mother laminate was cut into individual thermistor-unit laminates and fired at 1300 ° C. to obtain a thermistor body 2 made of a ceramic sintered body.
【００２８】このサーミスタ素体２を、バレル研磨し
た。バレル研磨により、上面２ｃ及び下面２ｄと端面２
ａ，２ｂとのなす稜線部分に、図１に矢印Ｘで示すよう
な丸みが付けられた。また、図１には示されていない
が、一対の側面と、端面２ａ，２ｂとのなす稜線部分に
も同様に丸みが付与された。The thermistor body 2 was barrel-polished. By barrel polishing, the upper surface 2c and the lower surface 2d and the end surface 2
The ridges formed by a and 2b were rounded as shown by arrow X in FIG. Although not shown in FIG. 1, the ridges formed by the pair of side surfaces and the end surfaces 2 a and 2 b were similarly rounded.
【００２９】上記バレル研磨後に、サーミスタ素体２の
端面２ａ，２ｂに、サーミスタ層７，８を形成した。サ
ーミスタ層７，８の形成に際しては、サーミスタ素体２
を端面２ａ側からサーミスタペースト層に浸漬し、引き
上げ、しかる後端面２ｂ側からサーミスタ素体２をサー
ミスタペースト層に浸漬し、引き上げ、端面２ａ，２ｂ
を覆うようにサーミスタペーストを付与した。After the barrel polishing, thermistor layers 7 and 8 were formed on the end faces 2a and 2b of the thermistor body 2. When forming the thermistor layers 7 and 8, the thermistor body 2
Is immersed in the thermistor paste layer from the end face 2a side and pulled up. Then, the thermistor body 2 is immersed in the thermistor paste layer from the rear end face 2b side and pulled up, and the end faces 2a and 2b are drawn.
Thermistor paste was applied so as to cover.
【００３０】しかる後、サーミスタペーストが付与され
たサーミスタ素体２を１０００〜１３００℃の温度で焼
成することにより、図２に示す、厚み５〜１０μｍのサ
ーミスタ層７，８を形成した。Thereafter, the thermistor body 2 provided with the thermistor paste was fired at a temperature of 1000 to 1300 ° C. to form thermistor layers 7 and 8 having a thickness of 5 to 10 μm as shown in FIG.
【００３１】次に、図３に示すように、サーミスタ層
７，８の外表面に、Ａｇ／Ｐｄペーストを塗布し、焼き
付けることにより厚み４０μｍの外部電極９，１０を形
成した。さらに、外部電極９，１０の外表面に、Ｎｉ膜
及びＳｎ膜を順次メッキし、メッキ膜１１ａ，１１ｂ，
１２ａ，１２ｂを形成した。Next, as shown in FIG. 3, Ag / Pd paste was applied to the outer surfaces of the thermistor layers 7 and 8 and baked to form external electrodes 9 and 10 having a thickness of 40 μm. Further, Ni films and Sn films are sequentially plated on the outer surfaces of the external electrodes 9 and 10 to form plating films 11a, 11b,
12a and 12b were formed.
【００３２】上記のようにして、ＮＴＣサーミスタ１を
製造したが、上記製造に際し、サーミスタ層７，８の比
抵抗ρが、２６Ω・ｃｍ、８８０Ω・ｃｍ及び４７３５
Ω・ｃｍとなるように、以下の３種類のサーミスタペー
ストを用い、実施例１〜３のサーミスタを得た。The NTC thermistor 1 was manufactured as described above. In the manufacture, the specific resistance ρ of the thermistor layers 7 and 8 was 26 Ω · cm, 880 Ω · cm and 4735.
Thermistors of Examples 1 to 3 were obtained using the following three types of thermistor paste so as to obtain Ω · cm.
【００３３】 サーミスタペースト１…Ｍｎ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｕ−Ｏ サーミスタペースト２…Ｍｎ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ サーミスタペースト３…Ｍｎ−Ｎｉ−Ａｌ−Ｏ また、上記サーミスタ層７，８を形成しないことを除い
ては、上記実施例と同様にして従来例のサーミスタを作
製した。Thermistor paste 1 Mn-Ni-Co-Cu-O Thermistor paste 2 Mn-Ni-Co-Al-O Thermistor paste 3 Mn-Ni-Al-O Thermistor layers 7 and 8 are formed. A thermistor of a conventional example was manufactured in the same manner as in the above example, except that no thermistor was used.
【００３４】上記のようにして得られた従来例及び実施
例１〜３の各サーミスタの特性を下記の表１に示す。Table 1 below shows the characteristics of the thermistors of the conventional example and Examples 1 to 3 obtained as described above.
【００３５】[0035]
【表１】 [Table 1]
【００３６】表１から明らかなように、サーミスタ層
７，８を構成するサーミスタペーストを異ならせること
により、同じサーミスタ素体２を用いた場合でも、最終
的に得られた完成品としてのサーミスタ１における抵抗
値及びＢ定数を大幅に変更し得ることがわかる。As is clear from Table 1, even when the same thermistor body 2 is used, the thermistor 1 as a finished product is obtained by using different thermistor pastes for forming the thermistor layers 7 and 8. It can be seen that the resistance value and the B constant can be greatly changed.
【００３７】すなわち、焼成によりサーミスタ素体２を
得た後に本実施例によればＮＴＣサーミスタ１の抵抗値
やＢ定数などの電気的特性を大幅に調整することができ
る。従って、用途に応じた特性のＮＴＣサーミスタ１を
容易にかつ速やかに提供し得ることがわかる。That is, after obtaining the thermistor body 2 by firing, according to the present embodiment, the electrical characteristics such as the resistance value and the B constant of the NTC thermistor 1 can be largely adjusted. Therefore, it can be seen that the NTC thermistor 1 having characteristics according to the application can be provided easily and promptly.
【００３８】なお、サーミスタ層７，８の厚みについて
は特に限定されるわけではないが、内部電極３〜６と外
部電極９，１０との導通を確実なものとするためには、
さほど厚くないことが望ましく、１０μｍ以下とするこ
とが望ましい。The thicknesses of the thermistor layers 7 and 8 are not particularly limited, but in order to ensure conduction between the internal electrodes 3 to 6 and the external electrodes 9 and 10,
It is desirable that the thickness is not so large, and it is desirable that the thickness be 10 μm or less.
【００３９】上記実施例では、外部電極９，１０の外表
面にメッキ膜１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂを形成し
たが、メッキ膜１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂは必ず
しも形成されずともよい。In the above embodiment, the plating films 11a, 11b, 12a, 12b are formed on the outer surfaces of the external electrodes 9, 10, but the plating films 11a, 11b, 12a, 12b are not necessarily formed.
【００４０】また、上記実施例では、内部電極３〜６を
有する積層型のＮＴＣサーミスタ１を説明したが、本発
明は、内部電極を有しないサーミスタにも適用すること
ができる。また、サーミスタ素体についても、円板状や
角板状のサーミスタ素体を用いてもよく、円板状や角板
状のサーミスタ素体の両主面にサーミスタ層及び外部電
極を形成したものであってもよい。In the above embodiment, the laminated NTC thermistor 1 having the internal electrodes 3 to 6 has been described. However, the present invention can be applied to a thermistor having no internal electrodes. Also, as the thermistor element, a disc-shaped or square-plate-shaped thermistor element may be used, and the thermistor layer and the external electrode are formed on both main surfaces of the disc-shaped or square-plate thermistor element. It may be.
【００４１】さらに、ＮＴＣサーミスタだけでなく、Ｐ
ＴＣサーミスタにも本発明を適用することができる。Further, not only the NTC thermistor but also P
The present invention can be applied to a TC thermistor.
【００４２】[0042]
【発明の効果】本発明に係るサーミスタによれば、セラ
ミック焼結体の対向し合う第１，第２の面にサーミスタ
ペーストの焼付けにより第１，第２のサーミスタ層が形
成されており、第１，第２のサーミスタ層上に第１，第
２の外部電極が形成されている。従って、セラミック焼
結体からなるサーミスタ素体を得た後に、様々な特性の
サーミスタペーストから目的とする特性に応じたサーミ
スタペーストを選択して第１，第２のサーミスタ層を形
成することにより、同じサーミスタ素体を用いた場合で
あっても、最終的に得られるサーミスタの抵抗値やＢ定
数などの電気的特性を大幅にかつ容易に調整することが
できる。よって、必要とされる特性に応じたサーミスタ
を容易にかつ速やかに提供することができる。According to the thermistor of the present invention, the first and second thermistor layers are formed on the opposed first and second surfaces of the ceramic sintered body by baking thermistor paste. First and second external electrodes are formed on the first and second thermistor layers. Therefore, after obtaining a thermistor body composed of a ceramic sintered body, the first and second thermistor layers are formed by selecting a thermistor paste according to the desired characteristics from the thermistor pastes having various characteristics, Even when the same thermistor body is used, the electrical characteristics of the finally obtained thermistor such as the resistance value and the B constant can be greatly and easily adjusted. Therefore, it is possible to easily and quickly provide a thermistor according to the required characteristics.
【００４３】サーミスタ素体が第１，第２の端面を有
し、サーミスタ素体内に複数の内部電極が形成されてお
り、複数の内部電極が第１の端面または第２の端面に引
き出されている構造を有する場合には、積層型のサーミ
スタを本発明に従って得ることができるので、様々な抵
抗値のサーミスタを容易に設計することができる。The thermistor body has first and second end faces, a plurality of internal electrodes are formed in the thermistor body, and the plurality of internal electrodes are drawn out to the first end face or the second end face. In the case where the thermistor has a suitable structure, a laminated thermistor can be obtained in accordance with the present invention, so that thermistors having various resistance values can be easily designed.
【００４４】外部電極が導電ペーストの焼付けにより形
成された導電膜により形成されており、かつ外部電極の
外表面に積層されたメッキ膜をさらに備える場合には、
導電ペーストの焼付けにより形成された外部電極により
電気的接続の信頼性が高められ、かつ積層されたメッキ
膜の材料を選択することにより半田付け性等を高めるこ
とができる。In the case where the external electrode is formed of a conductive film formed by baking a conductive paste and further includes a plating film laminated on the outer surface of the external electrode,
The reliability of the electrical connection is improved by the external electrodes formed by baking the conductive paste, and the solderability and the like can be improved by selecting the material of the laminated plating film.
【００４５】セラミック焼結体が負の抵抗温度特性を有
する半導体セラミックスからなる場合には、本発明に従
って、抵抗値等の電気的特性を大幅に調整し得るＮＴＣ
素子を容易に提供することができる。In the case where the ceramic sintered body is made of a semiconductor ceramic having a negative resistance temperature characteristic, according to the present invention, the NTC which can greatly adjust the electric characteristics such as the resistance value can be used.
The element can be easily provided.
【００４６】本発明に係るサーミスタの製造方法では、
サーミスタ素体を用意した後に、サーミスタ素体の第
１，第２の面上にサーミスタペーストを付与し、該サー
ミスタペーストを焼成することにより、第１，第２のサ
ーミスタ層が形成されるので、サーミスタペーストを選
択することにより、最終的に得られるサーミスタの電気
的特性を大幅にかつ容易に調整することができる。In the method for manufacturing a thermistor according to the present invention,
After preparing the thermistor body, the first and second thermistor layers are formed by applying a thermistor paste on the first and second surfaces of the thermistor body and firing the thermistor paste. By selecting a thermistor paste, the electrical characteristics of the finally obtained thermistor can be greatly and easily adjusted.
【００４７】サーミスタ素体の第１，第２の面にサーミ
スタペーストを付与するに先立ち、サーミスタ素体をバ
レル研磨し、サーミスタ素体の第１，第２の面の外周縁
の稜線を研磨した場合には、第１，第２のサーミスタ層
を稜線部分においても十分な厚みに形成することができ
る。従って、第１，第２のサーミスタ層による電気的特
性の調整を安定に行うことができる。Prior to applying the thermistor paste to the first and second surfaces of the thermistor body, the thermistor body was barrel-polished and the ridges of the outer peripheral edges of the first and second surfaces of the thermistor body were polished. In this case, the first and second thermistor layers can be formed to have a sufficient thickness even at the ridge portion. Therefore, the electric characteristics can be stably adjusted by the first and second thermistor layers.
【００４８】第１，第２の面がサーミスタ素体の対向し
合っている第１，第２の端面であり、サーミスタ素体内
に複数の内部電極が形成されており、複数の内部電極が
第１，第２の端面に引き出されている場合には、本発明
に従って、電気的特性を大幅にかつ速やかに調整し得る
積層型のサーミスタを容易に提供することができる。The first and second surfaces are the first and second end surfaces of the thermistor body facing each other, and a plurality of internal electrodes are formed in the thermistor body, and the plurality of internal electrodes are 1, when it is drawn out to the second end face, according to the present invention, it is possible to easily provide a laminated thermistor capable of adjusting electric characteristics significantly and quickly.
【００４９】本発明に係る製造方法において、外部電極
形成後に、外部電極表面にメッキ膜を形成する場合に
は、メッキ膜の材料を選択することにより、半田付け性
などを容易に高めることができる。In the manufacturing method according to the present invention, when a plating film is formed on the surface of the external electrode after the formation of the external electrode, by selecting the material of the plating film, the solderability and the like can be easily improved. .
【図１】本発明の一実施例のサーミスタを示す縦断面
図。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a thermistor according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示したサーミスタを得るにあたって、サ
ーミスタ素体の外表面に第１，第２のサーミスタ層を形
成した状態を示す縦断面図。FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a state where first and second thermistor layers are formed on the outer surface of the thermistor body when obtaining the thermistor shown in FIG. 1;
【図３】図２に示したサーミスタ素体の第１，第２のサ
ーミスタ層上に外部電極を形成した状態を示す縦断面
図。FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a state where external electrodes are formed on first and second thermistor layers of the thermistor body shown in FIG. 2;
【図４】従来のサーミスタの一例を示す縦断面図。FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing an example of a conventional thermistor.
１…サーミスタ ２…サーミスタ素体 ２ａ，２ｂ…第１，第２の端面 ３〜６…内部電極 ７，８…第１，第２のサーミスタ層 ９，１０…第１，第２の外部電極 １１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ…メッキ膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Thermistor 2 ... Thermistor element body 2a, 2b ... 1st, 2nd end surface 3-6 ... Internal electrode 7, 8 ... 1st, 2nd thermistor layer 9, 10 ... 1st, 2nd external electrode 11a , 11b, 12a, 12b ... plating film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E034 AA09 AA10 AB01 AB06 BA09 BA10 BB01 BB06 BC02 DA07 DC01 DC03 DC06 DC09 DD01 DE07 DE16 DE20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5E034 AA09 AA10 AB01 AB06 BA09 BA10 BB01 BB06 BC02 DA07 DC01 DC03 DC06 DC09 DD01 DE07 DE16 DE20
Claims (8)
第１，第２の面を有するサーミスタ素体と、 第１，第２の面において、サーミスタペーストの焼付け
により形成された第１，第２のサーミスタ層と、 前記第１，第２のサーミスタ層上に形成された第１，第
２の外部電極とを備えることを特徴とする、サーミス
タ。1. A thermistor body made of a ceramic sintered body and having first and second surfaces facing each other, and first and second surfaces formed by baking a thermistor paste on the first and second surfaces. A thermistor comprising: a second thermistor layer; and first and second external electrodes formed on the first and second thermistor layers.
る第１，第２の端面であり、かつ前記サーミスタ素体内
に形成された複数の内部電極を有し、該複数の内部電極
が第１の端面または第２の端面に引き出されている、請
求項１に記載のサーミスタ。2. The device according to claim 1, wherein the first and second surfaces are opposed first and second end surfaces, and have a plurality of internal electrodes formed in the thermistor element. The thermistor according to claim 1, wherein the internal electrode is extended to the first end face or the second end face.
より形成された導電膜により構成されており、かつ外部
電極の外表面に積層されたメッキ膜をさらに備える、請
求項１または２に記載のサーミスタ。3. The thermistor according to claim 1, wherein the external electrode is formed of a conductive film formed by baking a conductive paste, and further comprising a plating film laminated on an outer surface of the external electrode. .
特性を有する半導体セラミックスからなる、請求項１〜
３のいずれかに記載のサーミスタ。4. The ceramic sintered body according to claim 1, wherein the ceramic sintered body is made of a semiconductor ceramic having a negative resistance temperature characteristic.
3. The thermistor according to any one of 3.
第１，第２の面を有するサーミスタ素体を用意する工程
と、 前記サーミスタ素体の第１，第２の面上にサーミスタペ
ーストを付与する工程と、 前記サーミスタペーストを焼成し、第１，第２のサーミ
スタ層を形成する工程と、 前記第１，第２のサーミスタ層上に導電ペーストを塗布
し、焼き付けることにより第１，第２の外部電極を形成
する工程とを備えることを特徴とするサーミスタの製造
方法。5. A step of preparing a thermistor body made of a ceramic sintered body and having opposing first and second surfaces; and applying a thermistor paste on the first and second surfaces of the thermistor body. Applying, baking the thermistor paste to form first and second thermistor layers, applying a conductive paste on the first and second thermistor layers, and baking the first and second thermistor layers. Forming a second external electrode.
サーミスタペーストを付与するに先立ち、サーミスタ素
体をバレル研磨し、サーミスタ素体の第１，第２の面の
外周縁の稜線を研磨する工程をさらに備える、請求項５
に記載のサーミスタの製造方法。6. Prior to applying the thermistor paste to the first and second surfaces of the thermistor body, the thermistor body is barrel-polished to form ridges on the outer peripheral edges of the first and second surfaces of the thermistor body. 6. The method according to claim 5, further comprising:
3. The method for manufacturing a thermistor according to 1.
の対向し合っている第１，第２の端面であり、前記サー
ミスタ素体として、内部に複数の内部電極が形成されて
おりかつ複数の内部電極が第１，第２の端面に引き出さ
れているサーミスタ素体を用いる、請求項５または６に
記載のサーミスタの製造方法。7. The first and second surfaces are opposed first and second end surfaces of a thermistor element, and a plurality of internal electrodes are formed inside the thermistor element. 7. The method for manufacturing a thermistor according to claim 5, wherein a thermistor element is used which has a plurality of internal electrodes and the first and second end faces are drawn out.
表面にメッキ膜を形成する工程をさらに備える、請求項
５〜７のいずれかに記載のサーミスタの製造方法。8. The method for manufacturing a thermistor according to claim 5, further comprising a step of forming a plating film on a surface of the external electrode after forming the external electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000385566A JP4660922B2 (en) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | Thermistor and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000385566A JP4660922B2 (en) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | Thermistor and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002184606A true JP2002184606A (en) | 2002-06-28 |
| JP4660922B2 JP4660922B2 (en) | 2011-03-30 |
Family
ID=18852809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000385566A Expired - Lifetime JP4660922B2 (en) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | Thermistor and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4660922B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223039A (en) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Murata Mfg Co Ltd | Chip type thermistor and method for adjusting characteristic of the thermistor |
| US7605683B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic electronic component |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03250601A (en) * | 1989-12-29 | 1991-11-08 | Mitsubishi Materials Corp | Resistive element |
| JPH04152601A (en) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Murata Mfg Co Ltd | Laminated thermistor |
| JPH11126731A (en) * | 1997-10-22 | 1999-05-11 | Tdk Corp | R-c composite electronic component and manufacture thereof |
| JP2000091106A (en) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multilayer semiconductor ceramic electronic component and its manufacture |
-
2000
- 2000-12-19 JP JP2000385566A patent/JP4660922B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03250601A (en) * | 1989-12-29 | 1991-11-08 | Mitsubishi Materials Corp | Resistive element |
| JPH04152601A (en) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Murata Mfg Co Ltd | Laminated thermistor |
| JPH11126731A (en) * | 1997-10-22 | 1999-05-11 | Tdk Corp | R-c composite electronic component and manufacture thereof |
| JP2000091106A (en) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multilayer semiconductor ceramic electronic component and its manufacture |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223039A (en) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Murata Mfg Co Ltd | Chip type thermistor and method for adjusting characteristic of the thermistor |
| US7605683B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4660922B2 (en) | 2011-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000164406A (en) | Chip type electronic part and manufacture thereof | |
| JP4211510B2 (en) | Manufacturing method of laminated PTC thermistor | |
| JPH11340089A (en) | Manufacture of multilayer ceramic electronic component multilayer ceramic electronic component | |
| JP3514117B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component, method of manufacturing multilayer ceramic electronic component, and conductive paste for forming internal electrode | |
| JP2000124007A (en) | Chip thermistor and method of producing the same | |
| JP4293615B2 (en) | Manufacturing method of multilayer ceramic capacitor | |
| JP4660922B2 (en) | Thermistor and manufacturing method thereof | |
| JP2004128221A (en) | Method of manufacturing chip ceramic electronic component | |
| JP3622853B2 (en) | Thermistor | |
| JP2555638B2 (en) | Method for manufacturing multilayer ceramic substrate | |
| JPH06314602A (en) | Ceramic electronic component | |
| JP2000124006A (en) | Laminated thermistor | |
| JP3622852B2 (en) | Thermistor manufacturing method | |
| JP4144080B2 (en) | Multilayer semiconductor ceramic element | |
| JP2000124008A (en) | Composite chip thermistor electronic component and its manufacture | |
| JP3604043B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing the same | |
| JP2019096824A (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of multilayer ceramic capacitor | |
| JP2005303160A (en) | Laminated semiconductor ceramic electronic parts | |
| JPH0714702A (en) | Multilayer semiconductor ceramic having positive temperature-resistance characteristics | |
| JP3632592B2 (en) | Chip thermistor and manufacturing method thereof | |
| JP3214440B2 (en) | Method of manufacturing resistance element and resistance element | |
| JP4505925B2 (en) | Chip thermistor element | |
| JPH08236306A (en) | Chip type thermistor and manufacture thereof | |
| JPH04317302A (en) | Positive temperature coefficient thermistor and manufacturing method thereof | |
| JP2001291604A (en) | Chip-type laminated thermistor and its manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071211 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100416 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100427 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100624 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101207 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101220 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4660922 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114 Year of fee payment: 3 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |