JP2002183937A - Magnetic recording medium - Google Patents

Magnetic recording medium

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JP2002183937A
JP2002183937A JP2000380474A JP2000380474A JP2002183937A JP 2002183937 A JP2002183937 A JP 2002183937A JP 2000380474 A JP2000380474 A JP 2000380474A JP 2000380474 A JP2000380474 A JP 2000380474A JP 2002183937 A JP2002183937 A JP 2002183937A
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JP
Japan
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atomic
recording medium
magnetic
layer
magnetic recording
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Withdrawn
Application number
JP2000380474A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoichi Ogawa
容一 小川
Akira Yano
亮 矢野
Tetsuo Mizumura
哲夫 水村
Michio Asano
巳知男 浅野
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Maxell Holdings Ltd
Original Assignee
Hitachi Maxell Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic tape having excellent durability and high reliability and suitable for higher capacity. SOLUTION: In the magnetic tape produced by forming a magnetic layer 2 on a nonmagnetic flexible substrate 1 and by forming a back coat layer 3 on the opposite surface of the substrate 1 to the magnetic layer forming surface, a carbon film is formed on the surface of the back coat layer 3. The proportions of H/(C+H+O+Si), O/(C+H+O+Si) and Si/(C+H+O+Si) are controlled to the ranges of 30 to 50 atomic %, 1 to 15 atomic % and 0 to 15 atomic %, respectively.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気テープあるい
は磁気ディスクなどの磁気記録媒体に係り、特に大容量
化のための磁気記録媒体の薄型化を実現することのでき
る磁気記録媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic recording medium such as a magnetic tape or a magnetic disk, and more particularly to a magnetic recording medium capable of realizing a thin magnetic recording medium for a large capacity.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知のように磁気テープは、非磁性のフ
レキシブルなフィルム基板上に磁性薄膜や各種強磁性膜
などが形成され、広範囲にわたり各種品質のものが提案
され、実用化されている。
2. Description of the Related Art As is well known, a magnetic tape is formed by forming a magnetic thin film or various ferromagnetic films on a non-magnetic flexible film substrate, and various types of magnetic tapes have been proposed and put to practical use.

【0003】近年では、コンピュータの小型化に伴い、
外部記録装置に用いられる磁気記録媒体の大容量化が急
速に進んでいる。この大容量化のための有効な手法とし
て、テープ総厚を極薄にする手法がある。
In recent years, as computers have become smaller,
The capacity of magnetic recording media used in external recording devices has been rapidly increasing. As an effective method for increasing the capacity, there is a method for making the total thickness of the tape extremely thin.

【0004】従来より磁気テープは主に、合成樹脂フィ
ルムからなる非磁性のフレキシブルな基板(ベースフィ
ルム)上に磁性層を形成し、その基板の磁性層形成面と
反対の面にテープ走行系、特にガイドピンやシリンダー
との摩擦を低減して走行性を良好にするためにバックコ
ート層を形成した構成になっている。
Conventionally, a magnetic tape has a magnetic layer formed on a non-magnetic flexible substrate (base film) mainly made of a synthetic resin film, and a tape running system is formed on a surface of the substrate opposite to the surface on which the magnetic layer is formed. In particular, it has a configuration in which a back coat layer is formed in order to reduce friction with guide pins and cylinders and improve running properties.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】この磁気テープの中で
最も厚い層がベースフィルムであり、次に厚いのがバッ
クコート層である。よってテープの薄型化のためには、
ベースフィルムを薄くすればよいが、単にベースフィル
ムを薄くすると、厚さの3乗に比例してテープ剛性が小
さくなり、耐久性が低下するなどの問題が生じる。
The thickest layer of the magnetic tape is the base film, and the next thickest is the back coat layer. Therefore, in order to make the tape thinner,
The base film may be made thinner. However, if the base film is simply made thinner, the rigidity of the tape becomes smaller in proportion to the cube of the thickness, and problems such as a decrease in durability arise.

【0006】このためアラミドフィルムなどの剛性の高
いフィルムを使用することが検討されたが、前述のよう
に大容量化のためにテープ総厚が4.5μm以下に薄く
なると、例え剛性の高いフィルムを用いてもその効果は
殆どなく、走行による耐久性に問題があった。
For this reason, the use of a highly rigid film such as an aramid film has been considered. However, as described above, when the total thickness of the tape is reduced to 4.5 μm or less in order to increase the capacity, a highly rigid film is used. Is almost ineffective, and there is a problem in running durability.

【0007】本発明の目的は、このような従来技術の欠
点を解消し、耐久性に優れて信頼性が高く、大容量化に
好適な磁気記録媒体を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a magnetic recording medium which is excellent in durability, has high reliability, and is suitable for increasing the capacity, by overcoming such disadvantages of the prior art.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の第1の手段は、非磁性のフレキシブルな基
板上に磁性層を形成し、その基板の磁性層形成面と反対
の面にバックコート層を形成した磁気記録媒体を対象と
するものである。
In order to achieve the above object, a first means of the present invention is to form a magnetic layer on a non-magnetic flexible substrate, and to form a magnetic layer opposite to the magnetic layer forming surface of the substrate. It is intended for a magnetic recording medium having a backcoat layer formed on its surface.

【0009】そして前記バックコート層の少なくとも最
外表面にカーボン膜が形成され、そのカーボン膜中のH
/(C+H+O+Si)の割合が30原子%〜50原子
%、O/(C+H+O+Si)の割合が1原子%〜15
原子%、Si/(C+H+O+Si)の割合が0原子%
〜15原子%の範囲に規制されていることを特徴とする
ものである。
Then, a carbon film is formed on at least the outermost surface of the back coat layer, and H in the carbon film is formed.
The ratio of O / (C + H + O + Si) is 30 to 50 atomic%, and the ratio of O / (C + H + O + Si) is 1 to 15 atomic%.
Atomic%, the ratio of Si / (C + H + O + Si) is 0 atomic%
It is characterized by being restricted to the range of 1515 atomic%.

【0010】本発明の第2の手段は前記第1の手段にお
いて、前記カーボン膜中のH/(C+H+O+Si)の
割合が35原子%〜45原子%、O/(C+H+O+S
i)の割合が1原子%〜6原子%、Si/(C+H+O
+Si)の割合が5原子%〜10原子%の範囲に規制さ
れていることを特徴とするものである。
In a second aspect of the present invention, in the first aspect, the ratio of H / (C + H + O + Si) in the carbon film is 35 atomic% to 45 atomic%, and O / (C + H + O + S
i) 1 atomic% to 6 atomic%, Si / (C + H + O
+ Si) is regulated in a range of 5 atomic% to 10 atomic%.

【0011】本発明の第3の手段は前記第1の手段また
は第2の手段において、その磁気記録媒体の総厚が1μ
m〜4.5μmの範囲に規制されていることを特徴とす
るものである。
According to a third aspect of the present invention, in the first or the second means, the total thickness of the magnetic recording medium is 1 μm.
It is characterized by being restricted to a range of m to 4.5 μm.

【0012】本発明の第4の手段は前記第1の手段また
は第2の手段において、前記カーボン膜がプラズマカー
ボン膜であることを特徴とするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the first or second aspect, the carbon film is a plasma carbon film.

【0013】本発明の第5の手段は前記第4の手段にお
いて、前記プラズマカーボン膜がダイヤモンドラークカ
ーボン膜であることを特徴とするものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect, the plasma carbon film is a diamond-like carbon film.

【0014】本発明の第6の手段は前記第1の手段ない
し第5の手段において、前記非磁性フレキシブル基板の
少なくとも片面に、光の透過を抑制する光透過抑制層が
形成されていることを特徴とするものである。
According to a sixth aspect of the present invention, in the first to fifth aspects, a light transmission suppressing layer for suppressing light transmission is formed on at least one surface of the nonmagnetic flexible substrate. It is a feature.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】前述のように磁気記録媒体の大容
量化のために磁気記録媒体の薄型化は有効な手法である
が、ベースフィルムを単に薄くしただげでは、磁気記録
媒体の剛性が低下し、耐久性が低下するため、所望の信
頼性を得ることはできない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As described above, thinning of a magnetic recording medium is an effective method for increasing the capacity of the magnetic recording medium. And the durability decreases, so that desired reliability cannot be obtained.

【0016】そこで本発明者らは鋭意検討を重ねた結
果、バックコート層の最外表面が例えばプラズマカーボ
ン膜などのカーボン膜からなり、そのカーボン膜中のH
/(C+H+O+Si)の割合(以下、水素含有率とい
う)を30原子%〜50原子%、O/(C+H+O+S
i)の割合(以下、酸素含有率という)を1原子%〜1
5原子%、Si/(C+H+O+Si)の割合(以下、
ケイ素含有率という)を0原子%〜15原子%の範囲に
規制することにより、例え磁気記録媒体全体の剛性が多
少減少しても、所望の耐久性が得られ、信頼性が高く、
大容量化に好適な磁気記録媒体が得られることを見出し
た。
The inventors of the present invention have made intensive studies, and as a result, the outermost surface of the back coat layer is formed of a carbon film such as a plasma carbon film.
/ (C + H + O + Si) ratio (hereinafter, referred to as hydrogen content) is 30 atomic% to 50 atomic%, and O / (C + H + O + S)
The ratio of i) (hereinafter referred to as oxygen content) is 1 atomic% to 1 atomic%.
5 atomic%, Si / (C + H + O + Si) ratio (hereinafter, referred to as
By limiting the silicon content to a range of 0 to 15 atomic%, desired durability can be obtained and reliability is high even if the rigidity of the entire magnetic recording medium is slightly reduced.
It has been found that a magnetic recording medium suitable for increasing the capacity can be obtained.

【0017】本発明を特に磁気記録媒体の総厚が1μm
〜4.5μmの範囲に規制されたものに適用すれば、特
に走行性と記録再生特性に優れた磁気記録媒体を提供す
ることができる。磁気記録媒体の総厚が1μm未満にな
ると、磁気記録媒体が極めて薄いから柔らか過ぎて、磁
気記録媒体を量産良く製造することが難しく、また磁気
記録媒体の走行性にも問題がある。一方、磁気記録媒体
の総厚が4.5μmを超えると磁気記録媒体1巻き当た
りの記録容量が十分でなく、大容量化に適していない。
従って磁気記録媒体の総厚は、1μm〜4.5μmの範
囲に規制する方が得策である。
According to the present invention, in particular, the total thickness of the magnetic recording medium is 1 μm.
If the magnetic recording medium is restricted to a range of about 4.5 μm, it is possible to provide a magnetic recording medium having particularly excellent running properties and recording / reproducing characteristics. When the total thickness of the magnetic recording medium is less than 1 μm, the magnetic recording medium is extremely thin and too soft, making it difficult to mass-produce the magnetic recording medium in good mass production, and has a problem in running properties of the magnetic recording medium. On the other hand, if the total thickness of the magnetic recording medium exceeds 4.5 μm, the recording capacity per one turn of the magnetic recording medium is not sufficient, which is not suitable for increasing the capacity.
Therefore, it is better to restrict the total thickness of the magnetic recording medium to a range of 1 μm to 4.5 μm.

【0018】本発明において、フレキシブル基板(ベー
スフィルム)としては、従来から使用されているベース
フィルムがいずれも使用できる。具体的にはポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポ
リエステル類、ポリオレフィン類、セルローストリアセ
テート、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリアミドイ
ミド、ポリスルフォン、ポリベンゾオキサゾール、芳香
族ポリアミドなどのフィルムが用いられる。
In the present invention, any conventionally used base film can be used as the flexible substrate (base film). Specifically, films such as polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyolefins, cellulose triacetate, polycarbonate, polyamide, polyamideimide, polysulfone, polybenzoxazole, and aromatic polyamide are used.

【0019】磁性層としては、塗布型磁性層、金属薄膜
型磁性層のどちらのものも使用できる。前記塗布型磁性
層としては、例えばγ−Fe23 、γ−Fe34
Co含有γ−Fe23 、Co含有γ−Fe34 、F
e、Co、Fe−Ni、バリウムフエライト、ストロン
チウムフエライトなどが用いられる。これらの粉末を結
合剤樹脂、有機溶剤などとともに混合、分散して磁性塗
料を調整し、ベースフィルム上に塗布し、乾燥して塗布
型磁性層を形成することができる。
As the magnetic layer, either a coating type magnetic layer or a metal thin film type magnetic layer can be used. As the coating type magnetic layer, for example, γ-Fe 2 O 3 , γ-Fe 3 O 4 ,
Co-containing γ-Fe 2 O 3 , Co-containing γ-Fe 3 O 4 , F
e, Co, Fe-Ni, barium ferrite, strontium ferrite and the like are used. These powders can be mixed and dispersed together with a binder resin, an organic solvent and the like to prepare a magnetic paint, applied on a base film, and dried to form a coating type magnetic layer.

【0020】前記金属薄膜型磁性層としては、例えばF
e、Co、Co−O、Co−Ni、Co−Ni−O、C
o−Cr、Co−Fe、Co−Ni−Cr、Co−Pt
−Cr、Te−Fe−Co、Gd−Fe−Co、Fe−
Co、Fe−Ni、Fe−Co−Ni、Fe−Rh、C
o−P、Co−B、Co−Y、Co−La、Co−C
e、Co−Pt、Co−Mn、Co−Ni−P、Co−
Ni−B、Co−Ni−Ag、Co−Ni−Nd、Co
−Ni−Ce、Co−Ni−Zn、Co−Ni−Cu、
Co−Ni−W、Co−Ni−Re、γ−Fe23
γ−Fe34 、バリウムフエライトなど、MEテー
プ、ハードディスク、MOディスクなどに用いられる磁
性膜が使用でき、蒸着、イオンプレーティング、プラズ
マCVD、スパッタリングなどの任意な成膜法で形成さ
れる。
As the metal thin film type magnetic layer, for example, F
e, Co, Co-O, Co-Ni, Co-Ni-O, C
o-Cr, Co-Fe, Co-Ni-Cr, Co-Pt
-Cr, Te-Fe-Co, Gd-Fe-Co, Fe-
Co, Fe-Ni, Fe-Co-Ni, Fe-Rh, C
o-P, Co-B, Co-Y, Co-La, Co-C
e, Co-Pt, Co-Mn, Co-Ni-P, Co-
Ni-B, Co-Ni-Ag, Co-Ni-Nd, Co
-Ni-Ce, Co-Ni-Zn, Co-Ni-Cu,
Co-Ni-W, Co- Ni-Re, γ-Fe 2 O 3,
Magnetic films used for ME tapes, hard disks, MO disks, and the like, such as γ-Fe 3 O 4 and barium ferrite, can be used, and are formed by any film forming method such as vapor deposition, ion plating, plasma CVD, and sputtering.

【0021】また、金属薄膜型磁性層は前記の成分の他
に例えばO、N、Cr、Ga、Aa、Sr、Zr、N
b、Mo、Rh、Pd、Sn、Sb、Te、Pm、R
e、Os、Ir、Au、Hg、Pb、Bi、Ta、W、
Dy、Hf、Y、La、Pr、Gd、Smなどを適量含
んでもよい。
The metal thin film type magnetic layer may be composed of, for example, O, N, Cr, Ga, Aa, Sr, Zr, N
b, Mo, Rh, Pd, Sn, Sb, Te, Pm, R
e, Os, Ir, Au, Hg, Pb, Bi, Ta, W,
Dy, Hf, Y, La, Pr, Gd, Sm and the like may be contained in appropriate amounts.

【0022】本発明は前述のようにバックコート層とし
てカーボン膜(プラズマカーボン膜)を形成することに
より、耐久性は向上するが、そのカーボン膜が薄いとテ
ープの光透過率が増して、記録再生装置によってはテー
プエンドが検出できないことがある。そこでベースフィ
ルムの表面または裏面もしくは両面に光の透過を抑制す
る光透過抑制層を形成すればよい。
According to the present invention, the durability is improved by forming a carbon film (plasma carbon film) as a back coat layer as described above. However, when the carbon film is thin, the light transmittance of the tape increases, and recording is performed. Depending on the playback device, the tape end may not be detected. Therefore, a light transmission suppressing layer for suppressing light transmission may be formed on the front surface, the back surface, or both surfaces of the base film.

【0023】この光透過抑制層としては、例えば微粒子
カーボンブラックなどの光を吸収する微粒子を分散させ
た塗布液を塗布した層、Al、Cu、Ni、Co、F
e、Si、Zn、Sn、Ti、Crなどの金属、これら
の酸化物、混合物などのベーバーディポジション膜が用
いられる。
As the light transmission suppressing layer, for example, a layer coated with a coating liquid in which light absorbing particles such as fine particle carbon black are dispersed, Al, Cu, Ni, Co, F
A vapor deposition film of a metal such as e, Si, Zn, Sn, Ti, Cr, an oxide thereof, or a mixture thereof is used.

【0024】本発明の磁気記録媒体では、さらに耐久性
を高めるため磁性層上に保護層を形成することも可能で
ある。保護層としては、例えばプラズマカーボン膜、S
iOx膜、SiC膜、Si膜などが挙げられる。
In the magnetic recording medium of the present invention, it is possible to form a protective layer on the magnetic layer in order to further increase the durability. As the protective layer, for example, a plasma carbon film, S
An iOx film, a SiC film, a Si film and the like can be mentioned.

【0025】プラズマカーボン膜を形成するとき、原料
ガスとしてはメタン、エタン、エチレン、アセチレン、
ブタン、ベンゼンなどの炭化水素ガスからなるモノマー
ガスと、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キ
セノン、ラドン、窒素、水素、一酸化炭素、二酸化炭素
などのキャリアガスが所定の割合で供給される。なお、
磁性層上にプラズマカーボン膜が成膜できるならばどの
ようなガス導入法、ガス種を用いてもよい。
When a plasma carbon film is formed, methane, ethane, ethylene, acetylene,
A monomer gas composed of a hydrocarbon gas such as butane and benzene and a carrier gas such as argon, helium, neon, krypton, xenon, radon, nitrogen, hydrogen, carbon monoxide, and carbon dioxide are supplied at a predetermined ratio. In addition,
Any gas introduction method and gas type may be used as long as a plasma carbon film can be formed on the magnetic layer.

【0026】以下、本発明の実施形態を図面に基づいて
説明する。図1は本発明の実施形態に係る磁気テープの
拡大断面図、図2はその磁気テープ原反を製造するため
のプラズマCVD装置の概略構成図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view of a magnetic tape according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a plasma CVD apparatus for manufacturing the magnetic tape raw material.

【0027】図1に示すようにベースフィルム1上に光
透過抑制層4aを介して磁性層2が形成され、磁性層2
の上に硬質保護層9が形成されている。一方、ベースフ
ィルム1の磁性層形成面と反対の面に光透過抑制層4b
を介してバックコート層3が形成されている。
As shown in FIG. 1, a magnetic layer 2 is formed on a base film 1 via a light transmission suppressing layer 4a.
A hard protective layer 9 is formed on the substrate. On the other hand, the light transmission suppressing layer 4 b
The back coat layer 3 is formed via the.

【0028】光透過抑制層4a、4b、磁性層2ならび
に硬質保護層9を形成したベースフィルム1の磁性層形
成面と反対の面に、図2に示すプラズマCVD装置を用
いてプラズマカーボン膜からなるバックコート層3が形
成される。
The surface opposite to the magnetic layer forming surface of the base film 1 on which the light transmission suppressing layers 4a and 4b, the magnetic layer 2 and the hard protective layer 9 have been formed is formed from a plasma carbon film using a plasma CVD apparatus shown in FIG. Back coat layer 3 is formed.

【0029】光透過抑制層4bが外側になるように巻か
れたベースフィルム1は供給ロール5から連続的に繰り
出され、所定の速度で回転する冷却状態の回転ドラム6
の周面にとともに移送される間に成膜され、巻取りロー
ル7に順次巻き取られる。供給ロール5、回転ドラム
6、巻取りロール7の間にはガイド用に数本の中間ロー
ル8が設置されており、これら各中間ロール8は高周波
的にアースから絶縁されている。
The base film 1 wound so that the light transmission suppressing layer 4b is on the outside is continuously fed out from the supply roll 5 and is cooled at a predetermined speed.
The film is formed while being transported along with the peripheral surface, and is sequentially wound up by a winding roll 7. Several intermediate rolls 8 are provided between the supply roll 5, the rotary drum 6, and the take-up roll 7 for guiding, and each of the intermediate rolls 8 is insulated from the ground at high frequencies.

【0030】ガス導入口11からは、メタンなどの炭化
水素ガスからなるモノマーガスと、水素などのキャリア
ガスが所定の割合で供給される。これらのガスは、マイ
クロ波リニアアプリケータ12から印加されるマイクロ
波(MW)によりプラズマ状態に保たれる。また回転ド
ラム6にはマッチングボックス13を介して高周波電源
14によって自己バイアス電圧が加えられることによ
り、搬送されて来たベースフィルム1(光透過抑制層4
b)上にプラズマカーボン膜からなるバックコート層3
が連続して広幅で均一に形成される。
From the gas inlet 11, a monomer gas composed of a hydrocarbon gas such as methane and a carrier gas such as hydrogen are supplied at a predetermined ratio. These gases are kept in a plasma state by microwaves (MW) applied from the microwave linear applicator 12. A self-bias voltage is applied to the rotating drum 6 by a high frequency power supply 14 via a matching box 13 so that the conveyed base film 1 (light transmission suppressing layer 4
b) Backcoat layer 3 made of plasma carbon film on top
Are formed continuously and uniformly in a wide width.

【0031】ベースフィルム1の搬送系である搬送室1
5と成膜を行なう成膜室16の真空度は独立に制御が可
能であり、搬送室15はプラズマの発生しない高真空度
に維持されている。図中の17は搬送室15と成膜室1
6の間に設けられた中間室である。
A transfer chamber 1 which is a transfer system for the base film 1
5 and the degree of vacuum in the film forming chamber 16 for forming a film can be independently controlled, and the transfer chamber 15 is maintained at a high degree of vacuum where no plasma is generated. In the figure, reference numeral 17 denotes the transfer chamber 15 and the film formation chamber 1
6 is an intermediate room provided between them.

【0032】本発明はバックコート層3がプラズマカー
ボン膜からなり、そのプラズマカーボン膜は水素、酸素
ならびにケイ素を所定の割合で含有しており、その含有
率の調整は後述のようにプラズマカーボン膜の成膜時に
導入する水素、酸素ならびにシランの割合ならびに成膜
時のバイアス電圧を調整することによりなされる。
In the present invention, the back coat layer 3 is made of a plasma carbon film, and the plasma carbon film contains hydrogen, oxygen and silicon at a predetermined ratio. This is done by adjusting the proportions of hydrogen, oxygen and silane introduced during film formation and the bias voltage during film formation.

【0033】次に実施例について具体的に説明する。
(実施例1)ベースフィルム1として厚さ1.0μmの
ポリベンゾオキサゾール(PBO)フィルムを使用し、
その表裏両面にTiを蒸着してそれぞれ0.2μmの光
透過抑制層4a、4bを形成した。そして一方の光透過
抑制層4a上に、Co−Oからなる厚さ0.1μmの磁
性層2と、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)から
なる10nmの硬質保護層9を形成する。
Next, examples will be specifically described.
(Example 1) A polybenzoxazole (PBO) film having a thickness of 1.0 µm was used as a base film 1,
Ti was vapor-deposited on the front and back surfaces to form light transmission suppressing layers 4a and 4b each having a thickness of 0.2 μm. Then, a magnetic layer 2 made of Co-O and having a thickness of 0.1 μm and a hard protective layer 9 made of diamond-like carbon (DLC) having a thickness of 10 nm are formed on one of the light transmission suppressing layers 4a.

【0034】このようにして各層を形成したベースフィ
ルム1の他方の光透過抑制層4b上に、マイクロ波の周
波数を2.45GHz、投入電力を3kW、搬送室15
の真空度を3×10-5Torr、成膜室16の真空度を
0.02Torr、導入ガスのメタン、水素、酸素の体
積割合を1:2:0.2とし、バイアス電圧を200V
として、プラズマカーボン(DLC)膜からなる厚さ4
0nmのバックコート層3を形成した。
On the other light transmission suppressing layer 4b of the base film 1 on which the respective layers are formed as described above, the microwave frequency is 2.45 GHz, the input power is 3 kW, the transfer chamber 15
Of 3 × 10 −5 Torr, 0.02 Torr of vacuum in the film forming chamber 16, the volume ratio of methane, hydrogen and oxygen of the introduced gas is 1: 2: 0.2, and the bias voltage is 200 V.
As thickness 4 of plasma carbon (DLC) film
A backcoat layer 3 having a thickness of 0 nm was formed.

【0035】このようにして得られた磁気テープ原反の
表裏両面にフッ素樹脂系の潤滑剤を塗布した後、幅6.
4mmにスリットしてDVC用の磁気テープを作製し
た。
After applying a fluororesin-based lubricant to both the front and back surfaces of the magnetic tape raw material thus obtained, the width is 6.
It was slit to 4 mm to produce a magnetic tape for DVC.

【0036】(実施例2)Tiを蒸着していない厚さ3
μmのポリエチレンナフタレート(PEN)をベースフ
ィルムとして用い、メタン、水素、酸素の体積割合を
1:2:0.5とし、バイアス電圧を230Vとした以
外は実施例1と同様にして磁気テープを作製した。
(Example 2) Thickness 3 with no Ti deposited
A magnetic tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that polyethylene naphthalate (PEN) of μm was used as a base film, the volume ratio of methane, hydrogen, and oxygen was 1: 2: 0.5, and the bias voltage was 230 V. Produced.

【0037】(実施例3)Tiを蒸着していない厚さ3
μmのポリエチレンナフタレート(PEN)をベースフ
ィルムとして用い、メタン、水素、酸素の体積割合を
1:2:0.1とし、バイアス電圧を150Vとした以
外は実施例1と同様にして磁気テープを作製した。
(Embodiment 3) Thickness 3 on which Ti is not deposited
A magnetic tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that μm polyethylene naphthalate (PEN) was used as a base film, the volume ratio of methane, hydrogen, and oxygen was 1: 2: 0.1, and the bias voltage was 150 V. Produced.

【0038】(実施例4)Tiを蒸着していない厚さ4
μmのポリエチレンナフタレート(PEN)をベースフ
ィルムとして用いた以外は実施例1と同様にして磁気テ
ープを作製した。
(Example 4) Thickness 4 in which Ti is not deposited
A magnetic tape was produced in the same manner as in Example 1 except that μm polyethylene naphthalate (PEN) was used as a base film.

【0039】(実施例5)メタン、水素、酸素、シラン
の体積割合を1:1.5:0:0.3とした以外は実施
例3と同様にして磁気テープを作製した。
Example 5 A magnetic tape was produced in the same manner as in Example 3, except that the volume ratios of methane, hydrogen, oxygen, and silane were set to 1: 1.5: 0: 0.3.

【0040】(実施例6)メタン、水素、酸素、シラン
の体積割合を1:1.5:0.1:0.6とした以外は
実施例3と同様にして磁気テープを作製した。
Example 6 A magnetic tape was produced in the same manner as in Example 3, except that the volume ratios of methane, hydrogen, oxygen, and silane were set to 1: 1.5: 0.1: 0.6.

【0041】(実施例7)メタン、水素、酸素、シラン
の体積割合を1:1.5:0.2:0.9とした以外は
実施例3と同様にして磁気テープを作製した。
Example 7 A magnetic tape was produced in the same manner as in Example 3 except that the volume ratios of methane, hydrogen, oxygen, and silane were set to 1: 1.5: 0.2: 0.9.

【0042】(比較例1)Tiを蒸着していない厚さ3
μmのポリエチレンナフタレート(PEN)をベースフ
ィルムとして用い、メタン、水素、酸素の体積割合を
1:1:0.2とし、バイアス電圧を300Vとした以
外は実施例1と同様にして磁気テープを作製した。
(Comparative Example 1) Thickness 3 with no Ti deposited
A magnetic tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that μm polyethylene naphthalate (PEN) was used as a base film, the volume ratio of methane, hydrogen, and oxygen was 1: 1: 0.2, and the bias voltage was 300 V. Produced.

【0043】(比較例2)Tiを蒸着していない厚さ3
μmのポリエチレンナフタレート(PEN)をベースフ
ィルムとして用い、メタン、水素、酸素の体積割合を
1:4:0.2とし、バイアス電圧を80Vとした以外
は実施例1と同様にして磁気テープを作製した。
(Comparative Example 2) Thickness 3 with no Ti deposited
A magnetic tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that μm polyethylene naphthalate (PEN) was used as a base film, the volume ratio of methane, hydrogen, and oxygen was 1: 4: 0.2, and the bias voltage was 80 V. Produced.

【0044】(比較例3)Tiを蒸着していない厚さ3
μmのポリエチレンナフタレート(PEN)をベースフ
ィルムとして用い、メタン、水素、酸素の体積割合を
1:2:0とし、バイアス電圧を200Vとした以外は
実施例1と同様にして磁気テープを作製した。
(Comparative Example 3) Thickness 3 in which Ti was not deposited
A magnetic tape was produced in the same manner as in Example 1 except that polyethylene naphthalate (PEN) of μm was used as a base film, the volume ratio of methane, hydrogen, and oxygen was 1: 2: 0, and the bias voltage was 200 V. .

【0045】(比較例4)Tiを蒸着していない厚さ3
μmのポリエチレンナフタレート(PEN)をベースフ
ィルムとして用い、メタン、水素、酸素の体積割合を
1:2:0.6とし、バイアス電圧を200Vとした以
外は実施例1と同様にして磁気テープを作製した。
(Comparative Example 4) Thickness 3 with no Ti deposited
A magnetic tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that polyethylene naphthalate (PEN) of μm was used as a base film, the volume ratio of methane, hydrogen, and oxygen was 1: 2: 0.6, and the bias voltage was 200 V. Produced.

【0046】(比較例5)Tiを蒸着していない厚さ
3.5μmのポリエチレンナフタレート(PEN)をベ
ースフィルムとして用い、バックコート層としてプラズ
マカーボン膜の代わりに厚さ0.5μmの塗布型のバッ
クコート層を形成した以外は実施例1と同様にして磁気
テープを作製した。
(Comparative Example 5) A 3.5 μm-thick coating type using 3.5 μm-thick polyethylene naphthalate (PEN) without Ti as a base film instead of a plasma carbon film as a back coat layer A magnetic tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the back coat layer was formed.

【0047】この塗布型バックコート層は下記のバック
コート層用塗料成分をサンドミルにおいて滞留時間45
分で分散した後、ポリイソシアネート8.5重量部を加
えてバックコート層用塗料成分を調整し、ろ過した後に
前記で作製した磁気テープ原反の磁性層の反対側の面に
乾燥、カレンダー後の厚さが0.5μmとなるように塗
布して乾燥した。
The coating type backcoat layer was prepared by coating the following coating composition for a backcoat layer with a residence time of 45 minutes in a sand mill.
After dispersion in minutes, 8.5 parts by weight of a polyisocyanate was added to prepare a coating component for the back coat layer, and after filtration, dried on the surface of the magnetic tape raw material opposite to the surface opposite to the magnetic layer, and calendered. Was dried so as to have a thickness of 0.5 μm and dried.

【0048】 (バックコート層用塗料成分) カーボンブラック(粒径:75nm) 40.50重量部 硫酸バリウム 4.05重量部 ニトロセルロース 28.00重量部 ポリウレタン樹脂(SO3 Na基含有) 20.00重量部 シクロヘキサノン 100.00重量部 トルエン 100.00重量部 (比較例6)Tiを蒸着していない厚さ4μmのポリエ
チレンナフタレート(PEN)をベースフィルムとして
用いた以外は比較例3と同様にして磁気テープを作製し
た。各試料のバックコート層中における水素含有率〔H
/(C+H+O+Si)〕、酸素含有率〔O/(C+H
+O+Si)〕ならびにケイ素含有率〔Si/(C+H
+O+Si)〕を測定し、その結果を下表に示す。
(Coating component for back coat layer) Carbon black (particle size: 75 nm) 40.50 parts by weight Barium sulfate 4.05 parts by weight Nitrocellulose 28.00 parts by weight Polyurethane resin (containing SO 3 Na group) 20.00 Parts by weight Cyclohexanone 100.00 parts by weight Toluene 100.00 parts by weight (Comparative Example 6) In the same manner as in Comparative Example 3 except that 4 μm-thick polyethylene naphthalate (PEN) having no Ti deposited thereon was used as a base film. A magnetic tape was produced. The hydrogen content in the back coat layer of each sample [H
/ (C + H + O + Si)], oxygen content [O / (C + H)
+ O + Si)] and silicon content [Si / (C + H)
+ O + Si)], and the results are shown in the table below.

【0049】バックコート層中の水素含有率と酸素含有
率は、公知のHFS(HydrogenFoward Scattering Anal
ysis)装置で測定した。このHFS装置のシステムは3
S−R10、加速器はNEC社製 3SDH Pelletro
n 、エンドステーションはCE&A RBS−400、
分析条件はHeイオンビームエネルギーが1.00Me
V、検出角度が30°(HFS),160°(RB
S)、試料法線からのイオンビーム照射角度が75°、
イオンビーム照射量が8μcである。
The hydrogen content and the oxygen content in the back coat layer can be determined by a known HFS (Hydrogen Forward Scattering Analyzing).
ysis) device. The system of this HFS device is 3
S-R10, Accelerator made by NEC 3SDH Pelletro
n, end station is CE & A RBS-400,
The analysis conditions were that the He ion beam energy was 1.00 Me.
V, detection angle is 30 ° (HFS), 160 ° (RB
S), the ion beam irradiation angle from the sample normal is 75 °,
The irradiation amount of the ion beam is 8 μc.

【0050】またケイ素含有率は、公知のXPS装置
(装置はPerkin-Elmcr社製 PHI5500MC、X線
源はMg kα400W、分析領域は直径800μm、
光電子出射角度は45deg)で測定した。
The silicon content was measured using a known XPS device (PHI5500MC manufactured by Perkin-Elmcr, X-ray source: Mg kα400 W, analysis area: 800 μm,
The photoelectron emission angle was measured at 45 deg).

【0051】また、各試料のスチル耐久性を、出力を取
り出せるように改造した市販のDVCデッキ(シャープ
社製 DC3)で測定し、その結果を下表に併記した。
なお、このテストでのスチル耐久性は、C/Nが初期の
1/2になるまでの時間である。さらに各試料のテープ
総厚も測定して、その結果を併記した。
The still durability of each sample was measured with a commercially available DVC deck (DC3 manufactured by Sharp Corporation) modified so as to take out the output, and the results are also shown in the following table.
Note that the still durability in this test is the time until C / N becomes 1/2 of the initial value. Further, the total thickness of the tape of each sample was also measured, and the results were also shown.

【0052】[0052]

【発明の効果】【The invention's effect】

【表1】 この表から明らかなように、比較例1のようにバックコ
ート層中の水素含有率が少なくても、比較例2のように
バックコート層中の水素含有率が多くても、比較例3の
ようにバックコート層中の酸素含有率が0原子%でも、
比較例4のようにバックコート層中の酸素含有率が多く
ても、さらに比較例5のようにバックコート層としてプ
ラズマカーボン膜の代わりに塗布型バックコート層を形
成した場合も、スチル耐久性が悪く、特に比較例5は耐
久性が極端に悪い。なお、比較例6はスチル耐久性は良
好であるが、テープ総厚が4.61μmと厚いため、大
容量化に適していない。
[Table 1] As is clear from this table, even if the hydrogen content in the backcoat layer is low as in Comparative Example 1 or the hydrogen content in the backcoat layer is high as in Comparative Example 2, Even if the oxygen content in the back coat layer is 0 atomic%,
Even when the oxygen content in the back coat layer is high as in Comparative Example 4, even when a coating type back coat layer is formed instead of the plasma carbon film as the back coat layer as in Comparative Example 5, still durability is still high. Comparative Example 5 was particularly poor in durability. Comparative Example 6 has good still durability, but is not suitable for increasing the capacity because the total thickness of the tape is 4.61 μm.

【0053】これに対して本発明の実施例1〜7の磁気
テープは、バックコート層の表面にカーボン膜が形成さ
れ、そのカーボン膜中の水素含有率を30原子%〜50
原子%(好ましくは35原子%〜45原子%)、酸素含
有率を1原子%〜15原子%(好ましくは1原子%〜6
原子%)、ケイ素含有率を0原子%〜15原子%(好ま
しくは5原子%〜10原子%)の範囲に規制することに
より、大容量化の要求からテープの総厚を1μm〜4.
5μmのように薄くして、テープの剛性が弱くなって
も、従来の厚いテープと同等以上の耐久性を有する磁気
テープを提供することができる。
On the other hand, in the magnetic tapes of Examples 1 to 7 of the present invention, a carbon film was formed on the surface of the back coat layer, and the hydrogen content in the carbon film was 30 atomic% to 50 atomic%.
Atomic% (preferably 35 to 45 atomic%), and the oxygen content is 1 to 15 atomic% (preferably 1 to 6 atomic%).
By controlling the silicon content in the range of 0 to 15 atomic% (preferably 5 to 10 atomic%), the total thickness of the tape is 1 μm to 4.
Even if the thickness is reduced to 5 μm and the rigidity of the tape is reduced, a magnetic tape having durability equal to or higher than that of a conventional thick tape can be provided.

【0054】前記実施形態では1層のバックコート層を
設けたが、バックコート層を2層以上の複数層とし、そ
の最外層が前述のように水素含有率が30原子%〜50
原子%、酸素含有率が1原子%〜15原子%、ケイ素含
有率が0原子%〜15原子%の範囲に規制されたカーボ
ン膜であってもよい。
In the above embodiment, one backcoat layer is provided. However, the backcoat layer is composed of two or more layers, and the outermost layer has a hydrogen content of 30 atomic% to 50 atomic% as described above.
It may be a carbon film in which the atomic percentage, the oxygen content is regulated in the range of 1 to 15 atomic%, and the silicon content is regulated in the range of 0 to 15 atomic%.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態に係る磁気テープの拡大断面
図である。
FIG. 1 is an enlarged sectional view of a magnetic tape according to an embodiment of the present invention.

【図2】その磁気テープの原反を製造するためのプラズ
マCVD装置の概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a plasma CVD apparatus for manufacturing a raw material of the magnetic tape.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ベースフィルム 2 磁性層 3 バックコート層 4a,4b 光透過抑制層 5 供給ロール 6 回転ドラム 7 巻取りロール 8 中間ロール 9 硬質保護層 11 ガス導入口 12 マイクロ波リニアアプリケータ 13 マッチングボックス 14 高周波電源 15 搬送室 16 成膜室 17 中間室 Reference Signs List 1 base film 2 magnetic layer 3 back coat layer 4a, 4b light transmission suppressing layer 5 supply roll 6 rotating drum 7 winding roll 8 intermediate roll 9 hard protective layer 11 gas inlet 12 microwave linear applicator 13 matching box 14 high frequency power supply 15 Transfer room 16 Film formation room 17 Intermediate room

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水村 哲夫 大阪府茨木市丑寅一丁目1番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 浅野 巳知男 大阪府茨木市丑寅一丁目1番88号 日立マ クセル株式会社内 Fターム(参考) 4K030 AA09 AA14 AA17 BA28 BB12 CA07 FA01 HA04 JA01 JA06 LA20 5D006 CA05 CC01 CC03 DA00 EA03 FA02  ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Tetsuo Mizumura 1-1-88 Ushitora, Ibaraki City, Osaka Prefecture Inside Hitachi Maxell Co., Ltd. (72) Michio Asano 1-188 Ushitora, Ibaraki City, Osaka Prefecture No. F term in Hitachi Maxell, Ltd. (reference) 4K030 AA09 AA14 AA17 BA28 BB12 CA07 FA01 HA04 JA01 JA06 LA20 5D006 CA05 CC01 CC03 DA00 EA03 FA02

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 非磁性のフレキシブルな基板上に磁性層
を形成し、その基板の磁性層形成面と反対の面にバック
コート層を形成した磁気記録媒体において、 前記バックコート層の少なくとも最外表面にカーボン膜
が形成され、そのカーボン膜中のH/(C+H+O+S
i)の割合が30原子%〜50原子%、O/(C+H+
O+Si)の割合が1原子%〜15原子%、Si/(C
+H+O+Si)の割合が0原子%〜15原子%の範囲
に規制されていることを特徴とする磁気記録媒体。
1. A magnetic recording medium in which a magnetic layer is formed on a non-magnetic flexible substrate and a back coat layer is formed on a surface of the substrate opposite to the surface on which the magnetic layer is formed, wherein at least the outermost layer of the back coat layer is provided. A carbon film is formed on the surface, and H / (C + H + O + S) in the carbon film is formed.
i) is 30 atomic% to 50 atomic%, and O / (C + H +
O + Si) is 1 atomic% to 15 atomic%, and Si / (C
+ H + O + Si) in a range of 0 to 15 atomic%.
【請求項2】 請求項1記載の磁気記録媒体において、
前記カーボン膜中のH/(C+H+O+Si)の割合が
35原子%〜45原子%、O/(C+H+O+Si)の
割合が1原子%〜6原子%、Si/(C+H+O+S
i)の割合が5原子%〜10原子%の範囲に規制されて
いることを特徴とする磁気記録媒体。
2. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein
The ratio of H / (C + H + O + Si) in the carbon film is 35 to 45 atomic%, the ratio of O / (C + H + O + Si) is 1 to 6 atomic%, and Si / (C + H + O + S).
A magnetic recording medium characterized in that the ratio of i) is regulated in the range of 5 to 10 atomic%.
【請求項3】 請求項1または請求項2記載の磁気記録
媒体において、その磁気記録媒体の総厚が1μm〜4.
5μmの範囲に規制されていることを特徴とする磁気記
録媒体。
3. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the total thickness of the magnetic recording medium is 1 μm to 4 μm.
A magnetic recording medium characterized by being restricted to a range of 5 μm.
【請求項4】 請求項1または請求項2記載の磁気記録
媒体において、前記カーボン膜がプラズマカーボン膜で
あることを特徴とする磁気記録媒体。
4. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein said carbon film is a plasma carbon film.
【請求項5】 請求項4記載の磁気記録媒体において、
前記プラズマカーボン膜がダイヤモンドラークカーボン
膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
5. The magnetic recording medium according to claim 4, wherein
2. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the plasma carbon film is a diamond-like carbon film.
【請求項6】 請求項1ないし請求項5記載のいずれか
の磁気記録媒体において、前記非磁性フレキシブル基板
の少なくとも片面に、光の透過を抑制する光透過抑制層
が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
6. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein a light transmission suppressing layer for suppressing light transmission is formed on at least one surface of the non-magnetic flexible substrate. Magnetic recording medium.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009120885A (en) * 2007-11-13 2009-06-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd Carbonaceous thin film and production method therefor

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