JP2002181700A - 表面プラズモン共鳴測定装置 - Google Patents
表面プラズモン共鳴測定装置Info
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Abstract
体ブロックと金属膜との界面に対して入射角固定で光ビ
ームを入射させても、高S/Nの光検出信号が得られる
ようにする。 【解決手段】 誘電体ブロック11、13と、この誘電体ブ
ロック11、13の一面に形成されて試料15に接触させられ
る金属膜14と、互いに異なる2つ以上の波長の光ビーム
L1、L2を発する光源16、17と、光ビームL1、L2を誘
電体ブロック11、13と金属膜14との界面13aで全反射条
件が得られ、かつ、表面プラズモン共鳴条件に含まれる
固定の入射角で、該界面13aの同一位置に入射させる入
射光学系18とからなる表面プラズモン共鳴測定装置にお
いて、界面13aで全反射した光ビームLの強度を光検出
手段21、22によって各波長毎に測定し、該光検出手段2
1、22が出力する、互いに異なる2つの波長の光ビーム
L1、L2についての光検出信号S1、S2を演算手段23に
入力して、それらの差分を求める。
Description
発生を利用して試料中の物質を定量分析する表面プラズ
モン共鳴測定装置に関するものである。
振動して、プラズマ波と呼ばれる粗密波が生じる。そし
て、金属表面に生じるこの粗密波を量子化したものは、
表面プラズモンと呼ばれている。
って励起される現象を利用して、試料中の物質を定量分
析する表面プラズモン共鳴測定装置が種々提案されてい
る。そして、それらの中で特に良く知られているものと
して、 Kretschmann配置と称される系を用いるものが挙
げられる(例えば特開平6−167443号参照)。
装置は基本的に、例えばプリズム状に形成された誘電体
ブロックと、この誘電体ブロックの一面に形成されて試
料に接触させられる金属膜と、光ビームを発生させる光
源と、上記光ビームを誘電体ブロックに対して、該誘電
体ブロックと金属膜との界面で全反射条件となり、か
つ、表面プラズモン共鳴条件を含む種々の入射角が得ら
れるように入射させる入射光学系と、上記界面で全反射
した光ビームの強度を測定して表面プラズモン共鳴の状
態を検出する光検出手段とを備えてなるものである。
には、比較的細い光ビームを偏向させて上記界面に入射
させてもよいし、あるいは光ビームに種々の角度で入射
する成分が含まれるように、比較的太い光ビームを上記
界面で集束するように入射させてもよい。前者の場合
は、光ビームの偏向にともなって反射角が変化する光ビ
ームを、光ビームの偏向に同期移動する小さな光検出器
によって検出したり、反射角の変化方向に沿って延びる
エリアセンサによって検出することができる。一方後者
の場合は、種々の反射角で反射した各光ビームを全て受
光できる方向に延びるエリアセンサによって検出するこ
とができる。
おいて、光ビームを金属膜に対して全反射角以上の特定
入射角θSPで入射させると、該金属膜に接している試
料中に電界分布をもつエバネッセント波が生じ、このエ
バネッセント波によって金属膜と試料との界面に表面プ
ラズモンが励起される。エバネッセント光の波数ベクト
ルが表面プラズモンの波数と等しくて波数整合が成立し
ているとき、両者は共鳴状態となり、光のエネルギーが
表面プラズモンに移行するので、誘電体ブロックと金属
膜との界面で全反射した光の強度が鋭く減衰する。この
光強度の減衰は、一般に上記光検出手段により暗線とし
て検出される。
の入射角θと反射光強度Iとの関係を概略的に示してあ
る。ここに示す入射角θSPが、上述の全反射減衰(A
TR)が生じる入射角である。
ときにだけ生じる。したがって、光ビームがp偏光で入
射するように予め設定しておく必要がある。
θSPより表面プラズモンの波数が分かると、試料の誘
電率が求められる。すなわち表面プラズモンの波数をK
SP、表面プラズモンの角周波数をω、cを真空中の光
速、εm とεs をそれぞれ金属、試料の誘電率とす
ると、以下の関係がある。
づいて試料中の特定物質の濃度が分かるので、結局、上
記反射光強度が低下する入射角θSPを知ることによ
り、試料中の特定物質を定量分析することができる。
においては、光ビームが誘電体ブロックと金属膜との界
面の中の2次元領域を照射するように前記入射光学系を
構成するとともに、前記光検出手段として、上記界面で
全反射した光ビームの強度を上記2次元領域内の各位置
毎に検出する2次元光検出器からなるものを用いること
により、上記2次元領域に対応して配置された試料の該
領域内における誘電率分布が求められるので、それに基
づいて試料中の特定物質の濃度分布を求めることができ
る。
ックと金属膜との界面の中の2次元領域に照射させる表
面プラズモン共鳴測定装置については、NATURE Vol.33
2,14,APRIL 1988 pp.615-617に一例が示されている。
ラズモン共鳴測定装置において、特に上記の2次元光検
出器を用いて試料中の特定物質の濃度分布を求める場合
は、誘電体ブロックと金属膜との界面に対する光ビーム
の入射角が固定されることになるが、その場合は、光検
出信号のS/Nが良くないという不具合が認められてい
る。
入射角を固定としても、高S/Nの光検出信号を得るこ
とができる表面プラズモン共鳴測定装置を提供すること
を目的とする。
モン共鳴測定装置は、前述したような誘電体ブロック
と、金属膜と、光ビームを発する光源と、該光ビームを
前記誘電体ブロックと金属膜との界面に対して、全反射
条件が得られる固定の入射角で誘電体ブロック側から入
射させる入射光学系と、光検出手段とを備えてなる表面
プラズモン共鳴測定装置において、上記光源として、互
いに異なる2つ以上の波長の光ビームを発するものが用
いられ、光検出手段として、誘電体ブロックと金属膜と
の界面で全反射した光ビームの強度を各波長毎に測定可
能なものが用いられた上で、この光検出手段が出力す
る、互いに異なる2つの波長の光ビームについての光検
出信号の差分を求める演算手段が設けられたことを特徴
とするものである。
ズモン共鳴測定装置においては、前記光源として、互い
に異なる3つ以上の波長の光ビームを発するものが適用
された上で、前記演算手段が、それらの波長のうち表面
プラズモン共鳴条件を満たす2つの波長の光ビームにつ
いての光検出信号の差分を求めるように構成されること
が望ましい。
においては、入射光学系が、2つ以上の波長の光ビーム
を1本に合波して前記界面の同一位置に導くように構成
される一方、光検出手段が、前記界面で全反射した光ビ
ームを各波長毎に分波する手段と、分波された光ビーム
の強度をそれぞれ個別に測定する複数の光検出器とから
構成されることが望ましい。
いる構成を採用する代わりに、光源が、2つ以上の波長
の光ビームを互いに時間間隔をおいて射出するように構
成された上で、光検出手段が、光源の光ビーム射出タイ
ミングと同期したタイミングで検出動作することによ
り、光ビームの強度を各波長毎に測定する1つの光検出
器から構成されてもよい。
の光源を、互いに別々の位置に固定して、それらから各
々発せられた光ビームが例えばダイクロイックミラー等
の手段によって途中から互いに同じ光路を辿るように
(時間的には分離されているから合波されることはな
い)構成してもよい。あるいはこれら複数の光源を、点
灯時には、入射光学系に対して所定の相対位置関係とな
る共通の位置に移動させて、その位置で点灯動作させる
ようにしてもよい。
においては、入射光学系が、光ビームにより前記界面の
中の2次元領域を照射するように構成されるとともに、
光検出手段が、前記界面で全反射した光ビームの強度
を、前記2次元領域内の各位置毎に検出する2次元光検
出器から構成されることが望ましい。
置においては、前記金属膜の表面上に、試料中の特定成
分と相互作用を生じるセンシング媒体が配されているこ
とが望ましい。
おける光ビームの波長と、光検出手段が出力する光検出
信号の強度(検出した全反射光の強度に対応する)との
関係を図6に示す。前述したエバネッセント光と表面プ
ラズモンとが共鳴するのは、このエバネッセント光の波
数ベクトルが表面プラズモンの波数と等しくて波数整合
が成立する場合であるから、誘電体ブロックと金属膜と
の界面に入射させる光ビームの波長を変化させると、こ
の界面に対する光ビームの入射角θを変化させた場合と
同様に全反射光強度が変化する。つまり、例えば曲線a
の特性の場合は、光ビームの波長がλSPのときに全反
射減衰が生じる。
上記入射角θを固定しておけば、試料の誘電率εs に
応じて、つまり試料中の特定物質の濃度に応じて、図6
に曲線aやbで示すように変化する。そこで、光ビーム
の波長がλ1とλ2の場合について考えると、波長λ1の
光に関する光検出信号と波長λ2の光に関する光検出信
号との差分は、上記特定物質の濃度に応じて変わること
になる。すなわち、例えば曲線aの場合の差分は(S1a
−S2a)であるのに対し、曲線bの場合の差分は(S1b
−S2b)となって、両者の値は明確に異なる。
量線等を参照すれば、この差分に基づいて波長対全反射
光強度の関係を推定可能となり、試料中の特定物質を定
量分析できるようになる。
差分を求めると、各信号に乗っていた雑音成分が相殺さ
れるので、この差分信号はS/Nが十分に高いものとな
り、該差分信号に基づいて特定物質の定量分析を高精度
で行なえるようになる。
のうち、特に前記光源として、互いに異なる3つ以上の
波長の光ビームを発するものが用いられた上で、前記演
算手段が、それらの波長のうち表面プラズモン共鳴条件
を満たす2つの波長の光ビームについての光検出信号の
差分を求めるように構成されたものにおいては、波長を
3つ以上用意しておくことにより、ある波長が表面プラ
ズモン共鳴条件から外れているようなことがあっても、
表面プラズモン共鳴条件を満たす別の波長2つを確保し
やすくなるので、多種の試料に対応可能となる。
のうち、特に入射光学系が、光ビームにより前記界面の
中の2次元領域を照射するように構成される一方、光検
出手段が、上記界面で全反射した光ビームの強度を上記
2次元領域内の各位置毎に検出する2次元光検出器から
構成されたものにおいては、差分信号が上記2次元領域
内の各位置毎に求められるので、この差分信号に基づい
て該領域内の特定物質の濃度分布等を求めることが可能
になる。
のうち、特に金属膜の表面上に試料中の特定成分と相互
作用を生じるセンシング媒体を配したものにおいては、
このセンシング媒体の上に試料を保持させた際に、上記
相互作用によって表面プラズモン共鳴の状態が変化する
ので、この変化を捕えることによって、試料中の特定成
分とセンシング媒体との特異反応を検出することができ
る。
施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実
施形態による表面プラズモン共鳴測定装置の概略側面形
状を示すものである。
置は、例えば三角柱状に形成された透明誘電体プリズム
11と、この誘電体プリズム11の上面に屈折率マッチング
液12を介して固定された透明誘電体プレート13と、この
誘電体プレート13の上面に形成された例えば金、銀、
銅、アルミニウム等からなる金属薄膜14とを有してい
る。そしてこの金属薄膜14の上に、分析対象の試料15が
配置される。なお本実施形態では、透明誘電体プリズム
11、屈折率マッチング液12および透明誘電体プレート13
によって誘電体ブロックが形成されている。
のレーザ光源16と、波長λ2の光ビームL2を発する第2
のレーザ光源17とが設けられ、これらの光ビームL1お
よびL2は、前者を透過させて後者を反射させる入射光
学系としてのダイクロイックミラー18によって1本の光
ビームLに合波される。この合波された光ビームLは、
細い平行光状態で誘電体プリズム11に入射し、誘電体プ
レート13と金属薄膜14との界面13aに入射する。このと
きの入射角θは、上記界面13aにおいて光ビームLの全
反射条件が得られ、かつ、表面プラズモン共鳴が生じ得
る範囲内の値とされる。
光で入射する必要がある。そのようにするためには、予
め第1のレーザ光源16および第2のレーザ光源17を、光
ビームL1およびL2の偏光方向が所定方向となるように
配設すればよい。その他、波長板や偏光板で光ビームL
1およびL2の偏光の向きを制御してもよい。
反射し、全反射した光ビームLは、波長λ1の光を透過
させる一方波長λ2の光は反射させるダイクロイックミ
ラー20により、波長λ1の光ビームL1と波長λ2の光ビ
ームL2とに分波される。光ビームL1と光ビームL2は
それぞれ、例えばフォトダイオード等からなる第1の光
検出器21、第2の光検出器22によって検出される。
1および、第2の光検出器22が出力する光検出信号S2
は、ともに差分演算回路23に入力される。この差分演算
回路23は、入力された光検出信号S1とS2との差分を求
めて、差分信号Ssを出力する。
装置による試料分析について説明する。分析に供される
試料15は、金属薄膜14の上に配される。そしてレーザ光
源16および17が駆動され、それらから各々発せられた光
ビームL1およびL2がダイクロイックミラー18で合波さ
れ、合波された光ビームLが誘電体プレート13と金属薄
膜14との界面13aに一定の入射角θで入射する。この入
射角θは前述の通りに設定されているから、光ビームL
は界面13aで全反射する。
界面13aから金属薄膜14側にエバネッセント波がしみ出
す。入射角θが固定されている場合、全反射光の強度
(つまり光検出器21、22が出力する光検出信号S1、S2
の強度)は、前述した通り光波長λに応じて図6に示す
ように変化する。すなわち、光波長λがλSPの場合、
上記エバネッセント波が金属薄膜14の表面に励起する表
面プラズモンと共鳴するので、この波長λSPの光につ
いては反射光強度が鋭く減衰する。
入射角θが固定されていれば、試料の誘電率εs に応
じて、つまり試料中の特定物質の濃度に応じて、図6に
曲線aやbで示すように変化する。そこで、光検出信号
S1、S2の差分を取った差分信号Ssの値は、上記特定
物質の濃度に応じて変わることになる。したがって、予
め求めてある各試料毎の検量線等を参照すれば、この差
分信号Ssの値に基づいて波長対全反射光強度の関係を
推定可能となり、試料15中の特定物質を定量分析でき
る。
1、S2の差分を求めると、各信号S1、S2に乗っていた
雑音成分が相殺されるので、差分信号SsはS/Nが十
分に高いものとなり、該差分信号Ssに基づいて特定物
質の定量分析を高精度で行なえるようになる。
形態について説明する。図2は、この第2の実施形態の
表面プラズモン共鳴測定装置の概略側面形状を示してい
る。なおこの図2において、図1中の要素と同等の要素
には同番号を付し、それらについての説明は特に必要の
ない限り省略する(以下、同様)。
定装置においては、第1のレーザ光源16および第2のレ
ーザ光源17の駆動が駆動制御回路25によって制御され、
第1のレーザ光源16が所定時間駆動して停止した後、時
間間隔をおいて第2のレーザ光源17が駆動されるように
なっている。それにより、波長λ1の光ビームL1が誘電
体プレート13と金属薄膜14との界面13aに入射した後、
時間間隔をおいて波長λ2の光ビームL2が該界面13aに
入射する。
21のみが設けられ、この光検出器21の動作も上記駆動制
御回路25によって制御される。すなわち該光検出器21
は、第1のレーザ光源16が駆動されたとき、そして第2
のレーザ光源17が駆動されたときに同期を取って検出動
作し、まず波長λ1の光ビームL1に関する光検出信号S
1を出力し、次いで波長λ2の光ビームL2に関する光検
出信号S2を出力する。
から出力される光検出信号S1、および光検出信号S2
は、ともに差分演算回路23に入力される。この差分演算
回路23は、入力された光検出信号S1とS2を一旦内部メ
モリ(図示せず)に記憶し、次いでそれらの差分を求め
て、差分信号Ssを出力する。
とにより、第1の実施形態と同様の効果を得ることがで
きる。
る表面プラズモン共鳴測定装置の概略側面形状を示すも
のである。この第3実施形態の表面プラズモン共鳴測定
装置においては、ダイクロイックミラー18で合波された
後の光ビームLがビームエキスパンダ30によって拡径さ
れ、その状態で誘電体プレート13と金属薄膜14との界面
13aに入射する。そこで光ビームLは、この界面13aの
中の2次元領域を照射する。
イクロイックミラー20により、波長λ1の光ビームL1と
波長λ2の光ビームL2とに分波される。光ビームL1と
光ビームL2はそれぞれ、例えば2次元CCDセンサか
らなる第1の2次元光検出器41、第2の2次元光検出器
42によって検出される。
41が出力する光検出信号S1および、第2の2次元光検
出器42が出力する光検出信号S2は、ともに差分演算回
路43に入力される。この差分演算回路43は、入力された
光検出信号S1とS2から、同じ画素に関する(つまり界
面13a内の同じ位置に関する)信号毎に両信号S1、S2
間の差分を求めて、差分信号Ssを出力する。
測定装置において、2次元光検出器41および42がそれぞ
れ出力する光検出信号S1、S2は、光ビームLが照射さ
れた界面13aの中の2次元領域内における試料15の誘電
率分布を示すもの、つまりは該試料15中の特定物質の濃
度分布を示すものとなっている。
出信号S2との間の差分を求めると、各信号S1、S2に
乗っていた雑音成分が相殺されるので、差分信号Ssは
S/Nが十分に高いものとなり、該差分信号Ssに基づ
いて上記特定物質の濃度分布を精度良く求めることが可
能となる。
定装置は、上述の通りにして1つの試料15中の特定物質
の濃度分布を求める他、多数のセンサチップを2次元的
に配置してなるセンサアレイを用いて、それらのセンサ
チップに保持された試料の定量分析をまとめて行なうた
めに使用することもできる。
示している。このセンサアレイ50は、多数のセンサチッ
プ51を2次元的に配置してなるものであり、図3の装置
において試料15に換えて金属薄膜14の上に配して用いら
れる。センサチップ51は、例えば、分析対象の試料中の
特定物質と結合するセンシング媒体を保持したものであ
る。このような特定物質とセンシング媒体との組合せと
しては、例えば抗原と抗体とが挙げられる。その場合
は、光検出信号S1と光検出信号S2との間の差分を取っ
た差分信号Ssに基づいて、抗原抗体反応を検出するこ
とができる。
ビームLが照射された界面13aの中の2次元情報を担持
しているので、多数のセンサチップ51の各位置に対応す
る差分信号Ssを抽出すれば、抽出された差分信号Ss
はそれぞれセンサチップ51毎の情報(上記の例では抗原
抗体反応)を示すものとなる。
出信号S2との間の差分を求めると、各信号S1、S2に
乗っていた雑音成分が相殺されるので、差分信号Ssは
S/Nが十分に高いものとなり、該差分信号Ssに基づ
いて上記抗原抗体反応等を精度良く検出することができ
る。
共鳴測定装置の概略側面図
共鳴測定装置の概略側面図
共鳴測定装置の概略側面図
使用されるセンサアレイの平面図
入射角と、光検出手段による検出光強度との概略関係を
示すグラフ
の波長と、光検出手段による検出光強度との概略関係を
示すグラフ
Claims (6)
- 【請求項1】 誘電体ブロックと、 この誘電体ブロックの一面に形成されて、試料に接触さ
せられる金属膜と、 互いに異なる2つ以上の波長の光ビームを発する光源
と、 前記2つ以上の波長の光ビームを、前記誘電体ブロック
と金属膜との界面に対して、全反射条件が得られる固定
の入射角で、誘電体ブロック側から前記界面の同一位置
に入射させる入射光学系と、 前記界面で全反射した光ビームの強度を各波長毎に測定
する光検出手段と、 該光検出手段が出力する、互いに異なる2つの波長の光
ビームについての光検出信号の差分を求める演算手段と
からなる表面プラズモン共鳴測定装置。 - 【請求項2】 前記光源が、互いに異なる3つ以上の波
長の光ビームを発するものであり、 前記演算手段が、それらの波長のうち表面プラズモン共
鳴条件を満たす2つの波長の光ビームについての光検出
信号の差分を求めるように構成されていることを特徴と
する請求項1記載の表面プラズモン共鳴測定装置。 - 【請求項3】 前記入射光学系が、前記2つ以上の波長
の光ビームを1本に合波して前記界面の同一位置に導く
ように構成され、 前記光検出手段が、前記界面で全反射した後の光ビーム
を各波長毎に分波する手段と、分波された光ビームの強
度をそれぞれ個別に測定する複数の光検出器とから構成
されていることを特徴とする請求項1または2記載の表
面プラズモン共鳴測定装置。 - 【請求項4】 前記光源が、前記2つ以上の波長の光ビ
ームを互いに時間間隔をおいて射出するように構成さ
れ、 前記光検出手段が、前記光源の光ビーム射出タイミング
と同期したタイミングで検出動作することにより、前記
光ビームの強度を各波長毎に測定する1つの光検出器か
ら構成されていることを特徴とする請求項1または2記
載の表面プラズモン共鳴測定装置。 - 【請求項5】 前記入射光学系が、前記光ビームにより
前記界面の中の2次元領域を照射するように構成され、 前記光検出手段が、前記界面で全反射した光ビームの強
度を、前記2次元領域内の各位置毎に検出する2次元光
検出器から構成されていることを特徴とする請求項1か
ら4いずれか1項記載の表面プラズモン共鳴測定装置。 - 【請求項6】 前記金属膜の表面上に、試料中の特定成
分と相互作用を生じるセンシング媒体が配されているこ
とを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載の表面
プラズモン共鳴測定装置。
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