JP2002181507A - Inductance measuring instrument - Google Patents
Inductance measuring instrumentInfo
- Publication number
- JP2002181507A JP2002181507A JP2000383187A JP2000383187A JP2002181507A JP 2002181507 A JP2002181507 A JP 2002181507A JP 2000383187 A JP2000383187 A JP 2000383187A JP 2000383187 A JP2000383187 A JP 2000383187A JP 2002181507 A JP2002181507 A JP 2002181507A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- inductance
- measurement
- circuit
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体基板
やガラス基板上に形成された導電性の薄膜の成膜状態を
非接触で高速に測定するための方法及びその装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and a device for non-contact and high-speed measurement of the state of deposition of a conductive thin film formed on, for example, a semiconductor substrate or a glass substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体の技術分野では、シリコン
ウェハ上に、例えばスパッタリング、ＣＶＤ、めっき等
のプロセスによって導電性薄膜を形成し、これを電子デ
バイスや光デバイスに用いている。2. Description of the Related Art In recent years, in the technical field of semiconductors, a conductive thin film is formed on a silicon wafer by a process such as sputtering, CVD, or plating, and is used for an electronic device or an optical device.
【０００３】このようなデバイスにおいては、同一品質
のものをいかに多く製造するかが重要であり、このた
め、基板上の薄膜の膜厚や電気特性を十分に管理するこ
とが要求される。In such a device, it is important how many devices of the same quality are manufactured. For this reason, it is necessary to sufficiently control the thickness and electric characteristics of a thin film on a substrate.
【０００４】従来、同一のロットについて、導電性薄膜
が表面に成膜された基板を、同時に多数枚作成し、その
うちのある基板について四探針測定や触針式プロファイ
ラ等の方式で導電性薄膜の膜厚や電気特性を検査、分析
し、その分析結果を代表値として基板の品質を類推する
方法が知られている。Conventionally, for the same lot, a large number of substrates having a conductive thin film formed on the surface are simultaneously prepared in large numbers, and one of the substrates is subjected to a conductive thin film measurement by a four-probe measurement or a stylus type profiler. There is known a method of inspecting and analyzing the film thickness and electrical characteristics of a substrate, and estimating the quality of the substrate by using the analysis result as a representative value.
【０００５】しかしながら、この方法では、所定の基準
に達しない基板が存在する場合に、基板の品質の不良を
検出することができないという問題がある。一方、基板
上の膜に対して非接触で膜厚を測定する方法も知られて
いる。例えば、Ｘ線干渉法やレーザ励起振動法がそれで
ある。しかし、これらの方法にあっては、測定速度が非
常に遅く、また、コストが高すぎるため、大量生産には
利用することができないという問題がある。[0005] However, this method has a problem that when there is a substrate that does not meet a predetermined standard, it is not possible to detect a defect in the quality of the substrate. On the other hand, a method of measuring a film thickness without contacting a film on a substrate is also known. For example, the X-ray interferometry and the laser excitation oscillation method are such. However, these methods have a problem that the measuring speed is very slow and the cost is too high, so that they cannot be used for mass production.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の技術の課題を解決するためになされたもので、基
板上に形成された導電性の薄膜の膜厚を効率良く、しか
も安価に測定しうる技術を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and is intended to efficiently and inexpensively reduce the thickness of a conductive thin film formed on a substrate. It is an object of the present invention to provide a measurable technique.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた請求項１記載の発明は、互いに直列接続され
た二個のインダクタンス素子と、前記二個のインダクタ
ンス素子を保持するコイル保持部と、互いに直列接続さ
れた二個の抵抗素子と、前記インダクタンス素子の直列
接続回路と、前記抵抗素子の直列接続回路とが並列に接
続されて構成されるインダクタンスブリッジの出力信号
を増幅するプリアンプと、少なくとも前記プリアンプを
保持する回路保持部とを有するインダクタンス測定装置
であって、前記一方のインダクタンス素子は、他方のイ
ンダクタンス素子よりも測定対象に対して近い位置で前
記コイル保持部に保持され、前記コイル保持部と前記回
路保持部とは互いに固定されたことを特徴とする。請求
項２記載の発明は、請求項１記載のインダクタンス測定
装置であって、前記回路保持部は、前記二個の抵抗素子
を保持するように構成されている。請求項３記載の発明
は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のインダ
クタンス測定装置であって、前記プリアンプの入力端子
は、前記二個のインダクタンス素子の接続中点又は前記
二個の抵抗素子の接続中点のいずれか一方又は両方に接
続されたことを特徴とする。請求項４記載の発明は、請
求項２又は請求項３のいずれか１項記載のインダクタン
ス測定装置であって、前記二個のインダクタンス素子の
直列接続回路と、前記二個の抵抗素子の直列接続回路と
を接続する導線の長さは、１０cm以下であるように構成
されたことを特徴とする。請求項５記載の発明は、請求
項１乃至請求項４のいずれか１項記載のインダクタンス
測定装置であって、測定対象を支持する支持体を有し、
前記支持体と、前記コイル保持部とは、相対的に移動可
能に構成されたことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a coil holding unit for holding two inductance elements connected in series with each other. And a preamplifier that amplifies an output signal of an inductance bridge configured by connecting two resistance elements connected in series to each other, a series connection circuit of the inductance elements, and a series connection circuit of the resistance elements in parallel. A circuit holding unit that holds at least the preamplifier, wherein the one inductance element is held by the coil holding unit at a position closer to a measurement target than the other inductance element, The coil holding unit and the circuit holding unit are fixed to each other. The invention according to claim 2 is the inductance measuring device according to claim 1, wherein the circuit holding section is configured to hold the two resistance elements. The invention according to claim 3 is the inductance measuring device according to any one of claims 1 or 2, wherein the input terminal of the preamplifier is a midpoint of connection between the two inductance elements or the two input terminals. Are connected to one or both of the connection midpoints of the resistance elements. The invention according to claim 4 is the inductance measuring device according to claim 2 or 3, wherein the series connection circuit of the two inductance elements and the series connection of the two resistance elements. The length of the conducting wire connecting the circuit is not more than 10 cm. According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the inductance measuring apparatus according to any one of the first to fourth aspects, further comprising a support for supporting a measurement target,
The support and the coil holding portion are configured to be relatively movable.
【０００８】本発明のインダクタンス測定装置では、互
いに直列接続された二個のインダクタンス素子と、それ
を保持するコイル保持部と、インダクタンスブリッジの
出力信号を増幅するプリアンプと、少なくともプリアン
プを保持する回路保持部とを有し、一方のインダクタン
ス素子は、他方のインダクタンス素子よりも測定対象に
対して近い位置でコイル保持部に保持され、コイル保持
部と回路保持部とは互いに固定されている。According to the inductance measuring apparatus of the present invention, two inductance elements connected in series to each other, a coil holding section for holding the inductance elements, a preamplifier for amplifying an output signal of the inductance bridge, and a circuit holding for holding at least the preamplifier And one of the inductance elements is held by the coil holding section at a position closer to the measurement target than the other inductance element, and the coil holding section and the circuit holding section are fixed to each other.
【０００９】このように構成し、コイル保持部を、導電
性薄膜が成膜された測定対象の表面近傍に位置させ、イ
ンダクタンス素子に交流電圧を印加すると、測定対象内
に渦電流が生じ、その渦電流の影響により、測定対象に
近い側のインダクタンス素子のインダクタンス成分が変
化するが、この変化量を求めることで、基板表面に成膜
された薄膜の膜厚を、簡素な構成で求めることができ
る。With this configuration, the coil holding unit is positioned near the surface of the measurement target on which the conductive thin film is formed, and when an AC voltage is applied to the inductance element, an eddy current is generated in the measurement target. Due to the influence of the eddy current, the inductance component of the inductance element on the side closer to the measurement object changes, but by calculating the amount of change, the thickness of the thin film formed on the substrate surface can be obtained with a simple configuration. it can.
【００１０】かかるインダクタンス素子のインダクタン
ス成分の変化量は、インダクタンスブリッジを用いた高
感度測定回路により求めている。The amount of change in the inductance component of the inductance element is obtained by a high-sensitivity measurement circuit using an inductance bridge.
【００１１】図２は、本発明におけるインダクタンス成
分の測定原理を説明するためのブロック図であり、符号
１０は、マクスウェルのインダクタンスブリッジを示し
ている。FIG. 2 is a block diagram for explaining the principle of measuring the inductance component in the present invention. Reference numeral 10 denotes a Maxwell inductance bridge.
【００１２】このインダクタンスブリッジ１０は、互い
に直列接続された２個の抵抗素子１４、１５と、互いに
直列接続された二個のインダクタンス素子が、並列接続
されて構成されている。二個のインダクタンス素子のう
ち、測定対象に近い側のインダクタンス素子を測定コイ
ルと称して図２の符号１１に示し、測定対象から遠い側
に位置するインダクタンス素子を基準コイルと称して図
２の符号１２に示す。The inductance bridge 10 is configured by connecting two resistance elements 14 and 15 connected in series to each other and two inductance elements connected in series to each other in parallel. Of the two inductance elements, the inductance element closer to the object to be measured is referred to as a measurement coil and indicated by reference numeral 11 in FIG. 2, and the inductance element located farther from the object to be measured is referred to as a reference coil and indicated in FIG. FIG.
【００１３】インダクタンスブリッジ１０のバランスが
取れている場合、インダクタンスブリッジ１０の入力端
子２１、２２の間に交流電圧源２７を接続し、インダク
タンスブリッジ１０に交流電圧ＶDを印加しても、イン
ダクタンスブリッジ１０の出力端子２３、２４の間に電
圧は現れない。When the inductance bridge 10 is balanced, an AC voltage source 27 is connected between the input terminals 21 and 22 of the inductance bridge 10 and an AC voltage V D is applied to the inductance bridge 10. No voltage appears between the ten output terminals 23,24.
【００１４】インダクタンスブリッジ１０のバランスが
取れた状態で、測定コイル１１に、測定対象である基板
５０を近づけると、基板５０に渦電流が生じ、その影響
によって測定コイル１１のインダクタンス値が変化し、
バランスがくずれて出力端子２３、２４間に電圧ＶSが
現れる。When the substrate 50 to be measured is brought close to the measurement coil 11 with the inductance bridge 10 in a well-balanced state, an eddy current is generated in the substrate 50, and the inductance value of the measurement coil 11 changes due to the influence thereof.
The balance is lost, and the voltage V S appears between the output terminals 23 and 24.
【００１５】インダクタンスブリッジ１０に印加する交
流電圧ＶDを、 ＶD ＝ ＶD0・ｅｘｐ(ｉωｔ) で表した場合、出力端子２３、２４間に現れる電圧ＶS
は、When the AC voltage V D applied to the inductance bridge 10 is represented by V D = V D0 · exp (iωt), the voltage V S appearing between the output terminals 23 and 24 is obtained.
Is
【００１６】ＶS ＝ ＶS0・ｅｘｐ(ｉωｔ＋φ) ＝ＶS0
・ｅｘｐ(ｉωｔ)・ｃｏｓ(φ) ＋ｉ・ＶS0・ｅｘｐ(ｉ
ωｔ)・ｓｉｎ(φ) となる。V S = V S0 · exp (iωt + φ) = V S0
・ Exp (iωt) ・ cos (φ) + i ・ V S0・ exp (i
ωt) · sin (φ).
【００１７】この電圧ＶSの、入力電圧ＶDに同期した位
相の電圧と、９０°ずれた位相の電圧とを測定し、その
比から、測定コイル１１のインダクタンス成分の大きさ
の変化分が求められる。A voltage having a phase synchronized with the input voltage V D and a voltage having a phase shifted by 90 ° of the voltage V S are measured, and a change in the magnitude of the inductance component of the measurement coil 11 is determined from the ratio. Desired.
【００１８】インダクタンス成分の変化量は、基板５０
中の渦電流損失を表しており、交流電圧ＶDの周波数は
既知であるから、基板５０や基板５０表面の金属薄膜の
比抵抗が既知であれば、その金属薄膜の膜厚が求められ
る。The amount of change in the inductance component is
It represents the eddy current loss in, because the frequency of the AC voltage V D is known, if the specific resistance of the metal thin film of the substrate 50 and the substrate 50 surface is known, the film thickness of the metal thin film is obtained.
【００１９】図１２のグラフは、インダクタンス成分の
変化量と、基板表面の銅薄膜の膜厚の関係の一例を示す
グラフである。印加した交流信号の周波数は数ＭＨｚで
あり、また、交流電圧ＶDの大きさは数Ｖ程度である。FIG. 12 is a graph showing an example of the relationship between the amount of change in the inductance component and the thickness of the copper thin film on the substrate surface. Frequency of the applied AC signal is several MHz, also, the magnitude of the AC voltage V D is about several V.
【００２０】このグラフから分かるように、測定コイル
１１のインダクタンス成分の変化量は、基板表面の銅薄
膜の膜厚に応じて変化するため、予め、インダクタンス
成分の変化量と膜厚との関係を測定しておき、薄膜が成
膜される前に基板を測定コイルに近づけてインダクタン
ス成分の変化量を測定しておき、基板表面に銅薄膜を成
膜し、成膜後の基板を測定コイルに近づけ、測定コイル
のインダクタンス成分の変化量を求めると、求められた
インダクタンス成分の変化量から、成膜された薄膜の膜
厚を求めることができる。かかる本発明によれば、簡素
な構成で安価に膜厚の測定を行うことが可能になる。As can be seen from this graph, since the amount of change in the inductance component of the measurement coil 11 changes according to the thickness of the copper thin film on the substrate surface, the relationship between the amount of change in the inductance component and the film thickness is determined in advance. Before the thin film is formed, the substrate is brought close to the measurement coil to measure the amount of change in the inductance component, a copper thin film is formed on the substrate surface, and the formed substrate is used as the measurement coil. When the amount of change in the inductance component of the measurement coil is obtained by approaching, the thickness of the formed thin film can be obtained from the obtained amount of change in the inductance component. According to the present invention, it is possible to measure the film thickness with a simple configuration at low cost.
【００２１】また、本発明によれば、コイル保持部内
に、二個のインダクタンス素子が設けられている。この
ように構成することで、二個のインダクタンス素子は、
互いに近接した状態で配置されるので、各インダクタン
ス素子はほぼ同じ温度になり温度補償が図れるので、イ
ンダクタンス成分の変化量が温度に依存することで測定
精度が低下することはない。Further, according to the present invention, two inductance elements are provided in the coil holding portion. With this configuration, the two inductance elements are:
Since they are arranged close to each other, each of the inductance elements has substantially the same temperature, and the temperature can be compensated. Therefore, the measurement accuracy does not decrease because the variation of the inductance component depends on the temperature.
【００２２】また、本発明において、コイル保持部内に
設けられたインダクタンス素子の直列接続回路と、回路
保持部内に設けられた抵抗素子の直列接続回路とを接続
する導線が長くなると、導線自身が有する容量成分が無
視できない値となり、さらにノイズが混入しやすくなる
ため測定精度が低下するが、上述したようにコイル保持
部と回路保持部とは互いに固定され、その結果互いに近
接しているので、導線の長さは短くなる。従って、導線
自身の容量成分が小さくなり、また、測定信号内にノイ
ズが混入しにくくなるので、精度の高い測定をすること
ができる。Further, in the present invention, when the conductor connecting the series connection circuit of the inductance element provided in the coil holding section and the series connection circuit of the resistance element provided in the circuit holding section becomes longer, the conductor itself has The capacitance component becomes a non-negligible value, and the noise is more likely to be mixed, so that the measurement accuracy is reduced. However, as described above, the coil holding unit and the circuit holding unit are fixed to each other, and as a result, are close to each other. Becomes shorter. Accordingly, the capacitance component of the conductor itself is reduced, and noise is less likely to be mixed into the measurement signal, so that highly accurate measurement can be performed.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下で、本発明に係る膜厚測定装
置の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図１
の符号１に、本発明に係る膜厚測定装置を示す。本発明
に係る膜厚測定装置１は、測定室２と、支持台３と、回
転軸８と、駆動機構３４と、アーム７とを有している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the film thickness measuring apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG.
Reference numeral 1 denotes a film thickness measuring apparatus according to the present invention. The film thickness measuring apparatus 1 according to the present invention includes a measuring chamber 2, a support 3, a rotating shaft 8, a driving mechanism 34, and an arm 7.
【００２４】測定室２は、その側面に搬入出口２０が設
けられており、この搬入出口２０から基板を測定室２内
に搬入したり、測定室２外へと搬出することができるよ
うになっている。支持台３は、測定室２の内部底面に配
置されている。この支持台３は、表面が平坦に形成され
ており、その表面に基板を載置できるように構成されて
いる。The measurement chamber 2 is provided with a loading / unloading port 20 on a side surface thereof, so that a substrate can be loaded into or out of the measurement chamber 2 through the loading / unloading port 20. ing. The support 3 is arranged on the inner bottom surface of the measurement chamber 2. The support 3 has a flat surface, and is configured so that a substrate can be placed on the surface.
【００２５】測定室２の内部底面の、支持台３と離間し
た位置には貫通孔が設けられており、その貫通孔には、
回転軸８が鉛直に挿通されている。この回転軸８の下端
部は、測定室２の外部に配置された駆動機構３４に接続
され、回転軸８の上端部には、水平にされたアーム７の
末端部が接続されており、駆動機構３４を動作させる
と、回転軸８を回転し、アーム７を水平面内で移動させ
られるように構成されている。A through hole is provided on the inner bottom surface of the measurement chamber 2 at a position separated from the support table 3.
The rotating shaft 8 is inserted vertically. The lower end of the rotating shaft 8 is connected to a driving mechanism 34 disposed outside the measurement chamber 2, and the upper end of the rotating shaft 8 is connected to the end of the arm 7 that is leveled. When the mechanism 34 is operated, the rotation shaft 8 is rotated, and the arm 7 is moved in a horizontal plane.
【００２６】アーム７の先端部には、取付治具６９が位
置している。この取付治具６９は、絶縁材がＬ字椅子型
に形成されて成り、その背面６７がアーム７の先端部に
取り付けられ、座面６８が水平状態になっている。この
座面６８上には、回路保持部６１と、距離センサ保持部
７１とが配置され、座面６８の裏面６８ａには、コイル
保持部８１が配置されている。At the tip of the arm 7, a mounting jig 69 is located. The mounting jig 69 is made of an L-shaped chair made of an insulating material. The back surface 67 is attached to the tip of the arm 7, and the seat surface 68 is in a horizontal state. The circuit holding section 61 and the distance sensor holding section 71 are arranged on the seat surface 68, and the coil holding section 81 is arranged on the back surface 68 a of the seat surface 68.
【００２７】図５に、アーム７の先端部付近の拡大図を
示し、図４に、図５のＡ−Ａ線断面図を示す。コイル保
持部８１は、筐体８２と、測定コイル１１と、基準コイ
ル１２とを有している。FIG. 5 is an enlarged view of the vicinity of the distal end of the arm 7, and FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA of FIG. The coil holding unit 81 has a housing 82, a measurement coil 11, and a reference coil 12.
【００２８】コイル保持部の筐体８２は、図５に示すよ
うに絶縁体が直方体状に形成され、その先端にはフラン
ジ部８２ａが設けられて成る。この筐体８２はフランジ
部８２ａが取付治具６９の座面６８の裏面６８ａにねじ
８８でねじ止めされることで、取付治具６９に固定され
ている。As shown in FIG. 5, the housing 82 of the coil holding portion is formed by forming an insulator into a rectangular parallelepiped shape, and a flange portion 82a is provided at the tip. The housing 82 is fixed to the mounting jig 69 by screwing the flange portion 82 a to the back surface 68 a of the seating surface 68 of the mounting jig 69 with a screw 88.
【００２９】取付治具６９には、その座面６８から座面
の裏面６８ａにかけて鉛直方向に貫通する貫通孔８３ａ
が設けられている。また、コイル保持部の筐体８２は、
上下に貫通し、その中心軸線が鉛直方向を向いた貫通孔
８３を有しており、この筐体８２は、その貫通孔８３
が、取付治具６８の貫通孔８３ａと連通する位置に配置
されている。この貫通孔８３の周囲には、平面形状がリ
ング状の溝からなるコイル収納部８４が設けられてい
る。The mounting jig 69 has a through hole 83a vertically penetrating from the seat surface 68 to the back surface 68a of the seat surface.
Is provided. The housing 82 of the coil holding unit is
The case 82 has a through-hole 83 that penetrates up and down and whose central axis is oriented in the vertical direction.
Are arranged at positions communicating with the through holes 83a of the mounting jig 68. Around the through hole 83, a coil housing portion 84 having a ring-shaped planar shape is provided.
【００３０】測定コイル１１、基準コイル１２はともに
螺旋状に巻き回されており、それぞれの中心軸線はとも
に鉛直方向を向いている。これらの測定コイル１１、基
準コイル１２は測定コイル１１が基準コイル１２より下
方に位置した状態で、コイル収納部８４内に上下に配置
されている。コイル収納部８４の内部は絶縁性の樹脂で
封止され、測定コイル１１及び基準コイル１２はコイル
収納部８４から落下しないようになっている。The measuring coil 11 and the reference coil 12 are both spirally wound, and their respective central axes are oriented vertically. The measurement coil 11 and the reference coil 12 are vertically arranged in the coil housing portion 84 with the measurement coil 11 positioned below the reference coil 12. The inside of the coil housing 84 is sealed with an insulating resin so that the measurement coil 11 and the reference coil 12 do not fall from the coil housing 84.
【００３１】上述したアーム７は、伸縮可能に構成され
ており、アーム７が縮んだ状態では、コイル保持部８
１、回路保持部６１及びレーザセンサ７１を支持台３上
方から退避させ、アーム７が伸びた状態では、コイル保
持部８１、回路保持部６１及びレーザセンサ７１を支持
台３の上方の任意の位置に移動させることができる。The above-described arm 7 is configured to be extendable and contractable.
1. The circuit holding unit 61 and the laser sensor 71 are retracted from above the support table 3 and the arm 7 is extended, and the coil holding unit 81, the circuit holding unit 61 and the laser sensor 71 are moved to any position above the support table 3. Can be moved.
【００３２】レーザセンサ７１は、コイル保持部８１の
鉛直上方に位置している。レーザセンサ７１の底面に
は、レーザ射出口７３ａとレーザ受光口７３ｂとが設け
られており、レーザ射出口７３ａから鉛直下方にレーザ
光を射出することができるように構成されている。The laser sensor 71 is located vertically above the coil holding section 81. A laser emission port 73a and a laser light reception port 73b are provided on the bottom surface of the laser sensor 71, and are configured so that laser light can be emitted vertically downward from the laser emission port 73a.
【００３３】これらのレーザ射出口７３ａ及びレーザ受
光口７３ｂは、ともに取付治具６９に設けられた貫通孔
８３ａ及びコイル保持部の貫通孔８３から露出してお
り、レーザ射出口７３ａから鉛直下方にレーザ光が射出
されると、そのレーザ光が、取付治具６９の貫通孔８３
ａ及びコイル保持部の貫通孔８３を通ってコイル保持部
８１の外部へと射出されるようになっている。また、射
出されたレーザ光が、レーザセンサ７１下方の水平面で
反射され、コイル保持部の貫通孔８３に入射すると、そ
のレーザ光が取付治具６９の貫通孔８３ａ及びコイル保
持部の貫通孔８３を通ってレーザ受光口７３ｂに到達で
きるようになっている。The laser emission port 73a and the laser light reception port 73b are both exposed from the through hole 83a provided in the mounting jig 69 and the through hole 83 of the coil holding portion, and are vertically downward from the laser emission port 73a. When the laser light is emitted, the laser light is applied to the through hole 83 of the mounting jig 69.
a and through the through-hole 83 of the coil holding portion, the light is emitted to the outside of the coil holding portion 81. When the emitted laser light is reflected by the horizontal plane below the laser sensor 71 and enters the through hole 83 of the coil holding part, the laser light is transmitted through the through hole 83a of the mounting jig 69 and the through hole 83 of the coil holding part. Through the light receiving port 73b.
【００３４】取付治具の座面６８の上方の、レーザセン
サ７１とアーム７の先端との間には、回路保持部６１が
位置している。回路保持部６１は、筐体６２と、留め具
６４と、配線基板６３と、接続端子６５とを有してい
る。A circuit holding portion 61 is located above the seating surface 68 of the mounting jig, between the laser sensor 71 and the tip of the arm 7. The circuit holding section 61 has a housing 62, a fastener 64, a wiring board 63, and a connection terminal 65.
【００３５】筐体６２は、例えばプラスチック等の絶縁
材が直方体状に形成されてなり、その底面が取付治具の
座面６８表面に密着して固定されている。筐体６２の内
部側面には、留め具６４が固定されている。留め具６４
の先端には配線基板６３が固定されている。The housing 62 is made of an insulating material such as plastic and formed in a rectangular parallelepiped shape, and the bottom surface of the housing 62 is fixed to the surface of the seat 68 of the mounting jig. A fastener 64 is fixed to an inner side surface of the housing 62. Fastener 64
The wiring board 63 is fixed to the tip of the.
【００３６】この配線基板６３上には、少なくともプリ
アンプ２５と、抵抗素子１４、１５とが配置されてい
る。これらの抵抗素子１４、１５は配線基板６３上で互
いに直列接続されており、測定コイル１１及び基準コイ
ル１２はコイル保持部８１内で互いに直列接続されてい
る。On the wiring board 63, at least a preamplifier 25 and resistance elements 14 and 15 are arranged. The resistance elements 14 and 15 are connected in series on the wiring board 63, and the measurement coil 11 and the reference coil 12 are connected in series in the coil holding unit 81.
【００３７】測定コイル１１と基準コイル１２の直列接
続回路と、抵抗素子１４、１５の直列接続回路とは、ケ
ーブルで接続されている。図４の符号７８にそのケーブ
ルを示す。コイル保持部８１と回路保持部６１とは近接
しているので、ケーブル７８は短くなっている。本実施
形態では５cm程度の長さになっている。The series connection circuit of the measurement coil 11 and the reference coil 12 and the series connection circuit of the resistance elements 14 and 15 are connected by a cable. The cable is shown at 78 in FIG. Since the coil holding part 81 and the circuit holding part 61 are close to each other, the cable 78 is short. In the present embodiment, the length is about 5 cm.
【００３８】こうして互いに接続された測定コイル１１
及び基準コイル１２の直列接続回路と、抵抗素子１４、
１５の直列接続回路とは、図２に示すインダクタンスブ
リッジ１０を構成している。The measuring coils 11 thus connected to each other
And a series connection circuit of the reference coil 12 and a resistance element 14,
The series connection circuit 15 constitutes the inductance bridge 10 shown in FIG.
【００３９】かかるインダクタンスブリッジ１０は、抵
抗素子１４、１５の直列接続回路の両端が入力端子とな
っている。図２の符号２１、２２にその入力端子を示
す。また、測定コイル１１と基準コイル１２との接続中
点と、二つの抵抗素子１４、１５の接続中点とは、それ
ぞれインダクタンスブリッジ１０の出力端子となってい
る。図２の符号２３、２４に、それぞれの出力端子を示
す。In the inductance bridge 10, both ends of the series connection circuit of the resistance elements 14 and 15 are input terminals. Reference numerals 21 and 22 in FIG. 2 indicate the input terminals. The connection point between the measurement coil 11 and the reference coil 12 and the connection point between the two resistance elements 14 and 15 are output terminals of the inductance bridge 10, respectively. Reference numerals 23 and 24 in FIG. 2 show respective output terminals.
【００４０】インダクタンスブリッジ１０の入力端子２
１、２２と、出力端子２３、２４には、図５に示す接続
端子６５に接続されている。この接続端子６５は、測定
室２外部に配置された膜厚測定器３１に接続されてい
る。Input terminal 2 of inductance bridge 10
1 and 22 and the output terminals 23 and 24 are connected to a connection terminal 65 shown in FIG. The connection terminal 65 is connected to the film thickness measuring device 31 arranged outside the measurement chamber 2.
【００４１】膜厚測定器３１は、図２に示すように測定
器２６と交流電圧源２７とを有している。この交流電圧
源２７は、図６に示すように発振器９１と出力アンプ９
２とを有しており、発振器９１で生成された交流電圧を
出力アンプ９２で増幅して、インダクタンスブリッジ１
０の入力端子２１、２２間に印加することができるよう
に構成されている。The film thickness measuring device 31 has a measuring device 26 and an AC voltage source 27 as shown in FIG. The AC voltage source 27 includes an oscillator 91 and an output amplifier 9 as shown in FIG.
The AC voltage generated by the oscillator 91 is amplified by the output amplifier 92, and the inductance bridge 1
It is configured so that it can be applied between 0 input terminals 21 and 22.
【００４２】インダクタンスブリッジ１０の入力端子２
１、２２間に交流電圧が印加されると、インダクタンス
ブリッジ１０のバランスがとれた状態ではその出力端子
２３、２４間には電圧が現れないが、測定コイル１１
を、図３に示すように、その表面に導電膜５２が成膜さ
れた基板５０に近づけた状態で、入力端子２１、２２間
に交流電圧を印加すると、基板５０及び導電膜５２内部
に渦電流が生じて測定コイル１１のインダクタンス成分
が変化し、この変化量に応じた大きさの電圧が、インダ
クタンスブリッジ１０の出力端子２３、２４間に現れ
る。Input terminal 2 of inductance bridge 10
When an AC voltage is applied between the output terminals 1 and 22, no voltage appears between the output terminals 23 and 24 in a state where the inductance bridge 10 is balanced.
As shown in FIG. 3, when an AC voltage is applied between the input terminals 21 and 22 in a state where the substrate 50 is close to the substrate 50 on which the conductive film 52 is formed, a vortex is formed inside the substrate 50 and the conductive film 52. A current is generated, and the inductance component of the measurement coil 11 changes. A voltage corresponding to the change amount appears between the output terminals 23 and 24 of the inductance bridge 10.
【００４３】インダクタンスブリッジ１０の出力端子２
３、２４のうち、測定コイル１１及び基準コイル１２の
接続中点側の出力端子２３は接地され、抵抗素子１４、
１５の接続中点側の出力端子２４は、プリアンプ２５の
入力端子に接続されている。プリアンプ２５の出力端子
は、後述する測定器２６に接続されており、インダクタ
ンスブリッジ１０の出力端子２３、２４間に現れた電圧
は、プリアンプ２５によって増幅された後に、測定器２
６に出力される。Output terminal 2 of inductance bridge 10
3, 24, the output terminal 23 on the connection midpoint side between the measurement coil 11 and the reference coil 12 is grounded.
The output terminal 24 at the connection middle point 15 is connected to the input terminal of the preamplifier 25. The output terminal of the preamplifier 25 is connected to a measuring device 26 to be described later. The voltage appearing between the output terminals 23 and 24 of the inductance bridge 10 is amplified by the preamplifier 25, and
6 is output.
【００４４】この測定器２６は、図６に示すように、バ
ンドパスフィルタ９５と、直交検波器９６と、出力回路
９７とを有している。バンドパスフィルタ９５には、プ
リアンプ２５の出力信号が入力されるように構成されて
おり、バンドパスフィルタ９５は、プリアンプ２５から
信号が出力されると、その信号のうち特定の周波数帯域
のみを直交検波器９６に出力する。As shown in FIG. 6, the measuring device 26 has a band-pass filter 95, a quadrature detector 96, and an output circuit 97. The bandpass filter 95 is configured to receive the output signal of the preamplifier 25. When the signal is output from the preamplifier 25, the bandpass filter 95 orthogonally converts only a specific frequency band of the signal. Output to the detector 96.
【００４５】直交検波器９６には、バンドパスフィルタ
９５の出力信号と、発振器９１から出力される交流信号
と同相の信号と、その信号と９０°位相がずれた信号と
が入力されるように構成され、直交検波器９６は、バン
ドパスフィルタ９５の出力信号すなわちインダクタンス
ブリッジ１０の出力信号から、発振器９１から出力され
る交流信号に同期した位相の電圧と、９０°ずれた位相
の電圧との二種類の電圧を求めて出力回路９７に出力す
る。出力回路９７は、直交検波器９６から出力される二
種類の出力電圧の比を求めることで、インダクタンス成
分の変化量に応じた大きさの信号を生成する。The quadrature detector 96 receives the output signal of the band-pass filter 95, the signal having the same phase as the AC signal output from the oscillator 91, and the signal which is 90 ° out of phase with the signal. The quadrature detector 96 is configured to output, from the output signal of the band-pass filter 95, that is, the output signal of the inductance bridge 10, a voltage having a phase synchronized with an AC signal output from the oscillator 91 and a voltage having a phase shifted by 90 °. The two types of voltages are obtained and output to the output circuit 97. The output circuit 97 generates a signal having a magnitude corresponding to the amount of change in the inductance component by obtaining the ratio of the two types of output voltages output from the quadrature detector 96.
【００４６】測定室２の外部にはコンピュータ３３が配
置されており、出力回路９７から出力され、インダクタ
ンス成分の変化量に応じた大きさの信号は、コンピュー
タ３３に出力される。A computer 33 is arranged outside the measurement room 2, and a signal having a magnitude corresponding to the amount of change in the inductance component is outputted from the output circuit 97 to the computer 33.
【００４７】コンピュータ３３は、出力回路９７から出
力されたインダクタンス成分の変化量を記憶することが
できるように構成されている。インダクタンス成分の変
化量は、測定コイル１１と、基板表面との間の距離に大
きく依存するため、測定の際にその距離を一定にするよ
うに制御する必要があり、そのため、膜厚測定装置は、
上述したレーザセンサ７１と、距離測定器３２とを有し
ている。The computer 33 is configured to be able to store the variation of the inductance component output from the output circuit 97. Since the amount of change in the inductance component greatly depends on the distance between the measurement coil 11 and the substrate surface, it is necessary to control the distance to be constant at the time of measurement. ,
It has the laser sensor 71 described above and the distance measuring device 32.
【００４８】このレーザセンサ７１の部分拡大図を図７
に示す。レーザセンサ７１が起動し、レーザ射出口７３
ａからレーザ光Ｌ1が鉛直下方に射出されると、そのレ
ーザ光Ｌ1は、取付治具６９の貫通孔８３ａ及びコイル
保持部の貫通孔８３を通った後、貫通孔８３の下方に配
置された基板５０表面に照射され、表面で反射される。
この反射光Ｌ2は、コイル保持部の貫通孔８３と取付治
具６９の貫通孔８３ａを通過した後にレーザ受光口７３
ｂに到達して受光される。レーザセンサ７１は、射出さ
れたレーザ光Ｌ1と反射光Ｌ2との位相差又は反射光の強
度変化を求めることができるように構成されている。FIG. 7 is a partially enlarged view of the laser sensor 71.
Shown in The laser sensor 71 is activated, and the laser emission port 73 is activated.
When the laser light L 1 is emitted vertically downward from the a, the laser light L 1 passes through the through hole 83 a of the mounting jig 69 and the through hole 83 of the coil holding portion, and is then arranged below the through hole 83. The irradiated surface of the substrate 50 is reflected by the surface.
The reflected light L 2 passes through the through hole 83 of the coil holding portion and the through hole 83 a of the mounting jig 69 and then passes through the laser receiving port 73.
b and is received. The laser sensor 71 is configured to be able to determine the intensity variation of the phase difference or reflection light of the laser beam L 1 emitted and the reflected light L 2.
【００４９】レーザセンサ７１は、距離測定器３２に接
続されており、こうして求められたレーザ光Ｌ1と反射
光Ｌ2との位相差は、距離測定器３２に出力されるよう
に構成されている。The laser sensor 71, a distance measuring instrument 32 is connected to the phase difference thus the laser beam L 1 obtained reflected light L 2 is configured to be outputted to the distance measuring instrument 32 I have.
【００５０】距離測定器３２は、レーザセンサ７１か
ら、レーザ光と反射光との位相差が出力されると、その
位相差を距離に換算してレーザセンサ７１の底面と基板
表面との間の距離を求める。こうして求められた距離は
コンピュータ３３に出力される。コンピュータ３３は、
測定コイル１１と基板表面との間の距離が一定になるよ
うに駆動機構３４を制御できるように構成されている。When the phase difference between the laser light and the reflected light is output from the laser sensor 71, the distance measuring device 32 converts the phase difference into a distance and calculates the distance between the bottom surface of the laser sensor 71 and the substrate surface. Find the distance. The distance thus obtained is output to the computer 33. The computer 33
The drive mechanism 34 can be controlled so that the distance between the measurement coil 11 and the substrate surface is constant.
【００５１】上記構成の膜厚測定装置１で、基板表面に
成膜された薄膜の膜厚を測定する動作について以下で説
明する。まず、薄膜が成膜されていない状態の基板５０
を搬入出口２０から測定室２内に搬入して支持台３上に
載置して支持させる。The operation of measuring the film thickness of the thin film formed on the substrate surface by the film thickness measuring apparatus 1 having the above configuration will be described below. First, the substrate 50 on which no thin film is formed
Is carried into the measurement chamber 2 from the carry-in / out port 20, and is placed on the support table 3 to be supported.
【００５２】基板５０が支持台３上に支持されたら、駆
動機構３４を駆動してアーム７を移動させ、その先端部
のコイル保持部８１、レーザセンサ７１及び回路保持部
６１を基板表面の所定位置に位置させる。When the substrate 50 is supported on the support 3, the drive mechanism 34 is driven to move the arm 7, and the coil holding portion 81, the laser sensor 71 and the circuit holding portion 61 at the distal end are moved to predetermined positions on the substrate surface. Position.
【００５３】そして、レーザセンサ７１を起動し、基板
５０の表面にレーザ光を照射して、コイル保持部８１内
の測定コイル１１と基板５０表面との間の距離を測定す
る。距離が測定されたら、アーム７を上下動させ、測定
された距離が所定値になったら、アーム７を静止させ
る。Then, the laser sensor 71 is activated, and the surface of the substrate 50 is irradiated with laser light to measure the distance between the measurement coil 11 in the coil holder 81 and the surface of the substrate 50. When the distance is measured, the arm 7 is moved up and down. When the measured distance reaches a predetermined value, the arm 7 is stopped.
【００５４】次に、交流電圧源２７から測定コイル１１
に交流電圧を印加し、測定コイル１１のインダクタンス
成分の変化量の初期値を測定し、その値をコンピュータ
３３に記憶させる。Next, from the AC voltage source 27 to the measuring coil 11
, An initial value of the amount of change in the inductance component of the measurement coil 11 is measured, and the value is stored in the computer 33.
【００５５】次いで、アーム７の先端部を別の測定位置
に移動させ、その測定位置で測定コイル１１と基板５０
表面との距離が所定値になったらアーム７を静止させ、
その測定位置におけるインダクタンス成分の変化量の初
期値を測定し、その値をコンピュータ３３に記憶させて
おく。Next, the tip of the arm 7 is moved to another measurement position, and the measurement coil 11 and the substrate 50 are moved to the other measurement position.
When the distance from the surface reaches a predetermined value, the arm 7 is stopped,
The initial value of the variation of the inductance component at the measurement position is measured, and the value is stored in the computer 33.
【００５６】かかる動作を、予め定められた全ての測定
位置について行い、全ての測定位置におけるインダクタ
ンス成分の変化量の初期値を順次求め、基板５０の位置
と対応づけ、コンピュータ３３内に記憶させておく。次
いで、基板５０を、搬入出口２０から測定室２外部へと
搬出し、図示しない成膜装置内に入れ、基板５０の表面
に所定の導電性薄膜を成膜する。This operation is performed for all predetermined measurement positions, and the initial value of the amount of change in the inductance component at all the measurement positions is sequentially obtained, correlated with the position of the substrate 50, and stored in the computer 33. deep. Next, the substrate 50 is carried out from the loading / unloading port 20 to the outside of the measurement chamber 2 and is placed in a film forming apparatus (not shown), and a predetermined conductive thin film is formed on the surface of the substrate 50.
【００５７】成膜処理が終了したら、その基板５０を再
び搬入出口２０から測定室２内部に搬入して支持台３表
面に支持させる。次いで、アーム７を移動させ、最初に
インダクタンス成分の変化量の初期値を測定した測定位
置と同じ位置に、コイル保持部８１、レーザセンサ７
１、回路保持部６１を位置させ、基板５０と測定コイル
１１との間の距離が所定値になったらアーム７を静止さ
せ、その測定位置における測定コイル１１のインダクタ
ンス成分の変化量を測定する。次いで、測定されたイン
ダクタンス成分の変化量を、コンピュータ３３に記憶さ
せる。After the film forming process is completed, the substrate 50 is again carried into the measuring chamber 2 from the carry-in / out port 20 and is supported on the surface of the support 3. Next, the arm 7 is moved, and the coil holding unit 81 and the laser sensor 7 are moved to the same position as the measurement position where the initial value of the variation of the inductance component was measured first.
1. The circuit holding unit 61 is positioned, and when the distance between the substrate 50 and the measurement coil 11 reaches a predetermined value, the arm 7 is stopped, and the amount of change in the inductance component of the measurement coil 11 at the measurement position is measured. Next, the computer 33 stores the measured change amount of the inductance component.
【００５８】基板５０表面に成膜された導電膜５２の膜
厚に応じて、測定コイル１１のインダクタンス成分の変
化量は変化する。コンピュータ３３には、上述した各測
定位置における、インダクタンス成分の変化量と導電膜
５２の膜厚との対応関係が予め記憶されており、導電膜
５２が成膜された状態でのインダクタンス成分の変化量
と、導電膜５２が成膜されていない状態でのインダクタ
ンス成分の変化量の初期値との差分をとり、この差分
を、上述した対応関係と照合することで、基板５０表面
の所定の測定位置における導電膜５２の膜厚を、導電膜
５２と非接触の状態で求めることができる。The amount of change in the inductance component of the measurement coil 11 changes according to the thickness of the conductive film 52 formed on the surface of the substrate 50. The computer 33 pre-stores the correspondence between the amount of change in the inductance component and the film thickness of the conductive film 52 at each of the above-described measurement positions, and the change in the inductance component when the conductive film 52 is formed. The difference between the amount and the initial value of the amount of change in the inductance component when the conductive film 52 is not formed is determined, and the difference is compared with the above-described correspondence relationship, whereby a predetermined measurement of the surface of the substrate 50 is performed. The thickness of the conductive film 52 at the position can be obtained in a state where the conductive film 52 is not in contact with the conductive film 52.
【００５９】こうして一つの測定位置における膜厚測定
が終了したら、コイル保持部８１、レーザセンサ７１、
回路保持部６１を順次所定の測定位置に移動させ、上述
した動作と同様の動作で導電膜５２の膜厚を測定し、全
ての測定位置において導電膜の膜厚を測定する。When the film thickness measurement at one measurement position is completed, the coil holding section 81, the laser sensor 71,
The circuit holder 61 is sequentially moved to a predetermined measurement position, and the film thickness of the conductive film 52 is measured by the same operation as described above, and the film thickness of the conductive film is measured at all the measurement positions.
【００６０】以上説明したように本発明によれば、コイ
ル保持部の筐体８２内に測定コイル１１及び基準コイル
１２の両方を配置している。こうして二個のコイル１
１、１２をともに一つの筐体８２内に、近接した状態で
配置することにより、測定コイル１１と基準コイル１２
の温度とはほぼ同じ温度になり、温度変化が生じても各
コイル１１、１２のインダクタンス成分は同じように変
化し、各コイル１１、１２のインダクタンス成分の変化
量がアンバランスになることはないので、温度変化が生
じても測定精度は低下しない。As described above, according to the present invention, both the measurement coil 11 and the reference coil 12 are arranged in the housing 82 of the coil holding unit. Thus two coils 1
By disposing both 1 and 12 in a single housing 82 in close proximity, measurement coil 11 and reference coil 12
, And even if a temperature change occurs, the inductance components of the coils 11 and 12 change in the same manner, and the change amounts of the inductance components of the coils 11 and 12 do not become unbalanced. Therefore, even if a temperature change occurs, the measurement accuracy does not decrease.
【００６１】これと同様に、抵抗素子１４、１５も回路
保持部６１内の配線基板６３上に、互いに近接した状態
で配置されており、抵抗素子１４、１５のそれぞれの温
度はほぼ同じように変化するので、温度変化により測定
精度が低下しない。Similarly, the resistance elements 14 and 15 are also arranged on the wiring board 63 in the circuit holding portion 61 so as to be close to each other, and the temperatures of the resistance elements 14 and 15 are almost the same. The measurement accuracy does not decrease due to the temperature change.
【００６２】また、上記の回路構成では、ノイズ混入防
止のため、抵抗素子１４、１５とプリアンプ２５の入力
端子との間の導線をできるだけ短くする必要がある。そ
の結果、抵抗素子１４、１５をコイル保持部８１内に入
れると、プリアンプ２５もコイル保持部８１内に入れな
ければならず、コイル保持部８１を大きく作らなければ
ならない。このため、本実施形態では、これらの抵抗素
子１４、１５を、コイル保持部８１内には配置していな
い。In the above-described circuit configuration, it is necessary to minimize the length of the conducting wire between the resistance elements 14 and 15 and the input terminal of the preamplifier 25 in order to prevent noise contamination. As a result, when the resistance elements 14 and 15 are put in the coil holding section 81, the preamplifier 25 must also be put in the coil holding section 81, and the coil holding section 81 must be made large. For this reason, in the present embodiment, these resistance elements 14 and 15 are not arranged in the coil holding portion 81.
【００６３】また、測定コイル１１を基板５０表面の所
定位置に位置させる機構としては、アーム７側を固定
し、支持台３をアーム７先端部と相対的に移動させる機
構も可能だが、大面積の基板表面の膜厚を測定する際に
は、支持台３を大きく作らなければならず、また、大面
積の基板を水平面内で移動させるためのスペースを設け
なければならないことより、装置が大きくなってしまう
ので、本実施形態では、先端部が自由に移動可能なアー
ム７の先端部にコイル保持部８１、レーザセンサ７１及
び回路保持部６１を取付け、これらのコイル保持部８
１、レーザセンサ７１及び回路保持部６１が基板５０の
表面で移動することにより、所定の測定位置の膜厚を測
定できるように構成されている。このように構成するこ
とにより、装置を小さく作ることができる。As a mechanism for positioning the measuring coil 11 at a predetermined position on the surface of the substrate 50, a mechanism for fixing the arm 7 side and moving the support table 3 relatively to the tip of the arm 7 is also possible, but a large area. When measuring the film thickness on the surface of the substrate, it is necessary to make the support base 3 large and also to provide a space for moving a large-area substrate in a horizontal plane. Therefore, in the present embodiment, the coil holding portion 81, the laser sensor 71, and the circuit holding portion 61 are attached to the tip of the arm 7 whose tip can move freely.
1. The laser sensor 71 and the circuit holder 61 are configured to move on the surface of the substrate 50 so that the film thickness at a predetermined measurement position can be measured. With this configuration, the device can be made small.
【００６４】さらに、コイル保持部８１内の測定コイル
１１及び基準コイル１２と、回路保持部６１内の電子回
路とを接続するケーブル７８が長くなると、ケーブル７
８自身が有する容量成分が無視できない値となり、また
ノイズが混入しやすくなるため測定精度が低下するが、
上述したようにコイル保持部８１と回路保持部６１とは
近接しており、ケーブル７８は短くなっているので、ケ
ーブル７８自身の容量成分が小さくなり、またノイズが
混入しにくくなるので、精度の高い測定をすることがで
きる。また、本実施の形態によれば、簡素な構成で安価
に膜厚の測定を行うことが可能になる。Further, when the cable 78 connecting the measuring coil 11 and the reference coil 12 in the coil holding section 81 to the electronic circuit in the circuit holding section 61 becomes longer, the cable 7
Although the capacitance component of 8 itself has a value that cannot be ignored, and noise tends to be mixed in, the measurement accuracy is reduced.
As described above, the coil holding unit 81 and the circuit holding unit 61 are close to each other, and the cable 78 is short, so that the capacitance component of the cable 78 itself is small, and noise is less likely to be mixed. High measurements can be made. Further, according to the present embodiment, it is possible to measure the film thickness at a low cost with a simple configuration.
【００６５】さらに、本実施の形態においては、測定コ
イル１１と基板５０表面との間の相対的な距離を常に一
定の値に保つことにより、常に同一の条件で、測定コイ
ル１１におけるインダクタンスの変化量を測定すること
ができるので、より正確な膜厚の測定を行うことが可能
になる。Furthermore, in the present embodiment, the relative distance between the measuring coil 11 and the surface of the substrate 50 is always kept at a constant value, so that the inductance change in the measuring coil 11 always changes under the same conditions. Since the amount can be measured, more accurate measurement of the film thickness can be performed.
【００６６】なお、上記実施形態では、基板５０表面と
測定コイル１１との間の距離を測定するのにレーザセン
サ７１を用いたが、本発明はこれに限られるものではな
い。図８の符号３０に、本発明の他の実施形態の膜厚測
定装置を示す。In the above embodiment, the laser sensor 71 is used to measure the distance between the surface of the substrate 50 and the measurement coil 11, but the present invention is not limited to this. Reference numeral 30 in FIG. 8 shows a film thickness measuring apparatus according to another embodiment of the present invention.
【００６７】この膜厚測定装置３０は、アーム７の先端
部に設けられていたレーザセンサ７１が設けられておら
ず、代わりに図９、図１０に示すようなセンサ保持部５
５を有している点と、距離測定器３２に変えて容量検出
距離測定器３７が設けられた点とで、図１の膜厚測定装
置１と異なる。This film thickness measuring device 30 does not have the laser sensor 71 provided at the tip end of the arm 7, and instead has the sensor holding unit 5 shown in FIGS.
5 and a film thickness measuring device 1 of FIG. 1 in that a capacitance detecting distance measuring device 37 is provided instead of the distance measuring device 32.
【００６８】図１０に、膜厚測定装置３０のアーム７の
先端部付近の拡大図を示し、図９に、図１０のＢ−Ｂ線
断面図を示す。取付治具６９の座面６８には、回路保持
部６１が固定されており、座面６８の裏面６８ａには、
センサ保持部５５が固定されている。FIG. 10 is an enlarged view of the vicinity of the tip of the arm 7 of the film thickness measuring device 30, and FIG. 9 is a sectional view taken along the line BB of FIG. The circuit holding portion 61 is fixed to a seat surface 68 of the mounting jig 69, and a back surface 68 a of the seat surface 68 is
The sensor holder 55 is fixed.
【００６９】このセンサ保持部５５は、図１１に示すよ
うに、上述したコイル保持部８１と静電容量センサ保持
部４１とを有している。静電容量センサ保持部４１は、
筐体４６と、支持基板４４と、ガード電極４５と中心電
極４５ａとを有している。As shown in FIG. 11, the sensor holding section 55 has the coil holding section 81 and the capacitance sensor holding section 41 described above. The capacitance sensor holding unit 41 includes:
It has a housing 46, a support substrate 44, a guard electrode 45, and a center electrode 45a.
【００７０】この筐体４６は、例えば、ポリアセタール
樹脂等の絶縁材料が直方体状に形成されて成り、上下に
貫通する貫通孔を内部に有している。この貫通孔は、そ
の中心軸線が鉛直方向を向き、かつ外径がコイル保持部
８１の筐体８２の外径と同じ大きさにされている。この
貫通孔内には、コイル保持部８１の筐体８２が納められ
ている。コイル保持部８１のフランジ部８２ａは、静電
容量センサ保持部４１の筐体４６にねじ４３でねじ止め
固定されており、その結果、コイル保持部８１の筐体８
２と、静電容量センサ保持部４１の筐体４６とは一体化
されている。こうして一体化されたコイル保持部の筐体
８２及び静電容量センサ保持部の筐体４６は、取付治具
６８の座面の裏面６８ａ側にねじ止め固定されている。The housing 46 is made of, for example, an insulating material such as a polyacetal resin formed in a rectangular parallelepiped shape, and has a through hole vertically penetrating therein. The through-hole has a central axis oriented in the vertical direction and an outer diameter equal to the outer diameter of the housing 82 of the coil holding portion 81. The housing 82 of the coil holding portion 81 is accommodated in the through hole. The flange portion 82a of the coil holding portion 81 is screwed and fixed to the housing 46 of the capacitance sensor holding portion 41 with the screw 43. As a result, the housing 8 of the coil holding portion 81
2 and the housing 46 of the capacitance sensor holding unit 41 are integrated. The housing 82 of the coil holding unit and the housing 46 of the capacitance sensor holding unit thus integrated are screwed and fixed to the back surface 68 a side of the seating surface of the mounting jig 68.
【００７１】静電容量センサ保持部４１の筐体４６の底
部には、例えばガラス−エポキシ樹脂からなるリング状
の支持基板４４が取り付けられている。この支持基板４
４上には同じくリング状の中心電極４５ａが配置され、
中心電極４５ａの内側と外側とには、同じくリング状の
ガード電極４５が配置されている。これらの支持基板４
４、中心電極４５ａ及びガード電極４５の鉛直方向での
中心軸線と、測定コイル１１の鉛直方向の中心軸線とは
互いに一致しており、基板５０表面において、測定コイ
ル１１によって渦電流を発生させる位置と、静電容量セ
ンサ保持部４１によって、測定コイル１１と基板表面の
距離を測定する位置とが一致するようになっている。A ring-shaped support substrate 44 made of, for example, glass-epoxy resin is attached to the bottom of the housing 46 of the capacitance sensor holding portion 41. This support substrate 4
4, a ring-shaped center electrode 45a is also arranged,
Similarly, ring-shaped guard electrodes 45 are arranged inside and outside the center electrode 45a. These support substrates 4
4. The vertical center axis of the center electrode 45a and the guard electrode 45 coincides with the vertical center axis of the measuring coil 11, and the position where the eddy current is generated by the measuring coil 11 on the surface of the substrate 50. And the position at which the distance between the measurement coil 11 and the substrate surface is measured by the capacitance sensor holding unit 41.
【００７２】静電容量センサ保持部４１は、容量検出距
離測定器３７に接続されている。この容量検出距離測定
器３７は、交流電源４８と、電圧計４９とバッファ回路
４７とを有している。The capacitance sensor holding section 41 is connected to the capacitance detection distance measuring device 37. The capacitance detection distance measuring device 37 includes an AC power supply 48, a voltmeter 49, and a buffer circuit 47.
【００７３】交流電源４８は、一方の出力端子が静電容
量センサ保持部４１の中心電極４５ａに接続され、他方
の出力端子が、図示しない導電性の接触部材に接続さ
れ、その接触部材は基板表面の導電膜５２に接触してお
り、交流電源４８を起動すると、中心電極４５ａと導電
膜５２との間に、一定の交流電流を供給するように構成
されている。また、バッファ回路４７は、その出力イン
ピーダンスが低く構成され、入力端子が交流電源４８の
出力端子に接続され、出力端子がガード電極４５に接続
されており、交流電源４８から供給される、一定の交流
電流をインピーダンス変換した後にガード電極４５に供
給して、ガード電極４５の電位が中心電極４５ａと同電
位となるようにしている。The AC power supply 48 has one output terminal connected to the center electrode 45a of the capacitance sensor holding portion 41, the other output terminal connected to a conductive contact member (not shown), and the contact member connected to the substrate. It is in contact with the conductive film 52 on the surface, and when the AC power supply 48 is activated, a constant AC current is supplied between the center electrode 45a and the conductive film 52. The buffer circuit 47 has a low output impedance, has an input terminal connected to the output terminal of the AC power supply 48, and an output terminal connected to the guard electrode 45. The alternating current is supplied to the guard electrode 45 after impedance conversion, so that the potential of the guard electrode 45 is the same as that of the center electrode 45a.
【００７４】電圧計４９は、一端がガード電極４５に接
続され、他端が図示しない導電性の接触部材に接続さ
れ、その接触部材が導電膜５２表面に接触することで、
ガード電極４５と導電膜５２との間に生じた電圧を測定
できるように構成されている。The voltmeter 49 has one end connected to the guard electrode 45, the other end connected to a conductive contact member (not shown), and the contact member coming into contact with the surface of the conductive film 52.
The voltage between the guard electrode 45 and the conductive film 52 can be measured.
【００７５】なお、本実施の形態の場合は、導電膜５２
が切換スイッチ３８を介して接地電位に接続されるよう
に構成されており、切換スイッチ３８を所定タイミング
で導通させ、導電膜５２を接地させられるように構成さ
れている。In the case of this embodiment, the conductive film 52
Are connected to the ground potential via the changeover switch 38, the switch 38 is turned on at a predetermined timing, and the conductive film 52 is grounded.
【００７６】このような構成を有する本実施の形態にお
いて膜厚の測定をする場合には、測定すべき導電膜５２
が形成された基板５０を、搬入出口２０から測定室２内
に搬入し、支持台３上に載置して支持させた後、アーム
７を移動させ、その先端部に設けられたセンサ保持部５
５及び回路保持部６１を、導電膜５２の上方の所定位置
に位置させる。In the present embodiment having such a configuration, when measuring the film thickness, the conductive film 52 to be measured is required.
The substrate 50 on which is formed is carried into the measurement chamber 2 from the carry-in / out port 20, and is placed and supported on the support table 3, and then the arm 7 is moved, and the sensor holding portion provided at the tip end thereof is moved. 5
5 and the circuit holding portion 61 are located at predetermined positions above the conductive film 52.
【００７７】そして、切換スイッチ３８を導通させて導
電膜５２を接地させる。次に、交流電源４８から導電膜
５２及び中心電極４５ａに一定の交流電流を供給すると
ともに、ガード電極４５に、バッファ４７を介して交流
電源４８から一定の交流電流を供給する。Then, the switch 38 is turned on to ground the conductive film 52. Next, a constant AC current is supplied from the AC power supply 48 to the conductive film 52 and the center electrode 45 a, and a constant AC current is supplied to the guard electrode 45 from the AC power supply 48 via the buffer 47.
【００７８】ここで、本実施の形態の静電容量センサ４
０にあっては、ガード電極４５と中心電極４５ａとが同
電位となっているため、中心電極４５ａと導電膜５２の
間ではドーナツ状の平行平板コンデンサが形成される。Here, the capacitance sensor 4 of the present embodiment
In the case of 0, since the guard electrode 45 and the center electrode 45a have the same potential, a donut-shaped parallel plate capacitor is formed between the center electrode 45a and the conductive film 52.
【００７９】その結果、電圧計４９において測定される
電圧Ｖは、以下の式で示すように、中心電極４５ａと導
電膜５２との距離ｇに比例する。 Ｖ＝(Ｉ/ωε0Ａ)ｇ Ｉ：電流値 ω：交流電源の角周波数 ε0：真空誘電率 Ａ：中心電極の面積 そして、このようにして測定された電圧Ｖは、コンピュ
ータ３３に出力される。コンピュータ３３はこの電圧Ｖ
に基づき、中心電極４５ａの端部と面一の位置にある測
定コイル１１と、導電膜５２との間の距離を算出する。
そして、この距離と予めコンピュータ３３に記憶させて
おいた値とを比較し、その差分が０になるように駆動機
構３４を制御して、アーム７を上下動させる。As a result, the voltage V measured by the voltmeter 49 is proportional to the distance g between the center electrode 45a and the conductive film 52 as shown by the following equation. V = (I / ωε 0 A) g I: Current value ω: Angular frequency of AC power supply ε 0 : Vacuum permittivity A: Center electrode area The voltage V thus measured is output to the computer 33. Is done. The computer 33 calculates the voltage V
Is calculated based on the distance between the conductive film 52 and the measuring coil 11 located at a position flush with the end of the center electrode 45a.
Then, the distance is compared with a value stored in the computer 33 in advance, and the driving mechanism 34 is controlled so that the difference becomes zero, and the arm 7 is moved up and down.
【００８０】ここで、切換スイッチ３８を遮断して導電
膜５２の接地状態を解除する。次いで、この位置におい
て測定コイル１１に交流電流を供給して導電膜５２の膜
厚測定位置に渦電流を発生させ、図１の膜厚測定装置１
と同様に、測定コイル１１のインダクタンスの変化量を
測定する。そして、以下、上記実施の形態と同様の手順
を行うことにより、導電膜５２上の当該位置の膜厚を算
出する。Here, the changeover switch 38 is turned off to release the grounding state of the conductive film 52. Next, an AC current is supplied to the measurement coil 11 at this position to generate an eddy current at the position where the film thickness of the conductive film 52 is measured.
Similarly, the amount of change in the inductance of the measurement coil 11 is measured. Then, the film thickness at the position on the conductive film 52 is calculated by performing the same procedure as in the above embodiment.
【００８１】以上述べたように本実施の形態によれば、
上記実施の形態と同様、従来の非接触の膜厚測定装置に
比べて迅速に膜厚の測定を行うことができるとともに、
簡素な構成で安価に膜厚の測定を行うことができる。As described above, according to the present embodiment,
As in the above embodiment, the film thickness can be measured more quickly than a conventional non-contact film thickness measurement device,
The film thickness can be measured at a low cost with a simple configuration.
【００８２】なお、本発明は上述の実施の形態に限られ
ることなく、種々の変更を行うことができる。例えば、
ケーブル７８の長さを５cmとしたが、本発明のケーブル
の長さはこれに限られるものではなく、１０cm以下であ
ればよく、例えば２cmでもよい。要するに、ごく近傍に
配置し、物理的に接続可能であれば、短い方が良い。Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes can be made. For example,
Although the length of the cable 78 is 5 cm, the length of the cable of the present invention is not limited to this, and may be 10 cm or less, for example, 2 cm. In short, the shorter the better, as long as they are placed very close and physically connectable.
【００８３】また、コイル保持部８１では、その筐体８
２に貫通孔８３を設け、レーザセンサのレーザ光が、そ
の貫通孔８３を貫いて基板表面に照射されるようにする
ことにより、測定コイル１１及び基準コイル１２による
測定位置とレーザ光の照射位置が一致するように構成し
たが、本発明はこれに限らず、レーザ光がコイル保持部
の内部を通らずに、その側方を通って基板表面に照射さ
れるように構成してもよい。In the coil holding section 81, the housing 8
2 is provided with a through hole 83 so that the laser beam of the laser sensor is irradiated on the substrate surface through the through hole 83, so that the measurement position of the measurement coil 11 and the reference coil 12 and the irradiation position of the laser light However, the present invention is not limited to this, and the laser beam may be applied to the surface of the substrate through the side thereof without passing through the inside of the coil holding unit.
【００８４】また、上述の実施の形態においては、アー
ム７先端を基板５０の上方で移動させることにより、基
板５０とアーム７の先端とを相対的に移動させ、基板５
０表面における膜厚測定位置を変えるようにしたが、本
発明はこれに限られず、アーム７の先端を静止させ、支
持台３を水平面内で移動させることで、基板５０とアー
ム７の先端とを相対的に移動させることも可能である。In the above-described embodiment, the tip of the arm 7 is moved above the substrate 50, so that the substrate 50 and the tip of the arm 7 are relatively moved.
The position of the film thickness measurement on the surface 0 is changed. However, the present invention is not limited to this. By stopping the tip of the arm 7 and moving the support 3 in a horizontal plane, the substrate 50 and the tip of the arm 7 can be moved. Can be relatively moved.
【００８５】また、上述の実施の形態においては、膜厚
を測定する際に、測定コイル１１と導電膜５２との相対
的な距離を一定にするようにしたが、測定コイル１１と
導電膜５２との相対的な距離に応じたデータベースを作
製しておき、膜厚測定の際に、測定コイル１１と導電膜
５２との相対的な距離を測定し、測定された距離に応じ
たデータを測定値と照合することで、膜厚を求めること
も可能である。In the above embodiment, when measuring the film thickness, the relative distance between the measurement coil 11 and the conductive film 52 is made constant. A database corresponding to the relative distance between the measurement coil 11 and the conductive film 52 is measured at the time of film thickness measurement, and data corresponding to the measured distance is measured. The film thickness can also be obtained by collating with the value.
【００８６】また、測定コイル１１と基準コイル１２と
は、それぞれの中心軸線が互いに一致した状態で上下に
配置されているものとしたが、本発明はこれに限らず、
各コイル１１、１２が近接した状態で、かつ測定コイル
１１が基準コイル１２よりも基板に近く位置するように
構成されていればよい。The measurement coil 11 and the reference coil 12 are arranged one above the other with their central axes aligned with each other. However, the present invention is not limited to this.
It is sufficient that the coils 11 and 12 are arranged close to each other and the measuring coil 11 is positioned closer to the substrate than the reference coil 12 is.
【００８７】また、測定室２は大気圧中で基板表面の導
電膜の膜厚を測定するように構成したが、測定室２内部
を真空排気可能にし、真空雰囲気中で測定するように構
成することも可能である。Although the measurement chamber 2 is configured to measure the thickness of the conductive film on the substrate surface at atmospheric pressure, the inside of the measurement chamber 2 can be evacuated to measure in a vacuum atmosphere. It is also possible.
【００８８】さらに、本発明は、例えば、金属膜成膜装
置やＣＭＰ装置等の種々のプロセスを行う装置に適用で
き、また、シリコン基板やガラス基板等の種々の基板に
も適用しうるものである。Further, the present invention can be applied to various apparatuses such as a metal film forming apparatus and a CMP apparatus for performing various processes, and can be applied to various substrates such as a silicon substrate and a glass substrate. is there.
【００８９】[0089]
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、基板
上に形成された導電性の薄膜の膜厚を効率良く、しかも
安価で測定することができる。As described above, according to the present invention, the thickness of a conductive thin film formed on a substrate can be measured efficiently and at low cost.
【図１】本発明の一実施形態の概略全体構成図FIG. 1 is a schematic overall configuration diagram of an embodiment of the present invention.
【図２】本発明のインダクタンスブリッジを説明する回
路図FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an inductance bridge according to the present invention.
【図３】本実施形態の測定コイルと基準コイルの相対的
な位置関係を説明するための図FIG. 3 is a diagram for explaining a relative positional relationship between a measurement coil and a reference coil according to the embodiment;
【図４】本発明の一実施形態のアーム先端部付近を説明
する断面図FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the vicinity of a tip end of an arm according to an embodiment of the present invention.
【図５】本発明の一実施形態のアーム先端部付近を説明
する側面図FIG. 5 is a side view illustrating the vicinity of an arm tip portion according to the embodiment of the present invention.
【図６】本発明の一実施形態の回路構成を説明する図FIG. 6 is a diagram illustrating a circuit configuration according to an embodiment of the present invention.
【図７】本発明の一実施形態に係るレーザセンサとコイ
ル保持部との位置関係を説明する断面図FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a positional relationship between a laser sensor and a coil holding unit according to an embodiment of the present invention.
【図８】本発明の他の実施形態の概略全体構成図FIG. 8 is a schematic overall configuration diagram of another embodiment of the present invention.
【図９】本発明の他の実施形態のアーム先端部付近を説
明する断面図FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating the vicinity of the tip of an arm according to another embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の他の実施形態のアーム先端部付近を
説明する側面図FIG. 10 is a side view illustrating the vicinity of the tip of an arm according to another embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の他の実施形態のセンサ保持部を説明
する断面図FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a sensor holding unit according to another embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の測定原理を説明するグラフFIG. 12 is a graph illustrating the measurement principle of the present invention.
１…膜厚測定装置 １１…測定コイル (インダクタ
ンス素子) １２…基準コイル(インダクタンス素子)
１４、１５…抵抗素子 ２５…プリアンプ ５０…基
板(測定対象) ５２…導電膜 ６１…回路保持部 ８
１…コイル保持部７８…ケーブル(導線)DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film thickness measuring device 11 ... Measuring coil (inductance element) 12 ... Reference coil (inductance element)
14, 15: resistance element 25: preamplifier 50: substrate (measurement target) 52: conductive film 61: circuit holding part 8
1. Coil holding part 78: Cable (conductor)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 静雄 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 Ｆターム(参考） 2F063 AA16 BB02 BC09 CA08 DA01 EA20 GA03 GA29 GA61 HA04 LA06 LA11 LA27 ZA01 2G028 AA01 BB09 BC02 CG06 DH05 EJ07 JP04 4M106 BA05 BA14 CA48 CA70 DE24 DH03 DH16 DH32 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shizuo Nakamura 2500 Hagizono, Chigasaki-shi, Kanagawa Japan Vacuum Engineering Co., Ltd.F-term (reference) BC02 CG06 DH05 EJ07 JP04 4M106 BA05 BA14 CA48 CA70 DE24 DH03 DH16 DH32
Claims (5)
ス素子と、 前記二個のインダクタンス素子を保持するコイル保持部
と、 互いに直列接続された二個の抵抗素子と、 前記インダクタンス素子の直列接続回路と、前記抵抗素
子の直列接続回路とが並列に接続されて構成されるイン
ダクタンスブリッジの出力信号を増幅するプリアンプ
と、 少なくとも前記プリアンプを保持する回路保持部とを有
するインダクタンス測定装置であって、 前記一方のインダクタンス素子は、他方のインダクタン
ス素子よりも測定対象に対して近い位置で前記コイル保
持部に保持され、 前記コイル保持部と前記回路保持部とは互いに固定され
たことを特徴とするインダクタンス測定装置。A coil connection section for holding the two inductance elements; a two resistance element connected in series with each other; and a series connection circuit of the inductance elements. And a preamplifier that amplifies an output signal of an inductance bridge configured by connecting a series connection circuit of the resistance elements in parallel, and a circuit holding unit that holds at least the preamplifier, wherein: One of the inductance elements is held by the coil holding part at a position closer to the measurement target than the other inductance element, and the coil holding part and the circuit holding part are fixed to each other. apparatus.
保持するように構成された請求項１記載のインダクタン
ス測定装置。2. The inductance measuring apparatus according to claim 1, wherein said circuit holding section is configured to hold said two resistance elements.
インダクタンス素子の接続中点又は前記二個の抵抗素子
の接続中点のいずれか一方又は両方に接続されたことを
特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の
インダクタンス測定装置。3. The input terminal of the preamplifier is connected to one or both of a connection midpoint of the two inductance elements and a connection midpoint of the two resistance elements. An inductance measuring device according to claim 1 or claim 2.
回路と、前記二個の抵抗素子の直列接続回路とを接続す
る導線の長さは、１０cm以下であるように構成されたこ
とを特徴とする請求項２又は請求項３のいずれか１項記
載のインダクタンス測定装置。4. A length of a conducting wire connecting the series connection circuit of the two inductance elements and the series connection circuit of the two resistance elements is set to be 10 cm or less. The inductance measuring device according to any one of claims 2 and 3, wherein
能に構成されたことを特徴とする請求項１乃至請求項４
のいずれか１項記載のインダクタンス測定装置。5. The apparatus according to claim 1, further comprising a support for supporting the object to be measured, wherein the support and the coil holder are relatively movable.
The inductance measuring device according to any one of claims 1 to 7.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000383187A JP4514944B2 (en) | 2000-12-18 | 2000-12-18 | Film thickness measuring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000383187A JP4514944B2 (en) | 2000-12-18 | 2000-12-18 | Film thickness measuring device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002181507A true JP2002181507A (en) | 2002-06-26 |
| JP4514944B2 JP4514944B2 (en) | 2010-07-28 |
Family
ID=18850884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000383187A Expired - Lifetime JP4514944B2 (en) | 2000-12-18 | 2000-12-18 | Film thickness measuring device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4514944B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007240158A (en) * | 2006-03-04 | 2007-09-20 | Murata Mfg Co Ltd | Resistance measuring device and resistance measuring method of thermistor |
| JP2009139092A (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Justem:Kk | Capacitance type multipoint thickness measurement method and device |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5344077A (en) * | 1976-10-04 | 1978-04-20 | Nippon Kokan Kk | Method of compensating sensitivity of probe type eddy current flaw detector |
| JPS62144002A (en) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Anelva Corp | Apparatus for measuring thickness of metal membrane |
| JPS62225903A (en) * | 1986-03-27 | 1987-10-03 | Kobe Steel Ltd | Apparatus for measuring thickness of liner coated pipe |
| JPS62235505A (en) * | 1986-04-04 | 1987-10-15 | Kobe Steel Ltd | Measurement of thickness of lined pipe |
| JPH0412547A (en) * | 1990-05-02 | 1992-01-17 | Toshiba Corp | Film thickness distribution measuring device |
| JPH05149927A (en) * | 1991-07-19 | 1993-06-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Method and apparatus for inspecting conductor film |
| JPH07167838A (en) * | 1993-08-18 | 1995-07-04 | Micro Epsilon Messtechnik Gmbh & Co Kg | Arrangement of sensor for examining physical property of surface layer of metal object and method therefor |
| JPH08297006A (en) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Kyoto Jushi Seiko Kk | Apparatus for measuring thickness of insulating coating formed on moving metallic plate and measuring method therefor |
| JPH10325829A (en) * | 1997-05-22 | 1998-12-08 | Daido Steel Co Ltd | Eddy current flaw detector |
| JP2000146510A (en) * | 1998-11-10 | 2000-05-26 | Hosiden Corp | Thickness detector and picture image recorder using the same |
| JP2001343205A (en) * | 2000-03-28 | 2001-12-14 | Toshiba Corp | Eddy current loss measuring sensor, apparatus and method for measurement of film thickness as well as recording medium |
-
2000
- 2000-12-18 JP JP2000383187A patent/JP4514944B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5344077A (en) * | 1976-10-04 | 1978-04-20 | Nippon Kokan Kk | Method of compensating sensitivity of probe type eddy current flaw detector |
| JPS62144002A (en) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Anelva Corp | Apparatus for measuring thickness of metal membrane |
| JPS62225903A (en) * | 1986-03-27 | 1987-10-03 | Kobe Steel Ltd | Apparatus for measuring thickness of liner coated pipe |
| JPS62235505A (en) * | 1986-04-04 | 1987-10-15 | Kobe Steel Ltd | Measurement of thickness of lined pipe |
| JPH0412547A (en) * | 1990-05-02 | 1992-01-17 | Toshiba Corp | Film thickness distribution measuring device |
| JPH05149927A (en) * | 1991-07-19 | 1993-06-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Method and apparatus for inspecting conductor film |
| JPH07167838A (en) * | 1993-08-18 | 1995-07-04 | Micro Epsilon Messtechnik Gmbh & Co Kg | Arrangement of sensor for examining physical property of surface layer of metal object and method therefor |
| JPH08297006A (en) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Kyoto Jushi Seiko Kk | Apparatus for measuring thickness of insulating coating formed on moving metallic plate and measuring method therefor |
| JPH10325829A (en) * | 1997-05-22 | 1998-12-08 | Daido Steel Co Ltd | Eddy current flaw detector |
| JP2000146510A (en) * | 1998-11-10 | 2000-05-26 | Hosiden Corp | Thickness detector and picture image recorder using the same |
| JP2001343205A (en) * | 2000-03-28 | 2001-12-14 | Toshiba Corp | Eddy current loss measuring sensor, apparatus and method for measurement of film thickness as well as recording medium |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007240158A (en) * | 2006-03-04 | 2007-09-20 | Murata Mfg Co Ltd | Resistance measuring device and resistance measuring method of thermistor |
| JP2009139092A (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Justem:Kk | Capacitance type multipoint thickness measurement method and device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4514944B2 (en) | 2010-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6700370B2 (en) | Apparatus for measuring the thickness of a thin film having eddy current coil sensor | |
| US6909302B2 (en) | Real-time in-line testing of semiconductor wafers | |
| JP2940815B2 (en) | Method and apparatus for inspecting conductive circuit board | |
| US6356097B1 (en) | Capacitive probe for in situ measurement of wafer DC bias voltage | |
| JP2002176088A (en) | Semiconductor device inspecting device | |
| KR100389277B1 (en) | Sheet resistance meter | |
| US6911350B2 (en) | Real-time in-line testing of semiconductor wafers | |
| US6794886B1 (en) | Tank probe for measuring surface conductance | |
| US6448795B1 (en) | Three coil apparatus for inductive measurements of conductance | |
| JP2000055956A (en) | Infinitesimal capacity measuring system and probing system | |
| US4924096A (en) | Non-contact testing of photovoltaic detector arrays | |
| JP4514944B2 (en) | Film thickness measuring device | |
| JP3559158B2 (en) | Electromagnetic noise measuring device and electromagnetic noise measuring method using near magnetic field probe | |
| US20040207395A1 (en) | Eddy current-capacitance sensor for conducting film characterization | |
| US4023102A (en) | Test fixture | |
| US3315156A (en) | Method for determining the electrical resistance of a body of extremely pure semiconductor material for electronic purposes | |
| JP2004063486A (en) | Chuck mechanism for prober | |
| JP3068959B2 (en) | Surface inspection device and surface inspection method | |
| US3714561A (en) | A transducer for measuring the displacement of an electrically conductive objective | |
| RU1794187C (en) | Device for examining sections of rocks | |
| JPH0460228B2 (en) | ||
| JP2004012435A (en) | Film thickness measuring method and its device | |
| KR20040106107A (en) | Sheet resistance measuring instrument of non contact | |
| KR890004348Y1 (en) | Minute with measurement | |
| JP2000002524A (en) | Semiconductor wafer surface shape measuring device and surface shape measuring method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071005 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091015 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091028 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091216 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091216 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100401 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100401 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100512 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4514944 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160521 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |