JP2002175988A - Valve unit and heat treatment apparatus - Google Patents

Valve unit and heat treatment apparatus

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JP2002175988A
JP2002175988A JP2000370642A JP2000370642A JP2002175988A JP 2002175988 A JP2002175988 A JP 2002175988A JP 2000370642 A JP2000370642 A JP 2000370642A JP 2000370642 A JP2000370642 A JP 2000370642A JP 2002175988 A JP2002175988 A JP 2002175988A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress adherence of a reaction product on the surface of bellows in a valve chest. SOLUTION: A valve apparatus 4, provided in an exhaust shell 3 of a heat treatment furnace 2 comprises a valve chest 23 which includes a gas inlet 21 and a gas outlet 22 connected through to the exhaust shell 3; a valve body 24 for opening and closing the gas inlet 21 side provided in the valve chest 23; a driving section 26 for opening and closing the valve body 24 provided outside of the valve chest 23 via a valve bar 27; a bellows 30 provided between the valve chest 23 and the valve body 24 for sealing a valve bar penetration bore section 29 for the valve chest 23; and a bellows-storing chamber 31 for storing the bellows 30, when the valve body 24 provided in the valve chest 23 opens.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、弁装置および熱処
理装置に関する。
[0001] The present invention relates to a valve device and a heat treatment device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理体例えば半導体ウエハに、酸化、拡散、CVD(Chem
ical Vapor Deposition)などの処理を施すために、
各種の熱処理装置が用いられている。この熱処理装置
は、半導体ウエハを収容して所定の処理ガス雰囲気下で
所定の熱処理を施す熱処理炉と、この熱処理炉の排気系
に設けられた弁装置とを備えている。
2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, an object to be processed, for example, a semiconductor wafer, is oxidized, diffused, and CVD (Chemical).
ical Vapor Deposition)
Various heat treatment apparatuses are used. The heat treatment apparatus includes a heat treatment furnace that accommodates a semiconductor wafer and performs a predetermined heat treatment under a predetermined processing gas atmosphere, and a valve device provided in an exhaust system of the heat treatment furnace.

【0003】この弁装置は、前記排気系と連通するガス
入口およびガス出口を有する弁室と、該弁室内に設けら
れ前記ガス入口側を開閉する弁体と、前記弁室外に設け
られ前記弁体を弁棒を介して開閉駆動する駆動部と、前
記弁室の弁棒貫通部を封止すべく弁室と弁体との間に介
設されたベローズとを備えている。
The valve device includes a valve chamber having a gas inlet and a gas outlet communicating with the exhaust system, a valve body provided in the valve chamber to open and close the gas inlet side, and the valve provided outside the valve chamber. A drive unit for opening and closing the body via a valve stem is provided with a bellows interposed between the valve chamber and the valve body to seal a valve stem penetration portion of the valve chamber.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記排気系
を介して排気される排気ガス中には熱処理時に余った処
理ガス(反応ガス)が含まれているため、排気系の弁装
置等に反応生成物が付着する問題がある。そのため、こ
れを防止する目的で、弁室にはこれを一定の温度例えば
170℃に加熱する加熱手段が設けられている。
The exhaust gas exhausted through the exhaust system contains excess processing gas (reactive gas) during the heat treatment. There is a problem that the product adheres. Therefore, in order to prevent this, the valve chamber is provided with a heating means for heating the valve chamber to a constant temperature, for example, 170 ° C.

【0005】しかしながら、構造上、ベローズを均一に
加熱することは困難である。このため、ベローズの表面
に反応生成物が付着するのを抑制することは難しく、ベ
ローズの表面に付着した反応性生成物がベローズの伸縮
動により剥離してパーティクルとなり、熱処理炉内に逆
流してウエハの汚染源になる恐れがある。
However, it is difficult to uniformly heat the bellows due to its structure. For this reason, it is difficult to suppress the reaction product from adhering to the surface of the bellows. This can be a source of wafer contamination.

【0006】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、弁室内のベローズの表面に反応生成物が付着する
のを抑制することができる弁装置および熱処理装置を提
供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a valve device and a heat treatment device that can suppress the adhesion of reaction products to the surface of a bellows in a valve chamber. I do.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項1
の発明は、熱処理炉の排気系に設けられる弁装置であっ
て、前記排気系と連通するガス入口およびガス出口を有
する弁室と、該弁室内に設けられ前記ガス入口側を開閉
する弁体と、前記弁室外に設けられ前記弁体を弁棒を介
して開閉駆動する駆動部と、前記弁室の弁棒貫通部を封
止すべく弁室と弁体との間に介設されたベローズと、前
記弁室内に設けられ弁体が開弁した時に前記ベローズを
格納するベローズ格納室とを備えたことを特徴とする。
Means for Solving the Problems In the present invention, claim 1 is provided.
The present invention is a valve device provided in an exhaust system of a heat treatment furnace, comprising: a valve chamber having a gas inlet and a gas outlet communicating with the exhaust system; and a valve body provided in the valve chamber to open and close the gas inlet side. A drive unit provided outside the valve chamber and driving the valve body to open and close via a valve rod; and a drive unit disposed between the valve chamber and the valve body to seal a valve rod penetration part of the valve chamber. A bellows storage chamber provided in the valve chamber for storing the bellows when a valve element is opened.

【0008】請求項2の発明は、請求項1記載の弁装置
において、前記弁体が開弁時にベローズ格納室を密閉す
る気密部材を有していることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the valve device according to the first aspect, the valve body has an airtight member that seals the bellows storage chamber when the valve is opened.

【0009】請求項3の発明は、請求項1記載の弁装置
において、前記ベローズ格納室内に不活性ガスを導入す
るための不活性ガス導入部を備えたことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the valve device according to the first aspect, an inert gas introduction portion for introducing an inert gas into the bellows storage chamber is provided.

【0010】請求項4の発明は、熱処理炉の排気系に弁
装置を備えた熱処理装置であって、前記弁装置が、前記
排気系と連通するガス入口およびガス出口を有する弁室
と、該弁室内に設けられ前記ガス入口側を開閉する弁体
と、前記弁室外に設けられ前記弁体を弁棒を介して開閉
駆動する駆動部と、前記弁室の弁棒貫通部を封止すべく
弁室と弁体との間に介設されたベローズと、前記弁室内
に設けられ弁体が開弁した時に前記ベローズを格納する
ベローズ格納室とを備えたことを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus having a valve device in an exhaust system of a heat treatment furnace, wherein the valve device has a valve chamber having a gas inlet and a gas outlet communicating with the exhaust system. A valve body provided in the valve chamber for opening and closing the gas inlet side, a drive unit provided outside the valve chamber for driving the valve body to open and close via a valve rod, and a valve rod penetration part of the valve chamber is sealed. A bellows is provided between the valve chamber and the valve body, and a bellows storage chamber is provided in the valve chamber and stores the bellows when the valve body is opened.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図1は本発明の第1の実施の
形態を示す熱処理装置の構成図である。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a configuration diagram of a heat treatment apparatus showing a first embodiment of the present invention.

【0012】図1に示すように、熱処理装置1は、被処
理体例えば半導体ウエハWを収容し、所定の処理ガス雰
囲気下および所定の高温下で熱処理する熱処理炉2を備
え、この熱処理炉2の排気系3には弁装置である例えば
メインバルブ4が設けられている。図示例の熱処理炉1
は、上端が閉塞され下端が開放した縦長円筒状の耐熱性
を有する例えば石英製の反応管(処理容器)5を備え、
多数枚例えば150枚程度のウエハwを一度に熱処理可
能な縦型のバッチ式炉として構成されている。
As shown in FIG. 1, a heat treatment apparatus 1 includes a heat treatment furnace 2 that accommodates an object to be processed, for example, a semiconductor wafer W, and performs a heat treatment under a predetermined processing gas atmosphere and a predetermined high temperature. The exhaust system 3 is provided with, for example, a main valve 4 which is a valve device. Heat treatment furnace 1 shown in the figure
Is provided with a heat-resistant, e.g. quartz-made reaction tube (processing vessel) 5 having a vertically long cylindrical shape having an upper end closed and an open lower end,
It is configured as a vertical batch furnace capable of heat-treating a large number of, for example, about 150 wafers w at a time.

【0013】また、図示例の反応管5は、内管5aと外
管5bを同心円状に配置した二重管構造とされている
が、単一管構造であってもよい。この反応管5は、炉口
として開放した下端開口部が蓋体6で気密に閉塞される
ことにより、気密性の高い熱処理炉2を構成するように
なっている。前記蓋体6上には、多数枚のウエハWを水
平状態で上下方向に間隔をおいて多段に支持する基板支
持具である例えば石英製のウエハボート7が回転可能な
ボート載置台8を介して載置されている。
The illustrated reaction tube 5 has a double tube structure in which an inner tube 5a and an outer tube 5b are arranged concentrically, but may have a single tube structure. The reaction tube 5 constitutes a highly airtight heat treatment furnace 2 with its lower end opening, which is open as a furnace port, airtightly closed by a lid 6. On the lid 6, a wafer support 7, for example, a quartz wafer boat 7, which is a substrate support for supporting a large number of wafers W in a horizontal state and spaced vertically in a multi-stage manner, is provided via a rotatable boat mounting table 8. It is placed.

【0014】蓋体6は、図示しない昇降機構により、処
理炉2内へのウエハボート7のロード(搬入)ならびに
アンロード(搬出)および炉口の開閉を行うように構成
されている。また、前記反応管5の周囲には、炉内を所
定の温度例えば300〜1000℃に加熱制御可能な抵
抗発熱体からなるヒーター11が設けられている。ヒー
ター11の周囲は冷却ジャケット12で覆われている。
The lid 6 is configured to load (load) and unload (unload) the wafer boat 7 into the processing furnace 2 and open and close the furnace port by a lifting mechanism (not shown). Around the reaction tube 5 is provided a heater 11 composed of a resistance heating element capable of controlling the inside of the furnace to a predetermined temperature, for example, 300 to 1000 ° C. The periphery of the heater 11 is covered with a cooling jacket 12.

【0015】反応管5の下側部には、処理ガスを導入す
るガス導入管部13が設けられ、このガス導入管部13
に処理ガス供給系が接続されている。また、前記反応管
5の下側部には、反応管5内を排気するための排気管部
14が設けられ、この排気管部14には排気系3が接続
されている。この排気系3は、例えばステンレス製の配
管(排気管)からなり、下流には減圧ポンプ(真空ポン
プ)15や図示しない除害装置が接続されている。
At the lower side of the reaction tube 5, there is provided a gas introduction tube 13 for introducing a processing gas.
Is connected to a processing gas supply system. An exhaust pipe section 14 for exhausting the inside of the reaction tube 5 is provided below the reaction pipe 5, and the exhaust system 3 is connected to the exhaust pipe section 14. The exhaust system 3 is composed of, for example, a stainless steel pipe (exhaust pipe), and a decompression pump (vacuum pump) 15 and an abatement device (not shown) are connected downstream.

【0016】前記排気系3には、メインバルブ4をバイ
パスするバイパス管16が接続され、このバイパス管1
6にはサブバルブ(補助弁)17が設けられている。バ
イパス管16は、排気系3の配管よりも小口径とされ、
反応管5内を真空引きする最初の段階でパーティクルを
巻き上げないようにスロー排気する場合などに用いられ
るようになっている。前記排気系3のメインバルブ4と
減圧ポンプ15との間(バイパス管16の下流接続部よ
りも下流)には、圧力制御を行うためのバタフライ弁1
8が設けられている。
A bypass pipe 16 for bypassing the main valve 4 is connected to the exhaust system 3.
6 is provided with a sub-valve (auxiliary valve) 17. The bypass pipe 16 has a smaller diameter than the pipe of the exhaust system 3,
This method is used when, for example, vacuum exhausting the inside of the reaction tube 5 is performed to perform slow exhaust so as not to wind up particles. A butterfly valve 1 for controlling pressure is provided between the main valve 4 of the exhaust system 3 and the pressure reducing pump 15 (downstream from a downstream connection portion of the bypass pipe 16).
8 are provided.

【0017】排気系3の熱処理炉2とメインバルブ4と
の間には、圧力センサ19が設けられ、この圧力センサ
19による検出圧力(検出値)を基に、熱処理炉2内す
なわち反応管5内の圧力が所望の設定圧力(設置値)に
なるよう制御部(コントローラ)20により前記バタフ
ライ弁18の開度が制御されるようになっている。ま
た、制御部20によりメインバルブ4とサブバルブ17
が切換えられると共に開閉(オン、オフ)の制御がされ
るようにようになっている。
A pressure sensor 19 is provided between the heat treatment furnace 2 of the exhaust system 3 and the main valve 4, and based on the pressure (detected value) detected by the pressure sensor 19, the inside of the heat treatment furnace 2, that is, the reaction tube 5 is detected. The opening of the butterfly valve 18 is controlled by a control unit (controller) 20 so that the internal pressure becomes a desired set pressure (installed value). Further, the main valve 4 and the sub-valve 17 are controlled by the control unit 20.
Are switched, and opening / closing (on / off) is controlled.

【0018】一方、前記メインバルブ4は、前記排気系
3と連通するガス入口21およびガス出口22を有する
弁室23を備えている。弁室23の下部にガス入口21
が設けられ、弁室23の側部にガス出口22が設けら
れ、メインバルブ4は、いわゆるアングル弁として構成
されている。弁室23内には、前記ガス入口21側を開
閉する円形の弁体24が設けられ、弁室23の上部(弁
室外)には前記弁体24を弁棒25を介して開閉駆動す
る駆動部(アクチュエータ)26が設けられている。駆
動部26は、エアシリンダによる駆動方式であることが
好ましいが、電動モータによる駆動方式であってもよ
い。
On the other hand, the main valve 4 has a valve chamber 23 having a gas inlet 21 and a gas outlet 22 communicating with the exhaust system 3. Gas inlet 21 at the bottom of valve chamber 23
Is provided, and a gas outlet 22 is provided on the side of the valve chamber 23, and the main valve 4 is configured as a so-called angle valve. A circular valve element 24 for opening and closing the gas inlet 21 side is provided in the valve chamber 23, and a drive for opening and closing the valve element 24 via a valve rod 25 is provided above the valve chamber 23 (outside the valve chamber). A section (actuator) 26 is provided. The drive unit 26 is preferably of a drive system using an air cylinder, but may be a drive system using an electric motor.

【0019】前記弁室23内のガス入口21側には、弁
体24が着座する弁座27が設けられ、弁体24の下部
には閉弁時に弁座27との間をシールする気密部材例え
ばOリング28が設けられている。前記弁棒25は、弁
室23の天井部を貫通しており、その弁室23の弁棒貫
通部29を封止すべく弁室23の天井部と弁体24の上
部との間に跨って例えばステンレス製の伸縮可能なベロ
ーズ30が介設されている。ベローズ30は、弁棒25
を囲繞する如く弁棒25と同心円状に設けられている。
A valve seat 27 on which a valve body 24 is seated is provided on the side of the gas inlet 21 in the valve chamber 23, and an airtight member for sealing a space between the valve seat 27 and the valve seat 27 when the valve is closed. For example, an O-ring 28 is provided. The valve stem 25 penetrates the ceiling of the valve chamber 23, and straddles between the ceiling of the valve chamber 23 and the upper part of the valve body 24 to seal the valve stem penetration part 29 of the valve chamber 23. For example, a stretchable bellows 30 made of stainless steel is interposed. Bellows 30 is valve stem 25
Is provided concentrically with the valve stem 25 so as to surround the shaft.

【0020】そして、前記弁室23内には、弁体24が
上方に移動されて開弁した時に、弁体24の上昇移動に
伴って収縮される前記ベローズ30を格納するためのベ
ローズ格納室31が形成されている。このベローズ格納
室31は、弁室23内を上下に仕切る如く弁室23内に
設けられた仕切壁32によって弁室23内の上部領域に
形成されている。この仕切壁32には、ベローズ30が
緩く貫通する開口部(ベローズ格納室の開口部)33が
形成されている。
In the valve chamber 23, a bellows storage chamber for storing the bellows 30, which is contracted with the upward movement of the valve body 24 when the valve body 24 is moved upward and opened. 31 are formed. The bellows storage chamber 31 is formed in an upper region in the valve chamber 23 by a partition wall 32 provided in the valve chamber 23 so as to partition the inside of the valve chamber 23 up and down. The partition wall 32 has an opening 33 (opening of the bellows storage chamber) through which the bellows 30 penetrates loosely.

【0021】弁体24が開弁した時に、熱処理炉2内か
ら排出されて弁室23内をガス入口21からガス出口2
2へ流れる排気ガスがベローズ格納室31内へ侵入する
のを防止するために、弁体24の上部には、前記仕切壁
32の下面に当接してベローズ格納室31を密閉する気
密部材例えばOリング34が設けられている。この場
合、弁体24は、仕切壁32の開口部33よりも直径が
大きく形成されており、開弁した弁体24によりベロー
ズ格納室31の開口部33を覆う(塞ぐ)ことができる
ようになっているが、その時の気密性を持たせるために
弁体24と仕切壁32との間をシールするOリング34
が設けられていることが好ましい。熱処理炉1内から排
出される排気ガスには未反応の処理ガスが含まれてお
り、その処理ガス成分が所定の温度例えば150度を下
回ると反応生成物として析出するので、これを防止する
ために排気系3の配管やメインバルブ4には、排気ガス
が接する部分を所定の温度例えば170℃に加熱(加
温)する加熱手段例えば抵抗発熱体が取付けられている
(図示省略)。
When the valve 24 is opened, it is discharged from the heat treatment furnace 2 and passes through the valve chamber 23 from the gas inlet 21 to the gas outlet 2.
In order to prevent the exhaust gas flowing into the bellows 2 from entering the bellows storage chamber 31, an airtight member such as O is provided on the upper part of the valve body 24 to abut the lower surface of the partition wall 32 to seal the bellows storage chamber 31. A ring 34 is provided. In this case, the valve body 24 is formed to have a larger diameter than the opening 33 of the partition wall 32 so that the opening 33 of the bellows storage chamber 31 can be covered (closed) by the opened valve body 24. However, an O-ring 34 for sealing between the valve body 24 and the partition wall 32 in order to provide airtightness at that time.
Is preferably provided. The exhaust gas discharged from the heat treatment furnace 1 contains unreacted processing gas, and when the processing gas component falls below a predetermined temperature, for example, 150 ° C., it precipitates as a reaction product. A heating means for heating (heating) a portion in contact with the exhaust gas to a predetermined temperature, for example, 170 ° C., for example, a resistance heating element is attached to the piping of the exhaust system 3 and the main valve 4 (not shown).

【0022】次に、以上の構成からなるメインバルブお
よび熱処理装置の作用を述べる。熱処理炉2の反応管5
内にウエハwを搭載したウエハボート7を搬入して炉口
を蓋体6で密閉したなら、先ずメインバルブ4を閉、サ
ブバルブ17を開にして、減圧ポンプ15の駆動により
反応管5内を所定の圧力までスロー排気により減圧し、
次いでメインバルブ4を開に切換えて、処理圧力まで減
圧する。
Next, the operation of the main valve and the heat treatment apparatus configured as described above will be described. Reaction tube 5 of heat treatment furnace 2
When the wafer boat 7 loaded with the wafer w therein is loaded and the furnace port is sealed with the lid 6, the main valve 4 is closed, the sub-valve 17 is opened, and the inside of the reaction tube 5 is driven by the decompression pump 15. Depressurized by slow exhaust to a predetermined pressure,
Next, the main valve 4 is switched to open to reduce the pressure to the processing pressure.

【0023】そして、ヒーター11によりウエハwを所
定の熱処理温度に加熱昇温させると共に、反応管5内に
処理ガスを導入することによりウエハwに所定の熱処理
例えばCVD処理を施す。この熱処理の過程では、反応
管5内の圧力が圧力センサ19の検出圧力を基に所定の
設定圧力になるように制御部20によるバタフライ弁4
の開度制御により制御されている。また、熱処理炉2の
反応管5からの排気ガスは、排気系3のメインバルブ4
を経由して排気されている。
Then, the wafer w is heated and raised to a predetermined heat treatment temperature by the heater 11, and a predetermined heat treatment such as a CVD process is performed on the wafer w by introducing a processing gas into the reaction tube 5. In the course of this heat treatment, the butterfly valve 4 is controlled by the control unit 20 so that the pressure in the reaction tube 5 becomes a predetermined set pressure based on the pressure detected by the pressure sensor 19.
Is controlled by the opening degree control. The exhaust gas from the reaction tube 5 of the heat treatment furnace 2 is supplied to the main valve 4 of the exhaust system 3.
Has been exhausted via.

【0024】排気ガス中には未反応の処理ガスも含まれ
ているが、排気系3の配管やメインバルブ4の弁室2
3、場合によっては弁体24も予め加熱手段例えば抵抗
発熱体により所定の温度に加熱されているため、排気ガ
スと接しても反応生成物が付着生成され難いが、構造上
加熱が困難で表面積の大きいベローズ30の表面には処
理ガスが接すると反応生成物が付着生成され易い。
Although the unreacted processing gas is also contained in the exhaust gas, the piping of the exhaust system 3 and the valve chamber 2 of the main valve 4
3. In some cases, the valve body 24 is also preheated to a predetermined temperature by a heating means, for example, a resistance heating element, so that reaction products are unlikely to adhere to and generate even when in contact with exhaust gas. When the processing gas comes into contact with the surface of the bellows 30 having a large diameter, a reaction product is liable to be attached and generated.

【0025】しかしながら、前記メインバルブ4におい
ては、弁体24が開弁した時にベローズ30を格納する
ベローズ格納室31が弁室23内に設けられているた
め、ベローズ30に排気ガスが接し難くなり、弁室23
内のベローズ30の表面に反応生成物が付着するのを抑
制することができる。特に、上記実施の形態のメインバ
ルブ4においては、前記弁体24にその開弁時にベロー
ズ格納室31の開口部33を密閉するOリング34が設
けられているため、ベローズ格納室31内への排気ガス
の侵入を阻止ないし防止することができ、弁室23内の
ベローズ30の表面に反応生成物が付着するのを十分に
抑制ないし防止することができる。
However, in the main valve 4, since the bellows storage chamber 31 for storing the bellows 30 when the valve body 24 is opened is provided in the valve chamber 23, it is difficult for exhaust gas to contact the bellows 30. , Valve room 23
It is possible to suppress the reaction product from adhering to the surface of the bellows 30 in the inside. In particular, in the main valve 4 of the above embodiment, since the valve body 24 is provided with the O-ring 34 that seals the opening 33 of the bellows storage chamber 31 when the valve is opened, It is possible to prevent or prevent intrusion of exhaust gas, and it is possible to sufficiently suppress or prevent reaction products from adhering to the surface of the bellows 30 in the valve chamber 23.

【0026】従って、前記メインバルブ4および熱処理
装置1によれば、メインバルブ4のベローズ30の表面
に反応性生成物が付着し難いので、ウエハwの汚染源に
なるのを抑制ないし防止することができる。また、弁室
23内のベローズ格納室31内における反応生成物の付
着が抑制されるため、弁室23におけるベローズ格納室
31部分の加熱が不用になり、弁室全体を加熱した従来
のメインバルブに比して加熱範囲を少なくすることがで
きる。
Therefore, according to the main valve 4 and the heat treatment apparatus 1, it is difficult for reactive products to adhere to the surface of the bellows 30 of the main valve 4, so that it is possible to suppress or prevent a source of contamination of the wafer w. it can. Further, since the adhesion of the reaction product in the bellows storage chamber 31 in the valve chamber 23 is suppressed, the heating of the bellows storage chamber 31 in the valve chamber 23 becomes unnecessary, and the conventional main valve that heats the entire valve chamber is used. , The heating range can be reduced.

【0027】図2は本発明の第2の実施の形態を示す熱
処理装置の構成図である。本実施の形態において、図1
の実施の形態と同一部分は同一符号を付して説明を省略
し、異なる部分について説明を加える。本実施の形態の
熱処理装置1においては、メインバルブ4の弁体24に
ベローズ格納室31を密閉するためのOリングが設けら
れていない代りに、ベローズ格納室31内に不活性ガス
例えば窒素ガスN2を導入するための不活性ガス導入部
35が設けられている。
FIG. 2 is a block diagram of a heat treatment apparatus showing a second embodiment of the present invention. In the present embodiment, FIG.
The same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, description thereof will be omitted, and different parts will be described. In the heat treatment apparatus 1 of the present embodiment, instead of the valve body 24 of the main valve 4 not being provided with an O-ring for sealing the bellows storage chamber 31, an inert gas such as nitrogen gas is provided in the bellows storage chamber 31. An inert gas introduction unit 35 for introducing N 2 is provided.

【0028】この不活性ガス導入部35は、不活性ガス
を導入するための配管である不活性導入管36を有し、
この不活性ガス導入管36の一端が前記ベローズ格納室
31内に連通接続されている。また、前記不活性ガス導
入管36の他端は、流量制御装置(Mass Flow Contro
ller)37および図示しない開閉弁を介して不活性ガス
のガス源に接続されている。前記流量制御装置37は、
圧力センサ19による検出圧力を基に所定流量の不活性
ガスをベローズ格納室31内に導入するように制御部2
0により制御されるように構成されている。前記不活性
ガスは、弁室23内の弁体24やベローズ30の表面を
冷却しないように例えば不活性ガス導入管36に加熱手
段例えば抵抗発熱体を設けることにより所定の温度例え
ば170℃に加熱されていることが好ましい。
The inert gas introduction section 35 has an inert introduction pipe 36 which is a pipe for introducing an inert gas.
One end of the inert gas introduction pipe 36 is connected to the inside of the bellows storage chamber 31. The other end of the inert gas introduction pipe 36 is connected to a mass flow controller (Mass Flow Control).
ller) 37 and an inert gas source via an on-off valve (not shown). The flow control device 37 includes:
The control unit 2 is configured to introduce a predetermined amount of inert gas into the bellows storage chamber 31 based on the pressure detected by the pressure sensor 19.
It is configured to be controlled by 0. The inert gas is heated to a predetermined temperature, for example, 170 ° C. by providing a heating means, for example, a resistance heating element in the inert gas introduction pipe 36 so as not to cool the surfaces of the valve body 24 and the bellows 30 in the valve chamber 23. It is preferred that

【0029】このように構成されたメインバルブ4およ
び熱処理装置1によれば、図1の実施の形態と同様の効
果が得られる他に、前記ベローズ格納室31内に不活性
ガスを導入するための不活性ガス導入部35を備えてい
るため、ベローズ格納室31内への排気ガスの侵入を不
活性ガスにより抑制ないし防止でき、弁室23内のベロ
ーズ30の表面に反応生成物が付着するのを十分に抑制
することができる。また、排気系3に不活性ガスを導入
するバラスト圧力制御が可能となる。
According to the main valve 4 and the heat treatment apparatus 1 configured as described above, the same effect as that of the embodiment of FIG. 1 can be obtained, and also, an inert gas is introduced into the bellows storage chamber 31. Of the bellows storage chamber 31 can be suppressed or prevented by the inert gas, and the reaction product adheres to the surface of the bellows 30 in the valve chamber 23. Can be sufficiently suppressed. Further, ballast pressure control for introducing an inert gas into the exhaust system 3 becomes possible.

【0030】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、熱処理装置として
は、バッチ式に限定されず、被処理体を一枚ずつ熱処理
する枚葉式であってもよい。被処理体としては、半導体
ウエハに限定されず、例えばガラス基板、LCD基板等
が適用可能である。
Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings, the present invention is not limited to the above-discussed preferred embodiments, and various design changes and the like are possible without departing from the gist of the present invention. Is possible. For example, the heat treatment apparatus is not limited to the batch type, and may be a single-wafer type in which the objects to be processed are heat-treated one by one. The object to be processed is not limited to a semiconductor wafer, and may be, for example, a glass substrate, an LCD substrate, or the like.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。
In summary, according to the present invention, the following effects can be obtained.

【0032】(1)請求項1の発明によれば、熱処理炉
の排気系に設けられる弁装置であって、前記排気系と連
通するガス入口およびガス出口を有する弁室と、該弁室
内に設けられ前記ガス入口側を開閉する弁体と、前記弁
室外に設けられ前記弁体を弁棒を介して開閉駆動する駆
動部と、前記弁室の弁棒貫通部を封止すべく弁室と弁体
との間に介設されたベローズと、前記弁室内に設けられ
弁体が開弁した時に前記ベローズを格納するベローズ格
納室とを備えているため、ベローズに排気ガスが接し難
くなり、弁室内のベローズの表面に反応生成物が付着す
るのを抑制することができる。
(1) According to the first aspect of the present invention, there is provided a valve device provided in an exhaust system of a heat treatment furnace, wherein a valve chamber having a gas inlet and a gas outlet communicating with the exhaust system is provided. A valve body provided for opening and closing the gas inlet side, a driving unit provided outside the valve chamber for driving the valve body to open and close via a valve rod, and a valve chamber for sealing a valve rod penetration portion of the valve chamber. And a bellows provided between the valve body and the bellows, and a bellows storage chamber provided in the valve chamber and storing the bellows when the valve body is opened, so that exhaust gas does not easily come into contact with the bellows. In addition, it is possible to suppress the reaction product from adhering to the surface of the bellows in the valve chamber.

【0033】(2)請求項2の発明によれば、前記弁体
が開弁時にベローズ格納室を密閉する気密部材を有して
いるため、ベローズ格納室内への排気ガスの侵入を防止
でき、弁室内のベローズの表面に反応生成物が付着する
のを十分に抑制することができる。
(2) According to the second aspect of the present invention, since the valve element has an airtight member that seals the bellows storage chamber when the valve is opened, it is possible to prevent exhaust gas from entering the bellows storage chamber. Adhesion of the reaction product to the surface of the bellows in the valve chamber can be sufficiently suppressed.

【0034】(3)請求項3の発明によれば、前記ベロ
ーズ格納室内に不活性ガスを導入するための不活性ガス
導入部を備えているため、ベローズ格納室内への排気ガ
スの侵入を不活性ガスにより防止でき、弁室内のベロー
ズの表面に反応生成物が付着するのを十分に抑制するこ
とができる。また、排気系に不活性ガスを導入するバラ
スト圧力制御が可能となる。
(3) According to the third aspect of the present invention, since the inert gas introduction portion for introducing the inert gas into the bellows storage chamber is provided, it is possible to prevent the exhaust gas from entering the bellows storage chamber. The reaction gas can be prevented by the active gas, and the adhesion of the reaction product to the surface of the bellows in the valve chamber can be sufficiently suppressed. Further, ballast pressure control for introducing an inert gas into the exhaust system becomes possible.

【0035】(4)請求項4の発明によれば、熱処理炉
の排気系に弁装置を備えた熱処理装置であって、前記弁
装置が、前記排気系と連通するガス入口およびガス出口
を有する弁室と、該弁室内に設けられ前記ガス入口側を
開閉する弁体と、前記弁室外に設けられ前記弁体を弁棒
を介して開閉駆動する駆動部と、前記弁室の弁棒貫通部
を封止すべく弁室と弁体との間に介設されたベローズ
と、前記弁室内に設けられ弁体が開弁した時に前記ベロ
ーズを格納するベローズ格納室とを備えているため、ベ
ローズに排気ガスが接し難くなり、弁室内のベローズの
表面に反応生成物が付着するのを抑制することができ
る。
(4) According to the invention of claim 4, a heat treatment apparatus provided with a valve device in an exhaust system of the heat treatment furnace, wherein the valve device has a gas inlet and a gas outlet communicating with the exhaust system. A valve chamber, a valve body provided in the valve chamber for opening and closing the gas inlet side, a driving unit provided outside the valve chamber for driving the valve body to open and close via a valve rod, and a valve rod penetrating the valve chamber. A bellows provided between the valve chamber and the valve body to seal the portion, and a bellows storage chamber provided in the valve chamber and storing the bellows when the valve body is opened, Exhaust gas hardly comes into contact with the bellows, so that reaction products can be prevented from adhering to the surface of the bellows in the valve chamber.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態を示す熱処理装置の
構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a heat treatment apparatus showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施の形態を示す熱処理装置の
構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a heat treatment apparatus showing a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 熱処理装置 2 熱処理炉 3 排気系 4 メインバルブ(弁装置) 21 ガス入口 22 ガス出口 23 弁室 24 弁体 25 弁棒 26 駆動部 29 弁棒貫通部 30 ベローズ 31 ベローズ格納室 35 不活性ガス導入部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Heat treatment apparatus 2 Heat treatment furnace 3 Exhaust system 4 Main valve (valve device) 21 Gas inlet 22 Gas outlet 23 Valve room 24 Valve element 25 Valve stem 26 Drive part 29 Valve stem penetration part 30 Bellows 31 Bellows storage room 35 Inert gas introduction Department

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 熱処理炉の排気系に設けられる弁装置で
あって、前記排気系と連通するガス入口およびガス出口
を有する弁室と、該弁室内に設けられ前記ガス入口側を
開閉する弁体と、前記弁室外に設けられ前記弁体を弁棒
を介して開閉駆動する駆動部と、前記弁室の弁棒貫通部
を封止すべく弁室と弁体との間に介設されたベローズ
と、前記弁室内に設けられ弁体が開弁した時に前記ベロ
ーズを格納するベローズ格納室とを備えたことを特徴と
する弁装置。
1. A valve device provided in an exhaust system of a heat treatment furnace, comprising: a valve chamber having a gas inlet and a gas outlet communicating with the exhaust system; and a valve provided in the valve chamber for opening and closing the gas inlet side. A valve body, a drive unit provided outside the valve chamber, for driving the valve body to open and close via a valve rod, and a valve body and a valve body interposed between the valve chamber and the valve chamber to seal a valve rod penetration portion of the valve chamber. And a bellows storage chamber provided in the valve chamber and storing the bellows when the valve element is opened.
【請求項2】 前記弁体は開弁した時にベローズ格納室
を密閉する気密部材を有していることを特徴とする請求
項1記載の弁装置。
2. The valve device according to claim 1, wherein the valve body has an airtight member that seals the bellows storage chamber when the valve is opened.
【請求項3】 前記ベローズ格納室内に不活性ガスを導
入するための不活性ガス導入部を備えたことを特徴とす
る請求項1記載の弁装置。
3. The valve device according to claim 1, further comprising an inert gas introduction section for introducing an inert gas into the bellows storage chamber.
【請求項4】 熱処理炉の排気系に弁装置を備えた熱処
理装置であって、前記弁装置は、前記排気系と連通する
ガス入口およびガス出口を有する弁室と、該弁室内に設
けられ前記ガス入口側を開閉する弁体と、前記弁室外に
設けられ前記弁体を弁棒を介して開閉駆動する駆動部
と、前記弁室の弁棒貫通部を封止すべく弁室と弁体との
間に介設されたベローズと、前記弁室内に設けられ弁体
が開弁した時に前記ベローズを格納するベローズ格納室
とを備えたことを特徴とする熱処理装置。
4. A heat treatment apparatus having a valve device in an exhaust system of a heat treatment furnace, wherein the valve device is provided in a valve chamber having a gas inlet and a gas outlet communicating with the exhaust system. A valve body that opens and closes the gas inlet side, a driving unit that is provided outside the valve chamber and drives the valve body to open and close via a valve rod, and a valve chamber and a valve that seal a valve rod penetration part of the valve chamber. A heat treatment apparatus comprising: a bellows interposed between the bellows; and a bellows storage chamber provided in the valve chamber and storing the bellows when the valve body is opened.
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