JP2002156758A - Method for producing high-density flexible board using photosensitive polyimide - Google Patents

Method for producing high-density flexible board using photosensitive polyimide

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JP2002156758A
JP2002156758A JP2000349220A JP2000349220A JP2002156758A JP 2002156758 A JP2002156758 A JP 2002156758A JP 2000349220 A JP2000349220 A JP 2000349220A JP 2000349220 A JP2000349220 A JP 2000349220A JP 2002156758 A JP2002156758 A JP 2002156758A
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photosensitive
density flexible
flexible substrate
siloxane
formula
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JP2000349220A
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Japanese (ja)
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Akinori Shiotani
陽則 塩谷
Hiroshi Shimazaki
寛史 島崎
Hiroshi Yasuno
弘 安野
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Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a high density flexible board, in which a photosensitive polyimide can be developed using a aqueous weak alkali solution and can serve as high-density flexible board, as it is. SOLUTION: In the method for producing a high-density flexible board, a photosensitive ink, containing a photosensitive imidosiloxane component which is a reaction product obtained by reacting a (1R,1'S,3R,3'S,4R,4'S)- dicyclohexyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic acid dianhydride having an aromatic diamine with a reactive functional group on its benzene ring and a diaminopolysiloxane, carrying out imidation and causing the resulting imidosiloxane oligomer or polyimidosiloxane to react with a compound having a photosensitive group, is applied to a metal wiring obtained by patterning metal foil, preferably a laminate of a polyimide resin layer and a metal layer stacked directly and the ink is patternwise exposed, developed with an aqueous alkali solution and then post-baked to form a low elasticity insulation film on the metal wiring.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高密度フレキシブ
ル基板の製法に関し、さらに詳しくは金属箔、好適には
ポリイミド樹脂層と銅などの金属層とが直接積層された
積層体からパタ−ン形成した金属配線にポリイミド系感
光性インキを積層し、アルカリ水溶液による現像後、硬
化して絶縁膜を形成する高密度フレキシブル基板の製法
に関する。本発明はチップオンフレキシブル基板、TA
Bなどに適用できる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a high-density flexible substrate, and more particularly to a method for forming a pattern from a metal foil, preferably a laminate in which a polyimide resin layer and a metal layer such as copper are directly laminated. The present invention relates to a method for manufacturing a high-density flexible substrate in which a polyimide-based photosensitive ink is laminated on a metal wiring formed, developed with an alkaline aqueous solution, and then cured to form an insulating film. The present invention relates to a chip-on-flexible substrate, TA
B and so on.

【0002】[0002]

【従来の技術】チップオンフレキシブル基板、TABな
どに適用するには、耐熱性、高密度化、高集積化などの
要求から、感光性材料が所望されている。従来、素子基
板にポリイミド樹脂を塗布し、この表面をホトレジスト
で部分的にパタ−ン保護し、ヒドラジンなどでポリイミ
ド樹脂膜をエッチングする方法が公知であるが、工程が
複雑であり、毒性の強いヒドラジンの強アルカリ水溶液
を使用することが必要である。
2. Description of the Related Art A photosensitive material is desired to be applied to a chip-on-flexible substrate, a TAB, etc. due to requirements for heat resistance, high density, high integration, and the like. Conventionally, a method of applying a polyimide resin to an element substrate, partially protecting the surface with a photoresist, and etching the polyimide resin film with hydrazine or the like is known, but the process is complicated and highly toxic. It is necessary to use a strong alkaline aqueous solution of hydrazine.

【0003】特公昭55−30207号公報、特公昭5
5−341422号公報などにはポリイミド樹脂の前駆
体のポリアミック酸に光重合可能なアクリロイル基を導
入した樹脂が、特公昭59−52822号公報にはアク
リロイル基をアミック酸に塩として導入した樹脂をエッ
チングする方法が記載されている。また、特開平6−2
58835号公報にはポリアミック酸のカルボキシル基
にナフトキノンジアジドを導入した感光性ポジ型ポリイ
ミドが、特開平10−95848号公報にはアクリロイ
ル基を導入したポリアミック酸の側鎖にさらに、カルボ
キシル基を導入した感光性ネガ型ポリイミドが記載され
ている。これらの感光性ポリイミド樹脂による保護膜の
形成にはポストベ−クに350℃以上の高温度の加熱が
必須であり、基板の寸法安定性に欠陥をもたらす。
[0003] Japanese Patent Publication No. 55-30207, Japanese Patent Publication No. 5
JP-A-5-341422 discloses a resin in which a photopolymerizable acryloyl group is introduced into polyamic acid as a precursor of a polyimide resin, and JP-B-59-52822 discloses a resin in which an acryloyl group is introduced as a salt into amic acid. A method for etching is described. Also, JP-A-6-2
Japanese Patent No. 58835 discloses a photosensitive positive type polyimide having naphthoquinonediazide introduced into a carboxyl group of a polyamic acid, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-95848 further discloses a carboxyl group introduced into a side chain of a polyamic acid having an acryloyl group introduced therein. A photosensitive negative-working polyimide is described. In order to form a protective film using such a photosensitive polyimide resin, it is necessary to heat the postbaking at a high temperature of 350 ° C. or more, which causes a defect in dimensional stability of the substrate.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、感光
性で弱アルカリ水溶液により現像でき、そのまま、高密
度フレキシブル基板とすることができる高密度フレキシ
ブル基板の製法を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for producing a high-density flexible substrate which is photosensitive and can be developed with a weak alkaline aqueous solution and which can be used as it is as a high-density flexible substrate.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は金属箔、好適に
はポリイミド樹脂層と金属層とが直接積層された積層体
からパタ−ン形成した金属配線に、下記の一般式(1)
According to the present invention, a metal foil, preferably a metal wiring formed by patterning a laminate in which a polyimide resin layer and a metal layer are directly laminated, has the following general formula (1):

【0006】[0006]

【化3】 で表わされる(1R,1’S,3R,3’S,4R,
4’S)‐ジシクロヘキシル‐3,3’4,4’‐テト
ラカルボン酸二無水物および下記の式(2)
Embedded image (1R, 1'S, 3R, 3'S, 4R,
4'S) -dicyclohexyl-3,3'4,4'-tetracarboxylic dianhydride and the following formula (2)

【0007】[0007]

【化4】 Embedded image

【0008】(ただし、YはO、CH2、SO2または
直接結合、ZはOH、COOHまたはSHである。)で
表わされる芳香族ジアミンおよび下記一般式(3) H2N−R[Si(R’)2−O]n−Si(R’)2−R−NH2 (3)
(Where Y is O, CH2, SO2 or a direct bond, Z is OH, COOH or SH) and an aromatic diamine represented by the following general formula (3): H 2 NR [Si (R ') 2 -O] n -Si (R') 2 -R-NH 2 (3)

【0009】(ただし、Rは炭素数1〜4のアルキル基
またはフェニル基、R’は炭素数1〜3のアルキル基ま
たはフェニル基、nは3〜50の整数である。)で表わ
されるジアミノポリシロキサンを反応させ、イミド化さ
せて得られたイミドシロキサンポリマ−と感光基を有す
る化合物との反応物である感光性イミドシロキサン成分
を含有してなる感光性インキのパタ−ンを露光、アルカ
リ水溶液で現像後、ポストベ−クして絶縁性で低弾性の
被膜を形成する高密度フレキシブル基板の製法に関す
る。
(Where R is an alkyl group or phenyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 'is an alkyl group or phenyl group having 1 to 3 carbon atoms, and n is an integer of 3 to 50). A pattern of a photosensitive ink containing a photosensitive imidosiloxane component which is a reaction product of an imidosiloxane polymer obtained by reacting a polysiloxane and imidizing with a compound having a photosensitive group is exposed to light, The present invention relates to a method for producing a high-density flexible substrate which is developed by an aqueous solution and then post-baked to form an insulating and low-elasticity film.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を次に示す。 1)感光性インキが(1)感光性インキシロキサン成分
100重量部、(2)光重合開始剤0.01〜30重量
部および(3)有機溶媒のイミド系感光性樹脂組成物か
ら成る上記の高密度フレキシブル基板の製法。 2)感光性インキがさらに,(4)光架橋剤および/ま
たは(5)無機充填剤を含有するチップオンフレキシブ
ル基板、TABなどに適用される上記の高密度フレキシ
ブル基板の製法。
Embodiments of the present invention will be described below. (1) The photosensitive ink comprises (1) 100 parts by weight of a photosensitive ink siloxane component, (2) 0.01 to 30 parts by weight of a photopolymerization initiator, and (3) an imide-based photosensitive resin composition of an organic solvent. Manufacturing method of high-density flexible substrate. 2) A method for producing a high-density flexible substrate as described above, wherein the photosensitive ink is further applied to a chip-on-flexible substrate, TAB or the like containing (4) a photocrosslinking agent and / or (5) an inorganic filler.

【0011】3)感光性イミドシロキサン成分が、式
(1)で表わされる (1R,1’S,3R,3’S,4R,4’S)‐ジシ
クロヘキシル‐3,3’4,4’‐テトラカルボン酸二
無水物100モル%、式(2)で表わされる芳香族ジア
ミン化合物10〜50モル%、式(3)で表わされるジ
アミノポリシロキサン10〜70モル%のジアミン合計
が80−100モル%の割合で反応させて得られるイミ
ドシロキサンポリマ−を使用して得られるものである上
記の高密度フレキシブル基板の製法。
3) A photosensitive imide siloxane component represented by the formula (1): (1R, 1'S, 3R, 3'S, 4R, 4'S) -dicyclohexyl-3,3'4,4'- A total of 80 to 100 mol% of the diamine of 100 mol% of tetracarboxylic dianhydride, 10 to 50 mol% of the aromatic diamine compound represented by the formula (2), and 10 to 70 mol% of the diaminopolysiloxane represented by the formula (3) % Of the above-mentioned high-density flexible substrate obtained by using an imide siloxane polymer obtained by reacting at a ratio of 0.1%.

【0012】この発明について、高密度フレキシブル基
板を適用したCOFおよび高密度フレキシブル基板を適
用した折り曲げTABを例にして説明する。COF用の
高密度フレキシブル基板は、ポリイミドフィルム基板と
直接積層された銅などの金属配線に感光性インキから形
成された絶縁性で低弾性の被膜が設けられている。そし
て、金属配線の片辺部にはICドライバ−および金属配
線とハンダボ−ルを介して接続されチップ部品が配置さ
れている。金属配線の他辺部には異方性導電膜さらにア
ルミ電極を介してTFTアレイ基板が配置され、その片
面には偏向板が配置され、他面には液晶を挟んでカラ−
フィルタ−および偏向板が接続されている。
The present invention will be described by taking COF to which a high-density flexible substrate is applied and bent TAB to which a high-density flexible substrate is applied, as examples. In a high-density flexible substrate for COF, an insulating and low-elastic coating formed of a photosensitive ink is provided on metal wiring such as copper directly laminated on a polyimide film substrate. On one side of the metal wiring, a chip component connected to an IC driver and the metal wiring via a solder ball is arranged. A TFT array substrate is disposed on the other side of the metal wiring via an anisotropic conductive film and an aluminum electrode. A deflection plate is disposed on one side of the TFT array substrate.
A filter and a deflection plate are connected.

【0013】他の例において、折り曲げTAB用の高密
度フレキシブル基板は、ポリイミドフィルム基板と直接
積層された銅などの金属配線に感光性インキから形成さ
れた絶縁性で低弾性の被膜が設けられている。そして、
金属配線の片辺部にはICドライバ−が接続され、これ
を封止剤で封止し、一方金属配線にプリント基板が接続
し、これに偏向板、さらにTFTアレイ基板が配置さ
れ、他面には液晶を挟んでカラ−フィルタ−および偏向
板が接続されている。前記の液晶の代わりに有機EL
(エレクトロ ルミネッセンス)を使用してもよい。
In another example, a high-density flexible substrate for a bent TAB is provided by providing an insulating and low-elastic film formed of a photosensitive ink on metal wiring such as copper directly laminated on a polyimide film substrate. I have. And
One side of the metal wiring is connected to an IC driver, which is sealed with a sealant. On the other hand, a printed circuit board is connected to the metal wiring, and a deflection plate and a TFT array substrate are disposed on the metal wiring. Is connected to a color filter and a deflecting plate with a liquid crystal interposed therebetween. Organic EL instead of the above liquid crystal
(Electroluminescence) may be used.

【0014】この発明において、ポリイミド樹脂層と銅
などの金属層とが直接積層された積層体からパタ−ンを
形成する方法としては、それ自体公知のエッチング法に
よって行うことができる。例えば、積層体の金属層表面
にエッチングレジストを回路パタ−ン状(配線パタ−ン
状)に印刷して、配線パタ−ンが形成される部分の金属
層の表面を保護するエッチングレジストの配線パタ−ン
を形成した後、それ自体公知の方法でエッチング液を使
用して配線が形成されない部分の金属をエッチングによ
により除去し、最後にエッチングレジストを除去するこ
とによって行うことができる。このようにして形成され
る配線パタ−ンは、配線パタ−ンとしての幅が0.01
〜1.0mm程度で、配線パタ−ンとしてのピッチが
0.02〜2.0mm程度である。
In the present invention, as a method of forming a pattern from a laminate in which a polyimide resin layer and a metal layer such as copper are directly laminated, an etching method known per se can be used. For example, an etching resist is printed in a circuit pattern (wiring pattern) on the surface of the metal layer of the laminate, and the wiring of the etching resist protects the surface of the metal layer where the wiring pattern is formed. After the pattern is formed, the portion where the wiring is not formed is removed by etching using an etching solution by a method known per se, and the etching resist is finally removed. The wiring pattern thus formed has a width as the wiring pattern of 0.01.
The pitch as a wiring pattern is about 0.02 to 2.0 mm.

【0015】前記のポリイミド樹脂層と銅などの金属層
とが直接積層された積層体は、例えば、ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物またはベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとを必須成分
とする耐熱性ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、
必要ならばプラズマ放電処理やコロナ放電処理などの放
電処理を行った後、1,3−ビス(3−アミノフェノキ
シベンゼン)と2,3,3’,4’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物とから得られるポリイミドや、ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)エ−テル二無水物お
よびピロメリット酸二無水物と1,3−ビス(3−アミ
ノフェノキシベンゼン)とから得られるポリイミドなど
のポリイミド接着剤を前駆体溶液塗布−加熱乾燥イミド
化などの方法によって設けた後、このポリイミド接着剤
と銅箔などの金属層とを重ね合わせた後、加熱圧着する
ことによって製造することができる。
A laminate in which the above-mentioned polyimide resin layer and a metal layer such as copper are directly laminated is, for example, a biphenyltetracarboxylic dianhydride or a benzophenonetetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine as essential components. On at least one side of the heat-resistant polyimide film,
If necessary, after performing a discharge treatment such as a plasma discharge treatment or a corona discharge treatment, 1,3-bis (3-aminophenoxybenzene) and 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride are added. And polyimides obtained from bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride and pyromellitic dianhydride and 1,3-bis (3-aminophenoxybenzene) After the adhesive is provided by a method such as application of a precursor solution, heat drying and imidization, the polyimide adhesive and a metal layer such as a copper foil are superposed, and then heat-pressing is performed.

【0016】あるいは、前記のポリイミド樹脂層と金属
層とが直接積層された積層体は、金属箔に熱圧着性ポリ
イミド前駆体溶液を塗布−加熱乾燥後、高耐熱性芳香族
ポリイミド前駆体溶液を塗布−加熱乾燥して金属箔にポ
リイミド層を形成する方法や、高耐熱性芳香族ポリイミ
ド前駆体溶液の自己支持性膜に柔軟性ポリイミド前駆体
溶液を薄く塗布−加熱乾燥した多層ポリイミドフィルム
の柔軟性ポリイミド層に必要ならばプラズマ放電処理な
どの放電処理後に金属を蒸着しさらにメッキ処理して金
属層を形成する方法によって製造することができる。
Alternatively, a laminate in which the polyimide resin layer and the metal layer are directly laminated is obtained by applying a thermocompression-bondable polyimide precursor solution to a metal foil, heating and drying, and then applying a highly heat-resistant aromatic polyimide precursor solution. A method of forming a polyimide layer on a metal foil by coating and heating and drying, and a method of thinly applying a flexible polyimide precursor solution to a self-supporting film of a highly heat-resistant aromatic polyimide precursor solution and the flexibility of a multilayer polyimide film heated and dried. If necessary, the conductive polyimide layer can be manufactured by a method in which a metal is deposited after a discharge treatment such as a plasma discharge treatment and then a plating treatment is performed to form a metal layer.

【0017】本発明においては感光性樹脂成分のテトラ
カルボン酸二無水物として使用するtrans−テトラ
カルボン酸二無水物である(1R,1’S,3R,3’
S,4R,4’S)‐ジシクロヘキシル‐3,3’4,
4’‐テトラカルボン酸二無水物(trans−DCD
A−1と略記する。)は、例えば、(1R,1’S,3
R,3’S,4R,4’S)−ジシクロヘキシル−3,
3’4,4’−テトラカルボン酸テトラメチルを加水分
解し、(1R,1’S,3R,3’S,4R,4’S)
−ジシクロヘキシル−3,3’4,4’−テトラカルボ
ン酸に変換しこれを無水化することによって得ることが
できる。
In the present invention, trans-tetracarboxylic dianhydride (1R, 1'S, 3R, 3 ') is used as the tetracarboxylic dianhydride of the photosensitive resin component.
S, 4R, 4'S) -Dicyclohexyl-3,3'4
4'-tetracarboxylic dianhydride (trans-DCD
Abbreviated as A-1. ) Is, for example, (1R, 1'S, 3
R, 3 ′S, 4R, 4 ′S) -Dicyclohexyl-3,
Hydrolysis of tetramethyl 3′4,4′-tetracarboxylate gives (1R, 1 ′S, 3R, 3 ′S, 4R, 4 ′S)
-Dicyclohexyl-3,3'4,4'-tetracarboxylic acid, which can be obtained by dehydration.

【0018】そして、この出発原料である(1R,1’
S,3R,3’S,4R,4’S)−ジシクロヘキシル
−3,3’4,4’−テトラカルボン酸テトラメチル
(trans−DCTM−1と略記)の製法および確認
については、すでに特願2000−191051号とし
て特許出願されている。
The starting material (1R, 1 ')
A method for producing and confirming tetramethyl S, 3R, 3 ′S, 4R, 4 ′S) -dicyclohexyl-3,3′4,4′-tetracarboxylate (abbreviated as trans-DCTM-1) has already been disclosed in a patent application. A patent application has been filed as 2000-191051.

【0019】すなわち、ビフェニル−3,3’4,4’
−テトラカルボン酸テトラメチル(BPTMと略記し、
例えば特公昭60−33379号公報に記載のフタル酸
ジメチルを酸素、パラジウム塩および1,10−フェナ
ントロリンまたはビピリジルの存在下にカップリングさ
せてビフェニル化合物を製造する方法によって容易に合
成することができる。)をメタノ−ルなどの有機溶媒中
で触媒として0.1〜10重量%担持のRu/C(カ−
ボン)、Rh/C、Pd/C、あるいは、これらのアル
ミナ担持体、シリカ担持体などを使用して、2〜100
気圧、好ましくは10〜50気圧で50〜250℃、好
ましくは100〜200℃、1〜10時間水素化還元反
応させ、反応液から濾過などの操作で触媒を除いた後、
溶媒を除去して粘凋な固体である生成混合物から、メタ
ノ−ル、エタノ−ル、ブタノ−ル、酢酸エチル、テトラ
ヒドロフランなどの通常の有機溶媒で再結晶して、ci
s−ジシクロヘキシル−3,3’4,4’−テトラカル
ボン酸テトラメチル(cis−DCTM)を優先的に析
出させる。
That is, biphenyl-3,3'4,4 '
-Tetramethyl tetracarboxylate (abbreviated as BPTM,
For example, it can be easily synthesized by a method described in JP-B-60-33379, in which dimethyl phthalate is coupled in the presence of oxygen, a palladium salt and 1,10-phenanthroline or bipyridyl to produce a biphenyl compound. ) In an organic solvent such as methanol as a catalyst and 0.1 to 10% by weight of supported Ru / C (car).
Bon), Rh / C, Pd / C, or an alumina carrier, a silica carrier, etc.
Atmospheric pressure, preferably 10 to 50 atm, 50 to 250 ° C., preferably 100 to 200 ° C., for 1 to 10 hours for hydrogenation reduction reaction, after removing the catalyst from the reaction solution by an operation such as filtration,
The solvent is removed, and the product mixture which is a viscous solid is recrystallized with a common organic solvent such as methanol, ethanol, butanol, ethyl acetate, tetrahydrofuran, and the like.
s-Dicyclohexyl-3,3'4,4'-tetramethyl tetracarboxylate (cis-DCTM) is preferentially precipitated.

【0020】このcis‐DCTM(精製物)をメタノ
−ル中でアルカリ金属アルコラ−ト触媒の存在下にメタ
ノ−ル中で加熱して異性化させ、trans構造の異性
体とする。また、ビフェニル‐3,3’4,4’‐テト
ラカルボン酸テトラメチルを水素還元して得た生成物
(粗生成物)を含む反応溶液からcis‐DCTM(精
製物)を分離取得しないでそのまま異性化し、反応溶液
から直接、trans構造の異性体を分離取得すること
もできる。
The cis-DCTM (purified product) is isomerized by heating in methanol in the presence of an alkali metal alcoholate catalyst in methanol to obtain an isomer having a trans structure. In addition, cis-DCTM (purified product) is separated from a reaction solution containing a product (crude product) obtained by hydrogen reduction of tetramethyl biphenyl-3,3′4,4′-tetracarboxylate without being obtained. The isomerization can be carried out, and the isomer having a trans structure can be separated and obtained directly from the reaction solution.

【0021】本発明にて、樹脂層と銅箔とが直接積層さ
れた積層体から、パタ−ンを形成させるにはエッチング
法で行うことができる。形成される配線パタ−ンは幅が
0.01〜1.0mm程度、ピッチが0.02〜2.0
mm程度である。前記の積層体は銅箔にポリイミド前駆
体を塗布、加熱乾燥して製造できる。金属配線に感光性
インキを塗布後、プリベ−クして薄膜を形成し、露光、
アルカリ現像した後、250℃以下でポストベ−クして
絶縁膜を形成する。
In the present invention, a pattern can be formed from a laminate in which a resin layer and a copper foil are directly laminated by an etching method. The formed wiring pattern has a width of about 0.01 to 1.0 mm and a pitch of 0.02 to 2.0 mm.
mm. The laminate can be manufactured by applying a polyimide precursor to a copper foil and drying by heating. After applying the photosensitive ink to the metal wiring, it is pre-baked to form a thin film, exposed,
After the alkali development, post-baking is performed at 250 ° C. or less to form an insulating film.

【0022】前記のテトラカルボン酸二無水物とジアミ
ンとの反応は溶媒中の通常の合成法で調製できる。但
し,イミド化に際して、反応温度が高すぎると(1)式
のtrans配置が変化して、他の異性体へ変わること
がある。従って、化学イミド化の方がよい。
The reaction between the tetracarboxylic dianhydride and the diamine can be prepared by a usual synthesis method in a solvent. However, at the time of imidization, if the reaction temperature is too high, the trans configuration of the formula (1) may change and may be changed to another isomer. Therefore, chemical imidization is better.

【0023】ジアミンにはジアミノポリシロキサンの他
に、前記の第二の芳香族ジアミンが必要であり、例え
ば、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフ
ェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒド
ロキシジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−2,
2’−ジヒドロキシジフェニルメタン、2,2−ビス
[3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル]プロパン、
2,2−ビス[4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル]
プロパン、4,4’−ジアミノ−2,2’,5,5’−
テトラヒドロキシジフェニルメタン、3,3’−ジアミ
ノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルエ−テル、4,
4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシジフェニルエ
−テル、4,4’−ジアミノ−2,2’−ジヒドロキシ
ジフェニルエ−テル、4,4’−ジアミノ−2,2’,
5,5’−テトラヒドロキシジフェニルエ−テル、2,
2−ビス[4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニ
ル)フェニル]プロパン、4,4’ビス(4−アミノ−
3−ヒドロキシフェノキシ)ビフェニルなどの2個のO
H基を有する芳香族ジアミンがあげられる。
The diamine requires the second aromatic diamine in addition to the diaminopolysiloxane. For example, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenylmethane, 4,4'-diamino-diamine 3,3'-dihydroxydiphenylmethane, 4,4'-diamino-2,
2′-dihydroxydiphenylmethane, 2,2-bis [3-amino-4-hydroxyphenyl] propane,
2,2-bis [4-amino-3-hydroxyphenyl]
Propane, 4,4'-diamino-2,2 ', 5,5'-
Tetrahydroxydiphenylmethane, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxydiphenylether, 4,
4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenyl ether, 4,4'-diamino-2,2'-dihydroxydiphenyl ether, 4,4'-diamino-2,2 ',
5,5′-tetrahydroxydiphenyl ether, 2,
2-bis [4- (4-amino-3-hydroxyphenyl) phenyl] propane, 4,4'bis (4-amino-
Two O, such as 3-hydroxyphenoxy) biphenyl
Aromatic diamines having an H group are mentioned.

【0024】また、前記の第二の芳香族ジアミンとし
て、例えば、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジカルボ
キシビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジカ
ルボキシビフェニル、4,4’−ジアミノ−2,2’−
ジカルボキシビフェニル、4,4’−ジアミノ−2,
2’,5,5’−テトラカルボキシビフェニル、3,
3’−ジアミノ−4,4’−ジカルボキシジフェニルメ
タン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジカルボキシジ
フェニルメタン、4,4’−ジアミノ−2,2’−ジカ
ルボキシジフェニルメタン、2,2−ビス[3−アミノ
−4−カルボキシフェニル]プロパン、2,2−ビス
[4−アミノ−3−カルボキシフェニル]プロパン、
4,4’−ジアミノ−2,2’,5,5’−テトラヒド
ロキシビフェニルプロパン、2,2−ビス[4−(4−
アミノ−3−カルボキシフェノキシ)フェニル]プロパ
ン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジカルボキシジフ
ェニルエ−テル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジカ
ルボキシジフェニルエ−テル、4,4’−ジアミノ−
2,2’−ジカルボキシジフェニルエ−テル、4,4’
−ジアミノ−2,2’,5,5’−テトラカルボキシジ
フェニルエ−テル、4,4’−ビス(4−アミノ−3−
カルボキシフェノキシ)ビフェニルなどなどの2個のC
OOH基を有する芳香族ジアミンを挙げることができ
る。
Further, as the second aromatic diamine, for example, 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dicarboxybiphenyl, , 4'-Diamino-2,2'-
Dicarboxybiphenyl, 4,4'-diamino-2,
2 ', 5,5'-tetracarboxybiphenyl, 3,
3'-diamino-4,4'-dicarboxydiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-dicarboxydiphenylmethane, 4,4'-diamino-2,2'-dicarboxydiphenylmethane, 2,2- Bis [3-amino-4-carboxyphenyl] propane, 2,2-bis [4-amino-3-carboxyphenyl] propane,
4,4'-diamino-2,2 ', 5,5'-tetrahydroxybiphenylpropane, 2,2-bis [4- (4-
Amino-3-carboxyphenoxy) phenyl] propane, 3,3'-diamino-4,4'-dicarboxydiphenyl ether, 4,4'-diamino-3,3'-dicarboxydiphenyl ether, , 4'-diamino-
2,2'-dicarboxydiphenyl ether, 4,4 '
-Diamino-2,2 ', 5,5'-tetracarboxydiphenyl ether, 4,4'-bis (4-amino-3-
Two Cs, such as carboxyphenoxy) biphenyl
An aromatic diamine having an OOH group can be given.

【0025】前記のジアミノポリシロキサンとして、
α,ω−ビス(2−アミノエチル)ポリジメチルシロキ
サン、α,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチ
ルシロキサン、α,ω−ビス(4−アミノフェニル)ポ
リジメチルシロキサン、α,ω−ビス(4−アミノ−3
−メチルフェニル)ポリジメチルシロキサン、α,ω−
ビス(3−アミノプロピル)ポリジフェニルシロキサ
ン、α,ω−ビス(4−アミノブチル)ポリジメチルシ
ロキサンなどをあげることができる。
As the diaminopolysiloxane,
α, ω-bis (2-aminoethyl) polydimethylsiloxane, α, ω-bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane, α, ω-bis (4-aminophenyl) polydimethylsiloxane, α, ω-bis (4-amino-3
-Methylphenyl) polydimethylsiloxane, α, ω-
Bis (3-aminopropyl) polydiphenylsiloxane, α, ω-bis (4-aminobutyl) polydimethylsiloxane and the like can be mentioned.

【0026】反応溶媒としては、N,N−ジメチルホル
ムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジ
メチルメトキシアセトアミド、N−メチル−2−ピロリ
ドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、カプ
ロラクタム、N−メチルカプロラクタム、ジエチレング
リコ−ルジメチルエ−テル(ジグライム),トリエチレ
ングリコ−ルジメチルエ−テル(トリグライム)などが
あげられる。
Examples of the reaction solvent include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylmethoxyacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, Examples include caprolactam, N-methylcaprolactam, diethylene glycol dimethyl ether (diglyme), and triethylene glycol dimethyl ether (triglyme).

【0027】前記各成分を反応させ、イミド化させて得
られたイミドシロキサンポリマ−と感光基を有する化合
物、例えば感光性エポキシ化合物とを混合して、室温で
均一に混和させてこれらを少なくとも一部を反応させ、
反応物である感光性イミドシロキサン成分を含む組成物
を得る。ポリマーと感光基を有する化合物とは室温で混
合時に反応させてもよく、後工程において乾燥時の加熱
によって反応させてもよい。
The above components are reacted and imidized, and an imide siloxane polymer and a compound having a photosensitive group, for example, a photosensitive epoxy compound are mixed and uniformly mixed at room temperature. React the parts,
A composition containing a photosensitive imidosiloxane component as a reactant is obtained. The polymer and the compound having a photosensitive group may react at the time of mixing at room temperature, or may react in a subsequent step by heating during drying.

【0028】前記の感光性エポキシ化合物としては、グ
リシジルメタクリレート,グリシジルアクリレート,グ
リシジルポリシロキサンメタアクリレート,ハーフエポ
キシ(メタ)アクリレート,例えば10個程度のエポキ
シ基のうち5個程度がアクリレートあるいはメタアクリ
レート基で置換されている化合物である。具体的には商
品名:昭和高分子社製 リポキン630X−501,カ
ルボキシ含有ハ−フエポキシアクリレ−ト(香川化学製
ENC)などがあげられる。
Examples of the photosensitive epoxy compound include glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, glycidyl polysiloxane methacrylate, and half epoxy (meth) acrylate. For example, about 5 out of about 10 epoxy groups are acrylate or methacrylate groups. It is a substituted compound. Specific examples include trade name: Lipokin 630X-501, a carboxy-containing half epoxy acrylate (ENC manufactured by Kagawa Chemicals), manufactured by Showa Kogyo KK

【0029】前記のイミドシロキサンポリマ−と感光性
エポキシ化合物との割合は、反応性官能基(COOH、
又はOH)に対してエポキシ基が同当量〜3倍量、例え
ば、イミドシロキサンポリマ−と100重量部に対して
1〜80重量部が好適である。
The ratio of the imide siloxane polymer to the photosensitive epoxy compound depends on the amount of the reactive functional group (COOH,
Or OH), the amount of the epoxy group is preferably equivalent to 3 to 3 times, for example, 1 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the imidosiloxane polymer.

【0030】光重合開始剤として、ミヒラ−ズケトン、
4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、ア
セトフェノン、ベンゾイン、2−メチルベンゾイン、ベ
ンゾインメチルエ−テル、ベンゾインエチルエ−テル、
ベンゾインイソプロピルエ−テル、ベンゾインイソブチ
ルエ−テル、2−t−ブチルアントラキノン、1,2−
ベンゾ−9,10−アントラキノン、メチルアントラキ
ノン、チオキサントン、2,4−ジエチルチオキサント
ン、2−イソプロピルチオキサントン、1−ヒドロキシ
シクロヘキシルフェニルケトン、2−メチル−[4−
(メチルチオ)フェニル]−2−モルホリノ−プロパノ
ン−1、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4
−モルホリノフェニル)−ブタノン−1、ジアセチルベ
ンジル、ベンジルジメチルケタ−ル、ベンジルジエチル
ケタ−ル、2−(2’−フリルエチリデン)−4,6−
ビス(トリクロロメチル)−S−トリアジン、2−
[2’−(5”−メチルフリル)エチリデン]−4,6
−ビス(トリクロロメチル)−S−トリアジン、2−
(p−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロ
メチル)−S−トリアジン、2,6−ジ(p−アジドベ
ンザル)−4−メチルシクロヘキサン、4,4’−ジア
ジドカルコン、ジ(テトラアルキルアンモニウム)−
4,4’−ジアジドスチルベン−2,2’−ジスルホネ
−ト、N−フェニルグリシン、3−フェニル−5−イソ
キサゾロン、1−フェニル−1,2−ブタンジオン−2
−(o−メトキシカルボニル)オキシムなどをあげるこ
とができる。
As a photopolymerization initiator, Michler's ketone,
4,4′-bis (diethylamino) benzophenone, acetophenone, benzoin, 2-methylbenzoin, benzoinmethyl ether, benzoinethyl ether,
Benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, 2-t-butylanthraquinone, 1,2-
Benzo-9,10-anthraquinone, methylanthraquinone, thioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-methyl- [4-
(Methylthio) phenyl] -2-morpholino-propanone-1,2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4
-Morpholinophenyl) -butanone-1, diacetylbenzyl, benzyldimethylketal, benzyldiethylketal, 2- (2'-furylethylidene) -4,6-
Bis (trichloromethyl) -S-triazine, 2-
[2 ′-(5 ″ -methylfuryl) ethylidene] -4,6
-Bis (trichloromethyl) -S-triazine, 2-
(P-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -S-triazine, 2,6-di (p-azidobenzal) -4-methylcyclohexane, 4,4′-diazidochalcone, di (tetraalkyl Ammonium)
4,4'-diazidostilbene-2,2'-disulfonate, N-phenylglycine, 3-phenyl-5-isoxazolone, 1-phenyl-1,2-butanedione-2
-(O-methoxycarbonyl) oxime and the like.

【0031】光重合開始剤の使用量は感光性イミドシロ
キサンポリマーなどの感光性イミドシロキサン成分10
0重量部に対して、0.01〜30重量部、好ましくは
1〜20重量部である。この範囲外では露光不足、また
は性能低下を来たす。
The amount of the photopolymerization initiator to be used depends on the amount of the photosensitive imide siloxane component 10 such as a photosensitive imide siloxane polymer.
The amount is 0.01 to 30 parts by weight, preferably 1 to 20 parts by weight based on 0 parts by weight. Outside this range, insufficient exposure or performance degradation may occur.

【0032】光重合開始剤の助剤(増感剤)として、4
−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジエチルアミノ
安息香酸エチル、ジメチルアミノアントラニル酸メチ
ル、ベンゾフェノン、2,6−ビス(4−ジエチルアミ
ノベンザル)−4−メチルシクロヘキサノンなどが使用
できる。
As an auxiliary (sensitizer) for the photopolymerization initiator, 4
-Ethyl dimethylaminobenzoate, ethyl 4-diethylaminobenzoate, methyl dimethylaminoanthranilate, benzophenone, 2,6-bis (4-diethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone and the like can be used.

【0033】有機溶媒としては、N,N−ジメチルホル
ムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジ
メチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、
γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、
1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジエチレン
グリコ−ルジメチルエ−テル(ジグライム)、トリエチ
レングリコ−ルジメチルエ−テル(トリグライム)、プ
ロピレングリコ−ルジエチルエ−テルなどがあげられ
る。これらの一部をエチルセロソルブ、ブチルセロソル
ブ、プロピレングリコ−ルモノブチルエ−テルなど、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルn
−アミルケトン、シクロヘキサノンなど、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、蓚酸ジエチル、
マロン酸ジエチル、メチル3−メトキシプロピオネ−
ト、エチル3−エトキシプロピオネ−ト、プロピレング
リコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−トなどで置き換え
ることができる。その使用量は感光性イミドシロキサン
オリゴマ−などの感光性イミドシロキサン成分100重
量部に対して50〜300重量部である。
Examples of the organic solvent include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylmethoxyacetamide, dimethylsulfoxide,
γ-butyrolactone, N-methyl-2-pyrrolidone,
Examples thereof include 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, diethylene glycol dimethyl ether (diglyme), triethylene glycol dimethyl ether (triglyme), and propylene glycol diethyl ether. Some of these are converted to methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl n, or the like by using ethyl cellosolve, butyl cellosolve, propylene glycol monobutyl ether, or the like.
-Methyl acetate, such as amyl ketone, cyclohexanone,
Ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, diethyl oxalate,
Diethyl malonate, methyl 3-methoxypropione
, Ethyl 3-ethoxypropionate, propylene glycol monomethyl ether acetate and the like. The amount used is 50 to 300 parts by weight based on 100 parts by weight of a photosensitive imide siloxane component such as a photosensitive imide siloxane oligomer.

【0034】光架橋剤、例えばカルボキシ含有ハ−フエ
ポキシアクリレ−ト(香川化学製ENC)、2−ヒドロ
キシエチルアクリレ−ト、2−ヒドロキシブチルアクリ
レ−ト、エチレングリコ−ル、メトキシテトラエチレン
グリコ−ル、ポリエチレングリコ−ル、プロピレングリ
コ−ルなどのモノまたはジアクリレ−ト、N、N−ジメ
チルアクリルアミド、N−メチロ−ルアクリルアミド、
N、N−ジメチルアミノエチルアクリレ−ト、トリメチ
ロ−ルプロパン、ペンタエリスリト−ル、ジペンタエリ
スリト−ルなどのエチレンオキシド、プロピレンオキシ
ド、またはε−カプロラクトンの付加体の多価アクリレ
−トなど、フェノキシアクリレ−ト、フェノキシエチル
アクリレ−ト、またはそのエチレンオキシドまたはプロ
ピレンオキシド付加物のアクリレ−ト、トリメチロ−ル
プロパントリグリシジルエ−テルなど、メラミンのアク
リレ−ト、またはメタクリレ−ト、りん酸アクリロイ
ル、りん酸メタアクリロイル、多価(メタ)アクリル酸
誘導体(イソシアヌル酸トリス(2−アクリロイルオキ
シエチル)など)またはこれとジアミノシロキサンとの
付加体、ポリシロキサンジオ−ルと(メタ)アクリル酸
のエステル化物[信越化学工業株式会社、X−22−1
64B]などを添加してもよい。光架橋剤の使用量は感
光性イミドシロキサンオリゴマ−100重量部に対し
て、0〜100重量部、好ましくは1〜50部である。
Photocrosslinking agents, for example, carboxy-containing half epoxy acrylate (ENC manufactured by Kagawa Chemicals), 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxybutyl acrylate, ethylene glycol, methoxy tetra Mono- or diacrylates such as ethylene glycol, polyethylene glycol, propylene glycol, N, N-dimethylacrylamide, N-methylolacrylamide,
Polyhydric acrylates of adducts of ethylene oxide, propylene oxide, or ε-caprolactone such as N, N-dimethylaminoethyl acrylate, trimethylolpropane, pentaerythritol, and dipentaerythritol; Phenoxyacrylate, phenoxyethyl acrylate, or acrylate of ethylene oxide or propylene oxide adduct thereof, acrylate of melamine such as trimethylolpropane triglycidyl ether, or methacrylate, phosphoric acid Acryloyl, methacryloyl phosphate, polyvalent (meth) acrylic acid derivative (tris (2-acryloyloxyethyl) isocyanurate, etc.) or an adduct thereof with diaminosiloxane, polysiloxanediol and (meth) acrylic acid Esterification [Shin Chemical Industry Co., Ltd., X-22-1
64B] may be added. The amount of the photocrosslinking agent to be used is 0 to 100 parts by weight, preferably 1 to 50 parts by weight, per 100 parts by weight of the photosensitive imide siloxane oligomer.

【0035】無機充填剤、例えばアエロジル、タルク、
マイカ、硫酸バリウムなどを添加してもよい。その平均
粒子径は0.001〜15μm、特に、0.005〜1
0μmが良い。これらのフィラ−の使用量は感光性イミ
ドシロキサンオリゴマ−100重量部に対して、1〜1
00重量部、好ましくは5〜75部である。
Inorganic fillers such as Aerosil, talc,
Mica, barium sulfate and the like may be added. The average particle size is 0.001 to 15 μm, particularly 0.005 to 1 μm.
0 μm is good. These fillers are used in an amount of 1 to 1 with respect to 100 parts by weight of the photosensitive imide siloxane oligomer.
00 parts by weight, preferably 5 to 75 parts.

【0036】これらのイミド系感光性樹脂組成物の塗布
方法はスピナ−による回転塗布、印刷、ロ−ルコ−タ−
などが使用できる。この塗布した薄膜は150℃以下、
好ましくは80〜120℃で10〜60分加熱してプリ
ベ−クして薄膜を形成する。その後、所望のパタ−ン形
状に紫外線を照射し、露光する。この光線の波長は30
0〜500nmが良い。
These imide-based photosensitive resin compositions can be applied by spin coating using a spinner, printing, roll coating, or the like.
Etc. can be used. This coated thin film is 150 ° C or less,
Preferably, the thin film is formed by prebaking by heating at 80 to 120 ° C for 10 to 60 minutes. Thereafter, ultraviolet rays are irradiated to a desired pattern to expose the pattern. The wavelength of this light is 30
0 to 500 nm is good.

【0037】未照射部を現像して、パタ−ンを得る。現
像液はアルカリ水溶液、好ましくは弱アルカリ水溶液を
使用する。このアルカリ水溶液はアルカリ金属、アルカ
リ土類金属、またはアンモニウムイオン、の水酸化物、
炭酸塩、炭酸水素塩、アミン化合物などであり、例え
ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモ
ニウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸アンモニ
ウム、炭酸水素アンモニウム、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
イソプロピルアンモニウムヒドロキシド、N−メチルジ
エタノ−ルアミン、N−エチルジエタノ−ルアミン、
N、N−ジメチルエタノ−ルアミン、トリエタノ−ルア
ミン、トリイソプロパノ−ルアミン、トリイソプロピル
アミンなどがあげられる。特に炭酸ナトリウムが好適に
使用できる。この濃度は0.1〜20重量%、好ましく
は1〜3%である。
The unirradiated portion is developed to obtain a pattern. As the developer, an aqueous alkaline solution, preferably a weakly alkaline aqueous solution is used. This aqueous alkali solution is a hydroxide of an alkali metal, alkaline earth metal, or ammonium ion,
Carbonates, hydrogen carbonates, amine compounds, etc., for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, ammonium carbonate, ammonium hydrogen carbonate, tetramethyl ammonium hydroxide, tetraethyl ammonium hydroxide , Tetrapropylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, N-methyldiethanolamine, N-ethyldiethanolamine,
N, N-dimethylethanolamine, triethanolamine, triisopropanolamine, triisopropylamine and the like can be mentioned. Particularly, sodium carbonate can be preferably used. This concentration is 0.1-20% by weight, preferably 1-3%.

【0038】アルカリ現像はスプレ−、パドル、浸積、
超音波などの方法が使用できる。現像後はパタ−ンをリ
ンスし水、酸性水溶液などでスプレ−する。ついで、加
熱して光硬化膜をポストベ−クし、架橋させて、最終パ
タ−ンを得る。この条件は250℃以下、好ましくは1
50〜200℃で、30〜120分行う。
Alkali development includes spray, paddle, immersion,
Methods such as ultrasonic waves can be used. After the development, the pattern is rinsed and sprayed with water, an acidic aqueous solution or the like. Then, the photocured film is post-baked by heating and crosslinked to obtain a final pattern. This condition is below 250 ° C., preferably 1
Perform at 50 to 200 ° C. for 30 to 120 minutes.

【0039】[0039]

【実施例】以下、実施例により、本発明の態様について
詳細に説明する。5%重量減少温度(Td5)は、セイ
コ−インスツルメンツ株式会社製SSC5200 TG
/DTA320により、窒素中10℃/minの昇温速
度で測定した。機械的強度は、幅4mmのサンプルを用
い、オリエンテック社製TENSILON AR600
0シリ−ズ、万能引張試験機UTM−II−20、フラ
ットタイプ自動平衡式記録計R−840を用い、チャッ
ク間30mm、引張速度2mm/minの条件で測定し
た。
EXAMPLES Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to examples. The 5% weight loss temperature (Td 5 ) was measured by SSC5200 TG manufactured by Seiko Instruments Inc.
/ DTA320 in nitrogen at a heating rate of 10 ° C./min. The mechanical strength was measured using a 4 mm wide sample, TENSILON AR600 manufactured by Orientec.
The measurement was performed using a 0 series, a universal tensile tester UTM-II-20, and a flat type automatic equilibrium recorder R-840 under the conditions of a chuck distance of 30 mm and a tensile speed of 2 mm / min.

【0040】実施例1 100mL三つ口フラスコに攪拌機、還流冷却器を取り
付け、これに2.144g(7mM)の式(1)で表わ
される(1R,1’S,3R,3’S,4R,4’S)
−ジシクロヘキシル−3,3’,4,4’−テトラカル
ボン酸二無水物をN−メチル−2−ピロリドン17.3
5gに溶解させ、4.738g(5.25mM)のα,
ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサ
ンおよび0.501g(1.75mM)の4,4’−ジ
アミノ−3,3’−ジカルボキシジフェニルメタンを添
加して、室温で8.5時間攪拌した。次いで、無水酢酸
8mLおよびピリジン4mLを添加し60℃、8時間加熱
した。室温に一夜放置後400mLの水に投入し、クッ
キングミキサ−で粉砕し、ろ過、水洗、100℃で乾燥
した。収量6.45g。この粉末6.00gをトリグラ
イム4.00gおよびN−メチル−2−ピロリドン3.
00gに溶解させ、ろ過した。11.50gの溶液(固
形分46.2%)に消泡剤(ダウケミカルDB−10
0)0.27g、光重合開始剤(チバガイギ− イルガ
キュア−651)1.90g、ハ−フエポキシアクリレ
−ト(昭和高分子株式会社 リポキシ630X−50
1)2.13g、光架橋剤のカルボキシ含有ハ−フエポ
キシアクリレ−ト(香川化学株式会社 ENC)1.26
g、およびポリエチレングリコ−ルジメタクリレ−ト
(新中村化学株式会社 NK9G)0.61g、接着促
進用光架橋剤のりん酸メタアクリロイル(日本化薬株式
会社 PM2)0.06g、を添加して攪拌した。次
に、硫酸バリウム1.62g、タルク0.54g、アエ
ロジル(日本アエロジル株式会社 200番)0.95
gを添加し、均一に攪拌して一夜放置した。この混合物
を3本ロ−ルを用いて混練りした。得られたインキの粘
度は250ポイズであり、固形分は53.4%であっ
た。
Example 1 A stirrer and a reflux condenser were attached to a 100-mL three-necked flask, and 2.144 g (7 mM) of the formula (1) represented by the formula (1) was added thereto (1R, 1'S, 3R, 3'S, 4R). , 4'S)
-Dicyclohexyl-3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride was converted to N-methyl-2-pyrrolidone 17.3.
Dissolved in 5 g, 4.738 g (5.25 mM) of α,
ω-Bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane and 0.501 g (1.75 mM) of 4,4′-diamino-3,3′-dicarboxydiphenylmethane were added, and the mixture was stirred at room temperature for 8.5 hours. . Next, 8 mL of acetic anhydride and 4 mL of pyridine were added, and the mixture was heated at 60 ° C. for 8 hours. After standing at room temperature overnight, the mixture was poured into 400 mL of water, pulverized by a cooking mixer, filtered, washed with water, and dried at 100 ° C. Yield 6.45 g. 6.00 g of this powder was combined with 4.00 g of triglyme and 3.0 g of N-methyl-2-pyrrolidone.
Dissolved in 100 g and filtered. 11.50 g of solution (solid content 46.2%) was added to an antifoaming agent (Dow Chemical DB-10).
0) 0.27 g, 1.90 g of a photopolymerization initiator (Ciba-Geigy-Irgacure 651), half epoxy acrylate (Ripoxy 630X-50, Showa Polymer Co., Ltd.)
1) 2.13 g, carboxy-containing half epoxy acrylate as a photo-crosslinking agent (Kagawa Chemicals ENC) 1.26
g and polyethylene glycol dimethacrylate (NK9G, Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) and 0.66 g of methacryloyl phosphate (Nippon Kayaku Co., Ltd., PM2), a photocrosslinking agent for promoting adhesion, were added and stirred. . Next, 1.62 g of barium sulfate, 0.54 g of talc, and 0.95 of Aerosil (No. 200 of Nippon Aerosil Co., Ltd.)
g was added, stirred uniformly, and left overnight. This mixture was kneaded using three rolls. The viscosity of the obtained ink was 250 poise, and the solid content was 53.4%.

【0041】このド−プを電解銅箔(三井金属鉱業株式
会社 3EC−VLP)にキャストし、バ−コ−タ−で
均一に塗布した。120℃で30分プリベ−クして溶媒
を除去した。このプリベ−ク膜を真空密着式の超高圧水
銀装置(オ−ク製作所HMW−6N)を用いて500m
J露光した。1%炭酸ナトリウム水溶液を用いてスプレ
−式現像装置で30℃、吐出圧力1.0kgf/c
2、2〜3分現像した。水圧11.5kgf/cm2
て1分リンスし、膜厚10μm、75μmライン/スペ
−スのパタ−ンを形成した。 機械特性(熱処理条件:200℃、1時間) 引っ張り強度1kgf/mm2、伸び5%、初期弾性率
60kgf/mm2 熱的特性(熱処理条件:200℃、1時間) 5%重量減少温度358℃
This dope was cast on an electrolytic copper foil (3EC-VLP, Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) and uniformly coated with a bar coater. The solvent was removed by prebaking at 120 ° C for 30 minutes. The pre-baked film was cut for 500 m using a vacuum contact type ultra-high pressure mercury apparatus (HMW-6N, manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.).
J exposure was performed. Using a 1% aqueous solution of sodium carbonate in a spray type developing device at 30 ° C. and a discharge pressure of 1.0 kgf / c.
m 2 , development for 2 to 3 minutes. Rinsing was performed at a water pressure of 11.5 kgf / cm 2 for 1 minute to form a pattern having a thickness of 10 μm and a line / space of 75 μm. Mechanical properties (heat treatment conditions: 200 ° C., 1 hour) Tensile strength 1 kgf / mm 2 , elongation 5%, initial elastic modulus 60 kgf / mm 2 Thermal properties (heat treatment conditions: 200 ° C., 1 hour) 5% Weight loss temperature 358 ° C.

【0042】[0042]

【発明の効果】この発明によれば、次の効果を達成する
ことができる。この発明は、弱アルカリ水溶液により現
像でき、そのまま、高温温処理を必要としない寸法安定
性の良好な高密度フレキシブル基板を提供できる。
According to the present invention, the following effects can be achieved. The present invention can provide a high-density flexible substrate that can be developed with a weak alkaline aqueous solution and has good dimensional stability without requiring high-temperature treatment.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA04 AA10 AA13 AA20 AB15 AB17 AB20 AC01 AD01 BC13 BC42 BC69 BC78 BC83 CA00 CB25 CB33 CC08 DA19 DA30 FA17 FA29 2H096 AA26 AA27 BA06 EA02 GA09 HA01 4J043 PA04 PA08 QB15 QB26 QB31 SA62 SA71 UA061 UA081 UA132 UB011 UB121 UB301 UB351 YB29 ZB22 5E314 AA27 AA36 BB02 BB11 DD06 DD07 FF06 FF19  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H025 AA04 AA10 AA13 AA20 AB15 AB17 AB20 AC01 AD01 BC13 BC42 BC69 BC78 BC83 CA00 CB25 CB33 CC08 DA19 DA30 FA17 FA29 2H096 AA26 AA27 BA06 EA02 GA09 HA01 4J043 PA04 PA08 QB QSAB UA061 UA081 UA132 UB011 UB121 UB301 UB351 YB29 ZB22 5E314 AA27 AA36 BB02 BB11 DD06 DD07 FF06 FF19

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】金属箔、好適にはポリイミド樹脂層と金属
層とが直接積層された積層体からパタ−ン形成した金属
配線に、下記の一般式(1) 【化1】 で表わされる(1R,1’S,3R,3’S,4R,
4’S)‐ジシクロヘキシル‐3,3’4,4’‐テト
ラカルボン酸二無水物および下記の式(2) 【化2】 (ただし、YはO、CH2、SO2または直接結合、Z
はOH、COOHまたはSHである。)で表わされる芳
香族ジアミンおよび下記一般式(3) H2N−R[Si(R’)2−O]n−Si(R’)2−R−NH2 (3) (ただし、Rは炭素数1〜4のアルキル基またはフェニ
ル基、R’は炭素数1〜3のアルキル基またはフェニル
基、nは3〜50の整数である。)で表わされるジアミ
ノポリシロキサンを反応させ、イミド化させて得られた
イミドシロキサンオリゴマ−あるいはポリイミドシロキ
サンと感光基を有する化合物との反応物である感光性イ
ミドシロキサン成分を含有してなる感光性インキのパタ
−ンを露光、アルカリ水溶液で現像後、ポストベ−クし
て絶縁性で低弾性の被膜を形成する高密度フレキシブル
基板の製法。
1. A metal foil, preferably a metal wiring formed by patterning a laminated body in which a polyimide resin layer and a metal layer are directly laminated, is applied to a metal wiring represented by the following general formula (1). (1R, 1'S, 3R, 3'S, 4R,
4'S) -dicyclohexyl-3,3'4,4'-tetracarboxylic dianhydride and the following formula (2) (Where Y is O, CH2, SO2 or a direct bond, Z
Is OH, COOH or SH. ) And the following general formula (3): H 2 N—R [Si (R ′) 2 —O] n —Si (R ′) 2 —R—NH 2 (3) (where R is An alkyl group or a phenyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 'is an alkyl group or a phenyl group having 1 to 3 carbon atoms, and n is an integer of 3 to 50). Exposure to a pattern of a photosensitive ink containing a photosensitive imide siloxane component which is a reaction product of an imide siloxane oligomer or polyimide siloxane obtained with the compound having a photosensitive group, and development with an aqueous alkali solution, A method of manufacturing a high-density flexible substrate which is post-baked to form an insulating and low-elastic film.
【請求項2】感光性インキが(1)感光性インキシロキ
サン成分100重量部、(2)光重合開始剤0.01〜
30重量部および(3)有機溶媒のイミド系感光性樹脂
組成物から成る請求項1の高密度フレキシブル基板の製
法。
2. A photosensitive ink comprising (1) 100 parts by weight of a photosensitive ink siloxane component, and (2) a photopolymerization initiator of 0.01 to 0.01 parts by weight.
2. The method for producing a high-density flexible substrate according to claim 1, comprising 30 parts by weight and (3) an imide-based photosensitive resin composition of an organic solvent.
【請求項3】感光性インキがさらに,(4)光架橋剤お
よび/または(5)無機充填剤を含有するチップオンフ
レキシブル基板、TABなどに適用される請求項1の高
密度フレキシブル基板の製法。
3. The method for producing a high-density flexible substrate according to claim 1, wherein the photosensitive ink is further applied to a chip-on-flexible substrate, TAB or the like containing (4) a photocrosslinking agent and / or (5) an inorganic filler. .
【請求項4】感光性イミドシロキサン成分が式(1)で
表わされる(1R,1’S,3R,3’S,4R,4’
S)−ジシクロヘキシル−3,3’4,4’−テトラカ
ルボン酸二無水物100モル%、式(2)で表わされる
芳香族ジアミン化合物10〜50モル%、式(3)で表
わされるジアミノポリシロキサン10〜70モル%のジ
アミン合計が80〜100モル%の割合で反応させて得
られるイミドシロキサンポリマ−を使用して得られるも
のである請求項1の高密度フレキシブル基板の製法。
4. A photosensitive imide siloxane component represented by the formula (1) (1R, 1'S, 3R, 3'S, 4R, 4 '
S) -Dicyclohexyl-3,3'4,4'-tetracarboxylic dianhydride 100 mol%, aromatic diamine compound represented by formula (2) 10 to 50 mol%, diaminopoly represented by formula (3) The method for producing a high-density flexible substrate according to claim 1, wherein the siloxane is obtained by using an imidosiloxane polymer obtained by reacting a total of diamines of 10 to 70 mol% of siloxane at a ratio of 80 to 100 mol%.
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