JP2002151503A - 酸化物強誘電体素子の作製方法 - Google Patents
酸化物強誘電体素子の作製方法Info
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- JP2002151503A JP2002151503A JP2000340845A JP2000340845A JP2002151503A JP 2002151503 A JP2002151503 A JP 2002151503A JP 2000340845 A JP2000340845 A JP 2000340845A JP 2000340845 A JP2000340845 A JP 2000340845A JP 2002151503 A JP2002151503 A JP 2002151503A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不揮発性メモリを構成する強誘電体素子の新
規な作製方法を提供する。 【解決手段】 所定の基板上にアモルファス状の強誘電
体酸化物前駆体を形成した後、前記前駆体を好ましくは
５００〜６００℃に加熱した状態において、前記前駆体
に対して紫外光を照射して結晶化させ、目的とする結晶
型の強誘電体酸化物を作製する。
規な作製方法を提供する。 【解決手段】 所定の基板上にアモルファス状の強誘電
体酸化物前駆体を形成した後、前記前駆体を好ましくは
５００〜６００℃に加熱した状態において、前記前駆体
に対して紫外光を照射して結晶化させ、目的とする結晶
型の強誘電体酸化物を作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化物強誘電体素
子の作製方法に関し、詳しくは、不揮発性メモリとして
好適に用いることのできる酸化物強誘電体素子の作製方
法に関する。
子の作製方法に関し、詳しくは、不揮発性メモリとして
好適に用いることのできる酸化物強誘電体素子の作製方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、低電圧及び高速動作可能な不揮発
性メモリとして、酸化物強誘電体を用いた素子の実現に
向けた研究開発が活発に行われている。このような不揮
発性メモリは、Ｓｉ基板上にＭＯＳトランジスタを作製
した後、前記酸化物強誘電体からなるキャパシタをモノ
リシックに形成する必要がある。
性メモリとして、酸化物強誘電体を用いた素子の実現に
向けた研究開発が活発に行われている。このような不揮
発性メモリは、Ｓｉ基板上にＭＯＳトランジスタを作製
した後、前記酸化物強誘電体からなるキャパシタをモノ
リシックに形成する必要がある。
【０００３】前記キャパシタは、前記Ｓｉ基板上にＣＶ
Ｄ法又はＭＯＤ法などを用いてアモルファス状の薄膜前
駆体を作製した後、この薄膜を７００〜９００℃で加熱
して結晶化させ、所定の結晶型の強誘電体結晶を作製す
ることによって行う。具体的には、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ
９（以下、略して「ＳＢＴ」という場合がある）なるペ
ロブスカイト構造の強誘電体結晶を作製する場合は、約
７００〜８００℃に加熱し、ＹＭｎＯ３なる六方晶系の
強誘電体結晶を作製する場合は、約９００℃に加熱する
ことにより結晶化させる。
Ｄ法又はＭＯＤ法などを用いてアモルファス状の薄膜前
駆体を作製した後、この薄膜を７００〜９００℃で加熱
して結晶化させ、所定の結晶型の強誘電体結晶を作製す
ることによって行う。具体的には、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ
９（以下、略して「ＳＢＴ」という場合がある）なるペ
ロブスカイト構造の強誘電体結晶を作製する場合は、約
７００〜８００℃に加熱し、ＹＭｎＯ３なる六方晶系の
強誘電体結晶を作製する場合は、約９００℃に加熱する
ことにより結晶化させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、所定の
結晶型の強誘電体結晶を得るには、上述したようにＳｉ
基板を極めて高い温度に加熱する必要があるため、Ｓｉ
基板上に形成されたＭＯＳトランジスタに熱的ダメージ
を与えてしまう場合があった。このため、実際に素子と
して構成した場合に、使用することができないという問
題があった。
結晶型の強誘電体結晶を得るには、上述したようにＳｉ
基板を極めて高い温度に加熱する必要があるため、Ｓｉ
基板上に形成されたＭＯＳトランジスタに熱的ダメージ
を与えてしまう場合があった。このため、実際に素子と
して構成した場合に、使用することができないという問
題があった。
【０００５】キャパシタを構成する所定の結晶型の強誘
電体結晶を作製するに際しては、電気学会論文集Ａ、１
１８、４、ｐ４１４、１９９８（鈴木貴明、生田目俊
秀、東山和寿）において、ＳＢＴの結晶化温度を６００
〜６５０℃にまで低減させた低酸素濃度熱処理法が開示
されている。
電体結晶を作製するに際しては、電気学会論文集Ａ、１
１８、４、ｐ４１４、１９９８（鈴木貴明、生田目俊
秀、東山和寿）において、ＳＢＴの結晶化温度を６００
〜６５０℃にまで低減させた低酸素濃度熱処理法が開示
されている。
【０００６】また、第３５回日本応用物理学会予稿集、
ｐ４９２５、１９９６（Y.Itou, M.Ushikubo, H.Matsun
aga, T. Atsuki, T.Yonezawa and K.Ogi）には、出発原
料のゾルゲル溶液の諸条件を調整することによってＳＢ
Ｔの結晶化温度を低減させることが記載されている。さ
らには、同予稿集、ｐ４９４６（I.Koiwa, T.Kanehara,
J.Mita, T.Iwabuchi, T.Osaka, S.Ono and M.Maeda）
には、ＳＢＴを結晶化させる際の熱処理を減圧下で行う
などの熱処理条件を制御することによって、結晶化温度
を低減させることが記載されている。
ｐ４９２５、１９９６（Y.Itou, M.Ushikubo, H.Matsun
aga, T. Atsuki, T.Yonezawa and K.Ogi）には、出発原
料のゾルゲル溶液の諸条件を調整することによってＳＢ
Ｔの結晶化温度を低減させることが記載されている。さ
らには、同予稿集、ｐ４９４６（I.Koiwa, T.Kanehara,
J.Mita, T.Iwabuchi, T.Osaka, S.Ono and M.Maeda）
には、ＳＢＴを結晶化させる際の熱処理を減圧下で行う
などの熱処理条件を制御することによって、結晶化温度
を低減させることが記載されている。
【０００７】しかしながら、ＭＯＳトランジスタの熱的
ダメージを防止するには、結晶化温度のさらなる低温化
が望まれていた。
ダメージを防止するには、結晶化温度のさらなる低温化
が望まれていた。
【０００８】本発明は、上記問題に鑑み、不揮発性メモ
リを構成する強誘電体素子の新規な作製方法を提供する
ことを目的とする。
リを構成する強誘電体素子の新規な作製方法を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明の強誘電体素子の作製方法は、アモルファス状の
強誘電体酸化物前駆体に紫外光を照射することにより結
晶化させ、所定の結晶型の強誘電体酸化物からなる酸化
物強誘電体素子を形成することを特徴とする。
本発明の強誘電体素子の作製方法は、アモルファス状の
強誘電体酸化物前駆体に紫外光を照射することにより結
晶化させ、所定の結晶型の強誘電体酸化物からなる酸化
物強誘電体素子を形成することを特徴とする。
【００１０】本発明者らは、基板を高温に加熱して、ア
モルファス状の強誘電酸化物前駆体を結晶化させる従来
の方法に代わる新規な方法を見出すべく、鋭意検討を実
施した。その結果、アモルファス状の強誘電酸化物前駆
体に対して紫外光を照射することにより、従来の熱エネ
ルギーの場合と同様に前記前駆体を結晶化できることを
見出した。すなわち、従来の熱エネルギーに代わって所
定の光エネルギーを用いることにより前記前駆体を結晶
化できることを見出したものである。
モルファス状の強誘電酸化物前駆体を結晶化させる従来
の方法に代わる新規な方法を見出すべく、鋭意検討を実
施した。その結果、アモルファス状の強誘電酸化物前駆
体に対して紫外光を照射することにより、従来の熱エネ
ルギーの場合と同様に前記前駆体を結晶化できることを
見出した。すなわち、従来の熱エネルギーに代わって所
定の光エネルギーを用いることにより前記前駆体を結晶
化できることを見出したものである。
【００１１】したがって、本発明によれば、ＭＯＳトラ
ンジスタが形成された所定の基板上に形成された強誘電
体酸化物前駆体を高温に加熱することなく、この前駆体
を結晶化させて酸化物強誘電体素子を作製する。したが
って、従来と異なり、ＭＯＳトランジスタが熱的ダメー
ジを受けることがなくなり、極めて良好な酸化物強誘電
体素子の提供が可能となる。
ンジスタが形成された所定の基板上に形成された強誘電
体酸化物前駆体を高温に加熱することなく、この前駆体
を結晶化させて酸化物強誘電体素子を作製する。したが
って、従来と異なり、ＭＯＳトランジスタが熱的ダメー
ジを受けることがなくなり、極めて良好な酸化物強誘電
体素子の提供が可能となる。
【００１２】なお、本発明においては前記強誘電体酸化
物前駆体の加熱処理を全く排除するものではなく、好ま
しくは５００〜６００℃の温度で所定時間加熱しながら
紫外線照射を行うこともできる。これによって、酸化物
強誘電体素子を構成する強誘電酸化物の結晶性をより高
めることができる。また、前記温度範囲は比較的低いた
め、基板上に形成されたＭＯＳトランジスタに対して熱
的ダメージを与えることもない。
物前駆体の加熱処理を全く排除するものではなく、好ま
しくは５００〜６００℃の温度で所定時間加熱しながら
紫外線照射を行うこともできる。これによって、酸化物
強誘電体素子を構成する強誘電酸化物の結晶性をより高
めることができる。また、前記温度範囲は比較的低いた
め、基板上に形成されたＭＯＳトランジスタに対して熱
的ダメージを与えることもない。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態
に基づいて詳細に説明する。本発明の酸化物強誘電体素
子の製造方法においては、例えば、ＭＯＳトランジスタ
が形成されたＳｉ基板上にアモルファス状の強誘電体酸
化物前駆体を形成した後、この前駆体に対して紫外光を
照射し、所定の結晶型の強誘電体酸化物を作製する。紫
外光としてはＫｒＦエキシマレーザから発せられる波長
２４８ｎｍの紫外光を好ましくは用いることができる。
また、照射時間は前駆体の大きさ及びレーザ強度などに
依存して適宜に設定する。
に基づいて詳細に説明する。本発明の酸化物強誘電体素
子の製造方法においては、例えば、ＭＯＳトランジスタ
が形成されたＳｉ基板上にアモルファス状の強誘電体酸
化物前駆体を形成した後、この前駆体に対して紫外光を
照射し、所定の結晶型の強誘電体酸化物を作製する。紫
外光としてはＫｒＦエキシマレーザから発せられる波長
２４８ｎｍの紫外光を好ましくは用いることができる。
また、照射時間は前駆体の大きさ及びレーザ強度などに
依存して適宜に設定する。
【００１４】また、上述したように、本発明の好ましい
態様においては、前記強誘電体酸化物前駆体に紫外光を
照射する際に、前記前駆体を５００〜６００℃に加熱す
る。これによって、前記前駆体の結晶化を促進して結晶
性を高めることができる。
態様においては、前記強誘電体酸化物前駆体に紫外光を
照射する際に、前記前駆体を５００〜６００℃に加熱す
る。これによって、前記前駆体の結晶化を促進して結晶
性を高めることができる。
【００１５】強誘電体酸化物前駆体の加熱は、この前駆
体が形成されている基板を加熱することによって間接的
に実施することもできるし、前記前駆体を赤外線ランプ
などによって直接的に加熱することにより行うこともで
きる。
体が形成されている基板を加熱することによって間接的
に実施することもできるし、前記前駆体を赤外線ランプ
などによって直接的に加熱することにより行うこともで
きる。
【００１６】また、強誘電体酸化物前駆体の形状は特に
限定されるものではないが、一般にはＳｉ基板などの所
定の基板上にＣＶＤ法、ＭＯＤ法あるいはスピンコート
法を用いて堆積させるため、通常は薄膜状を呈する。
限定されるものではないが、一般にはＳｉ基板などの所
定の基板上にＣＶＤ法、ＭＯＤ法あるいはスピンコート
法を用いて堆積させるため、通常は薄膜状を呈する。
【００１７】本発明の酸化物強誘電体素子の作製方法に
おいては、前記酸化物強誘電体素子を構成する前記強誘
電体酸化物がＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９なるペロブスカイト
構造又はＹＭｎＯ３なる六方晶系を呈することが好まし
い。これらの強誘電体酸化物は、メモリとして作動する
に十分なキュリー温度などの物理特性を具えているた
め、これらの強誘電体酸化物から素子を構成することに
よって、優れた特性の不揮発性メモリを提供することが
できる。
おいては、前記酸化物強誘電体素子を構成する前記強誘
電体酸化物がＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９なるペロブスカイト
構造又はＹＭｎＯ３なる六方晶系を呈することが好まし
い。これらの強誘電体酸化物は、メモリとして作動する
に十分なキュリー温度などの物理特性を具えているた
め、これらの強誘電体酸化物から素子を構成することに
よって、優れた特性の不揮発性メモリを提供することが
できる。
【００１８】なお、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９なるペロブス
カイト構造の強誘電体酸化物を作製するに際しては、強
誘電体酸化物前駆体がＳｒ、Ｂｉ及びＴａを有している
ことが必要となり、好ましくは、前記強誘電体酸化物の
化学両論組成よりもＢｉを多く含有していることが好ま
しい。そして、特には、前記強誘電体酸化物前駆体が、
前記強誘電体酸化物の化学両論組成におけるＢｉ量の
１．５倍を上限としてＢｉを含有していることが好まし
い。
カイト構造の強誘電体酸化物を作製するに際しては、強
誘電体酸化物前駆体がＳｒ、Ｂｉ及びＴａを有している
ことが必要となり、好ましくは、前記強誘電体酸化物の
化学両論組成よりもＢｉを多く含有していることが好ま
しい。そして、特には、前記強誘電体酸化物前駆体が、
前記強誘電体酸化物の化学両論組成におけるＢｉ量の
１．５倍を上限としてＢｉを含有していることが好まし
い。
【００１９】これによって、Ｂｉ原子がペロブスカイト
構造の結晶サイトに容易に入ることができ、上記ＳｒＢ
ｉ２Ｔａ２Ｏ９なるペロブスカイト構造の強誘電体酸化
物を簡易に形成することができる。
構造の結晶サイトに容易に入ることができ、上記ＳｒＢ
ｉ２Ｔａ２Ｏ９なるペロブスカイト構造の強誘電体酸化
物を簡易に形成することができる。
【００２０】また、ＹＭｎＯ３なる六方晶系の強誘電体
酸化物を作製するに際しては、その前駆体がＹ及びＭｎ
を含んでいることが必要である。
酸化物を作製するに際しては、その前駆体がＹ及びＭｎ
を含んでいることが必要である。
【００２１】
【実施例】（実施例１及び２）最初に、２−エチルヘキ
サン酸ストロンチウム、ビスマス、及びタンタルを一定
の金属モル比で調合したゾルゲル溶液（ＥＭＯＤ溶液）
を用い、ｐ型Ｓｉ基板上にスピンコート法によってアモ
ルファス状のＳＢＴ前駆体を厚さ約３００ｎｍに形成し
た。この際、前記ＥＭＯＤ溶液としてビスマス組成の異
なる２種類の溶液を用い、これらの溶液を２０００ｒｐ
ｍで回転させたＳｉ基板上に滴下した後３０秒間放置
し、大気中２５０℃で２０分間乾燥させるという操作を
４回繰り返すことによって２種類のＳＢＴ前駆体を形成
した。各前駆体中のビスマス含有量はそれぞれ２．６原
子％及び３．０原子％であった。
サン酸ストロンチウム、ビスマス、及びタンタルを一定
の金属モル比で調合したゾルゲル溶液（ＥＭＯＤ溶液）
を用い、ｐ型Ｓｉ基板上にスピンコート法によってアモ
ルファス状のＳＢＴ前駆体を厚さ約３００ｎｍに形成し
た。この際、前記ＥＭＯＤ溶液としてビスマス組成の異
なる２種類の溶液を用い、これらの溶液を２０００ｒｐ
ｍで回転させたＳｉ基板上に滴下した後３０秒間放置
し、大気中２５０℃で２０分間乾燥させるという操作を
４回繰り返すことによって２種類のＳＢＴ前駆体を形成
した。各前駆体中のビスマス含有量はそれぞれ２．６原
子％及び３．０原子％であった。
【００２２】次いで、前記ＳＢＴ前駆体を有する前記Ｓ
ｉ基板を加熱炉を構成する石英ガラス管内に設置し、前
記ＳＢＴ前駆体を含むＳｉ基板の全体を５００℃に加熱
するとともに、前記石英ガラス管内に設けた紫外光導入
窓を介して、ＫｒＦレーザから、パワー密度２５０ｍＪ
／ｃｍ２・ｐｕｌｓｅ、波長２４８ｎｍの紫外レーザ光
を３６０００ショット照射し、前記ＳＢＴ前駆体を結晶
化させた。
ｉ基板を加熱炉を構成する石英ガラス管内に設置し、前
記ＳＢＴ前駆体を含むＳｉ基板の全体を５００℃に加熱
するとともに、前記石英ガラス管内に設けた紫外光導入
窓を介して、ＫｒＦレーザから、パワー密度２５０ｍＪ
／ｃｍ２・ｐｕｌｓｅ、波長２４８ｎｍの紫外レーザ光
を３６０００ショット照射し、前記ＳＢＴ前駆体を結晶
化させた。
【００２３】図１は、このようにして得たＳＢＴ結晶の
Ｘ線回折パターンを示す図である。図１から明らかなよ
うに、ＳＢＴ前駆体中のビスマス含有量に依存すること
なく、いずれのＳＢＴ結晶においてもペロブスカイト型
の結晶構造を有していることが分かる。
Ｘ線回折パターンを示す図である。図１から明らかなよ
うに、ＳＢＴ前駆体中のビスマス含有量に依存すること
なく、いずれのＳＢＴ結晶においてもペロブスカイト型
の結晶構造を有していることが分かる。
【００２４】また、ビスマス含有量が３．０原子％のＳ
ＢＴ前駆体中を結晶化させた場合においては、ＳＢＴ結
晶はほぼ全体的にペロブスカイト構造を呈し、ビスマス
含有量が２．６原子％のＳＢＴ前駆体を結晶化させた場
合においては、フルオロライト構造が相当程度に出現し
ていることが分かる。したがって、ＳＢＴ前駆体中のビ
スマス含有量を化学両論組成よりも増大させることによ
って、安定したペロブスカイト構造のＳＢＴ結晶が得ら
れることが判明した。すなわち、ビスマスを３．０原子
％含有したＳＢＴ前駆体を本発明にしたがって結晶化さ
せることにより、不揮発性メモリを構成する酸化物強誘
電体素子としてより好適に用いることのできるＳＢＴ結
晶を提供できることが判明した。
ＢＴ前駆体中を結晶化させた場合においては、ＳＢＴ結
晶はほぼ全体的にペロブスカイト構造を呈し、ビスマス
含有量が２．６原子％のＳＢＴ前駆体を結晶化させた場
合においては、フルオロライト構造が相当程度に出現し
ていることが分かる。したがって、ＳＢＴ前駆体中のビ
スマス含有量を化学両論組成よりも増大させることによ
って、安定したペロブスカイト構造のＳＢＴ結晶が得ら
れることが判明した。すなわち、ビスマスを３．０原子
％含有したＳＢＴ前駆体を本発明にしたがって結晶化さ
せることにより、不揮発性メモリを構成する酸化物強誘
電体素子としてより好適に用いることのできるＳＢＴ結
晶を提供できることが判明した。
【００２５】（実施例３）最初に、ＹとＭｎとを１対１
の割合で含有してなるターゲットに対して高周波スパッ
タリングを約４時間施すことにより、ｐ型Ｓｉ基板上に
アモルファス状のＹＭｎＯ３膜前駆体を厚さ１５０ｎｍ
に堆積させた。次いで、この前駆体を有する前記Ｓｉ基
板を所定の石英ガラス管内に導入し、赤外線ランプによ
って６００℃に加熱するとともに、前記石英ガラス管に
設けられた紫外光導入窓を介して、ＫｒＦレーザから、
パワー密度２５０ｍＪ／ｃｍ２・ｐｕｌｓｅ、波長２４
８ｎｍの紫外レーザ光を３６０００ショット照射し、前
記ＹＭｎＯ３膜前駆体を結晶化させた。
の割合で含有してなるターゲットに対して高周波スパッ
タリングを約４時間施すことにより、ｐ型Ｓｉ基板上に
アモルファス状のＹＭｎＯ３膜前駆体を厚さ１５０ｎｍ
に堆積させた。次いで、この前駆体を有する前記Ｓｉ基
板を所定の石英ガラス管内に導入し、赤外線ランプによ
って６００℃に加熱するとともに、前記石英ガラス管に
設けられた紫外光導入窓を介して、ＫｒＦレーザから、
パワー密度２５０ｍＪ／ｃｍ２・ｐｕｌｓｅ、波長２４
８ｎｍの紫外レーザ光を３６０００ショット照射し、前
記ＹＭｎＯ３膜前駆体を結晶化させた。
【００２６】図２は、このようにして得たＹＭｎＯ３結
晶のＸ線回折パターンを示す図である。図２から明らか
なように、上記のようにして得たＹＭｎＯ３結晶はほぼ
六方晶系を有していることが分かる。したがって、この
ＹＭｎＯ３結晶は良好な強誘電性を示し、不揮発性メモ
リとして好適に使用することのできる酸化物強誘電体素
子を構成できることが分かる。
晶のＸ線回折パターンを示す図である。図２から明らか
なように、上記のようにして得たＹＭｎＯ３結晶はほぼ
六方晶系を有していることが分かる。したがって、この
ＹＭｎＯ３結晶は良好な強誘電性を示し、不揮発性メモ
リとして好適に使用することのできる酸化物強誘電体素
子を構成できることが分かる。
【００２７】以上、具体例を挙げながら発明の実施の形
態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能であ
る。
態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能であ
る。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板を高温に加熱することなくアモルファス状の強誘電
体酸化物前駆体を結晶化させることができるので、この
前駆体が形成された基板上のＭＯＳトランジスタなどに
熱的ダメージを与えることなく、目的とする結晶型の強
誘電体酸化物を作製することができる。したがって、こ
のような強誘電体酸化物からキャパシタを構成すること
により、不揮発性メモリとして好適に使用することので
きる酸化物強誘電体素子の提供が可能となる。
基板を高温に加熱することなくアモルファス状の強誘電
体酸化物前駆体を結晶化させることができるので、この
前駆体が形成された基板上のＭＯＳトランジスタなどに
熱的ダメージを与えることなく、目的とする結晶型の強
誘電体酸化物を作製することができる。したがって、こ
のような強誘電体酸化物からキャパシタを構成すること
により、不揮発性メモリとして好適に使用することので
きる酸化物強誘電体素子の提供が可能となる。
【図１】 本発明の方法にしたがって作製したＳｒＢｉ
２Ｔａ２Ｏ９結晶のＸ線回折パターンを示す図である。
２Ｔａ２Ｏ９結晶のＸ線回折パターンを示す図である。
【図２】 本発明の方法にしたがって作製したＹＭｎＯ
３結晶のＸ線回折パターンを示す図である。
３結晶のＸ線回折パターンを示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 500517363 コリア インスティチュート オブ サイ エンス アンド テクノロジー 大韓民国 130−650 ソウル チョンリャ ン ピーオー ボックス 131 (72)発明者 大木 義路 東京都新宿区大久保３−４−１ 早稲田大 学理工学部内 (72)発明者 薛 光洙 東京都新宿区大久保３−４−１ 早稲田大 学理工学部内 (72)発明者 平松 大直 東京都新宿区大久保３−４−１ 早稲田大 学理工学部内 (72)発明者 伊藤 貴俊 東京都新宿区大久保３−４−１ 早稲田大 学理工学部内 (72)発明者 イン−フーン チョイ 大韓民国 136−701 ソウル ソンブク− ク アナム−ドン ５−１ コリア ユニ ヴァーシティ ディヴィジョン オブ マ テリアルズ サイエンス アンド エンジ ニアリング内 (72)発明者 ヨン−テー キム 大韓民国 136−791 ソウル ソンブク ハワルゴク 39−１ Ｆターム(参考） 5F058 BA11 BA20 BC20 BH01 BH17 BJ01 5F083 FR01 JA02 JA17 PR33
Claims (7)
- 【請求項１】 アモルファス状の強誘電体酸化物前駆体
に紫外光を照射することにより結晶化させ、所定の結晶
型の強誘電体酸化物からなる酸化物強誘電体素子を形成
することを特徴とする、酸化物強誘電体素子の作製方
法。 - 【請求項２】 前記紫外光の照射中において、前記強誘
電体酸化物前駆体を５００〜６００℃に加熱することを
特徴とする、請求項１に記載の酸化物強誘電体素子の作
製方法。 - 【請求項３】 前記強誘電体酸化物前駆体は、Ｓｒ、Ｂ
ｉ及びＴａを含み、前記強誘電体酸化物は、ＳｒＢｉ２
Ｔａ２Ｏ９なるペロブスカイト構造を呈することを特徴
とする、請求項１又は２に記載の酸化物強誘電体素子の
作製方法。 - 【請求項４】 前記強誘電体酸化物前駆体は、前記Ｓｒ
Ｂｉ２Ｔａ２Ｏ９なるペロブスカイト構造の前記強誘電
体酸化物における化学両論組成に対して、Ｂｉを多く含
有することを特徴とする、請求項３に記載の酸化物強誘
電体素子の作製方法。 - 【請求項５】 前記強誘電体酸化物前駆体は、前記Ｓｒ
Ｂｉ２Ｔａ２Ｏ９なるペロブスカイト構造の前記強誘電
体酸化物における化学両論組成におけるＢｉ量の１．５
倍を上限としてＢｉを含有することを特徴とする、請求
項４に記載の酸化物強誘電体素子の作製方法。 - 【請求項６】 前記強誘電体酸化物前駆体は、Ｙ及びＭ
ｎを含み、前記強誘電体酸化物は、ＹＭｎＯ３なる六方
晶系を呈することを特徴とする、請求項１又は２に記載
の酸化物強誘電体素子の作製方法。 - 【請求項７】 前記強誘電体酸化物前駆体は薄膜状であ
ることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一に記載
の酸化物強誘電体素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000340845A JP2002151503A (ja) | 2000-11-08 | 2000-11-08 | 酸化物強誘電体素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000340845A JP2002151503A (ja) | 2000-11-08 | 2000-11-08 | 酸化物強誘電体素子の作製方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002151503A true JP2002151503A (ja) | 2002-05-24 |
Family
ID=18815693
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000340845A Pending JP2002151503A (ja) | 2000-11-08 | 2000-11-08 | 酸化物強誘電体素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002151503A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266141A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Seiko Epson Corp | 基板の熱処理方法 |
-
2000
- 2000-11-08 JP JP2000340845A patent/JP2002151503A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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