JP2002151359A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JP2002151359A JP2002151359A JP2000345126A JP2000345126A JP2002151359A JP 2002151359 A JP2002151359 A JP 2002151359A JP 2000345126 A JP2000345126 A JP 2000345126A JP 2000345126 A JP2000345126 A JP 2000345126A JP 2002151359 A JP2002151359 A JP 2002151359A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 漏れ電流の値を極めて小さくすることができ
る固体電解コンデンサの製造方法を提供すること。 【解決手段】 陽極金属１の表面に誘電体酸化皮膜層２
を形成し、更に該誘電体酸化皮膜層２の上面に固体電解
質層４を形成してなる固体電解コンデンサにおいて、前
記固体電解質層４の形成が、前記誘電体酸化皮膜層２の
欠陥部分に流れる漏れ電流を利用しての電解重合により
該欠陥部分に重合膜を形成し、次いで、再化成処理を施
すことにより、前記欠陥部分を弁金属の陽極酸化と重合
膜の絶縁化により修復し、次いで、化学重合方法により
導電性高分子を生成させて行なう。
る固体電解コンデンサの製造方法を提供すること。 【解決手段】 陽極金属１の表面に誘電体酸化皮膜層２
を形成し、更に該誘電体酸化皮膜層２の上面に固体電解
質層４を形成してなる固体電解コンデンサにおいて、前
記固体電解質層４の形成が、前記誘電体酸化皮膜層２の
欠陥部分に流れる漏れ電流を利用しての電解重合により
該欠陥部分に重合膜を形成し、次いで、再化成処理を施
すことにより、前記欠陥部分を弁金属の陽極酸化と重合
膜の絶縁化により修復し、次いで、化学重合方法により
導電性高分子を生成させて行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性高分子を電
解質とした固体電解コンデンサの製造方法に関するもの
である。
解質とした固体電解コンデンサの製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】導電性高分子を電解質とした固体電解コ
ンデンサは、図１に示すように、陽極箔１の表面に誘電
体酸化皮膜層２を形成し、更に該誘電体酸化皮膜層２の
上面に固体電解質層４を形成し、溶接により陽極をリー
ドフレームに接合し、陰極はグラファイト層５、銀ペー
スト層６で導電性を確保し、リードフレームに搭載し、
モールド樹脂封止を行い、リード加工を行って作成す
る。
ンデンサは、図１に示すように、陽極箔１の表面に誘電
体酸化皮膜層２を形成し、更に該誘電体酸化皮膜層２の
上面に固体電解質層４を形成し、溶接により陽極をリー
ドフレームに接合し、陰極はグラファイト層５、銀ペー
スト層６で導電性を確保し、リードフレームに搭載し、
モールド樹脂封止を行い、リード加工を行って作成す
る。
【０００３】または、図２に示すように、陽極金属粉末
の焼結体３の表面に同様に誘電体酸化皮膜層２を形成
し、更に該誘電体酸化皮膜層２の上面に固体電解質層４
を形成し、溶接により陽極をリードフレームに接合し、
陰極はグラファイト層５、銀ペースト層６で導電性を確
保し、リードフレームに搭載し、モールド樹脂封止を行
い、リード加工を行って作成する。
の焼結体３の表面に同様に誘電体酸化皮膜層２を形成
し、更に該誘電体酸化皮膜層２の上面に固体電解質層４
を形成し、溶接により陽極をリードフレームに接合し、
陰極はグラファイト層５、銀ペースト層６で導電性を確
保し、リードフレームに搭載し、モールド樹脂封止を行
い、リード加工を行って作成する。
【０００４】ところで、陽極箔は、弁金属の代表である
アルミニウムが使用され、これの箔状のものを電気化学
的手法で粗面化し、陽極酸化の手法で誘電体となる酸化
膜を形成して作られる。また、焼結体の場合は弁金属の
タンタルニウム、チタニウム等が使用され、これらの粉
末をリードを付けて成形し、減圧中で高温焼結し、陽極
酸化の手法で誘電体となる酸化膜を形成して作られる。
アルミニウムが使用され、これの箔状のものを電気化学
的手法で粗面化し、陽極酸化の手法で誘電体となる酸化
膜を形成して作られる。また、焼結体の場合は弁金属の
タンタルニウム、チタニウム等が使用され、これらの粉
末をリードを付けて成形し、減圧中で高温焼結し、陽極
酸化の手法で誘電体となる酸化膜を形成して作られる。
【０００５】陽極体または焼結体の酸化皮膜層の表面に
固体電解質層を形成するには、従来の方法として、化学
重合のみにより形成する方法と、化学重合を行った後に
別に給電部分を設け電解重合を行う方法（例えば、特開
昭６３−１７３３１３号公報参照）、または二酸化マン
ガンをプリコート層として設け、続いて固体電解質の形
成を電解重合で行う方法（例えば、特公平６−８２５８
７号公報参照）等が知られている。
固体電解質層を形成するには、従来の方法として、化学
重合のみにより形成する方法と、化学重合を行った後に
別に給電部分を設け電解重合を行う方法（例えば、特開
昭６３−１７３３１３号公報参照）、または二酸化マン
ガンをプリコート層として設け、続いて固体電解質の形
成を電解重合で行う方法（例えば、特公平６−８２５８
７号公報参照）等が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術で述べたも
ののうち化学重合のみにより形成する場合は、コンデン
サ素子の角や辺が重合液の表面張力の影響により導電性
高分子の固体電解質層が極端に薄くなり、形成され難
い。このため、角や辺の部分に必要な量の固体電解質層
が形成されるまで繰り返し化学重合を行う必要があり、
重合回数が増加するという問題点を有していた。
ののうち化学重合のみにより形成する場合は、コンデン
サ素子の角や辺が重合液の表面張力の影響により導電性
高分子の固体電解質層が極端に薄くなり、形成され難
い。このため、角や辺の部分に必要な量の固体電解質層
が形成されるまで繰り返し化学重合を行う必要があり、
重合回数が増加するという問題点を有していた。
【０００７】また、面状の部分には必要以上に形成され
るため、膜厚が厚くなって等価直列抵抗（ＥＳＲ）が高
くなり、更に重合回数を増加しても固体電解質層が形成
されていない部分が残り、その部分に誘電体皮膜の欠陥
があると、カーボンペースト層が欠陥部と接触するので
ショートの発生または大きな漏れ電流の発生となり、エ
ージングによるヒーリングも起こらないという問題点を
有していた。
るため、膜厚が厚くなって等価直列抵抗（ＥＳＲ）が高
くなり、更に重合回数を増加しても固体電解質層が形成
されていない部分が残り、その部分に誘電体皮膜の欠陥
があると、カーボンペースト層が欠陥部と接触するので
ショートの発生または大きな漏れ電流の発生となり、エ
ージングによるヒーリングも起こらないという問題点を
有していた。
【０００８】また、化学重合によりプリコート層の形成
を行い、後に給電部分を設け電解重合を行う方法にあっ
ては、給電部分の取り付け、取り外しにより欠陥が生じ
易く、その部分でショートの発生、大きな漏れ電流の発
生が生じることがあり、また、外部から給電する電極を
取り付ける作業が煩雑であるという問題点を有してい
た。
を行い、後に給電部分を設け電解重合を行う方法にあっ
ては、給電部分の取り付け、取り外しにより欠陥が生じ
易く、その部分でショートの発生、大きな漏れ電流の発
生が生じることがあり、また、外部から給電する電極を
取り付ける作業が煩雑であるという問題点を有してい
た。
【０００９】更に、プリコート層を二酸化マンガンによ
り形成する場合にあっても、化学重合によるプリコート
層の場合と同様の問題点を有していた。
り形成する場合にあっても、化学重合によるプリコート
層の場合と同様の問題点を有していた。
【００１０】本発明は、このような従来技術における性
能上および製造上の問題点に鑑みなされたもので、その
目的とするところは、容量出現率、誘電損失（ｔａｎ
δ）の特性を損なうことなく、漏れ電流の値を小さくす
ることができる固体電解コンデンサの製造方法を提供す
ることにある。
能上および製造上の問題点に鑑みなされたもので、その
目的とするところは、容量出現率、誘電損失（ｔａｎ
δ）の特性を損なうことなく、漏れ電流の値を小さくす
ることができる固体電解コンデンサの製造方法を提供す
ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、陽極金属の表面に誘電体酸化皮膜層を形
成し、更に該誘電体酸化皮膜層の上面に固体電解質層を
形成してなる固体電解コンデンサにおいて、前記固体電
解質層の形成が、前記誘電体酸化皮膜層の欠陥部分に流
れる漏れ電流を利用しての電解重合により該欠陥部分に
重合膜を形成し、次いで、再化成処理を施すことによ
り、前記欠陥部分を弁金属の陽極酸化と重合膜の絶縁化
により修復し、次いで、化学重合方法により導電性高分
子を生成させて行うことを特徴とするものである。
め、本発明は、陽極金属の表面に誘電体酸化皮膜層を形
成し、更に該誘電体酸化皮膜層の上面に固体電解質層を
形成してなる固体電解コンデンサにおいて、前記固体電
解質層の形成が、前記誘電体酸化皮膜層の欠陥部分に流
れる漏れ電流を利用しての電解重合により該欠陥部分に
重合膜を形成し、次いで、再化成処理を施すことによ
り、前記欠陥部分を弁金属の陽極酸化と重合膜の絶縁化
により修復し、次いで、化学重合方法により導電性高分
子を生成させて行うことを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
すると、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法
は、図１及び図２に例示された固体電解コンデンサにお
いて、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレ
ンスルホン酸及びそれらの塩等を支持電解質とした有機
高分子モノマー（ピロール、チオフェン、アニリンおよ
びその誘導体）の溶液にコンデンサ素子（誘電体酸化皮
膜層２を有する陽極箔１または焼結体３）を浸漬し、陽
極リード線より通電して漏れ電流の発生する部分に電解
重合により固体電解質層を形成する。この場合、陽極箔
１の切断面及び焼結体３の角や辺等の欠陥の多い部分を
中心に重合膜が形成される。また、これらの部分は化学
重合法では重合溶液の表面張力により重合膜が形成され
難い部分である。
すると、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法
は、図１及び図２に例示された固体電解コンデンサにお
いて、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレ
ンスルホン酸及びそれらの塩等を支持電解質とした有機
高分子モノマー（ピロール、チオフェン、アニリンおよ
びその誘導体）の溶液にコンデンサ素子（誘電体酸化皮
膜層２を有する陽極箔１または焼結体３）を浸漬し、陽
極リード線より通電して漏れ電流の発生する部分に電解
重合により固体電解質層を形成する。この場合、陽極箔
１の切断面及び焼結体３の角や辺等の欠陥の多い部分を
中心に重合膜が形成される。また、これらの部分は化学
重合法では重合溶液の表面張力により重合膜が形成され
難い部分である。
【００１３】次に、このコンデンサ素子をリン酸水溶液
等の化成液を用いて再化成処理を行い、誘電体酸化皮膜
層２の欠陥部を陽極酸化と導電性高分子の絶縁化により
修復する。次いで、化学重合（モノマーと酸化剤の混合
溶液に含浸する１液重合方法、またはモノマーと酸化剤
に交互に含浸する２液方法等）によりコンデンサ素子全
体に導電性高分子の固体電解質を形成することにより漏
れ電流の小さい固体電解コンデンサが得られる。
等の化成液を用いて再化成処理を行い、誘電体酸化皮膜
層２の欠陥部を陽極酸化と導電性高分子の絶縁化により
修復する。次いで、化学重合（モノマーと酸化剤の混合
溶液に含浸する１液重合方法、またはモノマーと酸化剤
に交互に含浸する２液方法等）によりコンデンサ素子全
体に導電性高分子の固体電解質を形成することにより漏
れ電流の小さい固体電解コンデンサが得られる。
【００１４】
【実施例】以下に具体的実施例について説明する。 実施例１ 長さ６mm、幅３mmの短冊状に加工したアルミ箔を金属バ
ーに数枚溶接し、１６Ｖ２．２μＦ用のコンデンサ素子
を作成する。
ーに数枚溶接し、１６Ｖ２．２μＦ用のコンデンサ素子
を作成する。
【００１５】次に、このコンデンサ素子を３、４エチレ
ンジオキシチオフェンを０．１ｍｏｌ／Ｌ、支持電解質
としてドデシルベンゼンスルホン酸０．１ｍｏｌ／Ｌを
含む電解重合溶液に浸漬し、コンデンサ素子に１０Ｖ、
１ｍＡの電気を加え電解重合を行った。重合はコンデン
サ素子の欠陥部分である角及び辺に集中的に発生した。
ンジオキシチオフェンを０．１ｍｏｌ／Ｌ、支持電解質
としてドデシルベンゼンスルホン酸０．１ｍｏｌ／Ｌを
含む電解重合溶液に浸漬し、コンデンサ素子に１０Ｖ、
１ｍＡの電気を加え電解重合を行った。重合はコンデン
サ素子の欠陥部分である角及び辺に集中的に発生した。
【００１６】次いで、このコンデンサ素子を再度化成、
純水洗浄を行い、１２５℃で６０分間乾燥した。
純水洗浄を行い、１２５℃で６０分間乾燥した。
【００１７】次いで、このコンデンサ素子を３、４エチ
レンジオキシチオフェンモノマーとパラトルエンスルホ
ン酸第二鉄／１−ブタノール（５０ｗｔ％）溶液に交互
に浸漬し、引上げ後３０〜６０℃で１〜３時間乾燥する
工程を２〜５回繰り返し、最後の浸漬後の乾燥は３０〜
８０℃で３〜１２時間行い、化学重合反応を実施した。
よって得られたコンデンサ素子をリードフレームに搭載
し、モールド樹脂封止を行い、リード加工を行って固体
電解コンデンサを完成させた。
レンジオキシチオフェンモノマーとパラトルエンスルホ
ン酸第二鉄／１−ブタノール（５０ｗｔ％）溶液に交互
に浸漬し、引上げ後３０〜６０℃で１〜３時間乾燥する
工程を２〜５回繰り返し、最後の浸漬後の乾燥は３０〜
８０℃で３〜１２時間行い、化学重合反応を実施した。
よって得られたコンデンサ素子をリードフレームに搭載
し、モールド樹脂封止を行い、リード加工を行って固体
電解コンデンサを完成させた。
【００１８】実施例２ １０Ｖ１００μＦ用のタンタルニウム成形焼結体のコン
デンサ素子を化成し、純水洗浄して、１２５℃で６０分
間乾燥した。
デンサ素子を化成し、純水洗浄して、１２５℃で６０分
間乾燥した。
【００１９】次に、このコンデンサ素子を３、４エチレ
ンジオキシチオフェンを０．１ｍｏｌ／Ｌ、支持電解質
としてドデシルベンゼンスルホン酸０．１ｍｏｌ／Ｌを
含む電解重合溶液に浸漬し、コンデンサ素子に１０Ｖ、
１ｍＡの電気を加え電解重合を行った。重合はコンデン
サ素子の欠陥部分である角及び辺に集中的に発生した。
ンジオキシチオフェンを０．１ｍｏｌ／Ｌ、支持電解質
としてドデシルベンゼンスルホン酸０．１ｍｏｌ／Ｌを
含む電解重合溶液に浸漬し、コンデンサ素子に１０Ｖ、
１ｍＡの電気を加え電解重合を行った。重合はコンデン
サ素子の欠陥部分である角及び辺に集中的に発生した。
【００２０】次いで、このコンデンサ素子を再度化成、
純水洗浄を行い、１２５℃で６０分間乾燥した。
純水洗浄を行い、１２５℃で６０分間乾燥した。
【００２１】次いで、このコンデンサ素子を３、４エチ
レンジオキシチオフェンモノマーとパラトルエンスルホ
ン酸第二鉄／１−ブタノール（５０ｗｔ％）溶液に交互
に浸漬し、引上げ後３０〜６０℃で１〜３時間乾燥する
工程を２〜５回繰り返し、最後の浸漬後の乾燥は３０〜
８０℃で３〜１２時間行い、化学重合反応を実施した。
よって得られたコンデンサ素子をリードフレームに搭載
し、モールド樹脂封止を行い、リード加工を行って固体
電解コンデンサを完成させた。
レンジオキシチオフェンモノマーとパラトルエンスルホ
ン酸第二鉄／１−ブタノール（５０ｗｔ％）溶液に交互
に浸漬し、引上げ後３０〜６０℃で１〜３時間乾燥する
工程を２〜５回繰り返し、最後の浸漬後の乾燥は３０〜
８０℃で３〜１２時間行い、化学重合反応を実施した。
よって得られたコンデンサ素子をリードフレームに搭載
し、モールド樹脂封止を行い、リード加工を行って固体
電解コンデンサを完成させた。
【００２２】次に、参考例１として 長さ６mm、幅３mmの短冊状に加工したアルミ箔を金属バ
ーに数枚溶接し、１６Ｖ２．２μＦ用のコンデンサ素子
を作成する。
ーに数枚溶接し、１６Ｖ２．２μＦ用のコンデンサ素子
を作成する。
【００２３】次に、この加工したコンデンサ素子を化成
し、熱処理を数回繰り返し行い、その後再び化成、純水
洗浄して、１２５℃で６０分間乾燥した。
し、熱処理を数回繰り返し行い、その後再び化成、純水
洗浄して、１２５℃で６０分間乾燥した。
【００２４】次いで、このコンデンサ素子を３、４エチ
レンジオキシチオフェンモノマーとパラトルエンスルホ
ン酸第二鉄／１−ブタノール（５０ｗｔ％）溶液に交互
に浸漬し、引上げ後３０〜６０℃で１〜３時間乾燥する
工程を４〜６回繰り返し、最後の浸漬後の乾燥は３０〜
８０℃で３〜１２時間行い、化学重合反応を実施した。
よって得られたコンデンサ素子をリードフレームに搭載
し、モールド樹脂封止を行い、リード加工を行って固体
電解コンデンサを完成させた。
レンジオキシチオフェンモノマーとパラトルエンスルホ
ン酸第二鉄／１−ブタノール（５０ｗｔ％）溶液に交互
に浸漬し、引上げ後３０〜６０℃で１〜３時間乾燥する
工程を４〜６回繰り返し、最後の浸漬後の乾燥は３０〜
８０℃で３〜１２時間行い、化学重合反応を実施した。
よって得られたコンデンサ素子をリードフレームに搭載
し、モールド樹脂封止を行い、リード加工を行って固体
電解コンデンサを完成させた。
【００２５】参考例２として １０Ｖ１００μＦ用のタンタルニウム成形焼結体のコン
デンサ素子を化成し、純水洗浄して、１２５℃で６０分
間乾燥した。
デンサ素子を化成し、純水洗浄して、１２５℃で６０分
間乾燥した。
【００２６】次に、このコンデンサ素子を３、４エチレ
ンジオキシチオフェンモノマーとパラトルエンスルホン
酸第二鉄／１−ブタノール（５０ｗｔ％）溶液に交互に
浸漬し、引上げ後３０〜６０℃で１〜３時間乾燥する工
程を４〜６回繰り返し、最後の浸漬後の乾燥は３０〜８
０℃で３〜１２時間行い、化学重合反応を実施した。よ
って得られたコンデンサ素子をリードフレームに搭載
し、モールド樹脂封止を行い、リード加工を行って固体
電解コンデンサを完成させた。
ンジオキシチオフェンモノマーとパラトルエンスルホン
酸第二鉄／１−ブタノール（５０ｗｔ％）溶液に交互に
浸漬し、引上げ後３０〜６０℃で１〜３時間乾燥する工
程を４〜６回繰り返し、最後の浸漬後の乾燥は３０〜８
０℃で３〜１２時間行い、化学重合反応を実施した。よ
って得られたコンデンサ素子をリードフレームに搭載
し、モールド樹脂封止を行い、リード加工を行って固体
電解コンデンサを完成させた。
【００２７】電解重合処理をした実施例１、２と電解重
合処理をしない参考例１、２の各固体電解コンデンサに
つき、その静電容量（Ｃａｐ）、誘電損失（ｔａｎ
δ）、漏れ電流（ＬＣ）、等価直列抵抗（ＥＳＲ）の初
期特性の平均値の測定結果を表１に示す。
合処理をしない参考例１、２の各固体電解コンデンサに
つき、その静電容量（Ｃａｐ）、誘電損失（ｔａｎ
δ）、漏れ電流（ＬＣ）、等価直列抵抗（ＥＳＲ）の初
期特性の平均値の測定結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１から明らかなように、本発明に係る固
体電解コンデンサの製造方法によれば、漏れ電流の値が
小さいことが判る。
体電解コンデンサの製造方法によれば、漏れ電流の値が
小さいことが判る。
【００３０】
【発明の効果】しかして、本発明によれば、電解重合と
再化成処理の工程を加えることにより、従来の製造方法
に比し、漏れ電流の値を極めて小さくでき、かつ容量、
誘電損失（ｔａｎδ）等の電気的諸特性については影響
を及ぼさず、その改善効果が顕著である。
再化成処理の工程を加えることにより、従来の製造方法
に比し、漏れ電流の値を極めて小さくでき、かつ容量、
誘電損失（ｔａｎδ）等の電気的諸特性については影響
を及ぼさず、その改善効果が顕著である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例で用いた固体電解コンデンサの
一例での模式的断面図である。
一例での模式的断面図である。
【図２】本発明の実施例で用いた固体電解コンデンサの
他例での模式的断面図である。
他例での模式的断面図である。
１、３ 陽極金属 ２ 誘電体酸化皮膜層 ４ 固体電解質層（導電性高分子層） ５ グラファイト層 ６ 銀ペースト層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年１１月２４日（２０００．１１．
２４）
２４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】ところで、陽極箔は、弁金属の代表である
アルミニウムが使用され、これの箔状のものを電気化学
的手法で粗面化し、陽極酸化の手法で誘電体となる酸化
膜を形成して作られる。また、焼結体の場合は弁金属の
タンタル、チタニウム等が使用され、これらの粉末をリ
ードを付けて成形し、減圧中で高温焼結し、陽極酸化の
手法で誘電体となる酸化膜を形成して作られる。
アルミニウムが使用され、これの箔状のものを電気化学
的手法で粗面化し、陽極酸化の手法で誘電体となる酸化
膜を形成して作られる。また、焼結体の場合は弁金属の
タンタル、チタニウム等が使用され、これらの粉末をリ
ードを付けて成形し、減圧中で高温焼結し、陽極酸化の
手法で誘電体となる酸化膜を形成して作られる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】また、面状の部分には必要以上に形成され
るため、膜厚が厚くなって等価直列抵抗（ＥＳＲ）が高
くなり、更に重合回数を増加しても固体電解質層が形成
されていない部分が残り、その部分に誘電体皮膜の欠陥
があると、グラファイト層が欠陥部と接触するのでショ
ートの発生または大きな漏れ電流の発生となり、エージ
ングによるヒーリングも起こらないという問題点を有し
ていた。
るため、膜厚が厚くなって等価直列抵抗（ＥＳＲ）が高
くなり、更に重合回数を増加しても固体電解質層が形成
されていない部分が残り、その部分に誘電体皮膜の欠陥
があると、グラファイト層が欠陥部と接触するのでショ
ートの発生または大きな漏れ電流の発生となり、エージ
ングによるヒーリングも起こらないという問題点を有し
ていた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
すると、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法
は、図１及び図２に例示された固体電解コンデンサにお
いて、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレ
ンスルホン酸及びそれらの塩等を支持電解質とした導電
性高分子となるモノマー（ピロール、チオフェン、アニ
リンおよびその誘導体）の溶液にコンデンサ素子（誘電
体酸化皮膜層２を有する陽極箔１または焼結体３）を浸
漬し、陽極リード線より通電して漏れ電流の発生する部
分に電解重合により固体電解質層を形成する。この場
合、陽極箔１の切断面及び焼結体３の角や辺等の欠陥の
多い部分を中心に重合膜が形成される。また、これらの
部分は化学重合法では重合溶液の表面張力により重合膜
が形成され難い部分である。
すると、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法
は、図１及び図２に例示された固体電解コンデンサにお
いて、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレ
ンスルホン酸及びそれらの塩等を支持電解質とした導電
性高分子となるモノマー（ピロール、チオフェン、アニ
リンおよびその誘導体）の溶液にコンデンサ素子（誘電
体酸化皮膜層２を有する陽極箔１または焼結体３）を浸
漬し、陽極リード線より通電して漏れ電流の発生する部
分に電解重合により固体電解質層を形成する。この場
合、陽極箔１の切断面及び焼結体３の角や辺等の欠陥の
多い部分を中心に重合膜が形成される。また、これらの
部分は化学重合法では重合溶液の表面張力により重合膜
が形成され難い部分である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】実施例２ １０Ｖ１００μＦ用のタンタル成形焼結体のコンデンサ
素子を化成し、純水洗浄して、１２５℃で６０分間乾燥
した。
素子を化成し、純水洗浄して、１２５℃で６０分間乾燥
した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】参考例２として １０Ｖ１００μＦ用のタンタル成形焼結体のコンデンサ
素子を化成し、純水洗浄して、１２５℃で６０分間乾燥
した。
素子を化成し、純水洗浄して、１２５℃で６０分間乾燥
した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、電解重合と再化成処理
の工程を加えることにより、従来の製造方法に比し、漏
れ電流の値を極めて小さくでき、かつ容量、誘電損失
（ｔａｎδ）等の電気的諸特性については影響を及ぼさ
ず、その改善効果が顕著である。
の工程を加えることにより、従来の製造方法に比し、漏
れ電流の値を極めて小さくでき、かつ容量、誘電損失
（ｔａｎδ）等の電気的諸特性については影響を及ぼさ
ず、その改善効果が顕著である。
Claims (1)
- 【請求項１】 陽極金属の表面に誘電体酸化皮膜層を形
成し、更に該誘電体酸化皮膜層の上面に固体電解質層を
形成してなる固体電解コンデンサにおいて、 前記固体電解質層の形成が、前記誘電体酸化皮膜層の欠
陥部分に流れる漏れ電流を利用しての電解重合により該
欠陥部分に重合膜を形成し、 次いで、再化成処理を施すことにより、前記欠陥部分を
弁金属の陽極酸化と重合膜の絶縁化により修復し、 次いで、化学重合方法により導電性高分子を生成させて
行うことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000345126A JP2002151359A (ja) | 2000-11-13 | 2000-11-13 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000345126A JP2002151359A (ja) | 2000-11-13 | 2000-11-13 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002151359A true JP2002151359A (ja) | 2002-05-24 |
Family
ID=18819213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000345126A Pending JP2002151359A (ja) | 2000-11-13 | 2000-11-13 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002151359A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1592029A1 (en) * | 2003-02-07 | 2005-11-02 | Showa Denko K.K. | Capacitor and production method for the capacitor |
| JP2010272602A (ja) * | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
-
2000
- 2000-11-13 JP JP2000345126A patent/JP2002151359A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1592029A1 (en) * | 2003-02-07 | 2005-11-02 | Showa Denko K.K. | Capacitor and production method for the capacitor |
| EP1592029A4 (en) * | 2003-02-07 | 2009-07-01 | Showa Denko Kk | CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD FOR THE CONDENSER |
| JP2010272602A (ja) * | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070717 |