JP2002134564A - Pressured head - Google Patents

Pressured head

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JP2002134564A
JP2002134564A JP2000329166A JP2000329166A JP2002134564A JP 2002134564 A JP2002134564 A JP 2002134564A JP 2000329166 A JP2000329166 A JP 2000329166A JP 2000329166 A JP2000329166 A JP 2000329166A JP 2002134564 A JP2002134564 A JP 2002134564A
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JP
Japan
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pressure bonding
bonding head
fillet
lsi
film
Prior art date
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Application number
JP2000329166A
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Japanese (ja)
Inventor
Ko Ishibashi
江 石橋
Katsuyoshi Kiguchiya
勝義 木口屋
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Kyocera Display Corp
Original Assignee
Kyocera Display Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pressure head that can load a semiconductor device with a simple configuration and efficient workability, and additionally can prevent a partial separation of a fillet. SOLUTION: On an absorption surface 21 of the pressure head 20, a film 33 is formed of a fluororesin that is a material that has a small intermolecular force and surface energy as well as excellent heat resistance, non-adherence and solvent resistance.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を電気
回路に接続する圧着ヘッドに係り、特に、液晶表示装置
においてLSIのような半導体素子を可撓配線基板の電
気回路に接続するのに好適な圧着ヘッドに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pressure bonding head for connecting a semiconductor element to an electric circuit, and more particularly to a pressure bonding head for connecting a semiconductor element such as an LSI to an electric circuit of a flexible wiring board in a liquid crystal display device. A crimping head.

【0002】[0002]

【従来の技術】まず、前述した液晶表示装置における一
般的な液晶表示素子の一例を図3により説明する。
2. Description of the Related Art First, an example of a general liquid crystal display element in the above-described liquid crystal display device will be described with reference to FIG.

【0003】図3は、カラーフィルタ方式のカラー液晶
表示素子を示すものであり、間隔を隔ててほぼ平行に配
置された2枚のガラスのような材質からなる透明基板1
A,1Bを有しており、これらの両透明基板1A,1B
間の外周はシール材2により密閉されている。このう
ち、上方に位置する一方の透明基板1Aの下面には、透
明共通電極3Aが密着するように配設されており、ま
た、この透明共通電極3Aの下方には、非表示領域を覆
うように遮光膜4が配置されている。
FIG. 3 shows a color liquid crystal display device of a color filter system, in which a transparent substrate 1 made of a material such as glass, which is disposed in parallel with a space therebetween, is used.
A, 1B, and both transparent substrates 1A, 1B
The outer periphery therebetween is sealed by a sealing material 2. Of these, a transparent common electrode 3A is disposed on the lower surface of one of the transparent substrates 1A positioned above so as to be in close contact therewith, and below the transparent common electrode 3A, a non-display area is covered. The light-shielding film 4 is disposed at the center.

【0004】また、前記遮光膜4の下方には、電極間に
印加される電圧に応じて液晶分子の配向を制御する配向
膜6Aが密着するように配設されている。さらに、前記
ガラス基板1Aの上面には偏光板7Aが配設されてい
る。
Below the light-shielding film 4, an alignment film 6A for controlling the alignment of liquid crystal molecules in accordance with the voltage applied between the electrodes is provided so as to be in close contact therewith. Further, a polarizing plate 7A is provided on the upper surface of the glass substrate 1A.

【0005】一方、下方に位置する前記透明基板1Bの
上面には、透明セグメント電極3Bが配置されており、
この透明セグメント電極3Bの上方にはカラーフィルタ
膜5が配置されている。このカラーフィルタ膜5の形成
法としては、印刷法、電着法、染色法、顔料分散法など
各種の方法が従来から知られている。また、このカラー
フィルタ膜5の上方には配向膜6Bが密着するように配
設されている。さらに、前記透明基板1Bの下面には偏
光板7Bが配設されている。
On the other hand, a transparent segment electrode 3B is disposed on the upper surface of the transparent substrate 1B located below,
A color filter film 5 is disposed above the transparent segment electrode 3B. As a method of forming the color filter film 5, various methods such as a printing method, an electrodeposition method, a dyeing method, and a pigment dispersion method are conventionally known. An alignment film 6B is provided above the color filter film 5 so as to be in close contact therewith. Further, a polarizing plate 7B is provided on the lower surface of the transparent substrate 1B.

【0006】そして、前記両透明基板1A,1Bおよび
シール材2により囲繞された密閉空間内には液晶8が封
入されており、さらに、両透明基板1A,1B間の間隔
を正確に一定に保持するため、前記両配向膜6A,6B
間には複数の球状あるいは柱状のスペーサ9が介装され
ている。
A liquid crystal 8 is sealed in a sealed space surrounded by the transparent substrates 1A and 1B and the sealing member 2, and furthermore, the distance between the transparent substrates 1A and 1B is kept accurately and constant. For this purpose, the alignment films 6A, 6B
A plurality of spherical or columnar spacers 9 are interposed between them.

【0007】なお、前記透明基板1Bの上面の透明セグ
メント電極3Bは、前記シール材2などに含有されてい
る導電性部材(図示せず)などを介して前記透明基板1
Aの下面上に導出されており、この透明基板1Aの下面
の図3における右端部には、各電極3A,3Bの各リー
ド端子3Cが形成されている。
The transparent segment electrode 3B on the upper surface of the transparent substrate 1B is connected to the transparent substrate 1 via a conductive member (not shown) contained in the sealing material 2 or the like.
A lead terminal 3C of each of the electrodes 3A and 3B is formed at the right end in FIG. 3 of the lower surface of the transparent substrate 1A.

【0008】一方、図5に示す可撓配線基板11のベー
スフィルム12上には電気回路13が形成されており、
この電気回路13の端部に形成されているリード端子1
3Aに前記各電極3A,3Bの各リード端子3Cが接続
される。また、前記可撓配線基板11の電気回路13に
は、前記液晶表示素子の駆動を制御する半導体素子の一
例としてのLSI14およびコンデンサなどのチップ部
品17が搭載されている。そして、この可撓配線基板1
1は、液晶表示装置の平面積を減少するため、彎曲部1
5を形成されたうえで、図4に示すように前記液晶表示
素子10の下方にまで延在しており、液晶表示素子10
の下方に位置している電源側回路としての剛性を有する
プリント配線基板16とリード端子13Bを介して接続
されている。
On the other hand, an electric circuit 13 is formed on a base film 12 of a flexible wiring board 11 shown in FIG.
The lead terminal 1 formed at the end of the electric circuit 13
The lead terminals 3C of the electrodes 3A and 3B are connected to 3A. Further, an LSI 14 as an example of a semiconductor element for controlling driving of the liquid crystal display element and a chip component 17 such as a capacitor are mounted on the electric circuit 13 of the flexible wiring board 11. And this flexible wiring board 1
1 is a curved portion 1 for reducing the plane area of the liquid crystal display device.
5 and is extended below the liquid crystal display element 10 as shown in FIG.
Is connected via a lead terminal 13B to a rigid printed wiring board 16 serving as a power supply side circuit located below.

【0009】ここで、可撓配線基板11として、COF
(chip on film)、TCP(tape carrier package)などを
挙げることができる。
Here, COF is used as the flexible wiring board 11.
(chip on film), TCP (tape carrier package) and the like.

【0010】このような液晶表示装置において、前記L
SI14を可撓配線基板11の電気回路13に接続する
ために従来から圧着ヘッドが用いられていた。
In such a liquid crystal display device, the L
Conventionally, a crimping head has been used to connect the SI 14 to the electric circuit 13 of the flexible wiring board 11.

【0011】図6に示すように、セラミック材料により
ほぼ直方体形状とされているこの圧着ヘッド20は、図
示しない昇降機構により昇降可能とされている。また、
この圧着ヘッド20には、異方性導電膜を250℃程度
にまで加熱するためのヒータ(図示せず)が内蔵されて
いる。さらに、この圧着ヘッド20の下面21には、長
方形状の吸引孔22が形成されており、この吸引孔22
内に空気を吸引する図示しない真空ポンプが配設されて
いる。
As shown in FIG. 6, the pressure bonding head 20, which has a substantially rectangular parallelepiped shape made of a ceramic material, can be raised and lowered by a lifting mechanism (not shown). Also,
The pressure bonding head 20 has a built-in heater (not shown) for heating the anisotropic conductive film to about 250 ° C. Further, a rectangular suction hole 22 is formed in the lower surface 21 of the pressure bonding head 20.
A vacuum pump (not shown) for sucking air is provided in the inside.

【0012】このような圧着ヘッド20によりLSI1
4のバンプ(図示せず)を可撓配線基板11の電気回路
13の銅箔(図示せず)に接続するには、図7に示すよ
うに、可撓配線基板11の電気回路13上にほぼ50μ
mの膜厚となるように接着材である異方性導電膜(AC
F)23を形成しておき、ヒータにより高温状態にある
圧着ヘッド20の下面21の吸引孔22から空気を吸入
してLSI14を圧着ヘッド20の下面21に吸引す
る。なお、LSI14のバンプと電気回路13の銅箔と
を直接接触させるので、前記異方性導電膜23に代えて
異方性導電膜から導電性粒子を除いたNCF(non condu
ctive film)を用いることも可能である。
With such a crimping head 20, the LSI 1
In order to connect the bumps 4 (not shown) of FIG. 4 to the copper foil (not shown) of the electric circuit 13 of the flexible wiring board 11, as shown in FIG. Almost 50μ
m of an anisotropic conductive film (AC
F) 23 is formed, and air is sucked into the lower surface 21 of the crimping head 20 by suctioning air from the suction hole 22 of the lower surface 21 of the crimping head 20 in a high temperature state by a heater. Since the bumps of the LSI 14 and the copper foil of the electric circuit 13 are in direct contact with each other, an NCF (non-condu
ctive film) can also be used.

【0013】このような状態において、昇降機構により
圧着ヘッド20を下降してLSI14を可撓配線基板1
1の電気回路13に圧接するように搭載する。すると、
異方性導電膜23がLSI14の外周部において盛り上
がり、LSI14を囲繞するフィレット24が形成され
る。このフィレット24は、LSI14の機械的保持な
らびにLSI14や電気回路13に対する水分の浸入防
止の観点から必要不可欠とされている。
In such a state, the pressure bonding head 20 is moved down by the lifting / lowering mechanism to move the LSI 14 to the flexible wiring board 1.
It is mounted so as to be pressed against one electric circuit 13. Then
The anisotropic conductive film 23 rises at the outer peripheral portion of the LSI 14 to form a fillet 24 surrounding the LSI 14. The fillet 24 is indispensable from the viewpoints of mechanically holding the LSI 14 and preventing moisture from entering the LSI 14 and the electric circuit 13.

【0014】ところが、前述したフィレット24が、図
8に示すように、圧着ヘッド20に接触すると、この圧
着ヘッド20を上昇させる際に、フィレット24を構成
する異方性導電膜23の一部が、図9に示すように、圧
着ヘッド20に付着したままフィレット24から剥離し
てしまうことがある。
However, when the above-described fillet 24 comes into contact with the pressure bonding head 20 as shown in FIG. 8, when the pressure bonding head 20 is lifted, a part of the anisotropic conductive film 23 constituting the fillet 24 is removed. As shown in FIG. 9, there is a case where it is separated from the fillet 24 while being attached to the pressure bonding head 20.

【0015】すると、図10に示すように、LSI14
の側面の隣接部位のフィレット24に開口25が形成さ
れてしまうことになる。すると、この開口25を介して
LSI14のバンプや電気回路13の銅箔などが露出さ
れてしまうことになり、開口25から浸入した水分によ
りバンプや銅箔が腐食されてしまうおそれがあり、フィ
レット24を形成した所期の目的が損なわれるおそれが
あった。
Then, as shown in FIG.
An opening 25 will be formed in the fillet 24 at a position adjacent to the side surface of the opening. Then, the bumps of the LSI 14 and the copper foil of the electric circuit 13 are exposed through the openings 25, and the bumps and the copper foils may be corroded by moisture entering from the openings 25. There was a possibility that the intended purpose of the formation was deteriorated.

【0016】一方、圧着ヘッド20に付着した異方性導
電膜23は反応して固化しているため、圧着ヘッド20
からの異方性導電膜の除去には時間と労力を要してい
た。
On the other hand, since the anisotropic conductive film 23 attached to the pressure bonding head 20 has reacted and solidified,
It took time and effort to remove the anisotropic conductive film.

【0017】このため、従来は、図11に示すように、
LSI14を2段階に分割して搭載する分割搭載を行っ
ていた。
For this reason, conventionally, as shown in FIG.
The LSI 14 is divided and mounted in two stages.

【0018】すなわち、第1段階では、圧着ヘッド20
を60〜80℃という低温に加熱した状態において、圧
着ヘッド20にLSI14を吸着しておき、圧着ヘッド
20を可撓配線基板11上に形成した異方性導電膜23
上に下降させ、異方性導電膜23を軟化させてLSI1
4を仮搭載する。その後、圧着ヘッド20を上昇させ
る。
That is, in the first stage, the pressure bonding head 20
Is heated to a low temperature of 60 to 80 ° C., the LSI 14 is adsorbed to the pressure bonding head 20, and the pressure bonding head 20 is formed on the flexible wiring substrate 11 by the anisotropic conductive film 23.
The anisotropic conductive film 23 is softened by
4 is temporarily mounted. Thereafter, the pressure bonding head 20 is raised.

【0019】ついで、第2段階において、圧着ヘッド2
0を200〜250℃という高温に加熱した状態におい
て、圧着ヘッド20とLSI14との間に異方性導電膜
23の圧着ヘッド20への付着を防止するためのPTF
E(ポリテトラフルオロエチレン)製シート26を介在
させ、このPTFE製シート26上から圧着ヘッド20
を下降させて可撓配線基板11の電気回路に搭載する。
Next, in the second stage, the pressure bonding head 2
PTF for preventing the anisotropic conductive film 23 from adhering to the pressure bonding head 20 between the pressure bonding head 20 and the LSI 14 in a state in which the pressure-sensitive adhesive 0 is heated to a high temperature of 200 to 250 ° C.
An E (polytetrafluoroethylene) sheet 26 is interposed between the PTFE sheet 26 and the pressure bonding head 20.
Is lowered and mounted on the electric circuit of the flexible wiring board 11.

【0020】このようにしてLSI14を搭載すれば、
フィレット24を構成する異方性導電膜23が圧着ヘッ
ド20に付着することがない。したがって、LSI14
の側面の隣接部位のフィレット24に開口25が形成さ
れることがないので、フィレット24を形成した所期の
目的が損なわれるおそれがないし、また、圧着ヘッド2
0から異方性導電膜の除去する手間もかからない。
If the LSI 14 is mounted as described above,
The anisotropic conductive film 23 constituting the fillet 24 does not adhere to the pressure bonding head 20. Therefore, LSI14
The opening 25 is not formed in the fillet 24 on the adjacent portion of the side surface of the crimping head 2 and the intended purpose of forming the fillet 24 is not impaired.
From 0, there is no need to remove the anisotropic conductive film.

【0021】[0021]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たようにPTFE製シート26を使用してLSI14の
搭載を行うのでは、一度使用したPTFE製シート26
は形状変化を起こしており、再使用ができないため、P
TFE製シート26をシートロール27Aから順次繰り
出しつつ、使用後のPTFE製シート26をシートロー
ル27Bへ巻取るようにしなければならなかった。
However, if the LSI 14 is mounted using the PTFE sheet 26 as described above, the PTFE sheet 26 that has been used once must be used.
Has changed shape and cannot be reused.
The used PTFE sheet 26 has to be wound up onto the sheet roll 27B while sequentially feeding the TFE sheet 26 from the sheet roll 27A.

【0022】このようにPTFE製シート26を使用し
てLSI14の搭載を行うのでは、シートロール27
A,27BならびにPTFE製シートを走行させる手段
を必要とするため構成が複雑化し、コストアップにもつ
ながっていたし、また、分割搭載を行わねばならず作業
性が悪かった。
When mounting the LSI 14 using the PTFE sheet 26 as described above, the sheet roll 27
A, 27B and a means for running the PTFE sheet are required, which complicates the configuration and leads to an increase in cost. In addition, it has to be divided and mounted, resulting in poor workability.

【0023】本発明は、このような従来のものにおける
問題点を克服し、半導体素子の搭載を簡単な構成により
作業性よく行うことができ、しかも、フィレットの部分
剥離を生じないようにした圧着ヘッドを提供することを
目的としている。
The present invention overcomes the above-mentioned problems in the prior art, and enables a semiconductor device to be mounted with a simple structure with good workability, and furthermore, a crimping method which does not cause partial peeling of the fillet. It is intended to provide a head.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため請求項1に係る本発明の圧着ヘッドの特徴は、吸着
面にフッ素系樹脂製被膜を形成した点にある。そして、
このような構成を採用したことにより、分子間力が小さ
く界面エネルギの小さなフッ素系樹脂製被膜により圧着
ヘッドの吸着面が被覆されているので、フィレットを構
成する樹脂が圧着ヘッドに付着して剥離するおそれがな
い。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a pressure bonding head according to the present invention, wherein a fluorine-based resin film is formed on a suction surface. And
By adopting such a configuration, the adsorption surface of the pressure bonding head is covered with a fluorine resin film having a small intermolecular force and a low interfacial energy, so that the resin constituting the fillet adheres to the pressure bonding head and peels off. There is no danger.

【0025】請求項2に係る本発明の圧着ヘッドの特徴
は、被膜の膜厚を20〜50μmとした点にある。そし
て、このような構成を採用したことにより、圧着ヘッド
から樹脂への熱伝導性を損なうおそれないし、また、良
好な耐久性を得ることができる。
A feature of the pressure bonding head according to the present invention according to claim 2 is that the film thickness of the coating is 20 to 50 μm. By adopting such a configuration, there is no fear that thermal conductivity from the pressure bonding head to the resin is impaired, and good durability can be obtained.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】図1は、本発明に係る圧着ヘッド
30の実施形態を示すものであり、本実施形態の圧着ヘ
ッド30は、前述した従来のものと同様、ほぼ直方体形
状とされており、この圧着ヘッド30は、図示しない昇
降機構により昇降可能とされている。また、この圧着ヘ
ッド20には、異方性導電膜を250℃程度にまで加熱
するためのヒータ(図示せず)が内蔵されている。さら
に、この圧着ヘッド30の吸着面である下面31には、
長方形状の吸引孔32が形成されており、この吸引孔3
2内に空気を吸引する図示しない真空ポンプが配設され
ている。
FIG. 1 shows an embodiment of a crimping head 30 according to the present invention. The crimping head 30 of this embodiment has a substantially rectangular parallelepiped shape similarly to the above-described conventional one. The pressure bonding head 30 can be moved up and down by a lifting mechanism (not shown). Further, the pressure bonding head 20 has a built-in heater (not shown) for heating the anisotropic conductive film to about 250 ° C. Furthermore, on the lower surface 31 which is the suction surface of the pressure bonding head 30,
A rectangular suction hole 32 is formed.
2, a vacuum pump (not shown) for sucking air is provided.

【0027】さらに、前記圧着ヘッド30の下面31に
は、PTFEに例示されるようなフッ素系樹脂製の被膜
33が着脱可能に被覆されており、この被膜33の前記
吸引孔32に合致する位置に吸引孔34が形成されてい
る。
Further, the lower surface 31 of the pressure bonding head 30 is detachably covered with a coating 33 made of a fluororesin such as PTFE, and a position of the coating 33 corresponding to the suction hole 32. Is formed with a suction hole 34.

【0028】前記被膜33を構成するフッ素系樹脂は、
分子間力が小さく界面エネルギが小さな材料であるた
め、熱分解温度が種類によって異なるが260〜340
℃と高く耐熱性に優れているし、また、非粘着性ならび
に耐溶剤性にも優れている。
The fluorine resin constituting the coating 33 is as follows:
Since the material has low intermolecular force and low interfacial energy, the thermal decomposition temperature varies depending on the type, but is 260 to 340.
It is excellent in heat resistance as high as ° C., and is also excellent in non-adhesiveness and solvent resistance.

【0029】つぎに、前記被膜33の膜厚は、薄すぎる
と加工性ならびに耐久性が悪くなるので、下限は20μ
mとされており、また、厚すぎると熱伝導性が悪くなる
ので、上限は50μmとされている。
Next, if the thickness of the film 33 is too small, the workability and the durability deteriorate, so the lower limit is 20 μm.
The upper limit is set to 50 μm because thermal conductivity deteriorates if the thickness is too large.

【0030】つぎに、前述した構成からなる本発明の実
施形態の作用について説明する。
Next, the operation of the embodiment of the present invention having the above-described configuration will be described.

【0031】前述した圧着ヘッド30によりLSI14
のバンプ(図示せず)を可撓配線基板11の電気回路1
3の銅箔(図示せず)に接続するには、図2に示すよう
に、可撓配線基板11の電気回路13上にほぼ50μm
の膜厚となるように異方性導電膜(ACF)23を形成
しておき、ヒータにより高温状態にある圧着ヘッド30
のフッ素系樹脂製の被膜33の吸引孔34から空気を吸
入してLSI14を圧着ヘッド20の被膜33の下面に
吸引する。なお、前記異方性導電膜23に代えてNCF
を用いることも可能である。
The above-described crimping head 30 allows the LSI 14
Of the electric circuit 1 of the flexible wiring board 11
2 is connected to a copper foil (not shown) as shown in FIG.
The anisotropic conductive film (ACF) 23 is formed so as to have a film thickness of 30 mm, and the pressure bonding head 30 which is in a high temperature state by a heater.
The LSI 14 is sucked into the lower surface of the coating 33 of the pressure bonding head 20 by sucking air from the suction holes 34 of the coating 33 made of a fluororesin. Note that NCF is used instead of the anisotropic conductive film 23.
Can also be used.

【0032】このような状態において、昇降機構により
圧着ヘッド30を下降してLSI14を可撓配線基板1
1の電気回路13に圧接するように搭載する。すると、
異方性導電膜23がLSI14の外周部において盛り上
がり、LSI14を囲繞するフィレット24が形成され
る。
In such a state, the pressure bonding head 30 is lowered by the lifting mechanism to move the LSI 14 to the flexible wiring board 1.
It is mounted so as to be pressed against one electric circuit 13. Then
The anisotropic conductive film 23 rises at the outer peripheral portion of the LSI 14 to form a fillet 24 surrounding the LSI 14.

【0033】ところで、前述したフィレット24が、図
8に示すように、圧着ヘッド30に接触したとしても、
フィレット24が接着するのは、耐熱性、非粘着性など
に優れているフッ素系樹脂製被膜33なので、圧着ヘッ
ド30を上昇させた際に、フィレット24を構成する異
方性導電膜23の一部が、圧着ヘッド30に付着したま
まフィレット24から剥離してしまうおそれがない。
By the way, even if the above-described fillet 24 comes into contact with the pressure bonding head 30 as shown in FIG.
The fillet 24 adheres to the fluorine-based resin film 33 having excellent heat resistance and non-adhesiveness, so that when the pressure bonding head 30 is raised, one of the anisotropic conductive films 23 forming the fillet 24 is bonded. There is no possibility that the portion may be peeled off from the fillet 24 while being attached to the pressure bonding head 30.

【0034】前述したように本実施形態の圧着ヘッド3
0によれば、LSI14のような半導体素子の電気回路
13への搭載を、仮搭載を行わない一段搭載により作業
性よく、しかも、前述したようにフィレット24の部分
的な剥離を生じさせないで品質を安定させて行うことが
できる。なお、本実施形態の圧着ヘッド30によれば、
半導体素子の電気回路13への搭載を、仮搭載ならびに
本搭載からなる分割搭載により行っても、PTFE製シ
ートを使用する必要がないので、作業性よく行うことが
できる。
As described above, the pressure bonding head 3 of the present embodiment
According to No. 0, the semiconductor element such as the LSI 14 can be mounted on the electric circuit 13 with good workability by single-stage mounting without performing temporary mounting, and the quality can be improved without causing the partial peeling of the fillet 24 as described above. Can be performed stably. In addition, according to the pressure bonding head 30 of the present embodiment,
Even when the semiconductor element is mounted on the electric circuit 13 by the temporary mounting and the split mounting including the main mounting, it is not necessary to use the PTFE sheet, so that the work can be performed with good workability.

【0035】[0035]

【実施例】セラミック製圧着ヘッドの半導体素子と接触
する面に、前述したPTFEエナメルを塗布し、焼き付
けて30μmの膜厚からなるフッ素系樹脂製被膜を形成
した。
EXAMPLE The above-mentioned PTFE enamel was applied to the surface of the ceramic pressure bonding head which was in contact with the semiconductor element, and baked to form a fluororesin film having a thickness of 30 μm.

【0036】このような圧着ヘッドを用いて、確実にフ
ィレットがこの圧着ヘッドに到達するようにするため通
常30μmとされている異方性導電膜の膜厚を80μm
として、LSIを電気回路に搭載する実験を行ったとこ
ろ、圧着時間5〜10秒の間に異方性導電膜が圧着ヘッ
ドにまで到達したが、その後、上昇させた圧着ヘッドに
異方性導電膜が付着しないことと、フィレットに開口が
できないことを確認した。この実験は、試料数を20個
とし、可撓配線基板の膜厚が25μm、電気回路の銅箔
の膜厚が12μm、LSIの高さ寸法が0.3mm、L
SIのバンプの高さ寸法が17μmのものを使用した。
Using such a pressure bonding head, the thickness of the anisotropic conductive film, which is usually 30 μm, is set to 80 μm to ensure that the fillet reaches the pressure bonding head.
As a result, an experiment was conducted in which an LSI was mounted on an electric circuit. As a result, the anisotropic conductive film reached the pressure bonding head in a pressing time of 5 to 10 seconds. It was confirmed that the film did not adhere and that the fillet could not be opened. In this experiment, the number of samples was 20, the thickness of the flexible wiring board was 25 μm, the thickness of the copper foil of the electric circuit was 12 μm, the height of the LSI was 0.3 mm,
The SI bump having a height of 17 μm was used.

【0037】この実施例と同様の条件で圧着ヘッドの半
導体素子と接触する面をフッ素系樹脂製の被膜により被
覆しない従来の圧着ヘッドによりLSIの搭載実験を行
ったところ、圧着ヘッドに付着したフィレットを構成す
る異方性導電膜の一部がフィレットから剥離してしま
い、フィレットには開口が形成されてしまった。この結
果、保護されるべき電気回路上の銅箔が露出されること
になった。
Under the same conditions as in this embodiment, an LSI mounting experiment was conducted using a conventional crimping head in which the surface of the crimping head which is in contact with the semiconductor element was not covered with a fluorine resin film. A part of the anisotropic conductive film constituting (1) was peeled off from the fillet, and an opening was formed in the fillet. As a result, the copper foil on the electric circuit to be protected is exposed.

【0038】なお、本発明は、前述した実施形態に限定
されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能で
ある。例えば、電気回路が形成されているものとして可
撓配線基板を例示したが、リジッドな配線基板であって
もよい。
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made as necessary. For example, a flexible wiring board is illustrated as an example in which an electric circuit is formed, but a rigid wiring board may be used.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体素子の搭載を簡単な構成により作業性よく行うこと
ができ、しかも、フィレットの部分剥離を生じないよう
にすることができる。
As described above, according to the present invention, a semiconductor element can be mounted with a simple structure with good workability, and further, it is possible to prevent partial peeling of the fillet.

【0040】すなわち、吸着面にフッ素系樹脂製被膜を
形成したので、分子間力が小さく界面エネルギの小さな
フッ素系樹脂製被膜により圧着ヘッドの吸着面が被覆さ
れ、フィレットを構成する樹脂が圧着ヘッドに付着して
剥離するおそれがない。したがって、作業性を向上して
品質を安定できるし、歩留りを向上することができる。
この結果、コストダウンにもつなげることができる。
That is, since the fluorine resin coating is formed on the adsorption surface, the adhesion surface of the pressure bonding head is covered with the fluorine resin coating having a small intermolecular force and a small interfacial energy, and the resin constituting the fillet is formed by the compression head. There is no danger of sticking to and peeling off. Therefore, the workability can be improved, the quality can be stabilized, and the yield can be improved.
As a result, costs can be reduced.

【0041】また、フッ素系樹脂製被膜の膜厚を20〜
50μmとすれば、圧着ヘッドから樹脂への熱伝導性を
損なうおそれないし、また、良好な耐久性を得ることが
できる。
Further, the thickness of the fluorine-based resin film is set to 20 to
When the thickness is 50 μm, the thermal conductivity from the pressure bonding head to the resin is not impaired, and good durability can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に係る圧着ヘッドの実施形態を示す図
で、(A)は斜視図、(B)は底面図
FIG. 1 is a view showing an embodiment of a pressure bonding head according to the present invention, wherein (A) is a perspective view and (B) is a bottom view.

【図2】 図1の圧着ヘッドにより半導体素子を電気回
路へ搭載する状態を示す斜視図
FIG. 2 is a perspective view showing a state where a semiconductor element is mounted on an electric circuit by the pressure bonding head of FIG. 1;

【図3】 一般的な液晶表示素子の一例を示す縦断面図FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing an example of a general liquid crystal display element.

【図4】 一般的な液晶表示装置の概略を示す正面図FIG. 4 is a front view schematically showing a general liquid crystal display device.

【図5】 図4の可撓配線基板を示す平面図FIG. 5 is a plan view showing the flexible wiring board of FIG. 4;

【図6】 従来の圧着ヘッドを示す図で、(A)は斜視
図、(B)は底面図
6A and 6B are views showing a conventional pressure bonding head, wherein FIG. 6A is a perspective view and FIG.

【図7】 図6の圧着ヘッドにより半導体素子を電気回
路へ搭載する状態を示す斜視図
FIG. 7 is a perspective view showing a state where a semiconductor element is mounted on an electric circuit by the pressure bonding head of FIG. 6;

【図8】 図2および図7の状態から進んで半導体素子
を搭載した状態を示す斜視図
FIG. 8 is a perspective view showing a state where a semiconductor element is mounted, proceeding from the state shown in FIGS. 2 and 7;

【図9】 図7および図8の状態から進んで圧着ヘッド
にフィレットの位置部が付着した状態を示す斜視図
FIG. 9 is a perspective view showing a state in which the position of the fillet is attached to the pressure bonding head, proceeding from the state of FIGS. 7 and 8;

【図10】 図9の状態におけるフィレットの開口を示
す平面図
FIG. 10 is a plan view showing an opening of a fillet in the state of FIG. 9;

【図11】 従来の半導体素子の分割搭載の状態を2つ
の段階に分けて示す正面図
FIG. 11 is a front view showing a divided mounting state of a conventional semiconductor element in two stages.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1A,1B 透明基板 2 シール材 3A 透明共通電極 3B 透明セグメント電極 3C リード端子 8 液晶 9 スペーサ 10 液晶表示素子 11 可撓配線基板 12 ベースフィルム 13 電気回路 15 彎曲部 15C 平面部 16 プリント配線基板 17 チップ部品 20 圧着ヘッド 21 下面 22 吸引孔 23 異方性導電膜 24 フィレット 25 開口 26 PTFE製シート 30 圧着ヘッド 31 下面(吸着面) 32 吸引孔 33 フッ素樹脂製被膜 34 吸引孔 1A, 1B Transparent substrate 2 Sealing material 3A Transparent common electrode 3B Transparent segment electrode 3C Lead terminal 8 Liquid crystal 9 Spacer 10 Liquid crystal display element 11 Flexible wiring board 12 Base film 13 Electric circuit 15 Curved portion 15C Flat portion 16 Printed circuit board 17 Chip Component 20 Crimping head 21 Lower surface 22 Suction hole 23 Anisotropic conductive film 24 Fillet 25 Opening 26 PTFE sheet 30 Crimping head 31 Lower surface (suction surface) 32 Suction hole 33 Fluororesin coating 34 Suction hole

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体素子を吸着する吸着面を有し、圧
力および熱により前記半導体素子と電気回路とを樹脂製
接着材を介して接続させる圧着ヘッドにおいて、 前記吸着面にフッ素系樹脂製被膜が形成されていること
を特徴とする圧着ヘッド。
1. A pressure bonding head having an adsorption surface for adsorbing a semiconductor element and connecting said semiconductor element and an electric circuit via a resin adhesive by pressure and heat, wherein said adsorption surface is made of a fluororesin coating. Is formed.
【請求項2】 前記被膜の膜厚が20〜50μmである
ことを特徴とする請求項1に記載の圧着ヘッド。
2. The pressure bonding head according to claim 1, wherein the thickness of the coating is 20 to 50 μm.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2017209115A1 (en) * 2016-05-31 2017-12-07 株式会社新川 Method for mounting die

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