JP2002131107A - Heater control device - Google Patents

Heater control device

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JP2002131107A
JP2002131107A JP2000317979A JP2000317979A JP2002131107A JP 2002131107 A JP2002131107 A JP 2002131107A JP 2000317979 A JP2000317979 A JP 2000317979A JP 2000317979 A JP2000317979 A JP 2000317979A JP 2002131107 A JP2002131107 A JP 2002131107A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heater with a constant temperature when the heater's ambient temperature varies beyond preset reference temperature, by adding difference in variation of ambient temperature against reference temperature to follow the ambient temperature. SOLUTION: The device is placed on a flow sensor propagating heat from a heater 51 into a temperature-sensitivity element via fluid as a medium to measure flow rate of the fluid based on the output of this temperature-sensitivity element. It is provided with a temperature-measuring structure R with its resistance varied depending on ambient temperature, a voltage detector means 13 detecting voltage drop when constant current flows into this temperature- measuring structure R, and a heater drive means 15 controlling electric power to be supplied to the heater based on the detected voltage drop, allowing supply power of the heater 51 to vary following ambient temperature change to control heater temperature and then temperature-compensate output of the temperature- sensitivity element.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、ガス等
の流体通路中に配置したサーモパイル方式のフローセン
サに搭載したサーモパイルに対し、流体を媒体として伝
搬させる熱を発生するヒータの発熱温度をガス温度に追
従させて制御するヒータ制御装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermopile mounted on a thermopile type flow sensor disposed in a fluid passage of gas or the like. The present invention relates to a heater control device that performs control by following a temperature.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、このような装置は、例えば、ガス
メータのガス通路等に内蔵されたフローセンサにおける
ヒータ制御装置として用いられる。その一例として、詳
細は後述するが図6に示すように、感温素子としての上
流側サーモパイル(UTP)と下流側サーモパイル(D
TP)を、フローセンサFSを構成する基板B上で、ガ
スメータGM内のガス通路F内においてガスの流れる方
向と直交する方向にヒータHを介して離間して配置す
る。そして、ヒータHを通電した際に発する熱を、ガス
を媒体としてUTP,DTPへ伝達することで、UT
P,DTPに生じた熱起電力の差に基づいてガスの流速
を求める。
2. Description of the Related Art Conventionally, such a device is used as a heater control device in a flow sensor built in a gas passage or the like of a gas meter, for example. As an example, as will be described later in detail, as shown in FIG. 6, an upstream thermopile (UTP) and a downstream thermopile (D
TP) are disposed on a substrate B constituting the flow sensor FS, with a heater H therebetween in a direction orthogonal to a gas flow direction in a gas passage F in the gas meter GM. Then, the heat generated when the heater H is energized is transmitted to the UTP and the DTP using the gas as a medium, so that the UT is heated.
The flow velocity of the gas is determined based on the difference between the thermoelectromotive forces generated in P and DTP.

【0003】従来のヒータ制御装置の概略構成として
は、図5に示すヒータの定電圧駆動回路がある。この回
路は、ガスメータGMに内蔵されたバッテリBの出力電
圧3Vを一旦電解コンデンサC1に充電した後に、3端
子レギュレータを構成する安定化電源用ICに入力して
1.5Vに降圧してコンデンサC2に出力し、1.5V
電圧よりリップル成分を除去した後に、ヒータHに印加
する。
As a schematic configuration of a conventional heater control device, there is a constant voltage driving circuit for a heater shown in FIG. In this circuit, the output voltage 3V of the battery B built in the gas meter GM is once charged in the electrolytic capacitor C1, and then input to the stabilized power supply IC constituting the three-terminal regulator, and the voltage is reduced to 1.5V to reduce the capacitor C2. Output to 1.5V
After the ripple component is removed from the voltage, the voltage is applied to the heater H.

【0004】ヒータHは電圧の印加により発熱し、その
熱をガスによりDTPとUTPへの伝達することで、D
TPとUTPに生じた熱起電力の差[D―U]、即ちフ
ローセンサ出力に基づいてガスの流速、引いては流速を
処理してガス流量を求める。
The heater H generates heat by applying a voltage, and the heat is transmitted to the DTP and the UTP by a gas, so that the D
Based on the difference [DU] of the thermoelectromotive force generated between TP and UTP, that is, the flow rate of the gas, and subsequently the flow rate, is processed based on the output of the flow sensor to obtain the gas flow rate.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来のヒータ制御装置
は以上のようにヒータに一定の電圧、例えば1.5Vを
印加して所定のヒータ温度、例えば45℃を得るように
していた。しかし、図7に示すように、フローセンサに
流れるガスの流量が一定であり、しかもヒータの発熱温
度が一定であってもヒータの周囲温度(例えば、ガス温
度)が低下するとフローセンサ出力[D―U]が大きく
なり、周囲温度が上昇すると[D―U]は小さくなる。
As described above, in the conventional heater control device, a predetermined voltage, for example, 1.5 V is applied to the heater to obtain a predetermined heater temperature, for example, 45 ° C. However, as shown in FIG. 7, even when the flow rate of the gas flowing through the flow sensor is constant and the heat generation temperature of the heater is constant, if the ambient temperature of the heater (for example, gas temperature) decreases, the flow sensor output [D −U] increases and [DU] decreases as the ambient temperature increases.

【0006】従って、このような特性のフローセンサに
おいて、ヒータ発熱温度を一定の状態でガス流速より最
終的にガス流量を測定すると、周囲温度の変化により流
量測定値にバラツキが生じる。そこで、従来はマイコン
等を用いて流量測定値を周囲温度測定値により温度補正
する必要があり、補正処理が複雑化するという問題点が
あった。また、従来、例えば特開平7−174600号
公報に開示された流速センサ及び流速計測装置は、気体
流による気温の温度変化を勘案して気体流速または流量
を測定するものが開示されている。しかし、この装置は
流体温度測温体と発熱体温度測温体の温度差を一定に保
つことで、微小流速域まで流速計測を可能とすると共
に、大流速域の直線性を改善するもので、周囲温度(ガ
ス温度)の変化に拘わらずガス流速を安定して計測する
技術は開示されていない。
Therefore, in a flow sensor having such characteristics, when the gas flow rate is finally measured from the gas flow rate while the heater heat generation temperature is constant, the measured flow rate varies due to a change in ambient temperature. Therefore, conventionally, it has been necessary to correct the temperature of the flow rate measurement value using the measurement value of the ambient temperature using a microcomputer or the like, and there has been a problem that the correction process is complicated. Conventionally, a flow velocity sensor and a flow velocity measurement device disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-174600 have been disclosed that measure a gas flow velocity or a flow rate in consideration of a temperature change of an air temperature due to a gas flow. However, this device is capable of measuring the flow velocity up to the minute flow velocity range and improving the linearity of the large flow velocity range by keeping the temperature difference between the fluid temperature measuring element and the heating element temperature measuring element constant. A technique for stably measuring a gas flow velocity regardless of a change in ambient temperature (gas temperature) is not disclosed.

【0007】また、従来装置は、流量測定時に限らずマ
イコンを稼働してDTPとUTPの熱起電力差や周囲温
度を取り込み測定値を温度補正させるため、全体的にバ
ッテリの電力消費量が大きいという問題点があった。
In addition, the conventional apparatus consumes not only the flow rate measurement but also a microcomputer to take in the difference between the thermoelectromotive force of the DTP and the UTP and the ambient temperature to correct the measured value, so that the power consumption of the battery is large as a whole. There was a problem.

【0008】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、バッテリの消費電力を低く抑
え、且つ、周囲温度の変化に追従してヒータ温度を制御
することで周囲温度の変化に拘わらず安定した流量測定
を行うことができるヒータ制御装置を得ることを目的と
する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is intended to reduce the power consumption of a battery and to control the heater temperature in accordance with a change in the ambient temperature, thereby controlling the ambient temperature. It is an object of the present invention to provide a heater control device capable of performing a stable flow rate measurement regardless of a change.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この発明に係るヒータ制
御装置は、図1の基本構成図に示すように、ヒータ51
からの発熱を、流体を媒体として感温素子に伝搬し、こ
の感温素子の出力に基づき前記流体の流速を測定するフ
ローセンサに配置され、周囲温度に応じて抵抗値が変わ
る測温体Rと、この側温体Rに一定電流を流したときの
電圧降下を検出する電圧検出手段13と、前記検出され
た電圧降下に基づいて前記ヒータに供給する電力を制御
するヒータ駆動手段16とを備え、前記電圧降下に基づ
きヒータの周囲温度が変動検出時には、ヒータ温度を予
め設定した一定温度に周囲温度を加算した温度になるよ
うにヒータ51の供給電力を制御し、前記感温素子の出
力を温度補正する。
A heater control device according to the present invention has a heater 51 as shown in FIG.
Is transmitted to a temperature-sensing element using a fluid as a medium, and is arranged in a flow sensor that measures the flow velocity of the fluid based on the output of the temperature-sensing element. A voltage detecting means 13 for detecting a voltage drop when a constant current flows through the side heating element R, and a heater driving means 16 for controlling electric power supplied to the heater based on the detected voltage drop. When the ambient temperature of the heater is detected to fluctuate based on the voltage drop, the power supply to the heater 51 is controlled so that the heater temperature becomes a temperature obtained by adding the ambient temperature to a preset constant temperature. Is temperature corrected.

【0010】この発明に係るヒータ制御装置のヒータ駆
動手段は、ヒータ51の周囲温度が変化時には、ヒータ
の発熱温度を、周囲温度に予め設定した基準温度を加算
した温度になるようにヒータへの供給電力を制御し、ヒ
ータ温度を周囲温度に追従した温度に制御することで、
周囲温度の変化に拘わらずフローセンサより安定した出
力を得ることができる。
[0010] The heater driving means of the heater control device according to the present invention controls the heater so that when the ambient temperature of the heater 51 changes, the heat generation temperature of the heater becomes a temperature obtained by adding a preset reference temperature to the ambient temperature. By controlling the supply power and controlling the heater temperature to follow the ambient temperature,
A stable output can be obtained from the flow sensor regardless of changes in the ambient temperature.

【0011】この発明に係るヒータ制御装置は、フロー
センサに配置されたヒータ51と感温素子は、ガスメー
タ内のガス通路においてガスの流れる方向と直交する方
向に離隔して配置され、且つ、前記測温体Rはヒータ5
1の発熱の影響を避ける位置に配置したことで、周囲温
度の変動に拘わらず一定のガス流量測定を行える。
In the heater control device according to the present invention, the heater 51 and the temperature sensing element arranged in the flow sensor are arranged so as to be separated from each other in a direction perpendicular to a gas flow direction in a gas passage in the gas meter. Temperature sensor R is heater 5
By arranging at a position where the influence of the heat generation is avoided, a constant gas flow rate measurement can be performed irrespective of the fluctuation of the ambient temperature.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】実施の形態1.次に本実施の形態
に係るヒータ制御装置の動作を説明する前に、本装置に
おける制御対象であるヒータを備えたマイクロフローセ
ンサ31の概要を説明する。図2は例えばサーモパイル
方式のマイクロフローセンサ31の平面拡大図である。
図に示すように、マイクロフローセンサ31はSiによ
る基台41と、この基台41に異方性エッチングにより
形成されたダイヤフラム41aと、このダイヤフラム4
1a上に形成された測温用の上流側、下流側、左側、右
側の各サーモパイル43,45,47,49及び加熱用
のマイクロヒータ51(ヒータに相当)と、ダイヤフラ
ム41a上を外れた基台41部分に形成された白金測温
体53とを備えており、このうち、マイクロヒータ51
及び白金測温体53は白金等からなる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 Next, before describing the operation of the heater control device according to the present embodiment, an outline of a micro flow sensor 31 including a heater to be controlled in the present device will be described. FIG. 2 is an enlarged plan view of a thermopile type micro flow sensor 31, for example.
As shown in the figure, the microflow sensor 31 includes a base 41 made of Si, a diaphragm 41a formed on the base 41 by anisotropic etching, and a diaphragm 4a.
The thermopile 43, 45, 47, 49 on the upstream side, the downstream side, the left side, and the right side for temperature measurement formed on 1a and the micro heater 51 (corresponding to a heater) for heating, and the base outside the diaphragm 41a. And a platinum temperature sensor 53 formed on the base 41 portion.
The platinum temperature sensor 53 is made of platinum or the like.

【0013】前記上流側、下流側、左側、並びに、右側
の各サーモパイル43,45,47,49は、p++−S
I及びAlにより構成されており、このうち上流側及び
下流側の各サーモパイル43,45は、ガス通路29内
を流れるガスの流れ方向Aにおいてマイクロヒータ51
を挟んで上流側と下流側との基台41箇所に、マイクロ
ヒータ51から等間隔で各々配置され、左側及び右側の
各サーモパイル47,49は、ガス通路29内を流れる
ガスの流れ方向Aと直交する幅方向においてマイクロヒ
ータ51を挟んで左右両側の基台41箇所に、マイクロ
ヒータ51から等間隔で各々配置されている。
The upstream, downstream, left, and right thermopiles 43, 45, 47, and 49 are p ++-S
I and Al, of which the upstream and downstream thermopiles 43 and 45 are provided with a micro heater 51 in the flow direction A of the gas flowing through the gas passage 29.
The thermopile 47, 49 on the left and right sides are respectively disposed at equal intervals from the micro heater 51 at 41 bases on the upstream side and the downstream side with the gas flow direction A of the gas flowing through the gas passage 29 interposed therebetween. The bases are arranged at equal intervals from the microheater 51 at 41 bases on both left and right sides of the microheater 51 in the width direction orthogonal to each other.

【0014】そして、各サーモパイル43,45,4
7,49の温接点43a,45a,47a,49aはダ
イヤフラム41a上に、冷接点43b,45b,47
b,49bはダイヤフラム41a以外の基台41部分
に、各々配置されており、白金測温体53も各サーモパ
イル43,45,47,49の冷接点43b,45b,
47b,49bと同様に、ダイヤフラム41a以外の基
台41部分に配置されている。
Then, each thermopile 43, 45, 4
The hot junctions 43a, 45a, 47a, 49a of 7, 49 are placed on the diaphragm 41a, and the cold junctions 43b, 45b, 47
b and 49b are arranged on the base 41 other than the diaphragm 41a, respectively, and the platinum temperature measuring element 53 is also a cold junction 43b, 45b, 45b of each thermopile 43, 45, 47, 49.
Like 47b and 49b, they are arranged on the base 41 other than the diaphragm 41a.

【0015】このように構成されたマイクロフローセン
サ31では、マイクロヒータ51が通電により発した熱
が、ガス通路29内のガスを媒体として上流側、下流
側、左側、並びに、右側の各サーモパイル43,45,
47,49の付近に伝わると、それら各サーモパイル4
3,45,47,49に、マイクロヒータ51から伝わ
った熱に応じた温度となる温接点43a,45a,47
a,49aと、基台41とほぼ同じ温度となる冷接点4
3b,45b,47b,49bとの温度差に応じた電圧
の起電力が生じる。
In the micro flow sensor 31 configured as described above, the heat generated by the energization of the micro heater 51 is applied to the upstream, downstream, left, and right thermopiles 43 using the gas in the gas passage 29 as a medium. , 45,
When it reaches the vicinity of 47 and 49, each thermopile 4
3, 45, 47, and 49 are provided with hot junctions 43a, 45a, and 47 each having a temperature corresponding to the heat transmitted from the micro heater 51.
a, 49a and a cold junction 4 having substantially the same temperature as the base 41.
An electromotive force of a voltage corresponding to the temperature difference between 3b, 45b, 47b, and 49b is generated.

【0016】したがって、マイクロヒータ51が加熱さ
れると、マイクロヒータ51よりもガスの流れ方向Aの
上流側に位置する上流側サーモパイル43には、ガスの
熱伝搬速度からガスの流速を減じた速度で、マイクロヒ
ータ51から放出される熱が伝達され、マイクロヒータ
51よりもガスの流れ方向Aの下流側に位置する下流側
サーモパイル45には、ガスの熱伝達速度にガスの流速
を加えた速度で、マイクロヒータ51から放出される熱
が伝達される。
Therefore, when the micro-heater 51 is heated, the upstream thermopile 43 located on the upstream side of the micro-heater 51 in the gas flow direction A has a speed obtained by subtracting the gas flow speed from the gas heat propagation speed. Then, the heat released from the microheater 51 is transmitted, and the downstream thermopile 45 located downstream of the microheater 51 in the gas flow direction A has a speed obtained by adding the gas flow rate to the heat transfer speed of the gas. Thus, the heat released from the micro heater 51 is transmitted.

【0017】しかし、ガス通路29内をガスが流れてい
ると、マイクロヒータ51から放出される熱が、下流側
サーモパイル45への伝達速度よりも低い速度で上流側
サーモパイル43に伝達されて、その速度差分だけ上流
側サーモパイル43には、マイクロヒータ51からの熱
が下流側サーモパイル45よりも冷却されて伝達される
ので、上流側及び下流側の各サーモパイル43,45に
生じる起電力の電圧は、ガス通路29内を流れるガスに
よりマイクロヒータ51から伝達される熱の温度差に応
じて、即ち、ガス通路29内を流れるガスの流速に応じ
て異なることになる。
However, when the gas flows in the gas passage 29, the heat released from the micro heater 51 is transmitted to the upstream thermopile 43 at a lower speed than the transmission speed to the downstream thermopile 45, and Since the heat from the micro heater 51 is cooled and transmitted to the upstream thermopile 43 by the speed difference more than the downstream thermopile 45, the voltage of the electromotive force generated in each of the upstream and downstream thermopiles 43, 45 is: The temperature differs depending on the temperature difference of heat transmitted from the micro heater 51 by the gas flowing in the gas passage 29, that is, according to the flow velocity of the gas flowing in the gas passage 29.

【0018】よって、各サーモパイル43,45に生じ
る起電力の電圧差に応じてマイクロフローセンサ31の
出力端子39から出力される起電力信号の大きさは、マ
イクロヒータ51が放出する熱の温度と、ガス通路29
内を流れるガスの流速とに応じたものとなる。
Therefore, the magnitude of the electromotive force signal output from the output terminal 39 of the micro flow sensor 31 in accordance with the voltage difference between the electromotive forces generated in the thermopiles 43 and 45 depends on the temperature of the heat emitted from the micro heater 51. , Gas passage 29
It depends on the flow velocity of the gas flowing inside.

【0019】以下、本実施の形態に係るヒータ制御装置
の一実施の形態を図3に基づき説明する。同図におい
て、53は周囲温度測定用のリファレンス素子としての
白金測温体である。この白金測温体53の一端には抵抗
R71と72との並列体を通してバッテリよりバッテリ
電圧Vbt−Tens、例えば、3Vが印加され、且
つ、白金測温体53の他端にはトランジスタQ1のコレ
クタが接続されている。尚、抵抗R71と72との並列
体の合成抵抗値は周囲温度が20℃おける白金測温体5
3の抵抗値としてある。
An embodiment of the heater control device according to the present embodiment will be described below with reference to FIG. In the figure, reference numeral 53 denotes a platinum temperature measuring element as a reference element for measuring an ambient temperature. A battery voltage Vbt-Tens, for example, 3 V is applied from one end of the platinum temperature measuring element 53 to a battery through a parallel body of resistors R71 and 72, and the other end of the platinum temperature measuring element 53 has a collector of a transistor Q1. Is connected. Note that the combined resistance value of the parallel body of the resistors R71 and R72 is a platinum temperature sensor 5 at an ambient temperature of 20 ° C.
3 as a resistance value.

【0020】トランジスタQ1のベースには抵抗R73
を通してボルテジホロワ回路を構成するOPアンプOP
1の出力端子が、そしてエミッタにはOPアンプOP1
の負入力端子が接続されると共に、抵抗R74と可変抵
抗RV6の直列体にコンデンサC25が並列接続された
並列回路がグランドに接続されている。尚、OPアンプ
OP1とトランジスタQ1は、可変抵抗RV6の調整の
基に、印加電圧を3Vとしたとき、常温状態における白
金測温体53の抵抗値と抵抗R71及び72の並列体に
おける抵抗値の合成抵抗値に対応した一定電流(100
μA)を流すような定電流回路を構成する。従って、周
囲温度の変化により白金測温体53の抵抗値が変化する
と、白金測温体53と抵抗R71及び72の並列体の抵
抗直列回路に発生する電圧降下は周囲温度の変化により
変化する。
A resistor R73 is connected to the base of the transistor Q1.
Amplifier OP that constitutes a voltage follower circuit
1 output terminal, and the emitter is an OP amplifier OP1.
And a parallel circuit in which a capacitor C25 is connected in parallel to a series body of the resistor R74 and the variable resistor RV6 is connected to the ground. When the applied voltage is set to 3 V based on the adjustment of the variable resistor RV6, the OP amplifier OP1 and the transistor Q1 have the resistance value of the platinum temperature sensor 53 in the normal temperature state and the resistance value of the parallel body of the resistors R71 and R72. A constant current (100
A constant current circuit for supplying μA) is formed. Therefore, when the resistance value of the platinum temperature measuring element 53 changes due to a change in the ambient temperature, the voltage drop that occurs in the resistance series circuit of the parallel configuration of the platinum temperature measuring element 53 and the resistors R71 and R72 changes due to the change in the ambient temperature.

【0021】抵抗R71と72との並列体に対するバッ
テリ電圧の印加点は、抵抗R75,76の並列回路なる
入力抵抗(50KΩ)を通してOPアンプOP2の正入
力端子に接続される。白金測温体53とトランジスタQ
1の接続点は抵抗R78,79の並列回路なる入力抵抗
(50KΩ)を通してOPアンプOP2の負入力端子に
接続される。
The point of application of the battery voltage to the parallel combination of the resistors R71 and R72 is connected to the positive input terminal of the OP amplifier OP2 through an input resistor (50 KΩ) which is a parallel circuit of the resistors R75 and R76. Platinum temperature sensor 53 and transistor Q
The connection point 1 is connected to the negative input terminal of the OP amplifier OP2 through an input resistance (50 KΩ) which is a parallel circuit of the resistors R78 and R79.

【0022】また、OPアンプOP2の正入力端子は抵
抗R77(1MΩ)を通してグランドに接続されてい
る。OPアンプOP2の出力端子と負入力端子間には1
MΩの負帰還抵抗R80が接続されているため、OPア
ンプOP2はゲイン20の差動増幅器を構成する。この
結果、OPアンプOP2からは、バッテリ電圧の影響を
排除した測温抵抗体53の抵抗変化に応じた電圧が20
倍に増幅されVtmpとして出力される。
The positive input terminal of the OP amplifier OP2 is connected to the ground through a resistor R77 (1 MΩ). 1 between the output terminal and the negative input terminal of the OP amplifier OP2.
Since the MΩ negative feedback resistor R80 is connected, the OP amplifier OP2 constitutes a differential amplifier having a gain of 20. As a result, from the OP amplifier OP2, a voltage corresponding to the resistance change of the resistance temperature detector 53 excluding the effect of the battery voltage is 20.
It is amplified twice and output as Vtmp.

【0023】OPアンプOP2の出力端子は100KΩ
の入力抵抗R81を通してOPアンプOP3の負入力端
子に接続される。OPアンプOP3の出力端子は150
KΩの負帰還抵抗R82を通して負入力端子に接続され
る。OPアンプOP3の正入力端子には1.5Vの基準
電圧が印加されているため、OPアンプOP3はゲイン
1.5の誤差増幅器を構成する。
The output terminal of the OP amplifier OP2 is 100 KΩ
Is connected to the negative input terminal of the OP amplifier OP3 through the input resistor R81. The output terminal of the OP amplifier OP3 is 150
It is connected to a negative input terminal through a negative feedback resistor R82 of KΩ. Since a reference voltage of 1.5 V is applied to the positive input terminal of the OP amplifier OP3, the OP amplifier OP3 forms an error amplifier having a gain of 1.5.

【0024】また、OPアンプOP3は、負入力端子と
出力端子に100KΩの負帰還抵抗R84を接続し、正
入力端子に1.5Vの基準電圧を印加したOPアンプO
P4の負入力端子に100KΩの入力抵抗R83を通し
て接続されている。 従って、OPアンプOP4はゲイ
ン1の正方向反転型の誤差増幅器となる。尚、OPアン
プOP3とOP4の出力端子間は可変抵抗(ポテンショ
メータ)RV5により接続されている。この可変抵抗R
V5を調整し、0V〜3Vの範囲でヒータ51の印加電
圧を調整する。
The OP amplifier OP3 has a negative input terminal and an output terminal connected to a negative feedback resistor R84 of 100 KΩ, and has a positive input terminal applied with a reference voltage of 1.5V.
It is connected to the negative input terminal of P4 through an input resistor R83 of 100 KΩ. Therefore, the OP amplifier OP4 is a positive direction inversion type error amplifier with a gain of 1. The output terminals of the OP amplifiers OP3 and OP4 are connected by a variable resistor (potentiometer) RV5. This variable resistor R
V5 is adjusted to adjust the voltage applied to the heater 51 in the range of 0V to 3V.

【0025】可変抵抗RV5の可変出力は、負入力端子
と出力端子とを接続して構成したボルテージホロワ回路
を構成するOPアンプOP5の正入力端子に接続され
る。OPアンプOP5の出力端子にはヒータ51の一端
が接続されている。このヒータ51の他端は電界効果ト
ランジスタQ8のソースに接続されている。そして、電
界効果トランジスタQ8のドレインはグランドに接続さ
れている。また、電界効果トランジスタQ8のゲートと
ドレイン間にはバイアス用の抵抗R86が接続されると
共に、ゲートには抵抗R85を通して20msec幅の
Hレベルの信号が1secに1回、ヒータ駆動制御信号
(Vb−ht)として入力される。
The variable output of the variable resistor RV5 is connected to a positive input terminal of an OP amplifier OP5 constituting a voltage follower circuit constituted by connecting a negative input terminal and an output terminal. One end of the heater 51 is connected to the output terminal of the OP amplifier OP5. The other end of the heater 51 is connected to the source of the field effect transistor Q8. The drain of the field effect transistor Q8 is connected to the ground. A bias resistor R86 is connected between the gate and the drain of the field-effect transistor Q8, and an H-level signal having a width of 20 msec is passed through the resistor R85 to the gate once every 1 sec. ht).

【0026】本実施の形態に係るヒータ制御装置の動作
を説明する。白金測温体53は常温時の抵抗値に合わ
せ、通常100μAで定電流駆動されるが、白金測温体
53の固体差を吸収して100μAの電流が流れるよう
に可変抵抗RV6を調整する。この結果、OPアンプO
P1、トランジスタQ1等で構成される定電流回路によ
り抵抗R71とR72との並列体と白金測温体53との
抵抗直列回路に電流を流すと、ガスメータにおけるガス
通路の常温状態(20°C)では抵抗R71とR72の
並列体と白金測温体53との抵抗直列回路間に発生する
電圧は、常温状態では747mVである。
The operation of the heater control device according to this embodiment will be described. The platinum temperature sensor 53 is normally driven at a constant current of 100 μA in accordance with the resistance value at normal temperature, but the variable resistor RV6 is adjusted so that a current of 100 μA flows by absorbing the individual difference of the platinum temperature sensor 53. As a result, the OP amplifier O
When a current is passed through a parallel circuit of the resistors R71 and R72 and a resistance series circuit of the platinum temperature measuring element 53 by a constant current circuit composed of P1, a transistor Q1, and the like, the gas path in the gas meter is in a normal temperature state (20 ° C.). In this case, the voltage generated between the resistance series circuit of the parallel body of the resistors R71 and R72 and the platinum temperature sensor 53 is 747 mV in the normal temperature state.

【0027】動作としては、ボルテジホロワ回路を構成
するOPアンプOP1に、例えば、0.5Vの基準電圧
が入力されると、トランジスタQ1はON動作し、1s
ec周期でバッテリ電圧Vbより電流が抵抗R71とR
72の並列体、白金測温体53,トランジスタQ1、抵
抗R74,可変抵抗RV6を通して流れる。トランジス
タQ1に流れる電流が低下すると、OPアンプOP1の
出力電圧(ベース電圧)は上昇して電流値を上げること
で一定電流を流す。
As an operation, when a reference voltage of, for example, 0.5 V is input to the OP amplifier OP1 constituting the voltage follower circuit, the transistor Q1 is turned on, and 1s.
In the ec cycle, the current becomes higher than the resistance R71 and R
72, a platinum temperature sensor 53, a transistor Q1, a resistor R74, and a variable resistor RV6. When the current flowing through the transistor Q1 decreases, the output voltage (base voltage) of the OP amplifier OP1 increases and a constant current flows by increasing the current value.

【0028】常温状態では、定電流が流れることで抵抗
R71とR72との並列体と白金測温体53の抵抗直列
回路間における電圧降下分と印加されたバッテリ電圧V
bは差動増幅器を構成するOPアンプOP2に入力さ
れ、電圧降下分よりバッテリ電圧分をキャンセルした差
電圧Vtmpが20倍されて747mVとして後段の誤
差増幅器に出力される。誤差増幅器においては、ゲイン
を1.5倍に設定した第1のOPアンプOP3に入力さ
れ、増幅された後にゲインを1に設定してあるOPアン
プQ4に入力される。各OPアンプOP3,OP4から
の出力電圧は可変抵抗RV5の両端に印加され、この可
変抵抗RV5の摺動子を調整することで、1.5Vの出
力電圧がボルティジホロワ回路を構成するOPアンプO
P5を通してヒータ51の一端に印加される。
In a normal temperature state, a constant current flows, and the voltage drop between the parallel body of the resistors R71 and R72 and the resistance series circuit of the platinum temperature sensor 53 and the applied battery voltage V
b is input to the OP amplifier OP2 constituting the differential amplifier, and the difference voltage Vtmp obtained by canceling the battery voltage from the voltage drop is multiplied by 20 and output to the error amplifier at the subsequent stage as 747 mV. In the error amplifier, the signal is input to a first OP amplifier OP3 whose gain is set to 1.5 times, and is input to an OP amplifier Q4 whose gain is set to 1 after being amplified. The output voltage from each of the OP amplifiers OP3 and OP4 is applied to both ends of the variable resistor RV5. By adjusting the slider of the variable resistor RV5, the output voltage of 1.5V can be changed to an OP amplifier O which constitutes a volatile follower circuit.
The voltage is applied to one end of the heater 51 through P5.

【0029】このヒータ51の他端にソースが接続され
る電界効果トランジスタQ2のゲートには、バッテリ電
圧Vb−Tensが印加される1sec間に1回20m
secのパルス幅のヒータ駆動電圧Vb−htが印加さ
れる。この結果、電界効果トランジスタQ2は20ms
ecの間ONしてヒータに1.5Vの電圧を印加するこ
とで、ヒータ51から周囲温度に20℃(常温)を加算
した発熱量を、ガス流体を媒体としてサーモパイルに伝
達することができる。
The gate of the field-effect transistor Q2, whose source is connected to the other end of the heater 51, is connected to the gate of the field effect transistor Q2 for 20 m at a time during one second when the battery voltage Vb-Tens is applied.
A heater drive voltage Vb-ht having a pulse width of sec is applied. As a result, the field effect transistor Q2 takes 20 ms.
By turning on during ec and applying a voltage of 1.5 V to the heater, the heat generation amount obtained by adding 20 ° C. (normal temperature) to the ambient temperature from the heater 51 can be transmitted to the thermopile using the gas fluid as a medium.

【0030】しかし、ヒータ51に印加する電圧を周囲
温度約20℃(常温)において1.5Vとして設定した
場合に、周囲温度の上昇に伴い白金測温体53の抵抗値
が上昇すると、抵抗R71とR72との並列体と白金測
温体53の抵抗直列回路には定電流回路により一定値の
電流が流れているため、バッテリ電圧Vbと抵抗R71
とR72との並列体と白金測温体53の抵抗直列回路間
の差電圧は大きくなる。
However, when the voltage applied to the heater 51 is set to 1.5 V at an ambient temperature of about 20 ° C. (normal temperature), if the resistance value of the platinum temperature measuring element 53 increases with an increase in the ambient temperature, the resistance R71 Since a constant current flows through the parallel circuit of the resistor R72 and the resistance series circuit of the platinum temperature sensor 53 by the constant current circuit, the battery voltage Vb and the resistance R71
The difference voltage between the parallel body of R72 and R72 and the resistance series circuit of the platinum temperature sensor 53 increases.

【0031】従って、差動増幅器を構成するOPアンプ
OP2より出力される差電圧は、常温状態の時より大き
くなって第1の誤差増幅回路を構成するゲイン1.5の
OPアンプOP3に入力され、基準電圧1.5Vとの差
電圧を1.5倍した負出力電圧となって可変抵抗器RV
5の一端に印加される。また、この負出力電圧はゲイン
1の誤差増幅器OP4の負入力端子に入力され、そこで
基準電圧1.5Vとの正の差電圧として可変抵抗RV5
の他端に印加される。
Therefore, the differential voltage output from the OP amplifier OP2 forming the differential amplifier becomes larger than that at the time of the normal temperature state, and is input to the OP amplifier OP3 having a gain of 1.5 forming the first error amplifier circuit. , A negative output voltage that is 1.5 times the difference voltage from the reference voltage 1.5V, and
5 is applied to one end. The negative output voltage is input to a negative input terminal of an error amplifier OP4 having a gain of 1, and the variable output RV5 as a positive difference voltage from the reference voltage 1.5V there.
Is applied to the other end.

【0032】可変抵抗RV5の両端に印加された電圧は
摺動子の位置で決まる抵抗比で分割され、ボルテージホ
ロワ回路を構成するOPアンプOP5を通してヒータ5
1に印加される。ヒータ51に電圧が印加された状態で
電界効果トランジスタQ2に20msec幅のゲート信
号が外部より印加されると、電界効果トランジスタQ2
は導通し、印加された電圧により電流が流れて発熱す
る。
The voltage applied to both ends of the variable resistor RV5 is divided by a resistance ratio determined by the position of the slider, and is divided by an OP amplifier OP5 constituting a voltage follower circuit.
1 is applied. When a gate signal having a width of 20 msec is externally applied to the field effect transistor Q2 while a voltage is applied to the heater 51, the field effect transistor Q2
Conducts, and a current flows by the applied voltage to generate heat.

【0033】このとき、ヒータ51に印加される電圧は
周囲温度の上昇に追従して上昇するため、ヒータ51か
らの発熱温度は周囲温度に追従した一定の温度となる。
従って、当初、常温状態において{[D−U]25−M
AX)−([D−U]25−0)}={([D−U]H
−MAX)−([D−U]H−0)}となるように可変
抵抗RV5を調整してヒータ51に印加する電圧を、周
囲温度に合わせて調整する。
At this time, since the voltage applied to the heater 51 rises following the rise in the ambient temperature, the temperature of the heat generated from the heater 51 becomes a constant temperature following the ambient temperature.
Therefore, initially, at normal temperature, Δ [DU] 25-M
AX)-([DU] 25-0)} = {([DU] H
-MAX)-([DU] H-0)}, the voltage applied to the heater 51 is adjusted in accordance with the ambient temperature by adjusting the variable resistor RV5.

【0034】ここで、{([D−U]25−MAX)−
([D−U]25−0)}={([D−U]H−MA
X)−([D−U]H−0)}とは、例えば、常温状態
(25℃)における流量最大(MAX)の場合のDTP
(下流側サーモパイル)出力とUPT(上流側サーモパ
イル)出力との差及び常温状態(25℃)における流量
ゼロ(0)の場合のDTP(下流側サーモパイル)出力
とUPT(上流側サーモパイル)出力との差における差
分は、高温状態(H)における流量最大の場合のDTP
(下流側サーモパイル)出力とUPT(上流側サーモパ
イル)出力との差及び高温状態(H)における流量0の
場合のDTP(下流側サーモパイル)出力とUPT(上
流側サーモパイル)出力との差における差分とが、図4
に示すように等しくなる。
Here, {([DU] 25-MAX)-
([DU] 25-0)} = {([DU] H-MA
X)-([DU] H-0)} is, for example, DTP in the case of a maximum flow rate (MAX) in a normal temperature state (25 ° C.).
The difference between the (downstream thermopile) output and the UPT (upstream thermopile) output and the DTP (downstream thermopile) output and UPT (upstream thermopile) output at zero flow rate (0) at normal temperature (25 ° C.). The difference in the difference is the DTP at the maximum flow rate in the high temperature state (H).
The difference between the (downstream thermopile) output and the UPT (upstream thermopile) output and the difference between the DTP (downstream thermopile) output and the UPT (upstream thermopile) output when the flow rate is 0 in the high temperature state (H). But FIG.
Are equal.

【0035】即ち、流量が一定であれば、ガス温度(周
囲温度)が常温状態25℃から高温状態Hに変化して
も、下流側サーモパイルDTPの出力変化(ハッチング
にて示す)と上流側サーモパイルUTPの出力変化(ハ
ッチングにて示す)は同等であり、よって、常温状態2
5℃におけるフローセンサ出力[D−U]25−0と高
温状態Hにおけるフローセンサ出力[D−U]H−0は
同等である。この状態は、流量MAX一定の場合におい
ても同様であり、下流側サーモパイルDTPの出力変化
(ハッチングにて示す)と上流側サーモパイルUTPの
出力変化(ハッチングにて示す)は同等であり、よっ
て、常温状態25℃におけるフローセンサ出力[D−
U]25−maxと高温状態Hにおけるフローセンサ出
力[D−U]H−maxは同等である。
That is, if the flow rate is constant, even if the gas temperature (ambient temperature) changes from the normal temperature state 25 ° C. to the high temperature state H, the output change of the downstream thermopile DTP (shown by hatching) and the upstream thermopile The output change of UTP (shown by hatching) is equivalent, and
The flow sensor output [DU] 25-0 at 5 ° C. and the flow sensor output [DU] H-0 in the high temperature state H are equivalent. This state is the same even when the flow rate MAX is constant, and the output change (shown by hatching) of the downstream thermopile DTP and the output change (shown by hatching) of the upstream thermopile UTP are equivalent, and therefore, the normal temperature Flow sensor output [D-
U] 25-max and the flow sensor output [DU] H-max in the high temperature state H are equivalent.

【0036】このように、当初、ヒータに常温状態にお
ける1.5Vの電圧が印加されるように設定すること
で、ヒータ周囲の温度が常温25℃に対して上昇して
も、ヒータに印加される電圧は、周囲温度の上昇に追従
して上昇する。そのため、フローセンサの出力である
〔DTP出力−UPT出力〕は周囲温度の上昇によるヒ
ータの放熱温度に関わりなく温度補償されたものとな
る。
As described above, by initially setting the voltage of 1.5 V in the normal temperature state to the heater, even if the temperature around the heater rises from the normal temperature of 25 ° C., the voltage is applied to the heater. Voltage rises as the ambient temperature rises. Therefore, the output of the flow sensor [DTP output-UPT output] is temperature-compensated regardless of the heat radiation temperature of the heater due to an increase in the ambient temperature.

【0037】また、DTP−UPT出力の温度補償は、
CPUにより、常時、DTP−UPT出力と周囲温度の
監視にもとにソフトウェアにて行うのではなく、1se
c間に一回、20msecの時間に限り、ヒータの周囲
温度変化に基づいた値の電圧をヒータに印加し、ヒータ
の発熱用電圧を調整するため、内蔵されたバッテリ駆動
によるガスメータの省電力化が計れる。
The temperature compensation of the DTP-UPT output is as follows.
The CPU always monitors the DTP-UPT output and the ambient temperature by software, instead of using software.
Once in c, only for 20 msec, a voltage of a value based on the ambient temperature change of the heater is applied to the heater to adjust the heating voltage of the heater. Can be measured.

【0038】[0038]

【発明の効果】この発明によれば、ヒータ51からの発
熱を、流体を媒体として感温素子に伝搬し、この感温素
子の出力に基づき前記流体の流速を測定するフローセン
サに配置され、周囲温度に応じて抵抗値が変わる測温体
Rと、この側温体Rに一定電流を流したときの電圧降下
を検出する電圧検出手段13と、前記検出された電圧降
下に基づいて前記ヒータに供給する電力を制御するヒー
タ駆動手段16とを備え、前記周囲温度の変化に追従し
てヒータ51の供給電力を変化させてヒータ温度を制御
し、前記感温素子の出力を温度補正することで、ヒータ
の周囲温度が予め設定した基準温度より変動した場合
は、ヒータの温度を基準温度に対して周囲温度の変動分
加算し、周囲温度に追従して、常に一定の温度をヒータ
に与えることができるため、周囲温度の変動にも拘わら
ず安定したフローセンサ出力を得ることができるという
効果がある。
According to the present invention, the heat generated by the heater 51 is transmitted to the temperature-sensitive element using the fluid as a medium, and is arranged in the flow sensor for measuring the flow rate of the fluid based on the output of the temperature-sensitive element. A temperature measuring element R whose resistance value changes in accordance with the ambient temperature; voltage detecting means 13 for detecting a voltage drop when a constant current flows through the side temperature element R; and a heater based on the detected voltage drop. Heater driving means 16 for controlling the electric power supplied to the heater 51, and controlling the heater temperature by changing the electric power supplied to the heater 51 in accordance with the change in the ambient temperature, thereby correcting the output of the thermosensitive element. When the ambient temperature of the heater fluctuates from a preset reference temperature, the temperature of the heater is added to the reference temperature by the variation of the ambient temperature, and a constant temperature is always given to the heater following the ambient temperature. It is possible Therefore, there is an effect that it is possible to obtain a stable flow sensor output despite variations in ambient temperature.

【0039】この発明によれば、ヒータ駆動手段16
は、ヒータ51の周囲温度が変化時には、ヒータの発熱
温度を、周囲温度に予め設定した基準温度を加算した温
度になるようにヒータへの供給電力を制御し、ヒータ温
度を周囲温度に追従した温度に制御することで、フロー
センサより安定したセンサ出力を得ることができるとい
う効果がある。
According to the present invention, the heater driving means 16
When the ambient temperature of the heater 51 changes, the power supplied to the heater is controlled so that the heat generation temperature of the heater becomes a temperature obtained by adding a preset reference temperature to the ambient temperature, and the heater temperature follows the ambient temperature. By controlling the temperature, it is possible to obtain a more stable sensor output than the flow sensor.

【0040】この発明によれば、フローセンサに配置さ
れたヒータと感温素子は、ガスメータ内のガス通路にお
いてガスの流れる方向と直交する方向に離隔して配置さ
れ、且つ、前記測温体はヒータの発熱の影響を避ける位
置に配置したことで、周囲温度の変動に拘わらず一定の
ガス流量測定を行えるという効果がある。
According to the present invention, the heater and the temperature sensing element arranged in the flow sensor are spaced apart from each other in a direction perpendicular to the direction in which the gas flows in the gas passage in the gas meter. By arranging the heater at a position where the influence of the heat generated by the heater is avoided, there is an effect that a constant gas flow rate can be measured irrespective of the fluctuation of the ambient temperature.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は本発明に係るヒータ制御装置の基本構成
図である。
FIG. 1 is a basic configuration diagram of a heater control device according to the present invention.

【図2】図2は本実施の形態における制御対象となる測
温抵抗とヒータが搭載されたマイクロフローセンサの拡
大平面図である。
FIG. 2 is an enlarged plan view of a microflow sensor equipped with a resistance temperature sensor and a heater to be controlled in the present embodiment.

【図3】図3は本実施の形態に係るヒータ制御装置の構
成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of a heater control device according to the present embodiment.

【図4】図4は周囲温度変化に対するセンサ出力の関係
を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a sensor output and a change in ambient temperature.

【図5】図5は従来のヒータ制御装置の概略構成図であ
る。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a conventional heater control device.

【図6】図6はガスメータの概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a gas meter.

【図7】図7は周囲温度変化に対するセンサ出力の関係
を示す図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a relationship between a sensor output and a change in ambient temperature.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

R 測温体 11 定電流回路 13 電圧検出手段、 15 ヒータ駆動手段 51 ヒータ R temperature measuring element 11 constant current circuit 13 voltage detecting means, 15 heater driving means 51 heater

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ヒータからの発熱を、流体を媒体として
感温素子に伝搬し、この感温素子の出力に基づき前記流
体の流速を測定するフローセンサに配置され、周囲温度
に応じて抵抗値が変わる測温体と、この側温体に一定電
流を流したときの電圧降下を検出する電圧検出手段と、
前記検出された電圧降下に基づいて前記ヒータに供給す
る電力を制御するヒータ駆動手段とを備え、前記周囲温
度の変化に追従してヒータの供給電力を変化させてヒー
タ温度を制御し、前記感温素子の出力を温度補正するこ
とを特徴とするヒータ制御装置。
1. A heat sensor for transmitting heat generated by a heater to a temperature-sensitive element using a fluid as a medium, and disposed in a flow sensor for measuring a flow rate of the fluid based on an output of the temperature-sensitive element. And a voltage detecting means for detecting a voltage drop when a constant current is applied to this side temperature body,
Heater driving means for controlling the power supplied to the heater based on the detected voltage drop, and controlling the heater temperature by changing the power supplied to the heater in accordance with the change in the ambient temperature; A heater control device for correcting the output of a heating element by temperature.
【請求項2】 前記ヒータ駆動手段は、ヒータの周囲温
度が変化時には、ヒータの発熱温度を、周囲温度に予め
設定した基準温度を加算した温度になるようにヒータへ
の供給電力を制御し、ヒータ温度を周囲温度に追従した
温度に制御することを特徴とする請求項1に記載のヒー
タ制御装置。
2. The heater driving unit controls power supplied to the heater such that when the ambient temperature of the heater changes, the heat generation temperature of the heater becomes a temperature obtained by adding a preset reference temperature to the ambient temperature. The heater control device according to claim 1, wherein the heater temperature is controlled to a temperature that follows the ambient temperature.
【請求項3】 前記フローセンサに配置されたヒータと
感温素子は、ガスメータ内のガス通路においてガスの流
れる方向と直交する方向に離隔して配置され、且つ、前
記測温体はヒータの発熱の影響を避ける位置に配置した
ことを特徴とする請求項1に記載のヒータ制御装置。
3. A heater and a temperature sensing element arranged in the flow sensor are spaced apart from each other in a direction orthogonal to a gas flowing direction in a gas passage in the gas meter, and the temperature measuring element is configured to generate heat of the heater. The heater control device according to claim 1, wherein the heater control device is arranged at a position to avoid the influence of the heat.
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