JP2002129332A

JP2002129332A - 基体処理方法及び基体処理装置

Info

Publication number: JP2002129332A
Application number: JP2000323991A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Seki; 好雄瀬木; Hiroyuki Katagiri; 宏之片桐; Hideaki Matsuoka; 秀彰松岡; Kazuhiko Takada; 和彦高田; Mitsuharu Hitsuishi; 光治櫃石
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-10-24
Filing date: 2000-10-24
Publication date: 2002-05-09

Abstract

(57)【要約】【課題】堆積膜形成中に不純物の混入を抑制することが
可能となり、電気特性に優れ、高品位の画像を与えるこ
とのできる基体処理方法及び基体処理装置を提供する。【解決手段】複数の真空処理容器内に設置された基体を
処理する基体処理方法において、前記真空処理容器の壁
面に開閉可能なゲー卜弁を設け、該ゲート弁の該真空処
理容器と反対側に密閉された空間を形成し、該空間内を
減圧にして基体の処理をする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、堆積膜形成方法及
び装置に関し、特に、光（ここでは広義の光で、紫外
線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す。）の様な
電磁波に感受性のある光受容部材を連続して安定に形成
するのに適した堆積膜形成方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】固体撮像装置、あるいは像形成分野にお
ける電子写真用光受容部材や原稿読みとり装置における
光導電層を形成する材料として、高感度でＳＮ比［光電
流（Ｉｐ）／（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマッチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有するこ
と、使用時において人体に無公害であること、さらには
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができる等の特性が要求される。特に事務機
としてオフィスで使用される電子写真用光受容部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な点であ
る。

【０００３】この様な観点に立脚して注目されている材
料に、水素やハロゲン原子等の一価の元素でダングリン
グボンドが修飾されたアモルファスシリコン（以後、
「ａ−Ｓｉ」と表記する）があり、例えば特開昭５４−
８６３４１号公報には電子写真用光受容部材への応用が
記載されている。従来、円筒状基体上にａ−Ｓｉからな
る光受容部材を形成する形成方法として、スパッタリン
グ法、熱により原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ
法）、光により原料ガスを分解する方法（光ＣＶＤ
法）、プラズマにより原料ガスを分解する方法（プラズ
マＣＶＤ法）等、多数知られている。なかでもプラズマ
ＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流または高周波、マ
イクロ波グロー放電等によって分解し、円筒状基体上に
堆積膜を形成する方法は電子写真用光受容部材の形成方
法等、現在実用化が非常に進んでいる。

【０００４】図２は基体処理装置である高周波プラズマ
ＣＶＤ（以下「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と表記する）法による
電子写真感光体の製造装置の一例を示す模式的な構成図
である。この装置は大別すると、堆積装置（２１０
０）、原料ガスの供給装置（２２００）、真空処理容器
（２１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せ
ず）から構成されている。堆積装置（２１００）中の真
空処理容器（２１１１）内には、支持体ホルダー（２１
１３−ａ，２１１３−ｂ）に設置された基体としての導
電性円筒状支持体（２１１２）、支持体加熱用ヒーター
（２１１４）、原料ガス導入管（２１１５）が設置さ
れ、更に高周波マッチングボックス（２１１６）が接続
されている。原料ガス供給装置（２２００）は、ＳｉＨ
₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、ＮＯ、Ｂ₂Ｈ₆、ＧｅＨ₄等の原料ガスの
ボンベ（２２２１〜２２２６）とバルブ（２２３１〜２
２３６，２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６）お
よびマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）
から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（２２６
０）を介して真空処理容器（２１１１）内のガス導入管
（２１１５）に接続されている。

【０００５】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。まず、真空処理容器
（２１１１）内に円筒状支持体（２１１２）を設置し、
排気装置（例えば真空ポンプ）により真空処理容器（２
１１１）内を排気する。続いて、支持体加熱用ヒーター
（２１１４）をＯＮし、円筒状支持体（２１１２）の温
度を２５０℃〜５００℃の所定の温度に制御する。堆積
膜形成用の原料ガスを真空処理容器（２１１１）に流入
させるには、ガスボンベのバルブ（２２３１〜２２３
６）、真空処理容器のリークバルブ（２１１８）が閉じ
られていることを確認し、また、流入バルブ（２２４１
〜２２４６）、流出バルブ（２２５１〜２２５６）、補
助バルブ（２２６０）が開かれていることを確認して、
まずメインバルブ（２１１９）を開いて真空処理容器
（２１１１）およびガス配管内（２１１７）を排気す
る。次に真空計（２１２０）の読みが約６．７×１０^-4
Ｐａになった時点で補助バルブ（２２６０）、流出バル
ブ（２２５１〜２２５６）を閉じる。

【０００６】その後、ガスボンベ（２２２１〜２２２
６）より各ガスをバルブ（２２３１〜２２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（２２６１〜２２６６）により各
ガス圧を（例えば２Ｋｇ／ｃｍ²）調整する。次に、流
入バルブ（２２４１〜２２４６）を徐々に開けて、各ガ
スをマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）
内に導入する。以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状支持体（２１１２）上に例えば電荷注入阻止
層、光導電層、表面層等の各層の形成を行う。

【０００７】円筒状支持体（２１１２）が所定の温度に
なったところで流出バルブ（２２５１〜２２５６）のう
ちの必要なものおよび補助バルブ（２２６０）を徐々に
開き、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）から所定のガ
スをガス導入管（２１１５）を介して真空処理容器（２
１１１）内に導入する。次にマスフローコントローラー
（２２１１〜２２１６）によって各原料ガスが所定の流
量になるように調整する。その際、真空処理容器（２１
１１）内の圧力が１３３Ｐａ以下の所定の圧力になるよ
うに真空計（２１２０）を見ながらメインバルブ（２１
１９）の開口を調整する。

【０００８】内圧が安定したところで、ＲＦ電源（図示
せず）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボッ
クス（２１１６）を通じて真空処理容器（２１１１）内
にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生起させる。こ
の放電エネルギーによって真空処理容器内に導入された
原料ガスが分解され、円筒状支持体（２１１２）上に所
定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成されるところ
となる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供
給を止め、流出バルブを閉じて真空処理容器へのガスの
流入を止め、堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数
回繰り返すことによって、多層構造の電子写真感光体が
形成される。

【０００９】しかしながら、上記のプラズマＣＶＤ装置
においては、真空処理容器は堆積膜形成後の製品の取り
出しの都度毎回大気にさらされるため、大気中の湿気や
ガスを吸着し、そのために堆積膜の膜質を低下させた
り、不安定になったりするという欠点があった。これら
の欠点を除くため、特公昭６３−１２１３８号公報に
は、光電変換部材の改良形の製造装置が開示されてい
る。即ち、各種処理工程毎に専用の真空容器と、これら
の真空容器間で移動可能な搬送専用の真空容器を設け、
処理専用の真空容器と搬送専用の真空容器間で基体の出
し入れ及び移動を可能としたいわゆるロードロック型の
製造装置が開示されている。

【００１０】また、特開平４−３２９８８３号公報に
は、搬送専用の真空容器を２個とする事で、搬送効率の
向上と、２個の搬送専用の真空容器を用途分けして使用
する事で堆積膜の膜質を向上させる技術が開示されてい
る。これら従来の技術により、光導電性材料をある程度
の品質で、大量生産する事が可能となった。

【００１１】このようにして改良された従来の基体処理
装置の一例を図３に示す図３の装置について説明する
と、図３は基体処理装置である高周波プラズマＣＶＤ
（以下「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と表記する）法による電子写
真感光体の製造装置の一例を示す装置の全体配置図であ
り、（３１１０）はクリーンルームなどの清浄な雰囲気
で、金属を母体とした補助基体に基体を装着（以下「基
体」と称する）し、その基体を真空にし、次工程の真空
処理容器に投入するための投入用真空処理容器である。
（３１１１）は基体を所定の温度に加熱、保持するため
の加熱用真空処理容器、（３１１２）は堆積膜を形成す
るための堆積膜形成用真空処理容器、（３１１３）は堆
積膜形成後の基体を冷却し、取り出すための冷却用真空
処理容器である。（３１３４−ａ）（３１３４−ｂ）は
基体を各処理容器（３１１０）、（３１１１）、（３１
１２）、（３１１３）の各位置に移動するための真空搬
送容器１、２である。

【００１２】（３１１４）、（３１１５）、（３１１
６）、（３１１７）は各処理容器を真空にするための排
気装置で排ガス処理装置に接続されており、（３１１
８）、（３１１９）、（３１２０）、（３１２１）は真
空搬送容器（３１３４−ａ）又は（３１３４−ｂ）が各
真空処理容器（３１１０）、（３１１１）、（３１１
２）、（３１１３）に接続されたとき真空搬送容器ゲー
ト弁（３１３５−ａ）又は（３１３５−ｂ）とゲート弁
（３１２２）、（３１２３）、（３１２４）、（３１２
５）の空間を真空にするための排気装置である。即ち、
例えば堆積膜形成用真空処理容器（３１１２）への基体
の出し入れは、真空搬送容器１（３１３４−ａ）のゲー
ト弁（３１３５−ａ）を加熱用真空処理容器（３１１
１）のゲート弁（３１２３）上に密着させ、真空搬送容
器１ゲート弁（３１３５−ａ）とゲート弁（３１２３）
の空間を排気装置（３１１９）により真空にする。

【００１３】次いでゲート弁（３１２３）、（３１３５
−ａ）を開き、真空搬送容器１（３１３４−ａ）内に設
けられた上下移動機構（図示せず）により加熱用真空処
理容器（３１１１）内より加熱された基体を搬出し、同
様の操作で次に堆積膜形成用真空処理容器（３１１２）
内に基体を搬入する。移送時間は、通常３〜１０分程で
ある。その後は、前述のように堆積膜形成用真空処理容
器（３１１２）内で、基体上に堆積膜を形成する。

【００１４】そして最後に冷却用真空処理容器（３１１
３）へ真空搬送容器（３１３４−ｂ）を使用し基体を搬
入し、該真空処理容器（３１１３）内で基体は冷却され
た後、該真空処理容器（３１１３）内を大気圧にし、基
体を取り出す。その後、堆積膜形成用真空処理容器（３
１１２）は、真空搬送容器（３１３４−ｂ）によりダミ
ー置き台（図示せず）より該真空処理容器（３１１２）
内に設置されている基体加熱用ヒーター（図示せず）を
プラズマから保護する為のダミー基体を搬入し、該真空
処理容器内をフッ素系ガスにてプラズマクリーニングを
行い、該真空処理容器（３１１２）内に残っているポリ
シランを除去し清浄化する。

【００１５】真空搬送容器（３１３４−ａ）（３１３４
−ｂ）は、例えば、堆積膜形成前の清浄度を有する工程
に関わる投入用真空処理容器（３１１０）と加熱用真空
処理容器（３１１１）との移送及び、加熱用真空処理容
器（３１１１）と堆積膜形成用真空処理容器（３１１
２）との移送については、（３１３４−ａ）側を使用
し、堆積膜形成後の堆積膜形成用真空処理容器（３１１
１）と冷却用真空処理容器（３１１３）との移送のよう
にポリシランが存在する工程については真空搬送容器
（３１３４−ｂ）を使用するというように、処理容器の
清浄度に応じて工程別に使い分けして使用する事が望ま
しい。これらの技術により、前述の問題点もある程度解
消され、堆積膜の膜質が向上してきた。また、特公平４
−８２１８６号公報には、クリーン搬送方法についての
技術が開示されている。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の技術により、堆積膜の膜質は向上され歩留の面で改善
されてきたが、総合的な特性向上を図る上でさらに改良
される余地が存在するのが実情である。さらに現在、電
子写真装置はさらに高画質、高速、高耐久性が望まれて
いる。その結果、電子写真用光受容部材においては、光
学的特性や電気的特性の更なる向上とともに、高帯電
能、高感度を維持しつつあらゆる環境下で耐久性を延ば
すことが求められている。

【００１７】また、近年、電子写真装置の画像特性向上
のために電子写真装置内の光学露光系、現像装置、転写
装置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材に
おいても、従来以上の画像特性の向上が求められるよう
になった。特に画像の解像力が向上した結果、俗に「ポ
チ」と呼ばれる、白点状または黒点状の画像欠陥の減
少、特に従来はあまり問題にされなかった微少な大きさ
の「ポチ」の減少が求められるようになってきた。

【００１８】さらに、光受容部材を繰り返し使用する際
に生じる残像、いわゆる「ゴースト」現象や、画像上の
細線が滲んだ様に見える「画像流れ」は、従来の複写シ
ステムにあっては必ずしも痛切ではなく場合によっては
無視することもできたが、レーザー等の可干渉光光源を
使用する高速の複写システム、ファクシミリシステム、
プリンターシステム等の高速連続画像形成システム、特
にデジタル高速連続画像システム、さらには近年普及し
てきたフルカラー画像システムにおいては、視覚的に明
らかなものとなるため、重大な問題であり、解決の要求
されるところのものである。したがって、光受容部材そ
のものの特性改良が図られる一方で、上記のような問題
が解決されるように、層構成、各層の化学的組成および
作製法など総合的な観点からの改良を図ることが必要と
されている。

【００１９】そこで、本発明は、上記課題を解決し、堆
積膜形成中に不純物の混入を抑制することが可能とな
り、電気特性に優れ、高品位の画像を与えることのでき
る基体処理方法及び基体処理装置を提供することを目的
とするものである。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、つぎの（１）〜（１４）のように構成し
た基体処理方法及び基体処理装置を提供するものであ
る。（１）複数の真空処理容器と該真空処理容器内に設置さ
れた基体を処理する基体処理方法において、前記真空処
理容器の壁面に設けられた開閉可能なゲー卜弁の該真空
処理容器と反対側に密閉された空間を形成し、該空間内
を減圧にすることを特徴とする基体処理方法。（２）前記処理は、減圧気相成長法により基体の表面に
堆積膜を形成することである上記（１）に記載の基体処
理方法。（３）前記密閉された空間は、前記ゲート弁の前記真空
処理容器と反対側の空間を蓋により密閉して形成するこ
とを特徴とする上記（１）または上記（２）に記載の基
体処理方法。（４）前記真空搬送容器には、密閉された空間を形成す
る蓋を脱着するための機構が設けられていることを特徴
とした上記（３）に記載の基体処理方法。（５）前記蓋の脱着は、前記基体を前記真空処理容器内
に搬入または搬出する真空搬送容器とは別の真空搬送容
器側で行われることを特徴とした上記（４）に記載の基
体処理方法。（６）前記真空処理容器への基体の設置は、真空搬送容
器と前記真空処理容器とをゲート弁を介して接続して行
うことを特徴とした上記（１）〜（５）のいずれかに記
載の基体処理方法。（７）前記真空搬送容器は、少なくとも２個以上を有す
ることを特徴とした上記（６）に記載の基体処理方法。（８）複数の真空処理容器と、前記真空処理容器の壁面
に開閉可能なゲート弁を備え、前記真空処理容器内に設
置された基体を処理する基体処理装置において、前記ゲ
ート弁の該真空処理容器とは反対側の空間を密閉しうる
密閉部材を設け、前記基体の処理中は、真空排気手段に
よって該空間内を減圧可能に構成したことを特徴とする
基体処理装置。（９）前記処理は、減圧気相成長法により基体の表面に
堆積膜を形成することである上記（８）に記載の基体処
理装置。（１０）前記密閉部材は、前記ゲート弁の前記真空処理
容器とは反対側に密閉された空間を形成する蓋によって
構成されていることを特徴とする上記（８）または上記
（９）に記載の基体処理装置。（１１）前記真空搬送容器には、前記密閉された空間を
形成する蓋を脱着するための機構が設けられていること
を特徴とする上記（１０）に記載の基体処理装置。（１２）前記蓋の脱着は、前記基体を前記真空処理容器
内に搬入または搬出する真空搬送容器とは別の真空搬送
容器側で行われることを特徴とする上記（１１）に記載
の基体処理方法。（１３）前記真空処理容器への基体の設置は、真空搬送
容器と前記真空処理容器とをゲート弁を介して接続して
行うことを特徴とする上記（８）〜（１２）のいずれか
に記載の基体処理装置。（１４）前記真空搬送容器は、少なくとも２個以上を有
することを特徴とする上記（１３）に記載の基体処理装
置。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明者らは、従来の基体処理方
法及び装置における前述の本発明の目的を達成すべく鋭
意研究を重ねたところ、堆積膜形成用真空処理容器内に
設置された基体の表面に堆積膜を形成する基体処理方法
において、該真空処理容器の壁面に開閉可能なゲート弁
を設け、該ゲート弁の該真空処理容器とは反対側の空間
を密閉しうる密閉部材を設け、堆積膜形成中は真空排気
手段により該空間内を減圧とする事が、電気特性の向上
及び画像欠陥の解消に大きく影響するという知見を得
た。

【００２２】即ち、従来の装置形態においては、堆積膜
形成用真空処理容器内に設置された基体の表面に堆積膜
を形成した後、該真空処理容器内をフッ素系ガスにてプ
ラズマクリーニングを行い、真空処理容器内に残ってい
るポリシランを除去し清浄化しているが、該真空処理容
器の壁面に設けられた開閉可能なゲート弁の真空処理容
器側の真空シール面は、クリーニング工程で除去出来な
かったポリシランの残査や、堆積膜片等の堆積により、
真空シール性が低下してしまう事から、堆積膜形成中に
大気中の不純物を真空処理容器内に引き込んでしまい電
気特性及び画像特性の低下を引き起こしてしまう。これ
らに対しては、ゲート弁の清掃を頻繁に行い、真空シー
ル性を維持、又はゲート弁のダスト除去をする事で解消
できるが、装置を休止させる必要がある事から稼働率低
下となる。

【００２３】本発明は、装置を停止させることなくこれ
らの課題を解決すべく鋭意研究した結果、装置構成的に
はポリシラン等の発生によるゲート弁の堆積膜形成用真
空処理容器側の真空シールからのリークを抑える事は限
界があることから、ゲート弁の真空処理容器側の真空シ
ール面からのリークはある程度は無視し、ゲート弁の真
空処理容器側の真空シールとは異なる位置で更に真空シ
ールを行うものである。即ち、ゲート弁の真空処理容器
とは反対側の空間を密閉しうる密閉部材を設け、堆積膜
形成中は真空排気手段により空間内を減圧とするもので
ある。なお、ここでの密閉部材としては、蓋状の部材に
限らず、前記ゲート弁の真空処理容器と反対側の空間を
外部と遮断可能に密閉し得る部材であれば、板状の部材
やその他の形状の部材等であってもよい。

【００２４】つぎに、本発明の実施の形態の一例を、図
１（ａ）、（ｂ）を用いて詳細に説明する。図１（ａ）
は基体処理装置である高周波プラズマＣＶＤ（以下「Ｒ
Ｆ−ＰＣＶＤ」と表記する）法による電子写真感光体の
製造装置の一例を示す装置の全体配置図であり、図１
（ｂ）は真空処理容器ゲート弁と真空搬送容器１につい
ての模式的説明図である。図１（ａ）中、（１１１０）
は清浄な雰囲気で基体を金属を母体とした補助基体に装
着し、真空にするための投入用真空処理容器である。

【００２５】同図において（１１１１）は基体を所定の
温度に加熱、保持するための加熱用真空処理容器、（１
１１２）は堆積膜を形成するための堆積膜形成用真空処
理容器、（１１１３）は堆積膜形成後の基体等を冷却
し、取り出すための冷却用真空処理容器であり、各真空
処理容器にはゲート弁（１１２２）、（１１２３）、
（１１２４）、（１１２５）が設けられ、真空処理容器
ゲート弁（１１２４）の真空処理容器とは反対側に蓋
（１１３６）が設けられている。（１１３４−ａ）（１
１３４−ｂ）は補助基体を各真空処理容器（１１１
０）、（１１１１）ヽ（１１１２）、（１１１３）の各
位置に移動するための真空搬送容器１、２である。

【００２６】（１１１４）、（１１１５）、（１１１
６）、（１１１７）は各真空処理容器を真空にするため
の排気装置で、（１１１８）、（１１１９）、（１１２
０）、（１１２１）は真空搬送容器（１１３４−ａ）又
は（１１３４−ｂ）が各真空処理容器（１１１０）、
（１１１１）、（１１１２）、（１１１３）に接続され
たとき、真空搬送容器ゲート弁（１１３５−ａ）又は
（１１３５−ｂ）とゲート弁（１１２２）、（１１２
３）、（１１２４）、（１１２５）の空間を真空にす
る、又は堆積膜形成中に蓋（１１３６）とゲ−ト弁（１
１２４）の真空処理容器側とは反対側の密閉された空間
を真空にするための排気装置である。

【００２７】図１（ｂ）中、（１１１２）は堆積膜形成
用真空処理容器、（１１３９）は上部絶縁碍子、（１１
２４）は真空処理容器ゲート弁、（１１３８）は真空処
理容器ゲート弁開閉機構部でゲート弁（１１２４）とは
Ｏリングにて真空シールされている。真空処理容器ゲー
ト弁（１１２４）上には蓋（１１３６）が設置されてい
る。（１１３４−ａ）は真空搬送容器１、（１１３５−
ａ）は真空搬送容器ゲート弁、（１１３７）は真空搬送
容器１ゲート弁開閉機構部でゲート弁（１１３５−ａ）
とはＯリングにて真空シールされている。（１１４０）
は蓋を持ち上げる為の真空パッドであり、真空エジェク
タユニット（図示せず）に接続されている。

【００２８】例えば、堆積膜形成用真空処理容器（１１
１２）への基体の搬入は、真空搬送容器２（１１３４−
ｂ）を該真空処理容器（１１１２）上に移動させ、真空
パッド（１１４０）にて、蓋（１１３６）を持ち上げ
る。その後真空搬送容器１（１１３４−ａ）を該真空処
理容器（１１１２）上に移動させ、ゲートバルブ（１１
３５−ａ）とゲートバルブ（１１２４）の空間を排気装
置（１１２０）により真空にする。次いでゲートバルブ
（１１２４）、（１１３５−ａ）を開き、真空搬送容器
１（１１３４−ａ）内に設けられた上下移動機構（図示
せず）により加熱用真空処理容器（１１１１）内より加
熱された補助基体を搬出し、同様の操作で次に堆積膜形
成用真空処理容器（１１１２）内に補助基体を搬入す
る。搬入後、蓋（１１３６）は元の位置に戻される。移
送時間は、通常３〜１０分程である。その後は、前述の
ように堆積膜形成用真空処理容器（１１１２）内で、基
体上に堆積膜を形成する。

【００２９】堆積膜形成中は、真空処理容器ゲート弁
（１１２４）の真空処理容器とは反対側に設けられた蓋
（１１３６）との密閉された空間を、ゲート間排気バル
ブ（１１２８）を介して真空引きを行い減圧としてい
る。堆積膜形成後は、ゲート間排気バルブ（１１２８）
を閉め、Ｎ₂ガスにて空間内をベントする。そして最後
に冷却用真空処理容器（１１１３）へ真空搬送容器（１
１３４−ｂ）を使用し補助基体を搬入し、該真空処理容
器（１１１３）内で基体は冷却された後、該真空処理容
器（１１１３）内を大気圧にし、基体を取り出す。

【００３０】その後、堆積膜形成用真空処理容器（１１
１２）は、真空搬送容器（１１３４−ｂ）によりダミー
置き台（図示せず）より該真空処理容器（１１１２）内
に設置されている基体加熱用ヒーター（図示せず）をプ
ラズマから保護する為のダミー基体を搬入し、該真空処
理容器内をフッ素系ガスにてプラズマクリーニングを行
い、該真空処理容器（１１１２）内に残っているポリシ
ランを除去し清浄化するものである。この動作フローの
代表例を図４及び図５に示す。図４は堆積膜形成用真空
処理容器への基体投入、堆積膜形成工程のフローで、図
５は堆積膜形成後の取り出し工程フローである。

【００３１】上記のように構成することにより、堆積膜
形成中は、仮に堆積膜形成用真空処理容器ゲート弁開閉
機構部の真空シール面のシール性が低下していても、蓋
により密閉され減圧とされている事で、大気を該真空処
理容器内へ引き込む事が無くなり、堆積膜中への不純物
の混入が無くなり、その結果、膜の構造的欠陥が低減さ
れ、キャリアの走行性の改善が可能となり、残留電位と
いった電子写真電気特性及び、画像流れやゴーストとい
った電子写真画像特性を向上することができた。また、
上記のように構成することにより、、俗に「黒ポチ」と
呼ばれる、黒点状の画像欠陥が減少し、さらに長期間の
使用による「ポチ」の増加を低減することができる。
「ポチ」は、基体表面又は堆積膜中に付着したチリ、ほ
こりあるいは金属片といったダスト、及び反応容器内に
堆積したポリシランあるいは膜片がきっかけとなって堆
積膜が異常成長した球状突起が主原因である。とくに球
状突起が欠落した場合は球状突起の大小にかかわらず、
必ず画像欠陥となる。本発明の製造方法により、大気引
き込みによる真空処理容器内のガス流の変化を抑えた事
で、堆積膜形成中に反応容器内に付着したポリシランあ
るいは膜片等の飛散を抑え、それらを核として堆積膜が
異常成長して起る画像欠陥の抑制にも効果があるもので
ある。本発明においては、堆積膜形成中は真空排気手段
により、堆積膜形成用真空処理容器ゲート弁の該真空処
理容器とは反対側に設けられた蓋との空間内に残留して
いる大気及び不純物の引き込みをより抑える目的で、前
記空間内の圧力を減圧にすることが効果的であり、その
圧力は１３３Pa以下が望ましい。また、堆積膜形成中の
該真空処理容器内の圧力とほぼ同等又は低くする事が、
より望ましい。

【００３２】また、加熱のみ行われる加熱用真空処理容
器についても、ポリシラン等の発生は無いが、ゲート弁
の該真空処理容器と反対側は大気中にさらされているた
め、大気中のダストが付着している事から、加熱上りの
基体を加熱用真空処理容器から真空搬送容器を用いて取
り出す際、ダストが基体表面に付着してしまい、それら
を核とした球状突起となり画像欠陥を引き起こしてしま
う事から、本発明の上記した構成を加熱用真空処理容器
についても適用しても良い。

【００３３】本発明に係る真空搬送容器は、例えば、堆
積膜形成前の清浄度を有する工程に関わる投入用真空処
理容器と加熱用真空処理容器との移送及び、加熱用真空
処理容器と堆積膜形成用真空処理容器との移送と、堆積
膜形成後の堆積膜形成用真空処理容器と冷却用真空処理
容器との移送のようにポリシランが存在し、清浄度の悪
い工程とを処理容器の清浄度に応じて工程別に使い分け
して使用する事が望ましく、蓋を真空パッドにて吸着し
移送させるのは、使用する真空搬送容器とは別の真空搬
送容器側にて行うものである。

【００３４】本発明において使用される基体としての支
持体としては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。
導電性支持体としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉ
ｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金
属、およびこれらの合金、例えばステンレス等が挙げら
れる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボ
ネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ
塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂の
フィルムまたはシート、ガラス、セラミック等の電気絶
縁性支持体の少なくとも光受容層を形成する側の表面を
導電処理した支持体も用いることができる。

【００３５】本発明に於いて使用される支持体の形状は
平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または板状無端ベル
ト状であることができ、その厚さは、所望通りの電子写
真用光受容部材を形成し得るように適宜決定するが、電
子写真用光受容部材としての可撓性が要求される場合に
は、支持体としての機能が充分発揮できる範囲内で可能
な限り薄くすることができる。しかしながら、支持体は
製造上および取り扱い上、機械的強度等の点から通常は
１０μｍ以上とされる。特にレーザー光などの可干渉性
光を用いて像記録を行う場合には、可視画像において現
われる、いわゆる干渉縞模様による画像不良をより効果
的に解消するために、支持体の表面に凹凸を設けてもよ
い。支持体の表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１
６８１５６号公報、同６０−１７８４５７号公報、同６
０−２２５８５４号公報等に記載された公知の方法によ
り作成される。

【００３６】また、レーザー光などの可干渉光を用いた
場合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消す
る別の方法として、支持体の表面に複数の球状痕跡窪み
による凹凸形状を設けてもよい。即ち、支持体の表面が
電子写真用光受容部材に要求される解像力よりも微少な
凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによ
るものである。支持体の表面に設けられる複数の球状痕
跡窪みによる凹凸は、特開昭６１−２３１５６１号公報
に記載された公知の方法により作成される。

【００３７】本発明の装置を用いて、グロー放電法によ
って堆積膜を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原
子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／及び
ハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガス
を、反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容
器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に
設置されてある所定の支持体上にａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘから
なる層を形成すればよい。

【００３８】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ
₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙
げられる。

【００３９】そして、形成される堆積膜中に水素原子を
構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御をいっそう
容易になるようにはかり、本発明の目的を達成する膜特
性を得るために、これらのガスに更にＨ₂および／また
はＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガスも所望
量混合して層形成することが必要である。また、各ガス
は単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差
し支えないものである。

【００４０】また本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲ
ンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のま
たはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。本発明に於て好適に使用し得るハロゲン化
合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、
ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等
のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原
子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換され
たシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ
₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等の弗化珪素が好ましいものとして挙げる
ことができる。堆積膜中に含有される水素原子または／
及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体の
温度、水素原子または／及びハロゲン原子を含有させる
ために使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、
放電電力等を制御すればよい。

【００４１】本発明に係る堆積膜には、必要に応じて伝
導性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導
性を制御する原子は、堆積膜中に万偏なく均一に分布し
た状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向には不
均一な分布状態で含有している部分があってもよい。前
記伝導性を制御する原子としては、半導体分野におけ
る、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性
を与える周期律表第IIIｂ族に属する原子（以後「第III
ｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導特性を与える周
期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と
略記する）を用いることができる。

【００４２】第IIIｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。堆積膜に含有される伝導性を制御する原子の含
有量としては、好ましくは１×１０^-2〜１×１０⁴原子
ｐｐｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５×ｌ０³原子ｐ
ｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０³原子ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

【００４３】伝導性を制御する原子、たとえば、第III
ｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に、第IIIｂ族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応
容器中に、堆積膜を形成するための他のガスとともに導
入してやればよい。第IIIｂ族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものと
しては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成
条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ま
しい。

【００４４】そのような第IIIｂ族原子導入用の原料物
質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ
₂Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、
Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃等の
ハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃、
ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、ＴｌＣｌ₃等
も挙げることができる。

【００４５】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃、Ｐ₂
Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣｌ₃、
ＰＣｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハロゲン化燐が
挙げられる。この他、ＡｓＨ ₃、ＡｓＦ₃、ＡｓＣｌ₃、
ＡｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃、ＳｂＦ₅、Ｓ
ｂＣｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、ＢｉＣｌ₃、ＢｉＢｒ₃
等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることができる。また、これらの伝導性を制御する
原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ₂および／また
はＨｅにより希釈して使用してもよい。

【００４６】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する堆積膜を形成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガ
スとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに
支持体温度を適宜設定することが必要である。希釈ガス
として使用するＨ₂および／またはＨｅの流量は、層設
計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給
用ガスに対しＨ₂および／またはＨｅを、通常の場合１
〜２０倍、好ましくは２〜１５倍、最適には３〜１０倍
の範囲に制御することが望ましい。

【００４７】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-2〜１３３０Ｐａ、好ましくは６．７×１０^-2〜６７
０Ｐａ、最適には１×１０^-1〜１３３Ｐａとするのが好
ましい。放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜
最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対
する放電電力を、通常の場合０．１〜７倍、好ましくは
０．５〜６倍、最適には０．７〜５倍の範囲に設定する
ことが望ましい。さらに、支持体の温度は、層設計にし
たがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合２０
０〜３５０℃とするのが望ましい。

【００４８】本発明を適用するに際して、堆積膜を形成
するための支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲とし
て前記した範囲が挙げられるが、これらの条件は通常は
独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を
有する電子写真用感光体を形成すべく相互的且つ有機的
関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。また、
本発明を適用することにより製造される電子写真感光体
は、電子写真複写機に利用するのみならず、レーザービ
ームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンタ
ー、液晶プリンター、レーザー製版機などの電子写真応
用分野にも広く用いることができる。

【００４９】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。［実施例１］図１（ａ）に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、基体には、珪
素原子の含有量が１００ｐｐｍのアルミニウムよりなる
直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状
基体を鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、
表１に示す条件で基体上に、アモルファスシリコン堆積
膜の形成を行い、図６に示す層構成の阻止型電子写真感
光体を作製した。図６に於て、（６０１）、（６０
２）、（６０３）及び（６０４）は、それぞれアルミニ
ウム基体、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層を示し
ている。

【００５０】本実施例では、光導電層１、２を以下の条
件で作製した。この時、堆積膜形成用真空処理容器外壁
に設けられたゲート弁の真空処理容器とは反対側の空間
を密閉する蓋を設けて排気装置により減圧とした。尚、
この時の空間内の真空度は６．７ｐａ以下であった。そ
れ以外の構成は、図２と同様の構成とした。

【００５１】（比較例１）堆積膜形成用真空処理容器外
壁に設けられたゲート弁の真空処理容器とは反対側の空
間は大気状態としたこと以外は実施例１と同様の方法に
て作製した。

【００５２】

【表１】作製した電子写真感光体を電子写真装置（キヤノン製Ｎ
Ｐ６１５０をテスト用に改造）にセットして、残留電
位、画像流れ、ゴーストならびに黒ポチを以下の方法で
評価した。

【００５３】『残留電位』電子写真感光体の表面に、４
００ｖの暗部表面電位を帯電させた後、直ちに一定光量
０．５Ｌｕｘ．ｓｅｃを照射した。光像は、キセノンラ
ンプ光源を用い、フィルターを用いて５５０ｎｍ以下の
波長域を除いた光を照射した。この時、表面電位計によ
り、電子写真感光体の明部表面電位を測定した。そし
て、得られた明部表面電位の平均をもって、残留電位と
した。そして、比較例１で得られた残留電位を１００と
した時の相対値であらわす。

【００５４】『画像流れ』白地に全面文字よりなるキヤ
ノン製テストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０５８）
を原稿台に置き、通常の露光量の２倍の露光量で光を照
射し、コピーをとる。こうして得られた画像を観察し、
画像上の細線が途切れずにつながっているかを、以下の
４段階で評価した。尚、画像上でむらのある場合は、全
画像域で最も悪い部位で評価した。 ◎は「良好」 ○は「一部途切れあり」 △は「途切れが多いが文字として判読でき、実用上問題
無し」 ×は「途切れが多く、文字として判読し難く、実用上問
題有り」『ゴースト』キヤノン製ゴーストテストチャート（部品
番号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１．１、φ５ｍｍ
の黒丸を貼り付けたものを原稿台の画像先端部に置き、
その上にキヤノン製中間調チャート（部品番号：ＦＹ９
−９０４２）を重ねて置いた際のコピー画像において、
中間コピー上に認められるゴーストチャートのφ５ｍｍ
の反射濃度と中間調部分の反射濃度の差を測定した。 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」『黒ポチ』キヤノン製中間調チャート（ＦＹ９−９０４
２）を原稿台に置きコピーしたときに得られたコピー画
像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以下の黒ポチにつ
いて、評価した。 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」

【００５５】

【表２】このようにして得られた結果を表２に示す。表２により
明らかなように、堆積膜形成用真空処理容器外壁に設け
られたゲート弁の真空処理容器とは反対側の空間を密閉
する蓋を設けて排気装置により減圧とした事で、残留電
位が低減し、画像流れ、ゴースト、黒ぽちといった画像
欠陥の良好な電子写真用感光体を得ることができるよう
になった。

【００５６】［実施例２］実施例１と同様の電子写真用
光受容部材の製造装置を用い、基体には、珪素原子の含
有量が１００ｐｐｍのアルミニウムよりなる直径１０８
ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を鏡面
加工を施したアルミニウムシリンダー上に、表３に示す
条件で基体上に、アモルファスシリコン堆積膜の形成を
行い、図６に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製
した。図６に於て、（６０１）、（６０２）、（６０
５）、（６０６）及び（６０４）は、それぞれアルミニ
ウム基体、電荷注入阻止層、光導電層１、光導電層２及
び表面層を示している。

【００５７】

【表３】作製した電子写真用感光体を実施例１と同様な手段で同
様の評価を行ったところ、実施例１と同様非常に良好な
結果であった。

【００５８】［実施例３］放電電力印加手段をＶＨＦ−
ＰＣＶＤ法にした事以外は実施例１と同様の装置で、直
径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダ
ー（支持体）上に表４に示す条件で電荷注入阻止層、光
導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。作製し
た電子写真用感光体を実施例１と同様な手段で同様の評
価を行ったところ、実施例１と同様非常に良好な結果で
あった。

【００５９】

【表４】

【００６０】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、真空処理容器の壁面に開閉可能なゲー卜弁を設け、
該ゲート弁の該真空処理容器と反対側に密閉された空間
を形成し、該空間内を減圧して堆積膜を形成するように
構成することで、堆積膜形成中に不純物の混入を抑制す
ることが可能となり、電気特性に優れた堆積膜、とりわ
け高品位の画像を与える電子写真感光体を安価に安定し
て製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明における基体処理装置全体の配
置図であり、（ｂ）は真空反応容器ゲート弁と真空搬送
容器１についての模式的説明図である。

【図２】本発明における基体処理装置一例を示す模式的
説明図である。

【図３】従来の基体処理装置全体の配置説明図である。

【図４】本発明における電子写真用感光体を形成するた
めの動作を示すフロー図であり、堆積膜形成工程のフロ
ー図である。

【図５】本発明における電子写真用感光体を形成するた
めの動作を示すフロー図であり、堆積膜形成後の取り出
し工程のフロー図である。

【図６】本発明における電子写真感光体の層構成の模式
的説明図である。

【符号の説明】

１１１０、３１１０：真空処理容器（投入用）１１１１、３１１１：真空処理容器（加熱用）１１１２、３１１２：真空処理容器（堆積膜形成用）１１１３、３１１３：真空処理容器（冷却用）１１１４〜１１１７、３１１４〜３１１７：真空容器排
気装置１１１８〜１１２１、３１１８〜３１２１：排気装置１１２２〜１１２５、３１２２〜３１２５：真空容器ゲ
ート弁１１２６〜１１２９、３１２６〜３１２９：排気バルブ１１３０〜１１３３、３１３０〜３１３３：真空容器排
気バルブ１１３４−ａ，ｂ、３１３４−ａ，ｂ：真空搬送容器１１３５−ａ，ｂ、３１３５−ａ，ｂ：真空搬送容器ゲ
ート弁１１３６：蓋１１３７、１１３８：真空搬送容器ゲート弁開閉機構部１１３９：上絶縁碍子１１４０：真空パッド２１００：堆積装置２１１１：反応処理容器２１１２：円筒状支持体２１１３−ａ，ｂ：支持体（基体）ホルダー２１１４：支持体（基体）加熱ヒーター２１１５：原料ガス導入管２１１６：マッチングボックス２１１７：ガス配管２１１８：リークバルブ２１１９：メインバルブ２１２０：真空計２１２１：真空処理容器下壁（ベースプレート）２１２２：絶縁碍子２１２３：上蓋２１２４：ガス分岐管２２００：原料ガス供給装置２２１１〜２２１６：マスフローコントローラー２２２１〜２２２６：原料ガスボンベ２２３１〜２２３６：原料ガスボンベバルブ２２４１〜２２４６：ガス流入バルブ２２５１〜２２５６：ガス流出バルブ２２６０：補助バルブ２２６１〜２２６６：圧力調整器６０１：基体（支持体）６０２：電荷注入阻止層６０３：光導電層６０４：表面層６０５：光導電層２（電荷発生層）６０６：光導電層１（電荷輸送層）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者松岡秀彰東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者高田和彦東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者櫃石光治東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2H068 DA23 EA24 EA30 4K030 GA12 HA01 KA11 LA17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の真空処理容器と該真空処理容器内に
設置された基体を処理する基体処理方法において、前記真空処理容器の壁面に設けられた開閉可能なゲー卜
弁の該真空処理容器と反対側に密閉された空間を形成
し、該空間内を減圧にすることを特徴とする基体処理方
法。
【請求項２】前記処理は、減圧気相成長法により基体の
表面に堆積膜を形成することである請求項１に記載の基
体処理方法。
【請求項３】前記密閉された空間は、前記ゲート弁の前
記真空処理容器と反対側の空間を蓋により密閉して形成
することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
基体処理方法。
【請求項４】前記真空搬送容器には、密閉された空間を
形成する蓋を脱着するための機構が設けられていること
を特徴とする請求項３に記載の基体処理方法。
【請求項５】前記蓋の脱着は、前記基体を前記真空処理
容器内に搬入または搬出する真空搬送容器とは別の真空
搬送容器側で行われることを特徴とする請求項４に記載
の基体処理方法。
【請求項６】前記真空処理容器への基体の設置は、真空
搬送容器と前記真空処理容器とをゲート弁を介して接続
して行うことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項
に記載の基体処理方法。
【請求項７】前記真空搬送容器は、少なくとも２個以上
を有することを特徴とする請求項６に記載の基体処理方
法。
【請求項８】複数の真空処理容器と、前記真空処理容器
の壁面に開閉可能なゲート弁を備え、前記真空処理容器
内に設置された基体を処理する基体処理装置において、
前記ゲート弁の該真空処理容器とは反対側の空間を密閉
しうる密閉部材を設け、前記基体の処理中は、真空排気
手段によって該空間内を減圧可能に構成したことを特徴
とする基体処理装置。
【請求項９】前記処理は、減圧気相成長法により基体の
表面に堆積膜を形成することである請求項８に記載の基
体処理装置。
【請求項１０】前記密閉部材は、前記ゲート弁の前記真
空処理容器とは反対側に密閉された空間を形成する蓋に
よって構成されていることを特徴とする請求項８または
請求項９に記載の基体処理装置。
【請求項１１】前記真空搬送容器には、前記密閉された
空間を形成する蓋を脱着するための機構が設けられてい
ることを特徴とする請求項１０に記載の基体処理装置。
【請求項１２】前記蓋の脱着は、前記基体を前記真空処
理容器内に搬入または搬出する真空搬送容器とは別の真
空搬送容器側で行われることを特徴とする請求項１１に
記載の基体処理方法。
【請求項１３】前記真空処理容器への基体の設置は、真
空搬送容器と前記真空処理容器とをゲート弁を介して接
続して行うことを特徴とする請求項８〜１２のいずれか
１項に記載の基体処理装置。
【請求項１４】前記真空搬送容器は、少なくとも２個以
上を有することを特徴とする請求項１３に記載の基体処
理装置。