JP2002124840A - Doherty amplifier - Google Patents

Doherty amplifier

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JP2002124840A
JP2002124840A JP2000314271A JP2000314271A JP2002124840A JP 2002124840 A JP2002124840 A JP 2002124840A JP 2000314271 A JP2000314271 A JP 2000314271A JP 2000314271 A JP2000314271 A JP 2000314271A JP 2002124840 A JP2002124840 A JP 2002124840A
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幸夫 池田
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
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    • H03F1/0288Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
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    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
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    • H03F1/3241Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
    • H03F1/3247Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits using feedback acting on predistortion circuits

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that, in a conventional Doherty amplifier, as the bias conditions of two amplifiers are different, the output power from each amplifier at the output terminal is not effectively put together, and therefore the output power and efficiency are reduced. SOLUTION: A Doherty amplifier comprises: a carrier amplifier 3 which is biased in A class, AB class or B class; a 1/4 wavelength line 5; a peak amplifier 4 which is biased in B class or C class; a variable attenuator 7 for changing the gain; and a variable phase shifter 8 for changing the through phase amount.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、高周波帯域にお
いて変調波信号を増幅するための高出力増幅器に係り、
特にバックオフが大きな動作状態においても効率の高い
高出力増幅器を実現するドハティ型増幅器に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high power amplifier for amplifying a modulated wave signal in a high frequency band.
In particular, the present invention relates to a Doherty-type amplifier that realizes a high-efficiency high-output amplifier even in an operation state with a large back-off.

【0002】[0002]

【従来の技術】VHF帯、UHF帯あるいはマイクロ波
帯等の高周波帯域においては、QPSK(Quadriphase P
hase Shift Keying)やQAM(Quadrature Amplitude Mo
dulation )等の各種の変調方式を用いて通信が実施され
ている。一般的に、これらの通信で使用される高周波信
号は変調波の周期に対応して振幅が時間的に変化する。
すなわち、高周波信号の包絡線が時間的に変化する。ま
た、移動体通信基地局などにおいて複数の信号を同時に
増幅する場合にも、複数の信号に係る重畳信号は時間的
に変化する。図13は高周波信号の波形の一例を示す図
である。図13に示される高周波信号については、その
平均電力と比較して、包絡線の振幅が瞬時的に最大にな
る状態における電力いわゆる瞬時的なピーク電力が大き
くなっている。この平均電力とピーク電力との比をピー
ク電力比あるいはクレストファクタと称する。近年の移
動体通信基地局などで使用される高周波信号について
は、このピーク電力比の値が11dB以上にも及ぶこと
がある。このようなピーク電力比の大きな高周波信号を
瞬時ピーク時にも飽和させずに増幅するためには、高出
力増幅器は実動作時の平均出力電力に比較して十分に大
きな飽和電力を有していなければならない。増幅器の飽
和電力が不十分であると、増幅器から出力される信号は
瞬時電力の大きな部分が切り取られた波形を有するよう
になり、その結果として隣接するチャンネルへ漏洩する
妨害波が大きくなること、送信される信号が劣化するこ
と、および伝送誤りが大きくなること等の弊害が生じ
る。すなわち、増幅器は実動作時の平均出力電力と飽和
電力との差として与えられるバックオフが十分に大きな
状態で動作させる必要がある。
2. Description of the Related Art In a high-frequency band such as a VHF band, a UHF band or a microwave band, a QPSK (Quadriphase P) is used.
hase Shift Keying) and QAM (Quadrature Amplitude Mo
Communication is performed using various modulation methods such as dulation). In general, the amplitude of a high-frequency signal used in these communications changes with time according to the cycle of a modulated wave.
That is, the envelope of the high-frequency signal changes with time. Also, when a plurality of signals are simultaneously amplified in a mobile communication base station or the like, superimposed signals related to the plurality of signals change with time. FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a waveform of a high-frequency signal. The so-called instantaneous peak power of the high-frequency signal shown in FIG. 13 in a state where the amplitude of the envelope is instantaneously maximized is larger than the average power. The ratio between the average power and the peak power is called a peak power ratio or a crest factor. For high-frequency signals used in mobile communication base stations in recent years, the value of the peak power ratio may reach 11 dB or more. In order to amplify such a high-frequency signal having a large peak power ratio without saturating even at the moment of an instantaneous peak, the high-output amplifier must have a sufficiently large saturation power compared to the average output power in actual operation. Must. If the saturation power of the amplifier is insufficient, the signal output from the amplifier will have a waveform in which a large portion of the instantaneous power is cut off, and as a result, the interference wave leaking to the adjacent channel will increase, There are adverse effects such as deterioration of the transmitted signal and an increase in transmission error. That is, the amplifier needs to be operated in a state where the back-off given as the difference between the average output power and the saturation power in actual operation is sufficiently large.

【0003】然るに、飽和電力が大きい状態と効率が良
い状態とを両立させることは困難である。一般的に、高
周波帯域の高出力増幅器では、要求される特性に応じて
増幅器の出力整合回路を調整して、FETなどの増幅素
子から見た出力側の負荷インピーダンスを最適化する。
例えば、効率を高くする負荷インピーダンス条件を選択
する場合もあれば、飽和電力を大きくする負荷インピー
ダンス条件を選択する場合などがある。しかし、例えば
“MMIC技術の基礎と応用(リアライズ社、高木,伊
藤著、特に155頁の図8.39(a)参照)”に記述さ
れているように、一般的には効率を高くする負荷インピ
ーダンス条件と飽和電力を大きくする負荷インピーダン
ス条件とは一致しない。しかも、出力電力に応じて最大
効率を実現する負荷インピーダンスは変化する。図14
はFET等の増幅素子についての出力側負荷インピーダ
ンスと飽和電力および効率との関係を示すスミスチャー
トである。飽和電力および効率が等しい領域は、それぞ
れスミスチャート上において等高線として示されてい
る。一般的に、飽和電力を高くする負荷インピーダンス
と効率を高くする負荷インピーダンスとは一致しない。
効率の高い負荷インピーダンス条件では、飽和電力が不
足して、結果的に変調波信号のピークが切り取られた波
形を有することになって良好な通信を実現することはで
きない。一方、飽和電力が大きくなる負荷インピーダン
ス条件では、変調波のピークが切り取られることは無く
なるが、増幅器としての効率は低下してしまう。
[0003] However, it is difficult to achieve both high saturation power and high efficiency. Generally, in a high-output amplifier in a high-frequency band, an output matching circuit of the amplifier is adjusted according to required characteristics to optimize a load impedance on an output side as viewed from an amplifying element such as an FET.
For example, there are cases where a load impedance condition for increasing the efficiency is selected, and cases where a load impedance condition for increasing the saturation power is selected. However, as described in, for example, “Basics and Applications of MMIC Technology (Realize, Takagi, Ito, especially see FIG. 8.39 (a)” on page 155), a load that increases efficiency is generally used. The impedance condition does not match the load impedance condition for increasing the saturation power. Moreover, the load impedance that achieves the maximum efficiency changes according to the output power. FIG.
6 is a Smith chart showing the relationship between output-side load impedance, saturation power, and efficiency of an amplifying element such as an FET. The regions where the saturation power and the efficiency are equal are shown as contour lines on the Smith chart. Generally, the load impedance for increasing the saturation power does not match the load impedance for increasing the efficiency.
Under the load impedance condition with high efficiency, the saturation power is insufficient, and as a result, the modulated wave signal has a waveform with the peak cut off, and good communication cannot be realized. On the other hand, under the load impedance condition where the saturation power becomes large, the peak of the modulated wave is not cut off, but the efficiency as the amplifier is reduced.

【0004】以上の理由から明らかなように、飽和電力
が大きく、かつ効率の良い増幅器を構成することは困難
であった。言い換えれば、平均出力電力に比較して飽和
電力が大きな状態すなわちバックオフが大きな状態で
は、一般的に増幅器の効率は大きく低下する。例えば単
純なB級増幅器では飽和動作時には理論的な最大効率は
78%であるが、バックオフ10dBでの動作時におけ
る最大理論効率は26%となる。このために、上記のよ
うなピーク電力比の大きな信号を低歪みで増幅する必要
のある基地局用高出力増幅器などの効率は低くなってい
た。
As is apparent from the above reasons, it has been difficult to construct an amplifier having high saturation power and high efficiency. In other words, in a state where the saturation power is large as compared with the average output power, that is, in a state where the back-off is large, generally, the efficiency of the amplifier is greatly reduced. For example, in a simple class-B amplifier, the theoretical maximum efficiency during saturation operation is 78%, but the maximum theoretical efficiency during operation with a back-off of 10 dB is 26%. For this reason, the efficiency of a high power amplifier for a base station, which needs to amplify a signal having a large peak power ratio as described above with low distortion, has been low.

【0005】上記のような増幅器の飽和電力および効率
に係る問題を解決するために、マイクロ波ドハティ型増
幅器(ドハティ型増幅器)が開発されている。図15は
例えば特開平7−22852号公報に示された従来のマ
イクロ波ドハティ型増幅器の構成を示す図である。図1
5において、101は入力端子、102は出力端子、1
03は1/4波長線路、104はA級、AB級またはB
級にバイアスされた増幅器として与えられるキャリア増
幅器、105はB級またはB級よりも電流を絞った状態
すなわちC級にバイアスされた増幅器として与えられる
ピーク増幅器、106は1/4波長線路、107は便宜
的にR/2としたインピーダンス(Rは任意の値を取り
得る)を有する出力負荷である。
[0005] In order to solve the problems relating to the saturation power and efficiency of the amplifier as described above, a microwave Doherty amplifier (Doherty amplifier) has been developed. FIG. 15 is a diagram showing a configuration of a conventional microwave Doherty amplifier disclosed in, for example, JP-A-7-22852. FIG.
5, 101 is an input terminal, 102 is an output terminal, 1
03 is a quarter wavelength line, 104 is A class, AB class or B
105 is a carrier amplifier provided as a class-biased amplifier, 105 is a class B or a peak amplifier provided as a class B biased current, that is, a class C-biased amplifier, 106 is a 1/4 wavelength line, and 107 is This is an output load having an impedance of R / 2 for convenience (R can take any value).

【0006】次に動作について説明する。入力端子10
1から入力された高周波信号を2つの経路に分配し、一
方の経路では高周波信号をキャリア増幅器104に入力
し、キャリア増幅器104からの出力信号を1/4波長
線路106に入力する。また、他方の経路では1/4波
長線路103を通過した後に高周波信号をピーク増幅器
105に入力する。そして、2つの経路に分配されそれ
ぞれ伝送された高周波信号を合成して、出力端子102
から出力し出力負荷107に供給する。
Next, the operation will be described. Input terminal 10
The high-frequency signal input from 1 is distributed to two paths. In one path, the high-frequency signal is input to the carrier amplifier 104, and the output signal from the carrier amplifier 104 is input to the 波長 wavelength line 106. In the other path, a high-frequency signal is input to the peak amplifier 105 after passing through the 波長 wavelength line 103. Then, the high frequency signals distributed to the two paths and transmitted respectively are combined, and the output terminal 102
And supplies it to the output load 107.

【0007】瞬時入力電力が小さい場合には、キャリア
増幅器104はA級、AB級またはB級にバイアスされ
ており、入力信号の電力レベルに関わらず増幅動作を実
施して出力信号を出力する。一方、ピーク増幅器105
はB級またはC級にバイアスされており、瞬時入力電力
が小さい場合には、オフ状態すなわち増幅動作を実施し
ないで出力信号も出力しない。また、ピーク増幅器10
5の直流消費電力も0あるいは十分に小さいので、マイ
クロ波ドハティ型増幅器全体としての効率も高い。
When the instantaneous input power is small, the carrier amplifier 104 is biased to class A, class AB, or class B, and performs an amplifying operation regardless of the power level of the input signal to output an output signal. On the other hand, the peak amplifier 105
Are biased to class B or class C, and when the instantaneous input power is small, the output signal is not output without the off state, that is, without performing the amplification operation. Also, the peak amplifier 10
Since the DC power consumption of No. 5 is also zero or sufficiently small, the efficiency of the entire microwave Doherty amplifier is high.

【0008】一方、瞬時入力電力が十分に大きい場合に
は、ピーク増幅器105がオン状態となって、ピーク増
幅器105への入力信号を増幅し出力信号を発生する。
この際、キャリア増幅器104の出力電力とピーク増幅
器105の出力電力とを合成することで、結果的により
大きな飽和電力を有する増幅器を構成することになる。
On the other hand, when the instantaneous input power is sufficiently large, the peak amplifier 105 is turned on and amplifies the input signal to the peak amplifier 105 to generate an output signal.
At this time, by combining the output power of the carrier amplifier 104 and the output power of the peak amplifier 105, an amplifier having a larger saturation power is configured as a result.

【0009】但し、マイクロ波ドハティ型増幅器は、単
純にA級、AB級またはB級にバイアスされた増幅器と
B級またはC級にバイアスされた増幅器とを組み合せた
のみの回路として与えられるものではない。キャリア増
幅器104の出力側に設けられた1/4波長線路106
の機能に基づいてキャリア増幅器104の見かけの負荷
インピーダンスを変化させることで、より一層の高効率
化を実現している。
However, the microwave Doherty amplifier is not simply provided as a circuit in which an amplifier biased to class A, class AB or class B and an amplifier biased to class B or class C are simply combined. Absent. 1/4 wavelength line 106 provided on the output side of carrier amplifier 104
By changing the apparent load impedance of the carrier amplifier 104 based on the above function, further higher efficiency is realized.

【0010】図16は入力信号の電力レベルが小さい場
合のマイクロ波ドハティ型増幅器の動作状態を示す図で
ある。ピーク増幅器105はオフ状態になっているため
に、その出力インピーダンスは理想的には無限大であ
る。キャリア増幅器104の出力側に設けられている1
/4波長線路106の特性インピーダンスZcはRであ
るために、出力負荷107がインピーダンス変換されて
キャリア増幅器104の出力端から見た負荷インピーダ
ンスは2Rとなる。負荷インピーダンスが2Rの場合に
は、キャリア増幅器104は飽和電力が小さいが効率が
良好になるように設計されている。したがって、このよ
うな動作状態においてはキャリア増幅器104は最大の
効率で動作する。
FIG. 16 is a diagram showing an operation state of the microwave Doherty amplifier when the power level of the input signal is small. Since the peak amplifier 105 is in the off state, its output impedance is ideally infinite. 1 provided on the output side of the carrier amplifier 104
Since the characteristic impedance Zc of the 波長 wavelength line 106 is R, the output load 107 is subjected to impedance conversion, and the load impedance seen from the output terminal of the carrier amplifier 104 becomes 2R. When the load impedance is 2R, the carrier amplifier 104 is designed so that the saturation power is small but the efficiency is good. Therefore, in such an operating state, the carrier amplifier 104 operates at the maximum efficiency.

【0011】また、入力信号の電力レベルが大きい場合
には、図15に示されるような動作状態が実現されて、
キャリア増幅器104とピーク増幅器105とが互いに
並列に接続されるとともに両方の増幅器が電力を出力す
るために、出力負荷107が接続された状態においてそ
れぞれの負荷が見る負荷インピーダンスは出力負荷10
7のインピーダンスの2倍のRとなる。キャリア増幅器
104の出力側に設けられた1/4波長線路106の特
性インピーダンスはRであるから、この線路によるイン
ピーダンス変換は行なわれずに、キャリア増幅器104
の出力端から見た負荷インピーダンスもRとなる。負荷
インピーダンスがRの場合には、キャリア増幅器104
およびピーク増幅器105ともに飽和電力が大きくなる
ように設計されており、マイクロ波ドハティ型増幅器全
体として大きな飽和電力を得ることができる。このよう
な動作状態においては、マイクロ波ドハティ型増幅器は
飽和電力に近い状態で動作するので効率も高い。
When the power level of the input signal is large, an operation state as shown in FIG.
Since the carrier amplifier 104 and the peak amplifier 105 are connected in parallel with each other and both amplifiers output power, the load impedance seen by each load when the output load 107 is connected is equal to the output load 10.
R becomes twice the impedance of 7. Since the characteristic impedance of the 波長 wavelength line 106 provided on the output side of the carrier amplifier 104 is R, the impedance conversion by this line is not performed, and the carrier amplifier 104
The load impedance viewed from the output terminal of the first circuit also becomes R. When the load impedance is R, the carrier amplifier 104
Both the peak amplifier 105 and the peak amplifier 105 are designed to have a large saturation power, so that a large saturation power can be obtained as a whole of the microwave Doherty amplifier. In such an operation state, the microwave Doherty amplifier operates in a state close to the saturation power, so that the efficiency is high.

【0012】上記のようにマイクロ波ドハティ型増幅器
は、入力信号の電力が大きい場合にピーク増幅器105
が動作することでキャリア増幅器104とピーク増幅器
105との2つの出力電力が合成されて飽和電力が大き
くなるという効果、並びに入力信号の電力が小さい場合
と大きい場合とでキャリア増幅器104の見かけの負荷
インピーダンスが変化して高効率に動作可能であるとい
う効果を奏することで、バックオフが大きな状態におい
ても高効率な動作を実現することができる。なお、上記
の回路構成においては、キャリア増幅器104の見かけ
の負荷インピーダンスを変化させるために1/4波長線
路106が設けられているが、1/4波長線路106に
代えて1/4+n/2波長線路(nは任意の自然数)を
配置することでも同様の作用効果を得ることができる。
また、ピーク増幅器105の入力側に1/4波長線路1
03を配置するのに代えて、90度の位相差で高周波信
号を分配する90度分配器を用いることも可能である。
As described above, the microwave Doherty amplifier has a peak amplifier 105 when the power of the input signal is large.
Operates, the two output powers of the carrier amplifier 104 and the peak amplifier 105 are combined to increase the saturation power, and the apparent load of the carrier amplifier 104 depends on whether the input signal power is small or large. With the effect that the impedance can be changed and the operation can be performed with high efficiency, a highly efficient operation can be realized even in a state where the back-off is large. In the circuit configuration described above, the quarter wavelength line 106 is provided to change the apparent load impedance of the carrier amplifier 104, but the quarter wavelength line 106 is replaced with the quarter wavelength line 106. A similar effect can be obtained by arranging a line (n is an arbitrary natural number).
A 1/4 wavelength line 1 is connected to the input side of the peak amplifier 105.
Instead of disposing 03, a 90-degree distributor that distributes a high-frequency signal with a 90-degree phase difference can be used.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】従来のドハティ型増幅
器は以上のように構成されているので、入力信号の電力
が大きい状態でキャリア増幅器とピーク増幅器とが同時
に動作している場合でも、キャリア増幅器とピーク増幅
器とのバイアス条件が互いに異なるために、一般的には
2つの増幅器の通過位相量が必ずしも等しくはならな
い。また、2つの増幅器の利得についても、一般的に等
しくはならない。したがって、2つの増幅器の通過位相
量が等しくない場合には、出力端における各増幅器から
の出力電力の合成が有効に行なわれないために、出力電
力ならびに効率が低下するという課題があった。
Since the conventional Doherty-type amplifier is configured as described above, even if the carrier amplifier and the peak amplifier operate simultaneously at a time when the power of the input signal is large, the carrier amplifier is not used. In general, since the bias conditions of the amplifier and the peak amplifier are different from each other, the passing phase amounts of the two amplifiers are not necessarily equal. Also, the gains of the two amplifiers are generally not equal. Therefore, when the passing phase amounts of the two amplifiers are not equal, the output power and efficiency are reduced because the output powers from the amplifiers at the output end are not effectively combined.

【0014】また、図17はドハティ型増幅器に係る入
力電力と出力電力との関係(AM−AM特性)を示す図
である。キャリア増幅器とピーク増幅器とを組み合せて
全体的に良好な効率、利得および歪み特性を実現するた
めには、図17に示されるピーク増幅器がオン状態とな
る電力レベルPon、およびピーク増幅器がオン状態と
なってからの入力電力の変化に対する出力電力の変化す
なわちAM−AM特性を最適化する必要がある。然る
に、ピーク増幅器についてオン状態となる電力レベルP
on、あるいはAM−AM特性が所望の値からずれる
と、キャリア増幅器と組み合せることで構成されるドハ
ティ型増幅器全体の効率が低下したり、全体的な線形性
が悪化するという課題があった。
FIG. 17 is a diagram showing the relationship between input power and output power (AM-AM characteristics) of the Doherty amplifier. In order to achieve good overall efficiency, gain and distortion characteristics by combining the carrier amplifier and the peak amplifier, the power level Pon at which the peak amplifier is turned on as shown in FIG. It is necessary to optimize the change in output power with respect to the change in input power after that, that is, the AM-AM characteristic. However, the power level P which is turned on for the peak amplifier
If the on-state or the AM-AM characteristic deviates from a desired value, there is a problem that the efficiency of the entire Doherty amplifier configured by combining with the carrier amplifier is reduced or the overall linearity is deteriorated.

【0015】また、主にC級増幅器として与えられるピ
ーク増幅器は入力電力と出力電力との関係(AM−AM
特性)に大きな非線形性を有しているのみではなく、入
力電力と通過位相量との関係(AM−PM特性)も変化
する。このために、入力電力の増加に伴ってピーク増幅
器の通過位相量が変化して、出力端におけるキャリア増
幅器からの出力電力とピーク増幅器からの出力電力との
合成が有効に行なわれないために、出力電力ならびに効
率が低下するという課題があった。
A peak amplifier mainly provided as a class C amplifier has a relationship between input power and output power (AM-AM
Not only has a large non-linearity in the characteristic, but also the relationship between the input power and the passing phase amount (AM-PM characteristic) changes. For this reason, the passing phase amount of the peak amplifier changes with an increase in the input power, and the output power from the carrier amplifier and the output power from the peak amplifier at the output end are not effectively combined. There has been a problem that output power and efficiency are reduced.

【0016】また、一般的に周囲温度の変化に応じて増
幅器の特性は変化する。ドハティ型増幅器ではバイアス
条件が大きく異なる2種類の増幅器を用いているため
に、同じバイアス条件の並列増幅器などと比較すると、
温度変化による2つの増幅器間の特性差が現れ易くなっ
ている。したがって、温度変化によりキャリア増幅器と
ピーク増幅器との間で通過位相量に差が生じて出力電力
の合成が有効に行なわれないために、出力電力ならびに
効率が低下するという課題があった。
In general, the characteristics of an amplifier change according to changes in the ambient temperature. Doherty amplifiers use two types of amplifiers with greatly different bias conditions.
A characteristic difference between the two amplifiers due to a temperature change is likely to appear. Therefore, there is a problem in that output power and efficiency are reduced because the output power is not effectively combined because a difference occurs in the amount of passing phase between the carrier amplifier and the peak amplifier due to a temperature change.

【0017】さらに、ドハティ型増幅器では、通常の並
列増幅器とは異なって、バイアス条件の異なる2つの増
幅器が用いられるために、2つの増幅器のバランスが悪
くなる。図18はドハティ型増幅器において形成される
ループを示す図である。ドハティ型増幅器は、上記のよ
うに2つの増幅器のバランスが悪いとともに1/4波長
線路を用いて回路の経路が長くなることに起因して、キ
ャリア増幅器104が配置された経路とピーク増幅器1
05が配置された経路とを一巡するようなループにおい
て不要なループ発振等の現象が生じ易くなるという課題
があった。なお、通常の並列増幅器では2つの増幅器が
同じ状態で動作しているのでバランスがよく、ループ発
振の問題はマイクロ波ドハティ型増幅器ほど深刻なもの
とはならない。
Furthermore, in a Doherty amplifier, unlike an ordinary parallel amplifier, two amplifiers having different bias conditions are used, so that the balance between the two amplifiers deteriorates. FIG. 18 is a diagram showing a loop formed in the Doherty amplifier. As described above, the Doherty amplifier has a poor balance between the two amplifiers and a long circuit path using the quarter wavelength line, so that the path in which the carrier amplifier 104 is arranged and the peak amplifier 1
There is a problem in that a phenomenon such as unnecessary loop oscillation is likely to occur in a loop that goes around the route where the 05 is arranged. In a normal parallel amplifier, since two amplifiers operate in the same state, the balance is good, and the problem of loop oscillation is not as serious as that of a microwave Doherty amplifier.

【0018】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、出力電力および効率の低下を防止
するために、キャリア増幅器またはピーク増幅器の通過
位相量を変更可能なドハティ型増幅器を得ることを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and in order to prevent a decrease in output power and efficiency, a Doherty-type amplifier capable of changing a passing phase amount of a carrier amplifier or a peak amplifier is provided. The purpose is to gain.

【0019】また、この発明は、出力電力および効率の
低下を防止するために、温度変化に起因するキャリア増
幅器とピーク増幅器との間の通過位相量の差を補償する
ことができるドハティ型増幅器を得ることを目的とす
る。
Further, the present invention provides a Doherty-type amplifier capable of compensating for a difference in the amount of passing phase between a carrier amplifier and a peak amplifier due to a temperature change in order to prevent a decrease in output power and efficiency. The purpose is to gain.

【0020】さらに、この発明は、出力電力および効率
の低下を防止するために、ピーク増幅器のAM−AM特
性およびAM−PM特性を変更可能なドハティ型増幅器
を得ることを目的とする。
A further object of the present invention is to provide a Doherty amplifier capable of changing the AM-AM characteristics and the AM-PM characteristics of a peak amplifier in order to prevent a decrease in output power and efficiency.

【0021】さらに、この発明はループ発振を防止する
ことができるドハティ型増幅器を得ることを目的とす
る。
A further object of the present invention is to provide a Doherty amplifier capable of preventing loop oscillation.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】この発明に係るドハティ
型増幅器は、入力端子と、入力端子から延びる第1の経
路に配置されてA級、AB級またはB級にバイアスされ
る第1の増幅器と、第1の経路において第1の増幅器の
出力側に配置される1/4+n/2波長線路(nは0ま
たは任意の自然数)と、入力端子から延びる第2の経路
に配置されてB級またはC級にバイアスされる第2の増
幅器と、第1の増幅器および第2の増幅器の出力側にお
いて第1の経路と第2の経路とが結合する部位に配置さ
れる出力端子と、第1の経路を伝送される高周波信号ま
たは第2の経路を伝送される高周波信号について通過位
相量および利得のいずれか一方または両方を補正する補
正手段とを備えるようにしたものである。
A Doherty amplifier according to the present invention is arranged in an input terminal and a first path extending from the input terminal and biased to class A, class AB or class B. A 1/4 + n / 2 wavelength line (n is 0 or an arbitrary natural number) disposed on the output side of the first amplifier in the first path, and a class B disposed on the second path extending from the input terminal. Or a second amplifier biased to class C, an output terminal arranged at a portion where the first path and the second path are coupled on the output side of the first amplifier and the second amplifier, Correction means for correcting one or both of the amount of passing phase and the gain of the high-frequency signal transmitted through the second path or the high-frequency signal transmitted through the second path.

【0023】この発明に係るドハティ型増幅器は、補正
手段として、第1の増幅器または第2の増幅器の入力側
に配置される可変減衰器および可変移相器を備えるよう
にしたものである。
The Doherty-type amplifier according to the present invention is provided with a variable attenuator and a variable phase shifter arranged on the input side of the first amplifier or the second amplifier as correction means.

【0024】この発明に係るドハティ型増幅器は、温度
センサと、可変減衰器および可変移相器の制御に係る設
定値を温度の関数として記憶した記憶手段と、温度セン
サにより測定された温度に基づいて記憶手段から可変減
衰器および可変移相器の制御に係る設定値を読み出して
可変減衰器および可変移相器を制御する制御手段とを備
えるようにしたものである。
The Doherty amplifier according to the present invention is based on a temperature sensor, storage means for storing a set value related to control of a variable attenuator and a variable phase shifter as a function of temperature, and a temperature measured by the temperature sensor. And control means for reading the set values related to the control of the variable attenuator and the variable phase shifter from the storage means and controlling the variable attenuator and the variable phase shifter.

【0025】この発明に係るドハティ型増幅器は、補正
手段として、第1の増幅器または第2の増幅器の入力側
または出力側に配置される遅延回路を備えるようにした
ものである。
The Doherty-type amplifier according to the present invention includes a delay circuit disposed on the input side or the output side of the first amplifier or the second amplifier as the correction means.

【0026】この発明に係るドハティ型増幅器は、補正
手段として、第1の増幅器または第2の増幅器の入力側
または出力側に配置される周波数イコライザを備えるよ
うにしたものである。
The Doherty amplifier according to the present invention is provided with a frequency equalizer arranged on the input side or the output side of the first amplifier or the second amplifier as the correction means.

【0027】この発明に係るドハティ型増幅器は、補正
手段として、第2の増幅器の入力電力と出力電力との関
係であるAM−AM特性並びに第2の増幅器の入力電力
と通過位相量との関係であるAM−PM特性を調整する
AM−AM/PM調整器を備えるようにしたものであ
る。
In the Doherty amplifier according to the present invention, the AM-AM characteristic, which is the relationship between the input power and the output power of the second amplifier, and the relationship between the input power and the amount of passing phase of the second amplifier, as correction means. An AM-AM / PM adjuster for adjusting the AM-PM characteristic is provided.

【0028】この発明に係るドハティ型増幅器は、入力
端子と、入力端子から延びる第1の経路に配置されてA
級、AB級またはB級にバイアスされる第1の増幅器
と、第1の経路において第1の増幅器の出力側に配置さ
れる1/4+n/2波長線路(nは0または任意の自然
数)と、入力端子から延びる第2の経路に配置されてB
級またはC級にバイアスされる第2の増幅器と、第1の
経路において第1の増幅器の入力側に配置され、入力端
子から入力されたベースバンド信号を高周波信号に変換
する第1の信号変換手段と、第2の経路において第2の
増幅器の入力側に配置され、入力端子から入力されたベ
ースバンド信号を高周波信号に変換する第2の信号変換
手段と、第1の増幅器および第2の増幅器の出力側にお
いて第1の経路と第2の経路とが結合する部位に配置さ
れる出力端子と、第1の経路を伝送されるベースバンド
信号または第2の経路を伝送されるベースバンド信号に
ついて通過位相量および利得のいずれか一方または両方
を補正する補正手段とを備えるようにしたものである。
A Doherty-type amplifier according to the present invention is arranged in an input terminal and a first path extending from the input terminal.
A first amplifier biased to class, class AB or class B, a 1/4 + n / 2 wavelength line (n is 0 or any natural number) disposed at an output side of the first amplifier in a first path; , Disposed on a second path extending from the input terminal,
A second amplifier biased to a class or a class C, and a first signal converter disposed on an input side of the first amplifier in a first path and converting a baseband signal input from an input terminal to a high-frequency signal Means, a second signal conversion means disposed on the input side of the second amplifier in the second path, for converting a baseband signal input from the input terminal into a high-frequency signal, and a first amplifier and a second signal conversion means. An output terminal arranged at a portion where the first path and the second path are coupled on the output side of the amplifier; and a baseband signal transmitted through the first path or a baseband signal transmitted through the second path And correction means for correcting one or both of the passing phase amount and the gain.

【0029】この発明に係るドハティ型増幅器は、第1
の信号変換手段および第2の信号変換手段が、デジタル
信号として与えられるベースバンド信号をアナログ高周
波信号に変換するようにしたものである。
The Doherty amplifier according to the present invention has a first
And a second signal converting means for converting a baseband signal provided as a digital signal into an analog high-frequency signal.

【0030】この発明に係るドハティ型増幅器は、補正
手段として、第1の経路または第2の経路を伝送される
ベースバンド信号の電力レベルを検出するレベル検出手
段と、レベル検出手段により検出された電力レベルに応
じた制御データが記憶された記憶手段と、検出された電
力レベルに応じてベースバンド信号の振幅および位相の
いずれか一方または両方の制御を実施する制御手段と、
制御手段からの制御信号に応じてベースバンド信号の振
幅および位相のいずれか一方または両方を変換する変換
手段とを備えるようにしたものである。
In the Doherty amplifier according to the present invention, as the correction means, the level detection means detects the power level of the baseband signal transmitted through the first path or the second path, and the level detection means detects the power level. A storage unit in which control data corresponding to the power level is stored, and a control unit that performs control of one or both of the amplitude and the phase of the baseband signal according to the detected power level,
Conversion means for converting one or both of the amplitude and the phase of the baseband signal in accordance with a control signal from the control means.

【0031】この発明に係るドハティ型増幅器は、補正
手段として、第1の経路または第2の経路を伝送される
高周波信号の一部を取り出す分配手段と、取り出された
高周波信号をデジタル信号としてのベースバンド信号に
変換する信号逆変換手段と、第1の経路または第2の経
路を伝送されるベースバンド信号の電力レベルを検出す
るレベル検出手段と、レベル検出手段により検出された
電力レベルに応じた制御データ並びに第1の増幅器また
は第2の増幅器の特性に係るデータが記憶された記憶手
段と、レベル検出手段により検出された電力レベルおよ
び信号逆変換手段からフィードバックされるベースバン
ド信号に基づいて第1の経路または第2の経路を伝送さ
れるベースバンド信号の振幅および位相のいずれか一方
または両方を制御する制御手段と、制御手段からの制御
信号に応じてベースバンド信号の振幅および位相のいず
れか一方または両方を変換する変換手段とを備えるよう
にしたものである。
In the Doherty amplifier according to the present invention, as correction means, distribution means for extracting a part of the high-frequency signal transmitted through the first path or the second path, and conversion of the extracted high-frequency signal as a digital signal Signal inverting means for converting to a baseband signal, level detecting means for detecting the power level of the baseband signal transmitted through the first path or the second path, Based on the control data and the data relating to the characteristics of the first amplifier or the second amplifier, and the power level detected by the level detecting means and the baseband signal fed back from the signal inverting means. Controlling one or both of the amplitude and the phase of the baseband signal transmitted through the first path or the second path And control means that is obtained by so and a converting means for converting either or both of the baseband signal amplitude and phase according to a control signal from the control means.

【0032】この発明に係るドハティ型増幅器は、制御
手段が、信号逆変換手段からフィードバックされるベー
スバンド信号と、記憶手段に記憶された第1の増幅器ま
たは第2の増幅器の特性に係るデータとを対照して、記
憶手段に記憶された制御データを書き換えるようにした
ものである。
In the Doherty-type amplifier according to the present invention, the control means may include a baseband signal fed back from the signal inversion means, and data relating to characteristics of the first amplifier or the second amplifier stored in the storage means. In contrast to this, the control data stored in the storage means is rewritten.

【0033】この発明に係るドハティ型増幅器は、入力
端子と、入力端子から延びる第1の経路に配置されてA
級、AB級またはB級にバイアスされる第1の増幅器
と、第1の経路において第1の増幅器の出力側に配置さ
れる1/4+n/2波長線路(nは0または任意の自然
数)と、入力端子から延びる第2の経路に配置されてB
級またはC級にバイアスされる第2の増幅器と、第1の
増幅器および第2の増幅器の出力側において第1の経路
と第2の経路とが結合する部位に配置される出力端子
と、第1の増幅器の入力側に配置される第1のアイソレ
ータと、第2の増幅器の入力側に配置される第2のアイ
ソレータとを備えるようにしたものである。
A Doherty amplifier according to the present invention is arranged on an input terminal and a first path extending from the input terminal and having an A terminal.
A first amplifier biased to class, class AB or class B, a 1/4 + n / 2 wavelength line (n is 0 or any natural number) disposed at an output side of the first amplifier in a first path; , Disposed on a second path extending from the input terminal,
A second amplifier biased to class C or class C, an output terminal arranged at a portion where the first path and the second path are coupled at the output side of the first amplifier and the second amplifier, A first isolator disposed on the input side of one amplifier and a second isolator disposed on the input side of the second amplifier are provided.

【0034】[0034]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1によるマ
イクロ波ドハティ型増幅器(ドハティ型増幅器)の構成
を示す図である。図1において、1は入力端子、2は出
力端子、3は入力端子1から延びる第1の経路に配置さ
れてA級、AB級またはB級にバイアスされ瞬時電力の
大小に関わらず常に動作して入力信号を増幅する増幅器
として与えられるキャリア増幅器(第1の増幅器)、4
は入力端子1から延びる第2の経路に配置されてB級ま
たはC級にバイアスされ瞬時電力が小さい場合には動作
せず瞬時電力が大きい場合にのみ動作して入力信号を増
幅する増幅器として与えられるピーク増幅器(第2の増
幅器)、5はキャリア増幅器3の出力側に配置される1
/4波長線路、6はピーク増幅器4の入力側に配置され
る1/4波長線路、7はピーク増幅器4の入力側に配置
される可変減衰器、8はピーク増幅器4の入力側に配置
される可変移相器である。なお、可変減衰器7と可変移
相器8とから、第2の経路を伝送される高周波信号の通
過位相量および利得を補正する補正手段が構成される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below. Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a microwave Doherty amplifier (Doherty amplifier) according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, 1 is an input terminal, 2 is an output terminal, and 3 is disposed on a first path extending from the input terminal 1 and is biased to class A, class AB, or class B and always operates regardless of the magnitude of instantaneous power. Carrier amplifier (first amplifier) provided as an amplifier for amplifying an input signal by
Are provided in a second path extending from the input terminal 1 and are biased to class B or class C, do not operate when the instantaneous power is small, and operate only when the instantaneous power is large to amplify the input signal. The peak amplifier (second amplifier) 5 is disposed on the output side of the carrier amplifier 3.
波長 wavelength line, 6 is a 波長 wavelength line arranged on the input side of the peak amplifier 4, 7 is a variable attenuator arranged on the input side of the peak amplifier 4, 8 is arranged on the input side of the peak amplifier 4 Variable phase shifter. Note that the variable attenuator 7 and the variable phase shifter 8 constitute a correction unit that corrects a passing phase amount and a gain of a high-frequency signal transmitted through the second path.

【0035】次に動作について説明する。キャリア増幅
器3、ピーク増幅器4、1/4波長線路5および1/4
波長線路6に係る動作については、従来の技術において
説明した図15に示されるマイクロ波ドハティ型増幅器
におけるキャリア増幅器104、ピーク増幅器105、
1/4波長線路106および1/4波長線路103に係
る動作と同様であるので、その説明を省略する。なお、
従来のマイクロ波ドハティ型増幅器と同様に、キャリア
増幅器3の見かけの負荷インピーダンスを変化させるた
めに1/4波長線路5が設けられているが、1/4波長
線路5に代えて1/4+n/2波長線路(nは0または
任意の自然数)を配置することでも同様の作用効果を得
ることができる。
Next, the operation will be described. Carrier amplifier 3, peak amplifier 4, 1/4 wavelength line 5 and 1/4
Regarding the operation related to the wavelength line 6, the carrier amplifier 104, the peak amplifier 105, and the carrier amplifier 104 in the microwave Doherty amplifier illustrated in FIG.
The operation is the same as that of the 1/4 wavelength line 106 and the 1/4 wavelength line 103, and thus the description is omitted. In addition,
Similar to the conventional microwave Doherty amplifier, a quarter wavelength line 5 is provided to change the apparent load impedance of the carrier amplifier 3, but instead of the quarter wavelength line 5, 1/4 + n / A similar effect can be obtained by arranging a two-wavelength line (n is 0 or an arbitrary natural number).

【0036】また、既に述べたように、キャリア増幅器
3とピーク増幅器4とは、バイアス条件が大きく異なる
ために、利得や通過位相量が異なる。したがって、この
実施の形態1によるマイクロ波ドハティ型増幅器では、
可変減衰器7および可変移相器8を調整して、キャリア
増幅器3とピーク増幅器4との利得の差および通過位相
量の差を補償する。これにより、出力端におけるキャリ
ア増幅器3の出力電力とピーク増幅器4の出力電力との
合成を良好に実施することが可能となる。
Further, as described above, the gain and the passing phase amount are different between the carrier amplifier 3 and the peak amplifier 4 because the bias condition is largely different. Therefore, in the microwave Doherty amplifier according to the first embodiment,
The variable attenuator 7 and the variable phase shifter 8 are adjusted to compensate for the difference in gain between the carrier amplifier 3 and the peak amplifier 4 and the difference in the amount of passing phase. Thereby, it is possible to satisfactorily combine the output power of the carrier amplifier 3 and the output power of the peak amplifier 4 at the output end.

【0037】以上のように、この実施の形態1によれ
ば、ピーク増幅器4の入力側に配置される可変減衰器7
およびピーク増幅器4の入力側に配置される可変移相器
8を備えるように構成したので、キャリア増幅器3とピ
ーク増幅器4との利得の差および通過位相量の差を補償
して、出力端におけるキャリア増幅器3の出力電力とピ
ーク増幅器4の出力電力との合成を良好に実施すること
ができるので、マイクロ波ドハティ型増幅器全体として
の出力電力や効率を向上することができるという効果を
奏する。
As described above, according to the first embodiment, the variable attenuator 7 arranged on the input side of the peak amplifier 4
And the variable phase shifter 8 arranged on the input side of the peak amplifier 4, so that the difference in gain and the difference in passing phase between the carrier amplifier 3 and the peak amplifier 4 are compensated for, and Since the output power of the carrier amplifier 3 and the output power of the peak amplifier 4 can be satisfactorily combined, the output power and efficiency of the entire microwave Doherty amplifier can be improved.

【0038】なお、可変減衰器7および可変移相器8を
キャリア増幅器3の入力側に設ける構成としてもよく、
ピーク増幅器4の入力側に設けた場合と同様の効果を奏
する。また、図2はこの発明の実施の形態1によるマイ
クロ波ドハティ型増幅器の変形例の構成を示す図であ
る。図2において、図1と同一符号は同一または相当部
分を示すのでその説明を省略する。9は図1に示される
1/4波長線路6に代えて、第1の経路に入力された高
周波信号の位相に対して第2の経路に入力された高周波
信号の位相をπ/4遅らせるように高周波信号を2つの
経路に分配する90度分配器である。このような構成を
用いることによっても、図1に示されたマイクロ波ドハ
ティ型増幅器と同様に動作して同様の効果を奏する。
The variable attenuator 7 and the variable phase shifter 8 may be provided on the input side of the carrier amplifier 3.
The same effect as when provided on the input side of the peak amplifier 4 is achieved. FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a modification of the microwave Doherty amplifier according to the first embodiment of the present invention. 2, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same or corresponding parts, and a description thereof will not be repeated. Numeral 9 replaces the quarter-wavelength line 6 shown in FIG. 1 by delaying the phase of the high-frequency signal input to the second path by π / 4 with respect to the phase of the high-frequency signal input to the first path. Is a 90-degree distributor that distributes a high-frequency signal to two paths. By using such a configuration, the same operation and the same effect as the microwave Doherty amplifier shown in FIG. 1 can be achieved.

【0039】実施の形態2.図3はこの発明の実施の形
態2によるマイクロ波ドハティ型増幅器(ドハティ型増
幅器)の構成を示す図である。図3において、図2と同
一符号は同一または相当部分を示すのでその説明を省略
する。10は温度センサ、11は可変減衰器7および可
変移相器8の制御に係る設定値を温度の関数として記憶
したROM(記憶手段)、12は温度センサ10により
測定された温度に基づいてROM11から可変減衰器7
および可変移相器8の制御に係る設定値を読み出して可
変減衰器7および可変移相器8を適宜制御する制御回路
(制御手段)である。
Embodiment 2 FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a microwave Doherty amplifier (Doherty amplifier) according to Embodiment 2 of the present invention. 3, the same reference numerals as those in FIG. 2 denote the same or corresponding parts, and a description thereof will not be repeated. Reference numeral 10 denotes a temperature sensor, 11 denotes a ROM (storage means) storing a set value related to control of the variable attenuator 7 and the variable phase shifter 8 as a function of temperature, and 12 denotes a ROM 11 based on the temperature measured by the temperature sensor 10. Variable attenuator 7
And a control circuit (control means) for reading a set value related to control of the variable phase shifter 8 and appropriately controlling the variable attenuator 7 and the variable phase shifter 8.

【0040】次に動作について説明する。温度センサ1
0により周囲温度を検出して、当該検出された温度に対
応する可変減衰器7および可変移相器8の制御に係る設
定値をROM11から読み出す。制御回路12は、RO
M11から読み出された設定値に応じて可変減衰器7お
よび可変移相器8を適宜制御する。なお、ROM11に
は、各温度においてキャリア増幅器3およびピーク増幅
器4に係る利得の差および通過位相量の差を補償するよ
うに設定された可変減衰器7および可変移相器8に係る
制御データが記憶されている。
Next, the operation will be described. Temperature sensor 1
The ambient temperature is detected based on 0, and the set value related to the control of the variable attenuator 7 and the variable phase shifter 8 corresponding to the detected temperature is read from the ROM 11. The control circuit 12
The variable attenuator 7 and the variable phase shifter 8 are appropriately controlled according to the set value read from M11. The ROM 11 stores control data related to the variable attenuator 7 and the variable phase shifter 8 that are set to compensate for the difference in gain and the difference in the amount of passing phase between the carrier amplifier 3 and the peak amplifier 4 at each temperature. It is remembered.

【0041】既に述べたように、キャリア増幅器3とピ
ーク増幅器4とはバイアス条件が大きく異なるために、
温度に対する特性変化の形態も異なる。例えば“トラン
ジスタ技術SPECIAL No.1 特集 個別半導
体素子活用法のすべて”の130〜131頁に記載また
は131頁の図6に示されているように、FETのゲー
ト電圧の違い(バイアス条件が違うことに相当する)に
よって、相互コンダクタンスgm(一般に、gmは増幅
器の利得に比例する)の温度特性が大きく異なることが
示されている。ゲート電圧VGSがマイナス側に深い場
合、すなわちB級あるいはC級に近い条件では、温度が
上昇すると相互コンダクタンスgmが大きくなり増幅器
の利得も上昇する。一方、ゲート電圧がマイナス側に浅
い場合、すなわちAB級に近い条件では、温度が上昇す
ると相互コンダクタンスgmが小さくなり増幅器の利得
は小さくなる。以上の例のように、バイアス条件の大き
く異なる2つの増幅器を用いるドハティ型増幅器では、
2つの増幅器間で温度変化に伴って利得や通過位相量等
に差が発生し出力端での出力合成が良好に行なわれな
い。したがって、この実施の形態2によるマイクロ波ド
ハティ型増幅器では、周囲温度に応じて可変減衰器7お
よび可変移相器8を適宜制御して、キャリア増幅器3と
ピーク増幅器4との利得の差および通過位相量の差を補
償する。これにより、出力端におけるキャリア増幅器3
の出力電力とピーク増幅器4の出力電力との合成を良好
に実施することが可能となる。
As described above, since the bias conditions of the carrier amplifier 3 and the peak amplifier 4 are greatly different,
The form of characteristic change with temperature is also different. For example, as described in “Transistor Technology SPECIAL No. 1 Special Feature: All about Individual Semiconductor Device Utilization” on pages 130-131 or shown in FIG. ) Indicates that the temperature characteristics of the transconductance gm (generally, gm is proportional to the gain of the amplifier) are greatly different. When the gate voltage VGS is deep on the negative side, that is, under conditions close to class B or class C, when the temperature rises, the transconductance gm increases and the gain of the amplifier also increases. On the other hand, when the gate voltage is shallow on the minus side, that is, under conditions close to class AB, when the temperature rises, the transconductance gm decreases, and the gain of the amplifier decreases. As in the above example, in a Doherty amplifier using two amplifiers having greatly different bias conditions,
Differences in gain, passing phase amount, and the like occur between the two amplifiers due to temperature changes, and output combining at the output terminal is not performed well. Therefore, in the microwave Doherty amplifier according to the second embodiment, the variable attenuator 7 and the variable phase shifter 8 are appropriately controlled in accordance with the ambient temperature to obtain the difference between the gain of the carrier amplifier 3 and the peak amplifier 4 and the passing of the gain. Compensate for phase difference. Thereby, the carrier amplifier 3 at the output terminal
And the output power of the peak amplifier 4 can be favorably combined.

【0042】以上のように、この実施の形態2によれ
ば、温度センサ10と、可変減衰器7および可変移相器
8の制御に係る設定値を温度の関数として記憶したRO
M11と、温度センサ10により測定された温度に基づ
いてROM11から可変減衰器7および可変移相器8の
制御に係る設定値を読み出して可変減衰器7および可変
移相器8を制御する制御回路12とを備えるように構成
したので、周囲温度に応じて可変減衰器7および可変移
相器8を適宜制御してキャリア増幅器3とピーク増幅器
4との利得の差および通過位相量の差を補償して、出力
端におけるキャリア増幅器3の出力電力とピーク増幅器
4の出力電力との合成を良好に実施することができるの
で、マイクロ波ドハティ型増幅器全体として周囲温度に
関わらず高い出力電力や効率を維持することができると
いう効果を奏する。なお、ROMに記憶するデータにつ
いては、例えばあらかじめ上記資料の131頁に示され
た図6のような温度に対する増幅器の特性データを取得
し、温度変化に対する利得、位相量の差を打ち消すよう
に可変減衰器7、可変移相器8に対する設定値を記憶す
れば良い。
As described above, according to the second embodiment, the RO storing the set values related to the control of the temperature sensor 10 and the variable attenuator 7 and the variable phase shifter 8 as a function of the temperature is used.
A control circuit for reading the set values related to the control of the variable attenuator 7 and the variable phase shifter 8 from the ROM 11 based on M11 and the temperature measured by the temperature sensor 10 and controlling the variable attenuator 7 and the variable phase shifter 8 12, the variable attenuator 7 and the variable phase shifter 8 are appropriately controlled in accordance with the ambient temperature to compensate for the difference in gain between the carrier amplifier 3 and the peak amplifier 4 and the difference in the amount of passing phase. As a result, the output power of the carrier amplifier 3 and the output power of the peak amplifier 4 at the output end can be satisfactorily combined, so that the microwave Doherty amplifier as a whole has high output power and efficiency regardless of the ambient temperature. This has the effect of being able to be maintained. For the data stored in the ROM, for example, the characteristic data of the amplifier with respect to the temperature as shown in FIG. 6 shown on page 131 of the above document is obtained in advance, and the data is changed so as to cancel the difference between the gain and the phase amount with respect to the temperature change. The set values for the attenuator 7 and the variable phase shifter 8 may be stored.

【0043】なお、可変減衰器7および可変移相器8を
キャリア増幅器3の入力側に設け、周囲温度に応じて制
御回路12により当該可変減衰器7および可変移相器8
を制御する構成としてもよく、可変増幅器7および可変
移相器8をピーク増幅器4の入力側に設けた場合と同様
の効果を奏する。
The variable attenuator 7 and the variable phase shifter 8 are provided on the input side of the carrier amplifier 3, and the control circuit 12 controls the variable attenuator 7 and the variable phase shifter 8 according to the ambient temperature.
And the same effect as in the case where the variable amplifier 7 and the variable phase shifter 8 are provided on the input side of the peak amplifier 4 can be obtained.

【0044】実施の形態3.図4はこの発明の実施の形
態3によるマイクロ波ドハティ型増幅器(ドハティ型増
幅器)の構成を示す図である。図4において、図2と同
一符号は同一または相当部分を示すのでその説明を省略
する。13は伝送される高周波信号の周波数に応じて当
該高周波信号の通過位相量すなわち遅延時間を調整可能
とする遅延回路である。なお、遅延回路としては、同軸
線路等の一般的な線路、あるいはバンドパスフィルタの
遅延特性を利用する遅延フィルタなどを用いることがで
きる。
Embodiment 3 FIG. FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a microwave Doherty amplifier (Doherty amplifier) according to Embodiment 3 of the present invention. 4, the same reference numerals as those in FIG. 2 denote the same or corresponding parts, and a description thereof will not be repeated. Reference numeral 13 denotes a delay circuit that can adjust a passing phase amount of the high-frequency signal, that is, a delay time according to the frequency of the high-frequency signal to be transmitted. As the delay circuit, a general line such as a coaxial line or a delay filter utilizing the delay characteristics of a band-pass filter can be used.

【0045】次に動作について説明する。キャリア増幅
器3とピーク増幅器4とはバイアス条件が大きく異なる
ために、周波数に応じて通過位相量すなわち遅延時間が
異なる。したがって、この実施の形態3によるマイクロ
波ドハティ型増幅器では、遅延回路13を設けて、キャ
リア増幅器3が配置された第1の経路を伝送される高周
波信号とピーク増幅器4が配置された第2の経路を伝送
される高周波信号とに係る遅延時間を一致させること
で、キャリア増幅器3とピーク増幅器4との通過位相量
の差を高周波信号の周波数に応じて補償して、出力端に
おけるキャリア増幅器3の出力電力とピーク増幅器4の
出力電力との合成を広帯域にわたって良好に実施するこ
とが可能となる。
Next, the operation will be described. Since the carrier amplifier 3 and the peak amplifier 4 have greatly different bias conditions, the amount of the passing phase, that is, the delay time differs according to the frequency. Therefore, in the microwave Doherty amplifier according to the third embodiment, the delay circuit 13 is provided, and the high-frequency signal transmitted through the first path in which the carrier amplifier 3 is disposed and the second circuit in which the peak amplifier 4 is disposed. By making the delay times related to the high-frequency signal transmitted through the path equal, the difference in the passing phase amount between the carrier amplifier 3 and the peak amplifier 4 is compensated according to the frequency of the high-frequency signal, and the carrier amplifier 3 And the output power of the peak amplifier 4 can be satisfactorily implemented over a wide band.

【0046】以上のように、この実施の形態3によれ
ば、伝送される高周波信号の周波数に応じて当該高周波
信号の遅延時間を調整可能とする遅延回路13を備える
ように構成したので、第1の経路を伝送される高周波信
号と第2の経路を伝送される高周波信号とに係る遅延時
間を一致させてキャリア増幅器3とピーク増幅器4との
通過位相量の差を補償し、出力端におけるキャリア増幅
器3の出力電力とピーク増幅器4の出力電力との合成を
広帯域にわたって良好に実施することができるから、広
帯域にわたって高効率なマイクロ波ドハティ型増幅器を
得ることができるという効果を奏する。
As described above, according to the third embodiment, since the delay circuit 13 capable of adjusting the delay time of the high-frequency signal to be transmitted is provided according to the frequency of the high-frequency signal to be transmitted, The delay time between the high-frequency signal transmitted through the first path and the high-frequency signal transmitted through the second path is matched to compensate for the difference in the amount of the passing phase between the carrier amplifier 3 and the peak amplifier 4, and the output terminal Since the output power of the carrier amplifier 3 and the output power of the peak amplifier 4 can be satisfactorily combined over a wide band, there is an effect that a high-efficiency microwave Doherty amplifier can be obtained over a wide band.

【0047】なお、キャリア増幅器3とピーク増幅器4
とに係る遅延時間の大小に応じて、ピーク増幅器4の出
力側に遅延回路13を設ける構成としてもよく、あるい
はキャリア増幅器3の入力側または出力側に遅延回路1
3を設ける構成としてもよく、これらの場合にも上記と
同様の効果を奏する。
The carrier amplifier 3 and the peak amplifier 4
The delay circuit 13 may be provided on the output side of the peak amplifier 4 according to the magnitude of the delay time according to the above.
3 may be provided, and in these cases, the same effect as above can be obtained.

【0048】また、キャリア増幅器3とピーク増幅器4
とはバイアス条件が大きく異なるために、周波数に応じ
て利得が異なる。すなわち、キャリア増幅器3とピーク
増幅器4とは、利得の周波数特性も大きく異なる。した
がって、伝送される高周波信号の周波数に応じて当該高
周波信号の利得を調整する周波数イコライザを遅延回路
13に代えて設ける構成としてもよい。これにより、第
1の経路を伝送される高周波信号と第2の経路を伝送さ
れる高周波信号とに係る利得の周波数特性を一致させる
ことができて、広帯域にわたって良好な性能を実現する
ことができる。勿論、遅延回路および周波数イコライザ
の両方を設ける構成としてもよい。
The carrier amplifier 3 and the peak amplifier 4
Since the bias condition is greatly different from the above, the gain differs depending on the frequency. That is, the carrier amplifier 3 and the peak amplifier 4 have greatly different gain frequency characteristics. Therefore, a frequency equalizer that adjusts the gain of the high-frequency signal to be transmitted according to the frequency of the transmitted high-frequency signal may be provided instead of the delay circuit 13. Thus, the gain frequency characteristics of the high-frequency signal transmitted through the first path and the high-frequency signal transmitted through the second path can be matched, and good performance can be achieved over a wide band. . Of course, a configuration in which both the delay circuit and the frequency equalizer are provided may be adopted.

【0049】実施の形態4.図5はこの発明の実施の形
態4によるマイクロ波ドハティ型増幅器(ドハティ型増
幅器)の構成を示す図である。図5において、図2と同
一符号は同一または相当部分を示すのでその説明を省略
する。14はピーク増幅器4の入力電力と出力電力との
関係であるAM−AM特性並びにピーク増幅器4の入力
電力と通過位相量との関係であるAM−PM特性を調整
するAM−AM/PM調整器である。
Embodiment 4 FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a microwave Doherty amplifier (Doherty amplifier) according to Embodiment 4 of the present invention. 5, the same reference numerals as those in FIG. 2 denote the same or corresponding parts, and a description thereof will not be repeated. An AM-AM / PM adjuster 14 adjusts an AM-AM characteristic which is a relation between the input power and the output power of the peak amplifier 4 and an AM-PM characteristic which is a relation between the input power of the peak amplifier 4 and the amount of passing phase. It is.

【0050】一般的に、AM−AM/PM調整器14は
非線形回路で構成することができる。図6はAM−AM
/PM調整器の構成の一例を示す図である。図6におい
て、15は入力端子、16は直流カット用のコンデン
サ、17は直流バイアス電源、18はバイアス用抵抗、
19はダイオード、20は出力端子である。この図6に
示されるAM−AM/PM調整器は、”IEEE Transacti
on on Microwave Theoryand Techniques, vol.45, No.1
2, December 1997” の2431頁において開示され、
増幅器の非線形性(歪み)を補償するためのリニアライ
ザとして使用することを目的に構成されるダイオードを
用いた非線形回路として紹介されているものである。一
般的には、図6に示される回路に限らず、非線形特性を
有する回路の回路定数などを所望の値に変更すること
で、AM−AM/PM調整器を構成することができる。
Generally, the AM-AM / PM adjuster 14 can be constituted by a non-linear circuit. FIG. 6 shows AM-AM
It is a figure showing an example of composition of a / PM adjuster. In FIG. 6, 15 is an input terminal, 16 is a DC cut capacitor, 17 is a DC bias power supply, 18 is a bias resistor,
19 is a diode, and 20 is an output terminal. The AM-AM / PM regulator shown in FIG. 6 is an IEEE Transacti
on on Microwave Theoryand Techniques, vol.45, No.1
2, December 1997 ”, page 2431,
This is introduced as a nonlinear circuit using a diode configured to be used as a linearizer for compensating for nonlinearity (distortion) of an amplifier. In general, the AM-AM / PM adjuster can be configured by changing not only the circuit shown in FIG. 6 but also a circuit constant or the like of a circuit having a non-linear characteristic to a desired value.

【0051】図7はAM−AM/PM調整器の構成の他
の例を示す図である。図7において、図2と同一符号は
同一または相当部分を示すのでその説明を省略する。2
1は可変減衰器、22は可変移相器、23はピーク増幅
器4が配置された第2の経路を伝送される高周波信号の
電力を一部取り出す分配器、24は分配された信号の瞬
時電力レベルを検出するレベル検出器、25は検出され
た瞬時電力レベルに応じて可変減衰器21および可変移
相器22を制御する制御回路である。レベル検出器24
により検出される入力電力レベルに応じて、可変減衰器
21および可変移相器22を用いて第2の経路を伝送さ
れる高周波信号について予め記憶された減衰量および移
相量を生ずるように制御することで、AM−AM特性お
よびAM−PM特性に係る調整を行なうことができる。
すなわち、可変減衰器21、可変移相器22、分配器2
3、レベル検出器24および制御回路25からAM−A
M/PM調整器を構成することができる。
FIG. 7 is a diagram showing another example of the configuration of the AM-AM / PM adjuster. 7, the same reference numerals as those in FIG. 2 denote the same or corresponding parts, and a description thereof will not be repeated. 2
1 is a variable attenuator, 22 is a variable phase shifter, 23 is a divider that partially extracts the power of the high-frequency signal transmitted through the second path where the peak amplifier 4 is arranged, and 24 is the instantaneous power of the distributed signal. A level detector 25 for detecting the level is a control circuit for controlling the variable attenuator 21 and the variable phase shifter 22 according to the detected instantaneous power level. Level detector 24
Is controlled so as to generate a previously stored attenuation and phase shift for the high-frequency signal transmitted through the second path using the variable attenuator 21 and the variable phase shifter 22 in accordance with the input power level detected by By doing so, it is possible to adjust the AM-AM characteristics and the AM-PM characteristics.
That is, the variable attenuator 21, the variable phase shifter 22, the distributor 2
3. AM-A from level detector 24 and control circuit 25
An M / PM regulator can be configured.

【0052】図8はAM−AM/PM調整器の構成の他
の例を示す図である。図8において、図7と同一符号は
同一または相当部分を示すのでその説明を省略する。2
6はレベル検出器24によって検出された瞬時電力レベ
ルに応じてピーク増幅器4のバイアス条件を制御する制
御回路である。ピーク増幅器4はバイアス条件に応じて
利得や通過位相量が変化するので、レベル検出器24に
より検出される電力レベルに応じて、ピーク増幅器4の
バイアス条件を適宜制御することで、ピーク増幅器4に
係るAM−AM特性およびAM−PM特性の調整を行な
うことができる。すなわち、分配器23、レベル検出器
24および制御回路26からAM−AM/PM調整器を
構成することができる。
FIG. 8 is a diagram showing another example of the configuration of the AM-AM / PM adjuster. 8, the same reference numerals as those in FIG. 7 denote the same or corresponding parts, and a description thereof will not be repeated. 2
Reference numeral 6 denotes a control circuit for controlling the bias condition of the peak amplifier 4 according to the instantaneous power level detected by the level detector 24. Since the gain and the passing phase amount of the peak amplifier 4 change according to the bias condition, the bias condition of the peak amplifier 4 is appropriately controlled according to the power level detected by the level detector 24 so that the peak amplifier 4 Such AM-AM characteristics and AM-PM characteristics can be adjusted. That is, the distributor 23, the level detector 24, and the control circuit 26 can constitute an AM-AM / PM adjuster.

【0053】次に動作について説明する。ピーク増幅器
4は瞬時入力電力がある値以上の場合にオン状態となっ
て出力電力を発生するが、マイクロ波ドハティ型増幅器
全体の高効率化および低歪み化を実現するためには、ピ
ーク増幅器4が動作を開始する瞬時入力電力の値ならび
に瞬時入力電力の変化に対する瞬時出力電力の変化に係
る特性いわゆるAM−AM特性を最適化する必要があ
る。また、出力端におけるキャリア増幅器3の出力電力
とピーク増幅器4の出力電力との合成を良好に行なうた
めには、ピーク増幅器4についての瞬時入力電力の変化
に対する通過位相量の変化に係る特性いわゆるAM−P
M特性を最適化する必要がある。したがって、この実施
の形態4によるマイクロ波ドハティ型増幅器では、AM
−AM/PM調整器を設けることで、ピーク増幅器4が
動作する電力レベルや瞬時入力電力の変化に対する瞬時
出力電力の変化および通過位相量の変化等に係る特性を
最適化することが可能となる。
Next, the operation will be described. When the instantaneous input power exceeds a certain value, the peak amplifier 4 is turned on to generate output power. However, in order to realize high efficiency and low distortion of the entire microwave Doherty amplifier, the peak amplifier 4 is required. It is necessary to optimize the value of the instantaneous input power at which the operation starts, and the characteristics related to the change of the instantaneous output power with respect to the change of the instantaneous input power, so-called AM-AM characteristics. Further, in order to properly combine the output power of the carrier amplifier 3 and the output power of the peak amplifier 4 at the output end, a characteristic relating to a change in the passing phase amount with respect to a change in the instantaneous input power of the peak amplifier 4, that is, AM −P
It is necessary to optimize the M characteristics. Therefore, in the microwave Doherty amplifier according to the fourth embodiment, the AM
By providing the AM / PM adjuster, it is possible to optimize the characteristics relating to the change in the instantaneous output power and the change in the passing phase amount with respect to the change in the power level at which the peak amplifier 4 operates and the instantaneous input power. .

【0054】以上のように、この実施の形態4によれ
ば、ピーク増幅器4の入力電力と出力電力との関係であ
るAM−AM特性並びにピーク増幅器4の入力電力と通
過位相量との関係であるAM−PM特性を調整するAM
−AM/PM調整器14を備えるように構成したので、
ピーク増幅器4のAM−AM特性およびAM−PM特性
を最適化して、出力端におけるキャリア増幅器3の出力
電力とピーク増幅器4の出力電力との合成を良好に実施
してマイクロ波ドハティ型増幅器全体の高効率化ならび
に低歪み化を実現することができるという効果を奏す
る。
As described above, according to the fourth embodiment, the AM-AM characteristic, which is the relationship between the input power and the output power of the peak amplifier 4, and the relationship between the input power of the peak amplifier 4 and the passing phase amount. AM for adjusting certain AM-PM characteristics
-Since it is configured to include the AM / PM adjuster 14,
The AM-AM characteristic and the AM-PM characteristic of the peak amplifier 4 are optimized, and the output power of the carrier amplifier 3 and the output power of the peak amplifier 4 at the output end are satisfactorily combined, so that the entire microwave Doherty amplifier is obtained. There is an effect that high efficiency and low distortion can be realized.

【0055】なお、上記の実施の形態1、実施の形態3
および実施の形態4については、それぞれを個別に実施
することも可能であり、またこれら複数の実施の形態の
特徴部を適宜組み合せてマイクロ波ドハティ型増幅器を
構成することも可能である。
The first and third embodiments described above.
Also, the fourth embodiment can be implemented individually, and the microwave Doherty amplifier can be configured by appropriately combining the features of the plurality of embodiments.

【0056】実施の形態5.実施の形態1から実施の形
態4では、入力端子に高周波信号を入力するとともに当
該高周波信号を2つの経路に分配してキャリア増幅器3
とピーク増幅器4とにそれぞれ入力する構成としていた
が、この実施の形態5は通信機のベースバンド部におい
て信号を2つの経路に分配する構成を採ることを特徴と
するものである。すなわち、入力されたベースバンド信
号をベースバンド信号を処理対象とする回路部位におい
てキャリア増幅器3が配置される第1の経路とピーク増
幅器4が配置される第2の経路との2つの経路に分配す
るものである。
Embodiment 5 In the first to fourth embodiments, a high-frequency signal is input to an input terminal, and the high-frequency signal is distributed to two paths so that the carrier amplifier 3
The fifth embodiment is characterized in that a signal is distributed to two paths in a baseband section of a communication device. That is, the input baseband signal is distributed to two paths, that is, a first path in which the carrier amplifier 3 is disposed and a second path in which the peak amplifier 4 is disposed in a circuit portion for processing the baseband signal. Is what you do.

【0057】図9はこの発明の実施の形態5によるマイ
クロ波ドハティ型増幅器(ドハティ型増幅器)の構成を
示す図である。図9において、図1と同一符号は同一ま
たは相当部分を示すのでその説明を省略する。31はベ
ースバンド信号の入力端子、32はベースバンド信号を
第1の経路と第2の経路とに分配するとともにベースバ
ンド信号に対する処理を実施するベースバンド処理回
路、33は第1の経路を伝送されるベースバンド信号お
よび第2の経路を伝送されるベースバンド信号を周波数
変換してそれぞれの経路において高周波信号として出力
する周波数変換回路である。周波数変換回路33は、第
1の経路に配置される第1の周波数変換用ミクサ34、
第2の経路に配置される第2の周波数変換用ミクサ3
5、周波数変換用ミクサ34,35に搬送周波数の信号
を供給するローカル発振器36および90度移相器37
を有して構成されている。
FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a microwave Doherty amplifier (Doherty amplifier) according to Embodiment 5 of the present invention. In FIG. 9, the same reference numerals as those in FIG. 31 is a baseband signal input terminal, 32 is a baseband processing circuit that distributes the baseband signal to a first path and a second path, and performs processing on the baseband signal, and 33 transmits the first path. A frequency conversion circuit that converts the frequency of the baseband signal transmitted and the baseband signal transmitted through the second path, and outputs a high-frequency signal in each path. The frequency conversion circuit 33 includes a first frequency conversion mixer 34 disposed on the first path,
A second frequency conversion mixer 3 arranged on a second path
5. Local oscillator 36 for supplying carrier frequency signals to frequency conversion mixers 34 and 35, and 90-degree phase shifter 37
Is configured.

【0058】次に動作について説明する。入力端子31
に入力されたベースバンド信号は、ベースバンド処理回
路32において2つの経路に分配された後に、周波数変
換回路33において高周波信号に周波数変換される。そ
れぞれの経路において周波数変換された高周波信号は、
キャリア増幅器3およびピーク増幅器4により増幅され
て、出力端子2で合成されて出力される。
Next, the operation will be described. Input terminal 31
Is distributed to two paths in the baseband processing circuit 32 and then frequency-converted into a high-frequency signal in the frequency conversion circuit 33. The high-frequency signal frequency-converted in each path is
The signal is amplified by the carrier amplifier 3 and the peak amplifier 4, combined at the output terminal 2, and output.

【0059】ベースバンド信号を処理対象とするベース
バンド処理回路32において、ベースバンド信号を2つ
の経路に分配することにより、可変減衰器、可変移相
器、遅延回路、AM−AM/PM調整器などの補正手段
をベースバンド信号に係るより低い周波数帯域を対象と
して構成することが可能となる。このために、上記補正
手段を実現する回路の構成に係る自由度が増加して、調
整をより容易に実施することができる回路、精度の高い
回路等を作成することが可能となる。すなわち、ベース
バンド処理回路32において、第1の経路を伝送される
ベースバンド信号または第2の経路を伝送されるベース
バンド信号について通過移相量および利得のいずれか一
方または両方を補正する補正手段について、調整の容易
化並びに精度の向上を実現することが可能となる。
In the baseband processing circuit 32 for processing the baseband signal, the baseband signal is distributed to two paths, so that a variable attenuator, a variable phase shifter, a delay circuit, an AM-AM / PM adjuster are provided. And the like can be configured for a lower frequency band relating to the baseband signal. For this reason, the degree of freedom relating to the configuration of the circuit for realizing the correction means is increased, and it is possible to create a circuit capable of performing adjustment more easily, a highly accurate circuit, and the like. That is, the baseband processing circuit 32 corrects one or both of the phase shift amount and the gain of the baseband signal transmitted on the first path or the baseband signal transmitted on the second path. , It is possible to realize easy adjustment and improvement in accuracy.

【0060】例えば、図10はベースバンド信号を処理
対象としたAM−AM/PM調整器の構成を示す図であ
る。図10に示された回路は、そのまま図9のベースバ
ンド処理回路32として適用されるものである。図10
において、41はベースバンド信号を2つの経路に分配
する分配器、42は入力されたベースバンド信号の電力
レベルを検出するレベル検出器(レベル検出手段)、4
3は電力レベルに応じた制御データが記憶されたROM
(記憶手段)、44は電力レベルに応じてベースバンド
信号の振幅および位相制御を実施する制御回路(制御手
段)、45は制御回路44からの制御信号に応じてベー
スバンド信号の振幅および位相を変換するレベル・位相
変換器(変換手段)、46は第1の経路に配置されてデ
ジタル信号として与えられるベースバンド信号をアナロ
グ信号に変換する第1のD/A変換器、47は第2の経
路に配置されてデジタル信号として与えられるベースバ
ンド信号をアナログ信号に変換する第2のD/A変換器
である。なお、第1のD/A変換器46と第1の周波数
変換用ミクサ34とから第1の経路を伝送されるデジタ
ル信号としてのベースバンド信号をアナログ高周波信号
に変換する第1の信号変換手段が構成され、第2のD/
A変換器47と第2の周波数変換用ミクサ35とから第
2の経路を伝送されるデジタル信号としてのベースバン
ド信号をアナログ高周波信号に変換する第2の信号変換
手段が構成される。
For example, FIG. 10 is a diagram showing a configuration of an AM-AM / PM adjuster for processing a baseband signal. The circuit shown in FIG. 10 is applied as it is to the baseband processing circuit 32 in FIG. FIG.
, 41 is a distributor for distributing the baseband signal to two paths, 42 is a level detector (level detecting means) for detecting the power level of the input baseband signal, 4
3 is a ROM in which control data corresponding to the power level is stored
(Storage means), 44 is a control circuit (control means) for controlling the amplitude and phase of the baseband signal according to the power level, and 45 is the control circuit for controlling the amplitude and phase of the baseband signal according to the control signal from the control circuit 44. A level / phase converter (conversion means) 46 for conversion is a first D / A converter for converting a baseband signal provided as a digital signal provided on a first path into an analog signal, and 47 a second D / A converter. This is a second D / A converter that is arranged on the path and converts a baseband signal provided as a digital signal into an analog signal. A first signal converting means for converting a baseband signal as a digital signal transmitted through the first path from the first D / A converter 46 and the first frequency conversion mixer 34 to an analog high-frequency signal. And the second D /
A second signal converter for converting a baseband signal as a digital signal transmitted through the second path from the A converter 47 and the second frequency conversion mixer 35 to an analog high-frequency signal is configured.

【0061】次に動作について説明する。制御回路44
は、レベル検出器42により検出されデジタルデータと
して与えられるベースバンド信号の電力レベルに応じて
ROM43から最適な制御データを読み出し、当該制御
データに応じてレベル・位相変換器45を制御してベー
スバンド信号の振幅または位相を調整する。上記の工程
は高周波信号よりも周波数の低いベースバンド信号に対
して実施されるので、高周波回路において振幅、位相の
調整を実施する場合と比較して調整の自由度も大きく、
より精度の高い処理を可能とし、結果的にマイクロ波ド
ハティ型増幅器の効率を向上させる。
Next, the operation will be described. Control circuit 44
Reads out optimal control data from the ROM 43 according to the power level of the baseband signal detected by the level detector 42 and given as digital data, controls the level / phase converter 45 according to the control data, and Adjust the amplitude or phase of the signal. Since the above process is performed on a baseband signal having a lower frequency than the high-frequency signal, the degree of freedom of the adjustment is greater than when the amplitude and phase are adjusted in the high-frequency circuit,
It enables more accurate processing and, as a result, improves the efficiency of the microwave Doherty amplifier.

【0062】以上のように、この実施の形態5によれ
ば、第1のD/A変換器46と第1の周波数変換用ミク
サ34とから成り第1の経路を伝送されるデジタル信号
としてのベースバンド信号をアナログ高周波信号に変換
する第1の信号変換手段と、第2のD/A変換器47と
第2の周波数変換用ミクサ35とから成り第2の経路を
伝送されるデジタル信号としてのベースバンド信号をア
ナログ高周波信号に変換する第2の信号変換手段とを備
えるように構成したので、第1の経路または第2の経路
を伝送される信号に対する振幅、位相等に係る調整を高
周波信号よりも周波数の低いベースバンド信号に対して
実施することができるので、調整の自由度が大きくなっ
てより精度の高い処理を可能とし、マイクロ波ドハティ
型増幅器の効率を向上することができるという効果を奏
する。
As described above, according to the fifth embodiment, a digital signal transmitted from the first path by the first D / A converter 46 and the first mixer 34 for frequency conversion is transmitted. A digital signal which is composed of a first signal converting means for converting a baseband signal into an analog high-frequency signal, a second D / A converter 47 and a second mixer 35 for frequency conversion is transmitted through a second path. And a second signal converting means for converting the baseband signal into an analog high-frequency signal, so that the amplitude, phase, and the like of the signal transmitted through the first path or the second path can be adjusted at a high frequency. Since it can be performed on a baseband signal whose frequency is lower than that of the signal, the degree of freedom of adjustment is increased, enabling more accurate processing, and improving the efficiency of the microwave Doherty amplifier. An effect that can be.

【0063】また、増幅器に係る調整動作をデジタル信
号処理で実施することができるので、制御関連データを
遠隔地に送信または遠隔地から受信することで、遠隔地
からのマイクロ波ドハティ型増幅器のモニタや制御を可
能にすることができるという効果を奏する。
Further, since the adjustment operation relating to the amplifier can be performed by digital signal processing, the control-related data is transmitted to or received from a remote place, thereby monitoring the microwave Doherty amplifier from a remote place. And control can be made possible.

【0064】さらに、入力されたベースバンド信号の電
力レベルを検出するレベル検出器42と、電力レベルに
応じた制御データが記憶されたROM43と、電力レベ
ルに応じてベースバンド信号の振幅・位相制御を実施す
る制御回路44と、制御回路44からの制御信号に応じ
てベースバンド信号の振幅および位相を変換するレベル
・位相変換器45とを備えるように構成したので、デジ
タル信号として与えられる電力レベルに係るデータに応
じて最適な制御データをROM43から読み出して増幅
器に係る制御動作を実施することができるので、精度が
高い処理を実施できてマイクロ波ドハティ型増幅器の効
率を向上することができるという効果を奏する。
Further, a level detector 42 for detecting the power level of the input baseband signal, a ROM 43 storing control data corresponding to the power level, an amplitude / phase control of the baseband signal according to the power level And a level / phase converter 45 for converting the amplitude and phase of the baseband signal according to the control signal from the control circuit 44, so that the power level given as a digital signal It is possible to read out optimal control data from the ROM 43 in accordance with the data according to the above and execute the control operation related to the amplifier, so that it is possible to perform highly accurate processing and improve the efficiency of the microwave Doherty amplifier. It works.

【0065】実施の形態6.図11はこの発明の実施の
形態6によるマイクロ波ドハティ型増幅器(ドハティ型
増幅器)の構成を示す図である。この実施の形態6にお
いても、実施の形態5と同様にベースバンド信号に対し
て振幅、位相等に係る処理を実施する。図11におい
て、図9および図10と同一符号は同一または相当部分
を示すのでその説明を省略する。51は電力レベルに応
じた制御データ並びにピーク増幅器4に係るAM−AM
特性に関するデータが記憶されるRAM(記憶手段)、
52はピーク増幅器4の出力電力の一部を取り出す分配
器(分配手段)、53は周波数変換用ミクサ、54は周
波数変換用ミクサ53から出力されるアナログ信号とし
てのベースバンド信号をデジタル変換して出力するA/
D変換器、55はレベル検出器42により検出された電
力レベルおよびA/D変換器54からフィードバックさ
れるベースバンド信号に応じて、ピーク増幅器4が配置
される第2の経路を伝送されるベースバンド信号の振幅
・位相制御を実施する制御回路(制御手段)である。な
お、周波数変換用ミクサ53とA/D変換器54とか
ら、分配器52から出力される高周波信号をデジタル信
号としてのベースバンド信号に変換する信号逆変換手段
が構成される。
Embodiment 6 FIG. FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a microwave Doherty amplifier (Doherty amplifier) according to Embodiment 6 of the present invention. In the sixth embodiment as well, similar to the fifth embodiment, processing relating to amplitude, phase, and the like is performed on a baseband signal. In FIG. 11, the same reference numerals as those in FIGS. 9 and 10 denote the same or corresponding parts, and a description thereof will be omitted. Reference numeral 51 denotes control data according to the power level and AM-AM related to the peak amplifier 4.
RAM (storage means) in which data on characteristics is stored,
52 is a distributor (distribution means) for extracting a part of the output power of the peak amplifier 4, 53 is a mixer for frequency conversion, and 54 is a digital converter for converting a baseband signal as an analog signal output from the mixer 53 for frequency conversion. A / to output
The D converter 55 is a base that is transmitted along a second path in which the peak amplifier 4 is arranged according to the power level detected by the level detector 42 and the baseband signal fed back from the A / D converter 54. This is a control circuit (control means) for controlling the amplitude and phase of the band signal. The frequency conversion mixer 53 and the A / D converter 54 constitute a signal inverting means for converting a high-frequency signal output from the distributor 52 into a baseband signal as a digital signal.

【0066】次に動作について説明する。入力端子31
から入力されたベースバンド信号は、分配器41により
キャリア増幅器3が配置された第1の経路とピーク増幅
器4が配置された第2の経路とに分配される。制御回路
55は、レベル検出器42により検出されたベースバン
ド信号の電力レベルに応じてRAM51から対応する制
御データを読み出し、当該制御データに応じてレベル・
位相変換器45を制御してベースバンド信号の振幅およ
び位相を調整する。また、分配器52はピーク増幅器4
の出力信号の一部を取り出す。そして、当該取り出され
た信号は、周波数変換用ミクサ53により周波数変換さ
れてベースバンド信号として出力された後に、A/D変
換器54でデジタル変換されて制御回路55に入力され
る。制御回路55は、RAM51に記憶された所望のA
M−AM/PM特性とフィードバックされたベースバン
ド信号とを対照して、レベル・位相変換器45に係る制
御を調整する。この際に、制御回路55は同時にRAM
51に書き込まれたデータを最適なデータに書き換え
る。このようにフィードバック機能を備えることで、よ
り精度の高い処理を可能とし、結果的にマイクロ波ドハ
ティ型増幅器の効率を向上させる。
Next, the operation will be described. Input terminal 31
The baseband signal input from is distributed by the distributor 41 to a first path in which the carrier amplifier 3 is disposed and a second path in which the peak amplifier 4 is disposed. The control circuit 55 reads the corresponding control data from the RAM 51 according to the power level of the baseband signal detected by the level detector 42, and reads the level data according to the control data.
By controlling the phase converter 45, the amplitude and phase of the baseband signal are adjusted. In addition, the distributor 52 includes the peak amplifier 4
And extract a part of the output signal. Then, the extracted signal is frequency-converted by the frequency conversion mixer 53 and output as a baseband signal, and then is digitally converted by the A / D converter 54 and input to the control circuit 55. The control circuit 55 outputs the desired A stored in the RAM 51.
The control of the level / phase converter 45 is adjusted by comparing the M-AM / PM characteristic with the fed-back baseband signal. At this time, the control circuit 55
The data written in 51 is rewritten to optimal data. Providing the feedback function in this manner enables more accurate processing, and as a result, improves the efficiency of the microwave Doherty amplifier.

【0067】以上のように、この実施の形態6によれ
ば、ピーク増幅器4から出力される高周波信号の一部を
取り出す分配器52と、周波数変換用ミクサ53および
A/D変換器54から構成され取り出された高周波信号
をデジタル信号としてのベースバンド信号に変換する信
号逆変換手段と、第2の経路を伝送されるベースバンド
信号の電力レベルを検出するレベル検出器42と、検出
された電力レベルに応じた制御データ並びにピーク増幅
器4のAM−AM/PM特性に係るデータが記憶された
RAM51と、レベル検出器42により検出された電力
レベルおよび信号逆変換手段からフィードバックされる
ベースバンド信号に基づいて第2の経路を伝送されるベ
ースバンド信号の振幅および位相を制御する制御回路5
5と、制御回路55からの制御信号に応じてベースバン
ド信号の振幅および位相を変換するレベル・位相変換器
45とを備えるように構成したので、出力信号をデジタ
ル変換して制御回路55にフィードバックすることがで
きるので、RAM51に記憶されたピーク増幅器4のA
M−AM/PM特性に係るデータとフィードバックされ
た信号とを対照してレベル・位相変換器45に係る制御
を調整することが可能となり、より精度の高い処理を実
現することができてマイクロ波ドハティ型増幅器の効率
を向上することができるという効果を奏する。
As described above, according to the sixth embodiment, the distributor 52 for extracting a part of the high-frequency signal output from the peak amplifier 4, the mixer 53 for frequency conversion and the A / D converter 54 Signal inversion means for converting the extracted high-frequency signal into a baseband signal as a digital signal, a level detector 42 for detecting the power level of the baseband signal transmitted through the second path, The RAM 51 in which the control data corresponding to the level and the data relating to the AM-AM / PM characteristics of the peak amplifier 4 are stored, the power level detected by the level detector 42 and the baseband signal fed back from the signal inversion means. Control circuit 5 for controlling the amplitude and phase of the baseband signal transmitted on the second path based on
5 and a level / phase converter 45 for converting the amplitude and phase of the baseband signal in accordance with the control signal from the control circuit 55, so that the output signal is digitally converted and fed back to the control circuit 55. Therefore, the A of the peak amplifier 4 stored in the RAM 51
It is possible to adjust the control of the level / phase converter 45 by comparing the data relating to the M-AM / PM characteristic and the fed-back signal, thereby realizing more accurate processing, and There is an effect that the efficiency of the Doherty amplifier can be improved.

【0068】また、制御回路55が、信号逆変換手段か
らフィードバックされるベースバンド信号と、RAM5
1に記憶されたピーク増幅器4のAM−AM/PM特性
に係るデータとを対照して、RAM51に記憶された制
御データを書き換えるように構成したので、実際に使用
されるマイクロ波ドハティ型増幅器の特性に応じて制御
データを設定することが可能となり、より精度の高い処
理を実現することができてマイクロ波ドハティ型増幅器
の効率を向上することができるという効果を奏する。
Further, the control circuit 55 transmits the baseband signal fed back from the signal inversion means to the RAM 5.
1 is configured to rewrite the control data stored in the RAM 51 in comparison with the data related to the AM-AM / PM characteristics of the peak amplifier 4 stored in the peak amplifier 4. The control data can be set according to the characteristics, so that more accurate processing can be realized and the efficiency of the microwave Doherty amplifier can be improved.

【0069】実施の形態7.図12はこの発明の実施の
形態7によるマイクロ波ドハティ型増幅器(ドハティ型
増幅器)の構成を示す図である。図12において、図2
と同一符号は同一または相当部分を示すのでその説明を
省略する。61はキャリア増幅器3の入力側に配置され
るアイソレータ(第1のアイソレータ)、62はピーク
増幅器4の入力側に配置されるアイソレータ(第2のア
イソレータ)である。
Embodiment 7 FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a microwave Doherty amplifier (Doherty amplifier) according to Embodiment 7 of the present invention. In FIG. 12, FIG.
The same reference numerals denote the same or corresponding parts, and a description thereof will not be repeated. 61 is an isolator (first isolator) arranged on the input side of the carrier amplifier 3, and 62 is an isolator (second isolator) arranged on the input side of the peak amplifier 4.

【0070】次に動作について説明する。マイクロ波ド
ハティ型増幅器では、通常の並列増幅器と異なり、バイ
アス条件の異なる2つの増幅器を用いるために、2つの
増幅器のバランスが悪い。さらに、1/4波長線路等を
用いるために回路の経路が長くなることで、キャリア増
幅器3が配置される経路とピーク増幅器4が配置される
経路とを一巡するようなループにおいて不要なループ発
振などの現象が発生しやすくなる。したがって、この実
施の形態7によるマイクロ波ドハティ型増幅器では、キ
ャリア増幅器3およびピーク増幅器4の入力側にアイソ
レータ61,62を設けることで、上記のループ発振を
防止する。
Next, the operation will be described. In a microwave Doherty amplifier, unlike an ordinary parallel amplifier, two amplifiers having different bias conditions are used, so that the balance between the two amplifiers is poor. Further, since a circuit path becomes longer due to the use of a quarter-wavelength line or the like, unnecessary loop oscillation occurs in a loop that goes around the path in which the carrier amplifier 3 is arranged and the path in which the peak amplifier 4 is arranged. Such a phenomenon is likely to occur. Therefore, in the microwave Doherty amplifier according to the seventh embodiment, the above-described loop oscillation is prevented by providing the isolators 61 and 62 on the input side of the carrier amplifier 3 and the peak amplifier 4.

【0071】以上のように、この実施の形態7によれ
ば、キャリア増幅器3の入力側に配置されたアイソレー
タ61と、ピーク増幅器4の入力側に配置されたアイソ
レータ62とを備えるように構成したので、ループ発振
を防止することができて、安定して動作するマイクロ波
ドハティ型増幅器を得ることができるという効果を奏す
る。
As described above, according to the seventh embodiment, the isolator 61 provided on the input side of the carrier amplifier 3 and the isolator 62 provided on the input side of the peak amplifier 4 are provided. Therefore, there is an effect that a loop oscillation can be prevented and a microwave Doherty amplifier that operates stably can be obtained.

【0072】[0072]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、入力
端子と、入力端子から延びる第1の経路に配置されてA
級、AB級またはB級にバイアスされる第1の増幅器
と、第1の経路において第1の増幅器の出力側に配置さ
れる1/4+n/2波長線路(nは0または任意の自然
数)と、入力端子から延びる第2の経路に配置されてB
級またはC級にバイアスされる第2の増幅器と、第1の
増幅器および第2の増幅器の出力側において第1の経路
と第2の経路とが結合する部位に配置される出力端子
と、第1の経路を伝送される高周波信号または第2の経
路を伝送される高周波信号について通過位相量および利
得のいずれか一方または両方を補正する補正手段とを備
えるように構成したので、第1の増幅器と第2の増幅器
との利得の差および通過位相量の差のいずれか一方また
は両方を補償して、出力端における第1の増幅器の出力
電力と第2の増幅器の出力電力との合成を良好に実施す
ることができるので、ドハティ型増幅器全体としての出
力電力や効率を向上することができるという効果を奏す
る。
As described above, according to the present invention, the input terminal and the first path extending from the input terminal are connected to the input terminal.
A first amplifier biased to class, class AB or class B, a 1/4 + n / 2 wavelength line (n is 0 or any natural number) disposed at an output side of the first amplifier in a first path; , Disposed on a second path extending from the input terminal,
A second amplifier biased to class C or class C, an output terminal arranged at a portion where the first path and the second path are coupled at the output side of the first amplifier and the second amplifier, A correction means for correcting either or both of the passing phase amount and the gain of the high-frequency signal transmitted through the first path or the high-frequency signal transmitted through the second path. One or both of the difference in gain and the difference in the amount of passing phase between the first and second amplifiers are compensated to improve the synthesis of the output power of the first amplifier and the output power of the second amplifier at the output terminal. Therefore, the output power and efficiency of the Doherty amplifier as a whole can be improved.

【0073】この発明によれば、補正手段として、第1
の増幅器または第2の増幅器の入力側に配置される可変
減衰器および可変移相器を備え、さらに温度センサと、
可変減衰器および可変移相器の制御に係る設定値を温度
の関数として記憶した記憶手段と、温度センサにより測
定された温度に基づいて記憶手段から可変減衰器および
可変移相器の制御に係る設定値を読み出して可変減衰器
および可変移相器を制御する制御手段とを備えるように
構成したので、周囲温度に応じて可変減衰器および可変
移相器を適宜制御して第1の増幅器と第2の増幅器との
利得の差および通過位相量の差を補償して、出力端にお
ける第1の増幅器の出力電力と第2の増幅器の出力電力
との合成を良好に実施することができるので、ドハティ
型増幅器全体として周囲温度に関わらず高い出力電力や
効率を維持することができるという効果を奏する。
According to the present invention, the first means can be used as the correcting means.
A variable attenuator and a variable phase shifter disposed on the input side of the amplifier or the second amplifier, further comprising a temperature sensor;
Storage means for storing set values related to the control of the variable attenuator and the variable phase shifter as a function of temperature; and control of the variable attenuator and the variable phase shifter from the storage means based on the temperature measured by the temperature sensor. A control means for reading the set value and controlling the variable attenuator and the variable phase shifter is provided, so that the variable attenuator and the variable phase shifter are appropriately controlled in accordance with the ambient temperature to thereby control the first amplifier and the variable amplifier. Since the difference between the gain and the amount of the passing phase with respect to the second amplifier is compensated, the output power of the first amplifier and the output power of the second amplifier at the output terminal can be favorably combined. This has the effect that high output power and high efficiency can be maintained regardless of the ambient temperature as a whole Doherty amplifier.

【0074】この発明によれば、補正手段として、第1
の増幅器または第2の増幅器の入力側または出力側に配
置される遅延回路を備えるように構成したので、高周波
信号の周波数に応じて第1の増幅器が配置された経路を
伝送される高周波信号と第2の増幅器が配置された経路
を伝送される高周波信号とに係る遅延時間を一致させる
ことで第1の増幅器と第2の増幅器との通過位相量の差
を補償し、出力端における第1の増幅器の出力電力と第
2の増幅器の出力電力との合成を広帯域にわたって良好
に実施することができるので、広帯域にわたって高効率
なドハティ型増幅器を得ることができるという効果を奏
する。
According to the present invention, the first means is used as the correction means.
And the delay circuit arranged on the input side or the output side of the second amplifier or the second amplifier, so that the high-frequency signal transmitted through the path in which the first amplifier is arranged according to the frequency of the high-frequency signal The difference in the amount of the passing phase between the first amplifier and the second amplifier is compensated by matching the delay times of the high-frequency signal transmitted through the path in which the second amplifier is arranged, and the first terminal at the output terminal is compensated for. Since the output power of the amplifier and the output power of the second amplifier can be satisfactorily combined over a wide band, a high efficiency Doherty amplifier over a wide band can be obtained.

【0075】この発明によれば、補正手段として、第1
の増幅器または第2の増幅器の入力側または出力側に配
置される周波数イコライザを備えるように構成したの
で、第1の増幅器が配置された経路を伝送される高周波
信号と第2の増幅器が配置された経路を伝送される高周
波信号とに係る利得の周波数特性を一致させることがで
きて、広帯域にわたって良好な性能を実現することがで
きるという効果を奏する。
According to the present invention, the first means is used as the correction means.
Is configured to include a frequency equalizer disposed on the input side or the output side of the second amplifier or the second amplifier, so that the high-frequency signal transmitted through the path in which the first amplifier is disposed and the second amplifier are disposed. This makes it possible to make the frequency characteristics of the gain relating to the high-frequency signal transmitted through the route coincide with each other, and to achieve an excellent performance over a wide band.

【0076】この発明によれば、補正手段として、第2
の増幅器の入力電力と出力電力との関係であるAM−A
M特性並びに第2の増幅器の入力電力と通過位相量との
関係であるAM−PM特性を調整するAM−AM/PM
調整器を備えるように構成したので、第2の増幅器のA
M−AM特性およびAM−PM特性を最適化して、出力
端における第1の増幅器の出力電力と第2の増幅器の出
力電力との合成を実施してドハティ型増幅器全体の高効
率化ならびに低歪み化を実現することができるという効
果を奏する。
According to the present invention, as the correction means, the second
AM-A which is the relationship between the input power and the output power of the amplifier
AM-AM / PM that adjusts the M characteristic and the AM-PM characteristic that is the relationship between the input power of the second amplifier and the amount of passing phase.
Since it is configured to include a regulator, the A of the second amplifier
The M-AM characteristics and the AM-PM characteristics are optimized, and the output power of the first amplifier and the output power of the second amplifier at the output end are combined to increase the efficiency of the entire Doherty amplifier and reduce distortion. This brings about an effect that realization can be realized.

【0077】この発明によれば、入力端子と、入力端子
から延びる第1の経路に配置されてA級、AB級または
B級にバイアスされる第1の増幅器と、第1の経路にお
いて第1の増幅器の出力側に配置される1/4+n/2
波長線路(nは0または任意の自然数)と、入力端子か
ら延びる第2の経路に配置されてB級またはC級にバイ
アスされる第2の増幅器と、第1の経路において第1の
増幅器の入力側に配置され、入力端子から入力されたベ
ースバンド信号を高周波信号に変換する第1の信号変換
手段と、第2の経路において第2の増幅器の入力側に配
置され、入力端子から入力されたベースバンド信号を高
周波信号に変換する第2の信号変換手段と、第1の増幅
器および第2の増幅器の出力側において第1の経路と第
2の経路とが結合する部位に配置される出力端子と、第
1の経路を伝送されるベースバンド信号または第2の経
路を伝送されるベースバンド信号について通過位相量お
よび利得のいずれか一方または両方を補正する補正手段
とを備えるように構成したので、第1の経路または第2
の経路を伝送される信号に対する振幅、位相等に係る調
整を高周波信号よりも周波数の低いベースバンド信号に
対して実施することができるので、調整の自由度が大き
くなってより精度の高い処理を可能とし、ドハティ型増
幅器の効率を向上することができるという効果を奏す
る。
According to the present invention, the input terminal, the first amplifier arranged in the first path extending from the input terminal and biased to class A, class AB, or class B, and the first amplifier in the first path. 1/4 + n / 2 arranged on the output side of the amplifier of
A wavelength line (n is 0 or an arbitrary natural number), a second amplifier arranged in a second path extending from the input terminal and biased in class B or C, and a first amplifier in the first path. A first signal conversion unit disposed on the input side for converting a baseband signal input from the input terminal into a high-frequency signal; and a second path disposed on the input side of the second amplifier and input from the input terminal. Signal converting means for converting the baseband signal into a high-frequency signal, and an output arranged at a portion where the first path and the second path are coupled on the output side of the first amplifier and the second amplifier. A terminal and correction means for correcting one or both of the amount of passing phase and the gain of the baseband signal transmitted through the first path or the baseband signal transmitted through the second path. Since form was first path or the second
The amplitude, phase, etc. of the signal transmitted through the path can be adjusted with respect to the baseband signal having a lower frequency than the high-frequency signal. This makes it possible to improve the efficiency of the Doherty amplifier.

【0078】この発明によれば、第1の信号変換手段お
よび第2の信号変換手段がデジタル信号として与えられ
るベースバンド信号をアナログ高周波信号に変換するよ
うに構成したので、増幅器に係る制御動作をデジタル信
号処理で実施することができるため、制御関連データを
遠隔地に送信または遠隔地から受信することで、遠隔地
からのドハティ型増幅器のモニタや制御を可能にするこ
とができるという効果を奏する。
According to the present invention, the first signal conversion means and the second signal conversion means are configured to convert a baseband signal provided as a digital signal into an analog high-frequency signal. Since the present invention can be implemented by digital signal processing, by transmitting control-related data to a remote place or receiving it from a remote place, it is possible to monitor and control the Doherty amplifier from a remote place. .

【0079】この発明によれば、補正手段として、第1
の経路または第2の経路を伝送されるベースバンド信号
の電力レベルを検出するレベル検出手段と、レベル検出
手段により検出された電力レベルに応じた制御データが
記憶された記憶手段と、検出された電力レベルに応じて
ベースバンド信号の振幅および位相の制御を実施する制
御手段と、制御手段からの制御信号に応じてベースバン
ド信号の振幅および位相を変換する変換手段とを備える
ように構成したので、デジタル信号として与えられる電
力レベルに係るデータに応じて最適な制御データを記憶
手段から読み出して増幅器に係る制御動作を実施するこ
とができるので、精度の高い処理を実施してドハティ型
増幅器の効率を向上することができるという効果を奏す
る。
According to the present invention, the first means is used as the correction means.
Level detecting means for detecting the power level of the baseband signal transmitted through the second path or the second path; storage means for storing control data corresponding to the power level detected by the level detecting means; Since it is configured to include control means for controlling the amplitude and phase of the baseband signal according to the power level, and conversion means for converting the amplitude and phase of the baseband signal according to the control signal from the control means. Since the optimum control data can be read from the storage means in accordance with the data relating to the power level given as a digital signal and the control operation relating to the amplifier can be performed, the processing with high accuracy can be performed and the efficiency of the Doherty amplifier can be improved. Is achieved.

【0080】この発明によれば、補正手段として、第1
の経路または第2の経路を伝送される高周波信号の一部
を取り出す分配手段と、取り出された高周波信号をデジ
タル信号としてのベースバンド信号に変換する信号逆変
換手段と、第1の経路または第2の経路を伝送されるベ
ースバンド信号の電力レベルを検出するレベル検出手段
と、レベル検出手段により検出された電力レベルに応じ
た制御データ並びに第1の増幅器または第2の増幅器の
特性に係るデータが記憶された記憶手段と、レベル検出
手段により検出された電力レベルおよび信号逆変換手段
からフィードバックされるベースバンド信号に基づいて
第1の経路または第2の経路を伝送されるベースバンド
信号の振幅および位相のいずれか一方または両方を制御
する制御手段と、制御手段からの制御信号に応じてベー
スバンド信号の振幅および位相のいずれか一方または両
方を変換する変換手段とを備えるように構成したので、
出力信号をデジタル変換して制御手段にフィードバック
することができるので、記憶手段に記憶された第1の増
幅器または第2の増幅器の特性に係るデータとフィード
バックされるベースバンド信号とを対照して変換手段に
係る制御を調整することが可能となり、より精度の高い
処理を実現することができてドハティ型増幅器の効率を
向上することができるという効果を奏する。
According to the present invention, the first means is used as the correction means.
Distributing means for extracting a part of the high-frequency signal transmitted through the first path or the second path; signal inverting means for converting the extracted high-frequency signal into a baseband signal as a digital signal; Level detecting means for detecting the power level of the baseband signal transmitted through the second path, control data corresponding to the power level detected by the level detecting means, and data relating to the characteristics of the first amplifier or the second amplifier And an amplitude of the baseband signal transmitted through the first path or the second path based on the power level detected by the level detection means and the baseband signal fed back from the signal inversion means. Control means for controlling one or both of the phase and the phase, and a baseband signal oscillation in response to a control signal from the control means. And since it is configured to include a conversion unit configured to convert either or both of the phases,
Since the output signal can be converted into a digital signal and fed back to the control means, the data relating to the characteristic of the first amplifier or the second amplifier stored in the storage means is compared with the baseband signal fed back. It is possible to adjust the control according to the means, and it is possible to realize a process with higher accuracy and to improve the efficiency of the Doherty amplifier.

【0081】この発明によれば、制御手段が、信号逆変
換手段からフィードバックされるベースバンド信号と、
記憶手段に記憶された第1の増幅器または第2の増幅器
の特性に係るデータとを対照して、記憶手段に記憶され
た制御データを書き換えるように構成したので、実際に
使用されるドハティ型増幅器の特性に応じた制御データ
を設定することが可能となり、より精度の高い処理を実
現することができてドハティ型増幅器の効率を向上する
ことができるという効果を奏する。
According to the present invention, the control means comprises: a baseband signal fed back from the signal inversion means;
Since the control data stored in the storage means is rewritten in comparison with the data relating to the characteristics of the first amplifier or the second amplifier stored in the storage means, the Doherty-type amplifier actually used It is possible to set control data in accordance with the characteristics of (1), (2), (3), (3), (3), (3), (3), (3), (3), (3), (3), (3), (3), is achieved that the efficiency of the Doherty amplifier can be improved.

【0082】この発明によれば、入力端子と、入力端子
から延びる第1の経路に配置されてA級、AB級または
B級にバイアスされる第1の増幅器と、第1の経路にお
いて第1の増幅器の出力側に配置される1/4+n/2
波長線路(nは0または任意の自然数)と、入力端子か
ら延びる第2の経路に配置されてB級またはC級にバイ
アスされる第2の増幅器と、第1の増幅器および第2の
増幅器の出力側において第1の経路と第2の経路とが結
合する部位に配置される出力端子と、第1の増幅器の入
力側に配置される第1のアイソレータと、第2の増幅器
の入力側に配置される第2のアイソレータとを備えるよ
うに構成したので、ループ発振を防止することができ
て、安定して動作するドハティ型増幅器を得ることがで
きるという効果を奏する。
According to the present invention, the input terminal, the first amplifier arranged in the first path extending from the input terminal and biased to class A, class AB, or class B, and the first amplifier in the first path. 1/4 + n / 2 arranged on the output side of the amplifier of
A wavelength line (n is 0 or an arbitrary natural number), a second amplifier arranged in a second path extending from the input terminal and biased to class B or class C, and a first amplifier and a second amplifier. On the output side, an output terminal disposed at a portion where the first path and the second path are coupled, a first isolator disposed on an input side of the first amplifier, and an output terminal disposed on an input side of the second amplifier. Since the second isolator is provided, the loop oscillation can be prevented, and a Doherty amplifier that operates stably can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1によるマイクロ波ド
ハティ型増幅器の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a microwave Doherty amplifier according to a first embodiment of the present invention;

【図2】 この発明の実施の形態1によるマイクロ波ド
ハティ型増幅器の変形例の構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a modification of the microwave Doherty amplifier according to the first embodiment of the present invention;

【図3】 この発明の実施の形態2によるマイクロ波ド
ハティ型増幅器の構成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a microwave Doherty amplifier according to a second embodiment of the present invention;

【図4】 この発明の実施の形態3によるマイクロ波ド
ハティ型増幅器の構成を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of a microwave Doherty amplifier according to a third embodiment of the present invention;

【図5】 この発明の実施の形態4によるマイクロ波ド
ハティ型増幅器の構成を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a microwave Doherty amplifier according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】 AM−AM/PM調整器の構成の一例を示す
図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a configuration of an AM-AM / PM adjuster.

【図7】 AM−AM/PM調整器の構成の他の例を示
す図である。
FIG. 7 is a diagram showing another example of the configuration of the AM-AM / PM adjuster.

【図8】 AM−AM/PM調整器の構成の他の例を示
す図である。
FIG. 8 is a diagram showing another example of the configuration of the AM-AM / PM adjuster.

【図9】 この発明の実施の形態5によるマイクロ波ド
ハティ型増幅器の構成を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a microwave Doherty amplifier according to a fifth embodiment of the present invention.

【図10】 ベースバンド信号を処理対象としたAM−
AM/PM調整器の構成を示す図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating AM- for processing a baseband signal.
It is a figure showing composition of an AM / PM adjuster.

【図11】 この発明の実施の形態6によるマイクロ波
ドハティ型増幅器の構成を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a microwave Doherty amplifier according to a sixth embodiment of the present invention.

【図12】 この発明の実施の形態7によるマイクロ波
ドハティ型増幅器の構成を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a microwave Doherty amplifier according to a seventh embodiment of the present invention.

【図13】 高周波信号の波形の一例を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a waveform of a high-frequency signal.

【図14】 FET等の増幅素子についての出力側負荷
インピーダンスと飽和電力および効率との関係を示すス
ミスチャートである。
FIG. 14 is a Smith chart showing the relationship between output-side load impedance, saturation power, and efficiency of an amplifying element such as an FET.

【図15】 従来のマイクロ波ドハティ型増幅器の構成
を示す図である。
FIG. 15 is a diagram illustrating a configuration of a conventional microwave Doherty amplifier.

【図16】 入力信号の電力レベルが小さい場合のマイ
クロ波ドハティ型増幅器の動作状態を示す図である。
FIG. 16 is a diagram illustrating an operation state of the microwave Doherty amplifier when the power level of the input signal is low.

【図17】 ドハティ型増幅器に係るAM−AM特性を
示す図である。
FIG. 17 is a diagram showing AM-AM characteristics of the Doherty amplifier.

【図18】 ドハティ型増幅器において形成されるルー
プを示す図である。
FIG. 18 is a diagram illustrating a loop formed in the Doherty amplifier.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 入力端子、2 出力端子、3 キャリア増幅器(第
1の増幅器)、4 ピーク増幅器(第2の増幅器)、
5,6 1/4波長線路、7,21 可変減衰器、8,
22 可変移相器、10 温度センサ、11 ROM
(記憶手段)、12,44,55 制御回路(制御手
段)、13 遅延回路、14 AM−AM/PM調整
器、15 入力端子、16 直流カット用コンデンサ、
17 直流バイアス電源、18 バイアス用抵抗、19
ダイオード、20 出力端子、23 分配器、24
レベル検出器、25,26 制御回路、31 入力端
子、32 ベースバンド処理回路、33 周波数変換回
路、34,35,53 周波数変換用ミクサ、36 ロ
ーカル発振器、37 90度移相器、41 分配器、4
2 レベル検出器(レベル検出手段)、43 ROM
(記憶手段)、45 レベル・位相変換器(変換手
段)、46,47 D/A変換器、51 RAM(記憶
手段)、52 分配器(分配手段)54 A/D変換
器、61 アイソレータ(第1のアイソレータ)、62
アイソレータ(第2のアイソレータ)。
1 input terminal, 2 output terminal, 3 carrier amplifier (first amplifier), 4 peak amplifier (second amplifier),
5,6 1/4 wavelength line, 7,21 variable attenuator, 8,
22 variable phase shifter, 10 temperature sensor, 11 ROM
(Memory means), 12, 44, 55 control circuit (control means), 13 delay circuit, 14 AM-AM / PM adjuster, 15 input terminal, 16 DC cut capacitor,
17 DC bias power supply, 18 Bias resistor, 19
Diode, 20 output terminals, 23 distributor, 24
Level detector, 25, 26 control circuit, 31 input terminal, 32 baseband processing circuit, 33 frequency conversion circuit, 34, 35, 53 frequency conversion mixer, 36 local oscillator, 37 90 degree phase shifter, 41 distributor, 4
2 level detector (level detection means), 43 ROM
(Storage means), 45 level / phase converter (conversion means), 46, 47 D / A converter, 51 RAM (storage means), 52 distributor (distribution means) 54 A / D converter, 61 isolator (No. 1 isolator), 62
Isolator (second isolator).

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Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力端子と、 該入力端子から延びる第1の経路に配置されてA級、A
B級またはB級にバイアスされる第1の増幅器と、 前記第1の経路において前記第1の増幅器の出力側に配
置される1/4+n/2波長線路(nは0または任意の
自然数)と、 前記入力端子から延びる第2の経路に配置されてB級ま
たはC級にバイアスされる第2の増幅器と、 前記第1の増幅器および前記第2の増幅器の出力側にお
いて前記第1の経路と前記第2の経路とが結合する部位
に配置される出力端子と、 前記第1の経路を伝送される高周波信号または前記第2
の経路を伝送される高周波信号について通過位相量およ
び利得のいずれか一方または両方を補正する補正手段と
を備えることを特徴とするドハティ型増幅器。
An input terminal; a first path extending from the input terminal;
A class B or class B biased first amplifier, a 1/4 + n / 2 wavelength line (n is 0 or any natural number) disposed on the output side of the first amplifier in the first path, A second amplifier disposed in a second path extending from the input terminal and biased to class B or class C; and a first path at an output side of the first amplifier and the second amplifier. An output terminal arranged at a portion where the second path is coupled, a high-frequency signal transmitted through the first path or the second terminal;
And a correction means for correcting one or both of the passing phase amount and the gain of the high-frequency signal transmitted through the path.
【請求項2】 補正手段として、第1の増幅器または第
2の増幅器の入力側に配置される可変減衰器および可変
移相器を備えることを特徴とする請求項1記載のドハテ
ィ型増幅器。
2. The Doherty amplifier according to claim 1, further comprising a variable attenuator and a variable phase shifter arranged on the input side of the first amplifier or the second amplifier as the correction means.
【請求項3】 温度センサと、可変減衰器および可変移
相器の制御に係る設定値を温度の関数として記憶した記
憶手段と、前記温度センサにより測定された温度に基づ
いて前記記憶手段から可変減衰器および可変移相器の制
御に係る設定値を読み出して可変減衰器および可変移相
器を制御する制御手段とを備えることを特徴とする請求
項2記載のドハティ型増幅器。
3. A temperature sensor, storage means for storing a set value related to control of a variable attenuator and a variable phase shifter as a function of temperature, and a variable from the storage means based on the temperature measured by the temperature sensor. 3. The Doherty-type amplifier according to claim 2, further comprising control means for reading a set value related to control of the attenuator and the variable phase shifter to control the variable attenuator and the variable phase shifter.
【請求項4】 補正手段として、第1の増幅器または第
2の増幅器の入力側または出力側に配置される遅延回路
を備えることを特徴とする請求項1記載のドハティ型増
幅器。
4. The Doherty amplifier according to claim 1, further comprising a delay circuit disposed on an input side or an output side of the first amplifier or the second amplifier as the correction means.
【請求項5】 補正手段として、第1の増幅器または第
2の増幅器の入力側または出力側に配置される周波数イ
コライザを備えることを特徴とする請求項1記載のドハ
ティ型増幅器。
5. The Doherty-type amplifier according to claim 1, further comprising a frequency equalizer arranged on an input side or an output side of the first amplifier or the second amplifier as the correction means.
【請求項6】 補正手段として、第2の増幅器の入力電
力と出力電力との関係であるAM−AM特性並びに第2
の増幅器の入力電力と通過位相量との関係であるAM−
PM特性を調整するAM−AM/PM調整器を備えるこ
とを特徴とする請求項1記載のドハティ型増幅器。
6. An AM-AM characteristic which is a relation between an input power and an output power of a second amplifier, and
AM-, which is a relationship between the input power of the amplifier of FIG.
The Doherty amplifier according to claim 1, further comprising an AM-AM / PM adjuster for adjusting PM characteristics.
【請求項7】 入力端子と、 該入力端子から延びる第1の経路に配置されてA級、A
B級またはB級にバイアスされる第1の増幅器と、 前記第1の経路において前記第1の増幅器の出力側に配
置される1/4+n/2波長線路(nは0または任意の
自然数)と、 前記入力端子から延びる第2の経路に配置されてB級ま
たはC級にバイアスされる第2の増幅器と、 前記第1の経路において前記第1の増幅器の入力側に配
置され、前記入力端子から入力されたベースバンド信号
を高周波信号に変換する第1の信号変換手段と、 前記第2の経路において前記第2の増幅器の入力側に配
置され、前記入力端子から入力されたベースバンド信号
を高周波信号に変換する第2の信号変換手段と、 前記第1の増幅器および前記第2の増幅器の出力側にお
いて前記第1の経路と前記第2の経路とが結合する部位
に配置される出力端子と、 前記第1の経路を伝送されるベースバンド信号または前
記第2の経路を伝送されるベースバンド信号について通
過位相量および利得のいずれか一方または両方を補正す
る補正手段とを備えることを特徴とするドハティ型増幅
器。
7. An input terminal, and a class A, A disposed in a first path extending from the input terminal.
A class B or class B biased first amplifier, a 1/4 + n / 2 wavelength line (n is 0 or any natural number) disposed on the output side of the first amplifier in the first path, A second amplifier disposed on a second path extending from the input terminal and biased to class B or C; and an input terminal disposed on an input side of the first amplifier in the first path, A first signal converting means for converting a baseband signal input from the input terminal into a high-frequency signal, and a baseband signal input from the input terminal, which is disposed on the input side of the second amplifier in the second path. Second signal conversion means for converting the signal into a high-frequency signal; and an output terminal disposed at a portion where the first path and the second path are coupled on the output side of the first amplifier and the second amplifier. And before Doherty comprising correction means for correcting one or both of a passing phase amount and a gain of a baseband signal transmitted through a first path or a baseband signal transmitted through the second path. Type amplifier.
【請求項8】 第1の信号変換手段および第2の信号変
換手段が、デジタル信号として与えられるベースバンド
信号をアナログ高周波信号に変換することを特徴とする
請求項7記載のドハティ型増幅器。
8. The Doherty amplifier according to claim 7, wherein the first signal converter and the second signal converter convert a baseband signal provided as a digital signal into an analog high-frequency signal.
【請求項9】 補正手段として、第1の経路または第2
の経路を伝送されるベースバンド信号の電力レベルを検
出するレベル検出手段と、該レベル検出手段により検出
された電力レベルに応じた制御データが記憶された記憶
手段と、検出された電力レベルに応じてベースバンド信
号の振幅および位相のいずれか一方または両方の制御を
実施する制御手段と、該制御手段からの制御信号に応じ
てベースバンド信号の振幅および位相のいずれか一方ま
たは両方を変換する変換手段とを備えることを特徴とす
る請求項8記載のドハティ型増幅器。
9. The first path or the second path as the correction means.
Level detecting means for detecting the power level of the baseband signal transmitted through the path, storage means for storing control data corresponding to the power level detected by the level detecting means, Control means for controlling either one or both of the amplitude and the phase of the baseband signal, and converting one or both of the amplitude and the phase of the baseband signal in accordance with the control signal from the control means 9. The Doherty amplifier according to claim 8, further comprising means.
【請求項10】 補正手段として、第1の経路または第
2の経路を伝送される高周波信号の一部を取り出す分配
手段と、取り出された高周波信号をデジタル信号として
のベースバンド信号に変換する信号逆変換手段と、第1
の経路または第2の経路を伝送されるベースバンド信号
の電力レベルを検出するレベル検出手段と、該レベル検
出手段により検出された電力レベルに応じた制御データ
並びに第1の増幅器または第2の増幅器の特性に係るデ
ータが記憶された記憶手段と、前記レベル検出手段によ
り検出された電力レベルおよび前記信号逆変換手段から
フィードバックされるベースバンド信号に基づいて前記
第1の経路または前記第2の経路を伝送されるベースバ
ンド信号の振幅および位相のいずれか一方または両方を
制御する制御手段と、該制御手段からの制御信号に応じ
てベースバンド信号の振幅および位相のいずれか一方ま
たは両方を変換する変換手段とを備えることを特徴とす
る請求項7記載のドハティ型増幅器。
10. A distributing means for extracting a part of a high-frequency signal transmitted through the first path or the second path as a correction means, and a signal for converting the extracted high-frequency signal into a baseband signal as a digital signal Inverting means;
Level detecting means for detecting the power level of the baseband signal transmitted through the second path or the second path, control data corresponding to the power level detected by the level detecting means, and the first amplifier or the second amplifier And a first path or a second path based on a power level detected by the level detecting means and a baseband signal fed back from the signal inverting means. Control means for controlling one or both of the amplitude and the phase of the baseband signal transmitted therethrough, and converting one or both of the amplitude and the phase of the baseband signal in accordance with the control signal from the control means The Doherty amplifier according to claim 7, further comprising a conversion unit.
【請求項11】 制御手段が、信号逆変換手段からフィ
ードバックされるベースバンド信号と、記憶手段に記憶
された第1の増幅器または第2の増幅器の特性に係るデ
ータとを対照して、前記記憶手段に記憶された制御デー
タを書き換えることを特徴とする請求項10記載のドハ
ティ型増幅器。
11. The storage unit compares the baseband signal fed back from the signal inversion unit with data on characteristics of the first amplifier or the second amplifier stored in the storage unit. The Doherty amplifier according to claim 10, wherein the control data stored in the means is rewritten.
【請求項12】 入力端子と、 該入力端子から延びる第1の経路に配置されてA級、A
B級またはB級にバイアスされる第1の増幅器と、 前記第1の経路において前記第1の増幅器の出力側に配
置される1/4+n/2波長線路(nは0または任意の
自然数)と、 前記入力端子から延びる第2の経路に配置されてB級ま
たはC級にバイアスされる第2の増幅器と、 前記第1の増幅器および前記第2の増幅器の出力側にお
いて前記第1の経路と前記第2の経路とが結合する部位
に配置される出力端子と、 前記第1の増幅器の入力側に配置される第1のアイソレ
ータと、 前記第2の増幅器の入力側に配置される第2のアイソレ
ータとを備えることを特徴とするドハティ型増幅器。
12. An input terminal, wherein the input terminal is disposed in a first path extending from the input terminal,
A class B or class B biased first amplifier, a 1/4 + n / 2 wavelength line (n is 0 or any natural number) disposed on the output side of the first amplifier in the first path, A second amplifier disposed in a second path extending from the input terminal and biased to class B or class C; and a first path at an output side of the first amplifier and the second amplifier. An output terminal arranged at a portion where the second path is coupled; a first isolator arranged at an input side of the first amplifier; a second isolator arranged at an input side of the second amplifier; A Doherty-type amplifier, comprising:
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