JP2002124546A - Adhesive sheet for semiconductor device and semiconductor device using the sheet - Google Patents

Adhesive sheet for semiconductor device and semiconductor device using the sheet

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JP2002124546A
JP2002124546A JP2000313225A JP2000313225A JP2002124546A JP 2002124546 A JP2002124546 A JP 2002124546A JP 2000313225 A JP2000313225 A JP 2000313225A JP 2000313225 A JP2000313225 A JP 2000313225A JP 2002124546 A JP2002124546 A JP 2002124546A
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JP
Japan
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group
semiconductor device
compound
adhesive
adhesive layer
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Pending
Application number
JP2000313225A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichi Fujimaru
浩一 藤丸
Toshio Yoshimura
利夫 吉村
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

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  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Polyethers (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a tape for TAB that has a small amount of warpage and superior machining characteristics, and a semiconductor device using the tape. SOLUTION: This adhesive sheet for semiconductor deices has a laminate comprising at least one protection fm layer and an adhesive layer. In this case, the adhesive layer should contain a compound having an oxetane ring.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の実
装方法であるテープオートメーテッドボンディング(T
AB)方式に用いられる半導体装置用接着剤シート(以
下、TAB用テープと称する)、およびそれを用いた半
導体集積回路接続用基板ならびに半導体装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tape automated bonding (T)
The present invention relates to an adhesive sheet for a semiconductor device (hereinafter, referred to as a TAB tape) used in the AB) method, a substrate for connecting a semiconductor integrated circuit, and a semiconductor device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常のTAB用テープは、ポリイミドフ
ィルム等の可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、未
硬化の接着剤層および保護フィルム層として離型性を有
するポリエステルフィルム等を積層した3層構造より構
成されている。
2. Description of the Related Art An ordinary TAB tape is obtained by laminating a non-cured adhesive layer and a polyester film having releasability as a protective film layer on a flexible organic insulating film such as a polyimide film. It has a three-layer structure.

【0003】TAB用テープは、(1)スプロケットお
よびデバイス孔の穿孔、(2)銅箔との熱ラミネート、
(3)接着剤層のキュア、(4)パターン形成(レジス
ト塗布、エッチング、レジスト除去)、(5)スズまた
は金−メッキ処理などの加工工程を経てTABテープ
(パターンテープ)に加工される。図1にパターンテー
プの形状を示す。有機絶縁性フィルム1上に接着剤2、
導体パターン5があり、フィルムを送るためのスプロケ
ット孔3、デバイスを設置するデバイス孔4がある。図
2に本発明の半導体装置の一態様の断面図を示す。パタ
ーンテープのインナーリード部6を、保護膜11を有す
る半導体集積回路8の金バンプ10に熱圧着(インナー
リードボンディング)し、半導体集積回路を搭載する。
次いで、封止樹脂9による樹脂封止工程を経て半導体装
置が作成される。またインナーリード部を有さず、パタ
ーンテープの導体と半導体集積回路の金バンプとの間を
ワイヤーボンディングで接続する方式も採用されてい
る。このような半導体装置をテープキャリアパッケージ
(TCP)型半導体装置と称する。最後に、TCP型半
導体装置は、他の部品を搭載した回路基板等とアウター
リード7を介して接続(アウターリードボンディング)
され、電子機器への実装がなされる。
[0003] TAB tapes include (1) perforation of sprocket and device holes, (2) thermal lamination with copper foil,
It is processed into a TAB tape (pattern tape) through processing steps such as (3) curing of the adhesive layer, (4) pattern formation (resist coating, etching, resist removal), and (5) tin or gold-plating. FIG. 1 shows the shape of the pattern tape. An adhesive 2 on an organic insulating film 1;
There is a conductor pattern 5, a sprocket hole 3 for feeding a film, and a device hole 4 for installing a device. FIG. 2 is a cross-sectional view of one embodiment of the semiconductor device of the present invention. The inner lead portion 6 of the pattern tape is thermocompression-bonded (inner lead bonding) to the gold bump 10 of the semiconductor integrated circuit 8 having the protective film 11, and the semiconductor integrated circuit is mounted.
Next, a semiconductor device is manufactured through a resin sealing step using a sealing resin 9. In addition, there is also adopted a method in which a conductor of a pattern tape and a gold bump of a semiconductor integrated circuit are connected by wire bonding without having an inner lead portion. Such a semiconductor device is called a tape carrier package (TCP) type semiconductor device. Finally, the TCP type semiconductor device is connected to a circuit board or the like on which other components are mounted via outer leads 7 (outer lead bonding).
Then, mounting on an electronic device is performed.

【0004】一方、近年の電子機器の小型・軽量化に伴
い、半導体パッケージも高密度実装化を目的に、従来の
接続端子(アウターリード)をパッケージ側面に配列し
ていたQFP(クワッド・フラット・パッケージ)、S
OP(スモール・アウトライン・パッケージ)に代わ
り、パッケージの裏面に接続端子を配列するBGA(ボ
ール・グリッド・アレイ)、CSP(チップ・スケール
・パッケージ)、が携帯機器を中心として用いられてき
た。BGA、CSPがQFP、SOPと構造的に最も大
きく異なる点は、前者は、インターポーザーと称される
基板を必要とするのに対し、後者は金属製のリードフレ
ームを用いることにより必ずしも基板を必要としない点
にある。ここでいうインターポーザーは、ガラスエポキ
シ基板やポリイミド等の有機絶縁性フィルムに銅箔を張
り合わせたものが一般的に用いられる。
On the other hand, as electronic devices have become smaller and lighter in recent years, a semiconductor package has a QFP (quad flat flat) in which conventional connection terminals (outer leads) are arranged on the side of the package for the purpose of high-density mounting. Package), S
Instead of an OP (Small Outline Package), a BGA (Ball Grid Array) in which connection terminals are arranged on the back surface of the package, and a CSP (Chip Scale Package) have been used mainly for portable devices. BGA and CSP are the most structurally different from QFP and SOP in that the former requires a substrate called an interposer, while the latter requires a substrate by using a metal lead frame. And not. As the interposer referred to here, one obtained by bonding a copper foil to an organic insulating film such as a glass epoxy substrate or polyimide is generally used.

【0005】上記のいずれのパッケージ形態では、最終
的に半導体装置用接着剤付きテープの接着剤層がパッケ
ージ内に残留するため、絶縁性、耐熱性、接着性等の諸
特性を満たすことが要求される。電子機器の小型化、高
密度化が進行するに伴い、半導体接続用基板のパターン
ピッチ(導体幅および導体間幅)が非常に狭くなってき
ており、高い加工特性を有する接着剤の必要性が高まっ
ている。
In any of the above package forms, since the adhesive layer of the adhesive tape for a semiconductor device ultimately remains in the package, it is necessary to satisfy various properties such as insulation, heat resistance and adhesiveness. Is done. As electronic devices have become smaller and higher in density, the pattern pitch (conductor width and conductor width) of semiconductor connection substrates has become extremely narrow, and the need for adhesives having high processing characteristics has become necessary. Is growing.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】一方、TABテープに
ワイヤーボンディングを行う場合、弾性率の低い接着剤
層であるとボンダーで生じた熱により接着剤層が軟化
し、配線パターンが凹んだり、ワイヤーと配線パターン
間の接合不良が生じる。これに対し硬化後の接着剤の弾
性率を高くすると配線パターンの凹み、接合不良は改善
されるが、TABテープに反りが生じる。一般に接着剤
は未硬化の状態から硬化に伴い収縮する特性を有してい
る。硬化後の接着剤層の弾性率が小さい場合、反りは小
さいが硬化後の接着剤層の膜物性として弾性率が高くな
るほど反りが大きくなる傾向がある。
On the other hand, when wire bonding is performed on a TAB tape, if the adhesive layer has a low elastic modulus, the adhesive layer is softened by heat generated by a bonder, and the wiring pattern is dented or the wire is dented. Connection failure between the wiring pattern. On the other hand, when the elastic modulus of the cured adhesive is increased, the dent of the wiring pattern and the bonding failure are improved, but the TAB tape is warped. In general, an adhesive has a property of contracting from an uncured state with curing. When the elasticity of the cured adhesive layer is small, the warpage is small, but as the elasticity of the cured adhesive layer increases, the warpage tends to increase.

【0007】TABテープが反ってしまうとTABテー
プの搬送時や組み付け時のハンドリング操作を容易に出
来ない。さらに、反ったTABテープに均一の厚さにな
るようにレジストを塗布することは困難であり、得られ
るレジスト層の厚みは不均一になる。このようなレジス
ト層にマスクを当て、露光、現像すると精度の悪いパタ
ーンしか得られず、結果として精度の悪い配線パターン
を得ることになる。したがって、硬化後の弾性率が高
く、かつTABテープの反りが小さくなる接着剤層が必
要とされていた。
If the TAB tape is warped, it is not easy to handle the TAB tape when transporting or assembling the TAB tape. Further, it is difficult to apply the resist to the warped TAB tape so as to have a uniform thickness, and the thickness of the obtained resist layer becomes uneven. When a mask is applied to such a resist layer, and exposure and development are performed, only inaccurate patterns can be obtained. As a result, inaccurate wiring patterns can be obtained. Therefore, there has been a need for an adhesive layer having a high elastic modulus after curing and a small warpage of the TAB tape.

【0008】本発明は、かかる従来技術の背景に鑑み、
TAB用テープの反りを小さく、加工特性に優れたTA
B用テープおよびそれを用いた半導体装置を提供する。
The present invention has been made in view of the background of the prior art,
TA with low warpage of TAB tape and excellent processing characteristics
A tape for B and a semiconductor device using the same are provided.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は少なくとも1層
以上の保護フィルム層と接着剤層からなる積層体を有す
る半導体装置用接着剤シートであって、前記接着剤層が
熱重合開始剤とオキセタン環を有する化合物を含有する
ことを特徴とする半導体装置用接着剤シートである。
The present invention relates to an adhesive sheet for a semiconductor device having a laminate comprising at least one protective film layer and an adhesive layer, wherein the adhesive layer comprises a thermal polymerization initiator. An adhesive sheet for a semiconductor device, comprising a compound having an oxetane ring.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細の説明
する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0011】本発明者らは、上記の課題を達成するため
にTAB用テープの接着剤組成について鋭意検討した結
果、オキセタン環を有する化合物(オキセタン化合物)
を用いることにより、かかる課題を解決したTAB用テ
ープが得られることを見い出し、本発明に至ったもので
ある。
The present inventors have conducted intensive studies on the adhesive composition of TAB tapes in order to achieve the above object, and as a result, have found that compounds having an oxetane ring (oxetane compounds)
The present inventors have found that a TAB tape which solves the above problem can be obtained by using the above-mentioned method, and have reached the present invention.

【0012】本発明に用いられるオキセタン環を有する
化合物は加熱したときのオキセタン環の歪みが小さいの
で極めて硬化収縮性が低いという特徴を有している。ま
たオキセタン化合物と熱重合開始剤の存在下での硬化反
応では、カチオン開環重合して、架橋部はすべてエーテ
ル結合となるので、吸湿性の高いエステル結合や、フリ
ーの水酸基が存在せず、低吸湿性で電気特性等に優れる
という特徴を有している。
The compound having an oxetane ring used in the present invention is characterized by extremely low curing shrinkage due to small distortion of the oxetane ring when heated. In addition, in the curing reaction in the presence of the oxetane compound and the thermal polymerization initiator, cationic ring-opening polymerization is performed, and all the cross-linking portions become ether bonds, so there is no highly hygroscopic ester bond or free hydroxyl group, It is characterized by low hygroscopicity and excellent electrical properties.

【0013】本発明で用いられるオキセタン環を有する
化合物は、下記一般式(1)〜(14)で表される化合
物を用いることが好ましい。
The compound having an oxetane ring used in the present invention is preferably a compound represented by the following general formulas (1) to (14).

【0014】[0014]

【化1】 Embedded image

【0015】一般式(2)において、Zは酸素原子また
は硫黄原子を示す。R1は水素原子、フッ素原子、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の炭素原子数
1〜6個のアルキル基、トリフルオロメチル基、パーフ
ルオロエチル基、パーフルオロプロピル基等の炭素原子
数1〜6個のフルオロアルキル基、フェニル基、ナフチ
ル基等の炭素原子数6〜18のアリール基、フリル基ま
たはチエニル基から選ばれる。R2は、水素原子、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の炭素原子数
1〜6個のアルキル基、1−プロペニル基、2−プロペ
ニル基、2−メチル−1−プロペニル基、2−メチル−
2−プロペニル基、1−ブテニル基、2−ブテニル基、
3−ブテニル基等の炭素原子数2〜6個のアルケニル
基、フェニル基、ナフチル基、アントニル基、フェナン
トリル基等の炭素原子数6〜18のアリール基、ベンジ
ル基、フルオロベンジル基、メトキシベンジル基、フェ
ネチル基、スチリル基、シンナミル基、エトキシベンジ
ル基等の置換または非置換の炭素原子数7〜18のアラ
ルキル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等
のアリーロキシアルキルなどのその他の芳香環を有する
基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ブチ
ルカルボニル基等の炭素原子数2〜6個のアルキルカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニ
ル基、ブトキシカルボニル基等の炭素原子数2〜6個の
アルコキシカルボニル基、エチルカルバモイル基、プロ
ピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、ペンチル
カルバモイル基等の炭素原子数2〜6個のN−アルキル
カルバモイル基から選ばれる。
In the general formula (2), Z represents an oxygen atom or a sulfur atom. R 1 is a carbon atom such as an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group, a trifluoromethyl group, a perfluoroethyl group, and a perfluoropropyl group. It is selected from an aryl group having 6 to 18 carbon atoms such as a fluoroalkyl group having 1 to 6 atoms, a phenyl group and a naphthyl group, a furyl group or a thienyl group. R 2 is a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a butyl group, a 1-propenyl group, a 2-propenyl group, a 2-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-
2-propenyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group,
An alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms such as a 3-butenyl group, an aryl group having 6 to 18 carbon atoms such as a phenyl group, a naphthyl group, an antonyl group, a phenanthryl group, a benzyl group, a fluorobenzyl group, and a methoxybenzyl group Having other aromatic rings such as phenethyl group, styryl group, cinnamyl group, substituted or unsubstituted aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms such as ethoxybenzyl group, aryloxyalkyl such as phenoxymethyl group, phenoxyethyl group. An alkoxycarbonyl group having 2 to 6 carbon atoms such as an alkylcarbonyl group having 2 to 6 carbon atoms, an ethoxycarbonyl group, a propoxycarbonyl group and a butoxycarbonyl group, such as a group, an ethylcarbonyl group, a propylcarbonyl group, and a butylcarbonyl group. Group, ethylcarbamoyl group, propylcarbamoyl group Butylcarbamoyl group, selected from N- alkylcarbamoyl group -C 2-6 such pentylcarbamoyl group.

【0016】[0016]

【化2】 Embedded image

【0017】一般式(3)において、R1は、前記一般
式(2)における定義にあるとおりである。R3は、エ
チレン基、プロピレン基、ブチレン基等の線状あるいは
分枝状の、通常炭素原子数1〜20のアルキレン基、ポ
リ(エチレンオキシ)基、ポリ(プロピレンオキシ)基
等の線状あるいは分枝状の、通常炭素原子数1〜12の
ポリ(アルキレンオキシ)基、プロペニレン基、メチル
プロペニレン基、ブテニレン基等の線状あるいは分枝状
の不飽和炭化水素基、カルボニル基、カルボニル基を含
むアルキレン基、分子鎖の途中にカルボキシル基を含む
アルキレン基、分子鎖の途中にカルバモイル基を含むア
ルキレン基から選ばれる。また、R3は、下記一般式
(4)、(5)および(6)で表される基から選択され
る多価の基を有するものでもよい。
In the general formula (3), R1 is as defined in the general formula (2). R 3 is a linear or branched linear or branched alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, such as an ethylene group, a propylene group or a butylene group, a poly (ethyleneoxy) group, or a poly (propyleneoxy) group. Alternatively, a linear or branched unsaturated hydrocarbon group such as a branched poly (alkyleneoxy) group having 1 to 12 carbon atoms, a propenylene group, a methylpropenylene group, a butenylene group, a carbonyl group, a carbonyl group It is selected from an alkylene group containing a group, an alkylene group containing a carboxyl group in the middle of a molecular chain, and an alkylene group containing a carbamoyl group in the middle of a molecular chain. R 3 may have a polyvalent group selected from the groups represented by the following general formulas (4), (5) and (6).

【0018】[0018]

【化3】 Embedded image

【0019】一般式(4)において、R4は、水素原
子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の炭
素原子数1〜4個のアルキル基、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシキ基、ブトキシ基等の炭素原子数1〜4
個のアルコキシ基、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、低級アルキル
カルボキシル基、カルボキシル基、またはカルバモイル
基から選ばれ、xは1〜4の整数である。
In the general formula (4), R 4 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, 1-4 carbon atoms such as butoxy group
Selected from an alkoxy group, a halogen atom such as a chlorine atom and a bromine atom, a nitro group, a cyano group, a mercapto group, a lower alkylcarboxyl group, a carboxyl group, or a carbamoyl group, and x is an integer of 1 to 4.

【0020】[0020]

【化4】 Embedded image

【0021】一般式(5)において、R5は、酸素原
子、硫黄原子、メチレン基、−NH−、−SO−、−S
2−、−C(CF32、−または−C(CH32−か
ら選ばれる。
In the general formula (5), R 5 is an oxygen atom, a sulfur atom, a methylene group, -NH-, -SO-, -S
It is selected from O 2 —, —C (CF 3 ) 2 , — or —C (CH 3 ) 2 —.

【0022】[0022]

【化5】 Embedded image

【0023】一般式(6)において、R6は、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の炭素原子数1
〜4個のアルキル基またはフェニル基、ナフチル基等の
炭素原子数6〜18のアリール基から選ばれる。yは、
0〜200の整数である。R7はメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基等の炭素原子数1〜4個のアルキ
ル基またはフェニル基、ナフチル基等の炭素原子数6〜
18のアリール基、下記一般式(7)で表される基から
選ばれる。
In the general formula (6), R 6 is a group having 1 carbon atom such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group and a butyl group.
It is selected from C4 to C18 aryl groups such as .about.4 alkyl groups or phenyl groups and naphthyl groups. y is
It is an integer of 0 to 200. R 7 is a methyl group, an ethyl group,
An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a propyl group and a butyl group, or a 6 to 6 carbon atom such as a phenyl group and a naphthyl group.
18 aryl groups, selected from groups represented by the following general formula (7).

【0024】[0024]

【化6】 Embedded image

【0025】一般式(7)において、R8は、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の炭素原子数1
〜4個のアルキル基またはフェニル基、ナフチル基等の
炭素原子数6〜18のアリール基から選ばれる。zは、
0〜100の整数である。
In the general formula (7), R 8 is a group having 1 carbon atom such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group and a butyl group.
It is selected from C4 to C18 aryl groups such as .about.4 alkyl groups or phenyl groups and naphthyl groups. z is
It is an integer of 0 to 100.

【0026】上記以外に下記一般式(8)で表される化
合物等を使用することができる。
In addition to the above, compounds represented by the following general formula (8) can be used.

【0027】[0027]

【化7】 Embedded image

【0028】一般式(8)において、R1、前記一般式
(2)における定義の通りである。R9は、3〜10価
の有機基を示し、下記式(9)〜(11)で表される基
等の炭素原子数1〜30の分枝状または線状のアルキレ
ン基、下記式(12)で表される基等の分枝状ポリ(ア
ルキレンオキシ)基または下記式(13)または(1
4)で表される線状または分枝状ポリシロキサン含有基
から選ばれる。jは、R9の価数に等しい3〜10の整
数を示す。
In the general formula (8), R1 is as defined in the general formula (2). R 9 represents a trivalent to divalent organic group, and is a branched or linear alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, such as a group represented by the following formulas (9) to (11); A branched poly (alkyleneoxy) group such as a group represented by 12) or the following formula (13) or (1)
It is selected from the linear or branched polysiloxane-containing groups represented by 4). j shows the integer of 3-10 equal to the valence of R9.

【0029】[0029]

【化8】 Embedded image

【0030】一般式(9)において、R10はメチル基、
エチル基、プロピル基等の炭素原子数1〜6個のアルキ
ル基から選ばれる。
In the general formula (9), R 10 is a methyl group,
It is selected from an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as an ethyl group and a propyl group.

【0031】[0031]

【化9】 Embedded image

【0032】一般式(12)において、Lは同一または
異なっていてもよく、1〜10の整数である。
In the general formula (12), L may be the same or different and is an integer of 1 to 10.

【0033】また、オキセタン環を有する化合物として
は、上述以外にも、ポリスチレン換算の数平均分子量1
000〜5000程度の高分子量を有する化合物も使用
することができる。
As the compound having an oxetane ring, other than the above, a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 1
Compounds having a high molecular weight of about 000 to 5000 can also be used.

【0034】オキセタン環を有する化合物の好ましい具
体例を列記すると、カーボネートビスオキセタン、アジ
ペートビスオキセタン、テレフタレートビスオキセタ
ン、キシリレンビスオキセタン、MDIビスオキセタ
ン、シクロヘキサンジカルボン酸ビスオキセタン、(3
−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチルベンゼ
ン、1,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメ
トキシ)メチル]ベンゼン、1,2−ビス(3−エチル
−3−オキセタニルメトキシ)エタン、トリメチロール
プロパントリス(3−エチル−3−オキセタニルメチ
ル)エーテルをあげることができ、より好ましくはカー
ボネートビスオキセタン、アジペートビスオキセタン、
テレフタレートビスオキセタン、キシリレンビスオキセ
タン、MDIビスオキセタン、シクロヘキサンジカルボ
ン酸ビスオキセタンの少なくとも1種を含むことが硬化
収縮性や他の成分との相溶性の観点から好ましい。
Preferred specific examples of the compound having an oxetane ring are listed below: carbonate bisoxetane, adipate bisoxetane, terephthalate bisoxetane, xylylene bisoxetane, MDI bisoxetane, bisoxetane cyclohexanedicarboxylate, (3
-Ethyl-3-oxetanylmethoxy) methylbenzene, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 1,2-bis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) ethane, trimethylol And propane tris (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, more preferably carbonate bisoxetane, adipate bisoxetane,
It is preferable to contain at least one of terephthalate bisoxetane, xylylene bisoxetane, MDI bisoxetane, and bisoxetane cyclohexanedicarboxylate from the viewpoint of curing shrinkage and compatibility with other components.

【0035】オキセタン化合物の添加量は接着剤層に占
める割合が0.1から80重量%がよく、好ましくは
0.5から70重量%がよい。0.1重量%より小さい
と接着性が低下し、80重量%より大きいと接着剤層の
可撓性が損なわれる傾向がある。
The content of the oxetane compound in the adhesive layer is preferably 0.1 to 80% by weight, more preferably 0.5 to 70% by weight. If it is less than 0.1% by weight, the adhesiveness tends to decrease, and if it is more than 80% by weight, the flexibility of the adhesive layer tends to be impaired.

【0036】本発明の接着剤層には、上述オキセタン環
を有する化合物に加えて、エポキシ化合物を併用するこ
とができる。具体的なエポキシ化合物としては、フェノ
ールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ化合物、ビスフェノールA型エポキシ化合
物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、ビスフェノー
ルS型エポキシ化合物、チオジフェノール、フェノー
ル、ナフトール類のキシリレン結合によるアラルキル樹
脂のエポキシ化合物、フェノール−ジシクロペンタジエ
ン樹脂のエポキシ化合物、環式脂肪族エポキシ化合物、
複素環式エポキシ化合物、フタル酸、ダイマー酸等の多
塩基酸とエピクロロヒドリンとの反応によって得られる
グリシジルエステル型エポキシ化合物、ジアミノジフェ
ニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、イソシアヌ
ル酸などのポリアミンとエピクロロヒドリンの反応によ
って得られるグリシジルアミン型エポキシ化合物、臭素
化エポキシ化合物、ε−カプロラクトン変性3,4−エ
ポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’−エポキシシ
クロヘキサンカルボキシレート、トリメチルカプロラク
トン変性3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−
3’,4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレー
ト、β−メチルδバレロラクトン変性3,4−エポキシ
シクロヘキシルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘ
キサンカルボキシレートなどのシクロヘキセンオキサイ
ド構造を有するエポキシ化合物等を使用することができ
る。さらに、グリシジル基を有するオルガノポリシロキ
サンや上述のエポキシ化合物とカルボキシル基含有オル
ガノシロキサンとを反応させて得られるシリコン変性エ
ポキシ化合物を使用することができるが、本発明はこれ
らに限定されない。また、これらのエポキシ化合物また
はシリコン変性エポキシ化合物の少なくとも1種類以上
を組み合わせて使用してもよい。この中でもカチオン開
環反応を行う環式脂肪族エポキシ化合物等が好ましく使
用される。
In the adhesive layer of the present invention, an epoxy compound can be used in addition to the compound having an oxetane ring. Specific epoxy compounds include a phenol novolak type epoxy compound, a cresol novolak type epoxy compound, a bisphenol A type epoxy compound, a bisphenol F type epoxy compound, a bisphenol S type epoxy compound, a thiodiphenol, a phenol and a xylylene bond of naphthols. Aralkyl resin epoxy compound, phenol-dicyclopentadiene resin epoxy compound, cycloaliphatic epoxy compound,
Heterocyclic epoxy compounds, glycidyl ester-type epoxy compounds obtained by the reaction of polybasic acids such as phthalic acid and dimer acid with epichlorohydrin, polyamines such as diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone and isocyanuric acid and epichlorohydrin Glycidylamine type epoxy compound, brominated epoxy compound, ε-caprolactone-modified 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexanecarboxylate, trimethylcaprolactone-modified 3,4-epoxycyclohexylmethyl-
Use of an epoxy compound having a cyclohexene oxide structure, such as 3 ′, 4′-epoxycyclohexanecarboxylate and β-methylδvalerolactone-modified 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexanecarboxylate. Can be. Further, an organopolysiloxane having a glycidyl group or a silicon-modified epoxy compound obtained by reacting the above-described epoxy compound with a carboxyl-containing organosiloxane can be used, but the present invention is not limited thereto. Also, at least one of these epoxy compounds or silicon-modified epoxy compounds may be used in combination. Among these, a cycloaliphatic epoxy compound that performs a cation ring opening reaction is preferably used.

【0037】本発明の接着剤層での、オキセタン化合物
とエポキシ化合物の混合比率は、好ましくはオキセタン
化合物100重量部に対し、エポキシ化合物0.1〜5
0重量部である。エポキシ化合物の含有量が少なすぎる
と、開始反応の高速化に有効でなく、含有量が多すぎる
と硬化後の反りが大きくなりやすく、保存安定性の低下
が激しくなる。
The mixing ratio of the oxetane compound and the epoxy compound in the adhesive layer of the present invention is preferably from 0.1 to 5 parts by weight of the epoxy compound to 100 parts by weight of the oxetane compound.
0 parts by weight. If the content of the epoxy compound is too small, it is not effective in increasing the speed of the initiation reaction, and if the content is too large, the warpage after curing tends to be large, and the storage stability is greatly reduced.

【0038】本発明の接着剤層には、熱重合開始剤を含
有されるものであるが、かかる熱重合開始剤の中でも、
加熱により酸を発生するカチオン性熱重合開始剤が好ま
しく使用される。カチオン性熱重合開始剤の具体例とし
ては、金属キレート化合物とスルホニウム塩化合物の2
種の化合物が好ましく使用される。金属キレート化合物
としては、アルミニウムトリスアセチルアセトネート、
スルホニウム塩化合物としては、ジアルキルベンジルス
ルホニウム、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチル
スルホニウム、ヘキサフルオロアンチモネート、ベンジ
ル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム、ヘキ
サフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシフ
ェニルメチルスルホニウム、ヘキサフルオロアンチモネ
ート、ベンジル−2−メチル−4−ヒドロキシフェニル
メチルスルホニウム、ヘキサフルオロアンチモネート、
ベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチル
スルホニウム等を使用することができる。カチオン性熱
重合開始剤の市販品の具体例としては、“サンエイドS
I”シリーズ(三新化学社製)などを使用することがで
きる。なお、これらのカチオン性熱重合開始剤は単独で
使用してもよいし、2種以上混合して使用してもよい。
The adhesive layer of the present invention contains a thermal polymerization initiator, and among such thermal polymerization initiators,
A cationic thermal polymerization initiator that generates an acid upon heating is preferably used. Specific examples of the cationic thermal polymerization initiator include a metal chelate compound and a sulfonium salt compound.
Certain compounds are preferably used. As metal chelate compounds, aluminum trisacetylacetonate,
Examples of the sulfonium salt compound include dialkylbenzylsulfonium, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium, hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium, hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxyphenylmethylsulfonium, and hexafluoroantimony. Benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium, hexafluoroantimonate,
Benzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium and the like can be used. Specific examples of commercially available cationic thermal polymerization initiators include “San Aid S”
I "series (manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) can be used. These cationic thermal polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.

【0039】カチオン性熱重合開始剤は、オキセタン環
を有する化合物100重量部に対し、好ましくは0.1
〜10重量部、より好ましくは0.5〜5重量部配合さ
れる。カチオン性熱重合開始剤の含有量が少なすぎると
カチオン重合反応速度(硬化速度)が低下するために、
充分な硬化物を得られなかったり、時間がかかる。カチ
オン性熱重合開始剤の含有量が多すぎると、保存安定性
が低下したり、接着剤層の電気絶縁性が低下する。
The cationic thermal polymerization initiator is preferably used in an amount of 0.1 to 100 parts by weight of the compound having an oxetane ring.
10 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 5 parts by weight. If the content of the cationic thermal polymerization initiator is too small, the cationic polymerization reaction rate (curing rate) decreases,
Sufficient cured product cannot be obtained or it takes time. If the content of the cationic thermal polymerization initiator is too large, the storage stability is reduced, and the electrical insulation of the adhesive layer is reduced.

【0040】本発明では熱重合開始剤とオキセタン化合
物の他に、熱可塑性樹脂を含有していてもよく、本発明
で使用される熱可塑性樹脂は80℃から200℃の温度
範囲で可塑性を示すものであれば特に限定されず、この
ような樹脂にはポリエチレン、ポリプロピレン、エチレ
ン共重合樹脂等のポリオレフィン、ポリスチレン、AB
S樹脂等のスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニ
リデン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナ
フタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアリレ
ート樹脂、ポリオキシベンゾイル、ポリカーボネート、
ポリアセタール、ポリフェニレンエーテルなどがある。
In the present invention, a thermoplastic resin may be contained in addition to the thermal polymerization initiator and the oxetane compound, and the thermoplastic resin used in the present invention exhibits plasticity in a temperature range of 80 ° C. to 200 ° C. The resin is not particularly limited, and examples of such a resin include polyolefins such as polyethylene, polypropylene, and ethylene copolymer resin, polystyrene, and AB.
S-based resin such as S resin, polyvinyl chloride, vinylidene chloride, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyarylate resin, polyoxybenzoyl, polycarbonate,
Examples include polyacetal and polyphenylene ether.

【0041】なかでも高温時の劣化性、電気特性がよい
ことからポリアミド樹脂が好ましく用いられる。ポリア
ミド樹脂は、公知の種々のものが使用できる。特に、接
着剤層に可撓性を持たせ、かつ低吸水の炭素数が36で
あるジカルボン酸(いわゆるダイマー酸)を必須成分と
して含むものが好適である。ダイマー酸を含むポリアミ
ド樹脂は、常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合に
より得られるが、この際にダイマー酸以外のアジピン
酸、アゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重
合成分として含有してもよい。ジアミンはエチレンジア
ミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン、等の公知
のものが使用でき、吸湿性、溶解性の点から2種以上の
混合でもよい。
Of these, polyamide resins are preferably used because of their good deterioration at high temperatures and good electrical properties. Various known polyamide resins can be used. In particular, it is preferable that the adhesive layer has flexibility and contains dicarboxylic acid (so-called dimer acid) having a low water absorption of 36 carbon atoms as an essential component. Polyamide resin containing dimer acid is obtained by polycondensation of dimer acid and diamine according to a conventional method.In this case, adipic acid other than dimer acid, azelaic acid, dicarboxylic acid such as sebacic acid is contained as a copolymer component. Is also good. Known diamines such as ethylenediamine, hexamethylenediamine, and piperazine can be used as the diamine, and two or more diamines may be mixed from the viewpoint of hygroscopicity and solubility.

【0042】熱可塑性樹脂の接着剤層に含まれる割合は
1〜90重量%の範囲が好ましい。1重量%より小さい
と柔軟性に問題を生じ、接着剤層が割れるおそれがあ
る。また90重量%より大きいと絶縁性が悪化するため
に信頼性が低下する。さらに好ましくは20〜70重量
%の範囲が好ましい。
The proportion of the thermoplastic resin contained in the adhesive layer is preferably in the range of 1 to 90% by weight. If it is less than 1% by weight, there is a problem in flexibility, and the adhesive layer may be cracked. On the other hand, if it is more than 90% by weight, the insulation property is deteriorated and the reliability is lowered. More preferably, the range is 20 to 70% by weight.

【0043】さらに本発明の接着剤層には硬化剤を含ん
でいてもよく、ジエチレントリアミン、トリエチレンテ
トラミン、メタキシレンジアミン、ジアミノジフェニル
メタン等のポリアミン類、ダイマー酸ポリアミド等のポ
リアミド、無水フタル酸、テトラヒドロメチル無水フタ
ル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット
酸、無水メチルナジック酸等の酸無水物、3−アミノフ
ェノール、レゾルシノール、カテコール、ハイドロキノ
ン、ピロガロール、3−ヒドロキシ安息香酸、3−シア
ノフェノール、2,3−ジアミノフェノール、2−アミ
ノ−3−ヒドロキシ安息香酸、3−ヒドロキシフェニル
アセトアミド、3−ヒドロキシイソフタル酸、3−ヒド
ロキシフェニル酢酸および3−フェノールスルホン酸、
レゾール、フェノールノボラック、フェノールアラルキ
ル、ビスフェノールA、ビスフェノールF、等のフェノ
ール樹脂、ポリメルカプタン、2−エチル−4−メチル
イミダゾール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノ
ール、等の第3級アミン類、3フッ化ホウ素・エチルア
ミン錯体等のルイス酸錯体があげられる。
Further, the adhesive layer of the present invention may contain a curing agent, such as polyamines such as diethylenetriamine, triethylenetetramine, metaxylenediamine, and diaminodiphenylmethane; polyamides such as dimer acid polyamide; phthalic anhydride; Acid anhydrides such as methyl phthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, trimellitic anhydride, and methyl nadic anhydride, 3-aminophenol, resorcinol, catechol, hydroquinone, pyrogallol, 3-hydroxybenzoic acid, 3-cyanophenol, , 3-diaminophenol, 2-amino-3-hydroxybenzoic acid, 3-hydroxyphenylacetamide, 3-hydroxyisophthalic acid, 3-hydroxyphenylacetic acid and 3-phenolsulfonic acid,
Phenolic resins such as resole, phenol novolak, phenol aralkyl, bisphenol A, bisphenol F, etc., tertiary amines such as polymercaptan, 2-ethyl-4-methylimidazole, tris (dimethylaminomethyl) phenol, etc., trifluoride Lewis acid complexes such as boron-ethylamine complex.

【0044】なかでも硬化剤にはフェノール樹脂が好ま
しく用いられる。フェノール樹脂はポリアミドと相溶性
が良好であり、かつ熱硬化により、ポリアミドに適度な
耐熱性と破壊強度を付与するために好適なブレンド材料
である。このような耐熱性と破壊強度が、最終的に絶縁
性と接着性のバランスに重要となる。
Among them, a phenol resin is preferably used as a curing agent. Phenol resin is a suitable blend material having good compatibility with polyamide and imparting appropriate heat resistance and breaking strength to polyamide by thermosetting. Such heat resistance and breaking strength are ultimately important for the balance between insulation and adhesion.

【0045】硬化剤の添加量は接着剤層に占める割合が
0.1から80重量%がよく、好ましくは20から70
重量%がよい。0.1重量%を下回ると耐熱性が低下
し、80重量%を越えると接着剤層の可撓性が損なわ
れ、接着剤層が割れる。
The amount of the curing agent added is preferably 0.1 to 80% by weight of the adhesive layer, and more preferably 20 to 70% by weight.
% By weight is good. If the amount is less than 0.1% by weight, the heat resistance decreases. If the amount exceeds 80% by weight, the flexibility of the adhesive layer is impaired, and the adhesive layer is cracked.

【0046】さらに、本発明の接着剤層に硬化促進剤を
添加することは何等制限されない。たとえば、芳香族ポ
リアミン、三フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の三
フッ化ホウ素のアミン錯体、2−アルキル−4−メチル
イミダゾール、2−フェニル−4−アルキルイミダゾー
ル等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメ
リット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェニル
フォスフィン等公知のものが使用できる。硬化促進剤の
添加量は接着剤層に占める割合が10重量%以下の範囲
がよい。
Further, addition of a curing accelerator to the adhesive layer of the present invention is not limited at all. For example, aromatic polyamines, amine complexes of boron trifluoride such as boron trifluoride triethylamine complex, imidazole derivatives such as 2-alkyl-4-methylimidazole and 2-phenyl-4-alkylimidazole, phthalic anhydride, trianhydride Organic acids such as melitic acid, dicyandiamide, and known compounds such as triphenylphosphine can be used. The amount of the curing accelerator added is preferably in the range of 10% by weight or less in the adhesive layer.

【0047】以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわ
ない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機
成分を添加することは何ら制限されるものではない。
In addition to the above components, the addition of organic or inorganic components such as an antioxidant and an ion scavenger is not limited as long as the properties of the adhesive are not impaired.

【0048】本発明では、必要に応じて保護フィルムと
接着剤層の他に可撓性を有する絶縁性フィルムを用いて
もよく、これはポリイミド、ポリエステル、ポリフェニ
レンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテル
エーテルケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリア
リレート、等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸
ガラスクロス等の複合材料からなる厚さ25〜125μ
mのフィルムであり、これらから選ばれる複数のフィル
ムを積層して用いても良い。また必要に応じて、加水分
解、コロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着
コーティング処理等の表面処理を施すことができる。
In the present invention, if necessary, a flexible insulating film may be used in addition to the protective film and the adhesive layer, which may be made of polyimide, polyester, polyphenylene sulfide, polyether sulfone, polyether ether. A thickness of 25 to 125 μ made of a plastic such as ketone, aramid, polycarbonate, polyarylate or a composite material such as an epoxy resin impregnated glass cloth.
m, and a plurality of films selected from these may be laminated and used. If necessary, a surface treatment such as hydrolysis, corona discharge, low-temperature plasma, physical surface roughening, and easy adhesion coating treatment can be performed.

【0049】本発明でいう保護フィルム層とは、銅箔を
熱ラミネートする前に接着剤面からTAB用テープの形
態を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、
たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコーティン
グ処理を施したポリエステルフィルム、ポリオレフィン
フィルム、およびこれらをラミネートした紙が挙げられ
る。
The protective film layer in the present invention is not particularly limited as long as it can be peeled from the adhesive surface without damaging the form of the TAB tape before heat laminating the copper foil.
For example, a polyester film or a polyolefin film coated with a silicone or fluorine compound, and a paper obtained by laminating the same.

【0050】次に本発明の接着剤シートに関して、TA
B用接着剤付きテープを例にその製造方法について説明
する。可撓性を有する絶縁性フィルムに、上記接着剤組
成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。接着剤層
の膜厚は5〜25μmとなるように塗布することが好ま
しい。乾燥条件は、100〜200℃、1〜5分であ
る。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレン、
クロルベンゼン等の芳香族系とメタノール、エタノー
ル、プロパノール等のアルコール系の混合が好適であ
る。このようにして得られたフィルムに保護フィルムを
ラミネートし、最後に35〜158mm程度の幅にスリ
ットする。
Next, regarding the adhesive sheet of the present invention, TA
The method of manufacturing the tape with the adhesive for B will be described as an example. A paint in which the adhesive composition is dissolved in a solvent is applied to a flexible insulating film and dried. It is preferable to apply the adhesive layer so that the film thickness is 5 to 25 μm. Drying conditions are 100 to 200 ° C. for 1 to 5 minutes. The solvent is not particularly limited, but toluene, xylene,
Mixtures of aromatics such as chlorobenzene and alcohols such as methanol, ethanol and propanol are preferred. A protective film is laminated on the film thus obtained, and finally slit into a width of about 35 to 158 mm.

【0051】このようにして得られた半導体装置用接着
剤付きテープを用いて、半導体接続用基板が製造でき
る。さらに半導体接続用基板を用いて半導体装置が製造
できる。なお、上記に挙げたBGA、CSPなどの半導
体装置にも本発明のTAB用接着剤付きテープを使用す
ることができ、得られたBGA、CSPも本発明の半導
体装置に含まれる。
A substrate for semiconductor connection can be manufactured using the tape with an adhesive for a semiconductor device thus obtained. Further, a semiconductor device can be manufactured using the semiconductor connection substrate. The tape with an adhesive for TAB of the present invention can be used for the semiconductor devices such as BGA and CSP described above, and the obtained BGA and CSP are also included in the semiconductor device of the present invention.

【0052】[0052]

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実
施例の説明に入る前に評価方法について述べる。
EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples.
The present invention is not limited to these examples. Before starting the description of the embodiments, an evaluation method will be described.

【0053】評価方法 (1)反り 35mm幅のTAB用接着剤付きテープサンプルに18
μmの電解銅箔を、140℃、0.1MPaの条件でラ
ミネートした。続いてエアオーブン中で、80℃、3時
間、100℃、5時間、150℃、5時間の順次加熱処
理を行ない、銅箔付きTAB用テープを作成した。得ら
れた銅箔付きTAB用テープを40×35mmの大きさ
に切り出し、銅箔を全面エッチングし、反り測定サンプ
ルとした。反りは、接着剤層を上面にしてサンプルの4
角の平均高さ(mm)を求めた。 (2)弾性率測定 接着剤層のみの膜をラミネーターを用いて積層し所定の
厚さとした後、80℃、3時間、100℃、5時間、1
50℃、5時間の順次加熱処理を行ない硬化させた。つ
いで、所定の形状に切り出し、弾性率を測定した。測定
は、セイコーインスツルメンツ(株)製DMS6100
を用い室温から260℃の範囲で振動周波数1Hz、サ
ンプル昇温速度5℃/分で測定した。 (3)ワイヤーボンディング性 ボンダーにて、ワイヤーボンディングを100カ所行
い、位置ずれ、リードパターンの接着剤層への沈み込み
による凹みなどを起因とする接合不良率(%)を求め
た。
Evaluation method (1) Warp A tape sample with an adhesive for TAB having a width of 35 mm was 18
A μm electrolytic copper foil was laminated under the conditions of 140 ° C. and 0.1 MPa. Subsequently, in an air oven, heat treatment was sequentially performed at 80 ° C., 3 hours, 100 ° C., 5 hours, 150 ° C., and 5 hours to prepare a TAB tape with a copper foil. The obtained TAB tape with copper foil was cut into a size of 40 × 35 mm, and the entire copper foil was etched to obtain a warpage measurement sample. Warpage was measured with the adhesive layer facing up.
The average height (mm) of the corner was determined. (2) Elastic modulus measurement After laminating a film of only the adhesive layer using a laminator to a predetermined thickness, the film was heated at 80 ° C. for 3 hours, at 100 ° C. for 5 hours,
Heat treatment was sequentially performed at 50 ° C. for 5 hours to cure. Next, it was cut out into a predetermined shape and the elastic modulus was measured. The measurement was performed using a Seiko Instruments DMS6100.
The temperature was measured from room temperature to 260 ° C. at a vibration frequency of 1 Hz and a sample heating rate of 5 ° C./min. (3) Wire Bonding Property 100 wire bondings were performed with a bonder, and a bonding failure rate (%) due to a displacement, a dent due to sinking of the lead pattern into the adhesive layer, and the like were determined.

【0054】参考例1(ポリアミド樹脂の合成) 酸としてダイマー酸PRIPOL1009(ユニケマ社
製)およびアジピン酸を用い、酸/アミン比をほぼ等量
の範囲で、酸/アミン反応物、消泡剤および1%以下の
リン酸触媒を加え、反応体を調製した。この反応体を、
140℃、1時間撹拌加熱後、205℃まで昇温し、約
1.5時間撹拌した。約2kPaの真空下で、0.5時
間保持し、温度を低下させた。最後に、酸化防止剤を添
加し、重量平均分子量20000、酸価10のポリアミ
ド樹脂を取り出した。
REFERENCE EXAMPLE 1 (Synthesis of polyamide resin) Dimer acid PRIPOL1009 (manufactured by Unichema) and adipic acid were used as the acid, and the acid / amine ratio was almost equal, and the acid / amine reactant, defoaming agent and 1% or less of a phosphoric acid catalyst was added to prepare a reactant. This reactant is
After stirring and heating at 140 ° C for 1 hour, the temperature was raised to 205 ° C, and the mixture was stirred for about 1.5 hours. It was kept under vacuum of about 2 kPa for 0.5 hour to lower the temperature. Finally, an antioxidant was added, and a polyamide resin having a weight average molecular weight of 20,000 and an acid value of 10 was taken out.

【0055】実施例1〜4 半導体用接着剤付きテープ(シート)の作製 参考例で得たポリアミド樹脂と表1に示した原料を表2
に示した配合量にそれぞれ調合した。ここで熱重合開始
剤は実施例1の場合、オキセタン化合物100重量部に
対し、1重量部配合している。調合した原料を濃度20
重量%となるようにメタノール/モノクロルベンゼン混
合溶媒に30℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成し
た。この接着剤をバーコータで、厚さ25μmのポリエ
チレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製“ルミラ
ー”)に約12μmの乾燥厚さとなるように塗布し、1
00℃、1分および160℃で2分間の乾燥を行ない接
着剤シートを作成した。さらに、得られた接着剤シート
を厚さ75μmのポリイミドフィルム(宇部興産(株)
製“ユーピレックス”75S)に120℃、0.1MP
aの条件でラミネートしてTAB用接着剤付きテープを
作成した。作成したテープを用いて前記した評価方法で
評価した結果を表2に示す。
Examples 1 to 4 Preparation of Tape (Sheet) with Adhesive for Semiconductor The polyamide resin obtained in the reference example and the raw materials shown in Table 1 were used in Table 2
Were blended in the amounts shown in Table 1. Here, in the case of Example 1, 1 part by weight of the thermal polymerization initiator was added to 100 parts by weight of the oxetane compound. The blended raw material has a concentration of 20
The mixture was stirred and mixed at 30 ° C. with a mixed solvent of methanol / monochlorobenzene so as to obtain an adhesive solution at a concentration of 30% by weight. This adhesive was applied to a 25 μm-thick polyethylene terephthalate film (“Lumirror” manufactured by Toray Industries, Inc.) using a bar coater to a dry thickness of about 12 μm.
Drying was performed at 00 ° C. for 1 minute and at 160 ° C. for 2 minutes to prepare an adhesive sheet. Further, the obtained adhesive sheet is coated with a 75 μm-thick polyimide film (Ube Industries, Ltd.)
"UPILEX" 75S) at 120 ℃, 0.1MP
A tape with an adhesive for TAB was prepared by laminating under the conditions of a. Table 2 shows the results of the evaluation by the above-described evaluation method using the prepared tape.

【0056】比較例1 実施例1のオキセタン化合物の代わりに表1にあるエポ
キシ樹脂(V)に変えた他は実施例1と同様に行った。
Comparative Example 1 The procedure of Example 1 was repeated, except that the epoxy resin (V) shown in Table 1 was used instead of the oxetane compound of Example 1.

【0057】比較例2 実施例1のオキセタン化合物の代わりに表1にあるエポ
キシ樹脂(V)に変え、熱重合開始剤を除去した他は実
施例1と同様に行った。
Comparative Example 2 The procedure of Example 1 was repeated, except that the epoxy resin (V) shown in Table 1 was used instead of the oxetane compound of Example 1, and the thermal polymerization initiator was removed.

【0058】比較例3 オキセタン化合物を含まず、表2に記載された組成物に
した以外は実施例1と同様に行った。
Comparative Example 3 The procedure of Example 1 was repeated except that the oxetane compound was not used and the composition shown in Table 2 was used.

【0059】[0059]

【表1】 [Table 1]

【0060】[0060]

【表2】 [Table 2]

【0061】表2より本発明のオキセタン化合物を用い
た実施例が使用していない比較例に比較し反りが小さく
なった。さらに、比較例3において反りは小さいが、ワ
イヤーボンディングにおける接合不良率が大きかった。
Table 2 shows that the examples using the oxetane compound of the present invention showed less warpage than the comparative examples not using them. Furthermore, in Comparative Example 3, the warpage was small, but the bonding failure rate in wire bonding was large.

【0062】[0062]

【発明の効果】本発明は接着性に優れた新規なTAB用
接着剤付きテープおよびそれを用いた半導体装置を工業
的に提供するものであり、TAB用テープの反り小さ
く、加工特性に優れたTAB用テープおよびそれを用い
た半導体装置を提供する。
Industrial Applicability The present invention provides a novel TAB adhesive tape with excellent adhesiveness and a semiconductor device using the same industrially. The TAB tape has a small warpage and excellent processing characteristics. Provided is a TAB tape and a semiconductor device using the same.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の半導体装置用接着剤シートを用いた
パターンテープの一態様
FIG. 1 shows an embodiment of a pattern tape using an adhesive sheet for a semiconductor device of the present invention.

【図2】 本発明の半導体装置の一態様FIG. 2 illustrates one embodiment of a semiconductor device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 有機絶絶縁性フィルム 2 接着剤 3 スプロケット孔 4 デバイス孔 5 導体パターン 6 インナーリード部 7 アウターリード部 8 半導体集積回路 9 封止樹脂 10 金バンプ 11 保護膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic insulating film 2 Adhesive 3 Sprocket hole 4 Device hole 5 Conductor pattern 6 Inner lead part 7 Outer lead part 8 Semiconductor integrated circuit 9 Sealing resin 10 Gold bump 11 Protective film

フロントページの続き Fターム(参考) 4J004 AA11 AA17 AB05 CA04 CA06 CC02 CC03 CD05 CD06 FA05 4J005 AA07 BB02 4J040 EE031 HD43 JA09 JB02 KA12 MA02 MB03 NA20 PA23 PA30 5F044 MM11 Continued on the front page F term (reference) 4J004 AA11 AA17 AB05 CA04 CA06 CC02 CC03 CD05 CD06 FA05 4J005 AA07 BB02 4J040 EE031 HD43 JA09 JB02 KA12 MA02 MB03 NA20 PA23 PA30 5F044 MM11

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも1層以上の保護フィルム層と接
着剤層からなる積層体を有する半導体装置用接着剤シー
トであって、前記接着剤層が熱重合開始剤とオキセタン
環を有する化合物を含有することを特徴とする半導体装
置用接着剤シート。
An adhesive sheet for a semiconductor device having a laminate comprising at least one protective film layer and an adhesive layer, wherein the adhesive layer contains a thermal polymerization initiator and a compound having an oxetane ring. An adhesive sheet for a semiconductor device, comprising:
【請求項2】オキセタン環を有する化合物が、カーボネ
ートビスオキセタン、アジペートビスオキセタン、テレ
フタレートビスオキセタン、キシリレンビスオキセタ
ン、MDIビスオキセタン及びシクロヘキサンジカルボ
ン酸ビスオキセタンから選ばれた少なくとも一種である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置用接着剤シ
ート。
2. The compound having an oxetane ring is at least one selected from carbonate bisoxetane, adipate bisoxetane, terephthalate bisoxetane, xylylene bisoxetane, MDI bisoxetane and bisoxetane cyclohexanedicarboxylate. The adhesive sheet for a semiconductor device according to claim 1.
【請求項3】熱重合開始剤がカチオン性熱重合開始剤を
含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置用接着
剤シート。
3. The adhesive sheet for a semiconductor device according to claim 1, wherein the thermal polymerization initiator contains a cationic thermal polymerization initiator.
【請求項4】熱重合開始剤が、金属キレート化合物を含
有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置用接
着剤シート。
4. The adhesive sheet for a semiconductor device according to claim 1, wherein the thermal polymerization initiator contains a metal chelate compound.
【請求項5】オキセタン環を有する化合物100重量部
に対し、熱重合開始剤が0.1〜10重量部であること
を特徴とする請求項1記載の半導体装置用接着剤シー
ト。
5. The adhesive sheet for a semiconductor device according to claim 1, wherein the thermal polymerization initiator is used in an amount of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the compound having an oxetane ring.
【請求項6】請求項1〜5のいずれか記載の半導体装置
用接着剤シートを用いた半導体装置。
6. A semiconductor device using the adhesive sheet for a semiconductor device according to claim 1.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003128779A (en) * 2001-10-29 2003-05-08 Toagosei Co Ltd Thermosetting composition
JP2006131849A (en) * 2004-11-09 2006-05-25 Toagosei Co Ltd Two-pack curable composition

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