JP2002118291A - 可視光発光ダイオードの堆積製造方法 - Google Patents
可視光発光ダイオードの堆積製造方法Info
- Publication number
- JP2002118291A JP2002118291A JP2000302265A JP2000302265A JP2002118291A JP 2002118291 A JP2002118291 A JP 2002118291A JP 2000302265 A JP2000302265 A JP 2000302265A JP 2000302265 A JP2000302265 A JP 2000302265A JP 2002118291 A JP2002118291 A JP 2002118291A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- phosphor
- film
- light
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造工程を簡素化して生産コストを下げ製品
の品質をより均一とする発光ダイオードの製造方法を提
供する。 【構成】 可視光発光ダイオードの堆積製造方法製造方
法が下記のステップを含む。チップ固着：１つ以上の連
接部に発光チップを固定して、前記連接部を電源に接続
する。ボンディング：発光チップと連接部の適当な位置
に導電可能な導線を接続する。半成型：発光チップの外
側に所定厚さと透光性の隔離膜を成型する。膜被覆：隔
離膜が完全に固化する前に蛍光体膜をその上に被覆し
て、前記蛍光体膜の蛍光体を隔離膜表面内に堆積浸透さ
せる。
の品質をより均一とする発光ダイオードの製造方法を提
供する。 【構成】 可視光発光ダイオードの堆積製造方法製造方
法が下記のステップを含む。チップ固着：１つ以上の連
接部に発光チップを固定して、前記連接部を電源に接続
する。ボンディング：発光チップと連接部の適当な位置
に導電可能な導線を接続する。半成型：発光チップの外
側に所定厚さと透光性の隔離膜を成型する。膜被覆：隔
離膜が完全に固化する前に蛍光体膜をその上に被覆し
て、前記蛍光体膜の蛍光体を隔離膜表面内に堆積浸透さ
せる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオードの製
造方法に関して、特に堆積浸透方法により蛍光体を発光
ダイオードの表面層に拡散浸透により混入して、蛍光体
に発光チップの光を吸収させて、光波長が異なる光のエ
ミットと吸収を行い、発光チップがエミットする光と混
合して白、赤、緑などにする可視光発光ダイオードの堆
積製造方法に関する。
造方法に関して、特に堆積浸透方法により蛍光体を発光
ダイオードの表面層に拡散浸透により混入して、蛍光体
に発光チップの光を吸収させて、光波長が異なる光のエ
ミットと吸収を行い、発光チップがエミットする光と混
合して白、赤、緑などにする可視光発光ダイオードの堆
積製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオードは小さいサイズと消費電
力、そして優れた耐振性などの長所を備えているため、
徐々に広く使用されてきている。特に、白色光波長の発
光ダイオードは、近来、一般の蛍光灯の照明に替わって
使用されてきている。
力、そして優れた耐振性などの長所を備えているため、
徐々に広く使用されてきている。特に、白色光波長の発
光ダイオードは、近来、一般の蛍光灯の照明に替わって
使用されてきている。
【０００３】現在の白色光波長の発光ダイオードは発光
ダイオードが具備する単色性波長ピーク値の特性を利用
する。すなわち、赤、緑、青の三原色、あるいは黄、青
二色の発光チップを並列に配列、電流電圧の制御により
拡散混合させて白色光を発生させる。しかし、２種類以
上のカラー発光チップを並べて光を混合する発光ダイオ
ードは混合した光が不均等な状況が発生して、光がまだ
らとなった。
ダイオードが具備する単色性波長ピーク値の特性を利用
する。すなわち、赤、緑、青の三原色、あるいは黄、青
二色の発光チップを並列に配列、電流電圧の制御により
拡散混合させて白色光を発生させる。しかし、２種類以
上のカラー発光チップを並べて光を混合する発光ダイオ
ードは混合した光が不均等な状況が発生して、光がまだ
らとなった。
【０００４】図９と図１０に示すのは、従来技術の白色
光波長をエミットする発光ダイオード９で、それは下記
のステップを含んでいた。 １．チップ固着８１：発光ダイオード９の足９１上に導
電性接着剤により青色の発光チップ９３を固着する。 ２．ボンディング８２：発光チップ９３と足９１上に導
電が可能な導線９６をボンディングする。 ３．混合８３：発光体９４１とシリコン樹脂を予め混合
して塗布接着剤９４とする。 ４．接着剤注入８４：上記の塗布接着剤９４で発光チッ
プ９３の外側を被覆する。 ５．成型８５：足９１外側に型射出によりエポキシ樹脂
の被覆９５を成型して発光ダイオード９とする。 ６．テスト８６：発光ダイオード９に対して、必要な発
光スペクトルなどのテストを行う。 上記の発光ダイオード９は発光チップ９３から青色光を
エミットして、発光体９４１にその一部分の光を吸収さ
せて、黄色光をエミットし、青色光と黄光を混合して白
色の光とする。
光波長をエミットする発光ダイオード９で、それは下記
のステップを含んでいた。 １．チップ固着８１：発光ダイオード９の足９１上に導
電性接着剤により青色の発光チップ９３を固着する。 ２．ボンディング８２：発光チップ９３と足９１上に導
電が可能な導線９６をボンディングする。 ３．混合８３：発光体９４１とシリコン樹脂を予め混合
して塗布接着剤９４とする。 ４．接着剤注入８４：上記の塗布接着剤９４で発光チッ
プ９３の外側を被覆する。 ５．成型８５：足９１外側に型射出によりエポキシ樹脂
の被覆９５を成型して発光ダイオード９とする。 ６．テスト８６：発光ダイオード９に対して、必要な発
光スペクトルなどのテストを行う。 上記の発光ダイオード９は発光チップ９３から青色光を
エミットして、発光体９４１にその一部分の光を吸収さ
せて、黄色光をエミットし、青色光と黄光を混合して白
色の光とする。
【０００５】しかし、従来の発光ダイオード９は以下の
欠点を有していた。 １．まずチップ固着、ボンディングの動作を行い、塗布
接着剤９４は別に予め混合しておく。そして、予め混合
した適当な濃度の塗布接着剤９４をその上に塗るが、そ
の製造工程はとても複雑なため、生産コストを下げるこ
とはできなかった。 ２．塗布接着剤９４は必ず均等に発光チップ９３の外側
に完全に分布させなければならなかった。そのため、接
着剤の濃度、膜厚および平均度の違いは塗布接着剤９４
が含む発光体９４１の量に影響、発光ダイオード９が発
する光のパターン分布は、光形偏楕円あるいは不完全な
どになり品質に差が出て形状と特性に影響した。 ３．接着剤を塗った後にベーキングボックスに入れて、
塗布接着剤９４をベーキング乾燥させて固化接着し、そ
の後、外観の被覆９５を成型するため生産効率を上げる
ことができなかった。 ４．塗布接着剤９４と被覆９５の屈折率は異なるため、
発光ダイオード９が発する光に対して悪影響が生じた。 ５．もし発光体９４１を被覆９５上に塗るなどして、直
接に発光チップ９３外側に塗るとすると、ぶつかったり
剥げたりして発光体９４１は容易に脱落した。そのた
め、光を均等に混合することができなくなり、光が局部
的に偏青して青色だけをエミットした。 ６．発光体９４１は、光線中の紫外線の照射により発光
チップ９３の温度が上がり劣化が発生する。そのため、
発光ダイオード９に対して悪い影響を与えた。
欠点を有していた。 １．まずチップ固着、ボンディングの動作を行い、塗布
接着剤９４は別に予め混合しておく。そして、予め混合
した適当な濃度の塗布接着剤９４をその上に塗るが、そ
の製造工程はとても複雑なため、生産コストを下げるこ
とはできなかった。 ２．塗布接着剤９４は必ず均等に発光チップ９３の外側
に完全に分布させなければならなかった。そのため、接
着剤の濃度、膜厚および平均度の違いは塗布接着剤９４
が含む発光体９４１の量に影響、発光ダイオード９が発
する光のパターン分布は、光形偏楕円あるいは不完全な
どになり品質に差が出て形状と特性に影響した。 ３．接着剤を塗った後にベーキングボックスに入れて、
塗布接着剤９４をベーキング乾燥させて固化接着し、そ
の後、外観の被覆９５を成型するため生産効率を上げる
ことができなかった。 ４．塗布接着剤９４と被覆９５の屈折率は異なるため、
発光ダイオード９が発する光に対して悪影響が生じた。 ５．もし発光体９４１を被覆９５上に塗るなどして、直
接に発光チップ９３外側に塗るとすると、ぶつかったり
剥げたりして発光体９４１は容易に脱落した。そのた
め、光を均等に混合することができなくなり、光が局部
的に偏青して青色だけをエミットした。 ６．発光体９４１は、光線中の紫外線の照射により発光
チップ９３の温度が上がり劣化が発生する。そのため、
発光ダイオード９に対して悪い影響を与えた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主な目的は上
記の問題を解決するために、可視光発光ダイオードの堆
積製造方法を提供して、蛍光体膜により直接に隔離膜の
外を被覆して、蛍光体を隔離膜表面内に堆積浸透させる
ことである。蛍光体を均等に発光チップ外側に分布させ
て、蛍光体が隔離膜で液体に留まっている時に隔離膜表
面内に拡散浸透するため、被覆接着剤のシリコン樹脂を
塗る必要がなく、また蛍光体を予め混ぜる必要もない。
そのため、製造工程が簡単となって生産コストが下が
り、塗布接着剤混合濃度の違いによる品質の違いを減少
させて、同時にチップ本体の熱源の温度を下げる長所を
持たせる。
記の問題を解決するために、可視光発光ダイオードの堆
積製造方法を提供して、蛍光体膜により直接に隔離膜の
外を被覆して、蛍光体を隔離膜表面内に堆積浸透させる
ことである。蛍光体を均等に発光チップ外側に分布させ
て、蛍光体が隔離膜で液体に留まっている時に隔離膜表
面内に拡散浸透するため、被覆接着剤のシリコン樹脂を
塗る必要がなく、また蛍光体を予め混ぜる必要もない。
そのため、製造工程が簡単となって生産コストが下が
り、塗布接着剤混合濃度の違いによる品質の違いを減少
させて、同時にチップ本体の熱源の温度を下げる長所を
持たせる。
【０００７】本発明のもう一つの目的は、蛍光体膜で直
接に隔離膜を覆い、蛍光体膜を均等に隔離膜表面内に堆
積浸透させて、蛍光体膜の多さを調整して蛍光体の濃度
を平均に分布させることができるだけでなく、工程を簡
単にして効率を上げて、蛍光体量の違いを減少させるこ
とである。このように品質が均一な可視光発光ダイオー
ドの堆積製造方法を提供する。本発明のさらなる目的
は、蛍光体膜を均等に隔離膜表面内に堆積浸透させて、
蛍光体が容易に脱落せず均等に光を混合することができ
る可視光発光ダイオードの堆積製造方法を提供すること
である。本発明のさらなる目的は、隔離膜外側に抗紫外
線の塗料を塗布して紫外線をフィルターすることであ
る。そして蛍光体が光線の紫外線照射により劣化せずに
蛍光体劣化による悪い影響を防ぐことができる可視光発
光ダイオードの堆積製造方法を提供する。
接に隔離膜を覆い、蛍光体膜を均等に隔離膜表面内に堆
積浸透させて、蛍光体膜の多さを調整して蛍光体の濃度
を平均に分布させることができるだけでなく、工程を簡
単にして効率を上げて、蛍光体量の違いを減少させるこ
とである。このように品質が均一な可視光発光ダイオー
ドの堆積製造方法を提供する。本発明のさらなる目的
は、蛍光体膜を均等に隔離膜表面内に堆積浸透させて、
蛍光体が容易に脱落せず均等に光を混合することができ
る可視光発光ダイオードの堆積製造方法を提供すること
である。本発明のさらなる目的は、隔離膜外側に抗紫外
線の塗料を塗布して紫外線をフィルターすることであ
る。そして蛍光体が光線の紫外線照射により劣化せずに
蛍光体劣化による悪い影響を防ぐことができる可視光発
光ダイオードの堆積製造方法を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】可視光発光ダイオードの
堆積製造方法が下記のステップを含む。 チップ固着：１つ以上の連接部に発光チップを固定し
て、前記連接部を電源に接続する。 ボンディング：発光チップと連接部の適当な位置に導電
可能な導線を接続する。 半成型：発光チップの外側に所定厚さと透光性の隔離膜
を成型する。 膜被覆：隔離膜が完全に固化する前に蛍光体膜をその上
に被覆して、前記蛍光体膜の蛍光体を隔離膜表面内に堆
積浸透させる。
堆積製造方法が下記のステップを含む。 チップ固着：１つ以上の連接部に発光チップを固定し
て、前記連接部を電源に接続する。 ボンディング：発光チップと連接部の適当な位置に導電
可能な導線を接続する。 半成型：発光チップの外側に所定厚さと透光性の隔離膜
を成型する。 膜被覆：隔離膜が完全に固化する前に蛍光体膜をその上
に被覆して、前記蛍光体膜の蛍光体を隔離膜表面内に堆
積浸透させる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明にかかる好適な実施形態を図面
に基づいて説明する。図１から図３に示すのは本発明に
かかる第１実施形態である。 第１ステップ１１、チップ固着：１つ以上の連接部２に
導電接着剤により発光チップ３を固定して、連接部２を
電源（図では省略）に接続する。本実施形態では連接部
２はベースで、発光チップ３はサファイヤを基板とする
ＩｎＧａＮ（InGaN on Sapphire Substrate）あるいは
ＳｉＣを基板とするＩｎＧａＮ（InGaN on SiC Substra
te）で、それは青色波長の光線をエミットし、そして各
種の材料およびカラーのチップを含む。 第２ステップ１２、ボンディング：発光チップ３と連接
部２の適当な位置に導電可能な導線４を接続する。 第３ステップ１３、半成型：発光チップ３の外側に所定
厚さと透光性の隔離膜５を成型して、隔離膜５はエポキ
シ樹脂である。 第４ステップ１４、膜被覆：隔離膜５が完全に固化する
前に蛍光体膜６をその上に被覆する。蛍光体膜６はドラ
イ式の蛍光パウダーあるいはウエット式の蛍光液など
で、膜被覆の手段は吹き付け、塗布などに限定されずに
各種方式により、蛍光体膜６の蛍光体６１を隔離膜５表
面内に堆積浸透させる。 第５ステップ１５、成型：発光チップ３、隔離膜５の外
に型射出により被覆７を成型する。隔離膜５あるいは被
覆７の外側に抗紫外線の塗料（図では省略）を塗る。そ
の塗料は紫外線をフィルターして蛍光体６１が光線中の
紫外線の照射により劣化せずに、蛍光体６１が劣化して
悪い影響が発生するのを防ぐことができる。同時に発光
チップ３本体の熱源に対して温度を下げる長所を有す
る。 第６ステップ１６、テスト：発光ダイオードに対して、
発光スペクトルなどの必要なテストを行う。
に基づいて説明する。図１から図３に示すのは本発明に
かかる第１実施形態である。 第１ステップ１１、チップ固着：１つ以上の連接部２に
導電接着剤により発光チップ３を固定して、連接部２を
電源（図では省略）に接続する。本実施形態では連接部
２はベースで、発光チップ３はサファイヤを基板とする
ＩｎＧａＮ（InGaN on Sapphire Substrate）あるいは
ＳｉＣを基板とするＩｎＧａＮ（InGaN on SiC Substra
te）で、それは青色波長の光線をエミットし、そして各
種の材料およびカラーのチップを含む。 第２ステップ１２、ボンディング：発光チップ３と連接
部２の適当な位置に導電可能な導線４を接続する。 第３ステップ１３、半成型：発光チップ３の外側に所定
厚さと透光性の隔離膜５を成型して、隔離膜５はエポキ
シ樹脂である。 第４ステップ１４、膜被覆：隔離膜５が完全に固化する
前に蛍光体膜６をその上に被覆する。蛍光体膜６はドラ
イ式の蛍光パウダーあるいはウエット式の蛍光液など
で、膜被覆の手段は吹き付け、塗布などに限定されずに
各種方式により、蛍光体膜６の蛍光体６１を隔離膜５表
面内に堆積浸透させる。 第５ステップ１５、成型：発光チップ３、隔離膜５の外
に型射出により被覆７を成型する。隔離膜５あるいは被
覆７の外側に抗紫外線の塗料（図では省略）を塗る。そ
の塗料は紫外線をフィルターして蛍光体６１が光線中の
紫外線の照射により劣化せずに、蛍光体６１が劣化して
悪い影響が発生するのを防ぐことができる。同時に発光
チップ３本体の熱源に対して温度を下げる長所を有す
る。 第６ステップ１６、テスト：発光ダイオードに対して、
発光スペクトルなどの必要なテストを行う。
【００１０】本発明は発光チップ３に青色の光をエミッ
トさせて、堆積浸透した隔離膜５の蛍光体６１に発光チ
ップ３の一部分の光を吸収させて黄色の光をエミットし
て、青色と黄色の光を混ぜて白色光とする。蛍光体６１
が発光チップ３の光を吸収して、光波長が異なる光をエ
ミット吸収して、発光チップ３がエミットする光と混合
して白や赤や緑などの可視光とする。ここで注目できる
ことは、本発明は蛍光体膜６を隔離膜５が完全に固化す
る前に隔離膜５を被覆する他に、蛍光体６１を隔離膜５
内に堆積浸透して蛍光体６１を発光チップ３の外側に均
等に分布させ、蛍光体６１は隔離膜５内で液体状態に留
まっている時に隔離膜５表面内に拡散浸透して混入し、
図３に示すように、被覆接着剤のシリコン樹脂を塗る必
要がない以外に、蛍光体６１を予め混合する必要が無い
ため、製造工程が簡単となる。そして生産コストを下げ
る以外に被覆接着剤混合濃度のばらつきによる品質の差
を減少させる。また、ベーキングボックスに入れてベー
キングするステップが必要ないため、製作時間が短縮し
て効率が高まる。
トさせて、堆積浸透した隔離膜５の蛍光体６１に発光チ
ップ３の一部分の光を吸収させて黄色の光をエミットし
て、青色と黄色の光を混ぜて白色光とする。蛍光体６１
が発光チップ３の光を吸収して、光波長が異なる光をエ
ミット吸収して、発光チップ３がエミットする光と混合
して白や赤や緑などの可視光とする。ここで注目できる
ことは、本発明は蛍光体膜６を隔離膜５が完全に固化す
る前に隔離膜５を被覆する他に、蛍光体６１を隔離膜５
内に堆積浸透して蛍光体６１を発光チップ３の外側に均
等に分布させ、蛍光体６１は隔離膜５内で液体状態に留
まっている時に隔離膜５表面内に拡散浸透して混入し、
図３に示すように、被覆接着剤のシリコン樹脂を塗る必
要がない以外に、蛍光体６１を予め混合する必要が無い
ため、製造工程が簡単となる。そして生産コストを下げ
る以外に被覆接着剤混合濃度のばらつきによる品質の差
を減少させる。また、ベーキングボックスに入れてベー
キングするステップが必要ないため、製作時間が短縮し
て効率が高まる。
【００１１】その他、蛍光体膜６で直接に隔離膜５を被
覆して、蛍光体膜６を平均的に隔離膜５内に堆積浸透さ
せて、蛍光体膜６の多さがコントロールできるだけでな
く、蛍光体６１の濃度を平均的に分布させる。そして、
操作が簡単な外に、蛍光体６１の量の違いを減少して製
品の品質をより均一とする。さらに、蛍光体６１を堆積
後、隔離膜５に拡散浸透しており、蛍光体６１は当たっ
たりして簡単に落ちることがないため、平均的な光の混
合効果が確実となる。
覆して、蛍光体膜６を平均的に隔離膜５内に堆積浸透さ
せて、蛍光体膜６の多さがコントロールできるだけでな
く、蛍光体６１の濃度を平均的に分布させる。そして、
操作が簡単な外に、蛍光体６１の量の違いを減少して製
品の品質をより均一とする。さらに、蛍光体６１を堆積
後、隔離膜５に拡散浸透しており、蛍光体６１は当たっ
たりして簡単に落ちることがないため、平均的な光の混
合効果が確実となる。
【００１２】当然、本発明は上記の実施形態に制限され
るわけではなく、図４と図５に示す第２実施形態のよう
にしてもよい。 第１ステップ１１、チップ固着：一つ以上の連接部２に
導電性接着剤で発光チップ３を固定して、連接部２は電
源（図中では省略）と接続する。本実施形態中で、連接
部２は二本の足で、そのうち連接部２は設置部２１を具
備しており、設置部２１は凹部である。 第２ステップ１２、ボンディング：発光チップ３と連接
部２の適当な位置を導電可能な導線４で接続する。 第３ステップ１３、半成型：発光チップ３の外側に所定
厚さと透光性を具備する隔離膜５を成型する。 第４ステップ１４、膜被覆：隔離膜５が完全に固化する
前に蛍光体膜６でその上を被覆する。そして蛍光体膜６
の蛍光体６１を隔離膜５表面内に堆積浸透させる。 第５ステップ１５、テスト：発光ダイオードに対して発
光スペクトルなどの必要なテストを行う。
るわけではなく、図４と図５に示す第２実施形態のよう
にしてもよい。 第１ステップ１１、チップ固着：一つ以上の連接部２に
導電性接着剤で発光チップ３を固定して、連接部２は電
源（図中では省略）と接続する。本実施形態中で、連接
部２は二本の足で、そのうち連接部２は設置部２１を具
備しており、設置部２１は凹部である。 第２ステップ１２、ボンディング：発光チップ３と連接
部２の適当な位置を導電可能な導線４で接続する。 第３ステップ１３、半成型：発光チップ３の外側に所定
厚さと透光性を具備する隔離膜５を成型する。 第４ステップ１４、膜被覆：隔離膜５が完全に固化する
前に蛍光体膜６でその上を被覆する。そして蛍光体膜６
の蛍光体６１を隔離膜５表面内に堆積浸透させる。 第５ステップ１５、テスト：発光ダイオードに対して発
光スペクトルなどの必要なテストを行う。
【００１３】本実施形態中で、蛍光体膜６で未だ完全に
固化していない隔離膜５の外を直接に被覆して、蛍光体
６１を隔離膜５内に堆積浸透して蛍光体６１を発光チッ
プ３の外側に平均的に分布させる。そして、製造工程を
簡素化し製造コストを下げて、製品品質のばらつきを少
なくする他に、発光チップ３の外側に隔離膜５だけを設
けて、隔離膜５内に蛍光体６１を平均的に堆積浸透す
る。そのため、蛍光体６１と被覆７の屈折率の違いが発
光状況に影響することがない。
固化していない隔離膜５の外を直接に被覆して、蛍光体
６１を隔離膜５内に堆積浸透して蛍光体６１を発光チッ
プ３の外側に平均的に分布させる。そして、製造工程を
簡素化し製造コストを下げて、製品品質のばらつきを少
なくする他に、発光チップ３の外側に隔離膜５だけを設
けて、隔離膜５内に蛍光体６１を平均的に堆積浸透す
る。そのため、蛍光体６１と被覆７の屈折率の違いが発
光状況に影響することがない。
【００１４】さらに、図６に示す第３実施形態のよう
に、その製造方法はまず先にチップ固着、ボンディング
を行い、その後に、所定厚さと透光性を具備する隔離膜
５を半成型して、隔離膜５が完全に固化する前に蛍光体
膜６をその上に吹き掛けて蛍光体膜６の蛍光体６１を隔
離膜５内に堆積浸透する。その後、被覆７の成型とテス
トのステップを行う。図７に示すのは、本発明を七段式
ディスプレイ製作に応用したものである。図８に示すの
は、スポットマトリックスディスプレイの製作に本発明
を応用したものである。
に、その製造方法はまず先にチップ固着、ボンディング
を行い、その後に、所定厚さと透光性を具備する隔離膜
５を半成型して、隔離膜５が完全に固化する前に蛍光体
膜６をその上に吹き掛けて蛍光体膜６の蛍光体６１を隔
離膜５内に堆積浸透する。その後、被覆７の成型とテス
トのステップを行う。図７に示すのは、本発明を七段式
ディスプレイ製作に応用したものである。図８に示すの
は、スポットマトリックスディスプレイの製作に本発明
を応用したものである。
【００１５】以上のごとく、この発明を好適な実施形態
により開示したが、もとより、この発明を限定するため
のものではなく、同業者であれば容易に理解できるよう
に、この発明の技術思想の範囲において、適当な変更な
らびに修正が当然なされうるものであるから、その特許
権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な
領域を基準として定めなければならない。
により開示したが、もとより、この発明を限定するため
のものではなく、同業者であれば容易に理解できるよう
に、この発明の技術思想の範囲において、適当な変更な
らびに修正が当然なされうるものであるから、その特許
権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な
領域を基準として定めなければならない。
【００１６】
【発明の効果】上記構成により、この発明は下記の優れ
た点を有す。蛍光体膜６で直接に隔離膜５を被覆する以
外に、蛍光体６１を隔離膜５内に堆積浸透して、蛍光体
６１を発光チップ３の外側に平均的に分布させる。そし
て蛍光体６１を液体状態の隔離膜５表面内に拡散浸透し
て、製造工程を簡素化して生産コストを下げ製品の品質
をより均一とすることができる。さらに隔離膜５の外側
に抗紫外線塗料を塗って紫外線をフィルターし、蛍光体
６１が光線中の紫外線の照射により劣化せずに、蛍光体
６１が劣化して悪い影響が発生するのを防ぐ可視光発光
ダイオードの堆積製造方法を提供する。従って、産業上
の利用価値が高い。
た点を有す。蛍光体膜６で直接に隔離膜５を被覆する以
外に、蛍光体６１を隔離膜５内に堆積浸透して、蛍光体
６１を発光チップ３の外側に平均的に分布させる。そし
て蛍光体６１を液体状態の隔離膜５表面内に拡散浸透し
て、製造工程を簡素化して生産コストを下げ製品の品質
をより均一とすることができる。さらに隔離膜５の外側
に抗紫外線塗料を塗って紫外線をフィルターし、蛍光体
６１が光線中の紫外線の照射により劣化せずに、蛍光体
６１が劣化して悪い影響が発生するのを防ぐ可視光発光
ダイオードの堆積製造方法を提供する。従って、産業上
の利用価値が高い。
【図１】本発明にかかる第１実施形態の流れ図である。
【図２】本発明にかかる第１実施形態の膜被覆の断面図
である。
である。
【図３】本発明にかかる第１実施形態の堆積および成型
の断面図である。
の断面図である。
【図４】本発明にかかる第２実施形態の膜被覆の断面図
である。
である。
【図５】本発明にかかる第２実施形態の堆積の断面図で
ある。
ある。
【図６】本発明にかかる第３実施形態の堆積および成型
の断面図である。
の断面図である。
【図７】本発明にかかる第４実施形態の斜視図である。
【図８】本発明にかかる第５実施形態の斜視図である。
【図９】従来の技術にかかる発光ダイオードの流れ図で
ある。
ある。
【図１０】従来の技術にかかる発光ダイオードの断面図
である。
である。
８１ チップ固着 ８２ ボンディング ８３ 混合 ８４ 接着剤注入 ８５ 成型 ８６ テスト ９ 発光ダイオード ９１ 足 ９３ 発光チップ ９４ 塗布接着剤 ９４１ 発光体 ９５ 被覆 ９６ 導線 １１ 第１ステップ １２ 第２ステップ １３ 第３ステップ １４ 第４ステップ １５ 第５ステップ １６ 第６ステップ ２ 連接部 ２１ 容置部 ３ 発光チップ ４ 導線 ５ 隔離膜 ６ 蛍光体膜 ６１ 蛍光体 ７ 被覆
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA10 CA21 EC11 EE12 EE13 GA01 5F041 AA14 AA44 CA33 CA34 CA46 DA07 DA12 DA13 DA18 DA20 DA44 DA55 DA58 EE25 FF02 FF05 FF06 FF11 5F061 AA02 BA01 CA10 CA21 FA01
Claims (11)
- 【請求項１】 製造方法が、 １つ以上の連接部に発光チップを固定して、前記連接部
を電源に接続するチップ固着と、 発光チップと連接部の適当な位置に導電可能な導線を接
続するボンディングと、 発光チップの外側に所定厚さと透光性の隔離膜を形成す
る半成形と、 隔離膜が完全に固化する前に蛍光体膜をその上に被覆し
て、前記蛍光体膜の蛍光体を隔離膜表面内に堆積浸透さ
せる膜被覆とのステップを含むことを特徴とする可視光
発光ダイオードの堆積製造方法。 - 【請求項２】 上記隔離膜がエポキシ樹脂であることを
特徴とする請求項１記載の可視光発光ダイオードの堆積
製造方法。 - 【請求項３】 上記蛍光体膜が蛍光パウダーであること
を特徴とする請求項１記載の可視光発光ダイオードの堆
積製造方法。 - 【請求項４】 上記蛍光体膜が蛍光液であることを特徴
とする請求項１記載の可視光発光ダイオードの堆積製造
方法。 - 【請求項５】 上記膜被覆の手段が噴霧であることを特
徴とする請求項１記載の可視光発光ダイオードの堆積製
造方法。 - 【請求項６】 膜被覆の手段が塗布であることを特徴と
する請求項１記載の可視光発光ダイオードの堆積製造方
法。 - 【請求項７】 上記方法が、発光チップ、隔離膜の外に
型射出により被覆を成型することを含むことを特徴とす
る請求項１記載の可視光発光ダイオードの堆積製造方
法。 - 【請求項８】 上記被覆の外に抗紫外線の塗料を塗布す
ることを特徴とする請求項７記載の可視光発光ダイオー
ドの堆積製造方法。 - 【請求項９】 上記隔離膜の外に抗紫外線の塗料を塗布
することを特徴とする請求項１記載の可視光発光ダイオ
ードの堆積製造方法。 - 【請求項１０】 上記方法の配置がスポットマトリック
スのディスプレイを含むことを特徴とする請求項１記載
の可視光発光ダイオードの堆積製造方法。 - 【請求項１１】 上記方法の配置が七ユニット式のディ
スプレイを含むことを特徴とする請求項１記載の可視光
発光ダイオードの堆積製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000302265A JP2002118291A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 可視光発光ダイオードの堆積製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000302265A JP2002118291A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 可視光発光ダイオードの堆積製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002118291A true JP2002118291A (ja) | 2002-04-19 |
Family
ID=18783646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000302265A Pending JP2002118291A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 可視光発光ダイオードの堆積製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002118291A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005183777A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007536743A (ja) * | 2004-05-05 | 2007-12-13 | レンゼラー ポリテクニック インスティテュート | 固体発光体およびダウンコンバージョン材料を用いる高効率光源 |
| JP2012054607A (ja) * | 2011-11-28 | 2012-03-15 | Toshiba Corp | 発光装置の製造方法 |
| US8764225B2 (en) | 2004-05-05 | 2014-07-01 | Rensselaer Polytechnic Institute | Lighting source using solid state emitter and phosphor materials |
-
2000
- 2000-10-02 JP JP2000302265A patent/JP2002118291A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005183777A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007536743A (ja) * | 2004-05-05 | 2007-12-13 | レンゼラー ポリテクニック インスティテュート | 固体発光体およびダウンコンバージョン材料を用いる高効率光源 |
| US8764225B2 (en) | 2004-05-05 | 2014-07-01 | Rensselaer Polytechnic Institute | Lighting source using solid state emitter and phosphor materials |
| US8960953B2 (en) | 2004-05-05 | 2015-02-24 | Rensselaer Polytechnic Institute | Lighting source using solid state emitter and phosphor materials |
| US9447945B2 (en) | 2004-05-05 | 2016-09-20 | Rensselaer Polytechnic Institute | Lighting source using solid state emitter and phosphor materials |
| US11028979B2 (en) | 2004-05-05 | 2021-06-08 | Rensselaer Polytechnic Institute | Lighting source using solid state emitter and phosphor materials |
| JP2012054607A (ja) * | 2011-11-28 | 2012-03-15 | Toshiba Corp | 発光装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7214116B2 (en) | Light-emitting diode and method for its production | |
| US8963168B1 (en) | LED lamp using blue and cyan LEDs and a phosphor | |
| US8736036B2 (en) | Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs | |
| JP5779097B2 (ja) | コーティングされた発光デバイス及び発光デバイスをコーティングする方法 | |
| JP3640153B2 (ja) | 照明光源 | |
| US8410517B2 (en) | Light emitting diode coating method | |
| US20100110659A1 (en) | Led lighting unit and method for manufacturing the same | |
| TWI481069B (zh) | 光學薄膜 | |
| US8507300B2 (en) | Light-emitting diode with light-conversion layer | |
| JP2006505118A (ja) | ルミネセンス変換層を備えた発光ダイオード光源を製造するための方法 | |
| US20040072106A1 (en) | Screen printing process for light emitting base layer | |
| WO2009114687A1 (en) | Led light engine kernel and method of making the kernel | |
| JP2002118291A (ja) | 可視光発光ダイオードの堆積製造方法 | |
| US20130285096A1 (en) | Light emitting diode package and method for manufacturing the same | |
| CN208460762U (zh) | 一种发光器件及其模具 | |
| TW201034260A (en) | Light emitting diode package structure and manufacturing method thereof | |
| JP3114129U (ja) | 白色発光ダイオード | |
| KR20120018605A (ko) | Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법 | |
| CN217562590U (zh) | 一种led灯珠封装结构 | |
| JP3970056B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP3076742U (ja) | 発光ダイオードの構造 | |
| KR200242734Y1 (ko) | 발광 다이오드 | |
| CN1141742C (zh) | 可见光发光二极管的沉积制造方法 | |
| US6287883B1 (en) | Method for fabricating LED | |
| EP1191607A1 (en) | Method for fabricating a LED having a phosphor containing isolation layer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20031208 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050929 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051011 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060307 |