JP2002118163A - キャリアに収納された半導体ウェハ周縁部の光学的処理方法及び同処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】一回の位置決めがなされたのちは繰り返しウェ
ハの位置決め操作を行うことなく、複数枚のウェハをキ
ャリア内に収納した状態で順次微小寸法の光学的な各種
処理を行うに適した処理方法及び処理装置を提供する。 【解決手段】複数枚の半導体ウェハ(111) を収納したウ
ェハキャリア(110) を各ウェハ表面が略鉛直となるよう
にして、ステージ上の読取位置に載置固定し、一対の回
転ローラ(112) により、各ウェハ(111) を下方から２点
で支持して上方へ平行移動させる。この支持状態を維持
して、前記回転ローラ(112) を駆動回転させて、各ウェ
ハ(111) を同一軸線回りに回転させる。このウェハ(11
1) の回転により、ウェハ(111) の周面に弾接する係脱
ピン(113) がウェハ(111) のV ノッチ(111a)に係着し
て、位置決めがなされる。このとき、回転ローラ(112)
による支持状態を維持したまま、各ウエハ(111) の周縁
部に対する光学的処理を行う。以上の操作を繰り返し
て、キャリア(110) に収納された状態で、全てのウェハ
(111) に対して、光学的処理を順次行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハキャリアに
収納された複数枚の半導体ウェハの周縁部における各種
の処理方法及び処理装置に関し、特に複数枚の半導体ウ
ェハをウェハキャリアに収納したまま、処理領域である
外周ベベル面及びＶノッチのベベル面に微小寸法のドッ
トマークを形成し、或いはそのドットマークを読み取る
に好適な処理方法及び処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造にあたっては、通常、
ウェハのＩＤマークや、半導体ウェハの製造工程及び半
導体製造工程における加工履歴やロット毎の履歴特性な
どの様々な履歴情報を、ウェハの例えばオリフラ部分の
表面やウェハ裏面にドットマークにより表示することが
行われている。更に、そのドットマークは、本出願人が
先に提案した特願平１０−３３４００９号に開示したよ
うに、視認性に優れた特異な形態を有し、上下寸法が
０．０１〜５μｍ、最大幅が１〜１５μｍと極めて微小
化されたがために、そのマーキング領域が一挙に拡大さ
れ、例えばウェハを半導体チップ単位に切断するための
切断線領域であるスクライブラインや、ウェハ周縁のベ
ベル面、果てはウェハ周縁に形成される位置決めのため
の基準マークであるＶノッチのベベル面などの微小領域
にもドットマークを形成することが可能となってきてい
る。

【０００３】ところで、上記オリフラ表面やスクライブ
ラインはウェハの平滑表面側に存在しているため、レー
ザビームの照射によるマーキングの位置決めをするにあ
たり、オリフラ表面やスクライブラインのビーム照射面
に対して光軸を直交させることは、ウェハ表面の全体が
平滑面であることから、技術的にさほど困難性はない。
しかしながら、例えば前記ウェハ周縁やＶノッチ部の各
ベベル面は、ウェハの種類により、それらの傾斜角が常
に一定であるとは限らないため、異種のウェハにおける
マーキング領域や読取領域を検出して、光軸をそのベベ
ル面に対して直交させようとすると、各ベベル面の傾斜
角度を正確に認識する必要がある。

【０００４】前記ベベル面は、半導体ウェハの周縁及び
Ｖノッチと、それぞれの表裏面との境界領域に面取りが
なされることにより形成される。これらの面取りは、図
２に示すように、ウェハＷの周縁及びＶノッチ１１１ａ
の上下方向の中央部分に存在する垂直面領域を挟んで、
その上下の面取り領域にベベル面１１１ｂが形成され
る。前記Ｖノッチ１１１ａの中央奥底部１１１ｃと入口
隅部１１１ｄとは、それぞれがアール部分を介して隣り
合う側面が略Ｓ字状に連続している。

【０００５】従って、上記Ｖノッチ１１１ａの上下面取
り領域に形成されるベベル面１１１ｂも、ウェハ１１１
の周面からアール部分を介して直線的に内側に入り込ん
だ後、再びアール部分を介して直線的に外側に切り出さ
れて、アール部分を介して更にウェハ１１１の周面へと
連続している。そのため、Ｖノッチ１１１ａの上下ベベ
ル面１１１ｂは裁頭円錐面を挟んで左右に平面部分を有
することになる。

【０００６】因みに、前記中央奥底部１１１ｃの内面屈
曲角度はほぼ９０°であり、同中央奥底部１１１ｃから
ウェハ周縁までの半径方向の寸法は略１〜１．２ｍｍ程
度である。また、前記上下のベベル面１１１ｂの平面部
分は、中央奥底部１１１ｃの方向に略０．６ｍｍ、上下
方向に略０．０８ｍｍの細長い微小な矩形状を呈してお
り、その面取り角度は２０〜３０°の間である。

【０００７】この平面部分に本出願人による先の出願に
係る特願平１０−３３４００９号に開示されたドットマ
ーキング方法により、上下寸法が０．０１〜５μｍ、最
大幅が１〜１５μｍで、中央部が前記上下の平面部分に
隆起する微小形態のドットマークが形成される。これら
のドットマークによる各種情報のうち、横一直線に描か
れる１２文字分に要する領域は、縦０．０４ｍｍ、横
０．３２ｍｍの平坦面領域となる。

【０００８】このような微小な形態のドットマークを形
成するには、上述のごとく上下の面取り領域の平面部分
を正確に検出すると共に、同平面部分に対してレーザマ
ーカの照射光軸及び光学系読取装置の読取光軸を出来る
かぎり正確に直交させることが望ましい。そのために
は、前記平面部分の傾斜角度をも正確に測定する必要が
ある。

【０００９】しかして、かかる微小で視認性に優れ且つ
特異な形態をもつ微小なドットマークは上記出願により
初めて実現されたものである。従って、上述のごとくウ
ェハの単にオリフラやＶノッチ部を位置決め用の基準マ
ークとして検出するために開発された多様な位置決め技
術を、Ｖノッチの面取り部平坦面にそのまま適用するこ
とはできず、ウェハの前記ベベル面やＶノッチのベベル
面上の極めて微小な平面部分にまで着眼する技術の開発
がなされていないのは当然である。

【００１０】そこで本出願人は、こうした微小領域にお
ける微小ドットマークの形成と同マークの読取りとを効
率的に行うことができるレーザマーキング装置及び微小
なドットマークの読取装置を実現するため、特願平１１
−２３８９０３号（傾斜面角度測定装置）及び特願平１
１−３６２７８９号（平坦面非接触検出方法、装置）を
提案した。

【００１１】前述の特願平１１−２３８９０３号に係る
傾斜面角度測定装置は、上記Ｖノッチの面取り部におけ
る平面部分のウェハ表面に対する傾斜角度を正確に検出
するものであり、また一方の特願平１１−３６２７８９
号に係る平面部分の非接触検出方法及び装置は、前記Ｖ
ノッチのベベル面に存在する極めて微小領域である平面
部分を検出するものである。その検出の基本機構は光の
反射を利用するものであり、いずれの検出装置も検出面
に対向させて投光器及び受光器を配している。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】一方、前記公報にも記
載されているように、近年における半導体装置の製造
は、半導体ウェハの大型化に伴い、従来のごとくウェハ
をウェハキャリアから１枚ずつ取り出して各種の加工を
行う枚葉処理ではなく、複数枚の半導体ウェハをウェハ
キャリアに収納した状態で、或いは複数枚の半導体ウェ
ハを収納したウェハキャリア単位で各種の加工を行い、
ウェハ単独でのハンドリング操作を可能な限り回避する
方向へと進んでいる。

【００１３】かかるウェハキャリア単位で各種の加工を
行おうとするときには、キャリア内に収納された複数枚
のウェハを高精度に位置決めする必要がある。例えば、
従来も図６の（ａ）に示すように、キャリア１１０に収
納された各ウェハが横並びとなるようにキャリア１１０
を固定し、同キャリア１１０の下方に突出する各ウェハ
１１１を一対の回転ローラ１１２をもって下端で支持し
て浮き上がらせて、回転ローラ１１２を回転させてウェ
ハ１１１をキャリア内で回転させ、例えばＶノッチ１１
１ａに所要の弾接力をもって係着するウェハ位置決め用
ピン部材１１３を係着させて各ウェハ１１１の位置決め
を行ったのち、同図の（ｂ）に示すように、前記回転ロ
ーラ１１２及び位置決め用ピン部材１１３を下降させて
ウェハ１１１をキャリア１１０に支持させて、各種の処
理を行おうとする試みがなされた。

【００１４】しかして、前述のような位置決め操作によ
ると、同図の（ｂ）に示すように、キャリア内でウェハ
１１１が位置決めされ、最終的にキャリア内に収納支持
されるとき、例えば一対の回転ローラ１１２及び位置決
め用ピン１１３の下降タイミングのずれや、キャリア１
１０に形成されている図示せぬウェハ嵌着溝との摩擦、
或いはキャリア自体の成形精度などの影響を受けて、個
々のウェハ間にキャリア内での動きにずれが生じ、折角
の位置決めが崩れてしまうことが多い。その結果、以降
の処理にあたり、ウェハに対する微小な位置決め調整な
どの操作を改めて行わなけばならなくなる。

【００１５】本発明は、かかる課題を解決すべくなされ
たものであり、具体的には一回の位置決めがなされたの
ちは繰り返しウェハの位置決め操作を行うことなく、複
数枚のウェハをキャリア内に収納した状態で順次微小寸
法の光学的な各種処理を行うに適した処理方法及び処理
装置を提供することを目的としている。

【００１６】

【課題を解決するための手段】前記目的は、本願の請求
項１に係る方法発明及び請求項３に係る装置発明の基本
構成により効果的に達成される。請求項１に係る発明の
構成は、複数枚の半導体ウェハを収納したウェハキャリ
アを各ウェハ表面が略鉛直となるようにして、ステージ
上の読取位置に載置固定すること、各ウェハを下方から
支持して上方へ平行移動させること、各ウェハの下方か
らの支持を維持した状態で、各ウェハを同一軸線回りに
回転させて、位置決め手段により所定の位置に位置決め
すること、及び各ウェハの支持を維持したまま、各ウエ
ハの周縁部に対する光学的処理を順次行うことを含んで
なることを特徴とするキャリアに収納された半導体ウェ
ハ周縁部の光学的処理方法にある。

【００１７】また、請求項２に係る発明は、前記ウェハ
の支持及び移動を一対の回転ローラの昇降動作により行
うこと、前記位置決め手段が位置決め用係脱ピンであ
り、同位置決め用係脱ピンをウェハ周面に弾接するまで
移動させること、各ウェハを２点で支持する前記回転ロ
ーラの少なくとも一方を駆動回転させて、ウェハを回転
させること、ウェハの回転により位置決め用係脱ピンを
Ｖノッチに係着させて、同ウェハの位置決めを行うこと
を含んでいる。

【００１８】請求項３に係る発明の構成は、前記請求項
１及び２に係る発明を実施するに好適な処理装置に関
し、複数枚の半導体ウェハを収納したウェハキャリア
を、各ウェハ表面が略鉛直となるように載置固定するス
テージと、前記ステージに載置されたウェハキャリアの
内部から下方に露呈する各ウェハを下端で支持し、その
上限移動位置と各ウェハの下端から離間する下限移動位
置との間を移動可能で、且つ各ウェハの中心を通る垂直
線を挟んで配され、ウェハキャリアに収納された各ウェ
ハの上下移動用及び回転用の一対の回転ローラと、上下
動し、各ウェハのＶノッチに係脱する位置決め用係脱ピ
ンと、前記回転ローラの昇降手段及び回転駆動源と、前
記係脱ピンの上下作動手段と、隣り合う各ウェハの中心
間を結ぶ直線と平行に且つ各ウェハに対して相対的な制
御移動が可能であり、各ウェハの周縁部に光学的処理部
が指向された光学的処理手段とを備えてなることを特徴
とするキャリアに収納された半導体ウェハ周縁部の光学
的処理装置にある。

【００１９】上述の代表的な光学的処理方法としては、
レーザマーカによるウェハの周縁ベベル面やＶノッチの
ベベル面に対するドットマーキング方法、それらのベベ
ル面に形成された微小なドットマークの光学的読取方法
が挙げられ、その代表的な光学的処理装置としては、同
じくウェハの周縁ベベル面やＶノッチのベベル面に微小
なドットマークを形成するレーザマーカや、請求項４に
係る発明のごとく、同ベベル面に形成された微小なドッ
トマークの光学的読取装置を挙げることができる。

【００２０】例えば、レーザマーカであれば、ＹＡＧレ
ーザビーム或いはエキシマレーザビームを光学的照射部
として、複数のウェハが横に並ぶようにして、ステージ
に載置固定したウェハキャリアに収納された複数枚のウ
ェハのうち任意のウェハの周縁ベベル面に前記ビームの
光軸が直交するようにセットする。このとき、少なくと
もウェハキャリアの下部開口から下方に露呈するマーキ
ング対象とされたウェハの下端周縁を、ウェハの中心を
通る垂直線を挟んで配された一対の回転ローラにより、
そのキャリア収納時の位置よりも僅かに浮き上がった状
態で、２点を支持している。

【００２１】前記ウェハを浮き上がらせるため、前記回
転ローラは各ウェハのキャリア収納位置の前記露呈端よ
りも下方の待機位置と、ウェハが浮き上がる所定位置と
の間を昇降可能に構成されている。この回転ローラによ
るウェハの下方からの支持は、全ウェハを一斉に昇降さ
せるように単一の長尺ローラにより行う場合と、各ウェ
ハごとに昇降させる短尺ローラにより行う場合とがあ
り、短尺ローラの場合には同ローラをその支軸と平行に
各ウェハの支持ピッチをもって、ウェハの配列方向に間
欠的に制御移動が可能にされている。

【００２２】なお、前記一対の回転ローラにあって、両
ローラを上限位置と下限位置の間の垂直線上を昇降する
ように構成してもよいが、一対の回転ローラの一方をウ
ェハの上限位置となる位置に予め設定された所定の位置
に移動させておき、他方の回転ローラが前記上限位置と
下限位置との間を移動し得るように構成することもでき
る。後者の場合には、他方の回転ローラが上昇するまで
は、ウェハの下端を一方の回転ローラとキャリアの内面
に形成された支持溝により二点で支持された状態にあ
り、ウェハは他方の回転ローラが上限位置まで移動して
初めて一対の回転ローラにより支持されることになる。

【００２３】各ウェハは前記一対の回転ローラにより下
方から上方の上限位置まで持ち上げられて支持される
と、前記回転ローラを同一方向に制御回転させることに
より、各ウェハが所望の角度を回転する。この回転時
に、回転するウェハ周面に向けてノッチ位置決め用係脱
ピンが移動して、同ウェハの周面に弾性的に当接してい
る。同ウェハの回転により、その周面に形成されたＶノ
ッチが前記ノッチ位置決め用係脱ピンに達すると、同係
脱ピンがＶノッチに係着する。ここで、各回転ローラの
回転を停止させて、ウェハの位置決めが終了する。前記
係脱ピンは、その軸線回りに回転自在に構成することも
できる。

【００２４】上記レーザマーカによるマーキング領域
が、例えばＶノッチのベベル面における平面部分であれ
ば、前記係脱ピンがレーザビームの照射点と干渉しかね
ないため、同係脱ピンを元の待機位置まで下降させて、
Ｖノッチからの係着を外す。このとき、回転ローラは停
止したままの上限支持位置にある。このため、回転ロー
ラによって周面の２点を支持されたウェハは位置決めさ
れたときの状態を維持しており、Ｖノッチの位置を再調
整する必要がない。レーザビームの照射用光軸は予め前
記平坦部分に向けられているため、微調整を行ったのち
に、マーキングを開始する。このように、上記発明によ
れば、一度位置決めがなされたウェハは、その周縁部の
光学的処理にあたって、光学系の微調整を行う以外は改
めて再調整の必要はなく、正確な処理が可能となる。な
お、マーキング領域がウェハ周縁のベベル面である場合
には、前記係脱ピンをＶノッチから敢えて外す必要はな
い。

【００２５】ウェハキャリア内に収納されている一枚の
ウェハの光学的処理が終了すると、例えば上記ノッチ位
置決め用係脱ピンを前記処理が終了したウェハに隣接す
るウェハの直下まで移動させ、続いて上昇させ、同係脱
ピンを処理対象となるウェハの下端に弾性的に当接す
る。ここで、上記回転ローラを同方向に回転させて、同
ウェハのＶノッチに前記係脱ピンを係着させ、回転ロー
ラの回転を停止する。次いで、前述の操作と同様の操作
により、Ｖノッチの平面部分に光学的処理がなされる。
かかる操作を繰り返すことにより、キャリア内に収納さ
れた全てのウェハをキャリアから取り出すことなく、所
望の光学的処理を順次行われる。

【００２６】請求項４に係る発明は、上記ウェハの光学
的処理装置が、ウェハ周縁のベベル面に形成される微小
ドットマークの光学系読取装置であり、前記処理部が受
光レンズ系の読取光軸を含むものであることを規定して
いる。光学的読取装置は、上述のようなレーザマーカと
比較すると、高度な位置決め精度を要求されない。従っ
て、ウェハ周縁部の光学的処理装置として、特にＶノッ
チの平坦部分に形成される幅が１〜１５μｍである極め
て微小な寸法をもつドットマークを光学的に読み取る装
置に特に適していると言える。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら具体的に説明する。図１は本発明に係る
半導体ウェハの周縁部処理装置の代表的な実施形態であ
るウェハキャリアに収納されたウェハのＶノッチベベル
面上に形成されたドットマークの読取装置におけるウェ
ハの位置決め機構の概略説明図である。なお、同図にお
いて、既述した図５に記載した部材と実質的に同一な部
材には同一符号を付している。

【００２８】本実施形態によるドットマークの読取装置
１００は、固定ステージ１０１と、同固定ステージ１０
１のキャリア載置部１０１ａに対向して設置された図示
せぬフレームに取り付けられた一対の回転ローラ１１２
と、ウェハ１１１のＶノッチ１１１ａに係脱するＶノッ
チ位置決め用係脱ピン１１３と、ウェハキャリア１１０
に収納されたウェハ１１１のＶノッチベベル面の平坦部
分に読取光軸が向けられた光学レンズ系１０２とを備え
ている。

【００２９】前記固定ステージ１０１のキャリア載置部
１０１ａは、複数枚のウェハ１１１を横方向に並べて収
納した状態でウェハキャリア１１０を載置して位置決め
固定するための領域であり、例えばキャリアから突出す
る脚部１１０ｂを嵌着するキャリア固定溝１０１ｂを有
している。

【００３０】前記回転ローラ１１２は、前記固定ステー
ジ１０１のキャリア載置部１０１ａにあって、ウェハキ
ャリア１１０を載置固定したとき、キャリア内に収納さ
れた複数枚のウェハ１１１の各中心を結ぶ直線に平行
に、且つ各ウェハ１１１の直下であって各中心を通る垂
線を挟んだ左右対称位置に延在し、キャリア１１０の下
部開口から下方に露呈する各ウェハ１１１を持ち上げる
ための上限位置と、各ウェハ１１１から離間する下限位
置との間を上下に移動する。そのため、前記ステージ１
０１には前記一対の回転ローラ１１２が通過する図示せ
ぬ通過穴が貫通して形成されている。

【００３１】前記Ｖノッチ位置決め用係脱ピン１１３
は、前記一対の駆動回転ローラ１１２の各軸中心と各ウ
ェハ１１１の中心とを結んでできる二等辺三角形にあっ
て、その底辺の中点と頂点とを結ぶ直線上を上下動でき
るように、前記固定ステージ１０１に図示せぬガイドフ
レームを介して水平に支持されている。この係脱ピン１
１３は、その軸線に直交して各ウェハ１１１の周面に向
かい付勢され、好ましくはその軸線回りに自由回転でき
るようにする。また、この係脱ピン１１３の上限移動位
置は、前記一対の回転ローラ１１２により上限位置まで
持ち上げられた各ウェハに弾性的に当接する位置であ
り、その下限移動位置は、キャリア内に収納されたウェ
ハ１１１の下端から他の部材と干渉しない下方の離間位
置である。このため、前記固定ステージ１０１には、前
記一対の駆動回転ローラ１１２の通過穴に平行で且つ各
通過穴の中間位置に延在する係脱ピン通過穴が貫通して
形成されている。

【００３２】前記Ｖノッチ位置決め用係脱ピン１１３を
長尺として、回転する複数枚のウェハ１１１の周面に一
斉に当接させると、ウェハキャリア１１０に収納された
各ウェハ１１１のＶノッチ位置が僅かにずれていること
が多いため、係脱ピン１１３が全てのＶノッチ１１１ａ
に係着すると限らず、各ウェハ１１１を正確に位置決め
し得ない場合が生じる。そこで、本実施形態にあって
は、上記回転ローラ１１２は長尺として、キャリア内の
全てのウェハ１１１を一斉に回転させるように構成して
いるが、前記Ｖノッチ位置決め用係脱ピン１１３はウェ
ハ１１１の配列ピッチより短く設定して、これをウェハ
１１１の配列方向に１ピッチずつ制御移動するように構
成している。この場合、回転ローラ１１２も係脱ピン１
１３と同様に短尺として、同じくウェハ１１１の配列方
向に１ピッチずつ制御移動するように構成してもよい。

【００３３】一対の前記回転ローラ１１２のうち少なく
とも一方は図示せぬ回転駆動源に連結されており、その
駆動源としては、応答性に優れたサーボモータやステッ
ピングモータを使用することが好ましく、各回転ローラ
１１２とＶノッチ位置決め用係脱ピン１１３の昇降用駆
動源としてはボールネジ或いは流体圧シリンダが用いら
れる。

【００３４】以上の構成にあって、いまウェハキャリア
内に収納された複数枚の半導体ウェハ１１１の各周縁部
に形成されたＶノッチ１１１ａの平面部分を読取領域と
して、同平面部分に形成されたドットマークを順次読み
取る操作を具体的に説明する。

【００３５】図２は、本実施形態によるドットマークの
読取領域を拡大して示している。この実施形態にあって
は、前記読取装置１００により検出される平面部分を、
前記ドットマークが形成されるＶノッチ１１１ａの極め
て微小な領域である上側稜線部に形成される面取り領域
１１１ｂの平面部分としているが、Ｖノッチ１１１ａの
下側稜線部に形成される面取り領域１１１ｂ’の平面部
分にも、同様のドットマークが形成でき、そのドットマ
ークを読み取ることもできる。

【００３６】ここで、上記平面部分に形成されるドット
マークは、既述したとおり上下寸法が０．０１〜５μ
ｍ、最大幅が１〜１５μｍと極めて微小な寸法を有して
いる。その代表的な形態は、マーク中央部が平面部分の
表面から隆起した視認性に優れた形態である。このドッ
トマーク形態としては、従来から広く知られた凹穴形状
であってもよい。マーク中央部が隆起する形態の微小な
前記ドットマークの形成方法は、本件発明者等により特
願平１０−３３４００９号として先に提案されており、
その詳細は同出願明細書に記載されているため、ここで
はそれらの詳しい説明は省略する。

【００３７】図３は３０ｃｍの径をもつ大型ウェハ１１
１を収容するためのウェハキャリヤ１１０の代表的な形
態を示している。同図に示すウェハキャリヤ１１０にあ
っては、ウェハ１１１の略半周縁部を嵌合支持する多数
の支持溝１１０ａをもち、その周壁を挟んで表裏に配さ
れる平板状壁部からなり、一端にウェハ１１１の抜き差
し開口を有すると共に他端にウェハ１１１の下端部を外
部に露呈させる露呈開口を有する容器からなり、前記各
支持溝１１０ａにはそれぞれに前記抜き差し側開口から
挿入される半導体ウェハ１１１が嵌合して支持される。
前記露呈開口の周面近傍にウェハキャリヤ１１０をステ
ージ１０１の載置部１０１ａに正確に位置決め固定する
ための略方形の脚部１１０ｂが一体に形成されている。

【００３８】このウェハキャリヤ１１０は、内部に複数
枚のウェハ１１１を収容した状態で半導体製造工程間を
搬送し、或いは図示せぬ蓋体により上記抜き差し開口及
び露呈開口を閉塞すると共に、同蓋体をもって内部に収
容されたウェハの周縁の一部を弾性的に支持してウェハ
製造工場から半導体製造工場へと輸送するときの搬送或
いは輸送容器として使われる。ウェハキャリヤ１１０に
収納されるウェハ１１１は、図１に示すように一部の周
面が外部に露出した状態で上記各支持溝１１０ａに嵌合
支持されている。

【００３９】このウェハキャリヤ１１０に収容されるウ
ェハ１１１は、例えばシリコンウェハやガラス材からな
るガラスウエハからなり、その周縁の一部には位置決め
基準マークとなるオリフラやノッチが形成されている。
従来のウェハに対する位置決めは、先ずロボット等のハ
ンドリングによりウェハキャリヤ１１０から個々のウェ
ハ１１１を抜き出し、ウェハ専用の位置決め装置まで搬
送して、各ウェハ１１１ごとに位置決めを行っている。

【００４０】本発明にあっては、ウェハ１１１の位置決
めを、ウェハ１１１をウェハキャリヤ１１０から抜き出
すことをせず、ウェハキャリヤ１１０に収納された状態
で各ウェハ１１１の位置決めを行うことを最大の特徴と
している。つまり、ウェハキャリヤ１１０に多段に収納
された複数枚の各ウェハ１１１の外部露呈面に向けてＶ
ノッチ位置決めピン１１３をもって、個々のウェハ１１
１の位置決めを行う。

【００４１】ところで、半導体ウェハ１１１のＶノッチ
ベベル面の上記平面部分は、図２に示すごとくウェハ表
面に対して所要の角度をもって傾斜している。しかもこ
の傾斜面はウェハの種類やロットの違いにより必ずしも
一定の傾斜角からなるとは限らない。従って、読取用光
軸を前記平面部分に対して正確に直交させるには、同平
面部分がウェハ表面に対して如何なる傾斜角にあるかを
正確に知る必要もある。

【００４２】しかして、例えば上記ドットマークの読取
りにあたっては、前記平面部分に対向してドットマーク
読取装置の照射部を接近させて設置する必要があり、本
実施形態にあっては同平面部分に近接させて、傾斜する
前記平面部分のマーキング領域を検出すると共に、そこ
に形成されたドットマークの読取りを行うには、ドット
マーク読取装置の設置位置を可能な限り再調整を不要と
するように設置しておくことが望ましい。

【００４３】本実施形態にあっては、既述したとおり、
半導体ウェハ１１１の下端周縁を２点で支持回転させる
２個の回転ローラ２が配されたステージ１０１にウェハ
キャリア１１０を載置してセットする。前記回転ローラ
１１２のうちの少なくとも一方は図示せぬ制御駆動源に
連結された駆動ローラである。前記ステージ１０１は固
定式でもよいが、例えば本出願人が先に提案した特願平
１１−３６２７８９号に記載したドットマークの読取装
置と同様の機構を採用して、ウェハ中心を起点とする
ｘ，ｙ，ｚの３軸方向に制御移動を可能に構成すると共
に、前記いずれかの軸回りを制御回転できステージ１０
１を傾動可能に構成することもできる。

【００４４】一方、本実施形態にあっては、ドットマー
クの光学系読取部１０２は自動焦点合せ機構を備えてお
り、その焦点合せ用レーザ光の光軸を前記半導体ウェハ
１１１の周縁に形成されたＶノッチ１１１ａのベベル面
の平面部分の法線上に合わせるべく、前記ステージ１０
１の近傍に設置支持される。このように、本実施形態で
は、前記平面部分の検出には、光学系読取部１０２に付
設されている自動焦点合せ機構の焦点合せ用レーザ光を
利用する。そのため、同焦点合せ用レーザ光の光軸を予
め前記平面部分の法線上に合わせておく必要がある。勿
論、従来と同様に平面部分の検出に光学的な各種センサ
ーを使用することも可能である。

【００４５】ここで、ステージ１０１を３軸方向に制御
移動させると共に傾動させて、レーザ光の反射光（戻り
光）を検出する。このときの平面部分検出手法として、
本発明の検出方法を使うことができる。その検出原理
は、本出願人が先に提案した特願平１１−３６２７８９
号に記載した原理と同様である。ただし、本実施形態に
あっては、前記出願とは異なり別に平坦面検出用の投・
受光器を用意することなく、前記焦点合せ用レーザ光を
平坦面検出用の光として使用し、その光軸を検出対象で
ある平面部分の法線上に合わせて、同平坦面に投射した
光の反射光（戻り光）を検出する。

【００４６】換言すると、本発明による平面部分の検出
は、前記焦点合せ用レーザ光の光軸が前記平坦面の法線
と一致したとき、初めて同レーザ光の戻り光を検出する
ことができることを利用するものであり、逆にレーザ光
の光軸と前記平面部分の法線とが一致しないときは、戻
り光を検出することができないことを利用して行うもの
である。以下の説明では、上記ウェハ１１１の上下側の
ベベル面平面部分のうち、上側の平面部分について説明
することにする。

【００４７】いま、上記ウェハキャリア１１０を収納さ
れた各ウェハが横に並ぶようにしてステージ１０１のキ
ャリア載置部１０１ａにセットして固定する。次いで、
回転ローラ１１２を上限位置まで上動させて、キャリア
内の全てのウェハ１１１の下端を２点で支持し、一斉に
キャリア内の上限位置まで持ち上げる。ここで、複数枚
のウェハ１１１の下方に待機するＶノッチ位置決め用係
脱ピン１１３を、各ウェハ１１１のうちの任意の一枚を
選び、そのウェハ１１１の直下まで移動させると共に、
同ウェハ１１１の下端周面に所定の弾力をもって当接す
るまで上動させる。

【００４８】前記Ｖノッチ位置決め用係脱ピン１１３が
前記ウェハ１１１に当接すると、回転ローラ１１２が駆
動回転される。同回転ローラ１１２により下端周縁を２
点で支持されたウェハ１１１は、回転ローラ１１２の回
転に伴って回転する。このウェハ１１１の回転により、
Ｖノッチ１１１ａも前記係脱ピン１１３の当接位置に移
動し、そこで係脱ピン１１３が係着する。Ｖノッチ１１
１ａに前記係脱ピン１１３が係着すると、前記回転ロー
ラ１１２の回転を停止して、同ウェハ１１１の位置決め
が終了する。続いて、前記Ｖノッチ位置決め用の係脱ピ
ン１１３が下降して元の待機位置に戻る。

【００４９】係脱ピン１１３が待機位置に戻ると、位置
決めされた前記ウェハ１１１のＶノッチベベル面の平面
部分に対向するように上記光学系読取部１０２を移動さ
せて、前記平面部分に形成されたドットマークの読み取
りを行う。前記平面部分は、既述したとおり、奥行き１
〜１．５ｍｍのＶ形状をしたノッチ１１１ａの一部ベル
ル面の更に部分的な微細な領域である。そこで、ドット
マークの読み取りを行う前に、先ず前記平面部分を検出
することが必要となる。

【００５０】本実施形態によれば、前記平面部分に光学
系読取部１０２を前記平坦面に向けたのち、前記焦点合
せ用レーザ光をＯＮにする。次いで、前記光学系読取部
１０２をｘ，ｙ，ｚの３軸方向に制御移動させると共に
制御傾動させる。この制御操作の途中で、光学系読取部
１０２の受光面に瞬間的に光量が増加して、前記レーザ
光の反射光（戻り光）が検出されるときがある。この検
出がなされたときが、前記平面部分上の法線とレーザ光
の光軸とが一致し、前記平面部に光学系読取部１０２が
正対したことになる。

【００５１】この検出位置に上記光学系読取部１０２を
固定し、次に自動焦点合せ機構を作動させて前記平面部
分に結像位置を自動的に合わせる。この状態で、焦点合
せ用レーザ光をＯＦＦにして、照明用の光源をＯＮに
し、前記ベベル面平面部分に書き込まれた微小ドットマ
ークの読み取りを行う。

【００５２】本実施形態にあっては、半導体ウェハ１１
１をセットすると、上記焦点合せ用レーザ光をＯＮにし
て、前記回転ローラ１１２を駆動回転させて、半導体ウ
ェハ１１１をステージ１０１上で一方向に回転させる。
半導体ウェハ１１１の周縁ベベル面からＶノッチ１１１
ａのベベル面へと移行するときの形態変化は、図２に示
すように、半導体ウェハ１１１の中心を中心とするその
周縁までの半径の円形曲線部から微小な曲率半径の円弧
を介してほぼ４５°の角度をもってウェハ内部に向けて
延びる直線部と、この直線部から更に微小な曲率半径の
円弧を介して略９０°に曲がり、４５°をもって外側に
向かう微小な直線部を経たのち、同じ微小な曲率半径の
円弧を介して前記境界部へと連続して略Ｓ字状に変化す
る。

【００５３】従って、上述のごとく、ステージ１０１上
で半導体ウェハ１１１を回転させながら、前記レーザ光
を同ウェハ１１１の周縁面取り部に投射すると、その光
軸は既にＶノッチのベベル面平面部分の法線上と一致さ
せてセットしてあるため、前記ウェハ１１１の周縁ベベ
ル面の法線とは一致せず、その反射光は光学系読取部１
０２に入射されず、光学系読取部１０２の受光面によっ
て戻り光を検出することはできない。

【００５４】半導体ウェハ１１１の回転中に、前記レー
ザ光がＶノッチ１１１ａを通過するとき、たとえ光学系
読取部１０２が同Ｖノッチ１１１ａのベベル面平面部分
に高精度に正対していないとしても、最初の読取りに使
われたウェハ１１１に対して正対させた状態にセットさ
れているため、僅かの光量でも光学系読取部１０２の受
光面によって瞬間的に光が検出される。この検出がなさ
れると、前記回転ローラ１１２の回転を一旦停止させ
る。このとき、半導体ウェハ１１１は僅かにオーバーラ
ンして回転が止まる。ここで、同回転ローラ１１２を逆
に回転させる。このときの回転速度は微小速度とする。

【００５５】この逆回転中に、再び光学系読取部１０２
の受光面によって瞬時的に光が検出されると、回転ロー
ラ１１２の回転を停止させる。前記光学系読取部１０２
の受光面により検出された光量が、図示せぬ中央制御部
に予め設定された光量の範囲内にあれば、同じく中央制
御部に設けられた図示せぬ比較部及び判断部により、光
学系読取部１０２は検出面に正対していると判断され
る。この判断がなされると、更なる調整操作は不要であ
る。万一、光学系読取部１０２の受光面により検出され
た光量が、中央制御部に予め設定された光量の範囲から
外れる場合には、そこで所定の光量が得られるまでステ
ージ１０１の三軸方向の位置及びその傾斜角度の微調整
して、Ｖノッチ１１１ａのベベル面平面部分の法線にレ
ーザ光の光軸を合わせる。

【００５６】この操作が終了すると、自動焦点合せ機構
を駆動して平面部分上の光像の焦点を光学系読取部１０
２の読取面に自動的に合わせる。次いで、焦点合せ用レ
ーザ光をＯＦＦにしたのち、光学系読取部１０２の読取
用照明をＯＮにして、平面部分に書き込まれた微小形態
のドットマークを読み取る。以降に読み取ろうとする半
導体ウェハ１１１に対しても、同様の操作を繰り返し
て、ドットマークを読み取る。

【００５７】同一ロット内で製造された同種の半導体ウ
ェハ１１１であれば、そのＶノッチ１１１ａのベベル面
平面部分の傾斜角度はほぼ一致していると言える。一
方、前述の読み取りが終了したのちに次の半導体ウェハ
１１１を読み取るにあたり、始めから前述の操作を繰り
返して、同ウェハ１１１のＶノッチ１１１ａを正確に位
置決めしながらステージ１０１上にセットする作業は煩
雑に過ぎる。

【００５８】そこで、本実施形態にあっては、光学系読
取部１０２を次にドットマークを読み取ろうとする半導
体ウェハ１１１のＶノッチ１１１ａの位置まで移動さ
せ、上述の操作を繰り返して同ウェハ１１１の位置決め
を行う。前述のごとく既に光学系読取部１０２の位置決
めがなされたのちは、同一ロットで製造された半導体ウ
ェハ１１１であれば、ステージ１０１の３軸上の位置調
整や傾斜角度の調整を行わずに、単に光学系読取部１０
２を微調整するだけでドットマークの読取りが行える。

【００５９】図４は本実施形態に適用されるドットマー
クの光学系読取部１０２の具体例を縦断面で示してい
る。同図において、符号２１は読取部本体であり、その
軸線に沿って前端部の光出入射口には４ｍｍφの受光レ
ンズ系２２が配され、後端に向かってビームスプリッタ
ー２３、円筒形レンズ２４、レーザダイオード２５が順
次配列されている。また、同読取部本体２１の底面側で
あって、前記ビームスプリッター２３に対向する部位に
は集光レンズ２７を介してＣＣＤ２６が配されている。
前記ビームスプリッター２３の中心位置から前記レーザ
ダイオード２５の出射点２５ａまでの距離と、同じくビ
ームスプリッター２３の中心位置から前記ＣＣＤ２６の
受像面２６ａまでの距離は光学的に等しく、前記出射点
２５ａと受像面２６ａを結像点としている。

【００６０】このように、レーザダイオード２５の出射
点２５ａとＣＣＤ２６の受像面２６ａを、それぞれの結
像点の位置に設定すれば、出射点２５ａから射出される
レーザ光は前記円筒レンズ２４により正確な平行光とな
ってビームスプリッター２３を通過し、前端部の集光レ
ンズ系２２を通って照射面である上記平面部分に所望の
集光性をもってスポット照射されるようになる。一方の
ＣＣＤ２６の受像面には、前記スポット照射されたレー
ザ光の反射光が集光レンズ系２２を通り正確な平行光と
なってビームスプリッター２３の反射面にて９０°屈折
して反射し、その反射光が明確な光像となって受像され
るようになる。

【００６１】一方、前記読取部本体２１の上面には読取
面であるＶノッチ１１１ａのベベル面平面部分に形成さ
れたドットマークを照射して読み取るための照射装置３
０が、その照射角度を微調整可能に固設してある。この
照射装置３０は、先端に集光レンズ３１を有し、内部に
照射ランプ３２を有している。しかして、本実施形態に
よる照明ランプ３２から発せられる光は、コヒーレント
光よりも、自然光による照射と同様にインコヒーレント
光による照射であることが好ましい。勿論、コヒーレン
ト光によって照射するようにしてもよい。

【００６２】これは、本実施形態によるＣＣＤ２６によ
る受光が、中央が隆起する特異な形態でもつドットマー
クであることと回折現象とが相まって、平行光による均
一な方向性をもつ反射光束ではなく、照射面から乱反射
されて輝度の大きな光として捉えられる所定領域内の乱
反射光束とすることで、高輝度のある反射光が効果的に
検出されるがためである。

【００６３】また、前述の照射装置３０とＣＣＤ２６と
の配置に関しても、照明と受光の関係は、レーザマーキ
ング装置の配置と比較して、あまり厳しい位置決め精度
を要求されず、様々な配置に設定できるため有利であ
り、しかも半導体ウェハ１１１のＶノッチ１１１ａに形
成されるドットマークが隆起形態をもつ場合には、ドッ
トマークとその周辺の照射面とを比較したとき、ＣＣＤ
２６で受光する乱反射光の殆どがドットマーク表面でな
されたものであって、これを集光レンズ２７を介して受
光すれば、周辺との輝度差が大きくなり、ドットマーク
の認識が確実になされる。

【００６４】かかる構成を備えた光学系読取部１０２に
より半導体ウェハ１１１のＶノッチ１１１ａにおけるベ
ベル面の平面部分を検出すると同時に自動焦点合せを行
うと共に、同平面部分に書き込まれた微小形態をもつド
ットマークの読取りを行うには、上述した本発明による
読取り手順が採用される。つまり、前記平面部分の検出
時は、前記照射装置３０の電源を切っておき、読取部本
体２１に内蔵された自動焦点合せ機構の焦点合せ用レー
ザ光をＯＮにして、半導体ウェハ１１１を一方向に回転
させて、その光量変化を検出し平面部分を特定する。

【００６５】相対的に走査される前記レーザ光がＶノッ
チ１１１ａのベベル面平面部分を通過するとき、上述の
ごとく出射点２５ａから射出されるレーザ光はビームス
プリッター２３及び集光レンズ系２２を通って照射面で
ある平面部分に照射され、ＣＣＤ２６の受像面には前記
スポット照射されたレーザ光の反射光（戻り光）が集光
レンズ系２２及びビームスプリッター２３を通って受像
される。ここで、自動焦点合せ機構を駆動して前記受像
面に焦点を自動的に合わせたのち、前記レーザ光の照射
はＯＦＦとされ、照射装置３０の照明ランプ３２が点灯
されて、平面部分上に形成された微小ドットマークの読
取りがなされる。

【００６６】このときの読取り操作は、光学系読取部１
０２を操作して上記ＣＣＤ２６にドットマークの画像読
込みがなされ、それらの画像情報をデジタル的に画像処
理して情報内容を認識する。このとき、情報内容の認識
がなされず、或いは不鮮明であるときは、上記操作を再
度やり直して、上記Ｖノッチ１１１ａのベベル面平面部
分の読取領域を検出し直す。

【００６７】図５は、本発明の他の実施形態によるウェ
ハの位置決め手順を示している。同図に示す実施形態に
よれば、ウェハキャリア１１０に収納された複数枚の半
導体ウェハ１１１の下端呈部の周面に向けて、一対の回
転ローラ１１２のうちの一方の駆動ローラ１１２ａと係
脱ピン１１３とを上方に移動して、ウェハの前記下端露
呈部の周面に２点で接触さながら、同図の実線で示す位
置までウェハ１１１を上昇させる。このとき、他方の回
転ローラ１１２はウェハ１１１の近傍まで上昇している
が、ウェハの周面から離間している。

【００６８】ここで、駆動ローラ１１２ａを駆動回転さ
せると、ウェハ１１１は駆動ローラ及び係脱ピン１１３
によって２点を支持されて、一方向に回転する。その結
果、ウェハ１１１のＶノッチ１１１ａが回動して、係脱
ピン１１３に到達すると、同図に破線で示すように同係
脱ピン１１３に係着する。ウェハ１１１が係脱ピン１１
３に係着すると、ウェハ１１１は、図５に破線で示すよ
うに、係脱ピン１１３を中心として回動し、駆動ローラ
１１２ａから離間している他方の回転ローラ１１２の周
面へと移行し、駆動ローラ１１２ａから離間する。従っ
て、駆動ローラ１１２ａの駆動を継続しても、係脱ピン
１１３がＶノッチ１１１ａに係着したウェハ１１１は、
それ以上は回転せずに位置決めが終了する。

【００６９】前記位置決めがなされたウェハ１１１とＶ
ノッチ１１１ａの位相が異なって配された他のウェハ１
１１は、そのＶノッチ１１１ａが前記係脱ピン１１３に
係着するまで回転を続行し、そのＶノッチ１１１ａが前
記係脱ピン１１３に順次係着して次々と位置決めがなさ
れる。全てのウェハの位置決めが完了したのちは、全て
のウェハ１１１が係脱ピン１１３と他方の回転ローラ１
１２とによって２点で位置決め支持されることになる。

【００７０】この実施形態によれば、上記実施形態と異
なり、短い係脱ピン１１３を使用せず、従って係脱ピン
１１３をウェハ１１１の並列方向に間欠移動させずに、
単一の長尺の係脱ピン１１３により一括してウェハ１１
１の位置決めを行うことができる。なお、ウェハ１１１
の回転を円滑に行うため、前記位置決め用係脱ピン１１
３を自由回転するローラ構造とすることもできる。さら
に、前記ローラ構造とした長尺の係脱ピン１１３を、各
ウェハ１１１毎に対応するように、分割して設置するこ
とで、ウェハ１１１の位置決めを円滑に行うことができ
る。

【００７１】こうして位置決めが終了したウェハ１１１
の周面、例えばＶノッチ１１１ａのベベル面における平
面部分にドットマーキングやマークの読取りを行うとき
には、係脱ピン１１３と共にウェハ１１１を支持する上
記他の回転ローラ１１２を、図５に仮想線で示す位置ま
で上昇させる。この上昇によりウェハ１１１は係脱ピン
１１３を中心として、駆動ローラ１１２ａの側に回動し
て、同駆動ローラ１１２ａに接触する。

【００７２】この状態で、係脱ピン１１３を下方の図示
せぬ待機位置へと下降させて、全てのウェハ１１１を一
対の回転ローラ１１２によって支持する。勿論、このと
きは駆動ローラ１１２ａは駆動が停止されている。係脱
ピン１１３が下方の待機位置に達すると、上述のＶノッ
チ１１１ａに形成されたベベル面平面部分へのレーザマ
ーキングや、同部分に形成されたドットマークの読取り
などの光学的処理がなされる。

【００７３】本発明にあっては、上記実施形態における
ドットマーク読取装置の光学系読取部１０２をレーザマ
ーキング装置に置き換えることもできる。本発明の光学
系処理装置がレーザマーキング装置であるときのレーザ
マーキング部として、既述した特願平１０−３３４００
９号に開示されている装置及び方法を採用することがで
きる。上述の微小形態をもつドットマークが形成され
る。

【００７４】以上は、本発明の典型的な実施形態につい
て述べたものであるが、本発明は、当然に上記請求項に
記載した範囲を逸脱しない限りにおいて、自由な変更が
可能であることは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の代表的な実施形態によるドットマーク
読取装置の概略構成図と、その操作説明図である。

【図２】同装置による読取領域の拡大図である。

【図３】前記実施形態に適用される代表的なウェハキャ
リアの立体図である。

【図４】前記読取装置における光学系読取部の具体的構
成例を示す縦断面図である。

【図５】本発明の他の実施形態によるウェハの位置決め
説明図である。

【図６】位置決め機能付きのドットマーク読取装置の試
作例を示す概略構成図である。

【符号の説明】

２１ 読取部本体 ２２ 集光レンズ系 ２３ ビームスプリッター ２４ 円筒形レンズ ２５ レーザダイオード ２５ａ 出射点 ２６ ＣＣＤ ２７ 集光レンズ ２６ａ 受像面 ３０ 照射装置 ３１ 集光レンズ ３２ 照明ランプ １００ ドットマーク読取装置 １０１ ステージ １０１ａ キャリア載置部 １０２ 光学系読取部 １１０ ウェハキャリア １１０ａ ウェハ支持溝 １１０ｂ 位置決め用突出片 １１１ ウェハ １１１ａ Ｖノッチ １１１ｂ，１１１ｂ’ Ｖノッチの上下面取り領域 １１２ 回転ローラ １１３ Ｖノッチ位置決め用係脱ピ
ン

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数枚の半導体ウェハを収納したウェハ
   キャリアを各ウェハ表面が略鉛直となるようにして、ス
   テージ上の読取位置に載置固定すること、 各ウェハを下方から支持して上方へ移動させること、 各ウェハの下方からの支持を維持した状態で、各ウェハ
   を同一軸線回りに回転させて、位置決め手段により所定
   の位置に位置決めすること、及び各ウェハの支持を維持
   したまま、各ウエハの周縁部に対する光学的処理を順次
   行うこと、を含んでなることを特徴とするキャリアに収
   納された半導体ウェハ周縁部の光学的処理方法。
2. 【請求項２】 前記ウェハの支持及び移動を一対の回転
   ローラの昇降動作により行うこと、前記位置決め手段が
   位置決め用係脱ピンであり、同係脱ピンをウェハ周面
   に弾接するまで移動させること、 各ウェハを２点で支持する前記回転ローラの少なくとも
   一方を駆動回転させて、ウェハを回転させること、 ウェハの回転により前記係脱ピンをＶノッチに係着させ
   て、同ウェハの位置決めを行うこと、を含んでなること
   を特徴とする請求項１記載の光学的処理方法。
3. 【請求項３】 複数枚の半導体ウェハを収納したウェハ
   キャリアを、各ウェハ表面が略鉛直となるように載置固
   定するステージと、 前記ステージに載置されたウェハキャリアの内部から下
   方に露呈する各ウェハを下端で支持し、その上限移動位
   置と各ウェハの下端から離間する下限移動位置との間を
   移動可能で、且つ各ウェハの中心を通る垂直線を挟んで
   配され、ウェハキャリアに収納された各ウェハの上下移
   動用及び回転用の一対の回転ローラと、 上下動し、各ウェハのＶノッチに係脱するウェハ位置決
   め用係脱ピンと、 各回転ローラを上限移動位置と下限移動位置との間を昇
   降させるローラ昇降手段と、 少なくとも一方の回転ローラを駆動回転させるローラ回
   転駆動源と、 前記係脱ピンの上下作動手段と、 隣り合う各ウェハの中心間を結ぶ直線と平行に且つ各ウ
   ェハに対する相対的な制御移動が可能であり、各ウェハ
   の周縁部に光学的処理部が向けられた光学的処理手段
   と、を備えてなることを特徴とするキャリアに収納され
   た半導体ウェハ周縁部の光学的処理装置。
4. 【請求項４】 前記ウェハの処理装置がウェハ周縁のベ
   ベル面に形成される微小ドットマークの光学系読取装置
   であり、前記処理部が集光レンズ系の読取光軸を含んで
   なることを特徴とする請求項３記載の光学的処理装置。