JP2002100973A - Power-on reset circuit - Google Patents

Power-on reset circuit

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JP2002100973A
JP2002100973A JP2000291938A JP2000291938A JP2002100973A JP 2002100973 A JP2002100973 A JP 2002100973A JP 2000291938 A JP2000291938 A JP 2000291938A JP 2000291938 A JP2000291938 A JP 2000291938A JP 2002100973 A JP2002100973 A JP 2002100973A
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Japan
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potential
transistor
power
inverter
reset
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JP2000291938A
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Japanese (ja)
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Shigenori Shibata
茂則 柴田
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power-on reset circuit, which can surely reset a logic circuit using a method, where a drop in a power-supply potential Vcc is detected and a power-on reset signal is raised again, after the power supply potential has been dropped. SOLUTION: The drop in the power-supply potential is detected by a potential-drop detection part, and an output at a level L is supplied to the gate of a P-channel transistor 7. The transistor 7 is turned on. The latch of a first inverter 2 and that of a second inverter 3 are inverted, and the power-on reset circuit is set to an initial state. Thereby, when the power-supply potential is dropped, the power-on reset signal POR is re-started, and a reset period is installed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電源投入時にリセ
ット信号を出力するパワーオンリセット回路に関する。
The present invention relates to a power-on reset circuit that outputs a reset signal when power is turned on.

【0002】[0002]

【従来の技術】集積回路を構成するフリップフロップな
どの論理回路は、電源が立ち上げられたとき、その立ち
上がりの状態が定まらないため、動作を開始する前にリ
セットしておく必要がある。このため、集積回路内部に
は、電源投入時に自動的にリセット信号を発生させるパ
ワーオンリセット回路が設けられる。
2. Description of the Related Art A logic circuit such as a flip-flop constituting an integrated circuit has to be reset before starting operation because the rising state of the logic circuit when power is turned on is not determined. For this reason, a power-on reset circuit that automatically generates a reset signal when power is turned on is provided inside the integrated circuit.

【0003】図4は、従来のパワーオンリセット回路を
示す回路図であり、図5は、その動作を示す波形図であ
る。パワーオンリセット回路は、第1のコンデンサ1、
第2のコンデンサ4、第1のインバータ2、第2のイン
バータ3、Nチャンネル型トランジスタ5及び電位検出
部6で構成される。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional power-on reset circuit, and FIG. 5 is a waveform diagram showing its operation. The power-on reset circuit includes a first capacitor 1,
It comprises a second capacitor 4, a first inverter 2, a second inverter 3, an N-channel transistor 5, and a potential detector 6.

【0004】第1のコンデンサ1は、電源とノードAと
の間に接続される。第2のコンデンサ4は、接地点とノ
ードBとの間に接続される。第1のインバータ2は入力
側がノードAに、出力側がノードBに接続される。第2の
インバータ3は、第1のインバータ2とは逆に、入力側
がノードBに、出力側がノードAに接続される。
A first capacitor 1 is connected between a power supply and a node A. The second capacitor 4 is connected between the ground point and the node B. The first inverter 2 has an input side connected to the node A and an output side connected to the node B. The second inverter 3 has the input side connected to the node B and the output side connected to the node A, contrary to the first inverter 2.

【0005】Nチャンネル型トランジスタ5は、接地点
とノードAとの間に接続され、ゲートが電位検出部6に
接続される。このNチャンネル型トランジスタ5の駆動
能力は、インバータ3を構成するトランジスタの駆動能
力よりも大きく設定される。電位検出部6は、ノードA
の電位変化に応じて、Nチャンネル型トランジスタ5を
オン、オフさせる。この電位検出部6は、例えば、ノー
ドAと接地点との間に直列に接続される複数の抵抗6a、
及び6bから成り、これらの抵抗6a、及び6bにより、
ノードAの電位VAと接地電位VGNDとの電位差を分圧し
て得られる電位VRをNチャンネル型トランジスタ5のゲ
ートに与えるように構成される。そして、ノードBの電
位VBの変動がパワーオンリセット信号PORとして出力さ
れる。
The N-channel transistor 5 is connected between the ground point and the node A, and has a gate connected to the potential detector 6. The driving capability of the N-channel transistor 5 is set to be larger than the driving capability of the transistor forming the inverter 3. The potential detector 6 is connected to the node A
The N-channel transistor 5 is turned on and off in accordance with the potential change of the N-channel transistor. The potential detection unit 6 includes, for example, a plurality of resistors 6a connected in series between the node A and a ground point,
And 6b, and by these resistors 6a and 6b,
The potential V R obtained by dividing the potential difference between the potential V A of the node A and the ground potential V GND is applied to the gate of the N-channel transistor 5. The change in the potential V B at the node B is outputted as the power-on reset signal POR.

【0006】以上のパワーオンリセット回路の動作を、
図5に従って説明する。ここで、電源電位Vccは、立ち
上がりの際、接地電位VGND〜VMAXまで変化するものと
する。通常、接地電位VGNDは、0Vである。電源投入前
の初期状態では、電源電位Vcc、ノードAの電位VA、ノ
ードBの電位VBは全て接地電位VGNDである。
The above operation of the power-on reset circuit is described as follows.
This will be described with reference to FIG. Here, it is assumed that the power supply potential Vcc changes from the ground potential V GND to V MAX at the time of rising. Normally, the ground potential V GND is 0V. In an initial state before power-on, a power supply potential Vcc, the node potential V A of A, node all potential V B is the ground potential V GND of B.

【0007】タイミングt0において、電源が投入され
ると、図5(1)に示すように電源電位Vccが立ち上がり始
める。この電源電位Vccの立ち上がりに伴って、ノード
Aの電位VAも、図5(2)に示すように、立ち上がり始
める。このとき、ノードBの電位VBは、図5(3)に示す
ように、接地電位VGNDに維持される。
When the power is turned on at timing t0, the power supply potential Vcc starts to rise as shown in FIG. With the rise of the power supply potential Vcc, the potential VA of the node A also starts rising as shown in FIG. At this time, the potential V B at the node B, as shown in FIG. 5 (3), is maintained at the ground potential V GND.

【0008】電位VAが(R1+R2)・Vtn/R2となるタイミ
ングt1において(即ち、分圧電位V Rが、Nチャンネル
型トランジスタ5のしきい値Vtnに達する)、Nチャンネ
ル型トランジスタ5がオンし始める。ここで、R1、R2
は、抵抗6a、6bの抵抗値である。このとき、Nチャン
ネル型トランジスタ5が、第2のインバータ3の駆動能
力より大きく設定されているため、電位VAは、図5(2)
に示すように下がり始める。そして、ノードAの電位VA
が、第1のインバータ2のしきい値Vi1まで下がるタイ
ミングt2において、第1のインバータ2は、出力を反転
させ、ノードBの電位V Bを立ち上げ始める。このノードB
の電位VBは、パワーオンリセット信号POR となるもので
あり、接地電位VGNDを維持する期間t0〜t2を、リセッ
ト期間とする。即ち、電源の立ち上がりからタイミング
t2までの期間に、初期状態を完了する。
[0008] Potential VAIs (R1 + R2) · Vtn / R2
(I.e., the divided potential V RBut N channel
Reaches the threshold value Vtn of the type transistor 5), N channel
The transistor 5 starts to turn on. Where R1, R2
Is the resistance value of the resistors 6a and 6b. At this time, N Chan
The driving capability of the second inverter 3 is
Potential is set higher thanAIs shown in Fig. 5 (2)
Start to fall as shown in. Then, the potential V of the node AA
Is reduced to the threshold value Vi1 of the first inverter 2.
At the timing t2, the first inverter 2 inverts the output.
And the potential V of the node B BStart to launch. This node B
Potential VBIs the power-on reset signal POR
Yes, ground potential VGNDIs maintained during the period t0 to t2,
Period. That is, the timing from the rise of the power supply
The initial state is completed in a period until t2.

【0009】ノードBの電位VBが第2のインバータ3の
しきい値Vi2に達するタイミングt3において、第2のイ
ンバータ3は、出力を反転させ、第1及び第2のインバ
ータ2、3を安定状態とする。パワーオンリセット信号
PORを受ける論理回路は、リセットが解除された状態と
なり、動作可能となる。
[0009] In the timing t3 when the potential V B reaches the threshold Vi2 of the second inverter 3 in a Node B, a second inverter 3 inverts the output, stable first and second inverters 2 and 3 State. Power-on reset signal
The logic circuit receiving the POR is in a state where the reset has been released, and becomes operable.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】所定の動作を繰り返す
論理回路は、電源電位Vccが低下すると、誤動作をする
場合がある。このような場合、あらためて、リセット期
間を設けて、論理回路をリセットすることが必要とな
る。しかしながら、上述のパワーオンリセット回路で
は、電源電位Vccが接地電位VGND近くまで下がらない
と、第1及び第2のインバータ2、3が反転せず、リセ
ット期間を設けることができない。従って、電源電位Vc
cが中途半端に低下したとき、論理回路が誤動作をしな
がらも、リセットがかからないという問題が生じる。そ
こで、本発明は、電源電位Vccの低下を検出して、論理
回路を確実にリセットすることのできるパワーオンリセ
ット回路の提供を目的とする。
A logic circuit that repeats a predetermined operation may malfunction when the power supply potential Vcc decreases. In such a case, it is necessary to provide a reset period again to reset the logic circuit. However, a power-on reset circuit described above, when the power supply potential Vcc does not drop to near ground potential V GND, the first and second inverters 2 and 3 does not reverse, it is impossible to provide a reset period. Therefore, the power supply potential Vc
When c drops halfway, there is a problem that the logic circuit malfunctions but the reset is not applied. Therefore, an object of the present invention is to provide a power-on reset circuit that can detect a decrease in the power supply potential Vcc and reliably reset a logic circuit.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するためになされたもので、一方の端子が第1の電
位に接続された第1のコンデンサと、入力側が上記コン
デンサの他方の端子に接続された第1のインバータと、
この第1のインバータに並列で且つ逆方向に接続された
第2のインバータと、一方の端子が上記第2のインバー
タの入力側に接続され、他方の端子が第2の電位に接続
される第2のコンデンサと、上記第2のインバータの出
力側と第2の電位との間に接続される一導電型トランジ
スタと、上記第1のインバータの入力側に応答して上記
一導電型トランジスタをオンさせる第1の検出部と、上
記第1のインバータの入力側と第1の電位との間に接続
される逆導電型トランジスタと、第1の電位に応答して
上記逆導電型トランジスタをオンさせる第2の検出部
と、を備えたことを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has a first capacitor having one terminal connected to a first potential, and an input terminal connected to the other of the capacitors. A first inverter connected to the terminals of
A second inverter connected in parallel and in the opposite direction to the first inverter; a second inverter having one terminal connected to the input side of the second inverter and the other terminal connected to the second potential; 2 capacitor, a one conductivity type transistor connected between the output side of the second inverter and a second potential, and the one conductivity type transistor turned on in response to the input side of the first inverter. A first detecting unit to be connected, a reverse conductivity type transistor connected between the input side of the first inverter and a first potential, and turning on the reverse conductivity type transistor in response to the first potential. And a second detection unit.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】図1は、本発明のパワーオンリセ
ット回路の実施形態を示す回路図であり、図2は、その
動作を示す波形図である。この図において、第1及び第
2のコンデンサ1、4、第1及び第2のインバータ2、
3、Nチャンネル型トランジスタ5、及び電位検出部6
は、図4に示す各部のものと同一であり、ノードBの電
位VBをパワーオンリセット信号PORとして出力する。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a power-on reset circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a waveform diagram showing the operation thereof. In this figure, first and second capacitors 1 and 4, first and second inverters 2,
3, N-channel type transistor 5, and potential detector 6
Is the same as that of each unit shown in FIG. 4, and outputs the potential VB of the node B as the power-on reset signal POR.

【0013】本発明の特徴とするところは、Pチャンネ
ル型トランジスタ11、電位低下検出部12を設け、電
源電位Vccが中途半端に低下したときでも、パワーオン
リセット信号PORを立ち下げるようにしたところにあ
る。
A feature of the present invention is that a P-channel transistor 11 and a potential drop detector 12 are provided so that the power-on reset signal POR falls even when the power supply potential Vcc drops halfway. It is in.

【0014】Pチャンネル型トランジスタ11は、電源
とノードAとの間に接続され、ゲートに電位低下検出部
12から供給される制御電位VDが印加される。このPチ
ャンネル型トランジスタ11の駆動能力は、第2のイン
バータ3を構成するトランジスタの駆動能力よりも大き
く設定される。電位低下検出部12は、電源電位Vccの
低下を検出して、Pチャンネル型トランジスタ11のオ
ン、オフを制御する制御電位VDを出力する。
The P-channel transistor 11 is connected between the power supply and the node A, and has a gate to which the control potential V D supplied from the potential drop detector 12 is applied. The driving capability of the P-channel transistor 11 is set to be larger than the driving capability of the transistor constituting the second inverter 3. Potential drop detection unit 12 detects a drop in the power supply potential Vcc, on the P-channel transistor 11, and outputs the control potential V D to control the off.

【0015】本発明のパワーオンリセット回路の動作を
図2に従って、説明する。タイミングt0〜t3まで、電源
電位Vcc、ノードAの電位VA、ノードBの電位VB(パワ
ーオンリセット信号POR)の電位変化は、図5に示すも
のと同一である。また、電位低下検出部12より出力さ
れる電位VDは、タイミングt0〜t3において、電源電位Vc
cの立ち上がりより若干遅れて立ち上がり、最終的に電
源電位Vccよりも低い電位V1まで上昇する。この制御電
位VDは、電源電位VccがVMAXに維持される期間において
は、図2(4)に示すように、電位V1で維持される。
The operation of the power-on reset circuit according to the present invention will be described with reference to FIG. Until the timing t0 to t3, the potential change of the power supply potential Vcc, the node potential V A of A, Node B potential V B (the power-on reset signal POR) is identical to that shown in FIG. The potential V D output from the potential drop detection unit 12 at the timing t0 to t3, the power supply potential Vc
It rises slightly later than the rise of c, and finally rises to a potential V1 lower than the power supply potential Vcc. The control potential V D, in a period during which the power supply potential Vcc is maintained at V MAX, as shown in FIG. 2 (4), is maintained at a potential V1.

【0016】タイミングt4において、電源電位Vccが低
下すると、電位低下検出部12は、電源電位Vccの低下
を検出し、図2(4)に示すように、制御電位VDを接地
電位V GND近くまで引き下げる。即ち、電位低下検出部
12は、電源電位Vccが接地電位VGNDまで下がらないと
きでも、制御電位VDを接地電位VGND近くまで引き下げ
るものである。タイミングt5において、電源電位Vccが
上昇し始めると、これに応答して制御電位VDも上昇を始
める。このとき、制御電位VDは、図2(1)、(4)に示す
ように、電源電位Vccの立ち上がりから遅れて、緩やか
に立ち上がる。
At timing t4, the power supply potential Vcc is low.
When the voltage drops, the potential drop detection unit 12 detects a drop in the power supply potential Vcc.
Is detected, and as shown in FIG.DGround
Potential V GNDPull down close. That is, the potential drop detector
12 indicates that the power supply potential Vcc is equal to the ground potential VGNDI have to go down
The control potential VDTo the ground potential VGNDPull down close
Things. At timing t5, the power supply potential Vcc
When it begins to rise, the control potential VDAlso started to rise
Confuse. At this time, the control potential VDIs shown in FIGS. 2 (1) and 2 (4)
As shown, the power supply potential
Stand up.

【0017】制御電位VDと電源電位Vccとの電位差が、
Pチャンネル型トランジスタ11のしきい値Vtpより大き
くなるタイミングt6において、Pチャンネル型トランジ
スタ11がオンすると、Pチャンネル型トランジスタ1
1を介して、ノードAに電源電位Vccが供給される。ここ
で、第2のインバータ3を構成するトランジスタの駆動
能力よりも、Pチャンネル型トランジスタ11の駆動能
力が高いため、ノードAの電位VAは、図2(2)に示すよ
うに上昇し始める。そして、電位VAが第1のインバータ
2のしきい値Vi1に達するタイミングt7において、第1
のインバータ2の出力が反転すると、ノードBの電位VB
(パワーリセット信号POR)が下がり始める。
[0017] is the potential difference between the control potential V D and the power supply potential Vcc,
When the P-channel transistor 11 is turned on at the timing t6 when the threshold voltage Vtp of the P-channel transistor 11 becomes larger than the threshold value Vtp, the P-channel transistor 1
1, the power supply potential Vcc is supplied to the node A. Here, than the driving capability of the transistors constituting the second inverter 3, due to the high driving capability of the P-channel transistor 11, the potential V A of the node A, starts to increase as shown in FIG. 2 (2) . Then, at timing t7 when the potential VA reaches the threshold value Vi1 of the first inverter 2, the first
Is inverted, the potential V B of the node B is inverted.
(Power reset signal POR) starts to drop.

【0018】電位検出部6の分圧電位VRがNチャンネル
型トランジスタ5のしきい値Vtn5に達するタイミングt8
において、Nチャンネル型トランジスタ5はオンし始め
る。ここで、Nチャンネル型トランジスタ5は、第2の
インバータ2を構成するトランジスタよりも、駆動能力
が大きく設定されているため、図2(2)に示すように、
電位VAは接地電位VGNDに引き下げられる。そして、電
位VAが第1のインバータ2を構成するトランジスタのし
きい値Vi1まで下がったタイミングt9において、第1の
インバータ2の出力が反転すると、電位VBが立ち上が
り始める。そして、電位VBが、第2のインバータ3の
しきい値Vi2に達するタイミングt10において、第2のイ
ンバータ3は、出力を反転させ、第1及び第2のインバ
ータ2、3を安定状態とする。従って、パワーオンリセ
ット信号PORは、接地電位VGNDに維持される期間t8〜t9
において、再度リセットした後、タイミングt10以降
に、パワーオンリセット信号PORを受ける論理回路を動
作可能な状態とする。
[0018] The timing t8 when the divided potential V R of the potential detecting section 6 reaches the threshold Vtn5 the N-channel-type transistor 5
, The N-channel transistor 5 starts to turn on. Here, the N-channel type transistor 5 is set to have a higher driving capability than the transistor constituting the second inverter 2, and as shown in FIG.
The potential VA is reduced to the ground potential VGND . Then, at timing t9 when lowered to the threshold Vi1 of a transistor potential V A constitutes a first inverter 2, the output of the first inverter 2 is inverted, the potential V B starts to rise. Then, the potential V B is, at the timing t10 to reach the threshold Vi2 of the second inverter 3, second inverter 3 inverts the output, the first and second inverters 2 and 3 and a stable state . Therefore, the power-on reset signal POR is maintained at the ground potential V GND during the period t8 to t9.
After resetting again, after timing t10, the logic circuit receiving the power-on reset signal POR is brought into an operable state.

【0019】図3は、図1の電位低下検出部12の構成
の1例を示した回路図である。電位低下検出部12は、
第1〜第5のトランジスタ21、22、23、24、2
6、コンデンサ25とで構成される。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the potential drop detector 12 of FIG. The potential drop detection unit 12
First to fifth transistors 21, 22, 23, 24, 2
6 and a capacitor 25.

【0020】第1のトランジスタ21は、Nチャンネル
型であり、ソースとゲートが各々電源に接続される。第
2のトランジスタ22は、Pチャンネル型であり、第1
のトランジスタ21とノードCとの間に接続され、ゲー
トが接地点に接続される。コンデンサ25は、接地点と
ノードCとの間に接続される。第3のトランジスタ23
は、Nチャンネル型であり、ソースとゲートが各々電源
に接続される。第4のトランジスタ24は、Pチャンネ
ル型であり、第3のトランジスタとノードDとの間に接
続され、ゲートが接地点に接続される。第5のトランジ
スタ26は、Nチャンネル型であり、ノードDと接地点と
の間に接続され、ゲートがノードCに接続される。この
第5のトランジスタ26の駆動能力は、第3及び第4の
トランジスタ23、24の駆動能力に比べ、十分に小さ
く設定される。そして、ノードDの電位VDは、制御電位
として、図1に示すPチャンネル型トランジスタ11の
ゲートに供給される。
The first transistor 21 is of an N-channel type, and has a source and a gate connected to a power supply, respectively. The second transistor 22 is a P-channel type,
And the gate is connected to the ground point. Capacitor 25 is connected between the ground point and node C. Third transistor 23
Is an N-channel type, and a source and a gate are respectively connected to a power supply. The fourth transistor 24 is of a P-channel type, is connected between the third transistor and the node D, and has a gate connected to a ground point. The fifth transistor 26 is of an N-channel type, is connected between the node D and a ground point, and has a gate connected to the node C. The driving ability of the fifth transistor 26 is set sufficiently smaller than the driving ability of the third and fourth transistors 23 and 24. Then, the potential V D of the node D, a control potential is supplied to the gate of the P-channel-type transistor 11 shown in FIG.

【0021】ここで、電源電位Vccは、立ち上がりの
際、接地電位VGND〜VMAXまで変化するものとする。通
常、接地電位VGNDは、0Vであり、電源投入前におい
て、電源電位Vcc、ノードAの電位VA、ノードBの電位
VB、ノードCの電位VC、ノードDの電位VDは、接地電位V
GNDである。また、第1のトランジスタ21のしきい値
をVt1、第3のトランジスタ23のしきい値をVt3、第4
のトランジスタ24のしきい値をVt4、第5のトランジ
スタ26のしきい値をVt5とする。
Here, it is assumed that the power supply potential Vcc changes from the ground potential V GND to V MAX at the time of rising. Normally, the ground potential V GND is 0 V, and the power supply potential Vcc, the potential V A of the node A , and the potential of the node B before the power is turned on.
V B , the potential V C of the node C , and the potential V D of the node D are equal to the ground potential V
GND . The threshold value of the first transistor 21 is Vt1, the threshold value of the third transistor 23 is Vt3,
The threshold of the transistor 24 is Vt4, and the threshold of the fifth transistor 26 is Vt5.

【0022】電源電位Vccが立ち上がり、電源電位Vccが
しきい値Vt1を越えた時点で、第1のトランジスタ21
がオンして、コンデンサ25が充電されると、ノードC
の電位VCは、VC≒Vcc−Vt1となる。ここで、第1のトラ
ンジスタ21のしきい値Vt1及び第5のトランジスタ2
6のしきい値Vt5は、Vt5<Vcc−Vt1を満たすように設定
されるので、コンデンサ25が充電された後、第5のト
ランジスタ26は、オンする。また、電源電位Vccがし
きい値Vt3を越えたとき、第3のトランジスタ23及び
第4のトランジスタ24が共にオンする。第5のトラン
ジスタ26の駆動能力が、第3のトランジスタ23、第
4のトランジスタ24の駆動能力に比べて、十分に小さ
く設定されているので、ノードDの電位VDは、VD≒Vcc−
Vt3となる(即ち、前述の電位V1は、V1≒Vcc−Vt3とな
る)。このとき、電位VDは、電源電位Vccが立ち上がる
よりも、遅れて立ち上がり始める。従って、電源電位Vc
cがVMAXを維持している間、Pチャンネル型トランジス
タ11(図1)のゲートに電位VDを制御電位として供給
する。ここで、制御電位VDは、Vcc−Vtpより大きく設定
されるので、Pチャンネル型トランジスタ11をオフさ
せている。
When the power supply potential Vcc rises and the power supply potential Vcc exceeds the threshold value Vt1, the first transistor 21
Turns on and the capacitor 25 is charged, the node C
The potential V C of becomes V C ≒ Vcc-Vt1. Here, the threshold value Vt1 of the first transistor 21 and the fifth transistor 2
Since the threshold value Vt5 of 6 is set to satisfy Vt5 <Vcc-Vt1, the fifth transistor 26 is turned on after the capacitor 25 is charged. When the power supply potential Vcc exceeds the threshold value Vt3, both the third transistor 23 and the fourth transistor 24 are turned on. Driving ability of the fifth transistor 26 is a third transistor 23, as compared with the driving capability of the fourth transistor 24, because it is set sufficiently small, the potential V D of the node D, V D ≒ Vcc-
Vt3 (that is, the above-described potential V1 becomes V1ccVcc−Vt3). At this time, the potential V D is the power supply potential Vcc than rises, starts to rise with a delay. Therefore, the power supply potential Vc
While c maintains the V MAX, supplying a potential V D as a control potential to the gate of the P-channel transistor 11 (FIG. 1). Here, the control voltage V D is, because it is larger than Vcc-Vtp, and turns off the P-channel transistor 11.

【0023】この状態において、電源電位Vccが低下
し、Vcc<Vt3+Vt4となると、第3のトランジスタ2
3、第4のトランジスタ24のいずれかがオフする。こ
れにより、電源からノードDへの電流の供給経路が遮断
される。一方、ノードCは、コンデンサ25により、電
位が保持されるため、第5のトランジスタ26はオンし
たままである。従って、ノードDは、第5のトランジス
タ26を介して、接地され、制御電位VDが、接地電位V
GNDまで引き下げられる。
In this state, when the power supply potential Vcc decreases and Vcc <Vt3 + Vt4, the third transistor 2
Third, one of the fourth transistors 24 is turned off. Thus, the current supply path from the power supply to the node D is shut off. On the other hand, since the potential of the node C is held by the capacitor 25, the fifth transistor 26 remains on. Accordingly, the node D via the fifth transistor 26 is grounded, the control voltage V D is, the ground potential V
Pulled down to GND .

【0024】一旦低下した電源電位Vccが立ち上がると
き、ノードDの電位VDもそれに応答して立ち上がるが、
第5のトランジスタ26がオンしているため、図2(4)に
示すように、電源電位Vccよりも緩やかに立ち上がる。
図2に示すタイミングt6において、電源電位Vccと制御
電位VDとの電位差が、図1に示すPチャンネル型トラン
ジスタ11のしきい値Vtpに達する(即ち、VD≒Vcc−Vt
3−Vtpとなる)と、Pチャンネル型トランジスタ11を
オンさせ、Pチャンネル型トランジスタ11のゲートに
制御電位VDを供給する。このようなノードDの電位VD
の立ち上がりの遅れによって、図2(3)に示すように、
リセット期間を設けることができる。
[0024] Once when reduced supply potential Vcc rises, but rises in response thereto the potential V D of the node D,
Since the fifth transistor 26 is on, it rises more slowly than the power supply potential Vcc as shown in FIG.
At timing t6 shown in FIG. 2, the potential difference between the power supply potential Vcc and the control voltage V D reaches the threshold Vtp of the P-channel-type transistor 11 shown in FIG. 1 (i.e., V D ≒ Vcc-Vt
And the 3-Vtp), to turn on the P-channel transistor 11, and supplies the control potential V D to the gate of the P-channel transistor 11. Such a potential V D of the node D
Due to the delay in the rise of
A reset period can be provided.

【0025】制御電位VDが立ち上がり、電源電位Vccと
制御電位VDとの電位差が、Pチャンネル型トランジスタ
11のしきい値Vtpより小さくなると、Pチャンネル型ト
ランジスタ11は、オフする。この後、電源電位Vcc
が、VMAXまで上昇すれば、図1に示す第1のインバー
タ2及び第2のインバータ3が安定状態となる。従っ
て、パワーオンリセット信号PORを受ける論理回路は、
初期状態と同じ状態になり、動作可能となる。
The control voltage V D rises, the potential difference between the power supply potential Vcc and the control voltage V D is, becomes smaller than the threshold Vtp of the P-channel transistor 11, P-channel transistor 11 is turned off. After this, the power supply potential Vcc
Rises to V MAX , the first inverter 2 and the second inverter 3 shown in FIG. 1 enter a stable state. Therefore, the logic circuit receiving the power-on reset signal POR
The state becomes the same as the initial state, and the operation becomes possible.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明のパワーオンリセット回路によれ
ば、電源電位Vccを受けて所定の動作を繰り返す論理回
路において、リセットされた後、電源電位Vccが接地電
位VGNDまで下がらなくても、電源電位Vccの低下を検出
し、再度リセット期間を設け、論理回路をリセットする
ことができる。これにより、電源電位Vccが低下に応じ
て、論理回路をリセットすることができるので、論理回
路の誤動作を防止するのに有効である。
According to the power-on reset circuit of the present invention, the logic circuit receives the power supply potential Vcc is repeated a predetermined operation, after being reset, even when the power supply potential Vcc is not lowered to the ground potential V GND, A drop in the power supply potential Vcc is detected, a reset period is provided again, and the logic circuit can be reset. Thus, the logic circuit can be reset in response to a decrease in the power supply potential Vcc, which is effective in preventing a malfunction of the logic circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のパワーオンリセット回路の構成を示す
回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a power-on reset circuit of the present invention.

【図2】本発明のパワーオンリセット回路の動作を示す
波形図である。
FIG. 2 is a waveform chart showing an operation of the power-on reset circuit of the present invention.

【図3】電位低下検出部の構成を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a configuration of a potential drop detection unit.

【図4】従来のパワーオンリセット回路の構成を示す回
路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional power-on reset circuit.

【図5】従来のパワーオンリセット回路の動作を示す波
形図である。
FIG. 5 is a waveform chart showing an operation of a conventional power-on reset circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、4、25:コンデンサ 2、3:インバータ 5、11、21,22、23、24、26:トランジス
タ 6:電位検出部 12:電位低下検出部
1, 4, 25: Capacitor 2, 3: Inverter 5, 11, 21, 22, 23, 24, 26: Transistor 6: Potential detector 12: Potential drop detector

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一方の端子が第1の電位に接続される第
1のコンデンサと、入力側が上記コンデンサの他方の端
子に接続される第1のインバータと、この第1のインバ
ータに並列で且つ逆方向に接続される第2のインバータ
と、一方の端子が上記第2のインバータの入力側に接続
され、他方の端子が第2の電位に接続される第2のコン
デンサと、上記第2のインバータの出力側と第2の電位
との間に接続される一導電型トランジスタと、上記第1
のインバータの入力側に応答して上記一導電型トランジ
スタをオンさせる第1の検出部と、上記第1のインバー
タの入力側と第1の電位との間に接続される逆導電型ト
ランジスタと、第1の電位に応答して上記逆導電型トラ
ンジスタをオンさせる第2の検出部と、を備え、上記第
1のインバータの出力側からリセット信号を得ることを
特徴とするパワーオンリセット回路。
1. A first capacitor having one terminal connected to a first potential, a first inverter having an input connected to the other terminal of the capacitor, and a first inverter connected in parallel to the first inverter. A second inverter connected in the reverse direction, a second capacitor having one terminal connected to the input side of the second inverter and the other terminal connected to a second potential, A transistor of one conductivity type connected between the output side of the inverter and the second potential;
A first detection unit that turns on the one-conductivity-type transistor in response to an input side of the inverter, and a reverse-conduction-type transistor connected between the input side of the first inverter and a first potential; A second detection unit for turning on the reverse conductivity type transistor in response to a first potential, wherein a reset signal is obtained from an output side of the first inverter.
【請求項2】 上記第1の検出部は、上記第1のインバ
ータの入力側と第2の電位との間に直列に接続される複
数の抵抗を含み、その複数の抵抗によって分圧された電
位を上記一導電型トランジスタのゲートに与えることを
特徴とする請求項1記載のパワーオンリセット回路。
2. The first detecting section includes a plurality of resistors connected in series between an input side of the first inverter and a second potential, and the voltage is divided by the plurality of resistors. 2. The power-on reset circuit according to claim 1, wherein a potential is applied to a gate of said one conductivity type transistor.
【請求項3】 上記第2の検出部は、ソースとゲートが
各々第1の電位に接続される一導電型の第1のトランジ
スタと、上記第1のトランジスタに直列に接続され、ゲ
ートが第2の電位に接続される逆導電型の第2のトラン
ジスタと、上記第2のトランジスタと第2の電位との間
に接続されるコンデンサと、ソースとゲートが各々第1
の電位に接続される一導電型の第3のトランジスタと、
上記第3のトランジスタに直列に接続され、ゲートが第
2の電位に接続される逆導電型の第4のトランジスタ
と、上記第4のトランジスタと第2の電位との間に接続
され、ゲートが上記第2のトランジスタと上記コンデン
サとの間に接続される一導電型の第5のトランジスタ
と、を備え、上記第4のトランジスタと上記第5のトラ
ンジスタとの間の電位を上記逆導電型トランジスタのゲ
ートに与えることを特徴とする請求項1記載のパワーオ
ンリセット回路。
3. The second detection unit includes a first transistor of one conductivity type, a source and a gate each connected to a first potential, and a first transistor connected in series to the first transistor, and a gate connected to the first transistor. A second transistor connected to the second potential, a capacitor connected between the second transistor and the second potential, and a source and a gate each connected to the first potential.
A third transistor of one conductivity type connected to the potential of
A fourth transistor of the opposite conductivity type, connected in series to the third transistor and having a gate connected to a second potential, connected between the fourth transistor and a second potential, A fifth transistor of one conductivity type connected between the second transistor and the capacitor, wherein the potential between the fourth transistor and the fifth transistor is set to the opposite conductivity type. 2. A power-on reset circuit according to claim 1, wherein the power-on reset circuit is supplied to the gate of the power-on reset circuit.
【請求項4】 上記第5のトランジスタの駆動能力が上
記第3及び第4のトランジスタの駆動能力に比べ小さい
ことを特徴とする請求項3記載のパワーオンリセット回
路。
4. The power-on reset circuit according to claim 3, wherein the driving capability of the fifth transistor is smaller than the driving capabilities of the third and fourth transistors.
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