JP2002093943A - Manufacturing method and device of film carrier tape for mounting electronic component - Google Patents

Manufacturing method and device of film carrier tape for mounting electronic component

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JP2002093943A JP2000275135A JP2000275135A JP2002093943A JP 2002093943 A JP2002093943 A JP 2002093943A JP 2000275135 A JP2000275135 A JP 2000275135A JP 2000275135 A JP2000275135 A JP 2000275135A JP 2002093943 A JP2002093943 A JP 2002093943A
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wiring pattern
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Yoichi Kaneko
子 洋 一 金
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Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the manufacturing method and device of a film carrier tape for mounting electronic components that uses a conductive metal ball such as a soldering ball as an external connection terminal, cannot easily eliminate the conductive metal ball, has excellent durability, and can be reliably and electrically connected. SOLUTION: By current-controlling devices for surface and rear electrodes, current flowing between the surface of a film carrier tape and the surface electrode is set larger than current flowing between the rear of the carrier tape and the rear electrode, and plating thickness (a) of a gold-plated layer that is electrolytically deposited on the surface of a connection terminal at the electronic-component side of the film carrier tape is set thicker than that (b) of the gold-plated layer that is electrolytically deposited at an external terminal connection section joined to the conductive metal ball on the back surface of the film carrier tape for forming.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、可撓性絶縁フィル
ムの一方の面にデバイスを実装し、このデバイスが実装
されている可撓性絶縁フィルムの裏面に、ハンダボール
のような金属含有導電性ボールを配置して、この金属含
有導電性ボールを実装されているデバイスの外部接続端
子とする電子部品実装用フィルムキャリアテープ、特に
CSP(Chip Size Package)を製造するための製造方法およ
び製造装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of mounting a device on one surface of a flexible insulating film, and forming a metal-containing conductive material such as a solder ball on the back surface of the flexible insulating film on which the device is mounted. Film carrier tape for electronic component mounting, in which conductive balls are arranged, and these metal-containing conductive balls are used as external connection terminals of a device on which the metal-containing conductive balls are mounted, particularly
The present invention relates to a manufacturing method and a manufacturing apparatus for manufacturing a CSP (Chip Size Package).

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から電子部品を実際の電子装置に組
み込むために種々の方法が採用されているが、これらの
中でも実装しようとする電子部品よりもやや大きめの絶
縁フィルムにデバイスホールを形成し、このデバイスホ
ールの縁部からインナーリードをデバイスホール内に延
設して、このインナーリードと電子部品に形成されてい
る電極とを接続する方法が採用されていた。このように
デバイスホールを有する電子部品実装用フィルムキャリ
アテープを用いると、外部接続端子を電子部品の周縁部
に形成する必要があり、電子装置における電子部品の実
装密度が一定以上高くならないという問題がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, various methods have been adopted for incorporating electronic components into an actual electronic device. Among them, a device hole is formed in an insulating film slightly larger than an electronic component to be mounted. A method of extending an inner lead from the edge of the device hole into the device hole and connecting the inner lead to an electrode formed on an electronic component has been adopted. The use of the electronic component mounting film carrier tape having the device holes as described above requires the external connection terminals to be formed at the peripheral edge of the electronic component, and the mounting density of the electronic component in the electronic device does not become higher than a certain level. is there.

【0003】近時、電子装置には、軽量・小型化の要請
が強く、従来のデバイスホールを有し周縁部に外部接続
端子が延設された電子部品実装用フィルムキャリアテー
プでは、上記のような電子装置における小型軽量化の要
請を充足することが次第に困難になりつつある。そこ
で、実装される電子部品の裏面に外部接続端子を配置す
る方法が案出され、この方法に使用されるフィルムキャ
リアは、電子部品と略同等の大きさを有することからCS
P(Chip Size Package)と称されて、既にFBGA(Finepit
ch Ball Grid Array)として実用化されている。
In recent years, there has been a strong demand for lighter and smaller electronic devices, and in the case of conventional film carrier tapes for mounting electronic components, which have device holes and external connection terminals are extended around the periphery, as described above. It is becoming increasingly difficult to satisfy the demand for smaller and lighter electronic devices. Therefore, a method of arranging external connection terminals on the back surface of the electronic component to be mounted has been devised. Since a film carrier used in this method has a size substantially equal to that of the electronic component, a CS is required.
P (Chip Size Package), already FBGA (Finepit
ch Ball Grid Array).

【0004】このような方法として、図1および 図2
に示したような2つのタイプの電子部品実装用フィルム
キャリアテープが採用されている。すなわち、可撓性絶
縁フィルム11の一方の面に銅箔のような導電性金属箔
をエッチングして配線パターン14を形成し、この配線
パターン14の電子部品側接続端子34の表面に金メッ
キ層36を形成している。
FIGS. 1 and 2 show such a method.
The following two types of film carrier tapes for mounting electronic components are employed. That is, a conductive metal foil such as a copper foil is etched on one surface of the flexible insulating film 11 to form a wiring pattern 14, and a gold plating layer 36 is formed on the surface of the electronic component side connection terminal 34 of the wiring pattern 14. Is formed.

【0005】そして、図1のタイプでは、電子部品(デ
バイス)50の上面に形成されているバンプ電極51と
電子部品側接続端子34とを、金線などの導電性金属線
33を用いてワイヤーボンディングすることにより、電
子部品50をフィルムキャリアに実装している。また図
2のタイプでは、電子部品50の下面に形成されている
バンプ電極51と電子部品側接続端子34とを、電子部
品側接続端子34を切断しながら電子部品50の下面に
形成されているバンプ電極51と直接接合させることに
より、電子部品をフィルムキャリアに実装している。
In the type shown in FIG. 1, a bump electrode 51 formed on the upper surface of an electronic component (device) 50 and an electronic component side connection terminal 34 are connected to each other by a conductive metal wire 33 such as a gold wire. By bonding, the electronic component 50 is mounted on the film carrier. In the type of FIG. 2, the bump electrodes 51 and the electronic component side connection terminals 34 formed on the lower surface of the electronic component 50 are formed on the lower surface of the electronic component 50 while cutting the electronic component side connection terminals 34. The electronic component is mounted on the film carrier by directly bonding to the bump electrode 51.

【0006】一方、上記の電子部品側接続端子34は、
実装された電子部品50の下面の可撓性絶縁フィルム1
1に形成された貫通孔(外部接続端子孔)21を覆うよ
うに配線されている。そして、可撓性絶縁フィルム11
に形成された外部接続端子孔21内に、金属含有導電性
ボール20を配置して、金属含有導電性ボール20と配
線パターン14とを電気的に接続させるとともに、可撓
性絶縁フィルム11の裏面からこの金属含有導電性ボー
ル20を露出させ、この裏面に露出した金属含有導電性
ボール20を外部接続端子として利用している。
On the other hand, the electronic component side connection terminal 34 is
Flexible insulating film 1 on the lower surface of mounted electronic component 50
The wiring is formed so as to cover the through-hole (external connection terminal hole) 21 formed in the first through-hole 1. Then, the flexible insulating film 11
A metal-containing conductive ball 20 is arranged in an external connection terminal hole 21 formed on the substrate to electrically connect the metal-containing conductive ball 20 and the wiring pattern 14, and a back surface of the flexible insulating film 11. Thus, the metal-containing conductive balls 20 are exposed, and the metal-containing conductive balls 20 exposed on the back surface are used as external connection terminals.

【0007】このような電子部品実装用フィルムキャリ
アテープにおいて外部端子として使用される金属含有導
電性ボール20としては、主としてハンダボールが使用
されている。
[0007] As the metal-containing conductive balls 20 used as external terminals in such a film carrier tape for mounting electronic components, solder balls are mainly used.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】このように電子部品5
0に設けられたバンプ電極51とのボンディングのため
に、電子部品側接続端子34の表面には、金メッキ層3
6を形成する必要がある。このために、金メッキ処理と
して、多数の配線パターン14が形成されたフィルム1
1を、電極が配置された金メッキ浴内を移動させなが
ら、電流を流すことによって、露出した配線パターン1
4の表面を金メッキする方法が採用されている。従っ
て、露出している配線パターン14の表面にはほぼ均一
な厚さの金メッキ層34、37が形成される。
As described above, the electronic component 5
In order to bond with the bump electrode 51 provided on the electronic component side connection terminal 34, a gold plating layer 3
6 need to be formed. For this reason, the film 1 on which a large number of wiring patterns 14 are formed is subjected to a gold plating process.
1 is passed through a gold plating bath in which electrodes are arranged, and a current is applied to the exposed wiring pattern 1
The method of plating the surface of No. 4 with gold is adopted. Therefore, the gold plating layers 34 and 37 having a substantially uniform thickness are formed on the exposed surface of the wiring pattern 14.

【0009】このように露出している配線パターン14
の表面に均一な厚さの金メッキ層36を形成した配線パ
ターン14は、電子部品50に設けられたバンプ電極5
1と非常に良好な電気的接続を形成することができる。
しかしながら、導電性金属ボール20として使用される
ハンダボールと配線パターン14との間では、配線パタ
ーン14の表面に金が存在すると、金−ハンダ合金を形
成して接合する。この金−ハンダ合金は、例えば、ハン
ダ中の金の割合が4%を超えると衝撃値が急激に低下し
て、非常に堅くて脆くなるという特性を有している。従
って、ハンダボール20と配線パターン14との接合面
にこの金−ハンダ合金が過度に存在すると、すなわち、
外部接続端子孔21の底(閉塞端部)を形成する配線パ
ターン14の裏面に形成された金メッキ層37の膜厚が
大きくなると、ハンダボール20のシェア強度が低くな
り、ハンダボール20が、配線パターン14から脱落し
やすくなる。
The wiring pattern 14 thus exposed
The wiring pattern 14 in which the gold plating layer 36 having a uniform thickness is formed on the surface of the
1 and a very good electrical connection can be formed.
However, between the solder ball used as the conductive metal ball 20 and the wiring pattern 14, if gold exists on the surface of the wiring pattern 14, a gold-solder alloy is formed and joined. This gold-solder alloy has a characteristic that, for example, when the ratio of gold in the solder exceeds 4%, the impact value is sharply reduced, and the alloy becomes very hard and brittle. Therefore, if the gold-solder alloy is excessively present on the joint surface between the solder ball 20 and the wiring pattern 14, that is,
When the thickness of the gold plating layer 37 formed on the back surface of the wiring pattern 14 forming the bottom (closed end) of the external connection terminal hole 21 increases, the shear strength of the solder ball 20 decreases, and the solder ball 20 It becomes easy to fall off from the pattern 14.

【0010】このような傾向は、図2に示すようなスリ
ット31を跨ぐように形成された配線パターン14を切
断しながら、直接電子部品(IC)50の底縁部に形成され
たバンプ電極51(通常は金で形成されている)に溶着
させるビームリードボンディングタイプの電子部品実装
用フィルムキャリアテープにおいても同様に生ずる。こ
のようなハンダボール20の脱落は、フィルムキャリア
が外部接続端子を失うことであり、脱落したハンダボー
ル20を絶縁フィルム11に形成されたハンダボール用
の外部接続端子孔21孔に、再度ハンダボール20を埋
め込まなければならない。この修復作業は非常に煩雑で
あり、CSPのように導電性金属ボールを用いて外部接続
端子を形成するフィルムキャリアにおいて非常に深刻な
問題になっている。
This tendency is caused by cutting the wiring pattern 14 formed so as to straddle the slit 31 as shown in FIG. 2 and directly connecting the bump electrode 51 formed on the bottom edge of the electronic component (IC) 50. This also occurs in the case of a film carrier tape for mounting electronic components of the beam lead bonding type which is welded to (usually made of gold). Such dropping of the solder balls 20 means that the film carrier loses the external connection terminals, and the dropped solder balls 20 are inserted into the external connection terminal holes 21 for the solder balls formed in the insulating film 11 again, and the solder balls are again removed. 20 must be embedded. This repair work is very complicated, and has become a very serious problem in a film carrier in which an external connection terminal is formed using a conductive metal ball like a CSP.

【0011】さらに、過剰厚の金メッキ層を形成するこ
とによってフィルムキャリアのコストアップも招来す
る。本発明は、このような現状を考慮して、外部接続端
子としてハンダボールのような導電性金属ボールを用い
たフィルムキャリアであって、この導電性金属ボールが
脱離しにくく、耐久性に優れ、確実な電気的接続が可能
な電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法お
よびそのための製造装置を提供することを目的とする。
Further, the cost of the film carrier is increased by forming an excessively thick gold plating layer. The present invention is a film carrier using a conductive metal ball such as a solder ball as an external connection terminal in consideration of such a current situation, and the conductive metal ball is not easily detached, and has excellent durability. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components capable of ensuring reliable electrical connection and a manufacturing apparatus therefor.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、前述したよう
な従来技術における課題及び目的を達成するために発明
なされたものであって、本発明の電子部品実装用フィル
ムキャリアテープの製造方法は、絶縁フィルムと、前記
絶縁フィルムの一方の面に形成された配線パターンとを
有し、前記配線パターンの一端部には、実装される電子
部品と接続可能な電子部品側接続端子が形成され、前記
配線パターンの他端部には、前記絶縁フィルムに形成さ
れた貫通孔上に形成された外部端子接合部が形成される
とともに、前記配線パターンが形成されている絶縁フィ
ルム表面とは反対の側から、前記貫通孔内に導電性金属
ボールを配置することにより、前記導電性金属ボールを
介して、絶縁フィルムの裏面において、前記絶縁フィル
ムの表面に形成された配線パターンに電気的に接続され
る電子部品との電気的接続が可能なように構成された電
子部品実装用フィルムキャリアテープを製造するための
製造方法であって、前記絶縁フィルムの一方の面に配線
パターンが形成されたフィルムキャリアテープを金メッ
キ浴中に浸漬し、前記フィルムキャリアテープの表面に
対峙するように所定の距離離間して、金メッキ浴中に表
面電極を配置するとともに、前記フィルムキャリアテー
プの裏面に対峙するように所定の距離離間して、金メッ
キ浴中に裏面電極を配置し、前記フィルムキャリアテー
プの表面と表面電極との間に流れる電流と、前記フィル
ムキャリアテープの裏面と裏面電極との間に流れる電流
を個別に制御して、前記フィルムキャリアテープの表面
と表面電極との間に流れる電流を、前記フィルムキャリ
アテープの裏面と裏面電極との間に流れる電流よりも大
きくなるようにし、前記フィルムキャリアテープの電子
部品側接続端子の表面に電解析出する金メッキ層のメッ
キ厚(a)が、フィルムキャリアテープの裏面の導電性
金属ボールと接合する外部端子接続部に電解析出する金
メッキ層のメッキ厚(b)よりも厚くなるように形成す
ることを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to achieve the above-mentioned objects and objects of the prior art, and a method of manufacturing a film carrier tape for mounting electronic parts according to the present invention is described below. An insulating film, having a wiring pattern formed on one surface of the insulating film, at one end of the wiring pattern is formed an electronic component side connection terminal connectable to an electronic component to be mounted, At the other end of the wiring pattern, an external terminal joining portion formed on a through hole formed in the insulating film is formed, and a side opposite to the surface of the insulating film on which the wiring pattern is formed. By disposing a conductive metal ball in the through hole, the conductive metal ball is formed on the back surface of the insulating film and on the surface of the insulating film via the conductive metal ball. A method for manufacturing an electronic component mounting film carrier tape configured to be capable of electrical connection with an electronic component electrically connected to the wiring pattern, wherein the one surface of the insulating film is provided. A film carrier tape having a wiring pattern formed thereon is immersed in a gold plating bath, separated by a predetermined distance so as to face the surface of the film carrier tape, and a surface electrode is arranged in the gold plating bath, and the film carrier tape is provided. A predetermined distance is provided so as to face the back surface of the tape, a back electrode is disposed in a gold plating bath, a current flowing between the front surface and the front electrode of the film carrier tape, and a back surface and a back surface of the film carrier tape are provided. By individually controlling the current flowing between the electrodes, the current flowing between the surface of the film carrier tape and the surface electrode, The current flowing between the back surface and the back surface electrode of the film carrier tape is set to be larger than that of the film carrier tape, and the plating thickness (a) of the gold plating layer electrolytically deposited on the surface of the electronic component side connection terminal of the film carrier tape is reduced. It is characterized in that it is formed so as to be thicker than the plating thickness (b) of the gold plating layer electrolytically deposited on the external terminal connecting portion to be joined to the conductive metal ball on the back surface of the carrier tape.

【0013】また、本発明の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープの製造装置は、絶縁フィルムと、前記絶縁
フィルムの一方の面に形成された配線パターンとを有
し、前記配線パターンの一端部には、実装される電子部
品と接続可能な電子部品側接続端子が形成され、前記配
線パターンの他端部には、前記絶縁フィルムに形成され
た貫通孔上に形成された外部端子接合部が形成されると
ともに、前記配線パターンが形成されている絶縁フィル
ム表面とは反対の側から、前記貫通孔内に導電性金属ボ
ールを配置することにより、前記導電性金属ボールを介
して、絶縁フィルムの裏面において、前記絶縁フィルム
の表面に形成された配線パターンに電気的に接続される
電子部品との電気的接続が可能なように構成された電子
部品実装用フィルムキャリアテープを製造するための製
造装置であって、前記絶縁フィルムの一方の面に配線パ
ターンが形成されたフィルムキャリアテープを浸漬する
金メッキ浴と、前記フィルムキャリアテープの表面に対
峙するように所定の距離離間して、金メッキ浴中に配置
された表面電極と、前記フィルムキャリアテープの裏面
に対峙するようにと所定の距離離間して、金メッキ浴中
に配置された裏面電極と、前記フィルムキャリアテープ
の表面と表面電極との間に流れる電流と、前記フィルム
キャリアテープの裏面と裏面電極との間に流れる電流を
個別に制御する表面電極用電流制御装置と裏面電極用電
流制御装置とを備え、前記表面電極用電流制御装置と裏
面電極用電流制御装置によって、前記フィルムキャリア
テープの表面と表面電極との間に流れる電流を、前記フ
ィルムキャリアテープの裏面と裏面電極との間に流れる
電流よりも大きくなるようにし、前記フィルムキャリア
テープの電子部品側接続端子の表面に電解析出する金メ
ッキ層のメッキ厚(a)が、フィルムキャリアテープの
裏面の導電性金属ボールと接合する外部端子接続部に電
解析出する金メッキ層のメッキ厚(b)よりも厚く形成
するように構成されていることを特徴とする。
[0013] Further, an apparatus for manufacturing a film carrier tape for mounting electronic parts according to the present invention has an insulating film and a wiring pattern formed on one surface of the insulating film, and one end of the wiring pattern is provided at one end of the wiring pattern. An electronic component-side connection terminal connectable to an electronic component to be mounted is formed, and an external terminal joint formed on a through-hole formed in the insulating film is formed at the other end of the wiring pattern. In addition, by arranging conductive metal balls in the through holes from the side opposite to the surface of the insulating film on which the wiring pattern is formed, the conductive metal balls are interposed between the conductive metal balls and on the back surface of the insulating film. An electronic component mounting film configured to be electrically connectable to an electronic component electrically connected to a wiring pattern formed on a surface of the insulating film. A manufacturing apparatus for manufacturing a carrier tape, a gold plating bath for immersing a film carrier tape having a wiring pattern formed on one surface of the insulating film, and a predetermined distance so as to face the surface of the film carrier tape. Separated, the front electrode disposed in the gold plating bath, and separated by a predetermined distance so as to face the rear surface of the film carrier tape, the back electrode disposed in the gold plating bath, and the film carrier tape A current flowing between the front surface and the front electrode, and a current control device for the front electrode and a current control device for the back electrode individually controlling the current flowing between the back surface and the back electrode of the film carrier tape, By the current control device for the front electrode and the current control device for the back electrode, the current flows between the front surface of the film carrier tape and the front electrode. The current is made larger than the current flowing between the back surface and the back electrode of the film carrier tape, and the plating thickness of the gold plating layer electrolytically deposited on the surface of the electronic component side connection terminal of the film carrier tape (a) Are formed so as to be thicker than a plating thickness (b) of a gold plating layer electrolytically deposited on an external terminal connecting portion to be joined to the conductive metal ball on the back surface of the film carrier tape.

【0014】このように構成することによって、表面電
極用電流制御装置と裏面電極用電流制御装置によって、
フィルムキャリアテープの表面と表面電極との間に流れ
る電流と、フィルムキャリアテープの裏面と裏面電極と
の間に流れる電流を個別に制御して、フィルムキャリア
テープの表面と表面電極との間に流れる電流を、フィル
ムキャリアテープの裏面と裏面電極との間に流れる電流
よりも大きくすることができる。
With this configuration, the current control device for the front surface electrode and the current control device for the back surface electrode provide:
The current flowing between the surface and the surface electrode of the film carrier tape and the current flowing between the back surface and the back electrode of the film carrier tape are individually controlled to flow between the surface and the surface electrode of the film carrier tape. The current can be made larger than the current flowing between the back surface of the film carrier tape and the back surface electrode.

【0015】これによって、電子部品に形成されたバン
プ電極との接合に必要な部分には充分な厚さの金メッキ
層が形成され、バンプ電極と電子部品側接続端子との間
では良好な接合状態を形成できる。また、ハンダボール
が接合する外部接続端子孔内の配線パターン表面には、
ハンダボールの接合に必要な少量の金が存在するように
することができ、これにより、ハンダボールと配線パタ
ーンとの間の接合部で、ハンダボールの脱落の要因にな
る過剰の金−ハンダ合金を形成することがない。
As a result, a gold plating layer having a sufficient thickness is formed in a portion required for bonding with the bump electrode formed on the electronic component, and a good bonding state is formed between the bump electrode and the electronic component side connection terminal. Can be formed. Also, on the surface of the wiring pattern inside the external connection terminal hole to which the solder ball is joined,
There can be a small amount of gold needed to join the solder balls, so that at the joint between the solder balls and the wiring pattern, the excess gold-solder alloy that causes the solder balls to fall off Is not formed.

【0016】従って、ハンダボールが配線パターンから
脱落しにくく、耐久性に優れ、確実な電気的接続が可能
で、コストも安価な電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープを提供することができる。また、本発明の電子部品
実装用フィルムキャリアテープの製造方法は、前記メッ
キ浴中に、前記フィルムキャリアテープの長手方向の両
縁部近傍をそれぞれ遮蔽する一対の遮蔽部材を配設し
て、前記フィルムキャリアテープの表面と表面電極との
間に流れる電流と、前記フィルムキャリアテープの裏面
と裏面電極との間に流れる電流とが、相互に干渉しない
状態で電解析出を行うことを特徴とする。
Therefore, it is possible to provide a film carrier tape for mounting electronic parts, which is less likely to fall off the wiring pattern from the wiring pattern, has excellent durability, enables reliable electrical connection, and is inexpensive. Further, the method of manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components of the present invention, in the plating bath, disposing a pair of shielding members for shielding the vicinity of both longitudinal edges of the film carrier tape, respectively, The current flowing between the front surface and the surface electrode of the film carrier tape and the current flowing between the back surface and the back surface electrode of the film carrier tape are subjected to electrolytic deposition in a state where they do not interfere with each other. .

【0017】また、本発明の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープの製造装置は、前記メッキ浴中に配設し
た、前記フィルムキャリアテープの長手方向の両縁部近
傍をそれぞれ遮蔽する一対の遮蔽部材を備え、前記フィ
ルムキャリアテープの表面と表面電極との間に流れる電
流と、前記フィルムキャリアテープの裏面と裏面電極と
の間に流れる電流とが、相互に干渉しない状態で電解析
出を行うように構成したことを特徴とする。
Further, the apparatus for manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components according to the present invention includes a pair of shielding members provided in the plating bath for shielding the vicinity of both longitudinal edges of the film carrier tape. The current flowing between the front surface and the surface electrode of the film carrier tape, and the current flowing between the back surface and the back surface electrode of the film carrier tape perform electrolytic deposition in a state where they do not interfere with each other. It is characterized by comprising.

【0018】このように構成することによって、フィル
ムキャリアテープの表面と表面電極との間に流れる電流
と、フィルムキャリアテープの裏面と裏面電極との間に
流れる電流とが、遮蔽部材によって遮蔽されることによ
り、相互に干渉しない状態となり、すなわち電流の相互
の回り込みが防止できる。これにより、表面電極用電流
制御装置と裏面電極用電流制御装置による、フィルムキ
ャリアテープの表面と表面電極との間に流れる電流と、
フィルムキャリアテープの裏面と裏面電極との間に流れ
る電流との個別の制御が確実に行えることになる。
With this configuration, the current flowing between the front surface and the front electrode of the film carrier tape and the current flowing between the back surface and the back electrode of the film carrier tape are shielded by the shielding member. As a result, mutual interference does not occur, that is, the mutual sneak of current can be prevented. Thereby, the current flowing between the front surface of the film carrier tape and the front electrode by the front electrode current control device and the back electrode current control device,
Individual control of the current flowing between the back surface of the film carrier tape and the back surface electrode can be reliably performed.

【0019】従って、電子部品側接続端子表面の金メッ
キ量と、外部接続端子孔内の配線パターン表面の金メッ
キ量を正確に制御することが可能となる。また、本発明
の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法
は、前記電子部品側接続端子の表面の金メッキ層の平均
メッキ厚(a)が、0.5〜1.5μmの範囲内にあ
り、導電性金属ボールと接合する外部端子接続部の金メ
ッキ層の平均メッキ厚(b)が、0.5μm以下である
ように電流を制御することを特徴とする。
Accordingly, it is possible to accurately control the amount of gold plating on the surface of the connection terminal on the electronic component side and the amount of gold plating on the surface of the wiring pattern in the external connection terminal hole. Further, in the method for producing a film carrier tape for mounting electronic components of the present invention, the average plating thickness (a) of the gold plating layer on the surface of the electronic component side connection terminal is in the range of 0.5 to 1.5 μm, The current is controlled so that the average plating thickness (b) of the gold plating layer of the external terminal connection portion to be joined to the conductive metal ball is 0.5 μm or less.

【0020】また、本発明の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープの製造装置は、前記電子部品側接続端子の
表面の金メッキ層の平均メッキ厚(a)が、0.5〜
1.5μmの範囲内にあり、導電性金属ボールと接合す
る外部端子接続部の金メッキ層の平均メッキ厚(b)
が、0.5μm以下であるように、前記表面電極用電流
制御装置と裏面電極用電流制御装置によって電流を制御
するように構成されていることを特徴とする。
In the apparatus for manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components according to the present invention, the average plating thickness (a) of the gold plating layer on the surface of the connection terminal on the electronic component side is 0.5 to 0.5.
The average plating thickness of the gold plating layer of the external terminal connection part which is within the range of 1.5 μm and is connected to the conductive metal ball (b)
Is controlled to be 0.5 μm or less by the current control device for the front electrode and the current control device for the back electrode.

【0021】これによって、電子部品に形成されたバン
プ電極との接合に必要な部分には充分な厚さの金メッキ
層が形成され、バンプ電極と電子部品側接続端子との間
では良好な接合状態を形成できる。また、ハンダボール
が接合する外部接続端子孔内の配線パターン表面には、
ハンダボールの接合に必要な少量の金が存在するように
することができ、これにより、ハンダボールと配線パタ
ーンとの間の接合部で、ハンダボールの脱落の要因にな
る過剰の金−ハンダ合金を形成することがない。
As a result, a gold plating layer having a sufficient thickness is formed at a portion necessary for bonding with the bump electrode formed on the electronic component, and a good bonding state is formed between the bump electrode and the electronic component side connection terminal. Can be formed. Also, on the surface of the wiring pattern inside the external connection terminal hole to which the solder ball is joined,
There can be a small amount of gold needed to join the solder balls, so that at the joint between the solder balls and the wiring pattern, the excess gold-solder alloy that causes the solder balls to fall off Is not formed.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態(実施例)について説明する。図1および
図2に本発明によって製造する電子部品実装用フィルム
キャリアテープに電子部品を実装した状態の断面の例を
示す。図1は、電子部品のバンプ電極が電子部品の上面
にあり、配線パターン上に電子部品を貼着して、この貼
着された電子部品の縁部にある電子部品接続端子と上記
バンプ電極とが導電体線によって接続されるタイプの電
子部品実装用フィルムキャリアテープ(FBGA)の例を示
すものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments (examples) of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2 show examples of cross sections in a state where electronic components are mounted on a film carrier tape for mounting electronic components manufactured by the present invention. FIG. 1 shows that the bump electrode of the electronic component is on the upper surface of the electronic component, the electronic component is attached on the wiring pattern, and the electronic component connection terminal and the bump electrode on the edge of the attached electronic component are attached. 1 shows an example of a film carrier tape (FBGA) for mounting electronic components of a type connected by conductor wires.

【0023】図2は、電子部品の縁部にあたる部分の絶
縁フィルムにスリットを形成し、このスリットを跨ぐよ
うに配線パターンを形成してなり、配線パターンの上に
電子部品を貼着して、電子部品の下面縁部に形成された
電極と、スリットを跨ぐように形成された配線パターン
(電子部品接続端子)を外側端部で切断しながらボンデ
ィングするタイプの電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープ(FBGA)の例を示すものである。
FIG. 2 shows a case where a slit is formed in a portion of the insulating film corresponding to the edge of the electronic component, a wiring pattern is formed so as to straddle the slit, and the electronic component is attached on the wiring pattern. An electronic component mounting film carrier tape (FBGA) that bonds while cutting the electrode formed on the lower edge of the electronic component and the wiring pattern (electronic component connection terminal) formed across the slit at the outer end. 3) shows an example.

【0024】本発明によって製造する電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープ10は、図1に示すように、絶縁
フィルム11の一方の面に導電性金属箔をエッチングす
ることにより形成された配線パターン14を有する。絶
縁フィルム11は、可撓性を有する絶縁性の合成樹脂フ
ィルムから形成されている。ここで使用される絶縁フィ
ルム11は、可撓性を有するとともに、エッチングする
際に酸などと接触するので、このような薬品に侵されな
い耐薬品性、および、ボンディングする際の加熱などに
よっても変質しないような耐熱性を有している。このよ
うな絶縁フィルム11を形成する素材の例としては、ポ
リエステル、ポリアミド、液晶ポリマーおよびポリイミ
ドなどを挙げることができる。特に、本発明では、ポリ
イミドからなるフィルムを用いることが好ましい。
As shown in FIG. 1, the film carrier tape 10 for mounting electronic components according to the present invention has a wiring pattern 14 formed on one surface of an insulating film 11 by etching a conductive metal foil. . The insulating film 11 is formed of a flexible insulating synthetic resin film. The insulating film 11 used here has flexibility, and is in contact with an acid or the like during etching, so that it is resistant to such chemicals, and is deteriorated by heating during bonding. It does not have heat resistance. Examples of a material for forming such an insulating film 11 include polyester, polyamide, liquid crystal polymer, and polyimide. In particular, in the present invention, it is preferable to use a film made of polyimide.

【0025】絶縁フィルム11を構成するポリイミドフ
ィルムの例としては、ピロメリット酸2無水物と芳香族
ジアミンとから合成される全芳香族ポリイミド、ビフェ
ニルテトラカルボン酸2無水物と芳香族ジアミンとから
合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミド
を挙げることができる。特に、本発明では、ビフェニル
骨格を有する全芳香族ポリイミド(例;商品名:ユーピ
レックスS、宇部興産(株)製)が好ましく使用され
る。この方法で使用可能な絶縁フィルム11の厚さは、
通常は7.5〜125μm、好ましくは25〜75μm
の範囲内にある。
Examples of the polyimide film constituting the insulating film 11 include a wholly aromatic polyimide synthesized from pyromellitic dianhydride and an aromatic diamine, and a synthetic film formed from biphenyltetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine. Wholly aromatic polyimide having a biphenyl skeleton. Particularly, in the present invention, a wholly aromatic polyimide having a biphenyl skeleton (eg, trade name: Upilex S, manufactured by Ube Industries, Ltd.) is preferably used. The thickness of the insulating film 11 usable in this method is
Usually 7.5 to 125 μm, preferably 25 to 75 μm
Within the range.

【0026】本発明で使用する絶縁フィルム11には、
さらに導電性金属ボール(ハンダボール)20を埋め込
むための外部接続端子孔21が多数穿設されている。こ
の外部接続端子孔21は、実装される電子部品50が占
める部分の絶縁フィルム11の部分に穿設されている。
この外部接続端子孔21には、導電性金属ボール20を
配置して、外部接続端子孔21の表面を塞ぐように形成
されている配線パターン14と接合できるように形成さ
れている。
The insulating film 11 used in the present invention includes:
Further, a number of external connection terminal holes 21 for embedding conductive metal balls (solder balls) 20 are formed. The external connection terminal hole 21 is formed in a portion of the insulating film 11 occupied by the electronic component 50 to be mounted.
A conductive metal ball 20 is disposed in the external connection terminal hole 21 so that the conductive metal ball 20 can be joined to the wiring pattern 14 formed so as to cover the surface of the external connection terminal hole 21.

【0027】導電性金属ボール20の直径は、通常は、
0.2〜1.0mm、好ましくは、0.2〜0.5mmである。
この外部接続端子孔21は、ハンダボールのような導電
性金属ボール20を配置したときに、隣接して配置され
た導電性金属ボール20とが接触しないように形成され
ており、外部接続端子孔21の形成ピッチは、使用する
導電性金属ボールの大きさによっても異なるが、通常は
0.3〜2.0mm、好ましくは0.3〜1.0mmである。
The diameter of the conductive metal ball 20 is usually
It is 0.2 to 1.0 mm, preferably 0.2 to 0.5 mm.
The external connection terminal hole 21 is formed such that when the conductive metal ball 20 such as a solder ball is arranged, the adjacent conductive metal ball 20 does not come into contact with the conductive metal ball 20. The formation pitch of 21 varies depending on the size of the conductive metal ball to be used, but is usually 0.3 to 2.0 mm, preferably 0.3 to 1.0 mm.

【0028】また、図2に示すように、スリット31を
跨ぐように形成された配線パターンである電子部品側接
続端子34を切断しながら、この電子部品側接続端子3
4を電子部品50の底面に形成された電極51とボンデ
ィングする方式(ビームリードボンディング方式)を採
用する場合には、絶縁フィルム11には、さらにスリッ
ト31を形成する。このスリットの幅は、通常は0.4
〜2.0mm、好ましくは0.6〜1.5mmである。
As shown in FIG. 2, while cutting the electronic component side connection terminal 34 which is a wiring pattern formed so as to straddle the slit 31, the electronic component side connection terminal 3 is cut.
In a case where a method (beam lead bonding method) of bonding the electrode 4 to the electrode 51 formed on the bottom surface of the electronic component 50 is adopted, a slit 31 is further formed in the insulating film 11. The width of this slit is usually 0.4
22.0 mm, preferably 0.6-1.5 mm.

【0029】また、本発明で使用する絶縁フィルム11
の長さ方向の両縁部には、所定の間隔で多数のスプロケ
ットホールを有する。さらに、絶縁フィルム11には位
置合わせのための貫通孔、不良パッケージ表示、パッケ
ージ外形などの種々の目的に合わせた貫通孔を形成する
ことができる。上記のような外部接続端子孔21、スリ
ット31、スプロケットホール、その他の貫通孔は、パ
ンチングなどにより形成することができる。
Further, the insulating film 11 used in the present invention
On both edges in the longitudinal direction, a number of sprocket holes are provided at predetermined intervals. Further, through-holes for various purposes such as through-holes for positioning, defective package display, and package outer shape can be formed in the insulating film 11. The external connection terminal holes 21, slits 31, sprocket holes, and other through holes as described above can be formed by punching or the like.

【0030】上記のように各種貫通孔あるいはスリット
などが形成された絶縁フィルム11の一方の面に導電体
金属箔14を積層する。本発明では、導電体箔14とし
て、導電性を有し、厚さが通常は3〜35μm、好まし
くは9〜25μmの範囲内にある金属箔を使用すること
ができる。具体的には、導電性を有する金属箔の例とし
ては、銅箔、アルミニウム箔などを挙げることができ
る。
The conductive metal foil 14 is laminated on one surface of the insulating film 11 in which various through holes or slits are formed as described above. In the present invention, as the conductor foil 14, a metal foil having conductivity and having a thickness of usually 3 to 35 μm, preferably 9 to 25 μm can be used. Specifically, examples of the conductive metal foil include a copper foil and an aluminum foil.

【0031】上記のような厚さの導電体箔(金属箔)1
4を、直接絶縁フィルム11に積層する代わりに、非常
に薄い金属箔(例えば6μm未満)を絶縁フィルム11
に積層し、この積層された極薄金属箔表面に、例えば蒸
着法あるいはメッキ法等によって金属を析出させて導電
性金属層を形成することもできる。さらに、このような
蒸着法あるいはメッキ法などにより金属層を形成する場
合に、絶縁フィルム11表面に、直接金属を析出させて
所望の厚さの金属層(金属メッキ層、金属蒸着層など)
を形成しても良い。
The conductor foil (metal foil) 1 having the thickness as described above
Instead of directly laminating the insulating film 11 on the insulating film 11, a very thin metal foil (for example, less than 6 μm)
The conductive metal layer can be formed by depositing a metal on the surface of the laminated ultrathin metal foil by, for example, a vapor deposition method or a plating method. Further, when a metal layer is formed by such a vapor deposition method or a plating method, a metal is directly deposited on the surface of the insulating film 11 to form a metal layer having a desired thickness (a metal plating layer, a metal vapor deposition layer, etc.).
May be formed.

【0032】上記のような導電体箔は接着剤(図示な
し)を用いて絶縁フィルム11の一方の面に積層するこ
ともできるし、または接着剤を用いずに積層することが
できる。ここで使用する接着剤層の例としては、エポキ
シ系接着剤、ポリイミド系接着剤およびフェノール系接
着剤などの硬化性接着剤を挙げることができ、また、こ
れらの接着剤はウレタン樹脂、メラミン樹脂、ポリビニ
ルアセタール樹脂、ゴム成分などで変性されていてもよ
い。接着剤を用いる場合、接着剤の厚さは、通常は8〜
23μm、好ましくは10〜21μmである。但し、本発
明の電子部品実装用フィルムキャリアテープでは、絶縁
フィルム11に形成されている外部接続端子孔21の部
分の導電性金属箔14は、導電性金属ボール20と電気
的に接続する必要があるため、この部分の導電性金属箔
14の裏面には接着剤層が形成されていない。
The above-described conductive foil can be laminated on one surface of the insulating film 11 using an adhesive (not shown), or can be laminated without using an adhesive. Examples of the adhesive layer used herein include epoxy-based adhesives, curable adhesives such as polyimide-based adhesives and phenol-based adhesives, and these adhesives include urethane resins and melamine resins. , A polyvinyl acetal resin, a rubber component, or the like. When using an adhesive, the thickness of the adhesive is usually 8 to
It is 23 μm, preferably 10 to 21 μm. However, in the electronic component mounting film carrier tape of the present invention, the conductive metal foil 14 in the portion of the external connection terminal hole 21 formed in the insulating film 11 needs to be electrically connected to the conductive metal ball 20. Therefore, the adhesive layer is not formed on the back surface of the conductive metal foil 14 in this portion.

【0033】このようにして積層された導電性金属箔1
4の表面に、フォトレジストを塗布し、このフォトレジ
ストを所望のパターンに露光し現像して、残存するフォ
トレジストをマスキング材として、導電性金属箔をエッ
チングすることにより、絶縁フィルム11上に導電性金
属からなる配線パターン14を形成することができる。
なお、エッチングした後のフォトレジストはアルカリ洗
浄などにより除去する。
The conductive metal foil 1 thus laminated
4 is coated with a photoresist, the photoresist is exposed to a desired pattern and developed, and the remaining photoresist is used as a masking material to etch the conductive metal foil, thereby forming a conductive film on the insulating film 11. The wiring pattern 14 made of a conductive metal can be formed.
Note that the photoresist after the etching is removed by alkali washing or the like.

【0034】このようにして形成された配線パターン1
4の表面に、電子部品側接続端子34などのメッキ層の
形成する部分を残して、ソルダーレジス層24を形成す
ることができる。ソルダーレジスト層24を形成する場
合に使用されるソルダーレジスト塗布液は、硬化性樹脂
が有機溶媒に溶解若しくは分散された比較的高粘度の塗
布液である。このようなソルダーレジスト塗布液中に含
有される硬化性樹脂の例としては、エポキシ系樹脂、エ
ポキシ系樹脂のエラストマー変性物、ウレタン樹脂、ウ
レタン樹脂のエラストマー変性物、ポリイミド樹脂、ポ
リイミド樹脂のエラストマー変性物およびアクリル樹脂
を挙げることができる。特に、エラストマー変性物を使
用することが好ましい。このようなソルダーレジスト塗
布液中には、上記のような樹脂成分の他に、硬化促進
剤、充填剤、添加剤、チキソ剤および溶剤等、通常ソル
ダーレジスト塗布液に添加される物質を添加することが
できる。さらに、ソルダーレジスト層24の可撓性等の
特性を向上させるために、ゴム微粒子のような弾性を有
する微粒子などを配合することも可能である。
The wiring pattern 1 thus formed
The solder resist layer 24 can be formed on the surface of the substrate 4 except for the portion where the plating layer such as the electronic component side connection terminal 34 is formed. The solder resist coating liquid used when forming the solder resist layer 24 is a coating liquid having a relatively high viscosity in which a curable resin is dissolved or dispersed in an organic solvent. Examples of the curable resin contained in such a solder resist coating solution include an epoxy resin, an elastomer-modified epoxy resin, a urethane resin, an elastomer-modified urethane resin, a polyimide resin, and an elastomer-modified polyimide resin. And acrylic resin. In particular, it is preferable to use a modified elastomer. In such a solder resist coating solution, in addition to the resin components as described above, a curing accelerator, a filler, an additive, a thixo agent, a solvent, and the like, which are usually added to a solder resist coating solution, are added. be able to. Furthermore, in order to improve the characteristics such as flexibility of the solder resist layer 24, it is possible to mix fine particles having elasticity such as rubber fine particles.

【0035】このようなソルダーレジスト塗布液は、ス
クリーン印刷技術を利用して塗布することができる。ソ
ルダーレジスト塗布液は、次の工程でメッキ処理される
部分を除いて塗布される。このようなソルダーレジスト
の塗布平均厚さは、通常は1〜80μm、好ましくは5
〜50μmの範囲内にある。このようにしてソルダーレ
ジスト塗布液を塗布した後、溶剤を除去し、樹脂を硬化
させることによりソルダーレジスト層24を形成する。
ソルダーレジストを形成する樹脂は、通常は加熱硬化す
る。このソルダーレジスト層を形成するための加熱硬化
温度は、通常は80〜180℃、好ましくは120〜1
50℃であり、この範囲内の温度に通常は30分〜3時
間保持することにより樹脂が硬化する。
Such a solder resist coating solution can be applied using a screen printing technique. The solder resist coating solution is applied except for a portion to be plated in the next step. The average coating thickness of such a solder resist is usually 1 to 80 μm, preferably 5 to 80 μm.
5050 μm. After applying the solder resist coating liquid in this manner, the solvent is removed and the resin is cured to form the solder resist layer 24.
The resin forming the solder resist is usually cured by heating. The heat curing temperature for forming the solder resist layer is usually 80 to 180 ° C, preferably 120 to 1 ° C.
The temperature is 50 ° C., and the resin is normally cured by keeping the temperature within this range for 30 minutes to 3 hours.

【0036】なお、本発明により製造される電子部品実
装用フィルムキャリアテープでは、配線パターン14の
上に電子部品50を貼着してボンディングするため、こ
の貼着された電子部品50によって配線パターン14は
保護されるとともに、この電子部品50を貼着するため
に塗布される接着剤によっても配線パターン14は保護
されるので、上記のようなソルダーレジスト層を形成す
ることは、特に必要とするものではない。
In the electronic component mounting film carrier tape manufactured according to the present invention, the electronic component 50 is attached to the wiring pattern 14 for bonding. Is protected, and the wiring pattern 14 is also protected by the adhesive applied to attach the electronic component 50. Therefore, it is particularly necessary to form the solder resist layer as described above. is not.

【0037】このようにしてソルダーレジスト層24を
塗布した後、露出している配線パターン14の部分に金
メッキ層36を形成する。この金メッキ層36は、例え
ば、図1に示すように、ソルダーレジスト上に電子部品
(IC)50を貼着して、この電子部品(IC) 50の上面部
に形成されているバンプ電極51と電子部品側接続端子
34とを導電性金属線33を用いる際に、導電性金属線
33と電子部品側接続端子34とのワイヤーボンディン
グ性を確保するものである。この場合の導電性金属線3
3としては、平均断面直径が通常は10〜50μm、好
ましくは18〜38μmの金線が使用される。
After the solder resist layer 24 is applied in this manner, a gold plating layer 36 is formed on the exposed wiring pattern 14. For example, as shown in FIG. 1, the gold plating layer 36
When the conductive metal wire 33 is used to attach the bump electrode 51 formed on the upper surface of the electronic component (IC) 50 and the electronic component-side connection terminal 34, The wire bonding property between the wire 33 and the electronic component side connection terminal 34 is ensured. The conductive metal wire 3 in this case
As 3, a gold wire having an average cross-sectional diameter of usually 10 to 50 μm, preferably 18 to 38 μm is used.

【0038】また、この金線33を電子部品側接続端子
34にボンディングする際には、電子部品側接続端子3
4の金線33がボンディングされる面(表面)には、所
定厚さの金メッキ層36が形成されていることが必要で
ある。しかしながら、図3に示すように、絶縁フィルム
11に形成されている外部接続端子孔21には、絶縁フ
ィルム11の配線パターン14が形成されていない面
(裏面)から、導電性金属ボール20が挿入され、この
外部接続端子孔21の底(閉塞端部)を形成する配線パ
ターン14と接合する必要がある。導電性金属ボール2
0として使用されるハンダボールと配線パターン14と
は、配線パターン14の表面に金が存在すると、金−ハ
ンダ合金を形成して接合する。この金−ハンダ合金は、
例えば、ハンダ中の金の割合が4%を超えると衝撃値が
急激に低下して、非常に堅くて脆くなるという特性を有
している。
When bonding the gold wire 33 to the electronic component side connection terminal 34, the electronic component side connection terminal 3
It is necessary that a gold plating layer 36 having a predetermined thickness is formed on the surface (front surface) to which the fourth gold wire 33 is bonded. However, as shown in FIG. 3, the conductive metal balls 20 are inserted into the external connection terminal holes 21 formed in the insulating film 11 from the surface (back surface) of the insulating film 11 where the wiring pattern 14 is not formed. Then, it is necessary to join with the wiring pattern 14 forming the bottom (closed end) of the external connection terminal hole 21. Conductive metal ball 2
When gold is present on the surface of the wiring pattern 14, the solder ball used as 0 and the wiring pattern 14 are bonded by forming a gold-solder alloy. This gold-solder alloy is
For example, when the percentage of gold in the solder exceeds 4%, the impact value sharply decreases, and the solder has a characteristic of being very hard and brittle.

【0039】このため、ハンダボール20と配線パター
ン14との接合面にこの金−ハンダ合金が過度に存在す
ると、すなわち、外部接続端子孔21の底(閉塞端部)
を形成する配線パターン14の裏面に形成された金メッ
キ層37の膜厚が大きくなると、ハンダボール20のシ
ェア強度が低くなり、ハンダボール20が脱落しやすく
なる。
For this reason, if this gold-solder alloy is excessively present on the joint surface between the solder ball 20 and the wiring pattern 14, that is, the bottom (closed end) of the external connection terminal hole 21
When the thickness of the gold plating layer 37 formed on the back surface of the wiring pattern 14 that forms the solder balls becomes large, the shear strength of the solder balls 20 decreases, and the solder balls 20 easily fall off.

【0040】このような傾向は、図2に示すようなスリ
ット31を跨ぐように形成された配線パターン14を切
断しながら、直接電子部品(IC)50の底縁部に形成され
たバンプ電極51(通常は金で形成されている)に溶着
させるビームリードボンディングタイプの電子部品実装
用フィルムキャリアテープにおいても同様に生ずる。本
発明によって製造される電子部品実装用フィルムキャリ
アテープ10では、金線33あるいは金バンプ電極と直
接溶着する電子部品側接続端子34の表面のメッキ層3
6の金メッキ厚(a)を、導電性金属ボールと接合する
外部端子接続部38の金メッキ層37のメッキ厚(b)
よりも厚く形成する。
This tendency is caused by the fact that the bump electrode 51 formed directly on the bottom edge of the electronic component (IC) 50 is cut while cutting the wiring pattern 14 formed so as to straddle the slit 31 as shown in FIG. This also occurs in the case of a film carrier tape for mounting electronic components of the beam lead bonding type which is welded to (usually made of gold). In the electronic component mounting film carrier tape 10 manufactured by the present invention, the plating layer 3 on the surface of the electronic component side connection terminal 34 that is directly welded to the gold wire 33 or the gold bump electrode.
6 is the same as the plating thickness (b) of the gold plating layer 37 of the external terminal connection portion 38 to be joined to the conductive metal ball.
It is formed thicker.

【0041】そして、本発明においては、電子部品側接
続端子34の表面のメッキ層36の金メッキ厚(a)
を、通常は0.5〜1.5μm、好ましくは0.7〜
1.3μmの範囲内の厚さにする。さらに、導電性金属
ボール20と接合する外部端子接続部38の金メッキ層
37の平均メッキ厚(b)を、通常0.3μm以下、好
ましくは0.0005〜0.2μmの範囲内の厚さにす
る。すなわち、外部端子接続部38に形成される金メッ
キ層37の金メッキ厚は、薄いほどよく、層を形成し得
ないような微量であってもよい。
In the present invention, the gold plating thickness (a) of the plating layer 36 on the surface of the electronic component side connection terminal 34 is shown.
Is usually 0.5 to 1.5 μm, preferably 0.7 to
The thickness should be in the range of 1.3 μm. Further, the average plating thickness (b) of the gold plating layer 37 of the external terminal connection portion 38 to be joined to the conductive metal ball 20 is usually 0.3 μm or less, preferably in the range of 0.0005 to 0.2 μm. I do. In other words, the gold plating thickness of the gold plating layer 37 formed on the external terminal connection portion 38 is preferably as thin as possible, and may be as small as a layer cannot be formed.

【0042】電子部品側接続端子34の表面の金メッキ
厚(a)を上記範囲内にすることにより、金線33を用
いて電子部品のバンプ電極51とワイヤーボンディング
した際に、金線33と電子部品側接続端子34およびバ
ンプ電極51との溶着強度が、金線の引っ張り強度より
も高くなる。従って、上記のような金メッキ厚を有する
電子部品側接続端子34とバンプ電極51とを、25μ
mの直径を有する金線33を用いてワイヤーボンディン
グした後、ワイヤーボンディングプル強度を測定する
と、8gの引張り応力を金線にかけると、上記のような
厚さの金メッキ層36を有する電子部品側接続端子34
と金線33の融着部分では剥離が発生せず、金線自体が
切断される。
By setting the gold plating thickness (a) on the surface of the electronic component side connection terminal 34 within the above range, when the gold wire 33 is wire-bonded to the bump electrode 51 of the electronic component, the gold wire 33 The welding strength between the component side connection terminal 34 and the bump electrode 51 becomes higher than the tensile strength of the gold wire. Therefore, the electronic component side connection terminal 34 and the bump electrode 51 having the gold plating thickness as described above are
After wire bonding using a gold wire 33 having a diameter of m, the wire bonding pull strength is measured. When a tensile stress of 8 g is applied to the gold wire, the electronic component side having the gold plating layer 36 having the above thickness is obtained. Connection terminal 34
No separation occurs at the fused portion of the gold wire 33 and the gold wire itself, and the gold wire itself is cut.

【0043】すなわち、上記のような範囲の金メッキ層
36を電子部品側接続端子34の表面に形成すると、こ
の表面と金線33との溶着強度が、金線33の引っ張り
強度よりも高くなり、このフィルムキャリアテープは、
非常に優れたボンダビリティーを有するようになる。な
お、上記範囲を超えて金メッキ層を厚くすることによっ
ても上記優れたボンダビリティーは損なわれることはな
いが、コストの面で不利であり、しかもボンダビリティ
ーの著しい上昇も見られない。
That is, when the gold plating layer 36 in the above range is formed on the surface of the electronic component side connection terminal 34, the welding strength between the surface and the gold wire 33 becomes higher than the tensile strength of the gold wire 33, This film carrier tape is
It has very good bondability. It is to be noted that the above excellent bondability is not impaired by increasing the thickness of the gold plating layer beyond the above range, but it is disadvantageous in terms of cost, and no remarkable increase in bondability is observed.

【0044】一方、導電性金属ボール20と接合する外
部端子接続部38の金メッキ層37の平均メッキ厚(b)
は、薄くすることにより、金−ハンダ合金の生成を抑制
することができるので、ハンダボール20が外部端子接
続部38を構成する配線パターン14と直接接合するこ
とになる。これにより、ハンダボールのシェア強度が高
くなり、外部端子となるハンダボール(導電性金属ボー
ル)20の脱落がほとんど生じなくなる。
On the other hand, the average plating thickness of the gold plating layer 37 of the external terminal connection portion 38 to be joined to the conductive metal ball 20 (b)
By reducing the thickness, the formation of a gold-solder alloy can be suppressed, so that the solder balls 20 are directly bonded to the wiring patterns 14 constituting the external terminal connection portions 38. As a result, the shear strength of the solder balls is increased, and the solder balls (conductive metal balls) 20 serving as external terminals hardly fall off.

【0045】本発明により製造する電子部品実装用フィ
ルムキャリアテープにおいて、電子部品側接続端子34
の表面の金メッキ層の平均メッキ厚(a)と、導電性金
属ボールと接合する外部端子接続部38の金メッキ層の
平均メッキ厚(b)との比(平均メッキ厚(b)/平均
メッキ厚(a)の比)は、通常は0.001〜0.6の
範囲内、好ましくは0.001〜0.3の範囲内にな
る。上述のように、導電性金属ボール20と接合する外
部端子接続部38の金メッキ層37のメッキ厚(b)
は、薄いことが好ましく、従って、平均メッキ厚(b)
/平均メッキ厚(a)の比の下限値は、可能な限り0に
近いことが好ましく、この値は0であってもよい。
In the film carrier tape for mounting electronic components manufactured according to the present invention, the electronic component side connection terminals 34
Ratio of the average plating thickness (a) of the gold plating layer on the surface of (a) to the average plating thickness (b) of the gold plating layer of the external terminal connection portion 38 to be joined to the conductive metal ball (average plating thickness (b) / average plating thickness) (Ratio of (a)) is usually in the range of 0.001 to 0.6, preferably in the range of 0.001 to 0.3. As described above, the plating thickness (b) of the gold plating layer 37 of the external terminal connection portion 38 to be joined to the conductive metal ball 20
Is preferably thin, so that the average plating thickness (b)
The lower limit of the ratio of (/ a) the average plating thickness (a) is preferably as close to 0 as possible, and this value may be 0.

【0046】実際上は、フィルムキャリアテープに金メ
ッキをする場合には、後述するように、メッキ液中にフ
ィルムキャリアテープから一定の間隙を形成して電極を
配置して、電極とフィルムキャリアテープとの間に電圧
を印加して電流を流すことにより、流れた電流に対応し
た量の金が金メッキ液と接触している配線パターン表面
に電解析出する。従って、外部端子接続部38が金メッ
キ液と接触する限り、この外部端子接続部38には、極
微量の金が析出するので、上記平均メッキ厚(b)/平
均メッキ厚(a)の比の下限値を0にすることは、工業
的な電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法
では困難である。
In practice, when gold plating is performed on the film carrier tape, as described later, a certain gap is formed from the film carrier tape in the plating solution, and the electrodes are arranged so that the electrodes and the film carrier tape are connected to each other. By applying a voltage during the current flow and flowing a current, an amount of gold corresponding to the flowed current is electrolytically deposited on the surface of the wiring pattern in contact with the gold plating solution. Therefore, as long as the external terminal connection portion 38 contacts the gold plating solution, a very small amount of gold is deposited on the external terminal connection portion 38, so that the ratio of the above average plating thickness (b) / average plating thickness (a) is obtained. It is difficult to set the lower limit to 0 by an industrial method for manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components.

【0047】このように、ハンダボール20が接合する
外部端子接続部38の金メッキ層のメッキ厚を0μmと
することは困難であり、また、微量の金−ハンダ合金の
存在によって、電気的特性、防錆特性、機械的強度等の
特性においてわずかに利点を有することもあり得るの
で、上記平均メッキ厚(b)/平均メッキ厚(a)の比
の下限値は、通常は0.001とすることが好ましい。
他方、上限値は、平均メッキ厚(b)の厚さが厚くなる
か、平均メッキ厚(a)の厚さが薄くなることを意味す
るので、ボンダビリティーの点およびハンダボール20
の接合強度を考慮すると0.6であることが好ましい。
As described above, it is difficult to reduce the plating thickness of the gold plating layer of the external terminal connection portion 38 to which the solder balls 20 are bonded to 0 μm. The lower limit of the ratio of the average plating thickness (b) / average plating thickness (a) is usually 0.001 because there may be a slight advantage in characteristics such as rust prevention characteristics and mechanical strength. Is preferred.
On the other hand, the upper limit value means that the average plating thickness (b) becomes thicker or the average plating thickness (a) becomes thinner.
Considering the bonding strength of the above, it is preferably 0.6.

【0048】また、本発明により製造される電子部品実
装用フィルムキャリアテープでは、電子部品側接続端子
および外部端子接続部38には、平均メッキ厚の異なる
金メッキ層36、37が形成されているが、これらの金
メッキ層36、37と配線パターン14との間に、ニッ
ケルメッキ層を形成することもできる。このニッケルメ
ッキ層は、比較的硬質の層であり、これによって、例え
ば、金メッキ層36に金線33を超音波を用いてワイヤ
ーボンディングする際に、このニッケル層によって超音
波の少なくとも一部が反射されて、効率よくワイヤーボ
ンディングを行うことができる。
In the film carrier tape for mounting electronic components manufactured by the present invention, gold plating layers 36 and 37 having different average plating thicknesses are formed on the electronic component side connection terminals and the external terminal connection portions 38. A nickel plating layer may be formed between the gold plating layers 36 and 37 and the wiring pattern 14. The nickel plating layer is a relatively hard layer, so that, for example, when the gold wire 33 is wire-bonded to the gold plating layer 36 using an ultrasonic wave, at least a part of the ultrasonic wave is reflected by the nickel layer. Thus, wire bonding can be performed efficiently.

【0049】このようなニッケルメッキ層は、超音波を
用いて金線33を溶着をする際の電子部品側接続端子3
4の電解銅箔などから形成された配線パターン14と金
メッキ層36との間に形成される。このようにニッケル
層を形成する場合、このニッケル層の厚さは、通常は0.
0001〜10μm、好ましくは0.001〜2μmである。一
方、外部端子接続部38には、製造工程上などの理由か
ら、薄い金メッキ層37が形成されるが、この金メッキ
層37にハンダボール20を接合するには、通常は超音
波を使用することはないので、この外部端子接続部38
に特にニッケル層を形成する必要はない。但し、本発明
はこの部分へのニッケル層の形成を排除するものではな
い。なお、上記は超音波による金線の溶着効率を向上さ
せるためにニッケル層を用いた例を示したが、本発明で
はこのような硬質なニッケル層の代わりに、あるいはニ
ッケル層とともに、同様に硬質なNi−P層、Ni−B
層、Sn−Ni層等の硬質層を配置することができる。
これらの硬質層は複合層であってもよい。
The nickel-plated layer serves as the electronic component-side connection terminal 3 when welding the gold wire 33 using ultrasonic waves.
4 is formed between the wiring pattern 14 formed of an electrolytic copper foil or the like and the gold plating layer 36. When forming a nickel layer in this way, the thickness of the nickel layer is usually 0.
It is from 0001 to 10 μm, preferably from 0.001 to 2 μm. On the other hand, a thin gold-plated layer 37 is formed in the external terminal connection part 38 for reasons such as a manufacturing process. In order to join the solder ball 20 to the gold-plated layer 37, it is usual to use ultrasonic waves. , The external terminal connection part 38
In particular, it is not necessary to form a nickel layer. However, the present invention does not exclude the formation of a nickel layer on this portion. In the above description, an example in which a nickel layer is used in order to improve the welding efficiency of a gold wire by ultrasonic waves has been described. In the present invention, instead of such a hard nickel layer, or together with the nickel layer, a hard layer is similarly used. Ni-P layer, Ni-B
And a hard layer such as a Sn—Ni layer.
These hard layers may be composite layers.

【0050】以下に、本発明によって製造される電子部
品実装用フィルムキャリアテープ10において、金線3
3あるいは金バンプ電極と直接溶着する電子部品側接続
端子34の表面のメッキ層36の金メッキ厚(a)を、
導電性金属ボールと接合する外部端子接続部38の金メ
ッキ層37のメッキ厚(b)よりも厚く形成する方法に
ついて、図4に基づいて説明する。
Hereinafter, in the film carrier tape 10 for mounting electronic parts manufactured by the present invention, the gold wire 3
3 or the gold plating thickness (a) of the plating layer 36 on the surface of the electronic component side connection terminal 34 directly welded to the gold bump electrode,
A method of forming the gold plating layer 37 of the external terminal connection portion 38 to be bonded to the conductive metal ball so as to be thicker than the plating thickness (b) will be described with reference to FIG.

【0051】図4に示したように、本発明の電子部品実
装用フィルムキャリアテープの製造装置100は、金メ
ッキ浴102を備えており、金メッキ浴102内には、
金メッキ液104、例えば、シアン化金カリウム溶液
(KAu(CN)2)が、図示しない循環装置によっ
て、常に新しい金メッキ液104が供給されるようにな
っている。
As shown in FIG. 4, the apparatus 100 for manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components according to the present invention includes a gold plating bath 102.
A gold plating solution 104, for example, a potassium gold cyanide solution (KAu (CN) 2 ) is always supplied with a new gold plating solution 104 by a circulation device (not shown).

【0052】金メッキ浴102は、本発明のソルダーレ
ジスト層24を塗布し露出している配線パターン14の
部分を備えた電子部品実装用フィルムキャリアテープ1
0が、その内部で起立した状態で金メッキ液104中を
浸漬しながら搬送されるように、略矩形断面形状で長手
方向に延びる樋形状に構成されている。すなわち、図4
に示したように、金メッキ浴102のほぼ中央部を、電
子部品実装用フィルムキャリアテープ10が、図4の紙
面に垂直な方向に搬送されるようになっている。
The gold plating bath 102 is a film carrier tape 1 for mounting an electronic component, which is provided with a portion of the wiring pattern 14 which is exposed by applying the solder resist layer 24 of the present invention.
0 is formed in a trough shape having a substantially rectangular cross-sectional shape and extending in the longitudinal direction so as to be conveyed while being immersed in the gold plating solution 104 in a state of standing inside. That is, FIG.
As shown in FIG. 4, the film carrier tape 10 for mounting electronic components is transported substantially in the center of the gold plating bath 102 in a direction perpendicular to the plane of FIG.

【0053】また、金メッキ浴102には、電子部品実
装用フィルムキャリアテープ10の表面10a、すなわ
ち、電子部品側接続端子34側に対峙するように所定の
距離(La)離間して、陽極(アノード)を構成する表
面電極106が配置されている。同様に、電子部品実装
用フィルムキャリアテープ10の裏面10b、すなわ
ち、外部端子接続部38側に対峙するように所定の距離
(Lb)離間して、陽極(アノード)を構成する裏面電
極108が配置されている。なお、これらの電極10
6、108は、別途図示しない電源に接続されていると
ともに、金メッキ浴102の長手方向に沿って延びるよ
うに、金メッキ浴102内に配設されている。また、こ
れらの電極106、108は、Ptなどの不活性電極か
ら構成されている。なお、この場合、陰極(カソード)
は、電子部品実装用フィルムキャリアテープ10の配線
パターン14の部分であり、別途図示しない配線によ
り、電源に別途接続されている。
The gold plating bath 102 is separated from the surface 10a of the film carrier tape 10 for mounting electronic components, that is, the electronic component-side connection terminals 34 by a predetermined distance (La). ) Are arranged. Similarly, a back surface electrode 108 constituting an anode is disposed at a predetermined distance (Lb) away from the back surface 10 b of the electronic component mounting film carrier tape 10, that is, the external terminal connection portion 38. Have been. Note that these electrodes 10
Reference numerals 6 and 108 are separately connected to a power supply (not shown), and are disposed in the gold plating bath 102 so as to extend along the longitudinal direction of the gold plating bath 102. Further, these electrodes 106 and 108 are composed of inert electrodes such as Pt. In this case, the cathode (cathode)
Is a portion of the wiring pattern 14 of the film carrier tape 10 for mounting electronic components, and is separately connected to a power supply by wiring (not shown).

【0054】これらの距離La、距離Lbとしては、特
に限定されるものではないが、液抵抗や液攪拌を考慮す
れば、距離Laは、10〜100mm、好ましくは、4
0〜70mm、距離Lbは、10〜100mm、好まし
くは、40〜70mmとするのが望ましい。なお、これ
らの距離La、距離Lbは、同一距離とすることも、異
なった距離とすることも可能である。
The distance La and the distance Lb are not particularly limited, but in consideration of the liquid resistance and the liquid stirring, the distance La is 10 to 100 mm, preferably 4 to 100 mm.
It is desirable that the distance Lb is 0 to 70 mm and the distance Lb is 10 to 100 mm, preferably 40 to 70 mm. The distance La and the distance Lb can be the same distance or different distances.

【0055】さらに、金メッキ浴102には、電子部品
実装用フィルムキャリアテープ10の長手方向の両縁部
10c、10dの近傍をそれぞれ遮蔽する一対の遮蔽部
材110、112が、金メッキ浴102の内部に固定す
るように配設されている。これらの遮蔽部材110、1
12は、断面略コ字形状であり、その遮蔽部分110
a、112aが、電子部品実装用フィルムキャリアテー
プ10の表面10aの一部分を遮蔽し、その遮蔽部分1
10b、112bが、電子部品実装用フィルムキャリア
テープ10の裏面10bの一部分を遮蔽するとともに、
遮蔽部材本体部110c、112cが、電子部品実装用
フィルムキャリアテープ10の長手方向の両縁部10
c、10dを遮蔽するように構成されている。なお、こ
れらの遮蔽部材110、112は、金メッキ浴102の
長手方向に沿って延びるように配設されている。
Further, in the gold plating bath 102, a pair of shielding members 110 and 112 for shielding the vicinity of both edges 10c and 10d in the longitudinal direction of the film carrier tape 10 for mounting electronic components are provided inside the gold plating bath 102. It is arranged to be fixed. These shielding members 110, 1
12 has a substantially U-shaped cross section, and its shielding portion 110
a, 112a shield a portion of the surface 10a of the film carrier tape 10 for mounting electronic components, and the shielding portion 1
10b and 112b shield a part of the back surface 10b of the film carrier tape 10 for mounting electronic components,
The shielding member body portions 110c and 112c are provided at both longitudinal edges 10 of the film carrier tape 10 for mounting electronic components.
c, 10d are configured to be shielded. Note that these shielding members 110 and 112 are disposed so as to extend along the longitudinal direction of the gold plating bath 102.

【0056】この場合、遮蔽部材110、112の遮蔽
部分110a、112aと電子部品実装用フィルムキャ
リアテープ10の表面10aとの間の距離la、遮蔽部
材110、112の遮蔽部分110b、112bと電子
部品実装用フィルムキャリアテープ10の裏面10bと
の距離lbは、遮蔽性を考慮すれば、距離laは、0〜
10mm、好ましくは、0.5〜1mm、距離lbは、
0〜10mm、好ましくは、0.5〜1mmとするのが
望ましい。なお、これらの距離la、距離lbは、同一
距離とすることも、異なった距離とすることも可能であ
る。
In this case, the distance la between the shielding portions 110a and 112a of the shielding members 110 and 112 and the surface 10a of the electronic component mounting film carrier tape 10, the shielding portions 110b and 112b of the shielding members 110 and 112, and the electronic component The distance lb from the back surface 10b of the mounting film carrier tape 10 is 0 to 0 in consideration of shielding.
10 mm, preferably 0.5-1 mm, the distance lb is
It is desirably 0 to 10 mm, preferably 0.5 to 1 mm. Note that these distances la and lb can be the same distance or different distances.

【0057】さらに、遮蔽部材110、112の遮蔽部
分110a、112aが、電子部品実装用フィルムキャ
リアテープ10の表面10aを遮蔽する(覆う)距離S
a、遮蔽部材110、112の遮蔽部分110b、11
2bが、電子部品実装用フィルムキャリアテープ10の
裏面10bを遮蔽する(覆う)距離Sbは、テープの外
れ防止とパターン部へのキズ防止を考慮すれば、距離S
aは、1〜6mm、好ましくは、2〜4mm、距離Sb
は、1〜6mm、好ましくは、2〜4mmとするのが望
ましい。すなわち、これらの遮蔽部分110a、112
a、110b、112bが、電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープ10の表面10a、裏面10bをそれぞれ
遮蔽する割合としては、電子部品実装用フィルムキャリ
アテープ10の幅方向の2〜13%、好ましくは、4〜
8%の範囲とするのが望ましい。
Further, the distance S at which the shielding portions 110a and 112a of the shielding members 110 and 112 shield (cover) the surface 10a of the film carrier tape 10 for mounting electronic components.
a, shielding parts 110b, 11 of shielding members 110, 112
The distance Sb at which the rear surface 2b shields (covers) the back surface 10b of the electronic component mounting film carrier tape 10 is determined by the distance Sb in consideration of preventing the tape from coming off and preventing the pattern portion from being scratched.
a is 1 to 6 mm, preferably 2 to 4 mm, and the distance Sb
Is desirably 1 to 6 mm, preferably 2 to 4 mm. That is, these shielding portions 110a, 112
The ratio at which a, 110b, and 112b shield the front surface 10a and the back surface 10b of the electronic component mounting film carrier tape 10, respectively, is 2 to 13% in the width direction of the electronic component mounting film carrier tape 10, preferably 4%. ~
It is desirable to set it in the range of 8%.

【0058】なお、これらの距離Sa、距離Sbは、同
一距離とすることも、異なった距離とすることも可能で
ある。このような遮蔽部材110、112としては、電
流、すなわち、陰電子(e-)の流れを阻害するよう
に、例えば、塩化ビニル樹脂などの合成樹脂、セラミッ
クなどの絶縁部材から構成するのが望ましいが、その他
の絶縁部材から構成することもできる。さらに、これら
の遮蔽部材110、112の厚さは、陰電子(e -)の
流れを阻害する厚さであればよく、特に限定されるもの
ではないが、構造強度を考慮すると、0.5〜10m
m、好ましくは、2〜5mmとするのが望ましい。
The distance Sa and the distance Sb are the same.
It can be one distance or different distances
is there. As such shielding members 110 and 112,
Flow, ie, the negative electron (e-)
For example, synthetic resin such as vinyl chloride resin, ceramic
It is desirable to use insulating material such as
It can also be comprised from the insulating member of. In addition, these
The thickness of the shielding members 110 and 112 is negative electron (e -)of
Any thickness can be used as long as it is a thickness that impedes flow.
However, considering structural strength, it is 0.5 to 10 m
m, preferably 2 to 5 mm.

【0059】一方に、表面電極106と裏面電極108
は、それぞれ表面電極用電流制御装置である表面電極用
整流器114と、裏面電極用電流制御装置である裏面電
極用整流器116に接続されており、制御装置120に
予め設定されたプログラムに基づく制御によって、それ
ぞれ、電子部品実装用フィルムキャリアテープ10の表
面10aと表面電極106との間に流れる電流Iaと、
電子部品実装用フィルムキャリアテープ10の裏面10
bと裏面電極108との間に流れる電流Ibを個別に制
御できるようになっている。
On the other hand, a front electrode 106 and a back electrode 108
Are connected to a front electrode rectifier 114 that is a front electrode current controller and a back electrode rectifier 116 that is a back electrode current controller, and are controlled by a control based on a program preset in the controller 120. A current Ia flowing between the surface 10a of the film carrier tape 10 for mounting electronic components and the surface electrode 106, respectively;
Back surface 10 of film carrier tape 10 for mounting electronic components
The current Ib flowing between b and the back electrode 108 can be individually controlled.

【0060】すなわち、上記したように、電子部品実装
用フィルムキャリアテープ10の表面10aと表面電極
106との間に流れる電流を、電子部品実装用フィルム
キャリアテープ10の裏面10bと裏面電極108との
間に流れる電流よりも大きくなるように制御して、電子
部品実装用フィルムキャリアテープ10の電子部品側接
続端子34の表面に電解析出する金メッキ層34のメッ
キ厚(a)が、電子部品実装用フィルムキャリアテープ
10の裏面10bの導電性金属ボール20と接合する外
部端子接続部38に電解析出する金メッキ層37のメッ
キ厚(b)よりも厚くなるように設定される。
That is, as described above, the current flowing between the front surface 10a of the film carrier tape 10 for mounting electronic components and the front electrode 106 is applied to the back surface 10b of the film carrier tape 10 for mounting electronic components and the back electrode 108. The plating thickness (a) of the gold plating layer 34 electrolytically deposited on the surface of the electronic component-side connection terminal 34 of the electronic component mounting film carrier tape 10 is controlled so as to be larger than the current flowing therebetween, and the electronic component mounting is performed. It is set to be thicker than the plating thickness (b) of the gold plating layer 37 electrolytically deposited on the external terminal connection portion 38 that is joined to the conductive metal ball 20 on the back surface 10b of the film carrier tape 10 for use.

【0061】具体的には、上記したように、電子部品側
接続端子34の表面のメッキ層36の金メッキ厚(a)
を、通常は0.5〜1.5μm、好ましくは0.7〜
1.3μmの範囲内の厚さにし、導電性金属ボール20
と接合する外部端子接続部38の金メッキ層37の平均
メッキ厚(b)を、通常0.3μm以下、好ましくは
0.0005〜0.2μmの範囲内の厚さにするために
は、表面電極用整流器114によって、電子部品実装用
フィルムキャリアテープ10の表面10aと表面電極1
06との間に流れる電流Iaは、3〜10A、好ましく
は、5〜8Aとし、裏面電極用整流器116によって、
フィィルムキャリアテープ10の裏面10bと裏面電極
108との間に流れる電流Ibは、0〜2A、好ましく
は、0.1〜1.5Aとするのが望ましい。また、電流I
aと電流Ibの割合としては、5:1〜100:1、好
ましくは、10:1〜20:1とするのが望ましい。
Specifically, as described above, the gold plating thickness of the plating layer 36 on the surface of the electronic component side connection terminal 34 (a)
Is usually 0.5 to 1.5 μm, preferably 0.7 to
The thickness of the conductive metal ball 20 is set within a range of 1.3 μm.
In order to make the average plating thickness (b) of the gold plating layer 37 of the external terminal connecting portion 38 to be joined to the surface terminal electrode usually 0.3 μm or less, preferably in the range of 0.0005 to 0.2 μm. Rectifier 114 allows the surface 10a of the electronic component mounting film carrier tape 10 and the surface electrode 1
06 is set to 3 to 10 A, preferably 5 to 8 A.
It is desirable that the current Ib flowing between the back surface 10b of the film carrier tape 10 and the back electrode 108 is 0 to 2A, preferably 0.1 to 1.5A. The current I
The ratio of a to the current Ib is desirably 5: 1 to 100: 1, preferably 10: 1 to 20: 1.

【0062】さらに、この金メッキ浴102を、電子部
品実装用フィルムキャリアテープ10が搬送される速
度、時間としては、0.5〜10m/分、好ましくは、1
〜5m/分とするのが望ましい。このように構成された
本発明の製造装置100では、以下のように作動され
る。 金メッキ浴102のほぼ中央部において、遮蔽部
材110、112に沿うように、電子部品実装用フィル
ムキャリアテープ10を搬送される。
Further, the gold plating bath 102 is fed to the electronic component mounting film carrier tape 10 at a speed and time of 0.5 to 10 m / min, preferably 1 to 10 m / min.
It is desirable to set it to 5 m / min. The manufacturing apparatus 100 of the present invention configured as above operates as follows. At a substantially central portion of the gold plating bath 102, the electronic component mounting film carrier tape 10 is transported along the shielding members 110 and 112.

【0063】この際、制御装置120に予め設定された
プログラムに基づく制御に基づいて、表面電極用整流器
114と裏面電極用整流器116を制御することによっ
て、電子部品実装用フィルムキャリアテープ10の表面
10aと表面電極106との間に流れる電流Iaを、電
子部品実装用フィルムキャリアテープ10の裏面10b
と裏面電極108との間に流れる電流Ibよりも大きく
なるように制御する。
At this time, by controlling the rectifier 114 for the front electrode and the rectifier 116 for the back electrode based on the control based on a program preset in the control device 120, the front surface 10a of the film carrier tape 10 for mounting electronic parts is controlled. The current Ia flowing between the front surface electrode 106 and the back surface 10b of the electronic component mounting film carrier tape 10
Is controlled so as to be larger than the current Ib flowing between the first electrode and the back electrode 108.

【0064】これによって、電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープ10の電子部品側接続端子34の表面に電
解析出する金メッキ層34のメッキ厚(a)が、電子部
品実装用フィルムキャリアテープ10の裏面10bの導
電性金属ボール20と接合する外部端子接続部38に電
解析出する金メッキ層37のメッキ厚(b)よりも厚く
なり、上記の所定の厚さ範囲になる。
As a result, the plating thickness (a) of the gold plating layer 34 electrolytically deposited on the surface of the electronic component side connection terminal 34 of the electronic component mounting film carrier tape 10 is reduced by the back surface 10 b of the electronic component mounting film carrier tape 10. The thickness is larger than the plating thickness (b) of the gold plating layer 37 electrolytically deposited on the external terminal connection portion 38 to be joined to the conductive metal ball 20, and the thickness falls within the above-mentioned predetermined thickness range.

【0065】この際、電子部品実装用フィルムキャリア
テープ10の長手方向の両縁部10c、10dの近傍
が、遮蔽遮蔽部材110、112で遮蔽されている、す
なわち、遮蔽部分110a、112a、110b、11
2bおよび遮蔽部材本体部110c、112cで遮蔽さ
れている。従って、表面電極106、裏面電極108か
らのそれぞれの電流、すなわち、陰電子(e-)が、図
4に点線で示したように、相互に干渉しない状態で、電
子部品実装用フィルムキャリアテープ10のそれぞれ逆
側の裏面10b、表面10aに回り込むのが防止され
る。
At this time, the vicinity of both edges 10c, 10d in the longitudinal direction of the film carrier tape 10 for mounting electronic components is shielded by the shielding members 110, 112, that is, the shielding parts 110a, 112a, 110b, 11
2b and the shielding member main bodies 110c and 112c. Accordingly, as shown by the dotted lines in FIG. 4, the respective currents from the front electrode 106 and the back electrode 108, that is, the negative electrons (e ) do not interfere with each other, and the electronic component mounting film carrier tape 10 Are prevented from wrapping around the opposite back surface 10b and front surface 10a.

【0066】これにより、電子部品実装用フィルムキャ
リアテープ10の表面10aと表面電極106との間に
流れる電流Iaと、電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープ10の裏面10bと裏面電極108との間に流れる
電流Ibとの個別の制御が確実に行えることになる。従
って、電子部品側接続端子表面34の金メッキ量と、外
部接続端子孔21内の配線パターン14の表面の金メッ
キ量を正確に制御することが可能となる。
Thus, the current Ia flowing between the front surface 10a of the film carrier tape 10 for mounting electronic components and the front electrode 106 and the current Ia flowing between the back surface 10b and the back surface electrode 108 of the film carrier tape 10 for mounting electronic components. Individual control with the current Ib can be reliably performed. Therefore, the amount of gold plating on the electronic component side connection terminal surface 34 and the amount of gold plating on the surface of the wiring pattern 14 in the external connection terminal hole 21 can be accurately controlled.

【0067】これによって、電子部品50に形成された
バンプ電極51との接合に必要な部分には充分な厚さの
金メッキ層36が形成され、バンプ電極51と電子部品
側接続端子34との間では良好な接合状態を形成でき
る。また、ハンダボール20が接合する外部接続端子孔
21内の配線パターン14の表面には、ハンダボール2
0の接合に必要な少量の金が存在するようにすることが
でき(37)、これにより、ハンダボール20と配線パ
ターン14との間の接合部で、ハンダボール20の脱落
の要因になる過剰の金−ハンダ合金を形成することがな
い。
As a result, a gold plating layer 36 having a sufficient thickness is formed in a portion necessary for bonding with the bump electrode 51 formed on the electronic component 50, and the gold plating layer 36 is formed between the bump electrode 51 and the electronic component side connection terminal 34. Can form a good bonding state. Further, the surface of the wiring pattern 14 in the external connection terminal hole 21 to which the solder ball 20 is joined is
There is a small amount of gold required for the bonding of the solder balls 20 (37), so that the bonding between the solder balls 20 and the wiring pattern 14 causes excess solder balls 20 to fall off. No gold-solder alloy is formed.

【0068】従って、ハンダボール20が配線パターン
14から脱落しにくく、耐久性に優れ、確実な電気的接
続が可能で、コストも安価な電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープ10を提供することができる。上記のよう
な構成を有する本発明によって製造した電子部品実装用
フィルムキャリアテープ10は、まず、絶縁フィルム1
1の裏面に開口している外部接続端子孔21に少量のフ
ラックスを充填して、さらにこの外部接続端子孔21
に、それぞれ、導電性金属ボールであるハンダボール2
0を入れ、ハンダボール20の溶融温度以上の温度(通
常は180〜280℃)に加熱した後、冷却して外部接
続端子孔21内にハンダボール20を配線パターン14
と接合した状態にして埋め込む。
Accordingly, it is possible to provide the film carrier tape 10 for mounting electronic parts, in which the solder balls 20 do not easily fall off the wiring pattern 14, are excellent in durability, can be reliably connected electrically, and are inexpensive. The film carrier tape 10 for mounting an electronic component having the above-described configuration manufactured by the present invention is firstly an insulating film 1.
1 is filled with a small amount of flux into the external connection terminal holes 21 opened on the back surface thereof.
The solder balls 2 each being a conductive metal ball
0, the solder ball 20 is heated to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the solder ball 20 (usually 180 to 280 ° C.), and then cooled to place the solder ball 20 in the external connection terminal hole 21.
Embed in a state where it is joined to

【0069】なお、ここで使用される導電性金属ボール
20は、通常はハンダボールであり、鉛とスズとの合金
であるが、これと同等の導電性の金属ボールを使用する
ことも可能である。このようにして外部接続端子孔21
にハンダボールのような導電性を有し低温で溶融可能な
金属からなる導電性金属ボール20を配置した後、ハン
ダボール20が配置された面と反対の面、即ち、配線パ
ターン14が形成されている面のソルダーレジストの上
に好適には弾性を有する接着剤55を塗布して、この接
着剤55で電子部品50を仮固定する。
The conductive metal ball 20 used here is usually a solder ball, which is an alloy of lead and tin. However, a conductive metal ball equivalent to this may be used. is there. Thus, the external connection terminal hole 21
After a conductive metal ball 20 made of a metal having conductivity and melting at a low temperature such as a solder ball is disposed on the surface, the surface opposite to the surface on which the solder ball 20 is disposed, that is, the wiring pattern 14 is formed. Preferably, an adhesive 55 having elasticity is applied on the solder resist on the surface on which the electronic component 50 is to be fixed.

【0070】そして、図1に示すように、電子部品50
の貼着面とは反対の表面にバンプ電極51が形成された
電子部品50の場合には、絶縁フィルム11の表面に仮
固定された電子部品50の縁の部分から外側に延設され
た電子部品側接続端子34と、バンプ電極51とを、金
線などの導電性金属線33を用いて、ワイヤーボンディ
ングする。このワイヤーボンディングを超音波を用いて
行う場合、このときの超音波出力は、通常は0.1〜
3.0W、好ましくは0.3〜2.5Wであり、印加時間
は通常は1〜50m秒、好ましくは5〜40m秒であ
り、荷重は通常は10〜200g、好ましくは40〜1
50gである。このときのステージ温度は、通常は70
〜250℃の範囲内に設定される。
Then, as shown in FIG.
In the case of the electronic component 50 in which the bump electrode 51 is formed on the surface opposite to the bonding surface of the electronic component 50, the electronic component 50 extending outward from the edge portion of the electronic component 50 temporarily fixed to the surface of the insulating film 11. The component side connection terminal 34 and the bump electrode 51 are wire-bonded using a conductive metal wire 33 such as a gold wire. When performing this wire bonding using ultrasonic waves, the ultrasonic output at this time is usually 0.1 to
3.0 W, preferably 0.3 to 2.5 W, the application time is usually 1 to 50 msec, preferably 5 to 40 msec, and the load is usually 10 to 200 g, preferably 40 to 1 g.
50 g. The stage temperature at this time is usually 70
It is set within the range of ~ 250 ° C.

【0071】また、図2に示すようなビームリードボン
ディングタイプの電子部品実装用フィルムキャリアテー
プ10を用いる場合には、スリット31の下部から治具
を当接して、5〜100g程度の負荷を、スリット31
を跨ぐように形成した配線パターン14に上向きにかけ
る。配線パターン14のスリット31のスリットの外縁
部近傍には、予めノッチが形成されており、下部から治
具で配線パターンを電子部品50の下面に形成されたバ
ンプ電極51の方向に、通常は10〜100g、好まし
くは20〜80g程度の応力を付与して押し上げる。こ
れにより、ノッチ部分で配線パターンは切断され、金で
形成されているバンプ電極51と切断された配線パター
ン14は、通常30〜200mW、好ましくは40〜1
50mWの超音波を、通常20〜1000m秒、好まし
くは40〜600m秒かけることにより、電子部品をフ
ィルムキャリアテープ10に良好に実装することができ
る。なお、この実装の際のステージ温度は、通常は80
〜250℃に設定される。
When using a beam lead bonding type film carrier tape 10 for mounting an electronic component as shown in FIG. 2, a jig is brought into contact with the lower portion of the slit 31 to apply a load of about 5 to 100 g. Slit 31
Over the wiring pattern 14 formed so as to straddle. A notch is formed in the vicinity of the outer edge of the slit 31 of the wiring pattern 14 in advance. A stress of about 100 to 100 g, preferably about 20 to 80 g is applied to push up. As a result, the wiring pattern is cut at the notch, and the bump electrode 51 made of gold and the cut wiring pattern 14 are usually 30 to 200 mW, preferably 40 to 1 mW.
By applying an ultrasonic wave of 50 mW for a period of usually 20 to 1000 msec, preferably 40 to 600 msec, the electronic component can be favorably mounted on the film carrier tape 10. The stage temperature during this mounting is usually 80
~ 250 ° C.

【0072】このようにしてボンディングを行った後、
このボンディング部をエポキシ樹脂等の硬化性樹脂を用
いて封止する。さらに必要により、電子部品とこのボン
ディング部全体を硬化性樹脂で封止することもできる。
以上、本発明の好ましい実施の態様を説明してきたが、
本発明はこれに限定されることはなく、上記の実施例で
は、例えば、遮蔽部材110、112を金メッキ浴10
2の内部に固定するように配設したが、これらを、電子
部品実装用フィルムキャリアテープ10とともに、金メ
ッキ浴102の内部を搬送するようにすることも可能で
あるなど本発明の目的を逸脱しない範囲で種々の変更が
可能である。
After performing bonding in this manner,
This bonding portion is sealed with a curable resin such as an epoxy resin. Further, if necessary, the electronic component and the entire bonding portion can be sealed with a curable resin.
The preferred embodiments of the present invention have been described above.
The present invention is not limited to this. In the above embodiment, for example, the shielding members 110 and 112 are
2 is fixed so as to be fixed inside, but it is also possible to convey the inside of the gold plating bath 102 together with the film carrier tape 10 for mounting electronic components, without departing from the object of the present invention. Various changes are possible within the scope.

【0073】[0073]

【実施例】次に本発明の実施例を示して、本発明をさら
に詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定的に
解釈されるべきものではない。
EXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples of the present invention, but the present invention should not be construed as being limited thereto.

【0074】[0074]

【実施例1】この実施例1では、ワイヤーボンディング
タイプの電子部品実装用フィルムキャリアテープである
TFBGA(Tape Finepitch Ball Grid Array)を製造し
た。図1に示すように、一方の面に12μm厚のエポキ
シ系接着剤を塗布した厚さ75μm、幅35mm、長さ
100mのポリイミドフィルム(商品名:ユーピレック
スS、宇部興産(株)製)からなる絶縁フィルムの両縁
部に所定間隔でスプロケットホール形成すると同時に、
外部接続端子孔21をパンチングにより形成した。外部
接続端子孔21の直径は0.4mmであり、隣接する外部
接続端子孔21との距離は、孔中心−孔中心距離で0.
8mmであった。
Example 1 In Example 1, a TFBGA (Tape Finepitch Ball Grid Array), which is a film carrier tape for mounting electronic components of a wire bonding type, was manufactured. As shown in FIG. 1, a polyimide film (trade name: Upilex S, manufactured by Ube Industries, Ltd.) having a thickness of 75 μm, a width of 35 mm, and a length of 100 m coated with an epoxy adhesive having a thickness of 12 μm on one surface is formed. At the same time as forming sprocket holes on both edges of the insulating film at predetermined intervals,
The external connection terminal hole 21 was formed by punching. The diameter of the external connection terminal hole 21 is 0.4 mm, and the distance between the adjacent external connection terminal holes 21 is 0.
It was 8 mm.

【0075】次いで、この貫通孔が形成されたポリイミ
ドフィルムに厚さ18μmの電解銅箔をラミネートし
た。この銅箔面にフォトレジストを塗布し、露光、現
像、エッチングすることにより銅配線パターン14を絶
縁フィルム11の一方の面に形成した。このようにして
形成された配線パターン14の表面に、縁部に形成され
た電子部品側接続端子34およびこの接続端子に電流を
流すための電極を除いて、エポキシ系ソルダーレジスト
を塗布した。
Next, an electrolytic copper foil having a thickness of 18 μm was laminated on the polyimide film in which the through holes were formed. A copper wiring pattern 14 was formed on one surface of the insulating film 11 by applying a photoresist to the copper foil surface, exposing, developing and etching. An epoxy solder resist was applied to the surface of the wiring pattern 14 thus formed, except for the electronic component side connection terminals 34 formed at the edges and the electrodes for passing current to the connection terminals.

【0076】このフィルムキャリアテープにスルファミ
ン酸ニッケル浴で2μmの電気ニッケルメッキを行っ
た。フィルムキャリアテープを図4に示したような製造
装置100を用いて、シアン金浴で電気めっきを行なっ
た。この際、塩化ビニル樹脂からなる遮蔽部材110、
112を用いて、下記のような条件でメッキ処理を実施
した。
The film carrier tape was subjected to 2 μm electro nickel plating in a nickel sulfamate bath. The film carrier tape was electroplated in a cyan gold bath using the manufacturing apparatus 100 as shown in FIG. At this time, the shielding member 110 made of vinyl chloride resin,
Using 112, plating was performed under the following conditions.

【0077】遮蔽部材110、112: 塩化ビニル樹
脂製 距離La、LB: La=50mm、LB=50mm 距離la、lb: la=1mm、lb=1mm 距離Sa、Sb: Sa=2mm、Sb=2mm フィルムキャリアテープ搬送速度:3m/分 電流Ia、Ib: Ia=0.6A、Ib=7A 上記のように金メッキすることで、電子部品側接続端子
34のワイヤーボンディングされる端子の表面には、平
均厚さ1μmの金メッキ層36が形成されていた。
Shielding members 110 and 112: made of vinyl chloride resin Distance La, LB: La = 50 mm, LB = 50 mm Distance la, lb: la = 1 mm, lb = 1 mm Distance Sa, Sb: Sa = 2 mm, Sb = 2 mm Film Carrier tape transport speed: 3 m / min Currents Ia, Ib: Ia = 0.6 A, Ib = 7 A By gold plating as described above, the average thickness of the surface of the electronic component side connection terminal 34 on the wire-bonded terminal is increased. A gold plating layer 36 having a thickness of 1 μm was formed.

【0078】一方、絶縁フィルム11に形成された貫通
孔21の上面部を覆う配線パターン14からなる外部端
子接合部38における金メッキ層37の厚さは0.1μ
mであり、導電性金属ボールと接合する外部端子接続部
38の金メッキ層の平均メッキ厚(b)/電子部品側接
続端子の表面の金メッキ層の平均メッキ厚(a)の比
は、0.1であった。
On the other hand, the thickness of the gold-plated layer 37 at the external terminal joint 38 composed of the wiring pattern 14 covering the upper surface of the through hole 21 formed in the insulating film 11 is 0.1 μm.
m, and the ratio of the average plating thickness (b) of the gold plating layer of the external terminal connection portion 38 to be joined to the conductive metal ball / the average plating thickness (a) of the gold plating layer on the surface of the electronic component side connection terminal is 0. It was one.

【0079】絶縁フィルムの裏面に開口する外部接続端
子孔に直径300μmのハンダボールを配置して220
℃に加熱して外部端子接続部38(外部接続端子孔の底
部にある配線パターン)に融着させた。このハンダボー
ルのシュア強度を(装置名;PC−240 DAGE
製)を用いて測定したところ、このハンダボールのシェ
ア強度の平均値は、400gであり、10個のサンプル
についてそれぞれ100端子分を観察したところ、ハン
ダボールの脱落は認められなかった。
A solder ball having a diameter of 300 μm is arranged in an external connection terminal hole opened on the back surface of the insulating film.
C. and was fused to the external terminal connection portion 38 (the wiring pattern at the bottom of the external connection terminal hole). The solder strength of this solder ball was determined by (device name: PC-240 DAGE).
The average value of the shear strength of the solder balls was 400 g, and when 100 terminals were observed for each of 10 samples, no dropping of the solder balls was observed.

【0080】上記のようにしてハンダボールを融着した
フィルムキャリアのソルダーレジスト24の表面に接着
剤55を塗布して電子部品(IC)50を貼着し、この
電子部品(IC)50の上面部に形成されているバンプ
電極51と、電子部品側接続端子34とを金線33(直
径:25μm、純度99.99%)を用いてワイヤボン
ディングにより電気的に接続した。
An adhesive 55 is applied to the surface of the solder resist 24 of the film carrier to which the solder balls are fused as described above, and an electronic component (IC) 50 is attached. The bump electrode 51 formed in the portion and the electronic component side connection terminal 34 were electrically connected by wire bonding using a gold wire 33 (diameter: 25 μm, purity 99.99%).

【0081】ワイヤーボンディング条件は次の通りであ
る。 超音波出力:1.26W 印加時間:22m秒 荷重:90g ステージ温度:150℃ 使用装置:Kulicke & Soffa 社製、4
524ボールボンダー このようにしてワイヤーボンディングした後金線に1
g、2g、4g、8gの荷重を負荷して切断状態を観察
したところ、この金線は、8gの荷重をかけることによ
り金線が切断され(モード1の破断)、外部端子接続部
38にボンディングした金線の剥離(モード2の破断)
は見られなかった。
The conditions for wire bonding are as follows. Ultrasonic power: 1.26 W Application time: 22 ms Load: 90 g Stage temperature: 150 ° C. Apparatus used: Kulicke & Softa, 4
524 ball bonder
g, 2 g, 4 g, and 8 g, the cut state was observed by applying a load of 8 g. The gold wire was cut by applying a load of 8 g (breakage in mode 1). Peeling of bonded gold wire (mode 2 break)
Was not seen.

【0082】[0082]

【比較例1】実施例1において、金メッキする際に、電
子部品実装用フィルムキャリアテープ10の表面10a
と表面電極106との間に流れる電流Iaと、電子部品
実装用フィルムキャリアテープ10の裏面10bと裏面
電極108との間に流れる電流Ibとを、同じ電流(電
流値7A)にして、金メッキを行った。
Comparative Example 1 In Example 1, when plating with gold, the surface 10a of the film carrier tape 10 for mounting electronic components was used.
The current Ia flowing between the back surface electrode 106 and the current Ia flowing between the back surface 10b of the film carrier tape 10 for mounting electronic components and the back surface electrode 108 are set to the same current (current value 7A), and gold plating is performed. went.

【0083】その結果、電子部品側接続端子表面に1μ
mの金メッキ層が形成されるとともに、外部端子接続部
38の表面にも1μmの金メッキ層が形成された。この
ようにして形成されたフィルムキャリアに実施例1と同
様にしてハンダボールを融着させた。このようにして融
着されたハンダボールのシェア強度は、50gであり、
実施例1で得られたフィルムキャリアにおけるハンダボ
ールのシェア強度の1/8の値しか示さなかった。
As a result, 1 μm was applied to the surface of the electronic component side connection terminal.
The gold plating layer of m was formed, and the gold plating layer of 1 μm was also formed on the surface of the external terminal connection part 38. Solder balls were fused to the film carrier thus formed in the same manner as in Example 1. The shear strength of the solder ball fused in this way is 50 g,
The film carrier obtained in Example 1 showed only 1/8 of the shear strength of the solder ball.

【0084】[0084]

【実施例2】実施例1ではワイヤーボンディングタイプ
のTFBGAを製造してボンダビリティーおよびハンダ
ボールのシェア強度を測定したが、実施例2では、図2
に示すように、ビームリードボンディングタイプのFB
GAを製造した。即ち、図2に示すようにポリイミドフ
ィルムにスリット31を予め形成し、このスリットを覆
うように平均厚さ18μmの電解銅箔を積層した以外は
同様にして配線パターンを形成し、実施例1と同様にし
て、金メッキ層を形成した。電子部品側接続端子のバン
プ電極と接続する側の表面に形成された金メッキ層の厚
さは1μmであり、外部端子接続部38(外部接続端子
孔の底部にある配線パターン)の表面に形成された金メ
ッキ層37の厚さは0.1μmであった。
Example 2 In Example 1, a wire bonding type TFBGA was manufactured to measure the bondability and the shear strength of a solder ball.
As shown in the figure, beam lead bonding type FB
GA was manufactured. That is, as shown in FIG. 2, a wiring pattern was formed in the same manner as in Example 1 except that a slit 31 was previously formed in the polyimide film, and an electrolytic copper foil having an average thickness of 18 μm was laminated so as to cover the slit. Similarly, a gold plating layer was formed. The thickness of the gold plating layer formed on the surface of the electronic component side connection terminal connected to the bump electrode is 1 μm, and is formed on the surface of the external terminal connection portion 38 (the wiring pattern at the bottom of the external connection terminal hole). The thickness of the gold plating layer 37 was 0.1 μm.

【0085】このようにして得られたフィルムキャリア
に実施例1と同様にして直径300μmのハンダボール
を融着させた後、このハンダボールのシェア強度を測定
したところ400gであり、10個のサンプルについて
それぞれ100端子分を観察したところ、ハンダボール
の脱落は認められなかった。上記のようにしてハンダボ
ールを融着したフィルムキャリアのソルダーレジスト2
4の表面に接着剤55を塗布して電子部品(IC)を貼
着し、この電子部品(IC)の下面縁部に形成されてい
るバンプ電極51と、電子部品側接続端子34との間
で、電子部品側接続端子34を切断しながら、ビームリ
ードボンディング法により電気的な接続を形成した。
After a solder ball having a diameter of 300 μm was fused to the thus obtained film carrier in the same manner as in Example 1, the shear strength of the solder ball was measured. When 100 terminals were observed, no solder balls were dropped off. Solder resist 2 of film carrier to which solder balls are fused as described above
An electronic component (IC) is adhered by applying an adhesive 55 to the surface of the electronic component (4), and between the bump electrode 51 formed on the lower edge of the electronic component (IC) and the electronic component side connection terminal 34. Thus, an electrical connection was formed by a beam lead bonding method while cutting the electronic component side connection terminal 34.

【0086】ビームリードボンディング条件は次の通り
である。 超音波出力:80mW 印加時間:600m秒 荷重:60g ステージ温度:150℃ 使用装置:Kulicke & Soffa 社製、4
522マルチプロセス・ボールボンダー このようにしてリードビームボンディングした後リード
に1g、2g、5g、10g、20gの荷重を負荷して
切断状態を観察したところ、このリードは、20gの荷
重をかけることによりリード部で切断され(モード1の
破断)、バンプ電極に接続したリードの剥離(モード2
の破断)は見られなかった。
The beam lead bonding conditions are as follows. Ultrasonic output: 80 mW Application time: 600 ms Load: 60 g Stage temperature: 150 ° C. Apparatus used: Kulicke & Softa, 4
522 multi-process ball bonder After performing lead beam bonding in this way and applying a load of 1 g, 2 g, 5 g, 10 g, and 20 g to the lead and observing the cut state, the lead was subjected to a load of 20 g. The lead is cut at the lead (break of mode 1), and the lead connected to the bump electrode is peeled off (mode 2).
Was not observed).

【0087】[0087]

【比較例2】実施例2において、電子部品実装用フィル
ムキャリアテープ10の表面10aと表面電極106と
の間に流れる電流Iaと、電子部品実装用フィルムキャ
リアテープ10の裏面10bと裏面電極108との間に
流れる電流Ibとを、同じ電流(電流値7A)にして、
金メッキを行った。
Comparative Example 2 In Example 2, the current Ia flowing between the front surface 10a of the film carrier tape 10 for mounting electronic components and the front electrode 106, the back surface 10b of the film carrier tape 10 for mounting electronic components, and the back electrode 108 And the current Ib flowing between them is the same current (current value 7A),
Gold plating was performed.

【0088】その結果、電子部品側接続端子表面に1μ
mの金メッキ層が形成されるとともに、外部端子接続部
38の表面にも1μmの金メッキ層が形成された。この
ようにして形成されたフィルムキャリアに実施例1と同
様にしてハンダボールを融着させた。このようにして融
着されたハンダボールのシェア強度は、50gであり、
実施例2で得られたフィルムキャリアにおけるハンダボ
ールのシェア強度の1/8の値しか示さなかった。
As a result, 1 μm is applied to the surface of the electronic component side connection terminal
The gold plating layer of m was formed, and the gold plating layer of 1 μm was also formed on the surface of the external terminal connection part 38. Solder balls were fused to the film carrier thus formed in the same manner as in Example 1. The shear strength of the solder ball fused in this way is 50 g,
The film carrier obtained in Example 2 showed only 1/8 of the shear strength of the solder ball.

【0089】[0089]

【発明の効果】本発明によれば、表面電極用電流制御装
置と裏面電極用電流制御装置によって、フィルムキャリ
アテープの表面と表面電極との間に流れる電流と、フィ
ルムキャリアテープの裏面と裏面電極との間に流れる電
流を個別に制御して、フィルムキャリアテープの表面と
表面電極との間に流れる電流を、フィルムキャリアテー
プの裏面と裏面電極との間に流れる電流よりも大きくす
ることができる。
According to the present invention, the current flowing between the front surface and the front electrode of the film carrier tape and the rear surface and the back electrode of the film carrier tape are controlled by the current control device for the front electrode and the current control device for the back electrode. And the current flowing between the front and back electrodes of the film carrier tape can be made larger than the current flowing between the back and back electrodes of the film carrier tape. .

【0090】これによって、電子部品に形成されたバン
プ電極との接合に必要な部分には充分な厚さの金メッキ
層が形成され、バンプ電極と電子部品側接続端子との間
では良好な接合状態を形成できる。また、ハンダボール
が接合する外部接続端子孔内の配線パターン表面には、
ハンダボールの接合に必要な少量の金が存在するように
することができ、これにより、ハンダボールと配線パタ
ーンとの間の接合部で、ハンダボールの脱落の要因にな
る過剰の金−ハンダ合金を形成することがない。
As a result, a gold plating layer having a sufficient thickness is formed at a portion necessary for bonding with the bump electrode formed on the electronic component, and a good bonding state is provided between the bump electrode and the electronic component side connection terminal. Can be formed. Also, on the surface of the wiring pattern inside the external connection terminal hole to which the solder ball is joined,
There can be a small amount of gold needed to join the solder balls, so that at the joint between the solder balls and the wiring pattern, the excess gold-solder alloy that causes the solder balls to fall off Is not formed.

【0091】また、本発明によれば、フィルムキャリア
テープの表面と表面電極との間に流れる電流と、フィル
ムキャリアテープの裏面と裏面電極との間に流れる電流
とが、遮蔽部材によって遮蔽されることにより、相互に
干渉しない状態となり、すなわち電流の相互の回り込み
が防止できる。これにより、表面電極用電流制御装置と
裏面電極用電流制御装置による、フィルムキャリアテー
プの表面と表面電極との間に流れる電流と、フィルムキ
ャリアテープの裏面と裏面電極との間に流れる電流との
個別の制御が確実に行えることになる。これにより、電
子部品側接続端子表面の金メッキ量と、外部接続端子孔
内の配線パターン表面の金メッキ量を正確に制御するこ
とが可能となる。
According to the present invention, the current flowing between the front surface and the front electrode of the film carrier tape and the current flowing between the rear surface and the back electrode of the film carrier tape are shielded by the shielding member. As a result, mutual interference does not occur, that is, the mutual sneak of current can be prevented. Thereby, the current flowing between the front surface and the front electrode of the film carrier tape and the current flowing between the back surface and the back electrode of the film carrier tape are controlled by the current control device for the front electrode and the current control device for the back electrode. Individual control can be performed reliably. This makes it possible to accurately control the amount of gold plating on the surface of the electronic component side connection terminal and the amount of gold plating on the surface of the wiring pattern in the external connection terminal hole.

【0092】従って、ハンダボールが配線パターンから
脱落しにくく、耐久性に優れ、確実な電気的接続が可能
で、コストも安価な電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープを提供することができる。さらに、このような本発
明によって製造した電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープは、ワイヤーボンディングに用いられる導電体金属
線(金線)とワイヤーボンディングする電子部品側接続
端子のワイヤーボンディング面に充分な厚さの金メッキ
層が形成されていることから、導電体金属線(金線)と
電子部品側接続端子とを非常に強固に溶着させることが
できる。また、ハンダボールで代表される導電性金属ボ
ールと配線パターンとの接合部分には非常に少量の金が
存在するだけであり、ハンダボールなどの脱落の主要因
となっている金−ハンダ合金がハンダボールと配線パタ
ーンとの境界部分に過度に供給されない。従って、本発
明のフィルムキャリアテープを使用することにより、電
子部品をより確実にボンディングすることができるとと
もに、外部端子となるハンダボールが脱落することがほ
とんどない。
Accordingly, it is possible to provide a film carrier tape for mounting electronic components, which is less likely to fall off the wiring pattern from the wiring pattern, has excellent durability, enables reliable electrical connection, and is inexpensive. Further, the film carrier tape for mounting electronic components manufactured according to the present invention has a sufficient thickness on the wire bonding surface of the electronic component side connection terminal to be wire-bonded to the conductive metal wire (gold wire) used for wire bonding. Since the gold plating layer is formed, the conductor metal wire (gold wire) and the electronic component side connection terminal can be very strongly welded. In addition, only a very small amount of gold is present at the joint between the conductive metal ball represented by the solder ball and the wiring pattern, and the gold-solder alloy, which is the main cause of the fall of the solder ball, is used. It is not excessively supplied to the boundary between the solder ball and the wiring pattern. Therefore, by using the film carrier tape of the present invention, the electronic component can be more securely bonded, and the solder balls serving as the external terminals hardly fall off.

【0093】また、このようなワイヤボンディングタイ
プに限らず、図2に示すようなビームリードボンディン
グタイプのフィルムキャリアにおいても、バンプ電極と
電子部品側接続端子との間で非常に高いビームリードボ
ンディングプル強度を示すとともに、同様に外部端子と
なるハンダボールの脱離がほとんど発生しない。また、
金メッキを必要としない部分における金メッキの厚さを
可能な限り薄くしているので、フィルムキャリアの特性
が向上するとともに、このような優れた特性を有するフ
ィルムキャリアを製造コストを低減することができる。
Further, not only the wire bonding type but also the beam lead bonding type film carrier as shown in FIG. 2, the very high beam lead bonding pull between the bump electrode and the electronic component side connection terminal. In addition to showing strength, the solder balls serving as external terminals are hardly detached. Also,
Since the thickness of the gold plating in the portion that does not require gold plating is made as thin as possible, the characteristics of the film carrier are improved, and the manufacturing cost of the film carrier having such excellent characteristics can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープにワイヤーボンディングにより電子部品を実
装した状態の断面の一例を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a cross section in a state where electronic components are mounted on a film carrier tape for mounting electronic components of the present invention by wire bonding.

【図2】図2は、本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープにビームリードボンディングにより電子部品
を実装した状態の断面の一例を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a cross section in a state where electronic components are mounted on a film carrier tape for mounting electronic components of the present invention by beam lead bonding.

【図3】図3は、ハンダボールと配線パターンとの接合
部分を拡大して模式的に示す部分拡大断面図である。
FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view schematically showing a joint portion between a solder ball and a wiring pattern in an enlarged manner.

【図4】図4は、本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープの製造装置の概略図である
FIG. 4 is a schematic view of an apparatus for manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10・・・・電子部品実装用フィルムキャリアテープ 11・・・・絶縁フィルム 14・・・・配線パターン 20・・・・導電性金属ボール 21・・・・外部接続端子孔 24・・・・ソルダーレジスト 31・・・・スリット 34・・・・電子部品側接続端子 36・・・・電子部品側接続端子の金メッキ層 37・・・・外部端子接続部の金メッキ層 38・・・・外部端子接続部 50・・・・電子部品 51・・・・バンプ電極 55・・・・接着剤 102・・・・金メッキ浴 106・・・・表面電極 108・・・・裏面電極 110、112・・・・遮蔽部材 114・・・・表面電極用整流器 116・・・・裏面電極用整流器 120・・・・制御装置 10 Film carrier tape for mounting electronic components 11 Insulating film 14 Wiring pattern 20 Conductive metal balls 21 External connection terminal holes 24 Solder Resist 31 Slit 34 Electronic component side connection terminal 36 Gold plated layer of electronic component side connection terminal 37 Gold plated layer of external terminal connection part 38 External terminal connection Part 50: electronic component 51: bump electrode 55: adhesive 102: gold plating bath 106: front electrode 108: back electrode 110, 112 Shielding member 114 Rectifier for front electrode 116 Rectifier for back electrode 120 Control device

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁フィルムと、 前記絶縁フィルムの一方の面に形成された配線パターン
とを有し、 前記配線パターンの一端部には、実装される電子部品と
接続可能な電子部品側接続端子が形成され、 前記配線パターンの他端部には、前記絶縁フィルムに形
成された貫通孔上に形成された外部端子接合部が形成さ
れるとともに、 前記配線パターンが形成されている絶縁フィルム表面と
は反対の側から、前記貫通孔内に導電性金属ボールを配
置することにより、前記導電性金属ボールを介して、絶
縁フィルムの裏面において、前記絶縁フィルムの表面に
形成された配線パターンに電気的に接続される電子部品
との電気的接続が可能なように構成された電子部品実装
用フィルムキャリアテープを製造するための製造方法で
あって、 前記絶縁フィルムの一方の面に配線パターンが形成され
たフィルムキャリアテープを金メッキ浴中に浸漬し、 前記フィルムキャリアテープの表面に対峙するように所
定の距離離間して、金メッキ浴中に表面電極を配置する
とともに、 前記フィルムキャリアテープの裏面に対峙するように所
定の距離離間して、金メッキ浴中に裏面電極を配置し、 前記フィルムキャリアテープの表面と表面電極との間に
流れる電流と、前記フィルムキャリアテープの裏面と裏
面電極との間に流れる電流を個別に制御して、 前記フィルムキャリアテープの表面と表面電極との間に
流れる電流を、前記フィルムキャリアテープの裏面と裏
面電極との間に流れる電流よりも大きくなるようにし、 前記フィルムキャリアテープの電子部品側接続端子の表
面に電解析出する金メッキ層のメッキ厚(a)が、フィ
ルムキャリアテープの裏面の導電性金属ボールと接合す
る外部端子接続部に電解析出する金メッキ層のメッキ厚
(b)よりも厚くなるように形成することを特徴とする
電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法。
An electronic component-side connection terminal having an insulating film and a wiring pattern formed on one surface of the insulating film, wherein one end of the wiring pattern can be connected to an electronic component to be mounted. At the other end of the wiring pattern, an external terminal joint formed on a through hole formed in the insulating film is formed, and an insulating film surface on which the wiring pattern is formed. From the opposite side, by arranging conductive metal balls in the through holes, the conductive metal balls are electrically connected to the wiring pattern formed on the surface of the insulating film on the back surface of the insulating film via the conductive metal balls. A method for manufacturing an electronic component mounting film carrier tape configured to be electrically connectable to an electronic component connected to the A film carrier tape having a wiring pattern formed on one surface of the film is immersed in a gold plating bath, and a predetermined distance is set so as to face the surface of the film carrier tape, and a surface electrode is arranged in the gold plating bath. Along with a predetermined distance so as to face the back surface of the film carrier tape, a back surface electrode is disposed in a gold plating bath, and a current flowing between the front surface and the front surface electrode of the film carrier tape; The current flowing between the back surface and the back electrode of the tape is individually controlled, and the current flowing between the front surface and the front electrode of the film carrier tape flows between the back surface and the back electrode of the film carrier tape. A gold plating layer electrolytically deposited on the surface of the electronic component side connection terminal of the film carrier tape so as to be larger than the current. Wherein the plating thickness (a) is larger than the plating thickness (b) of the gold plating layer electrolytically deposited on the external terminal connection portion to be joined to the conductive metal ball on the back surface of the film carrier tape. Of manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components.
【請求項2】 前記メッキ浴中に、前記フィルムキャリ
アテープの長手方向の両縁部近傍をそれぞれ遮蔽する一
対の遮蔽部材を配設して、 前記フィルムキャリアテープの表面と表面電極との間に
流れる電流と、前記フィルムキャリアテープの裏面と裏
面電極との間に流れる電流とが、相互に干渉しない状態
で電解析出を行うことを特徴とする請求項1に記載の電
子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法。
2. A pair of shielding members for shielding the vicinity of both longitudinal edges of the film carrier tape in the plating bath, respectively, between a surface of the film carrier tape and a surface electrode. The film carrier for electronic component mounting according to claim 1, wherein the flowing current and the current flowing between the back surface and the back surface electrode of the film carrier tape perform electrolytic deposition in a state where they do not interfere with each other. Tape manufacturing method.
【請求項3】 前記電子部品側接続端子の表面の金メッ
キ層の平均メッキ厚(a)が、0.5〜1.5μmの範
囲内にあり、導電性金属ボールと接合する外部端子接続
部の金メッキ層の平均メッキ厚(b)が、0.5μm以
下であるように電流を制御することを特徴とする請求項
1から2のいずれかに記載の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープの製造方法。
3. An average plating thickness (a) of a gold plating layer on a surface of the electronic component side connection terminal is in a range of 0.5 to 1.5 μm, and an external terminal connection portion to be joined to a conductive metal ball is provided. 3. The method according to claim 1, wherein the current is controlled so that the average plating thickness (b) of the gold plating layer is 0.5 μm or less.
【請求項4】 絶縁フィルムと、 前記絶縁フィルムの一方の面に形成された配線パターン
とを有し、 前記配線パターンの一端部には、実装される電子部品と
接続可能な電子部品側接続端子が形成され、 前記配線パターンの他端部には、前記絶縁フィルムに形
成された貫通孔上に形成された外部端子接合部が形成さ
れるとともに、 前記配線パターンが形成されている絶縁フィルム表面と
は反対の側から、前記貫通孔内に導電性金属ボールを配
置することにより、前記導電性金属ボールを介して、絶
縁フィルムの裏面において、前記絶縁フィルムの表面に
形成された配線パターンに電気的に接続される電子部品
との電気的接続が可能なように構成された電子部品実装
用フィルムキャリアテープを製造するための製造装置で
あって、 前記絶縁フィルムの一方の面に配線パターンが形成され
たフィルムキャリアテープを浸漬する金メッキ浴と、 前記フィルムキャリアテープの表面に対峙するように所
定の距離離間して、金メッキ浴中に配置された表面電極
と、 前記フィルムキャリアテープの裏面に対峙するようにと
所定の距離離間して、金メッキ浴中に配置された裏面電
極と、 前記フィルムキャリアテープの表面と表面電極との間に
流れる電流と、前記フィルムキャリアテープの裏面と裏
面電極との間に流れる電流を個別に制御する表面電極用
電流制御装置と裏面電極用電流制御装置とを備え、 前記表面電極用電流制御装置と裏面電極用電流制御装置
によって、前記フィルムキャリアテープの表面と表面電
極との間に流れる電流を、前記フィルムキャリアテープ
の裏面と裏面電極との間に流れる電流よりも大きくなる
ようにし、 前記フィルムキャリアテープの電子部品側接続端子の表
面に電解析出する金メッキ層のメッキ厚(a)が、フィ
ルムキャリアテープの裏面の導電性金属ボールと接合す
る外部端子接続部に電解析出する金メッキ層のメッキ厚
(b)よりも厚く形成するように構成されていることを
特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープの製
造装置。
4. An electronic component-side connection terminal having an insulating film and a wiring pattern formed on one surface of the insulating film, wherein one end of the wiring pattern has an electronic component-side connection terminal connectable to an electronic component to be mounted. At the other end of the wiring pattern, an external terminal joint formed on a through hole formed in the insulating film is formed, and an insulating film surface on which the wiring pattern is formed. From the opposite side, by arranging conductive metal balls in the through holes, an electrical connection is made to the wiring pattern formed on the surface of the insulating film on the back surface of the insulating film via the conductive metal balls. A manufacturing apparatus for manufacturing an electronic component mounting film carrier tape configured to be capable of being electrically connected to an electronic component connected to the insulated film. A gold plating bath in which a film carrier tape having a wiring pattern formed on one surface of the film is immersed; and a surface electrode disposed in the gold plating bath at a predetermined distance so as to face the surface of the film carrier tape. A predetermined distance so as to face the back surface of the film carrier tape, a back surface electrode disposed in a gold plating bath, a current flowing between the front surface and the front surface electrode of the film carrier tape, and the film A current control device for the front electrode and a current control device for the back electrode for individually controlling a current flowing between the back surface and the back electrode of the carrier tape, wherein the current control device for the front electrode and the current control device for the back electrode are provided. The current flowing between the front surface and the front electrode of the film carrier tape is applied between the rear surface and the back electrode of the film carrier tape. The plating current is set to be larger than the flowing current, and the plating thickness (a) of the gold plating layer electrolytically deposited on the surface of the electronic component side connection terminal of the film carrier tape is connected to the conductive metal ball on the back surface of the film carrier tape. An apparatus for manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components, wherein the apparatus is configured to be formed to be thicker than a plating thickness (b) of a gold plating layer electrolytically deposited on a terminal connection portion.
【請求項5】 前記メッキ浴中に配設した、前記フィル
ムキャリアテープの長手方向の両縁部近傍をそれぞれ遮
蔽する一対の遮蔽部材を備え、 前記フィルムキャリアテープの表面と表面電極との間に
流れる電流と、前記フィルムキャリアテープの裏面と裏
面電極との間に流れる電流とが、相互に干渉しない状態
で電解析出を行うように構成したことを特徴とする請求
項4に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの
製造装置。
5. A pair of shielding members disposed in the plating bath for shielding the vicinity of both longitudinal edges of the film carrier tape, respectively, between a surface of the film carrier tape and a surface electrode. 5. The electronic component according to claim 4, wherein a current flowing and a current flowing between the back surface of the film carrier tape and the back surface electrode perform electrolytic deposition in a state where they do not interfere with each other. Manufacturing equipment for mounting film carrier tapes.
【請求項6】 前記電子部品側接続端子の表面の金メッ
キ層の平均メッキ厚(a)が、0.5〜1.5μmの範
囲内にあり、導電性金属ボールと接合する外部端子接続
部の金メッキ層の平均メッキ厚(b)が、0.5μm以
下であるように、前記表面電極用電流制御装置と裏面電
極用電流制御装置によって電流を制御するように構成さ
れていることを特徴とする請求項4から5のいずれかに
記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造装
置。
6. An external terminal connection portion to be joined to a conductive metal ball, wherein the average plating thickness (a) of the gold plating layer on the surface of the electronic component side connection terminal is in the range of 0.5 to 1.5 μm. The current is controlled by the current control device for the front electrode and the current control device for the back electrode so that the average plating thickness (b) of the gold plating layer is 0.5 μm or less. An apparatus for manufacturing a film carrier tape for mounting electronic components according to claim 4.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015164189A (en) * 2014-02-13 2015-09-10 群成科技股▲分▼有限公司 Electronic package, package carrier, and method of manufacturing both the electronic package and the package carrier

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015164189A (en) * 2014-02-13 2015-09-10 群成科技股▲分▼有限公司 Electronic package, package carrier, and method of manufacturing both the electronic package and the package carrier

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