JP2002093774A - Wet treatment unit - Google Patents
Wet treatment unitInfo
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- JP2002093774A JP2002093774A JP2000278867A JP2000278867A JP2002093774A JP 2002093774 A JP2002093774 A JP 2002093774A JP 2000278867 A JP2000278867 A JP 2000278867A JP 2000278867 A JP2000278867 A JP 2000278867A JP 2002093774 A JP2002093774 A JP 2002093774A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造に
係り、特に搬送を兼ねる収容カセットと共に複数枚のウ
ェハを処理槽に投入しウェットエッチング、あるいは洗
浄処理するウェット処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the manufacture of semiconductor devices and, more particularly, to a wet processing apparatus in which a plurality of wafers are put into a processing tank together with an accommodating cassette that also serves as a carrier, and wet etching or cleaning is performed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】被エッチング材料の形成されたウェハで
は、エッチング液に浸すことにより、エッチングを行
う。あるいは、洗浄の対象となる表面を露出させたウェ
ハでは、洗浄液中に浸すことにより、表面洗浄、多層膜
の表面層除去などを達成する。これらエッチング液や洗
浄液等の処理液は、適当な処理槽に供給される。複数の
ウェハは、収容カセットごと上記のような処理槽に漬浸
され、目的が達せられる。このような手法は、量産性、
汎用性に優れ、半導体製造に広く用いられている。2. Description of the Related Art A wafer having a material to be etched is etched by being immersed in an etching solution. Alternatively, a wafer having a surface to be cleaned exposed is immersed in a cleaning solution to achieve surface cleaning, removal of a surface layer of a multilayer film, and the like. These processing liquids such as an etching liquid and a cleaning liquid are supplied to an appropriate processing tank. The plurality of wafers are immersed in the above-described processing tank together with the accommodation cassette to achieve the purpose. Such an approach is
It has excellent versatility and is widely used in semiconductor manufacturing.
【０００３】例えば、Ｓｉの選択酸化マスクとして用い
られるＳｉ3 Ｎ4 膜の除去には、熱リン酸液（１８０℃
程度のＨ3 ＰＯ4 液）がよく用いられる。すなわち、熱
リン酸液の入った処理槽に収容カセットと共に複数枚の
ウェハを漬浸する。ＳｉＯ2膜との選択性にも優れてお
り、適当な時間漬浸すことにより、Ｓｉ3 Ｎ4 膜の除去
がほぼ達成される。For example, to remove a Si 3 N 4 film used as a selective oxidation mask for Si, a hot phosphoric acid solution (180 ° C.) is used.
H 3 PO 4 solution) is often used. That is, a plurality of wafers are immersed together with the accommodating cassette in the processing tank containing the hot phosphoric acid solution. The selectivity to the SiO 2 film is also excellent, and the removal of the Si 3 N 4 film is almost achieved by immersion for an appropriate time.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記各
ウェハは、収容カセットごとエッチング処理されるた
め、エッチングされ難い部分が生じる。収容カセット
は、その形状にもよるが、たいていはウェハの周縁部分
を支持するため、ウェハ外周が部分的にがカセット溝内
壁と接触している。これにより、ウェハ外周部分におい
て、十分なエッチング液の供給がなされず、エッチング
除去不充分となる箇所が発生する。However, since each of the above-mentioned wafers is subjected to an etching process with respect to the accommodating cassette, there are portions that are difficult to be etched. Although the accommodation cassette depends on its shape, in most cases, the outer periphery of the wafer is partially in contact with the inner wall of the cassette groove to support the peripheral portion of the wafer. As a result, in the outer peripheral portion of the wafer, a portion where the etching liquid is not sufficiently supplied and the etching removal is insufficient occurs.
【０００５】すなわち、上記のようなＳｉ3 Ｎ4 膜の除
去処理であれば、ウェハ外周部分において、Ｓｉ3 Ｎ4
膜除去が不充分の箇所が生じ、ウェハ上に窒化物が残留
してしまう。そうなると、段差が残り、続くプロセスに
支障の恐れ、あるいはイオン注入後の抵抗値の調査など
各種検査時に品質劣化の傾向を与えるなど歩留り低下の
原因となり、問題である。Namely, if the removal process of the Si 3 N 4 film as described above, the outer peripheral portion the wafer, Si 3 N 4
Insufficient film removal may occur, leaving nitride on the wafer. In this case, a step remains, which may cause a problem in the subsequent process, or may cause a decrease in yield, such as a tendency of quality deterioration during various inspections such as inspection of a resistance value after ion implantation.
【０００６】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、収容カセットに入れたままの複数枚のウェ
ハ各々についてより均一的な処理を実現するウェット処
理装置を提供しようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a wet processing apparatus which realizes more uniform processing of each of a plurality of wafers stored in a storage cassette. It is.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明のウェット処理装
置は、所定の処理用の液により複数枚のウェハをウェッ
ト処理する装置であって、前記処理用の液が入り前記複
数枚のウェハを収容カセットごと漬浸できる処理槽と、
前記処理槽の底部に設けられ前記収容カセットから露出
する前記複数枚のウェハそれぞれの周縁部分に接触する
ローラーと、前記ローラーを駆動制御し、前記収容カセ
ット内の前記ウェハそれぞれを回転させるローラー駆動
部とを具備したことを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION A wet processing apparatus according to the present invention is an apparatus for wet-processing a plurality of wafers with a predetermined processing liquid, wherein the processing liquid enters the plurality of wafers. A treatment tank that can be immersed in the storage cassette,
A roller provided at the bottom of the processing tank and in contact with a peripheral portion of each of the plurality of wafers exposed from the storage cassette; and a roller drive unit that drives and controls the roller to rotate each of the wafers in the storage cassette. And characterized in that:
【０００８】本発明に係るウェット処理装置によれば、
ローラー及びローラー駆動部によって、ウェハは収容カ
セットに入ったままそれぞれ回転する。これにより、ウ
ェハそれぞれの外周部分は一定の箇所に留まることはな
いので、処理用の液はウェハ上の隅々まで行き渡る。According to the wet processing apparatus of the present invention,
The wafer is rotated by the roller and the roller driving unit, while remaining in the storage cassette. As a result, the outer peripheral portion of each wafer does not remain at a fixed position, and the processing liquid spreads to every corner on the wafer.
【０００９】なお、上記処理用の液は、ウェハ表面への
形成膜を除去する薬液であることを特徴とする。あるい
は、上記処理用の液は、ウェハ表面を洗浄する洗浄液で
あることを特徴とする。The processing liquid is a chemical liquid for removing a film formed on the wafer surface. Alternatively, the processing liquid is a cleaning liquid for cleaning a wafer surface.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態に係
るウェット処理装置の要部構成を示す断面図である。例
としてエッチング液の入った槽に漬浸してエッチングす
る漬浸式のウェットエッチング装置を示している。FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a main part of a wet processing apparatus according to an embodiment of the present invention. As an example, an immersion type wet etching apparatus for immersion in a bath containing an etching solution for etching is shown.
【００１１】例えば、Ｓｉの選択酸化マスクとして用い
られるＳｉ3 Ｎ4 膜の除去には、熱リン酸液（１８０℃
程度のＨ3 ＰＯ4 液）がよく用いられる。すなわち、熱
リン酸液の入った処理槽１１に収容カセット１２と共に
複数枚のウェハＷＦを漬浸する。For example, to remove a Si 3 N 4 film used as a selective oxidation mask of Si, a hot phosphoric acid solution (180 ° C.)
H 3 PO 4 solution) is often used. That is, a plurality of wafers WF are immersed together with the accommodation cassette 12 in the processing tank 11 containing the hot phosphoric acid solution.
【００１２】この実施形態では処理槽１１の底部の窪み
１１１にローラー１３が設けられ、収容カセット１２か
ら露出するウェハＷＦそれぞれの周縁部分に接触するよ
うになっている。さらに、このローラー１３を駆動制御
し、収容カセット１２内のウェハＷＦそれぞれを回転さ
せるローラー駆動部１４が配備されている。In this embodiment, a roller 13 is provided in a depression 111 at the bottom of the processing tank 11 so as to come into contact with the peripheral portion of each wafer WF exposed from the storage cassette 12. Further, a roller driving unit 14 that controls the driving of the roller 13 and rotates each of the wafers WF in the storage cassette 12 is provided.
【００１３】一般に収容カセット１２は、その側部にウ
ェハＷＦの周縁部分を支持する溝１２１が設けられ、底
部は抜けた開口領域１２２を伴なう。そこで本発明で
は、収容カセット１２に入ったまま各ウェハＷＦはその
周縁部をローラー１３に接触させ、各ウェハＷＦを回転
させるようになっている。ウェハＷＦがその周縁部をロ
ーラー１３に接触させたとき、ウェハＷＦが収容カセッ
ト１２から若干浮くような構成が望ましい。Generally, the accommodating cassette 12 is provided with a groove 121 for supporting a peripheral portion of the wafer WF on a side portion thereof, and a bottom portion is provided with an opening region 122 which is omitted. Therefore, in the present invention, each wafer WF is brought into contact with the roller 13 with the wafer WF kept in the accommodation cassette 12 to rotate each wafer WF. It is desirable that the wafer WF be slightly lifted from the accommodation cassette 12 when the peripheral portion of the wafer WF is brought into contact with the roller 13.
【００１４】図２は、図１の一部の構成例を示した概観
図であり、処理槽１１底部のローラー１３及びローラー
駆動部１４を示している。処理槽１１底部には窪み１１
１が配備されており、このローラー１３の軸及びローラ
ー本体大半が埋設される構成となっている。ローラー駆
動部１４は、ローラー１３の軸を回転させるようプーリ
ー及びベルトなどを組み合わせるなどしてモーターＭに
繋がっている。なお、エッチング液に晒されるローラー
１３及びローラー駆動部１４に関る部分は、テフロン
（登録商標）製など耐エッチング性を考慮した材料で構
成する。FIG. 2 is a schematic view showing an example of a part of the configuration of FIG. 1 and shows a roller 13 and a roller driving unit 14 at the bottom of the processing tank 11. Depression 11 at the bottom of processing tank 11
1 is provided, and the shaft of the roller 13 and most of the roller body are embedded. The roller driving unit 14 is connected to the motor M by, for example, combining a pulley and a belt to rotate the shaft of the roller 13. In addition, a portion related to the roller 13 and the roller driving unit 14 exposed to the etching liquid is made of a material such as Teflon (registered trademark) in consideration of etching resistance.
【００１５】これにより、図１に示した収容カセット１
２に入ったウェハＷＦが処理槽１１に漬浸されると、収
容カセット１２は処理槽１１底部に落ち着き、ウェハＷ
Ｆは処理槽１１底部から出ているローラー１３の一部分
の接触で少し浮いたようになり、容易に回転する。As a result, the storage cassette 1 shown in FIG.
2 is immersed in the processing tank 11, the storage cassette 12 is settled at the bottom of the processing tank 11,
F slightly floats due to the contact of a part of the roller 13 protruding from the bottom of the processing tank 11 and easily rotates.
【００１６】上記構成によれば、ローラー１３及びロー
ラー駆動部１４によって、ウェハＷＦは収容カセット１
２に入ったままそれぞれ回転する。これにより、ウェハ
ＷＦそれぞれの外周部分は一定の箇所に留まらず、収容
カセット１２の溝内壁と接触する部分は常に移動するこ
とになる。よって、エッチング液はウェハ上の隅々まで
行き渡る。この結果、ウェハ外周部分において、エッチ
ングされ難い部分がなくなり、収容カセットに入れたま
まの複数枚のウェハ各々についてより均一的な処理を実
現することができる。According to the above configuration, the wafer WF is stored in the storage cassette 1 by the roller 13 and the roller driving unit 14.
Rotate each while entering 2. As a result, the outer peripheral portion of each wafer WF does not remain at a fixed position, and the portion that comes into contact with the inner wall of the groove of the storage cassette 12 always moves. Therefore, the etchant spreads to every corner of the wafer. As a result, in the outer peripheral portion of the wafer, there is no portion that is hard to be etched, and more uniform processing can be realized for each of the plurality of wafers stored in the storage cassette.
【００１７】図３は、図２の構成の変形例を示した概観
図であり、処理槽１１底部に上記窪み（１１１）が設け
られないタイプである。ローラー１３の軸は処理槽１１
底部に近い側面に設置される。ローラー駆動部１４の構
成は上記図２と同様である。エッチング液に晒されるロ
ーラー１３及びローラー駆動部１４に関る部分は、テフ
ロン製など耐エッチング性を考慮した材料で構成する。FIG. 3 is a schematic view showing a modification of the configuration shown in FIG. 2, and is of a type in which the above-mentioned depression (111) is not provided at the bottom of the processing tank 11. The axis of the roller 13 is the processing tank 11
Installed on the side near the bottom. The configuration of the roller driving unit 14 is the same as that of FIG. The portions related to the roller 13 and the roller drive unit 14 exposed to the etchant are made of a material such as Teflon in consideration of etching resistance.
【００１８】上記構成では図１に示した収容カセット１
２に入ったウェハＷＦが処理槽１１に漬浸される場合、
収容カセット１２の沈める深さは、ローラー１３に接触
した時点で制御される。ウェハＷＦはローラー１３の接
触で少し浮いたようになり、容易に回転する。In the above configuration, the storage cassette 1 shown in FIG.
2 is immersed in the processing tank 11,
The sinking depth of the storage cassette 12 is controlled when the storage cassette 12 contacts the roller 13. The wafer WF slightly floats upon contact with the roller 13 and easily rotates.
【００１９】上記構成によっても、収容カセット１３に
入れたままウェハＷＦは回転し、収容カセット１３の溝
内壁と接触する外周部分は常に移動することになる。よ
って、エッチング液はウェハ上の隅々まで行き渡る。こ
の結果、ウェハ外周部分において、エッチングされ難い
部分がなくなり、収容カセットに入れたままの複数枚の
ウェハ各々についてより均一的な処理を実現することが
できる。According to the above configuration, the wafer WF rotates while being stored in the storage cassette 13, and the outer peripheral portion that comes into contact with the inner wall of the groove of the storage cassette 13 always moves. Therefore, the etchant spreads to every corner of the wafer. As a result, in the outer peripheral portion of the wafer, there is no portion that is hard to be etched, and more uniform processing can be realized for each of the plurality of wafers stored in the storage cassette.
【００２０】なお、上記のように、収容カセットに入れ
たままウェハを処理槽底部のローラーで回転させる本発
明の特徴構成は、上記エッチング液の使用に限定されな
い。すなわち、様々な被エッチング材料に対し適当なエ
ッチング液があり、このような処理槽を利用すれば、ウ
ェハ各々についてより均一的な処理を実現することが期
待できる。As described above, the characteristic configuration of the present invention in which the wafer is rotated by the roller at the bottom of the processing tank while being stored in the storage cassette is not limited to the use of the etching solution. That is, there is an appropriate etchant for various materials to be etched, and if such a processing tank is used, it is expected that more uniform processing can be realized for each wafer.
【００２１】あるいは、洗浄の対象となる表面を露出さ
せたウェハでは、洗浄液中に浸すことにより、表面洗
浄、多層膜の表面層除去などを達成する。このようなプ
ロセスにも本発明の特徴である、収容カセットに入れた
ままウェハを処理槽底部のローラーで回転させる構成が
適用でき、ウェハ各々についてより均一的な処理を実現
することが期待できる。Alternatively, a wafer having a surface to be cleaned exposed is immersed in a cleaning solution to achieve surface cleaning, removal of a surface layer of a multilayer film, and the like. In such a process, a feature of the present invention, in which the wafer is rotated by the roller at the bottom of the processing tank with the wafer kept in the accommodation cassette, can be applied, and it is expected that more uniform processing can be realized for each wafer.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、処
理槽に配備されたローラー及びローラー駆動部によっ
て、複数のウェハは収容カセットに入ったままそれぞれ
回転する。これにより、ウェハそれぞれの外周部分は一
定の箇所に留まらず、収容カセットの溝内壁と接触する
部分は常に移動することになる。よって、処理液はウェ
ハ上の隅々まで行き渡る。この結果、収容カセットに入
れたままの複数枚のウェハ各々についてより均一的な処
理を実現するウェット処理装置を提供することができ
る。As described above, according to the present invention, a plurality of wafers are each rotated while being contained in a storage cassette by a roller and a roller drive unit provided in a processing tank. As a result, the outer peripheral portion of each wafer does not remain at a fixed position, and the portion in contact with the inner wall of the groove of the storage cassette always moves. Therefore, the processing liquid spreads to every corner on the wafer. As a result, it is possible to provide a wet processing apparatus that realizes more uniform processing for each of a plurality of wafers stored in the storage cassette.
【図１】本発明の一実施形態に係るウェット処理装置の
要部構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a main configuration of a wet processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の一部の構成例を示した概観図である。FIG. 2 is a schematic view showing a configuration example of a part of FIG. 1;
【図３】図２の構成の変形例を示した概観図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a modification of the configuration of FIG. 2;
１１…処理槽 １１１…窪み １２…収容カセット １２１…溝 １２２…開口領域 １３…ローラー １４…ローラー駆動部 Ｍ…モーター ＷＦ…ウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Processing tank 111 ... Depression 12 ... Storage cassette 121 ... Groove 122 ... Open area 13 ... Roller 14 ... Roller drive part M ... Motor WF ... Wafer
Claims (3)
をウェット処理する装置であって、 前記処理用の液が入り前記複数枚のウェハを収容カセッ
トごと漬浸できる処理槽と、 前記処理槽の底部に設けられ前記収容カセットから露出
する前記複数枚のウェハそれぞれの周縁部分に接触する
ローラーと、 前記ローラーを駆動制御し、前記収容カセット内の前記
ウェハそれぞれを回転させるローラー駆動部と、を具備
したことを特徴とするウェット処理装置。1. An apparatus for performing wet processing on a plurality of wafers with a predetermined processing liquid, the processing tank being capable of containing the processing liquid and immersing the plurality of wafers together with a housing cassette. A roller provided at the bottom of the tank and in contact with a peripheral portion of each of the plurality of wafers exposed from the storage cassette; a roller drive unit that controls driving of the roller to rotate each of the wafers in the storage cassette; A wet processing apparatus comprising:
成膜を除去する薬液であることを特徴とする請求項1記
載のウェット処理装置。2. The wet processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid is a chemical liquid for removing a film formed on the wafer surface.
する洗浄液であることを特徴とする請求項1記載のウェ
ット処理装置。3. The wet processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid is a cleaning liquid for cleaning the wafer surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000278867A JP2002093774A (en) | 2000-09-13 | 2000-09-13 | Wet treatment unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000278867A JP2002093774A (en) | 2000-09-13 | 2000-09-13 | Wet treatment unit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002093774A true JP2002093774A (en) | 2002-03-29 |
Family
ID=18763964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000278867A Withdrawn JP2002093774A (en) | 2000-09-13 | 2000-09-13 | Wet treatment unit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002093774A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110155327A1 (en) * | 2008-04-08 | 2011-06-30 | Shimadzu Corporation | Adhesive Injection Device |
| JP2012509599A (en) * | 2008-11-19 | 2012-04-19 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | Method and system for stripping the edge of a semiconductor wafer |
| CN104826850A (en) * | 2015-06-04 | 2015-08-12 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | Silicon wafer cleaning basket |
| JP2016213450A (en) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 環球晶圓股▲ふん▼有限公司 | Wafer rotation device |
-
2000
- 2000-09-13 JP JP2000278867A patent/JP2002093774A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110155327A1 (en) * | 2008-04-08 | 2011-06-30 | Shimadzu Corporation | Adhesive Injection Device |
| US8496037B2 (en) * | 2008-04-08 | 2013-07-30 | Shimadzu Corporation | Adhesive injection device |
| JP2012509599A (en) * | 2008-11-19 | 2012-04-19 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | Method and system for stripping the edge of a semiconductor wafer |
| JP2016213450A (en) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 環球晶圓股▲ふん▼有限公司 | Wafer rotation device |
| CN104826850A (en) * | 2015-06-04 | 2015-08-12 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | Silicon wafer cleaning basket |
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Legal Events
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