JP2001332537A - Sog application device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造に
係り、特に半導体ウェハ表面にＳＯＧ（Spin OnGlass）
膜を形成するＳＯＧ塗布装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor device manufacturing, and more particularly to SOG (Spin On Glass) on the surface of a semiconductor wafer.
The present invention relates to an SOG coating device for forming a film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩ製造工程（ウェハ工程）の一つに
ＳＯＧ（Spin On Glass）塗布工程がある。ＳＯＧ膜
は、層間の絶縁に利用する酸化膜の代替えとして広く用
いられている。一般に、ＳＯＧ塗布工程に用いられるＳ
ＯＧ塗布装置は、スピンコート方式である。すなわち、
固定されたウェハの中央部にＳＯＧ液を滴下した後、そ
のウェハを所定の回転数で回転させ、ＳＯＧ液を振り切
る。これにより、ウェハ主表面に所望の膜厚を有するＳ
ＯＧ膜を得る。その後、ベークすることで、所望の絶縁
膜となる。2. Description of the Related Art One of the LSI manufacturing processes (wafer processes) includes an SOG (Spin On Glass) coating process. The SOG film is widely used as a substitute for an oxide film used for insulating between layers. Generally, S used in the SOG coating process
The OG coating device is a spin coating method. That is,
After dropping the SOG liquid at the center of the fixed wafer, the wafer is rotated at a predetermined rotation speed to shake off the SOG liquid. As a result, S having a desired film thickness on the wafer main surface is formed.
Obtain an OG film. Thereafter, baking is performed to obtain a desired insulating film.
【０００３】上記スピンコート方式によれば、振り切ら
れたＳＯＧ液の一部がウェハ端面を回り込んで裏面周縁
に付着したままになることがある。ウェハ裏面に回り込
んだＳＯＧ液は、放置しておけばパーティクル汚染を招
く。従って、スピンコート時に低速のステップを入れる
など、ＳＯＧ液がウェハ裏面に回り込まないよう工夫す
るＳＯＧ塗布装置もある。しかし、信頼性を得るために
はウェハ裏面を洗浄する方が確実である。According to the spin coating method, a part of the shaken-off SOG liquid may go around the wafer end surface and remain attached to the peripheral edge of the back surface. The SOG liquid that has reached the wafer back surface causes particle contamination if left unattended. Therefore, there is an SOG coating apparatus that devises so that the SOG liquid does not flow to the back surface of the wafer, for example, by inserting a low-speed step during spin coating. However, it is more reliable to wash the back surface of the wafer in order to obtain reliability.
【０００４】そこで、ウェハ裏面側を洗浄するバックリ
ンスというステップが導入されている。バックリンス液
には一般に有機溶剤が用いられている。有機溶剤として
は、メタノール、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等
が使用される。揮発成分を含み、ケミカル汚染に繋がる
恐れがある。Therefore, a step called back rinsing for cleaning the back side of the wafer has been introduced. Generally, an organic solvent is used for the back rinse liquid. As the organic solvent, methanol, IPA (isopropyl alcohol) or the like is used. Contains volatile components and may lead to chemical contamination.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記した有機溶剤は、
完全に回収されるはずもなく、ドレーンカップ内に残留
する。これがクリーンルーム内で悪影響を及ぼす。例え
ばＩＰＡのウェハ残留は有機物汚染になる可能性が高
い。今後、デバイスの微細化やプロセス雰囲気の完全な
クリーン化が進めば、問題になる。すなわち、有機溶剤
の一部の成分がクリーンルーム内で飛散し、パーティク
ル汚染源となる。この結果、製品歩留りを低下させると
共に、環境、人体への悪影響に及ぶ問題となる。The above-mentioned organic solvents are:
It cannot be completely recovered and remains in the drain cup. This has an adverse effect in the clean room. For example, there is a high possibility that the IPA remaining on the wafer will cause organic contamination. In the future, if the miniaturization of devices and the complete cleanness of the process atmosphere progress, this will become a problem. That is, some components of the organic solvent are scattered in the clean room and become a source of particle contamination. As a result, there is a problem that the product yield is reduced and the environment and the human body are adversely affected.
【０００６】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
で、有機溶剤を用いずにウェハ裏面を洗浄するバックリ
ンスが行えるＳＯＧ塗布装置を提供しようとするもので
ある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an SOG coating apparatus capable of performing back rinsing for cleaning the back surface of a wafer without using an organic solvent.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明のＳＯＧ塗布装置
は、半導体ウェハが載置され回転可能な支持台と、前記
支持台を所定の回転数で回転させる駆動部と、前記ウェ
ハ主表面にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部と、前記
駆動部によるウェハの回転時に前記ウェハ裏面側下方か
らウェハ裏面部分にオゾン水を供給するオゾン水供給部
とを具備したことを特徴とする。According to the present invention, there is provided an SOG coating apparatus comprising a rotatable support on which a semiconductor wafer is mounted, a driving section for rotating the support at a predetermined number of revolutions, An SOG liquid supply unit for dropping the SOG liquid, and an ozone water supply unit for supplying ozone water to the wafer back surface from below the wafer back surface when the driving unit rotates the wafer.
【０００８】本発明のＳＯＧ塗布装置によれば、オゾン
水供給部がバックリンスの役割を果たす。オゾン水は周
囲の環境及び人体に与える影響について、懸念すべきも
のとはなり難い。[0008] According to the SOG coating apparatus of the present invention, the ozone water supply unit plays a role of back rinse. The effect of ozone water on the surrounding environment and the human body is unlikely to be a concern.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態に係
るＳＯＧ塗布装置の要部構成を示す概観図である。スピ
ンコート方式のＳＯＧ（Spin On Glass）塗布装置であ
る。図示しない処理チャンバ内部に半導体ウェハＷＦの
支持台１１が配備されている。支持台１１は、ウェハＷ
Ｆをチャックして駆動部１２で回転可能である。駆動部
１２は、支持台１１を所定の回転数で回転させる。ウェ
ハＷＦのチャックは、図示のようなウェハ裏面の真空吸
着によるものを用いている。支持台１１のウェハチャッ
ク部分及びウェハＷＦの外周に沿うように金属製のドレ
ーンカップ１３が配設されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a schematic view showing a main part of an SOG coating apparatus according to an embodiment of the present invention. This is a spin coating type SOG (Spin On Glass) coating apparatus. A support 11 for a semiconductor wafer WF is provided inside a processing chamber (not shown). The support base 11 is provided with a wafer W
F can be chucked and rotated by the drive unit 12. The drive unit 12 rotates the support base 11 at a predetermined rotation speed. As the chuck for the wafer WF, a chuck by vacuum suction on the back surface of the wafer as shown is used. A metal drain cup 13 is arranged along the wafer chuck portion of the support base 11 and the outer periphery of the wafer WF.
【００１０】支持台１１の上方には、ウェハＷＦ主表面
にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部１４が配備されて
いる。ウェハＷＦ裏面側下方のドレーンカップ１３底部
にバックリンス用Ｏ3 水供給ノズル１５が配設されてい
る。このバックリンス用Ｏ3水供給ノズル１５からウェ
ハＷＦ裏面部分にＯ3 水（オゾン水）が供給されるよう
になっている。Above the support 11, an SOG liquid supply unit 14 for dropping the SOG liquid on the main surface of the wafer WF is provided. An O 3 water supply nozzle 15 for back rinsing is provided at the bottom of the drain cup 13 below the rear surface of the wafer WF. O 3 water (ozone water) is supplied from the back rinse O 3 water supply nozzle 15 to the back surface of the wafer WF.
【００１１】ウェハの洗浄技術において、ＳＰＭ洗浄
（Ｈ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 の混合液による洗浄）の代り
に、Ｏ3 水によって有機物を除去する技術が知られてい
る。本発明はこれをＳＯＧ塗布装置のバックリンスに応
用した。Ｏ3 水により、ＳＯＧ剥離のための反応（ＣＯ
2 化）を加速させることが可能となる。As a wafer cleaning technique, there is known a technique of removing organic substances with O 3 water instead of SPM cleaning (cleaning with a mixed solution of H 2 SO 4 and H 2 O 2 ). The present invention applied this to back rinsing of an SOG coating device. O 3 water causes a reaction (CO 2
2 ) can be accelerated.
【００１２】バックリンス用Ｏ3 供給ノズル１５は、例
えば、脱イオン水、すなわち純水とＯ3 ガスが混合され
たバックリンス液を吐出する。その他、図示しないが純
水とＯ3 ガスの供給用ノズルを別々に設けてウェハ裏面
部分に供給するようにしてもよい。バックリンス用Ｏ3
供給ノズル１５は、ウェハ領域に応じて移動可能とする
機構を有していてもよい。The back rinse O 3 supply nozzle 15 discharges, for example, deionized water, that is, a back rinse liquid in which pure water and O 3 gas are mixed. In addition, although not shown, nozzles for supplying pure water and O 3 gas may be separately provided and supplied to the back surface of the wafer. O 3 for back rinse
The supply nozzle 15 may have a mechanism that can move according to the wafer area.
【００１３】図１を参照して、ウェハＷＦのＳＯＧ液塗
布及びバックリンスの工程を説明する。まず、支持台１
１にチャックされたウェハＷＦの中央付近にＳＯＧ液を
滴下する。次に、所定のＳＯＧ膜厚が得られるように所
定の回転数でウェハＷＦを回転させる。その間、バック
リンス用Ｏ3 供給ノズル１５からウェハＷＦ裏面の周縁
部にＯ3 水が適当な水流で当てられ、回り込もうとする
ＳＯＧ液を排除する。ＳＯＧ膜として適当な膜厚にな
り、余分なＳＯＧ液が振り切られた後、ウェハの回転を
停止させると共にバックリンス用Ｏ3 供給ノズル１５か
らのＯ3 水供給も停止される。Referring to FIG. 1, the steps of applying the SOG liquid on the wafer WF and back-rinsing will be described. First, the support 1
The SOG liquid is dropped near the center of the wafer WF chucked in 1. Next, the wafer WF is rotated at a predetermined rotation speed so as to obtain a predetermined SOG film thickness. In the meantime, O 3 water is applied from the back rinse O 3 supply nozzle 15 to the peripheral portion of the back surface of the wafer WF with an appropriate flow of water to remove the SOG liquid that is going to flow around. It becomes suitable thickness as the SOG film, after excess SOG solution is spun off, also O 3 water supply from the back rinse O 3 supply nozzle 15 stops the rotation of the wafer is stopped.
【００１４】上記実施形態によれば、バックリンス用Ｏ
3 供給ノズル１５からのＯ3 水供給により、有機溶剤を
用いずにＳＯＧが塗布されたウェハのバックリンスが行
える。この結果、クリーンルーム内での汚染源が減少す
る。また、このＯ3 水供給のバックリンスにおいて環
境、人体への影響の懸念が解消される。According to the above embodiment, O for back rinsing is used.
By supplying O 3 water from the 3 supply nozzle 15, back rinse of the wafer on which SOG is applied can be performed without using an organic solvent. As a result, sources of contamination in the clean room are reduced. In addition, concerns about the effects on the environment and the human body are eliminated in the back rinse of the O 3 water supply.
【００１５】[0015]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、バ
ックリンスはオゾン水によって行われ、ウェハ裏面側に
回り込もうとするＳＯＧ液を容易に除去する。この結
果、有機溶剤を用いずにウェハ裏面を洗浄するバックリ
ンスが行えるＳＯＧ塗布装置を提供することができる。
オゾン水は環境及び人体に悪影響は与えず、有機溶剤に
比べてクリーンな洗浄である。従って、クリーンルーム
内のパーティクル汚染も大幅に減少し、製品歩留りの向
上に寄与する。As described above, according to the present invention, back rinsing is performed with ozone water to easily remove the SOG liquid that is going to flow around the back surface of the wafer. As a result, it is possible to provide an SOG coating apparatus capable of performing back rinsing for cleaning the back surface of the wafer without using an organic solvent.
Ozone water has no adverse effect on the environment and the human body, and is cleaner than organic solvents. Therefore, particle contamination in the clean room is significantly reduced, which contributes to an improvement in product yield.
【図１】本発明の一実施形態に係るＳＯＧ塗布装置の要
部構成を示す概観図である。FIG. 1 is a schematic view illustrating a main configuration of an SOG coating apparatus according to an embodiment of the present invention.
１１…支持台 １２…駆動部 １３…ドレーンカップ １４…ＳＯＧ液供給部 １５…バックリンス用Ｏ3 水供給ノズル ＷＦ…ウェハ11 ... supporting table 12 ... driver 13 ... drain cup 14 ... SOG liquid supply part 15 ... back rinsing O 3 water supply nozzle WF ... wafer
Claims (1)
台と、 前記支持台を所定の回転数で回転させる駆動部と、 前記ウェハ主表面にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部
と、 前記駆動部によるウェハの回転時に前記ウェハ裏面側下
方からウェハ裏面部分にオゾン水を供給するオゾン水供
給部と、を具備したことを特徴とするＳＯＧ塗布装置。A rotatable support on which a semiconductor wafer is mounted; a driving unit for rotating the support at a predetermined number of rotations; an SOG liquid supply unit for dropping an SOG liquid onto the main surface of the wafer; An SOG coating apparatus, comprising: an ozone water supply unit configured to supply ozone water to the wafer back surface from below the wafer back surface when the driving unit rotates the wafer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000153285A JP2001332537A (en) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | Sog application device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000153285A JP2001332537A (en) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | Sog application device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001332537A true JP2001332537A (en) | 2001-11-30 |
Family
ID=18658570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001332537A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8091504B2 (en) * | 2006-09-19 | 2012-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning spin coater |
| CN102489464A (en) * | 2011-11-24 | 2012-06-13 | 深圳深爱半导体股份有限公司 | Spun resist washing device and method |
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2000
- 2000-05-24 JP JP2000153285A patent/JP2001332537A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8091504B2 (en) * | 2006-09-19 | 2012-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning spin coater |
| CN102489464A (en) * | 2011-11-24 | 2012-06-13 | 深圳深爱半导体股份有限公司 | Spun resist washing device and method |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070807 |