JP2002090290A - 磁区構造観察装置及び磁区構造観察方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 試料に入射される光の波長を可変にしなが
ら、磁区構造を観察できる磁区構造観察装置を提供す
る。 【解決手段】 本発明による磁区構造観察装置は、入射
光を試料（２２）に入射する光入射部（１〜１６）と、
試料（２２）から出射する出射光に基づいて、試料（２
２）の磁区構造を検出する検出部（１８〜２０）とを具
備する。光入射部（１〜１６）は、入射光の波長を調整
する波長調整手段（４）を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁区構造観察装置
及び磁区構造観察方法に関する。本発明は、特に、磁気
光学効果を利用して磁区構造を観察する磁区構造観察装
置及び磁区構造観察方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】試料の局所的な光学的性質を観察するこ
とを目的として、偏光顕微鏡が使用されている。

【０００３】図９は、公知の偏光顕微鏡の構成を示す。
公知のその偏光顕微鏡は、鏡１０１、偏光子１０２、集
光レンズ１０３、試料台１０４、試料１０５、対物レン
ズ１０６、検光子１０７、接眼レンズ１０８とからな
る。

【０００４】公知のその偏光顕微鏡により、試料１０５
の局所的な光学的性質が観察される過程を説明する。光
１０９が、鏡１０１を介して偏光子１０２に入射され、
直線偏光１１０が生成される。直線偏光１１０は集光レ
ンズ１０３を通して試料１０５に入射される。直線偏光
１１０が試料１０５を透過して、直線偏光１１０と偏光
面の方向がずれた直線偏光１１１が出射される。なお、
本明細書における「偏光面」は、光の磁気ベクトルと光
の進行方向とを含む平面であると定義することとする。
試料１０５から出射された直線偏光１１１は、対物レン
ズ１０６を介して検光子１０７に入射される。

【０００５】検光子１０７は、偏光子１０２と垂直な方
向の偏光面の光を通過する。直線偏光１１１のうち、直
線偏光１１０と垂直な成分が検光子１０７を通過して観
察光１１２が生成される。

【０００６】観察者は、接眼レンズ１０８から観察光１
１２を観察することにより、試料１０５の局所的な光学
的性質を知ることができる。即ち、試料１０５のうち大
きな旋光性を示す部分は、明るい像として観察される。
試料１０５のうち旋光性が小さい部分は、暗い像として
観察される。このように、像の明暗により試料１０５の
局所的な光学的性質を知ることができる。

【０００７】公知のその偏光顕微鏡は、試料１０５の磁
区構造を観察することを目的としても使用できる。光が
試料１０５を透過したとき、その光の偏光面が変化する
角度は、試料１０５の磁化の大きさに依存する。従っ
て、試料１０５の内部に磁化が発生している場合には、
観察光１１２を観察することによって試料１０５の磁化
に依存した像を得ることができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、試料
に入射される光の波長を可変にしながら、磁区構造を観
察できる磁区構造観察装置を提供することにある。特
に、試料に入射される光の波長を連続的に調整しながら
磁区構造を観察できる磁区構造観察装置を提供すること
にある。

【０００９】本発明の他の目的は、試料の磁区構造を立
体的に解析できる磁区構造観察装置を提供することにあ
る。

【００１０】本発明の更に他の目的は、試料に磁化を発
生させた上で磁区構造を観察することができる磁区構造
観察装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】その課題を解決するため
の手段は、下記のように表現される。その表現中に現れ
る技術的事項には、括弧（）つきで、番号、記号等が添
記されている。その番号、記号等は、本発明の複数の実
施の形態のうちの、少なくとも１つの実施の形態を構成
する技術的事項、特に、その実施の形態に対応する図面
に表現されている技術的事項に付せられている参照番
号、参照記号等に一致している。このような参照番号、
参照記号は、請求項記載の技術的事項と実施の形態の技
術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このよう
な対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の形
態の技術的事項に限定されて解釈されることを意味しな
い。

【００１２】本発明による磁区構造観察装置は、入射光
（３５、３９）を試料（２２）に入射する光入射部（１
〜１６）と、試料（２２）から出射する出射光（３６、
４０）に基づいて、試料（２２）の磁区構造を検出する
検出部（１８〜２０）とを具備する。光入射部（１〜１
６）は、入射光（３５、３９）の波長を調整する波長調
整手段（４）を含む。当該磁区構造観察装置は、試料
（２２）に入射される入射光（３５、３９）の波長を可
変にすることができる。

【００１３】当該磁区構造観察装置において、出射光
（３６）は、入射光（３５）が前記試料を透過すること
により生成されることがある。この場合、当該磁区構造
観察装置は、試料（２２）の磁区構造の透過観察を行う
ことになる。

【００１４】また、当該磁区構造観察装置において、出
射光（４０）は、入射光（３５）が試料（２２）によっ
て反射されることにより生成されることがある。この場
合、当該磁区構造観察装置は、試料（２２）の磁区構造
の反射観察を行うことになる。

【００１５】また、当該磁区構造観察装置において、波
長調整手段（４）は、入射光（３５、３９）の波長を連
続的に調整し得ることが望ましい。

【００１６】とりわけ、当該磁区構造観察装置におい
て、波長調整手段（４）は、モノクロメータ（４）を含
むことが望ましい。

【００１７】また、当該磁区構造観察装置において、入
射光（３５）の波長は、試料（２２）の光の吸収率に基
づいて定められることが望ましい。これにより、試料
（２２）の光の吸収率に応じて、磁区構造の観察に適し
た波長を有する入射光（３５）を試料（２２）に入射す
ることができる。

【００１８】また、当該磁区構造観察装置において、試
料（２２）に磁界を印加する磁界印加手段（１７）を更
に具備することが望ましい。

【００１９】本発明による磁区構造観察方法は、（ａ）
入射光（３５、３９）を試料（２２）に入射するステッ
プと、（ｂ）試料（２２）から出射する出射光（３６、
４０）から試料（２２）の磁区構造を検出するステップ
とを具備する。入射光（３５、３９）の波長は可変であ
る。

【００２０】本発明による磁区構造観察方法は、（ｃ）
第１波長（λ_１）を有する第１入射光（３９）を試料に
入射するステップと、（ｄ）第１入射光（３９）が反射
されることにより試料（２２）から出射される第１出射
光（波長λ_１である４０）を検出するステップと、
（ｃ）第１波長（λ_１）と異なる第２波長（λ_２）を有
する第２入射光（３９）を試料（２２）に入射するステ
ップと、（ｄ）第２入射光（３９）が反射されることに
より試料（２２）から出射される第２出射光（波長λ_２
である４０）を検出するステップと、（ｅ）第１出射光
（波長λ_１である４０）と第２出射光（波長λ_２である
４０）に基づいて、試料（２２）の磁区の立体的構造を
検出するステップとを具備する。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明による磁区構造観察装置を説明する。

【００２２】図１は、本発明の一実施の形態の磁区構造
観察装置の構成を示す。当該磁区構造観察装置は、ラン
プ光源１、光ファイバー２、集光レンズ３、モノクロメ
ータ４、コリメータレンズ５、可動ミラー６、ミラー
７、８、偏光子９、リレーレンズ１０、コンデンサレン
ズ１１、ミラー１２、１３、偏光子１４、ハーフプリズ
ム１５、対物レンズ１６、コイル１７、検光子１８、結
像レンズ１９、ＣＣＤカメラ２０、モニタ２１からな
る。当該磁区構造観察装置により、試料２２の磁区構造
が観察される。

【００２３】当該磁区構造観察装置の構成を説明する。
ランプ光源１は、キセノンランプであり、多色光を発生
する。光ファイバー２は、ランプ光源１により発生され
た多色光を導波して、集光レンズ３に入射する。集光レ
ンズ３は、その多色光を集光し、モノクロメータ４に入
射する。モノクロメータ４は、その多色光を単色化し、
所望の波長λを有する単色光を出射する。波長λは、連
続的に調整可能である。コリメータレンズ５は、モノク
ロメータ４が出射した単色光を平行化する。

【００２４】可動ミラー６は、コリメータレンズ５によ
り平行化された単色光を、以下に述べられる２つの光路
のいずれかに出射する。その単色光がいずれの光路を通
るかは、可動ミラー６が第１位置６ａにあるか第２位置
６ｂにあるかによって定められる。

【００２５】第１の光路２３には、ミラー７、８、偏光
子９、リレーレンズ１０、コンデンサレンズ１１が設け
られている。このとき、偏光子９は、第１の光路２３を
通る単色光を直線偏光に変換する。第１の光路２３を通
る単色光は、試料２２の裏面に入射され、試料２２を透
過する。第１の光路２３を通る単色光は、磁化を有する
試料２２を透過する際に、ファラデー効果により旋光さ
れる。

【００２６】第２の光路２４には、ミラー１２、１３、
偏光子１４、ハーフプリズム１５、対物レンズ１６が設
けられている。このとき、偏光子１４は、第２の光路を
通る単色光を直線偏光に変換する。第２の光路２４を通
る単色光は、試料２２の表面に入射される。試料２２
は、入射された単色光を反射する。このとき、試料２２
は、第２の光路２４を通る単色光を磁気カー効果により
旋光する。

【００２７】試料２２を透過して、又は、試料２２によ
り反射されて試料２２から出射される単色光は、対物レ
ンズ１６、ハーフプリズム１５を介して検光子１８に入
射される。

【００２８】検光子１８は、偏光子９及び偏光子１４が
出射する直線偏光の偏光面と、概ね垂直な偏光面を有す
る成分の光のみを通過する。検光子１８を通過する光の
強度は、試料２２の磁化の向き、大きさに依存してい
る。検光子１８を通過する光が結像レンズ１９を介して
ＣＣＤ２０の撮像面の上で結像し、試料２２の磁化の向
き、大きさを示す像、即ち、試料２２の磁区構造がモニ
タ２１に映し出される。

【００２９】ここで、試料２２の磁区構造は、コイル１
７により変更され得る。コイル１７は、試料２２に磁界
を印加して磁化を発生し、又は、試料２２の磁区構造を
変更する。

【００３０】続いて、試料２２の磁区構造が透過観察さ
れる場合、即ち、試料２２を透過する光によって観察さ
れる場合に、当該磁区構造観察装置が行う動作を、図２
を参照しながら説明する。

【００３１】図２に示されているように、多色光３１が
ランプ光源１により発生される。光多色光３１は、光フ
ァイバー２により導波され、集光レンズ３に入射され
る。集多色光３１は、集光レンズ３により集光され、モ
ノクロメータ４に入射される。

【００３２】モノクロメータ４に入射される多色光３１
は、その中から所定の波長の成分が抽出され、単色化さ
れる。多色光３１が単色化されて単色光３２が生成され
る。モノクロメータ４は、単色光３２の波長を４００
（ｎｍ）〜１５００（ｎｍ）の範囲で連続的に調整する
ことができる。これにより、試料２２の光の吸収率に応
じて、磁区構造の観察に適した波長を有する光を試料２
２に入射することができる。

【００３３】即ち、試料２２の磁区構造が透過観察され
る場合には、試料２２に入射される光の波長は、その光
が試料２２を透過するように選ばれている必要がある。
試料２２によって吸収されるような波長を有する光が試
料２２に入射された場合、試料２２の磁区構造を観察す
ることができない。モノクロメータ４が、所望の波長の
単色光３２を出射することにより、試料２２の光の吸収
率に応じて、適切な波長を有する光を試料２２に入射す
ることができる。

【００３４】モノクロメータ４によって生成された単色
光３２は、コリメータレンズ５に入射される。単色光３
２は、コリメータレンズ５によって平行化され、所定の
径を有する平行ビーム３３として出射される。

【００３５】試料２２の磁区構造が透過観察される場
合、平行ビーム３３の光路上に、可動ミラー６が置かれ
る。即ち、可動ミラー６は、第１位置６ａに置かれる。
平行ビーム３３は、可動ミラー６により反射され、透過
観察用ビーム３４として出射される。透過観察用ビーム
３４は、ミラー７、８により反射され、偏光子９に入射
される。偏光子９は、透過観察用ビーム３４のうち所定
の偏光面を有する成分のみを透過して、透過観察用直線
偏光３５を発生する。透過観察用直線偏光３５は、リレ
ーレンズ１０、コンデンサレンズ１１を介して試料２２
に入射される。

【００３６】試料２２は透過観察用直線偏光３５を透過
し、観察光３６として出射する。観察光３６は直線偏光
である。透過観察用直線偏光３５は、試料２２を透過す
るとき、試料２２の内部に存在する磁化に起因するファ
ラデー効果によって旋光される。従って、図３（ｂ）、
（ｃ）に示されているように、観察光３６の偏光面３６
ａは、透過観察用直線偏光３５の偏光面３５ａからずれ
ることになる。

【００３７】ここで、観察光３６の偏光面３６ａと透過
観察用直線偏光３５の偏光面３５ａとのなす角度θ
_１は、試料２２の内部において透過観察用直線偏光３５
が進行する方向に発生している磁化に依存する。このと
き、磁化の方向が反対になれば、角度θ_１の符号も逆転
する。以下では、図３に示されているように、試料２２
の内部で、透過観察用直線偏光３５が進行する方向の磁
化が発生している場合、θ _１＞０となるように透過観察
用直線偏光３５が旋光され（図３（ｂ））、試料２２に
透過観察用直線偏光３５が進行する方向と逆方向の磁化
が発生している場合、θ_１＜０となるように透過観察用
直線偏光３５が旋光されるとする（図３（ｃ））。ここ
で、角度θ_１の正の方向は、反時計回りにとられてい
る。

【００３８】このとき、試料２２の磁化が空間的に分布
を有する場合には、観察光３６の偏光面３６ａの方向
も、その分布に対応して空間的に分布する。従って、観
察光３６の各部の偏光面３６ａの方向は、試料２２の各
部の磁区構造を示すことになる。

【００３９】試料２２の磁区構造の情報を含んだ観察光
３６は、対物レンズ１６、ハーフプリズム１７を通過
し、検光子１８に入射される。検光子１８は、図４に示
されているように、偏光子９が出射する透過観察用直線
偏光３５の偏光面３５ａと、θ _０の角度をなす偏光面１
８ａを有する成分の光のみを通過して、結像光３７とし
て出射する。

【００４０】検光子１８から出射される結像光３７の強
度は、試料２２の内部において透過観察用直線偏光３５
が進行する方向に発生している磁化に依存する。なぜな
ら、試料２２の内部において磁化が発生していると、透
過観察用直線偏光３５がファラデー効果により旋光され
て観察光３６として出射されるからである。

【００４１】検光子１８が出射する結像光３７の偏光面
と、偏光子９が出射する透過観察用直線偏光３５ａの偏
光面とがなす角θ_０は、概ね９０°である。しかし、θ
_０は、９０°からは意図的に微小にずらされている。よ
り具体的には、θ_０は概ね８９°である。

【００４２】結像光３７の光強度Ｉは、θ_０、θ_１か
ら、 Ｉ（θ_１）＝Ｉ_０｛１−ｃｏｓ ２・（θ_０＋θ_１）｝ …（１） と表される。ここで、θ_１は、試料２２に透過観察用直
線偏光３５が進行する方向の磁化が発生している場合で
約＋１°、試料２２に、透過観察用直線偏光３５が進行
する方向と反対方向の磁化が発生している場合で約−１
°程度である。

【００４３】仮に、図５（ｂ）に示されているようにθ
_０＝９０°に設定したとすると、結像光３７の光強度
は、θ_１に対して偶関数になる。従って、結像光３７
は、試料２２に透過観察用直線偏光３５が進行する方向
の磁化が発生している場合と、その反対方向の磁化が発
生している場合とで、同じ光強度を有することになる。
従って、θ_０＝９０°に設定すると、いずれの方向の磁
化が発生しているかを光強度により特定することができ
ない。

【００４４】一方、θ_０が９０°から微小にずらされて
おり、θ_０≒８９°とされている場合には、図５（ａ）
に示されているように、結像光３７の光強度Ｉは、θ_１
に対して偶関数にならず、θ_１がとり得る範囲内で単調
に増加する。したがって、いずれの方向の磁化が発生し
ているかを光強度により特定することができる。

【００４５】検光子１８から出射された結像光３７は、
結像レンズ１９によってＣＣＤ２０の撮像面上に結像さ
れ、試料２２の磁区構造を示す像が得られる。図３
（ａ）に示されているように、試料２２のうち、透過観
察用直線偏光３５が進行する方向の磁化が発生している
部分は、明部として観察される。試料２２のうち、その
反対の方向の磁化が発生している部分では、暗部として
観察される。

【００４６】なお、本形態において、θ_０は、９０°よ
りも大きい角度とされることも可能である。より具体的
には、θ_０≒９１°とされることも可能である。この場
合には、試料２２の磁区構造として得られる像の明暗が
逆転する。

【００４７】続いて、試料２２の磁区構造が反射観察さ
れる場合、即ち、試料２２により反射される光によって
観察される場合に、当該磁区構造観察装置が行う動作
を、図６を参照しながら説明する。

【００４８】ランプ光源１によって発生された多色光３
１は、試料２２の磁区構造を透過観察する場合と同様
に、モノクロメータ４によって単色化され、単色光３２
として出射される。多色光３１から所定の波長の成分を
抽出し、単色光３２として出射する。前述されているよ
うに、モノクロメータ４は、出射する単色光３２の波長
を４００（ｎｍ）〜１５００（ｎｍ）の範囲で連続的に
調整することができる。

【００４９】試料２２の磁区構造が反射観察される場
合、試料２２のうち、磁区構造が観察される領域は、試
料２２の表面から、光の侵入深さまでの深さの領域であ
る。観察に使用される入射光の波長は、反射光が試料２
２に侵入する侵入深さに影響する。観察に使用される入
射光の波長は、単色光３２の波長と同一であるから、モ
ノクロメータ４が出射する単色光３２の波長を調整する
ことにより、磁区構造が観察される領域の深さを所望の
深さにすることができる。

【００５０】モノクロメータ４が出射する単色光３２
は、更にコリメータレンズ５によって平行化されて、平
行ビーム３３が発生される。

【００５１】試料２２の磁区構造の反射観察が行われる
場合には、平行ビーム３３の光路上には、可動ミラー６
は置かれない。即ち、可動ミラー６は、第２位置６ｂに
置かれる。平行ビーム３３は、可動ミラー６によって反
射されず、反射観察用ビーム３８となる。反射観察用ビ
ーム３８は、ミラー１２、１３により反射され、ポララ
イザ１４に入射される。ポラライザ１４は、反射観察用
ビーム３８のうち所定の偏光面を有する成分のみを透過
して、反射観察用直線偏光３９を発生する。反射観察用
直線偏光３９は、ハーフプリズム１５、対物レンズ１６
を介して試料２２に入射される。

【００５２】試料２２は反射観察用直線偏光３９を反射
し、観察光４０として出射する。反射観察用直線偏光３
９は、試料２２によって反射される際に、試料２２の表
面近傍に存在する磁化に起因する磁気カー効果によって
楕円偏光に変換される。観察光４０は、図７に示されて
いるように、楕円偏光である。

【００５３】観察光４０の偏光楕円４０ａの主軸４０ｂ
は、反射観察用直線偏光３９の偏光面３９ａからずれ
る。このとき、主軸４０ｂと偏光面３９ａのなす角度θ
_２は、試料１８の表面近傍の磁化に依存する。このと
き、磁化の方向が反対になれば、角度θ_２の符号も逆転
する。更に、試料２２の磁化が空間的に分布を有する場
合には、観察光４０の主軸４０ｂの方向も、その分布に
対応して空間的に分布する。観察光４０の各部の主軸４
０ｂの方向は、試料２２の表面近傍の各部の磁区構造を
示すことになる。

【００５４】試料２２から出射される観察光４０は、対
物レンズ１６、ハーフプリズム１５を透過し、検光子１
８に入射される。検光子１９は、偏光子９が出射する透
過観察用直線偏光３５の偏光面３５ａと、θ_０の角度を
なす偏光面１８ａを有する成分の光のみを通過して、結
像光３７として出射する。結像光３７は、結像レンズ１
９によってＣＣＤ２０の撮像面上に結像され、試料２２
の磁区構造を示す像が得られる。観察光４０から試料２
２の磁区構造を示す像を得る過程は、試料２２の磁区構
造を透過観察する場合と同様であり、その説明は行わな
い。

【００５５】以上の過程により、試料２２の磁区構造の
反射観察が行われる。

【００５６】ここで、試料２２の磁区構造を反射観察に
より観察される場合には、互いに異なる２以上の波長で
磁区構造を観察することにより、試料２２の磁区構造を
立体的に観察することができる。

【００５７】まず、図８（ａ）に示されているように、
波長λ_１を有する光を試料２２に入射して、表面から深
さｄ_１までの領域の磁化Ｍ_１を測定する。続いて、図８
（ｂ）に示されているように、波長λ_２（＞λ_１）を有
する光を試料２２に入射して、表面から深さｄ_２までの
領域全体としての磁化Ｍ_ｔを測定する。λ_２＞λ_１であ
るから、ｄ_１＜ｄ_２である。このとき、表面からの深さ
ｄが、ｄ_１≦ｄ≦ｄ_２である領域の磁化Ｍ_２は、Ｍ_２＝
Ｍ_ｔ−Ｍ_１である。

【００５８】更に、他の波長を有する光を試料２２に入
射することにより、所望の深さにおける磁化を測定する
ことができる。

【００５９】以上に説明された本形態の磁区構造観察装
置において、ランプ光源１、光ファイバー２、集光レン
ズ３及びモノクロメータ４は、波長を可変にしながら光
を発生する他の装置に置換されることが可能である。例
えば、ランプ光源１、光ファイバー２、集光レンズ３及
びモノクロメータ４は、波長可変レーザに置換されるこ
とが可能である。

【００６０】しかし、本形態のように、ランプ光源１と
モノクロメータ４との組み合わせは、連続的に波長を調
整でき、更に装置構成が簡略化できる点で好適である。

【００６１】以上に説明されたように、本形態の磁区構
造観察装置は、試料に入射される光の波長を連続的に調
整することができる。これにより、当該磁区構造観察装
置は、試料の磁区構造の透過観察を行う場合には、試料
の光の吸収率を考慮して、適切な波長の光を使用して試
料の磁区構造を観察できる。更に、試料の磁区構造の反
射観察を行う場合には、磁区構造が観察される領域の表
面からの深さを所望の深さにすることができる。更に、
複数の波長の光を使用して磁区構造の反射観察を行うこ
とにより、試料の磁区構造を立体的に観察することがで
きる。

【００６２】更に、当該磁区構造観察装置は、試料に磁
界を印加してすることによって磁化を発生し、又は、そ
の試料の磁区構造を変更することができる。

【００６３】

【発明の効果】本発明により、試料に入射される光の波
長を可変にしながら、磁区構造を観察できる磁区構造観
察装置が提供される。特に、試料に入射される光の波長
を連続的に調整しながら磁区構造を観察できる磁区構造
観察装置が提供される。

【００６４】また、本発明により、試料の磁区構造を立
体的に解析できる磁区構造観察装置が提供される。

【００６５】また、本発明により、試料に磁化を発生さ
せた上で磁区構造を観察することができる磁区構造観察
装置が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の一実施の形態の磁区構造解析
装置の構成を示す図である。

【図２】図２は、当該磁区構造解析装置により、試料２
２の磁区構造の透過観察が行われる過程を説明する図で
ある。

【図３】図３は、試料２２の磁区構造と、観察光３６の
偏向角、及び磁区構造として得られる像の明暗の対応と
の関係を示す図である。

【図４】図４は、検光子１８が透過する光の偏光面１８
ａの方向を示す図である。

【図５】図５は、θ_０が、意図的に微小にずらされてい
る理由を説明するための図である。

【図６】図６は、当該磁区構造解析装置により、試料２
２の磁区構造の反射観察が行われる過程を説明する図で
ある。

【図７】図７は、反射観察用直線偏光３９の偏光面３９
ａと、観察光４０の偏光とを示す図である。

【図８】図８は、複数の波長を有する光を使用して、試
料２２の磁区構造を立体的に観察する方法を説明する図
である。

【図９】図９は、従来の偏光顕微鏡を示す図である。

【符号の説明】

１：ランプ光源 ２：光ファイバー ３：集光レンズ ４：モノクロメータ ５：コリメータレンズ ６：可動ミラー ７、８、１２、１３：ミラー ９、１４：偏光子 １０：リレーレンズ １１：コンデンサレンズ １５：ハーフプリズム １６：対物レンズ １７：コイル １８：検光子 １９：結像レンズ ２０：ＣＣＤ ２１：モニタ ２２：試料

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 光輝 東京都渋谷区恵比寿１−22−23−405 株 式会社オプトウエア内 Ｆターム(参考） 2G017 AC09 AD12 AD13 CA12 2G059 AA03 AA05 BB08 EE01 EE02 EE05 FF01 GG04 GG10 HH01 HH02 HH06 JJ01 JJ11 JJ12 JJ13 JJ15 JJ17 JJ19 KK04 PP04

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入射光を試料に入射する光入射部と、 前記試料から出射する出射光に基づいて、前記試料の磁
   区構造を検出する検出部とを具備し、 前記光入射部は、前記入射光の波長を調整する波長調整
   手段を含む磁区構造観察装置。
2. 【請求項２】 請求項１の磁区構造観察装置において、 前記出射光は、前記入射光が前記試料を透過することに
   より生成される磁区構造観察装置。
3. 【請求項３】 請求項１の磁区構造観察装置において、 前記出射光は、前記入射光が前記試料によって反射され
   ることにより生成される磁区構造観察装置。
4. 【請求項４】 請求項１の磁区構造観察装置において、 前記波長調整手段は、前記波長を連続的に調整し得る磁
   区構造観察装置。
5. 【請求項５】 請求項４の磁区構造観察装置において、 前記波長調整手段は、モノクロメータを含む磁区構造観
   察装置。
6. 【請求項６】 請求項１の磁区構造観察装置において、 前記波長は、前記試料の光の吸収率に基づいて定められ
   る磁区構造観察装置。
7. 【請求項７】 請求項１の磁区構造観察装置において、 前記試料に磁界を印加する磁界印加手段を更に具備する
   磁区構造観察装置。
8. 【請求項８】 （ａ）入射光を試料に入射するステップ
   と、 （ｂ）前記試料から出射する出射光から前記試料の磁区
   構造を検出するステップとを具備し、 前記入射光の波長は可変である磁区構造観察方法。
9. 【請求項９】 請求項８の磁区構造観察方法において、 前記波長は、前記試料の光の吸収率に基づいて定められ
   る磁区構造観察方法。
10. 【請求項１０】 （ｃ）第１波長を有する第１入射光を
    試料に入射するステップと、 （ｄ）前記第１入射光が反射されることにより前記試料
    から出射される第１出射光を検出するステップと、 （ｃ）前記第１波長と異なる第２波長を有する第２入射
    光を前記試料に入射するステップと、 （ｄ）前記第２入射光が反射されることにより前記試料
    から出射される第２出射光を検出するステップと、 （ｅ）前記第１出射光と前記第２出射光に基づいて、前
    記試料の磁区の立体的構造を検出するステップとを具備
    する磁区構造観察方法。