JP2002088367A - Antiferroelectric liquid crystal composition - Google Patents

Antiferroelectric liquid crystal composition

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JP2002088367A JP2000283510A JP2000283510A JP2002088367A JP 2002088367 A JP2002088367 A JP 2002088367A JP 2000283510 A JP2000283510 A JP 2000283510A JP 2000283510 A JP2000283510 A JP 2000283510A JP 2002088367 A JP2002088367 A JP 2002088367A
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Takahiro Matsumoto
隆宏 松本
Takakiyo Mine
高清 峰
Masahiro Kino
正博 城野
Tomoyuki Yui
知之 油井
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Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a new antiferroelectric liquid crystal composition having excellent contrast. SOLUTION: This antiferroelectric liquid crystal composition is composed of antiferroelectric liquid crystals expressed by formulas (1) and (2) and phenyl triester compounds expressed by formula (3) and (4) (R1, R2, R3 and R4 are each an 8-10C straight-chain alkyl; X1, X2, X3 and X4 are each H or F; (i) is 5 or 7; (k) is an integer of 1-3; (m) is an integer of 5-8; (p) and (q) are each 1 or 2; and (r) is 8 or 10). The obtained antiferroelectric liquid crystal composition has improved orientation state.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、コントラストに優れた
新規な反強誘電性液晶組成物に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel antiferroelectric liquid crystal composition having excellent contrast.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示素子は、低電圧作動性、低消費
電力性、薄型表示が可能である事等により、現在までに
各種の小型表示素子に利用されてきた。しかし、昨今の
情報、OA関連機器分野或いはテレビ分野への液晶表示
素子の応用、用途拡大に伴って、これまでのCRT表示
素子を上回る表示容量、表示品質を持つ高性能大型液晶
表示素子の要求が、急速に高まってきた。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices have been used in various small display devices to date because of their low voltage operation, low power consumption, and thin display. However, with the recent expansion of information and application of liquid crystal display elements to the OA related equipment field or the television field, demands for high performance large liquid crystal display elements having display capacity and display quality higher than those of conventional CRT display elements. But it has grown rapidly.

【0003】しかしながら、現在のネマチック液晶を使
用する限りにおいては、アクテイブマトリックス駆動液
晶表示素子(TFT)でも、その大型化は容易ではな
い。又、単純マトリックス駆動のSTN型液晶表示素子
(STN)にしても、大容量駆動はTFT駆動に比較して
さらに困難である。また、応答時間にも限界があり鮮明
な動画表示は困難である。従って、ネマチック液晶表示
素子は、上記の高性能大型液晶表示素子への要求を満足
するものとはいい難いのが実状である。
However, as long as the current nematic liquid crystal is used, it is not easy to increase the size of an active matrix drive liquid crystal display device (TFT). Even with a simple matrix drive STN-type liquid crystal display element (STN), large-capacity drive is more difficult than TFT drive. In addition, the response time is limited, and it is difficult to display a clear moving image. Therefore, it is difficult for a nematic liquid crystal display device to satisfy the demand for the above-described high performance large liquid crystal display device.

【0004】更に、表示品質の面では、ネマチック液晶
を用いるTFT、STN表示素子のいずれにおいても視
野角の狭さが大きな問題となっていた。種々の改善策が
提案され成果をみているが、消費電力が大きくなる、応
答速度が遅くなる、生産性が落ちるなどのの欠点が発生
する。また、STNでは根本的に視野角の改善は困難であ
る。ネマチック液晶を用いている限りにおいてその抜本
的改善策を見いだすことは困難である。
Further, in terms of display quality, narrowing of the viewing angle has been a serious problem in both TFTs and STN display elements using nematic liquid crystals. Although various improvement measures have been proposed and results have been obtained, disadvantages such as an increase in power consumption, a decrease in response speed, and a decrease in productivity occur. Moreover, it is fundamentally difficult to improve the viewing angle with STN. As long as a nematic liquid crystal is used, it is difficult to find a drastic improvement.

【0005】このような状況のなかで、高速、広視野角
液晶表示素子として注目されてきたのが強誘電性液晶を
用いた液晶表示素子である。クラークとラガバールによ
り発表された表面安定化型強誘電性液晶(SSFLC)
素子は、その従来にない速い応答速度と広い視野角を有
する事が注目され、そのスイッチング特性は詳細に検討
されおり、種々の物性定数を最適化するため多くの強誘
電性液晶が合成されてきた。しかし、しきい値特性が不
十分である、層の構造がシェブロン構造をしているなど
から実用上問題のないコントラストを得るためには、液
晶の配向に関して特別な工夫が必要である。更に、液晶
分子の配向制御が極めて困難で、SSFLCの最大の特
徴の1つである双安定性を再現性良く実現するのは容易
でない。また、機械的衝撃に依って配向が破壊されそれ
の回復が困難であるなどの問題があり、素子の実用化に
あたってはこれらの問題の克服が必要である。
In such a situation, a liquid crystal display device using a ferroelectric liquid crystal has attracted attention as a high speed, wide viewing angle liquid crystal display device. Surface-stabilized ferroelectric liquid crystal (SSFLC) presented by Clark and Lagabar
The device has been noted for its unprecedented fast response speed and wide viewing angle, its switching characteristics have been studied in detail, and many ferroelectric liquid crystals have been synthesized to optimize various physical constants. Was. However, in order to obtain a practically satisfactory contrast due to an insufficient threshold voltage characteristic and a layer structure having a chevron structure, special measures must be taken with respect to the orientation of the liquid crystal. Further, it is extremely difficult to control the alignment of liquid crystal molecules, and it is not easy to realize bistability, which is one of the greatest features of SSFLC, with good reproducibility. In addition, there is a problem that the orientation is destroyed by mechanical impact and it is difficult to recover the orientation, and it is necessary to overcome these problems in order to put the device into practical use.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記したように、液晶
素子の大型化、高精細化のために新しいモードの開発を
含め様々な努力がなされているが、そのような状況の中
でこれらとはまったく別のスイッチング機構の素子の開
発も同時に進められている。反強誘電相を有する液晶物
質(以下「反強誘電性液晶」と記す)の三安定状態間の
スイッチングが、これらの新しいスイッチング機構の1
つである(JapaneseJournal of Applied Physics, Vol.
27, pp.L729, (1988)) 。
As described above, various efforts have been made to increase the size and the definition of a liquid crystal element, including the development of a new mode. At the same time, the development of an element with a completely different switching mechanism is under way. Switching between the three stable states of a liquid crystal material having an antiferroelectric phase (hereinafter referred to as “antiferroelectric liquid crystal”) is one of these new switching mechanisms.
Tsuna (Japanese Journal of Applied Physics, Vol.
27, pp. L729, (1988)).

【0007】反強誘電性液晶素子は3つの安定な状態を
有する。すなわち、強誘電性液晶素子で見られる2つの
ユニフォーム状態(Ur, Ul)と第三状態である。この第三
状態が反強誘電相であることをChandaniらが報告してい
る(Japanese Journal of Applied Physics, Vol.28, p
p.L1261, (1989) 、同 pp.L1265)。このような三安定状
態間のスイッチングが反強誘電性液晶素子の第1の特徴
である。反強誘電性液晶素子の第2の特徴は印加電圧に
対して明確なしきい値が存在することである。
The antiferroelectric liquid crystal device has three stable states. That is, there are two uniform states (Ur, Ul) and a third state which are observed in the ferroelectric liquid crystal element. Chandani et al. Report that this third state is an antiferroelectric phase (Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 28, p.
p.L1261, (1989), pp.L1265). Such switching between the three stable states is the first feature of the antiferroelectric liquid crystal device. A second feature of the antiferroelectric liquid crystal element is that there is a clear threshold value for an applied voltage.

【0008】更にメモリー性を有しておりこれが反強誘
電性液晶素子の第3の特徴である。これらの優れた特徴
を利用することにより応答速度が速く、コントラストが
良好な液晶表示素子を実現できる。又、もう一つの大き
な特徴として層構造が電界により容易にスイッチングす
る事があげられる(Japanese Journal of Applied Physi
cs, Vol.28, pp.L119,(1989)、同 Vol.29, pp.L111, (1
990)) 。このことにより欠陥が極めて少なく配向の自己
修復能力のある液晶表示素子の作製が可能となり比較的
コントラストに優れた液晶素子を実現できる。しかしな
がら、反強誘電性液晶のほとんどは等方相からスメクチ
ックA相に相転移するため、等方相→ネマチック相→ス
メクチックA相という相系列を有する強誘電性液晶ある
いはネマチック液晶に比べ初期配向状態が劣るという欠
点があった。
Further, it has a memory property, which is the third feature of the antiferroelectric liquid crystal element. By utilizing these excellent features, a liquid crystal display device having a high response speed and good contrast can be realized. Another major feature is that the layer structure is easily switched by an electric field (Japanese Journal of Applied Physi
cs, Vol.28, pp.L119, (1989), Vol.29, pp.L111, (1
990)). This makes it possible to manufacture a liquid crystal display element having a very small number of defects and a self-healing ability for alignment, and a liquid crystal element having relatively excellent contrast can be realized. However, most of the antiferroelectric liquid crystal undergoes a phase transition from the isotropic phase to the smectic A phase. Was inferior.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】すなわち、下記一般式
(1) および(2) で表わされる反強誘電性液晶と一般式
(3) および(4) で表されるフェニルトリエステル化合物
からなる反強誘電性液晶組成物である。該一般式(1) に
おいて、jが5、kが2の反強誘電性液晶化合物である
こと、該一般式(2) において、mが5の反強誘電性液晶
化合物であること、該一般式(3) において、pが2、該
一般式(4) において、rが8であるフェニルトリエステ
ル化合物を用いることが好ましい。
Means for Solving the Problems That is, the following general formula:
Antiferroelectric liquid crystal represented by (1) and (2) and general formula
An antiferroelectric liquid crystal composition comprising the phenyl triester compound represented by (3) or (4). In the general formula (1), j is 5 and k is an antiferroelectric liquid crystal compound of 2; in the general formula (2), m is 5 an antiferroelectric liquid crystal compound; It is preferable to use a phenyltriester compound in which p is 2 in the formula (3) and r is 8 in the general formula (4).

【0010】[0010]

【化2】 (式中、R1、R2、R3およびR4はそれぞれ炭素数 8〜10の
直鎖アルキル基、X1、X2、X3およびX4はそれぞれ水素原
子又はフッ素原子、jは5または7、kは 1〜3の整
数、mは5〜8の整数、pおよびqはそれぞれ1または
2、rは8または10である。)
Embedded image (Wherein R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each a straight-chain alkyl group having 8 to 10 carbon atoms, X 1 , X 2 , X 3 and X 4 are each a hydrogen atom or a fluorine atom, j is 5 Or 7, k is an integer of 1 to 3, m is an integer of 5 to 8, p and q are 1 or 2, respectively, and r is 8 or 10.)

【0011】該一般式(1) および(2) であらわされる反
強誘電性液晶が、液晶組成物の40〜80モル%、該一般式
(3) であらわされるトリフェニルエステル化合物が、液
晶組成物の30〜50モル%、該一般式(4) であらわされる
トリフェニルエステル化合物が、液晶組成物の 1〜50モ
ル%であるのが望ましい実施態様である。本発明の液晶
組成物は反強誘電相よりも高温側に少なくともスメクチ
ックA相を有し、反強誘電相の温度範囲が少なくとも 0
〜40℃であることが望ましい。そして、本反強誘電性液
晶組成物を、走査電極と信号電極をマトリックス状に配
置した1対の電極基板間に配置してなる単純マトリック
ス液晶表示素子とされる。
The antiferroelectric liquid crystal represented by the general formulas (1) and (2) comprises 40 to 80 mol% of the liquid crystal composition,
The triphenyl ester compound represented by (3) is 30 to 50 mol% of the liquid crystal composition, and the triphenyl ester compound represented by the general formula (4) is 1 to 50 mol% of the liquid crystal composition. This is a preferred embodiment. The liquid crystal composition of the present invention has at least a smectic A phase on the higher temperature side than the antiferroelectric phase, and the temperature range of the antiferroelectric phase is at least 0.
Desirably, it is -40C. The antiferroelectric liquid crystal composition is a simple matrix liquid crystal display device in which a scanning electrode and a signal electrode are arranged in a matrix between a pair of electrode substrates.

【0012】本発明で用いる一般式(1) で示される反強
誘電性液晶化合物は、本発明者らの先の出願 (特開平4-
198155号)に示した方法によって製造できる。例えば、
m=5, n=2 の場合、次のような方法によって製造され
る。 (1) AcO-Ph(X)-COOH + SOCl2 → AcO-Ph(X)-COCl (2) (1) + HOC*H(CF3)(CH2)5OC2H5 → AcO-Ph(X)-COOC*H(CF3)(CH2)5OC2H5 (3) (2) + Ph-CH2NH2 → HO-Ph(X)-COOC*H(CF3)(CH2)5OC2H5 (4) R1O-Ph-Ph-COOH + SOCl2 → R1O-Ph-Ph-COCl (5) (3) + (4) → 反強誘電性液晶化合物 式中、-Ph-は1,4-フェニレン基、-Ph(X)- はフッ素置換
していてもよい1,4-フェニレン基、Ph- はフェニル基、
C*は不斉炭素を示す。
The antiferroelectric liquid crystal compound represented by the general formula (1) used in the present invention is disclosed in the earlier application of the present inventors (Japanese Unexamined Patent Publication No.
198155). For example,
When m = 5, n = 2, it is manufactured by the following method. (1) AcO-Ph (X) -COOH + SOCl 2 → AcO-Ph (X) -COCl (2) (1) + HOC * H (CF 3 ) (CH 2 ) 5 OC 2 H 5 → AcO-Ph (X) -COOC * H (CF 3 ) (CH 2 ) 5 OC 2 H 5 (3) (2) + Ph-CH 2 NH 2 → HO-Ph (X) -COOC * H (CF 3 ) (CH 2 ) 5 OC 2 H 5 (4) R 1 O-Ph-Ph-COOH + SOCl 2 → R 1 O-Ph-Ph-COCl (5) (3) + (4) → Antiferroelectric liquid crystal compound Formula In, -Ph- is a 1,4-phenylene group, -Ph (X)-is a 1,4-phenylene group which may be substituted by fluorine, Ph- is a phenyl group,
C * indicates an asymmetric carbon.

【0013】上記製造法について、簡単に説明すると下
記である。(1) は、フッ素置換あるいは無置換のp-アセ
トキシ安息香酸の塩化チオニルによる塩素化反応であ
る。(2) は、塩素化物(1) とアルコールとの反応による
エステル化である。(3) は、エステル(2) の脱アセチル
化である。(4) は、アルキルオキシビフェニルカルボン
酸の塩素化反応である。(5) は、フェノール(3) と酸ク
ロライド(4) との反応による液晶の生成である。
The above-mentioned manufacturing method is briefly described below. (1) is a chlorination reaction of fluorine-substituted or unsubstituted p-acetoxybenzoic acid with thionyl chloride. (2) is esterification by the reaction of chlorinated product (1) with alcohol. (3) is the deacetylation of ester (2). (4) is a chlorination reaction of alkyloxybiphenylcarboxylic acid. (5) is the formation of liquid crystal by the reaction between phenol (3) and acid chloride (4).

【0014】本発明で用いられる一般式(3) 、(4) で示
されるフェニルトリエステル化合物も、公知の方法によ
り製造できる。その一例を示せば下記である。 (イ) AcO-Ph(F)-COOH + SOCl2 → AcO-Ph(F)-COCl (ロ) (イ) + R'-OH → AcO-Ph(F)-COO-R' (ハ) (ロ) + (CH3NH2) → HO-Ph(F)-COO-R' (ニ) R"-COCl + HO-Ph-COOH → R"-COO-Ph-COOH (ホ) (ニ) + SOCl2 → R"-COO-Ph-COCl (ヘ) (ホ) + (ハ) → R"-COO-Ph-COO-Ph(F)-COO-R' 式中、-Ph-は1,4-フェニレン基,-Ph(F)-は3位にフッ素
置換された1,4-フェニレン基、AcO-はアセチル基、R',
R" はそれぞれ対応するアルコール残基を示す。
The phenyl triester compounds represented by the general formulas (3) and (4) used in the present invention can be produced by a known method. An example is as follows. (B) AcO-Ph (F) -COOH + SOCl 2 → AcO-Ph (F) -COCl (b) (b) + R'-OH → AcO-Ph (F) -COO-R '(c) ( B) + (CH 3 NH 2 ) → HO-Ph (F) -COO-R '(d) R "-COCl + HO-Ph-COOH → R" -COO-Ph-COOH (d) (d) + SOCl 2 → R "-COO-Ph-COCl (f) (e) + (c) → R" -COO-Ph-COO-Ph (F) -COO-R 'where -Ph- is 1,4 -Phenylene group, -Ph (F)-is a 1,4-phenylene group substituted with fluorine at the 3-position, AcO- is an acetyl group, R ',
R "represents a corresponding alcohol residue.

【0015】(イ) は4-アセトキシ安息香酸の塩化チオニ
ルによる塩素化である。(ロ) は酸クロライド(イ) とアル
コールとの反応である。(ハ) はエステル(ロ) の脱アセチ
ル化反応である。(ニ) は酸クロライドとp-ヒドロキシ安
息香酸との反応である。(ホ) はカルボン酸化合物(ニ) の
塩化チオニルによる塩素化反応である。(ヘ) は目的物を
得る反応である。
(A) Chlorination of 4-acetoxybenzoic acid with thionyl chloride. (B) is the reaction between acid chloride (a) and alcohol. (C) is a deacetylation reaction of the ester (b). (D) shows the reaction between acid chloride and p-hydroxybenzoic acid. (E) is a chlorination reaction of the carboxylic acid compound (d) with thionyl chloride. (F) is the reaction for obtaining the desired product.

【0016】[0016]

【実施例】次に、実施例及び比較例を掲げて本発明を更
に具体的に説明するが、本発明はもちろんこれに限定さ
れるものではない。 実施例1 一般式(1) 、(2) 、(3) および(4) に相当する化合物と
して下記のもの(A1,A2,B,C) を用いて、反強誘電性液晶
組成物を調製した。 A1 : C9H19O-Ph-Ph-COO-Ph(F)-COO-C*H(CF3)(CH2)5OC2H5 37.5 モル% A2 : C9H19O-Ph-Ph-COO-Ph(F)-COO-C*H(CH3)C5H11 22.5 〃 B : C9H19COO-Ph-COO-Ph(F)-COO-(CH2)2CH(CH3)2 35 〃 C : C9H19COO-Ph-COO-Ph(F)-COO-C8H17 5 〃
Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples, but the present invention is of course not limited thereto. Example 1 An antiferroelectric liquid crystal composition was prepared using the following compounds (A1, A2, B, C) as compounds corresponding to general formulas (1), (2), (3) and (4). did. A1: C 9 H 19 O-Ph-Ph-COO-Ph (F) -COO-C * H (CF 3 ) (CH 2 ) 5 OC 2 H 5 37.5 mol% A2: C 9 H 19 O-Ph- Ph-COO-Ph (F) -COO-C * H (CH 3 ) C 5 H 11 22.5 〃 B: C 9 H 19 COO-Ph-COO-Ph (F) -COO- (CH 2 ) 2 CH ( CH 3) 2 35 〃 C: C 9 H 19 COO- Ph-COO-Ph (F) -COO-C 8 H 17 5 〃

【0017】調製した反強誘電性液晶組成物の物性測定
をした。相系列は、偏光顕微鏡を用いるテクスチャー観
察、DSC 測定により判定した。テストセルの調製は以下
のようにした。ラビング処理したポリイミド薄膜(30nm)
を有する ITO電極付の液晶セル(セル厚 2μm)に、上
記液晶組成物を等方相の状態で充填した。このセルを、
毎分 1.0℃で徐冷して、液晶を配向させた。セルを直交
する偏光板間に液晶の層方向がアナライザーまたはポー
ラライザーと平行になるように設置した。コントラスト
は、30℃において印加電圧0のときの光透過率と35V, 1
0 Hzの三角波電圧を印加したときの最大光透過率の比か
ら求めた。結果を表1に示した。
The physical properties of the prepared antiferroelectric liquid crystal composition were measured. The phase series was determined by texture observation using a polarizing microscope and DSC measurement. The test cell was prepared as follows. Rubbed polyimide thin film (30nm)
The above liquid crystal composition was filled in an isotropic phase into a liquid crystal cell (cell thickness: 2 μm) with an ITO electrode having the following formula: This cell is
The liquid crystal was aligned by gradually cooling at 1.0 ° C./min. The cell was placed between orthogonal polarizing plates so that the layer direction of the liquid crystal was parallel to the analyzer or the polarizer. The contrast is as follows: at 30 ° C., the light transmittance at 0 applied voltage and 35 V, 1
It was determined from the ratio of the maximum light transmittance when a 0 Hz triangular wave voltage was applied. The results are shown in Table 1.

【0018】比較例1 実施例1において、化合物Cを用いず、Bを40モル%と
する他は同様にして反強誘電性液晶組成物を調製し、同
様に物性測定した結果を表1に示した。
Comparative Example 1 An antiferroelectric liquid crystal composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the compound C was not used and B was changed to 40 mol%, and the physical properties were measured. Indicated.

【0019】 表2 相 系 列 コントラスト 実施例1 Cr(<-20)SCA*(72)SA(95)I 48比較例1 Cr(<-20)SCA*(73)SA(95)I 29 相系列の記載において、()内は相転移温度 (℃) 、Crは結晶相、SCA*は反強誘 電相、SAはスメクチックA相、I は等方相をそれぞれ示す。Table 2 Phase Series Column Contrast Example 1 Cr (<-20) SCA * (72) SA (95) I 48 Comparative Example 1 Cr (<-20) SCA * (73) SA (95) I 29 phase In the description of the series, () indicates the phase transition temperature (° C.), Cr indicates a crystalline phase, SCA * indicates an anti-strong dielectric phase, SA indicates a smectic A phase, and I indicates an isotropic phase.

【0020】[0020]

【発明の効果】本発明の反強誘電性液晶組成物は、配向
性が改善されることからよりコントラスト比の高い液晶
表示素子を実現できる。
According to the antiferroelectric liquid crystal composition of the present invention, a liquid crystal display device having a higher contrast ratio can be realized because the alignment property is improved.

フロントページの続き (72)発明者 油井 知之 東京都葛飾区新宿6目1番1号 三菱瓦斯 化学株式会社内東京工場内 Fターム(参考) 4H027 BA07 BD02 BD12 BD20 CC03 CC05 CF08 Continuation of the front page (72) Inventor Tomoyuki Yui F-term (reference) 4H027 BA07 BD02 BD12 BD20 CC03 CC05 CF08 in the Tokyo Plant in Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., 6-1, 1-1 Shinjuku, Katsushika-ku, Tokyo

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式(1) および(2) で表わされる
反強誘電性液晶と一般式(3) および(4) で表されるフェ
ニルトリエステル化合物からなる反強誘電性液晶組成
物。 【化1】 (式中、R1、R2、R3およびR4はそれぞれ炭素数 8〜10の
直鎖アルキル基、X1、X2、X3およびX4はそれぞれ水素原
子又はフッ素原子、jは5または7、kは 1〜3の整
数、mは5〜8の整数、pおよびqはそれぞれ1または
2、rは8または10である。)
An antiferroelectric liquid crystal composition comprising an antiferroelectric liquid crystal represented by the following general formulas (1) and (2) and a phenyltriester compound represented by the following general formulas (3) and (4): . Embedded image (Wherein R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each a straight-chain alkyl group having 8 to 10 carbon atoms, X 1 , X 2 , X 3 and X 4 are each a hydrogen atom or a fluorine atom, j is 5 Or 7, k is an integer of 1 to 3, m is an integer of 5 to 8, p and q are 1 or 2, respectively, and r is 8 or 10.)
【請求項2】 該一般式(1) において、jが5、kが2
である請求項1記載の反強誘電性液晶組成物。
2. In the general formula (1), j is 5 and k is 2
2. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, wherein
【請求項3】 該一般式(2) において、mが5である請
求項1記載の反強誘電性液晶組成物。
3. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, wherein m is 5 in the general formula (2).
【請求項4】 該一般式(3) において、pが2である請
求項1記載の反強誘電性液晶組成物。
4. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, wherein p is 2 in the general formula (3).
【請求項5】 該一般式(4) において、rが8である請
求項1記載の反強誘電性液晶組成物。
5. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, wherein in the general formula (4), r is 8.
【請求項6】 該一般式(1) および(2) で表される反強
誘電性液晶が、液晶組成物の40〜80モル%である請求項
1記載の反強誘電性液晶組成物。
6. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, wherein the antiferroelectric liquid crystal represented by the general formulas (1) and (2) accounts for 40 to 80 mol% of the liquid crystal composition.
【請求項7】 該一般式(3) で表されるトリフェニルエ
ステル化合物が、液晶組成物の30〜50モル%である請求
項1記載の反強誘電性液晶組成物。
7. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, wherein the triphenylester compound represented by the general formula (3) accounts for 30 to 50 mol% of the liquid crystal composition.
【請求項8】 該一般式(4) で表されるトリフェニルエ
ステル化合物が、液晶組成物の 1〜50モル%である請求
項1記載の反強誘電性液晶組成物。
8. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, wherein the triphenylester compound represented by the general formula (4) accounts for 1 to 50 mol% of the liquid crystal composition.
【請求項9】 反強誘電相よりも高温側に少なくともス
メクチックA相を有し、反強誘電相の温度範囲が少なく
とも 0〜40℃である請求項1記載の反強誘電性液晶組成
物。
9. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, which has at least a smectic A phase on a higher temperature side than the antiferroelectric phase, and the temperature range of the antiferroelectric phase is at least 0 to 40 ° C.
【請求項10】 請求項1に記載の反強誘電性液晶組成
物を、1対の電極基板間に配置してなることを特徴とす
る反強誘電性液晶表示素子。
10. An antiferroelectric liquid crystal display device comprising the antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1 disposed between a pair of electrode substrates.
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