JP3255180B2 - Fluorine-substituted liquid crystal material - Google Patents

Fluorine-substituted liquid crystal material

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JP3255180B2 JP08231692A JP8231692A JP3255180B2 JP 3255180 B2 JP3255180 B2 JP 3255180B2 JP 08231692 A JP08231692 A JP 08231692A JP 8231692 A JP8231692 A JP 8231692A JP 3255180 B2 JP3255180 B2 JP 3255180B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は新規な反強誘電性液晶物
質に関するものである。
The present invention relates to a novel antiferroelectric liquid crystal material.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示素子は、低電圧作動性、低消費
電力性、薄型表示が可能である事等により、現在までに
各種の小型表示素子に利用されてきた。しかし、昨今の
情報、OA関連機器分野、あるいは、テレビ分野への液
晶表示素子の応用、用途拡大に伴って、これまでのCR
T表示素子を上回る表示容量、表示品質を持つ高性能大
型液晶表示素子の要求が、急速に高まってきた。しかし
ながら、現在のネマチック液晶を使用する限りにおいて
は、液晶テレビ用に採用されているアクテイブマトリッ
クス駆動液晶表示素子でも、製造プロセスの複雑さと歩
留りの低さにより、その大型化、低コスト化は容易では
ない。又、単純マトリックス駆動のSTN型液晶表示素
子にしても、大容量駆動は必ずしも容易ではなく、応答
時間にも限界があり動画表示は困難である。従って、ネ
マチック液晶表示素子は、上記の高性能大型液晶表示素
子への要求を満足するものとはいい難いのが実状であ
る。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices have been used in various small display devices to date because of their low voltage operation, low power consumption, and thin display. However, with the recent information, the application of liquid crystal display elements to the OA related equipment field, or the television field, and the expansion of applications, the CR
The demand for a high-performance large-sized liquid crystal display device having a display capacity and display quality higher than that of a T display device has been rapidly increasing. However, as long as the current nematic liquid crystal is used, it is not easy to increase the size and cost of the active matrix drive liquid crystal display element used for liquid crystal televisions due to the complexity of the manufacturing process and low yield. Absent. Even with a simple matrix driven STN type liquid crystal display element, large capacity driving is not always easy, and the response time is limited, making it difficult to display moving images. Therefore, it is difficult for a nematic liquid crystal display device to satisfy the demand for the above-described high performance large liquid crystal display device.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】このような状況のなか
で、高速液晶表示素子として注目されているのが、強誘
電性液晶物質を用いた液晶表示素子である。クラ−クと
ラガバ−ルにより発表された表面安定化型強誘電性液晶
(SSFLC)素子は、その従来にない速い応答速度と
広い視野角を有する事が注目され、そのスイッチング特
性に関しては詳細に検討されおり、種々の物性定数を最
適化するため多くの強誘電性液晶物質が製造されてい
る。しかしながらしきい値特性が不十分である、液晶の
層構造がシェブロン構造をしているなどからコントラス
トが不良である、高速応答が実現されていない、液晶分
子の配向制御が困難でSSFLCの最大の特徴の1つで
ある双安定性の実現が容易でない、機械的衝撃に依って
液晶分子の配向が破壊され、それの回復が困難であるな
どの種々の要因により実用化までには至っていないのが
実状である。
In such a situation, a liquid crystal display device using a ferroelectric liquid crystal material has attracted attention as a high-speed liquid crystal display device. It has been noted that the surface-stabilized ferroelectric liquid crystal (SSFLC) device disclosed by Clark and Lagall has an unprecedented fast response speed and a wide viewing angle, and its switching characteristics are described in detail. Many ferroelectric liquid crystal materials have been manufactured to optimize various physical property constants. However, the threshold characteristics are insufficient, the contrast is poor due to the liquid crystal layer structure having a chevron structure, the high-speed response is not realized, the alignment control of the liquid crystal molecules is difficult, and the maximum of SSFLC is obtained. Due to various factors such as difficulty in realizing bistability, which is one of the features, and the destruction of liquid crystal molecules caused by mechanical shock, and the difficulty in recovering the orientation, it has not been put to practical use. Is the actual situation.

【0004】これとは別に、SSFLCと異なるスイッ
チング機構の素子の開発も同時に進められている。反強
誘電相を有する液晶物質(以下、反強誘電性液晶物質と
呼ぶ。)の三安定状態間のスイッチングも、これらの新
しいスイッチング機構の1つである(Japanese Journal
of Applied Physics, Vol.27, pp.L729,1988)。反強誘
電性液晶素子(反強誘電性液晶物質を使用した素子。)
は3つの安定な状態を有する。すなわち、従来の強誘電
性液晶素子で見られる2つのユニフォ−ム状態(Ur,
Ul)の他にもう一つの安定な第三状態がある。この第
三状態が反強誘電相であることをChandaniらが報告して
いる(Japanese Journal of Applied Physics, Vol.2
8, pp.L1261, 1989, Japanese Journal of Applied Ph
ysics, Vol.28, pp.L1265, 1989)。このような三安定
状態間のスイッチングが反強誘電性液晶素子の第1の特
徴である。反強誘電性液晶素子の第2の特徴は印加電圧
に対して明確なしきい値が存在することである。更にメ
モリ−性を有しておりこれが反強誘電性液晶素子の第3
の特徴である。これらの優れた特徴を利用することによ
り応答速度が速く、コントラストが良好な液晶表示素子
を実現できる。また、もう一つの大きな特徴として液晶
の層構造が電界により容易にスイッチングする事があげ
られる(Japanese Journal of Applied Physics, Vol.2
8, pp.L119,1989, Japanese Journal of Applied Physi
cs, Vol.29, pp.L111, 1990 )。このことにより欠陥が
極めて少なく配向の自己修復能力のある液晶表示素子の
作製が可能となりコントラストに優れた液晶表示素子を
実現できる。このような優れた性能を有する素子に使用
し得る反強誘電性液晶物質としては、特開平1−213
390、特開平1−316339,特開平1−3163
67,特開平1−316372、特開平2−28128
の各公報、及びLiquid Crystals, Vol.6, pp.167,(198
9) に記載のものが知られている。反強誘電性液晶物質
に関する研究の歴史が浅いために現在までに知られてい
る反強誘電性液晶物質の数は強誘電性液晶物質に比べて
多くはないが、研究の進展にともなって次第にその数を
増している。
[0004] Apart from this, the development of elements having a switching mechanism different from that of SSFLC is also proceeding at the same time. Switching between the three stable states of a liquid crystal material having an antiferroelectric phase (hereinafter referred to as an antiferroelectric liquid crystal material) is one of these new switching mechanisms (Japanese Journal).
of Applied Physics, Vol. 27, pp. L729, 1988). Antiferroelectric liquid crystal devices (devices using antiferroelectric liquid crystal materials)
Has three stable states. That is, two uniform states (Ur, Ur) seen in the conventional ferroelectric liquid crystal element.
There is another stable third state besides Ul). Chandani et al. Report that this third state is an antiferroelectric phase (Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 2
8, pp.L1261, 1989, Japanese Journal of Applied Ph
ysics, Vol.28, pp.L1265, 1989). Such switching between the three stable states is the first feature of the antiferroelectric liquid crystal device. A second feature of the antiferroelectric liquid crystal element is that there is a clear threshold value for an applied voltage. Further, it has a memory property, which is the third of the antiferroelectric liquid crystal element.
It is a feature of. By utilizing these excellent features, a liquid crystal display device having a high response speed and good contrast can be realized. Another major feature is that the liquid crystal layer structure is easily switched by an electric field (Japanese Journal of Applied Physics, Vol.2).
8, pp.L119,1989, Japanese Journal of Applied Physi
cs, Vol.29, pp.L111, 1990). This makes it possible to manufacture a liquid crystal display device having extremely few defects and capable of self-healing the orientation, thereby realizing a liquid crystal display device having excellent contrast. An antiferroelectric liquid crystal material that can be used for an element having such excellent performance is disclosed in JP-A-1-213.
390, JP-A-1-316339, JP-A-1-3163
67, JP-A-1-316372, JP-A-2-28128
And Liquid Crystals, Vol. 6, pp. 167, (198
Those described in 9) are known. Due to the short history of research on antiferroelectric liquid crystal materials, the number of antiferroelectric liquid crystal materials known to date is not large compared to ferroelectric liquid crystal materials, but as research progresses, Its number is increasing.

【0005】現在までに製造されている反強誘電性液晶
物質の多くは実用的な面から考えた場合、融点が高す
ぎ、また反強誘電相の温度範囲も室温付近よりも遥かに
高い。従って単一の液晶物質での素子の実用化は困難
で、実用化の為には他の液晶素子と同様に物性のバラン
スを図るために数種以上の液晶物質の混合物が必要とな
る。このような混合物に用いられる液晶物質はできるだ
け融点が低く、反強誘電相の温度範囲が広くかつその温
度範囲ができるだけ室温付近にある様な性質を持ってい
ることが望ましい。本発明はこの様な要請のもとで行わ
れたものであり、融点が低くまた反強誘電相の温度範囲
が極めて広い新規な反強誘電性液晶物質を提供するもの
である。
[0005] Many antiferroelectric liquid crystal materials that have been manufactured to date have a melting point that is too high from a practical point of view, and the temperature range of the antiferroelectric phase is much higher than near room temperature. Therefore, it is difficult to put a single liquid crystal material into practical use, and for practical use, a mixture of several or more kinds of liquid crystal materials is required to balance physical properties like other liquid crystal devices. It is desirable that the liquid crystal substance used in such a mixture has properties such that the melting point is as low as possible, the temperature range of the antiferroelectric phase is wide, and the temperature range is as close to room temperature as possible. The present invention has been made under such a demand and provides a novel antiferroelectric liquid crystal material having a low melting point and an extremely wide temperature range of an antiferroelectric phase.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、一般式
(1)、
According to the present invention, there is provided a compound represented by the following general formula (1):

【0007】[0007]

【化2】 Embedded image

【0008】(式中、Rは炭素数6〜14の脂肪族直鎖
アルキル基、XはCH3 またはCF3 であって、XがC
3 のときLは0、mは0、nは8であり、XがCF3
のときLは5、mは1、nは2である。)で表される新
規な反強誘電性液晶物質である。本発明の反強誘電性液
晶物質の製造法の一例を反応式で示すと次の通りであ
る。
Wherein R is an aliphatic straight-chain alkyl group having 6 to 14 carbon atoms, X is CH 3 or CF 3 , and X is C 3
When H 3 , L is 0, m is 0, n is 8, and X is CF 3
In this case, L is 5, m is 1, and n is 2. ) Is a novel antiferroelectric liquid crystal material. An example of the method for producing the antiferroelectric liquid crystal material of the present invention is represented by the following reaction formula.

【0009】[0009]

【化3】 Embedded image

【0010】上記の反応式において用いられている4−
アセトキシ−2−フルオロ安息香酸は、例えばm−フル
オロフェノールを出発原料として次のような方法によっ
て製造することができる。
[0010] The 4-
Acetoxy-2-fluorobenzoic acid can be produced, for example, by using m-fluorophenol as a starting material by the following method.

【0011】[0011]

【化4】 Embedded image

【0012】[0012]

【発明の効果】本発明は、新規な反強誘電性液晶物質を
提供することができるものである。そして、本発明によ
り提供された新規な反強誘電性液晶物質は、低い融点
と、広い反強誘電相の温度範囲を有し、単独または組成
物のかたちで高速応答性を有する液晶表示素子に使用す
ることができる。
According to the present invention, a novel antiferroelectric liquid crystal material can be provided. The novel antiferroelectric liquid crystal material provided by the present invention has a low melting point, a wide temperature range of an antiferroelectric phase, and provides a liquid crystal display device having a high-speed response alone or in a composition. Can be used.

【0013】[0013]

【実施例】次に実施例及び比較例を掲げて本発明を更に
具体的に説明するが、本発明はもちろんこれに限定され
るものではない。
Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples, but the present invention is of course not limited thereto.

【0014】実施例1 3−フルオロ−4−(1−メチルノニルオキシカルボニ
ルフェニル)4’−オクチロキシビフェニル−4−カル
ボキシレート〔一般式(1)においてR=n-C8H17,X=CH3,
L=0,m=0,n=8 の場合〕の製造
Example 1 3-Fluoro-4- (1-methylnonyloxycarbonylphenyl) 4'-octyloxybiphenyl-4-carboxylate [In the general formula (1), R = nC 8 H 17 , X = CH 3 ,
L = 0, m = 0, n = 8)

【0015】1)4−(4’−n−オクチロキシ)ビフ
ェニルカルボン酸(1)の製造
1) Production of 4- (4'-n-octyloxy) biphenylcarboxylic acid (1)

【0016】[0016]

【化5】 Embedded image

【0017】4−(4’−ハイドロキシ)ビフェニルカ
ルボン酸10.5g、n−オクチルブロマイド14.0
g、水酸化カリウム6.5gを、エタノ−ル1500m
l、水200mlの混合液に加え、還流下で10時間反
応させた。更に水500mlを加え3時間攪拌した。反
応終了後、濃塩酸を加えて酸性としてから、溶媒を50
0ml留去して室温まで冷却し、白色固体を得た。これ
を十分水洗してから、クロロホルムより再結晶し、目的
物(1)を白色結晶として12.0g得た。
10.5 g of 4- (4'-hydroxy) biphenylcarboxylic acid, 14.0 n-octyl bromide
g, 6.5 g of potassium hydroxide in 1500 m of ethanol.
1 and water (200 ml) and reacted under reflux for 10 hours. Further, 500 ml of water was added and stirred for 3 hours. After the completion of the reaction, concentrated hydrochloric acid was added to make the mixture acidic.
0 ml was distilled off and cooled to room temperature to obtain a white solid. This was sufficiently washed with water and then recrystallized from chloroform to obtain 12.0 g of the desired product (1) as white crystals.

【0018】2)4−アセトキシ−2−フルオロ安息香
酸(2)の製造
2) Preparation of 4-acetoxy-2-fluorobenzoic acid (2)

【0019】[0019]

【化6】 Embedded image

【0020】2−フルオロ−4−ヒドロキシ安息香酸4
gと無水酢酸8gを2口フラスコに取り混合した。水冷
下硫酸を5滴添加した。発熱がおさまってから80℃で
30分間加熱した。その後反応混合物を冷水中にあけ、
析出した結晶をろ過した。結晶は真空乾燥した後次の工
程で使用した。収量は4.2gであった.
2-fluoro-4-hydroxybenzoic acid 4
g and 8 g of acetic anhydride were placed in a two-neck flask and mixed. Five drops of sulfuric acid were added under water cooling. After the exotherm subsided, the mixture was heated at 80 ° C for 30 minutes. Then the reaction mixture is poured into cold water,
The precipitated crystals were filtered. The crystals were dried in a vacuum and used in the next step. The yield was 4.2 g.

【0021】3)4−アセトキシ−2−フルオロ−1−
(1−メチルノニルオキシカルボニル)ベンゼン(3)
の製造
3) 4-acetoxy-2-fluoro-1-
(1-methylnonyloxycarbonyl) benzene (3)
Manufacturing of

【0022】[0022]

【化7】 Embedded image

【0023】4−アセトキシ−2−フルオロ安息香酸
1.2gを塩化チオニル20mlに加え、還流下で5時
間反応させた。次に、過剰の塩化チオニルを留去してか
ら、ピリジン3ml、トルエン20ml、R−(−)−
2−デカノール0.6gの混合物を滴下した。滴下後1
昼夜室温で攪拌し、ジクロロメタン50mlで希釈し
て、有機層を希塩酸、1N水酸化ナトリウム水溶液、水
の順で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去
して粗製の目的物をヘキサン/酢酸エチルを溶媒とする
シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して(3)
を1.3g得た。
1.2 g of 4-acetoxy-2-fluorobenzoic acid was added to 20 ml of thionyl chloride and reacted under reflux for 5 hours. Next, after removing excess thionyl chloride, 3 ml of pyridine, 20 ml of toluene, R-(-)-
A mixture of 0.6 g of 2-decanol was added dropwise. 1 after dripping
The mixture was stirred day and night at room temperature, diluted with 50 ml of dichloromethane, and the organic layer was washed with diluted hydrochloric acid, a 1N aqueous solution of sodium hydroxide and water in that order, and dried over sodium sulfate. The solvent is distilled off, and the crude target product is purified by silica gel column chromatography using hexane / ethyl acetate as a solvent (3).
1.3 g was obtained.

【0024】4)2−フルオロ−4−ヒドロキシ−(1
−メチルノニルオキシカルボニル)ベンゼン(4)の製
4) 2-fluoro-4-hydroxy- (1
-Methylnonyloxycarbonyl) benzene (4)

【0025】[0025]

【化8】 Embedded image

【0026】上記化合物(3)の1.3gを、エタノ−
ル30mlに溶解させて、ベンジルアミン0.8gを滴
下した。更に室温下で1昼夜攪拌したのち、ジクロロメ
タン50mlで希釈して、希塩酸、水の順で洗浄し、硫
酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去してから、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィ−で単離精製し、目的物
(4)を1.0gを得た。
1.3 g of the above compound (3) was added to ethanol
And benzylamine (0.8 g) was added dropwise. After stirring at room temperature for one day, the mixture was diluted with 50 ml of dichloromethane, washed with diluted hydrochloric acid and water in that order, and dried over sodium sulfate. After evaporating the solvent, the residue was isolated and purified by silica gel column chromatography to obtain 1.0 g of the desired product (4).

【0027】5)3−フルオロ−4−(1−メチルノニ
ルオキシカルボニルフェニル)−4’−n−オクチロキ
シビフェニル−4−カルボキシレ−ト(5)の製造
5) Preparation of 3-fluoro-4- (1-methylnonyloxycarbonylphenyl) -4'-n-octyloxybiphenyl-4-carboxylate (5)

【0028】[0028]

【化9】 Embedded image

【0029】上記化合物(1)0.9gに、塩化チオニ
ル10mlを加え、5時間加熱還流した。過剰の塩化チ
オニルを留去した後、ピリジン2ml、トルエン15m
lを加えてから、上記化合物(4)0.6gを滴下し、
室温で一昼夜反応させた。反応終了後、ジクロロメタン
50mlで希釈し、希塩酸、1N炭酸ナトリウム水溶
液、水の順で洗浄して、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥
した。次に、溶媒を留去してから、シリカゲルクロマト
グラフィ−で単離し目的物(5)を1.1g得た。目的
物(5)のNMRスペクトルを図1に示す。相の同定
は、テクスチャ−観察、及びDSCの測定により行っ
た。また融点の測定はDSCで行いその値は36℃であ
った。この液晶物質(5)の相系列は、次の通りであっ
た。本液晶物質では反強誘電相が認められた。 23℃ 115 ℃ 117 ℃ 135 ℃ 結晶 ← SX ← SCA* ← SC* ← SA ← 等方相 なおSAはスメクチックA相、SC*はカイラルスメク
チックC相、SCA*は反強誘電相を、またSXは未同
定のスメクチック相を示す。
To 0.9 g of the compound (1), 10 ml of thionyl chloride was added, and the mixture was heated under reflux for 5 hours. After distilling off excess thionyl chloride, 2 ml of pyridine and 15 ml of toluene
After adding l, 0.6 g of the above compound (4) was added dropwise,
The reaction was carried out at room temperature overnight. After completion of the reaction, the reaction mixture was diluted with 50 ml of dichloromethane, washed with diluted hydrochloric acid, a 1N aqueous solution of sodium carbonate and water in that order, and the organic layer was dried over sodium sulfate. Next, after the solvent was distilled off, the residue was isolated by silica gel chromatography to obtain 1.1 g of the desired product (5). FIG. 1 shows the NMR spectrum of the target product (5). The phases were identified by texture observation and DSC measurement. The melting point was measured by DSC, and the value was 36 ° C. The phase sequence of this liquid crystal material (5) was as follows. In this liquid crystal material, an antiferroelectric phase was observed. 23 ° C 115 ° C 117 ° C 135 ° C Crystal ← SX ← SCA * ← SC * ← SA ← Isotropic phase SA is a smectic A phase, SC * is a chiral smectic C phase, SCA * is an antiferroelectric phase, and SX is It shows an unidentified smectic phase.

【0030】6)ラビング処理したポリイミド薄膜を有
する、ITO電極付の液晶セル(セル厚3μm)に、上
記液晶物質(5)を等方相の状態で充填した。このセル
を、毎分1.0℃で徐冷して、SA相で液晶を配向させ
た。セルを直交する偏向板間に液晶の層方向がアナライ
ザ−またはポラライザ−と平行になるように設置し、セ
ルに±40V、0.2Hzの三角波電圧を印加して、透
過光量の変化をフォトマルチプライヤ−により測定し
た。その結果、115℃から25℃の温度領域で、反強
誘電相に特有なダブルヒステリシスの応答履歴が認めら
れた。この液晶物質(5)の40℃での光学応答履歴を
図2に示す。このように、実施例1で得られた反強誘電
性液晶物質(5)は低融点で、一部過冷却状態にあるも
のの室温付近を含む広い範囲で反強誘電性を示した。
6) A liquid crystal cell (cell thickness: 3 μm) having an ITO electrode and having a rubbed polyimide thin film was filled with the liquid crystal substance (5) in an isotropic phase. The cell was gradually cooled at 1.0 ° C./min to align the liquid crystal in the SA phase. The cell is placed between the orthogonal polarizing plates so that the liquid crystal layer direction is parallel to the analyzer or the polarizer, and a ± 40 V, 0.2 Hz triangular wave voltage is applied to the cell, and the change in the amount of transmitted light is measured by photomultiplier. It was measured with a pliers. As a result, a response history of double hysteresis peculiar to the antiferroelectric phase was observed in a temperature range of 115 ° C. to 25 ° C. FIG. 2 shows the optical response history of this liquid crystal material (5) at 40 ° C. As described above, the antiferroelectric liquid crystal material (5) obtained in Example 1 had a low melting point and exhibited antiferroelectricity over a wide range including around room temperature, although it was partially supercooled.

【0031】比較例1 4−(1−メチルノニルオキシカルボニルフェニル)
4’−オクチロキシビフェニル−4−カルボキシレート
の製造
Comparative Example 1 4- (1-methylnonyloxycarbonylphenyl)
Production of 4'-octyloxybiphenyl-4-carboxylate

【0032】実施例1における4−アセトキシ−2−フ
ルオロ安息香酸の代わりに4−アセトキシ安息香酸を用
いて実施例1と同様にして4−(1−メチルノニルオキ
シカルボニルフェニル)4’−オクチロキシビフェニル
−4−カルボキシレートを製造した。目的物のNMRス
ペクトルを図3に示す。相の同定は、テクスチャ−観
察、及びDSCの測定により行った。又融点の測定はD
SCにより行なった。この液晶物質の相系列は、次の通
りであった。この液晶物質では反強誘電相が認められ相
系列は次のようでありまた融点は67℃であった。 32℃ 65℃ 112℃ 114℃ 142 ℃ 結晶 ← SX ← SCA* ← SC* ← SA ← 等方相
4- (1-methylnonyloxycarbonylphenyl) 4'-octyloxy was prepared in the same manner as in Example 1 except that 4-acetoxy-2-fluorobenzoic acid was used in place of 4-acetoxy-2-fluorobenzoic acid. Biphenyl-4-carboxylate was prepared. FIG. 3 shows the NMR spectrum of the target product. The phases were identified by texture observation and DSC measurement. Melting point measurement is D
Performed by SC. The phase sequence of this liquid crystal material was as follows. In this liquid crystal material, an antiferroelectric phase was recognized, and the phase sequence was as follows. The melting point was 67 ° C. 32 ℃ 65 ℃ 112 ℃ 114 ℃ 142 ℃ Crystal ← SX ← SCA * ← SC * ← SA ← Isotropic Phase

【0033】実施例2 3−フルオロ−4−(1−メチルノニルオキシカルボニ
ルフェニル)4’−ヘプチロキシビフェニル−4−カル
ボキシレート〔一般式(1) においてR=n-C7H15,X=CH3,
L=O,m=0,n=8 の場合〕の製造
Example 2 3-Fluoro-4- (1-methylnonyloxycarbonylphenyl) 4'-heptyloxybiphenyl-4-carboxylate [In the general formula (1), R = nC 7 H 15 , X = CH 3 ,
L = O, m = 0, n = 8)

【0034】実施例1におけるn−オクチルブロマイド
の代わりにn−ヘプチルブロマイドを用いた以外は実施
例1と全く同様にして3−フルオロ−4−(1−メチル
ノニルオキシカルボニルフェニル)4’−ヘプチロキシ
ビフェニル−4−カルボキシレートを製造した。目的物
のNMRスペクトルを図4に示す。相の同定は、テクス
チャ−観察、及びDSCの測定により行った。又融点の
測定はDSCにより行なった。この液晶物質の相系列
は、次の通りであった。本液晶物質では反強誘電相が認
められ相系列は次のようでありまた融点は70℃であっ
た。 本液晶物質はRがC7 15となったことにより実施例1
の液晶物質に比べて融点が上昇したが、反強誘電相の温
度範囲は拡大していた。
The procedure of Example 1 was repeated, except that n-heptylbromide was used instead of n-octylbromide, to give 3-fluoro-4- (1-methylnonyloxycarbonylphenyl) 4'-he Petroxybiphenyl-4-carboxylate was prepared. FIG. 4 shows the NMR spectrum of the target product. The phases were identified by texture observation and DSC measurement. The melting point was measured by DSC. The phase sequence of this liquid crystal material was as follows. In this liquid crystal material, an antiferroelectric phase was recognized, and the phase sequence was as follows. The melting point was 70 ° C. The liquid crystal material of Example 1 was obtained because R was C 7 H 15.
However, the temperature range of the antiferroelectric phase was expanded.

【0035】実施例3 3−フルオロ−4−(1−トリフルオロメチル−6−エ
トキシヘキシルオキシカルボニルフェニル)4’−オク
チロキシビフェニル−4−カルボキシレート〔一般式
(1) においてR=n-C8H17,X=CF3,L=5,m=1,n=2 の場合〕
の製造
Example 3 3-Fluoro-4- (1-trifluoromethyl-6-ethoxyhexyloxycarbonylphenyl) 4'-octyloxybiphenyl-4-carboxylate [In the general formula (1), R = nC 8 H 17 , X = CF 3 , L = 5, m = 1, n = 2)
Manufacturing of

【0036】実施例1におけるR−(−)−2−デカノ
ールの代わりにR−(−)−1、1、1、−トリフルオ
ロメチル−7−エトキシ−2−ヘプタノールを用いて実
施例1と全く同様にして3−フルオロ−4−(1−トリ
フルオロメチル−6−エトキシヘキシルオキシカルボニ
ルフェニル)4’−オクチロキシビフェニル−4−カル
ボキシレートを製造した。得られた液晶物質のNMRス
ペクトルを図5に示す。相の同定は、テクスチャ−観
察、及びDSCの測定により行った。又融点の測定はD
SCにより行なった。この液晶物質の相系列は、次の通
りであった。本液晶物質では反強誘電相が認められ相系
列は次のようでありまた融点は82℃であった。 25℃ 88.6℃ 89℃ 結晶 ← SX ← SCA* ← SA ← 等方相 本液晶物質の反強誘電相の一部は過冷却状態にあったが
反強誘電相は室温を含む広い温度範囲に存在した。
Example 1 was repeated using R-(-)-1,1,1, -trifluoromethyl-7-ethoxy-2-heptanol instead of R-(-)-2-decanol in Example 1. 3-Fluoro-4- (1-trifluoromethyl-6-ethoxyhexyloxycarbonylphenyl) 4'-octyloxybiphenyl-4-carboxylate was produced in exactly the same manner. FIG. 5 shows the NMR spectrum of the obtained liquid crystal substance. The phases were identified by texture observation and DSC measurement. Melting point measurement is D
Performed by SC. The phase sequence of this liquid crystal material was as follows. In this liquid crystal material, an antiferroelectric phase was recognized, and the phase sequence was as follows. The melting point was 82 ° C. 25 ℃ 88.6 ℃ 89 ℃ Crystal ← SX ← SCA * ← SA ← Isotropic Phase Some of the antiferroelectric phase of this liquid crystal material was in a supercooled state, but the antiferroelectric phase exists in a wide temperature range including room temperature. did.

【0037】比較例2 4−(1−トリフルオロメチル−6−エトキシヘキシル
オキシカルボニルフェニル)4’−オクチロキシビフェ
ニル−4−カルボキシレートの製造
Comparative Example 2 Preparation of 4- (1-trifluoromethyl-6-ethoxyhexyloxycarbonylphenyl) 4'-octyloxybiphenyl-4-carboxylate

【0038】実施例3における4−アセトキシ−2−フ
ルオロ安息香酸の代わりに4−アセトキシ安息香酸を用
いる以外は実施例3と同様に実施して4−(1−トリフ
ルオロメチル−7−エトキシヘキシルオキシカルボニル
フェニル)4’−オクチロキシビフェニル−4−カルボ
キシレートを製造した。得られた液晶物質のNMRスペ
クトルを図6に示す。相の同定は、テクスチャ−観察及
びDSCの測定により行った。又融点の測定はDSCに
より行なった。この液晶物質の相系列は、次の通りであ
った。本液晶物質では反強誘電相が認められ相系列は次
のようであり、また融点は59℃であった。
The procedure of Example 3 was repeated, except that 4-acetoxybenzoic acid was used instead of 4-acetoxy-2-fluorobenzoic acid, to give 4- (1-trifluoromethyl-7-ethoxyhexyl). (Oxycarbonylphenyl) 4'-octyloxybiphenyl-4-carboxylate was prepared. FIG. 6 shows the NMR spectrum of the obtained liquid crystal substance. The phases were identified by texture observation and DSC measurement. The melting point was measured by DSC. The phase sequence of this liquid crystal material was as follows. In this liquid crystal material, an antiferroelectric phase was recognized, and the phase sequence was as follows. The melting point was 59 ° C.

【0039】実施例4 3−フルオロ−4−(1−トリフルオロメチル−8−エ
トキシオクチルオキシカルボニルフェニル)4' −オク
チロキシビフェニル−4−カルボキシレート〔一般式
(1)においてR=n-C8H17,X=CF3,L=7,m=1,n=2 の場合〕
の製造
Example 4 3-Fluoro-4- (1-trifluoromethyl-8-ethoxyoctyloxycarbonylphenyl) 4' -octyloxybiphenyl-4-carboxylate [In the general formula (1), R = nC 8 H 17 , X = CF 3 , L = 7, m = 1, n = 2)
Manufacturing of

【0040】実施例3におけるR−(−)−1、1、
1、−トリフルオロメチル−7−エトキシ−2−ヘプタ
ノールの代わりにR−(−)−1、1、1、−トリフル
オロメチル−9−エトキシ−2−ノナノールを用いて実
施例1と全く同様にして3−フルオロ−4−(1−トリ
フルオロメチル−8−エトキシオクチルオキシカルボニ
ルフェニル)4' −オクチロキシビフェニル−4−カル
ボキシレートを製造した。得られた化合物のNMRスペ
クトルを図7に示した。相の同定はテクスチャー観察お
よびDSCの測定により行った。また融点の測定はDS
Cにより行った。この液晶物質の相系列は次の通りであ
った。本液晶物質では反強誘電相が認められた。また融
点は86℃であった。
R-(-)-1,1,
Exactly the same as Example 1 using R-(-)-1,1,1, -trifluoromethyl-9-ethoxy-2-nonanol instead of 1, -trifluoromethyl-7-ethoxy-2-heptanol To give 3-fluoro-4- (1-trifluoromethyl-8-ethoxyoctyloxycarbonylphenyl) 4' -octyloxybiphenyl-4-carboxylate. FIG. 7 shows the NMR spectrum of the obtained compound. The phase was identified by texture observation and DSC measurement. Melting point measurement is DS
C. The phase sequence of this liquid crystal material was as follows. In this liquid crystal material, an antiferroelectric phase was observed. The melting point was 86 ° C.

【0041】実施例における4−(4’−n−オクチ
ロキシ)ビフェニルカルボン酸の代わりに4−(4’−
n−ヘキシルオキシ)ビフェニルカルボン酸(実施例
5)、4−(4’−n−ノニルオキシ)ビフェニルカル
ボン酸(実施例6)、4−(4’−n−デシルオキシ)
ビフェニルカルボン酸(実施例7)、4−(4’−n−
テトラデシルオキシ)ビフェニルカルボン酸(実施例
8)を用いて実施例と全く同様にして一般式(1)に
おいてR=n−C613、n−C919、n−C
1021、n−C1423の液晶物質を製造した。これらの
液晶物質のNMRスペクトルを図8、9、10、11に
示した。また、これらの液晶物質の相系列を実施例
同様に決定した。その結果を表1に示した。尚、各々の
液晶物質の融点は55℃、不明、26℃、60℃であっ
た。
In place of 4- (4'-n-octyloxy) biphenylcarboxylic acid in Example 3 , 4- (4'-
n-hexyloxy) biphenylcarboxylic acid (Example 5), 4- (4'-n-nonyloxy) biphenylcarboxylic acid (Example 6), 4- (4'-n-decyloxy)
Biphenylcarboxylic acid (Example 7), 4- (4'-n-
In the general formula (1), R = n-C 6 H 13 , n-C 9 H 19 , n-C in the same manner as in Example 3 using (tetradecyloxy) biphenylcarboxylic acid (Example 8).
10 H 21, to prepare a liquid crystal material of n-C 14 H 23. The NMR spectra of these liquid crystal substances are shown in FIGS. Further, the phase series of these liquid crystal substances was determined in the same manner as in Example 3 . The results are shown in Table 1. The melting points of the liquid crystal materials were 55 ° C., unknown, 26 ° C., and 60 ° C.

【0042】[0042]

【表1】 実施例5〜8における相系列 実施例 R 相 系 列番号 4℃ 7 ℃ 100℃ 104 ℃ 5 n−C6 13 結晶 ← SX ← SCA* ← SA← 等方相 ? 82℃ 83℃ 6 n−C9 19 結晶 ← SCA* ← SA ← 等方相 -6 ℃ 80℃ 7 n−C1021 結晶 ← SCA* ← 等方相 21℃ 70℃ 8 n−C1429 結晶 ← SCA* ← 等方相 [Table 1] Phase series in Examples 5 to 8  Example R-phase sequencenumber 4 ℃ 7 ℃ 100 ℃ 104 ℃ 5 nC6H13 Crystal ← SX ← SCA * ← SA ← Isotropic phase  ? 82 ℃ 83 ℃ 6 nC9H19 Crystal ← SCA * ← SA ← Isotropic phase  -6 ℃ 80 ℃ 7 nCTenHtwenty one Crystal ← SCA * ← Isotropic phase  21 ℃ 70 ℃ 8 nC14H29 Crystal ← SCA * ← Isotropic phase

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は実施例1で得られた液晶物質(5)のN
MRスペクトルを示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing N of the liquid crystal substance (5) obtained in Example 1.
It is a figure showing an MR spectrum.

【図2】図2は実施例1で得られた液晶物質(5)の光
学応答履歴を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an optical response history of a liquid crystal material (5) obtained in Example 1.

【図3】図3は比較例1で得られた液晶物質のNMRス
ペクトルを示す図である。
FIG. 3 is a view showing an NMR spectrum of the liquid crystal substance obtained in Comparative Example 1.

【図4】図4は実施例2で得られた液晶物質のNMRス
ペクトルを示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an NMR spectrum of the liquid crystal substance obtained in Example 2.

【図5】図5は実施例3で得られた液晶物質のNMRス
ペクトルを示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an NMR spectrum of the liquid crystal substance obtained in Example 3.

【図6】図6は比較例2で得られた液晶物質のNMRス
ペクトルを示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an NMR spectrum of the liquid crystal substance obtained in Comparative Example 2.

【図7】図7は実施例4で得られた液晶物質のNMRス
ペクトルを示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an NMR spectrum of the liquid crystal substance obtained in Example 4.

【図8】図8は実施例5で得られた液晶物質のNMRス
ペクトルを示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing an NMR spectrum of the liquid crystal substance obtained in Example 5.

【図9】図9は実施例6で得られた液晶物質のNMRス
ペクトルを示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing an NMR spectrum of the liquid crystal substance obtained in Example 6.

【図10】図10は実施例7で得られた液晶物質のNM
Rスペクトルを示す図である。
FIG. 10 shows the NM of the liquid crystal substance obtained in Example 7.
It is a figure showing an R spectrum.

【図11】図11は実施例8で得られた液晶物質のNM
Rスペクトルを示す図である。
FIG. 11 shows the NM of the liquid crystal substance obtained in Example 8.
It is a figure showing an R spectrum.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−123759(JP,A) 特開 昭61−210056(JP,A) 特開 平1−261493(JP,A) 特開 昭63−27590(JP,A) 欧州特許出願公開422996(EP,A 2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C07C 69/94 C09K 19/20 CA(STN) REGISTRY(STN)──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-3-123759 (JP, A) JP-A-61-210056 (JP, A) JP-A-1-261493 (JP, A) JP-A 63-123 27590 (JP, A) European Patent Application Publication 422996 (EP, A2) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) C07C 69/94 C09K 19/20 CA (STN) REGISTRY (STN)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 次の一般式(1)、 【化1】 (式中、Rは炭素数6〜14の脂肪族直鎖アルキル基、
XはCH3 またはCF3 であって、XがCH3 のときL
は0、mは0、nは8であり、XがCF3 のときLは
5、mは1、nは2である。)で表される新規な反強誘
電性液晶物質。
1. The following general formula (1): (Wherein, R is an aliphatic linear alkyl group having 6 to 14 carbon atoms,
X is CH 3 or CF 3 , and when X is CH 3 , L
Is 0, m is 0, n is 8. When X is CF 3 , L is 5, m is 1, and n is 2. A novel antiferroelectric liquid crystal material represented by).
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