JP2002083977A - 光信号処理パッケージおよび信号処理装置 - Google Patents

光信号処理パッケージおよび信号処理装置

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JP2002083977A JP2000272709A JP2000272709A JP2002083977A JP 2002083977 A JP2002083977 A JP 2002083977A JP 2000272709 A JP2000272709 A JP 2000272709A JP 2000272709 A JP2000272709 A JP 2000272709A JP 2002083977 A JP2002083977 A JP 2002083977A
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秀則 山田
Junji Okada
純二 岡田
Kazuhiro Sakasai
一宏 逆井
Shinya Kyozuka
信也 経塚
Tsutomu Hamada
勉 浜田
Shinobu Koseki
忍 小関
Hironori Ishida
裕規 石田
Masaaki Miura
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健一 小林
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号増幅素子と発光受光素子とが熱的に
分離された光信号処理パッケージ、および前記パッケー
ジを備える信号処理装置の提供。 【解決手段】 内部が２段以上に区画されたパッケージ
（１２）と、前記パッケージ内部における１の段に設け
られ、前記パッケージの外部からの光信号を受光して電
気信号に変換する受光素子（４）または受光素子（４）
および発光素子（２）と、前記パッケージ内部における
他の段に設けられてなり、前記受光素子からの電気信号
を増幅する信号増幅回路素子（８）と、前記配線基板へ
の実装時において、前記信号増幅回路素子（８）と前記
発光素子（２）とを前記配線基板における前記電子回路
に電気的に接続する電気的接続手段とを備える光信号処
理パッケージ、前記光信号処理パッケージを配線基板に
実装した信号処理装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光信号処理パッケ
ージと信号処理装置とに関し、特に、結合効率および熱
安定性に優れた光信号処理パッケージ、および電子回路
が設けられた配線基板上に前記光信号処理パッケージを
実装してなる信号処理装置を提供することを目的とす
る。
【０００２】
【従来の技術】超大規模集積回路(VLSI)の開発により、
データ処理システムで使用する回路基板(ドーターボー
ド)の回路機能が大幅に増大してきている。回路機能が
増大するにつれて各回路基板に対する信号接続数が増大
するため、各回路基板(ドーターボード)間をバス構造で
接続するデータバスボード(マザーボード)には多数の接
続コネクタと接続線とを必要とする並列アーキテクチャ
が採用されている。接続線の多層化と微細化により並列
化を進めることにより、並列バスの動作速度の向上が図
られてきた。しかし接続配線間容量や接続配線抵抗に起
因する信号遅延により、システムの処理速度が並列バス
の動作速度によって制限されることもある。また、並列
バス接続配線の高密度化による電磁ノイズ(EMI:Electro
magneticInterference)の問題もシステムの処理速度向
上に対しては大きな制約となる。そこで、主に幹線系で
脚光を浴びている光インターコネクションが、基板間の
電気配線の分野や基板上のチップ間通信にも応用される
ようになってきている。
【０００３】特開２０００−８１５２４号公報には、同
一基板上の、一対の発光受光素子間の光送受信を、基板
に設けた貫通穴を通して行う光送受信システムが開示さ
れている。前記光送受信システムにおいては、同一面に
ある発光受光素子間の通信を、二つの貫通穴と光導波路
とを用いて行なっている。また、面型発光受光素子とし
て、発光素子と受光素子が同一平面状に配置して一体化
されたパッケージ構造のものが使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記光
送受信システムにおいては、貫通穴の側面に光信号が反
射して損失が大きくなり、また、発光受光素子から光伝
送路までの距離が基板の厚さ以上離れてしまうため、結
合効率が低いという問題があった。
【０００５】そこで、光電気混載基板において、発光受
光素子と光伝送路の端面までの距離を近づければ、結合
効率が良くなると考えられる。
【０００６】特開２０００−８１５２４号公報において
開示された光送受信システムで用いられている光素子
は、発光素子の発光面と受光素子の受光面を同一平面上
に配置して一体化した面型発光受光素子である。
【０００７】受光素子で受光した電気信号が微弱な場
合、電気信号を増幅する信号増幅回路素子が必要となる
が、ＥＭＩを防止する観点からは、信号増幅回路素子は
受光素子に近接して配置することが望ましい。
【０００８】しかし、図８に示すように、発光受光素子
と信号増幅回路素子を同一平面上に配置すると、信号増
幅回路素子は消費電力が大きいため、信号増幅回路素子
における発生熱によりパッケージの温度が上昇し、発光
受光素子の動作が不安定になる。
【０００９】本発明は、発光受光素子と信号増幅回路素
子とが実装された光信号処理パッケージにおいて、信号
増幅回路素子と発光受光素子とが熱的に分離され、信号
増幅回路素子における発生熱で発光受光素子が過熱され
て動作が不安定になることがなく、発光受光素子と光伝
送路の光信号入出射面とを近接させることができ、結合
効率に優れた光信号処理パッケージ、および前記パッケ
ージを備える信号処理装置を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、電子回路が設けられた配線基板に実装される光信号
処理パッケージであって、内部が２段以上に区画された
パッケージと、前記パッケージ内部における１の段に設
けられ、前記パッケージの外部からの光信号を受光して
電気信号に変換する受光素子と、前記パッケージ内部に
おける他の段に設けられてなり、前記受光素子からの電
気信号を増幅する信号増幅回路素子と、前記配線基板へ
の実装時において、前記信号増幅回路素子を前記配線基
板における前記電子回路に電気的に接続する電気的接続
手段とを備えてなることを特徴とする光信号処理パッケ
ージに関する。
【００１１】前記光信号処理パッケージが前記配線基板
に実装された状態においては、前記信号増幅回路素子お
よび前記受光素子は、前記電気的接続手段により、前記
配線基板における電子回路に電気的に接続される。した
がって、前記受光素子が受光した光信号は、前記受光素
子において電気信号である電気信号に変換され、更に前
記信号増幅回路素子において増幅されて前記電子回路に
伝達される。
【００１２】前記光信号処理パッケージにおいては、前
述のように、発熱量の大きな信号増幅回路素子と受光素
子とが別の段に配置されているから、前記信号増幅回路
素子と前記受光素子とは熱的に分離されている。したが
って、前記信号増幅回路素子における発熱によって前記
受光素子の温度が上昇し、前記受光素子の動作が不安定
になることが防止される。
【００１３】また、前記光信号処理パッケージを配線基
板に実装することにより、前記配線基板に受光素子と信
号増幅回路素子とを一括して実装できる。
【００１４】更に、受光素子と信号増幅回路素子とは、
前述のように、熱的に分離されているにもかかわらず、
空間的には近接しているので、受光素子と信号増幅回路
素子との間の電気配線を短くでき、受光素子からの微弱
な電気信号を前記信号増幅回路素子において増幅すると
きに外部における電磁ノイズの影響を受け難いという特
長もある。
【００１５】請求項２に記載の発明は、複数の電子回路
が設けられた配線基板に実装される光信号処理パッケー
ジであって、内部が２段以上に区画されたパッケージ
と、前記パッケージ内部における１の段に設けられ、前
記パッケージの外部からの光信号を受光して電気信号に
変換する受光素子と、前記パッケージ内部における前記
受光素子が設けられた段と同じ段または異なる段に設け
られ、前記パッケージの外部からの電気信号を光信号に
変換して送出する発光素子と、前記パッケージ内部にお
ける前記受光素子および前記発光素子が設けられた段と
は異なる段に設けられてなり、前記受光素子からの電気
信号を増幅する信号増幅回路素子と、前記配線基板への
実装時において、前記発光素子を、前記配線基板におけ
る１の電子回路に電気的に接続し、前記信号増幅回路素
子を前記配線基板における他の電子回路に電気的に接続
する電気的接続手段とを備えてなることを特徴とする光
信号処理パッケージに関する。
【００１６】前記光信号処理パッケージが前記配線基板
に実装された状態においては、前記発光素子もまた、前
記電気的接続手段により、前記配線基板における電子回
路に電気的に接続される。したがって、前記電子回路の
電気信号は、前記配線基板における電気配線および前記
電気的接続手段を通って前記発光素子に伝達され、前記
発光素子において光信号に変換されて前記光信号処理パ
ッケージにおけるパッケージの外部に送出される。
【００１７】前記光信号処理パッケージにおいては、前
記発光素子もまた、前記信号増幅回路素子とは異なる段
に設けられているから、前記信号増幅回路素子から熱的
に分離されている。したがって、前記光信号処理パッケ
ージは、請求項１に記載の前記光信号処理パッケージが
有する特長に加え、前記信号増幅回路素子における発熱
によって前記発光素子の温度が上昇し、前記発光素子の
動作が不安定になることが防止できるという特長も有し
ている。
【００１８】また、前記光信号処理パッケージを配線基
板に実装することにより、前記配線基板に発光素子と受
光素子と信号増幅回路素子とを一括して実装できる。
【００１９】請求項３に記載の発明は、前記発光素子と
前記受光素子とが前記パッケージにおける同一の段に設
けられてなる光信号処理パッケージに関する。
【００２０】前記光信号処理パッケージは、発光素子と
受光素子とが近接して配置されているから、特にコンパ
クトに形成できるという特長を有している。
【００２１】請求項４に記載の発明は、前記パッケージ
の内部が３段以上に区分されてなり、 前記パッケージ
における発光素子および受光素子が設けられてなる段と
信号増幅回路素子が設けられてなる段との間の段に、金
属で形成されてなり、前記発光素子および前記受光素子
と前記信号増幅回路素子とを定電位接続する定電位接続
部材が配置されてなる光信号処理パッケージに関する。
【００２２】前記光信号処理パッケージにおいては、発
光素子および受光素子と信号増幅回路素子とが、間に配
置された定電位接続部材により定電位接続されているか
ら、発光素子と受光素子と信号増幅回路素子との何れ
も、外部の電磁ノイズから効果的にシールドされる。
【００２３】請求項５に記載の発明は、一枚の耐熱性プ
ラスチックから形成されたフィルム基板と、前記フィル
ム基板の少なくとも一方の面に形成された電気配線層と
を有し、前記パッケージ内部を２段以上に区分し、前記
信号増幅回路素子が実装されてなるフレキシブル基板を
備え、前記電気的接続手段が、前記フレキシブル基板の
一部が前記パッケージの外部に露出してなり、配線基板
への実装時において、前記電気配線層を介して前記信号
増幅回路素子を前記配線基板における１の電子回路に電
気的に接続する露出部を備えてなる光信号処理パッケー
ジに関する。
【００２４】前記光信号処理パッケージにおいては、前
記配線基板への実装時には、露出部と前記配線基板にお
いて前記電子回路に至る電気配線とが例えば半田バンプ
を介して電気的に接続される。また、前記電気配線層に
電気的に接続された突起を前記露出部に形成し、前記配
線基板に設けられた前記電子回路に至る電気配線に電気
的に接続されるとともに、前記突起に係合する凹陥部を
前記配線基板に形成し、前記突起と前記凹陥部とを係合
することにより、前記露出部と前記配線基板とを電気的
に接続してもよい。更に、反対に、前記露出部に凹陥部
を形成し、前記配線基板に突起を形成し、前記突起と前
記凹陥部とを係合してもよい。
【００２５】前記光信号処理パッケージを前記配線基板
に実装した状態においては、前記受光素子および信号増
幅回路素子は、前記フレキシブル基板における電気配線
層と前記配線基板における電気配線とを介して前記電子
回路に電気的に接続される。
【００２６】請求項６に記載の発明は、前記信号増幅回
路素子の一部が前記パッケージの外部に露出してなり、
更に、前記信号増幅回路素子における前記露出部に放熱
手段が設けられてなる光信号処理パッケージに関する。
【００２７】前記光信号処理パッケージにおいては、信
号増幅回路素子における発生熱は、前記放熱手段によ
り、パッケージの外部に伝達されて除去されるから、前
記発生熱により前記パッケージの内部が高温になること
がない。したがって、前記光信号処理パッケージは、信
号増幅回路素子の発熱量が特に大きな場合に好適であ
る。
【００２８】請求項７に記載の発明は、請求項１〜６の
何れか１項に記載の光信号処理パッケージと、前記光信
号処理パッケージが実装される配線基板と、前記光信号
処理パッケージが前記配線基板に実装された状態におい
て、前記光信号処理パッケージにおける受光素子または
発光素子および受光素子と光結合される光伝送路とを備
えてなることを特徴とする信号処理装置に関する。
【００２９】前記信号処理装置においては、前記光伝送
路から出射した光信号は、前記光信号処理パッケージに
おける受光素子で受光され、電気信号に変換される。前
記受光素子からの電気信号は、前記光信号処理パッケー
ジにおける信号増幅回路素子で増幅される。前記信号増
幅回路素子で増幅された電気信号は、前記光信号処理パ
ッケージにおける電気的接続手段および前記配線基板に
おける電気配線を介して前記電子回路に伝達され、前記
電子回路で適宜処理される。
【００３０】前記信号処理装置においては、前記配線基
板に前記光信号処理パッケージを実装することにより、
容易に光データバスを構成できる。
【００３１】また、前記光伝送路と前記光信号処理パッ
ケージにおける発光素子および受光素子との間の距離が
短いので、前記信号処理装置は、発光素子および受光素
子と光伝送路との間の結合効率が高い。
【００３２】請求項８に記載の発明は、前記配線基板
が、前記光信号処理パッケージの挿通されるスルーホー
ルを備え、前記光伝送路が、前記配線基板における前記
スルーホールに前記光信号処理パッケージを嵌装したと
きに、前記光信号処理パッケージの有する受光素子また
は発光素子および受光素子に光学的に結合される位置に
設けられてなる信号処理装置に関する。
【００３３】前記信号処理装置においては、配線基板上
に設けたスルーホールに光信号処理パッケージを差し込
むだけで実装できるので、光電気混載基板のパッシブア
ラインメントが可能になる。
【００３４】請求項９に記載の発明は、前記配線基板
が、前記光信号処理パッケージにおける前記スルーホー
ルに挿通される方向に沿った寸法よりも大きな厚みを有
してなる信号処理装置に関する。
【００３５】前記信号処理装置においては、配線基板に
形成されたスルーホール中に前記光信号処理パッケージ
が埋設された形態を有しているので、前記光信号処理パ
ッケージを光伝送路に特に近接させて配置することがで
きる。したがって、前記光信号処理パッケージにおける
受光素子または受光素子および発光素子と光伝送路との
結合効率が特に優れている。
【００３６】請求項１０に記載の発明は、前記光伝送路
が、前記配線基板における前記光信号処理パッケージが
実装される実装面とは反対側の面に設けられてなる信号
処理装置に関する。
【００３７】前記信号処理装置においては、前記実装面
の全面に、前記光信号処理パッケージに接続される電気
配線を形成でき、前記実装面とは反対側の面を全て光伝
送路の形成に利用できるから、体積効率に優れた信号処
理装置が得られる。また、前記実装面とは反対側の面に
光伝送路を設けるから、光伝送路の形成が極めて容易で
ある。
【００３８】
【発明の実施の形態】１．第１実施形態 本発明に係る光信号処理パッケージの一例を図１に示
す。図１において、（ａ）は、前記第１実施形態に係る
光信号処理パッケージの内部構造を示し、（ｂ）は、前
記光信号処理パッケージが備えるフレキシブル基板を平
面上に展開した形状を示す。そして、（ｃ）は、前記光
信号処理パッケージを側面からみた外観を示し、（ｄ）
は、前記光信号処理パッケージを上面からみた外観を示
す。
【００３９】第１実施形態に係る光信号処理パッケージ
１００は、図１に示すように、側面から見てコの字型に
屈曲され、光信号処理パッケージ１００を図１における
上下方向に上中下段の３段に区画するフレキシブル基板
６と、光信号処理パッケージ１００における上段１００
ａに位置する信号増幅回路素子８と、光信号処理パッケ
ージ１００における下段１００ｃに位置する発光素子２
と受光素子４とを備える。光信号処理基板１００は、フ
レキシブル基板６への信号増幅回路素子８などの実装さ
れる方向に沿って３段に区分されているということもで
きる。
【００４０】フレキシブル基板６は、図１において
（ｂ）に示すように、一枚の耐熱性樹脂フィルムから形
成されるとともに、一端に、翼状に張り出した１対の翼
状部６ａが形成され、展開した状態においては略Ｔ字型
の平面形状を有するフィルム基板６２と、フィルム基板
６２の一方の面に形成された電気配線層６４とを有す
る。
【００４１】前記耐熱性樹脂フィルムとしては、ポリイ
ミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド
樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂などのフィルム
が挙げられる。
【００４２】フレキシブル基板６の１対の翼状部６ａに
は、電気配線層６４が形成された側とは反対側の面に、
円形の半田バンプ面６ｂが、それぞれ４個づつ列状に形
成されている。翼状部６ａおよび半田バンプ面６ｂは、
それぞれ本発明の光信号処理パッケージにおける露出部
および電気的接続手段に相当する。
【００４３】光信号処理パッケージ１００は、後述する
配線基板に実装するときには、半田バンプ面６ｂにおい
て、球状の半田バンプを介して前記配線基板に電気的に
接続される。半田バンプ面６ｂは、フィルム基板６２を
挟んで電気配線層６４に電気的に接続されている。
【００４４】フレキシブル基板６は、前記翼状部６ａが
形成され、光信号処理パッケージ１００の上段１００ａ
と中段１００ｂとを区画する第１区画６Ａと、光信号処
理パッケージ１００の中段１００ｂと下段１００ｃとを
区画する第２区画６Ｂと、第１区画６Ａと第２区画６Ｂ
とを結合する中間部６Ｃとに、幅方向に伸びる２本の互
いに平行な屈曲線ｄ1によって区画される。
【００４５】フレキシブル基板６は、図１において
（ａ）および（ｃ）に示すように、電気配線層６４が形
成された側の面が外側になり、第１区画６Ａと第２区画
６Ｂとが、互いに向かい合うように、屈曲線ｄ1に沿っ
てコの字型に屈曲される。したがって、第１区画６Ａに
おいては、電気配線層６４が形成された側の面が光信号
処理パッケージ１００の上段１００ａに面し、第２区画
６Ｂにおいては、電気配線層６４が形成された側の面が
光信号処理パッケージ１００の下段１００ｃに面する。
【００４６】信号増幅回路素子８は、図１に示すよう
に、第１区画６Ａにおける電気配線層６４が形成された
側の面に配置されている。一方、発光素子２および受光
素子４は、それぞれ光信号を送出する発光面および光信
号を受光する受光面が図１における下方を向くように、
第２区画６Ｂにおける電気配線層６４が形成された側、
即ち下面に配置されている。
【００４７】ここで、発光素子２は、前記配線基板に配
置された電子回路（図示せず。）からのデジタル電気信
号を光信号に変換して前記光信号を送出する機能を有
し、具体的には、発光ダイオード、半導体レーザ、およ
び面発光レーザなどが挙げられる。
【００４８】受光素子４は、光信号を受光して電気信号
に変換する機能を有し、具体的には、フォトダイオード
などが挙げられる。
【００４９】信号増幅回路素子８は、受光素子４からの
電気信号を増幅して前記電子回路に伝達する機能を有す
る。
【００５０】信号増幅回路素子８は、電気配線層６４
に、ボンディングワイヤ１０ａによって接続され、発光
素子２および受光素子４は、電気配線層６４に、ボンデ
ィングワイヤ１０ｂによって接続されている。ボンディ
ングワイヤ１０ａおよび１０ｂには金などの細線を用い
ることができる。したがって、信号増幅回路素子８と、
発光素子２および受光素子４とは、ボンディングワイヤ
１０ａ、１０ｂと電気配線層６４とにより互いに電気的
に接続される。
【００５１】ここで、前述のように、電気配線層６４
は、半田バンプ面６ｂに電気的に接続され、前記半田バ
ンプ面６ｂは、半田バンプを介し、光信号処理パッケー
ジ１００が実装される配線基板の電気配線に電気的に接
続されるから、信号増幅回路素子８、発光素子２、およ
び受光素子４は、電気配線層６４、半田バンプ面６ｂ、
および前記半田バンプを介して前記配線基板上の電子回
路に電気的に接続される。
【００５２】フレキシブル基板６、信号増幅回路素子
８、発光素子２、および受光素子４は、図１に示すよう
に、合成樹脂により形成された直方体状のパッケージ１
２の内部に封入されている。ここで、前述のように、発
光素子２の発光面および受光素子４の受光面は、いずれ
も図１における下方を向いているから、前記光信号が入
出射する発光受光面１４は、パッケージ１２の底面に形
成される。したがって、パッケージ１２は、透光性であ
り、換言すれば、前記光信号を透過させることが好まし
いから、透光性樹脂により形成されていることが好まし
い。前記透光性樹脂としては、たとえば透明エポキシ樹
脂および透明ポリウレタン樹脂などの透光性熱硬化性樹
脂、並びにＰＭＭＡ、ポリカーボネ−ト樹脂、およびポ
リメチルペンテン樹脂などの透光性熱可塑性樹脂が使用
できる。
【００５３】尚、前記パッケージ１２を、熱可塑性樹脂
または熱硬化性樹脂であって前記光信号を実質的に透過
しない非透光性樹脂で形成し、底部に、前記光信号が発
光素子２および受光素子４に入出射する開口部を設けて
もよい。
【００５４】また、前記パッケージ１２は、透光性また
は非透光性の筐体であってもよい。
【００５５】図１において（ｃ）および（ｄ）に示すよ
うに、翼状部６ａにおける半田バンプ面６ｂが設けられ
た部分は、実装時において後述する多層配線基板３００
に接続できるように、パッケージ１２の外側に露出して
いる。翼状部６ａにおける半田バンプ面６ｂは、電気配
線層６４およびボンディングワイヤ１０ａを介して信号
増幅回路素子８に電気的に接続されている。
【００５６】前述のように、信号増幅回路素子８は、光
信号処理パッケージ１００の上段に位置し、発光素子２
および受光素子４は、光信号処理パッケージ１００の下
段に位置する。そして、光信号処理パッケージ１００の
中段、即ち第１区画６Ａと第２区画６Ｂとの間の部分
は、パッケージ１２を形成する透光性樹脂によって充填
されている。
【００５７】したがって、発光素子２および受光素子４
の実装面は、信号増幅回路素子８の実装面と大きく隔た
っているから、発光素子２および受光素子４は、信号増
幅回路素子８と熱的に絶縁されている。故に、信号増幅
回路素子８が発熱しても、発光素子２および受光素子４
が高温になることがなく、動作が不安定になることがな
い。
【００５８】しかも、光信号処理パッケージ１００にお
いては、前述のように、信号増幅回路素子８と発光素子
２および受光素子４とが上下に積層されているから、コ
ンパクトである。
【００５９】また、光信号処理パッケージ１００を、Ｃ
ＰＵなどの電子回路が設けられた配線基板に実装するこ
とにより、前記配線基板に、発光素子２と受光素子４と
信号像風回路素子８とを一括して実装できる。
【００６０】さらに、図１において（ａ）および（ｃ）
に示すように、後述する板状の光伝送路２００における
光信号入出射面に、光信号処理パッケージ１００の底面
に形成された発光受光面１４を当接することにより、発
光素子２および受光素子４と前記光伝送路２００との間
で光信号を授受できるから、発光素子２および受光素子
４と前記光伝送路２００との間の距離が小さくでき、し
たがって、結合効率が高い。
【００６１】２．第２実施形態 本発明に係る光信号処理パッケージの別の例を図２に示
す。図２において、（ａ）は、前記第２実施形態に係る
光信号処理パッケージの内部構造を示し、（ｂ）は、前
記光信号処理パッケージにおけるフレキシブル基板を平
面上に展開した形状を示す。そして、（ｃ）は、前記光
信号処理パッケージを側面からみた外観を示し、（ｄ）
は、前記光信号処理パッケージを上面からみた外観を示
す。尚、図２において、図１と同一の符号は、特に断ら
ない限り、前記符号が図１において示す構成要素と同一
の構成要素を示す。
【００６２】図２に示すように、第２実施形態に係る光
信号処理パッケージ１０２は、側面から見て疑問符型に
屈曲され、光信号処理パッケージ１０２を図１における
上下方向に、上中下段の３段に区画するたフレキシブル
基板６と、光信号処理パッケージ１０２における上段１
０２ａに配置された信号増幅回路素子８と、光信号処理
パッケージ１０２における下段１０２ｃに配置された発
光素子２と受光素子４とを備える。
【００６３】フレキシブル基板６は、図２において
（ｂ）に示すように、第１実施形態に係る光信号処理パ
ッケージ１００におけるフレキシブル基板６と同様、一
枚の耐熱性樹脂フィルムから形成されるとともに、一端
に、翼状に張り出した１対の翼状部６ａが形成され、Ｔ
字型の平面形状を有するフィルム基板６２と、フィルム
基板６２の一方の面に形成された電気配線層６４とから
構成される。そして、幅方向に伸びる２本の互いに平行
な屈曲線ｄ1により、第１区画６Ａと第２区画６Ｂと中
間部６Ｃとに区画されている。第１区画６Ａが１対の翼
状部６ａを有し、光信号処理パッケージ１０２の上段１
０２ａと中段１０２ｂとを区分する点、および第２区画
６Ｂが光信号処理パッケージ１０２の中段１０２ｂと下
段１０２ｃとを区分する点も、第１実施形態に係る光信
号処理パッケージ１００と同様である。
【００６４】但し、第２区画６Ｂは、屈曲線ｄ1に対し
て平行な屈曲線ｄ2により、発光素子２および受光素子
４が配置される発光受光素子配置部６Ｂ1と、発光受光
素子配置部６Ｂ1と中間部６Ｃとを結合する結合部６Ｂ2
とに区分されている。
【００６５】フレキシブル基板６は、第１実施形態に係
る光信号処理パッケージ１００と同様に、第１区画６Ａ
と第２区画６Ｂにおける結合部６Ｂ2とが互いに向かい
合い、しかも電気配線層６４が外側に位置するように、
屈曲線ｄ1に沿って屈曲される。したがって、第１区画
６Ａと中間部６Ｃと結合部６Ｂ2とは、全体として側面
から見てコの字を形成するような位置関係にある。
【００６６】そして、第２区画６Ｂにおける発光受光素
子配置部６Ｂ1は、結合部６Ｂ2を挟んで中間部６Ｃとは
反対方向に、電気配線層６４が形成された側の面が内側
になるように、屈曲線ｄ2に沿って屈曲される。発光受
光素子配置部６Ｂ1における前記面は、図２における右
方を向いている。
【００６７】信号増幅回路素子８は、第１区画６Ａにお
ける電気配線層６４が形成された側の面、即ち上面に配
置される。
【００６８】一方、発光素子２および受光素子４は、そ
れぞれ光信号が送出される発光面および光信号を受光す
る受光面が図２における右側面を向くように、第２区画
６Ｂの発光受光素子配置部６Ｂ1における電気配線層６
４が形成された側の面に上下方向に２段に配置される。
【００６９】信号増幅回路素子８、および発光素子２、
受光素子４は、第１実施形態に係る光信号処理パッケー
ジ１００と同様に、電気配線層６４に、それぞれボンデ
ィングワイヤ１０ａおよびボンディングワイヤ１０ｂに
よって接続されている。
【００７０】フレキシブル基板６、信号増幅回路素子
８、発光素子２、および受光素子４は、第１実施形態に
係る光信号処理パッケージ１００と同様に、翼状部６ａ
が外部に露出した状態で直方体状のパッケージ１２の内
部に封入されている。但し、前記光信号が入出射する発
光受光面１４は、パッケージ１２の右側面に形成され
る。
【００７１】パッケージ１２は、第１実施形態に係る光
信号処理パッケージ１００のところで述べたのと同様の
透光性樹脂により形成できる。また、非透光性樹脂でパ
ッケージ１２を形成し、図２における右側面に、光信号
が入出射する下降部を設けてもよい。
【００７２】光信号処理パッケージ１０２は、第１実施
形態に係る光信号処理パッケージ１００と同様に、発光
素子２および受光素子４が、信号増幅回路素子８と熱的
に絶縁されているから、信号増幅回路素子８が発熱して
も、発光素子２および受光素子４が高温になり、動作が
不安定になることがない。
【００７３】さらに、図２において（ａ）および（ｃ）
に示すように、光信号処理パッケージ１０２の右側面に
形成された発光受光面１４を、一方の端面から光信号が
入出射する形態の後述する光伝送路２０２における前記
端面に当接することにより、発光素子２および受光素子
４と光伝送路２０２との間で光信号を授受できる。
【００７４】光伝送路２０２は、光伝送路２００とは異
なり、端面を斜めに仕上る必要がないから、作製が更に
容易である。
【００７５】したがって、光信号処理パッケージ１０２
は、光伝送路２００よりも更に作製の容易な光データバ
ス２０２を光伝送路として使用できるという特長も有す
る。
【００７６】３．第３実施形態 本発明に係る光信号処理パッケージにおいて、定電位接
続部材を設けた例を図３に示す。図３において、（ａ）
は、前記第３実施形態に係る光信号処理パッケージの内
部構造を示し、（ｂ）は、前記光信号処理パッケージを
側面からみた外観を示し、（ｃ）は、前記光信号処理パ
ッケージを上面からみた外観を示す。尚、図３におい
て、図１と同一の符号は、特に断らない限り、前記符号
が図１において示す構成要素と同一の構成要素を示す。
【００７７】第３実施形態に係る光信号処理パッケージ
１０４は、図３に示すように、フレキシブル基板６によ
って図３における上下方向に沿って上段１０４ａと中段
１０４ｂと下段１０４ｃとに区画されている。そして、
中段１０４ｂには、フレキシブル基板６における中間部
６Ｃに対して平行に金属板を積層した電磁シールド１８
が嵌装されている。発光素子２と受光素子４と信号増幅
回路素子８とは、何れも電磁シールド１８に定電位接続
されている。尚、電磁シールド１８は、本発明の光信号
処理パッケージにおける定電位接続部材に相当する。
【００７８】電磁シールド１８には、銅およびアルミニ
ウムなどの高導電性金属の板を積層した積層体のほか、
前記高導電性金属から形成され、直方体または円柱など
の形状を有するブロック体が使用できる。
【００７９】信号増幅回路素子８は、フレキシブル基板
６にフリップチップ実装され、球状の半田バンプ１６に
より、電気配線層６４に接続され、また、電気配線層６
４に接続された側とは反対側の面の近傍部分がパッケー
ジ１２の外部に露出し、前記面に、後述するヒートシン
ク２４を装着できるように形成されている。尚、ヒート
シンク２４は、本発明の光信号処理パッケージにおける
放熱手段の一例である。
【００８０】光信号処理パッケージ１０４は、前記以外
の点においては、第１の実施形態に係る光信号処理パッ
ケージ１００と同様の構成を有している。したがって、
光信号処理パッケージ１０４は、第１の実施形態に係る
光信号処理パッケージ１００と同様の特長を有する。
【００８１】更に、光信号処理パッケージ１０４は、前
述のように電磁シールド１８を有するから、発光素子２
および受光素子４と信号増幅回路素子８との間における
電気信号の授受が外部の電磁ノイズにより妨害されるこ
とがないという特長も有する。
【００８２】４．第４実施形態 定電位接続部材を設けた光信号処理パッケージの別の例
を図４に示す。図４において、（ａ）は、前記第４実施
形態に係る光信号処理パッケージの内部構造を示し、
（ｂ）は、前記光信号処理パッケージを側面からみた外
観を示し、（ｃ）は、前記光信号処理パッケージを上面
からみた外観を示す。尚、図４において、図１および図
２と同一の符号は、特に断らない限り、前記符号が図１
および図２において示す構成要素と同一の構成要素を示
す。
【００８３】第４実施形態に係る光信号処理パッケージ
１０６は、図４に示すように、フレキシブル基板６によ
って図４における上下方向に沿って上段１０６ａと中段
１０６ｂと下段１０６ｃとに区画されている。そして、
中段１０６ｂには、電磁シールド２０が嵌装されてい
る。発光素子２と受光素子４と信号増幅回路素子８と
は、何れも電磁シールド２０に定電位接続されている。
電磁シールド２０もまた、本発明の光信号処理パッケー
ジにおける定電位接続部材に相当する。
【００８４】電磁シールド２０は、第３実施形態に係る
光信号処理パッケージ１０４における電磁シールド１８
と同様の構成を有している。
【００８５】信号増幅回路素子８は、第３実施形態に係
る光信号処理パッケージ１０４と同様にフレキシブル基
板６にフリップチップ実装され、球状の半田バンプ１６
により、電気配線層６４に接続されている。
【００８６】そして、信号増幅回路素子８における電気
配線層６４に接続された側とは反対側の面に後述するヒ
ートシンク２４を装着できるように、前記面の近傍部分
がパッケージ１２の外部に露出している。
【００８７】光信号処理パッケージ１０６は、前記以外
の点においては、第２の実施形態に係る光信号処理パッ
ケージ１０２と同様の構成を有している。したがって、
光信号処理パッケージ１０６は、第２の実施形態に係る
光信号処理パッケージ１０２と同様の特長を有する。
【００８８】更に、光信号処理パッケージ１０６は、前
述のように電磁シールド２０を有するから、発光素子２
および受光素子４と信号増幅回路素子８との間における
電気信号の授受が外部の電磁ノイズにより妨害されるこ
とがないという特長も有する。
【００８９】５．第５実施形態 第３実施形態に係る光信号処理パッケージを多層配線基
板に実装した信号処理装置の一例を図５に示す。図５に
おいて、（ａ）は、前記配線基板に実装された前記光信
号処理パッケージを図３におけるＸの方向から見たとこ
ろを示し、（ｂ）は、図３におけるＹの方向から見たと
ころを示す。
【００９０】図５に示す信号処理装置４００の備える多
層配線基板３００は、絶縁層３０２と、絶縁層３０２の
表面にエッチング法などにより形成された電気配線層３
０４とが交互に積層された多層配線基板であり、本発明
に係る信号処理装置における配線基板に相当する。ただ
し、前記光信号処理パッケージが実装される配線基板
は、多層配線基板３００のような多層構造を有する配線
基板には限定されず、単層のプリント配線基板であって
もよい。また、図５に示す多層配線基板３００には、絶
縁層３０２および電気配線層３０４がそれぞれ６層づつ
設けられているが、絶縁層３０２および電気配線層３０
４の層数は、６層には限定されない。
【００９１】多層配線基板３００の中央部には、矩形の
平面形状を有するスルーホール３０６が穿設され、前記
スルーホール３０６には、図３に示す光信号処理パッケ
ージ１０４が嵌装されている。
【００９２】光信号処理パッケージ１０４は、図５に示
すように、翼状部６ａに設けられた半田バンプ面６ｂに
おいて、球状の半田バンプ２２を介して多層配線基板３
００における最上層の電気配線層３０４に接続されてい
る。
【００９３】光信号処理パッケージ１０４が備える信号
増幅回路素子８の図５における上面、即ちパッケージ１
２の外部に露出した側の面には、ヒートシンク２４が固
定されている。ヒートシンク２４には、垂直方向に延在
する放熱フィン２４ａが、一定の間隔で多数設けられて
いる。ヒートシンク２４は、例えば銅およびアルミニウ
ムなどの高熱伝送性の金属により形成できる。
【００９４】多層配線基板３００の下面には、光伝送路
２００が設けられている。
【００９５】図５において（ｂ）に示すように、光伝送
路２００における多層配線基板３００に当接する側の面
の一端部近傍に、発光素子２からの光信号が入射し、受
光素子４に向かって光信号が出射する光信号入出射面２
００ａが形成されている。光伝送路２００における光信
号入出射面２００ａが形成された側の端面には、光信号
入出射面２００ａに対して４５°の角度を有するように
形成された４５度面２００ｂが形成されている。光伝送
路２００における４５度面２００ｂとは反対側の端面に
は、入射した光信号を反射する反射面（図示せず。）が
形成されている。
【００９６】光伝送路２００は、光信号が透過する透明
性媒体により形成できる。前記透明性媒体としては、ポ
リメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリメチ
ルペンテンなどのアモルファスポリオレフィン、および
弗化ビニリデン、テトラフルオロエチレンなどの弗素系
樹脂のような光学プラスチック材料、ならびに石英、石
英ガラス、弗化物系ガラス、アルミノ珪酸塩ガラス、燐
酸ガラス、および弗燐酸ガラスなどの無機ガラスなどが
挙げられる。
【００９７】光伝送路２００は、図５に示すように、光
信号入出射面２００ａが光信号処理パッケージ１０４の
発光受光面１４に向かい合う位置に設けられている。
【００９８】信号処理装置４００においては、多層配線
基板３００上に設けられた１の電子回路（図示せず。）
からの電気信号は、電気配線層３０４および半田バンプ
２２を通り、光信号処理パッケージ１０４のフレキシブ
ル基板６における半田バンプ面６ｂおよび電気配線層６
４を通って発光素子２に伝達され、光信号に変換され
る。
【００９９】発光素子２から出射した光信号は、図５に
おいて矢印ａで示すように、光信号処理パッケージ１０
４のにおける発光受光面１４を通過して光信号入出射面
２００ａから光伝送路２００の内部に入射する。そし
て、４５度面２００ｂにおいて入射方向に対して直角の
方向に反射して光伝送路２００における反射面に向かっ
て伝播する。前記反射面で反射された光信号は、図５に
おいて矢印ｂで示すように、再び光伝送路２００内を伝
播し、４５度面２００ｂで反射され、光信号入出射面２
００ａから発光受光面１４に入射し、受光素子４で受光
される。
【０１００】前記光信号は、受光素子４において電気信
号に変換され、信号増幅回路素子８において増幅され、
フレキシブル基板６における電気配線層６４、半田バン
プ２２、および電気配線層３０４を通って多層配線基板
３００上に設けられた他の電子回路（図示せず。）に伝
達される。
【０１０１】このように、信号処理装置４００において
は、光電気混載基板１０４と光伝導路２００とによって
光データバスが形成され、前記電子回路間における信号
の授受は、光信号の形で、前記光データバスを通して行
なわれるので、前記電子回路間においては、大量のデー
タを効率的に授受できる。
【０１０２】また、光信号処理パッケージ１０４は、底
面に発光受光面１４を有するから、スルーホール３０６
にどの向きで差し込んでも光伝送路２００と光学的に結
合でき、光データバスを形成できる。したがって、光信
号処理パッケージ１０４のパッシブアラインメントが可
能になる。
【０１０３】更に、消費電力が数十ｍＷと大きな信号増
幅回路素子８を使用した場合においても、ヒートシンク
２４によって、発生熱が効果的に発散されるから、発光
素子２および受光素子４の動作が不安定になることがな
い。
【０１０４】更に、光信号処理パッケージ１０４は多層
配線基板３００に半田バンプ２２を介して接続されるか
ら、自動実装に容易に対応できる。
【０１０５】６．第６実施形態 第４実施形態に係る光信号処理パッケージを多層配線基
板に実装した信号処理装置の一例を図６に示す。図６に
おいて、図４および図５と同一の符号は、前記符号が図
４および図５において示す構成要素と同一の構成要素を
示す。
【０１０６】図６に示す信号処理装置４０２の備える多
層配線基板３０８は、絶縁層３０２および電気配線層３
０４が交互に５層づつ積層された多層配線基板であり、
複数の電子回路（図示せず。）が実装されている。な
お、多層配線基板３０８においては、絶縁層３０２およ
び電気配線層３０４の層数は、５層には限定されない。
【０１０７】多層配線基板３０８の中央部には、矩形の
平面形状を有するスルーホール３１０が穿設され、第4
実施形態に係る光信号処理パッケージ１０６が挿通され
ている。図６に示すように、光信号処理パッケージ１０
６の下半部は、多層配線基板３０８よりも下方に突出
し、したがって発光受光面１４も多層配線基板３０８の
下方に位置する。
【０１０８】光信号処理パッケージ１０６における信号
増幅回路素子８の上面には、ヒートシンク２４が設けら
れている。
【０１０９】多層配線基板３０８の下面には、図６に示
すように、スラブ状の光伝送路２０２が設けられてい
る。
【０１１０】光伝送路２０２においては、発光素子２か
らの光信号が入射し、受光素子４に向かって光信号が出
射する光信号入出射面２０２ａが一方の端面に形成さ
れ、光信号入出射面２００ａとは反対側の端面に、入射
した光信号を光信号入出射面２００ｂに向かって反射す
る反射面（図示せず。）が形成されている。
【０１１１】光伝送路２０２は、光伝送路２００のとこ
ろで述べたのと同様の透明性媒体により形成できる。
【０１１２】光伝送路２０２は、図６に示すように、光
信号入出射面２０２ａが光信号処理パッケージ１０６の
発光受光面１４に当接する位置に設けられている。
【０１１３】信号処理装置４０２においても、多層配線
基板３０８上の１の電子回路からの電気信号が、信号処
理装置４００と同様の経路を通って光信号処理パッケー
ジ１０６における発光素子２に伝達され、光信号に変換
される。
【０１１４】発光素子２から出射した光信号は、発光受
光面１４を通過して光信号入出射面２０２ａから光伝送
路２０２の内部に入射し、伝送路２００における反射面
で反射される。反射された光信号は、光信号入出射面２
００ａから発光受光面１４に入射し、受光素子４で受光
される。
【０１１５】前記光信号は、受光素子４において電気信
号に変換され、信号増幅回路素子８において増幅され、
信号処理装置４００と同様の経路を通って多層配線基板
３０８上に設けられた他の電子回路（図示せず。）に伝
達される。
【０１１６】このように、信号処理装置４０２において
も、光電気混載基板１０６と光伝導路２０２とによって
光データバスが形成され、前記電子回路間における信号
の授受は、光信号の形で、前記光データバスを通して行
なわれるので、前記電子回路間においては、大量のデー
タを効率的に授受できる。
【０１１７】また、信号処理装置４００と同様に、大出
力の信号増幅回路素子８を使用した場合においても、ヒ
ートシンク２４によって、発生熱が効果的に発散される
から、発光素子２および受光素子４の動作が不安定にな
ることがない。
【０１１８】更に、前述のように、光伝送路２０２にお
いては、光信号が入射する側の端部を４５度面に仕上げ
る必要がなく、前記透明性媒体のスラブの一端に反射面
を形成するだけでよいから、光伝送路２００に比較して
更に作製が容易である。
【０１１９】なお、信号処理装置４０２においては、発
光受光面１４が光信号入出射面２０２ａに当接するよう
に、光信号処理パッケージ１０６をスルーホール３１０
に挿入する必要があるので、光信号処理パッケージ１０
６の角に切り欠きを設けたり、光信号処理パッケージ１
０６と配線基板３０８とに位置合わせ用のマークを附し
たりして、光信号処理パッケージ１０６の挿入方向が容
易に判るようにすることが好ましい。
【０１２０】７．第７実施形態 第４実施形態に係る光信号処理パッケージを多層配線基
板に実装した信号処理装置の別の例を図７に示す。図７
において、図４および図５と同一の符号は、前記符号が
図４および図５において示す構成要素と同一の構成要素
を示す。
【０１２１】図７に示す信号処理装置４０４の備える多
層配線基板３１２は、絶縁層３０２および電気配線層３
０４が交互に９層づつ積層された多層配線基板であり、
複数の電子回路（図示せず。）が実装されている。更
に、多層配線基板３１２の内部には、光伝送路２０２が
埋設されている。
【０１２２】多層配線基板３１２の中央部には、矩形の
平面形状を有するスルーホール３１４が穿設され、スル
ーホール３１４に、第4実施形態に係る光信号処理パッ
ケージ１０６が嵌装されている。前述のように、光伝送
路２０２は、多層配線基板３１２の内部に埋設されてい
るから、図７に示すように、光信号処理パッケージ１０
６は、スルーホール３１４の内部において、光伝送路２
０２に光学的に結合される。
【０１２３】信号処理装置４０４においても、多層配線
基板３１２上の１の電子回路からの電気信号は、信号処
理装置４０２と同様にして光信号処理パッケージ１０６
および光伝送路２０２を経由して多層配線基板３１２上
の他の電子回路に伝達される。
【０１２４】信号処理装置４０４は、信号処理装置４０
２と同様の特長を有する。
【０１２５】更に、光信号処理パッケージ１０６は、ス
ルーホール３１４の内部において光伝送路２０２に光学
的に結合されているから、光信号処理パッケージ１０６
の発光受光面１４と光伝送路２０２の光信号入出射面２
０２ａとの間で光信号が授受される際の損失が特に少な
い。
【０１２６】なお、信号処理装置４０４においても、信
号処理装置４０２のところで述べたのと同様の理由か
ら、光信号処理パッケージ１０６の角に切り欠きを設け
たり、光信号処理パッケージ１０６と配線基板３１２と
に位置合わせ用のマークを附したりして、光信号処理パ
ッケージ１０６の挿入方向が容易に判るようにすること
が好ましい。
【０１２７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明により提供さ
れる光信号処理パッケージは、熱に敏感な発光素子およ
び受光素子と消費電力の大きな信号増幅回路素子とが熱
的に分離された構造を有するから、前記光信号処理パッ
ケージにおいては、信号増幅回路素子からの熱で発光素
子および受光素子の動作が不安定になることがない。
【０１２８】また、複数の電子回路を有する配線基板上
にスルーホールを設け、前記光信号処理パッケージを前
記スルーホールに差し込むだけで、発光素子と受光素子
と信号増幅回路素子とを一括して前記配線基板に実装で
きる。そして、光信号処理パッケージにおける発光素子
と受光素子とを光伝送路に光学的に接続することによ
り、前記配線基板において光データバスを形成できる。
【０１２９】また、前記配線基板との接続に半田バンプ
を用いることにより、自動実装にも容易に対応できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る光信号処理パッケージの一例を
示す概略図である。
【図２】 本発明に係る光信号処理パッケージの別の一
例を示す概略図である。
【図３】 定電位接続部材を有する光信号処理パッケー
ジの例を示す概略図である。
【図４】 定電位接続部材を有する光信号処理パッケー
ジの別の例を示す概略図である。
【図５】 本発明に係る信号処理装置の一例を示す断面
図である。
【図６】 本発明に係る信号処理装置の別の例を示す断
面図である。
【図７】 本発明に係る信号処理装置の更に別の例を示
す断面図である。
【図８】 従来の光電気混載基板の一例を示す概略図で
ある。
【符号の説明】
２ 発光素子 ４ 受光素子 ６ フレキシブル基板 ６ａ 翼状部 ６ｂ 半田バンプ面 ８ 信号増幅回路素子 １２ パッケージ １４ 発光受光面 １８ 電磁シールド ２０ 電磁シールド ２２ 半田バンプ ２４ ヒートシンク ６２ フィルム基板 ６４ 電気配線層 １００ 光信号処理パッケージ １０２ 光信号処理パッケージ １０４ 光信号処理パッケージ １０６ 光信号処理パッケージ ２００ 光伝送路 ２０２ 光伝送路 ３００ 多層配線基板 ３０６ スルーホール ３０８ 多層配線基板 ３１０ スルーホール ３１２ 多層配線基板 ３１４ スルーホール ４００ 信号処理装置 ４０２ 信号処理装置 ４０４ 信号処理装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上村 健 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 山田 秀則 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 岡田 純二 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 逆井 一宏 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 経塚 信也 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 浜田 勉 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 小関 忍 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 石田 裕規 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 三浦 昌明 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 小林 健一 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 久保寺 忠 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼロ ックス株式会社海老名事業所内 (72)発明者 脇田 城治 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼロ ックス株式会社海老名事業所内 (72)発明者 手塚 克己 埼玉県岩槻市府内３丁目７番１号 富士ゼ ロックス株式会社岩槻事業所内 (72)発明者 清水 崇彦 埼玉県岩槻市府内３丁目７番１号 富士ゼ ロックス株式会社岩槻事業所内 Ｆターム(参考） 5E338 AA05 AA12 BB51 BB75 EE01 EE11 5F088 BA03 BA10 BB01 JA03 JA10 JA14 JA20 KA10 5F089 AA01 AC11 AC16 AC26 CA03 CA11 FA05

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子回路が設けられた配線基板に実装
    される光信号処理パッケージであって、 内部が２段以上に区画されたパッケージと、 前記パッケージ内部における１の段に設けられ、前記パ
    ッケージの外部からの光信号を受光して電気信号に変換
    する受光素子と、 前記パッケージ内部における他の段に設けられてなり、
    前記受光素子からの電気信号を増幅する信号増幅回路素
    子と、 前記配線基板への実装時において、前記信号増幅回路素
    子を前記配線基板における前記電子回路に電気的に接続
    する電気的接続手段とを備えてなることを特徴とする光
    信号処理パッケージ。
  2. 【請求項２】 複数の電子回路が設けられた配線基板
    に実装される光信号処理パッケージであって、 内部が２段以上に区画されたパッケージと、 前記パッケージ内部における１の段に設けられ、前記パ
    ッケージの外部からの光信号を受光して電気信号に変換
    する受光素子と、 前記パッケージ内部における前記受光素子が設けられた
    段と同じ段または異なる段に設けられ、前記パッケージ
    の外部からの電気信号を光信号に変換して送出する発光
    素子と、 前記パッケージ内部における前記受光素子および前記発
    光素子が設けられた段とは異なる段に設けられてなり、
    前記受光素子からの電気信号を増幅する信号増幅回路素
    子と、 前記配線基板への実装時において、前記発光素子を、前
    記配線基板における１の電子回路に電気的に接続し、前
    記信号増幅回路素子を前記配線基板における他の電子回
    路に電気的に接続する電気的接続手段とを備えてなるこ
    とを特徴とする光信号処理パッケージ。
  3. 【請求項３】 前記発光素子と前記受光素子とが前記
    パッケージにおける同一の段に設けられてなる請求項２
    に記載の光信号処理パッケージ。
  4. 【請求項４】 前記パッケージの内部が３段以上に区
    分されてなり、 前記パッケージにおける発光素子および受光素子が設け
    られてなる段と信号増幅回路素子が設けられてなる段と
    の間の段に、金属で形成されてなり、前記発光素子およ
    び前記受光素子と前記信号増幅回路素子とを定電位接続
    する定電位接続部材が配置されてなる請求項３に記載の
    光信号処理パッケージ。
  5. 【請求項５】 一枚の耐熱性プラスチックから形成さ
    れたフィルム基板と、前記フィルム基板の少なくとも一
    方の面に形成された電気配線層とを有し、前記パッケー
    ジ内部を２段以上に区分し、前記信号増幅回路素子が実
    装されてなるフレキシブル基板を備え、 前記電気的接続手段は、前記フレキシブル基板の一部が
    前記パッケージの外部に露出してなり、配線基板への実
    装時において、前記電気配線層を介して前記信号増幅回
    路素子を前記配線基板における１の電子回路に電気的に
    接続する露出部を備えてなる請求項1〜４に記載の光信
    号処理パッケージ。
  6. 【請求項６】 前記信号増幅回路素子の一部が前記パ
    ッケージの外部に露出してなり、更に、前記信号増幅回
    路素子における前記露出部に放熱手段が設けられてなる
    請求項１〜５の何れか１項に記載の光信号処理パッケー
    ジ。
  7. 【請求項７】 請求項１〜６の何れか１項に記載の光
    信号処理パッケージと、 前記光信号処理パッケージが実装される配線基板と、 前記光信号処理パッケージが前記配線基板に実装された
    状態において、前記光信号処理パッケージにおける受光
    素子または発光素子および受光素子と光結合される光伝
    送路とを備えてなることを特徴とする信号処理装置。
  8. 【請求項８】 前記配線基板は、前記光信号処理パッ
    ケージが挿通されるスルーホールを備え、 前記光伝送路は、前記配線基板における前記スルーホー
    ルに前記光信号処理パッケージを嵌装したときに、前記
    光信号処理パッケージの有する受光素子または発光素子
    および受光素子に光学的に結合される位置に設けられて
    なる請求項７に記載の信号処理装置。
  9. 【請求項９】 前記配線基板は、前記光信号処理パッ
    ケージにおける前記スルーホールに挿通される方向に沿
    った寸法よりも大きな厚みを有してなる請求項８に記載
    の信号処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記光伝送路は、前記配線基板におけ
    る前記光信号処理パッケージが実装される実装面とは反
    対側の面に設けられてなる請求項７〜９の何れか１項に
    記載の信号処理装置。
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