JP2002079216A

JP2002079216A - 生ごみ処理装置

Info

Publication number: JP2002079216A
Application number: JP2000267853A
Authority: JP
Inventors: Masaki Harada; 雅樹原田; Toshihiro Tamura; 敏裕田村; Masahiko Asada; 雅彦浅田
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2000-09-04
Filing date: 2000-09-04
Publication date: 2002-03-19
Anticipated expiration: 2020-09-04
Also published as: JP3433164B2

Abstract

(57)【要約】【課題】処理槽内の混合物の含水率を光学的に測定す
る装置を具えた生ごみ処理装置において、含水率につい
て安定した測定値を得る。【解決手段】本発明の生ごみ処理装置は、含水率検出
器６と攪拌棒の回転角度を検出するエンコーダ７と制御
装置５とを具え、含水率検出器６は、処理槽12内の混合
物10に光を照射するタングステンランプ61と、混合物10
からの反射光を受けて受光量の大きさに応じた出力を発
するシリコンフォトダイオード62と、混合物10からの反
射光を受けて受光量の変化に応じた出力を発する焦電素
子63とを具え、制御装置５は制御回路51を具えている。
制御回路51は、エンコーダ７の出力信号に基づいて、攪
拌棒の回転角度θが２０〜３０度となる時点を検知し、
該検知時点におけるシリコンフォトダイオード62及び焦
電素子63の出力信号に基づいて、処理槽12内の混合物10
の含水率を算出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、処理槽内に、生ご
みと生ごみ処理材の混合物を収容し、該混合物の含水率
を調整して、生ごみを分解処理する生ごみ処理装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、生ごみ処理材となる多孔質の木質
細片(ホールチップ)が充填されている処理槽内に、生ご
みを投入して、生ごみとホールチップとを攪拌して混合
することにより、該混合物に生息する微生物によって、
生ごみを水と炭酸ガス等に分解する生ごみ処理装置が知
られている。この様な生ごみ処理装置においては、生ご
み・チップ混合物の含水率を微生物の生息に適した範囲
に調整することによって、処理効率を向上させることが
出来る。そこで、生ごみ処理装置においては、処理槽内
に空気を送り込む送風機構と、処理槽内の生ごみ・チッ
プ混合物を加熱して乾燥させるヒータを装備し、更に必
要に応じて、処理槽内の生ごみ・チップ混合物に水を供
給する給水装置を装備して、含水率を調整することが行
なわれている。

【０００３】含水率を自動的に最適調整するためには、
処理槽内の生ごみ・チップ混合物の含水率を測定する必
要がある。従来、含水率の測定方法としては、一対の電
極を生ごみ・チップ混合物に接触させて、両電極間の電
気抵抗を測定することにより、含水率を検出する方法
(特開平7-33572号)や、発熱抵抗体を生ごみ・チップ混
合物に接触させて、生ごみ・チップ混合物の温度上昇を
測定することにより、含水率を検出する方法(特開平8-5
7458号)が提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一対の
電極を用いた含水率測定方法においては、一対の電極間
に電解質の溶液や物質が介在した場合、これによって電
極間の電気抵抗が大きく変化するため、含水率の測定値
に大きな誤差を生じる問題がある。又、発熱抵抗体を用
いた含水率測定方法においては、発熱抵抗体と生ごみ・
チップ混合物の密着性が悪いとき、含水率の測定精度が
低下する問題がある。

【０００５】そこで、出願人は、生ごみ・チップ混合物
の含水率を光学的に測定することによって測定精度の向
上を図った含水率測定装置を開発し、該装置を具えた生
ごみ処理装置を特許出願中である(特願2000-087235号
等)。上記含水率測定装置は、生ごみ・チップ混合物に
光を照射するタングステンランプと、生ごみ・チップ混
合物から反射されてくる光を検知するシリコンフォトダ
イオード及び焦電素子とを具え、シリコンフォトダイオ
ードを用いて検出される反射光量と焦電素子を用いて検
出される反射光量の比に基づいて、生ごみ・チップ混合
物の含水率を算出するものである。

【０００６】尚、シリコンフォトダイオードは、水に対
する透過率が大きな第１の波長域(１μｍ未満)に感度を
有するのに対し、焦電素子は、水に対する透過率が小さ
な第２の波長域(１μｍ以上)に感度を有している。従っ
て、生ごみ・チップ混合物の含水率の違いに応じて、焦
電素子による光検知量に大きな変化が生じるのに対し、
シリコンフォトダイオードによる光検知量には殆ど変化
が生じない。そこで、シリコンフォトダイオードによる
光検知量と焦電素子による光検知量の比をとれば、後述
する公知のランベルト−ベールの式を用いて、前記光検
知量の比から生ごみ・チップ混合物の含水率を算出する
ことが出来る。

【０００７】上記含水率測定装置によれば、処理槽の外
部から光学的に生ごみ・チップ混合物の含水率を測定す
ることが出来るので、上述した従来の含水率測定方法に
おける問題はなく、従来よりも高い測定精度が得られ
る。

【０００８】しかしながら、出願人の研究によれば、上
記含水率測定装置を具えた生ごみ処理装置においては、
生ごみ・チップ混合物の含水率について安定した測定値
が得られないことが判明した。本発明の目的は、処理槽
内の混合物の含水率を光学的に測定する装置を具えた生
ごみ処理装置において、含水率について安定した測定値
を得ることである。

【０００９】

【課題を解決する為の手段】出願人は、含水率について
安定した測定値が得られない原因を次のように究明し
た。即ち、光学式の含水率検出器を具えた生ごみ処理装
置においては、処理槽内の生ごみ・チップ混合物が十分
に攪拌されている状態で含水率を測定することが望まし
いため、図７に示す如く攪拌棒(２)の先端部が下死点を
通過する時点で該先端部と対向する位置に含水率検出器
(６)が配置されて、攪拌棒(２)の回転中に含水率が測定
される。従って、図示の如く攪拌棒(２)の先端部が下死
点を通過する時点や図８に示す如く攪拌棒(２)の先端部
が下死点を通過した直後に、タングステンランプ(61)か
ら光が出射されて反射光量が検出される場合がある。

【００１０】図７に示す如く攪拌棒(２)の先端部が下死
点を通過する時点でタングステンランプ(61)から光が出
射された場合、攪拌棒(２)の先端部がタングステンラン
プ(61)からの光の照射領域の中心部を覆った状態で、反
射光量が検出されることになる。又、攪拌棒(２)が回転
する過程で、攪拌棒(２)の後方部には、図７及び図８に
示す如く多数の空隙を有する空隙部(15)が形成される。
従って、図８に示す如く攪拌棒(２)の先端部が下死点を
通過した直後にタングステンランプ(61)から光が出射さ
れた場合、タングステンランプ(61)からの光の照射領域
の中心部に空隙部(15)が形成されている状態で、反射光
量が検出されることになる。この様に、タングステンラ
ンプ(61)から光が出射されるタイミングによって該光の
照射領域の状態が異なるため、シリコンフォトダイオー
ド(62)及び焦電素子(63)による光検知量に大きなばらつ
きが生じて、含水率について安定した測定値が得られな
いのである。

【００１１】本発明に係る生ごみ処理装置は、回転によ
って処理槽内の混合物を攪拌する攪拌装置と、該攪拌装
置の回転角度を検出する回転角度センサと、処理槽内の
混合物の含水率を検出する含水率検出装置と、検出され
た含水率に基づいて含水率を調整する含水率調整装置と
を具えている。そして、前記含水率検出装置は、水に対
する透過率が大きな第１の波長域及び水に対する透過率
が小さな第２の波長域を含む光を前記混合物に照射する
発光素子と、前記第１の波長域に感度を有し、処理槽内
の混合物からの反射光を受けて、受光量の大きさに応じ
た出力を発する第１受光素子と、前記第２の波長域に感
度を有し、処理槽内の混合物からの反射光を受けて、受
光量の大きさ若しくはその変化に応じた出力を発する第
２受光素子と、攪拌装置の動作中、回転角度センサの出
力信号に基づいて、攪拌装置が所定の回転角度姿勢を通
過する時点を検知し、該検知時点における前記第１及び
第２受光素子の出力信号に基づいて、処理槽内の混合物
の含水率を算出する演算処理回路とを具えている。

【００１２】上記生ごみ処理装置においては、発光素子
から発せられた光の内、第１波長域の成分は第１受光素
子によって検知され、第２波長域の成分は第２受光素子
によって検知される。ここで、処理槽内の混合物の含水
率が大きい場合と小さい場合を比較したとき、第１受光
素子によって検知される光成分の波長域(第１の波長域)
では水に対する透過率が大きいため、第１受光素子によ
る光検知量に殆ど差は生じないが、第２受光素子によっ
て検知される光成分の波長域(第２の波長域)では水に対
する透過率が小さいため、第２受光素子による光検知量
に差が生じることになる。従って、第１受光素子による
光検知量に対する第２受光素子による光検知量の比をと
れば、この比が大きい程、混合物の含水率が小さく、こ
の比が小さい程、混合物の含水率が大きくなる。そこ
で、第１受光素子及び第２受光素子の出力信号に基づい
て、処理槽内の混合物の含水率が算出される。

【００１３】本発明に係る生ごみ処理装置においては、
攪拌装置の動作中、攪拌装置が所定の回転角度姿勢を通
過する時点で処理槽内の混合物の含水率が算出される。
ここで、発光素子からの光の照射領域の状態は、攪拌装
置の動作に伴って変化するが、攪拌装置が同じ回転角度
姿勢を通過する時点では同じ状態である。従って、攪拌
装置が同じ回転角度姿勢を通過する時点での第１受光素
子による光検知量及び第２受光素子による光検知量に大
きなばらつきはなく、含水率について安定した測定値が
得られる。

【００１４】具体的には、前記攪拌装置は回転軸に１或
いは複数本の攪拌棒を突設して構成され、処理槽は、混
合物が接触する壁面の少なくとも一部に光透過部を具
え、該光透過部に対向して、前記発光素子、第１受光素
子及び第２受光素子が処理槽の外部に配置されており、
前記演算処理回路は、特定の攪拌棒の先端部が発光素子
の照射領域の中心部に最も接近する第１角度位置よりも
一定角度だけ手前の第２角度位置を通過する時点を検知
し、該検知時点における第１及び第２受光素子の出力信
号に基づいて、処理槽内の混合物の含水率を算出する。

【００１５】該具体的構成においては、発光素子からの
光が光透過部を通過して、処理槽内の混合物に照射さ
れ、混合物にて反射された光が光透過部を通過して、第
１受光素子及び第２受光素子に入射する。そして、特定
の攪拌棒の先端部が発光素子の照射領域の中心部に最も
接近する第１角度位置よりも一定角度だけ手前の第２角
度位置を通過する時点での第１及び第２受光素子の出力
信号に基づいて、含水率が算出される。ここで、前記特
定の攪拌棒が第２角度位置を通過する時点では、処理槽
内の混合物が、該攪拌棒により発光素子の照射領域の中
心部に向けて押されて、該照射領域における処理槽壁面
と混合物の接触状態が安定する。この様に、特定の攪拌
棒が第２角度位置を通過する時点では、発光素子の照射
領域における処理槽壁面と混合物の接触状態が安定して
いるので、該時点での第１受光素子による光検知量及び
第２受光素子による光検知量に殆どばらつきはなく、含
水率について、より安定した測定値が得られる。

【００１６】

【発明の効果】本発明に係る生ごみ処理装置によれば、
処理槽内の混合物の含水率について安定した測定値が得
られる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、図面に沿って具体的に説明する。本発明に係る生ご
み処理装置は、図１及び図２に示す如く、上方が開口し
たケーシング(１)と、ケーシング(１)の開口部に開閉可
能に枢支された蓋(11)とを具え、ケーシング(１)の内部
には、生ごみ・チップ混合物(10)を収容すべき処理槽(1
2)が配備されている。処理槽(12)は、可視光領域及び近
赤外光領域を含む広帯域の波長の光を透過させることが
可能な材料、色、及び厚さにて構成されており、例え
ば、厚さ２ｍｍの白色のポリカーボネートを用いて形成
されている。

【００１８】処理槽(12)の内部には、シャフト(21)が水
平に架設され、該シャフト(21)の周囲に放射状に複数本
の攪拌棒(２)が突設されている。該シャフト(21)の一方
の端部は、動力伝達機構(22)を介して、モータ(23)に繋
がっており、モータ(23)の駆動によって、攪拌棒(２)を
回動させて、生ごみ・チップ混合物(10)を攪拌すること
が可能となっている。

【００１９】処理槽(12)の外面には面状のヒータ(３)が
取り付けられており、処理槽(12)内の生ごみ・チップ混
合物(10)を加熱することが可能となっている。又、処理
槽(12)の上部には、排気ファン(４)が配備され、該排気
ファン(４)は、排気路(14)を経て排気口(13)に繋がって
おり、排気ファン(４)の駆動によって、処理槽(12)内を
換気することが可能となっている。更に処理槽(12)に
は、必要に応じて給水機構(図示省略)が接続され、処理
槽(12)内に水を供給することが可能となっている。

【００２０】更に、本発明に係る生ごみ処理装置におい
ては、処理槽(12)の底壁の外側には、処理槽(12)内の生
ごみ・チップ混合物(10)の含水率を光学的に測定するた
めの含水率検出器(６)が取り付けられている。含水率検
出器(６)は、１本の攪拌棒(２)の先端部が下死点を通過
する時点で該先端部が対向する位置に配置されており、
シャフト(21)の端部には、該攪拌棒(２)の回転角度を検
出するエンコーダ(７)が取り付けられている。生ごみ・
チップ混合物(10)の含水率は、前記１本の攪拌棒(２)の
回転角度が所定の値となる時点で測定される。

【００２１】含水率検出器(６)は、図３に示す如く、処
理槽(12)に向けて取り付けられたタングステンランプ(6
1)、シリコンフォトダイオード(62)及び焦電素子(63)を
具えている。図４(ａ)に示す様に、タングステンランプ
(61)は、可視光領域と近赤外光領域とに跨った広い帯域
を有する光を出射するものである。又、図４(ｂ)に示す
様に、シリコンフォトダイオード(62)は、０.５μｍ〜
１.０μｍの比較的狭い波長域に感度を有し、焦電素子
(63)は、１.０μｍを越える広い波長域にフラットな感
度特性を有するものである。

【００２２】上述の如く、処理槽(12)は、可視光領域及
び近赤外光領域を含む広帯域の波長の光を透過させるこ
とが可能であるから、タングステンランプ(61)から出射
された光は、処理槽(12)を通過して、生ごみ・チップ混
合物(10)に照射され、生ごみ・チップ混合物(10)にて反
射された光は、処理槽(12)を通過して、シリコンフォト
ダイオード(62)及び焦電素子(63)に入射する。

【００２３】制御装置(５)は、マイクロコンピュータか
らなる制御回路(51)を具えており、該制御回路(51)によ
ってタングステンランプ(61)の点灯が制御されている。
又、シリコンフォトダイオード(62)及び焦電素子(63)の
出力信号は、それぞれアンプ(52)(53)を経て、制御回路
(51)に供給されている。又、前記エンコーダ(７)の出力
信号も制御回路(51)に供給されている。制御回路(51)
は、エンコーダ(７)からの信号に基づいて、前記１本の
攪拌棒(２)の回転角度が所定の値となる時点を検知す
る。そして、該検知時点で、シリコンフォトダイオード
(62)及び焦電素子(63)からの信号に基づいて、生ごみ・
チップ混合物(10)の含水率を検出し、その結果に応じ
て、ヒータ(３)、排気ファン(４)及びモータ(23)の動作
を制御し、これによって、処理槽(12)内の生ごみ・チッ
プ混合物(10)の含水率を最適調整する。

【００２４】ここで本発明における含水率の検出原理
を、図４を用いて説明する。上述の如く、図４(ａ)は、
タングステンランプ(61)の分光分布特性を示しており、
可視光領域と近赤外光領域とに跨って光が分布してい
る。又、図４(ｂ)は、シリコンフォトダイオード(62)の
分光分布特性Ｐと焦電素子(63)の分光分布特性Ｑを表わ
しており、シリコンフォトダイオード(62)は０.５μｍ
〜１.０μｍの比較的狭い波長域に感度を有し、焦電素
子(63)は、１.０μｍを越える広い波長域にフラットな
感度特性を有している。

【００２５】図４(ｃ)は、タングステンランプ(61)から
発せられる光を直接に受光した場合の、シリコンフォト
ダイオード(62)による光検知量の分光分布特性Ｐ′と焦
電素子(63)による光検知量の分光分布特性Ｑ′とを表わ
している。但し、焦電素子(63)は、受光量の変化(微分)
に応じた信号を発する熱型センサーであるため、その出
力信号の波形を積分することによって、受光量の絶対値
に応じたデータが得られるが、本実施例では、近似的
に、その出力信号の波形のピーク値をもって積分値(光
検知量)とする。尚、シリコンフォトダイオード(62)及
び焦電素子(63)によって検知される光検知量の大きさ
は、それぞれ特性曲線Ｐ′及びＱ′で囲まれる領域の面
積に略比例する。

【００２６】図４(ｄ)は、可視光領域から近赤外光領域
にわたる波長域における光の水に対する透過率の分布を
表わしており、可視光領域では、略１の透過率となって
おり、殆ど光が吸収されないのに対し、近赤外光領域で
は、透過率が低下しており、多くの光が吸収されること
がわかる。

【００２７】図４(ｅ)は、タングステンランプ(61)から
発せられた光が水分を含む物質を透過して、シリコンフ
ォトダイオード(62)及び焦電素子(63)に入射した場合
の、シリコンフォトダイオード(62)による光検知量の分
布Ｐｎ(ｎ＝０、４０、８０)及び焦電素子(63)による光
検知量の分布Ｑｎ(ｎ＝０、４０、８０)を表わしてい
る。ここでｎは、前記物質の含水率(％)である。これら
の分布は、図４(ｃ)に示す分光分布特性Ｐ′、Ｑ′と、
図４(ｄ)に示す水の透過率特性の積として把握すること
が出来、シリコンフォトダイオード(62)及び焦電素子(6
3)による光検知量の大きさは、分布曲線Ｐｎ、Ｑｎで囲
まれる領域の面積に略比例する。

【００２８】図４(ｅ)から分かる様に、可視光領域にお
いては、水の透過率が略１であるので、含水率が変化し
てもシリコンフォトダイオード(62)の光検知量には殆ど
変化が見られないが、近赤外光領域においては、含水率
の変化に応じて光が吸収される度合いが変化するため、
焦電素子(63)による光検知量は、含水率に応じて変化す
ることになる。

【００２９】シリコンフォトダイオードによる光検知量
の大きさをＰs、焦電素子による光検知量の大きさをＱs
とすると、測定対象物の含水率Ｗは、ランベルト−ベー
ルの式を用いて、下記数１によって表わされる。

【００３０】

【数１】Ｘ＝−ｌｏｇ(Ｑｓ／Ｐｓ) Ｗ＝ａ・Ｘ＋ｂａ、ｂ：定数

【００３１】尚、上記数１の定数ａ、ｂは実験的に求め
られる。即ち、図５の如く、含水率が既知の複数の物質
について上記Ｘの値と含水率をプロットし、両者の関係
を直線近似することによって、その直線の傾きと接片か
ら定数ａ、ｂを決定することが出来る。

【００３２】上述の原理説明は、光が測定対象物(水を
含む物質)を透過してシリコンフォトダイオード及び焦
電素子に入射する場合を前提としているが、光が測定対
象物(水を含む物質)にて反射されて、その反射光がシリ
コンフォトダイオード及び焦電素子に入射する場合にも
成立する。これは、測定対象物からの反射光には、その
表面で反射された光以外に、測定対象物の内部へ侵入し
て、内部の粒子表面で反射された光、即ち拡散反射光が
含まれており、拡散反射光は、測定対象物の吸収特性の
影響を受けているからである。

【００３３】図６乃至図８は、前記1本の攪拌棒(２)の
回転によって処理槽(10)内の生ごみ・チップ混合物(10)
の状態が変化している様子を表わしている。尚、攪拌棒
(２)は、図中に実線の矢印で示す如く回転する。上記生
ごみ処理装置においては、３０分毎に数分間の頻度で、
生ごみ・チップ混合物(10)の攪拌が行なわれ、生ごみ・
チップ混合物(10)の含水率は、攪拌棒(２)の回転角度θ
が２０〜３０度となる時点で測定される。ここで、回転
角度θは、図６に示す如く、攪拌棒(２)の先端部が下死
点を通過する時点での角度を０度として攪拌棒(２)の回
転方向とは逆方向にとったものであり、含水率は、攪拌
棒(２)の先端部が下死点よりも手前の回転角度位置を通
過する時点で測定される。

【００３４】タングステンランプ(61)の照射領域(16)の
状態は、図６乃至図８に示す如く攪拌棒(２)の回転に伴
って変化するが、攪拌棒(２)の回転角度θが同一の値と
なる時点では同じ状態である。又、図６に示す如く攪拌
棒(２)の回転角度θが２０〜３０度となる時点では、処
理槽(12)内の生ごみ・チップ混合物(10)は、図中に破線
の矢印で示す如く攪拌棒(２)により処理槽(12)の底面に
向けて押され、生ごみ・チップ混合物(10)と処理槽(12)
の底面の接触状態が安定する。従って、攪拌棒(２)の回
転角度が２０〜３０度となる時点でシリコンフォトダイ
オード(62)及び焦電素子(63)を用いて検出される反射光
量に殆どばらつきはなく、生ごみ・チップ混合物(10)の
含水率について、安定した測定値が得られることにな
る。

【００３５】図９は、上記生ごみ処理装置における含水
率調整手続きを表わしている。先ず、ステップＳ１で
は、攪拌棒(２)による生ごみ・チップ混合物(10)の攪拌
が開始されたか否かを判断し、ノーの場合はステップＳ
１にて同じ判断を繰り返す。一方、ステップＳ１にてイ
エスと判断された場合は、ステップＳ２に移行してエン
コーダ(７)の出力値を取り込んだ後、ステップＳ３で
は、取り込んだ出力値に基づいて、前記攪拌棒(２)の回
転角度θが２０度以下であるか否かを判断する。ステッ
プＳ３にてイエスと判断された場合はステップＳ２に戻
る一方、ノーと判断された場合は、ステップＳ４に移行
して、前記回転角度θが３０度以上であるか否かを判断
し、イエスと判断された場合は、ステップＳ２に戻る。

【００３６】ステップＳ４にてノーと判断された場合
は、ステップＳ５に移行して、タングステンランプ(61)
から生ごみ・チップ混合物(10)に光を照射する。これに
よって、その反射光がシリコンフォトダイオード(62)及
び焦電素子(63)に入射し、制御回路(51)は、シリコンフ
ォトダイオード(62)及び焦電素子(63)の出力信号を取り
込んで、それぞれの光検知量の大きさを検出する。次に
ステップＳ６では、上記数１を用いて生ごみ・チップ混
合物(10)の含水率を算出する。その後、ステップＳ７で
は、その含水率が２５％を下回っているか否かを判断
し、イエスの場合は、ステップＳ８にて、ディスプレイ
(図示省略)に給水警告を表示して、ユーザに給水を促す
と共に、前記攪拌棒による攪拌時間を短縮して、含水率
を上昇させる。ステップＳ７にてノーと判断された場合
は、ステップＳ９に移行して、含水率が５０％を上回っ
ているか否かを判断する。ここでイエスと判断された場
合は、ステップＳ１０にて、前記ファンを回転させるこ
とによって処理槽内の換気を行なうと共に、前記攪拌棒
の回動による攪拌の時間を延長し、更には前記ヒータの
設定温度を上げることによって、含水率を低下させる。

【００３７】この結果、処理槽内の生ごみ・チップ混合
物は、その含水率が２５％〜５０％の範囲に調整され、
これによって、生ごみ分解処理の効率が高く維持される
と共に、分解に伴う異臭の発生が抑制される。

【００３８】本実施例の生ごみ処理装置においては、上
述の如く、タングステンランプ(61)の照射領域の状態が
同じであって、然も生ごみ・チップ混合物(10)と処理槽
(12)の底面の接触状態が安定する時点で生ごみ・チップ
混合物(10)の含水率が測定されるので、含水率について
安定した測定値が得られる。

【００３９】尚、本発明の各部構成は上記実施の形態に
限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の
変形が可能である。例えば、含水率検出器(６)は、処理
槽(12)の底壁の外側に取り付けているが、これに限ら
ず、処理槽(12)の側壁の外側に配置することも可能であ
る。又、処理槽(12)は、含水率検出器(６)が対向する部
分のみをポリカーボネート等の光透過性部材から構成す
ることも可能である。又、受光素子として、シリコンフ
ォトダイオード(62)と焦電素子(63)の組合せを用いてい
るが、これに限らず、水による吸収が弱い波長域に感度
を有する受光素子と水による吸収が強い波長域に感度を
有する受光素子の組合せであれば、シリコンフォトダイ
オードとゲルマニウムフォトダイオードの組合せ等、周
知の種々の受光素子の組合せを採用することが出来る。
更に、攪拌棒(２)の回転角度θが２０〜３０度になった
ときに生ごみ・チップ混合物(10)の含水率を測定する構
成を採用しているが、回転角度θは、処理槽(12)内の生
ごみ処理材の粘度に応じて任意の値に変更することが可
能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る生ごみ処理装置の断面図である。

【図２】該生ごみ処理装置の図１とは直交する方向の断
面図である。

【図３】含水率検出器及び制御装置の構成を表わすブロ
ック図である。

【図４】本発明における含水率検出の原理を説明する一
連のグラフである。

【図５】含水率の実測値と、焦電素子とシリコンフォト
ダイオードの出力比の対数値との関係を表わすグラフで
ある。

【図６】攪拌棒の先端部が下死点よりも手前の位置を通
過する時点での生ごみ・チップ混合物の状態を表わす図
である。

【図７】攪拌棒の先端部が下死点を通過する時点での生
ごみ・チップ混合物の状態を表わす図である。

【図８】攪拌棒の先端部が下死点を通過した直後の生ご
み・チップ混合物の状態を表わす図である。

【図９】本発明の生ごみ処理装置における含水率調整の
手続きを表わすフローチャートである。

【符号の説明】

(１) ケーシング (10) 生ごみ・チップ混合物 (11) 蓋 (12) 処理槽 (２) 攪拌棒 (３) ヒータ (４) 排気ファン (５) 制御装置 (６) 含水率検出器 (61) タングステンランプ (62) シリコンフォトダイオード (63) 焦電素子 (７) エンコーダ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者浅田雅彦大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内Ｆターム(参考） 2G059 AA01 AA02 BB08 CC09 DD05 DD16 EE01 EE02 EE11 FF06 HH01 HH02 HH06 KK03 MM01 MM09 MM12 PP01 4D004 AA03 BA04 CA15 CA19 CA22 CA48 CB04 CB06 CB28 CB32 CC08 DA01 DA04 DA09 DA13 DA17 4H061 AA03 CC47 CC55 DD20 EE64 EE66 FF06 GG43 GG48 GG67 GG68

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理槽内に、生ごみと生ごみ処理材の混
合物を収容し、該混合物の含水率を調整して、生ごみを
分解処理する生ごみ処理装置において、回転によって処
理槽内の混合物を攪拌する攪拌装置と、該攪拌装置の回
転角度を検出する回転角度センサと、処理槽内の混合物
の含水率を検出する含水率検出装置と、検出された含水
率に基づいて含水率を調整する含水率調整装置とを具
え、前記含水率検出装置は、水に対する透過率が大きな第１の波長域及び水に対する
透過率が小さな第２の波長域を含む光を前記混合物に照
射する発光素子と、前記第１の波長域に感度を有し、処理槽内の混合物から
の反射光を受けて、受光量の大きさに応じた出力を発す
る第１受光素子と、前記第２の波長域に感度を有し、処理槽内の混合物から
の反射光を受けて、受光量の大きさ若しくはその変化に
応じた出力を発する第２受光素子と、攪拌装置の動作中、回転角度センサの出力信号に基づい
て、攪拌装置が所定の回転角度姿勢を通過する時点を検
知し、該検知時点における前記第１及び第２受光素子の
出力信号に基づいて、処理槽内の混合物の含水率を算出
する演算処理回路とを具えていることを特徴とする生ご
み処理装置。
【請求項２】前記攪拌装置は回転軸に１或いは複数本
の攪拌棒を突設して構成され、処理槽は、混合物が接触
する壁面の少なくとも一部に光透過部を具え、該光透過
部に対向して、前記発光素子、第１受光素子及び第２受
光素子が処理槽の外部に配置されており、前記演算処理
回路は、特定の攪拌棒の先端部が発光素子の照射領域の
中心部に最も接近する第１角度位置よりも一定角度だけ
手前の第２角度位置を通過する時点を検知し、該検知時
点における第１及び第２受光素子の出力信号に基づい
て、処理槽内の混合物の含水率を算出する請求項１に記
載の生ごみ処理装置。