JP2002064311A - 位相をシフトさせる素子を伴ったマイクロストリップ技術を使用して産するｔ型回路 - Google Patents
位相をシフトさせる素子を伴ったマイクロストリップ技術を使用して産するｔ型回路Info
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- JP2002064311A JP2002064311A JP2001195323A JP2001195323A JP2002064311A JP 2002064311 A JP2002064311 A JP 2002064311A JP 2001195323 A JP2001195323 A JP 2001195323A JP 2001195323 A JP2001195323 A JP 2001195323A JP 2002064311 A JP2002064311 A JP 2002064311A
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- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/184—Strip line phase-shifters
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- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、Ｔ型回路が広い周波数帯域にわたっ
て制御することができるような位相をシフトさせる素子
からなるマイクロストリップ技術を用いて産するＴ型回
路の提供を目的とする。 【解決手段】拡張しているブランチの１つによって与え
られた位相シフトΦを生じる位相をシフトさせる素子
（６）と、ブロードバンドにおけるＴ型回路の制御から
構成され、同等長であるＬ２の２つのブランチ（２，
３）を持つマイクロストリップ技術を用いて産するＴ型
回路で、そのＴ型回路は、位相をシフトさせる素子を伴
わないでブランチ（３）を拡張している少なくとも１つ
以上のエルボ（４）から成り、及びλｇが案内された波
長の場合において、λｇ／２の倍数と同等の長さである
Ｌ２である特徴を持っている。特に、アンテナにおける
電源ネットワークへの適用となる。
て制御することができるような位相をシフトさせる素子
からなるマイクロストリップ技術を用いて産するＴ型回
路の提供を目的とする。 【解決手段】拡張しているブランチの１つによって与え
られた位相シフトΦを生じる位相をシフトさせる素子
（６）と、ブロードバンドにおけるＴ型回路の制御から
構成され、同等長であるＬ２の２つのブランチ（２，
３）を持つマイクロストリップ技術を用いて産するＴ型
回路で、そのＴ型回路は、位相をシフトさせる素子を伴
わないでブランチ（３）を拡張している少なくとも１つ
以上のエルボ（４）から成り、及びλｇが案内された波
長の場合において、λｇ／２の倍数と同等の長さである
Ｌ２である特徴を持っている。特に、アンテナにおける
電源ネットワークへの適用となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロストリッ
プ技術を用いて産するＴ型回路に関連しており、ブロー
ドバンドにおけるＴ型回路制御である与えられた位相シ
フトを供給する位相をシフトさせる素子から構成され
る。
プ技術を用いて産するＴ型回路に関連しており、ブロー
ドバンドにおけるＴ型回路制御である与えられた位相シ
フトを供給する位相をシフトさせる素子から構成され
る。
【０００２】本発明は、特に、ブロードバンドアンテナ
ネットワークの分野において適用できる。この種のネッ
トワークにおいて、周波数帯域幅は、しばしば自然な放
射素子の帯域幅及び電源ネットワークの帯域幅によって
限られている。これは、特に、放射素子の励起における
位相シフトによってもたらされる場合である。この種の
位相シフトは、特に、放射素子が産する場合、例えば、
プリントされた技術に用いられ、良く知られた順次回転
技術に用いられて励起される。上述した種類の放射素子
のネットワークにとって、電源ネットワークは、通常、
マイクロストリップ技術を用いて合成され、マイクロス
トリップラインでつながった少なくとも１つのＴ型回路
及び様々な放射素子につながるエルボから構成される。
それゆえ、電源ネットワークは、エネルギーをそれぞれ
の放射素子に分配する。所望の位相によって放射素子を
励起させるために、ラインのビットがＴ型回路若しくは
回路のある一部の場所に加えられる。しかしながら、こ
の位相シフトは、狭い周波数帯域にのみ有効である。
ネットワークの分野において適用できる。この種のネッ
トワークにおいて、周波数帯域幅は、しばしば自然な放
射素子の帯域幅及び電源ネットワークの帯域幅によって
限られている。これは、特に、放射素子の励起における
位相シフトによってもたらされる場合である。この種の
位相シフトは、特に、放射素子が産する場合、例えば、
プリントされた技術に用いられ、良く知られた順次回転
技術に用いられて励起される。上述した種類の放射素子
のネットワークにとって、電源ネットワークは、通常、
マイクロストリップ技術を用いて合成され、マイクロス
トリップラインでつながった少なくとも１つのＴ型回路
及び様々な放射素子につながるエルボから構成される。
それゆえ、電源ネットワークは、エネルギーをそれぞれ
の放射素子に分配する。所望の位相によって放射素子を
励起させるために、ラインのビットがＴ型回路若しくは
回路のある一部の場所に加えられる。しかしながら、こ
の位相シフトは、狭い周波数帯域にのみ有効である。
【０００３】Ｔ型回路のマイクロストリップライン及び
エルボの挙動は、実際には当業者によって十分に知られ
ており、狭い周波数帯域における制御の説明は供給され
る。
エルボの挙動は、実際には当業者によって十分に知られ
ており、狭い周波数帯域における制御の説明は供給され
る。
【０００４】マイクロストリップラインの場合、マイク
ロストリップラインの長さは、位相シフトΦ＝βＬとし
て表される。ここで、Ｌは、ラインの長さと等しく、β
は、位相定数である。既知の方法として、βは基板、周
波数、及びマイクロストリップラインの幅に依存し、そ
の値は、下記の式によって与えられる。
ロストリップラインの長さは、位相シフトΦ＝βＬとし
て表される。ここで、Ｌは、ラインの長さと等しく、β
は、位相定数である。既知の方法として、βは基板、周
波数、及びマイクロストリップラインの幅に依存し、そ
の値は、下記の式によって与えられる。
【０００５】β＝２π／λｇ
【０００６】
【数１】 であるとき、λｇは案内された波長である。
【０００７】上述の式において、εｒは、有効誘電定数
であり、ラインの幅、ラインが合成された場合の基板の
高さ、金属化の厚さ、基板の誘導定数及び波長に依存
し、λ０は真空下における波長である（周波数に関連し
て）。したがって、異なった周波数において、ラインが
なぜ同じ位相を持たないのか説明できる。
であり、ラインの幅、ラインが合成された場合の基板の
高さ、金属化の厚さ、基板の誘導定数及び波長に依存
し、λ０は真空下における波長である（周波数に関連し
て）。したがって、異なった周波数において、ラインが
なぜ同じ位相を持たないのか説明できる。
【０００８】
【従来の技術】すでに知られているように、図１に記載
されているようなＴ型回路は、ポート１とポート２間の
ラインの長さ及びポート１とポート３間のラインの長さ
は同じである。その結果、動作周波数に関わりなく、Ａ
ｎｇ（Ｓ２１）−Ａｎｇ（Ｓ３１）の値は０である。
されているようなＴ型回路は、ポート１とポート２間の
ラインの長さ及びポート１とポート３間のラインの長さ
は同じである。その結果、動作周波数に関わりなく、Ａ
ｎｇ（Ｓ２１）−Ａｎｇ（Ｓ３１）の値は０である。
【０００９】さらに、マイクロストリップ技術を用いて
電源ネットワークを産する場合は、他にもあるが、中で
もエルボラインを用いて成り立っており、それは方向の
変化が可能なため、エネルギーは放射素子に供給され
る。位相シフトの見地からすると、エルボの長さはライ
ンの長さと同等なことがわかる。それゆえ、エルボの位
相シフトは、式Φ＝βエルボ ｘ Ｌエルボで表される
Φに等しい。ここで、β エルボは、エルボにおける位相
定数で、Ｌエルボは、エルボにおける電気的長さであ
る。
電源ネットワークを産する場合は、他にもあるが、中で
もエルボラインを用いて成り立っており、それは方向の
変化が可能なため、エネルギーは放射素子に供給され
る。位相シフトの見地からすると、エルボの長さはライ
ンの長さと同等なことがわかる。それゆえ、エルボの位
相シフトは、式Φ＝βエルボ ｘ Ｌエルボで表される
Φに等しい。ここで、β エルボは、エルボにおける位相
定数で、Ｌエルボは、エルボにおける電気的長さであ
る。
【００１０】図２に描写の位相をシフトさせる素子から
なるＴ型回路は、すでに従来の技術によって合成されて
いる。それらの回路は、Ｔから出ている両側のＬ２の長
さが同等で、同等長のラインＬ１のビットからなるエル
ボラインによって続き、Ｔ型回路の原理に基づいてい
る。回路は、周波数に関係なく、ポート１とポート２間
及びポート１とポート３間のライン長が同じ場合、Ａｎ
ｇ（Ｓ３１）とＡｎｇ（Ｓ２１）の差が０の位相差を表
示するであろう。結果として、与えられた値の位相シフ
トを提示するためには、例えば１８０°として、ポート
２とポート３の間であるならば、ラインの１つの長さ
が、βＬが１８０°のようなＬの長さが要求される。こ
れは、図２に描写されているように、Φが１８０°及び
Φ−１が０°のような長さのエルボの両側ラインのビッ
トを使用することによって可能である。しかしながら、
そのようなＴ型回路において行ったすべての模擬実験に
おいて、この条件は中心周波数にとってのみ有効である
が、この中心周波数が無効の場合、１８０°の位相シフ
トは得られない。
なるＴ型回路は、すでに従来の技術によって合成されて
いる。それらの回路は、Ｔから出ている両側のＬ２の長
さが同等で、同等長のラインＬ１のビットからなるエル
ボラインによって続き、Ｔ型回路の原理に基づいてい
る。回路は、周波数に関係なく、ポート１とポート２間
及びポート１とポート３間のライン長が同じ場合、Ａｎ
ｇ（Ｓ３１）とＡｎｇ（Ｓ２１）の差が０の位相差を表
示するであろう。結果として、与えられた値の位相シフ
トを提示するためには、例えば１８０°として、ポート
２とポート３の間であるならば、ラインの１つの長さ
が、βＬが１８０°のようなＬの長さが要求される。こ
れは、図２に描写されているように、Φが１８０°及び
Φ−１が０°のような長さのエルボの両側ラインのビッ
トを使用することによって可能である。しかしながら、
そのようなＴ型回路において行ったすべての模擬実験に
おいて、この条件は中心周波数にとってのみ有効である
が、この中心周波数が無効の場合、１８０°の位相シフ
トは得られない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｔ型
回路が広い周波数帯域にわたって制御することができる
ような位相をシフトさせる素子からなるマイクロストリ
ップ技術を用いて産するＴ型回路の提案である。
回路が広い周波数帯域にわたって制御することができる
ような位相をシフトさせる素子からなるマイクロストリ
ップ技術を用いて産するＴ型回路の提案である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】結果として、本発明の主
題は、拡張しているブランチの１つによって与えられた
位相シフトΦを生じる位相をシフトさせる素子とブロー
ドバンドにおけるＴ型回路の制御から構成される同等長
であるＬ２の２つのブランチを持つマイクロストリップ
技術を用いて産するＴ型回路で、その回路は位相をシフ
トさせる素子を伴わないでブランチを拡張している少な
くとも１つ以上のエルボからなり、λｇが案内された波
長の場合において、λｇ／２の倍数と同等の長さをもつ
Ｌ２である特徴を有する。
題は、拡張しているブランチの１つによって与えられた
位相シフトΦを生じる位相をシフトさせる素子とブロー
ドバンドにおけるＴ型回路の制御から構成される同等長
であるＬ２の２つのブランチを持つマイクロストリップ
技術を用いて産するＴ型回路で、その回路は位相をシフ
トさせる素子を伴わないでブランチを拡張している少な
くとも１つ以上のエルボからなり、λｇが案内された波
長の場合において、λｇ／２の倍数と同等の長さをもつ
Ｌ２である特徴を有する。
【００１３】この場合、位相をシフトさせる素子は、長
さＬがΦ／βで表されるマイクロストリップラインによ
って形成される。ここで、βは位相定数で、すでに上述
した式によって計算される。参照として、位相をシフト
させる素子は、長さＬ´１がＬ１＋Ｌエルボで表される
ライン素子によって拡張され、エルボは長さＬ１のライ
ン素子によって拡張され、例におけるそれらの素子は、
放射素子への接続を可能にする。
さＬがΦ／βで表されるマイクロストリップラインによ
って形成される。ここで、βは位相定数で、すでに上述
した式によって計算される。参照として、位相をシフト
させる素子は、長さＬ´１がＬ１＋Ｌエルボで表される
ライン素子によって拡張され、エルボは長さＬ１のライ
ン素子によって拡張され、例におけるそれらの素子は、
放射素子への接続を可能にする。
【００１４】本発明の別の特徴によると、位相をシフト
させる素子は、Φ／２の位相シフトがエルボの両側に分
配されるような長さのエルボで形成される。この場合、
それぞれのエルボは、例えば、放射素子に接続するため
のＬ１の長さと同等のライン素子により拡張される。
させる素子は、Φ／２の位相シフトがエルボの両側に分
配されるような長さのエルボで形成される。この場合、
それぞれのエルボは、例えば、放射素子に接続するため
のＬ１の長さと同等のライン素子により拡張される。
【００１５】本発明は、また、マイクロストリップ技術
を用いて産するブロードバンドアンテナネットワークの
電源回路に関連し、上述して特徴を説明したＴ型回路の
うちの少なくとも１つから成る特徴を有する。
を用いて産するブロードバンドアンテナネットワークの
電源回路に関連し、上述して特徴を説明したＴ型回路の
うちの少なくとも１つから成る特徴を有する。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の他の特徴及び利点は、図
式と共に、様々な具体例として明らかにされ、示される
であろう。
式と共に、様々な具体例として明らかにされ、示される
であろう。
【００１７】図において、同じ構成部分は、同じ参照を
示す。
示す。
【００１８】本発明と一致した位相をシフトさせる素子
を伴ったＴ型回路の最初の具体例は、図３から６までを
参照して説明される。
を伴ったＴ型回路の最初の具体例は、図３から６までを
参照して説明される。
【００１９】図３の描写において、この場合、唯一１つ
のエルボからなる位相をシフトさせる素子を伴ったＴ型
回路である。より詳細には、Ｔ型回路は、入り口ポート
１及びＬ２の同じ長さである２つのポート１に対して垂
直なブランチ２，３からなるブランチ１を含んでいる。
本発明によると、Ｌ２の長さは、λｇ／２の倍数で選択
され、ここでλｇはマイクロストリップ技術を用いて産
するブランチにおける案内された波長と同等である。
のエルボからなる位相をシフトさせる素子を伴ったＴ型
回路である。より詳細には、Ｔ型回路は、入り口ポート
１及びＬ２の同じ長さである２つのポート１に対して垂
直なブランチ２，３からなるブランチ１を含んでいる。
本発明によると、Ｌ２の長さは、λｇ／２の倍数で選択
され、ここでλｇはマイクロストリップ技術を用いて産
するブランチにおける案内された波長と同等である。
【００２０】図３の描写によると、ブランチ３は、エル
ボ４により拡張されており、エルボ４は、それ自体が出
口ポート２まで届くＬ１の長さのライン素子５によって
拡張されている。本発明と一致する、もう一方のブラン
チ２は、Φの位相シフトが与えられているライン素子６
によって拡張され、次いでＬ１＋Ｌエルボで表される長
さのライン素子７によってポート３まで届いている。ラ
イン素子６は、Ｌ´＝Φ／βのようなＬ´の長さを有す
る。図３に描写されている具体例は、本発明と一致し
て、エルボ４は最短長の腕の部分に位置し、Ｌ２の長さ
は、λｇ／２の倍数を有する。
ボ４により拡張されており、エルボ４は、それ自体が出
口ポート２まで届くＬ１の長さのライン素子５によって
拡張されている。本発明と一致する、もう一方のブラン
チ２は、Φの位相シフトが与えられているライン素子６
によって拡張され、次いでＬ１＋Ｌエルボで表される長
さのライン素子７によってポート３まで届いている。ラ
イン素子６は、Ｌ´＝Φ／βのようなＬ´の長さを有す
る。図３に描写されている具体例は、本発明と一致し
て、エルボ４は最短長の腕の部分に位置し、Ｌ２の長さ
は、λｇ／２の倍数を有する。
【００２１】そのような構造の利点は、次いで行ったＩ
Ｅ３Ｄ若しくはＨＰＥＳＳＯＦのような商業的に利用可
能なソフトウェアを用いた模擬実験で明らかにされ、そ
れらの模擬実験の結果は、図４，５、及び６にて描写さ
れる。それらの模擬実験は、３．３８のεｒ、高さが
０．８１ｍｍ、０．００２２のタンジェントΔ、及び１
７．５マイクロメートルのＴを持つＲｏｇｅｒｓ４００
３基板による位相をシフトさせる素子を持つＴ型回路を
製造することによって行われた。この場合、模擬実験に
使用された５０ｏｈｍラインの幅は、１．５ｍｍであっ
た。
Ｅ３Ｄ若しくはＨＰＥＳＳＯＦのような商業的に利用可
能なソフトウェアを用いた模擬実験で明らかにされ、そ
れらの模擬実験の結果は、図４，５、及び６にて描写さ
れる。それらの模擬実験は、３．３８のεｒ、高さが
０．８１ｍｍ、０．００２２のタンジェントΔ、及び１
７．５マイクロメートルのＴを持つＲｏｇｅｒｓ４００
３基板による位相をシフトさせる素子を持つＴ型回路を
製造することによって行われた。この場合、模擬実験に
使用された５０ｏｈｍラインの幅は、１．５ｍｍであっ
た。
【００２２】１つのエルボを持つ位相をシフトさせる素
子を伴うＴ型回路（１つのエルボを持つ位相をシフトさ
せる素子を伴ったＴの位相シフトにおける変動）は、β
Ｌ＝１８０°のようなＬの長さのラインと比較されて、
図４に描写される。この場合、位相における変動は、帯
域幅の１１から１３ＧＨｚ間にわたって、３０°よりも
２３°に等しい。
子を伴うＴ型回路（１つのエルボを持つ位相をシフトさ
せる素子を伴ったＴの位相シフトにおける変動）は、β
Ｌ＝１８０°のようなＬの長さのラインと比較されて、
図４に描写される。この場合、位相における変動は、帯
域幅の１１から１３ＧＨｚ間にわたって、３０°よりも
２３°に等しい。
【００２３】図５及び６は、他のルールにしたがってデ
ザインされた１つのエルボを持つ位相をシフトさせるＴ
の位相シフトにおける変動を描写している。それゆえ、
図５におけるエルボは、図３表示の腕３とは異なった場
所に位置しているが、ライン素子Φの位置においては、
ブランチ３は素子７のタイプのライン素子によって拡張
されている。この場合、Ｔ型回路の位相シフトは、ライ
ンが１８０°の場合とほぼ同等であることが確認され
る。
ザインされた１つのエルボを持つ位相をシフトさせるＴ
の位相シフトにおける変動を描写している。それゆえ、
図５におけるエルボは、図３表示の腕３とは異なった場
所に位置しているが、ライン素子Φの位置においては、
ブランチ３は素子７のタイプのライン素子によって拡張
されている。この場合、Ｔ型回路の位相シフトは、ライ
ンが１８０°の場合とほぼ同等であることが確認され
る。
【００２４】図６は、それぞれのブランチＬ２の長さが
λｇ／２以外である１つのエルボを持つ位相をシフトさ
せる素子を伴うＴ型回路を示す。模擬実験の結果は、１
８０°のライン長の位相シフトを越えた周波数を有する
位相シフトにおける変動を示している。
λｇ／２以外である１つのエルボを持つ位相をシフトさ
せる素子を伴うＴ型回路を示す。模擬実験の結果は、１
８０°のライン長の位相シフトを越えた周波数を有する
位相シフトにおける変動を示している。
【００２５】本発明と一致した位相をシフトさせる素子
を有するＴ型回路の別の具体例は、図７、８、９、及び
１０に参照として示されている。図７の場合、Ｔ型回路
は、２つのエルボ４０および７０から構成されている。
本発明によると、より詳細には、図７の回路は、入り口
ブランチ１０からＴ型によって構成され、入り口ブラン
チ１０は入り口ポート１０に結合し、及びλｇ／２の倍
数と同等のＬ２の長さを持つ２つの入り口ポート１０に
対して垂直なブランチ２０および３０に結合している。
を有するＴ型回路の別の具体例は、図７、８、９、及び
１０に参照として示されている。図７の場合、Ｔ型回路
は、２つのエルボ４０および７０から構成されている。
本発明によると、より詳細には、図７の回路は、入り口
ブランチ１０からＴ型によって構成され、入り口ブラン
チ１０は入り口ポート１０に結合し、及びλｇ／２の倍
数と同等のＬ２の長さを持つ２つの入り口ポート１０に
対して垂直なブランチ２０および３０に結合している。
【００２６】図７の記載では、ブランチ３０は、エルボ
４０によって拡張され、Ｌ１の長さのライン素子５０は
出口ポートＰ２０まで届いている。一方、ブランチ２０
はエルボ７０によって拡張され、位相シフトΦを得るこ
とを可能にするためのライン素子６０および８０によっ
て先導し、続いている。本発明によると、素子６０及び
８０は、それぞれの位相シフトがΦ／２と同等になる方
法で製造されている。さらに、素子８０は、Ｌ１の長さ
のライン素子９０によって拡張され、出口ポートＰ３０
まで届いている。
４０によって拡張され、Ｌ１の長さのライン素子５０は
出口ポートＰ２０まで届いている。一方、ブランチ２０
はエルボ７０によって拡張され、位相シフトΦを得るこ
とを可能にするためのライン素子６０および８０によっ
て先導し、続いている。本発明によると、素子６０及び
８０は、それぞれの位相シフトがΦ／２と同等になる方
法で製造されている。さらに、素子８０は、Ｌ１の長さ
のライン素子９０によって拡張され、出口ポートＰ３０
まで届いている。
【００２７】模擬実験は、最初の具体例における模擬実
験を行った方法と同じ方法で行われた。それゆえ、上述
した具体例によると、図８は、周波数の機能としてのＴ
型回路の位相シフトにおける変動を示している。この場
合、２つのエルボから構成される位相をシフトさせる素
子を伴ったＴ型回路の位相シフトにおける変動は、βＬ
＝１８０°のようなＬの長さのラインと比較される。こ
の場合、位相における変動は、帯域幅の１１から１３Ｇ
Ｈｚ間にわたって、３０°とは異なった約１４°のみで
ある。
験を行った方法と同じ方法で行われた。それゆえ、上述
した具体例によると、図８は、周波数の機能としてのＴ
型回路の位相シフトにおける変動を示している。この場
合、２つのエルボから構成される位相をシフトさせる素
子を伴ったＴ型回路の位相シフトにおける変動は、βＬ
＝１８０°のようなＬの長さのラインと比較される。こ
の場合、位相における変動は、帯域幅の１１から１３Ｇ
Ｈｚ間にわたって、３０°とは異なった約１４°のみで
ある。
【００２８】図９は、位相シフトΦが均一に分配されな
い、２つのエルボを持つ位相をシフトさせる素子を伴う
Ｔ型回路を示している。この場合の図９によると、位相
シフトにおける変動は、ラインが１８０°の位相シフト
における変動とおおよそ同等であることがわかる。
い、２つのエルボを持つ位相をシフトさせる素子を伴う
Ｔ型回路を示している。この場合の図９によると、位相
シフトにおける変動は、ラインが１８０°の位相シフト
における変動とおおよそ同等であることがわかる。
【００２９】図１０は、位相をシフトさせる素子並びに
２つのブランチ２０及び３０の長さがλｇ／２と同等で
ない２つのエルボを伴うＴ型回路における模擬実験を示
す。この場合、周波数を伴った位相シフトにおける変動
は、１８０°のライン長の位相シフトよりも大きいこと
がわかる。
２つのブランチ２０及び３０の長さがλｇ／２と同等で
ない２つのエルボを伴うＴ型回路における模擬実験を示
す。この場合、周波数を伴った位相シフトにおける変動
は、１８０°のライン長の位相シフトよりも大きいこと
がわかる。
【００３０】図１１及び１２は、上述のような位相をシ
フトさせる素子を伴うＴ型回路を用いた２つの実験応用
例を示す。
フトさせる素子を伴うＴ型回路を用いた２つの実験応用
例を示す。
【００３１】本発明によると、図１１は、位相をシフト
させる素子を持つＴ型回路を用いた電源回路を伴ったプ
リントされたアンテナネットワークを示している。より
詳細には、マイクロストリップ技術を用いて産する電源
回路に接続しているプリントされたパッチ１００、１０
１、１０２、及び１０３を持つ４パッチネットワークで
ある。４つのパッチである１００、１０１、１０２、及
び１０３のネットワークは、Ｔ型のそれぞれのブランチ
に以下のように接続している：２つのパッチ１００及び
１０１は、長さｌと同等のライン素子によってＣ点に接
続されており、２つのパッチ１０２及び１０３は、長さ
ｌと同等のライン素子によってＣ´点に接続されてい
る。ＣおよびＣ´点は、上述のように、２つのエルボを
持つ位相をシフトさせる素子を伴ったＴ型回路からなる
電源回路のポート２０及び３０を形成している。電源回
路は、Ｌ２＝λｇ／２によって表される長さの２つのブ
ランチを持つＴ型からなり、Ｌ２ブランチの１つは、Ｃ
点に至るまでＬ１の長さのライン素子によって拡張さ
れ、もう一方のブランチＬ２は、エルボの両側に均等に
９０°で分配される位相シフトを持つエルボによって拡
張され、さらに接続点Ｃ´に至るまでライン素子Ｌ１に
よって拡張されている。
させる素子を持つＴ型回路を用いた電源回路を伴ったプ
リントされたアンテナネットワークを示している。より
詳細には、マイクロストリップ技術を用いて産する電源
回路に接続しているプリントされたパッチ１００、１０
１、１０２、及び１０３を持つ４パッチネットワークで
ある。４つのパッチである１００、１０１、１０２、及
び１０３のネットワークは、Ｔ型のそれぞれのブランチ
に以下のように接続している：２つのパッチ１００及び
１０１は、長さｌと同等のライン素子によってＣ点に接
続されており、２つのパッチ１０２及び１０３は、長さ
ｌと同等のライン素子によってＣ´点に接続されてい
る。ＣおよびＣ´点は、上述のように、２つのエルボを
持つ位相をシフトさせる素子を伴ったＴ型回路からなる
電源回路のポート２０及び３０を形成している。電源回
路は、Ｌ２＝λｇ／２によって表される長さの２つのブ
ランチを持つＴ型からなり、Ｌ２ブランチの１つは、Ｃ
点に至るまでＬ１の長さのライン素子によって拡張さ
れ、もう一方のブランチＬ２は、エルボの両側に均等に
９０°で分配される位相シフトを持つエルボによって拡
張され、さらに接続点Ｃ´に至るまでライン素子Ｌ１に
よって拡張されている。
【００３２】他の具体例によると、本発明は、順次回転
として知られる方法で固定されたパッチネットワークを
伴った図１２の図式において用いられるかもしれない。
より詳細には、プリントされたアンテナネットワーク
は、４つのパッチである２００，２０１，２０２、及び
２０３から構成され、上述のように製造された２つのエ
ルボを持つ最初のＴ型回路に対になって接続し、２つの
Ｔ型回路は、２つのエルボを持つ付加的なＴ型回路によ
って励起源に接続されている。より詳細には、２００及
び２０１のパッチは、パッチ２００によって受け取る波
とパッチ２０１によって受け取る波の間に９０°の位相
シフトを与えられる位相をシフトさせる素子を持つＴ型
回路に共に接続されている。パッチ２０２及び２０３に
おいても同様である。それゆえ、この回路は、Ｌ４の長
さがλｇ／２の倍数と等しい２つのブランチからなり、
そのブランチは、ライン素子３によりエルボに続いて拡
張されてパッチ２００に接続しており、一方のブランチ
Ｌ４は、エルボを回ってライン素子へと拡張され、ライ
ン素子Ｌ３により、それぞれ両側に４５°の位相シフト
を与える形で合成される。同様の方法で、パッチ２０３
はライン素子Ｌ３によってＴ型の入り口に接続され、エ
ルボに続いて、λｇ／２の長さを持つＬ４のブランチに
よって接続され、一方パッチ２０２は、ライン素子Ｌ３
によって接続され、４５°の位相シフトを均一に分配
し、Ｌ４のブランチの長さがλｇ／２と等しいライン素
子を持ったエルボによって続く。記載したこの２つのＴ
型回路は、一方は、λｇ／２の倍数と等しい長さを持つ
ブランチＬ２によって続くライン素子Ｌ１から成る別の
Ｔ型回路によって励起回路へ接続し、もう一方のライン
素子Ｌ１は、エルボの両側に９０°の位相シフトを均一
に分配し、ブランチの長さがＬ２＝λｇ／２を与えるエ
ルボによって続いている。結果として、１８０°の位相
シフトは、Ｔ型回路が供給するパッチ２００と２０１に
よって送られる波とＴ型回路が供給するパッチ２０２と
２０３によって送られる波の間で得られる。
として知られる方法で固定されたパッチネットワークを
伴った図１２の図式において用いられるかもしれない。
より詳細には、プリントされたアンテナネットワーク
は、４つのパッチである２００，２０１，２０２、及び
２０３から構成され、上述のように製造された２つのエ
ルボを持つ最初のＴ型回路に対になって接続し、２つの
Ｔ型回路は、２つのエルボを持つ付加的なＴ型回路によ
って励起源に接続されている。より詳細には、２００及
び２０１のパッチは、パッチ２００によって受け取る波
とパッチ２０１によって受け取る波の間に９０°の位相
シフトを与えられる位相をシフトさせる素子を持つＴ型
回路に共に接続されている。パッチ２０２及び２０３に
おいても同様である。それゆえ、この回路は、Ｌ４の長
さがλｇ／２の倍数と等しい２つのブランチからなり、
そのブランチは、ライン素子３によりエルボに続いて拡
張されてパッチ２００に接続しており、一方のブランチ
Ｌ４は、エルボを回ってライン素子へと拡張され、ライ
ン素子Ｌ３により、それぞれ両側に４５°の位相シフト
を与える形で合成される。同様の方法で、パッチ２０３
はライン素子Ｌ３によってＴ型の入り口に接続され、エ
ルボに続いて、λｇ／２の長さを持つＬ４のブランチに
よって接続され、一方パッチ２０２は、ライン素子Ｌ３
によって接続され、４５°の位相シフトを均一に分配
し、Ｌ４のブランチの長さがλｇ／２と等しいライン素
子を持ったエルボによって続く。記載したこの２つのＴ
型回路は、一方は、λｇ／２の倍数と等しい長さを持つ
ブランチＬ２によって続くライン素子Ｌ１から成る別の
Ｔ型回路によって励起回路へ接続し、もう一方のライン
素子Ｌ１は、エルボの両側に９０°の位相シフトを均一
に分配し、ブランチの長さがＬ２＝λｇ／２を与えるエ
ルボによって続いている。結果として、１８０°の位相
シフトは、Ｔ型回路が供給するパッチ２００と２０１に
よって送られる波とＴ型回路が供給するパッチ２０２と
２０３によって送られる波の間で得られる。
【００３３】本発明は、位相したネットワークのような
違う種類のネットワークに適用することができ、既知の
回路によって達成された帯域幅よりも広いネットワーク
を可能にすることができる。
違う種類のネットワークに適用することができ、既知の
回路によって達成された帯域幅よりも広いネットワーク
を可能にすることができる。
【図１】従来技術によるＴ型回路の図式を示す。
【図２】従来技術による位相をシフトさせる素子が設置
されたＴ型回路の図式を示す。
されたＴ型回路の図式を示す。
【図３】本発明の最初の具体例によるＴ型回路の図式を
示す。
示す。
【図４】本発明と一致する回路である図３に示された回
路の位相シフトの変動を従来の回路と比較して示す。
路の位相シフトの変動を従来の回路と比較して示す。
【図５】本発明と一致する回路である図３に示された回
路の位相シフトの変動を従来の回路と比較して示す。
路の位相シフトの変動を従来の回路と比較して示す。
【図６】本発明と一致する回路である図３に示された回
路の位相シフトの変動を従来の回路と比較して示す。
路の位相シフトの変動を従来の回路と比較して示す。
【図７】本発明の別の具体例によるＴ型回路の図式を示
す。
す。
【図８】本発明と一致する回路である図７に示された回
路の位相シフトの変動を従来の回路と比較して示す。
路の位相シフトの変動を従来の回路と比較して示す。
【図９】本発明と一致する回路である図７に示された回
路の位相シフトの変動を従来の回路と比較して示す。
路の位相シフトの変動を従来の回路と比較して示す。
【図１０】本発明と一致する回路である図７に示された
回路の位相シフトの変動を従来の回路と比較して示す。
回路の位相シフトの変動を従来の回路と比較して示す。
【図１１】本発明と一致するＴ型回路を用いて産する電
源回路を用いたプリントされたアンテナの図式を示す。
源回路を用いたプリントされたアンテナの図式を示す。
【図１２】本発明と一致するＴ型回路を用いて産する電
源回路を用いたプリントされたアンテナの図式を示す。
源回路を用いたプリントされたアンテナの図式を示す。
１ ブランチ ２ ブランチ ３ ブランチ ４ エルボ ５ ライン素子 ６ 位相をシフトさせる素子 ７ ライン素子
フロントページの続き (71)出願人 300000708 46，Ｑｕａｉ Ａ， Ｌｅ Ｇａｌｌｏ Ｆ−92648 Ｂｏｕｌｏｇｎｅ Ｃｅｄｅ ｘ Ｆｒａｎｃｅ (72)発明者 フィリップ ミナル フランス国，35700 レンヌ，スクワル・ デュ・ボワ・ペラン 17 (72)発明者 ジャン−フランソワ パント フランス国，35700 レンヌ，スクワル・ アンリ・デュナン 16 Ｆターム(参考） 5J014 CA01 CA41 5J021 AA09 AB06 CA03 DB03 FA05 FA32 GA02 HA05 HA10 5J045 AA02 AB06 DA10 HA03 NA01
Claims (6)
- 【請求項１】 拡張しているブランチの１つによって与
えられる位相シフトΦを生じる位相をシフトさせる素子
と、ブロードバンドにおけるＴ型回路の制御から構成さ
れ、該構成が位相をシフトさせる素子を伴わないでブラ
ンチを拡張する少なくとも１つのエルボからなり、及び
λｇが案内された波長である場合においてλｇ／２の倍
数に等しい長さをもつＬ２である特徴を持つ、長さがＬ
２である同等の２つのブランチを持ちマイクロストリッ
プ技術を用いて産するＴ型回路。 - 【請求項２】 前記位相をシフトさせる素子が、βが位
相定数のとき、Ｌの長さがΦ／βで表されるマイクロス
トリップラインによって形成される特徴をもつ請求項１
によるＴ型回路。 - 【請求項３】 前記位相をシフトさせる素子がＬ´の長
さがＬ１＋Ｌエルボで表されるライン素子によって拡張
され、及びエルボがＬ１の長さのライン素子によって拡
張される特徴を持つ請求項２によるＴ型回路。 - 【請求項４】 前記位相をシフトさせる素子が、Φ／２
の位相シフトがエルボの両側に分配されるような長さの
該エルボから形成される特徴を持つ請求項１によるＴ型
回路。 - 【請求項５】 前記エルボの各々が、同一の長さである
Ｌ１のライン素子によって拡張される特徴を持つ請求項
４によるＴ型回路。 - 【請求項６】 請求項１乃至５記載の少なくとも１つの
前記Ｔ型回路から成る特徴を持ち、マイクロストリップ
技術を用いてブロードバンドアンテナネットワークを産
するための電源回路。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| FR0008363 | 2000-06-29 | ||
| FR0008363A FR2811141B1 (fr) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | Circuit en t realise en technologie microruban avec element dephaseur |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002064311A true JP2002064311A (ja) | 2002-02-28 |
| JP2002064311A5 JP2002064311A5 (ja) | 2008-07-24 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001195323A Pending JP2002064311A (ja) | 2000-06-29 | 2001-06-27 | 位相をシフトさせる素子を伴ったマイクロストリップ技術を使用して産するｔ型回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6538528B2 (ja) |
| EP (1) | EP1168482A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002064311A (ja) |
| CN (1) | CN1229891C (ja) |
| FR (1) | FR2811141B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004079854A1 (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-16 | Japan Science And Technology Agency | 移相回路とそれを用いた半導体素子及び無線通信装置 |
| JP2006237916A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Fujitsu Ltd | アンテナ装置 |
| JP2012256967A (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 導波管マイクロストリップ線路変換器 |
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|---|---|---|---|---|
| US6642819B1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-11-04 | Anokiwave, Inc. | Method and bend structure for reducing transmission line bend loss |
| CN100563225C (zh) | 2005-05-27 | 2009-11-25 | 华为技术有限公司 | 对基带数字信号进行预失真处理的通用装置 |
| TWI252605B (en) * | 2005-05-31 | 2006-04-01 | Ind Tech Res Inst | Multilayered chip-type triplexer |
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| US9236892B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-12 | Dockon Ag | Combination of steering antennas, CPL antenna(s), and one or more receive logarithmic detector amplifiers for SISO and MIMO applications |
| WO2014152307A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Dockon Ag | Low-power, noise insensitive communication channel using logarithmic detector amplifier (lda) demodulator |
| EP2973994B1 (en) | 2013-03-15 | 2021-07-21 | Dockon AG | Logarithmic amplifier with universal demodulation capabilities |
| WO2014144958A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Forrest James Brown | Frequency selective logarithmic amplifier with intrinsic frequency demodulation capability |
| US11183974B2 (en) | 2013-09-12 | 2021-11-23 | Dockon Ag | Logarithmic detector amplifier system in open-loop configuration for use as high sensitivity selective receiver without frequency conversion |
| US11082014B2 (en) | 2013-09-12 | 2021-08-03 | Dockon Ag | Advanced amplifier system for ultra-wide band RF communication |
| EP3044723A4 (en) | 2013-09-12 | 2017-05-03 | Dockon AG | Logarithmic detector amplifier system for use as high sensitivity selective receiver without frequency conversion |
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| CN106229595A (zh) * | 2016-08-30 | 2016-12-14 | 广东通宇通讯股份有限公司 | 功分器及其组件 |
| CN107342449A (zh) * | 2017-06-29 | 2017-11-10 | 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所 | 一种波导功分器 |
| CN109241594B (zh) * | 2018-08-23 | 2021-10-29 | 郑州云海信息技术有限公司 | T型拓扑结构线长检查方法、装置、设备及可读存储介质 |
| CN112002976B (zh) * | 2020-08-11 | 2021-09-03 | 南京理工大学 | 一种具有相同输出相位的砖式功分器 |
| US11881621B1 (en) * | 2023-06-02 | 2024-01-23 | The Florida International University Board Of Trustees | Antennas with increased bandwidth |
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| US5216430A (en) * | 1990-12-27 | 1993-06-01 | General Electric Company | Low impedance printed circuit radiating element |
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| JPH05121935A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-18 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 平面アンテナ |
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-
2001
- 2001-06-22 EP EP01401650A patent/EP1168482A1/en not_active Withdrawn
- 2001-06-27 JP JP2001195323A patent/JP2002064311A/ja active Pending
- 2001-06-28 US US09/894,366 patent/US6538528B2/en not_active Expired - Fee Related
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