JP2002062514A - 多波長発生器 - Google Patents
多波長発生器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 等しい周波数間隔で並ぶスペクトル成分を有
し、各スペクトル成分とも光強度が大きく、かつ信号対
雑音比が良好である光を発生し得る多波長発生器を提供
すること。 【解決手段】 光源１からの光を、高周波発生器２から
の周波数ｆの正弦波電圧が印加された光パルス生成器３
に入射し、光周波数間隔ｆで等間隔に並んだ多数のスペ
クトルからなる繰り返し周期１／ｆの光パルスを発生す
る。これを光増幅器４により増幅し、さらに周波数ｆの
正弦波電圧が印加されている光ゲート５に入射し、ここ
で光増幅器４で増幅された光パルスが入射している時刻
のみ透過させ、それ以外の時刻では透過させないことに
より、光増幅器４からの自然放出光を除去する。
し、各スペクトル成分とも光強度が大きく、かつ信号対
雑音比が良好である光を発生し得る多波長発生器を提供
すること。 【解決手段】 光源１からの光を、高周波発生器２から
の周波数ｆの正弦波電圧が印加された光パルス生成器３
に入射し、光周波数間隔ｆで等間隔に並んだ多数のスペ
クトルからなる繰り返し周期１／ｆの光パルスを発生す
る。これを光増幅器４により増幅し、さらに周波数ｆの
正弦波電圧が印加されている光ゲート５に入射し、ここ
で光増幅器４で増幅された光パルスが入射している時刻
のみ透過させ、それ以外の時刻では透過させないことに
より、光増幅器４からの自然放出光を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信や光計測の
分野において利用される多波長発生器に関するものであ
る。
分野において利用される多波長発生器に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】等しい周波数間隔で並ぶスペクトル成分
を有する光を発生する光源は、光通信において波長分割
多重伝送の多波長光源や、光計測において光周波数コム
として光周波数測定等に使われている。
を有する光を発生する光源は、光通信において波長分割
多重伝送の多波長光源や、光計測において光周波数コム
として光周波数測定等に使われている。
【０００３】そのようなスペクトル成分を有する光を発
生する光源としては、モードロックレーザ、位相変調器
により発生させたサイドバンド光等がある。しかし、こ
れらの光源では、光強度が各スペクトル成分に分配され
るため、１つのスペクトル成分の光強度は小さくなって
しまう。光通信や光計測への応用上、各スペクトル成分
の光強度は大きいほうが好ましいため、光増幅器を用い
てこれらの光源からの光を増幅し、光強度を上げてい
た。
生する光源としては、モードロックレーザ、位相変調器
により発生させたサイドバンド光等がある。しかし、こ
れらの光源では、光強度が各スペクトル成分に分配され
るため、１つのスペクトル成分の光強度は小さくなって
しまう。光通信や光計測への応用上、各スペクトル成分
の光強度は大きいほうが好ましいため、光増幅器を用い
てこれらの光源からの光を増幅し、光強度を上げてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述したよう
に、光増幅器を用いて光強度を上げると、光増幅器から
発せられる自然放出光が出力光に付加されてしまうた
め、出力光の信号対雑音比が劣化することを避けられな
かった。
に、光増幅器を用いて光強度を上げると、光増幅器から
発せられる自然放出光が出力光に付加されてしまうた
め、出力光の信号対雑音比が劣化することを避けられな
かった。
【０００５】本発明は、等しい周波数間隔で並ぶスペク
トル成分を有し、各スペクトル成分とも光強度が大き
く、かつ信号対雑音比が良好である光を発生し得る多波
長発生器を提供することを目的とする。
トル成分を有し、各スペクトル成分とも光強度が大き
く、かつ信号対雑音比が良好である光を発生し得る多波
長発生器を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、等しい周波数
間隔で並ぶスペクトル成分を有し、そのスペクトル成分
の相対的な位相関係が揃っているような光パルスを用
い、その出力光強度を光増幅器において増幅した後、光
増幅器からの出力を光ゲートにより光パルスの存在する
時間のみ取り出すことにより、信号対雑音比の劣化を抑
え、出力光強度の大きい多波長発生器を得ることを特徴
とする。
間隔で並ぶスペクトル成分を有し、そのスペクトル成分
の相対的な位相関係が揃っているような光パルスを用
い、その出力光強度を光増幅器において増幅した後、光
増幅器からの出力を光ゲートにより光パルスの存在する
時間のみ取り出すことにより、信号対雑音比の劣化を抑
え、出力光強度の大きい多波長発生器を得ることを特徴
とする。
【０００７】おおもとの光源が、等しい周波数間隔ｆで
並ぶスペクトル成分を有し、そのスペクトル成分の相対
的な位相関係が揃っている場合、その光出力波形はパル
ス状になる。また、そのパルスは周期１／ｆで繰り返さ
れる。また、パルスの繰り返し周期に比べ、パルスの時
間幅が小さいものを用いる。
並ぶスペクトル成分を有し、そのスペクトル成分の相対
的な位相関係が揃っている場合、その光出力波形はパル
ス状になる。また、そのパルスは周期１／ｆで繰り返さ
れる。また、パルスの繰り返し周期に比べ、パルスの時
間幅が小さいものを用いる。
【０００８】光強度を上げるために、この光出力を光増
幅器に入射させる。各スペクトル成分は増幅され、光強
度が上がる。しかし、光増幅器から発せられる自然放出
光が雑音として加わるため、光増幅器から出力される光
の信号対雑音比は劣化する。
幅器に入射させる。各スペクトル成分は増幅され、光強
度が上がる。しかし、光増幅器から発せられる自然放出
光が雑音として加わるため、光増幅器から出力される光
の信号対雑音比は劣化する。
【０００９】そこで、光増幅器からの出力を光ゲートに
入射させる。光ゲートは制御信号によりその透過率を大
きく変化させるものである。光増幅器からの出力光はパ
ルス状であり、この光パルスのみ光ゲートを透過させる
ため、光パルスの光ゲートへの入射時刻と光ゲートの透
過率が大きくなる時刻とが一致し、かつ光パルスの時間
幅と光ゲートの透過率が大きくなっている時間とが等し
くなるように光ゲートを制御する。
入射させる。光ゲートは制御信号によりその透過率を大
きく変化させるものである。光増幅器からの出力光はパ
ルス状であり、この光パルスのみ光ゲートを透過させる
ため、光パルスの光ゲートへの入射時刻と光ゲートの透
過率が大きくなる時刻とが一致し、かつ光パルスの時間
幅と光ゲートの透過率が大きくなっている時間とが等し
くなるように光ゲートを制御する。
【００１０】このようにすると、光パルスのない時刻で
は光ゲートの透過率が低いので、光は透過しない。従っ
て、この間は光増幅器で付加された自然放出光が除去さ
れる。一方、光パルスが入射する時刻では、光ゲートの
透過率は大きくなっているので、光パルスはそのまま透
過する。
は光ゲートの透過率が低いので、光は透過しない。従っ
て、この間は光増幅器で付加された自然放出光が除去さ
れる。一方、光パルスが入射する時刻では、光ゲートの
透過率は大きくなっているので、光パルスはそのまま透
過する。
【００１１】その結果、光ゲートからの出力光は、各ス
ペクトル成分の光強度が増加している。また、雑音源と
なる自然放出光は光ゲートにより光パルスの無い時刻は
除去されている。光パルス幅に比べ、光パルスの繰り返
し周期が大きいので、光ゲートはほとんどの時間におい
て透過率が低くなっており、ほとんどの自然放出光はス
ペクトル上で一様に除去できる。従って、信号対雑音比
の劣化はほとんど無い。このようにして、信号対雑音比
の良好な、光強度の大きい多波長発生器の実現が可能に
なる。
ペクトル成分の光強度が増加している。また、雑音源と
なる自然放出光は光ゲートにより光パルスの無い時刻は
除去されている。光パルス幅に比べ、光パルスの繰り返
し周期が大きいので、光ゲートはほとんどの時間におい
て透過率が低くなっており、ほとんどの自然放出光はス
ペクトル上で一様に除去できる。従って、信号対雑音比
の劣化はほとんど無い。このようにして、信号対雑音比
の良好な、光強度の大きい多波長発生器の実現が可能に
なる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は請求項１に対応する本発明
の多波長発生器の第１の実施の形態を示すもので、図
中、１は光源、２は高周波発生器、３は光パルス生成
器、４は光増幅器、５は光ゲート、６は位相比較器、
７，８は位相調整器である。
の多波長発生器の第１の実施の形態を示すもので、図
中、１は光源、２は高周波発生器、３は光パルス生成
器、４は光増幅器、５は光ゲート、６は位相比較器、
７，８は位相調整器である。
【００１３】レーザダイオード等の光源１からの光（連
続光）は、高周波発生器２で発生した周波数ｆの正弦波
電圧が印加された光パルス生成器３に入射する。光パル
ス生成器３からは高周波発生器２より印加された正弦波
状の電圧により繰り返し周期１／ｆのパルス状の光出力
が得られる。得られた光パルスはスペクトル上で見ると
光周波数間隔ｆで等間隔に並んだ多数のスペクトルから
なっている。
続光）は、高周波発生器２で発生した周波数ｆの正弦波
電圧が印加された光パルス生成器３に入射する。光パル
ス生成器３からは高周波発生器２より印加された正弦波
状の電圧により繰り返し周期１／ｆのパルス状の光出力
が得られる。得られた光パルスはスペクトル上で見ると
光周波数間隔ｆで等間隔に並んだ多数のスペクトルから
なっている。
【００１４】光パルス生成器３により生成されたパルス
光は光増幅器４により増幅される。光増幅器４を通過
後、各スペクトルの光強度は増幅され、高強度のスペク
トルが得られる。
光は光増幅器４により増幅される。光増幅器４を通過
後、各スペクトルの光強度は増幅され、高強度のスペク
トルが得られる。
【００１５】増幅された光は光ゲート５に入射する。光
ゲート５は高周波発生器２により周波数ｆの正弦波電圧
が印加されている。印加正弦波電圧の位相と光ゲート５
に入射する光パルスの位相とを位相比較器６で比較し、
光パルスが入射するのと同時刻に光ゲート５の透過率が
最大になるように、印加正弦波電圧の位相と光パルスの
位相を位相調整器７，８で調整する。光ゲート５は光増
幅器４で増幅された光パルスが光ゲート５に入射してい
る時刻のみ光を透過し、それ以外の時刻では光を透過し
ないので、光増幅器４からの自然放出光の大部分はスペ
クトル上で一様に除去される。
ゲート５は高周波発生器２により周波数ｆの正弦波電圧
が印加されている。印加正弦波電圧の位相と光ゲート５
に入射する光パルスの位相とを位相比較器６で比較し、
光パルスが入射するのと同時刻に光ゲート５の透過率が
最大になるように、印加正弦波電圧の位相と光パルスの
位相を位相調整器７，８で調整する。光ゲート５は光増
幅器４で増幅された光パルスが光ゲート５に入射してい
る時刻のみ光を透過し、それ以外の時刻では光を透過し
ないので、光増幅器４からの自然放出光の大部分はスペ
クトル上で一様に除去される。
【００１６】これにより、光増幅器４からの自然放出光
が除去され、結果として信号対雑音比の良好な、光周波
数間隔ｆで等間隔に並んだ多数のスペクトルが得られ
る。
が除去され、結果として信号対雑音比の良好な、光周波
数間隔ｆで等間隔に並んだ多数のスペクトルが得られ
る。
【００１７】各スペクトルの光強度は、光パルス生成器
のみを用いて多波長発生器を構成した場合に比べ、光増
幅器の利得から光ゲートの透過時の損失を引いた分だけ
増加している。従って、等間隔に並んだ多数のスペクト
ルからなり、信号対雑音比の良好な高出力の多波長発生
器が構成できる。
のみを用いて多波長発生器を構成した場合に比べ、光増
幅器の利得から光ゲートの透過時の損失を引いた分だけ
増加している。従って、等間隔に並んだ多数のスペクト
ルからなり、信号対雑音比の良好な高出力の多波長発生
器が構成できる。
【００１８】図２は請求項２に対応する本発明の多波長
発生器の第２の実施の形態を示すもので、図中、１１は
光源、１２は高周波発生器、１３は光ゲート、１４は光
増幅器、１５は光戻し手段、１６は位相比較器、１７は
位相調整器である。
発生器の第２の実施の形態を示すもので、図中、１１は
光源、１２は高周波発生器、１３は光ゲート、１４は光
増幅器、１５は光戻し手段、１６は位相比較器、１７は
位相調整器である。
【００１９】レーザダイオード等の光源１１からの光
（連続光）は、高周波発生器１２で発生した周波数ｆの
正弦波電圧が印加された光ゲート１３に入射する。光ゲ
ート１３からは高周波発生器１２より印加された正弦波
状の電圧により繰り返し周期１／ｆのパルス状の光出力
が得られる。得られた光パルスはスペクトル上で見ると
光周波数間隔ｆで等間隔に並んだ多数のスペクトルから
なっている。
（連続光）は、高周波発生器１２で発生した周波数ｆの
正弦波電圧が印加された光ゲート１３に入射する。光ゲ
ート１３からは高周波発生器１２より印加された正弦波
状の電圧により繰り返し周期１／ｆのパルス状の光出力
が得られる。得られた光パルスはスペクトル上で見ると
光周波数間隔ｆで等間隔に並んだ多数のスペクトルから
なっている。
【００２０】光ゲート１３により生成されたパルス光は
光増幅器１４により増幅される。光増幅器１４を通過
後、各スペクトルの光強度は増幅され、高強度のスペク
トルが得られる。
光増幅器１４により増幅される。光増幅器１４を通過
後、各スペクトルの光強度は増幅され、高強度のスペク
トルが得られる。
【００２１】増幅された光は、コーナーキューブ、反射
鏡あるいは光ファイバ等の光戻し手段１５により元の方
向に戻され、光増幅器１４を経由して再び光ゲート１３
に入射する。
鏡あるいは光ファイバ等の光戻し手段１５により元の方
向に戻され、光増幅器１４を経由して再び光ゲート１３
に入射する。
【００２２】光ゲート１３への印加正弦波電圧の位相と
光ゲート１３に入射する光パルスの位相とを位相比較器
１６で比較し、光ゲート１３の透過率が最大になる時に
光ゲート１３に光パルスが入射するよう、光パルスの位
相を位相調整器１７で調整する。光ゲート１３は光増幅
器１４で増幅された光パルスが光ゲート１３に入射して
いる時刻のみ光を透過し、それ以外の時刻では光を透過
しないので、光増幅器１４からの自然放出光の大部分は
スペクトル上で一様に除去される。
光ゲート１３に入射する光パルスの位相とを位相比較器
１６で比較し、光ゲート１３の透過率が最大になる時に
光ゲート１３に光パルスが入射するよう、光パルスの位
相を位相調整器１７で調整する。光ゲート１３は光増幅
器１４で増幅された光パルスが光ゲート１３に入射して
いる時刻のみ光を透過し、それ以外の時刻では光を透過
しないので、光増幅器１４からの自然放出光の大部分は
スペクトル上で一様に除去される。
【００２３】この場合、パルス生成と増幅後のゲーティ
ングが、同一の光ゲートで行われるため、光パルス波形
と同一の形状で増幅後の光パルスを切り出すことができ
る。
ングが、同一の光ゲートで行われるため、光パルス波形
と同一の形状で増幅後の光パルスを切り出すことができ
る。
【００２４】これにより、光増幅器１４からの自然放出
光が除去され、結果として信号対雑音比の良好な、光周
波数間隔ｆで等間隔に並んだ多数のスペクトルが得られ
る。
光が除去され、結果として信号対雑音比の良好な、光周
波数間隔ｆで等間隔に並んだ多数のスペクトルが得られ
る。
【００２５】各スペクトルの光強度は、光ゲートのみを
用いて多波長発生器を構成した場合に比べ、光増幅器の
利得から光ゲートの透過時の損失を引いた分だけ増加し
ている。従って、等間隔に並んだ多数のスペクトルから
なり、信号対雑音比の良好な、高出力の多波長発生器が
構成できる。
用いて多波長発生器を構成した場合に比べ、光増幅器の
利得から光ゲートの透過時の損失を引いた分だけ増加し
ている。従って、等間隔に並んだ多数のスペクトルから
なり、信号対雑音比の良好な、高出力の多波長発生器が
構成できる。
【００２６】図３は請求項３に対応する本発明の多波長
発生器の第３の実施の形態を示すもので、図中、２１は
高周波発生器、２２，２３は第１，第２の電界吸収型光
変調器、２４は半導体光増幅器、２５は進行波型電極、
２６，２７は無反射膜、２８は終端抵抗である。
発生器の第３の実施の形態を示すもので、図中、２１は
高周波発生器、２２，２３は第１，第２の電界吸収型光
変調器、２４は半導体光増幅器、２５は進行波型電極、
２６，２７は無反射膜、２８は終端抵抗である。
【００２７】半導体光増幅器２４の両端に第１の電界吸
収型光変調器２２と第２の電界吸収型光変調器２３が集
積されている。また、これらの集積素子の上には進行波
型電極２５が形成され、集積素子の両端には無反射膜２
６，２７が形成されている。
収型光変調器２２と第２の電界吸収型光変調器２３が集
積されている。また、これらの集積素子の上には進行波
型電極２５が形成され、集積素子の両端には無反射膜２
６，２７が形成されている。
【００２８】進行波型電極２５は進行波構造となってお
り、印加された高周波信号はまず、第１の電界吸収型光
変調器２２を変調した後、電極を進行し、第２の電界吸
収型光変調器２３を変調する。この時、通過する光と電
極上を進む高周波変調信号は速度整合が取られている。
また、進行波型電極２５の片側は終端抵抗２８が接続さ
れている。
り、印加された高周波信号はまず、第１の電界吸収型光
変調器２２を変調した後、電極を進行し、第２の電界吸
収型光変調器２３を変調する。この時、通過する光と電
極上を進む高周波変調信号は速度整合が取られている。
また、進行波型電極２５の片側は終端抵抗２８が接続さ
れている。
【００２９】外部からの光（連続光）は、集積素子の第
１の電界吸収型光変調器２２側の端面から入射する。入
射端側の第１の電界吸収型光変調器２２は高周波発生器
２１よりの周波数ｆの正弦波電圧で変調されている。第
１の電界吸収型光変調器２２の消光特性が非線型なた
め、光は繰り返し周期１／ｆでパルス状に切り出され
る。この時、得られた光パルスはスペクトル上でみる
と、光周波数間隔ｆで等間隔に並んだ多数のスペクトル
からなっている。光パルスは半導体光増幅器２４を通過
し、増幅される。
１の電界吸収型光変調器２２側の端面から入射する。入
射端側の第１の電界吸収型光変調器２２は高周波発生器
２１よりの周波数ｆの正弦波電圧で変調されている。第
１の電界吸収型光変調器２２の消光特性が非線型なた
め、光は繰り返し周期１／ｆでパルス状に切り出され
る。この時、得られた光パルスはスペクトル上でみる
と、光周波数間隔ｆで等間隔に並んだ多数のスペクトル
からなっている。光パルスは半導体光増幅器２４を通過
し、増幅される。
【００３０】出力端側の第２の電界吸収型変調器２３に
は、やはり周波数ｆの正弦波変調がかけられるが、電気
正弦波変調信号と光パルスは速度整合が取られているた
め、光パルスがちょうど出力端側の第２の電界吸収型光
変調器２３に到達するのと同時刻に損失が最小になり、
結果として光パルスのみ通過することができ、半導体光
増幅器２４で付加された自然放出光の大部分はスペクト
ル上で一様に除去される。
は、やはり周波数ｆの正弦波変調がかけられるが、電気
正弦波変調信号と光パルスは速度整合が取られているた
め、光パルスがちょうど出力端側の第２の電界吸収型光
変調器２３に到達するのと同時刻に損失が最小になり、
結果として光パルスのみ通過することができ、半導体光
増幅器２４で付加された自然放出光の大部分はスペクト
ル上で一様に除去される。
【００３１】これにより、半導体光増幅器２４からの自
然放出光が除去され、結果として信号対雑音比の良好
な、光周波数間隔ｆで等間隔に並んだ多数のスペクトル
が得られる。
然放出光が除去され、結果として信号対雑音比の良好
な、光周波数間隔ｆで等間隔に並んだ多数のスペクトル
が得られる。
【００３２】図４は請求項４に対応する本発明の多波長
発生器の第４の実施の形態を示すもので、３１は高周波
発生器、３２は電界吸収型光変調器、３３は半導体光増
幅器、３４は無反射膜、３５は高反射膜、３６は光サー
キュレータである。
発生器の第４の実施の形態を示すもので、３１は高周波
発生器、３２は電界吸収型光変調器、３３は半導体光増
幅器、３４は無反射膜、３５は高反射膜、３６は光サー
キュレータである。
【００３３】これは第３の実施の形態を透過型ではなく
反射型で実現するものである。
反射型で実現するものである。
【００３４】電界吸収型光変調器３２と半導体光増幅器
３３が光の導波方向に集積されている。また、これらの
集積素子の電界吸収型光変調器３２側の端面には無反射
膜３４が形成され、集積素子の半導体光増幅器３３側の
端面は高反射膜３５が形成されている。半導体光増幅器
３３はその中を光パルスが往復し、再び電界吸収型変調
器３２に到達するまでの時間がちょうど光パルスの繰り
返し周期の整数倍になるように長さを調整してある。
３３が光の導波方向に集積されている。また、これらの
集積素子の電界吸収型光変調器３２側の端面には無反射
膜３４が形成され、集積素子の半導体光増幅器３３側の
端面は高反射膜３５が形成されている。半導体光増幅器
３３はその中を光パルスが往復し、再び電界吸収型変調
器３２に到達するまでの時間がちょうど光パルスの繰り
返し周期の整数倍になるように長さを調整してある。
【００３５】外部からの光（連続光）は光サーキュレー
タ３６を通り、集積素子の電界吸収型光変調器３２側の
端面から入射する。電界吸収型光変調器３２は高周波発
生器１０よりの周波数ｆの正弦波電圧で変調されてい
る。電界吸収型光変調器３２の消光特性が非線型なた
め、第３の実施の形態と同様に、光は繰り返し周期１／
ｆのパルス状に切り出される。この時、得られた光パル
スはスペクトル上でみると、光周波数間隔ｆで等間隔に
並んだ多数のスペクトルからなっている。
タ３６を通り、集積素子の電界吸収型光変調器３２側の
端面から入射する。電界吸収型光変調器３２は高周波発
生器１０よりの周波数ｆの正弦波電圧で変調されてい
る。電界吸収型光変調器３２の消光特性が非線型なた
め、第３の実施の形態と同様に、光は繰り返し周期１／
ｆのパルス状に切り出される。この時、得られた光パル
スはスペクトル上でみると、光周波数間隔ｆで等間隔に
並んだ多数のスペクトルからなっている。
【００３６】電界吸収型光変調器３２を通過した光は半
導体光増幅器３３を通過し、高反射膜３５で反射され、
半導体光増幅器３３を経由して、再び電界吸収型光変調
器３２に入射する。半導体光増幅器３３には電流が注入
されており、利得を有しているので、光がこの中を通過
すると光強度が増幅される。また、半導体光増幅器３３
により自然放出光が付加される。
導体光増幅器３３を通過し、高反射膜３５で反射され、
半導体光増幅器３３を経由して、再び電界吸収型光変調
器３２に入射する。半導体光増幅器３３には電流が注入
されており、利得を有しているので、光がこの中を通過
すると光強度が増幅される。また、半導体光増幅器３３
により自然放出光が付加される。
【００３７】パルス光が再び電界吸収型光変調器３２に
入射するまでの時間は光パルスの繰り返し周期の整数倍
になっているので、パルス光が再び電界吸収型光変調器
３２に入射する時には透過率が最大になっている。従っ
て、光パルスのみが電界吸収型光変調器３２を通過し、
光パルスがない時刻の自然放出光は除去される。得られ
た光は光サーキュレータ３６を通って出力される。
入射するまでの時間は光パルスの繰り返し周期の整数倍
になっているので、パルス光が再び電界吸収型光変調器
３２に入射する時には透過率が最大になっている。従っ
て、光パルスのみが電界吸収型光変調器３２を通過し、
光パルスがない時刻の自然放出光は除去される。得られ
た光は光サーキュレータ３６を通って出力される。
【００３８】これにより、半導体光増幅器３３からの自
然放出光の大部分がスペクトル上で一様に除去され、結
果として信号対雑音比の良好な、光周波数間隔ｆで等間
隔に並んだ多数のスペクトルが得られる。
然放出光の大部分がスペクトル上で一様に除去され、結
果として信号対雑音比の良好な、光周波数間隔ｆで等間
隔に並んだ多数のスペクトルが得られる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光増幅器により付加される自然放出光の大部分をスペク
トル上で一様に除去でき、信号対雑音比に優れた各スペ
クトル強度の大きい光出力を得ることができる。
光増幅器により付加される自然放出光の大部分をスペク
トル上で一様に除去でき、信号対雑音比に優れた各スペ
クトル強度の大きい光出力を得ることができる。
【００４０】また、第１の実施の形態（請求項１）で
は、個別の光部品を組み合わせることで、光強度、スペ
クトル成分等を任意に組み合わすことが可能である。
は、個別の光部品を組み合わせることで、光強度、スペ
クトル成分等を任意に組み合わすことが可能である。
【００４１】また、第２の実施の形態（請求項２）で
は、光パルスの生成とゲーティングが同一の光ゲートで
行われるので、高周波で動作させる光部品数が削減され
る。また、ゲーティングが光パルス波形と同一の波形で
行われるので、光パルスのみを理想的に切り出すことが
できる。
は、光パルスの生成とゲーティングが同一の光ゲートで
行われるので、高周波で動作させる光部品数が削減され
る。また、ゲーティングが光パルス波形と同一の波形で
行われるので、光パルスのみを理想的に切り出すことが
できる。
【００４２】また、第３、第４の実施の形態（請求項
３、４）では、構成部品がモノリシック集積されてお
り、小型で取り扱いが容易である。
３、４）では、構成部品がモノリシック集積されてお
り、小型で取り扱いが容易である。
【００４３】さらにまた、第３の実施の形態では、光の
入力側と出力側が別のため、使用が容易であり、第４の
実施の形態では、電界吸収型光変調器が１個で済む。
入力側と出力側が別のため、使用が容易であり、第４の
実施の形態では、電界吸収型光変調器が１個で済む。
【図１】本発明の多波長発生器の第１の実施の形態を示
す構成図
す構成図
【図２】本発明の多波長発生器の第２の実施の形態を示
す構成図
す構成図
【図３】本発明の多波長発生器の第３の実施の形態を示
す構成図
す構成図
【図４】本発明の多波長発生器の第４の実施の形態を示
す構成図
す構成図
１，１１：光源、２，１２，２１，３１：高周波発生
器、３：光パルス生成器、４，１４：光増幅器、５，１
３：光ゲート、６，１６：位相比較器、７，８，１７：
位相調整器、２２，２３，３２：電界吸収型光変調器、
２４，３３：半導体光増幅器、２５：進行波型電極、２
６，２７，３４：無反射膜、２８：終端抵抗、３５：高
反射膜、３６：光サーキュレータ。
器、３：光パルス生成器、４，１４：光増幅器、５，１
３：光ゲート、６，１６：位相比較器、７，８，１７：
位相調整器、２２，２３，３２：電界吸収型光変調器、
２４，３３：半導体光増幅器、２５：進行波型電極、２
６，２７，３４：無反射膜、２８：終端抵抗、３５：高
反射膜、３６：光サーキュレータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA13 BA01 CA04 CA24 EA07 EB04 GA01 HA01 HA11 KA18 KA20 5F073 AB21 BA01 BA09 EA04 EA29 GA24
Claims (4)
- 【請求項１】 所定の高周波信号を発生する高周波発生
器と、 前記高周波信号に従って外部から入力された光を変調
し、等しい周波数間隔で並ぶスペクトル成分を有する光
パルスを生成する光パルス生成器と、 前記光パルスを増幅する光増幅器と、 前記高周波信号に従って増幅後の光パルスを通過・遮断
する光ゲートと、 増幅後の光パルスの位相と光ゲートの開閉の位相とを同
期させる手段とを備えたことを特徴とする多波長発生
器。 - 【請求項２】 所定の高周波信号を発生する高周波発生
器と、 前記高周波信号に従って外部から入力された光を通過・
遮断し、等しい周波数間隔で並ぶスペクトル成分を有す
る光パルスを生成する光ゲートと、 前記光パルスを増幅する光増幅器と、 増幅後の光パルスを前記光ゲートに戻す手段と、 増幅後の光パルスの位相と光ゲートの開閉の位相とを同
期させる手段とを備えたことを特徴とする多波長発生
器。 - 【請求項３】 所定の高周波信号を発生する高周波発生
器と、 前記高周波信号に従って外部から入力された光を変調
し、等しい周波数間隔で並ぶスペクトル成分を有する光
パルスを生成する第１の電界吸収型光変調器と、 前記光パルスを増幅する半導体光増幅器と、 前記高周波信号に従って増幅後の光パルスを通過・遮断
する第２の電界吸収型光変調器とを備え、 半導体光増幅器の両端にそれぞれ第１及び第２の電界吸
収型光変調器が集積化され、これらに対して半導体光増
幅器中の光の伝播速度と速度整合が取られている電極が
少なくともその両端において第１及び第２の電界吸収型
光変調器に接続する如く形成され、該電極を介して第１
及び第２の電界吸収型光変調器に高周波信号が印加され
ていることを特徴とする多波長発生器。 - 【請求項４】 所定の高周波信号を発生する高周波発生
器と、 前記高周波信号に従って外部から入力された光を通過・
遮断し、等しい周波数間隔で並ぶスペクトル成分を有す
る光パルスを生成する電界吸収型光変調器と、 前記光パルスを増幅する半導体光増幅器とを備え、 半導体光増幅器の一端に電界吸収型光変調器が集積化さ
れ、半導体光増幅器の他端に反射膜が形成され、半導体
光増幅器の光路長が高周波信号の周波数の逆数の整数倍
の半分に等しく設定されていることを特徴とする多波長
発生器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000246189A JP3701849B2 (ja) | 2000-08-15 | 2000-08-15 | 多波長発生器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000246189A JP3701849B2 (ja) | 2000-08-15 | 2000-08-15 | 多波長発生器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002062514A true JP2002062514A (ja) | 2002-02-28 |
| JP3701849B2 JP3701849B2 (ja) | 2005-10-05 |
Family
ID=18736557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000246189A Expired - Fee Related JP3701849B2 (ja) | 2000-08-15 | 2000-08-15 | 多波長発生器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3701849B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7340173B2 (en) | 2003-05-20 | 2008-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wavelength division multiplexing optical transmitter using Fabry-Perot laser |
| JP2012222170A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Fujitsu Ltd | 光増幅装置 |
| US8818207B2 (en) | 2011-03-10 | 2014-08-26 | Fujitsu Limited | Optical transmitter |
-
2000
- 2000-08-15 JP JP2000246189A patent/JP3701849B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7340173B2 (en) | 2003-05-20 | 2008-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wavelength division multiplexing optical transmitter using Fabry-Perot laser |
| US8818207B2 (en) | 2011-03-10 | 2014-08-26 | Fujitsu Limited | Optical transmitter |
| JP2012222170A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Fujitsu Ltd | 光増幅装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3701849B2 (ja) | 2005-10-05 |
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