JP2002057130A - Polishing pad for cmp - Google Patents

Polishing pad for cmp

Info

Publication number
JP2002057130A
JP2002057130A JP2000245793A JP2000245793A JP2002057130A JP 2002057130 A JP2002057130 A JP 2002057130A JP 2000245793 A JP2000245793 A JP 2000245793A JP 2000245793 A JP2000245793 A JP 2000245793A JP 2002057130 A JP2002057130 A JP 2002057130A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
polishing pad
cmp
dimensional elements
resins
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000245793A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Amano
Kengo Imamura
Toshihiko Watase
健吾 今村
貴志 天野
稔彦 渡瀬
Original Assignee
Three M Innovative Properties Co
スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Three M Innovative Properties Co, スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー filed Critical Three M Innovative Properties Co
Priority to JP2000245793A priority Critical patent/JP2002057130A/en
Priority claimed from US10/313,000 external-priority patent/US6776699B2/en
Publication of JP2002057130A publication Critical patent/JP2002057130A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING, OR SHARPENING
    • B24D3/00Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing pad for CMP at low cost which has favorable frictional property and excellent durability and does not cause a flaw or scratch on a machined surface of a semiconductor wafer. SOLUTION: This polishing pad for CMP has a base material and a polishing layer provided on the base material. The polishing layer has a three-dimensional structure constituted by a plurality of regularly arranged three-dimensional elements in a predetermined shape. The polishing layer is made of a polishing composite containing advanced alumina abrasive grains prepared by the CVD method and a binder as components.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、その研磨層が立体構造を有する研磨パッドに関し、特に、化学・機械的研磨(Chemical and Mechanical Polishing : CMP)プロセスにより半導体ウェハを平坦化するために用いる、研磨層が立体構造を有する研磨パッドに関する。 The present invention relates, the abrasive layer relates polishing pad having a three-dimensional structure, in particular, chemical-mechanical polishing: used to planarize the semiconductor wafer by (Chemical and Mechanical Polishing CMP) process, abrasive layer to a polishing pad having a three-dimensional structure.

【0002】 [0002]

【従来の技術】CMPプロセスは、デバイスの高集積化、多層配線化に伴い、半導体ウェハを平坦化するための標準的なプロセスとして認知されている。 BACKGROUND OF THE INVENTION CMP process, high integration of devices, with the multilayer interconnection of, has been recognized as a standard process for planarizing a semiconductor wafer. CMPシステムの基本構造は、加工と洗浄の2つのユニットからなる。 The basic structure of the CMP system consists of two units of processing and cleaning. 加工ユニットでは、一般的には、半導体ウェハを維持しながら回転加圧を与えるヘッド部及びその駆動機構、それに対面する形式でパッドが添付されるプラテン及びその駆動機構が基本となる。 The processing unit, in general, the head portion and a driving mechanism providing rotational pressure while maintaining the semiconductor wafer, platen and its driving mechanism underlying the pad in the form of facing thereto is attached. その他、研磨パッドのコンディショニング(ドレッシング)機構、ウェハチャック面等の洗浄機構、作業液供給機構等が具備されている。 Other, conditioning of the polishing pad (dressing) mechanism, washing mechanism such as the wafer chucking surface, such as the working fluid supply mechanism is provided.

【0003】研磨パッドの構造や特性は加工による研磨特性に大きな影響を与えるため、CMPプロセスを支えるキーの技術として更に改良が望まれている。 [0003] Since the structure and characteristics of the polishing pad is a significant effect on polishing characteristics due to processing, further improvements as a technique for the key supporting the CMP process has been desired. 研磨パッドの構造には、ミクロ的な側面とマクロ的な側面とがあり、それぞれ研磨特性に影響する。 The structure of the polishing pad, there is a microscopic aspects and macro aspects affect each polishing characteristics. ミクロ的な構造とは砥粒やバインダーの種類、発泡状態、表面状態等である。 Type of abrasive grains and binder is a microscopic structure, foaming state, the surface state and the like. マクロ的な構造とは穴、溝、突起等の表面の形状である。 The macroscopic structure holes, grooves, and the shape of the surface of the protrusion or the like.

【0004】特表平11−512874号公報には、その研磨層が規則的な立体構造を有する半導体ウェハ用研磨パッドが記載されている。 [0004] JP Hei 11-512874, the polishing layer has been described a polishing pad for semiconductor wafer having a regular conformation. この研磨パッドはCMPプロセスに使用できる。 The polishing pad can be used in the CMP process. 研磨層が立体構造化されているとローディングが生じ難いため、この研磨パッドは研磨が安定し、耐久性に優れる。 The polishing layer hardly occurs is loading when being three-dimensional structured, the polishing pad is a polishing is stabilized, excellent in durability.

【0005】しかし、研磨層が立体構造化されている研磨パッドは砥粒の性能が研磨特性に影響し易い特性がある。 However, the polishing pad polishing layer is three-dimensional structuring is liable characteristic performance of the abrasive grains affects polishing characteristics. そのため、汎用のα−アルミナ砥粒を用いると被削面の仕上がりを充分に高めることが困難であるという問題がある。 Therefore, there is a problem that it is difficult to increase sufficiently the finish of the work surface and using a general-purpose α- alumina abrasive grains. 特にCMPプロセスでは半導体ウェハ表面は高い平坦度を確保したうえで、表面粗さ1〜2nmRy Especially after ensuring the semiconductor wafer surface is higher flatness in CMP process, the surface roughness 1~2nmRy
(最大高さ、JIS B 0601)、OSF(Oxidat (Maximum height, JIS B 0601), OSF (Oxidat
ion-induced StackingFault)フリー、マイクロスクラッチフリー、ヘイズフリーにすることが要求される。 ion-induced StackingFault) free, micro scratches free, be a haze-free are required.

【0006】ところが、従来の一般的な製造方法により得られるα−アルミナ砥粒を立体構造化研磨材料に使用すると、研磨時の摩擦力が高く、被削面に欠陥やスクラッチが生じ易い。 [0006] However, the use of α- alumina abrasive grains obtained by a conventional general production method conformation abrasive materials, friction during polishing is high, it tends to occur defects or scratches on the work surface. 他方、ダイヤモンド等の高価な砥粒を用いると研磨パッドの製造コストが高くなる。 On the other hand, the manufacturing cost of the polishing pad and using an expensive abrasive grains such as diamond increases.

【0007】 [0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問題を解決するものであり、その目的とするところは、摩擦特性が良く耐久性に優れ、半導体ウェハの被削面に欠陥やスクラッチが生じない低コストのCMP用研磨パッドを提供することにある。 [0008] The present invention has been made to solve the above conventional problems, it is an object of excellent well durable friction properties, cause defects or scratches on the work surface of a semiconductor wafer to provide a no cost of the polishing pad CMP.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、基材と基材上に設けられた研磨層とを有し、上記研磨層が、規則的に配置された所定形状の立体要素を複数含む立体構造を有し、上記研磨層が、構成成分としてCVD法により製造されたアドバンストアルミナ砥粒と結合剤とを含む研磨コンポジットで成る、CMP用研磨パッドを提供するものであり、そのことにより上記目的が達成される。 The present invention SUMMARY OF] has a polishing layer formed on a substrate and the substrate, the polishing layer comprises a plurality of three-dimensional elements having a predetermined shape are regularly arranged three-dimensional has the structure, the abrasive layer is made of a polishing composite comprising the advanced alumina abrasive grains produced by the CVD method as a component and a binder, there is provided a polishing pad for CMP, the object by its There is achieved.

【0009】 [0009]

【発明の実施の形態】研磨層の代表的な例を図1、2、 Representative examples of the embodiment of the invention polishing layer 1 and 2,
3および4に例示する。 Illustrated in 3 and 4.

【0010】好ましい研磨層は規則的に形作られても(上記の発明の開示に定義する)または不規則に形作られてもよく、規則的に形作られた研磨層が好ましい。 The preferred polishing layer be shaped regularly (as defined above disclosure of the invention) or may be irregularly shaped, abrasive layer that is shaped in a regular is preferred.

【0011】個々の立体要素の形状は種々の幾何学的な固体の任意の形態を有してもよい。 [0011] The shape of the individual three-dimensional elements may have any form of a variety of geometric solids. 一般に、基材に接触する立体要素の基面は末端部より面積が大きい。 In general, the base surface of the three-dimensional elements in contact with the substrate is larger area than the distal end. 立体要素の形状は、立方体、円筒、プリズム、切頭プリズム、 The shape of the three-dimensional element, a cube, cylinder, prism, truncated prism,
ストライプ、矩形、ピラミッド、切頭ピラミッド、4面体、切頭4面体、円錐、切頭円錐、半球、切頭半球、十文字または円心端を有する柱様断面などの数多くの幾何学的固体から選択することができる。 Selection stripes, rectangles, pyramids, truncated pyramids, tetrahedrons, truncated tetrahedral, conical, truncated cone, hemisphere, truncated hemisphere, from a number of geometric solids such as pillars like cross-section having a cross or circle center end can do.

【0012】立体要素のピラミッドは4面、5面または6面を有してもよい。 [0012] pyramid four sides of the three-dimensional elements may have five faces or six sides. 立体要素は異なる形状の混合物を有してもよい。 Three-dimensional elements may have a mixture of different shapes. 立体要素は列、渦巻き、らせんまたは格子状に配列されてもよく、または無作為に配置されてもよい。 Three-dimensional elements are columns, spiral, may be arranged in a spiral or grid-like, or may be randomly placed.

【0013】立体要素を形成する側面は基材に対して垂直であっても、基材に対して傾斜していても、または末端部の方に幅が狭くなりながら傾斜していてもよい。 [0013] Also sides defining a three-dimensional elements is a vertical relative to the substrate, be tilted relative to the substrate, or width toward the distal end may be inclined while narrowed. 側面が傾斜している場合には、成形型すなわち製造用具の型穴から立体要素を取り出すことはより容易である。 When the side surface is inclined, it is easier to take out the three-dimensional element from the mold cavity of the mold i.e. production tool. 傾斜角は約1〜75度、好ましくは約2〜50度、さらに好ましくは約3〜35度、最も好ましくは約5〜15度の範囲であってよい。 Tilt angle of about 1 to 75 degrees, preferably about 2 to 50 degrees, more preferably about 3 to 35 degrees, may range from most preferably about 5 to 15 degrees.

【0014】角度がより小さいと、立体要素が摩耗するとき、見かけ上接触面積が一定となるので、より小さい角度が好ましい。 [0014] and the angle is smaller than when the three-dimensional elements are worn, since the apparent contact area is constant, a smaller angle is preferable. 従って、一般に、傾斜角は、成形型すなわち製造用具からの取り出しを容易にするほど十分に大きい角度と、均一な断面積を形成するほど十分に小さい角度との妥協点である。 Thus, in general, the inclination angle is a compromise and sufficiently large angle to facilitate removal from the mold i.e. the production tool, a sufficiently small angle to form a uniform cross-sectional area. 基面より末端部の方がより大きい断面を有する立体要素を使用することもできるが、 Although toward the end from the base surface can also be used three-dimensional elements having a larger cross-section,
その製造には、簡単な成形法以上の工夫を必要する。 Its manufacture and requires a simple molding method or contrivances.

【0015】各立体要素の高さは好ましくは同じであるが、研磨層の立体構造の中に高さが異なるものがあってもよい。 [0015] While the height of the three-dimensional element is preferably the same height there may be a different in the three-dimensional structure of the abrasive layer. 立体要素の高さは、基材の表面を基準にして、 The height of the three-dimensional elements, based on the surface of the substrate,
一般に約2000マイクロメーターより小さく、さらに好ましくは約25〜200マイクロメーターの範囲である。 Generally less than about 2000 micrometers, more preferably from about 25-200 micrometers.

【0016】立体要素の基面は互いに接してもよいが、 The base surface of the three-dimensional elements may be in contact with each other,
または隣り合う立体要素の基面はある規定の距離で互いに離れていてもよい。 Or may be separated from one another by a distance of base surface of the three-dimensional elements are defined adjacent. いくつかの実施態様において、隣り合う立体要素の物理的な接触量は各々接触する立体要素の垂直高さ寸法の33%を越えない。 In some embodiments, the physical contact of the adjacent three-dimensional elements may not exceed 33% of the vertical height dimension of the three-dimensional elements which respectively contact. さらに好ましくは、隣り合う立体要素間の物理的接触量は各々接触している立体要素の垂直高さの1〜25%の範囲内である。 More preferably, the physical contact amount between the adjacent three-dimensional elements are each within 1% to 25% range of the vertical height of the three-dimensional elements that are in contact.

【0017】この「接する」の定義は、隣り合う立体要素が共通の立体要素窪地を共有する配置や、立体要素の向き合う側壁の間がつながれ、延長されている橋状構造も含む。 The definition of "contacting" is located and the adjacent three-dimensional elements share a common solid elements depressions, between the side walls facing the three-dimensional elements are connected, including a bridge-like structure being extended. 好ましくは、窪地構造は各隣接する立体要素の垂直高さ寸法の33%を越えない高さを有する。 Preferably, depressions structure has a height not exceeding 33% of the vertical height dimension of each adjacent three-dimensional elements. 立体要素間の窪地は立体要素を形成するために使用する同じスラリーから形成される。 Depressions between three-dimensional elements are formed from the same slurry used to form the three-dimensional elements. 立体要素の中心間に引かれる真っ直ぐな仮想線上に介在する立体要素が配置されていないという意味において、立体要素は「隣り合っている」。 In the sense that three-dimensional elements are not disposed interposed straight imaginary line drawn between the centers of the three-dimensional elements, solid elements "are adjacent." 立体要素の少なくとも一部は、立体要素の隆起した部分の間に窪んだ部分を提供するように、互いに離れていることが好ましい。 At least a portion of the three-dimensional element, so as to provide a recessed portion between the raised portions of the three-dimensional elements, it is preferable that apart from one another.

【0018】立体要素の一方向の間隔は、1cmあたり約1つの立体要素〜1cmあたり約100個の立体要素の範囲であってもよい。 The one-way distance of three-dimensional elements may be in the range of about one three-dimensional elements ~1cm per about 100 three-dimensional elements per 1 cm. 立体要素の一方向の間隔は、立体要素の密度がある位置では別の位置より大きいように変化してもよい。 Unidirectional spacing of the three-dimensional elements may be varied to be greater than another position at a position where there is a density of the three-dimensional elements. 例えば、密度は研磨パッドの中心で最も大きくてもよい。 For example, the density may be greatest in the center of the polishing pad. 立体要素の面積密度は約1〜10, Area density of about 1 to 10 of the three-dimensional element,
000個の立体要素/cm 2の範囲である。 000 in the range of three-dimensional elements / cm 2.

【0019】基材の面が露出されている、すなわち研磨被覆が基材の表面領域全体を覆っていない配置も可能である。 The surface of the substrate is exposed, that is, can be disposed of polishing coating does not cover the entire surface area of ​​the substrate. この種の配列は米国特許第5,014,468号(ラビパチ(Ravipati)ら)に記載されている。 The sequence of this type are described in U.S. Patent No. 5,014,468 (Rabipachi (Ravipati) et al).

【0020】立体要素は、好ましくは、所定のパターンで基材に配置され、または所定の位置の基材に配置される。 The three-dimensional elements are preferably arranged on the substrate in a predetermined pattern, or are arranged on the substrate in a predetermined position. 例えば、基材と型穴を有する製造用具との間にスラリーを提供することによって製造される研磨物品では、 For example, in the abrasive article made by providing a slurry between a production tool having a substrate and a mold cavity,
立体要素の所定のパターンは、製造用具の型穴のパターンに対応する。 Predetermined pattern of three-dimensional elements corresponds to the pattern of the mold cavity of the production tool. 従って、パターンは物品ごとに再現される。 Thus, the pattern is reproduced for each article.

【0021】所定のパターンの一実施態様では、立体要素は配列した状態で存在する。 [0021] In one embodiment of the predetermined pattern, the three-dimensional element is present in a state of arrangement. これは立体要素は横列と縦列が配列されたもの、または横列と縦列が交互に食い違って配列されたものなどの規則的な配列で存在することを意味する。 This three-dimensional elements means that there in a regular sequence, such as those rows and columns are arranged, or which rows and columns are arranged staggered alternately. 望ましい場合には、立体要素の1つの横列を立体要素の2番目の横列の前に直接配置することができる。 If desired, it can be placed directly in front of the second row of solid elements of one row of three-dimensional elements. 好ましくは、立体要素の1つの横列は立体要素の2番目の横列と互い違いであってもよい。 Preferably, one row of three-dimensional elements may be staggered and second row of three-dimensional elements.

【0022】別の実施態様では、立体要素は「無作為な」配列またはパターンで配置されてもよい。 [0022] In another embodiment, three-dimensional elements may be arranged in "random" array or pattern. これは、 this is,
立体要素が上記のような横列と縦列の規則的な配列状態にないことを意味する。 Three-dimensional elements means that there is no a regular arrangement of rows and columns as described above. 例えば、立体要素は1995年3月23日に公開された国際公開広報PCT95/07 For example, three-dimensional element is international publication, which is published in the March 23, 1995 PCT95 / 07
797号(フープマン(Hoopman)ら)および1 797 (Hoopman (Hoopman) et al.) And 1
995年8月24日に公開された国際公開広報PCT9 International Publication was published on August 24, 1995 PCT9
5/22436号(フープマン(Hoopman)ら) No. 5/22436 (Hoopman (Hoopman), et al.)
に記載されているような方法で配置されてもよい。 It may be arranged in a manner as described. しかし、この「無作為」な配列は、研磨物品上の立体要素の位置が所定で、研磨物品を製造するために使用した製造用具の型穴の位置に対応するという点では所定のパターンである。 However, this "random" array is a predetermined position of the three-dimensional elements on the abrasive article, it is in a predetermined pattern in that corresponding to the position of the mold cavity of the production tool used to make the polishing article .

【0023】三次元的な組織状の研磨物品は研磨剤被覆組成が異なってもよい。 The abrasive article of three-dimensional tissue-like may be different abrasive coating composition. 例えば、研磨ディスクの中心は、研磨ディスクの外側領域と異なる(例えば、柔らかさ、堅さ、または多少の受食性)研磨剤被覆を含有してもよい。 For example, the center of the abrasive disc is different from the outer region of the abrasive disc (e.g., softness, firmness, or some erodibility) may contain an abrasive coating.

【0024】図1の研磨物品10は、基材12に固定または接着されたピラミッド状の立体要素11を有する。 The abrasive article 10 of Figure 1 has a pyramidal three-dimensional elements 11 fixed or bonded to the substrate 12.
隣接する立体要素間には窪みまたは谷13が存在する。 Between adjacent three-dimensional elements indentations or valleys 13 are present.
第1の横列から違い違いに第2の横列のピラミッド状の立体要素も存在する。 Pyramidal three-dimensional elements of the second row in the difference the difference from the first row is also present. ピラミッド状立体要素の最外点すなわち末端部は工程中にウェハ表面と接触する。 Outermost point or distal end of the pyramidal three-dimensional elements are in contact with the wafer surface during processing.

【0025】図2の研磨物品20は不規則な形状のピラミッド状立体要素を有する。 The abrasive article 20 of Figure 2 has a pyramidal three-dimensional elements of irregular shape. この特定の例示では、立体要素はピラミッド型の形状を有する。 In this particular example, three-dimensional elements has the shape of a pyramid. ピラミッドを形成する境界は不規則な形状である。 Boundary forming the pyramid are irregularly shaped. 不完全な形状は、結合剤前駆体がかなり硬化または固化する前に、スラリーが流動し、最初の形状が歪んだ結果であり得る。 Incomplete shape, before the binder precursor is considerably hardened or solidified, the slurry to flow, may be but results distorted original shape. 不規則な形状は、真っ直ぐでない、きれいでない、再現性のない、正確でないまたは完璧でない平面または形状の境界が特徴である。 Irregularly shaped, not straight, not clean, non-reproducible, the boundary of the planar or shape is not correct and not or perfect is characterized.

【0026】図3の研磨物品30は、切頭ピラミッド状の立体要素31を有する。 The abrasive article 30 of Figure 3 has a truncated pyramidal three-dimensional elements 31.

【0027】図4の研磨物品40は、「十字」形状41 [0027] The abrasive article 40 of FIG. 4, "cross" shape 41
と「x」の形状42の立体要素を有する。 And having a three-dimensional elements of the shape 42 "x". 立体要素は、 Three-dimensional element,
横並びのパターンで配置される。 They are arranged in side-by-side pattern. 種々の横並び中のカンマ立体要素は互いに食い違い、隣接する横並びの立体要素と直接並ばない。 Various comma three-dimensional elements are staggered from each other in side-by-side, not aligned directly adjacent side-by-side three-dimensional elements. さらに、立体要素の横並びは空間または谷によって分離されている。 Furthermore, side-by-side three-dimensional elements are separated by space or valley. 谷または空間はごく少量(高さによって測定したとき)の立体要素を含有してもよく、または立体要素を含有しなくてもよい。 Valley or space may not contain a very small amount may contain three-dimensional elements (high as measured by of) or three-dimensional elements.

【0028】別の配列または構成の立体要素は、各々の交互の横並びが「十字」形状を有する立体要素または「x」形状を有する立体要素のどちらかを含む以外は、 [0028] Another sequence or three-dimensional elements of the structure, except containing either three-dimensional elements having a three-dimensional elements or "x" shaped, each alternating side by side has a "cross" shape,
図3と同様である。 Is the same as that shown in FIG. この配列では、奇数列の立体要素は偶数列の立体要素と互い違いになっている。 In this arrangement, three-dimensional elements of the odd rows are staggered with three-dimensional elements of even columns. 上記の配列の十字形状または「x」形状の立体要素では、十字またはx形状のどちらかを形成する1本の線の長さは約75 The three-dimensional elements of the cross-shaped or "x" shape of the array, the length of one line forming either the cross or the x shape was about 75
0マイクロメーターで、十字またはx形状のどちらかを形成する1本の線の幅は約50マイクロメーターであることが好ましい。 0 micrometer, it is preferable that the width of one line forming either the cross or the x shape is about 50 micrometers.

【0029】図5は、本発明の一例であるCMP用研磨パッドの研磨面の斜視図である。 FIG. 5 is a perspective view of the polishing surface of the polishing pad for CMP, which is an example of the present invention. 研磨層の立体構造が表示されている。 Conformation of the abrasive layer are displayed. 研磨層の立体構造は複数の立体要素で構成されている。 Conformation of the abrasive layer is composed of a plurality of three-dimensional elements. 立体要素の形状は円筒形であり、複数の円筒形が規則的に配置されている。 The shape of the three-dimensional element is cylindrical, a plurality of cylindrical are regularly arranged.

【0030】図6は、上記CMP用研磨パッドの研磨面の平面図である。 FIG. 6 is a plan view of the polishing surface of the polishing pad the CMP. 立体要素の配置態様の一例を示したものである。 It illustrates an example of arrangement of the three-dimensional elements. 複数の立体要素が同一間隔で横方向に並べられて行A、B、・・・が形成され、これらの行は、立体要素が互い違いになるようにずらして縦方向に並べられている。 A plurality of three-dimensional elements are arranged in the horizontal direction at the same interval rows A, B, · · · are formed, these lines are aligned longitudinally shifted such three-dimensional elements is staggered.

【0031】図6中、符号dは立体要素である円筒の直径を示す。 [0031] In FIG 6, reference numeral d represents the diameter of the cylinder is a three-dimensional element. dは、例えば、10〜5000μm、好ましくは50〜500μm、より好ましくは100〜300 d is, for example, 10~5000Myuemu, preferably 50 to 500 [mu] m, more preferably 100 to 300
μmとされる。 Are μm. 符号eは同一行内で隣接する立体要素間の距離を示す。 Code e is the distance between the three-dimensional elements that are adjacent in the same row. 符号fは隣の行で隣接する立体要素間の距離を示す。 Code f denotes the distance between the three-dimensional elements that are adjacent in the next row. e及びfは同一寸法でも異なる寸法でもよく、例えば、10〜10000μm、好ましくは50〜 e and f may be different sizes at the same size, for example, 10~10000Myuemu, preferably 50 to
1000μm、より好ましくは100〜300μmとされる。 1000 .mu.m, more preferably between 100 to 300 [mu] m. 一般にeとfとは同一寸法とされる。 The general e and f are the same size.

【0032】図7は図6に示すCMP用研磨パッドをX FIG. 7 is a polishing pad for CMP shown in FIG. 6 X
X'面で切った断面図である。 It is a sectional view taken along the X 'plane. 図7において、研磨パッド1は、基材2と基材の表面上に設けられた研磨層3とを有する。 7, the polishing pad 1 includes a polishing layer 3 provided on the surface of the substrate 2 and the substrate. 研磨層3は立体構造を有している。 Abrasive layer 3 has a three-dimensional structure.

【0033】基材は厚さが均一であることを要する。 [0033] The substrate requires that the thickness is uniform. 基材の厚さが十分に均一でない場合には、半導体ウェハの被削面およびウェハ厚さにばらつきが生じることがある。 If the thickness of the substrate is not sufficiently uniform, sometimes variations in the workpiece surface and the wafer thickness of the semiconductor wafer. 可撓性基材および比較的強固な基材を含む、種々の基材材料のいかなるものも本発明の目的に好適である。 Flexible substrate and a relatively rigid substrate, any material is also suitable for the purposes of the present invention of various substrate materials.

【0034】基材に好ましい材料には、ポリマーフィルム、紙、布、金属フィルム、バルカンファイバー、不織基材、これらの組み合わせおよびこれらの処理品が含まれる。 [0034] Preferred materials for the substrate, a polymer film, paper, include cloth, metal film, vulcanized fiber, nonwoven substrate, of these combinations and their treated products. 基材の1つの好ましい種類は、ポリマーフィルムである。 One preferred type of substrate is a polymer film. このようなフィルムの例には、ポリエステルおよびコポリエステルフィルム、微小間隙ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム等が挙げられる。 Examples of such films, polyester and co-polyester films, the small gap polyester film, polyimide film, polyamide film, polyvinyl alcohol film, a polypropylene film, polyethylene film and the like. ポリマーフィルム基材の厚さは、一般に約20〜1000μm、好ましくは50〜500μm、さらに好ましくは60〜2 The thickness of the polymer film substrate, generally from about 20 to 1000 .mu.m, preferably 50 to 500 [mu] m, more preferably 60 to 2
00μmの範囲である。 It is in the range of 00μm. 例えば、基材はポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムであってよい。 For example, the substrate may be a polyethylene terephthalate (PET) film.

【0035】ポリマーフィルム基材と研摩コーティングとの接着性は良好でなければならない。 The adhesion between the abrasive coating polymer film substrate must be good. 多くの場合において、ポリマーフィルム基材のコーティング面が下塗りされて、接着性が改良される。 In many cases, the coating surface of polymeric film substrate is primed, adhesiveness is improved. 例えば、ポリマーフィルムは、研磨コンポジットの基材に対する接着を促進するためにポリエチレンアクリル酸のような材料で下塗りしてもよい。 For example, the polymer film may be undercoated with a material such as polyethylene acrylic acid in order to promote adhesion to the substrate of the abrasive composite.

【0036】研磨層3は結合剤のマトリックスとその中に分散させた砥粒4とを含む研磨コンポジットで成っている。 The abrasive layer 3 consists in abrasive composite comprising abrasive grains 4 dispersed therein a matrix of binder.

【0037】研磨コンポジットは、未硬化または未ゲル化状態の結合剤中に分散された複数の砥粒を含有するスラリーから形成される。 The abrasive composite is formed from a slurry containing a plurality of abrasive grains dispersed in a binder in uncured or ungelled state. 硬化またはゲル化において、研磨コンポジットは固形化、すなわち予め定められた形状および予め定められた構造に固定される。 In the curing or gelling, the abrasive composite is solidified, i.e. is fixed to a predetermined shape and a predetermined structure.

【0038】本発明に適する砥粒の種類はα−アルミナ粒子である。 The abrasive grains of the type suitable for the present invention are α- alumina particles. α−アルミナ粒子はアルミニウム原料精練からファインセラミックス原料まで幅広い用途で使用されている汎用的な酸化物材料である。 α- alumina particles are generic oxide materials used in a wide range of applications from aluminum material smelting to fine ceramic material.

【0039】従来、工業用のα−アルミナ粒子は、バイヤー法、微細水酸化アルミニウムやミョウバンを熱分解する方法、及び電融法等により製造されてきた。 [0039] Conventionally, industrial α- alumina particles, Bayer process, have been produced by micro-aluminum hydroxide or alum method of thermally decomposing, and electro-fused method. これらの方法では、アルミナ原料を高温で焼成したり溶融してアルミナブロックを形成し、その後、粉砕、精製及びふるい分けして粒度が調整される。 In these methods, an alumina raw material by melting or firing at a high temperature to form the alumina block, then crushed, purified and screened to particle size is adjusted. そのため、かかるα− Therefore, such α-
アルミナ粒子は形状が不均一な多結晶体で、凝集粒子を多く含み、粒度分布が広い、また用途によってはアルミナ純度が低い等の問題がある。 Alumina particles is in a non-uniform polycrystalline shape, contains many agglomerated particles, there is a problem of low alumina purity, etc. by the particle size distribution is wide, also applications.

【0040】本発明で用いるα−アルミナ粒子はアドバンストアルミナ砥粒であることが好ましい。 [0040] As used in the present invention α- alumina particles is preferably advanced alumina abrasive grains. アドバンストアルミナ粒子とは、インサイツ・ケミカル・ベイパー・デポジション法(以下、CVD法と称する。)により製造されたα−アルミナ粒子をいう。 The advanced alumina particles, in situ Chemical Vapor deposition method (hereinafter, referred to as CVD method.) Refers to manufactured α- alumina particles by. アドバンストアルミナ粒子は上述のような焼成粉砕したものと比べて粒子径分布やアルミナ粒子の結晶系の均一性に優れる。 Advanced alumina particles is excellent in the uniformity of the crystal system as compared to those described above firing ground particles size distribution and alumina particles.

【0041】アドバンストアルミナ砥粒は結晶成長した粒子から構成される均質な単結晶粒子であり、球状に近い性質を有する。 The advanced alumina abrasive grains are homogeneous single crystal particles composed of crystal growth particles have properties similar to the sphere. また結晶の成長サイズを制御することができるため粒度分布がシャープとなる。 Also the sharp particle size distribution it is possible to control the growth size of the crystal. アドバンストアルミナ砥粒の特徴及び用途については、毛利正英(Ma For advanced alumina abrasive grains of features and applications, Masahide Mori (Ma
sahide Mohri)、田中紳一郎(Shin-ichiro Tanaka)、 sahide Mohri), Tanaka Shinichiro (Shin-ichiro Tanaka),
内田義男(Yoshio Uchida)、「アドバンストアルミナの開発(Development of Advanced Alumina)」、機能材料、1996年12月号、第16巻、第12号、第1 Yoshio Uchida (Yoshio Uchida), "Development of Advanced alumina (Development of Advanced Alumina)", functional materials, December 1996 issue, Vol. 16, No. 12, the first
8〜27頁に説明されている。 It is described on pages 8-27.

【0042】本発明で用いるのに特に好ましいアドバンストアルミナ砥粒は特開平6−191836号公報に記載されている。 [0042] for use in the present invention particularly preferred advanced alumina abrasive grains are described in JP-A-6-191836. すなわち、均質で内部に結晶種を有さず、8面以上の多面体形状を有し、六方最密格子であるα−アルミナの六方格子面に平行な最大粒子径をD、六方格子面に垂直な粒子径をHとしたとき、D/H比が0.5以上3.0以下であるα−アルミナ単結晶粒子からなり、ナトリウム含有量がNa 2 Oに換算して0.0 That is, no crystal seed inside in a homogeneous, vertical has eight or more surfaces of the polyhedral shape is the hexagonal close-packed lattice α- maximum particle diameter parallel to the hexagonal lattice plane of alumina D, and a hexagonal lattice plane when the particle diameter is H such, D / H ratio is 0.5 to 3.0 α- alumina made of single-crystal particles of sodium content in terms of Na 2 O 0.0
5重量%未満であり、アルミナ純度が99.90重量% 5 is less than weight percent, alumina purity of 99.90 wt%
以上である粉末状のα−アルミナである。 A powdery α- alumina is at least.

【0043】砥粒の寸法は研磨される半導体ウェハの種類や要求される被削面の仕上がりに依存して変化する。 The size of the abrasive grains may vary depending on the finish of the work surface to be type and requirements of the semiconductor wafer to be polished.
例えば、その平均粒径は、0.1〜50μm、好ましくは0.3〜5μmさらに好ましくは0.4〜2μmである。 For example, the average particle diameter thereof, 0.1 to 50 [mu] m, preferably 0.3~5μm more preferably 0.4~2Myuemu. このようなアドバンストアルミナ砥粒は住友化学工業株式会社より商品名「スミコランダム」として市販されている。 Such advanced alumina abrasive grains are commercially available under the trade name of "Sumiko random" from Sumitomo Chemical Co., Ltd.

【0044】研磨層が立体構造化されたCMP用研磨パッドの砥粒としてアドバンストアルミナ粒子を使用すると、CMPプロセスにおいて、研磨時の摩擦力が低くなって研磨が安定し、被削面に欠陥やスクラッチが生じ難くなる。 [0044] When the abrasive layer uses advanced alumina particles as abrasive grains of the polishing pad for CMP, which is three-dimensional structuring in the CMP process, the polishing is stabilized becomes lower frictional force during polishing, defects or scratches on the work surface It is less likely to occur.

【0045】結合剤は硬化またはゲル化することにより研磨層を形成する。 [0045] The binder to form an abrasive layer by curing or gelling. 本発明に好ましい結合剤の例には、 Examples of preferred binders in the present invention,
フェノール樹脂、レゾール−フェノール樹脂、アミノプラスト樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、メラミン樹脂、アクリル化イソシアヌレート樹脂、尿素-ホルムアルデヒド樹脂、イソシアヌレート樹脂、アクリル化ウレタン樹脂、アクリル化エポキシ樹脂およびこれらの混合物が含まれる。 Phenolic resins, resol - phenolic resins, aminoplast resins, urethane resins, epoxy resins, acrylic resins, polyester resins, vinyl resins, melamine resins, acrylated isocyanurate resins, urea - formaldehyde resins, isocyanurate resins, acrylated urethane resins, They include acrylated epoxy resins and mixtures thereof. 結合剤は熱可塑性樹脂でもよい。 The binder may be a thermoplastic resin.

【0046】特に好ましいものは、照射硬化性結合剤である。 [0046] Particularly preferred is a radiation curable binder. 照射硬化性結合剤は照射エネルギーにより少なくとも部分的に硬化されるか、または少なくとも部分的に重合されうるいずれかの結合剤である。 Radiation curable binder is any binder that can at least partially or is cured, or at least partially polymerized by radiation energy. 用いられる結合剤に依存して、熱、赤外線、電子線、紫外線照射または可視光照射のようなエネルギー源が用いられる。 Depending on the binder used, heat, infrared, electron beam, an energy source such as ultraviolet radiation or visible light radiation is used.

【0047】典型的には、これらの結合剤はフリーラジカル機構により重合される。 [0047] Typically, these binders are polymerized by a free radical mechanism. 好ましくは、これらは、エチレン性不飽和モノマー及びオリゴマーのようなエチレン性不飽和化合物、アクリル化ウレタン、アクリル化エポキシ、α,β-不飽和カルボニル基を有するアミノプラスト誘導体、エチレン性不飽和基を有するイソシアヌレート誘導体、エチレン性不飽和基を有するイソシアネート、およびこれらの混合物からなる群から選択される。 Preferably, these, ethylenically unsaturated compounds such as ethylenically unsaturated monomers and oligomers, acrylated urethane, acrylated epoxy, alpha, aminoplast derivatives having β- unsaturated carbonyl groups, ethylenically unsaturated groups isocyanurate derivatives having an isocyanate having an ethylenically unsaturated group, and is selected from the group consisting of mixtures.

【0048】エチレン性不飽和化合物は一官能性、二官能性、三官能性、四官能性またはさらに高官能性であってもよく、アクリル系モノマーおよびメタクリル系モノマーを共に含んでもよい。 The ethylenically unsaturated compound is a monofunctional, difunctional, trifunctional, may be a tetrafunctional or even higher functionality may include both acrylic monomers and methacrylic monomers. エチレン性不飽和化合物は炭素原子、水素原子および酸素原子、並びに場合に応じて窒素原子およびハロゲン原子を含有するモノマー化合物およびポリマー化合物を共に含む。 Ethylenically unsaturated compounds include both carbon atoms, hydrogen atoms and oxygen atoms, as well as monomeric compound containing a nitrogen atom and a halogen atom as the case and the polymer compound.

【0049】酸素原子もしくは窒素原子、または両者は一般に、エーテル基、エステル基、ウレタン基、アミド基および尿素基中に含有される。 The oxygen atom or a nitrogen atom, or both are generally, an ether group, an ester group, a urethane group, contained in amide and urea groups. 好適なエチレン性不飽和化合物は、好ましくは、分子量が約4000より小さく、好ましくは、脂肪族モノヒドロキシ基または脂肪族ポリヒドロキシ基を有する化合物と、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、 Suitable ethylenically unsaturated compounds are preferably, the molecular weight is less than about 4000, preferably a compound having an aliphatic monohydroxy groups or aliphatic polyhydroxy groups, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid,
マレイン酸等などの不飽和カルボン酸との反応から製造されるエステルである。 Maleic acid esters prepared from the reaction of an unsaturated carboxylic acid, such as.

【0050】エチレン性不飽和モノマーの代表的な例には、エチルメタクリレート、スチレンジビニルベンゼン、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、ヒドロキシブチルアクリレート、ヒドロキシブチルメタクリレート、ビニルトルエン、エチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ヘキサンジオールジアクリレート、 [0050] Representative examples of ethylenically unsaturated monomers, methacrylate, styrene divinyl benzene, hydroxyethyl acrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl acrylate, hydroxypropyl methacrylate, hydroxybutyl acrylate, hydroxybutyl methacrylate, vinyl toluene, ethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, hexanediol diacrylate,
トリエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、グリセロールトリアクリレート、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ペンタエリトリトールトリメタクリレート、ペンタエリトリトールテトラアクリレートおよびペンタエリトリトールテトラメタクリレートが挙げられる。 Triethylene glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, glycerol triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetraacrylate and pentaerythritol tetramethacrylate and the like.

【0051】他の、エチレン性不飽和材料には、ジアリルフタレート、ジアリルアジペートおよびN,N−ジアリルアジパミドなどのモノアリル、ポリアリルおよびポリメタアリルエステルおよびカルボン酸アミドが挙げられる。 [0051] Other, the ethylenically unsaturated material, diallyl phthalate, diallyl adipate and N, N- monoallyl of diallyl adipamide include polyallyl and poly methallyl esters and carboxylic acid amides. さらに他の含窒素化合物には、トリス(2−アクリル−オキシエチル)イソシアヌレート、1,3,5− Still other nitrogen containing compounds include tris (2-acryl - oxyethyl) isocyanurate, 1,3,5
トリ(2−メタアクリルオキシエチル)−s−トリアジン、アクリルアミド、メタクリルアミド、N−メチル− Tri (2-methacryloxyethyl) -s-triazine, acrylamide, methacrylamide, N- methyl -
アクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、N Acrylamide, N, N-dimethylacrylamide, N
−ビニル−ピロリドンおよびN−ビニル−ピペリドンが挙げられる。 - vinyl - include piperidone - pyrrolidone and N- vinyl.

【0052】二または三官能性アクリレートおよびメタクリレートモノマーと組み合わせて、またはフェノール樹脂もしくはエポキシ樹脂とともに使用され得る好適な一官能性アクリレートおよびメタクリレートの例には、 [0052] in combination with di- or trifunctional acrylate and methacrylate monomers, or example of the phenolic resin or suitable monofunctional acrylates may be used with epoxy resins and methacrylate,
ラウリルアクリレート、オクチルアクリレート、2− Lauryl acrylate, octyl acrylate, 2-
(2−エトキシエトキシ)エチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ステアリルアクリレート、2−フェノキシエチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、イソデシルアクリレート、ポリエチレングリコールモノアクリレートおよびポリプロピレングリコールモノアクリレートが挙げられる。 (2-ethoxyethoxy) ethyl acrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, cyclohexyl acrylate, stearyl acrylate, 2-phenoxyethyl acrylate, isooctyl acrylate, isobornyl acrylate, isodecyl acrylate, polyethylene glycol monoacrylate and polypropylene glycol monoacrylate It is.

【0053】結合剤が紫外線照射により硬化される場合は、フリーラジカル重合を開始させるために光開始剤を必要とする。 [0053] If the binder is cured by ultraviolet irradiation, and require a photoinitiator to initiate the free-radical polymerization. この目的に好ましい光開始剤の例には、有機パーオキシド、アゾ化合物、キノン、ベンゾフェノン、ニトロソ化合物、アクリルハライド、ヒドラゾン、 Examples of preferred photoinitiators for this purpose, organic peroxides, azo compounds, quinones, benzophenones, nitroso compounds, acryl halides, hydrazones,
メルカプト化合物、ピリリウム化合物、トリアクリルイミダゾール、ビスイミダゾール、クロロアルキルトリアジン、ベンゾインエーテル、ベンジルケタール、チオキサントンおよびアセトフェノン誘導体が含まれる。 Mercapto compounds, pyrylium compounds, triacrylimidazoles imidazole, bisimidazole, chloroalkyl triazines, benzoin ethers, benzil ketals include thioxanthone and acetophenone derivatives. 好ましい光開始剤は2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニル−1−エタノンである。 Preferred photoinitiators are 2,2-dimethoxy-1,2-diphenyl-1-ethanone.

【0054】結合剤が可視照射で硬化される場合は、光開始剤はフリーラジカル重合を開始させることが必要とされる。 [0054] binder is when it is cured by visible radiation, a photoinitiator is required to initiate free radical polymerization. この目的のために好ましい光開始剤の例は、ここに参照として挙げる米国特許第4,735,632号、 Examples of preferred photoinitiators for this purpose, U.S. Patent No. 4,735,632 mentioned by way of reference herein,
第3欄、第25行から第4欄第10行、第5欄第1〜7 Column 3, column 4, line 10 from the line 25, column 5, 1-7
行、第6欄第1〜35行に記載されている。 Lines, are described in column 6 1-35 rows.

【0055】研磨コンポジット中に含まれる砥粒の濃度は10〜90重量%、好ましくは40〜80重量%、より好ましくは60〜75重量%である。 [0055] abrasive grains concentration in the abrasive composite is 10 to 90% by weight, preferably 40 to 80 wt%, more preferably 60 to 75 wt%. この割合は砥粒のサイズおよび用いる結合剤の種類や要求される被削面の仕上がり等に依存して変化する。 This ratio varies depending on the finish or the like of the work surface to be abrasive size and use the type of binder and requirements.

【0056】研磨コンポジットは砥粒および結合剤以外の材料を含んでよい。 [0056] abrasive composite may comprise a material other than the abrasive grains and binders. 例えば、カップリング剤、湿潤剤、染料、顔料、可塑剤、フィラー、剥離剤、研磨補助剤およびこれらの混合物のような通常の添加剤である。 For example, coupling agents, wetting agents, the usual additives such as dyes, pigments, plasticizers, fillers, release agents, grinding aids, and mixtures thereof.

【0057】研磨コンポジットはカップリング剤を含むことができる。 [0057] abrasive composite can contain a coupling agent. カップリング剤を添加することにより、 By adding a coupling agent,
研磨コンポジットを形成するために用いるスラリーの被覆粘度を著しく低下させうる。 The coating viscosity of the slurry used to form the abrasive composite can significantly reduce. 本発明に好ましいこのようなカップリング剤の例には、有機シラン、ジルコアルミネートおよびチタネートが含まれる。 Examples of preferred such coupling agent present invention, the organic silane include zircoaluminate and titanates. カップリング剤の量は、一般に、結合剤の5重量%未満、好ましくは1 The amount of coupling agent is generally less than 5 wt% binder, preferably 1
重量%未満である。 It is less than% by weight.

【0058】研磨層3は、規則的に配置された一定形状の立体要素5を複数含む立体構造を有する。 [0058] abrasive layer 3 has a plurality including conformational a three-dimensional elements 5 of a predetermined shape are regularly arranged. この立体要素5は円筒形状である。 The three-dimensional elements 5 has a cylindrical shape. 円筒の高さhは10〜500μ The height h of the cylinder is 10~500μ
m、好ましくは20〜200μm、より好ましくは30 m, preferably 20 to 200 [mu] m, more preferably 30
〜65μmとされる。 Are ~65μm.

【0059】砥粒4は立体要素の形状の表面を越えて突出しない。 [0059] abrasive grains 4 does not protrude beyond the surface of the shape of the three-dimensional elements. つまり、立体要素5は平滑な平面で構成される。 That is, three-dimensional elements 5 is composed of smooth planes. 例えば、立体要素5を構成する面は表面粗度Ryが2μm以下、好ましくは1μm以下である。 For example, it surfaces constituting the three-dimensional elements 5 surface roughness Ry is 2μm or less, preferably 1μm or less.

【0060】図8は、本発明の他の例であるCMP用研磨パッドの研磨面の平面図である。 [0060] Figure 8 is a plan view of the polishing surface of the CMP polishing pad as another example of the present invention. この例では、立体要素は稜線が頂上の点で接続されている4面体形である。 In this example, three-dimensional elements is a tetrahedral shape which is connected in terms ridge summit.
その場合、2本の稜線で挟まれた頂角αは通常30〜1 In that case, the apex angle α enclosed by two edge lines of the normal 30 to 1
50゜、好ましくは45〜140゜とされる。 50 °, preferably 45 to 140 °. 立体要素はピラミッド形状としてもよい。 Three-dimensional elements may be a pyramidal shape. その場合、2本の稜線で挟まれた頂角は通常30〜150゜、好ましくは45 In that case, the apex angle sandwiched by two ridges of usually 30 to 150 °, preferably 45
〜140゜とされる。 Is 140 °. この立体要素の高さは、例えば、 The height of the three-dimensional elements, for example,
2〜300μm、好ましくは5〜150μmとされる。 2~300Myuemu, and preferably from 5 to 150 m.

【0061】図8中、符号oは立体要素の底辺長さを示す。 [0061] In FIG. 8, reference numeral o shows the bottom length of the three-dimensional elements. 符号pは立体要素の頂上間距離を示す。 Reference numeral p denotes a peak distance between three-dimensional elements. oは、例えば、5〜1000μm、好ましくは10〜500μmとされる。 o is, for example, 5~1000μm, and preferably from 10~500μm. pは、例えば、5〜1000μm、好ましくは10〜500μmとされる。 p is, for example, 5 to 1000 m, and preferably from 10 to 500 [mu] m.

【0062】尚、この立体要素は頂上を所定の高さにカットして上面が平坦な4面体形としてもよい。 [0062] Incidentally, the three-dimensional elements may be tetrahedron-shaped upper surface is flat cut the top at a predetermined height. その場合、立体要素の高さは頂上をカットする前の立体要素の高さの5〜95%、好ましくは10〜90%とされる。 In this case, 5% to 95% of the height of the three-dimensional element before the height of the three-dimensional element to cut the top, and preferably from 10% to 90%.

【0063】図9は、本発明の他の例であるCMP用研磨パッドの研磨面の平面図である。 [0063] Figure 9 is a plan view of the polishing surface of the CMP polishing pad as another example of the present invention. この例では、立体要素は頂上が所定の高さカットされた上面が平坦なピラミッド形である。 In this example, three-dimensional elements the upper surface of the top is predetermined height cut is a flat pyramidal. この立体要素の高さは図8に示した4面体形と同様である。 The height of the three-dimensional elements are the same as the tetrahedral-shaped as shown in FIG.

【0064】図9中、符号oは立体要素の底辺長さを示す。 [0064] In FIG. 9, reference numeral o shows the bottom length of the three-dimensional elements. 符号uは立体要素の底辺間距離を示す。 Code u denotes a base distance between three-dimensional elements. 符号yは上面の一辺の長さを示す。 Code y indicates the length of the upper surface of one side. oは、例えば、5〜2000μ o is, for example, 5~2000μ
m、好ましくは10〜1000μmとされる。 m, and preferably from 10 to 1000 [mu] m. uは、例えば、0〜1000μm、好ましくは2〜500μmとされる。 u is, for example, 0~1000Myuemu, and preferably from 2 mm to 500 mm. yは、例えば、0.5〜1800μm、好ましくは1〜900μmとされる。 y, for example, 0.5~1800Myuemu, and preferably from 1~900Myuemu.

【0065】図10は、本発明の他の例であるCMP用研磨パッドの研磨面の平面図である。 [0065] Figure 10 is a plan view of the polishing surface of the CMP polishing pad as another example of the present invention. この例では、立体要素は三角柱を横向きにしたプリズム形であり、プリズム形の立体要素の端部を下から鋭角を付けて切り、四方に斜面が出た寄せ棟形としたものである。 In this example, three-dimensional elements is a prismatic that sideways triangular prism, the end of the three-dimensional elements of prismatic from below-away with a sharp, is obtained by the submitted building form exiting slopes on all sides. プリズムを、 A prism,
長さ方向と垂直な面で切った三角形の頂角は通常30〜 Apex angle of the triangle cut in the length direction perpendicular to the plane is usually 30
150゜、好ましくは45〜140゜とされる。 150 °, and preferably 45 to 140 °. この立体要素の高さは、例えば、2〜600μm、好ましくは4〜300μmとされる。 The height of the three-dimensional elements, for example, 2~600Myuemu, and preferably from 4~300Myuemu.

【0066】尚、プリズム形の立体要素の長さは研磨パッドのほぼ全域に亘って伸長されてよい。 [0066] The length of the three-dimensional elements of prismatic may be extended substantially over the entire area of ​​the polishing pad. 又は、図10 Or, 10
に示しているように適当な長さで中断してもよい。 It may be interrupted by an appropriate length, as shown in. その端部は揃えても揃えなくてもよい。 Its end may or may not align well aligned. また、その頂上をカットして上面が平坦なプリズム形としてもよい。 The upper surface to cut the top may be a flat prismatic. その場合、立体要素の高さは頂上をカットする前の立体要素の高さの5〜95%、好ましくは10〜90%とされる。 In this case, 5% to 95% of the height of the three-dimensional element before the height of the three-dimensional element to cut the top, and preferably from 10% to 90%.

【0067】図10中、符号lは立体要素の長底辺長さを示す。 [0067] In FIG. 10, reference numeral l indicates the length bottom length of three-dimensional elements. 符号vは立体要素の鋭角を付けて切り取られた距離を示す。 Code v is the distance, taken with a sharp three-dimensional elements. 符号xは立体要素の短底辺間距離を示す。 Reference numeral x denotes the short bottom side distance of three-dimensional elements.
符号wは立体要素の短底辺の長さ(立体要素の幅)を示す。 Code w denotes the length of the short bottom side of the three-dimensional element (width of the three-dimensional element). 符号pは立体要素の頂上間距離を示す。 Reference numeral p denotes a peak distance between three-dimensional elements. 符号uは立体要素の長底辺間距離を示す。 Code u represents the length base distance between three-dimensional elements. lは、例えば、5〜10 l is, for example, 5 to 10
000μm、好ましくは10〜5000μmとされる。 000Myuemu, and preferably from 10~5000Myuemu.
vは、例えば、0〜2000μm、好ましくは1〜10 v, for example, 0~2000Myuemu, preferably 1 to 10
00μmとされる。 It is 00μm. xは、例えば、0〜2000μm、 x is, for example, 0~2000μm,
好ましくは0〜1000μmとされる。 Preferably are 0~1000μm. wは、例えば、 w is, for example,
2〜2000μm、好ましくは4〜1000μmとされる。 2~2000Myuemu, and preferably from 4~1000Myuemu. pは、例えば、2〜4000μm、好ましくは4〜 p is, for example, 2~4000μm, preferably 4 to
2000μmとされる。 Are 2000μm. uは、例えば、0〜2000μ u is, for example, 0~2000μ
m、好ましくは0〜1000μmとされる。 m, and preferably from 0~1000Myuemu.

【0068】本発明のCMP用研磨パッドは以下に説明する方法により製造することが好ましい。 [0068] Polishing pads for CMP according to the present invention is preferably produced by the following method.

【0069】まず、砥粒と結合剤とを含む研磨材塗布液を調製する。 [0069] First, to prepare the abrasive material coating solution containing abrasive grains and a binder. ここで用いる研磨材塗布液は、研磨コンポジットを構成するのに十分な量の結合剤、砥粒、要すれば光開始剤等の添加剤を含有し、この混合物に流動性を付与するのに十分な量の揮発性溶剤をさらに含有し得る組成物である。 Abrasive material coating solution used herein, the binder in an amount sufficient to constitute an abrasive composite, the abrasive grains, contain additives photoinitiator such optionally, to impart fluidity to the mixture is a composition which may contain further a sufficient amount of volatile solvent.

【0070】次いで、規則的に複数配置された複数の凹部を有する鋳型シートを調製する。 [0070] Then, to prepare a casting sheet having a plurality of recesses which are regularly multiple arrangement. 凹部の形状は形成する立体要素を反転させた形状であればよい。 The shape of the recess may have a shape obtained by inverting the three-dimensional elements to be formed. 鋳型シートの材料は、たとえば、ニッケルのような金属、ポリプロピレンのようなプラスチック等を用いてよい。 Materials of the mold sheet, for example, metals such as nickel, may be a plastic such as polypropylene. 例えば、 For example,
ポリプロピレンのような熱可塑性樹脂は金属用具上でその溶融温度においてエンボス可能であるため、所定形状の凹部を容易に形成でき、好ましい。 For thermoplastic resins such as polypropylene can be embossed at its melting temperature on the metal tools can easily form recesses of a predetermined shape, preferably. また、結合剤が照射硬化性樹脂である場合は、紫外線や可視光線を透過する材料を用いることが好ましい。 Also, if the binder is a radiation curable resin, it is preferable to use a material that transmits ultraviolet rays and visible light.

【0071】鋳型シートに研磨材塗布液を充填する。 [0071] filling the abrasive material coating solution in the casting sheet. 充填は研磨材塗布液をロールコーター等の被覆装置で鋳型シートに塗布することにより行うことができる。 Filling can be carried out by applying to the casting sheet abrasive material coating solution in the coating apparatus such as a roll coater.

【0072】鋳型シートに基材を重ね研磨材塗布液を基材に接着させる。 [0072] adhering abrasive coating solution superimposed substrate to the casting sheet to the substrate. 接着は、例えば、ロールで加圧、ラミネートする方法により行う。 Bonding is carried out, for example, pressure roll, by a method of laminating.

【0073】結合剤を硬化させる。 [0073] curing the binder. ここで用いられる「硬化」と言う用語は固体状態に重合させることを意味する。 The term "curing" as used herein means that the polymerization in the solid state. 硬化の後は研磨層の特定形状は変化しない。 After curing the specific shape of the abrasive layer does not change.

【0074】結合剤は、熱、赤外線照射または、電子線照射、紫外線照射または可視光照射のような他の照射エネルギーにより硬化される。 [0074] Binders, heat, infrared radiation or electron beam irradiation, is cured by other radiation energy, such as ultraviolet radiation or visible light radiation. 照射エネルギーの印加量は用いる結合剤の種類および照射エネルギー源により異なる。 Application amount of radiation energy varies depending on the type of binder and radiation energy source used. 通常、当業者であれば照射エネルギーの印加量を適宜決定することができる。 Usually, it is possible to appropriately determine the application amount of radiation energy by those skilled in the art. 硬化に要する時間は結合剤の厚さ、密度、温度および組成物の特性等に依存して変化する。 The time required for curing the thickness of the binder, the density will vary depending upon the characteristics of the temperature and composition.

【0075】例えば、透明基材の上から紫外線(UV) [0075] For example, ultraviolet rays from the top of the transparent substrate (UV)
を照射して結合剤を硬化させてよい。 A good curing the binder by irradiating.

【0076】鋳型シートを除去することにより、基材と立体構造を有する研磨層とから成る研磨パッドが得られる。 [0076] By removing the casting sheet, the polishing pad comprising a polishing layer having a substrate and a three-dimensional structure is obtained. 鋳型シートを除去した後に結合剤を硬化させてもよい。 The binder may be cured after removal of the casting sheet. 得られた研磨パッドは、平坦な硬質支持体上に接着する等通常の方法により構成を変更してもよい。 The polishing pad thus obtained may change the configuration by equal conventional method of bonding on a flat rigid support.

【0077】 [0077]

【実施例】以下の実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。 The present invention is further illustrated by the following Examples, but the present invention is not limited thereto. 特に断らない限り、実施例中「部」は重量基準である。 Unless stated otherwise, in the Examples, "parts" are by weight.

【0078】 実施例表1に示す成分を配合することにより研磨材塗布液を調製した。 [0078] was prepared abrasive material coating solution by mixing the ingredients shown in Example Table 1.

【0079】 [0079]

【表1】 [Table 1]

【0080】図5〜7に示す円筒形立体要素を反転させた形状の凹部を有するポリプロピレン製鋳型シートを準備した。 [0080] was prepared polypropylene mold sheet having a recess having a shape obtained by inverting the cylindrical three-dimensional elements shown in Figures 5-7. 隣接する立体要素間の距離は半導体ウェハに対する全体の接触面積は18%となるように調節した。 The distance between adjacent three-dimensional elements is the overall contact area with respect to the semiconductor wafer is adjusted to be 18%. 各寸法を表2に示す。 The dimensions shown in Table 2.

【0081】 [0081]

【表2】 [Table 2]

【0082】ポリプロピレン製の鋳型シートに研磨材塗布液をロールコーターにより塗布した。 [0082] and the abrasive material coating solution was applied by a roll coater in a polypropylene mold sheet. この上に厚さ1 A thickness of 1 to on this
00μmの透明PETフィルムを重ね、ロールで圧力をかけてラミネートした。 Superimposing a transparent PET film of 00μm, it was laminated under pressure with a roll. 紫外線を照射して結合剤を硬化させた。 Ultraviolet was irradiated to cure the binder.

【0083】鋳型シートを除去し、室温まで冷却して研磨パッドを得た。 [0083] The mold sheet was removed to obtain a polishing pad was cooled to room temperature. この研磨パッドは、研磨層が図5に示される立体構造を有し、寸法は幅1.27cm×長さ1 The polishing pad has a three-dimensional structure polishing layer is shown in Figure 5, the dimensions width 1.27 cm × length 1
0cmのテープ状である。 A tape-like 0cm. この研磨パッドの研磨性能を試験した。 It was tested polishing performance of the polishing pad.

【0084】 摩擦力図11に研磨パッドの摩擦力の試験方法を模式的に表している。 [0084] As a test method of friction of the polishing pad to the frictional force diagram 11 schematically represents. 被削体としては直径10mmのガラス管を用いた。 As an object to be Kezukarada a glass tube with a diameter of 10 mm. 被削体であるガラス管11はモーター(非表示)の軸に取り付けた。 Glass tube 11 which is an object to be Kezukarada is attached to the shaft of the motor (not shown). 研磨パッド12をガラス管11に研磨面を内側にして掛け、一方の端を歪みゲージ13に固定し、他方の端に200gの重り14を付けた。 The polishing pad 12 over to the polishing surface inside the glass tube 11, fixing one end to the strain gauge 13, gave a weight 14 of 200g to the other end.

【0085】モーターを始動してガラス管を矢印方向に回転させた。 [0085] starting the motor to rotate the glass tube in the direction of the arrow. 回転速度は240rpmとした。 Rotation speed was set at 240rpm. 歪みゲージ13に表示される摩擦力(g)を読み取り、経時的に記録した。 Reading frictional force displayed on the strain gauge 13 (g), it was recorded over time. 結果を図12のグラフに示す。 The results are shown in the graph of FIG. 12.

【0086】本発明の研磨パッドは摩擦力が低く、研磨時間が経過しても摩擦力の上昇傾向が現れず、摩擦特性が良好であった。 [0086] The polishing pad of the present invention have low friction, even after polishing time not appear upward trend of the frictional force, the friction characteristics were good.

【0087】 被削面の仕上がり上述の方法で4分間研磨したガラス管の被削面の表面の仕上がりを光学顕微鏡で測定した(倍率50倍)。 [0087] The finish of the work surface of the surface of the glass tube was polished for 4 minutes at finishing the aforementioned method of the work surface were measured by an optical microscope (magnification 50 times).

【0088】本発明の研磨パッドで研磨した被削面は欠陥やスクラッチが無く平坦度が高いものであった。 [0088] Work surface polished with the polishing pad of the present invention was as high without flatness defects or scratches.

【0089】 比較例 CVD製法アルミナ砥粒の代わりに湿式製法アルミナ(Transelco社製「TIZOX8109」、粒径約0.15μm) [0089] Comparative Example CVD process alumina abrasive grains wet process alumina in place of the (Transelco Co., Ltd. "TIZOX8109", having a particle size of about 0.15μm)
を用いること以外は実施例1と同様にして研磨パッドを作製し、その研磨性能を試験した。 The will prepare a polishing pad in the same manner as in Example 1 except for using, we tested the polishing performance. 結果を図12のグラフに示す。 The results are shown in the graph of FIG. 12.

【0090】比較例の研磨パッドは摩擦力が高く、研磨時間が経過すると摩擦力の上昇傾向が現れ、摩擦特性が不良であった。 [0090] The polishing pad of Comparative Example has a high frictional force, upward trend of the frictional force between the polishing time elapses appear, frictional properties were poor. また、比較例の研磨パッドで研磨した被削面は欠陥やスクラッチが有り、平坦度が低いものであった。 Further, a work surface that is polished with the polishing pad of the comparative example there are defects or scratches, had low flatness.

【0091】 [0091]

【発明の効果】摩擦特性が良く耐久性に優れ、半導体ウェハの被削面に欠陥やスクラッチが生じない低コストのCMP用研磨パッドが提供された。 Excellent frictional characteristics good durability according to the present invention, a low cost for polishing pad of the CMP that does not cause defects or scratches on the work surface of a semiconductor wafer is provided.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明の研磨層の構造の一例を示す断面図である。 1 is a sectional view showing an example of the structure of the abrasive layer of the present invention.

【図2】 本発明の研磨層の構造の一例を示す断面図である。 2 is a sectional view showing an example of the structure of the abrasive layer of the present invention.

【図3】 本発明の研磨層の構造の一例を示す断面図である。 3 is a sectional view showing an example of the structure of the abrasive layer of the present invention.

【図4】 本発明の研磨層の一例を示す平面図である。 Is a plan view showing an example of a polishing layer of the present invention; FIG.

【図5】 本発明の一例であるCMP用研磨パッドの研磨面の拡大写真である。 5 is an enlarged photograph of a polishing surface of the polishing pad for CMP, which is an example of the present invention.

【図6】 本発明の一例であるCMP用研磨パッドの研磨面の平面図である。 6 is a plan view of the polishing surface of the polishing pad for CMP, which is an example of the present invention.

【図7】 本発明の一例であるCMP用研磨パッドの断面図である。 7 is a cross-sectional view of a polishing pad for CMP, which is an example of the present invention.

【図8】 本発明の他の例であるCMP用研磨パッドの研磨面の平面図である。 8 is a plan view of the polishing surface of the CMP polishing pad as another example of the present invention.

【図9】 本発明の他の例であるCMP用研磨パッドの研磨面の平面図である。 9 is a plan view of the polishing surface of the CMP polishing pad as another example of the present invention.

【図10】 本発明の他の例であるCMP用研磨パッドの研磨面の平面図である。 10 is a plan view of the polishing surface of the CMP polishing pad as another example of the present invention.

【図11】 研磨パッドの摩擦力の試験方法を表した模式図である。 11 is a schematic diagram showing a method of testing the frictional force of the polishing pad.

【図12】 研磨工程で発生する摩擦力の変化を経時的にプロットしたグラフである。 12 is a graph plotted over time the change in the frictional force generated in the polishing step.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…研磨パッド、 2…基材、 3…研磨層、 4…砥粒、 5…立体要素。 1 ... polishing pad, 2 ... substrate, 3 ... abrasive layer, 4 ... abrasive, 5 ... solid elements.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) B24D 3/28 B24D 3/28 C08J 5/14 CEZ C08J 5/14 CEZ C08K 7/00 C08K 7/00 C08L 101/00 C08L 101/00 C09K 3/14 550 C09K 3/14 550D 550K (72)発明者 今村 健吾 神奈川県相模原市南橋本3−8−8 住友 スリーエム株式会社内 Fターム(参考) 3C058 AA09 CB02 CB05 CB10 DA12 DA17 3C063 AA02 AB07 BA24 BB03 BB07 BC03 BG08 BH07 CC17 CC23 EE10 FF08 FF23 4F071 AA31 AA41 AA42 AA53 AA69 AB18 AD02 AD06 AD07 DA18 DA19 4J002 BG021 BQ001 CC031 CC041 CC151 CC161 CC181 CD001 CF001 CK021 DE146 FA116 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) B24D 3/28 B24D 3/28 C08J 5/14 CEZ C08J 5/14 CEZ C08K 7/00 C08K 7/00 C08L 101/00 C08L 101/00 C09K 3/14 550 C09K 3/14 550D 550K (72) inventor Imamura Sagamihara, Kanagawa Prefecture Kengo Minamihashimoto 3-8-8 Sumitomo 3M Co., Ltd. in the F-term (reference) 3C058 AA09 CB02 CB05 CB10 DA12 DA17 3C063 AA02 AB07 BA24 BB03 BB07 BC03 BG08 BH07 CC17 CC23 EE10 FF08 FF23 4F071 AA31 AA41 AA42 AA53 AA69 AB18 AD02 AD06 AD07 DA18 DA19 4J002 BG021 BQ001 CC031 CC041 CC151 CC161 CC181 CD001 CF001 CK021 DE146 FA116

Claims (5)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 基材と基材上に設けられた研磨層とを有し、 該研磨層が、規則的に配置された所定形状の立体要素を複数含む立体構造を有し、 該研磨層が、構成成分としてCVD法により製造されたアドバンストアルミナ砥粒と結合剤とを含む研磨コンポジットで成る、CMP用研磨パッド。 1. A and a polishing layer formed on a substrate and the substrate, the polishing layer has a regularly distributed multiple including conformational a three-dimensional elements having a predetermined shape, the polishing layer but it made with abrasive composite comprising a advanced alumina abrasive grains produced by the CVD method as a component and a binder, polishing pad CMP.
  2. 【請求項2】 前記立体要素の形状が、円筒形、円錐形、4面体形、ピラミッド形、上面が平坦な4面体形又はピラミッド形、プリズム形、上面が平坦なプリズム形、及びストライプ形からなる群から選択される請求項1記載のCMP用研磨パッド。 Shape according to claim 2, wherein said solid elements, cylindrical, conical, tetrahedral shape, pyramidal, top flat tetrahedral shaped or pyramidal, prismatic, top flat prismatic, and the stripe CMP polishing pad of claim 1 wherein is selected from the group consisting.
  3. 【請求項3】 前記アドバンストアルミナ砥粒の平均粒径が0.01〜20μmである請求項1記載のCMP用研磨パッド。 3. A polishing pad for CMP of claim 1, wherein an average particle diameter of the advanced alumina abrasive grains are 0.01 to 20 .mu.m.
  4. 【請求項4】 研磨コンポジット中に含まれる砥粒の濃度が10〜90重量%である請求項1記載のCMP用研磨パッド。 4. The CMP polishing pad of claim 1 wherein the concentration of the abrasive grains is 10 to 90% by weight contained in the abrasive composite.
  5. 【請求項5】 前記結合剤が、フェノール樹脂、アミノプラスト樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アクリル化イソシアヌレート樹脂、尿素−ホルムアルデヒド樹脂、イソシアヌレート樹脂、アクリル化ウレタン樹脂、アクリル化エポキシ樹脂、グルーおよびこれらの混合物からなる群から選択される請求項1記載のCMP用研磨パッド。 Wherein said binder is a phenolic resin, aminoplast resins, urethane resins, epoxy resins, acrylic resins, acrylated isocyanurate resins, urea - formaldehyde resins, isocyanurate resins, acrylated urethane resins, acrylated epoxy resins , glue and polishing pad for CMP according to claim 1, which is selected from the group consisting of mixtures.
JP2000245793A 2000-08-14 2000-08-14 Polishing pad for cmp Pending JP2002057130A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000245793A JP2002057130A (en) 2000-08-14 2000-08-14 Polishing pad for cmp

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000245793A JP2002057130A (en) 2000-08-14 2000-08-14 Polishing pad for cmp
PCT/US2001/025006 WO2002014018A2 (en) 2000-08-14 2001-08-09 Abrasive pad for cmp
CA 2416549 CA2416549A1 (en) 2000-08-14 2001-08-09 Abrasive pad for cmp
AU8323501A AU8323501A (en) 2000-08-14 2001-08-09 Abrasive pad for cmp
BR0113207A BR0113207A (en) 2000-08-14 2001-08-09 Method to use an abrasive body to cmp
KR10-2003-7002029A KR20030022388A (en) 2000-08-14 2001-08-09 Abrasive Pad for CMP
EP20010962017 EP1309424A2 (en) 2000-08-14 2001-08-09 Abrasive pad for cmp
US10/313,000 US6776699B2 (en) 2000-08-14 2001-08-09 Abrasive pad for CMP
CNB018141331A CN1179825C (en) 2000-08-14 2001-08-09 Abrasive pad for chemical mechanical polishing
TW90119947A TWI233384B (en) 2000-08-14 2001-08-13 Abrasive pad for CMP

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002057130A true JP2002057130A (en) 2002-02-22

Family

ID=18736249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000245793A Pending JP2002057130A (en) 2000-08-14 2000-08-14 Polishing pad for cmp

Country Status (9)

Country Link
EP (1) EP1309424A2 (en)
JP (1) JP2002057130A (en)
KR (1) KR20030022388A (en)
CN (1) CN1179825C (en)
AU (1) AU8323501A (en)
BR (1) BR0113207A (en)
CA (1) CA2416549A1 (en)
TW (1) TWI233384B (en)
WO (1) WO2002014018A2 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007504320A (en) * 2003-09-04 2007-03-01 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Composition, the treated backing comprising said composition, and coated abrasive article
JP2009535225A (en) * 2006-04-27 2009-10-01 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Structured abrasive articles and methods of making and using the same
JP2010514222A (en) * 2006-12-20 2010-04-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Chemical mechanical planarization compositions, systems, and methods of use thereof
JP2013049112A (en) * 2011-08-31 2013-03-14 Kyushu Institute Of Technology Polishing pad and manufacturing method thereof
JP2015160896A (en) * 2014-02-27 2015-09-07 株式会社アライドマテリアル Mount material, workpiece processing method using the same, and mount body for flat surface processing
JP2016511162A (en) * 2013-03-14 2016-04-14 ネクスプラナー コーポレイション Polishing pad having a polishing surface with a continuous protrusion having a tapered side wall
WO2018221290A1 (en) * 2017-06-01 2018-12-06 東京エレクトロン株式会社 Gettering layer forming device, gettering layer forming method, and computer storage medium

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7267700B2 (en) 2003-09-23 2007-09-11 3M Innovative Properties Company Structured abrasive with parabolic sides
US7300479B2 (en) 2003-09-23 2007-11-27 3M Innovative Properties Company Compositions for abrasive articles
US20050060942A1 (en) * 2003-09-23 2005-03-24 3M Innovative Properties Company Structured abrasive article
US6951509B1 (en) 2004-03-09 2005-10-04 3M Innovative Properties Company Undulated pad conditioner and method of using same
US20050255801A1 (en) 2004-05-17 2005-11-17 Pollasky Anthony D Abrasive material and method of forming same
US7875091B2 (en) 2005-02-22 2011-01-25 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles
US7867302B2 (en) 2005-02-22 2011-01-11 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles
US7524345B2 (en) * 2005-02-22 2009-04-28 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles
CN100537149C (en) 2006-11-28 2009-09-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Polishing pad and chemico-mechanical polishing method
CN100537148C (en) 2006-11-28 2009-09-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Polishing pad and chemico-mechanical polishing method
CN102101263A (en) * 2009-12-18 2011-06-22 安集微电子(上海)有限公司 Chemically mechanical polishing method
US8728185B2 (en) * 2010-08-04 2014-05-20 3M Innovative Properties Company Intersecting plate shaped abrasive particles
KR101389572B1 (en) * 2012-04-23 2014-04-29 주식회사 디어포스 Abrasive article
CA2887561C (en) * 2012-10-15 2019-01-15 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive particles having particular shapes and methods of forming such particles

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06191833A (en) * 1992-06-02 1994-07-12 Sumitomo Chem Co Ltd Alpha-alumina
JPH06191836A (en) * 1992-06-02 1994-07-12 Sumitomo Chem Co Ltd Alpha-alumina
JPH07206432A (en) * 1993-11-25 1995-08-08 Sumitomo Chem Co Ltd Alpha-alumina powder and its production
JPH11512874A (en) * 1995-09-22 1999-11-02 ミネソタ・マイニング・アンド・マニュファクチャリング・カンパニー Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SK146194A3 (en) * 1992-06-02 1995-07-11 Sumitomo Chemical Co Process for producing alpha-alumina

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06191833A (en) * 1992-06-02 1994-07-12 Sumitomo Chem Co Ltd Alpha-alumina
JPH06191836A (en) * 1992-06-02 1994-07-12 Sumitomo Chem Co Ltd Alpha-alumina
JPH07206432A (en) * 1993-11-25 1995-08-08 Sumitomo Chem Co Ltd Alpha-alumina powder and its production
JPH11512874A (en) * 1995-09-22 1999-11-02 ミネソタ・マイニング・アンド・マニュファクチャリング・カンパニー Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007504320A (en) * 2003-09-04 2007-03-01 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Composition, the treated backing comprising said composition, and coated abrasive article
JP4714687B2 (en) * 2003-09-04 2011-06-29 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Composition, the treated backing comprising said composition, and coated abrasive article
JP2009535225A (en) * 2006-04-27 2009-10-01 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Structured abrasive articles and methods of making and using the same
JP2010514222A (en) * 2006-12-20 2010-04-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Chemical mechanical planarization compositions, systems, and methods of use thereof
JP2013049112A (en) * 2011-08-31 2013-03-14 Kyushu Institute Of Technology Polishing pad and manufacturing method thereof
JP2016511162A (en) * 2013-03-14 2016-04-14 ネクスプラナー コーポレイション Polishing pad having a polishing surface with a continuous protrusion having a tapered side wall
JP2017071053A (en) * 2013-03-14 2017-04-13 ネクスプラナー コーポレイション Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions having tapered sidewalls
JP2015160896A (en) * 2014-02-27 2015-09-07 株式会社アライドマテリアル Mount material, workpiece processing method using the same, and mount body for flat surface processing
WO2018221290A1 (en) * 2017-06-01 2018-12-06 東京エレクトロン株式会社 Gettering layer forming device, gettering layer forming method, and computer storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030022388A (en) 2003-03-15
EP1309424A2 (en) 2003-05-14
WO2002014018A2 (en) 2002-02-21
CN1447735A (en) 2003-10-08
CA2416549A1 (en) 2002-02-21
WO2002014018A3 (en) 2002-05-23
CN1179825C (en) 2004-12-15
AU8323501A (en) 2002-02-25
TWI233384B (en) 2005-06-01
BR0113207A (en) 2003-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU674612B2 (en) Abrasive article, a process for its manufacture, and a method of using it to reduce a workpiece surface
CN1067315C (en) Abrasive article, method of manufacture of same, method of using same
US7044835B2 (en) Abrasive article and methods for grinding glass
EP0706440B1 (en) Method of making precisely shaped particles
CA2130136C (en) Abrasive article and method of making same
CA2287404C (en) Method of planarizing the upper surface of a semiconductor wafer
US6069080A (en) Fixed abrasive polishing system for the manufacture of semiconductor devices, memory disks and the like
DE69925124T2 (en) Abrasive article and method for grinding of glass
US8080073B2 (en) Abrasive article having a plurality of precisely-shaped abrasive composites
EP1046466B1 (en) Polishing pads useful in chemical mechanical polishing of substrates in the presence of a slurry containing abrasive particles
US20020019199A1 (en) Abrasive article suitable for abrading glass and glass ceramic workpieces
CN1213835C (en) Composite abrasive particles and method of manufacture
EP0679117B1 (en) A method of making an abrasive article
DE60209573T2 (en) A process for preparing an abrasive article
US5470368A (en) Reduced viscosity slurries, abrasive articles made therefrom, and methods of making said articles
JP3874790B2 (en) Abrasive article, its use for their preparation and finishing
US5454844A (en) Abrasive article, a process of making same, and a method of using same to finish a workpiece surface
RU2169068C2 (en) Method of producing grinding product and product with grinding coatings
CN100493850C (en) Compositions for abrasive articles
US20020077036A1 (en) Polishing pads and methods relating thereto
KR100483090B1 (en) Method and Article for the Production of Optical Quality Surface on Glass
EP1315600B1 (en) Abrasive sheet, method of manufacturing the same and method to abrade a fiber optic connector
CA2427874C (en) Flexible abrasive product and method of making and using the same
CN1120076C (en) Structured abrasives with adhered functional powders
US5958794A (en) Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070810

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100810

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110208