JP2002052447A - Notch grinding device for semiconductor wafer and notched groove chamfering method - Google Patents

Notch grinding device for semiconductor wafer and notched groove chamfering method

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JP2002052447A
JP2002052447A JP2000240886A JP2000240886A JP2002052447A JP 2002052447 A JP2002052447 A JP 2002052447A JP 2000240886 A JP2000240886 A JP 2000240886A JP 2000240886 A JP2000240886 A JP 2000240886A JP 2002052447 A JP2002052447 A JP 2002052447A
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JP
Japan
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notch groove
grindstone
axis
wafer
grinding
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Application number
JP2000240886A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigeo Kobayashi
茂雄 小林
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Nippei Toyama Corp
Original Assignee
Nippei Toyama Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a notch grinding device and a notch grinding method allowing the formation of a highly precise V-slope in chamfering a notched groove of a semiconductor wafer. SOLUTION: The notch grinding device 11 comprises a grinding wheel 5 rotatably supported on a wheel spindle stock 40, a turn table 63 for rotatably holding the semiconductor wafer 1 around the center of curvature of a groove peak 3b of the notched groove 3, and an X-axis feeding mechanism 30 for moving the grinding wheel 5 straight in a plane parallel to the plate surface of the semiconductor wafer 1. The grinding wheel 5 being rotated is moved straight along the V-slope 3aL (3aR) of the notched groove 3 of the semiconductor wafer 1 in the plane parallel to the plate surface of the semiconductor wafer 1 and the semiconductor wafer 1 is rotated around the groove peak 3b of the notched groove 3, for providing the chamfering of the notched groove 3 of the semiconductor wafer 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、回転する砥石を用
いて半導体ウェーハのノッチ溝の研削及び面取り加工を
するノッチ研削装置、及び、ノッチ溝の面取り方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a notch grinding apparatus for grinding and chamfering a notch groove of a semiconductor wafer using a rotating grindstone, and a method for chamfering a notch groove.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体デバイスの製造工程に
おいては、半導体ウェーハの結晶方位を合わせ易くする
ために、ウェーハ周縁の一部を略V字形或いは円弧状に
切欠して成るノッチ溝が形成されている。略V字形のノ
ッチ溝は、ウェーハの限られた面積を効率良く活用で
き、位置決め精度に優れる等の利点から広く採用されて
いる。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a process of manufacturing a semiconductor device, a notch groove is formed by cutting a part of a peripheral edge of a wafer into a substantially V-shape or an arc in order to facilitate alignment of a crystal orientation of a semiconductor wafer. ing. The substantially V-shaped notch grooves are widely used because they can efficiently utilize a limited area of the wafer and have excellent positioning accuracy.

【0003】一方、半導体デバイスの製造工程において
は、当該半導体ウェーハの周縁が、同製造工程に用いら
れる装置の一部と接触することが少なくない。このよう
な接触は、時にダストを発生させたりクラックを生じさ
せたりすることがある。そこで、半導体ウェーハの周縁
またはノッチ溝に対しては、面取り加工を施しており、
今日ではそれが一般化されている。
On the other hand, in a semiconductor device manufacturing process, the peripheral edge of the semiconductor wafer often contacts a part of an apparatus used in the manufacturing process. Such contact can sometimes generate dust and cracks. Therefore, the periphery or the notch groove of the semiconductor wafer is chamfered,
Today it is generalized.

【0004】また、ノッチ溝を正確な寸法に加工するこ
とは、次工程の微細加工時の位置合わせ時間を短縮する
ことができるため、高精度の研削加工が要求されてい
る。
[0004] Processing of the notch groove to an accurate size can shorten the time required for positioning in the next step of fine processing, so that high-precision grinding is required.

【0005】このようなノッチ研削装置の一例が、特許
第2611829号公報に記載されている。このノッチ
研削装置について図23を用いて説明する。
An example of such a notch grinding device is described in Japanese Patent No. 261829. This notch grinding device will be described with reference to FIG.

【0006】図23は前記特許公報に記載されたノッチ
研削装置の概念図である。ノッチ研削装置100は、半
導体ウェーハ101を回転可能に保持するワークホルダ
102と、そのワークホルダ102を回転砥石107に
接近又は離脱させるためのY軸方向移動装置103を有
する。また、ノッチ溝106の面取りを行なうための円
板状砥石107を回転させるモータ108、及び、砥石
107をその回転軸線方向に移動させるX軸方向移動装
置104と、砥石107をウェーハ101に対して上下
方向に移動させるZ軸方向移動装置105よりなる。
FIG. 23 is a conceptual diagram of a notch grinding device described in the above-mentioned patent publication. The notch grinding apparatus 100 includes a work holder 102 for rotatably holding a semiconductor wafer 101 and a Y-axis direction moving device 103 for moving the work holder 102 toward or away from a rotating grindstone 107. Further, a motor 108 for rotating a disc-shaped grindstone 107 for chamfering the notch groove 106, an X-axis direction moving device 104 for moving the grindstone 107 in the direction of its rotation axis, and a grindstone 107 with respect to the wafer 101 It comprises a Z-axis direction moving device 105 for moving in the vertical direction.

【0007】このノッチ研削装置100によってウェー
ハ101の面取りを行うには、X軸方向移動装置104
及びY軸方向移動装置103を駆動させ、回転砥石10
7をノッチ溝106のV斜面に沿って移動させる。ま
た、Z軸方向移動装置105を駆動させることにより、
ウェーハ101の上面方向から下面方向に亘ってノッチ
溝106を研削することができる。
To perform chamfering of the wafer 101 by the notch grinding device 100, an X-axis direction moving device 104
And the Y-axis direction moving device 103 is driven to
7 is moved along the V slope of the notch groove 106. Further, by driving the Z-axis direction moving device 105,
The notch groove 106 can be ground from the upper surface direction to the lower surface direction of the wafer 101.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記のノッチ研削装置
100によると、X軸方向移動装置104によって砥石
の回転軸線方向に砥石107を移動させ、更に、ウェー
ハ101をY軸方向移動装置103によって砥石107
と接近又は離脱させることにより、X軸方向及びY軸方
向への送り移動を合成して、V字形ノッチ溝106のV
斜面方向への移動を実現させている。
According to the above notch grinding apparatus 100, the grinding wheel 107 is moved in the direction of the rotation axis of the grinding wheel by the X-axis direction moving device 104, and the wafer 101 is further moved by the Y-axis direction moving device 103. 107
By moving toward or away from the V-shaped notch groove 106, the feed movement in the X-axis direction and the Y-axis direction is combined.
The movement in the slope direction is realized.

【0009】しかし、V字形ノッチ溝のV斜面に沿うよ
うにX軸方向及びY軸方向の送り移動量を制御するのは
複雑であり、また、V斜面方向への移動はX軸方向への
移動とY軸方向への移動を合成することによるものであ
るため、V斜面に沿って直線状に精度良く移動させるこ
とが困難であるという問題がある。そのため、V斜面の
真直度、面粗度を向上させたいという要請がある。特に
ノッチ溝は、その後の工程において、V斜面の直線部を
位置合わせ用として用いられるものであるため、高精度
なノッチ溝加工が要求される。
However, it is complicated to control the amount of feed movement in the X-axis direction and the Y-axis direction along the V-slope of the V-shaped notch groove, and the movement in the V-slope direction is in the X-axis direction. Since the movement and the movement in the Y-axis direction are combined, there is a problem that it is difficult to accurately and linearly move along the V slope. Therefore, there is a demand to improve the straightness and surface roughness of the V slope. In particular, since the notch groove is used for positioning the straight portion of the V-slope in the subsequent process, high-precision notch groove processing is required.

【0010】具体的には、ノッチ溝のV斜面は、直径3
mm程度の位置決めピンが接触する部位であり、ノッチ
溝の面取り部分の面粗度を良くしてウェーハの円板形外
周の面取り部と同様に鏡面仕上げをすると、面粗度0.
1μm程度に研削しなければならない。しかし、上記の
ようなX軸方向移動装置104及びY軸方向移動装置1
03によるノッチ研削装置100では、V斜面の精度が
不充分となることが考えられる。
Specifically, the V slope of the notch groove has a diameter of 3
This is a part where the positioning pin of about mm is in contact, and when the surface roughness of the chamfered portion of the notch groove is improved and the mirror finish is performed in the same manner as the chamfered portion on the outer periphery of the disk-shaped wafer, the surface roughness is reduced to 0.
It must be ground to about 1 μm. However, the X-axis direction moving device 104 and the Y-axis direction moving device 1 as described above
In the notch grinding apparatus 100 according to No. 03, the accuracy of the V slope may be insufficient.

【0011】本出願に係る発明は、上記のような問題点
を解決するためになされたものであり、その目的とする
ところは、高精度なV斜面を得ることができるノッチ研
削装置、及び、ノッチ溝の面取り方法を提供することに
ある。
The invention according to the present application has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the invention is to provide a notch grinding device capable of obtaining a highly accurate V-slope, and An object of the present invention is to provide a method for chamfering a notch groove.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本出願に係る第1の発明は、砥石台に回転自在に支
持された砥石と、半導体ウェーハの板面と平行な平面上
において、前記砥石を直線状に移動させる駆動装置を備
えた半導体ウェーハのノッチ研削装置において、前記半
導体ウェーハを、ノッチ溝底円の曲率中心を中心に回転
可能に保持するワーク支持台を有することを特徴とする
半導体ウェーハのノッチ研削装置である。
Means for Solving the Problems To achieve the above object, a first invention according to the present application is to provide a grindstone rotatably supported by a grindstone table on a plane parallel to a plate surface of a semiconductor wafer. In a notch grinding apparatus for a semiconductor wafer provided with a driving device for linearly moving the grindstone, the semiconductor wafer has a work support table that rotatably holds the center of curvature of a notch groove bottom circle center. Notch grinding device for semiconductor wafers.

【0013】また、本出願に係る第2の発明は、回転し
ている砥石を、半導体ウェーハの板面と平行な平面上に
おいて前記半導体ウェーハのノッチ溝のV斜面に沿って
直線状に移動させ、前記半導体ウェーハを、ノッチ溝底
円の曲率中心を中心にして回転させることにより、半導
体ウェーハのノッチ溝の面取りを行うノッチ溝の面取り
方法である。
Further, the second invention according to the present application is to move a rotating grindstone linearly along a V slope of a notch groove of the semiconductor wafer on a plane parallel to a plate surface of the semiconductor wafer. A method of chamfering a notch groove of a semiconductor wafer by rotating the semiconductor wafer around a center of curvature of a bottom circle of the notch groove.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本出願に係る発明の第一の
実施の形態について、図1〜6、及び、図9〜22に基
づいて詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a first embodiment of the present invention according to the present application will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 6 and FIGS.

【0015】図9は、本実施の形態においてノッチ溝を
面取り加工しようとする前加工された半導体ウェーハ1
の平面図である。一般に半導体チップ等に用いられるウ
ェーハ1は、硬脆材料からなるインゴットをワイヤソー
により切断し、切断されたウェーハ1を研削盤やラップ
盤で所望の厚さに研削して製造される。
FIG. 9 shows a preprocessed semiconductor wafer 1 for chamfering a notch groove in the present embodiment.
FIG. Generally, a wafer 1 used for a semiconductor chip or the like is manufactured by cutting an ingot made of a hard and brittle material with a wire saw, and grinding the cut wafer 1 to a desired thickness with a grinding machine or a lapping machine.

【0016】ウェーハ1は略円板状の外観をなし、ウェ
ーハ1の外周は中心OWを通り板厚方向に走る中心線を
中心として描かれる円筒側面形状の外周部2を有する。
この外周部2の一部にV字形のノッチ溝3が設けてあ
る。
The wafer 1 has a substantially disc-shaped appearance, and the outer periphery of the wafer 1 has a cylindrical outer peripheral portion 2 drawn around a center line running in the thickness direction through the center OW.
A V-shaped notch groove 3 is provided in a part of the outer peripheral portion 2.

【0017】本実施の形態では、図21に示すようにノ
ッチ溝3の縁端面のノッチ溝面3fは、前加工において
はウェーハ1の板面1aに対してほぼ垂直をなしてい
る。また、前加工されたウェーハ1の板面1aにおける
仕上げの有無、外周部2の面取りの有無は何れであって
もよい。
In this embodiment, as shown in FIG. 21, the notch groove surface 3f of the edge of the notch groove 3 is substantially perpendicular to the plate surface 1a of the wafer 1 in the pre-processing. The presence or absence of finishing on the plate surface 1a of the preprocessed wafer 1 and the presence or absence of chamfering of the outer peripheral portion 2 may be any.

【0018】図10に示すようにノッチ溝3は、V字形
に切り込まれていて直線状に形成されたV斜面3aL,
3aRと、この左右両側のV斜面3aLと3aRが交わ
る部分を滑らかにつないでいるノッチ溝底円3bと、ノ
ッチ溝3が外周部2に滑らかに推移するための左右の口
部3cとを有する。上記ノッチ溝底円3b及び口部3c
は、本実施の形態では円弧形であるが、ノッチ溝底円3
bはウェーハ1から見て外方に対して凹な曲線、口部3
cはウェーハ1から見て外方に対して凸な曲線であれば
良く、必ずしも円弧形である必要は無い。
As shown in FIG. 10, the notch groove 3 has a V-shaped slope 3aL, which is cut in a V-shape and formed linearly.
3aR, a notch groove bottom circle 3b smoothly connecting a portion where the V inclined surfaces 3aL and 3aR on both sides intersect, and left and right mouth portions 3c for the notch groove 3 to smoothly transition to the outer peripheral portion 2. . Notch groove bottom circle 3b and mouth 3c
Is a circular arc in the present embodiment, but the notch groove bottom circle 3
b is a curve concave to the outside as viewed from the wafer 1;
c may be a curve that is convex to the outside as viewed from the wafer 1 and does not necessarily need to be arc-shaped.

【0019】ウェーハ1は様々な大きさを取りうるが、
本実施の形態においては、直径約200mm,厚さ約7
00〜900μm程度の円板状であり、ノッチ溝3は左
右両側の口部3c間の幅Fが3mm、ノッチ溝3の深さ
Hが1〜1.5mmのものを用いて説明する。また、ノ
ッチ溝底円3bは、曲率中心3gを中心とする半径R1
の円弧状をなし、その半径R1は0.9mm以上を必要
とする。ノッチ溝3の左右のV斜面3aL及び3aRに
よって形成される角θは、90〜92°程度である。但
し、本発明は前記の寸法範囲に限定されるものでなく、
被研削物であるウェーハの形態によって種々の値をとり
得る。
The wafer 1 can take various sizes,
In this embodiment, the diameter is about 200 mm and the thickness is about 7 mm.
The notch groove 3 has a disk shape of about 00 to 900 μm, the width F between the left and right mouth portions 3c is 3 mm, and the depth H of the notch groove 3 is 1 to 1.5 mm. The notch groove bottom circle 3b has a radius R1 about the center of curvature 3g.
And its radius R1 needs to be 0.9 mm or more. The angle θ formed by the left and right V slopes 3aL and 3aR of the notch groove 3 is about 90 to 92 °. However, the present invention is not limited to the above size range,
Various values can be taken depending on the form of the wafer to be ground.

【0020】次に、図11を用いてウェーハ1を研削す
る砥石5とノッチ溝3の関係について説明する。図11
は砥石5及び砥石回転軸6を、砥石5の板面に平行な方
向から見た図である。砥石5は円板状で、研削作用部の
外周の母線は円弧部5aをなし、その円弧部5aに滑ら
かに連なって砥石回転軸6方向へ向って砥石幅Wを一定
とした胸部5dを有し、続いて同方向で次第に砥石幅を
広げるように直線部5bを有し、直線部5bから平行板
面の腹部5cへと滑らかにつらなる。ここで円弧部5a
は研削作用面となるもので、その曲率半径R2はノッチ
溝底円3bの半径R1よりも小さい。
Next, the relationship between the grindstone 5 for grinding the wafer 1 and the notch groove 3 will be described with reference to FIG. FIG.
FIG. 3 is a view of the grindstone 5 and the grindstone rotating shaft 6 viewed from a direction parallel to the plate surface of the grindstone 5. The grindstone 5 has a disk shape, and a generatrix of the outer periphery of the grinding action portion forms an arc portion 5a. The grindstone 5 has a chest portion 5d having a constant width W in the direction of the grindstone rotation axis 6 smoothly connected to the arc portion 5a. Subsequently, a straight portion 5b is provided so as to gradually increase the width of the grindstone in the same direction, and smoothly extends from the straight portion 5b to the antinode 5c of the parallel plate surface. Here, the arc 5a
Is a grinding surface, and its radius of curvature R2 is smaller than radius R1 of the notch groove bottom circle 3b.

【0021】(発明の概要について)次に、図4〜図6
を用いて、本発明の概要について説明する。
(Summary of the Invention) Next, FIGS.
The outline of the present invention will be described with reference to FIG.

【0022】本発明は、砥石5を砥石回転軸6の方向に
送り移動させ、ウェーハ1をそのノッチ溝3のノッチ溝
底円3bを描く曲率中心3gを中心として回転させるこ
とにより、ノッチ溝3の研削を行うものである。
According to the present invention, the notch groove 3 is formed by moving the grindstone 5 in the direction of the grindstone rotation shaft 6 and rotating the wafer 1 about the center of curvature 3g which draws the notch groove bottom circle 3b of the notch groove 3. Grinding.

【0023】図4に示すように、真空チャック68によ
って保持されたウェーハ1を、ターンテーブル63の回
転によって、ノッチ溝3の一方のV斜面3aLが砥石回
転軸6と平行になるように配置し、ターンテーブル63
を停止させる。砥石5は、砥石回転軸6と平行なX方向
に移動するものであり、先ず始めに、図4に向かって右
側から左側に送り移動させられる。このとき、ノッチ溝
3のV斜面3aLがX軸方向と平行に配置されているた
め、砥石5のX軸方向への送り移動によってV斜面3a
Lが一直線状に研削される。
As shown in FIG. 4, the wafer 1 held by the vacuum chuck 68 is arranged such that one V-sloped surface 3aL of the notch groove 3 is parallel to the grindstone rotating shaft 6 by the rotation of the turntable 63. , Turntable 63
To stop. The grindstone 5 moves in the X direction parallel to the grindstone rotation shaft 6, and is firstly fed and moved from right to left as viewed in FIG. At this time, since the V slope 3aL of the notch groove 3 is arranged parallel to the X-axis direction, the V slope 3a is moved by the feed movement of the grindstone 5 in the X-axis direction.
L is ground in a straight line.

【0024】そして、図4右下のノッチ溝3の拡大図に
示すように、砥石5がノッチ溝底円3bに来たら、図5
に示すようにターンテーブル63を反時計回りに回転さ
せ、ノッチ溝底円3bの研削を行う。ターンテーブル6
3は、ノッチ溝底円3bの曲率中心3gを中心として回
転するものであり、このターンテーブル63の回転によ
りノッチ溝底円3bが円弧状に研削される。ターンテー
ブル63は、ノッチ溝3のV斜面3aLと3aRがなす
角をθ°とすると、(180−θ)°回転したところで
停止する(図6右下のノッチ溝3の拡大図参照)。
Then, as shown in the enlarged view of the notch groove 3 at the lower right in FIG. 4, when the grinding stone 5 comes to the notch groove bottom circle 3b, FIG.
Then, the turntable 63 is rotated counterclockwise to grind the notch groove bottom circle 3b as shown in FIG. Turntable 6
Numeral 3 rotates around the center of curvature 3g of the notch groove bottom circle 3b. The rotation of the turntable 63 causes the notch groove bottom circle 3b to be ground into an arc shape. Assuming that the angle formed between the V slopes 3aL and 3aR of the notch groove 3 is θ °, the turntable 63 stops at a rotation of (180-θ) ° (see an enlarged view of the notch groove 3 at the lower right in FIG. 6).

【0025】砥石5はそのままX軸に沿って送り移動さ
せられ、今度は図6に示すように、ノッチ溝3のV斜面
3aRがX軸方向と平行に配置されているため、砥石5
のX軸方向への送り移動によってV斜面3aRが一直線
状に研削される。
The grindstone 5 is fed and moved along the X-axis as it is, and as shown in FIG. 6, the V-slope 3aR of the notch groove 3 is arranged parallel to the X-axis direction.
The V inclined surface 3aR is ground in a straight line by the feed movement in the X-axis direction.

【0026】このようにウェーハ1の回転中心を、ノッ
チ溝3のノッチ溝底円3bを描く曲率の中心3gとする
ことにより、砥石5をX軸方向に送り移動させるだけで
ノッチ溝3のV斜面3aL,3aR及びノッチ溝底円3
bの面取り加工を行うことができる。
By setting the center of rotation of the wafer 1 at the center of curvature 3g that describes the notch groove bottom circle 3b of the notch groove 3, the V of the notch groove 3 is simply moved by moving the grindstone 5 in the X-axis direction. Slope 3aL, 3aR and notch groove bottom circle 3
b can be chamfered.

【0027】(ノッチ研削装置の構成について)次に、
本発明のノッチ研削装置の具体的な構成について図1、
図2を用いて説明する。図1はノッチ研削装置11の側
面図、図2はノッチ研削装置11の平面図である。
(Regarding Configuration of Notch Grinding Apparatus)
FIG. 1 shows a specific configuration of the notch grinding device of the present invention.
This will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a side view of the notch grinding device 11, and FIG. 2 is a plan view of the notch grinding device 11.

【0028】図1に示すように、ベッド12には、Y軸
送り機構20及びX軸送り機構30よりなるXYテーブ
ルが備えられており、XYテーブルの上には砥石台40
が備えられている。
As shown in FIG. 1, the bed 12 is provided with an XY table including a Y-axis feed mechanism 20 and an X-axis feed mechanism 30.
Is provided.

【0029】Y軸送り機構20は、Y軸スライドレール
21とそのY軸スライドレール21と嵌合するY軸ガイ
ド22と、サドル23と、Y軸制御モータ24及びY軸
送りねじ25、ナット26より構成される。Y軸スライ
ドレール21はベッド12の上面に設けられており、Y
軸スライドレール21上にはサドル23が載置されてい
る。サドル23の底面にはY軸ガイド22が固定されて
おり、Y軸ガイド22はY軸スライドレール21に沿っ
て移動可能な状態で嵌合している。
The Y-axis feed mechanism 20 includes a Y-axis slide rail 21, a Y-axis guide 22 fitted to the Y-axis slide rail 21, a saddle 23, a Y-axis control motor 24, a Y-axis feed screw 25, and a nut 26. It is composed of The Y-axis slide rail 21 is provided on the upper surface of the bed 12,
A saddle 23 is mounted on the shaft slide rail 21. A Y-axis guide 22 is fixed to the bottom surface of the saddle 23, and the Y-axis guide 22 is movably fitted along the Y-axis slide rail 21.

【0030】図2に示すように、Y軸制御モータ24
は、ブラケット28によってベッド12に固定されてい
る。そのY軸制御モータ24の回転軸線上にはY軸送り
ねじ25が設けられており、Y軸制御モータ24の回転
によりY軸送りねじ25が回転する。サドル23には、
Y軸送りねじ25が捩じ込まれた状態のナット26(図
1参照)が固定されており、Y軸送りねじ25が回転す
ることによってナット26がY軸方向に送られて、サド
ル23がY軸方向への移動を行う。このときサドル23
は、図1に示すようにY軸ガイド22によってY軸スラ
イドレール21に沿って案内されて、Y軸方向に移動す
る。
As shown in FIG. 2, the Y-axis control motor 24
Are fixed to the bed 12 by brackets 28. A Y-axis feed screw 25 is provided on the rotation axis of the Y-axis control motor 24, and the Y-axis control motor 24 rotates the Y-axis feed screw 25. In saddle 23,
A nut 26 (see FIG. 1) in which the Y-axis feed screw 25 is screwed is fixed, and the nut 26 is fed in the Y-axis direction by rotation of the Y-axis feed screw 25, so that the saddle 23 is Move in the Y-axis direction. At this time, saddle 23
Is moved along the Y-axis direction by being guided along the Y-axis slide rail 21 by the Y-axis guide 22 as shown in FIG.

【0031】また、図1に示すようにサドル23の上に
は、更にX軸送り機構30が備えられている。X軸送り
機構30は、X軸スライドレール31とそのX軸スライ
ドレール31と嵌合するX軸ガイド32と、砥石台40
を支持するスライドテーブル33と、X軸制御モータ3
4、X軸送りねじ35及びX軸送りねじ35に捩じ込ま
れたナット(不図示)より構成される。X軸スライドレ
ール31はサドル23の上面に設けられており、X軸ス
ライドレール31上にはスライドテーブル33が載置さ
れている。スライドテーブル33の底面にはX軸ガイド
32が固定されており、X軸ガイド32はX軸スライド
レール31に沿って移動可能な状態で嵌合している。
An X-axis feed mechanism 30 is further provided on the saddle 23 as shown in FIG. The X-axis feed mechanism 30 includes an X-axis slide rail 31, an X-axis guide 32 fitted to the X-axis slide rail 31,
Slide table 33 for supporting the X-axis control motor 3
4. It comprises an X-axis feed screw 35 and a nut (not shown) screwed into the X-axis feed screw 35. The X-axis slide rail 31 is provided on the upper surface of the saddle 23, and a slide table 33 is mounted on the X-axis slide rail 31. An X-axis guide 32 is fixed to the bottom surface of the slide table 33, and the X-axis guide 32 is fitted so as to be movable along the X-axis slide rail 31.

【0032】X軸制御モータ34は、ブラケット38に
よってサドル23に固定されている。そのX軸制御モー
タ34の回転軸線上にはX軸送りねじ35が設けられて
おり、X軸制御モータ34の回転によりX軸送りねじ3
5が回転する。スライドテーブル33には、X軸送りね
じ35に捩じ込まれた状態のナット(不図示)が固定さ
れており、X軸送りねじ35が回転することによってナ
ットがX軸方向に送られて、スライドテーブル33がX
軸方向への移動を行う。このときスライドテーブル33
は、X軸ガイド32によってX軸スライドレール31に
沿って案内されて、X軸方向に移動する。
The X-axis control motor 34 is fixed to the saddle 23 by a bracket 38. An X-axis feed screw 35 is provided on the rotation axis of the X-axis control motor 34, and the X-axis feed screw 3
5 rotates. A nut (not shown) screwed into the X-axis feed screw 35 is fixed to the slide table 33, and the nut is fed in the X-axis direction by rotation of the X-axis feed screw 35. Slide table 33 is X
Move in the axial direction. At this time, the slide table 33
Is guided along the X-axis slide rail 31 by the X-axis guide 32 and moves in the X-axis direction.

【0033】なお、本実施の形態においては、図2に示
すようにX軸スライドレール31とY軸スライドレール
21とは直交するように配置されているが、必ずしも直
交する必要はなく、平行でなければ良い。
In this embodiment, as shown in FIG. 2, the X-axis slide rail 31 and the Y-axis slide rail 21 are arranged so as to be perpendicular to each other. Good if not.

【0034】また、図1に示すように砥石台40は、砥
石本体40a、砥石回転駆動用モータ10と砥石回転軸
6、そして、研削用の砥石5からなる。砥石台本体40
aはスライドテーブル33に固定されている。砥石回転
駆動用モータ10は砥石台本体40aに備えられてお
り、砥石回転駆動用モータ10の砥石回転軸6線上には
研削用の砥石5が取り付けられている。砥石回転駆動用
モータ10は、その砥石回転軸6が、X軸方向及びY軸
方向によって形成されるXY平面に平行で、且つX軸方
向に平行になるように設けられている。
As shown in FIG. 1, the grindstone table 40 comprises a grindstone main body 40a, a grindstone rotation drive motor 10, a grindstone rotation shaft 6, and a grindstone 5 for grinding. Wheel head body 40
a is fixed to the slide table 33. The grindstone rotation drive motor 10 is provided in the grindstone head main body 40a, and the grindstone 5 for grinding is mounted on the grindstone rotation axis 6 of the grindstone rotation drive motor 10. The grindstone rotation drive motor 10 is provided so that the grindstone rotation shaft 6 is parallel to the XY plane formed by the X-axis direction and the Y-axis direction and parallel to the X-axis direction.

【0035】砥石5は円板状をなし、砥石回転軸6を含
む平面によって砥石5の断面をとると、砥石5の研削作
用面は少なくともノッチ溝底円3bの曲率半径R1より
も小さな曲率半径R2を有する円弧状をなしている。そ
して、砥石5の外周近くの砥石幅Wはノッチ溝底円3b
の曲線半径R1の2倍より小さくし、砥石側面がノッチ
溝3の底を研削する際に、ノッチ溝3と干渉しないよう
にしてある。
When the grinding wheel 5 has a disk shape and the cross section of the grinding wheel 5 is formed by a plane including the grinding wheel rotation shaft 6, the grinding surface of the grinding stone 5 has a radius of curvature smaller than at least the radius of curvature R1 of the notch groove bottom circle 3b. It has an arc shape having R2. The width W of the grindstone near the outer periphery of the grindstone 5 is the notch groove bottom circle 3b.
Is smaller than twice the radius R1 of the curve so that the grinding wheel side surface does not interfere with the notch groove 3 when the bottom of the notch groove 3 is ground.

【0036】図1に示すように、ベッド12には被研削
物であるウェーハ1を保持する真空チャック68を有す
るターンテーブル63が備えられ、ターンテーブル63
はZ軸方向に上下動させるための昇降機構50に設けら
れている。昇降機構50は、昇降テーブル53と、昇降
テーブル53を案内するZ軸スライドレール51及びそ
のZ軸スライドレール51に嵌合するZ軸ガイド52、
そしてZ軸制御モータ54とZ軸送りねじ55、ナット
56よりなる。Z軸送りねじ55は、Z軸制御モータ5
4の回転軸線上に設けられており、Z軸制御モータ54
の回転によってZ軸送りねじ55が回転する。Z軸制御
モータ54はブラケット58によってベッド12に固定
されている。
As shown in FIG. 1, the bed 12 is provided with a turntable 63 having a vacuum chuck 68 for holding the wafer 1 to be ground.
Is provided on an elevating mechanism 50 for moving up and down in the Z-axis direction. The lifting mechanism 50 includes a lifting table 53, a Z-axis slide rail 51 that guides the lifting table 53, and a Z-axis guide 52 that is fitted to the Z-axis slide rail 51.
Further, it comprises a Z-axis control motor 54, a Z-axis feed screw 55, and a nut 56. The Z-axis feed screw 55 is connected to the Z-axis control motor 5
4 is provided on the rotation axis of the Z-axis control motor 54.
Rotates the Z-axis feed screw 55. The Z-axis control motor 54 is fixed to the bed 12 by a bracket 58.

【0037】昇降テーブル53には、Z軸送りねじ55
に捩じ込まれた状態のナット56が固定されており、Z
軸送りねじ55が回転することによってナット56が上
方又は下方に移動し、昇降テーブル53が昇降動作を行
う。昇降テーブル53には上下方向に亘ってZ軸スライ
ドレール51が設けられており、そのZ軸スライドレー
ル51に沿って移動可能に嵌合しているZ軸ガイド52
がベッド12に固定されている。昇降テーブル53が上
下動を行う際には、Z軸スライドレール51がZ軸ガイ
ド52に案内されてスライドするため、昇降テーブル5
3はZ軸スライドレール51に沿って昇降動作を行う。
The lifting table 53 has a Z-axis feed screw 55
The nut 56 screwed into the nut is fixed.
As the shaft feed screw 55 rotates, the nut 56 moves upward or downward, and the elevating table 53 performs an elevating operation. The elevating table 53 is provided with a Z-axis slide rail 51 extending vertically, and a Z-axis guide 52 fitted movably along the Z-axis slide rail 51.
Are fixed to the bed 12. When the lifting table 53 moves up and down, the Z-axis slide rail 51 is guided by the Z-axis guide 52 and slides.
Numeral 3 performs an elevating operation along the Z-axis slide rail 51.

【0038】図3は、ターンテーブル63を上方から見
た図であり、真空チャック68上にはウェーハ1が搭載
されていない状態を示している。図3に示すように、タ
ーンテーブル63は昇降テーブル53の上に設けられ、
昇降テーブル53の昇降動作に伴ってZ軸方向への移動
を行う。ターンテーブル63上面には真空チャック68
が設けられている。真空チャック68はウェーハ1より
も小さな円形をなし、その中心はターンテーブル63の
回転中心とは一致せず、ずれた状態で装設されている。
真空チャック68の上面には複数の吸引穴68aが形成
されており、その吸引穴68aから空気を吸引すること
によって、ウェーハ1が真空チャック68上に真空吸着
されて固定される。
FIG. 3 is a view of the turntable 63 as viewed from above, and shows a state where the wafer 1 is not mounted on the vacuum chuck 68. As shown in FIG. 3, the turntable 63 is provided on the elevating table 53,
The movement in the Z-axis direction is performed with the lifting operation of the lifting table 53. A vacuum chuck 68 is provided on the upper surface of the turntable 63.
Is provided. The vacuum chuck 68 has a circular shape smaller than that of the wafer 1, and its center does not coincide with the rotation center of the turntable 63, and is mounted in a shifted state.
A plurality of suction holes 68a are formed on the upper surface of the vacuum chuck 68, and the wafer 1 is vacuum-sucked and fixed on the vacuum chuck 68 by sucking air from the suction holes 68a.

【0039】図1に示すように、ターンテーブル63は
そのテーブル面に垂直な方向に回転軸63aを有し、そ
の回転軸63aは昇降テーブル53に設けたテーブル回
転制御モータ64の回転軸64aと連結している。テー
ブル回転制御モータ64は回転軸64aがZ軸方向に平
行になるように設けられており、テーブル回転制御モー
タ64の回転を制御することによりターンテーブル63
の回転を制御する。
As shown in FIG. 1, the turntable 63 has a rotation shaft 63a in a direction perpendicular to the table surface, and the rotation shaft 63a is connected to a rotation shaft 64a of a table rotation control motor 64 provided on the lifting table 53. Connected. The table rotation control motor 64 is provided so that the rotation shaft 64a is parallel to the Z-axis direction. The turntable 63 is controlled by controlling the rotation of the table rotation control motor 64.
To control the rotation of

【0040】なお、ウェーハ1は、このターンテーブル
63の真空チャック68に、その板面1aがX軸及びY
軸によって形成されるXY平面にほぼ平行になるように
配置され、また、Z軸はウェーハ1の板面1aとほぼ直
交する方向に配置されている。
The wafer 1 is placed on the vacuum chuck 68 of the turntable 63 with the plate surface 1a having the X-axis and the Y-axis.
The wafer 1 is arranged so as to be substantially parallel to the XY plane formed by the axes, and the Z axis is arranged in a direction substantially orthogonal to the plate surface 1 a of the wafer 1.

【0041】上記において、Y軸制御モータ24,X軸
制御モータ34,Z軸制御モータ54及びテーブル回転
制御モータ64は、それぞれサーボモータであって、C
NC制御装置8によって制御される。
In the above description, the Y-axis control motor 24, the X-axis control motor 34, the Z-axis control motor 54 and the table rotation control motor 64 are servo motors, respectively.
It is controlled by the NC control device 8.

【0042】(ノッチ研削装置の動作について)次に上
記ノッチ研削装置11によって、ノッチ溝3の面取りを
行う動作について説明する。
(Operation of Notch Grinding Apparatus) Next, the operation of chamfering the notch groove 3 by the notch grinding apparatus 11 will be described.

【0043】始めに、板面研削が終わったウェーハ1を
ターンテーブル63の真空チャック68の上に置き、ノ
ッチ溝3の一方のV斜面3aLがX軸方向と平行になる
ように位置合わせを行う。この位置合わせは、図12に
示すように3本の位置決めピン4a,4bによって行
う。位置決めピン4a,4bはそれぞれを直線で結ぶ
と、ノッチ溝3に嵌り込むピン4aを頂点として、残り
二本のピン4bが三角形の底辺の角に配置されている。
位置決めピン4a,4bは円柱形であって、ピン4aは
ウェーハ1に対してV斜面3aL,3aRの直線部で接
する。
First, the wafer 1 on which the plate surface grinding has been completed is placed on the vacuum chuck 68 of the turntable 63, and alignment is performed so that one V slope 3aL of the notch groove 3 is parallel to the X-axis direction. . This positioning is performed by using three positioning pins 4a and 4b as shown in FIG. When the positioning pins 4a and 4b are connected by a straight line, the remaining two pins 4b are arranged at the corners of the base of the triangle with the pin 4a fitted into the notch groove 3 as the apex.
The positioning pins 4a and 4b are cylindrical, and the pins 4a are in contact with the wafer 1 at straight portions of the V slopes 3aL and 3aR.

【0044】まず、真空チャック68上に載置されたウ
ェーハ1は、その外周部2を二本のピン4bによって支
持される。このウェーハ1を真空チャック68に載置す
る作業は、搬送装置等によって行われる。そして、ウェ
ーハ1の外周部2にピン4bを当接させた状態で、半径
方向に沿って外周からウェーハ1の中心OWに向かって
位置決めピン4aを挿入して、ピン4aとV斜面3a
L,3aRを当接させる。
First, the wafer 1 placed on the vacuum chuck 68 has its outer peripheral portion 2 supported by two pins 4b. The operation of mounting the wafer 1 on the vacuum chuck 68 is performed by a transfer device or the like. Then, with the pins 4b abutting on the outer peripheral portion 2 of the wafer 1, the positioning pins 4a are inserted from the outer periphery toward the center OW of the wafer 1 along the radial direction, and the pins 4a and the V slope 3a are inserted.
L, 3aR is brought into contact.

【0045】ピン4aの位置からノッチ溝底円3bの位
置を検出し、そのノッチ溝底円3bの位置がターンテー
ブル63の回転軸63aの中心に一致するように移動さ
せる。その後、真空チャック68に設けられた吸引穴6
8aから真空吸引することにより、ウェーハ1を真空チ
ャック68上に真空吸着する。
The position of the notch groove bottom circle 3b is detected from the position of the pin 4a, and the notch groove bottom circle 3b is moved such that the position of the notch groove bottom circle 3b coincides with the center of the rotary shaft 63a of the turntable 63. After that, the suction holes 6 provided in the vacuum chuck 68
The wafer 1 is vacuum-sucked on the vacuum chuck 68 by vacuum-suctioning from the wafer 8a.

【0046】ウェーハ1が真空チャック68により吸着
され、ウェーハ1がターンテーブル63上に保持された
ら、位置決めピン4aを退避させる。そして、ターンテ
ーブル63を回転させ、ノッチ溝3の一方のV斜面3a
LがX軸方向と平行になるように位置合わせを行い、タ
ーンテーブル63を停止させる。なお、上記のようにタ
ーンテーブル63を回転させることなく、ノッチ溝底円
3bの位置を検出したら、始めからノッチ溝3の一方の
V斜面3aLがX軸方向に平行になるようにウェーハ1
をターンテーブル63上に保持しても良い。
When the wafer 1 is sucked by the vacuum chuck 68 and the wafer 1 is held on the turntable 63, the positioning pins 4a are retracted. Then, the turntable 63 is rotated, and one V slope 3a of the notch groove 3 is turned.
Positioning is performed so that L is parallel to the X-axis direction, and the turntable 63 is stopped. When the position of the notch groove bottom circle 3b is detected without rotating the turntable 63 as described above, the wafer 1 is set so that one V slope 3aL of the notch groove 3 is parallel to the X-axis direction from the beginning.
May be held on the turntable 63.

【0047】位置合わせが終了したら、砥石回転駆動用
モータ10を起動させて、砥石回転軸6に固定した砥石
5を回転させる。なお、ノッチ研削装置11の自動運転
が行われている間は、砥石回転駆動用モータ10を停止
させることなく砥石5を連続回転させていても良い。本
実施の形態におけるノッチ研削装置11は、先ず始めに
粗加工用砥石を用いて粗研削を行い、その後、仕上げ加
工用砥石を用いて仕上げ研削を行う。
When the positioning is completed, the grindstone rotation drive motor 10 is started to rotate the grindstone 5 fixed to the grindstone rotation shaft 6. During the automatic operation of the notch grinding device 11, the grindstone 5 may be continuously rotated without stopping the grindstone rotation drive motor 10. The notch grinding device 11 according to the present embodiment first performs rough grinding using a roughing grindstone, and then performs finish grinding using a finishing grindstone.

【0048】次に、図4〜図6を用いて、砥石5及びタ
ーンテーブル63の制御について詳細に説明する。
Next, the control of the grindstone 5 and the turntable 63 will be described in detail with reference to FIGS.

【0049】図4に示すように、真空チャック68によ
って保持されたウェーハ1は、前記位置合わせにより、
ノッチ溝3の一方のV斜面3aLが、砥石回転軸6と平
行になるように配置されている。
As shown in FIG. 4, the wafer 1 held by the vacuum chuck 68 is positioned by the above-described alignment.
One V-slope 3 aL of the notch groove 3 is arranged so as to be parallel to the grinding wheel rotation axis 6.

【0050】Y軸送り機構20によって、砥石5がウェ
ーハ1に接触する手前の位置まで、砥石5をウェーハ1
に向かって送り移動させる。このとき砥石5は、ノッチ
溝3の右側の口部3cよりも右側に配置される。そし
て、X軸送り機構30とY軸送り機構20によって、砥
石5をノッチ溝3の口部3cの形状に合うように円弧状
に送り移動させ、口部3cの研削を行う。
The grindstone 5 is moved by the Y-axis feed mechanism 20 to a position just before the grindstone 5 comes into contact with the wafer 1.
And move it toward. At this time, the grindstone 5 is disposed on the right side of the opening 3c on the right side of the notch groove 3. Then, the grindstone 5 is fed and moved in an arc shape by the X-axis feed mechanism 30 and the Y-axis feed mechanism 20 so as to match the shape of the mouth 3c of the notch groove 3, and the mouth 3c is ground.

【0051】その後、Y軸送り機構20の駆動を停止さ
せてY軸方向の送りを止め、X軸制御モータ34の回転
とX軸送りねじ35により、砥石5を図4の矢印の方向
に送り移動させる。砥石5は砥石回転軸6を中心に回転
しながら、ノッチ溝3のV斜面3aLに沿って移動し、
V斜面3aLを面取りする。
Thereafter, the drive of the Y-axis feed mechanism 20 is stopped to stop the feed in the Y-axis direction, and the grinding wheel 5 is fed in the direction of the arrow in FIG. 4 by the rotation of the X-axis control motor 34 and the X-axis feed screw 35. Move. The grindstone 5 moves along the V slope 3aL of the notch groove 3 while rotating about the grindstone rotation shaft 6,
The V slope 3aL is chamfered.

【0052】このとき、ノッチ溝3のV斜面3aLがX
軸方向と平行に配置されているため、X軸送り機構30
の送りのみによって、V斜面3aLが一直線状かつ高精
度に研削される。
At this time, the V slope 3aL of the notch groove 3 is X
The X-axis feed mechanism 30 is arranged in parallel with the axial direction.
, The V inclined surface 3aL is ground straight and with high precision.

【0053】そして、図4右下のノッチ溝3の拡大図に
示すように、砥石5がノッチ溝3のノッチ溝底円3bに
来たら、図5に示すようにターンテーブル63を回転さ
せ、ノッチ溝底円3bの研削を行う。具体的には、V斜
面3aLの直線部が終了し、砥石5の砥石幅Wを二等分
する中心線がノッチ溝底円3bの円弧部に差し掛かる位
置に来たときに、テーブル回転制御モータ64の回転に
よりターンテーブル63を矢印の方向に回転させる。タ
ーンテーブル63は、ノッチ溝底円3bの円弧を描く曲
率中心3gを中心として回転し、このターンテーブル6
3の回転によりノッチ溝底円3bが円弧状に研削され
る。
Then, as shown in the enlarged view of the notch groove 3 at the lower right in FIG. 4, when the grinding stone 5 comes to the notch groove bottom circle 3b of the notch groove 3, the turntable 63 is rotated as shown in FIG. The notch groove bottom circle 3b is ground. Specifically, when the straight portion of the V slope 3aL ends and the center line bisecting the grindstone width W of the grindstone 5 comes to a position approaching the arc portion of the notch groove bottom circle 3b, the table rotation control is performed. The rotation of the motor 64 causes the turntable 63 to rotate in the direction of the arrow. The turntable 63 rotates about a center of curvature 3g that draws an arc of the notch groove bottom circle 3b.
By the rotation of 3, the notch groove bottom circle 3b is ground in an arc shape.

【0054】ターンテーブル63は、ノッチ溝3のV斜
面3aLと3aRがなす角をθ°とすると、(180−
θ)°回転したところで停止するように、テーブル回転
制御モータ64によって制御される。
When the angle between the V slopes 3aL and 3aR of the notch groove 3 is θ °, the turntable 63 becomes (180−
The rotation is controlled by the table rotation control motor 64 so as to stop when the rotation is θ) °.

【0055】そして、図6に示すように、砥石5はX軸
送り機構30によってそのままX軸に沿って送り移動さ
せられるが、今度は、ノッチ溝3のV斜面3aRがX軸
方向と平行に配置されているため、砥石5のX軸方向へ
の送り移動によってV斜面3aRが一直線状に研削され
る。
Then, as shown in FIG. 6, the grinding wheel 5 is fed and moved along the X-axis by the X-axis feed mechanism 30. This time, the V slope 3aR of the notch groove 3 is parallel to the X-axis direction. Since they are arranged, the V inclined surface 3aR is ground in a straight line by the feed movement of the grindstone 5 in the X-axis direction.

【0056】V斜面3aRの直線部の研削が終わった
ら、Y軸送り機構20を再び駆動させ、X軸送り機構3
0とY軸送り機構20によって、砥石5をノッチ溝3の
左側の口部3cの形状に合うように円弧状に送り移動さ
せ、口部3cの研削を行う。
After grinding the straight portion of the V slope 3aR, the Y-axis feed mechanism 20 is driven again, and the X-axis feed mechanism 3
The whetstone 5 is moved in an arc shape so as to conform to the shape of the opening 3c on the left side of the notch groove 3 by the 0 and Y-axis feed mechanism 20, and the opening 3c is ground.

【0057】口部3cの研削が終了したら、Y軸送り機
構30により一旦砥石5をウェーハ1から離し、昇降機
構50によりウェーハ1を上昇させる。そして、砥石5
を再びウェーハ1に接近させ、今度は別の平面上におい
て上述と同様にノッチ溝3の研削を行う。
After the grinding of the mouth 3c is completed, the grindstone 5 is once separated from the wafer 1 by the Y-axis feed mechanism 30, and the wafer 1 is raised by the lifting mechanism 50. And whetstone 5
Is again brought close to the wafer 1, and the notch groove 3 is ground on another plane in the same manner as described above.

【0058】このように、ウェーハ1の回転中心をノッ
チ溝3のノッチ溝底円3bの曲率中心3gとすることに
より、砥石5をX軸送り機構30によってX軸方向に送
り移動させるだけでノッチ溝3のV斜面3aL,3aR
及びノッチ溝底円3bの面取り加工を行うことができ
る。そのため、X軸方向の送り移動とY軸方向の送り移
動を合成してV斜面を研削する場合に比べて、特に精度
の必要なV斜面3aL,3aRの直線部を高精度に加工
することができる。
As described above, by setting the center of rotation of the wafer 1 to the center of curvature 3g of the notch groove bottom circle 3b of the notch groove 3, the X-axis feed mechanism 30 feeds and moves the grindstone 5 in the X-axis direction. V slope 3aL, 3aR of groove 3
And the notch groove bottom circle 3b can be chamfered. For this reason, it is possible to machine the linear portions of the V slopes 3aL and 3aR, which require particularly high precision, with high precision compared to the case where the feed movement in the X-axis direction and the feed movement in the Y-axis direction are combined to grind the V slope. it can.

【0059】なお、ターンテーブル63の回転中心は、
V斜面3aL,3aRがなす角θの二等分線上にあれば
良く、必ずしもノッチ溝底円3bの曲率中心3gと一致
している必要はない。すなわち、V斜面3aL,3aR
がなす角θの二等分線上にあり、且つ、ノッチ溝底円3
bの曲率中心の近傍にある点であれば、その点を中心に
回転させても高精度に加工することができる。従って、
本願においてノッチ溝底円3bの曲率中心には、V斜面
3aL,3aRがなす角θの二等分線上にあり、ノッチ
溝底円3bの曲率中心3gの近傍にある点も含むものと
する。
The center of rotation of the turntable 63 is
The V slopes 3aL and 3aR need only be on the bisector of the angle θ, and need not necessarily coincide with the curvature center 3g of the notch groove bottom circle 3b. That is, the V slopes 3aL, 3aR
Is located on the bisector of the angle θ, and the notch groove bottom circle 3
If it is a point near the center of curvature b, even if it is rotated about that point, it can be processed with high accuracy. Therefore,
In the present application, the center of curvature of the notch groove bottom circle 3b includes a point located on the bisector of the angle θ formed by the V slopes 3aL and 3aR and near the center of curvature 3g of the notch groove bottom circle 3b.

【0060】ノッチ溝3のノッチ溝底円3bが円弧状で
あり、その曲率半径R1が大きい場合には、チャック6
8にウェーハ1を吸着させる際に、ノッチ溝底円3bと
ターンテーブル63の回転中心の距離を離して配置し、
それに合わせて砥石5の位置もずらして配置すれば良
い。
If the notch groove bottom circle 3b of the notch groove 3 is arc-shaped and its radius of curvature R1 is large, the chuck 6
When the wafer 1 is attracted to the nozzle 8, the notch groove bottom circle 3 b and the rotation center of the turntable 63 are spaced apart from each other,
The position of the grindstone 5 may be shifted accordingly.

【0061】また、ノッチ溝3のノッチ溝底円3bが円
弧以外の他の曲線形状である場合には、ノッチ溝底円3
bはX軸送り機構30及びY軸送り機構20による2軸
同時制御で研削することができる。更に、ノッチ溝底円
3bが円弧状で半径R1の大きさが、この曲率中心3g
を中心にして回転するのに適していない大きさである場
合にも、X軸送り機構30及びY軸送り機構20による
2軸同時制御で研削することができる。
If the notch groove bottom circle 3b of the notch groove 3 has a curved shape other than an arc, the notch groove bottom circle 3b
b can be ground by simultaneous two-axis control by the X-axis feed mechanism 30 and the Y-axis feed mechanism 20. Further, the notch groove bottom circle 3b is arc-shaped and the size of the radius R1 is equal to the curvature center 3g.
Can be ground by the simultaneous control of two axes by the X-axis feed mechanism 30 and the Y-axis feed mechanism 20.

【0062】図13は、ウェーハ1と砥石5のY軸方向
及びZ軸方向の位置関係を示すために、ウェーハ1のノ
ッチ溝3の縦断面を示した断面図である。図13に示す
ように、砥石5の回転軸中心OをO1〜O5とすると、
砥石5は各中心O1〜O5がウェーハ1の板面1aと平
行な複数の平面上で工具経路を描くように相対移動す
る。これは、図1に示すノッチ研削装置11において、
X軸送り機構30及びY軸送り機構20を制御すると共
に、ウェーハ1をノッチ溝3のノッチ溝底円3bを中心
に回転させて研削するものである。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing a longitudinal section of the notch groove 3 of the wafer 1 to show the positional relationship between the wafer 1 and the grindstone 5 in the Y-axis direction and the Z-axis direction. As shown in FIG. 13, assuming that the rotation axis center O of the grindstone 5 is O1 to O5,
The grindstone 5 relatively moves so that each center O1 to O5 draws a tool path on a plurality of planes parallel to the plate surface 1a of the wafer 1. In the notch grinding device 11 shown in FIG.
The X-axis feed mechanism 30 and the Y-axis feed mechanism 20 are controlled, and the wafer 1 is ground by rotating the notch groove 3 around the notch groove bottom circle 3b.

【0063】図14は、ウェーハ1を固定してみた場合
に、砥石5が相対的に描く相対工具経路(相対工具軌
跡)を示したものである。相対工具経路は、図11に示
すように砥石5の先端円弧部5aの円弧中心であってウ
ェーハ1に近い側の点Tで代表すると、図14に示す符
号TP1〜TP5のようになる。この相対工具経路はま
た、砥石5の中心(点Tを通り砥石回転中心線に垂直な
平面と、砥石回転中心線の交点)をとっても同一であ
る。従って、以下の説明では、砥石5の中心の相対工具
経路を用いて説明する。
FIG. 14 shows the relative tool path (relative tool path) drawn by the grindstone 5 when the wafer 1 is fixed. The relative tool path is represented by reference numerals TP1 to TP5 shown in FIG. 14 when represented by a point T on the side closer to the wafer 1 at the center of the arc of the tip arc portion 5a of the grindstone 5 as shown in FIG. This relative tool path is also the same at the center of the grinding wheel 5 (the intersection of the plane passing through the point T and perpendicular to the grinding wheel rotation center line and the grinding wheel rotation center line). Therefore, in the following description, description will be made using the relative tool path at the center of the grindstone 5.

【0064】何れの相対工具経路TP1〜TP5におい
ても、図10に示す左側の口部3c,V斜面3aL,ノ
ッチ溝底円3bを通って、対称中心SLに対して反対側
に位置するV斜面3aR,右側の口部3cを夫々連続し
て面取りすることができる。また、面取りできる相対工
具経路の両側には、エアカットを行うための相対工具経
路部TPAを有する。
In any of the relative tool paths TP1 to TP5, the V-slope located on the opposite side to the symmetry center SL through the left opening 3c, the V-slope 3aL, and the notch groove bottom circle 3b shown in FIG. 3aR and the right mouth 3c can be chamfered continuously. Further, on both sides of the relative tool path that can be chamfered, a relative tool path portion TPA for performing air cutting is provided.

【0065】また図14に示すように、このエアカット
工具経路部TPAの終端O1′〜O5′(相対工具経路
TPの終端でもある)においては、図15の二点鎖線で
示すように、砥石5とウェーハ1は離れている。この相
対工具経路部TPAの終端O1′〜O5′は、砥石中心
O1〜O5に夫々対応している。
As shown in FIG. 14, at the ends O1 'to O5' of the air cut tool path portion TPA (which are also the ends of the relative tool path TP), as shown by a two-dot chain line in FIG. 5 and the wafer 1 are apart. The ends O1 'to O5' of the relative tool path portion TPA correspond to the grinding wheel centers O1 to O5, respectively.

【0066】図10及び図14を参照して、X軸送り機
構30,Y軸送り機構20及びターンテーブル63の具
体的な制御方法について説明する。
Referring to FIGS. 10 and 14, a specific control method of the X-axis feed mechanism 30, the Y-axis feed mechanism 20, and the turntable 63 will be described.

【0067】まず、砥石回転駆動用モータ10を回転さ
せ、その砥石回転軸6に取り付けられた砥石5を回転さ
せる。本実施の形態においては、ノッチ溝3の面取りは
粗加工及び仕上げ加工によって鏡面仕上げを行うため、
始めは粗加工用砥石を用いて研削を行う。他に、粗加工
用砥石と仕上げ加工用砥石の二種類の砥石を用いること
なく、一つの砥石のみを用いて切り込み速度を複数段階
に分けることにより、粗加工から仕上げ加工までを行う
こともできる。
First, the grindstone rotation drive motor 10 is rotated, and the grindstone 5 attached to the grindstone rotation shaft 6 is rotated. In the present embodiment, the chamfer of the notch groove 3 is mirror-finished by roughing and finishing.
Initially, grinding is performed using a roughing grindstone. In addition, it is possible to perform from roughing to finishing by dividing the cutting speed into a plurality of stages using only one grindstone without using two types of grindstones for roughing and finishing. .

【0068】そして、粗加工用砥石5の中心が左側のO
1′に配置されるように、Y軸送り機構20の制御を行
う。砥石中心がO1′にある状態では、未だ砥石5の研
削作用面はウェーハ1には接触していない状態である。
Then, the center of the grinding wheel 5 for rough machining is
The Y-axis feed mechanism 20 is controlled so as to be arranged at 1 '. When the center of the grindstone is at O1 ', the grinding surface of the grindstone 5 is not yet in contact with the wafer 1.

【0069】次に、Y軸送り機構20のY軸制御モータ
24を作動させ、砥石5の研削作用面がウェーハ1の左
側の口部3cに接触する位置まで移動させる。この状態
から砥石5によってウェーハが研削され始める。
Next, the Y-axis control motor 24 of the Y-axis feed mechanism 20 is operated to move the grinding surface of the grindstone 5 to a position where it contacts the left opening 3c of the wafer 1. From this state, the wafer starts to be ground by the grindstone 5.

【0070】X軸送り機構30及びY軸送り機構20を
制御して、ノッチ溝3の口部3cがウェーハ1の外周部
2へと滑らかにつらなるように研削を行う。この口部3
cは、外周部2とノッチ溝3のV斜面3aが連結する部
分であり、その後の半導体生産工程において製造装置と
の接触により粉塵が発生しやすい場所であるため、外周
部2と連続して極力滑らかに形成する必要がある。
The X-axis feed mechanism 30 and the Y-axis feed mechanism 20 are controlled to perform grinding so that the opening 3 c of the notch groove 3 smoothly extends to the outer peripheral portion 2 of the wafer 1. This mouth 3
c is a portion where the outer peripheral portion 2 and the V slope 3a of the notch groove 3 are connected to each other, and is a place where dust is likely to be generated due to contact with the manufacturing apparatus in the subsequent semiconductor production process. It must be formed as smoothly as possible.

【0071】口部3cの面取りが終了すると今度は、V
斜面3aLの研削につながる。本ノッチ研削装置11
は、Y軸送り機構20を動作させること無く、X軸送り
機構30のみにより、V斜面3aLに平行に砥石5を送
ることができる。
When the chamfering of the mouth 3c is completed,
This leads to grinding of the slope 3aL. Main notch grinding device 11
Can move the grindstone 5 parallel to the V slope 3aL only by the X-axis feed mechanism 30 without operating the Y-axis feed mechanism 20.

【0072】そして、V斜面3aLの直線部の研削が終
了すると、今度はノッチ溝底円3bの研削につながる。
このノッチ溝底円3bはR1の曲率半径を持つ円弧状で
あるため、テーブル回転制御モータ64の回転により、
ターンテーブル63を回転させ、砥石5が半径R1の円
弧を描くように送り移動を行う。
When grinding of the straight portion of the V slope 3aL is completed, grinding of the notch groove bottom circle 3b is performed.
Since the notch groove bottom circle 3b is an arc having a radius of curvature of R1, the rotation of the table rotation control motor 64 causes
The turntable 63 is rotated, and the whetstone 5 is moved so as to draw an arc having a radius R1.

【0073】ノッチ溝底円3bの研削が終了すると、今
度はV斜面3aRの直線部の研削につながる。V斜面3
aRの研削も、X軸送り機構30の送りによって行う。
When the grinding of the notch groove bottom circle 3b is completed, grinding of the straight portion of the V slope 3aR is performed. V slope 3
Grinding of aR is also performed by the feed of the X-axis feed mechanism 30.

【0074】その後、X軸送り機構30及びY軸送り機
構20を制御することにより、外周部2との連結部であ
る口部3cを滑らかに研削し、口部3cの研削が終了し
たら、右側の終端部O1′へと砥石5を移動させ、ウェ
ーハ1から砥石5を離れさせる。
Thereafter, by controlling the X-axis feed mechanism 30 and the Y-axis feed mechanism 20, the mouth 3c, which is a connection portion with the outer peripheral portion 2, is smoothly ground. The grindstone 5 is moved to the end portion O1 'of the wafer 1 to separate the grindstone 5 from the wafer 1.

【0075】以上の制御をTP2〜TP5についても同
様に行うことにより、ウェーハ1の面取りを行うことが
できる。このとき、研削作業時間を極力短くするため
に、図14に示すようにTP2はTP1とは反対の方向
から研削を行う。同様に、TP3はTP2とは反対の方
向から、TP4はTP3とは反対の方向から、TP5は
TP4とは反対の方向から研削を行う。このように制御
することにより、相対工具経路が短くなり、作業時間が
短縮される。
By performing the same control for TP2 to TP5 in the same manner, the wafer 1 can be chamfered. At this time, in order to shorten the grinding operation time as much as possible, as shown in FIG. 14, TP2 grinds from the opposite direction to TP1. Similarly, TP3 grinds from a direction opposite to TP2, TP4 grinds from a direction opposite to TP3, and TP5 grinds from a direction opposite to TP4. By performing such control, the relative tool path is shortened, and the working time is shortened.

【0076】次に、砥石5が研削作業を行っている場合
と、ウェーハ1から離れている場合の位置関係について
図16を用いて説明する。図16はウェーハ1のノッチ
溝3の縦断面を示す図であり、砥石中心がO1にあると
きがウェーハ1の研削作業を行っている場合を示し、O
1′にあるときがウェーハ1から離れている状態を示し
ている。図14の矢印のようにX軸送り機構30,ター
ンテーブル63を制御して相対的に工具経路TP1に沿
って砥石5を送る場合について説明する。
Next, the positional relationship between the case where the grinding wheel 5 is performing the grinding operation and the case where the grinding wheel 5 is away from the wafer 1 will be described with reference to FIG. FIG. 16 is a view showing a vertical cross section of the notch groove 3 of the wafer 1. When the center of the grindstone is at O 1, the case where the grinding operation of the wafer 1 is being performed is shown.
When it is at 1 ', it indicates a state where it is separated from the wafer 1. The case where the X-axis feed mechanism 30 and the turntable 63 are controlled to feed the grindstone 5 relatively along the tool path TP1 as shown by the arrow in FIG. 14 will be described.

【0077】まず始めに左側のエアカット工具経路部T
PAを通り、砥石5の研削作用面がウェーハ1に接触す
ると、図16に示すようにノッチ溝3の縁に沿って断面
線を施した部分のストックS1が除去され、面取りC1
が形成される。そして、右側のエアカット工具経路部T
PAに入り、図14に示す右側の終端O1′に砥石中心
が達すると、砥石5は図16の二点鎖線で示すようにウ
ェーハ1と離れて位置することになる。
First, the air cut tool path T on the left side
When the grinding surface of the grindstone 5 passes through the PA and comes into contact with the wafer 1, as shown in FIG. 16, the stock S1 of the portion provided with the sectional line along the edge of the notch groove 3 is removed, and the chamfer C1 is formed.
Is formed. And the right air cut tool path T
When the center of the grindstone reaches the right end O1 'shown in FIG. 14 and enters the PA, the grindstone 5 is separated from the wafer 1 as shown by a two-dot chain line in FIG.

【0078】ここで昇降機構50のZ軸制御モータ54
を制御してウェーハ1を上昇させると共に、Y軸送り機
構20を制御してスライドテーブル33をウェーハ1か
ら離れる方向に後退させる。ウェーハ1の上昇量は、図
16に示すように砥石中心O1,O2又はO1′,O
2′のZ方向差△Z1であり、スライドテーブル33の
後退量は、夫々平面図で示されている図14の相対工具
経路TP1,TP2のY方向差△Y1である。
Here, the Z-axis control motor 54 of the lifting mechanism 50
Is controlled to move the slide table 33 backward in a direction away from the wafer 1 by controlling the Y-axis feed mechanism 20. As shown in FIG. 16, the amount of rise of the wafer 1 is set at the center O1, O2 or O1 ', O1 of the grindstone.
The 2 ′ Z-direction difference ΔZ1, and the retreat amount of the slide table 33 is the Y-direction difference ΔY1 between the relative tool paths TP1 and TP2 in FIG.

【0079】次に、X軸送り機構30及びターンテーブ
ル63を上記TP1の場合と反対方向に制御して、相対
工具経路TP2に沿って図14の矢印のように砥石5を
相対的に左方へ送ると、図17に示すようにノッチ溝3
の縁に沿って断面線を施した部分のストックS2が除去
され、面取りC2が形成される。そして、図14におい
て砥石中心が左側の終端O2′に達すると、砥石5は図
17の二点鎖線で示すようにウェーハ1と離れて位置す
ることになる。
Next, the X-axis feed mechanism 30 and the turntable 63 are controlled in the opposite direction to the case of TP1 to move the grindstone 5 relatively left along the relative tool path TP2 as shown by the arrow in FIG. To the notch groove 3 as shown in FIG.
The stock S2 at the portion where the cross-section line is provided along the edge of is removed, and a chamfer C2 is formed. When the center of the grindstone reaches the left end O2 'in FIG. 14, the grindstone 5 is located away from the wafer 1 as shown by the two-dot chain line in FIG.

【0080】昇降機構50のZ軸制御モータ54を制御
してウェーハ1を上昇させると共に、Y軸送り機構20
を制御してスライドテーブル33を後退させる。ウェー
ハ1の上昇量は図17に示すように砥石中心O2,O3
又はO2′,O3′のZ方向差△Z2であり、スライド
テーブル33の後退量は夫々平面図で示されている図1
4の相対工具経路TP2,TP3のY方向差△Y2であ
る。
The Z-axis control motor 54 of the elevating mechanism 50 is controlled to raise the wafer 1 and the Y-axis feed mechanism 20
To move the slide table 33 backward. As shown in FIG. 17, the amount of rise of the wafer 1 is set at the center of the grinding wheel O2, O3.
Alternatively, the Z direction difference ΔZ2 between O2 ′ and O3 ′, and the retreat amount of the slide table 33 is shown in a plan view in FIG.
4 is the difference ΔY2 in the Y direction between the relative tool paths TP2 and TP3.

【0081】ここでX軸送り機構30,ターンテーブル
63を制御して、相対工具経路TP3に沿って図14の
矢印のように砥石5を相対的に右方へ送ると、ノッチ溝
3の縁に沿って図18に示すように断面線を施した部分
のストックS3が除去され、面取りC3が形成される。
そして、図14において砥石中心が右側の終端O3′に
達すると、砥石5は図18の二点鎖線で示すようにウェ
ーハ1と離れて位置することになる。
When the X-axis feed mechanism 30 and the turntable 63 are controlled to feed the grindstone 5 relatively rightward along the relative tool path TP3 as shown by an arrow in FIG. As shown in FIG. 18, the stock S3 at the section where the cross section line is formed is removed, and a chamfer C3 is formed.
When the center of the grindstone reaches the end O3 'on the right side in FIG. 14, the grindstone 5 is located away from the wafer 1 as shown by the two-dot chain line in FIG.

【0082】そして、昇降機構50のZ軸制御モータ5
4を制御してウェーハ1を上昇させると共に、Y軸送り
機構20を制御して、今度はスライドテーブル33を前
進させる。ウェーハ1の上昇量は図18に示すように、
砥石中心O3,O4又はO3′,O4′のZ方向差△Z
3であり、スライドテーブル33の前進量は、夫々平面
図で示されている図14の相対工具経路TP2,TP3
のY方向差△Y3である。
The Z-axis control motor 5 of the lifting mechanism 50
4 is controlled to raise the wafer 1 and the Y-axis feed mechanism 20 is controlled to move the slide table 33 forward. As shown in FIG.
Grinding stone center O3, O4 or O3 ', O4' Z direction difference ΔZ
3 and the amount of advance of the slide table 33 is represented by the relative tool paths TP2 and TP3 in FIG.
Is the difference in the Y direction の Y3.

【0083】今度は、X軸送り機構30及びターンテー
ブル63を制御して、相対工具経路TP4に沿って図1
4の矢印のように相対的に左方へ送ると、ノッチ溝3の
縁に沿って図19に示すように断面線を施した部分のス
トックS4が除去され、面取りC4が形成される。そし
て、図14において砥石中心が左側の終端O4′に達す
ると、砥石5は図19の二点鎖線で示すようにウェーハ
1と離れて位置することになる。
Next, the X-axis feed mechanism 30 and the turntable 63 are controlled to move along the relative tool path TP4 as shown in FIG.
When the sheet is fed relatively to the left as indicated by an arrow 4, the stock S <b> 4 having a section line along the edge of the notch groove 3 as shown in FIG. 19 is removed, and a chamfer C <b> 4 is formed. When the center of the grindstone reaches the left end O4 'in FIG. 14, the grindstone 5 is positioned away from the wafer 1 as shown by the two-dot chain line in FIG.

【0084】ここで、Y軸送り機構20と昇降機構50
を制御してウェーハ1を上昇すると共にスライドテーブ
ル33を前進させる。ウェーハ1の上昇量は、図19に
示すように砥石中心O4,O5又はO4′,O5′のZ
方向差△Z4であり、スライドテーブル33の前進量
は、夫々平面図で示されている図14の相対工具経路T
P4,TP5のY方向差△Y4である。
Here, the Y-axis feed mechanism 20 and the elevating mechanism 50
To raise the wafer 1 and advance the slide table 33. As shown in FIG. 19, the amount of rise of the wafer 1 is Z of the grinding wheel center O4, O5 or O4 ', O5'.
The direction difference ΔZ4, and the amount of advance of the slide table 33 corresponds to the relative tool path T in FIG. 14 shown in a plan view.
The difference in the Y direction between P4 and TP5 is ΔY4.

【0085】X軸送り機構30及びターンテーブル63
を制御して、図14に示す相対工具経路TP5に沿って
矢印のように相対的に右方へ送ると、ノッチ溝3の縁に
沿って図20に示すように断面線を施した部分のストッ
クS5が除去され、面取りC5が形成される。図14に
おいて砥石中心が右側の終端O5′に達すると、砥石5
は図20の二点鎖線で示すように、ウェーハ1と離れて
位置することになる。そして、Y軸送り機構20を制御
してスライドテーブル33を後退させる。
X-axis feed mechanism 30 and turntable 63
Is controlled and is sent to the right along the relative tool path TP5 shown in FIG. 14 as indicated by the arrow, and along the edge of the notch groove 3, a portion having a sectional line as shown in FIG. The stock S5 is removed, and a chamfer C5 is formed. In FIG. 14, when the center of the grindstone reaches the right end O5 ', the grindstone 5
Is located away from the wafer 1 as shown by the two-dot chain line in FIG. Then, the slide table 33 is moved backward by controlling the Y-axis feed mechanism 20.

【0086】上記のように粗加工用砥石による面取りが
終わったら、今度は仕上げ加工用砥石によって同様に面
取りを行う。なお、仕上げ加工用砥石による面取りは、
TPの数を増加させて細かく面取りを行うものである
が、粗加工用砥石による面取りと同様な作業であるため
説明を省略する。
When the chamfering with the roughing grindstone is completed as described above, the chamfering is similarly performed with the finishing grindstone. In addition, chamfering with a grinding wheel for finishing
Although the chamfering is performed finely by increasing the number of TPs, the operation is the same as that of the chamfering using the roughing grindstone, and thus the description thereof is omitted.

【0087】仕上げ加工が終了したら、X軸送り機構3
0及びY軸送り機構20と昇降機構50を制御してウェ
ーハ1を上昇させると共に、スライドテーブル33を後
退させる。このときウェーハ1は、ウェーハ1の交換可
能な位置まで上昇する。
When the finishing is completed, the X-axis feed mechanism 3
The wafer 1 is raised by controlling the 0 and Y axis feed mechanism 20 and the elevating mechanism 50, and the slide table 33 is moved backward. At this time, the wafer 1 rises to a position where the wafer 1 can be replaced.

【0088】上記工程によるノッチ溝3の研削による面
取り方法においては、面取りは多角形状であり、本例で
は5面取り形状(面取り部の角部が6箇所)である。そ
して、ウェーハ1の上下面においてほぼ対称な形状に面
取りを施している。試算によれば、ノッチ溝3の縁に垂
直な法面で切った各面取りC1〜C5の各辺に接する曲
線と、面取りC1〜C5間の夫々の角部との距離は最大
12μmである。また、9面取り形状(面取り部の角部
が10箇所)にすると各面取りC1〜C9の辺に接する
曲線と、面取りC1〜C9間の夫々の角部との距離は最
大2μmである。従って、ノッチ溝3の後工程として行
われるバフ等のポリッシングによる面取りで角部を丸め
る時間は、本例で1min程度であり、従来に比較して
後工程時間が極端に短縮された。
In the method of chamfering the notch groove 3 by grinding in the above-described steps, the chamfer is polygonal, and in this example, the chamfer is five-chamfered (the chamfered portion has six corners). The upper and lower surfaces of the wafer 1 are chamfered in a substantially symmetric shape. According to a trial calculation, the distance between a curve that is in contact with each side of each of the chamfers C1 to C5 cut by a slope perpendicular to the edge of the notch groove 3 and each corner between the chamfers C1 to C5 is 12 μm at maximum. Further, when the chamfered shape is 9 (10 corners of the chamfered portion), the distance between the curve contacting the sides of the chamfers C1 to C9 and the respective corners between the chamfers C1 to C9 is a maximum of 2 μm. Therefore, the time for rounding the corners by chamfering by buffing or the like performed as a post-process of the notch groove 3 is about 1 minute in this example, and the post-process time is extremely reduced as compared with the conventional case.

【0089】この面取りは、5面取り形状よりも7面取
り形状(面取り部の角部が8箇所)、7面取り形状より
も9面取り形状というように、多角形になるほど面取り
の断面形状は滑らかになり円弧状に近くなる。ウェーハ
1のノッチ溝3の面取りにおいては、少なくとも5面取
り形状以上であることが望ましい。また、面取り形状は
必ずしも奇数面取りである必要は無く、6面取り形状
(面取り部の角部が7箇所)や8面取り形状(面取り部
の角部が9箇所)であっても良い。
In this chamfering, the cross-sectional shape of the chamfer becomes smoother as the polygon becomes more polygonal, such as 7 chamfered shapes (8 corners of the chamfered portion) than 5 chamfered shapes, and 9 chamfered shapes than 7 chamfered shapes. It becomes almost arc-shaped. In the chamfering of the notch groove 3 of the wafer 1, it is desirable that the shape be at least five or more. Further, the chamfered shape does not necessarily have to be an odd-numbered chamfer, and may be a six-chamfered shape (seven chamfered corners) or an eight-chamfered shape (9 chamfered corners).

【0090】また、本実施の形態においては、最適な砥
石を用いて鏡面研削条件を得ることができるため、Rm
ax0.1μm程度の面粗度を得ることができる。これ
によってチッピングやクラッキング等の発生がなくな
る。また、大径砥石を用いることが可能なため、鏡面仕
上げに必要とされる軟かい砥石を用いた場合でも、砥石
研削作用面の形状の維持が比較的容易である。
Further, in this embodiment, since the mirror grinding condition can be obtained by using the optimal grinding stone, the Rm
ax A surface roughness of about 0.1 μm can be obtained. This eliminates the occurrence of chipping and cracking. Further, since a large-diameter grindstone can be used, it is relatively easy to maintain the shape of the grindstone grinding surface even when a soft grindstone required for mirror finishing is used.

【0091】上記における相対工具経路は一例を示すも
ので、例えば、面取りC1→C5→C4→C2→C3の
ような順序を採用してもよい。また、切り込みは一回を
示したが複数回に分けて切り込んでもよい。また、各相
対工具経路TP1とTP5、TP2とTP4を同一とし
たが、相対工具経路TP1とTP5、TP2とTP4は
夫々異なっていても良い。
The relative tool path described above is an example, and for example, the order of chamfering C1 → C5 → C4 → C2 → C3 may be adopted. Although the cut is shown once, the cut may be made in a plurality of times. Although the relative tool paths TP1 and TP5 and TP2 and TP4 are the same, the relative tool paths TP1 and TP5, and TP2 and TP4 may be different.

【0092】また、本発明はウェーハ1を、ノッチ溝底
円3bの曲率中心3gを中心に回転させることを特徴と
するものであり、図24に示すようにZ軸方向及びY軸
方向の制御を用いて砥石5を面取り部の断面形状に合わ
せてコンタリングさせることにより面取りを行うノッチ
研削装置にも適用することができる。
Further, the present invention is characterized in that the wafer 1 is rotated about the center of curvature 3g of the notch groove bottom circle 3b, and the control in the Z-axis direction and the Y-axis direction is performed as shown in FIG. It can also be applied to a notch grinding device that performs chamfering by causing the grindstone 5 to contour according to the cross-sectional shape of the chamfered portion.

【0093】本実施の形態においては、ウェーハ1の板
面と砥石5の板面を直角にくい違い交叉するようにした
が、交叉角は直角に限定されるものではない。この交叉
角を直角よりわずかに傾斜をもたせることにより、砥石
5の研削作用面とウェーハ1との接触面が大きくなり研
削効率が上がるとともに、ノッチ溝3に形成される条痕
が傾斜線となるので、ノッチ溝3の溝底部3bからの割
れやクラックの発生等を防止することができる。
In the present embodiment, the plate surface of the wafer 1 and the plate surface of the grindstone 5 intersect at a difficult angle, but the intersection angle is not limited to a right angle. By making the crossing angle slightly inclined than a right angle, the contact surface between the grinding action surface of the grindstone 5 and the wafer 1 is increased, the grinding efficiency is increased, and the streak formed in the notch groove 3 becomes an inclined line. Therefore, it is possible to prevent the notch groove 3 from being cracked or cracked from the groove bottom 3b.

【0094】図21は面取り加工前のウェーハ1の斜視
図、図22は上述の面取り加工後におけるウェーハのノ
ッチ溝の斜視図である。図21においては、ノッチ溝面
3fは板面1aにほぼ垂直であり、略直角の角部を有す
るのに対して、図22に示すウェーハ1においては、ノ
ッチ溝3には面取りが施されており、角部は緩やかな鈍
角を描く。そのため、接触によるウェーハ1の欠けを防
ぐことができ、粉塵の発生を防止することができる。
FIG. 21 is a perspective view of the wafer 1 before the chamfering, and FIG. 22 is a perspective view of the notch groove of the wafer after the chamfering. In FIG. 21, the notch groove surface 3f is substantially perpendicular to the plate surface 1a and has a substantially right-angled corner, whereas in the wafer 1 shown in FIG. 22, the notch groove 3 is chamfered. The corners form a gentle obtuse angle. Therefore, chipping of the wafer 1 due to contact can be prevented, and generation of dust can be prevented.

【0095】なお、本実施の形態においては、スライド
テーブル33がX軸方向及びY軸方向に移動する構成に
しているが、スライドテーブル33の代わりにターンテ
ーブル63が移動する構成にしても良い。また、ターン
テーブル63ではなく、スライドテーブル33がZ軸方
向に昇降する構成にしても良い。すなわち、砥石5とウ
ェーハ1が相互に相対的にX軸方向、Y軸方向、Z軸方
向に移動可能な構成であれば良い。また、本実施の形態
においては、Z軸の方向は、X軸及びY軸によって形成
されるXY平面に垂直であるが、必ずしも垂直である必
要はなく、XY平面に交叉する方向(XY平面と平行で
ない方向)であれば良い。
In the present embodiment, the slide table 33 moves in the X-axis direction and the Y-axis direction. However, the turntable 63 may move instead of the slide table 33. Further, instead of the turntable 63, the slide table 33 may be moved up and down in the Z-axis direction. That is, any configuration is possible as long as the grindstone 5 and the wafer 1 can move relative to each other in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction. Further, in the present embodiment, the direction of the Z axis is perpendicular to the XY plane formed by the X axis and the Y axis, but it is not necessarily required to be perpendicular, and the direction intersecting with the XY plane (the XY plane and the Any direction that is not parallel is acceptable.

【0096】上記のように本発明は、ノッチ溝3の研削
において、最も精度が要求される直線部であるV斜面3
aL,3aRを、X軸送り機構30による送りのみによ
って研削しているため、精度良く一直線に研削すること
ができる。
As described above, according to the present invention, in the grinding of the notch groove 3, the V-slope 3
Since aL and 3aR are ground only by the feed by the X-axis feed mechanism 30, they can be ground accurately and straight.

【0097】また、ノッチ溝3の角度θが異なる複数種
類のウェーハ1を研削する場合には、V斜面3aL,3
aRの角度θに応じて、ターンテーブル63の回転角を
(180−θ)°に制御すれば良く、X軸方向及びY軸
方向の送りを合成してV斜面3aL,3aRを研削する
従来の研削装置に比べて、ウェーハ毎に応じた制御が容
易である。
When grinding a plurality of types of wafers 1 having different angles θ of the notch grooves 3, the V slopes 3aL, 3a
The rotation angle of the turntable 63 may be controlled to (180-θ) ° in accordance with the angle θ of aR, and the feed in the X-axis direction and the Y-axis direction are combined to grind the V slopes 3aL and 3aR. Control according to each wafer is easier than a grinding device.

【0098】次に、本発明の第二の実施の形態につい
て、図7及び図8を用いて説明する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0099】本実施の形態は、上記第一の実施の形態に
おいて、円板状の砥石5を用いる代わりに総形砥石5′
を用いたものであるため、第一の実施の形態と同様であ
る部分については説明を省略する。
This embodiment is different from the first embodiment in that a disk-shaped grinding wheel 5 is used instead of a grinding wheel 5 '.
Therefore, description of the same parts as in the first embodiment will be omitted.

【0100】図7に示すように総形砥石5′は、ノッチ
溝3の凸形状の面取り母線と対応する凹形状の母線5
a′を有する回転砥石であって、ノッチ溝底円3bの曲
率半径R1よりも小さい曲率半径r(直径d)を有す
る。総形砥石5′は、ウェーハ1の板面1aと平行な平
面において、砥石回転軸6′を中心に回転して、ノッチ
溝3の面取りを行う。本実施の形態におけるノッチ研削
装置は、図1及び図2に示すノッチ研削装置11の砥石
台40において、砥石回転軸6′をウェーハ1の板面1
aと直交するようにZ軸方向に配置したものである。
As shown in FIG. 7, the forming grindstone 5 'has a concave bus bar 5 corresponding to the convex chamfer bus bar of the notch groove 3.
This is a rotary grindstone having a ′, and has a radius of curvature r (diameter d) smaller than the radius of curvature R1 of the notch groove bottom circle 3b. The formed grindstone 5 ′ rotates about a grindstone rotating shaft 6 ′ on a plane parallel to the plate surface 1 a of the wafer 1 to chamfer the notch groove 3. The notch grinding device according to the present embodiment is configured such that a grinding wheel rotating shaft 6 ′ is attached to a plate surface 1 of the wafer 1 in a grinding wheel table 40 of the notch grinding device 11 shown in FIGS.
It is arranged in the Z-axis direction so as to be orthogonal to a.

【0101】面取りを行う場合には、第一の実施の形態
と同様にウェーハ1のノッチ溝3のV斜面3aLがX軸
と平行になるように配置し、総形砥石5′をX軸送り機
構30によりV斜面3aLに沿って一直線に送り移動さ
せる。そして、総形砥石5′がノッチ溝底円3bに来た
ら、ウェーハ1をターンテーブル63によってノッチ溝
底円3bの曲率中心3gを中心に回転させ、ノッチ溝底
円3bを研削する。ノッチ溝3のV斜面3aRがX軸と
平行になったらターンテーブル63の回転を止め、その
ままX軸送り機構30の送りによりV斜面3aRを直線
状に研削する。
In the case of chamfering, as in the first embodiment, the V-slope 3aL of the notch groove 3 of the wafer 1 is arranged so as to be parallel to the X-axis, and the grinding wheel 5 'is fed in the X-axis direction. The mechanism 30 feeds and moves in a straight line along the V slope 3aL. Then, when the formed grindstone 5 'comes to the notch groove bottom circle 3b, the wafer 1 is rotated around the center of curvature 3g of the notch groove bottom circle 3b by the turntable 63 to grind the notch groove bottom circle 3b. When the V slope 3aR of the notch groove 3 becomes parallel to the X axis, the rotation of the turntable 63 is stopped, and the V slope 3aR is ground straight by the feed of the X axis feed mechanism 30 as it is.

【0102】図8は、ウェーハ1の回転を止めて見た場
合の総形砥石5′の相対的な工具経路13を示すもので
ある。本実施の形態においては、総形砥石5′を複数平
面上において往復させることなく、一回送るだけで母線
5a′の形状に対応してノッチ溝3の面取りを行うこと
ができる。
FIG. 8 shows the relative tool path 13 of the forming grindstone 5 'when the rotation of the wafer 1 is stopped. In the present embodiment, the notch groove 3 can be chamfered according to the shape of the bus bar 5a 'only by feeding once, without reciprocating the forming grindstone 5' on a plurality of planes.

【0103】以上の通り、本出願に係る発明は、砥石台
40に回転自在に支持された砥石5(5′)と、半導体
ウェーハ1をノッチ溝3のノッチ溝底円3bの曲率中心
を中心に回転可能に保持するターンテーブル63と、半
導体ウェーハ1の板面1aと平行な平面上において、砥
石5(5′)を直線状に移動させるX軸送り機構30を
備えたノッチ研削装置11である。
As described above, according to the invention of the present application, the grindstone 5 (5 ') rotatably supported by the grindstone table 40 and the semiconductor wafer 1 are centered on the center of curvature of the notch groove bottom circle 3b of the notch groove 3. A notch grinding device 11 having a turntable 63 for rotatably holding the wafer and an X-axis feed mechanism 30 for linearly moving the grindstone 5 (5 ') on a plane parallel to the plate surface 1a of the semiconductor wafer 1. is there.

【0104】また、本出願に係る他の発明は、回転して
いる砥石5(5′)を、半導体ウェーハ1の板面1aと
平行な平面上において半導体ウェーハ1のノッチ溝3の
V斜面3aL(または、3aR)に沿って直線状に移動
させ、半導体ウェーハ1をノッチ溝3のノッチ溝底円3
bの曲率中心を中心にして回転させることにより、半導
体ウェーハ1のノッチ溝3の面取りを行う方法である。
In another invention according to the present invention, the rotating grindstone 5 (5 ') is provided on a plane parallel to the plate surface 1a of the semiconductor wafer 1 on the V slope 3aL of the notch groove 3 of the semiconductor wafer 1. (Or 3aR) to move the semiconductor wafer 1 linearly along the notch groove bottom circle 3 of the notch groove 3.
In this method, the notch groove 3 of the semiconductor wafer 1 is chamfered by rotating the center of curvature b around the center of curvature.

【0105】[0105]

【発明の効果】上記のように本発明は、ノッチ溝の研削
において、最も精度が要求される直線部であるV斜面
を、一つの送り機構による送りによって研削しているた
め、精度良く一直線に研削することができる。
As described above, according to the present invention, the V-slope, which is the linear portion requiring the highest precision, is ground by the feed of one feed mechanism in the notch groove grinding. Can be ground.

【0106】また、ノッチ溝のなす角度が異なる複数種
類のウェーハを研削する場合には、V斜面の角度に応じ
て、ターンテーブルの回転角を制御するだけで良く、ウ
ェーハ毎に応じた制御が容易である。
Further, when grinding a plurality of types of wafers having different angles formed by the notch grooves, it is only necessary to control the rotation angle of the turntable in accordance with the angle of the V-slope. Easy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のノッチ研削装置の側面図である。FIG. 1 is a side view of a notch grinding device according to the present invention.

【図2】本発明のノッチ研削装置を上方から見た平面図
である。
FIG. 2 is a plan view of the notch grinding device of the present invention as viewed from above.

【図3】本発明のターンテーブルを上方から見た平面図
である。
FIG. 3 is a plan view of the turntable of the present invention as viewed from above.

【図4】本発明におけるノッチ溝の研削工程を示す平面
図である。
FIG. 4 is a plan view showing a notch groove grinding step according to the present invention.

【図5】本発明におけるノッチ溝の研削工程を示す平面
図である。
FIG. 5 is a plan view showing a step of grinding a notch groove according to the present invention.

【図6】本発明におけるノッチ溝の研削工程を示す平面
図である。
FIG. 6 is a plan view showing a notch groove grinding step according to the present invention.

【図7】本発明の他の実施の形態における総形砥石とウ
ェーハの関係を示す側面図である。
FIG. 7 is a side view showing a relationship between a forming whetstone and a wafer according to another embodiment of the present invention.

【図8】本発明の他の実施の形態における総形砥石の相
対工具経路を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing a relative tool path of a forming wheel according to another embodiment of the present invention.

【図9】面取り加工を行う前のウェーハの平面図であ
る。
FIG. 9 is a plan view of a wafer before chamfering is performed.

【図10】面取り加工を行う前のウェーハのノッチ溝の
形状を示す平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing a shape of a notch groove of a wafer before chamfering is performed.

【図11】ウェーハと砥石の関係を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a relationship between a wafer and a grindstone.

【図12】ウェーハを位置決めピンにより位置決めする
様子を示す平面図である。
FIG. 12 is a plan view showing how a wafer is positioned by positioning pins.

【図13】ウェーハのノッチ溝の面取り形状を示し、ノ
ッチ溝の縁に対して法面で切った断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing a chamfered shape of a notch groove of a wafer, which is cut by a slope with respect to an edge of the notch groove.

【図14】砥石の相対工具経路を示す平面図である。FIG. 14 is a plan view showing a relative tool path of a grindstone.

【図15】工具移動経路の垂直断面図である。FIG. 15 is a vertical sectional view of a tool moving path.

【図16】面取り工程を示す垂直断面図である。FIG. 16 is a vertical sectional view showing a chamfering step.

【図17】面取り工程を示す垂直断面図である。FIG. 17 is a vertical sectional view showing a chamfering step.

【図18】面取り工程を示す垂直断面図である。FIG. 18 is a vertical sectional view showing a chamfering step.

【図19】面取り工程を示す垂直断面図である。FIG. 19 is a vertical sectional view showing a chamfering step.

【図20】面取り工程を示す垂直断面図である。FIG. 20 is a vertical sectional view showing a chamfering step.

【図21】面取り加工を施す前のノッチ溝の斜視図であ
る。
FIG. 21 is a perspective view of a notch groove before chamfering is performed.

【図22】面取り加工を施した後のノッチ溝の斜視図で
ある。
FIG. 22 is a perspective view of a notch groove after chamfering.

【図23】従来のノッチ溝研削装置を示す概念図であ
る。
FIG. 23 is a conceptual diagram showing a conventional notch groove grinding device.

【図24】砥石をコンタリングさせることによりノッチ
溝の面取りを行っている状態を示す縦断面図である。
FIG. 24 is a longitudinal sectional view showing a state in which a notch groove is chamfered by contouring a grindstone.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ウェーハ 1a…板面 2…外周部 3…ノッチ溝 3aL,3aR…V斜面 3b…ノッチ
溝底円 3c…口部 3f…ノッチ溝面 3g…曲率中心 4a,4b…ピン 5…砥石 5a…円弧部 5b…直線部 5c…腹部 5′…総形砥石 5a′…母線 6…砥石回転軸 6′…砥石回転軸 8…CNC制御装置 10…砥石回転駆動用モータ 11…ノッチ研削装置 12…ベッド 13…工具経路 20…Y軸送り機構 21…Y軸スライドレール 22…Y軸ガイド 23…サドル 24…Y軸制御モータ 25…Y軸送りねじ 26…ナット 28…ブラケット 30…X軸送り機構 31…X軸スライドレール 32…X軸ガイド 33…スライドテーブル 34…X軸制御モータ 35…X軸送りねじ 38…ブラケット 40…砥石台 40a…砥石台本体 50…昇降機構 51…Z軸スライドレール 52…Z軸ガイド 53…昇降テーブル 54…Z軸制御モータ 55…Z軸送りねじ 56…ナット 58…ブラケット 63…ターンテーブル 63a…回転軸 64…テーブル回転制御モータ 64a…回転軸 68…チャック 68a…吸引穴 100…ノッチ研削装置 101…ウェーハ 102…ワークホルダ 103…Y軸方向移動装置 104…X軸方向移動装置 105…Z軸方向移動装置 106…ノッチ溝 107…砥石 108…モータ C1〜C5…面取り d…直径 OW…ウェーハの中心 O(O1〜O5)…砥石中心 O1′〜O5′…終端 R1…ノッチ溝底円の曲率半径 R2…円弧部の曲率半径 TP1〜TP5…相対工具経路 TPA…エアカット工具経路部 △Y1,△Y2,△Y3,△Y4…Y方向差 △Z1,△Z2,△Z3,△Z4…Z方向差 θ…ノッチ溝の直線部のなす角。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer 1a ... Plate surface 2 ... Outer peripheral part 3 ... Notch groove 3aL, 3aR ... V slope 3b ... Notch groove bottom circle 3c ... Mouth 3f ... Notch groove surface 3g ... Center of curvature 4a, 4b ... Pin 5 ... Grinding stone 5a ... Arc part 5b ... Linear part 5c ... Abdomen 5 '... Form wheel 5a' ... Busbar 6 ... Wheel rotation axis 6 '... Wheel rotation axis 8 ... CNC control device 10 ... Wheel rotation drive motor 11 ... Notch grinding device 12 ... Bed 13 Tool path 20 Y-axis feed mechanism 21 Y-axis slide rail 22 Y-axis guide 23 Saddle 24 Y-axis control motor 25 Y-axis feed screw 26 Nut 28 Bracket 30 X-axis feed mechanism 31 X-axis slide rail 32 ... X-axis guide 33 ... Slide table 34 ... X-axis control motor 35 ... X-axis feed screw 38 ... Bracket 40 ... Whetstone base 40a ... Whetstone base body 50 ... Elevator Structure 51 ... Z-axis slide rail 52 ... Z-axis guide 53 ... Elevating table 54 ... Z-axis control motor 55 ... Z-axis feed screw 56 ... Nut 58 ... Bracket 63 ... Turn table 63a ... Rotating axis 64 ... Table rotation control motor 64a ... Rotating shaft 68 ... Chuck 68a ... Suction hole 100 ... Notch grinding device 101 ... Wafer 102 ... Work holder 103 ... Y-axis direction moving device 104 ... X-axis direction moving device 105 ... Z-axis direction moving device 106 ... Notch groove 107 ... Whetstone 108 ... Motor C1-C5 ... Chamfer d ... Diameter OW ... Wafer center O (O1-O5) ... Wheel center O1'-O5 '... Terminal R1 ... Round radius of curvature of notch groove bottom circle R2 ... Radius radius of curvature TP1-TP5 … Relative tool path TPA… Air cut tool path section ΔY1, ΔY2, ΔY3, ΔY4… Y direction difference ΔZ , △ Z2, △ Z3, △ Z4 ... angle between the linear portion of the Z-direction difference theta ... notch groove.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 砥石台に回転自在に支持された砥石と、 半導体ウェーハの板面と平行な平面上において、前記砥
石を直線状に移動させる駆動装置を備えた半導体ウェー
ハのノッチ研削装置において、 前記半導体ウェーハを、ノッチ溝底円の曲率中心を中心
に回転可能に保持するワーク支持台を有することを特徴
とする半導体ウェーハのノッチ研削装置。
1. A notch grinding device for a semiconductor wafer, comprising: a grindstone rotatably supported by a grindstone table; and a driving device for linearly moving the grindstone on a plane parallel to a plate surface of the semiconductor wafer. A notch grinding apparatus for a semiconductor wafer, comprising: a work support for rotatably holding the semiconductor wafer around a center of curvature of a notch groove bottom circle.
【請求項2】 回転している砥石を、半導体ウェーハの
板面と平行な平面上において前記半導体ウェーハのノッ
チ溝のV斜面に沿って直線状に移動させ、 前記半導体ウェーハを、ノッチ溝底円の曲率中心を中心
にして回転させることにより、半導体ウェーハのノッチ
溝の面取りを行うノッチ溝の面取り方法。
2. A rotating grindstone is moved linearly along a V slope of a notch groove of the semiconductor wafer on a plane parallel to a plate surface of the semiconductor wafer. The method of chamfering a notch groove of a semiconductor wafer by rotating the semiconductor wafer around a center of curvature of the notch groove.
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