JP2002050573A - Hot plate unit - Google Patents
Hot plate unitInfo
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- JP2002050573A JP2002050573A JP2001159166A JP2001159166A JP2002050573A JP 2002050573 A JP2002050573 A JP 2002050573A JP 2001159166 A JP2001159166 A JP 2001159166A JP 2001159166 A JP2001159166 A JP 2001159166A JP 2002050573 A JP2002050573 A JP 2002050573A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ホットプレートユ
ニットに関するものである。[0001] The present invention relates to a hot plate unit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、例えば感
光性樹脂塗布工程を経たシリコンウェハを加熱乾燥させ
る場合、通常、ホットプレートと呼ばれる加熱装置が用
いられる。2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, for example, when a silicon wafer that has undergone a photosensitive resin coating step is heated and dried, a heating device called a hot plate is usually used.
【０００３】この種の装置の従来例としては、例えば特
公平４−１３８３７号公報に開示されたもの等がある。
同公報における装置は、電熱部材としての窒化アルミニ
ウム焼結体製のホットプレートと、そのプレートに設け
られる抵抗体とからなる。抵抗体はホットプレートを構
成するセラミック基材間に挟持されている。プレートの
側方に突出している抵抗体の両端部は、それぞれ配線を
介して電源に接続される。As a conventional example of this type of apparatus, there is one disclosed in Japanese Patent Publication No. 4-13837.
The device in the publication includes a hot plate made of an aluminum nitride sintered body as an electric heating member, and a resistor provided on the plate. The resistor is sandwiched between ceramic substrates constituting the hot plate. Both ends of the resistor projecting to the side of the plate are connected to a power source via wiring.
【０００４】そして、ホットプレートの上面側に被加熱
物であるシリコンウェハを載置し、この状態で抵抗体に
通電することにより、シリコンウェハが数百℃に加熱さ
れるようになっている。[0004] A silicon wafer to be heated is placed on the upper surface of the hot plate, and a current is applied to the resistor in this state, whereby the silicon wafer is heated to several hundred degrees Celsius.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、抵抗体への
通電により所定時間の加熱を行なって感光性樹脂を乾燥
させた場合、まずホットプレートをある程度低い温度ま
で放冷し、その後でシリコンウェハを取り外す必要があ
る。しかしながら、放冷にはある程度の時間を要し、こ
のことが生産性の向上を図るうえで障害となっている。When the photosensitive resin is dried by heating the resistor for a predetermined period of time by energizing the resistor, first, the hot plate is allowed to cool to a lower temperature, and then the silicon wafer is cooled. Must be removed. However, it takes a certain amount of time to cool down, which is an obstacle to improving the productivity.
【０００６】そこで、例えば前記プレートの下面側に冷
却用配管を設けてその配管に冷却水を通じることによ
り、プレートを強制的に冷却して冷却時間を短縮せんと
する対策が考えられる。しかし、このような対策では、
ユニット全体の構造が複雑になるばかりでなく、嵩張っ
て大型化してしまうおそれがある。Therefore, for example, a countermeasure can be considered in which a cooling pipe is provided on the lower surface side of the plate and cooling water is passed through the pipe to forcibly cool the plate to reduce the cooling time. However, with such measures,
Not only is the structure of the entire unit complicated, but also the unit may be bulky and large.
【０００７】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、構造の複雑化や大型化を伴うこと
なく、短時間で冷却しうるホットプレートユニットを提
供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a hot plate unit that can be cooled in a short time without complicating the structure or increasing the size.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、ケーシングの開口部
に、抵抗体を有するホットプレートを設置してなるホッ
トプレートユニットであって、前記ホットプレートを冷
却する流体と、この流体を流通自在に構成された空間と
を有し、前記空間は、前記ケーシング内方と前記ホット
プレート下方との間に形成されていることを特徴とする
ホットプレートユニットをその要旨とする。According to the first aspect of the present invention, there is provided a hot plate unit comprising a hot plate having a resistor disposed at an opening of a casing. A fluid that cools the hot plate, and a space configured to allow the fluid to flow therethrough, wherein the space is formed between the inside of the casing and the lower portion of the hot plate. The hot plate unit to be used is the gist.
【０００９】請求項２に記載の発明では、ケーシングの
開口部に、抵抗体を有するホットプレートを設置してな
るホットプレートユニットであって、流体を流通可能な
空間が前記ケーシングと前記ホットプレートとにより構
成されていることを特徴とするホットプレートユニット
をその要旨とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a hot plate unit in which a hot plate having a resistor is provided at an opening of a casing, wherein a space through which a fluid can flow is provided between the casing and the hot plate. The gist is a hot plate unit characterized by being constituted by:
【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２において、前記ケーシングには、その内外を連通させ
て前記流体を供給する流体供給ポートが設けられている
とした。According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, the casing is provided with a fluid supply port for supplying the fluid by communicating the inside and the outside thereof.
【００１１】請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３
のいずれか1項において、前記ケーシングには、流体供
給ポートから供給される流体を前記空間から排出させる
排出孔が設けられているとした。[0011] The invention according to claim 4 is the invention according to claims 1 to 3.
In any one of the above, the casing is provided with a discharge hole for discharging a fluid supplied from a fluid supply port from the space.
【００１２】請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４
のいずれか1項において、前記ケーシングには、流体供
給ポートから供給される流体を前記空間から排出させる
流体排出ポートが設けられているとした。[0012] The invention according to claim 5 provides the invention according to claims 1 to 4.
In any one of the above, the casing is provided with a fluid discharge port for discharging a fluid supplied from a fluid supply port from the space.
【００１３】請求項６に記載の発明は、請求項３乃至５
のいずれか1項において、前記流体供給ポートは、前記
ケーシングの側壁部及び／または底部に設けられている
とした。The invention described in claim 6 is the invention according to claims 3 to 5
In any one of the above, the fluid supply port is provided on a side wall and / or a bottom of the casing.
【００１４】請求項７に記載の発明は、請求項４乃至６
のいずれか1項において、前記排出孔または前記流体排
出ポートは、前記ケーシングの側壁部及び／または底部
に設けられているとした。[0014] The invention according to claim 7 is the invention according to claims 4 to 6.
In any one of the above, the discharge hole or the fluid discharge port is provided on a side wall and / or a bottom of the casing.
【００１５】請求項８に記載の発明は、請求項５乃至７
のいずれか１項において、前記流体供給ポート及び前記
流体排出ポートは、前記ケーシングの側壁部及び／また
は底部に設けられているとした。The invention described in claim 8 is the invention according to claims 5 to 7.
In any one of the above, the fluid supply port and the fluid discharge port are provided on a side wall and / or a bottom of the casing.
【００１６】請求項９に記載の発明は、請求項３乃至８
のいずれか１項において、前記ケーシングは、前記流体
供給ポート及び前記流体排出ポートのうちの少なくとも
一方を複数個備えるとした。The invention according to claim 9 is the invention according to claims 3 to 8
In any one of the above, the casing includes a plurality of at least one of the fluid supply port and the fluid discharge port.
【００１７】請求項１０に記載の発明は、請求項４乃至
９のいずれか１項において、前記ケーシングは、前記流
体供給ポート及び前記排出孔のうちの少なくとも一方を
複数個備えるとした。According to a tenth aspect of the present invention, in any one of the fourth to ninth aspects, the casing includes a plurality of at least one of the fluid supply port and the discharge hole.
【００１８】請求項１１に記載の発明は、請求項３乃至
１０のいずれか１項において、前記ホットプレートは板
状基材により構成され、前記流体供給ポートから供給さ
れる流体を、前記板状基材の下面側に接触させつつ流通
させるとした。According to an eleventh aspect of the present invention, in any one of the third to tenth aspects, the hot plate is formed of a plate-shaped base material, and the fluid supplied from the fluid supply port is supplied to the plate-shaped substrate. It was made to flow while making contact with the lower surface side of the substrate.
【００１９】請求項１２に記載の発明は、請求項１乃至
１１のいずれか１項において、前記流体は、空気または
不活性ガスであるとした。請求項１３に記載の発明は、
請求項１乃至１２のいずれか１項において、前記ホット
プレートは、セラミック製であるとした。According to a twelfth aspect of the present invention, in any one of the first to eleventh aspects, the fluid is air or an inert gas. The invention according to claim 13 is:
In any one of claims 1 to 12, the hot plate is made of ceramic.
【００２０】請求項１４に記載の発明は、請求項１乃至
１３のいずれか１項において、前記ホットプレートは、
セラミック製の板状基材の下面側に抵抗体が形成された
ものであるとした。According to a fourteenth aspect of the present invention, the hot plate according to any one of the first to thirteenth aspects, wherein:
It was assumed that a resistor was formed on the lower surface side of a ceramic plate-shaped base material.
【００２１】以下、本発明の「作用」について説明す
る。請求項１〜１４に記載の発明によると、前記空間に
流体を流通することによって、ホットプレートを強制的
に冷却することが可能となり、放冷に比べて短時間で済
むようになる。また、冷却用配管等の設置も不要なた
め、ユニット全体の構造が複雑化したり、嵩張って大型
化してしまう心配もない。Hereinafter, the "action" of the present invention will be described. According to the first to fourteenth aspects of the present invention, it is possible to forcibly cool the hot plate by flowing the fluid through the space, and it is possible to perform the cooling in a shorter time than the cooling. In addition, since there is no need to provide a cooling pipe or the like, there is no fear that the structure of the entire unit becomes complicated or bulky and large.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
形態のホットプレートユニット１を図１，図２に基づき
詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a hot plate unit 1 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
【００２３】図１，図２に示されるホットプレートユニ
ット１は、ケーシング２及びホットプレート３を主要な
構成要素として備えている。ケーシング２は有底状の金
属製部材（ここではアルミニウム製部材）であって、断
面円形状の開口部４をその上部側に備えている。このケ
ーシング２の底部２ａの中心部における３箇所には、図
示しないリフトピンが挿通されるピン挿通スリーブ５が
設けられている。これらのリフトピンは、シリコンウェ
ハＷ１を３点で支持した状態で同シリコンウェハＷ１を
昇降させる。底部２ａの外周部には、ホットプレート３
に電流を供給するリード線６を挿通するためのリード線
引出用孔７が形成されている。The hot plate unit 1 shown in FIGS. 1 and 2 includes a casing 2 and a hot plate 3 as main components. The casing 2 is a metal member having a bottom (in this case, an aluminum member), and has an opening 4 having a circular cross section on an upper side thereof. Pin insertion sleeves 5 through which lift pins (not shown) are inserted are provided at three places at the center of the bottom 2 a of the casing 2. These lift pins raise and lower the silicon wafer W1 while supporting the silicon wafer W1 at three points. A hot plate 3 is provided on the outer periphery of the bottom 2a.
A lead wire drawing hole 7 for inserting a lead wire 6 for supplying a current to the lead wire is formed.
【００２４】本実施形態のホットプレート３は、感光性
樹脂が塗布されたシリコンウェハＷ１を２００〜３００
℃にて乾燥させるための低温用ホットプレート３であ
る。このホットプレート３は、セラミック焼結体からな
る板状基材９に、抵抗体としての配線抵抗１０を設ける
ことにより構成されている。この板状基材９は、後述す
るシールリング１４を介して、ケーシング２の開口部４
に設置される。これを設置することにより、ケーシング
２の内面側とホットプレート３の下面側との間には、略
密閉された空間Ｓ１が形成される。The hot plate 3 of the present embodiment is provided with a silicon wafer W1 coated with a photosensitive resin.
This is a low-temperature hot plate 3 for drying at a temperature of 0 ° C. The hot plate 3 is configured by providing a wiring resistance 10 as a resistor on a plate-shaped base 9 made of a ceramic sintered body. The plate-shaped base material 9 is connected to the opening 4 of the casing 2 via a seal ring 14 described later.
Installed in By installing this, a substantially sealed space S1 is formed between the inner surface side of the casing 2 and the lower surface side of the hot plate 3.
【００２５】ここで、ユニット１の厚さは５ｍｍ〜１０
０ｍｍに設定されていることがよく、特には１０ｍｍ〜
５０ｍｍに設定されていることがよい。その理由は、ユ
ニット１が厚くなりすぎると、全体が嵩張って大型化し
てしまうからである。逆に、ユニット１を薄くしようと
すると、ホットプレート３やケーシング２を薄く形成し
なければならず、製造が困難になるおそれがあるからで
ある。そして、本実施形態では、以上のことに鑑みて厚
さを２０ｍｍに設定している。The unit 1 has a thickness of 5 mm to 10 mm.
It is often set to 0 mm, especially 10 mm ~
It may be set to 50 mm. The reason is that if the unit 1 is too thick, the whole becomes bulky and large. Conversely, if the unit 1 is to be made thinner, the hot plate 3 and the casing 2 must be formed thinner, which may make production difficult. In the present embodiment, the thickness is set to 20 mm in consideration of the above.
【００２６】図１に示されるように、ホットプレート３
を構成する板状基材９は円形状であって、ケーシング２
の外形寸法より若干小径となるように設計されている。
配線抵抗１０は、板状基材９の下面側において同心円状
ないし渦巻き状に形成されている。ホットプレート３の
中心部には、各リフトピンに対応した３箇所にそれぞれ
ピン挿通孔１１が透設されている。As shown in FIG. 1, the hot plate 3
The plate-shaped base material 9 constituting the casing 2 has a circular shape.
It is designed to have a slightly smaller diameter than the external dimensions of.
The wiring resistor 10 is formed concentrically or spirally on the lower surface side of the plate-shaped base material 9. In the center of the hot plate 3, pin insertion holes 11 are provided at three positions corresponding to the respective lift pins.
【００２７】板状基材９を構成するセラミック焼結体と
しては、耐熱性に優れかつ熱伝導率が高いという性質を
有する窒化物セラミック焼結体を選択することがよい。
窒化物セラミックとしては、例えば窒化アルミニウ
ム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等のような金
属窒化物セラミックの焼結体が好ましく、なかでも窒化
アルミニウム焼結体が望ましい。その理由は、上記の焼
結体中で熱伝導率が最も高いからである。なおこれらの
他に、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭
化タンタル、炭化タングステン等のような金属炭化物セ
ラミックの焼結体を選択してもよい。As the ceramic sintered body constituting the plate-like base material 9, it is preferable to select a nitride ceramic sintered body having excellent heat resistance and high thermal conductivity.
As the nitride ceramic, for example, a sintered body of a metal nitride ceramic such as aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, titanium nitride or the like is preferable, and among them, an aluminum nitride sintered body is desirable. The reason is that the thermal conductivity is the highest in the above-mentioned sintered body. In addition to these, a sintered body of a metal carbide ceramic such as silicon carbide, zirconium carbide, titanium carbide, tantalum carbide, tungsten carbide, or the like may be selected.
【００２８】本実施形態の配線抵抗１０は、焼結体であ
る板状基材９に対して導電ペーストを焼き付けることに
より形成されたものである。導電ペーストとしては、金
属粒子、金属酸化物、樹脂、溶剤などを含むものが一般
的に使用される。 導電ペーストに使用される好適な金
属粒子としては、例えば、金、銀、白金、パラジウム、
鉛、タングステン、ニッケル等が挙げられる。これらの
金属は高温に晒されても比較的酸化しにくく、通電によ
り発熱させるにあたって充分大きな抵抗値を示すからで
ある。導電ペーストに使用される好適な金属酸化物とし
ては、例えば、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ
素、アルミナ、イットリア、チタニア等が挙げられる。The wiring resistor 10 of the present embodiment is formed by baking a conductive paste on a plate-like base material 9 which is a sintered body. As the conductive paste, those containing metal particles, metal oxides, resins, solvents and the like are generally used. Suitable metal particles used for the conductive paste, for example, gold, silver, platinum, palladium,
Lead, tungsten, nickel and the like can be mentioned. This is because these metals are relatively unlikely to be oxidized even when exposed to a high temperature, and have a sufficiently large resistance value to generate heat when energized. Suitable metal oxides used for the conductive paste include, for example, lead oxide, zinc oxide, silica, boron oxide, alumina, yttria, titania and the like.
【００２９】図２に示されるように、配線抵抗１０の端
部には、外部接続端子としてのパッド１０ａが形成され
ている。これらのパッド１０ａには、導電性材料からな
る端子ピン１２の基端部がはんだ付けされている。その
結果、各端子ピン１２と配線抵抗１０との電気的な導通
が図られている。一方、各端子ピン１２の先端部には、
リード線６の先端部にあるソケット６ａが嵌着されてい
る。従って、リード線６及び端子ピン１２を介して配線
抵抗１０に電流が供給される結果、配線抵抗１０の温度
が上昇し、ホットプレート３全体が加熱される。As shown in FIG. 2, a pad 10a as an external connection terminal is formed at an end of the wiring resistor 10. The base ends of the terminal pins 12 made of a conductive material are soldered to these pads 10a. As a result, electrical continuity between each terminal pin 12 and the wiring resistor 10 is achieved. On the other hand, at the tip of each terminal pin 12,
A socket 6a at the tip of the lead wire 6 is fitted. Accordingly, a current is supplied to the wiring resistor 10 via the lead wire 6 and the terminal pin 12, and as a result, the temperature of the wiring resistor 10 increases, and the entire hot plate 3 is heated.
【００３０】図２に示されるように、ケーシング２の開
口部４の上縁には、複数のねじ孔１３が等間隔に透設さ
れている。同じく前記開口部４の上縁には、シール構造
としてのシールリング１４が配設されている。同シール
リング１４は、環状をなしかつ開口部４の大きさとほぼ
等しくなっている。シールリング１４の形成用材料とし
ては、例えば樹脂や、ゴム等のような弾性体などが好ま
しい。シールリング１４において各ねじ孔１３に対応す
る箇所には、複数のねじ孔１５が透設されている。シー
ルリング１４の内周面には、ホットプレート３の下面側
外周部を水平に支持するための支持段部１６がその全周
にわたって形成されている。なお、支持段部１６にホッ
トプレート３を支持させたとき、シールリング１４の上
端面の高さとホットプレート３の上面の高さとがほぼ同
一になる。As shown in FIG. 2, a plurality of screw holes 13 are formed in the upper edge of the opening 4 of the casing 2 at regular intervals. Similarly, a seal ring 14 as a seal structure is disposed on the upper edge of the opening 4. The seal ring 14 has an annular shape and is substantially equal to the size of the opening 4. As a material for forming the seal ring 14, for example, an elastic body such as a resin or rubber is preferable. A plurality of screw holes 15 are provided in a position corresponding to each screw hole 13 in the seal ring 14. On the inner peripheral surface of the seal ring 14, a supporting step 16 for horizontally supporting the outer peripheral portion on the lower surface side of the hot plate 3 is formed over the entire periphery thereof. When the hot plate 3 is supported by the supporting step 16, the height of the upper end surface of the seal ring 14 and the height of the upper surface of the hot plate 3 are substantially the same.
【００３１】そして、本実施形態におけるシールリング
１４は、ケーシング２の開口部４の上縁とホットプレー
ト３の下面外周部とがなす隙間をシールすることで、当
該隙間を介したエアの流通を防止する役割を担ってい
る。The seal ring 14 according to the present embodiment seals a gap formed between the upper edge of the opening 4 of the casing 2 and the outer peripheral portion of the lower surface of the hot plate 3 to thereby allow air to flow through the gap. Has a role to prevent.
【００３２】図１，図２に示されるように、シールリン
グ１４の上面には、係止リング２１がねじ２５により固
定されている。この係止リング２１は、環状の本体２２
と、複数のねじ孔２３と、複数の係止片２４とを有す
る。支持段部１６にセットされたホットプレート３は、
各係止片２４によって板厚方向から押圧されることによ
り、シールリング１４に挟持固定される。As shown in FIGS. 1 and 2, on the upper surface of the seal ring 14, a locking ring 21 is fixed by screws 25. The locking ring 21 has an annular main body 22.
And a plurality of screw holes 23 and a plurality of locking pieces 24. The hot plate 3 set on the supporting step 16 is
By being pressed from the plate thickness direction by each locking piece 24, it is clamped and fixed to the seal ring 14.
【００３３】図１に示されるように、ケーシング２の底
部２ａには、流体供給ポート１７及び流体排出ポート１
８がそれぞれボルト等を用いて設置されている。本実施
形態において前記両ポート１７，１８は、互いに離間し
た位置に配設されている。両ポート１７，１８は、内端
面及び外端面の両方において開口する流路を備えてい
る。このため、その流路を介してケーシング２の内外が
連通されている。As shown in FIG. 1, a fluid supply port 17 and a fluid discharge port 1 are provided at the bottom 2a of the casing 2.
8 are respectively installed using bolts or the like. In the present embodiment, the ports 17 and 18 are arranged at positions separated from each other. Both ports 17 and 18 have a flow path that is open on both the inner end face and the outer end face. For this reason, the inside and the outside of the casing 2 are communicated via the flow path.
【００３４】流体供給ポート１７の外端面側の開口部の
内周面には雌ねじ溝が形成されていて、当該開口部には
図示しない流体供給用の配管の一端が着脱可能となって
いる。この配管の他端は気体圧送ポンプに接続されてい
るため、同配管を介して冷却用流体としてのエアが供給
されるようになっている。一方、流体排出ポート１８の
外端面側の開口部の内周面にも雌ねじ溝が形成されてい
て、当該開口部には図示しない流体排出用の配管の一端
が着脱可能となっている。ケーシング２内のエアは、こ
の配管を介して外部に排出される。なお、前記配管の他
端は装置からいくぶん離れた箇所にて開放されている。A female screw groove is formed on the inner peripheral surface of the opening on the outer end face side of the fluid supply port 17, and one end of a fluid supply pipe (not shown) is detachable from the opening. Since the other end of the pipe is connected to a gas pressure pump, air as a cooling fluid is supplied through the pipe. On the other hand, a female screw groove is also formed on the inner peripheral surface of the opening on the outer end face side of the fluid discharge port 18, and one end of a fluid discharge pipe (not shown) is detachable from the opening. The air in the casing 2 is discharged to the outside through this pipe. The other end of the pipe is open at a location slightly away from the apparatus.
【００３５】図２に示されるように、上記のリード線引
出用孔７には、シール構造としてのシールパッキング８
が装着されている。このシールパッキング８は環状をな
しており、ゴム等のような好適な弾性体によって形成さ
れている。各リード線６は、このシールパッキング８の
貫通孔に挿通されたうえでケーシング２の外部に引き出
されている。即ち、本実施形態におけるシールパッキン
グ８は、各リード線６とリード線引出用孔７とがなす隙
間をシールすることで、当該隙間を介したエアの流通を
防止する役割を担っている。As shown in FIG. 2, a seal packing 8 as a seal structure is
Is installed. The seal packing 8 has an annular shape and is formed of a suitable elastic body such as rubber. Each lead wire 6 is inserted into the through hole of the seal packing 8 and then drawn out of the casing 2. That is, the seal packing 8 in the present embodiment has a role of preventing a flow of air through the gap by sealing a gap formed between each lead wire 6 and the lead wire drawing hole 7.
【００３６】さて、次にこのホットプレートユニット１
の使用方法について説明する。感光性樹脂が塗布された
シリコンウェハＷ１をホットプレート３上に載置し、こ
の状態で配線抵抗１０に通電する。すると、加熱された
ホットプレート３との接触によって、シリコンウェハＷ
１の温度が次第に上昇する。所定時間のあいだ加熱を行
なうことにより感光性樹脂が充分に乾燥したら、配線抵
抗１０への通電を止める。Next, the hot plate unit 1
How to use will be described. The silicon wafer W1 coated with the photosensitive resin is placed on the hot plate 3, and the wiring resistor 10 is energized in this state. Then, by contact with the heated hot plate 3, the silicon wafer W
The temperature of 1 gradually increases. When the photosensitive resin is sufficiently dried by heating for a predetermined time, the power supply to the wiring resistor 10 is stopped.
【００３７】ここで、気体圧送ポンプを駆動して流体供
給ポート１７側に冷却用のエアを供給し、同ポート１７
を介してエアを密閉空間Ｓ１内に導入する。流体供給ポ
ート１７を経て吐出されたエアは、密閉空間Ｓ１内にて
ホットプレート３の下面側に接触しながら、流体排出ポ
ート１８のほうに向かって流れる。その際、同エアによ
ってホットプレート３の熱が奪われる。熱を奪って温度
が上昇したエアは、さらに流体排出ポート１８を経て再
び空間の外に流出し、汚染の心配のない別の空間にて放
出される。なお、一連のエアの流れは、図１における太
線矢印により概略的に示されている。そして、ホットプ
レート３がある程度低い温度まで冷やされたら、シリコ
ンウェハＷ１をホットプレート３から取り外す。Here, the gas pressure pump is driven to supply cooling air to the fluid supply port 17 side.
The air is introduced into the closed space S1 through the air. The air discharged through the fluid supply port 17 flows toward the fluid discharge port 18 while contacting the lower surface side of the hot plate 3 in the closed space S1. At this time, the heat of the hot plate 3 is removed by the air. The air whose temperature has risen by removing heat flows out of the space again through the fluid discharge port 18 and is discharged to another space where there is no concern about contamination. It should be noted that a series of air flows are schematically indicated by thick arrows in FIG. Then, when the hot plate 3 is cooled down to a somewhat low temperature, the silicon wafer W1 is removed from the hot plate 3.
【００３８】従って、本実施形態によれば以下のような
効果を得ることができる。 （１）このホットプレートユニット１では、上記のごと
く略密閉された空間Ｓ１がケーシング２とホットプレー
ト３との間に形成されている。ホットプレート３の下面
側には端子ピン１２等の突起物が存在するものの、それ
らはケーシング２とホットプレート３と間に形成された
空間Ｓ１内に配置されている。即ち、前記突起物は装置
の外部に非露出となり、いわば保護された状態となる。
従って、突起物の存在如何に関係なく、ケーシング２の
底面を図示しない支持ステージに対して、困難なく取り
付けることができる。Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained. (1) In the hot plate unit 1, the space S1 which is substantially closed as described above is formed between the casing 2 and the hot plate 3. Although projections such as the terminal pins 12 are present on the lower surface side of the hot plate 3, they are arranged in a space S1 formed between the casing 2 and the hot plate 3. That is, the protrusions are not exposed to the outside of the device, and are in a protected state.
Therefore, the bottom surface of the casing 2 can be attached to the support stage (not shown) without difficulty regardless of the presence of the protrusion.
【００３９】これに対して従来のものにおいては、仮に
プレートの下面側に端子を設けてそこから配線を引き出
そうとした場合、装置下面側に突起物が存在した状態と
なり、支持ステージ上への取り付けが困難になる。On the other hand, in the conventional device, if a terminal is provided on the lower surface of the plate and wiring is to be drawn out therefrom, a projection is present on the lower surface of the apparatus, and the mounting on the support stage is performed. Becomes difficult.
【００４０】（２）また、ケーシング２とホットプレー
ト３との間に形成された空間Ｓ１は、略密閉されている
ことから、エアを流通可能なものとなっている。このた
め、空間Ｓ１内へのエアの流通によってホットプレート
３を強制的に冷却することが可能となり、放冷に比べて
冷却に要する時間が短くて済むようになる。ゆえに、こ
のホットプレートユニット１を用いれば、１回の乾燥処
理に要する時間が確実に短縮され、もって生産性の向上
を図ることができる。(2) The space S1 formed between the casing 2 and the hot plate 3 is substantially sealed, so that air can flow therethrough. For this reason, the hot plate 3 can be forcibly cooled by the flow of the air into the space S1, and the time required for cooling can be reduced as compared with the case of cooling. Therefore, if this hot plate unit 1 is used, the time required for one drying process is reliably reduced, and the productivity can be improved.
【００４１】なお、空間Ｓ１は開放状態ではなく略密閉
状態であることから、装置の外部にエアが漏れ出しにく
く、それによって周囲を汚染する心配もない。即ち、本
実施形態によれば、クリーンなユニット１を実現するこ
とができる。これに対し、ホットプレートの下面側にエ
アを吹き付けることによりプレートを強制的に冷却する
という対策では、エアに含まれる水分や塵埃によって装
置の周囲が汚染されてしまうおそれがある。Since the space S1 is not in an open state but in a substantially closed state, it is difficult for air to leak out of the apparatus, and there is no risk of contaminating the surroundings. That is, according to the present embodiment, a clean unit 1 can be realized. On the other hand, in the countermeasure of forcibly cooling the plate by blowing air to the lower surface side of the hot plate, the surroundings of the apparatus may be contaminated by moisture and dust contained in the air.
【００４２】また、本実施形態の構成によれば、冷却用
配管等の設置も不要なため、ユニット１全体の構造が複
雑化したり、嵩張って大型化してしまう心配もない。 （３）本実施形態では、ケーシング２にその内外を連通
させる流体供給ポート１７と流体排出ポート１８とがそ
れぞれ設けられている。従って、両ポート１７，１８を
介して密閉空間Ｓ１内にエアを効率よく循環することに
より、ホットプレート３を強制冷却し、比較的短時間の
うちに低い温度に戻すことができる。Further, according to the configuration of the present embodiment, since there is no need to provide a cooling pipe or the like, there is no fear that the entire structure of the unit 1 becomes complicated or bulky and large. (3) In the present embodiment, the casing 2 is provided with a fluid supply port 17 and a fluid discharge port 18 that communicate the inside and outside thereof. Therefore, by efficiently circulating air into the closed space S1 through the ports 17 and 18, the hot plate 3 can be forcibly cooled and returned to a low temperature in a relatively short time.
【００４３】（４）このホットプレートユニット１で
は、ケーシング２の開口部４の上縁とホットプレート３
の下面外周部との間にシールリング１４を設け、当該部
分における隙間のシールを図っている。よって、ケーシ
ング２−ホットプレート３間の隙間を介した装置外部へ
のエア漏れが防止され、空間Ｓ１により高い密閉性を確
保できる。このことはエア排出による周囲の汚染防止の
確実化に貢献する。(4) In the hot plate unit 1, the upper edge of the opening 4 of the casing 2 and the hot plate 3
A seal ring 14 is provided between the outer peripheral portion of the lower surface of the seal member and the outer peripheral portion of the seal member to seal a gap in the portion. Therefore, air leakage to the outside of the device through the gap between the casing 2 and the hot plate 3 is prevented, and higher sealing performance can be secured in the space S1. This contributes to ensuring the prevention of environmental contamination by air discharge.
【００４４】（５）また、このホットプレートユニット
１では、さらに底部２ａの配線引出用孔７にシールパッ
キング８を設け、その配線引出用孔７にリード線６を挿
通させている。従って、配線引出用孔７を介した装置外
部へのエア漏れが防止され、空間Ｓ１により高い密閉性
を確保できる。このこともエア排出による周囲の汚染防
止の確実化に貢献する。(5) In the hot plate unit 1, a seal packing 8 is further provided in the wiring lead-out hole 7 in the bottom 2a, and the lead wire 6 is inserted through the wiring lead-out hole 7. Accordingly, air leakage to the outside of the device through the wiring drawing hole 7 is prevented, and higher sealing performance can be secured in the space S1. This also contributes to ensuring prevention of surrounding pollution by air discharge.
【００４５】（６）本実施形態では、ユニット１の厚さ
を１０ｍｍ〜１００ｍｍという好適範囲内に設定してい
るため、製造の困難化及び大型化を回避することができ
る。なお、本発明の実施形態は以下のように変更しても
よい。(6) In the present embodiment, since the thickness of the unit 1 is set within a preferred range of 10 mm to 100 mm, it is possible to avoid difficulties in manufacturing and an increase in size. The embodiment of the present invention may be modified as follows.
【００４６】・ 密閉性がある程度確保されるのであれ
ば、シールリング１４を省略するとともに、ケーシング
２の開口部４の上面に直かに係止リング２１をねじ止め
し、この状態で開口部４にホットプレート３を取り付け
てもよい。即ち、ホットプレート３はケーシング２に対
して直接取り付けられることができる。If the hermeticity is ensured to some extent, the seal ring 14 is omitted, and the locking ring 21 is screwed directly to the upper surface of the opening 4 of the casing 2. The hot plate 3 may be attached to the hot plate. That is, the hot plate 3 can be directly attached to the casing 2.
【００４７】・ 配線引き出し部である配線引出用孔７
を、ケーシング２の底部２ａ以外の場所、例えばケーシ
ング２の側壁部に配設してもよい。同様に、ポート１
７，１８をケーシング２の側壁部に配設してもよい。な
お、配線引出用孔７やポート１７，１８の設置数は、必
要に応じて増減することが勿論可能である。A wiring drawing hole 7 serving as a wiring drawing portion;
May be provided at a place other than the bottom 2 a of the casing 2, for example, on a side wall of the casing 2. Similarly, port 1
7 and 18 may be provided on the side wall of the casing 2. The number of wiring holes 7 and ports 17 and 18 can be increased or decreased as needed.
【００４８】・ ケーシング２に区画された密閉空間Ｓ
１内には、エア（空気）以外の気体、例えば炭酸ガスや
窒素等の不活性ガスを冷却用流体として流通することも
可能である。また、電気的構成に悪影響を与えないもの
であれば、液体を冷却用流体として流通させることも許
容されうる。なお、エアや不活性ガスは、低反応性であ
り抵抗体間ショートの心配がなく、かつ低コスト化にも
有利である。The closed space S partitioned by the casing 2
A gas other than air (air), for example, an inert gas such as carbon dioxide gas or nitrogen gas, can be circulated as a cooling fluid in 1. In addition, as long as it does not adversely affect the electrical configuration, it is acceptable to allow the liquid to flow as a cooling fluid. Air and inert gas have low reactivity, do not cause a risk of short-circuit between resistors, and are also advantageous in reducing costs.
【００４９】・ 上記のホットプレート３を構成する板
状基材９に、必要に応じて熱電対を埋め込んでおいても
よい。熱電対によりホットプレート３の温度を測定し、
そのデータをもとに電圧値や電流値を変えることで、温
度制御をすることができるからである。この場合、熱電
対のリード線も同じくシールパッキング８を介して外部
に引き出しておくことがよい。A thermocouple may be embedded in the plate-like base material 9 constituting the hot plate 3 as needed. Measure the temperature of the hot plate 3 with a thermocouple,
This is because the temperature can be controlled by changing the voltage value or the current value based on the data. In this case, it is preferable that the lead wire of the thermocouple is also drawn out through the seal packing 8.
【００５０】・ 図３に示す別例のホットプレートユニ
ット１のように、ケーシング２から流体排出ポート１８
を省略して、単なる排気用孔３１にしてもよい。即ち、
ユニット１の内部は、必ずしも実施形態のような略密閉
状態の空間になっていなくても（言い換えると開放状態
の空間であっても）よい。この構成によれば、部品点数
が減り、ユニット１の構造が簡略化される。As shown in another example of the hot plate unit 1 shown in FIG.
May be omitted and a simple exhaust hole 31 may be used. That is,
The interior of the unit 1 does not necessarily have to be a substantially closed space as in the embodiment (in other words, it may be an open space). According to this configuration, the number of components is reduced, and the structure of the unit 1 is simplified.
【００５１】・ 図４に示す別例のホットプレートユニ
ット１のように構成してもよい。即ち、ここでは有底状
でないケーシング２Ａを用いている。このような底なし
のケーシング２Ａの内側には、開口としての排気用孔３
１を有する金属製の中底板４１が設けられている。この
別例の中底板４１は、略コ字状の支持金具４２によって
支持された状態で、ねじ４３及びナット４４を用いてケ
ーシング２Ａの被固定部４５の上面に固定されている。
そして、この別例の構造においても、空間が密閉状態で
はなくなっている。エアはケーシング２Ａと中底板４１
との隙間からも外部に抜け出すことが可能となってい
る。前記中底板４１には開口が形成されていてもよい。It may be configured as another example of the hot plate unit 1 shown in FIG. That is, here, the casing 2A having no bottomed shape is used. Inside the bottomless casing 2A, an exhaust hole 3 as an opening is provided.
1 is provided. The intermediate bottom plate 41 of this another example is fixed to the upper surface of the fixed portion 45 of the casing 2A using screws 43 and nuts 44 while being supported by a substantially U-shaped support fitting 42.
In this alternative structure, the space is not closed. The air flows through the casing 2A and the midsole plate 41.
It is possible to get out of the gap from the gap. An opening may be formed in the midsole plate 41.
【００５２】ここで、前記図４の別例のホットプレート
３の製造工程の一例を説明する。 （１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、酸化イットリウム（Ｙ
2Ｏ3：イットリア、平均粒径０．４μｍ）４重量部、ア
クリル系樹脂バインダ（三井化学製ＳＡ−５４５ 酸価
０．５）１２重量部を混合し、成形型に入れて成形体と
した。Here, an example of a manufacturing process of the hot plate 3 of another example of FIG. 4 will be described. (1) 100 parts by weight of aluminum nitride powder (manufactured by Tokuyama Corporation, average particle size 1.1 μm), yttrium oxide (Y
4 parts by weight of 2 O 3 : yttria, average particle diameter 0.4 μm) and 12 parts by weight of an acrylic resin binder (SA-545 manufactured by Mitsui Chemicals, acid value 0.5) were mixed and put into a molding die to obtain a molded article. .
【００５３】（２）成形体を窒素雰囲気中で３５０℃、
４時間加熱してアクリル系樹脂バインダを熱分解させ
た。 （３）成形体を、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ2
の条件で３時間ホットプレスして窒化アルミニウム焼結
体を得た。(2) The molded body is heated at 350 ° C. in a nitrogen atmosphere.
By heating for 4 hours, the acrylic resin binder was thermally decomposed. (3) The molded body was heated at 1890 ° C. and a pressure of 150 kg / cm 2.
Was hot pressed for 3 hours to obtain an aluminum nitride sintered body.
【００５４】（４）上記（３）で得た焼結体の底面に、
スクリーン印刷にて導電ペーストを印刷した。印刷パタ
ーンは、同心円状のパターンとした。導電ペーストとし
ては、プリント配線板のスルーホール形成に使用されて
いる徳力化学研究製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用し
た。この導体ペーストは、銀・鉛ペーストであり、銀１
００重量部に対して、酸化鉛（５重量％）、酸化亜鉛
（５５重量％）、シリカ（１０重量％）、酸化ホウ素
（２５重量％）、およびアルミナ（５重量％）からなる
金属酸化物を７．５重量部含むものであった。(4) On the bottom surface of the sintered body obtained in the above (3),
The conductive paste was printed by screen printing. The printing pattern was a concentric pattern. As the conductive paste, Solvest PS603D manufactured by Tokuri Kagaku Kenkyusho, which is used for forming through holes in a printed wiring board, was used. This conductor paste is a silver / lead paste,
Metal oxide composed of lead oxide (5% by weight), zinc oxide (55% by weight), silica (10% by weight), boron oxide (25% by weight) and alumina (5% by weight) with respect to 00 parts by weight Was contained in an amount of 7.5 parts by weight.
【００５５】（５）次に、導電ペーストを印刷した焼結
体を７８０℃で加熱、焼成して、導電ペースト中の銀、
鉛を焼結させるとともに、焼結体に焼き付け、発熱体を
形成した。銀・鉛の発熱体は、厚さが５μｍ、幅が２．
４ｍｍ、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□であった。(5) Next, the sintered body on which the conductive paste is printed is heated and fired at 780 ° C. to obtain silver in the conductive paste,
The lead was sintered and baked on the sintered body to form a heating element. The silver / lead heating element has a thickness of 5 μm and a width of 2.
4 mm, and the sheet resistivity was 7.7 mΩ / □.
【００５６】（６）硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン
酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、
ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌを含む水溶
液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記（４）で作成
した焼結体を浸漬し、錫・鉛の（９／１）発熱体の表面
に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）を析出させ
て、配線抵抗１０とした。(6) Nickel sulfate 80 g / l, sodium hypophosphite 24 g / l, sodium acetate 12 g / l,
The sintered body prepared in (4) above is immersed in an electroless nickel plating bath composed of an aqueous solution containing 8 g / l of boric acid and 6 g / l of ammonium chloride, and the thickness is set on the surface of the tin / lead (9/1) heating element. A metal coating layer (nickel layer) having a thickness of 1 μm was deposited to obtain a wiring resistance of 10.
【００５７】（７）電源との接続を確保するための端子
を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀・鉛半
田ペースト（田中貴金属製）を印刷して半田層を形成し
た。次いで、半田層の上にコバール製の端子ピン１２を
載置して、３００℃で加熱リフローし、端子ピン１２を
発熱体接続パッド１０ａの表面に取り付けた。(7) A silver / lead solder paste (manufactured by Tanaka Kikinzoku) was printed by screen printing on a portion where a terminal for securing connection to a power supply was to be formed, thereby forming a solder layer. Next, terminal pins 12 made of Kovar were placed on the solder layer, and heated and reflowed at 300 ° C. to attach the terminal pins 12 to the surface of the heating element connection pad 10a.
【００５８】（８）温度制御のための熱電対を有底穴に
挿入し、ポリイミド樹脂を充填し、１９０℃で２時間硬
化させ、ホットプレート３を得た。このホットプレート
３を図３のユニットに組み込んだ。シールリング１４は
フッ素樹脂を使用した。このユニット１について１４０
℃まで上昇した後、供給ポートから空気を流し込んで９
０℃までの冷却時間を測定したところ、３分であった。
更に、比較例として、内部に空気の流路を設けたアルミ
ニウム板に（１）〜（８）で製造したホットプレート３
を接触させて、９０℃までの冷却を実施したところ、８
分かかった。(8) A thermocouple for temperature control was inserted into the bottomed hole, filled with a polyimide resin, and cured at 190 ° C. for 2 hours to obtain a hot plate 3. This hot plate 3 was incorporated in the unit of FIG. The seal ring 14 used a fluorine resin. 140 for this unit 1
After the temperature rises to 9 ° C, air is supplied from the supply port to 9
It was 3 minutes when the cooling time to 0 degreeC was measured.
Further, as a comparative example, a hot plate 3 manufactured in (1) to (8) was formed on an aluminum plate having an air passage therein.
And cooled to 90 ° C.,
It took a minute.
【００５９】[0059]
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜１４に
記載の発明によれば、構造の複雑化や大型化を伴うこと
なく、短時間で冷却しうるホットプレートユニットを提
供することができる。As described in detail above, according to the first to fourteenth aspects of the present invention, there is provided a hot plate unit which can be cooled in a short time without complicating the structure or increasing the size. Can be.
【図１】実施形態のホットプレートユニットを示す概略
断面図。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a hot plate unit according to an embodiment.
【図２】同じくその部分拡大断面図。FIG. 2 is a partially enlarged sectional view of the same.
【図３】別例のホットプレートユニットを示す概略断面
図。FIG. 3 is a schematic sectional view showing another example of a hot plate unit.
【図４】別例のホットプレートユニットを示す概略断面
図。FIG. 4 is a schematic sectional view showing another example of a hot plate unit.
１…ホットプレートユニット、２，２Ａ…ケーシング、
３…ホットプレート、４…開口部、７…配線引き出し部
としての配線引出用孔、１７…流体供給ポート、１８…
流体排出ポート、３１…排出孔としての排気用孔、４１
…中底板、Ｓ１…空間。1. Hot plate unit, 2, 2A ... Casing,
Reference numeral 3 denotes a hot plate, 4 denotes an opening, 7 denotes a wiring lead-out hole as a wiring lead-out portion, 17 denotes a fluid supply port, 18 denotes a fluid supply port.
Fluid discharge port, 31 ... Exhaust hole as discharge hole, 41
... middle bottom plate, S1 ... space.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 譲 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１の１ イビデ ン 株式会社大垣北工場内 Ｆターム(参考） 3K034 AA02 AA03 AA08 AA10 AA21 AA34 AA37 BA02 BB06 BB14 BC02 BC12 CA02 CA03 DA04 EA07 JA10 5F046 KA04 KA10 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Yuzuru Saito 1- 1 north of Ibigawa-cho, Ibi-gun, Gifu Prefecture Ibiden F-term in Ogakikita Plant (reference) 3K034 AA02 AA03 AA08 AA10 AA21 AA34 AA37 BA02 BB06 BB14 BC02 BC12 CA02 CA03 DA04 EA07 JA10 5F046 KA04 KA10
Claims (14)
ットプレートを設置してなるホットプレートユニットで
あって、 前記ホットプレートを冷却する流体と、この流体を流通
自在に構成された空間とを有し、前記空間は、前記ケー
シング内方と前記ホットプレート下方との間に形成され
ていることを特徴とするホットプレートユニット。1. A hot plate unit in which a hot plate having a resistor is installed in an opening of a casing, wherein a fluid for cooling the hot plate and a space configured to allow the fluid to flow therethrough are provided. A hot plate unit, wherein the space is formed between the inside of the casing and the lower portion of the hot plate.
ットプレートを設置してなるホットプレートユニットで
あって、 流体を流通可能な空間が前記ケーシングと前記ホットプ
レートとにより構成されていることを特徴とするホット
プレートユニット。2. A hot plate unit comprising a hot plate having a resistor disposed in an opening of a casing, wherein a space through which a fluid can flow is constituted by the casing and the hot plate. A hot plate unit that features.
て前記流体を供給する流体供給ポートが設けられている
ことを特徴とする請求項１または２に記載のホットプレ
ートユニット。3. The hot plate unit according to claim 1, wherein the casing is provided with a fluid supply port for supplying the fluid by communicating the inside and the outside thereof.
供給される流体を前記空間から排出させる排出孔が設け
られていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
1項に記載のホットプレートユニット。4. The casing according to claim 1, wherein a discharge hole for discharging a fluid supplied from a fluid supply port from the space is provided in the casing.
The hot plate unit according to item 1.
供給される流体を前記空間から排出させる流体排出ポー
トが設けられていることを特徴とする請求項１乃至４の
いずれか１項に記載のホットプレートユニット。5. The casing according to claim 1, wherein the casing is provided with a fluid discharge port for discharging a fluid supplied from a fluid supply port from the space. Hot plate unit.
側壁部及び／または底部に設けられていることを特徴と
する請求項３乃至５のいずれか１項に記載のホットプレ
ートユニット。6. The hot plate unit according to claim 3, wherein the fluid supply port is provided on a side wall and / or a bottom of the casing.
前記ケーシングの側壁部及び／または底部に設けられて
いることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか1項に
記載のホットプレートユニット。7. The discharge port or the fluid discharge port,
The hot plate unit according to any one of claims 4 to 6, wherein the hot plate unit is provided on a side wall and / or a bottom of the casing.
トは、前記ケーシングの側壁部及び／または底部に設け
られていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか
1項に記載のホットプレートユニット。8. The fluid supply port and the fluid discharge port are provided at a side wall and / or a bottom of the casing.
The hot plate unit according to item 1.
び前記流体排出ポートのうちの少なくとも一方を複数個
備えることを特徴とする請求項３乃至８のいずれか１項
に記載のホットプレートユニット。9. The hot plate unit according to claim 3, wherein the casing includes a plurality of at least one of the fluid supply port and the fluid discharge port.
及び前記排出孔のうちの少なくとも一方を複数個備える
ことを特徴とする請求項４乃至９のいずれか１項に記載
のホットプレートユニット。10. The hot plate unit according to claim 4, wherein the casing includes a plurality of at least one of the fluid supply port and the discharge hole.
成され、前記流体供給ポートから供給される流体を、前
記板状基材の下面側に接触させつつ流通させることを特
徴とする請求項３乃至１０のいずれか１項に記載のホッ
トプレートユニット。11. The hot plate is made of a plate-shaped substrate, and allows the fluid supplied from the fluid supply port to flow while making contact with the lower surface of the plate-shaped substrate. 11. The hot plate unit according to any one of claims 10 to 10.
ることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に
記載のホットプレートユニット。12. The hot plate unit according to claim 1, wherein the fluid is air or an inert gas.
あることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項
に記載のホットプレートユニット。13. The hot plate unit according to claim 1, wherein said hot plate is made of ceramic.
板状基材の下面側に抵抗体が形成されたものであること
を特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の
ホットプレートユニット。14. The hot plate according to claim 1, wherein the hot plate is formed by forming a resistor on a lower surface side of a ceramic plate-like base material. unit.
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