JP2002043682A

JP2002043682A - パルス列発生装置

Info

Publication number: JP2002043682A
Application number: JP2000225634A
Authority: JP
Inventors: Masahito Morimoto; 政仁森本
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2000-07-26
Filing date: 2000-07-26
Publication date: 2002-02-08

Abstract

(57)【要約】【課題】高周波数の繰り返しパルス列を発生でき、装
置の調整等が容易でパルスの分散補償可能でかつ波長可
変な小型のパルス列発生装置を提供する。【解決手段】基板３上に、互いに間隔を介して第１の
反射体２ａ、半導体光増幅器１、第２の反射体２ｂを順
に配置し、第１の反射体２ａの光反射率を略１００％と
し、第２の反射体２ｂはその光反射率を１００％未満と
して一部の光を透過する膜とする。半導体光増幅器１か
ら第１の反射体２ａ側と第２の反射体２ｂ側に向けて光
を放出する。第２の反射体２ｂと半導体光増幅器１との
間に、半導体光増幅器１からの放出光の光路上に過飽和
吸収媒体４を設け、前記放出光を第１の反射体２ａと第
２の反射体２ｂとの間で反射させて半導体光増幅器１と
過飽和吸収媒体４を通して往復させることにより光パル
ス列を発生させ、該光パルス列を第２の反射体２ｂの光
透過側に設けた光出力部から出力する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信に用いられ
るパルス列発生装置に関するものであり、特に、高速時
分割多重伝送の同期用光源として用いられるパルス列発
生装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光パルス列の発生は、半導体レー
ザの直接変調を適用した装置によって行なわれている。
具体的には、電気信号により１０ＧＨｚ程度のパルス列
を発生できる装置が提案され、現在実用化されている。

【０００３】また、半導体レーザ、半導体多重量子井戸
過飽和吸収体をモノリシックに集積し、受動モードロッ
クにより数百ＧＨｚの光パルス列を発生する技術が研究
されている。この技術を適用したレーザはＭＬＬＤ（モ
ード同期レーザダイオード）と呼ばれ、例えば、応用物
理第６７巻第９号（１９９８）荒平慎総合報告「集
積化モード同期半導体レーザの現状」ｐ１０１３−１０
２２に報告されている。

【０００４】さらに、光ファイバの非線形効果を利用す
ると、超高速繰り返しパルス列（繰り返し光パルス列）
を発生できる可能性が示唆されており、実験室レベルで
原理確認が行なわれている。光ファイバの非線形効果を
利用したパルス列発生装置として、例えば特開平６―１
２５１２４号には、変調不安定効果を用いた１００ＧＨ
ｚ程度の高速繰り返しパルス列発生装置が提案されてい
るが、実用化はされていない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記半
導体レーザの直接変調を適用する装置は、現状では１０
ＧＨｚの繰り返しパルス列の発生が限界であり、これ以
上の繰り返し周波数を上げるには、半導体レーザの外部
に変調器を設ける、または、上記ＭＬＬＤを用いる必要
がある。しかし、ＭＬＬＤでは、その繰り返しパルス列
の周期を変えることは容易でなく、さらに、光パルスの
スペクトルの素子分散による広がり（これをパルスのチ
ャープと呼ぶ）を抑えることができない。

【０００６】このため、発生される光パルスは理想的な
フーリエ変換限界パルス（ＴＬパルス）にはならず、擬
似的なＴＬパルスとなり、パルス幅が理想の幅よりも大
きくなり、スペクトル領域を有効に利用できないといっ
た問題点があった。

【０００７】一方、光ファイバの非線形効果を利用した
パルス列発生装置は、上記の如く、実験室レベルでは１
００ＧＨｚ程度の高速繰り返しパルス列の発生が可能で
あるが、光ファイバのパラメータ（特に分散値、モード
フィールド径）を厳しく調整する必要があり、この調整
が容易でないといった問題があった。

【０００８】また、光ファイバの非線形効果を利用する
ためには、光ファイバにエルビウム等の増幅媒質をドー
プした光増幅用光ファイバが数ｍ必要であり、また、前
記増幅媒質を励起するための半導体レーザ、光アイソレ
ータ、光カプラ、半導体レーザから出射されるレーザ光
の変調を与えるための光源等が必要であり、装置構成が
複雑になり、装置の大型化を招くといった問題もあっ
た。

【０００９】さらに、光ファイバの非線形効果を利用す
るパルス列発生装置においては、変調を与えるための光
源の波長と、前記変調不安定効果を発生する光の波長を
変化させないことが必要であり、例えば上記光源の波長
が少しでも狂うと、繰り返し周波数が数十ＧＨｚの範囲
で変動することになるため、実用化が難しかった。

【００１０】本発明は上記課題を解決するために成され
たものであり、その目的は、高周波数の繰り返しパルス
列を発生でき、装置の調整等が容易で、かつ、パルス列
繰り返し周波数可変で、しかも、パルスのチャープを補
償可能な小型のパルス列発生装置を提供することにあ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は次のような構成をもって課題を解決するた
めの手段としている。すなわち、第１の発明は、基板上
に半導体光増幅器を設け、該半導体光増幅器を両側から
間隔を介して挟む態様でその一方側に第１の反射体を配
置し、他方側に第２の反射体を配置し、前記第１の反射
体はその光反射率が略１００％の反射膜により形成し、
前記第２の反射体はその光反射率を１００％未満として
一部の光を透過する一部光透過膜により形成し、前記半
導体光増幅器から前記第１の反射体側と第２の反射体側
に向けて光を放出する構成とし、前記第１の反射体と前
記半導体光増幅器との間または前記第２の反射体と前記
半導体光増幅器との間には該半導体光増幅器からの放出
光の光路上に過飽和吸収媒体を設け、前記放出光を第１
の反射体と第２の反射体との間で反射させて前記半導体
光増幅器と前記過飽和吸収媒体を通して往復させること
により光パルス列を発生させ、該光パルス列を前記第２
の反射体の光透過側に設けた光出力部から出力する構成
をもって課題を解決する手段としている。

【００１２】また、第２の発明は、上記第１の発明の構
成に加え、第１の反射体を反射膜の代わりに位相共役鏡
により形成した構成をもって課題を解決する手段として
いる。

【００１３】さらに、第３の発明は、基板上に配置され
る第１から第Ｎ（Ｎは３以上の整数）までのＮ個の反射
体を有し、第１の反射体の光反射側に第２の反射体を配
置し、該第２の反射体の光反射側に第３の反射体を配置
していき、第Ｎの反射体の光反射側に前記第１の反射体
を配置して前記Ｎ個の反射体により反射光の周回路を形
成し、前記Ｎ個の反射体のうち１つの反射体はその光反
射率を１００％未満として一部の光を透過する一部光透
過膜により形成し、残りの反射体はその光反射率が略１
００％の反射膜により形成し、前記第１の反射体と第２
の反射体の間にこれらの反射体と間隔を介して半導体光
増幅器を設け、前記反射光の周回路上に過飽和吸収媒体
を設け、前記半導体光増幅器から前記第１の反射体側と
第２の反射体側に向けて光を放出し、これらの放出光を
前記第１から第Ｎの反射体の間で反射させて前記半導体
光増幅器と前記過飽和吸収媒体を通して周回させること
により光パルス列を発生させ、該光パルス列を前記一部
光透過膜の光透過側に設けた光出力部から出力する構成
をもって課題を解決する手段としている。

【００１４】さらに、第４の発明は、上記第３の発明の
構成に加え、前記第Ｎの反射体は第４の反射体とした構
成をもって課題を解決する手段としている。

【００１５】さらに、第５の発明は、上記第１乃至第４
のいずれか一つの発明の構成に加え、前記一部光透過膜
の光反射率を９０％以上とした構成をもって課題を解決
する手段としている。

【００１６】さらに、第６の発明は、上記第１乃至第５
のいずれか一つの発明の構成に加え、前記２つの反射体
の間で反射する反射光の光路長を可変する反射光路長可
変手段を設けた構成をもって課題を解決する手段として
いる。

【００１７】さらに、第７の発明は、上記第６の発明の
構成に加え、前記反射光路長可変手段は少なくとも１つ
の反射体を静電力と電磁力の少なくとも一方の力で移動
させる反射体移動手段を有する構成をもって課題を解決
する手段としている。

【００１８】さらに、第８の発明は、上記第７の発明の
構成に加え、前記反射体移動手段による反射体の移動量
を５００μｍ以下とした構成をもって課題を解決する手
段としている。

【００１９】さらに、第９の発明は、上記第６又は第７
又は第８の発明の構成に加え、前記反射光路長可変手段
は２つの反射体の間で反射する反射光の光路長を０．５
ｍｍ〜２ｍｍの範囲内で可変する構成とした構成をもっ
て課題を解決する手段としている。

【００２０】さらに、第１０の発明は、上記第１乃至第
９のいずれか一つの発明の構成に加え、前記過飽和吸収
媒体は半導体多層膜とした構成をもって課題を解決する
手段としている。

【００２１】さらに、第１１の発明は、上記第１乃至第
１０のいずれか一つの発明の構成に加え、前記反射体で
反射する反射光の光路上に回折格子対を設けた構成をも
って課題を解決する手段としている。

【００２２】さらに、第１２の発明は、上記第１乃至第
１１のいずれか一つの発明の構成に加え、前記光出力部
には光出力用光ファイバと、一部光透過膜を透過した光
を前記光出力用光ファイバの接続端面に集光する集光レ
ンズとを設けた構成をもって課題を解決する手段として
いる。

【００２３】さらに、第１３の発明は、上記第１２の構
成に加え、前記一部光透過膜と集光レンズとの間の光路
上に光アイソレータと光フィルタの少なくとも一方を設
けた構成をもって課題を解決する手段としている。

【００２４】半導体光増幅器の動作原理は周知の半導体
レーザと同じであるが、半導体光増幅器は、その端面を
劈開していないため共振器構造にはならず、レーザ発振
を行なわない。そのため、半導体光増幅器に電流を注入
すると同時に、微弱な放出光が放出される。

【００２５】上記構成の本発明において、半導体光増幅
器の放出光は第１の反射体側と第２の反射体側に向かっ
て進行し、それぞれの反射体で反射される。この反射光
は再び半導体光増幅器に入射され、再入射した光は、半
導体光増幅器の誘導放出により増幅される。

【００２６】そして、第１、第２の発明において、前記
放出光が第１の反射体と第２の反射体との間で反射し、
前記半導体光増幅器を通して往復することにより、光パ
ワーが増加していく。なお、この過程は一般の半導体レ
ーザと同じ原理である。また、第３の発明においては、
前記放出光を第１から第Ｎの反射体の間で反射させて前
記半導体光増幅器を通して周回させることにより、第
１、第２の発明と同様に、光パワーが増加していく。

【００２７】さらに、第１、第２の発明は、前記第１の
反射体と前記半導体光増幅器との間または前記第２の反
射体と前記半導体光増幅器との間には半導体光増幅器か
らの放出光の光路上に過飽和吸収媒体を設けているの
で、前記放出光を第１の反射体と第２の反射体との間で
反射させて前記半導体光増幅器と前記過飽和吸収媒体を
通して往復させることにより、次のような作用（パルス
発生作用）によって光をパルス化し、光パルス列を発生
させることが可能となる。

【００２８】すなわち、過飽和吸収媒体は、該過飽和吸
収媒体に入射する光のパワーによって吸収パワーが大き
く変化するため、過飽和吸収媒体に入射する光パワーが
小さい間は、光は過飽和吸収媒体に殆ど吸収されてしま
うが、過飽和吸収媒体に入射する光パワーが大きくなる
に従い、過飽和吸収媒体による光の吸収が小さくなり、
過飽和吸収媒体に入射する光パワーが十分に大きくなる
と、光は殆ど透過することになる。

【００２９】そのため、例えば前記第２の反射体と前記
半導体光増幅器との間に過飽和吸収媒体を設けた場合、
最初に第２の反射体に向けて進行した光は過飽和吸収媒
体によって殆ど吸収され、第２の反射体で反射して、さ
らに過飽和吸収媒体を通過すると、その光強度はさらに
小さくなる。

【００３０】一方、最初に第１の反射体に向けて進行し
た光は第１の反射体で反射して、再度半導体光増幅器を
通過するため、光パワーが増幅される。この増幅された
光が過飽和吸収媒体を通過すると、過飽和吸収媒体によ
って吸収を受けるが、前記増幅された光は、そのパワー
がある程度大きくなっているため、吸収されるパワーが
小さい。そして、過飽和吸収媒体に吸収されずに透過し
た光は、第２の反射体で反射し、さらに過飽和吸収媒体
で吸収されるが、このとき吸収されるパワーは、最初に
第２の反射体に向けて進行した光の吸収パワーよりも小
さい。

【００３１】これを繰り返すと、第１の反射体と第２の
反射体との間で、第１の反射体側に向けて進行する光パ
ワーと第２の反射体側に向けて進行する光パワーにアン
バランスが生じ、光は、最終的には振幅変調されたよう
な光パワー分布を第１の反射体と第２の反射体との間で
持ちながら、第１の反射体と第２の反射体との間を往復
することになる。

【００３２】なお、上記パワー分布を形成する際に、半
導体光増幅器に注入する電流を振幅変調すると、上記パ
ワー分布の形成がより一層効率的になる。すなわち、過
飽和吸収媒体に第１の反射体側から入射する光と第２の
反射体側から入射する光が過飽和吸収媒体で重なったと
き、パワーの大きい部分同士が重なる場合が過飽和吸収
媒体を最も透過しやすくなり、パワーの小さい部分は吸
収が大きくなるため、パワーの振幅変調はさらに大きく
なり、この過程を繰り返すと、ついにはピークパワーの
大きな半値幅の小さいパルス列が第１の反射体と第２の
反射体との間で形成されることになる。

【００３３】上記のように、第１、第２の発明において
は、過飽和吸収媒体に第１の反射体側から入射する光と
第２の反射体側から入射する光のパルスの衝突と、過飽
和吸収媒体の吸収パワー依存性により短パルスが形成さ
れる。なお、このようなパルス衝突と過飽和吸収媒体の
吸収パワー依存性によるパルス形成現象は、ＣＰＭ（Ｃ
ｏｌｌｉｄｉｎｇＰｕｌｓｅＭｏｄｅ−Ｌｏｃｋｉ
ｎｇ；衝突パルスモード同期）と呼ぶことができる。

【００３４】ここで、半値幅が小さいパルスは、フーリ
エ変換により周波数領域で見ると、その周波数帯域が広
いことに相当するが、本発明で用いる半導体光増幅器の
増幅帯域はブロードに設計し、約３０ｎｍ程度であるた
め、本発明において、この半導体光増幅器からの放出光
を利用して上記のようにして形成される光パルス列は、
十分に周波数帯域が大きく、時間幅の小さい短パルスと
なる。この光パルスはフーリエ変換限界パルス（トラン
スフォームリミットパルス）であり、この短パルスのパ
ルス列が光出力部から出力される。

【００３５】また、第３の発明においては、前記第１か
ら第Ｎ個の反射体により形成される反射光の周回路上に
過飽和吸収媒体を設けて、前記半導体光増幅器からの放
出光を、第１から第Ｎの反射体の間で反射させて前記半
導体光増幅器と前記過飽和吸収媒体を通して周回させる
と、前記周回路を右回りに進行する光と左回りに進行す
る光との間で、上記第１の発明と同様に光パワーにアン
バランスが生じる。そのため、この光は、最終的には振
幅変調されたような光パワー分布を持ちながら、前記周
回路を周回することになり、第１、第２の発明と同様の
作用により、十分に周波数帯域が大きく、時間幅の小さ
い短パルスが発生し、光出力部から出力される。

【００３６】また、第２の発明においては、第１の反射
体として、反射膜の代わりに位相共役鏡を用いているの
で、光が第１の反射体と第２の反射体との間で反射して
形成されるパルス（光パルス）のチャープを補償するこ
とができる。

【００３７】これは、以下に述べる位相共役原理により
行われるものである。すなわち、位相共役鏡で反射され
る光パルスは、反射される前の光パルスと位相共役の関
係になっているため、光パルスは、反射される前に光パ
ルスが受けたチャープと同じ大きさで逆向きのチャープ
を反射後に反射光の光路上で受けることになり、その結
果、光パルスのチャープが相殺されて０となる。

【００３８】なお、上記位相共役原理は、実際にレーザ
に応用されており、レーザ出力波面が共振器内で乱され
ても位相共役原理により回復される実験結果が報告され
ている（M.Cronin-Golomb,B.Fischer,J.Nilsen,J.O.Whi
te and A.Yariv "Laser withdynamic holographic intr
acavity distortion correction capability",ApplPhy
s. Lett. 41(3),1 August 1982 pp219-220参照）。

【００３９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１には、本発明に係るパルス列
発生装置の第１実施形態例の要部構成が斜視図により示
されている。

【００４０】同図に示すように、本実施形態例のパルス
列発生装置は、基板３上に半導体光増幅器（ＳＯＡ；Ｓ
ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＯｐｔｉｃａｌＡｍｐｌ
ｉｆｉｅｒ）１を設けており、半導体光増幅器１はバル
ク型の半導体により形成されている。基板３はシリコン
により形成されており、その大きさは、図のＺ方向の長
さが５ｍｍ、Ｘ方向の長さが５ｍｍ、Ｙ方向の長さが２
ｍｍである。

【００４１】基板３上には、前記半導体光増幅器１を両
側から間隔を介して挟む態様でその一方側に第１の反射
体２（２ａ）を配置し、他方側に第２の反射体２（２
ｂ）を配置している。記第１の反射体２ａは光反射率を
略１００％とした反射膜により形成されている。前記第
２の反射体２ｂはその光反射率を１００％未満（ここで
は略９５％）として、一部（ここでは略５％）の光を透
過する一部光透過膜により形成されている。

【００４２】前記半導体光増幅器１は、電流注入によっ
て、設定波長（ここでは波長１．５５μｍ帯）の光を放
出軸方向（図のＺ方向）に放出する機能を有しており、
前記第１の反射体２ａ側と第２の反射体２ｂ側に向けて
光を放出する。第２の反射体２ｂと半導体光増幅器１と
の間には該半導体光増幅器１からの放出光の光路上に過
飽和吸収媒体４が設けられており、この過飽和吸収媒体
４は半導体多層膜により形成されている。この過飽和吸
収媒体４は、量子井戸によるエネルギーサブバンドのキ
ャリア密度の過飽和特性を持ち、前記設定波長帯（本実
施形態例では１．５５μｍ帯）で過飽和吸収特性を有す
る。

【００４３】本実施形態例のパルス列発生装置は、前記
半導体光増幅器１からの放出光を第１の反射体２ａと第
２の反射体２ｂとの間で反射させて、半導体光増幅器１
と前記過飽和吸収媒体４を通して往復させることにより
光パルス列を発生させ、該光パルス列を前記第２の反射
体２ｂの光透過側に設けた光出力部から出力することを
特徴としている。

【００４４】前記光出力部には光出力用光ファイバ５
と、第２の反射体２ｂ（一部光透過膜）を透過した光を
光出力用光ファイバ５の接続端面に集光する集光レンズ
９とが設けられている。第２の反射体２ｂと集光レンズ
９との間の光路上には光アイソレータ８が設けられてい
る。

【００４５】また、本実施形態例において、第１と第２
の２つの反射体２ａ，２ｂの間で反射する反射光の光路
長を可変する反射光路長可変手段が設けられており、こ
の反射光路長可変手段は、矢印Ａ、Ｂに示すように、第
１と第２の反射体２ａ，２ｂを電磁力によって移動する
反射体移動手段６を有している。この反射体移動手段６
は、第１と第２の反射体２ａ，２ｂをそれぞれ図のＺ方
向に５００μｍ以下の移動量だけ移動し、それにより、
第１の反射体２ａと第２の反射体２ｂの間で反射する反
射光の光路長を１ｍｍ〜２ｍｍの範囲内で可変する構成
と成している。

【００４６】反射体移動手段６は、図２に示すように、
反射体２を搭載する反射体搭載部材１０と、この反射体
搭載部材１０を電磁力により移動させる複数の電磁石７
を有している。反射体搭載部材１０はその一端側をＳ
極、他端側をＮ極に固定磁化した磁性膜により形成され
ており、前記基板３のエッチングにより形成された凹部
の反射体移動部１１上に配置されている。前記電磁石７
は図のＺ方向に互いに間隔を介して並設され、この並設
電磁石７によって反射体搭載部材１０を図のＸ方向に間
隔を介して両側から挟む態様で、電磁石７と反射体搭載
部材２０とが対向配置されている。

【００４７】ここで、例えば図２に示すように、反射体
搭載部材１０が、図の上部側がＳ極、下部側がＮ極に磁
化されているとして、電磁石７（７ａ）がＮ極、電磁石
７（７ｂ）がＳ極となるように電流を流すと、反射体搭
載部材１０が図の右側に移動し、それに伴い、反射体２
が図の右側に移動する。このように、反射体搭載部材１
０の近傍に配置された電磁石７に流す電流を可変して、
その電磁石７の極を可変することにより、反射体２を図
のＺ方向に自在にスライド移動する。

【００４８】本実施形態例は以上のように構成されてお
り、半導体光増幅器１に例えば２Ｖ、１００ｍＡの電流
を注入すると、半導体光増幅器１から放出光が放出さ
れ、この放出光は第１の反射体２ａ側と第２の反射体２
ｂ側に向かって進行する。そして、この光は、それぞれ
の反射体２ａ，２ｂで反射されて半導体光増幅器１を通
ることにより増幅されると共に、第２の反射体２ｂと半
導体光増幅器１との間に設けられた過飽和吸収媒体４に
よって前記放出光の吸収が生じ、前記パルス発生作用に
よって光パルス列が発生する。

【００４９】また、前記の如く、半導体光増幅器１の増
幅帯域はブロードであるため、この半導体光増幅器１か
らの放出光を利用して形成される光パルス列は、十分に
周波数帯域が大きく、時間幅の小さい短パルスとなる。
そして、この短パルスの光パルス列が光出力部から出力
される。

【００５０】なお、本実施形態例のパルス列発生装置に
おいて、半導体光増幅器１からの放出光の波長は波長
１．５５μｍ帯であり、前記放出光から発生する光パル
ス列の波長帯もこの波長帯である。

【００５１】本実施形態例において、第１の反射体２ａ
と第２の反射体２ｂとの間で形成される光パルスはフー
リエ変換限界パルス（トランスフォームリミットパル
ス）であり、本実施形態例において観測されたパルス幅
は約１ｐｓであった。

【００５２】また、上記光パルス列の繰り返し周波数
は、共振器長で決定されるものであり、本実施形態例に
おいて、この共振器長は、第１の反射体２ａと第２の反
射体２ｂとの間で反射する反射光の光路長に相当する。

【００５３】本実施形態例において、この反射光の光路
長は１ｍｍ〜２ｍｍの範囲内で可変される。光路長が１
ｍｍのときには光パルス列の繰り返し周波数は約３００
ＧＨｚ、光路長が２ｍｍのときには光パルス列の繰り返
し周波数は約１５０ＧＨｚであるので、本実施形態例の
パルス列発生装置は、１５０ＧＨｚ〜３００ＧＨｚまで
の範囲内で繰り返し周波数を可変できる。

【００５４】なお、従来、衝突モード同期のパルス列発
生実験として、ミラーを除震台に設置して光パルスを発
生させる実験が行なわれていたが、この実験における共
振器長は１ｍのオーダーであり、その繰り返し周波数は
数十ＭＨｚが限度であり、本実施形態例は、この種の実
験では達成できなかった超高速繰り返し光パルス列の発
生を実現することができた。

【００５５】また、本実施形態例のパルス列発生装置か
ら出力する光パルス列の波長帯は、現在様々な検討が行
なわれている時分割多重伝送用の波長帯であり、かつ、
本実施形態例のパルス列発生装置は上記の如く超高速繰
り返し光パルス列の発生を実現できるために、高速時分
割多重伝送の同期用光源として非常に適した装置とする
ことができる。

【００５６】さらに、本実施形態例のパルス列発生装置
は、その装置構成も簡単であり、容易に製造することが
でき、製造歩留まりの高い装置とすることができる。

【００５７】さらに、本実施形態例のパルス列発生装置
は、半導体光増幅器１への電流注入だけで動作可能であ
り、光ファイバの非線形効果を用いた変調不安定による
パルス列発生よりも繰り返し周波数が安定であり、装置
の調整も容易にできる。

【００５８】すなわち、半導体光増幅器１はレーザとは
異なり端面を劈開処理していないため、半導体光増幅器
１はレーザ発振を行なえない代わりに、光が通過するた
びに増幅するというパッシブな動作を行なうため、この
動作がローダミン等の増幅機構（例えばレーザ媒質とし
てローダミン液膜等をアルゴンレーザで励起する等の機
構）の肩代わりになる。したがって、半導体光増幅器１
を用いて上記のように構成した本実施形態例は、上記の
如く繰り返し周波数が安定な優れた装置とすることがで
きる。

【００５９】さらに、本実施形態例のパルス列発生装置
は、コンパクトなサイズの基板３上に、膜により形成し
た反射体２や半導体光増幅器１等を有する微小光学系を
形成したものであるから、装置が非常に小型であり、図
１に示す構成を収容するパッケージとして、従来の半導
体レーザパッケージと同等の大きさ（各辺が数ｃｍ程
度）のパッケージを適用できる。

【００６０】図３には、本発明に係るパルス列発生装置
の第２実施形態例の要部構成が斜視図により示されてい
る。なお、本第２実施形態例において、上記第１実施形
態例と同一名称部分には同一符号を付してあり、その重
複説明は省略する。

【００６１】同図に示すように、本第２実施形態例のパ
ルス列発生装置は、基板３上に配置される第１から第Ｎ
（Ｎは３以上の整数であり、本実施形態例においてはＮ
＝４）までの４個の反射体２（２ａ〜２ｄ）を有してい
る。

【００６２】本第２実施形態例において、第１の反射体
２ａの光反射側に第２の反射体２ｂを配置し、該第２の
反射体２ｂの光反射側に第３の反射体２ｃを配置し、該
第３の反射体２ｃの光反射側に第４の反射体２ｄを配置
し、該第４の反射体２ｄの光反射側に前記第１の反射体
２ａを配置して４個の反射体２（２ａ〜２ｄ）により反
射光の周回路１２を形成している。

【００６３】また、４個の反射体２ａ〜２ｄのうち１つ
の反射体（ここでは第２の反射体２ｂ）は、その光反射
率を１００％未満として一部の光を透過する一部光透過
膜により形成されており、残りの反射体２ａ，２ｃ，２
ｄは光反射率が略１００％の反射膜により形成されてい
る。前記第１の反射体２ａと第２の反射体２ｂの間に、
これらの反射体２ａ，２ｂと間隔を介して半導体光増幅
器１が設けられ、前記反射光の周回路１２上の、第２の
反射体２ｂと第３の反射体２ｃの間に過飽和吸収媒体４
が設けられている。

【００６４】本第２実施形態例でも、上記第１実施形態
例と同様に、前記半導体光増幅器１から前記第１の反射
体２ａ側と第２の反射体２ｂ側に向けて光を放出する構
成と成しており、本第２実施形態例においては、これら
の放出光を前記第１から第４の反射体の間で反射させて
半導体光増幅器１と前記過飽和吸収媒体４を通して周回
させることにより光パルス列を発生させる構成と成して
いる。

【００６５】発生した光パルス列は前記一部光透過膜
（ここでは第２の反射体２ｂ）の光透過側に設けた光出
力部から出力する構成と成しており、光出力部の構成は
上記第１実施形態例と同様である。

【００６６】また、本第２実施形態例においては、第１
と第４の２つの反射体２ａ，２ｄの間で反射する反射光
の光路長と、第２と第３の２つの反射体２ｂ，２ｃの間
で反射する反射光の光路長を同時に可変する反射光路長
可変手段が設けられている。この反射光路長可変手段
は、第３と第４の反射体２ｃ，２ｄを電磁力によって、
矢印Ａに示すように移動する反射体移動手段６を有して
いる。

【００６７】この反射体移動手段６は、第３と第４の反
射体２ｃ，２ｄをそれぞれ図のＸ方向に５００μｍ以下
の移動量だけ移動し、それにより、第１と第４の２つの
反射体２ａ，２ｄの間で反射する反射光の光路長と、第
２と第３の２つの反射体２ｂ，２ｃの間で反射する反射
光の光路長を、０．５ｍｍ〜２ｍｍの範囲内で同時に可
変する構成と成している。

【００６８】本第２実施形態例においては、前記の如く
反射光の周回路１２が形成されており、第１の反射体２
ａと第２の反射体２ｂとの間で反射する反射光の光路長
および、第３の反射体２ｃと第４の反射体２ｄとの間で
反射する反射光の光路長は、共に１ｍｍで固定されてい
るので、上記光路長の可変によって、反射光の周回路１
２の回路長は３ｍｍ〜６ｍｍの範囲内で可変される。

【００６９】なお、本実施形態例に設けられている反射
体移動手段６は、第３の反射体２ｃと第４の反射体２ｄ
を搭載する反射体搭載部材１０と、反射体搭載部材１０
をＺ方向に両側から挟む態様で設けられた複数の電磁石
７（図３には図示せず）を有し、反射体搭載部材１０は
基板３上の反射体移動部１１に配置されてＸ方向に移動
自在と成している。電磁石７はＸ方向に互いに間隔を介
して並設されており、反射体移動手段６の構成および動
作は、上記第１実施形態例の反射体移動手段６と原理的
に同じである。

【００７０】本第２実施形態例は以上のように構成され
ており、第１実施形態例と同様に半導体光増幅器１に電
流注入を行なうと、放出された放出光は第１の反射体２
ａ側と第２の反射体２ｂ側に向かって進行し、それぞれ
の反射体２ａ，２ｂで反射される。

【００７１】そして、半導体光増幅器１から第２の反射
体２ｂで反射した光は第３の反射体２ｃ側に反射し、過
飽和吸収媒体４を通って第３の反射体２ｃに入射する。
この光は第３の反射体２ｃで反射して第４の反射体２ｄ
側に進行し、さらに第４の反射体２ｄで反射して第１の
反射体２ａ側に進行し、さらに第１の反射体２ａで反射
する。この光は半導体光増幅器１を通って増幅され、第
２の反射体２ｂ側に進行する。

【００７２】このように、半導体光増幅器１から第２の
反射体２ｂ側に向けて放出した光は、前記反射光の周回
路１２を左回り（反時計回り）に周回する。

【００７３】一方、半導体光増幅器１から第１の反射体
２ａ側に向けて進行した光は、第１の反射体２ａで反射
し、この光は第４の反射体２ｄ側に反射し、さらに、第
４の反射体２ｄで反射して第３の反射体２ｃ側に進行す
る。この光は、さらに第３の反射体２ｃで反射して過飽
和吸収媒体４を通って第２の反射体２ｂに入射し、第２
の反射体２ｂで反射して半導体光増幅器１を通って増幅
され、第１の反射体２ａに入射する。

【００７４】このように、半導体光増幅器１から第１の
反射体２ａ側に向けて放出した光は、前記反射光の周回
路１２を右回り（時計回り）に周回する。

【００７５】そして、前記反射光の周回路１２を右回り
に進行する光と左回りに進行する光は、それぞれ、半導
体光増幅器１と過飽和吸収媒体４を通って進行するの
で、両者の間で、上記第１実施形態例と同様に光パワー
にアンバランスが生じる。そのため、上記第１実施形態
例と同様のパルス発生作用により、十分に周波数帯域が
大きく、時間幅の小さい短パルスが発生し、光出力部か
ら出力される。

【００７６】なお、本第２実施形態例では、第１から第
４の反射体２ａ〜２ｄにより形成される前記反射光の周
回路１２の回路長を３ｍｍ〜６ｍｍの範囲内で可変する
構成と成しているために、光パルス列の繰り返し周波数
は約５０ＧＨｚ〜１００ＧＨｚの範囲で可変される。

【００７７】本第２実施形態例も、上記動作により上記
第１実施形態例と同様の効果を奏することができる。

【００７８】なお、本発明は上記実施形態例に限定され
ることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば上
記各実施形態例の構成に加え、例えば反射体２で反射す
る反射光の光路上に回折格子対を設けることもできる。
この場合、パルスの周波数チャーピングを補償すること
もでき、さらに優れたパルス列発生装置を形成できる。

【００７９】すなわち、短パルス化された光パルスはブ
ロードなスペクトル成分を持つが、何度も半導体光増幅
器１、過飽和吸収媒体４、空気を通過するため、これら
の材料による群速度分散の影響により、光スペクトルに
よって速度が異なることでパルス幅が広がってしまう可
能性があるが、上記のように回折格子対を設けると、こ
の広がりを補償し、パルス幅をｐｓ（ピコ秒）オーダー
からｆｓ（フォムト秒）オーダーの狭い幅にすることが
できる。

【００８０】さらに、上記第１実施形態例において、第
１の反射体２ａを、反射膜の代わりに光反射率が略１０
０％の位相共役鏡とすることもできる。このように構成
すると、位相共役鏡での反射前のパルスの周回路中で受
けたチャープを、位相共役波を発生することにより相殺
することができるため、反射体２で反射する反射光の光
路上に回折格子対を用いる場合よりも、さらに完全なチ
ャープ補償が可能になるため、さらに優れたパルス列発
生装置を形成できる。

【００８１】上記のように、第１の反射体２ａとして位
相共役鏡を適用したパルス列発生装置において、位相共
役鏡での位相共役波の発生を、縮退４光波混合を用いて
実現する場合、位相共役鏡として用いる非線形媒質をレ
ーザにより対向配置で励起する必要があるが、この励起
レーザの波長により、縮退４光波混合で発生される位相
共役波の波長が決定されるので、この励起レーザの波長
を変化させることで、パルス列の波長を可変にすること
も可能である。すなわち、上記位相共役鏡を用いたパル
ス列発生装置においては、波長可変パルス列発生装置が
実現可能である。

【００８２】また、上記各実施形態例では、半導体光増
幅器１はバルク型の半導体により形成したが、半導体光
増幅器１は半導体量子井戸構造としてもよい。

【００８３】さらに、上記各実施形態例では、半導体光
増幅器１から放出する放出光の波長を波長１．５５μｍ
帯に設定したが、前記放出光の波長は特に限定されるも
のではなく適宜設定されるものである。ただし、現在様
々な検討が行なわれている時分割多重伝送の波長帯は波
長１．５５μｍ帯であるために、前記放出光の波長帯を
波長１．５５μｍ帯とすると、パルス列発生装置を前記
時分割多重伝送の同期用光源として好適とすることがで
きる。

【００８４】さらに、上記第１実施形態例では、過飽和
吸収媒体４は前記第２の反射体２ｄと前記半導体光増幅
器１との間に設けたが、過飽和吸収媒体４は前記第１の
反射体２ａと前記半導体光増幅器１との間で、半導体光
増幅器１からの放出光の光路上に設けてもよい。

【００８５】さらに、上記第２実施形態例では、過飽和
吸収媒体４は、反射体２による反射光の周回路１２上
で、第２の反射体２ｂと第３の反射体２ｃとの間に設け
たが、過飽和吸収媒体４は反射体２による反射光の周回
路１２上に設ければよく、その配置位置は適宜設定され
るものである。

【００８６】さらに、上記第２実施形態例では、第２の
反射体２ｂを一部光透過膜として機能させたが、その代
わりに、上記第２実施形態例において第１と第３と第４
の反射体２ａ，２ｃ，２ｄの何れかを一部光透過膜とし
て機能させ、この他の反射体２の光反射率を１００％と
してもよい。この場合、一部光透過膜の光透過側に光出
力部が形成される。

【００８７】さらに、上記各実施形態例において、一部
光透過膜の光反射率は略９５％としたが、一部光透過膜
の光反射率は１００％未満であればよく、適宜の光反射
率（好ましくは９０％以上）に設定されるものである。

【００８８】さらに、上記各実施形態例では、２つの反
射体の間で反射する反射光の光路長を可変する反射光路
長可変手段を、少なくとも１つの反射体２を電磁力で移
動させる反射体移動手段６を有する構成としたが、反射
体移動手段６の構成は特に限定されるものではなく適宜
設定されるものである。反射体移動手段６は、例えば少
なくとも１つの反射体２を静電力で移動させる構成とし
てもよいし、少なくとも１つの反射体２を電磁力と静電
力で移動させる構成としてもよい。

【００８９】さらに、上記各実施形態例では、反射体移
動手段６による反射体２の移動量を５００μｍ以下とし
たが、この移動量は特に限定されるものでなく適宜設定
されるものである。

【００９０】さらに、上記第１実施形態例では、反射光
路長可変手段は２つの反射体２の間で反射する反射光の
光路長を１ｍｍ〜２ｍｍの範囲内で可変し、上記第２実
施形態例では、反射光路長可変手段は２つの反射体２の
間で反射する反射光の光路長を０．５ｍｍ〜２ｍｍの範
囲内で可変する構成としたが、この反射光の光路長可変
範囲は特に限定されるものでなく適宜設定されるもので
ある。

【００９１】さらに、上記各実施形態例において設けた
反射光路長可変手段を省略することもできる。この場
合、パルス列発生装置から出力する光パルス列の繰り返
し周波数は固定の周波数となる。

【００９２】さらに、反射体２の間で反射する反射光の
光路長は必ずしも上記実施形態例に適用した値とすると
は限らず、適宜設定されるものであり、この反射光の光
路長を適宜設定することにより、光パルス列の繰り返し
周波数を適宜の周波数にすることができる。例えば各辺
の長さが数ｃｍの基板３上に反射体２等の光学系を配置
して反射体２の間隔を広げることもでき、この種のパル
ス列発生装置に上記反射光路長可変手段を設ければ、十
ＧＨｚオーダーの繰り返し周波数可変のパルス列発生装
置とすることもできる。

【００９３】さらに、上記第２実施形態例では、第１か
ら第４の４個の反射体２（２ａ〜２ｄ）を設け、これら
の反射体２によって反射光の周回路１２を形成したが、
反射光の周回路１２はＮ（Ｎは３以上の整数）個の反射
体２によって様々に形成することが可能である。すなわ
ち、第１の反射体２の光反射側に第２の反射体２を配置
し、該第２の反射体２の光反射側に第３の反射体２を配
置していき、第Ｎの反射体の光反射側に前記第１の反射
体２を配置すれば、前記Ｎ個の反射体により反射光の周
回路１２を様々に形成することができる。

【００９４】さらに、上記各実施形態例では、光出力部
に光出力用光ファイバ５と、集光レンズ９と光アイソレ
ータ８を設けたが、光出力部の構成は特に限定されるも
のではなく適宜設定されるものである。なお、光出力部
を少なくとも光出力用光ファイバ５と、集光レンズ９を
有する構成とすると、一部光透過膜を透過した光を集光
レンズ９により集光し、出力用光ファイバ５を介して出
力できるために、パルス列発生装置を時分割多重伝送用
として適用する場合、光伝送用の光ファイバ等への光接
続を行い易くできる。

【００９５】また、上記実施形態例のように、一部光透
過膜と集光レンズ９との間の光路上に光アイソレータ８
を設けると、集光レンズ９や光ファイバ５側から一部光
透過膜側へ光が伝送されることを抑制できるために好ま
しい。さらに、一部光透過膜と集光レンズ９との間の光
路上に光アイソレータ８と光フィルタの少なくとも一方
を設けてもよく、例えば周知の波長選択フィルタにより
形成した光フィルタを設けると、出力したい波長の光の
みを選択的に出力できるパルス列発生装置とすることが
できる。

【００９６】

【発明の効果】第１、第２の発明によれば、半導体光増
幅器からの放出光を第１の反射体側と第２の反射体側に
向かって放出し、該放出光を第１の反射体と第２の反射
体との間で反射させて、過飽和吸収媒体と増幅帯域がブ
ロードな前記半導体光増幅器を通して往復させることに
より、第１と第２の反射体間で第１の反射体側に進行す
る光と第２の反射体側に進行する光とのアンバランスを
生じさせ、十分に周波数帯域が大きく、時間幅の小さい
光パルス列を発生させ、光出力部から出力することがで
きる。

【００９７】特に、第２の発明によれば、第１の反射体
として位相共役鏡を適用することにより、上記光パルス
のチャーピングをほぼ完全に補償することができるし、
位相共役鏡の励起レーザ波長を可変にすることで、パル
ス列の波長をも可変にすることができる。

【００９８】また、第３の発明によれば、第１から第Ｎ
個の反射体により形成される反射光の周回路上に過飽和
吸収媒体を設けて、前記半導体光増幅器からの放出光を
第１から第Ｎの反射体の間で反射させて、前記半導体光
増幅器と前記過飽和吸収媒体を通して周回させることに
より、前記周回路を右回りに進行する光と左回りに進行
する光との間で、光パワーのアンバランスを生じさせ、
第１、第２の発明と同様の作用により、十分に周波数帯
域が大きく、時間幅の小さい短パルスを発生させて出力
することができる。

【００９９】さらに、第１〜第３の発明によれば、基板
上に上記のような半導体光増幅器と反射体と過飽和吸収
媒体を備えた微小光学系を形成したものであるから、そ
の装置構成は簡単であり、また、小型の装置とすること
ができる。

【０１００】さらに、第１〜第３の発明のパルス列発生
装置から出力するパルス列の波長帯は、半導体光増幅器
からの放出光波長を適宜設定することにより、例えば現
在様々な検討が行なわれている時分割多重伝送用の波長
帯とすることができるので、上記超高速繰り返し光パル
ス列の発生効果を利用して、高速時分割多重伝送の同期
用光源として非常に適した装置とすることができる。

【０１０１】さらに、第１〜第３の発明のパルス列発生
装置は、半導体光増幅器への電流注入だけで動作可能で
あり、光ファイバの非線形効果を用いた変調不安定によ
る光パルス列発生よりも繰り返し周波数が安定な優れた
装置とすることができ、装置の調整も容易とすることが
できる。

【０１０２】さらに、上記第３の発明における第Ｎの反
射体は第４の反射体とした構成によれば、周回路を四辺
形状に形成することができ、製造しやすい装置とするこ
とができる。

【０１０３】さらに、上記発明において、一部光透過膜
の光反射率を９０％以上とした構成によれば、半導体光
増幅器からの放出光の反射と透過をバランス良く行なう
ことができ、光パルス列発生およびその出力を効率的に
行なうことができる。

【０１０４】さらに、２つの反射体の間で反射する反射
光の光路長を可変する反射光路長可変手段を設けた構成
によれば、２つの反射体の間で反射する反射光の光路長
の可変によって光パルス列の繰り返し周波数を可変する
ことができる。

【０１０５】さらに、反射光路長可変手段は少なくとも
１つの反射体を静電力と電磁力の少なくとも一方の力で
移動させる反射体移動手段を有する構成によれば、反射
光路長可変手段を、簡単で小型のものとすることができ
る。

【０１０６】さらに、反射体移動手段による反射体の移
動量を５００μｍ以下とした構成によれば、反射体の移
動量を適切な値に設定することにより、反射体を非常に
的確に移動させることができる。

【０１０７】さらに、反射光路長可変手段は２つの反射
体の間で反射する反射光の光路長を０．５ｍｍ〜２ｍｍ
の範囲内で可変する構成によれば、発生する光パルス列
の繰り返し周波数を非常に高い値とすることができ、超
高速繰り返し光パルス列を発生し、出力できる。

【０１０８】さらに、過飽和吸収媒体を半導体多層膜に
より形成することにより、上記優れた効果を奏するパル
ス列発生装置を容易に構成できる。

【０１０９】さらに、反射体で反射する反射光の光路に
回折格子対を設けた構成によれば、光パルスのチャーピ
ングを補償することができる。

【０１１０】さらに、光出力部には光出力用光ファイバ
と、一部光透過膜を透過した光を前記光出力用光ファイ
バの接続端面に集光する集光レンズとを設けた構成によ
れば、例えば本発明のパルス列発生装置を時分割波長多
重伝送用として適用した場合に、伝送用光ファイバ等の
構成要素との光接続を行ない易くできる。

【０１１１】さらに、一部光透過膜と集光レンズとの間
の光路上に光アイソレータと光フィルタの少なくとも一
方を設けた構成によれば、光アイソレータによって、集
光レンズ側からの光を一部光透過膜側に伝送することを
抑制したり、光フィルタによって出力させたい波長のみ
を選択的に出力させたりすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るパルス列発生装置の第１実施形態
例を示す要部構成図である。

【図２】上記実施形態例に設けられている反射体移動手
段の構成を示す平面説明図である。

【図３】本発明に係るパルス列発生装置の第２実施形態
例を示す要部構成図である。

【符号の説明】

１半導体光増幅器２反射体３半導体基板４過飽和吸収媒体５出力側光ファイバ６反射体移動手段７電磁石８光アイソレータ９集光レンズ１０反射体搭載部材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に半導体光増幅器を設け、該半導
体光増幅器を両側から間隔を介して挟む態様でその一方
側に第１の反射体を配置し、他方側に第２の反射体を配
置し、前記第１の反射体はその光反射率が略１００％の
反射膜により形成し、前記第２の反射体はその光反射率
を１００％未満として一部の光を透過する一部光透過膜
により形成し、前記半導体光増幅器から前記第１の反射
体側と第２の反射体側に向けて光を放出する構成とし、
前記第１の反射体と前記半導体光増幅器との間または前
記第２の反射体と前記半導体光増幅器との間には該半導
体光増幅器からの放出光の光路上に過飽和吸収媒体を設
け、前記放出光を第１の反射体と第２の反射体との間で
反射させて前記半導体光増幅器と前記過飽和吸収媒体を
通して往復させることにより光パルス列を発生させ、該
光パルス列を前記第２の反射体の光透過側に設けた光出
力部から出力することを特徴とするパルス列発生装置。
【請求項２】第１の反射体を反射膜の代わりに位相共
役鏡により形成したことを特徴とする請求項１記載のパ
ルス列発生装置。
【請求項３】基板上に配置される第１から第Ｎ（Ｎは
３以上の整数）までのＮ個の反射体を有し、第１の反射
体の光反射側に第２の反射体を配置し、該第２の反射体
の光反射側に第３の反射体を配置していき、第Ｎの反射
体の光反射側に前記第１の反射体を配置して前記Ｎ個の
反射体により反射光の周回路を形成し、前記Ｎ個の反射
体のうち１つの反射体はその光反射率を１００％未満と
して一部の光を透過する一部光透過膜により形成し、残
りの反射体はその光反射率が略１００％の反射膜により
形成し、前記第１の反射体と第２の反射体の間にこれら
の反射体と間隔を介して半導体光増幅器を設け、前記反
射光の周回路上に過飽和吸収媒体を設け、前記半導体光
増幅器から前記第１の反射体側と第２の反射体側に向け
て光を放出し、これらの放出光を前記第１から第Ｎの反
射体の間で反射させて前記半導体光増幅器と前記過飽和
吸収媒体を通して周回させることにより光パルス列を発
生させ、該光パルス列を前記一部光透過膜の光透過側に
設けた光出力部から出力することを特徴とするパルス列
発生装置。
【請求項４】第Ｎの反射体は第４の反射体としたこと
を特徴とする請求項３記載のパルス列発生装置。
【請求項５】一部光透過膜の光反射率を９０％以上と
したことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか
一つに記載のパルス列発生装置。
【請求項６】２つの反射体の間で反射する反射光の光
路長を可変する反射光路長可変手段を設けたことを特徴
とする請求項１乃至請求項５のいずれか一つに記載のパ
ルス列発生装置。
【請求項７】反射光路長可変手段は少なくとも１つの
反射体を静電力と電磁力の少なくとも一方の力で移動さ
せる反射体移動手段を有することを特徴とする請求項６
記載のパルス列発生装置。
【請求項８】反射体移動手段による反射体の移動量を
５００μｍ以下としたことを特徴とする請求項７記載の
パルス列発生装置。
【請求項９】反射光路長可変手段は２つの反射体の間
で反射する反射光の光路長を０．５ｍｍ〜２ｍｍの範囲
内で可変する構成としたことを特徴とする請求項６又は
請求項７又は請求項８記載のパルス列発生装置。
【請求項１０】過飽和吸収媒体は半導体多層膜とした
ことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか一つ
に記載のパルス列発生装置。
【請求項１１】反射体で反射する反射光の光路上に回
折格子対を設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項
１０のいずれか一つに記載のパルス列発生装置。
【請求項１２】光出力部には光出力用光ファイバと、
一部光透過膜を透過した光を前記光出力用光ファイバの
接続端面に集光する集光レンズとを設けたことを特徴と
する請求項１乃至請求項１１のいずれか一つに記載のパ
ルス列発生装置。
【請求項１３】一部光透過膜と集光レンズとの間の光
路上に光アイソレータと光フィルタの少なくとも一方を
設けたことを特徴とする請求項１２記載のパルス列発生
装置。