JP2002043344A - Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device - Google Patents

Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Info

Publication number
JP2002043344A
JP2002043344A JP2000229614A JP2000229614A JP2002043344A JP 2002043344 A JP2002043344 A JP 2002043344A JP 2000229614 A JP2000229614 A JP 2000229614A JP 2000229614 A JP2000229614 A JP 2000229614A JP 2002043344 A JP2002043344 A JP 2002043344A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
mold
semiconductor device
cavity
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000229614A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Miyashita
下 浩 一 宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2000229614A priority Critical patent/JP2002043344A/en
Publication of JP2002043344A publication Critical patent/JP2002043344A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the number of products to be taken while preventing bending of a lead frame. SOLUTION: In this method of manufacturing a semiconductor device, a plurality of semiconductor chips mounted on a substrate is sealed with a resin. Among a plurality of semiconductor chips mounted on the substrate, one row of those arrayed in a horizontal direction is assumed as one unit. Each unit is positioned in a cavity in a mold and resin-sealed in this state.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置の製造方法に関するものである。
The present invention relates to a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】樹脂封止型半導体装置の一般的な製造方
法は、ウェーハの裏面を研磨してウェーハを薄くする
工程(裏面研磨工程)、ウェーハからチップを切り出す
工程(ダイシング工程)、チップを基材にマウントす
る工程(ダイボンディング工程)、チップと基材を電気
的に接続する工程(ワイヤーボンディング工程)、チ
ップを樹脂で封止する工程(モールド工程)、樹脂バリ
を取る工程(バリ取り工程)、外装材料によりリード外
装を行う工程(外装工程)、リードを成形する工程(T/
F工程)、パッケージ表面に印字する工程(マーク工
程)を有する。この後には、初期故障を除去し、製品の
信頼性を改善する工程(バーンイン/テスト工程)、がつ
け加えられる。
2. Description of the Related Art A general method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device includes a process of polishing a back surface of a wafer to make the wafer thinner (a back surface polishing process), a process of cutting chips from the wafer (a dicing process), and a process of cutting chips. Step of mounting on the substrate (die bonding step), step of electrically connecting the chip and the substrate (wire bonding step), step of sealing the chip with resin (molding step), step of removing resin burrs (deburring Process), a process of externally encapsulating the lead with an external material (exterior process), a process of molding the lead (T /
F step) and a step of printing on the package surface (marking step). This is followed by a process (burn-in / test process) that eliminates early failures and improves product reliability.

【0003】図5は上記モールド工程で封止される樹
脂の形状の一例を示している。図中、1は基材、2はチ
ップ、3はモールド樹脂である。図中のそれぞれのモー
ルド樹脂3は、1つのチップのみを含むものである。
FIG. 5 shows an example of the shape of a resin sealed in the above-mentioned molding step. In the figure, 1 is a base material, 2 is a chip, and 3 is a mold resin. Each mold resin 3 in the figure includes only one chip.

【0004】図5に示す装置を得るために行うモール
ド工程の手順を図6により簡単に説明すると以下のよう
になる。
The procedure of a molding step performed to obtain the apparatus shown in FIG. 5 will be briefly described with reference to FIG.

【0005】まず、あらかじめ金型をヒーターで所定の
温度に加熱しておく。
First, a mold is heated to a predetermined temperature by a heater in advance.

【0006】次に、上金型を上げて、モールド金属内所
定の位置に製品をセットする(a)。
Next, the upper mold is raised and a product is set at a predetermined position in the mold metal (a).

【0007】次に、上金型を下げて、製品を固定する
(b)。
Next, the upper mold is lowered to fix the product (b).

【0008】次に、樹脂ダブレットを金型内に投入する
(c)。
Next, a resin doublet is put into a mold (c).

【0009】次に、ブランジャを下げて封止し、この状
態で樹脂ポッドからランナーをへて、各キャビティに樹
脂を注入する(d)。次に、樹脂が各キャビティに充填さ
れた状態で数分間保持する。樹脂は重合し、硬化する。
成形終了後、上金型を上げ、製品やライナーを取り出す
(e)。
Next, the plunger is lowered and sealed, and in this state, a resin is injected into each cavity through a resin pod through a runner (d). Next, the resin is held for several minutes while being filled in each cavity. The resin polymerizes and cures.
After molding, raise the upper mold and take out the product and liner
(e).

【0010】次に、製品以外の不要な部分を捨てる
(f)。以上の手順で封止されるモールド樹脂の形状
は、モールド工程におけるモールド金型のキャビティに
よって設定される。図6では1キャビティ内に1つのチ
ップのみを配置したが、1キャビティ内に複数のチップ
を配置してモールドを行えば、1つのモールド樹脂は複
数のチップを含む形状になる。以下、モールド金型の1
つのキャビティで封止される樹脂を「1つのモールド樹
脂」と呼ぶ。上述の工程では、1つののモールド樹脂で
封止するのは1チップとしていた(シングル封止、図
5)。これはT/F工程による制約によるところもある。
すなわちT/F工程における製品の個片化はT/F金型を用い
て行われており、このT/F金型は基材(リードフレー
ム)を切断できるが、モールド樹脂を切断することはで
きない。そのため、基材のみを切断して個片化を行うこ
とができるように、モールド樹脂とそれに隣り合うモー
ルド樹脂の間には、ある一定以上の間隔を設定する必要
があった。
Next, unnecessary parts other than the product are discarded (f). The shape of the mold resin sealed in the above procedure is set by the cavity of the mold in the molding process. In FIG. 6, only one chip is arranged in one cavity. However, if a plurality of chips are arranged in one cavity and molding is performed, one mold resin has a shape including a plurality of chips. Hereinafter, one of the molds
The resin sealed in one cavity is referred to as “one mold resin”. In the above process, one chip was sealed with one mold resin (single sealing, FIG. 5). This is partly due to restrictions due to the T / F process.
In other words, individualization of products in the T / F process is performed using a T / F mold, which can cut the base material (lead frame), but cannot cut the mold resin. Can not. Therefore, it is necessary to set a certain distance or more between the molding resin and the molding resin adjacent thereto so that the substrate can be cut into individual pieces.

【0011】しかしモールド樹脂の間隔は、基材(リー
ドフレーム)あたりの製品の取り数の大きな制約となっ
ており、材料費のコスト低減のためにこの間隔を極力小
さくすることが望まれていた。
However, the space between the mold resins is a great limitation on the number of products per base material (lead frame), and it has been desired to minimize this space in order to reduce material costs. .

【0012】そこで、製品の取り数を多くする方法とし
て、T/F金型以外の個片化の方法が検討されており、そ
の1つとして、ウェーハの切断に使われているダイシン
グ装置を用いる方法が検討されている。これは、T-BG
A、P-BGA、QFN、SON等のノンリードやボール接続タイプ
の製品に有力視されている方法である。ダイシング装置
はモールド樹脂を切断することができるので、これを用
いればモールド樹脂と基材を同時に切断することが可能
となり、T/F金型の場合のようにモールド樹脂とその隣
のモールド樹脂との間に一定の間隔を設定する必要がな
い。すなわち、この方法によれば、1つのモールド樹脂
で複数のチップを封止することができる(複数封止)。そ
して、例えば、m×nのチップを1つのモールド樹脂で封
止し(ブロック封止、図7)、あるいは基材のすべてのチ
ップを1つのモールド樹脂で封止する(一括封止、図
8)ことが可能となるため、材料費のコストを低減する
ことが可能になる。
Therefore, as a method of increasing the number of products to be obtained, a method of singulation other than the T / F mold has been studied. As one of the methods, a dicing apparatus used for cutting a wafer is used. A method is being considered. This is T-BG
This method is considered to be promising for non-lead and ball connection type products such as A, P-BGA, QFN, and SON. Since the dicing machine can cut the mold resin, it is possible to cut the mold resin and the base material at the same time by using this, and as in the case of the T / F mold, the mold resin and the adjacent mold resin can be cut. There is no need to set a constant interval between the two. That is, according to this method, a plurality of chips can be sealed with one mold resin (a plurality of chips). Then, for example, m × n chips are sealed with one mold resin (block sealing, FIG. 7), or all chips of the base material are sealed with one mold resin (batch sealing, FIG. 8). ) Is possible, so that the material cost can be reduced.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来
は、ブロック封止や一括封止することにより、取り数を
上げていた。しかしこの方法には以下の問題点があっ
た。
As described above, conventionally, the number of units to be manufactured has been increased by block sealing or batch sealing. However, this method has the following problems.

【0014】第1に、モールド樹脂を流し込む際にイン
ナーリードの位置ずれが発生しやすいという問題があっ
た。例えば、図7の「1つのモールド樹脂」の左上のチ
ップは、右面、下面のインナーリードをモールド金型で
固定することができないので、ずれが生じることがあ
る。すなわち、複数封止の方法では、モールド金型の押
し切り面によるインナーリードの固定が不可能となるの
で、インナーリードの位置ずれが発生しやすいのであ
る。
First, there is a problem that the displacement of the inner leads is likely to occur when the mold resin is poured. For example, in the upper left chip of "one mold resin" in FIG. 7, the inner leads on the right side and the lower side cannot be fixed by a mold, so that a shift may occur. That is, in the multiple sealing method, it is impossible to fix the inner lead by the cut-off surface of the mold, and the inner lead is likely to be displaced.

【0015】第2に、モールド樹脂充填の際に樹脂が充
填されず、いわゆる「す」が生じるという問題があっ
た。モールド樹脂は熱硬化性樹脂であるから、時間が経
つと硬化する。しかし、ブロック封止(図7)や一括封止
(図8)の例では、樹脂の注入体積が大きく、しかも樹脂
が流れずらいので、注入完了よりも早く樹脂が硬化して
しまい、樹脂の未充填が増えてしまうという不都合が生
じやすいのである。
Second, there is a problem that the resin is not filled when the mold resin is filled, so that a so-called "su" is generated. Since the mold resin is a thermosetting resin, it hardens over time. However, block sealing (Figure 7) or batch sealing
In the example of FIG. 8, the resin injection volume is large and the resin hardly flows, so that the resin is hardened earlier than the completion of the injection, and the inconvenience that the resin is not filled increases easily occurs. .

【0016】第3に、一般にモールド樹脂が硬化する際
に反るのが避けられないが、図7,図8のようにモール
ド樹脂が配置されているとリードフレームの長手方向へ
の反りが大きくなり、リードフレーム1が長手方向に反
ったり丸くなったりする。この様になると、モールド工
程以降の工程で位置ずれや搬送不良が発生するという問
題があった。つまり、複数封止では樹脂の封止体積が大
きく、反りを低減する部分が無いことにより、モールド
樹脂の収縮によるモールド樹脂ボディの反りが大きくな
やすいのである。
Third, in general, it is unavoidable that the mold resin is warped when it is hardened. However, if the mold resin is arranged as shown in FIGS. 7 and 8, the warp in the longitudinal direction of the lead frame is large. As a result, the lead frame 1 is warped or rounded in the longitudinal direction. In such a case, there has been a problem that a displacement or a conveyance failure occurs in a process after the molding process. In other words, in the multiple sealing, the resin sealing volume is large and there is no portion for reducing the warp, so that the warp of the mold resin body due to shrinkage of the mold resin tends to increase.

【0017】本発明は、かかる課題の認識に基づいてな
されたものである。すなわちその目的はフレーム当たり
の製品の取り数が多く、しかも、リードフレーム(基
材)の長手方向への湾曲を防止してその後の工程を容易
として、高い生産性を有する半導体装置の製造方法を提
供することである。
The present invention has been made based on the recognition of such a problem. That is, the object is to provide a method of manufacturing a semiconductor device having a high productivity, in which the number of products per frame is large, and the lead frame (base material) is prevented from bending in the longitudinal direction to facilitate subsequent steps. To provide.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の製造
方法は、基材にマウントした複数の半導体チップを樹脂
で封止するようにした半導体装置の製造方法であって、
前記基材上にマウントをした複数個の半導体チップのう
ち幅方向に並ぶ1列のものを1ユニットとし、それぞれ
のユニットをモールド用型における1つのキャビティー
に配置し、その状態において樹脂封止することを特徴と
する。
That is, a manufacturing method according to the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips mounted on a substrate are sealed with a resin.
One of a plurality of semiconductor chips mounted on the base material arranged in a row in the width direction is defined as one unit, and each unit is arranged in one cavity of a mold, and in that state, resin sealing is performed. It is characterized by doing.

【0019】また、本発明の製造方法は、樹脂を前記ユ
ニットの一端側から他端側に向けて前記基材の幅方向に
流し込むようにしたことを特徴とする。
Further, the manufacturing method of the present invention is characterized in that the resin is poured in the width direction of the base material from one end side of the unit to the other end side.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下に図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0021】(第1の実施の形態)第1の実施の形態は
においては、1つのモールド樹脂をみたときに、幅方向
には4個のチップを並べているが、長手方向には1個の
チップしか並べない様にして、リードフレームが長手方
向に湾曲しないようにしたのが特徴である。
(First Embodiment) In the first embodiment, when one mold resin is viewed, four chips are arranged in the width direction, but one chip is arranged in the longitudinal direction. The feature is that only the chips are arranged so that the lead frame does not curve in the longitudinal direction.

【0022】以下に、さらに詳細に説明する。図1は、
本発明の第1の実施の形態に係わる半導体素子の製造方
法を説明する図である。図には、基材にマウントした72
個の半導体チップを示しているが、図中左右に連続して
おり、これらを樹脂で封止した状態を示している。1は
基材(リードフレーム)、2は半導体チップ、3はエポキ
シ樹脂、4はモールド金型のキャビティ、5はゲート
(樹脂流し込み口)、6はランナー、7はカル、8はダイ
シング線である。基材1の幅方向に一列に並べて配置し
た4個の半導体チップを1ユニットとして、基材の長手
方向に18個のユニットが並列に並ぶように半導体チッ
プをマウントしてある。そしてそれぞれのユニットをモ
ールド金型の別々のキャビティー4に配置し、キャビテ
ィーの一端側においてモールド金型に形成したゲート5
から封止樹脂を流し込む。封止樹脂は、カル7、ランナ
ー6を経て、ゲート5から、キャビティー4内に流し込
む。本発明では樹脂としてエポキシ樹脂3を用いた。な
お、このエポキシ樹脂に代えて他の樹脂を用いることが
できるのは当然である。
The details will be described below. FIG.
FIG. 4 is a diagram illustrating a method for manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. The figure shows the 72 mounted on the substrate.
Although the semiconductor chips are shown, they are continuous left and right in the figure, and show a state where they are sealed with resin. 1 is a base material (lead frame), 2 is a semiconductor chip, 3 is an epoxy resin, 4 is a mold cavity, 5 is a gate
(Resin inlet), 6 is a runner, 7 is a cull, and 8 is a dicing line. The semiconductor chips are mounted such that four semiconductor chips arranged in a line in the width direction of the base member 1 constitute one unit, and eighteen units are arranged in parallel in the longitudinal direction of the base member. Each unit is placed in a separate cavity 4 of the mold, and a gate 5 formed in the mold at one end of the cavity.
Pour the sealing resin. The sealing resin flows from the gate 5 into the cavity 4 through the cull 7 and the runner 6. In the present invention, the epoxy resin 3 was used as the resin. It should be noted that other resins can be used in place of the epoxy resin.

【0023】流し込んだエポキシ樹脂3が硬化した後
は、ダイシング線8に沿ってダイシングし、各チップが
モールドされた半導体装置を得る(個片化)。なお、上
記図1に示す4つのチップ2の1ユニットを1つのキャ
ビティ内でモールドする技術の一例を図1との関連で図
示すると図9のようになる。(a)は平面透視図、
(b)は縦断面図である。簡単にいえば、チップ2がベ
ッド21上にマウント材22を介してマウントされてい
る。このチップ2と、リードフレーム1のリード1aと
がワイヤー23でボンディングされている。このように
チップ2がセットされたリードフレーム1は上、下の金
型26,27間のキャビティ31に収納される。この
際、リードフレーム1のうち上、下の金型26,27に
挟まれる枠状の面としての押し切り面28が、図9
(a)からわかるように、形成される。この押し切り面
は、キャビティ31から樹脂の流出を防ぐためのいわゆ
る樹脂密面である。なお、樹脂注入口としてのゲート5
の反対側に、樹脂注入時のエア抜き用のエアベント30
が形成されている。
After the poured epoxy resin 3 is cured, dicing is performed along dicing lines 8 to obtain a semiconductor device in which each chip is molded (singulation). FIG. 9 shows an example of a technique for molding one unit of the four chips 2 shown in FIG. 1 in one cavity in relation to FIG. (A) is a perspective plan view,
(B) is a longitudinal sectional view. Briefly, the chip 2 is mounted on the bed 21 via the mounting material 22. The chip 2 and the leads 1a of the lead frame 1 are bonded by wires 23. The lead frame 1 on which the chip 2 is set as described above is housed in the cavity 31 between the upper and lower molds 26 and 27. At this time, the press-cut surface 28 as a frame-shaped surface sandwiched between the upper and lower molds 26 and 27 of the lead frame 1 is formed as shown in FIG.
As can be seen from FIG. The pressed cut surface is a so-called resin dense surface for preventing the resin from flowing out of the cavity 31. The gate 5 as a resin injection port
The air vent 30 for bleeding air during resin injection
Are formed.

【0024】以上説明した、本発明の1実施例の製造方
法によれば、リードフレームの湾曲を防ぎつつも、フレ
ームあたりの製品取り数を上げ、材料費のコストを低減
することができる。これに対し、図5に示す従来の方法
ではモールド樹脂の間隔が大きく、フレームあたりの製
品取り数が少い。
According to the manufacturing method of the embodiment of the present invention described above, it is possible to increase the number of products per frame and to reduce the material cost while preventing the bending of the lead frame. On the other hand, in the conventional method shown in FIG. 5, the distance between the mold resins is large, and the number of products per frame is small.

【0025】しかも、本発明の製造方法によれば、図5
に示す従来の方法とほぼ同様の高い生産性を維持するこ
とができる。これは主に以下の3つの理由による。
Further, according to the manufacturing method of the present invention, FIG.
And the same high productivity as in the conventional method shown in FIG. This is mainly due to the following three reasons.

【0026】第1に、本実施例ではモールド加工時の樹
脂の収縮によるモールド樹脂ボディの反りの影響が少な
い。本実施例では基材の幅方向には4つのチップが並ん
でいるだけであり、幅方向に反りが起こったとしても基
材全体への影響は小さい。これ対し、通常基材の長手方
向には多数のチップがモールドされて並んでおり、一つ
のモールド部分に反りが起こるとそれらは重なり合って
基材全体への影響が大きくなる。しかし本実施例ではこ
の長手方向の反りはほとんど起こらない。なぜなら、本
実施例では各列のモールド樹脂の間に基材のみで形成さ
れる部分が存在し、各列のモールド樹脂はそれぞれ1つ
のチップ分の幅しかないので、もともと反り量が少ない
からである。複数封止の場合でも、ブロック封止(図7)
や一括封止(図8)の例では、樹脂の収縮によるボディの
反りが大きく、モールド以降の工程での位置ずれや搬送
不良が発生したが、本実施例によればこのような不都合
はほとんど起こらない。ここで、反りの低減効果を十分
に発揮すると共に、安定して生産するためには、各列の
モールド樹脂の間隔は0.3[mm]以上であることが望まし
い。
First, in this embodiment, the influence of the warpage of the molded resin body due to the shrinkage of the resin during the molding is small. In this embodiment, only four chips are arranged in the width direction of the base material, and even if warpage occurs in the width direction, the influence on the entire base material is small. On the other hand, a large number of chips are usually molded and arranged in the longitudinal direction of the base material. When a warpage occurs in one molded part, they overlap with each other, and the influence on the entire base material is increased. However, in this embodiment, this longitudinal warping hardly occurs. This is because, in the present embodiment, there is a portion formed of only the base material between the mold resins in each row, and the mold resin in each row has a width of only one chip, so that the amount of warpage is originally small. is there. Even in case of multiple sealing, block sealing (Fig. 7)
In the example of the package sealing (FIG. 8), the warpage of the body due to the shrinkage of the resin was large, and the displacement and the conveyance failure occurred in the steps after the molding. However, according to the present embodiment, such inconveniences were hardly caused. Does not happen. Here, in order to sufficiently exhibit the effect of reducing the warpage and stably produce, it is desirable that the interval between the mold resins in each row is 0.3 [mm] or more.

【0027】第2に、本実施例によれば、樹脂の充填性
の悪化が少ない。モールド樹脂は熱硬化性樹脂であるか
ら、加熱すると流動化し、時間が経つと硬化する(図2
参照)。
Second, according to the present embodiment, there is little deterioration in the filling property of the resin. Since the mold resin is a thermosetting resin, it flows when heated and hardens over time (Fig. 2
reference).

【0028】そして複数封止でもブロック封止(図7)や
一括封止(図8)の例では、樹脂の注入体積が広く、しか
も樹脂が流れずらいので、注入完了よりも早く樹脂が硬
化してしまい、樹脂の未充填が増えてしまうという不都
合が生じやすかった。しかし、本実施例では金型のキャ
ビティの中心にチップが1列に並んでいるため、樹脂が
流れやすく、このような不都合はほとんど起こらない。
In the case of block encapsulation (FIG. 7) or encapsulation (FIG. 8), even if a plurality of encapsulations are used, the resin injection volume is large and the resin does not easily flow. It is easy to cause the disadvantage that the unfilled resin increases. However, in this embodiment, since the chips are arranged in a line at the center of the cavity of the mold, the resin easily flows, and such inconvenience hardly occurs.

【0029】第3に、本実施例によれば、インナーリー
ドの位置ずれの増加が少ない。本実施例では各チップの
両側をモールド金型で固定してモールドを行うことがで
きるので、押し切り面によるインナーリードの固定が可
能だからである。複数封止の場合でもブロック封止(図
7)や一括封止(図8)の例では押し切り面によるインナ
ーリードの固定が不可能となるため位置ズレが発生し易
くなったが、本実施例によればこのような不都合はほと
んど起こらない。
Third, according to this embodiment, the increase in the displacement of the inner lead is small. This is because, in the present embodiment, molding can be performed by fixing both sides of each chip with a mold, so that the inner lead can be fixed by the cut-off surface. In the case of block sealing (FIG. 7) or batch sealing (FIG. 8), displacement of the inner leads is easily caused because the inner lead cannot be fixed by the cut-off surface even in the case of a plurality of seals. According to this, such inconveniences hardly occur.

【0030】以上のように、本実施例によれば、フレー
ム当たりの製品の取り数が多く、しかも、高い生産性を
有する半導体装置の製造方法を提供することができる。
As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide a method of manufacturing a semiconductor device having a large number of products per frame and high productivity.

【0031】(第2の実施の形態)第2の実施の形態
は、ゲート(樹脂流し込み口)から離れた部分の製品不良
を減らすために、モールド金型のキャビティを、樹脂を
流し込む側から他端側に向けて広がる形状にしてモール
ドを行ったものである。
(Second Embodiment) In a second embodiment, in order to reduce product defects in a portion remote from a gate (resin pouring port), a cavity of a mold is removed from the side where resin is poured. The mold is formed in a shape that spreads toward the end side.

【0032】図3は、本発明の第2の実施の形態に係わ
る半導体素子の製造方法を説明する図であり、チップを
樹脂で封止した状態を示している。モールド方法は第1
の実施の形態と同じであり、省略する。
FIG. 3 is a view for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention, and shows a state in which a chip is sealed with a resin. The first molding method
The embodiment is the same as that of the first embodiment and will not be described.

【0033】本実施例の方法はゲートから離れた部分で
ワイヤー流れが多い場合に特に効果的である。以下この
点につき述べる。まず、前述したように、樹脂の粘度が
上昇する前に樹脂の充填を完了する必要があるから、モ
ールド樹脂の種類によっては、注入速度を早くする必要
がある。しかし、注入速度が速すぎると、樹脂充填時に
ワイヤーにかかる圧力によってワイヤーが変形すること
があり、変形が著しい場合は、ワイヤー間ショートなど
の不良原因となる。これはワイヤー流れと呼ばれる現象
である。このワイヤー流れが起こりやすい場所は樹脂お
よび半導体素子の種類によって異なるが、本実施例の方
法は、ゲートから離れた部分でワイヤー流れが多い場合
に有効である。すなわち、本実施例の方法によれば、モ
ールド金型のキャビティを、樹脂を流し込む側から他端
側に向けて広がる形状にすることにより、ゲートから離
れた部分の注入速度を遅くして、この部分のワイヤー流
れを減らすことができる。
The method of the present embodiment is particularly effective when there is a large wire flow in a portion away from the gate. Hereinafter, this point will be described. First, as described above, the filling of the resin must be completed before the viscosity of the resin increases, so that the injection speed needs to be increased depending on the type of the mold resin. However, if the injection speed is too high, the wire may be deformed by the pressure applied to the wire during resin filling, and if the deformation is remarkable, this may cause a defect such as a short circuit between the wires. This is a phenomenon called wire flow. The location where the wire flow is likely to occur depends on the type of the resin and the semiconductor element, but the method of this embodiment is effective when the wire flow is large at a portion away from the gate. That is, according to the method of the present embodiment, the cavity of the mold is formed so as to expand from the side into which the resin is poured toward the other end, so that the injection speed in the portion away from the gate is reduced. Partial wire flow can be reduced.

【0034】樹脂が硬化した後は、ダイシング線8に沿
ってダイシングし、各チップがモールドされた半導体装
置を得る(個片化)。ダイシング後は、各チップのモー
ルド樹脂の大きさは同じになる。
After the resin is cured, dicing is performed along dicing lines 8 to obtain a semiconductor device in which each chip is molded (individualization). After dicing, the size of the mold resin of each chip becomes the same.

【0035】(第3の実施の形態)第3の実施の形態
は、ゲート(樹脂流し込み口)に近い部分の製品不良を減
らすために、モールド金型のキャビティを、樹脂を流し
込む側から他端側に向けて狭まる形状にしてモールドを
行ったものである。
(Third Embodiment) In a third embodiment, in order to reduce product defects near the gate (resin pouring port), the cavity of the mold is moved from the resin pouring side to the other end. Molding was performed in a shape narrowing toward the side.

【0036】図4は、本発明の第3の実施の形態に係わ
る半導体素子の製造方法を説明する図であり、チップを
樹脂で封止した状態を示している。モールド方法は第1
の実施の形態と同じであり、省略する。
FIG. 4 is a view for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to the third embodiment of the present invention, and shows a state in which a chip is sealed with a resin. The first molding method
The embodiment is the same as that of the first embodiment and will not be described.

【0037】本実施例の方法はゲートに近い部分でワイ
ヤー流れが多い場合に特に効果的である。すなわち、本
実施例の方法によれば、モールド金型のキャビティを、
樹脂を流し込む側から他端側に向けて狭まる形状にする
ことにより、ゲートに近い部分の注入速度を遅くして、
この部分のワイヤー流れを減らすことができる。
The method of this embodiment is particularly effective when there is a large wire flow near the gate. That is, according to the method of the present embodiment, the cavity of the mold is
By making the shape narrower from the resin pouring side to the other end, the injection speed near the gate is reduced,
Wire flow in this area can be reduced.

【0038】樹脂が硬化した後は、ダイシング線8に沿
ってダイシングし、各チップがモールドされた半導体装
置を得る(個片化)。ダイシング後は、各チップのモー
ルド樹脂の大きさは同じになる。
After the resin is cured, dicing is performed along dicing lines 8 to obtain a semiconductor device in which each chip is molded (individualization). After dicing, the size of the mold resin of each chip becomes the same.

【0039】[0039]

【発明の効果】本発明によれば、1つのモールド樹脂内
において、リードフレームの幅方向にはチップが複数並
ぶが、長手方向には1つしか並ばない様にしたので、リ
ードフレームの長手方向への反りを極力抑えることがで
きる。
According to the present invention, in one mold resin, a plurality of chips are arranged in the width direction of the lead frame, but only one chip is arranged in the longitudinal direction. Warpage can be minimized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係わる半導体素子の
製造方法を説明する図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】モールド樹脂の粘度と時間の関係を示す図であ
る。
FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the viscosity of mold resin and time.

【図3】本発明の第2の実施形態に係わる半導体素子の
製造方法を説明するための図である。
FIG. 3 is a view for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施形態に係わる半導体素子の
製造方法を説明するための図である。
FIG. 4 is a view for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention.

【図5】シングル封止の封止形態を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a sealing mode of single sealing.

【図6】モールド工程のプロセスフローを示す図であ
る。
FIG. 6 is a diagram showing a process flow of a molding step.

【図7】複数封止(ブロック封止)の封止形態を示す図で
ある。
FIG. 7 is a diagram showing a plurality of sealing forms (block sealing).

【図8】複数封止(一括封止)の封止形態をで示す図であ
る。
FIG. 8 is a diagram illustrating a plurality of sealing (batch sealing) sealing forms.

【図9】図1の要部の一例を示す図。FIG. 9 is a view showing an example of a main part of FIG. 1;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 リードフレーム(基材) 2 チップ 3 樹脂 4 モールド金型のキャビティ 5 ゲート(樹脂流し込み口) 6 ランナー 7 カル 8 ダイシング線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame (base material) 2 Chip 3 Resin 4 Mold cavity 5 Gate (resin pouring port) 6 Runner 7 Cull 8 Dicing line

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基材にマウントした複数の半導体チップを
樹脂で封止するようにした半導体装置の製造方法であっ
て、前記基材上にマウントをした複数個の半導体チップ
のうち幅方向に並ぶ1列のものを1ユニットとし、それ
ぞれのユニットをモールド用型における1つのキャビテ
ィー内に配置し、その状態において樹脂封止することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
1. A method for manufacturing a semiconductor device, wherein a plurality of semiconductor chips mounted on a base material are sealed with a resin, wherein the semiconductor chip is mounted on the base material in a width direction. A method for manufacturing a semiconductor device, wherein one unit in a row is arranged as one unit, each unit is arranged in one cavity of a mold, and resin sealing is performed in that state.
【請求項2】前記樹脂封止にあたり、樹脂を前記ユニッ
トの一端側から他端側に向けて前記基材の幅方向に流し
込むようにしたことを特徴とする請求項1に記載の半導
体装置の製造方法
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the resin is poured in a width direction of the base material from one end of the unit toward the other end of the unit. Production method
【請求項3】前記モールド用型の前記キャビティーの形
状が、樹脂を流し込む側から他端側に向けて広がる形状
を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載
の半導体装置の製造方法
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the shape of the cavity of the mold has a shape expanding from the side into which the resin is poured toward the other end. Production method
【請求項4】前記モールド用型の前記キャビティーの形
状が、樹脂を流し込む側から他端側に向けて狭まる形状
を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載
の半導体装置の製造方法
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the shape of the cavity of the mold has a shape narrowing from a resin pouring side to the other end side. Production method
JP2000229614A 2000-07-28 2000-07-28 Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device Pending JP2002043344A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000229614A JP2002043344A (en) 2000-07-28 2000-07-28 Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000229614A JP2002043344A (en) 2000-07-28 2000-07-28 Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002043344A true JP2002043344A (en) 2002-02-08

Family

ID=18722704

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000229614A Pending JP2002043344A (en) 2000-07-28 2000-07-28 Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002043344A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7402502B2 (en) 2003-12-25 2008-07-22 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device by using a matrix frame

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7402502B2 (en) 2003-12-25 2008-07-22 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device by using a matrix frame

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8497158B2 (en) Leadframe strip and mold apparatus for an electronic component and method of encapsulating an electronic component
US6770163B1 (en) Mold and method for encapsulation of electronic device
JP2002009097A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7214562B2 (en) Method for encapsulating lead frame packages
KR200309906Y1 (en) lead frame for fabricating semiconductor package
JPH1022422A (en) Double layer resin-sealed integrated circuit device and manufacture thereof
KR100591718B1 (en) Resin-sealed semiconductor device
TWI747568B (en) Lead frame with groove, method for manufacturing lead frame after resin molding, method for manufacturing resin molded product, and resin molded product
JP2002043344A (en) Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device
JP4500435B2 (en) Semiconductor aggregate substrate resin sealing body, manufacturing method and manufacturing apparatus thereof
JPH07135230A (en) Electronic device resin sealing method and lead frame provided therefor
JP2003109983A (en) Resin sealed structure for collectively sealed semiconductor package and method of manufacturing the same
US20090252931A1 (en) Reinforced assembly carrier and method for manufacturing the same as well as method for manufacturing semiconductor packages
JP2555931B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
US11862540B2 (en) Mold flow balancing for a matrix leadframe
JP5233288B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and substrate
JPH04293243A (en) Metal mold equipment for resin seal and cutting method of gate
JPH09246305A (en) Manufacture of insulating type semiconductor device
JP4294462B2 (en) Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device
JP4002235B2 (en) Resin-sealed semiconductor device
KR100258876B1 (en) Method for fabricating test package of semiconductor
KR100531423B1 (en) lead frame for fabrication semiconductor and mold die therefor, and device for fabricating semiconductor using the same
JPH08330343A (en) Electronic component resin-sealing device and resin sealing method using the device
JPH05267531A (en) Resin-sealed semiconductor device and manufacture thereof
JPH09260410A (en) Manufacture and manufacturing equipment for resin sealing type semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050304

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070202

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070601