JP2002040111A - Logic semiconductor testing apparatus - Google Patents

Logic semiconductor testing apparatus

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JP2002040111A
JP2002040111A JP2000231404A JP2000231404A JP2002040111A JP 2002040111 A JP2002040111 A JP 2002040111A JP 2000231404 A JP2000231404 A JP 2000231404A JP 2000231404 A JP2000231404 A JP 2000231404A JP 2002040111 A JP2002040111 A JP 2002040111A
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JP
Japan
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failure analysis
signal
analysis memory
pattern
test
Prior art date
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JP2000231404A
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Japanese (ja)
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Satoshi Ozora
聡 大空
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Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a logic semiconductor testing device to perform clock frequency screening tests on a plurality of DUTs by simultaneous measurements at a high speed. SOLUTION: (1) The same test signal is impressed on the plurality of DUTs, and the logical patterns of response signals from the plurality of DUTs are logically compared with expected value patterns from a pattern generator at each pattern comparator. The results of the logical comparison are stored in the failure analysis memory of a failure analysis memory part to perform the clock frequency screening tests in the logic semiconductor testing device for simultaneous measurements and testings. The logic semiconductor testing device is provided with (2) a fail register provided on the preceding stage of the failure analysis memory to store total fails signal DUT by DUT and (3) a failure analysis memory control part for fetching the contents of the fail register in the failure analysis memory and to perform control, when the frequency screening tests are completed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、DUT(被試験
デバイス)であるロジック半導体LSIの同時測定試験
において、LSIのクロック周波数選別試験を行うロジ
ック半導体試験装置に関する。半導体デバイスには、ロ
ジック半導体、半導体メモリ及びロジックとメモリとア
ナログ部門を混在するミクスド半導体のデバイスがあ
る。この発明はロジック半導体試験装置に関するが、ミ
クスド半導体試験装置にも適用できる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a logic semiconductor test apparatus for performing a clock frequency selection test of a logic semiconductor LSI, which is a DUT (device under test), in a simultaneous measurement test. Semiconductor devices include a logic semiconductor, a semiconductor memory, and a mixed semiconductor device in which logic, memory, and an analog department are mixed. The present invention relates to a logic semiconductor test device, but is also applicable to a mixed semiconductor test device.

【0002】[0002]

【従来の技術】先ず、ロジック半導体試験装置の概略に
ついて説明する。図6にロジック半導体試験装置の基本
的なブロック図を示す。一般にテストプロセッサと呼ば
れる制御装置30は、装置全体の制御を行い、テスタバ
スにより各部署のユニットに制御信号を与える。
2. Description of the Related Art First, an outline of a logic semiconductor test apparatus will be described. FIG. 6 shows a basic block diagram of the logic semiconductor test apparatus. The control device 30, which is generally called a test processor, controls the entire device, and supplies control signals to the units of each department via a tester bus.

【0003】パターン発生器31は、DUT(被試験デ
バイス)25i(i=1〜n)に与える印加パターン
と、パターン比較器37i(i=1〜n)に与える期待
値パターンを生成する。DUT等が複数有るのは、平行
して同時測定(以後、「同測」という)の試験を行うか
らである。基準クロック発生器32は、パターン発生器
31からのクロック制御信号を受け、高精度の複数の基
準クロックを生成し、パターン発生器31やタイミング
発生器33等に供給する。
A pattern generator 31 generates an applied pattern to be applied to a DUT (device under test) 25i (i = 1 to n) and an expected value pattern to be applied to a pattern comparator 37i (i = 1 to n). The reason why there are a plurality of DUTs or the like is that a test of simultaneous measurement (hereinafter referred to as “simultaneous measurement”) is performed in parallel. The reference clock generator 32 receives a clock control signal from the pattern generator 31, generates a plurality of high-precision reference clocks, and supplies them to the pattern generator 31, the timing generator 33, and the like.

【0004】タイミング発生器33は、装置全体のテス
ト周期信号やテストのタイミングをとるために、タイミ
ングパルス信号を生成してパターン発生器31、波形整
形器34i(i=1〜n)やパターン比較器37(i=
1〜n)等に与え、テストのタイミングをとる。波形整
形器34iは、パターン発生器31からの印加パターン
をテスト信号波形に整形し、図示していないが、ドライ
バを経てDUT25iにテスト信号を与える。
The timing generator 33 generates a timing pulse signal to determine a test period signal and a test timing of the entire apparatus, and generates a pattern generator 31, a waveform shaper 34i (i = 1 to n) and a pattern comparator. Container 37 (i =
1 to n) and the like, and the timing of the test is set. The waveform shaper 34i shapes the applied pattern from the pattern generator 31 into a test signal waveform, and supplies a test signal to the DUT 25i via a driver (not shown).

【0005】DUT25iはDUT差込部27の各差込
部27iに挿入されて試験される。DUT25iから読
み出された応答信号は、図示していないが、コンパレー
タで電圧比較され、その結果の論理パターン信号をパタ
ーン比較器37iに与える。パターン比較器37iは、
コンパレータからの試験結果の論理パターンとパターン
発生器31からの期待値パターンとを論理比較して一致
・不一致を検出し、DUT25iの良否判定を行う。判
定の結果は不良解析メモリ部39に伝送すると共に、1
つでも不良(フェイル)が発生するとフェイル信号をフ
ェイル信号生成器38に送出する。
[0005] The DUT 25i is inserted into each insertion portion 27i of the DUT insertion portion 27 and tested. Although not shown, the response signal read from the DUT 25i is compared with a voltage by a comparator, and the resulting logical pattern signal is given to a pattern comparator 37i. The pattern comparator 37i
The logical pattern of the test result from the comparator and the expected value pattern from the pattern generator 31 are logically compared to detect a match / mismatch, and the pass / fail judgment of the DUT 25i is performed. The result of the determination is transmitted to the failure analysis memory unit 39 and 1
If any failure occurs, a fail signal is sent to the fail signal generator 38.

【0006】フェイル信号生成器38は、パターン比較
器37iからのフェイル信号を受け、DUT単位のフェ
イル信号を生成してパターン発生器31に与える。不良
解析メモリ部39は、パターン発生器31からの取込制
御信号を受け、パターン比較器37iからの不良情報と
パターン発生器31からのアドレス情報等をメモリす
る。
The fail signal generator 38 receives a fail signal from the pattern comparator 37i, generates a fail signal for each DUT, and supplies it to the pattern generator 31. The failure analysis memory unit 39 receives the capture control signal from the pattern generator 31 and stores failure information from the pattern comparator 37i, address information from the pattern generator 31, and the like.

【0007】図7に、不良解析に関する従来の不良解析
メモリ部39とパターン発生器31の一例の内部構成図
を示す。不良解析メモリ部39とパターン発生器31の
各部はテスタバスを介して制御装置30によって制御さ
れている。不良解析メモリ部39は、フェイル検出部4
0、不良解析メモリ制御部41及び不良解析メモリ42
とで構成されている。
FIG. 7 shows an internal configuration diagram of an example of a conventional failure analysis memory section 39 and a pattern generator 31 relating to failure analysis. Each part of the failure analysis memory section 39 and the pattern generator 31 is controlled by the control device 30 via a tester bus. The failure analysis memory unit 39 includes the failure detection unit 4
0, failure analysis memory control unit 41 and failure analysis memory 42
It is composed of

【0008】フェイル検出部40は、フェイル信号生成
器38からのDUT単位のフェイル信号を受け、フェイ
ル信号を不良解析メモリ制御部41及びパターン発生器
31のシーケンス制御部50にフェイル信号を伝送す
る。不良解析メモリ制御部41は、フェイル検出部40
からのフェイル信号を受け、メモリ取込信号を不良解析
メモリ42等に送出する。不良解析メモリ42は、不良
解析メモリ制御部41からのメモリ取込制御信号時に、
フェイル検出部40からのフェイル信号と、シーケンス
制御部50からのパターンアドレス信号と、パターンカ
ウント信号とをメモリする。
The fail detector 40 receives a fail signal in DUT units from the fail signal generator 38 and transmits the fail signal to the failure analysis memory controller 41 and the sequence controller 50 of the pattern generator 31. The failure analysis memory control unit 41 includes a failure detection unit 40
And sends a memory fetch signal to the failure analysis memory 42 or the like. The failure analysis memory 42 receives a memory fetch control signal from the failure analysis memory control unit 41,
The fail signal from the fail detector 40, the pattern address signal from the sequence controller 50, and the pattern count signal are stored in the memory.

【0009】パターン発生器31は、シーケンス制御部
50、パターンデータメモリ51及び制御データメモリ
52とから成っているが、不良解析に関しては、シーケ
ンス制御部50からのパターンアドレス信号とパターン
カウント信号とを不良解析メモリ42に与えている。パ
ターンカウントとは、テストパターンが何回発生したか
の回数であって、パターン発生器31で計数しており、
パターンアドレスとは異なる。
The pattern generator 31 comprises a sequence control unit 50, a pattern data memory 51 and a control data memory 52. For failure analysis, a pattern address signal and a pattern count signal from the sequence control unit 50 are used. It is provided to the failure analysis memory 42. The pattern count is the number of times the test pattern has been generated, and is counted by the pattern generator 31.
Different from pattern address.

【0010】ロジック半導体試験装置では、この不良解
析メモリ42に格納されたトータルフェイル、パターン
アドレス及びパターンカウントを用いて不良解析を行
う。トータルフェイルとは、いずれか1つの信号がフェ
イルすることをいい、そのときフラッグが立つようにし
ている。いずれの試験項目でも、この構成で測定してお
り、CPU等のクロック周波数選別試験においてもこの
構成で試験している。
In the logic semiconductor test apparatus, failure analysis is performed using the total failure, pattern address and pattern count stored in the failure analysis memory 42. Total failure means that any one signal fails, and a flag is set at that time. All the test items are measured with this configuration, and the clock frequency selection test for the CPU and the like is also performed with this configuration.

【0011】図8に、従来実施のクロック周波数選別試
験の解析も行うDUT測定フローチャートを示す。試験
スタート100で試験を開始する。次に、周波数設定1
01を行う。クロック周波数設定とその周波数判定とは
制御装置30でのメインプログラムで行い、テスタバス
を介して設定する。それ以外の動作はハードウェハ側で
行う。周波数設定101を行うとパターンスタート10
2する。次にフェイル検出部40で受けるDUT単位の
フェイル信号でもってDUT単位でフェイルしたかの判
断103を行う。YESのときは不良解析メモリ42に
メモリ書き込み106を行い、不良解析を行う。不良解
析後に全DUTがフェイルしたかの判断107を行い、
NOのときには再び103ステップのDUT単位でフェ
イルしたかの判断103に戻る。YESのときは全周波
数試験終了の判断108に移る。
FIG. 8 shows a DUT measurement flowchart for analyzing the clock frequency selection test of the prior art. The test starts at test start 100. Next, frequency setting 1
Perform 01. The setting of the clock frequency and the determination of the frequency are performed by a main program in the control device 30, and are set via a tester bus. Other operations are performed on the hardware wafer side. When frequency setting 101 is performed, pattern start 10
2 Next, it is determined 103 based on the DUT unit fail signal received by the fail detection unit 40 whether or not a failure has occurred in the DUT unit. If YES, a memory write 106 is performed in the failure analysis memory 42 to perform failure analysis. After the failure analysis, a determination 107 is made as to whether all DUTs have failed.
When the determination is NO, the process returns to the determination 103 of whether or not a failure has been made in DUT units in step 103. If the determination is YES, the process proceeds to the determination 108 of the end of the all-frequency test.

【0012】103ステップのDUT単位でフェイルし
たかの判断103でNOのときは、パターンが終了した
かの判断104を行う。NOのときは再び103ステッ
プのDUT単位でフェイルしたかの判断に戻る。YES
のときは全周波数試験終了の判断108に移る。全周波
数試験終了の判断108でNOのときは、次の周波数設
定を行って繰り返す。YESのときは試験終了109と
なる。
If the determination in step 103 as to whether or not a failure has occurred in DUT units is NO, a determination is made in step 104 as to whether or not the pattern has been completed. If the determination is NO, the process returns to the step 103 to determine whether or not the DUT has failed. YES
In the case of, the process proceeds to the judgment 108 of the end of the all frequency test. If the determination 108 of the end of the all-frequency test is NO, the next frequency setting is performed and repeated. If YES, the test ends 109.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】従来の構成や手順でも
充分にクロック周波数選別試験を行うことができる。し
かしながら、従来の同測試験ではDUT25iのいずれ
か1つでもフェイルする度にトータルフェイル信号とパ
ターンアドレス信号とパターンカウント信号とを不良解
析メモリ42に格納し、その不良解析を行っている。
The clock frequency selection test can be sufficiently performed with the conventional configuration and procedure. However, in the conventional measurement test, each time any one of the DUTs 25i fails, the total fail signal, the pattern address signal, and the pattern count signal are stored in the failure analysis memory 42, and the failure analysis is performed.

【0014】従来の不良解析メモリ42の容量は、25
6〜1,000ワードと比較的少ないため、クロック周
波数選別試験を行うときには容量が不足し、それぞれの
周波数試験でのフェイル毎に不良解析を行わなければな
らない。このために長時間の試験時間を要していた。こ
の試験時間を短縮するためには、クロック周波数選別試
験のために大容量の不良解析メモリを持たなければなら
なくなる。
The capacity of the conventional failure analysis memory 42 is 25
Since the clock frequency selection test is performed with a relatively small number of 6 to 1,000 words, the capacity is insufficient, and a failure analysis must be performed for each failure in each frequency test. This required a long test time. In order to shorten the test time, it is necessary to have a large capacity failure analysis memory for a clock frequency selection test.

【0015】この発明は、LSIのクロック周波数選別
試験のような場合、周波数を変化させて、どのDUTが
どの周波数でフェイルしたかという情報のみが必要であ
り、フェイルの度に不良解析は必要としないという特性
に鑑み、従来の不良解析メモリを用い、若干のデバイス
を追加することにより、高速にクロック周波数選別試験
ができるロジック半導体試験装置を提供することにあ
る。
According to the present invention, in the case of an LSI clock frequency selection test, only information on which DUT failed at which frequency by changing the frequency is required, and failure analysis is required for each failure. In view of such a characteristic, it is an object of the present invention to provide a logic semiconductor test apparatus capable of performing a clock frequency selection test at a high speed by using a conventional failure analysis memory and adding a few devices.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、従来の不良解析メモリの前段に数ワー
ドの小容量のフェイルレジスタを設け、DUT単位のト
ータルフェイル信号をDUT毎及び周波数毎に格納す
る。フェイルレジスタが単独のフリップフロップのとき
はクロック周波数試験測定毎に格納する。更にフリップ
フロップを従属に複数段接続した例えばFIFO等のレ
ジスタ等を用いた場合には全周波数試験測定を連続的に
格納する。つまり、クロック周波数選別試験の際は、フ
ェイル毎の不良解析をせずに、現象のみを記録して試験
を続行する。所定の周波数選別試験が終了した段階で、
不良解析メモリ制御部からのメモリ取込制御信号でもっ
て不良解析メモリに転送する。次に、発明の構成を記述
する。
In order to achieve the above object, according to the present invention, a small-capacity fail register of several words is provided at the preceding stage of a conventional failure analysis memory, and a total fail signal in DUT units is provided for each DUT. Store for each frequency. When the fail register is a single flip-flop, it is stored every clock frequency test measurement. Further, when a register such as a FIFO in which a plurality of flip-flops are subordinately connected is used, all frequency test measurements are stored continuously. In other words, in the clock frequency selection test, the failure is not analyzed for each failure, and only the phenomenon is recorded to continue the test. At the stage when the predetermined frequency selection test is completed,
The data is transferred to the failure analysis memory by a memory fetch control signal from the failure analysis memory control unit. Next, the configuration of the invention will be described.

【0017】第1発明は、クロック周波数選別試験を行
う基本的な発明である。つまり、複数のDUTに同一
テスト信号を印加し、該複数のDUTからの応答信号の
論理パターンとパターン発生器からの期待値パターンと
をそれぞれのパターン比較器で論理比較し、その結果を
不良解析メモリ部の不良解析メモリに記憶してクロック
周波数選別試験を行う同時測定試験用のロジック半導体
試験装置であって、不良解析メモリの前段に設けら
れ、DUT単位のトータルフェイル信号を格納するフェ
イルレジスタと、周波数選別試験が終了時に、該フェ
イルレジスタの内容を上記不良解析メモリに取込制御を
行う不良解析メモリ制御部とを具備するロジック半導体
試験装置である。
The first invention is a basic invention for performing a clock frequency selection test. That is, the same test signal is applied to a plurality of DUTs, the logical pattern of response signals from the plurality of DUTs and the expected value pattern from the pattern generator are logically compared by respective pattern comparators, and the results are analyzed for failure. A logic semiconductor test apparatus for a simultaneous measurement test for performing a clock frequency selection test by storing in a failure analysis memory of a memory unit, the failure register being provided in a stage preceding the failure analysis memory and storing a total fail signal in DUT units. And a failure analysis memory control unit that takes in the contents of the fail register into the failure analysis memory when the frequency selection test is completed.

【0018】第2発明は、従来試験も行えるようにし実
用において有効な発明である。つまり、複数のDUT
に同一テスト信号を印加し、該複数のDUTからの応答
信号の論理パターンとパターン発生器からの期待値パタ
ーンとをそれぞれのパターン比較器で論理比較し、その
結果を不良解析メモリ部の不良解析メモリに記憶して不
良解析を行い、更にクロック周波数選別試験も行う同時
測定試験が可能なロジック半導体メモリ試験装置であっ
て、DUT単位のトータルフェイル信号とパターンア
ドレス信号とパターンカウント信号を受け、クロック周
波数選別試験時にはトータルフェイル信号のみをフェイ
ルレジスタに伝送し、他の試験時には受けた信号を直接
不良解析メモリに伝送するように切り換える信号切換器
と、信号切換器からのDUT単位のトータルフェイル
信号を受けて格納するフェイルレジスタと、クロック
周波数選別試験時には周波数選別試験が終了時に該フェ
イルレジスタの内容を上記不良解析メモリに取込制御を
行い、他の試験時にはトータルフェイル信号時にDUT
単位のトータルフェイル信号とパターンアドレス信号と
パターンカウント信号を上記不良解析メモリに取込制御
を行う不良解析メモリ制御部とを具備するロジック半導
体試験装置である。
The second invention is an invention which is effective in practical use by allowing conventional tests to be performed. In other words, multiple DUTs
The same test signal is applied to each of the plurality of DUTs, and the logical patterns of the response signals from the plurality of DUTs and the expected value pattern from the pattern generator are logically compared by the respective pattern comparators. A logic semiconductor memory test device capable of simultaneous measurement testing in which a failure is stored in a memory, performs a failure analysis, and further performs a clock frequency selection test. The logic semiconductor memory testing device receives a total fail signal, a pattern address signal, and a pattern count signal for each DUT, and A signal switch that transmits only the total fail signal to the fail register during the frequency selection test, and a signal switch that transmits the received signal directly to the failure analysis memory during other tests, and a total fail signal in DUT units from the signal switch Fail register for receiving and storing, and clock frequency selection test Number screening test performs capture control the contents of the fail register at the end to the failure analysis memory, DUT during other tests during total fail signal
The logic semiconductor test apparatus includes a failure analysis memory control unit that performs control of taking in a total failure signal, a pattern address signal, and a pattern count signal of the unit into the failure analysis memory.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】発明の実施の形態を、実施例に基
づき図面を参照して説明する。図1に本発明の一実施例
の構成図を、図2に本発明の他の実施例の構成図を、図
3に本発明の一実施例の測定フローチャートを、図4に
本発明のフェイルレジスタに格納されるDUT毎及び周
波数毎の良(PASS)・不良(FAIL)の概念図を、図5に
フェイルレジスタ及び不良解析メモリに格納されるDU
T毎及び周波数毎の良・不良の一例の構成図を示す。上
記の各図において、図6及び図7と同一部分には同一符
号を付す。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described based on examples with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram of another embodiment of the present invention, FIG. 3 is a measurement flowchart of one embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 5 is a conceptual diagram of good (PASS) / bad (FAIL) for each DUT and each frequency stored in the register. FIG. 5 shows DUs stored in the fail register and the failure analysis memory.
FIG. 4 is a configuration diagram showing an example of good / bad for each T and each frequency. In the above drawings, the same parts as those in FIGS. 6 and 7 are denoted by the same reference numerals.

【0020】図1の構成図は基本的な発明である、この
図1に示すクロック周波数選別試験を行う同時測定試験
用のロジック半導体試験装置について、従来の構成図で
ある図7と比べて相違点を説明する。従来技術では、不
良解析メモリ42にフェイル信号とパターンアドレス信
号とパターンカウント信号を与えて格納していた。この
発明では、不良解析メモリ42の前段にフェイルレジス
タ11を設け、このフェイルレジスタ11にDUT単位
のトータルフェイル信号のみを供給しフェイルすると格
納する。DUT単位のトータルフェイル信号とは、DU
T単位でその各ピンのいずれかがフェイルした信号をい
う。
The configuration diagram of FIG. 1 is a basic invention, and is different from the conventional configuration diagram of FIG. 7 in a logic semiconductor test apparatus for a simultaneous measurement test for performing a clock frequency selection test shown in FIG. Points will be described. In the prior art, a fail signal, a pattern address signal, and a pattern count signal are provided and stored in the failure analysis memory 42. According to the present invention, the fail register 11 is provided in the preceding stage of the failure analysis memory 42, and only the total fail signal in the unit of DUT is supplied to the fail register 11 and stored when the failure occurs. The total fail signal for each DUT is DU
A signal in which any one of the pins fails in T units.

【0021】そしてテスト周波数を低い周波数から高い
周波数に変えていくとすると、最初のトータルフェイル
信号をDUT毎に周波数毎に区分して格納する。それ以
降の高い周波数ではフェイルとみなすことができるから
であり、そのDUTの試験はその後停止させてもよい。
フェイルレジスタ11は試験開始時に1度だけクリアす
るとよい。このフェイルレジスタ11に格納されるDU
T毎及び周波数毎の良(PASS)・不良(FAIL)の概念図
を図4に示す。
If the test frequency is changed from a low frequency to a high frequency, the first total fail signal is stored for each DUT for each frequency. This is because a higher frequency thereafter can be regarded as a failure, and the test of the DUT may be stopped thereafter.
The fail register 11 may be cleared only once at the start of the test. DU stored in the fail register 11
FIG. 4 shows a conceptual diagram of good (PASS) and bad (FAIL) for each T and each frequency.

【0022】図4では、一例として試験周波数を、100M
Hz、125MHz、133MHz、150MHz、166MHz、200MHzとしてい
る。ここでは、100MHzの試験では全DUT25iがPA
SS(良)し、125MHzの試験ではDUT251 のみがF
AIL(不良)しており、DUT251 は以後フェイル
とみなしている。133MHzの試験ではDUT25iのみが
FAILしており、200MHzの試験では全DUTがFAI
Lしている。これらのPASS・FAILをフェイルレジスタ1
1に格納するときは、フェイルレジスタ11は最初にク
リアされており“0”であるので、トータルフェイル信
号が伝送されたときにセットし“1”にするとよい。
In FIG. 4, as an example, the test frequency is set to 100 M
Hz, 125 MHz, 133 MHz, 150 MHz, 166 MHz, and 200 MHz. Here, in the test of 100 MHz, all DUTs 25i are PA
SS (good), only DUT 25 1 has F in 125 MHz test
AIL (poor) to have, DUT25 1 is regarded as a subsequent fail. In the 133 MHz test, only the DUT 25i failed. In the 200 MHz test, all DUTs failed.
L. These PASS / FAIL are set to fail register 1
When the value is stored in "1", the fail register 11 is initially cleared and is "0". Therefore, it is preferable to set the value to "1" when the total fail signal is transmitted.

【0023】図5に、図4の概念を具現化した一構成例
を示す。フェイルレジスタ11はDUT25i毎に単独
のフリップフロップもしくは周波数試験回数に相当する
複数段のフリップフロップを従属接続したレジスタ等を
有している。そしてフェイル信号生成器38からのトー
タルフェイル信号を1周波数試験毎にセットするように
している。フェイルレジスタ11のデータ内容は、不良
解析メモリ制御部41からのメモリ取込制御信号時に不
良解析メモリ42に転送される。
FIG. 5 shows an example of a configuration embodying the concept of FIG. The fail register 11 has a single flip-flop for each DUT 25i or a register in which a plurality of stages of flip-flops corresponding to the number of frequency tests are cascaded. The total fail signal from the fail signal generator 38 is set for each frequency test. The data content of the fail register 11 is transferred to the failure analysis memory 42 at the time of a memory fetch control signal from the failure analysis memory control unit 41.

【0024】フェイルレジスタ11が単独のフリップフ
ロップの場合には、1クロック周波数試験終了後毎にデ
ータを不良解析メモリ42に転送する。また、周波数試
験回数に相当する容量を有するレジスタ、例えばFIF
Oレジスタ等を用いると全てのクロック周波数試験終了
後に全てのデータを一度に転送する。いずれでもよい。
不良解析メモリ42には、図5に示すように、図4の概
念図と同様にデータが格納される。
When the fail register 11 is a single flip-flop, data is transferred to the failure analysis memory 42 every time one clock frequency test is completed. Also, a register having a capacity corresponding to the number of frequency tests, for example, a FIFO
If an O register or the like is used, all data is transferred at once after all clock frequency tests are completed. Either may be used.
As shown in FIG. 5, data is stored in the failure analysis memory 42 as in the conceptual diagram of FIG.

【0025】図3に、この発明の一例の測定フローチャ
ートを示す。このフローチャートは、フェイルレジスタ
11に単独のフリップフロップを用いて、1つのクロッ
ク周波数試験終了後に全てのデータを転送する場合であ
る。従ってフェイルレジスタ11の容量は同測試験のD
UT25iの数だけでよく、数ワード以下で済む。従来
技術の図8の測定フローチャートと比較する。従来技術
では、DUT単位でフェイルしたかの判断103で、Y
ESのときメモリ書き込み106をした。メモリ書き込
みは同時にパターンアドレスとパターンカウントも同時
に行っていたが、メモリの容量が比較的少ないためこの
段階で不良解析を行っていた。不良解析後に次のステッ
プに移った。
FIG. 3 shows a measurement flowchart according to an example of the present invention. This flowchart shows a case where all data is transferred after one clock frequency test is completed using a single flip-flop for the fail register 11. Therefore, the capacity of the fail register 11 is D
Only the number of UTs 25i is sufficient, and only a few words or less are required. Compare with the measurement flowchart of FIG. 8 of the prior art. In the prior art, the determination 103 as to whether or not a failure has occurred on a DUT basis,
At the time of ES, memory writing 106 was performed. The memory writing was performed simultaneously with the pattern address and the pattern count, but the failure analysis was performed at this stage because the memory capacity was relatively small. After the failure analysis, it moved to the next step.

【0026】図3のこの発明では、DUT単位でフェイ
ルしたかの判断203で、YESのときはフェイルレジ
スタにセット204するようにする。従来の不良解析は
省略する。つまり、クロック周波数選別試験の際は、フ
ェイル毎の不良解析をせずに、現象のみを記録して試験
を続行させる。そして、全DUTがフェイルした205
の場合と、パターンが終了した207の場合にメモリ書
き込み206を行い、全周波数の試験終了208の判断
でYESにときに試験終了209となる。その後に、試
験データに従ってDUT25iは選別される。
In the present invention shown in FIG. 3, if it is determined 203 as to whether or not a failure has occurred on a DUT basis, the result is set 204 in a fail register. The conventional failure analysis is omitted. That is, at the time of the clock frequency selection test, the failure is not analyzed for each failure, and only the phenomenon is recorded to continue the test. And all DUTs failed 205
In the case of, and in the case of the pattern end 207, the memory writing 206 is performed, and when the determination of the test end 208 of all frequencies is YES, the test end 209 is reached. Thereafter, the DUT 25i is sorted according to the test data.

【0027】図2に実用に際して有効な他の実施例を示
す。図2及び図7を参照して相違点を説明する。図1の
構成は、クロック周波数選別試験においては優れた機能
を有している。従来技術の図7の構成は、その他の試
験、例えば論理パターンの良否試験等に不良解析に優れ
ている。そこで、双方の試験が行えるように信号切換器
12を追加して設けた。
FIG. 2 shows another embodiment which is effective in practical use. The difference will be described with reference to FIGS. The configuration of FIG. 1 has an excellent function in the clock frequency selection test. The configuration of FIG. 7 of the related art is excellent in failure analysis for other tests, for example, a pass / fail test of a logic pattern. Therefore, a signal switch 12 is additionally provided so that both tests can be performed.

【0028】信号切換器12には、DUT単位のトータ
ルフェイル信号、パターンアドレス信号及びパターンカ
ウント信号を入力させる。そして、クロック周波数選別
試験においては、信号切換器12を切り換えてDUT単
位のトータルフェイル信号のみをフェイルレジスタ11
に供給し、前述したクロック周波数選別試験を行う。そ
の他の試験時には、信号切換器12を切り換えてDUT
単位のトータルフェイル信号とパターンアドレス信号と
パターンカウント信号とを直接不良解析メモリ42に供
給して従来の試験を行う。
The signal switch 12 is supplied with a total fail signal, a pattern address signal and a pattern count signal for each DUT. Then, in the clock frequency selection test, the signal switch 12 is switched so that only the total fail signal in DUT units is
To perform the above-described clock frequency selection test. During other tests, the signal switch 12 is switched to
The conventional test is performed by directly supplying the unit total fail signal, the pattern address signal, and the pattern count signal to the failure analysis memory 42.

【0029】不良解析メモリ制御部41は、クロック周
波数選別試験時には周波数選別試験が終了時にフェイル
レジスタ11の内容を不良解析メモリ42に取り込む取
込制御を行い、他の試験時にはDUT単位のトータルフ
ェイル信号とパターンアドレス信号とパターンカウント
信号とを不良解析メモリ42に取り込む取込制御を行
う。よって、クロック周波数選別試験のみで無く、全て
の試験が高速に行えるようになる。
The failure analysis memory control unit 41 controls the taking in of the contents of the fail register 11 into the failure analysis memory 42 at the end of the frequency selection test at the time of the clock frequency selection test, and the total failure signal of the DUT unit at the time of another test. And the pattern address signal and the pattern count signal are taken into the failure analysis memory 42. Therefore, not only the clock frequency selection test but also all tests can be performed at high speed.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上詳細に説明してきたように、この発
明は、従来のロジック半導体試験装置に数ワード以下の
小容量のフェイルレジスタ11を不良解析メモリ42の
前段に追加することにより、高速にクロック周波数選別
試験が行えるようになった。
As has been described in detail above, the present invention provides a conventional logic semiconductor test apparatus in which a small-capacity fail register 11 of several words or less is added in front of the failure analysis memory 42, thereby achieving high-speed operation. Clock frequency selection test can be performed.

【0031】更に、信号切換器12を設けてDUT単位
のトータルフェイル信号とパターンアドレス信号とパタ
ーンカウント信号とを切り換え、クロック周波数選別試
験時にはトータルフェイル信号のみをフェイルレジスタ
に格納し、他の試験時には3つの信号を直接不良解析メ
モリ42に格納するようにした。従って、全ての試験が
可能で、高速試験が行えるようになった。この発明は実
用に供してその効果は大である。
Further, a signal switch 12 is provided to switch between a total fail signal, a pattern address signal, and a pattern count signal in units of DUT, so that only the total fail signal is stored in the fail register at the time of the clock frequency selection test, and at the time of another test. The three signals are directly stored in the failure analysis memory 42. Therefore, all tests can be performed and high-speed tests can be performed. The present invention is put to practical use and its effect is great.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施例の構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of another embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例の測定フローチャートであ
る。
FIG. 3 is a measurement flowchart of one embodiment of the present invention.

【図4】本発明のフェイルレジスタ11に格納されるD
UT25i毎及び周波数毎の良・不良の概念図である。
FIG. 4 shows D stored in a fail register 11 of the present invention.
It is a conceptual diagram of good / bad for every UT25i and every frequency.

【図5】本発明でフェイルレジスタ11及び不良解析メ
モリ42に格納されるDUT25i毎及び周波数毎の良
・不良の一例の構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of an example of good / bad for each DUT 25i and each frequency stored in the fail register 11 and the failure analysis memory 42 according to the present invention.

【図6】半導体ロジック試験装置の基本的な一例のブロ
ック構成図である。
FIG. 6 is a block diagram of a basic example of a semiconductor logic test apparatus.

【図7】従来の不良解析に必要な不良解析メモリ部39
とパターン発生器31の一例の内部構成図である。
FIG. 7 shows a failure analysis memory unit 39 required for conventional failure analysis.
FIG. 2 is an internal configuration diagram of an example of a pattern generator 31.

【図8】従来実施のクロック周波数選別試験の解析も行
うDUT測定フローチャートである。
FIG. 8 is a DUT measurement flowchart that also performs analysis of a clock frequency selection test according to the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 不良解析メモリ部 11 フェイルレジスタ 12 信号切換器 25i(i=1〜n) DUT(被試験デバイス) 27、27i(i=1〜n) DUT差込部 30 制御装置(テストプロセッサ) 31 パターン発生器 32 基準クロック発生器 33 タイミング発生器 34i(i=1〜n) 波形整形器 37i(i=1〜n) パターン比較器 38 フェイル信号生成器 39 不良解析メモリ部 40 フェイル検出部 41 不良解析メモリ制御部 42 不良解析メモリ 50 シーケンス制御部 51 パターンデータメモリ 52 制御データメモリ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Failure analysis memory unit 11 Fail register 12 Signal switch 25i (i = 1 to n) DUT (device under test) 27, 27i (i = 1 to n) DUT insertion unit 30 Control device (test processor) 31 Pattern generation Device 32 reference clock generator 33 timing generator 34i (i = 1 to n) waveform shaper 37i (i = 1 to n) pattern comparator 38 fail signal generator 39 failure analysis memory unit 40 failure detection unit 41 failure analysis memory Control unit 42 Failure analysis memory 50 Sequence control unit 51 Pattern data memory 52 Control data memory

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G01R 31/28 R P ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G01R 31/28 R P

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のDUTに同一テスト信号を印加
し、該複数のDUTからの応答信号の論理パターンとパ
ターン発生器からの期待値パターンとをそれぞれのパタ
ーン比較器で論理比較し、その結果を不良解析メモリ部
の不良解析メモリに記憶してクロック周波数選別試験を
行う同時測定試験用のロジック半導体試験装置におい
て、 不良解析メモリの前段に設けられ、DUT単位のトータ
ルフェイル信号を格納するフェイルレジスタと、 周波数選別試験が終了時に、該フェイルレジスタの内容
を上記不良解析メモリに取込制御を行う不良解析メモリ
制御部と、 を具備することを特徴とするロジック半導体試験装置。
1. The same test signal is applied to a plurality of DUTs, and a logical pattern of a response signal from the plurality of DUTs and an expected value pattern from a pattern generator are logically compared by respective pattern comparators. Register in the failure analysis memory of the failure analysis memory unit for performing a clock frequency selection test for a simultaneous measurement test, a fail register which is provided at the preceding stage of the failure analysis memory and stores a total fail signal for each DUT. And a failure analysis memory control unit for taking in the contents of the fail register into the failure analysis memory when the frequency selection test is completed, and a failure analysis memory control unit.
【請求項2】 複数のDUTに同一テスト信号を印加
し、該複数のDUTからの応答信号の論理パターンとパ
ターン発生器からの期待値パターンとをそれぞれのパタ
ーン比較器で論理比較し、その結果を不良解析メモリ部
の不良解析メモリに記憶して不良解析を行い、更にクロ
ック周波数選別試験も行う同時測定試験が可能なロジッ
ク半導体試験装置において、 DUT単位のトータルフェイル信号とパターンアドレス
信号とパターンカウント信号を受け、クロック周波数選
別試験時にはトータルフェイル信号のみをフェイルレジ
スタに伝送し、他の試験時には受けた信号を直接不良解
析メモリに伝送するように切り換える信号切換器と、 信号切換器からのDUT単位のトータルフェイル信号を
受けて格納するフェイルレジスタと、 クロック周波数選別試験時には周波数選別試験が終了時
に該フェイルレジスタの内容を上記不良解析メモリに取
込制御を行い、他の試験時にはトータルフェイル信号時
にDUT単位のトータルフェイル信号とパターンアドレ
ス信号とパターンカウント信号を上記不良解析メモリに
取込制御を行う不良解析メモリ制御部と、 を具備することを特徴とするロジック半導体試験装置。
2. The same test signal is applied to a plurality of DUTs, and a logical pattern of a response signal from the plurality of DUTs and an expected value pattern from a pattern generator are logically compared by respective pattern comparators. In the failure analysis memory of the failure analysis memory section to perform failure analysis, and also to perform a clock frequency selection test. A signal switch that receives signals and transmits only the total fail signal to the fail register during the clock frequency selection test, and switches the received signal directly to the failure analysis memory during other tests, and a DUT unit from the signal switch A fail register that receives and stores the total fail signal of At the time of the wave number selection test, when the frequency selection test is completed, the contents of the fail register are fetched into the failure analysis memory, and at the time of other tests, the total failure signal, the pattern address signal, and the pattern count signal of the DUT unit are transmitted at the time of the total failure signal. And a failure analysis memory control unit for performing a loading control to the failure analysis memory.
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