JP2002040051A - Probe card - Google Patents

Probe card

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JP2002040051A
JP2002040051A JP2000218357A JP2000218357A JP2002040051A JP 2002040051 A JP2002040051 A JP 2002040051A JP 2000218357 A JP2000218357 A JP 2000218357A JP 2000218357 A JP2000218357 A JP 2000218357A JP 2002040051 A JP2002040051 A JP 2002040051A
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JP
Japan
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probe
sub
conductive pattern
main
substrate
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Application number
JP2000218357A
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Japanese (ja)
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Masao Okubo
昌男 大久保
Kazumasa Okubo
和正 大久保
Hiroshi Iwata
浩 岩田
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Japan Electronic Materials Corp
Original Assignee
Japan Electronic Materials Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe card conformable to a measuring matter chip such as a miniaturized, highly dense and highly integrated present-day LSI chip. SOLUTION: This probe card used for the measurement of electric characteristics of an LSI chip 900 that is the measuring matter comprises a main board 200 having a main conductive pattern 210 formed thereon; a probe 100 having a contact part 110 to make contact with the electrode pad 910 of the LSI chip 900 at the tip and a sharpened connection part 120 at the rear end; a sub-board 300 interposed between the probe 100 and the main board 200 and having a sub-conductive pattern 310 for connecting the probe 100 to the main conductive pattern 210 of the main board 200; and a conductive spring 400 to be fitted to a via hole 320 opened in the sub-board 300 for exposing one end 312 of the sub-conductive pattern 310 and brought into contact with the one end 312. The connection part 120 at the rear end of the probe 100 is connected to the spring 400.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LSI等の半導体
集積回路を測定対象物としたプローブカードに関する。
The present invention relates to a probe card using a semiconductor integrated circuit such as an LSI as an object to be measured.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のプローブカードには、大別して、
カンチレバー型と呼ばれる横型タイプと、垂直型と呼ば
れる縦型タイプとの2種類がある。このカンチレバー型
は、多くの優れた性能を有しているが、近年はLSIの
微細か、高速化、高集積化の進展、測定機器の多重化に
伴う複数個同時測定等に対しては適応できない。
2. Description of the Related Art Conventional probe cards are roughly divided into:
There are two types, a horizontal type called a cantilever type and a vertical type called a vertical type. This cantilever type has many excellent performances, but in recent years, it has been adapted to the fineness of LSIs, the advancement of high speed, high integration, the simultaneous measurement of multiple devices due to the multiplexing of measuring instruments, etc. Can not.

【0003】このため、図4に示すようなこれらに対応
可能な垂直型が脚光を浴びている。この垂直型のプロー
ブカードは、導電パターンが形成された十数層の多層基
板である基板600と、中腹部が略く字形状に折曲され
た折曲部613となったプローブ610と、前記基板6
00の下方に取り付けられ、前記折曲部613を挟んで
第1の案内板621と第2の案内板622とを有するプ
ローブ支持部620とを有している。プローブ610の
後端の接続部612は、基板600に開設された貫通孔
601を通って表面の導電パターン602に半田付けさ
れる。また、第1の案内板621及び第2の案内板62
2には、プローブ610が貫通する貫通孔621A、6
22Aがそれぞれ開設されている。プローブ610の平
面的な配置は、測定対象物であるLSIチップ900の
電極パッド910の配置に対応して設計されている。
[0003] For this reason, a vertical type capable of coping with these, as shown in FIG. 4, has been spotlighted. This vertical type probe card includes a substrate 600 which is a multilayer substrate having more than ten layers on which conductive patterns are formed, a probe 610 having a bent portion 613 whose middle portion is bent in a substantially rectangular shape, and Substrate 6
And a probe support 620 having a first guide plate 621 and a second guide plate 622 with the bent portion 613 interposed therebetween. The connection portion 612 at the rear end of the probe 610 is soldered to the conductive pattern 602 on the front surface through a through hole 601 formed in the substrate 600. Further, the first guide plate 621 and the second guide plate 62
2 have through holes 621A and 621A through which the probe 610 passes.
22A are respectively established. The planar arrangement of the probe 610 is designed in accordance with the arrangement of the electrode pads 910 of the LSI chip 900 to be measured.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の垂直型のプローブカードには以下のような問題
点がある。まず、この種のプローブカードでは、プロー
ブ610が破損した場合、プローブ610に折曲部61
3が設けられているため、第1、第2の案内板621、
622の貫通孔621A、622Aから引き抜けない。
垂直型のプローブカードには、数千〜数万本のプローブ
610を使用する非常に高価なものがある。このように
破損したプローブ610が引き抜けず、交換ができない
という問題があった。
However, the above-described conventional vertical probe card has the following problems. First, in this type of probe card, when the probe 610 is damaged, the bent portion 61 is attached to the probe 610.
3, the first and second guide plates 621,
622A through the through holes 621A and 622A.
Some vertical probe cards are very expensive, using thousands to tens of thousands of probes 610. There is a problem that the probe 610 damaged in this way cannot be pulled out and cannot be replaced.

【0005】かかる問題を解消した垂直型のプローブカ
ードとしては、図5に示すようなものがある。この垂直
型のプローブカードは、弓なりに湾曲したプローブ61
0を使用しているので、破損したプローブ610のみを
引き抜くことができるようになっている。しかし、この
プローブ610の後端の接続部612は、基板600の
導電パターン602とは別個のものであるため、プロー
ブ610と基板600とは分離した形態で組み立てるこ
とになる。
[0005] As a vertical type probe card which solves such a problem, there is one as shown in FIG. This vertical probe card has a probe 61 curved in an arc shape.
Since 0 is used, only the damaged probe 610 can be pulled out. However, since the connection portion 612 at the rear end of the probe 610 is separate from the conductive pattern 602 of the substrate 600, the probe 610 and the substrate 600 are assembled in a separated form.

【0006】また、最近、図6に示すように、プローブ
610と基板600との間にインターポーザーと称され
る副基板630を介在させるプローブカードが開発され
た。このインターポーザーを用いるものであれば、基板
600と副基板630とは平面度も寸法も合致するた
め、両基板600、630の導電パターン602、63
1は容易に接続できる。しかし、プローブ610の後端
の接続部612の平面度はどれほど精密にしても200
μm程度の凹凸があるため、すべてのプローブ600の
接続部612と副基板630の導電パターン631との
接続は極めて困難である。
Recently, as shown in FIG. 6, a probe card in which a sub-substrate 630 called an interposer is interposed between a probe 610 and a substrate 600 has been developed. If the interposer is used, the substrate 600 and the sub-substrate 630 have the same flatness and dimensions, and therefore the conductive patterns 602 and 63 of the substrates 600 and 630 are used.
1 can be easily connected. However, the flatness of the connection portion 612 at the rear end of the probe 610 may be 200
Since there are irregularities of about μm, it is extremely difficult to connect the connection portions 612 of all the probes 600 and the conductive patterns 631 of the sub-substrate 630.

【0007】かかる困難を解消するために、図7に示す
ように、異方性導電シート640を副基板630とプロ
ーブ600の接続部612との間に介在させるプローブ
カードが開発されている。しかし、最近の微細化、高密
度化の要求により、プローブ600の配置も高密度化し
ているため、異性導電シート640でも対応できなくな
っている。また、異性導電シート640は、導通する面
積が大きくなると、平均して全体に荷重を加えることが
困難となる。例えば、周辺部に加圧力が集中し、中央部
の加圧力が不足するという傾向がある。
As shown in FIG. 7, a probe card in which an anisotropic conductive sheet 640 is interposed between a sub-substrate 630 and a connecting portion 612 of a probe 600 has been developed to solve such difficulties. However, due to recent demands for miniaturization and high density, the arrangement of the probes 600 has also been increased, so that it is no longer possible to cope with the isomerically conductive sheet 640. In addition, when the conductive area of the isomerically conductive sheet 640 increases, it becomes difficult to apply a load to the entirety on average. For example, there is a tendency that the pressing force concentrates on the peripheral portion and the pressing force on the central portion becomes insufficient.

【0008】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、微細化、高密度化、高集積化した現代のLSIチッ
プ等の測定対象物に対応可能なプローブカードを提供す
ることを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a probe card which can support a measurement object such as a modern LSI chip which is miniaturized, densified, and highly integrated. I have.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明に係るプローブカ
ードは、測定対象物の電気的諸特性の測定に用いられる
プローブカードであって、主導電パターンが形成された
主基板と、先端の接触部が測定対象物の電極パッドに接
触するとともに、後端の接続部が先鋭化されたプローブ
と、このプローブと前記主基板との間に介在され、プロ
ーブと主基板の主導電パターンとを接続する副導電パタ
ーンを有する副基板と、この副基板に開設され、前記副
導電パターンの一方の端部が露出したバイアホールに嵌
まり込み、前記一端に接触する導電性を有するバネとを
備えており、前記プローブの後端の接続部が前記バネに
接続されるようになっている。
SUMMARY OF THE INVENTION A probe card according to the present invention is a probe card used for measuring various electrical characteristics of an object to be measured, the probe card being in contact with a main substrate on which a main conductive pattern is formed. The portion contacts the electrode pad of the object to be measured, and the connection portion at the rear end is sharpened, and the probe is interposed between the probe and the main substrate to connect the probe to the main conductive pattern of the main substrate. A sub-substrate having a sub-conductive pattern, and a spring having conductivity provided in the sub-substrate and fitted into a via hole in which one end of the sub-conductive pattern is exposed and in contact with the one end. And a connection portion at a rear end of the probe is connected to the spring.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態に係る
プローブカードの概略的断面図、図2は本発明の実施の
形態に係るプローブカードの要部の概略的断面図、図3
は本発明の実施の形態に係るプローブカードの要部の概
略的断面図である。なお、作図の都合上、各部の寸法の
比率は正しいものではない。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a probe card according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic sectional view of a main part of the probe card according to an embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 2 is a schematic sectional view of a main part of the probe card according to the embodiment of the present invention. Note that the ratio of the dimensions of each part is not correct due to the drawing.

【0011】本発明の実施の形態に係るプローブカード
は、測定対象物であるLSIチップ900の電気的諸特
性の測定に用いられるプローブカードであって、主導電
パターン210が形成された主基板200と、先端の接
触部110がLSIチップ900の電極パッド910に
接触するとともに、後端の接続部120が先鋭化された
プローブ100と、このプローブ100と前記主基板2
00との間に介在され、プローブ100と主基板200
の主導電パターン210とを接続する副導電パターン3
10を有する副基板300と、この副基板300に開設
され、前記副導電パターン310の一方の端部312が
露出したバイアホール320に嵌まり込み、前記一方の
端部312に接触する導電性を有するバネ400とを備
えており、前記プローブ100の後端の接続部120が
前記バネ400に接続されるようになっている。
A probe card according to an embodiment of the present invention is a probe card used for measuring various electrical characteristics of an LSI chip 900 to be measured, and includes a main substrate 200 on which a main conductive pattern 210 is formed. And a probe 100 in which a contact portion 110 at the front end contacts the electrode pad 910 of the LSI chip 900 and a connection portion 120 at the rear end is sharpened.
00, the probe 100 and the main substrate 200
Conductive pattern 3 connecting main conductive pattern 210
And a sub-substrate 300 having a sub-pattern 10, and one end 312 of the sub-conductive pattern 310 is fitted into the exposed via hole 320 to be in contact with the one end 312. And a connecting portion 120 at the rear end of the probe 100 is connected to the spring 400.

【0012】前記主基板200は、各層にわたって主導
電パターン210が形成された十数層の多層基板であ
る。この主基板200の最下層には主導電パターン21
0の端部212が、最上層には主導電パターン210の
端部211がそれぞれ露出している。
The main substrate 200 is a multilayer substrate having more than ten layers in which a main conductive pattern 210 is formed over each layer. The lowermost layer of the main substrate 200 has a main conductive pattern 21.
0, and the end 211 of the main conductive pattern 210 is exposed in the uppermost layer.

【0013】前記副基板300は、裏面側に複数個のバ
イアホール320が開設されている。このバイアホール
320は、例えば、直径100μm、深さ1mmに設定
されており、内部に後述するバネ400が嵌まり込むよ
うになっている。前記バイアホール320は、測定対象
物であるLSIチップ900の導電パッド910の配置
と等しく設定されている。
The sub-substrate 300 has a plurality of via holes 320 on the back side. The via hole 320 is set, for example, to have a diameter of 100 μm and a depth of 1 mm, and a spring 400 described later fits therein. The via hole 320 is set equal to the arrangement of the conductive pads 910 of the LSI chip 900 to be measured.

【0014】また、この副基板300は、表面側、すな
わち主基板200の最下層と対向する面には、副導電パ
ターン310の一端311が露出している。この一端3
11は、前記主導電パターン210の露出した端部21
1の配置と等しく設定されている。
One end 311 of sub-conductive pattern 310 is exposed on the front side of sub-substrate 300, that is, on the surface facing the lowermost layer of main substrate 200. This one end 3
11 is an exposed end 21 of the main conductive pattern 210
1 is set to be equal to the arrangement.

【0015】また、前記副導電パターン310のもう一
方の端部312は、前記バイアホール320の内部に露
出している。従って、バイアホール320はLSIチッ
プ900の導電パッド910の配置に対応しているため
密に配置されているが、副導電パターン310の表面側
の端部311はより疎に配置されることになる。
The other end 312 of the sub-conductive pattern 310 is exposed inside the via hole 320. Therefore, the via holes 320 correspond to the arrangement of the conductive pads 910 of the LSI chip 900 and are densely arranged, but the front end 311 of the sub-conductive pattern 310 is arranged more sparsely. .

【0016】副基板300の表面は、主基板200の裏
面と接しており、主導電パターン210の端部211
と、それに対応する副導電パターン310端部311と
が接することで、導電パターン210と副導電パターン
310とを電気的に接続している。
The front surface of sub-substrate 300 is in contact with the back surface of main substrate 200, and is provided at end 211 of main conductive pattern 210.
And the end 311 of the sub-conductive pattern 310 corresponding thereto, electrically connecting the conductive pattern 210 and the sub-conductive pattern 310.

【0017】また、主基板200の裏面側には、プロー
ブ支持部500が設けられている。このプローブ支持部
500は、主基板200の裏面側から垂下される垂下部
材530と、この垂下部材530に一定の間隔を有して
取り付けられる第1の案内板510及び第2の案内板5
20とを有している。
A probe support 500 is provided on the back side of the main board 200. The probe support portion 500 includes a hanging member 530 hanging from the back side of the main board 200, and a first guide plate 510 and a second guide plate 5 attached to the hanging member 530 with a certain interval.
20.

【0018】第1の案内板510と第2の案内板520
とには、それぞれ貫通孔511、521が開設されてい
る。この貫通孔511、521は、LSIチップ900
の電極パッド910の配置に対応している。従って、第
1の案内板510の貫通孔511と、それに対応する第
2の案内板520の貫通孔521とは同一垂線上に位置
することになる。また、プローブ100は、図2等に示
すように、第1の案内板510の上面に充填される絶縁
性を有する合成樹脂540、例えばシリコンゴムによっ
て固定されている。
First guide plate 510 and second guide plate 520
Are provided with through holes 511 and 521, respectively. The through holes 511 and 521 are provided in the LSI chip 900
Corresponds to the arrangement of the electrode pads 910. Therefore, the through hole 511 of the first guide plate 510 and the corresponding through hole 521 of the second guide plate 520 are located on the same perpendicular line. Further, as shown in FIG. 2 and the like, the probe 100 is fixed by an insulative synthetic resin 540 filled on the upper surface of the first guide plate 510, for example, silicon rubber.

【0019】前記プローブ100は、先端が先鋭化され
た接触部110となり、後端も先鋭化された接続部12
0となっている。このプローブ100は、例えばタング
ステンの細線を加工したものであって、直径は約90〜
100μmになっている。かかるこのプローブ100の
接続部120は、500μmだけテーパ状にすることで
先鋭化されている。
The probe 100 has a contact portion 110 having a sharpened tip, and a connecting portion 12 having a sharpened rear end.
It is 0. The probe 100 is formed, for example, by processing a thin wire of tungsten, and has a diameter of about 90 to 90.
It is 100 μm. The connecting portion 120 of the probe 100 is sharpened by being tapered by 500 μm.

【0020】また、前記バイアホール320に嵌まり込
むバネ400は、外径が約100μm、内径が約50μ
m、長さが約1mmのものである。このようなバネ40
0を約400μmだけバイアホール320に挿入し、残
りはバイアホール320から突出しているようにする。
このバネ400は、導電性を有する素材から構成されて
いる。そして、このバネ400は、バイアホール320
に嵌め込まれると、バイアホール320に露出した副導
電パターン310の一方の端部312に電気的に接触す
るようになっている。
The spring 400 fitted into the via hole 320 has an outer diameter of about 100 μm and an inner diameter of about 50 μm.
m and a length of about 1 mm. Such a spring 40
0 is inserted into the via hole 320 by about 400 μm so that the rest protrudes from the via hole 320.
The spring 400 is made of a conductive material. The spring 400 is connected to the via hole 320
Is electrically connected to one end 312 of the sub-conductive pattern 310 exposed in the via hole 320.

【0021】前記プローブ100は、後端の接続部12
0を500μmだけバネ400に挿入した状態にある。
The probe 100 is connected to the connecting portion 12 at the rear end.
0 is inserted into the spring 400 by 500 μm.

【0022】すなわち、プローブ100の接触部110
から主基板200の端部212までは、プローブ100
の接触部110→プローブ100の接続部120→バネ
400→副導電パターン310の一端312→副道導電
パターン310→副導電パターン310の一端311→
主導電パターン210の一端211→主導電パターン3
10→主導電パターン310の一端212の順になって
いる。
That is, the contact portion 110 of the probe 100
From the probe 100 to the end 212 of the main board 200.
Contact portion 110 → connecting portion 120 of probe 100 → spring 400 → one end 312 of sub-conductive pattern 310 → sub-way conductive pattern 310 → one end 311 of sub-conductive pattern 310 →
One end 211 of main conductive pattern 210 → main conductive pattern 3
10 → one end 212 of the main conductive pattern 310.

【0023】このように構成されたプローブカードは、
次のようにしてLSIチップ900の電気的諸特性の測
定を行う。
The probe card thus configured is
The electrical characteristics of the LSI chip 900 are measured as follows.

【0024】ウエハ状態の複数のLSIチップ900を
テーブル950の上面に真空吸着させる。テーブル95
0に向かってプローブカードを降下させ、すべてのプロ
ーブ100の接触部110をLSIチップ900の電極
パッド910に接触させる。さらに、接触部110が電
極パッド910に接触してからもプローブカードを降下
させる。すると、プローブ100は前記合成樹脂540
を上方向に変形させながら、後端の接続部120をバネ
400に確実に接触させる(図3参照)。
A plurality of LSI chips 900 in a wafer state are vacuum-adsorbed on the upper surface of a table 950. Table 95
The probe card is lowered toward zero, and the contact portions 110 of all the probes 100 are brought into contact with the electrode pads 910 of the LSI chip 900. Further, the probe card is lowered even after the contact portion 110 contacts the electrode pad 910. Then, the probe 100 is connected to the synthetic resin 540.
Is deformed upward, and the connecting portion 120 at the rear end is securely brought into contact with the spring 400 (see FIG. 3).

【0025】ここで、主基板200、副基板300の平
面度は100μm以下であり、多くの場合は50μm以
下に収束する。また、数多くのプローブ100の接続部
120が形成する平面は、いかにプローブ100とプロ
ーブ支持部500とを精度良く組み立てても200μm
以下に収めることは困難である。従って、プローブ10
0と副導電パターン310との間にバネ400を介在さ
せておくと、それも、バイアホール320からバネ40
0を600μm程度突出させた状態で介在させておく
と、バネ400により、プローブ100の高さ方向のず
れを吸収することが可能となる。また、バネ400の内
径と、プローブ100の接続部120の径との差だけ平
面方向のずれも吸収することが可能となる。
Here, the flatness of the main substrate 200 and the sub-substrate 300 is 100 μm or less, and often converges to 50 μm or less. The plane formed by the connecting portions 120 of the many probes 100 is 200 μm, no matter how precisely the probe 100 and the probe supporting portion 500 are assembled.
It is difficult to fit below. Therefore, the probe 10
If the spring 400 is interposed between the contact hole and the sub-conductive pattern 310, the spring
If 0 is interposed in a state of protruding by about 600 μm, the spring 400 can absorb the displacement of the probe 100 in the height direction. In addition, it is possible to absorb a deviation in the planar direction by a difference between the inner diameter of the spring 400 and the diameter of the connection portion 120 of the probe 100.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明に係るプローブカードは、測定対
象物の電気的諸特性の測定に用いられるプローブカード
であって、主導電パターンが形成された主基板と、先端
の接触部が測定対象物の電極パッドに接触するととも
に、後端の接続部が先鋭化されたプローブと、このプロ
ーブと前記主基板との間に介在され、プローブと主基板
の主導電パターンとを接続する副導電パターンを有する
副基板と、この副基板に開設され、前記副導電パターン
の一方の端部が露出したバイアホールに嵌まり込み、前
記一端に接触する導電性を有するバネとを備えており、
前記プローブの後端の接続部が前記バネに接続されるよ
うになっている。
The probe card according to the present invention is a probe card used for measuring electrical characteristics of an object to be measured, wherein a main substrate on which a main conductive pattern is formed and a contact portion at the tip end are to be measured. A probe having a sharpened connection portion at the rear end while being in contact with the electrode pad of the object; and a sub-conductive pattern interposed between the probe and the main substrate and connecting the probe and the main conductive pattern of the main substrate. A sub-substrate having a conductive spring that is opened on the sub-substrate, is fitted into a via hole where one end of the sub-conductive pattern is exposed, and contacts the one end,
A connection portion at the rear end of the probe is connected to the spring.

【0027】プローブと副基板との間に介在させたバネ
によって、プローブの高さ方向、平面方向のずれを吸収
しつつ、確実な導通を確保することができる。また、副
基板を用いた場合の利点、すなわち副基板とプローブ支
持部とを交換することで高価な主基板はそのままにし
て、別種のLSIチップの測定が可能になるという利点
がある。なお、バネとバイアホールの形成に必要なコス
トは、プローブ1本当たり約2円以下になるので、大き
なコストアップにはつながらない。
By the spring interposed between the probe and the sub-substrate, it is possible to secure a reliable conduction while absorbing the displacement in the height direction and the plane direction of the probe. In addition, there is an advantage of using the sub-substrate, that is, exchanging the sub-substrate and the probe support portion, thereby enabling measurement of another type of LSI chip while keeping the expensive main substrate. The cost required for forming the spring and the via hole is less than about 2 yen per probe, so that the cost does not increase significantly.

【0028】また、前記プローブの後端の接続部は、先
鋭化されており、前記バネの内径は前記接続部が挿入可
能になっているので、プローブとバネとの接続がより確
実になる。
The connecting portion at the rear end of the probe is sharpened, and the inner diameter of the spring is such that the connecting portion can be inserted, so that the connection between the probe and the spring is more reliable.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係るプローブカードの概
略的断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a probe card according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態に係るプローブカードの要
部の概略的断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view of a main part of the probe card according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態に係るプローブカードの要
部の概略的断面図である。
FIG. 3 is a schematic sectional view of a main part of the probe card according to the embodiment of the present invention.

【図4】従来のプローブカードの概略的断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view of a conventional probe card.

【図5】従来のプローブカードの要部の概略的断面図で
ある。
FIG. 5 is a schematic sectional view of a main part of a conventional probe card.

【図6】従来のプローブカードの要部の概略的断面図で
ある。
FIG. 6 is a schematic sectional view of a main part of a conventional probe card.

【図7】従来のプローブカードの要部の概略的断面図で
ある。
FIG. 7 is a schematic sectional view of a main part of a conventional probe card.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 プローブ 200 主基板 300 副基板 400 バネ 100 Probe 200 Main board 300 Sub-board 400 Spring

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩田 浩 兵庫県尼崎市西長洲町2丁目5番13号 日 本電子材料株式会社内 Fターム(参考) 2G003 AA07 AG03 AG08 AG12 AG19 AH05 2G011 AA02 AA15 AA17 AB01 AB04 AC05 AC14 AD01 AE03 4M106 AA02 BA01 CA01 DD04 DD06 DD10 DD18 DD30  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Hiroshi Iwata 2-5-13-1 Nishi-Nagasu-cho, Amagasaki-shi, Hyogo Japan Electronic Materials Co., Ltd. F-term (reference) 2G003 AA07 AG03 AG08 AG12 AG19 AH05 2G011 AA02 AA15 AA17 AB01 AB04 AC05 AC14 AD01 AE03 4M106 AA02 BA01 CA01 DD04 DD06 DD10 DD18 DD30

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 測定対象物の電気的諸特性の測定に用い
られるプローブカードにおいて、主導電パターンが形成
された主基板と、先端の接触部が測定対象物の電極パッ
ドに接触するとともに、後端の接続部が先鋭化されたプ
ローブと、このプローブと前記主基板との間に介在さ
れ、プローブと主基板の主導電パターンとを接続する副
導電パターンを有する副基板と、この副基板に開設さ
れ、前記副導電パターンの一方の端部が露出したバイア
ホールに嵌まり込み、前記一端に接触する導電性を有す
るバネとを具備しており、前記プローブの後端の接続部
が前記バネに接続されることを特徴とするプローブカー
ド。
In a probe card used for measuring various electrical characteristics of an object to be measured, a main substrate on which a main conductive pattern is formed and a contact portion at the tip contact an electrode pad of the object to be measured. A probe whose end connection portion is sharpened, a sub-substrate having a sub-conductive pattern interposed between the probe and the main substrate and connecting the probe and the main conductive pattern of the main substrate, And a conductive spring that fits into the via hole where one end of the sub-conductive pattern is exposed, and is in contact with the one end, and the connection part at the rear end of the probe is the spring. A probe card, which is connected to a probe card.
【請求項2】 前記プローブの後端の接続部は、先鋭化
されており、前記バネの内径は前記接続部が挿入可能に
なっていることを特徴とする請求項1記載のプローブカ
ード。
2. The probe card according to claim 1, wherein a connection portion at a rear end of the probe is sharpened, and an inside diameter of the spring is such that the connection portion can be inserted.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005195523A (en) * 2004-01-09 2005-07-21 Japan Electronic Materials Corp Probe card
WO2009025427A1 (en) * 2007-08-23 2009-02-26 Gigalane Co.Ltd Probe card
JP2016528487A (en) * 2013-06-29 2016-09-15 ファインメタル ゲーエムベーハー Inspection device for electrical inspection of electrical specimens

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