JP3094007B2 - Probe and probe card using this probe - Google Patents

Probe and probe card using this probe

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JP3094007B2
JP3094007B2 JP10170574A JP17057498A JP3094007B2 JP 3094007 B2 JP3094007 B2 JP 3094007B2 JP 10170574 A JP10170574 A JP 10170574A JP 17057498 A JP17057498 A JP 17057498A JP 3094007 B2 JP3094007 B2 JP 3094007B2
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contact
substrate
conductive
deformed
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昌男 大久保
輝明 藤永
順也 田中
昭人 倉地
純一 田畑
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LSIチップ等の
半導体集積回路の電気的諸特性を測定する際に用いられ
るプローブと、それを用いたプローブカードとに関す
る。
The present invention relates to a probe used for measuring various electrical characteristics of a semiconductor integrated circuit such as an LSI chip and a probe card using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のプローブカードには、大別してカ
ンチレバー型と呼ばれる横型タイプと、垂直型と呼ばれ
る縦型タイプとがある。前者の横型タイプのプローブカ
ードは、多くの点で優れているが、近年のLSIチップ
の高集積化とテスターの多重化に伴う多チップ同時測定
には適していない点がある。これに対して、縦型のプロ
ーブカードは、より多くのプローブ(数百本〜数千本)
を使用でき、しかもプローブの配置の自由度が高いの
で、多チップ同時測定に適している。
2. Description of the Related Art Conventional probe cards are roughly classified into a horizontal type called a cantilever type and a vertical type called a vertical type. The former horizontal type probe card is excellent in many respects, but is not suitable for simultaneous multi-chip measurement due to recent high integration of LSI chips and multiplexing of testers. In contrast, a vertical probe card requires more probes (hundreds to thousands).
It is suitable for multi-chip simultaneous measurement because it can be used and the degree of freedom of probe arrangement is high.

【0003】この従来の縦型のプローブカードは、プロ
ーブの後端の接続部を基板に形成された導電パターンに
接続させる際に、例えばゼブラと称される異方性導電シ
ートをプローブと基板との間に介在させ、異方性導電シ
ートによってプローブと導電パターンとを接続してい
る。
[0003] In this conventional vertical probe card, an anisotropic conductive sheet called zebra, for example, is used to connect a probe and a substrate to each other when a connection portion at a rear end of the probe is connected to a conductive pattern formed on the substrate. The probe and the conductive pattern are connected by an anisotropic conductive sheet.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、より多
くのプローブを使用するプローブカード、すなわち電極
パッドが狭ピッチで配置されているLSIチップの電気
的諸特性の測定を行うプローブカードでは、異方性導電
シートでは対応しきれなくなっている。このため、狭ピ
ッチのLSIチップのためのプローブカードでは、異方
性導電シートを用いることなく、プローブの後端の接続
部を基板の導電パターンに直接接触させるようにしてい
る。
However, in a probe card using more probes, that is, a probe card for measuring various electrical characteristics of an LSI chip in which electrode pads are arranged at a narrow pitch, anisotropic The conductive sheet is no longer compatible. For this reason, in a probe card for an LSI chip having a narrow pitch, the connection portion at the rear end of the probe is directly brought into contact with the conductive pattern on the substrate without using an anisotropic conductive sheet.

【0005】この際、プローブの接続部は、基板の平面
度を考慮すると同一高さ、少なくとも±5μmの許容範
囲に収める必要があるが、このように多くのプローブの
接続部の高さ寸法公差を±5μmの範囲内で収めるのは
現実的には非常に困難である。
At this time, the connecting portions of the probes need to be at the same height in consideration of the flatness of the substrate, at least within a tolerance of ± 5 μm. Is practically very difficult to fall within the range of ± 5 μm.

【0006】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、より狭ピッチの電極パッドを有するLSIチップに
対応することができるとともに、プローブの接続部の高
さがラフであってもよいプローブと、このプローブを用
いることにより、プローブの製造精度を高めることな
く、測定対象物であるLSIチップの電気的諸特性の測
定の精度を高めることができるプローブカードとを提供
することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and can be applied to an LSI chip having electrode pads of a narrower pitch, and the height of the connection portion of the probe may be rough. Another object of the present invention is to provide a probe card which can increase the measurement accuracy of the electrical characteristics of an LSI chip to be measured without increasing the manufacturing accuracy of the probe by using the probe. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明に係るプローブ
は、先端が測定対象物の電極パッドに接触する接触部と
なり、後端がテスターに接続された導電部に接続される
接続部となるプローブであって、後端の接続部に垂直な
力が加わると変形する変形部が設けられており、前記接
触部と接続部とは同一垂線上にはない。
SUMMARY OF THE INVENTION A probe according to the present invention
Is the contact part where the tip contacts the electrode pad of the measuring object.
And the rear end is connected to the conductive part connected to the tester
Probe that is a connection part and is perpendicular to the rear end connection part.
A deformable portion that is deformed when a force is applied is provided.
The contact portion and the connection portion are not on the same perpendicular.

【0008】また、本発明に係るプローブカードは、前
記プローブと、テスターに接続された導電部が形成され
た基板と、この基板の下方に設けられ、前記プローブを
支持するプローブ支持部と、前記基板とプローブとの間
に設けられ、内部に導電パターンが形成された中継基板
とを備えており、前記プローブの接続部は、前記中継基
板の裏面に露出した下側接点に、前記導電部は、中継基
板の表面に露出した上側接点にそれぞれ導通し、前記プ
ローブの変形部は、前記下側接点に接続部が接触する際
に変形するようになっている。
Further , the probe card according to the present invention is
The probe and the conductive part connected to the tester are formed.
And a probe provided below the substrate,
Between the substrate and the probe, which support the probe
, A relay board with a conductive pattern formed inside
Wherein the connection part of the probe is
At the lower contact exposed on the back surface of the plate, the conductive portion
The upper contacts exposed on the surface of the plate are electrically connected to each other,
The deformed portion of the lobe is used when the connecting portion contacts the lower contact.
It is designed to be deformed.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態に係る
プローブの概略的正面図、図2は本発明の実施の形態に
係るプローブを用いたプローブカードの概略的断面図、
図3は本発明の実施の形態に係るプローブを用いた他の
プローブカードの概略的断面図、図4は本発明の他の実
施の形態に係るプローブの概略的正面図である。
FIG. 1 is a schematic front view of a probe according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic sectional view of a probe card using the probe according to the embodiment of the present invention,
FIG. 3 is a schematic sectional view of another probe card using a probe according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic front view of a probe according to another embodiment of the present invention.

【0010】本発明の実施の形態に係るプローブ100
は、図1に示すように、先端が測定対象物であるLSI
チップ710の電極パッド711に接触する接触部11
1となり、後端が図示しないテスターに接続された導電
部に接続される接続部121となるプローブであって、
後端の接続部121に垂直な力が加わると変形する変形
部122が設けられており、前記接触部111と接続部
121とは同一垂線上にはない。
[0010] A probe 100 according to an embodiment of the present invention.
Is an LSI whose tip is an object to be measured, as shown in FIG.
Contact portion 11 that contacts electrode pad 711 of chip 710
1 and the back end is connected to a tester (not shown)
A probe serving as a connection unit 121 connected to the unit,
Deformation that deforms when a vertical force is applied to the connection part 121 at the rear end
The contact portion 111 and the connection portion are provided.
121 is not on the same vertical line.

【0011】このプローブ100は、接触部111を含
む垂直になった垂直部110と、この垂直部110から
水平方向に延設された水平部120とに大別され、前記
水平部120の端部が接続部121となっている。
The probe 100 is roughly divided into a vertical portion 110 having a vertical portion including a contact portion 111 and a horizontal portion 120 extending horizontally from the vertical portion 110. Are the connection parts 121.

【0012】このプローブ100は、例えば3%のレニ
ュウムを含有する線径0.05mmのタングステン線の
先端を電解研磨等で先鋭化して接触部111としたもの
である。
The probe 100 has a contact portion 111 obtained by sharpening the tip of a tungsten wire having a diameter of 0.05 mm containing, for example, 3% of rhenium by electrolytic polishing or the like.

【0013】前記垂直部110の後端は、横向きのU字
形状の弾性変形部112として形成されている。この弾
性変形部112は、接触部111がLSIチップ710
の電極パッド711に垂直に接触した際に変形し、所定
の接触圧を確保するようになっている。
The rear end of the vertical section 110 is formed as a horizontal U-shaped elastically deforming section 112. The elastically deforming portion 112 is configured such that the contact portion 111 is an LSI chip 710
The electrode pad 711 is deformed when vertically contacted, and a predetermined contact pressure is secured.

【0014】一方、前記弾性変形部112から水平方向
に延設された水平部120は、弾性変形部112から続
く固定部123と、この固定部123から延設された横
向きのU字形状の変形部122と、この変形部122の
一端から垂直上向きに延設された接続部121とを有し
ている。
On the other hand, a horizontal portion 120 extending horizontally from the elastic deformation portion 112 is provided with a fixed portion 123 continuing from the elastic deformation portion 112 and a horizontal U-shaped deformation extending from the fixed portion 123. It has a portion 122 and a connecting portion 121 extending vertically upward from one end of the deformed portion 122.

【0015】従って、接触部111と、接続部121と
は同一垂直線上には設けられていないことになる。
Therefore, the contact portion 111 and the connection portion 121 are not provided on the same vertical line.

【0016】次に、このように構成されたプローブ10
0を用いたプローブカードAについて図2を参照しつつ
説明する。このプローブカードAは、複数本の前記プロ
ーブ100と、図示しないテスターに接続された導電部
210が形成された基板200と、この基板200の下
方に設けられ、前記プローブ100を支持するプローブ
支持部400と、前記基板200とプローブ100との
間に設けられ、内部に導通パターン310が形成された
中継基板300とを備えており、前記プローブ100の
接続部121は、前記中継基板300の裏面に露出した
下側接点312に、前記導電部210は、異方性導電シ
ート500を介して中継基板300の表面に露出した上
側接点311にそれぞれ接触し、前記プローブ100の
変形部122は、中間基板300の下側接点312に接
続部121が接触する際に変形するようになっている。
Next, the probe 10 constructed as described above
The probe card A using 0 will be described with reference to FIG. The probe card A includes a plurality of probes 100, a substrate 200 on which a conductive portion 210 connected to a tester (not shown) is formed, and a probe support portion provided below the substrate 200 and supporting the probes 100. 400, and a relay substrate 300 provided between the substrate 200 and the probe 100 and having a conductive pattern 310 formed therein. The connection part 121 of the probe 100 is provided on the back surface of the relay substrate 300. The conductive portion 210 contacts the exposed lower contact 312 and the upper contact 311 exposed on the surface of the relay board 300 via the anisotropic conductive sheet 500, and the deformed portion 122 of the probe 100 When the connecting portion 121 comes into contact with the lower contact 312 of the 300, it is deformed.

【0017】前記基板200は、表面から裏面にかけて
導電部210が形成されている。この導電部210の一
端は、基板200の端部にまで延ばされてテスターに接
続される接続コネクタとしてまとめられている。また、
この導電部210の他端は、基板200の裏面に露出し
ている。
The conductive portion 210 is formed on the substrate 200 from the front surface to the back surface. One end of the conductive part 210 is extended to the end of the substrate 200 and is integrated as a connection connector to be connected to a tester. Also,
The other end of the conductive part 210 is exposed on the back surface of the substrate 200.

【0018】一方、前記中継基板300は、基板200
の裏面に異方性導電シート500を介して取り付けられ
ている。かかる中間基板300の内部には、導電パター
ン310が形成されている。この導電パターン310
は、一端が中間基板300の表面に露出して上側接点3
11となり、他端は中間基板300の裏面に露出して下
側接点312となる。
On the other hand, the relay board 300 is
Is mounted on the back surface of the substrate through an anisotropic conductive sheet 500. The conductive pattern 310 is formed inside the intermediate substrate 300. This conductive pattern 310
The upper contact 3 is exposed at one end to the surface of the intermediate substrate 300.
11 and the other end is exposed on the back surface of the intermediate substrate 300 to become the lower contact 312.

【0019】なお、前記上側接点311は、前記基板2
00の裏面に露出した導電部210の配置パターンに対
応している。すなわち、中間基板300を基板200に
取り付けると、中間基板300の上側設定311は、基
板200の導電部210に接続されるようになってい
る。
The upper contact 311 is connected to the substrate 2
The pattern corresponds to the arrangement pattern of the conductive portions 210 exposed on the back surface of the reference numeral 00. That is, when the intermediate substrate 300 is attached to the substrate 200, the upper setting 311 of the intermediate substrate 300 is connected to the conductive portion 210 of the substrate 200.

【0020】また、前記下側接点312は、プローブ1
00の接続部121の配置に対応している。すなわち、
後述するプローブ支持部400で支持されたプローブ1
00の接続部121は、下側接点312に接触するよう
になっているのである。
The lower contact 312 is connected to the probe 1
00 corresponds to the arrangement of the connection portions 121. That is,
Probe 1 supported by a probe support 400 described later
The connecting portion 121 of 00 is in contact with the lower contact 312.

【0021】さらに、前記プローブ支持部400は、2
枚の支持板、すなわち上側支持板410と、この上側支
持板410と平行になった下側支持板420と、これら
の両支持板410、420を中間基板300に取り付け
るための取付部材430とを有している。
Further, the probe support section 400 includes
One support plate, that is, an upper support plate 410, a lower support plate 420 parallel to the upper support plate 410, and a mounting member 430 for mounting the two support plates 410 and 420 to the intermediate substrate 300. Have.

【0022】前記上側支持板410は、例えば厚さが
0.5mmのマシナブルセラミックス(三井鉱山株式会
社のマセライト(商品名)等が好適である。)からな
り、LSIチップ710の電極パッド711の配置に対
応した開口411が開設されている。この開口411
は、プローブ100の弾性変形部112が入り込める程
度の大きさに設定されている。
The upper support plate 410 is made of, for example, machinable ceramics having a thickness of 0.5 mm (preferably Macerite (trade name) of Mitsui Mining Co., Ltd.), and is formed of an electrode pad 711 of the LSI chip 710. An opening 411 corresponding to the arrangement is provided. This opening 411
Is set to such a size that the elastic deformation portion 112 of the probe 100 can enter.

【0023】一方、前記下側支持板420も上側支持板
41と同様に、例えば厚さが0.5mmのマシナブルセ
ラミックス(三井鉱山株式会社のマセライト(商品名)
等が好適である。)からなり、LSIチップ710の電
極パッド711の配置に対応した開口421が開設され
ている。従って、この開口421の真上に前記上側支持
板410の開口411が開設されていることになる。
On the other hand, similarly to the upper support plate 41, the lower support plate 420 is made of machinable ceramics having a thickness of, for example, 0.5 mm (Macerite (trade name) of Mitsui Mining Co., Ltd.).
Etc. are preferred. ), And an opening 421 corresponding to the arrangement of the electrode pads 711 of the LSI chip 710 is opened. Therefore, the opening 411 of the upper support plate 410 is opened directly above the opening 421.

【0024】この両支持板410、420は、プローブ
100の垂直部110の高さ寸法から弾性変形部112
の高さ寸法を減じた寸法より小さい間隔で取付部材43
0に取り付けられる。また、取付部材430の上端と、
上側支持板410の表面との間は、プローブ100の変
形部122の高さ寸法と接続部121の高さ寸法とを合
わせた寸法より若干小さく設定されている。
The two supporting plates 410 and 420 are formed by elastically deforming portions 112 based on the height of the vertical portion 110 of the probe 100.
Mounting members 43 at intervals smaller than the height of the mounting member 43
0 is attached. Also, the upper end of the mounting member 430,
The space between the upper support plate 410 and the surface of the upper support plate 410 is set slightly smaller than the sum of the height of the deformed portion 122 of the probe 100 and the height of the connection portion 121.

【0025】このように構成されたプローブ支持部40
0には、以下のようにしてプローブ100が取り付けら
れる。すなわち、プローブ100の固定部123を上側
支持板410の表面に置いた状態で、プローブ100の
弾性変形部112を開口411に入れる。すると、プロ
ーブ100の接触部111が下側支持板420の開口4
21から突出する。この状態で、固定部123を上側支
持板410の表面にエポキシ系樹脂412等で固定す
る。
The probe support 40 thus constructed
At 0, the probe 100 is attached as follows. That is, the elastically deformable portion 112 of the probe 100 is inserted into the opening 411 with the fixing portion 123 of the probe 100 placed on the surface of the upper support plate 410. Then, the contact portion 111 of the probe 100 is moved to the opening 4 of the lower support plate 420.
Projecting from 21. In this state, the fixing portion 123 is fixed to the surface of the upper support plate 410 with the epoxy resin 412 or the like.

【0026】すべてのプローブ100が取り付けられた
プローブ支持部400を中間基板300に取り付ける。
すると、プローブ100の接続部121は、中間基板3
00の下側接点312に接触する。プローブ100の変
形部122の高さ寸法と接続部121の高さ寸法とを合
わせた寸法h(μm)と、プローブ100の接続部12
1と下側接点312との間の接触抵抗R(Ω)との関係
を表1に示す。
The probe support 400 on which all the probes 100 are mounted is mounted on the intermediate substrate 300.
Then, the connection portion 121 of the probe 100 is
00 contacts the lower contact 312. The dimension h (μm), which is the sum of the height of the deformed portion 122 of the probe 100 and the height of the connecting portion 121, and the connecting portion 12 of the probe 100
Table 1 shows the relationship between the contact resistance R (Ω) between the contact point 1 and the lower contact 312.

【0027】[0027]

【表1】 [Table 1]

【0028】前記表1に示したように、寸法hの最大値
は1822μmであり、最小値は1638μmであり、
その差は184μmもある。それにもかかわらず、プロ
ーブ100の接続部121と下側接点312との間の接
触抵抗R(Ω)は、すべて0.1Ωになっている。従っ
て、狭ピッチで電極パッド711が配置されたLSIチ
ップ710に対応した従来のプローブカードでは、接続
部121の高さ寸法の公差を5μm以内に抑えなければ
ならなかったが、プローブ100の接続部121に変形
部122を設けたことによって、前記寸法hの公差を変
形部122の変形で吸収するようにしたので、接触抵抗
を一定値に保った状態を維持することができるのであ
る。これは、換言すると、LSIチップ710の電気的
諸特性の測定の精度を従来と同様に高い水準に保ったま
ま、プローブ100の製造精度を下げることができるこ
とを意味する。
As shown in Table 1, the maximum value of the dimension h is 1822 μm, the minimum value is 1638 μm,
The difference is as large as 184 μm. Nevertheless, the contact resistance R (Ω) between the connection 121 of the probe 100 and the lower contact 312 is all 0.1Ω. Therefore, in the conventional probe card corresponding to the LSI chip 710 in which the electrode pads 711 are arranged at a narrow pitch, the tolerance of the height dimension of the connection portion 121 has to be suppressed within 5 μm. By providing the deformation portion 122 on the 121, the tolerance of the dimension h is absorbed by the deformation of the deformation portion 122, so that the state where the contact resistance is maintained at a constant value can be maintained. This means that, in other words, the manufacturing accuracy of the probe 100 can be reduced while maintaining the measurement accuracy of the electrical characteristics of the LSI chip 710 at a high level as in the related art.

【0029】次に、このように構成されたプローブカー
ドAによるLSIチップ710の電気的諸特性の測定に
ついて説明する。まず、LSIチップ710は、ウエハ
700に多数個が形成された状態、すなわちまだ1個々
のLSIチップ710に分割されていない状態で支持台
720の上に吸着固定されている。支持台720を移動
させてプローブ100の接触部111が電極パッド71
1に押圧接触させられる。接触部111が電極パッド7
11に接触してからも、支持台720を接触部111が
電極パッド711に押しつけられる方向に移動させるこ
と(『オーバードライブ』と称する)により、弾性変形
部112が弾性変形し、接触部111と電極パッド71
1との間の接触抵抗が予め定められた値になるようにす
る。
Next, the measurement of various electrical characteristics of the LSI chip 710 by the probe card A configured as described above will be described. First, the LSI chips 710 are adsorbed and fixed on the support 720 in a state where a large number of LSI chips 710 are formed on the wafer 700, that is, in a state where the LSI chips 710 are not yet divided into individual LSI chips 710. By moving the support 720, the contact portion 111 of the probe 100 is moved to the electrode pad 71.
1 is brought into press contact. The contact part 111 is the electrode pad 7
Even after contacting the contact portion 11, the support base 720 is moved in a direction in which the contact portion 111 is pressed against the electrode pad 711 (referred to as “overdrive”). Electrode pad 71
The contact resistance between them is set to a predetermined value.

【0030】所定のオーバードライブの後、図外のテス
ターとの間で信号の遣り取りを行ってLSIチップ71
0の電気的諸特性を測定する。このようにしてウエハ7
00に形成された複数個のLSIチップ710の全品に
ついて電気的諸特性を測定する。
After a predetermined overdrive, signals are exchanged with a tester (not shown), and the LSI chip 71
The electrical properties of 0 are measured. Thus, the wafer 7
Electrical characteristics are measured for all of the plurality of LSI chips 710 formed at 00.

【0031】このような測定を数十万回のオーダーで繰
り返すと、破損したり、変形したりして測定に適さない
プローブ100が生じる。かかるプローブ100の交換
は、プローブ支持部400を中間基板300から取り外
し、プローブ100をプローブ支持部400に固定して
いるエポキシ系樹脂412等を除去し、新たなプローブ
100をエポキシ系樹脂412等で以前と同様にプロー
ブ支持部400に固定することによって行う。
If such a measurement is repeated on the order of several hundred thousand times, the probe 100 which is broken or deformed and is not suitable for the measurement is generated. To replace the probe 100, the probe support 400 is removed from the intermediate substrate 300, the epoxy resin 412 fixing the probe 100 to the probe support 400 is removed, and a new probe 100 is replaced with the epoxy resin 412. This is performed by fixing to the probe support 400 as before.

【0032】次に、本発明の実施の形態に係るプローブ
100を用いた他のプローブカードBについて図3を参
照しつつ説明する。このプローブカードBが、上述した
プローブカードAと相違する点は、プローブカードAに
あった中間基板300がプローブカードBにはない点で
ある。すなわち、基板200の導電部210の下端が基
板200の裏面に露出して下側接点211となり、この
下側接点211にプローブ100の接続部121が直接
接触するのである。
Next, another probe card B using the probe 100 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This probe card B differs from the probe card A described above in that the probe card B does not have the intermediate substrate 300 that was in the probe card A. That is, the lower end of the conductive portion 210 of the substrate 200 is exposed on the back surface of the substrate 200 to become the lower contact 211, and the connecting portion 121 of the probe 100 directly contacts the lower contact 211.

【0033】プローブカードAとプローブカードBとを
比較すると、プローブカードAは、中間基板300を用
いることで、中間基板300の導電パターン310を利
用することができるので、より多くの導電部210を用
いることができ、結果としてより多くのプローブ100
に対応することができるという利点を有する。
Comparing the probe card A with the probe card B, the probe card A can use the conductive pattern 310 of the intermediate substrate 300 by using the intermediate substrate 300, so that more conductive portions 210 can be used. Can be used, resulting in more probes 100
Has the advantage that it can respond to

【0034】一方、中間基板300を用いないプローブ
カードBは、プローブカードAより少ないプローブ10
0にしか対応できないが、中間基板300と異方性導電
シート500とを省くことができるので、構成が簡単に
なるという利点を有する。
On the other hand, the probe card B without the intermediate substrate 300 has a smaller number of probes 10 than the probe card A.
Although only 0 can be supported, the intermediate substrate 300 and the anisotropic conductive sheet 500 can be omitted, which has an advantage that the configuration is simplified.

【0035】なお、上述した実施の形態では、プローブ
100の変形部122は、横向きの略U字形状であると
したが、図4に示すように、例えば部分より細く形成し
た部分を変形部122′としても同様の効果を奏するこ
とができる。また、図4に示すように、弾性変形部11
2に相当する部分を細くした弾性変形部112′として
もよい。
In the above-described embodiment, the deformed portion 122 of the probe 100 has a substantially U-shape in a horizontal direction. However, as shown in FIG. The same effect can be exerted even if 'is used. Also, as shown in FIG.
The portion corresponding to No. 2 may be formed as an elastically deformable portion 112 ′.

【0036】[0036]

【発明の効果】本発明に係るプローブは、先端が測定対
象物の電極パッドに接触する接触部となり、後端がテス
ターに接続された導電部に接続される接続部となるプロ
ーブであって、後端の接続部に垂直な力が加わると変形
する変形部が設けられており、前記接触部と接続部とは
同一垂線上にはない。
According to the probe of the present invention, the tip is
The contact area is in contact with the elephant's electrode pad.
A connection part connected to the conductive part connected to the
Deformed when a vertical force is applied to the connection at the rear end
And a contact portion and a connection portion are provided.
Not on the same perpendicular.

【0037】このプローブであると、プローブカードに
用いる多数本のプローブの接続部の高さ位置を従来のも
のより、ラフにすることが可能となる。具体的には、従
来の狭ピッチの電極パッドを有するLSIチップに対応
したものであれば、接続部の高さ位置を±5μmの範囲
に収めなければならなかったが、このように構成するこ
とで、約±100μmの範囲に収めればいいようになっ
た。これで、LSIチップの電気的諸特性の測定の精度
を落とすことなく、プローブの製造精度を下げることが
できた。これは、特により多くのプローブを使用するプ
ローブカード(より狭ピッチの電極パッドを有するLS
Iチップに対応したプローブカード)にとって効果的で
ある。すなわち、このようなものでは、プローブの製造
精度を高める必要があったが、本発明に係るプローブに
よって製造精度をより以上に高めることなく、同程度の
電気的諸特性の測定の精度を確保することができるから
である。
With this probe, it is possible to make the height position of the connecting portion of a large number of probes used for the probe card rougher than the conventional one. Specifically, if it is compatible with a conventional LSI chip having narrow-pitch electrode pads, the height position of the connection portion must be within ± 5 μm. Thus, it is sufficient to limit the range to about ± 100 μm. As a result, the manufacturing accuracy of the probe could be reduced without lowering the measurement accuracy of the electrical characteristics of the LSI chip. This is especially true for probe cards that use more probes (LS with narrower pitch electrode pads).
This is effective for a probe card corresponding to an I chip. That is, in such a device, it was necessary to increase the manufacturing accuracy of the probe, but without increasing the manufacturing accuracy further by the probe according to the present invention, the same level of measurement accuracy of the electrical characteristics was secured. Because you can do it.

【0038】また、前記変形部を横向きの略U字形状に
形成すると、変形の方向がある程度決定されるので、隣
接するプローブの変形部との接触を防止することができ
る。従って、プローブの配置密度を高めても短絡事故が
発生しにくいという効果を有する。
Further, when the deformed portion is formed in a substantially U-shape in a horizontal direction, the direction of deformation is determined to some extent, so that contact of the adjacent probe with the deformed portion can be prevented. Therefore, even if the arrangement density of the probes is increased, there is an effect that a short circuit accident does not easily occur.

【0039】さらに、前記変形部を他の部分より細く形
成しても、プローブが数多くなればなるほど、プローブ
の製造精度を高める必要があったが、本発明に係るプロ
ーブによって製造精度をより以上に高めることなく、同
程度の電気的諸特性の測定の精度を確保することができ
るという効果を奏することができる。
Further, even if the deformed portion is formed thinner than other portions, it is necessary to increase the manufacturing accuracy of the probe as the number of probes increases, but the manufacturing accuracy is further improved by the probe according to the present invention. Without increasing the effect, it is possible to obtain an effect that it is possible to ensure the same level of measurement accuracy of various electrical characteristics.

【0040】一方、本発明に係るプローブカードは、前
記プローブと、テスターに接続された導電部が形成され
た基板と、この基板の下方に設けられ、前記プローブを
支持するプローブ支持部とを備えており、前記プローブ
の変形部は、前記導電部に接続部が接触する際に変形す
るようになっている。
On the other hand, a probe card according to the present invention includes the probe, a substrate on which a conductive portion connected to a tester is formed, and a probe supporting portion provided below the substrate and supporting the probe. The deformable portion of the probe is deformed when a connecting portion comes into contact with the conductive portion.

【0041】このプローブカードによれば、多くのプロ
ーブの接続部の高さ位置を高精度に一致させることな
く、接続部と基板の導電部との間の接触抵抗を一定値に
保つことができるので、LSIチップの電気的諸特性の
測定の精度を従来と同様に高い水準に保ったまま、プロ
ーブの製造精度を下げることができる。
According to this probe card, the contact resistance between the connecting portion and the conductive portion of the substrate can be maintained at a constant value without making the height positions of the connecting portions of many probes coincide with each other with high precision. Therefore, it is possible to reduce the manufacturing accuracy of the probe while maintaining the measurement accuracy of the electrical characteristics of the LSI chip at a high level as in the related art.

【0042】また、本発明に係るプローブカードは、前
記プローブと、テスターに接続された導電部が形成され
た基板と、この基板の下方に設けられ、前記プローブを
支持するプローブ支持部と、前記基板とプローブとの間
に設けられ、内部に導通パターンが形成された中継基板
とを備えており、前記プローブの接続部は、前記中継基
板の裏面に露出した下側接点に、前記導電部は、中継基
板の表面に露出した上側接点にそれぞれ導通し、前記プ
ローブの変形部は、前記下側接点に接続部が接触する際
に変形するようになっている。
Further, the probe card according to the present invention is characterized in that the probe, a substrate on which a conductive portion connected to a tester is formed, a probe supporting portion provided below the substrate and supporting the probe, A relay board provided between the board and the probe, and a conductive pattern formed therein, wherein the connection portion of the probe is a lower contact exposed on the back surface of the relay board, and the conductive portion is Each of the probes is electrically connected to the upper contact exposed on the surface of the relay board, and the deformed portion of the probe is deformed when the connecting portion comes into contact with the lower contact.

【0043】このプローブカードであれば、上述した効
果の他に、中間基板を用いることで、中間基板の導電パ
ターンを利用することができるので、より多くの導電部
を用いることができ、結果としてより多くのプローブに
対応することができるという利点を有する。
With this probe card, in addition to the above-described effects, the use of the intermediate substrate allows the use of the conductive pattern of the intermediate substrate, so that more conductive portions can be used. As a result, This has the advantage that more probes can be accommodated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係るプローブの概略的正
面図である。
FIG. 1 is a schematic front view of a probe according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態に係るプローブを用いたプ
ローブカードの概略的断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view of a probe card using the probe according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態に係るプローブを用いた他
のプローブカードの概略的断面図である。
FIG. 3 is a schematic sectional view of another probe card using the probe according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の他の実施の形態に係るプローブの概略
的正面図である。
FIG. 4 is a schematic front view of a probe according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 プローブ 111 接触部 121 接続部 122 変形部 Reference Signs List 100 probe 111 contact part 121 connecting part 122 deforming part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉地 昭人 兵庫県尼崎市西長洲町2丁目5番13号 日本電子材料株式会社内 (72)発明者 田畑 純一 兵庫県尼崎市西長洲町2丁目5番13号 日本電子材料株式会社内 (56)参考文献 特開 平9−304435(JP,A) 特開 平9−184852(JP,A) 実開 平6−58371(JP,U) 実開 昭58−114775(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 1/06 - 1/073 G01R 31/28 H01L 21/66 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Akito Kurachi 2-5-113, Nishi-Nagasu-cho, Amagasaki-shi, Hyogo Japan Electronic Materials Co., Ltd. (72) Inventor Jun-ichi Tabata 2-chome, Nishi-Nagasu-cho, Amagasaki-shi, Hyogo No. 5-13 JEOL Co., Ltd. (56) References JP-A-9-304435 (JP, A) JP-A-9-184852 (JP, A) Full-open 6-58371 (JP, U) Full-open 58-114775 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G01R 1/06-1/073 G01R 31/28 H01L 21/66

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 先端が測定対象物の電極パッドに接触す
る接触部となり、後端がテスターに接続された導電部に
接続される接続部となるプローブにおいて、後端の接続
部に垂直な力が加わると変形する変形部が設けられてお
り、前記接触部と接続部とは同一垂線上にはないことを
特徴とするプローブ。
1. A tip is in contact with an electrode pad of an object to be measured.
Contact part, the rear end of which is connected to the conductive part connected to the tester.
The connection at the rear end of the probe that is to be connected
There is a deformation part that deforms when a vertical force is applied to the part.
That the contact part and the connection part are not on the same perpendicular.
Probe to be characterized .
【請求項2】 前記変形部は、横向きの略U字形状に形
成されていることを特徴とする請求項1記載のプロー
ブ。
2. The deforming portion is formed in a substantially U-shape in a horizontal direction.
The probe according to claim 1, wherein the probe is formed.
【請求項3】 前記変形部は、他の部分より細く形成さ
れていることを特徴とする請求項1記載のプローブ。
3. The deformed portion is formed thinner than other portions.
The probe according to claim 1, wherein the probe is provided.
【請求項4】 請求項1、2又は3のいずれか1つに記
載のプローブと、テスターに接続された導電部が形成さ
れた基板と、この基板の下方に設けられ、前記プローブ
を支持するプローブ支持部とを具備しており、前記プロ
ーブの変形部は、前記導電部に接続部が接触する際に変
形することを特徴とするプローブカード。
4. The method according to claim 1, 2 or 3.
The probe and the conductive part connected to the tester are formed.
And a probe provided below the substrate,
And a probe support for supporting the probe.
The deformed portion of the probe is deformed when the connecting portion contacts the conductive portion.
A probe card characterized by being shaped .
【請求項5】 請求項1、2又は3のいずれか1つに記
載のプローブと、テスターに接続された導電部が形成さ
れた基板と、この基板の下方に設けられ、前記プローブ
を支持するプローブ支持部と、前記基板とプローブとの
間に設けられ、内部に導電パターンが形成された中継基
板とを具備しており、前記プローブの接続部は、前記中
継基板の裏面に露出した下側接点に、前記導電部は、中
継基板の表面に露出した上側接点にそれぞれ導通し、前
記プローブの変形部は、前記下側接点に接続部が接触す
る際に変形することを特徴とするプローブカード。
5. The method as set forth in claim 1, 2 or 3.
The probe and the conductive part connected to the tester are formed.
And a probe provided below the substrate,
A probe support for supporting the substrate and the probe
Intermediate base with conductive pattern formed inside
A connection portion of the probe,
At the lower contact exposed on the back surface of the connecting board, the conductive part is
Conducts to the upper contacts exposed on the surface of the connecting board
The deformed portion of the probe has a connection portion that contacts the lower contact.
A probe card characterized by being deformed when being inserted.
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