JP2002031768A - Optical adm device - Google Patents

Optical adm device

Info

Publication number
JP2002031768A
JP2002031768A JP2000354741A JP2000354741A JP2002031768A JP 2002031768 A JP2002031768 A JP 2002031768A JP 2000354741 A JP2000354741 A JP 2000354741A JP 2000354741 A JP2000354741 A JP 2000354741A JP 2002031768 A JP2002031768 A JP 2002031768A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength
wavelength separation
waveguide
synthesis
electrode layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000354741A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Katayama
誠 片山
Hiroshi Okuyama
浩 奥山
Tomohiko Kanie
智彦 蟹江
Masayuki Nishimura
正幸 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2000354741A priority Critical patent/JP2002031768A/en
Publication of JP2002031768A publication Critical patent/JP2002031768A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical ADM device which is capable of suppressing that the device becomes large. SOLUTION: In the optical ADM device, a first channel waveguide section 10, a first slab waveguide section 20, an array waveguide section 30, a second slab waveguide section 40 and a second channel waveguide section 50 for wavelength separation and synthesis are formed on a substrate 2. And also, a switch section 60 is disposed on a substrate 2. The switch section 60 has movable mirrors 61. The movable mirrors 61 are freely movable in an advance direction and retreat direction with respect to the optical paths in the second channel waveguides 511 to 51N for wavelength separation and second channel waveguides 521 to 52N for wavelength synthesis. The movable mirrors 61 is disposed on the substrate 2 in such a manner that the movable mirrors 61 are made freely movable in the advance direction and retreat direction with respect to groove parts 3 of the positions corresponding to respective intersection parts.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光ADM(Add Dr
op Multiplexer)装置に関する。
[0001] The present invention relates to an optical ADM (Add Dr.
op Multiplexer) device.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の光ADM装置として、たとえば
特開平11−271559号公報に開示されたような光
ADM装置が知られている。この特開平11−2715
59号公報に開示された光ADM装置は、基板上に、入
力ポート導波路と、入力ポート導波路に接続される光デ
マルチプレクサと、導波路によって光デマルチプレクサ
の出力ポートに接続される入力ポートを有する光マルチ
プレクサと、光マルチプレクサに接続される出力ポート
導波路とを備え、光デマルチプレクサの出力ポートと光
マルチプレクサの入力ポートとを接続する導波路が、光
伝達路に対する信号光のアド(add)又はドロップ(dro
p)するあるいはそれらの双方を行う光マルチ・ポート
光スイッチを含んでいる。
2. Description of the Related Art As this type of optical ADM device, for example, an optical ADM device as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-271559 is known. This Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-2715
The optical ADM apparatus disclosed in Japanese Patent Application Publication No. 59-59139 has an input port waveguide, an optical demultiplexer connected to the input port waveguide, and an input port connected to the output port of the optical demultiplexer by the waveguide. And an output port waveguide connected to the optical multiplexer. The waveguide connecting the output port of the optical demultiplexer and the input port of the optical multiplexer includes an add of signal light to the optical transmission path. ) Or drop (dro
p) or an optical multi-port optical switch to do both.

【0003】この光スイッチには、マッハ・ツェンダ
(MZ)干渉計の形態の熱光学スイッチが用いられてい
る。熱光学スイッチは加熱素子を有しており、この加熱
素子は、光導波路の光路長(位相シフト)を制御する。
たとえば特開平11−271559号公報に開示された
光ADM装置においては、熱光学スイッチは、加熱素子
に電圧を印加することにより、光デマルチプレクサから
の信号光をドロップすると共に、異なる信号光をアドし
て光マルチプレクサに出力する。一方、加熱素子への電
圧の印加を解除することにより、熱光学スイッチは、光
デマルチプレクサからの信号光を光マルチプレクサに出
力する。
A thermo-optical switch in the form of a Mach-Zehnder (MZ) interferometer is used for this optical switch. The thermo-optical switch has a heating element, which controls the optical path length (phase shift) of the optical waveguide.
For example, in an optical ADM device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-271559, a thermo-optic switch drops a signal light from an optical demultiplexer and applies a different signal light by applying a voltage to a heating element. And outputs it to the optical multiplexer. On the other hand, by canceling the application of the voltage to the heating element, the thermo-optical switch outputs the signal light from the optical demultiplexer to the optical multiplexer.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
11−271559号公報に記載された光ADM装置の
ように、光スイッチとしてMZ干渉計の形態の熱光学ス
イッチを用いた光ADM装置は、干渉機構を形成するた
めには相応の光路長が必要となり、光スイッチが占める
面積が大きくなり、基板の面積が大きくなり光ADM装
置全体が大型化するという問題点を有していることが判
明した。
However, an optical ADM apparatus using a thermo-optical switch in the form of an MZ interferometer as an optical switch, such as an optical ADM apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-271559, is difficult to solve. In order to form the mechanism, it has been found that an appropriate optical path length is required, the area occupied by the optical switch is increased, the area of the substrate is increased, and the entire optical ADM apparatus has a problem. .

【0005】また、熱光学スイッチを用いた光ADM装
置は、温度変化(加熱素子による加熱)による屈折率の
変調を利用しているため、光スイッチとしての動作速度
が遅くなる(10ms以上)という問題点を有している
ことも判明した。
Also, an optical ADM device using a thermo-optical switch utilizes the modulation of the refractive index due to a change in temperature (heating by a heating element), so that the operation speed of the optical switch is reduced (10 ms or more). It also turned out to have problems.

【0006】更に、熱光学スイッチを用いた光ADM装
置では、加熱素子に印加する電圧の大きさにより屈折率
の微妙な変化を制御しているので、各光スイッチの切り
替え特性を均一にするための調整が必要となり、生産性
が悪化するという問題点を有していることも判明した。
Further, in an optical ADM device using a thermo-optical switch, since a subtle change in the refractive index is controlled by the magnitude of the voltage applied to the heating element, the switching characteristics of each optical switch are made uniform. It is also found that there is a problem that the adjustment of the temperature is required and the productivity is deteriorated.

【0007】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、本発明は、装置の大型化を抑制することが可能な光
ADM装置を提供することを課題とする。
[0007] The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an optical ADM apparatus capable of suppressing an increase in the size of the apparatus.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明に係る光ADM装
置は、基板上に、波長分離合成部とスイッチ部とを備え
る光ADM装置であって、波長分離合成部は、少なくと
も一つのアレイ導波路型回折格子を含み、スイッチ部
は、波長分離合成部の波長分離側の光路に対して進出方
向及び退出方向に移動自在な可動ミラーを有することを
特徴としている。
An optical ADM apparatus according to the present invention is an optical ADM apparatus having a wavelength separation / combination unit and a switch unit on a substrate, wherein the wavelength separation / combination unit includes at least one array waveguide. The switch unit includes a wave path type diffraction grating, and the switch unit has a movable mirror that is movable in an advancing direction and an egressing direction with respect to an optical path on the wavelength separation side of the wavelength separation and synthesis unit.

【0009】本発明に係る光ADM装置では、スイッチ
部は、可動ミラーが波長分離合成部の波長分離側の光路
に対して進出した状態では波長分離側の光路を通る信号
光を反射し、可動ミラーが波長分離側の光路に対して退
出した状態では波長分離側の光路を通る信号光を通過さ
せる。これにより、スイッチ部が機械的な構成のものと
なり、熱光学スイッチを用いた従来の光ADM装置に比
して基板の面積が小さくなる。この結果、装置の大型化
を抑制することができる。
In the optical ADM apparatus according to the present invention, when the movable mirror has advanced to the optical path on the wavelength separation side of the wavelength separation / combination section, the switch reflects the signal light passing through the optical path on the wavelength separation side and is movable. When the mirror is out of the optical path on the wavelength separation side, the signal light passing through the optical path on the wavelength separation side is passed. As a result, the switch section has a mechanical configuration, and the area of the substrate is smaller than that of a conventional optical ADM device using a thermo-optical switch. As a result, an increase in the size of the device can be suppressed.

【0010】また、スイッチ部は、複数の可動ミラーを
有し、複数の可動ミラーは、波長分離合成部の波長分離
側の光路を横断する溝部に沿い直線状に並設されている
ことが好ましい。このように構成した場合には、スイッ
チ部を簡易且つ低コストに配設し得る構成を実現するこ
とができる。また、可動ミラーの配設位置に対する要求
精度が緩和され、スイッチ部の基板への組み付けが容易
となり、生産性を向上することができる。
Preferably, the switch section has a plurality of movable mirrors, and the plurality of movable mirrors are arranged in a straight line along a groove crossing the optical path on the wavelength separation side of the wavelength separation / combination section. . With this configuration, it is possible to realize a configuration in which the switch unit can be simply and inexpensively arranged. In addition, the required accuracy of the arrangement position of the movable mirror is relaxed, the assembling of the switch unit to the substrate is facilitated, and the productivity can be improved.

【0011】また、波長分離合成部は、波長分離用アレ
イ導波路型回折格子及び波長合成用アレイ導波路型回折
格子を含み、波長分離用アレイ導波路型回折格子は、第
1の波長分離用チャンネル導波路、第1の波長分離用ス
ラブ導波路、波長分離用アレイ導波路、第2の波長分離
用スラブ導波路、及び、複数本の第2の波長分離用チャ
ンネル導波路を有し、波長合成用アレイ導波路型回折格
子は、第1の波長合成用チャンネル導波路、第1の波長
合成用スラブ導波路、波長合成用アレイ導波路、第2の
波長合成用スラブ導波路、及び、複数本の第2の波長合
成用チャンネル導波路を有しており、第2の波長分離用
チャンネル導波路と第2の波長合成用チャンネル導波路
の同一波長の信号光が通る導波路同士は、1つの直線上
で交差し、溝部は、直線に沿って形成され、スイッチ部
は、交差する点の数と同数の可動ミラーを有することが
好ましい。このように構成した場合には、波長分離用の
アレイ導波路型回折格子(Arrayed−Waveguide Gratin
g:以下、AWGと略す)と波長合成用のAWGとを備
えた構成の光ADM装置において、スイッチ部を簡易且
つ低コストに配設し得る構成を実現することができる。
また、可動ミラーの配設位置に対する要求精度が緩和さ
れ、スイッチ部の基板への組み付けが容易となり、生産
性を向上することができる。
The wavelength separation / combination unit includes an arrayed waveguide type diffraction grating for wavelength separation and an arrayed waveguide type diffraction grating for wavelength synthesis. A channel waveguide, a first wavelength separation slab waveguide, a wavelength separation array waveguide, a second wavelength separation slab waveguide, and a plurality of second wavelength separation channel waveguides; The combining arrayed waveguide type diffraction grating includes a first wavelength combining channel waveguide, a first wavelength combining slab waveguide, a wavelength combining array waveguide, a second wavelength combining slab waveguide, and a plurality of wavelength combining slab waveguides. And the second wavelength separating channel waveguide and the second wavelength combining channel waveguide through which the signal light of the same wavelength passes are equal to one another. Cross on two straight lines, the groove is Is formed along a straight line, the switch unit preferably has as many movable mirror points of intersection. In the case of such a configuration, an arrayed-waveguide grating for wavelength separation (Arrayed-Waveguide Gratin) is used.
g: hereinafter abbreviated as AWG) and an AADM for wavelength combining, which can realize a configuration in which the switch unit can be simply and inexpensively arranged.
In addition, the required accuracy of the arrangement position of the movable mirror is relaxed, the assembling of the switch unit to the substrate is facilitated, and the productivity can be improved.

【0012】また、波長分離合成部は、波長分離合成用
アレイ導波路型回折格子を含み、波長分離合成用アレイ
導波路型回折格子は、第1の波長分離合成用チャンネル
導波路、第1の波長分離合成用スラブ導波路、波長分離
合成用アレイ導波路、第2の波長分離合成用スラブ導波
路、及び、複数本の第2の波長分離合成用チャンネル導
波路を有し、溝部は、第2の波長分離合成用スラブ導波
路と第2の波長分離合成用チャンネル導波路との間に各
第2の波長分離合成用チャンネル導波路が並設された方
向に形成され、スイッチ部は、第2の波長分離合成用チ
ャンネル導波路と同数の可動ミラーを有することが好ま
しい。このように構成した場合には、波長分離用のAW
Gと波長合成用のAWGとが共通化された構成の光AD
M装置において、スイッチ部を簡易且つ低コストに配設
し得る構成を実現することができる。また、可動ミラー
の配設位置に対する要求精度が緩和され、スイッチ部の
基板への組み付けが容易となり、生産性を向上すること
ができる。更に、実質的に平坦な特性を有する光ADM
装置の透過帯域を実現することができる。
The wavelength separation / combination unit includes a wavelength separation / combination array waveguide type diffraction grating, and the wavelength separation / combination array waveguide type diffraction grating includes a first wavelength separation / combination channel waveguide and a first wavelength separation / combination channel waveguide. A slab waveguide for wavelength separation / synthesis, an array waveguide for wavelength separation / synthesis, a second slab waveguide for wavelength separation / synthesis, and a plurality of second channel waveguides for wavelength separation / synthesis; The second wavelength separation / synthesis channel waveguide is formed between the second wavelength separation / synthesis slab waveguide and the second wavelength separation / synthesis channel waveguide. It is preferable to have the same number of movable mirrors as the two wavelength separation / combination channel waveguides. In the case of such a configuration, the wavelength separation AW
G and AWG for wavelength synthesis have common optical AD
In the M device, it is possible to realize a configuration in which the switch unit can be simply and inexpensively arranged. In addition, the required accuracy of the arrangement position of the movable mirror is relaxed, the assembling of the switch unit to the substrate is facilitated, and the productivity can be improved. Further, an optical ADM having substantially flat characteristics
The transmission band of the device can be realized.

【0013】また、波長分離合成部は、波長分離用アレ
イ導波路型回折格子及び波長合成用アレイ導波路型回折
格子を含み、波長分離用アレイ導波路型回折格子は、第
1の波長分離用チャンネル導波路、第1の波長分離用ス
ラブ導波路、波長分離用アレイ導波路、第2の波長分離
用スラブ導波路、及び、複数本の第2の波長分離合成用
チャンネル導波路を有し、波長合成用アレイ導波路型回
折格子は、第1の波長合成用チャンネル導波路、第1の
波長合成用スラブ導波路、波長合成用アレイ導波路、第
2の波長分離用スラブ導波路と連続し一部を共有する第
2の波長合成用スラブ導波路、及び、複数本の第2の波
長分離合成用チャンネル導波路を有しており、溝部は、
第2の波長分離用スラブ導波路及び第2の波長合成用ス
ラブ導波路と第2の波長分離合成用チャンネル導波路と
の間に各第2の波長分離合成用チャンネル導波路が並設
された方向に形成され、スイッチ部は、第2の波長分離
合成用チャンネル導波路と同数の可動ミラーを有するこ
とが好ましい。このように構成した場合には、波長分離
用のAWGと波長合成用のAWGとにおいて、第2の波
長分離用スラブ導波路と第2の波長合成用スラブ導波路
とが一部を共有する構成の光ADM装置において、スイ
ッチ部を簡易且つ低コストに配設し得る構成を実現する
ことができる。また、可動ミラーの配設位置に対する要
求精度が緩和され、スイッチ部の基板への組み付けが容
易となり、生産性を向上することができる。また、実質
的に平坦な特性を有する光ADM装置の透過帯域を実現
することができる。更に、波長分離用のAWGと波長合
成用のAWGとが共通化された構成の光ADM装置と比
べて、光サーキュレータの数を低減することが可能とな
る。
The wavelength separation / combination unit includes an arrayed waveguide type diffraction grating for wavelength separation and an arrayed waveguide type diffraction grating for wavelength synthesis. A channel waveguide, a first wavelength separation slab waveguide, a wavelength separation array waveguide, a second wavelength separation slab waveguide, and a plurality of second wavelength separation / synthesis channel waveguides; The wavelength-combining array waveguide type diffraction grating is continuous with a first wavelength-combining channel waveguide, a first wavelength-combining slab waveguide, a wavelength-combining array waveguide, and a second wavelength-separating slab waveguide. A second wavelength combining slab waveguide sharing a part, and a plurality of second wavelength separating / combining channel waveguides are provided.
The second wavelength separation / synthesis channel waveguides are arranged in parallel between the second wavelength separation / slab waveguide and the second wavelength synthesis / slab waveguide and the second wavelength separation / synthesis channel waveguide. Preferably, the switch unit has the same number of movable mirrors as the second wavelength separation / combination channel waveguide. In this case, the second wavelength separation slab waveguide and the second wavelength synthesis slab waveguide share a part of the wavelength separation AWG and the wavelength synthesis AWG. In the optical ADM device, a configuration in which the switch unit can be simply and inexpensively arranged can be realized. In addition, the required accuracy of the arrangement position of the movable mirror is relaxed, the assembling of the switch unit to the substrate is facilitated, and the productivity can be improved. Further, a transmission band of the optical ADM device having substantially flat characteristics can be realized. Furthermore, the number of optical circulators can be reduced as compared with an optical ADM device having a configuration in which an AWG for wavelength separation and an AWG for wavelength synthesis are shared.

【0014】また、スイッチ部は、一方の面側に可動ミ
ラーが設けられる絶縁層と、絶縁層の他方の面側に形成
される第1の電極層と、基板の絶縁層に対向する位置に
形成される第2の電極層と、を更に有し、絶縁層は、第
1の電極層と第2の電極層との間に所定の電圧を印加す
ることにより発生する静電引力により撓み、可動ミラー
を波長分離側の光路に対して進出方向あるいは退出方向
に移動させることが好ましい。このように構成した場合
には、熱光学スイッチを用いた従来の光ADM装置に比
して、スイッチ部の動作速度を速くすることができる。
[0014] The switch section has an insulating layer provided with a movable mirror on one surface side, a first electrode layer formed on the other surface side of the insulating layer, and a position facing the insulating layer of the substrate. And a second electrode layer formed, wherein the insulating layer is bent by an electrostatic attraction generated by applying a predetermined voltage between the first electrode layer and the second electrode layer, It is preferable to move the movable mirror in the forward or backward direction with respect to the optical path on the wavelength separation side. With this configuration, the operating speed of the switch unit can be increased as compared with a conventional optical ADM device using a thermo-optical switch.

【0015】また、絶縁層は、第1の電極層と第2の電
極層との間に所定の電圧を印加していないときに、可動
ミラーが波長分離側の光路に対して退出した状態となる
ように、予め撓んで形成されていることが好ましい。こ
のように構成した場合には、第1の電極層と第2の電極
層との間に所定の電圧を印加していない、可動ミラーが
波長分離合成部の波長分離側の光路に対して退出した状
態を初期状態として設定でき、スイッチ部を動作させる
ための消費電力を低減することができる。
[0015] The insulating layer may be in a state where the movable mirror retreats from the optical path on the wavelength separation side when a predetermined voltage is not applied between the first electrode layer and the second electrode layer. It is preferable to be formed in advance so as to be bent. In such a configuration, a predetermined voltage is not applied between the first electrode layer and the second electrode layer, and the movable mirror moves out of the optical path on the wavelength separation side of the wavelength separation / combination unit. The set state can be set as an initial state, and power consumption for operating the switch unit can be reduced.

【0016】また、スイッチ部は、一方の面側に可動ミ
ラーが設けられる第1の電極層と、絶縁層を挟んで第1
の電極層に対向する位置に形成される第2の電極層と、
を更に有し、第1の電極層は、第1の電極層と第2の電
極層との間に所定の電圧を印加することにより発生する
静電引力により撓み、可動ミラーを波長分離側の光路に
対して進出方向あるいは退出方向に移動させることが好
ましい。このように構成した場合には、熱光学スイッチ
を用いた従来の光ADM装置に比して、スイッチ部の動
作速度を速くすることができる。また、可動ミラーが設
けられる絶縁層の一方の面側に第1の電極層を形成する
構成のものに比して、第1の電極層に可動ミラーが設け
られるので、スイッチ部を製造する際の工程簡素化及び
低コスト化を図ることが可能となる。
The switch section has a first electrode layer provided with a movable mirror on one surface side and a first electrode layer sandwiching an insulating layer.
A second electrode layer formed at a position facing the electrode layer of
The first electrode layer is bent by an electrostatic attraction generated by applying a predetermined voltage between the first electrode layer and the second electrode layer, and causes the movable mirror to move the movable mirror on the wavelength separation side. It is preferable to move in the advance direction or the exit direction with respect to the optical path. With this configuration, the operating speed of the switch unit can be increased as compared with a conventional optical ADM device using a thermo-optical switch. In addition, since the movable mirror is provided on the first electrode layer as compared with the configuration in which the first electrode layer is formed on one surface side of the insulating layer on which the movable mirror is provided, the manufacturing cost of the switch unit is increased. Can be simplified and the cost can be reduced.

【0017】また、第1の電極層は、第1の電極層と第
2の電極層との間に所定の電圧を印加していないとき
に、可動ミラーが波長分離側の光路に対して退出した状
態となるように、予め撓んで形成されていることが好ま
しい。このように構成した場合には、第1の電極層と第
2の電極層との間に所定の電圧を印加していない、可動
ミラーが波長分離合成部の波長分離側の光路に対して退
出した状態を初期状態として設定でき、スイッチ部を動
作させるための消費電力を低減することができる。
Further, when the predetermined voltage is not applied between the first electrode layer and the second electrode layer, the first electrode layer allows the movable mirror to move out of the optical path on the wavelength separation side. It is preferable to be formed so as to be bent in advance so as to be in a bent state. In such a configuration, a predetermined voltage is not applied between the first electrode layer and the second electrode layer, and the movable mirror moves out of the optical path on the wavelength separation side of the wavelength separation / combination unit. The set state can be set as an initial state, and power consumption for operating the switch unit can be reduced.

【0018】また、第1の電極層は、可動ミラーと同一
材料にて形成されることが好ましい。このように構成し
た場合には、第1の電極層と可動ミラーとを極めて容易
にスイッチ部に形成することができる。
Preferably, the first electrode layer is formed of the same material as the movable mirror. With this configuration, the first electrode layer and the movable mirror can be formed very easily in the switch section.

【0019】また、可動ミラー及び第1の電極層は、ニ
ッケルにより形成されることが好ましい。このように構
成した場合には、工程が簡素で、且つ装置が安価な金属
めっき技術を用いて、可動ミラー及び第1の電極層を形
成することができる。
Preferably, the movable mirror and the first electrode layer are formed of nickel. In the case of such a configuration, the movable mirror and the first electrode layer can be formed by using a metal plating technique whose process is simple and the device is inexpensive.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
による光ADM装置の好適な実施形態について詳細に説
明する。なお、各図において同一要素には同一符号を付
し、重複する説明を省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the optical ADM apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In each of the drawings, the same elements will be denoted by the same reference symbols, without redundant description.

【0021】(第1実施形態)まず、図1に基づいて、
本発明の第1実施形態に係る光ADM装置を説明する。
図1は、第1実施形態に係る光ADM装置を示す構成図
である。
(First Embodiment) First, based on FIG.
An optical ADM device according to a first embodiment of the present invention will be described.
FIG. 1 is a configuration diagram illustrating the optical ADM apparatus according to the first embodiment.

【0022】第1実施形態に係る光ADM装置1は、波
長分離用導波路型回折格子(AWG)と波長合成用AW
Gとを備えた構成とされており、各AWGは、Si又は
SiO2からなる基板2上に形成されている。また、基
板2上にはスイッチ部60が配設されている。
The optical ADM apparatus 1 according to the first embodiment includes a wavelength separating waveguide type diffraction grating (AWG) and a wavelength combining AW.
G, and each AWG is formed on a substrate 2 made of Si or SiO 2 . A switch unit 60 is provided on the substrate 2.

【0023】第1のチャネル導波路部10は、一本の第
1の波長分離用チャネル導波路11と、一本の第1の波
長合成用チャネル導波路12とを含む。第1のスラブ導
波路部20は、第1の波長分離用チャネル導波路11に
接続された第1の波長分離用スラブ導波路21と、第1
の波長合成用チャネル導波路12に接続された第1の波
長合成用スラブ導波路22とを含む。
The first channel waveguide section 10 includes one first wavelength separating channel waveguide 11 and one first wavelength combining channel waveguide 12. The first slab waveguide section 20 includes a first wavelength separation slab waveguide 21 connected to the first wavelength separation channel waveguide 11 and a first wavelength separation slab waveguide 21.
And a first wavelength-synthesizing slab waveguide 22 connected to the wavelength-synthesizing channel waveguide 12.

【0024】アレイ導波路部30は、第1の波長分離用
スラブ導波路21に接続され各々の光路長が互いに異な
るM(M≧2)本のチャネル導波路311〜31Mからな
る波長分離用アレイ導波路部31と、第1の波長合成用
スラブ導波路22に接続され各々の光路長が互いに異な
るM(M≧2)本のチャネル導波路321〜32Mからな
る波長合成用アレイ導波路部32とを含む。第2のスラ
ブ導波路部40は、波長分離用アレイ導波路部31に接
続された第2の波長分離用スラブ導波路41と、波長合
成用アレイ導波路部32に接続された第2の波長合成用
スラブ導波路42とを含む。第2の波長分離合成用チャ
ネル導波路部50は、第2の波長分離用スラブ導波路4
1に接続されたN(N≧2)本の第2の波長分離用チャ
ネル導波路511〜51Nと、第2の波長合成用スラブ導
波路42に接続されたN(N≧2)本の第2の波長合成
用チャネル導波路521〜52Nとを含む。
The array waveguide section 30 is composed of M (M ≧ 2) channel waveguides 31 1 to 31 M connected to the first wavelength separation slab waveguide 21 and having different optical path lengths. Wavelength array composed of M (M ≧ 2) channel waveguides 32 1 to 32 M connected to the array waveguide section 31 for wavelength and the first slab waveguide for wavelength synthesis 22 and having different optical path lengths from each other. And a waveguide section 32. The second slab waveguide section 40 includes a second wavelength separation slab waveguide 41 connected to the wavelength separation array waveguide section 31 and a second wavelength connected to the wavelength synthesis array waveguide section 32. And a slab waveguide 42 for synthesis. The second wavelength separation / synthesis channel waveguide unit 50 includes the second wavelength separation / slab waveguide 4.
N (N ≧ 2) second wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 N connected to the first and N (N ≧ 2) second wavelength synthesis slab waveguides 42 Of the second wavelength synthesizing channel waveguides 52 1 to 52 N.

【0025】光ADM装置1において、波長分離用AW
Gは、第1の波長分離用チャネル導波路11、第1の波
長分離用スラブ導波路21、波長分離用アレイ導波路部
31、第2の波長分離用スラブ導波路41、及び、第2
の波長分離用チャネル導波路511〜51Nを有すること
になる。一方、光ADM装置1において、波長合成用A
WGは、第1の波長合成用チャネル導波路12、第1の
波長合成用スラブ導波路22、波長合成用アレイ導波路
部32、第2の波長合成用スラブ導波路42、及び、第
2の波長合成用チャネル導波路521〜52Nを有するこ
とになる。
In the optical ADM apparatus 1, the wavelength separation AW
G denotes a first wavelength separation channel waveguide 11, a first wavelength separation slab waveguide 21, a wavelength separation array waveguide unit 31, a second wavelength separation slab waveguide 41, and a second
Of the wavelength separating channel waveguides 51 1 to 51 N. On the other hand, in the optical ADM apparatus 1, the wavelength combining A
The WG includes a first wavelength combining channel waveguide 12, a first wavelength combining slab waveguide 22, a wavelength combining array waveguide section 32, a second wavelength combining slab waveguide 42, and a second It will have the wavelength combining channel waveguides 52 1 to 52 N.

【0026】第1の波長分離用チャネル導波路11は、
入力端11aを基板2の端面に有し、この入力端11a
に入力した信号光を出力する出力端11bを第1の波長
分離用スラブ導波路21との接合位置に有する。第1の
波長合成用チャネル導波路12は、入力端12aを第1
の波長合成用スラブ導波路22との接合位置に有し、こ
の入力端12aに入力した信号光を出力する出力端12
bを基板2の端面に有する。
The first wavelength separating channel waveguide 11 is
An input end 11a is provided on the end face of the substrate 2 and the input end 11a
Has an output end 11b for outputting the signal light input to the slab waveguide 21 for the first wavelength separation. The first wavelength synthesizing channel waveguide 12 is connected to the input end 12a by the first
The output end 12 for outputting the signal light input to the input end 12a at the junction position with the wavelength combining slab waveguide 22.
b on the end surface of the substrate 2.

【0027】第1の波長分離用スラブ導波路21は、第
1の波長分離用チャネル導波路11の出力端11bから
第1の波長分離用スラブ導波路21へ入力した信号光
を、この第1の波長分離用スラブ導波路21に接合され
ている波長分離用アレイ導波路部31の入力端31aに
入力させる。第1の波長合成用スラブ導波路22は、こ
の第1の波長合成用スラブ導波路22に接合されている
波長合成用アレイ導波路部32の出力端32bから第1
の波長合成用スラブ導波路22へ入力した信号光を、第
1の波長合成用チャネル導波路12の入力端12aに入
力させる。
The first wavelength separation slab waveguide 21 receives the signal light input from the output end 11b of the first wavelength separation channel waveguide 11 to the first wavelength separation slab waveguide 21, Is input to the input end 31a of the array waveguide unit 31 for wavelength separation joined to the slab waveguide 21 for wavelength separation. The first wavelength-synthesizing slab waveguide 22 is connected to an output end 32b of the wavelength-synthesizing array waveguide unit 32 joined to the first wavelength-synthesizing slab waveguide 22 from the first end.
The signal light input to the slab waveguide 22 for wavelength synthesis is input to the input end 12a of the first channel waveguide 12 for wavelength synthesis.

【0028】波長分離用アレイ導波路部31は、第1の
波長分離用スラブ導波路21から信号光を入力する入力
端31aと、その信号光を第2の波長分離用スラブ導波
路41へ出力する出力端31bとを有している。M本の
チャネル導波路311〜31Mは、各々の光路長が所定長
ΔLずつ異なっており、各々を導波する信号光に対して
位相差を与える。
The wavelength separation array waveguide section 31 has an input end 31a for inputting signal light from the first wavelength separation slab waveguide 21 and outputs the signal light to the second wavelength separation slab waveguide 41. Output end 31b. Each of the M channel waveguides 31 1 to 31 M has a different optical path length by a predetermined length ΔL, and gives a phase difference to the signal light guided therethrough.

【0029】波長合成用アレイ導波路部32は、第2の
波長合成用スラブ導波路42から信号光を入力する入力
端32aと、その信号光を第1の波長合成用スラブ導波
路22へ出力する出力端32bとを有している。M本の
チャネル導波路321〜32Mは、各々の光路長が所定長
ΔLずつ異なっており、各々を導波する信号光に対して
位相差を与える。
The wavelength combining array waveguide section 32 has an input end 32a for inputting signal light from the second wavelength combining slab waveguide 42 and outputs the signal light to the first wavelength combining slab waveguide 22. Output end 32b. Each of the M channel waveguides 32 1 to 32 M has a different optical path length by a predetermined length ΔL, and gives a phase difference to the signal light guided through each.

【0030】第2の波長分離用スラブ導波路41は、波
長分離用アレイ導波路部31の出力端31bから第2の
波長分離用スラブ導波路41へ入力した信号光を、この
第2の波長分離用スラブ導波路41に接合されている第
2の波長分離用チャネル導波路511〜51Nの入力端5
1aへ入力させる。第2の波長合成用スラブ導波路42
は、この第2の波長合成用スラブ導波路42に接合され
ている第2の波長合成用チャネル導波路521〜52N
出力端52bから第2の波長合成用スラブ導波路42へ
入力した信号光を、波長合成用アレイ導波路部32の入
力端32aへ入力させる。
The second wavelength separation slab waveguide 41 converts the signal light input from the output end 31b of the wavelength separation array waveguide section 31 to the second wavelength separation slab waveguide 41 into the second wavelength separation slab waveguide 41. Input ends 5 of the second wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 N joined to the separation slab waveguide 41.
1a. Second wavelength combining slab waveguide 42
Are input to the second wavelength synthesizing slab waveguide 42 from the output ends 52b of the second wavelength synthesizing channel waveguides 52 1 to 52 N joined to the second wavelength synthesizing slab waveguide 42. The signal light is input to the input end 32a of the wavelength combining array waveguide 32.

【0031】第2の波長分離用チャネル導波路511
51Nそれぞれは、第2の波長分離用スラブ導波路41
から入力端51aに入力した信号光を、基板2の端面に
設けられた出力端52bに出力(ドロップ)する。第2
の波長合成用チャネル導波路521〜52Nそれぞれは、
基板2の端面に設けられた入力端52aから入力(ア
ド)した信号光を、出力端52bから第2の波長合成用
スラブ導波路42に出力する。第2の波長分離用チャネ
ル導波路511〜51Nと第2の波長合成用チャネル導波
路521〜52Nとは、対応する導波路同士が次に説明す
る溝部3の部分で交差(たとえば、直交)するように形
成されている。
The second wavelength separating channel waveguides 51 1 to 51 1-
51 N are the second wavelength separation slab waveguides 41
From the input terminal 51a is output (dropped) to an output terminal 52b provided on the end face of the substrate 2. Second
Each of the wavelength synthesis channel waveguides 52 1 to 52 N of
The signal light input (added) from the input end 52a provided on the end face of the substrate 2 is output from the output end 52b to the second slab waveguide 42 for wavelength synthesis. The second wavelength separating channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength synthesizing channel waveguides 52 1 to 52 N intersect with each other at the portion of the groove 3 described below (for example, , Orthogonal).

【0032】基板2には、第2の波長分離用チャネル導
波路511〜51N及び第2の波長合成用チャネル導波路
521〜52Nが並設された方向に延びて、第2の波長分
離用チャネル導波路511〜51Nと第2の波長合成用チ
ャネル導波路521〜52Nとの各交差部を切断する溝部
3が形成されている。溝部3は、ダイシング技術等を用
いることにより、形成される。
The substrate 2 extends in the direction in which the second wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength synthesis channel waveguides 52 1 to 52 N are arranged side by side, and A groove 3 for cutting each intersection of the wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength synthesis channel waveguides 52 1 to 52 N is formed. The groove 3 is formed by using a dicing technique or the like.

【0033】スイッチ部60は、図2〜図4にも示され
るように、可動ミラー61と、絶縁層62と、第1の電
極層63、第2の電極層64とを有している。スイッチ
部60には、交差部(第2の波長分離用チャネル導波路
511〜51Nあるいは第2の波長合成用チャネル導波路
521〜52N)と同数の可動ミラー61がアレイ状に配
設されており、夫々の可動ミラー61は、溝部3に沿う
ように直線状に並設されている。可動ミラー61は、第
2の波長分離用チャネル導波路511〜51N及び第2の
波長合成用チャネル導波路521〜52Nにおける光路に
対して進出方向及び退出方向に移動自在であり、スイッ
チ部60は、各可動ミラー61が各交差部に対応する位
置の溝部3に対して進出方向及び退出方向に移動自在と
なるように基板2上に配設されている。可動ミラー61
は、本実施形態においては、200μm×100μm程
度の大きさを有した平板形状を呈している。
The switch section 60 has a movable mirror 61, an insulating layer 62, a first electrode layer 63, and a second electrode layer 64, as shown in FIGS. The same number of movable mirrors 61 as the number of intersections (second wavelength separating channel waveguides 51 1 to 51 N or second wavelength combining channel waveguides 52 1 to 52 N ) are arranged in the switch section 60 in an array. The movable mirrors 61 are arranged in a straight line along the groove 3. The movable mirror 61 is movable in the forward and backward directions with respect to the optical paths in the second wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength synthesis channel waveguides 52 1 to 52 N. The switch unit 60 is disposed on the substrate 2 such that each movable mirror 61 is movable in the forward and backward directions with respect to the groove 3 at a position corresponding to each intersection. Movable mirror 61
Has a flat plate shape having a size of about 200 μm × 100 μm in the present embodiment.

【0034】絶縁層62は例えばポリシリコンからな
り、その一方の面側に可動ミラー61が設けられてい
る。第1の電極層63は、絶縁層62の他方の面側に形
成されている。第2の電極層64は、基板2の絶縁層6
2の一方の面に対向する位置に形成されている。絶縁層
62は、第1の電極層63と第2の電極層64との間に
所定の電圧を印加することにより発生する静電引力によ
り撓み、図4及び図5に示すように、可動ミラー61を
第2の波長分離用チャネル導波路511〜51Nと第2の
波長合成用チャネル導波路521〜52Nとの交差部にお
ける光路に対して進出方向あるいは退出方向に移動させ
る。絶縁層62は、本実施形態においては、幅が200
μm程度とされ、長さが1.5mm程度とされ、厚さが
1.5μm程度とされている。また、第1の電極層63
と第2の電極層64の厚さは、50nm程度とされてい
る。
The insulating layer 62 is made of, for example, polysilicon, and the movable mirror 61 is provided on one surface side. The first electrode layer 63 is formed on the other surface side of the insulating layer 62. The second electrode layer 64 is formed on the insulating layer 6 of the substrate 2.
2 is formed at a position facing one surface. The insulating layer 62 is deflected by an electrostatic attraction generated by applying a predetermined voltage between the first electrode layer 63 and the second electrode layer 64, and as shown in FIGS. 61 is moved in the forward or backward direction with respect to the optical path at the intersection of the second wavelength separating channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength combining channel waveguides 52 1 to 52 N. The insulating layer 62 has a width of 200 in this embodiment.
The length is about 1.5 mm, and the thickness is about 1.5 μm. Also, the first electrode layer 63
And the thickness of the second electrode layer 64 is about 50 nm.

【0035】また、絶縁層62は、第1の電極層63と
第2の電極層64との間に所定の電圧を印加していない
ときに、可動ミラー61が第2の波長分離合成用チャネ
ル導波路部50の各導波路511〜51N,521〜52N
における光路に対して退出した状態となるように、予め
撓んで形成されている。これにより、第1の電極層63
と第2の電極層64との間に所定の電圧を印加していな
い、可動ミラー61が第2の波長分離用チャネル導波路
511〜51Nと第2の波長合成用チャネル導波路521
〜52Nとの交差部における光路に対して退出した状態
を初期状態として設定でき、スイッチ部60(可動ミラ
ー61)を動作させるための消費電力を低減することが
できる。なお、本実施形態においては、第1の電極層6
3に圧縮応力が発生するように第1の電極層63を形成
することにより、絶縁層62が予め撓んだ状態となる。
Further, when a predetermined voltage is not applied between the first electrode layer 63 and the second electrode layer 64, the movable mirror 61 serves as a second wavelength separation / combination channel. each waveguide 51 of the waveguide section 50 1 ~51 N, 52 1 ~52 N
Is bent in advance so as to be retracted with respect to the optical path at. Thereby, the first electrode layer 63
A predetermined voltage is not applied between the movable mirror 61 and the second electrode layer 64, and the movable mirror 61 has the second wavelength separating channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength combining channel waveguide 52 1.
The state in which the exit with respect to the optical path at the intersection of the to 52 N can be set as the initial state, it is possible to reduce the power consumption for operating the switch section 60 (the movable mirror 61). In the present embodiment, the first electrode layer 6
By forming the first electrode layer 63 so that a compressive stress is generated in 3, the insulating layer 62 is in a state of being bent in advance.

【0036】次に、図6に基づいて、スイッチ部60の
製造工程を説明する。スイッチ部60は、フォトリソグ
ラフィ技術、エッチング技術等の薄膜技術を用いること
により製造される。なお、図6においては、1つの絶縁
層62に対して1つの可動ミラー61及び1つの第1の
電極層63を形成する例を示すが、複数の可動ミラー6
1をアレイ状に配設したものについても、同様に製造す
ることができる。
Next, a manufacturing process of the switch section 60 will be described with reference to FIG. The switch unit 60 is manufactured by using a thin film technology such as a photolithography technology and an etching technology. FIG. 6 shows an example in which one movable mirror 61 and one first electrode layer 63 are formed for one insulating layer 62.
1 can be manufactured in a similar manner.

【0037】まず、図6(a)に示されるように、Si
基板71上にフォトリソグラフィ技術等を用いて、第1
の電極層63に対応する金属パターン72を形成する。
このとき、金属パターン72(第1の電極層63)に圧
縮応力が発生するように、応力を制御しながら金属パタ
ーン72(第1の電極層63)を形成する。金属パター
ン72を形成すると、図6(b)に示されるように、C
VD又はスパッタリング技術等を用いて、ポリシリコン
膜73を形成する。更に、ポリシリコン膜73の上にレ
ジスト膜74を塗布する。
First, as shown in FIG.
The first is formed on the substrate 71 by using a photolithography technique or the like.
A metal pattern 72 corresponding to the electrode layer 63 is formed.
At this time, the metal pattern 72 (the first electrode layer 63) is formed while controlling the stress so that a compressive stress is generated in the metal pattern 72 (the first electrode layer 63). When the metal pattern 72 is formed, as shown in FIG.
The polysilicon film 73 is formed by using VD or a sputtering technique. Further, a resist film 74 is applied on the polysilicon film 73.

【0038】レジスト膜74を塗布すると、図6(c)
に示されるように、リソグラフィ技術等を用いて、レジ
スト膜74に可動ミラー61に相当する部分の型75を
成形する。その後、図6(d)に示されるように、金属
メッキ技術により、レジスト膜74に形成された型75
内に可動ミラー61となる金属(たとえば、銅又はニッ
ケル等)76を成長させる。最後に、図6(e)に示さ
れるように、エッチング技術を用いて、Si基板71、
レジスト膜74を除去する。このように、フォトリソグ
ラフィ技術、エッチング技術等の薄膜技術を用いること
により、スイッチ部60を低コスト且つ容易に製造する
ことができる。
After the application of the resist film 74, FIG.
As shown in (1), a mold 75 corresponding to the movable mirror 61 is formed in the resist film 74 by using a lithography technique or the like. Thereafter, as shown in FIG. 6D, the mold 75 formed on the resist film 74 by a metal plating technique.
A metal (for example, copper or nickel) 76 to be the movable mirror 61 is grown therein. Finally, as shown in FIG. 6E, the Si substrate 71,
The resist film 74 is removed. As described above, by using the thin film technology such as the photolithography technology and the etching technology, the switch unit 60 can be easily manufactured at low cost.

【0039】第1の電極層63と第2の電極層64との
間に所定の電圧(本実施形態においては、20V程度)
を印加した場合には、図4に示されるように、第1の電
極層63と第2の電極層64との間に発生する静電引力
により絶縁層が撓み、可動ミラー61は可動ミラー61
が第2の波長分離用チャネル導波路511〜51Nと第2
の波長合成用チャネル導波路521〜52Nとの交差部に
おける光路に対して進出した状態となる。可動ミラー6
1が可動ミラー61が第2の波長分離用チャネル導波路
511〜51Nと第2の波長合成用チャネル導波路521
〜52Nとの交差部における光路に対して進出した状態
においては、可動ミラー61は、第2の波長分離用スラ
ブ導波路41から出力され第2の波長分離用チャネル導
波路511〜51Nを通ってきた信号光を反射し、対応す
る第2の波長合成用チャネル導波路521〜52Nに入力
させる。
A predetermined voltage (about 20 V in the present embodiment) is applied between the first electrode layer 63 and the second electrode layer 64.
Is applied, as shown in FIG. 4, the insulating layer is bent by the electrostatic attraction generated between the first electrode layer 63 and the second electrode layer 64, and the movable mirror 61
Are the second wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 N and the second
Is advanced to the optical path at the intersection with the wavelength synthesizing channel waveguides 52 1 to 52 N. Movable mirror 6
1 is a movable mirror 61 is a second wavelength separation channel waveguide 51 1 to 51 N and a second wavelength synthesis channel waveguide 52 1.
To 52 in the state that advances with respect to the optical path at the intersection of the N, the movable mirror 61, a second output from the wavelength separating slab waveguide 41 and the second wavelength separation channel waveguide 51 1 to 51 N The reflected signal light is reflected and input to the corresponding second wavelength combining channel waveguides 52 1 to 52 N.

【0040】第1の電極層63と第2の電極層64との
間に所定の電圧を印加しない場合には、図5に示される
ように、可動ミラー61は第2の波長分離用チャネル導
波路511〜51Nと第2の波長合成用チャネル導波路5
1〜52Nとの交差部における光路に対して退出した状
態となる。可動ミラー61が第2の波長分離用チャネル
導波路511〜51Nと第2の波長合成用チャネル導波路
521〜52Nとの交差部における光路に対して退出した
状態においては、第2の波長分離用スラブ導波路41か
ら出力され第2の波長分離用チャネル導波路511〜5
Nを通ってきた信号光は、溝部3内の空間を通って、
第2の波長分離用チャネル導波路511〜51Nの出力端
51bに至り、ドロップされることになる。また、第2
の波長合成用チャネル導波路521〜52Nの入力端52
aからアドされた信号光が入力された場合には、アドさ
れた信号光は溝部3内の空間を通って、第2の波長合成
用チャネル導波路521〜52Nの出力端52bに至る。
なお、溝部3の幅を20μm程度に設定することによ
り、溝部3での信号光の損失を3dB程度に抑制するこ
とができる。さらに、溝部3に電気絶縁性のマッチング
オイルを充填して動作させれば、損失を1dB以下にで
き、また、可動ミラー61を凹面として反射光と第2の
波長分離用チャネル導波路511〜51Nとの結合を改善
することにより、損失を0.3dBにできる。
When a predetermined voltage is not applied between the first electrode layer 63 and the second electrode layer 64, as shown in FIG. 5, the movable mirror 61 is connected to the second wavelength separation channel conductor. Waveguides 51 1 to 51 N and second wavelength combining channel waveguide 5
In a state of being exited from the optical path at the intersection of the 2 1 to 52 N. In the state where the movable mirror 61 is protruded from the optical path at the intersection between the second wavelength separating channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength combining channel waveguides 52 1 to 52 N , the second Output from the wavelength separation slab waveguide 41, and are output from the second wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 5.
The signal light passing through 1 N passes through the space in the groove 3 and
The output reaches the output end 51b of the second wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 N and is dropped. Also, the second
Input ends 52 of the wavelength synthesizing channel waveguides 52 1 to 52 N
If the ad signal light is inputted from a, signal light ad passes through the space in the groove 3, to the output end 52b of the second wavelength-multiplexing channel waveguide 52 1 to 52 N .
By setting the width of the groove 3 to about 20 μm, the loss of signal light in the groove 3 can be suppressed to about 3 dB. Further, if the groove portion 3 is operated by filling it with an electrically insulating matching oil, the loss can be reduced to 1 dB or less, and the movable mirror 61 is formed as a concave surface and the reflected light and the second wavelength separating channel waveguides 51 1 to 51 1 to By improving the coupling with 51 N , the loss can be reduced to 0.3 dB.

【0041】したがって、光ADM装置1においては、
上述した構成のスイッチ部60において所定の可動ミラ
ー61を選択動作させることにより、第1のチャネル導
波路部10に入力された或る波長の信号光をドロップす
ると共に、ドロップしなかった他の波長の信号光と共に
或る波長の信号光をアドして第1のチャネル導波路部1
0から出力することができる。
Therefore, in the optical ADM apparatus 1,
By selectively operating the predetermined movable mirror 61 in the switch unit 60 having the above-described configuration, the signal light of a certain wavelength input to the first channel waveguide unit 10 is dropped, and the other wavelengths that are not dropped are dropped. The signal light of a certain wavelength is added together with the signal light of
0 can be output.

【0042】このように、本第1実施形態に係る光AD
M装置1では、スイッチ部60が、第2の波長分離用チ
ャネル導波路511〜51Nと第2の波長合成用チャネル
導波路521〜52Nとの交差部における光路に対して進
出方向及び退出方向に移動自在な可動ミラー61を有す
るという機械的な構成のものとされるので、熱光学スイ
ッチを用いた従来の光ADM装置に比して基板2の面積
が小さくなる。この結果、光ADM装置1の大型化を抑
制することができる。
As described above, the light AD according to the first embodiment is
In the M device 1, the switch unit 60 moves in the direction in which the light enters the optical path at the intersection of the second wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength synthesis channel waveguides 52 1 to 52 N. In addition, since the movable mirror 61 has a mechanical configuration in which the movable mirror 61 is movable in the retreating direction, the area of the substrate 2 is smaller than that of a conventional optical ADM device using a thermo-optical switch. As a result, an increase in the size of the optical ADM apparatus 1 can be suppressed.

【0043】また、波長分離用AWGと波長合成用AW
Gとを備えた構成の光ADM装置1において、スイッチ
部60を簡易且つ低コストに配設し得る構成を実現する
ことができる。
AWG for wavelength separation and AW for wavelength synthesis
In the optical ADM apparatus 1 having the configuration G, it is possible to realize a configuration in which the switch unit 60 can be arranged simply and at low cost.

【0044】可動ミラー61は平板形状を呈しているこ
とから、可動ミラー61(スイッチ部60)の配設位置
が可動ミラー61のミラー面(反射面)に平行な方向に
多少ずれたとしても、可動ミラー61は第2の波長分離
用チャネル導波路511〜51Nからの信号光を第2の波
長合成用チャネル導波路521〜52Nに確実に反射する
ことが可能となる。また、信号光は所定の光束幅を有す
ることから、可動ミラー61(スイッチ部60)の配設
位置が可動ミラー61のミラー面(反射面)に垂直な方
向に多少ずれたとしても、或る程度の反射強度を確保し
た状態で第2の波長分離用チャネル導波路511〜51N
からの信号光を第2の波長合成用チャネル導波路521
〜52N反射することが可能となる。これらのことか
ら、可動ミラー61の配設位置に対する要求精度が緩和
され、スイッチ部60の基板2への組み付けが容易とな
り、生産性を向上することができる。
Since the movable mirror 61 has a flat plate shape, even if the arrangement position of the movable mirror 61 (switch section 60) is slightly shifted in a direction parallel to the mirror surface (reflection surface) of the movable mirror 61, The movable mirror 61 can reliably reflect the signal light from the second wavelength separating channel waveguides 51 1 to 51 N to the second wavelength combining channel waveguides 52 1 to 52 N. Further, since the signal light has a predetermined light flux width, even if the arrangement position of the movable mirror 61 (the switch unit 60) is slightly shifted in the direction perpendicular to the mirror surface (reflection surface) of the movable mirror 61, there is still a certain amount. The second wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 N are obtained in a state where the reflection intensity of
From the second wavelength combining channel waveguide 52 1
~ 52 N reflection is possible. From these facts, the required accuracy for the arrangement position of the movable mirror 61 is relaxed, the assembling of the switch unit 60 to the substrate 2 is facilitated, and the productivity can be improved.

【0045】また、スイッチ部60が可動ミラー61
と、絶縁層62と、第1の電極層63と、第2の電極層
64とを有し、絶縁層が、第1の電極層63と第2の電
極層64との間に所定の電圧を印加することにより発生
する静電引力により撓み、可動ミラー61を第2の波長
分離用チャネル導波路511〜51Nと第2の波長合成用
チャネル導波路521〜52Nとの交差部における光路に
対して進出方向あるいは退出方向に移動させることによ
り、スイッチ部60の動作速度が1ms以下となり、熱
光学スイッチを用いた従来の光ADM装置に比して、ス
イッチ部60の動作速度を速くすることができる。
The switch unit 60 is provided with a movable mirror 61.
, An insulating layer 62, a first electrode layer 63, and a second electrode layer 64, wherein the insulating layer has a predetermined voltage between the first electrode layer 63 and the second electrode layer 64. , The movable mirror 61 intersects the second wavelength separating channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength combining channel waveguides 52 1 to 52 N. By moving the switch section 60 in the forward or backward direction with respect to the optical path, the operation speed of the switch section 60 becomes 1 ms or less, and the operation speed of the switch section 60 is reduced as compared with a conventional optical ADM apparatus using a thermo-optical switch. Can be faster.

【0046】(第2実施形態)次に、図7に基づいて、
本発明の第2実施形態に係る光ADM装置を説明する。
図7は、第2実施形態に係る光ADM装置を示す構成図
である。
(Second Embodiment) Next, based on FIG.
An optical ADM device according to a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 7 is a configuration diagram illustrating an optical ADM apparatus according to the second embodiment.

【0047】第2実施形態に係る光ADM装置101
は、波長分離用AWGと波長合成用AWGとが共通化さ
れた構成とされており、波長分離用AWGと波長合成用
AWGとが共通化されて構成された波長分離合成用AW
Gは、第1実施形態の光ADM装置1と同様に、基板2
上に形成されている。また、基板2上にはスイッチ部6
0が配設されている。
Optical ADM apparatus 101 according to the second embodiment
Has a configuration in which an AWG for wavelength separation and an AWG for wavelength synthesis are shared, and an AWG for wavelength separation and synthesis in which the AWG for wavelength separation and the AWG for wavelength synthesis are shared.
G is the substrate 2 as in the optical ADM apparatus 1 of the first embodiment.
Is formed on. The switch unit 6 is provided on the substrate 2.
0 is provided.

【0048】第1のチャネル導波路部110は、一本の
第1の波長分離合成用チャネル導波路111を含む。第
1の波長分離合成用スラブ導波路部120は、第1の波
長分離合成用チャネル導波路111に接続される第1の
波長分離合成用スラブ導波路121を含む。波長分離合
成用アレイ導波路部130は、第1の波長分離合成用ス
ラブ導波路121に接続される複数本のチャネル導波路
1311〜131Mを含む。第2の波長分離合成用スラブ
導波路部140は、チャネル導波路1311〜131M
接続される第2の波長分離合成用スラブ導波路141を
含む。第2の波長分離合成用チャネル導波路部150
は、第2の波長分離合成用スラブ導波路141に接続さ
れる複数本の第2の波長分離合成用チャネル導波路15
1〜151Nを含む。
The first channel waveguide section 110 includes one first wavelength separation / combination channel waveguide 111. The first wavelength separation / synthesis slab waveguide section 120 includes a first wavelength separation / synthesis slab waveguide 121 connected to the first wavelength separation / synthesis channel waveguide 111. The array waveguide unit 130 for wavelength separation / synthesis includes a plurality of channel waveguides 131 1 to 131 M connected to the first slab waveguide 121 for wavelength separation / synthesis. The second wavelength separation / synthesis slab waveguide section 140 includes a second wavelength separation / synthesis slab waveguide 141 connected to the channel waveguides 131 1 to 131 M. Second Wavelength Separating / Combining Channel Waveguide 150
Are a plurality of second wavelength separation / synthesis channel waveguides 15 connected to the second wavelength separation / synthesis slab waveguide 141.
Including a 1 1 ~151 N.

【0049】光ADM装置101において、波長分離合
成用AWGは、第1の波長分離合成用チャネル導波路1
11、第1の波長分離合成用スラブ導波路121、波長
分離合成用アレイ導波路部130、第2の波長分離合成
用スラブ導波路141、及び、第2の波長分離合成用チ
ャネル導波路1511〜151Nを有することになる。
In the optical ADM apparatus 101, the wavelength separation / combination AWG is the first wavelength separation / combination channel waveguide 1.
11, a first wavelength separation / synthesis slab waveguide 121, a wavelength separation / synthesis array waveguide section 130, a second wavelength separation / synthesis slab waveguide 141, and a second wavelength separation / synthesis channel waveguide 151 1 It will have a ~151 N.

【0050】以下では、本第2実施形態に係る光ADM
装置101が光分波回路として機能する場合を想定して
説明する。すなわち、第1の波長分離合成用チャネル導
波路111に入力した信号光を分波して、その分波され
た各波長の信号光をN本の第2の波長分離合成用チャネ
ル導波路1511〜151Nの何れかに出力する場合を想
定して説明する。
Hereinafter, the optical ADM according to the second embodiment will be described.
Description will be made on the assumption that the device 101 functions as an optical demultiplexing circuit. That is, the signal light input to the first wavelength separation / combination channel waveguide 111 is demultiplexed, and the demultiplexed signal light of each wavelength is transmitted to N second wavelength separation / combination channel waveguides 151 1. The description will be made on the assumption that the output is performed to any one of N to 151 N.

【0051】第1の波長分離合成用チャネル導波路11
1は、入力端111aを基板2の端面に有し、この入力
端111aに入力した信号光を出力する出力端111b
を第1の波長分離合成用スラブ導波路121との接合位
置に有する。
First Wavelength Separating / Combining Channel Waveguide 11
Reference numeral 1 denotes an output terminal 111b having an input terminal 111a on an end face of the substrate 2 and outputting a signal light input to the input terminal 111a.
At the joint position with the first wavelength separation / synthesis slab waveguide 121.

【0052】第1の波長分離合成用スラブ導波路121
は、第1の波長分離合成用チャネル導波路111の出力
端111bから第1の波長分離合成用スラブ導波路12
1へ入力した信号光を、この第1の波長分離合成用スラ
ブ導波路121に接合されている波長分離合成用アレイ
導波路部130の入力端に入力させる。
First slab waveguide 121 for wavelength separation / combination
Are connected from the output end 111b of the first wavelength separation / synthesis channel waveguide 111 to the first wavelength separation / synthesis slab waveguide 12
The signal light input to 1 is input to the input terminal of the wavelength separation / synthesis array waveguide unit 130 joined to the first wavelength separation / synthesis slab waveguide 121.

【0053】波長分離合成用アレイ導波路部130は、
第1の波長分離合成用スラブ導波路121から信号光を
入力する入力端131aと、その信号光を第2の波長分
離合成用スラブ導波路141へ出力する出力端131b
とを有している。M本のチャネル導波路1311〜13
Mは、各々の光路長が所定長ΔLずつ異なっており、
各々を導波する信号光に対して位相差を与える。
The wavelength separating / synthesizing array waveguide section 130 includes:
An input end 131a for inputting signal light from the first wavelength separation / synthesis slab waveguide 121, and an output end 131b for outputting the signal light to the second wavelength separation / synthesis slab waveguide 141.
And M channel waveguides 131 1 to 13
1 M is such that each optical path length is different by a predetermined length ΔL,
A phase difference is given to the signal light guided through each.

【0054】第2の波長分離合成用スラブ導波路141
は、波長分離合成用アレイ導波路部130の出力端13
1bから第2の波長分離合成用スラブ導波路141へ入
力した信号光を、この第2の波長分離合成用スラブ導波
路141に接合されている第2の波長分離合成用チャネ
ル導波路1511〜151Nの入力端151aへ入力させ
る。
Second slab waveguide for wavelength separation / combination 141
Is the output end 13 of the wavelength separation / synthesis array waveguide section 130.
The signal light input from the first wavelength separation / synthesis slab waveguide 141 to the second wavelength separation / synthesis slab waveguide 141 is coupled to the second wavelength separation / synthesis channel waveguide 151 1- 151 N is input to the input terminal 151a of the.

【0055】第2の波長分離合成用チャネル導波路15
1〜151Nそれぞれは、第2の波長分離合成用スラブ
導波路141から入力端151aに入力した信号光を、
基板2の端面に設けられた出力端151bに出力する。
Second Wavelength Separating / Combining Channel Waveguide 15
11 1 to 151 N respectively convert the signal light input from the second wavelength separation / synthesis slab waveguide 141 to the input end 151a,
The signal is output to an output terminal 151b provided on the end surface of the substrate 2.

【0056】また、光ADM装置101は、第1の波長
分離合成用チャネル導波路111に接続された第1の光
サーキュレータ181と、各第2の波長分離合成用チャ
ネル導波路1511〜151Nの出力端151bに接続さ
れた第2の光サーキュレータ182と、を備えている。
第1の光サーキュレータ181は、第1の端子181a
と、第1の波長分離合成用チャネル導波路111に接続
される第2の端子181bと、第3の端子181cとを
有している。この第1の光サーキュレータ181は、第
1の端子181aに入力された光信号を第2の端子18
1bから出力し、第1の波長分離合成用チャネル導波路
111から第2の端子181bに入力された信号光を第
3の端子181cから出力する。第2の光サーキュレー
タ182は、第1の端子182aと、対応する第2の波
長分離合成用チャネル導波路1511〜151Nに接続さ
れる第2の端子182bと、第3の端子182cとを有
している。第2の光サーキュレータ182は、第1の端
子182aに入力(アド)された信号光を第2の波長分
離合成用チャネル導波路1511〜151Nの出力端(入
力端)151bに出力し、第2の波長分離合成用チャネ
ル導波路1511〜151Nの出力端151bから第2の
端子182bに入力された信号光を第3の端子182c
から出力(ドロップ)する。
The optical ADM apparatus 101 includes a first optical circulator 181 connected to the first wavelength separation / combination channel waveguide 111 and each of the second wavelength separation / combination channel waveguides 151 1 to 151 N. And a second optical circulator 182 connected to the output end 151b.
The first optical circulator 181 has a first terminal 181a.
And a second terminal 181b connected to the first wavelength separation / combination channel waveguide 111 and a third terminal 181c. The first optical circulator 181 converts the optical signal input to the first terminal 181a into the second terminal 181a.
1b, the signal light input from the first wavelength separation / combination channel waveguide 111 to the second terminal 181b is output from the third terminal 181c. The second optical circulator 182 has a first terminal 182a, a second terminal 182b connected to the corresponding second wavelength separation synthesis channel waveguide 151 1 ~151 N, and a third terminal 182c Have. The second optical circulator 182 outputs the signal light input (added) to the first terminal 182a to the output end (input end) 151b of the second wavelength separation / combination channel waveguides 151 1 to 151 N , the second signal light inputted from the output terminal 151b to the second terminal 182b of channel wavelength separating and synthesizing waveguide 151 1 ~151 N third terminal 182c
Output (drop) from

【0057】基板2には、第2の波長分離合成用スラブ
導波路141と第2の波長分離合成用チャネル導波路部
150との間に各第2の波長分離合成用チャネル導波路
1511〜151Nが並設された方向に延びる溝部3が形
成されている。また、スイッチ部60には、第2の波長
分離合成用チャネル導波路1511〜151Nと同数の可
動ミラー61がアレイ状に配設されている。各可動ミラ
ー61は、対応する第2の波長分離合成用チャネル導波
路1511〜151Nにおける光路に対応する位置の溝部
3に対して進出方向及び退出方向に移動自在に構成され
ている。
On the substrate 2, between the second wavelength separation / synthesis slab waveguide 141 and the second wavelength separation / synthesis channel waveguide section 150, each of the second wavelength separation / synthesis channel waveguides 151 1 to 151 1 . Grooves 3 extending in the direction in which 151 N are juxtaposed are formed. In the switch section 60, the same number of movable mirrors 61 as the second wavelength separation / combination channel waveguides 151 1 to 151 N are arranged in an array. Each movable mirror 61 is configured to be movable in the forward and backward directions with respect to the groove 3 at a position corresponding to the optical path in the corresponding second wavelength separation / combination channel waveguides 151 1 to 151 N.

【0058】第1の電極層(図示せず)と第2の電極層
(図示せず)との間に所定の電圧を印加した場合には、
可動ミラー61は第2の波長分離合成用チャネル導波路
1511〜151Nにおける光路に対応する位置の溝部3
に対して進出した状態となる。可動ミラー61が第2の
波長分離合成用チャネル導波路1511〜151Nにおけ
る光路に対応する位置の溝部3に対して進出した状態に
おいては、可動ミラー61は、第2の波長分離合成用ス
ラブ導波路141から出力された信号光を反射し、この
信号光が第2の波長分離合成用チャネル導波路1511
〜151Nに入力されることはない。
When a predetermined voltage is applied between the first electrode layer (not shown) and the second electrode layer (not shown),
The movable mirror 61 has a groove 3 at a position corresponding to the optical path in the second wavelength separation / combination channel waveguides 151 1 to 151 N.
Is advanced. In a state where the movable mirror 61 has advanced to the groove 3 at a position corresponding to the optical path in the second wavelength separation / synthesis channel waveguides 151 1 to 151 N , the movable mirror 61 holds the second wavelength separation / synthesis slab. The signal light output from the waveguide 141 is reflected, and the signal light is reflected by the second wavelength separation / combination channel waveguide 151 1.
~ 151 N is never entered.

【0059】第1の電極層と第2の電極層との間に所定
の電圧を印加しない場合には、可動ミラー61は第2の
波長分離合成用チャネル導波路1511〜151Nにおけ
る光路に対応する位置の溝部3に対して退出した状態と
なる。可動ミラー61が第2の波長分離合成用チャネル
導波路1511〜151Nにおける光路に対応する位置の
溝部3に対して退出した状態においては、第2の波長分
離合成用スラブ導波路141から出力された信号光は、
溝部3内の空間を通って、第2の波長分離合成用チャネ
ル導波路1511〜151Nに入力され、第2の波長分離
合成用チャネル導波路1511〜151Nの出力端151
bに至り、第2の光サーキュレータ182に入力され
る。また、第2の光サーキュレータ182から第2のチ
ャネル導波路1511〜151Nの出力端(入力端)15
1bに出力(アド)された信号光は、溝部3内の空間を
通って、第2の波長分離合成用スラブ導波路141に入
力される。
When a predetermined voltage is not applied between the first electrode layer and the second electrode layer, the movable mirror 61 moves to the optical path in the second wavelength separation / combination channel waveguides 151 1 to 151 N. It is in a state of being retracted with respect to the groove 3 at the corresponding position. When the movable mirror 61 is retracted from the groove 3 at a position corresponding to the optical path in the second wavelength separation / synthesis channel waveguides 151 1 to 151 N , the output from the second wavelength separation / synthesis slab waveguide 141 is obtained. The signal light is
Through the space groove 3, is input to the second wavelength separation synthesis channel waveguide 151 1 ~151 N, the output end of the second wavelength separation synthesis channel waveguide 151 1 ~151 N 151
b, and is input to the second optical circulator 182. In addition, the output end (input end) 15 of the second channel waveguides 151 1 to 151 N from the second optical circulator 182.
The signal light output (added) to 1b passes through the space in the groove 3 and is input to the second slab waveguide 141 for wavelength separation / combination.

【0060】このように、本第2実施形態に係る光AD
M装置101では、第1実施形態の光ADM装置1と同
様に、熱光学スイッチを用いた従来の光ADM装置に比
して基板2の面積を小さくなる。この結果、光ADM装
置101の大型化を抑制することができる。
As described above, the light AD according to the second embodiment is
In the M device 101, similarly to the optical ADM device 1 of the first embodiment, the area of the substrate 2 is smaller than that of a conventional optical ADM device using a thermo-optical switch. As a result, an increase in the size of the optical ADM device 101 can be suppressed.

【0061】また、波長分離用AWGと波長合成用AW
Gとが共通化された構成の光ADM装置101におい
て、スイッチ部60を簡易且つ低コストに配設し得る構
成を実現することができる。また、可動ミラー61の配
設位置に対する要求精度が緩和され、スイッチ部60の
基板2への組み付けが容易となり、生産性を向上するこ
とができる。
AWG for wavelength separation and AW for wavelength synthesis
In the optical ADM apparatus 101 having a configuration in which G is shared, it is possible to realize a configuration in which the switch unit 60 can be arranged easily and at low cost. In addition, the required accuracy of the arrangement position of the movable mirror 61 is relaxed, the assembling of the switch unit 60 to the substrate 2 is facilitated, and the productivity can be improved.

【0062】更に、スイッチ部60が信号光を反射する
可動ミラー61を有しており、分波された各波長の信号
光に対する反射率は略一定となる。この結果、光ADM
装置101の透過帯域は、図8に示されるように、実質
的に平坦な特性を有することになり、信号光の波長の揺
らぎに対して反射強度が変化するのを抑制できる。
Further, the switch section 60 has a movable mirror 61 for reflecting the signal light, and the reflectance for the signal light of each of the divided wavelengths is substantially constant. As a result, the optical ADM
As shown in FIG. 8, the transmission band of the device 101 has substantially flat characteristics, and it is possible to suppress a change in the reflection intensity with respect to the fluctuation of the wavelength of the signal light.

【0063】(第3実施形態)次に、図9に基づいて、
本発明の第3実施形態に係る光ADM装置を説明する。
図9は、第3実施形態に係る光ADM装置を示す構成図
である。
(Third Embodiment) Next, based on FIG.
An optical ADM device according to a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 9 is a configuration diagram illustrating an optical ADM apparatus according to the third embodiment.

【0064】第3実施形態に係る光ADM装置201
は、波長分離用のAWGと波長合成用のAWGとにおい
て、第2の波長分離用スラブ導波路と第2の波長合成用
スラブ導波路とがその一部を共有する構成とされてお
り、各AWGは、第1実施形態及び第2実施形態の光A
DM装置1,101と同様に、基板2上に形成されてい
る。また、基板2上にはスイッチ部60が配設されてい
る。
Optical ADM apparatus 201 according to the third embodiment
In the AWG for wavelength separation and the AWG for wavelength synthesis, the second wavelength separation slab waveguide and the second wavelength synthesis slab waveguide share a part thereof. The AWG is the light A of the first and second embodiments.
Like the DM devices 1 and 101, they are formed on the substrate 2. A switch unit 60 is provided on the substrate 2.

【0065】第2の波長分離合成用スラブ導波路部24
0は、波長分離用アレイ導波路部31に接続された第2
の波長分離用スラブ導波路と、波長合成用アレイ導波路
部32に接続された第2の波長合成用スラブ導波路とが
その一部を共有する構成の第2の波長分離合成用スラブ
導波路241を含む。
Second slab waveguide section 24 for wavelength separation / combination
0 is the second wavelength connected to the wavelength separation array waveguide section 31.
A second wavelength separation / synthesis slab waveguide having a configuration in which the wavelength separation slab waveguide and a second wavelength synthesis slab waveguide connected to the wavelength synthesis array waveguide portion 32 share a part thereof. 241 is included.

【0066】光ADM装置201において、波長分離用
AWGは、第1の波長分離用チャネル導波路11、第1
の波長分離用スラブ導波路21、波長分離用アレイ導波
路部31、第2の波長分離合成用スラブ導波路241、
及び、第2の波長分離合成用チャネル導波路1511
151Nを有することになる。一方、光ADM装置20
1において、波長合成用AWGは、第1の波長合成用チ
ャネル導波路12、第1の波長合成用スラブ導波路2
2、波長合成用アレイ導波路部32、第2の波長分離合
成用スラブ導波路241、及び、第2の波長分離合成用
チャネル導波路1511〜151Nを有することになる。
In the optical ADM apparatus 201, the AWG for wavelength separation includes the first channel waveguide 11 for wavelength separation,
Slab waveguide 21 for wavelength separation, array waveguide section 31 for wavelength separation, second slab waveguide 241 for wavelength separation / synthesis,
And the second wavelength separation / synthesis channel waveguides 151 1 to 151 1-
151 N. On the other hand, the optical ADM device 20
1, the wavelength-synthesizing AWG includes a first wavelength-synthesizing channel waveguide 12 and a first wavelength-synthesizing slab waveguide 2.
2. It has the array waveguide section 32 for wavelength synthesis, the second slab waveguide 241 for wavelength separation / synthesis, and the second channel waveguides 151 1 to 151 N for wavelength separation / synthesis.

【0067】第2の波長分離合成用スラブ導波路241
は、波長分離用アレイ導波路部31の出力端31bから
第2の波長分離合成用スラブ導波路241へ入力した信
号光を、この第2の波長分離合成用スラブ導波路241
に接合されている第2の波長分離合成用チャネル導波路
1511〜151Nの入力端151aへ入力させる。ま
た、第2の波長分離合成用スラブ導波路241は、この
第2の波長分離合成用スラブ導波路241に接合されて
いる第2の波長分離合成用チャネル導波路151 1〜1
51Nの入力端(出力端)151aから第2の波長分離
合成用スラブ導波路241へ入力した信号光を、波長合
成用アレイ導波路部32の入力端32aへ入力させる。
Second slab waveguide 241 for wavelength separation / combination
From the output end 31b of the wavelength separating array waveguide section 31
The signal input to the second wavelength separation / synthesis slab waveguide 241
The signal light is supplied to the second wavelength separation / synthesis slab waveguide 241.
Wavelength separation / synthesis channel waveguide joined to the second substrate
1511~ 151NTo the input terminal 151a. Ma
The second wavelength separation / synthesis slab waveguide 241 is
Joined to the second wavelength separation / synthesis slab waveguide 241
Second wavelength channel 151 for wavelength separation / combination 1~ 1
51NWavelength separation from the input end (output end) 151a of the
The signal light input to the slab waveguide 241 for synthesis is
The input is made to the input end 32a of the forming array waveguide section 32.

【0068】基板2には、第2実施形態と同様に、第2
の波長分離合成用スラブ導波路241と第2の波長分離
合成用チャネル導波路151との間に各第2の波長分離
合成用チャネル導波路1511〜151Nが並設された方
向に延びる溝部3が形成されている。また、スイッチ部
60には、第2の波長分離合成用チャネル導波路151
1〜151Nと同数の可動ミラー61がアレイ状に配設さ
れている。各可動ミラー61は、対応する第2の波長分
離合成用チャネル導波路1511〜151Nにおける光路
に対応する位置の溝部に対して進出方向及び退出方向に
移動自在に構成されている。
As in the case of the second embodiment, the second
A groove extending in the direction in which the second wavelength separation / synthesis channel waveguides 151 1 to 151 N are arranged between the wavelength separation / synthesis slab waveguide 241 and the second wavelength separation / synthesis channel waveguide 151. 3 are formed. The switch section 60 includes a second channel waveguide 151 for wavelength separation / synthesis.
The same number of movable mirrors 61 as 1 to 151 N are arranged in an array. Each movable mirror 61 is configured to be movable in the forward and backward directions with respect to the groove portion at the position corresponding to the optical path in the corresponding second wavelength separation / combination channel waveguides 151 1 to 151 N.

【0069】このように、本第3実施形態に係る光AD
M装置201では、第1及び第2実施形態の光ADM装
置1,101と同様に、熱光学スイッチを用いた従来の
光ADM装置に比して基板の面積が小さくなる。この結
果、光ADM装置201の大型化を抑制することができ
る。
As described above, the light AD according to the third embodiment is
In the M device 201, as in the optical ADM devices 1 and 101 of the first and second embodiments, the substrate area is smaller than that of a conventional optical ADM device using a thermo-optical switch. As a result, an increase in the size of the optical ADM device 201 can be suppressed.

【0070】また、波長分離用のAWGと波長合成用の
AWGとにおいて、第2の波長分離用スラブ導波路と第
2の波長合成用スラブ導波路とがその一部を共有する構
成の光ADM装置201において、スイッチ部60を簡
易且つ低コストに配設し得る構成を実現することができ
る。また、可動ミラー61の配設位置に対する要求精度
が緩和され、スイッチ部60の基板への組み付けが容易
となり、生産性を向上することができる。また、第2実
施形態と同様に、実質的に平坦な特性を有する光ADM
装置201の透過帯域を実現することができ、信号光の
波長の揺らぎに対して反射強度が変化するのを抑制でき
る。
Further, in the wavelength-separating AWG and the wavelength-synthesizing AWG, an optical ADM in which the second wavelength-separating slab waveguide and the second wavelength-synthesizing slab waveguide share a part thereof. In the device 201, a configuration in which the switch unit 60 can be simply and inexpensively arranged can be realized. In addition, the required accuracy for the arrangement position of the movable mirror 61 is relaxed, the assembling of the switch unit 60 to the substrate is facilitated, and the productivity can be improved. Further, similarly to the second embodiment, an optical ADM having substantially flat characteristics
The transmission band of the device 201 can be realized, and the change in the reflection intensity with respect to the fluctuation of the wavelength of the signal light can be suppressed.

【0071】更に、波長分離用AWGと波長合成用AW
Gとが共通化された構成の第2実施形態の光ADM装置
101と比べて、第1サーキュレータ181が不要とな
り、光サーキュレータの数を低減することが可能とな
り、光ADM装置201の低コスト化が可能となる。
Further, AWG for wavelength separation and AW for wavelength synthesis
Compared with the optical ADM apparatus 101 of the second embodiment in which G is shared, the first circulator 181 becomes unnecessary, the number of optical circulators can be reduced, and the cost of the optical ADM apparatus 201 can be reduced. Becomes possible.

【0072】(第4実施形態)次に、図10及び図11
に基づいて、本発明の第4実施形態に係る光ADM装置
に含まれるスイッチ部を説明する。図10は、スイッチ
部を示す平面図であり、図11は、スイッチ部を示す側
面図である。なお、第4実施形態に係る光ADM装置
は、スイッチ部の構成に関して第1実施形態に係る光A
DM装置1と相違しており、スイッチ部を除く構成に関
しては第1実施形態に係る光ADM装置1と同じであ
り、詳細な説明は省略する。
(Fourth Embodiment) Next, FIGS. 10 and 11
Based on the above, a switch unit included in the optical ADM apparatus according to the fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 10 is a plan view showing the switch unit, and FIG. 11 is a side view showing the switch unit. The optical ADM apparatus according to the fourth embodiment is different from the optical ADM apparatus according to the first embodiment in the configuration of the switch unit.
The configuration is different from that of the DM device 1 and the configuration except for the switch unit is the same as that of the optical ADM device 1 according to the first embodiment, and the detailed description is omitted.

【0073】スイッチ部160は、図12及び図13に
も示されるように、可動ミラー61と、第1の電極層1
63、第2の電極層164と、絶縁層165を有してい
る。スイッチ部160には、交差部(第2の波長分離用
チャネル導波路511〜51Nあるいは第2の波長合成用
チャネル導波路521〜52N)と同数の可動ミラー61
が枠部166の内側においてアレイ状に配設されてお
り、夫々の可動ミラー61は、溝部3に沿うように直線
状に並設されている。可動ミラー61は、第2の波長分
離用チャネル導波路511〜51N及び第2の波長合成用
チャネル導波路521〜52Nにおける光路に対して進出
方向及び退出方向に移動自在であり、スイッチ部160
は、各可動ミラー61が各交差部に対応する位置の溝部
3に対して進出方向及び退出方向に移動自在となるよう
に基板2上に配設されている。枠部166は、たとえば
ポリシリコンからなる。
As shown in FIGS. 12 and 13, the switch section 160 includes the movable mirror 61 and the first electrode layer 1.
63, a second electrode layer 164, and an insulating layer 165. The switch unit 160 includes the same number of movable mirrors 61 as the number of intersections (the second wavelength separating channel waveguides 51 1 to 51 N or the second wavelength combining channel waveguides 52 1 to 52 N ).
Are arranged in an array inside the frame portion 166, and the respective movable mirrors 61 are arranged in a straight line along the groove portion 3. The movable mirror 61 is movable in the forward and backward directions with respect to the optical paths in the second wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength synthesis channel waveguides 52 1 to 52 N. Switch section 160
Are disposed on the substrate 2 such that each movable mirror 61 is movable in the forward and backward directions with respect to the groove 3 at a position corresponding to each intersection. Frame portion 166 is made of, for example, polysilicon.

【0074】第1の電極層163は、たとえばニッケル
からなり、その一方の面側の端部に可動ミラー61が設
けられている。第1の電極層163は、可動ミラー61
が設けられた側の端部とは反対側の端部において枠部1
66に支持されるように、枠部166に対して形成され
ている。第2の電極層164は、絶縁層165を挟んで
基板2の第1の電極層163の一方の面に対向する位置
に形成されている。第1の電極層163は、第1の電極
層163と第2の電極層164との間に所定の電圧を印
加することにより発生する静電引力により撓み、図12
及び図13に示すように、可動ミラー61を第2の波長
分離用チャネル導波路511〜51Nと第2の波長合成用
チャネル導波路521〜52Nとの交差部における光路に
対して進出方向あるいは退出方向に移動させる。第1の
電極層163は、本実施形態においては、幅が200μ
m程度とされ、長さが1.5mm程度とされ、厚さが
2.0μm程度とされている。また、第2の電極層16
4の厚さは、50nm程度とされている。
The first electrode layer 163 is made of, for example, nickel, and has a movable mirror 61 at one end on one surface side. The first electrode layer 163 includes the movable mirror 61
At the end opposite to the end on which the
The frame 166 is formed so as to be supported by the frame 66. The second electrode layer 164 is formed at a position facing one surface of the first electrode layer 163 of the substrate 2 with the insulating layer 165 interposed therebetween. The first electrode layer 163 bends by an electrostatic attraction generated by applying a predetermined voltage between the first electrode layer 163 and the second electrode layer 164, and
As shown in FIG. 13, the movable mirror 61 is moved with respect to the optical path at the intersection of the second wavelength separating channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength combining channel waveguides 52 1 to 52 N. Move in the advance direction or the exit direction. In the present embodiment, the first electrode layer 163 has a width of 200 μm.
m, the length is about 1.5 mm, and the thickness is about 2.0 μm. Further, the second electrode layer 16
4 has a thickness of about 50 nm.

【0075】また、第1の電極層163は、第1の電極
層163と第2の電極層164との間に所定の電圧を印
加していないときに、可動ミラー61が第2の波長分離
合成用チャネル導波路部50の各導波路511〜51N
521〜52Nにおける光路に対して退出した状態となる
ように、予め撓んで形成されている。これにより、第1
の電極層163と第2の電極層164との間に所定の電
圧を印加していない、可動ミラー61が第2の波長分離
用チャネル導波路511〜51Nと第2の波長合成用チャ
ネル導波路521〜52Nとの交差部における光路に対し
て退出した状態を初期状態として設定でき、スイッチ部
160(可動ミラー61)を動作させるための消費電力
を低減することができる。なお、本実施形態において
は、圧縮応力が発生するように第1の電極層163を形
成することにより、予め撓んだ状態となる。
When the first electrode layer 163 does not apply a predetermined voltage between the first electrode layer 163 and the second electrode layer 164, the movable mirror 61 performs the second wavelength separation. Each of the waveguides 51 1 to 51 N of the synthesis channel waveguide unit 50,
As a state of exit with respect to the optical path of 52 1 to 52 N, it is previously bent in form. Thereby, the first
A predetermined voltage is not applied between the second electrode layer 163 and the second electrode layer 164, and the movable mirror 61 is connected to the second wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength synthesis channel. A state in which the light exits from the optical path at the intersection with the waveguides 52 1 to 52 N can be set as an initial state, and power consumption for operating the switch unit 160 (movable mirror 61) can be reduced. Note that, in the present embodiment, the first electrode layer 163 is formed so as to be bent in advance by forming the first electrode layer 163 so as to generate a compressive stress.

【0076】次に、図14に基づいて、スイッチ部16
0の製造工程を説明する。スイッチ部160は、フォト
リソグラフィ技術、エッチング技術等の薄膜技術を用い
ることにより製造される。なお、図14においては、1
つの第1の電極層163に対して1つの可動ミラー61
を形成する例を示すが、複数の可動ミラー61をアレイ
状に配設したものについても、同様に製造することがで
きる。
Next, based on FIG.
The manufacturing process No. 0 will be described. The switch unit 160 is manufactured by using a thin film technology such as a photolithography technology and an etching technology. In FIG. 14, 1
One movable mirror 61 for one first electrode layer 163
Although an example in which is formed is shown, a case where a plurality of movable mirrors 61 are arranged in an array can be manufactured in the same manner.

【0077】まず、図14(a)に示されるように、S
i基板71上に第1の電極層163に対応する金属パタ
ーン172をニッケルにて形成する。このとき、金属パ
ターン172(第1の電極層163)に圧縮応力が発生
するように、応力を制御しながら金属パターン172を
形成する。金属パターン172の形成後、金属パターン
172の上にレジスト膜74を塗布する。
First, as shown in FIG.
A metal pattern 172 corresponding to the first electrode layer 163 is formed on the i-substrate 71 with nickel. At this time, the metal pattern 172 is formed while controlling the stress such that a compressive stress is generated in the metal pattern 172 (the first electrode layer 163). After the formation of the metal pattern 172, a resist film 74 is applied on the metal pattern 172.

【0078】レジスト膜74を塗布すると、図14
(b)に示されるように、リソグラフィ技術等を用い
て、レジスト膜74に可動ミラー61に相当する部分の
型75を成形する。その後、図14(c)に示されるよ
うに、金属メッキ技術により、レジスト膜74に形成さ
れた型75内に可動ミラー61となる金属としてニッケ
ル76を成長させる。最後に、図14(d)に示される
ように、エッチング技術を用いて、Si基板71、レジ
スト膜74を除去する。このように、フォトリソグラフ
ィ技術、エッチング技術等の薄膜技術を用いることによ
り、スイッチ部160を低コスト且つ容易に製造するこ
とができる。
When the resist film 74 is applied, FIG.
As shown in (b), a mold 75 corresponding to the movable mirror 61 is formed on the resist film 74 by using a lithography technique or the like. Thereafter, as shown in FIG. 14C, nickel 76 is grown as a metal to be the movable mirror 61 in a mold 75 formed on the resist film 74 by a metal plating technique. Finally, as shown in FIG. 14D, the Si substrate 71 and the resist film 74 are removed by using an etching technique. As described above, by using the thin film technology such as the photolithography technology and the etching technology, the switch unit 160 can be easily manufactured at low cost.

【0079】第1の電極層163と第2の電極層164
との間に所定の電圧(本実施形態においては、20V程
度)を印加した場合には、図12に示されるように、第
1の電極層163と第2の電極層164との間に発生す
る静電引力により絶縁層が撓み、可動ミラー61は可動
ミラー61が第2の波長分離用チャネル導波路511
51Nと第2の波長合成用チャネル導波路521〜52N
との交差部における光路に対して進出した状態となる。
可動ミラー61が可動ミラー61が第2の波長分離用チ
ャネル導波路511〜51Nと第2の波長合成用チャネル
導波路521〜52Nとの交差部における光路に対して進
出した状態においては、可動ミラー61は、第2の波長
分離用スラブ導波路41から出力され第2の波長分離用
チャネル導波路511〜51Nを通ってきた信号光を反射
し、対応する第2の波長合成用チャネル導波路521
52Nに入力させる。
First electrode layer 163 and second electrode layer 164
When a predetermined voltage (about 20 V in this embodiment) is applied between the first electrode layer 163 and the second electrode layer 164, as shown in FIG. The insulating layer is deflected by the generated electrostatic attraction, and the movable mirror 61 has the second wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 1 .
51 N and a second wavelength-multiplexing channel waveguide 52 1 to 52 N
At the intersection with the optical path.
In a state where the movable mirror 61 has advanced to the optical path at the intersection of the second wavelength separating channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength combining channel waveguides 52 1 to 52 N. The movable mirror 61 reflects the signal light output from the second wavelength separation slab waveguide 41 and passing through the second wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 N , and the corresponding second wavelength. Synthesis channel waveguides 52 1-
52 N.

【0080】第1の電極層163と第2の電極層164
との間に所定の電圧を印加しない場合には、図13に示
されるように、可動ミラー61は第2の波長分離用チャ
ネル導波路511〜51Nと第2の波長合成用チャネル導
波路521〜52Nとの交差部における光路に対して退出
した状態となる。可動ミラー61が第2の波長分離用チ
ャネル導波路511〜51Nと第2の波長合成用チャネル
導波路521〜52Nとの交差部における光路に対して退
出した状態においては、第2の波長分離用スラブ導波路
41から出力され第2の波長分離用チャネル導波路51
1〜51Nを通ってきた信号光は、溝部3内の空間を通っ
て、第2の波長分離用チャネル導波路511〜51Nの出
力端51bに至り、ドロップされることになる。また、
第2の波長合成用チャネル導波路521〜52Nの入力端
52aからアドされた信号光が入力された場合には、ア
ドされた信号光は溝部3内の空間を通って、第2の波長
合成用チャネル導波路521〜52Nの出力端52bに至
る。
First electrode layer 163 and second electrode layer 164
When a predetermined voltage is not applied between the second wavelength separating channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength synthesizing channel waveguide, as shown in FIG. It is in a state of retreating to the optical path at the intersection with 52 1 to 52 N. In the state where the movable mirror 61 is protruded from the optical path at the intersection between the second wavelength separating channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength combining channel waveguides 52 1 to 52 N , the second Output from the wavelength separation slab waveguide 41 and the second wavelength separation channel waveguide 51
The signal light that has passed through 1 to 51 N passes through the space in the groove 3, reaches the output ends 51 b of the second wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 N , and is dropped. Also,
When the added signal light is input from the input ends 52a of the second wavelength synthesizing channel waveguides 52 1 to 52 N , the added signal light passes through the space in the groove portion 3 and passes through the second space. It reaches the output end 52b of the wavelength combining channel waveguides 52 1 to 52 N.

【0081】このように、本第4実施形態に係るADM
装置では、スイッチ部160が、可動ミラー61と、こ
の可動ミラー61が設けられる第1の電極層163と、
第2の電極層164とを有し、第1の電極層163が、
第1の電極層163と第2の電極層164との間に所定
の電圧を印加することにより発生する静電引力により撓
み、可動ミラー61を第2の波長分離用チャネル導波路
511〜51Nと第2の波長合成用チャネル導波路521
〜52Nとの交差部における光路に対して進出方向ある
いは退出方向に移動させることにより、熱光学スイッチ
を用いた従来の光ADM装置に比して、スイッチ部16
0の動作速度を速くすることができる。また、可動ミラ
ー61が設けられる絶縁層62の他方の面側に第1の電
極層63を形成する構成(第1実施形態におけるスイッ
チ部60の構成)のものに比して、第1の電極層163
に可動ミラー61が設けられるので、スイッチ部160
を製造する際の工程簡素化及び低コスト化を図ることが
可能となる。
As described above, the ADM according to the fourth embodiment is
In the device, the switch unit 160 includes: a movable mirror 61; a first electrode layer 163 provided with the movable mirror 61;
A second electrode layer 164, and the first electrode layer 163
The movable mirror 61 is bent by electrostatic attraction generated by applying a predetermined voltage between the first electrode layer 163 and the second electrode layer 164, and the movable mirror 61 is moved to the second wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 1. N and second wavelength combining channel waveguide 52 1
By moving to the advanced direction or exit direction with respect to the optical path at the intersection of the to 52 N, as compared with the conventional optical ADM device using a thermo-optic switch, the switch section 16
0 can be increased in operating speed. Further, the first electrode layer 63 is formed on the other surface side of the insulating layer 62 on which the movable mirror 61 is provided (the configuration of the switch section 60 in the first embodiment). Layer 163
The movable mirror 61 is provided on the
Can be simplified and the cost can be reduced.

【0082】また、第1の電極層163は、可動ミラー
61と同一材料にて形成されることにより、第1の電極
層163と可動ミラー61とを極めて容易にスイッチ部
160に形成することができる。なお、本第4実施形態
においては、第1の電極層163と可動ミラー61とを
ニッケルにて構成するようにしている。ニッケルを第1
の電極層163及び可動ミラー61の材料とすることに
より、工程が簡素で且つ装置が安価な金属めっき技術を
加工手段として用いて、第1の電極層及び可動ミラーを
形成することができる。なお、金属めっき技術を用いる
ことが可能であるという観点からは、材料は上述したニ
ッケルに限られることなく、可撓性及び導電性を有する
材料であれば、たとえば銅、金、銀等の金属を用いるよ
うにしてもよい。もちろん、第1の電極層163と可動
ミラー61とを異なる材料で構成するようにしてもよ
い。
Further, since the first electrode layer 163 is formed of the same material as the movable mirror 61, the first electrode layer 163 and the movable mirror 61 can be formed on the switch unit 160 very easily. it can. In the fourth embodiment, the first electrode layer 163 and the movable mirror 61 are made of nickel. Nickel first
By using the material for the electrode layer 163 and the movable mirror 61, the first electrode layer and the movable mirror can be formed by using a metal plating technique that has a simple process and is inexpensive as a processing means. In addition, from the viewpoint that the metal plating technique can be used, the material is not limited to the above-described nickel, and any material having flexibility and conductivity, such as copper, gold, silver, or the like, may be used. May be used. Of course, the first electrode layer 163 and the movable mirror 61 may be made of different materials.

【0083】本発明は、前述した実施形態に限定される
ものではなく、第1のチャネル導波路部10,110、
アレイ導波路部30,130、又は、第2の波長分離合
成用チャネル導波路部50,150等におけるチャネル
導波路の数等も上述したものに限られるものではない。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but includes first channel waveguide sections 10, 110,
The number of channel waveguides in the array waveguide sections 30 and 130 or the second wavelength separation / combination channel waveguide sections 50 and 150 are not limited to those described above.

【0084】また、第1〜第3実施形態においては、光
ADM装置1,101,201は基板2に溝部3を形成
するように構成されているが、これに限られることな
く、第2の波長分離用チャネル導波路511〜51Nと第
2の波長合成用チャネル導波路521〜52Nとの各交差
部毎に、あるいは、各第2の波長分離合成用チャネル導
波路1511〜151N毎に独立して穴部を形成するよう
に構成してもよい。
In the first to third embodiments, the optical ADM devices 1, 101, and 201 are configured so that the groove 3 is formed in the substrate 2. However, the present invention is not limited to this. At each intersection between the wavelength separation channel waveguides 51 1 to 51 N and the second wavelength synthesis channel waveguides 52 1 to 52 N , or each of the second wavelength separation / combination channel waveguides 151 1 to 151 N. A hole may be formed independently for every 151 N.

【0085】[0085]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、装置の大型化を抑制することが可能な光ADM
装置を提供することができる。
As described above in detail, according to the present invention, an optical ADM capable of suppressing an increase in the size of an apparatus.
An apparatus can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態に係る光ADM装置を示
す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram illustrating an optical ADM apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施形態に係る光ADM装置に含
まれる、スイッチ部を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a switch unit included in the optical ADM apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1実施形態に係る光ADM装置に含
まれる、スイッチ部を示す側面図である。
FIG. 3 is a side view showing a switch unit included in the optical ADM apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1実施形態に係る光ADM装置に含
まれる、スイッチ部の動作を説明する図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating an operation of a switch unit included in the optical ADM apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1実施形態に係る光ADM装置に含
まれる、スイッチ部の動作を説明する図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating an operation of a switch unit included in the optical ADM apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1実施形態に係る光ADM装置に含
まれる、スイッチ部の製造工程を説明する図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a manufacturing process of the switch unit included in the optical ADM device according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2実施形態に係る光ADM装置を示
す構成図である。
FIG. 7 is a configuration diagram illustrating an optical ADM apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2実施形態に係る光ADM装置にお
ける、透過帯域の特性を示す波長ととの関係を示す線図
である。
FIG. 8 is a diagram showing a relationship between the optical ADM apparatus according to the second embodiment of the present invention and a wavelength indicating a characteristic of a transmission band.

【図9】本発明の第3実施形態に係る光ADM装置を示
す構成図である。
FIG. 9 is a configuration diagram illustrating an optical ADM apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第4実施形態に係る光ADM装置に
含まれる、スイッチ部を示す平面図である。
FIG. 10 is a plan view illustrating a switch unit included in an optical ADM apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第4実施形態に係る光ADM装置に
含まれる、スイッチ部を示す側面図である。
FIG. 11 is a side view showing a switch unit included in an optical ADM apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第4実施形態に係る光ADM装置に
含まれる、スイッチ部の動作を説明する図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating an operation of a switch unit included in an optical ADM device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第4実施形態に係る光ADM装置に
含まれる、スイッチ部の動作を説明する図である。
FIG. 13 is a diagram illustrating an operation of a switch unit included in an optical ADM apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第4実施形態に係る光ADM装置に
含まれる、スイッチ部の製造工程を説明する図である。
FIG. 14 is a diagram illustrating a manufacturing process of a switch unit included in the optical ADM device according to the fourth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,101,201…光ADM装置、2…基板、3…溝
部、10…第1のチャネル導波路部、11…第1の波長
分離用チャネル導波路、12…第1の波長合成用チャネ
ル導波路、20…第1のスラブ導波路部、21…第1の
波長分離用スラブ導波路、22…第1の波長合成用スラ
ブ導波路、30…アレイ導波路部、31…波長分離用ア
レイ導波路部、32…波長合成用アレイ導波路部、40
…第2のスラブ導波路部、41…第2の波長分離用スラ
ブ導波路、42…第2の波長合成用スラブ導波路、50
…第2の波長分離合成用チャネル導波路部、511〜5
N…第2の波長分離用チャネル導波路、521〜52N
…第2の波長合成用チャネル導波路、60,160…ス
イッチ部、61…可動ミラー、62…絶縁層、63,1
63…第1の電極層、64,164…第2の電極層、1
10…第1のチャネル導波路部、111…第1の波長分
離合成用チャネル導波路、120…第1の波長分離合成
用スラブ導波路部、121…第1の波長分離合成用スラ
ブ導波路、130…波長分離合成用アレイ導波路部、1
40…第2の波長分離合成用スラブ導波路部、141…
第2の波長分離合成用スラブ導波路、150…第2の波
長分離合成用チャネル導波路部、1511〜151N…第
2の波長分離合成用チャネル導波路、181…第1の光
サーキュレータ、182…第2の光サーキュレータ、2
40…第2の波長分離合成用スラブ導波路部、241…
第2の波長分離合成用スラブ導波路。
1, 101, 201 optical ADM device, 2 substrate, 3 groove portion, 10 first channel waveguide portion, 11 first channel waveguide for wavelength separation, 12 channel guide for first wavelength combining Waveguide, 20: first slab waveguide portion, 21: first slab waveguide for wavelength separation, 22: first slab waveguide for wavelength synthesis, 30: array waveguide portion, 31: array waveguide for wavelength separation Waveguide part, 32... Array waveguide part for wavelength synthesis, 40
... Second slab waveguide section, 41... Second wavelength separating slab waveguide, 42.
... Second wavelength separation / combination channel waveguides, 51 1 to 5
1 N ... Second wavelength separating channel waveguide, 52 1 to 52 N
... Second wavelength synthesizing channel waveguides, 60, 160. Switch section, 61. Movable mirror, 62.
63: first electrode layer, 64, 164: second electrode layer, 1
10: first channel waveguide section; 111: first wavelength separation / combination channel waveguide; 120: first wavelength separation / combination slab waveguide; 121: first wavelength separation / combination slab waveguide; 130: Array waveguide section for wavelength separation / synthesis, 1
40 ... second slab waveguide section for wavelength separation / combination, 141 ...
A second wavelength separation / synthesis slab waveguide, 150... A second wavelength separation / synthesis channel waveguide, 151 1 to 151 N ... A second wavelength separation / synthesis channel waveguide, 181 a first optical circulator; 182 ... second optical circulator, 2
40... Second slab waveguide section for wavelength separation / synthesis, 241.
A second wavelength separation / synthesis slab waveguide.

フロントページの続き (72)発明者 蟹江 智彦 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 西村 正幸 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 Fターム(参考) 2H041 AA04 AB13 AC06 AZ01 AZ05 2H047 KA11 KA12 KA15 LA09 LA18 NA10 RA00 RA08 TA01 5K002 BA05 BA06 DA02 FA01 Continued on the front page (72) Inventor Tomohiko Kanie 1 Yokohama, Yokohama, Kanagawa Prefecture 1 Sumitomo Electric Industries Co., Ltd. (72) Inventor Masayuki Nishimura 1 Tayacho, Sakae-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture 2H041 AA04 AB13 AC06 AZ01 AZ05 2H047 KA11 KA12 KA15 LA09 LA18 NA10 RA00 RA08 TA01 5K002 BA05 BA06 DA02 FA01

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に、波長分離合成部とスイッチ部
とを備える光ADM装置であって、 前記波長分離合成部は、少なくとも一つのアレイ導波路
型回折格子を含み、 前記スイッチ部は、前記波長分離合成部の波長分離側の
光路に対して進出方向及び退出方向に移動自在な可動ミ
ラーを有することを特徴とする光ADM装置。
1. An optical ADM device comprising a substrate and a wavelength separation / combination unit and a switch unit, wherein the wavelength separation / combination unit includes at least one arrayed waveguide type diffraction grating; An optical ADM apparatus comprising a movable mirror movable in an advancing direction and an egressing direction with respect to an optical path on a wavelength separation side of the wavelength separation / combination unit.
【請求項2】 前記スイッチ部は、複数の前記可動ミラ
ーを有し、 複数の前記可動ミラーは、前記波長分離合成部の波長分
離側の光路を横断する溝部に沿い直線状に並設されてい
ることを特徴とする請求項1に記載の光ADM装置。
2. The switch section has a plurality of movable mirrors, and the plurality of movable mirrors are arranged in a straight line along a groove crossing an optical path on the wavelength separation side of the wavelength separation / combination section. The optical ADM apparatus according to claim 1, wherein:
【請求項3】 前記波長分離合成部は、波長分離用アレ
イ導波路型回折格子及び波長合成用アレイ導波路型回折
格子を含み、 前記波長分離用アレイ導波路型回折格子は、第1の波長
分離用チャンネル導波路、第1の波長分離用スラブ導波
路、波長分離用アレイ導波路、第2の波長分離用スラブ
導波路、及び、複数本の第2の波長分離用チャンネル導
波路を有し、 前記波長合成用アレイ導波路型回折格子は、第1の波長
合成用チャンネル導波路、第1の波長合成用スラブ導波
路、波長合成用アレイ導波路、第2の波長合成用スラブ
導波路、及び、複数本の第2の波長合成用チャンネル導
波路を有しており、 前記第2の波長分離用チャンネル導波路と前記第2の波
長合成用チャンネル導波路の同一波長の信号光が通る導
波路同士は、1つの直線上で交差し、 前記溝部は、前記直線に沿って形成され、 前記スイッチ部は、前記交差する点の数と同数の前記可
動ミラーを有することを特徴とする請求項2に記載の光
ADM装置。
3. The wavelength separation / combination unit includes a wavelength separation array waveguide type diffraction grating and a wavelength synthesis array waveguide type diffraction grating, wherein the wavelength separation array waveguide type diffraction grating has a first wavelength. It has a separation channel waveguide, a first wavelength separation slab waveguide, a wavelength separation array waveguide, a second wavelength separation slab waveguide, and a plurality of second wavelength separation channel waveguides. The array waveguide type diffraction grating for wavelength synthesis includes a first channel waveguide for wavelength synthesis, a first slab waveguide for wavelength synthesis, an array waveguide for wavelength synthesis, a second slab waveguide for wavelength synthesis, And a plurality of second wavelength-synthesizing channel waveguides, and a waveguide through which signal light of the same wavelength passes through the second wavelength-separating channel waveguide and the second wavelength-synthesizing channel waveguide. Wave paths are on one straight line The optical ADM device according to claim 2, wherein the groove portion is formed along the straight line, and the switch portion has the same number of the movable mirrors as the number of the intersecting points.
【請求項4】 前記波長分離合成部は、波長分離合成用
アレイ導波路型回折格子を含み、 前記波長分離合成用アレイ導波路型回折格子は、第1の
波長分離合成用チャンネル導波路、第1の波長分離合成
用スラブ導波路、波長分離合成用アレイ導波路、第2の
波長分離合成用スラブ導波路、及び、複数本の第2の波
長分離合成用チャンネル導波路を有し、 前記溝部は、前記第2の波長分離合成用スラブ導波路と
前記第2の波長分離合成用チャンネル導波路との間に前
記各第2の波長分離合成用チャンネル導波路が並設され
た方向に形成され、 前記スイッチ部は、前記第2の波長分離合成用チャンネ
ル導波路と同数の前記可動ミラーを有することを特徴と
する請求項2に記載の光ADM装置。
4. The wavelength separation / combination unit includes a wavelength separation / combination array waveguide type diffraction grating, wherein the wavelength separation / combination array waveguide type diffraction grating includes a first wavelength separation / combination channel waveguide, A first slab waveguide for wavelength separation / synthesis, an array waveguide for wavelength separation / synthesis, a second slab waveguide for wavelength separation / synthesis, and a plurality of second channel waveguides for wavelength separation / synthesis; Are formed in a direction in which the respective second wavelength separation / combination channel waveguides are juxtaposed between the second wavelength separation / combination slab waveguide and the second wavelength separation / combination channel waveguide. 3. The optical ADM apparatus according to claim 2, wherein the switch section has the same number of movable mirrors as the number of the second wavelength separation / combination channel waveguides.
【請求項5】 前記波長分離合成部は、波長分離用アレ
イ導波路型回折格子及び波長合成用アレイ導波路型回折
格子を含み、 前記波長分離用アレイ導波路型回折格子は、第1の波長
分離用チャンネル導波路、第1の波長分離用スラブ導波
路、波長分離用アレイ導波路、第2の波長分離用スラブ
導波路、及び、複数本の第2の波長分離合成用チャンネ
ル導波路を有し、 前記波長合成用アレイ導波路型回折格子は、第1の波長
合成用チャンネル導波路、第1の波長合成用スラブ導波
路、波長合成用アレイ導波路、前記第2の波長分離用ス
ラブ導波路と連続し一部を共有する第2の波長合成用ス
ラブ導波路、及び、前記複数本の第2の波長分離合成用
チャンネル導波路を有しており、 前記溝部は、前記第2の波長分離用スラブ導波路及び前
記第2の波長合成用スラブ導波路と前記第2の波長分離
合成用チャンネル導波路との間に前記各第2の波長分離
合成用チャンネル導波路が並設された方向に形成され、 前記スイッチ部は、前記第2の波長分離合成用チャンネ
ル導波路と同数の前記可動ミラーを有することを特徴と
する請求項2に記載の光ADM装置。
5. The wavelength separation / combination unit includes a wavelength separation array waveguide type diffraction grating and a wavelength synthesis array waveguide type diffraction grating, wherein the wavelength separation array waveguide type diffraction grating has a first wavelength. A separation channel waveguide, a first wavelength separation slab waveguide, a wavelength separation array waveguide, a second wavelength separation slab waveguide, and a plurality of second wavelength separation / synthesis channel waveguides. The wavelength-combining arrayed waveguide type diffraction grating includes a first wavelength-combining channel waveguide, a first wavelength-combining slab waveguide, a wavelength-combining arrayed waveguide, and the second wavelength separating slab waveguide. A second wavelength synthesizing slab waveguide that is continuous with and shares a part with a wave path, and the plurality of second wavelength separation / synthesis channel waveguides, wherein the groove portion includes the second wavelength; A separating slab waveguide and the second The second wavelength separation / synthesis channel waveguides are formed in a direction in which the second wavelength separation / synthesis channel waveguides are juxtaposed between the wavelength synthesis slab waveguide and the second wavelength separation / synthesis channel waveguides. The optical ADM apparatus according to claim 2, further comprising the same number of movable mirrors as the number of the second wavelength separation / combination channel waveguides.
【請求項6】 前記スイッチ部は、 一方の面側に前記可動ミラーが設けられる絶縁層と、 前記絶縁層の他方の面側に形成される第1の電極層と、 前記基板の前記絶縁層に対向する位置に形成される第2
の電極層と、を更に有し、 前記絶縁層は、前記第1の電極層と前記第2の電極層と
の間に所定の電圧を印加することにより発生する静電引
力により撓み、前記可動ミラーを前記波長分離側の光路
に対して進出方向あるいは退出方向に移動させることを
特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の
光ADM装置。
6. The switch section, wherein: an insulating layer provided with the movable mirror on one surface side; a first electrode layer formed on the other surface side of the insulating layer; and the insulating layer of the substrate The second formed at the position facing the
The insulating layer is bent by electrostatic attraction generated by applying a predetermined voltage between the first electrode layer and the second electrode layer, and the movable layer is movable. The optical ADM apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein a mirror is moved in a forward or backward direction with respect to the optical path on the wavelength separation side.
【請求項7】 前記絶縁層は、前記第1の電極層と前記
第2の電極層との間に前記所定の電圧を印加していない
ときに、前記可動ミラーが前記波長分離側の光路に対し
て退出した状態となるように、予め撓んで形成されてい
ることを特徴とする請求項6に記載の光ADM装置。
7. When the predetermined voltage is not applied between the first electrode layer and the second electrode layer, the movable mirror moves the movable mirror to an optical path on the wavelength separation side. 7. The optical ADM apparatus according to claim 6, wherein the optical ADM apparatus is formed by bending in advance so as to be in a state of being retracted.
【請求項8】 前記スイッチ部は、 一方の面側に前記可動ミラーが設けられる第1の電極層
と、 絶縁層を挟んで前記第1の電極層に対向する位置に形成
される第2の電極層と、を更に有し、 前記第1の電極層は、前記第1の電極層と前記第2の電
極層との間に所定の電圧を印加することにより発生する
静電引力により撓み、前記可動ミラーを前記波長分離側
の光路に対して進出方向あるいは退出方向に移動させる
ことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に
記載の光ADM装置。
8. The switch unit, comprising: a first electrode layer provided with the movable mirror on one surface side; and a second electrode formed at a position facing the first electrode layer with an insulating layer interposed therebetween. An electrode layer, wherein the first electrode layer is bent by electrostatic attraction generated by applying a predetermined voltage between the first electrode layer and the second electrode layer, The optical ADM apparatus according to claim 1, wherein the movable mirror is moved in an advancing direction or an egressing direction with respect to the optical path on the wavelength separation side.
【請求項9】 前記第1の電極層は、前記第1の電極層
と前記第2の電極層との間に前記所定の電圧を印加して
いないときに、前記可動ミラーが前記波長分離側の光路
に対して退出した状態となるように、予め撓んで形成さ
れていることを特徴とする請求項8に記載の光ADM装
置。
9. The movable electrode according to claim 1, wherein the movable mirror is configured to move the wavelength separating side when the predetermined voltage is not applied between the first electrode layer and the second electrode layer. The optical ADM apparatus according to claim 8, wherein the optical ADM apparatus is formed to be bent in advance so as to be retracted with respect to the optical path.
【請求項10】 前記第1の電極層は、前記可動ミラー
と同一材料にて形成されることを特徴とする請求項8又
は請求項9に記載の光ADM装置。
10. The optical ADM apparatus according to claim 8, wherein said first electrode layer is formed of the same material as said movable mirror.
【請求項11】 前記可動ミラー及び前記第1の電極層
は、ニッケルにより形成されることを特徴とする請求項
10に記載の光ADM装置。
11. The optical ADM apparatus according to claim 10, wherein said movable mirror and said first electrode layer are formed of nickel.
JP2000354741A 2000-05-11 2000-11-21 Optical adm device Pending JP2002031768A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000354741A JP2002031768A (en) 2000-05-11 2000-11-21 Optical adm device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-138753 2000-05-11
JP2000138753 2000-05-11
JP2000354741A JP2002031768A (en) 2000-05-11 2000-11-21 Optical adm device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002031768A true JP2002031768A (en) 2002-01-31

Family

ID=26591688

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000354741A Pending JP2002031768A (en) 2000-05-11 2000-11-21 Optical adm device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002031768A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002328312A (en) * 2001-03-15 2002-11-15 Lucent Technol Inc Optical device for filtering optical signal
US7095918B2 (en) * 2003-06-27 2006-08-22 Fujitsu Limited Optical wavelength switch having planar lightwave circuit structure
JP2013007828A (en) * 2011-06-23 2013-01-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical circuit
WO2015077013A1 (en) * 2013-11-22 2015-05-28 Alcatel Lucent Hybrid wavelength selective switch

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002328312A (en) * 2001-03-15 2002-11-15 Lucent Technol Inc Optical device for filtering optical signal
US7095918B2 (en) * 2003-06-27 2006-08-22 Fujitsu Limited Optical wavelength switch having planar lightwave circuit structure
US7349593B2 (en) 2003-06-27 2008-03-25 Fujitsu Limited Optical wavelength switch having planar lightwave circuit structure
JP2013007828A (en) * 2011-06-23 2013-01-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical circuit
WO2015077013A1 (en) * 2013-11-22 2015-05-28 Alcatel Lucent Hybrid wavelength selective switch
US9329345B2 (en) 2013-11-22 2016-05-03 Alcatel Lucent Hybrid wavelength selective switch

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3537344B2 (en) Optical add-drop multiplexer
CA2177789C (en) Optical device having switching function
JP5117104B2 (en) Asymmetric Mach-Zehnder interferometer with reduced drive voltage coupled to a small low-loss arrayed-waveguide grating
US6141467A (en) Wavelength-division-multiplexing programmable add/drop using interleave-chirped waveguide grating router
US6266460B1 (en) Large-channel-count programmable wavelength add-drop
JP2009168840A (en) Wavelength selection switch
US20060210232A1 (en) Planar waveguide-based variable optical attenuator
US6993217B2 (en) Optical switch device
US20050018957A1 (en) Planar lightwave wavelength device using moveable mirrors
US10082623B2 (en) Rib type optical waveguide and optical multiplexer / demultiplexer using same
JP2002031768A (en) Optical adm device
US6801690B1 (en) Grating-based wavelength selective switch
JP5016951B2 (en) Optical switch and manufacturing method thereof
JP4776370B2 (en) Optical switch and optical switch manufacturing method
JP2002031738A (en) Optical adm device
JP3253007B2 (en) Waveguide-type optical switch pair and waveguide-type matrix optical switch
JP4611631B2 (en) MMI-based equipment
JP2004126131A (en) Optical multiplexer/demultiplexer
JP5168905B2 (en) Optical switch and path switching method
JP4343686B2 (en) Multimode interference waveguide switch
JP2002214547A (en) Optical switch
JP2005017900A (en) Optical wavelength switch having planar optical circuit structure
JPH04264506A (en) Optical multiplexer/demultiplexer
JP4748514B2 (en) Wavelength selective switch
JP2005043870A (en) Movable mirror device, dispersion compensator, gain equivalencer and optical adm device