JP2002022416A - 屈折率考慮型膜厚測定法 - Google Patents
屈折率考慮型膜厚測定法Info
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- JP2002022416A JP2002022416A JP2000211962A JP2000211962A JP2002022416A JP 2002022416 A JP2002022416 A JP 2002022416A JP 2000211962 A JP2000211962 A JP 2000211962A JP 2000211962 A JP2000211962 A JP 2000211962A JP 2002022416 A JP2002022416 A JP 2002022416A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】膜厚測定と同時に反射率のスペクトルから屈折
率を測定してフィードバックをかけ、膜厚の測定精度を
大幅に向上した屈折率考慮型膜厚測定法を提供するこ
と。 【解決手段】フーリエ変換赤外分光法を用いてサイドバ
ースト間距離から被測定薄膜の膜厚を測定する際に、前
記被測定薄膜の屈折率をKramers-Kroning 解析法を用い
て求めたことにある。
率を測定してフィードバックをかけ、膜厚の測定精度を
大幅に向上した屈折率考慮型膜厚測定法を提供するこ
と。 【解決手段】フーリエ変換赤外分光法を用いてサイドバ
ースト間距離から被測定薄膜の膜厚を測定する際に、前
記被測定薄膜の屈折率をKramers-Kroning 解析法を用い
て求めたことにある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の上に
結晶成長したエピタキシャル膜の膜厚測定法に関し、特
に被測定薄膜であるエピタキシャル膜の屈折率を考慮に
入れた、屈折率考慮型膜厚測定法に関するものである。
結晶成長したエピタキシャル膜の膜厚測定法に関し、特
に被測定薄膜であるエピタキシャル膜の屈折率を考慮に
入れた、屈折率考慮型膜厚測定法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板の上に結晶成長したエ
ピタキシャル膜（簡単に、エピ膜或いは薄膜と称する場
合もある）の膜厚測定に関しては、フーリエ変換赤外分
光法（ＦＴ−ＩＲ法）が用いられている。この膜厚測定
法は、ＦＴ−ＩＲ法と名前が付いているものの赤外吸収
とは全く関係が無く、ＦＴ−ＩＲ法独特の機構である移
動鏡を使用して、基板表面（エピ膜表面）での反射光
と、界面（エピ膜と半導体基板との界面）での反射光の
光路差を光の干渉現象を利用して検出し、その光路差か
らエピ膜の膜厚を導き出すという方法である。
ピタキシャル膜（簡単に、エピ膜或いは薄膜と称する場
合もある）の膜厚測定に関しては、フーリエ変換赤外分
光法（ＦＴ−ＩＲ法）が用いられている。この膜厚測定
法は、ＦＴ−ＩＲ法と名前が付いているものの赤外吸収
とは全く関係が無く、ＦＴ−ＩＲ法独特の機構である移
動鏡を使用して、基板表面（エピ膜表面）での反射光
と、界面（エピ膜と半導体基板との界面）での反射光の
光路差を光の干渉現象を利用して検出し、その光路差か
らエピ膜の膜厚を導き出すという方法である。
【０００３】以下に簡単な原理説明図と測定データ模式
図により膜厚測定法を説明する。
図により膜厚測定法を説明する。
【０００４】図２は、ＦＴ−ＩＲ法による膜厚測定法の
原理説明図である。光源からの光は半透鏡により２つに
分けられ、一つの光は固定鏡で反射されて被測定薄膜に
照射される。もう一つの光は、移動可能な移動鏡で反射
されて被測定薄膜に照射される。ここで、ｌは半透鏡と
固定鏡との距離、ｌ＋ａは半透鏡と移動鏡との距離、Ｌ
は２つの光の光路差である。
原理説明図である。光源からの光は半透鏡により２つに
分けられ、一つの光は固定鏡で反射されて被測定薄膜に
照射される。もう一つの光は、移動可能な移動鏡で反射
されて被測定薄膜に照射される。ここで、ｌは半透鏡と
固定鏡との距離、ｌ＋ａは半透鏡と移動鏡との距離、Ｌ
は２つの光の光路差である。
【０００５】被測定薄膜、つまりエピ膜に照射されたこ
れらの光は、基板表面（エピ膜表面）での反射光（図２
ではＡで示す）と、界面（エピ膜とＧａＡｓ基板との界
面）での反射光（図２ではＢで示す）となり、光路差に
よってお互いに強め合ったり弱め合ったりする。
れらの光は、基板表面（エピ膜表面）での反射光（図２
ではＡで示す）と、界面（エピ膜とＧａＡｓ基板との界
面）での反射光（図２ではＢで示す）となり、光路差に
よってお互いに強め合ったり弱め合ったりする。
【０００６】図３は、ＦＴ−ＩＲ法による測定データ模
式図である。横軸は、半透鏡と移動鏡との距離、縦軸は
干渉強度を表しており、サイドバースト（＋）とサイド
バースト（−）とセンターバーストと記した場所で干渉
強度が強くなっている。干渉強度が強くなるパターンは
このように３通りあり、図２に沿って説明する。
式図である。横軸は、半透鏡と移動鏡との距離、縦軸は
干渉強度を表しており、サイドバースト（＋）とサイド
バースト（−）とセンターバーストと記した場所で干渉
強度が強くなっている。干渉強度が強くなるパターンは
このように３通りあり、図２に沿って説明する。
【０００７】固定鏡を通り界面を反射して来た光Ｂと、
移動鏡を通り表面を反射して来た光Ａの二種類の光は、
その光路長（光の走行距離×屈折率）が同じ時に干渉が
起こり強め合う。この現象をサイドバースト（＋）と呼
ぶ。
移動鏡を通り表面を反射して来た光Ａの二種類の光は、
その光路長（光の走行距離×屈折率）が同じ時に干渉が
起こり強め合う。この現象をサイドバースト（＋）と呼
ぶ。
【０００８】同様に、固定鏡を通り表面を反射して来た
光Ａと、移動鏡を通り界面を反射して来た光Ｂの二種類
の光は、その光路長が同じ時に干渉が起こり強め合う。
この現象をサイドバースト（−）と呼ぶ。
光Ａと、移動鏡を通り界面を反射して来た光Ｂの二種類
の光は、その光路長が同じ時に干渉が起こり強め合う。
この現象をサイドバースト（−）と呼ぶ。
【０００９】また、固定鏡を通り表面を反射して来た光
Ａと移動鏡を通り表面を反射して来た光Ａ、若しくは固
定鏡を通り界面を反射して来た光Ｂと移動鏡を通り界面
を反射して来た光Ｂの光路長が同じ時、すなわちａが零
の時にも干渉が起こり強め合う。この現象をセンターバ
ーストと呼ぶ。
Ａと移動鏡を通り表面を反射して来た光Ａ、若しくは固
定鏡を通り界面を反射して来た光Ｂと移動鏡を通り界面
を反射して来た光Ｂの光路長が同じ時、すなわちａが零
の時にも干渉が起こり強め合う。この現象をセンターバ
ーストと呼ぶ。
【００１０】表１は光路とバーストの組み合せを示した
ものである。
ものである。
【００１１】
【表１】
【００１２】ここで、固定鏡の表面反射と移動鏡の表面
反射の組み合せがセンターバーストとなっているが、こ
れは固定鏡を通り表面を反射して来た光と、移動鏡を通
り表面を反射して来た光の光路長が等しいならセンター
バースト現象が起きると言う意味である。他の組み合せ
も同様である。
反射の組み合せがセンターバーストとなっているが、こ
れは固定鏡を通り表面を反射して来た光と、移動鏡を通
り表面を反射して来た光の光路長が等しいならセンター
バースト現象が起きると言う意味である。他の組み合せ
も同様である。
【００１３】図４は、実際のエピ膜内での光路を示した
説明図である。この図から光路差Ｌと導き出される膜厚
ｄは以下のようになる。
説明図である。この図から光路差Ｌと導き出される膜厚
ｄは以下のようになる。
【００１４】まず、膜厚ｄと光路差Ｌとには
【００１５】
【数６】
【００１６】の関係がある。三角関数の平行関係ｓｉｎ
2 θ＋ｃｏｓ2 θ＝１からｃｏｓθ＝（１−ｓｉｎ
2 θ）1/2 。従って、これを数式６に代入すると
2 θ＋ｃｏｓ2 θ＝１からｃｏｓθ＝（１−ｓｉｎ
2 θ）1/2 。従って、これを数式６に代入すると
【００１７】
【数７】
【００１８】また、スネルの法則（ｓｉｎθ１＝ｎ・ｓ
ｉｎθ２）からｓｉｎ2 θ２＝１／ｎ2 ・ｓｉｎ2 θ
１、従って
ｉｎθ２）からｓｉｎ2 θ２＝１／ｎ2 ・ｓｉｎ2 θ
１、従って
【００１９】
【数８】
【００２０】となる。これを整理して
【００２１】
【数９】
【００２２】実際には光路差Ｌとサイドバースト間距離
Ｌｓとの間にはＬ＝Ｌｓ／ｎの関係があることから、膜
厚ｄは
Ｌｓとの間にはＬ＝Ｌｓ／ｎの関係があることから、膜
厚ｄは
【００２３】
【数１０】
【００２４】となる。つまり、サイドバースト間距離Ｌ
ｓと被測定薄膜の屈折率ｎが分かれば膜厚ｄを求めるこ
とが出来る。
ｓと被測定薄膜の屈折率ｎが分かれば膜厚ｄを求めるこ
とが出来る。
【００２５】従来、被測定薄膜の屈折率ｎは別の手段で
予め求めていた。ＦＴ−ＩＲ法でサイドバースト間距離
Ｌｓが求まると、ｎとＬｓを数式１０に代入して被測定
薄膜の膜厚ｄを求めていた。
予め求めていた。ＦＴ−ＩＲ法でサイドバースト間距離
Ｌｓが求まると、ｎとＬｓを数式１０に代入して被測定
薄膜の膜厚ｄを求めていた。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】従来の膜厚測定法に
は、以下に示す問題点があった。
は、以下に示す問題点があった。
【００２７】測定に先立って被測定薄膜の屈折率ｎを測
定しておかねばならず、しかも測定試料毎に屈折率がば
らついていても全く考慮されなかった。従って膜厚の測
定精度が悪いという問題があった。
定しておかねばならず、しかも測定試料毎に屈折率がば
らついていても全く考慮されなかった。従って膜厚の測
定精度が悪いという問題があった。
【００２８】従って本発明の目的は、前記した従来技術
の欠点を解消し、膜厚測定と同時に反射率のスペクトル
から屈折率を測定してフィードバックをかけ、膜厚の測
定精度を大幅に向上した屈折率考慮型膜厚測定法を提供
することにある。
の欠点を解消し、膜厚測定と同時に反射率のスペクトル
から屈折率を測定してフィードバックをかけ、膜厚の測
定精度を大幅に向上した屈折率考慮型膜厚測定法を提供
することにある。
【００２９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を実
現するため、フーリエ変換赤外分光法を用いてサイドバ
ースト間距離から被測定薄膜の膜厚を測定する際に、前
記被測定薄膜の屈折率を求めてフィードバックした。
現するため、フーリエ変換赤外分光法を用いてサイドバ
ースト間距離から被測定薄膜の膜厚を測定する際に、前
記被測定薄膜の屈折率を求めてフィードバックした。
【００３０】屈折率は前記被測定薄膜の反射率のスペク
トルからKramers-Kroning 解析法を用いて求めた。
トルからKramers-Kroning 解析法を用いて求めた。
【００３１】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を以下、図面に
基づいて詳述する。
基づいて詳述する。
【００３２】本発明は、ＦＴ−ＩＲ法による膜厚の測定
と同時に反射率のスペクトルを測定し、Kramers −Kron
ing 解析法により被測定薄膜の屈折率を求める方法を用
いたことに特徴がある。以下に、そのKramers −Kronin
g 解析法について説明する。垂直入射による振幅反射率
は次式のようになる。
と同時に反射率のスペクトルを測定し、Kramers −Kron
ing 解析法により被測定薄膜の屈折率を求める方法を用
いたことに特徴がある。以下に、そのKramers −Kronin
g 解析法について説明する。垂直入射による振幅反射率
は次式のようになる。
【００３３】
【数１】
【００３４】ここで、Ｒはエネルギー振幅反射率（反射
率）、φは位相変化、ｎは屈折率、ｋは消衰係数であ
る。この数式１の第３項、第４項からｎ、ｋは次のよう
に書くことが出来る。
率）、φは位相変化、ｎは屈折率、ｋは消衰係数であ
る。この数式１の第３項、第４項からｎ、ｋは次のよう
に書くことが出来る。
【００３５】
【数２】
【００３６】ここで、Ｒは測定可能な量であり、もし位
相を求めることが可能であれば数式２からｎ、ｋを求め
ることが出来る。
相を求めることが可能であれば数式２からｎ、ｋを求め
ることが出来る。
【００３７】そこで、Cauchyの積分公式から
【００３８】
【数３】
【００３９】が得られ、数式１を次式のように変形す
る。
る。
【００４０】
【数４】
【００４１】これを数式３に代入してφ（∞）＝０とし
て実数、虚数に分けて計算すると、
て実数、虚数に分けて計算すると、
【００４２】
【数５】
【００４３】の関係式が得られる。
【００４４】すなわち、反射率のスペクトルから位相が
求められるので、その位相を数式２に代入して屈折率を
求めることが出来る。
求められるので、その位相を数式２に代入して屈折率を
求めることが出来る。
【００４５】また、先に説明したＦＴ−ＩＲ法は斜め入
射であり、反射Kramers-Kroning 解析法は垂直入射であ
るが、ＦＴ−ＩＲ法も理論的には垂直入射であっても問
題はない。装置上では、発光部と受光部を光ファイバに
置き換えて同じ位置に置くことにより近似的に垂直入射
を実現できる。
射であり、反射Kramers-Kroning 解析法は垂直入射であ
るが、ＦＴ−ＩＲ法も理論的には垂直入射であっても問
題はない。装置上では、発光部と受光部を光ファイバに
置き換えて同じ位置に置くことにより近似的に垂直入射
を実現できる。
【００４６】図１は、本発明の屈折率考慮型膜厚測定法
の一実施例を示した説明図である。１はＦＴ−ＩＲ光学
系、２は入射側光ファイバ、３は光学ヘッド、４は出射
側光ファイバ、５は受光器、６は被測定薄膜である。
の一実施例を示した説明図である。１はＦＴ−ＩＲ光学
系、２は入射側光ファイバ、３は光学ヘッド、４は出射
側光ファイバ、５は受光器、６は被測定薄膜である。
【００４７】ＦＴ−ＩＲ光学系１は光源をも含んでい
る。このＦＴ−ＩＲ光学系１からの光を入射側光ファイ
バ２にて光学ヘッド３へ導く。光学ヘッド３は、導いた
光を被測定薄膜６へ垂直に照射する。被測定薄膜６から
の反射光は光学ヘッド３にて採り入れ出射側光ファイバ
４にて受光器５へと導く。
る。このＦＴ−ＩＲ光学系１からの光を入射側光ファイ
バ２にて光学ヘッド３へ導く。光学ヘッド３は、導いた
光を被測定薄膜６へ垂直に照射する。被測定薄膜６から
の反射光は光学ヘッド３にて採り入れ出射側光ファイバ
４にて受光器５へと導く。
【００４８】被測定薄膜６として、半絶縁性ＧａＡｓ基
板上にｎ型ＡｌＧａＡｓエピ膜を成長させたものを用い
た。混晶比は０．２であり、膜厚の設計値は１μｍであ
る。まず、エピ膜からの反射率を各波長に対して測定し
た。つまり反射率のスペクトルを求めた。そして、Kram
ers-Kroning 解析法により、エピ膜の屈折率ｎを求め
た。次に、ＦＴ−ＩＲ法にてサイドバースト間距離Ｌｓ
を求め、先に求めた屈折率ｎを用いて膜厚ｄを求めた。
求めた結果は、１．０９μｍであった。
板上にｎ型ＡｌＧａＡｓエピ膜を成長させたものを用い
た。混晶比は０．２であり、膜厚の設計値は１μｍであ
る。まず、エピ膜からの反射率を各波長に対して測定し
た。つまり反射率のスペクトルを求めた。そして、Kram
ers-Kroning 解析法により、エピ膜の屈折率ｎを求め
た。次に、ＦＴ−ＩＲ法にてサイドバースト間距離Ｌｓ
を求め、先に求めた屈折率ｎを用いて膜厚ｄを求めた。
求めた結果は、１．０９μｍであった。
【００４９】測定終了後、この半絶縁性ＧａＡｓ基板上
にｎ型ＡｌＧａＡｓエピ膜を成長させたものを壁開し、
ＳＥＭによる断面測定を行なった。ＳＥＭによる測定膜
厚は１．０８μｍであり、本屈折率考慮型膜厚測定法に
より求めた１．０９μｍと非常に近い値であった。両者
の測定値のずれは１％未満である。従って、膜厚測定と
同時に反射率のスペクトルから屈折率を測定してフィー
ドバックをかけることにより、膜厚の測定精度を大幅に
向上することが出来た。
にｎ型ＡｌＧａＡｓエピ膜を成長させたものを壁開し、
ＳＥＭによる断面測定を行なった。ＳＥＭによる測定膜
厚は１．０８μｍであり、本屈折率考慮型膜厚測定法に
より求めた１．０９μｍと非常に近い値であった。両者
の測定値のずれは１％未満である。従って、膜厚測定と
同時に反射率のスペクトルから屈折率を測定してフィー
ドバックをかけることにより、膜厚の測定精度を大幅に
向上することが出来た。
【００５０】
【発明の効果】本発明の屈折率考慮型膜厚測定法は、フ
ーリエ変換赤外分光法を用いてサイドバースト間距離か
ら被測定薄膜の膜厚を測定する際に、前記被測定薄膜の
屈折率をKramers-Kroning 解析法を用いて求めたので、
膜厚の測定精度を大幅に向上することが出来た。
ーリエ変換赤外分光法を用いてサイドバースト間距離か
ら被測定薄膜の膜厚を測定する際に、前記被測定薄膜の
屈折率をKramers-Kroning 解析法を用いて求めたので、
膜厚の測定精度を大幅に向上することが出来た。
【図１】本発明の屈折率考慮型膜厚測定法の一実施例を
示した説明図である。
示した説明図である。
【図２】従来の膜厚測定法に関わり、ＦＴ−ＩＲ法の原
理説明図である。
理説明図である。
【図３】図２のＦＴ−ＩＲ法による測定データ模式図で
ある。
ある。
【図４】図２のＦＴ−ＩＲ法に関わり、エピ膜内での光
路を示した説明図である。
路を示した説明図である。
１ ＦＴ−ＩＲ光学系 ２ 入射側光ファイバ ３ 光学ヘッド ４ 出射側光ファイバ ５ 受光器 ６ 被測定薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA30 CC31 FF52 GG21 HH12 HH13 JJ15 LL00 LL02 LL67 2G020 AA03 BA20 CA12 CB42 CC21 CD03 CD12 CD33 2G059 AA03 BB10 BB16 CC20 EE02 EE09 EE12 FF06 GG00 HH01 JJ15 JJ17 JJ22 KK01
Claims (2)
- 【請求項１】フーリエ変換赤外分光法を用いてサイドバ
ースト間距離から被測定薄膜の膜厚を測定する際に、前
記被測定薄膜の屈折率を求めてフィードバックすること
を特徴とする屈折率考慮型膜厚測定法。 - 【請求項２】屈折率は前記被測定薄膜の反射率のスペク
トルからKramers-Kroning 解析法を用いて求めることを
特徴とする請求項１記載の屈折率考慮型膜厚測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000211962A JP2002022416A (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | 屈折率考慮型膜厚測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000211962A JP2002022416A (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | 屈折率考慮型膜厚測定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002022416A true JP2002022416A (ja) | 2002-01-23 |
Family
ID=18707958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000211962A Withdrawn JP2002022416A (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | 屈折率考慮型膜厚測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002022416A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100416222C (zh) * | 2003-06-23 | 2008-09-03 | 仁宝电脑工业股份有限公司 | 膜厚量测方法及微波量测设备 |
| JP2008286630A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Toray Eng Co Ltd | 透明膜の屈折率測定方法およびその装置並びに透明膜の膜厚測定方法およびその装置 |
| WO2013061417A1 (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-02 | 三菱電機株式会社 | 膜厚測定方法 |
-
2000
- 2000-07-07 JP JP2000211962A patent/JP2002022416A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100416222C (zh) * | 2003-06-23 | 2008-09-03 | 仁宝电脑工业股份有限公司 | 膜厚量测方法及微波量测设备 |
| JP2008286630A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Toray Eng Co Ltd | 透明膜の屈折率測定方法およびその装置並びに透明膜の膜厚測定方法およびその装置 |
| WO2013061417A1 (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-02 | 三菱電機株式会社 | 膜厚測定方法 |
| CN103890539A (zh) * | 2011-10-26 | 2014-06-25 | 三菱电机株式会社 | 膜厚测定方法 |
| JP5586791B2 (ja) * | 2011-10-26 | 2014-09-10 | 三菱電機株式会社 | 膜厚測定方法 |
| KR101512783B1 (ko) | 2011-10-26 | 2015-04-16 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 막두께 측정방법 |
| US9400172B2 (en) | 2011-10-26 | 2016-07-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Film thickness measurement method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071002 |