JP2002020899A - Plating solution regenerator, substrate plating device and plating system - Google Patents
Plating solution regenerator, substrate plating device and plating systemInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示装置用のガラス基板(以下、単に基板と称す
る)に対してメッキ処理を施す際に発生する、メッキ液
を主成分とした廃液を再生するためのメッキ液再生装置
及び基板メッキ装置並びにメッキシステムに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waste liquid containing a plating solution as a main component, which is generated when plating a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device (hereinafter simply referred to as a substrate). The present invention relates to a plating solution regenerating device, a substrate plating device, and a plating system for regenerating.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、基板メッキ装置による基板への電
解メッキ処理においては、時間が経過するにしたがって
装置内のメッキ液が減少するので、この減少分を補うよ
うに液補充装置からメッキ液を補充している。2. Description of the Related Art Conventionally, in an electrolytic plating process on a substrate by a substrate plating apparatus, the plating solution in the apparatus decreases as time passes, and the plating solution is supplied from a solution replenishing apparatus so as to compensate for this decrease. Refilling.
【0003】なお、メッキ液には、一般的に有機物系の
添加剤(ブライトナーやキャリアーと呼ばれる)が数種
類混合されているが、これは空気に触れたりすること等
により次第に劣化して添加剤としての機能が低下してゆ
く。The plating solution generally contains several kinds of organic additives (referred to as brighteners and carriers), which gradually deteriorate when exposed to air or the like. Function will be degraded.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、メッキ液の補充を行っても添加剤が劣
化した状態でメッキ液に含まれているので、劣化した添
加剤の存在がメッキ処理の仕上がりに悪影響を与えるの
である。そこで、このような悪影響を防止するため、特
に半導体産業においては基板の汚染を防止するためにメ
ッキ液そのものを定期的に交換して廃液として処分する
ようにしているので、必然的にメッキ液の消費が多くな
ってメッキ処理に要するコストがかさむという問題があ
る。However, the prior art having such a structure has the following problems. That is, since the additive is contained in the plating solution in a deteriorated state even after the replenishment of the plating solution, the presence of the deteriorated additive adversely affects the finish of the plating process. Therefore, in order to prevent such adverse effects, particularly in the semiconductor industry, the plating solution itself is periodically replaced and disposed of as waste solution in order to prevent contamination of the substrate. There is a problem that the consumption increases and the cost required for the plating process increases.
【0005】なお、上記のようなメッキ液の交換を行う
と、そのための作業が必要となってメンテナンスが煩雑
となる。また、メッキ液の廃液には銅イオンが多く含ま
れているので、廃液を出すことは地球環境保全にとって
好ましくない。また、廃液処理を行う必要があるので、
そのための処理費用がかさむという問題ものある。[0005] When the plating solution is exchanged as described above, an operation for the exchange is required, and the maintenance is complicated. Further, since a large amount of copper ions is contained in the waste liquid of the plating solution, discharging the waste liquid is not preferable for global environmental conservation. In addition, since it is necessary to perform waste liquid treatment,
There is a problem that the processing cost for that is increased.
【0006】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであって、劣化した添加剤を除去してメッキ液
を再利用可能にすることにより、メッキ処理に要するコ
ストを低減することができるメッキ液再生装置及び基板
メッキ装置並びにメッキシステムを提供することを目的
とする。[0006] The present invention has been made in view of such circumstances, and it is possible to reduce the cost required for the plating process by removing the deteriorated additive and reusing the plating solution. An object of the present invention is to provide a plating solution regenerating device, a substrate plating device, and a plating system that can be used.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明は、このような
目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載のメッキ液再生装置は、メッキ液を
主成分とする廃液を再生するメッキ液再生装置におい
て、廃液を取り込む取込管と、取り込んだ廃液を貯留す
る貯留タンクと、廃液中の劣化した添加剤を除去する添
加剤除去手段と、前記添加剤除去手段を通った廃液を除
去済みメッキ液として貯留する再生タンクと、前記再生
タンクに貯留している除去済みメッキ液の添加剤濃度を
分析する添加剤分析部と、前記添加剤分析部による分析
結果に応じて添加剤を補充する添加剤補充部と、添加剤
が補充された除去済みメッキ液を再生メッキ液として送
り出す送出管と、前記取込管から前記貯留タンクに廃液
を取り込ませ、前記貯留タンクの廃液を前記添加剤除去
手段に流通させて前記再生タンクに貯留させ、前記添加
剤分析部と前記添加剤補充部を制御して前記再生タンク
に貯留している除去済みメッキ液の添加剤濃度を所定値
に調整した後に、前記送出管から再生メッキ液として送
り出すように制御する制御部と、を備えたことを特徴と
するものである。The present invention has the following configuration to achieve the above object. That is, a plating solution regenerating apparatus according to claim 1 is a plating solution regenerating apparatus that regenerates a waste solution containing a plating solution as a main component, a take-in pipe for taking the waste solution, a storage tank for storing the taken waste solution, and a waste solution. An additive removing means for removing the deteriorated additive therein, a regeneration tank for storing waste liquid passing through the additive removing means as a removed plating solution, and addition of a removed plating solution stored in the regeneration tank. An additive analyzing section for analyzing the agent concentration, an additive replenishing section for replenishing the additive according to the analysis result of the additive analyzing section, and sending out the removed plating solution supplemented with the additive as a regenerated plating solution. Pipe, waste liquid is taken into the storage tank from the intake pipe, and the waste liquid in the storage tank is passed through the additive removing means and stored in the regeneration tank. A control unit that controls the additive replenishment unit to adjust the additive concentration of the removed plating solution stored in the regeneration tank to a predetermined value, and then controls the additive to be sent out from the delivery pipe as a regeneration plating solution. It is characterized by having.
【0008】また、請求項2に記載のメッキ液再生装置
は、請求項1に記載のメッキ液再生装置において、前記
再生タンクは前記貯留タンクを兼用し、前記添加剤除去
手段は前記再生タンクから送出されて再び前記再生タン
クに戻される循環路に配設され、前記制御部は廃液を前
記添加剤除去手段に複数回循環させるようにしたことを
特徴とするものである。Further, the plating solution regenerating apparatus according to claim 2 is the plating solution regenerating apparatus according to claim 1, wherein the regenerating tank also serves as the storage tank, and the additive removing means is provided from the regenerating tank. It is arranged in a circulation path which is sent out and returned to the regeneration tank again, wherein the control unit circulates the waste liquid to the additive removing means a plurality of times.
【0009】また、請求項3に記載のメッキ液再生装置
は、請求項1または2に記載のメッキ液再生装置におい
て、前記添加剤除去手段に加えて、廃液中のパーティク
ルを除去するパーティクル除去手段を備えたことを特徴
とするものである。A plating solution regenerating apparatus according to a third aspect of the present invention is the plating solution regenerating apparatus according to the first or second aspect, wherein the particle removing means removes particles in a waste liquid in addition to the additive removing means. It is characterized by having.
【0010】また、請求項4に記載のメッキ液再生装置
は、請求項1ないし3のいずれかに記載のメッキ液再生
装置において、前記再生タンクと送出管との間に別個の
バッファタンクを備え、前記再生タンク内の再生メッキ
液を前記バッファタンクに移送した後に、前記送出管か
ら送り出すことを特徴とするものである。A plating solution regenerating apparatus according to a fourth aspect of the present invention is the plating solution regenerating apparatus according to any one of the first to third aspects, further comprising a separate buffer tank between the regeneration tank and the delivery pipe. After the regenerating plating solution in the regenerating tank is transferred to the buffer tank, it is sent out from the delivery pipe.
【0011】また、請求項5に記載の基板メッキ装置
は、請求項1に記載のメッキ液再生装置を備え、基板へ
のメッキ処理で発生する廃液を再生し、基板へのメッキ
処理に再利用することを特徴とするものである。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate plating apparatus including the plating solution regenerating apparatus according to the first aspect of the present invention, wherein a waste liquid generated in the plating process on the substrate is regenerated and reused in the plating process on the substrate. It is characterized by doing.
【0012】また、請求項6に記載のメッキシステム
は、請求項5に記載の基板メッキ装置と、前記基板メッ
キ装置にメッキ液を補充する液補充装置とを備えたこと
を特徴とするものである。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a plating system comprising: the substrate plating apparatus according to the fifth aspect; and a liquid replenishing apparatus for replenishing the substrate plating apparatus with a plating solution. is there.
【0013】また、請求項7に記載のメッキシステム
は、請求項6に記載のメッキシステムにおいて、前記基
板メッキ装置から取り込んだメッキ液を分析して添加剤
の濃度を分析するメッキ液分析装置をさらに備え、前記
メッキ液分析装置で発生する廃液をも前記メッキ液再生
装置で再生することを特徴とするものである。According to a seventh aspect of the present invention, in the plating system of the sixth aspect, there is provided a plating solution analyzing apparatus for analyzing a plating solution taken from the substrate plating apparatus and analyzing a concentration of an additive. Further, the present invention is characterized in that waste liquid generated in the plating solution analyzer is also regenerated by the plating solution regenerating device.
【0014】[0014]
【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。すなわち、取込管を通して廃液を貯留タンクに貯留
し、この廃液を添加剤除去手段に通すことで劣化した添
加剤を除去し、再生タンクに除去済みメッキ液として貯
留する。添加剤分析部で分析した濃度に応じて添加剤補
充部から添加剤を補充して濃度が所定濃度に達するよう
に制御部が調整した後、再生タンク内の再生メッキ液を
送出管から送り出す。The operation of the first aspect of the invention is as follows. That is, the waste liquid is stored in the storage tank through the intake pipe, and the waste liquid is passed through the additive removing means to remove the deteriorated additive and stored in the regeneration tank as the removed plating solution. After the control unit adjusts the additive to a predetermined concentration by replenishing the additive from the additive replenishment unit according to the concentration analyzed by the additive analysis unit, the regenerating plating solution in the regenerating tank is sent out from the delivery pipe.
【0015】また、請求項2に記載の発明によれば、再
生タンクを循環する循環路に配設された添加剤除去手段
に対して廃液を複数回循環させるので、劣化した添加剤
の除去率を高めることができる。According to the second aspect of the present invention, since the waste liquid is circulated a plurality of times to the additive removing means provided in the circulation path for circulating the regeneration tank, the rate of removal of the deteriorated additive is reduced. Can be increased.
【0016】また、請求項3に記載の発明によれば、パ
ーティクル除去手段により廃液中のパーティクルを除去
することでメッキ液の清浄度を高くできる。According to the third aspect of the present invention, the cleanliness of the plating solution can be increased by removing particles in the waste liquid by the particle removing means.
【0017】また、請求項4に記載の発明によれば、バ
ッファタンクにメッキ液を移送した直後に次に処理する
廃液を取り込むことができる。Further, according to the present invention, the waste liquid to be processed next can be taken in immediately after the plating liquid is transferred to the buffer tank.
【0018】また、請求項5に記載の発明によれば、メ
ッキ液再生装置を備えているので、劣化した添加剤の悪
影響を除去することができる。Further, according to the fifth aspect of the present invention, since the plating solution regenerating device is provided, it is possible to remove the adverse effect of the deteriorated additive.
【0019】また、請求項6に記載の発明によれば、メ
ッキ液再生装置を備えた基板メッキ装置と、液補充装置
とを備えたメッキシステムにおいても上記同様の作用を
生じる。According to the sixth aspect of the present invention, the same effect as described above also occurs in a plating system including a substrate plating apparatus having a plating solution regenerating apparatus and a liquid replenishing apparatus.
【0020】また、請求項7に記載の発明によれば、さ
らにメッキ液分析装置を備えたメッキシステムであって
も上記同様の作用を生じる。According to the seventh aspect of the present invention, the same operation as described above occurs even in a plating system further provided with a plating solution analyzer.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
一実施例を説明する。図1は本発明の一実施例に係り、
メッキ液再生装置の概略構成を示したブロック図であ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 relates to an embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration of a plating solution regenerating apparatus.
【0022】メッキ液再生装置1は、メッキ液を主成分
とした廃液を取り込んで再生メッキ液として再生するた
めの処理を施す再生処理部3と、劣化した添加剤を除去
したメッキ液について添加剤の濃度を分析する添加剤分
析部5と、この添加剤分析部5の分析結果に基づき、劣
化した添加剤を除去したメッキ液に対して添加剤を補充
する添加剤補充部7と、再生処理部3に廃液を取り込ん
だり、再生処理部3から再生メッキ液を送出したり、添
加剤分析部5による分析結果に基づき添加剤補充部7を
制御して、劣化した添加剤を除去したメッキ液が所定の
添加剤濃度になるように制御する等の制御を行う制御部
9とを備えている。The plating solution regenerating apparatus 1 includes a regenerating unit 3 for taking in a waste solution containing a plating solution as a main component and performing a process for regenerating it as a regenerating plating solution, and an additive for removing the degraded additive from the plating solution. Analysis unit 5 for analyzing the concentration of the additive, an additive replenishment unit 7 for replenishing the plating solution from which the deteriorated additive has been removed with an additive based on the analysis result of the additive analysis unit 5, A plating solution from which a degraded additive is removed by taking a waste liquid into the unit 3, sending out a regenerated plating solution from the regenerating unit 3, and controlling the additive replenishing unit 7 based on the analysis result by the additive analyzing unit 5. And a control unit 9 for performing control such as controlling the additive concentration to a predetermined additive concentration.
【0023】なお、添加剤分析部5は、例えば、CVS
法(サイクリック・ボルタメトリック・ストリッピン
グ)によりメッキ液中の添加剤濃度を定量する。The additive analyzer 5 is, for example, a CVS
The additive concentration in the plating solution is quantified by the method (cyclic voltammetric stripping).
【0024】再生処理部3は、ポンプ11を備えた取込
管13からメッキ液の廃液を再生タンク15に取り込
む。この再生タンク15は液面を検出する上限センサ1
5aと下限センサ15bを備えており、制御部9がこれ
らの出力を参照しつつポンプ11の駆動を行う。さらに
再生タンク15は、その底部から廃液を取り込んで再生
タンク15の上部に戻す循環路17を備えている。The regenerating section 3 takes in the waste plating solution into the regenerating tank 15 through a take-in pipe 13 provided with a pump 11. The regeneration tank 15 is an upper limit sensor 1 for detecting a liquid level.
5a and a lower limit sensor 15b, and the controller 9 drives the pump 11 with reference to these outputs. Further, the regeneration tank 15 is provided with a circulation path 17 that takes in waste liquid from the bottom and returns the waste liquid to the upper part of the regeneration tank 15.
【0025】この循環路17には、有機物吸着フィルタ
19と、その下流にパーティクル除去フィルタ21が取
り付けられている。循環路17に設けられたポンプ23
を駆動すると、再生タンク15の廃液が有機物吸着フィ
ルタ19とパーティクル除去フィルタ21を通って再び
再生タンク15に戻されるようになっている。有機物吸
着フィルタ19とパーティクル除去フィルタ21の位置
関係を入れ替えて、パーティクル除去フィルタ21を有
機物吸着フィルタ19の上流に配設してもよい。An organic substance adsorption filter 19 and a particle removal filter 21 are mounted downstream of the organic substance adsorption filter 19 in the circulation path 17. Pump 23 provided in circulation path 17
Is driven, the waste liquid in the regeneration tank 15 is returned to the regeneration tank 15 again through the organic substance adsorption filter 19 and the particle removal filter 21. The particle removal filter 21 may be disposed upstream of the organic substance adsorption filter 19 by exchanging the positional relationship between the organic substance adsorption filter 19 and the particle removal filter 21.
【0026】なお、本実施例における再生タンク15
は、本発明における貯留タンクと再生タンクに相当す
る。The regenerating tank 15 in the present embodiment
Corresponds to the storage tank and the regeneration tank in the present invention.
【0027】上述した添加剤分析部5のサンプリング配
管5aは、再生タンク15の下限センサ15bよりもや
や下方に下端部が位置するように配設されている。ま
た、上述した添加剤補充部7の供給管7aは、再生タン
ク15の上限センサ15a付近にその下端部が位置する
ように配設されている。The sampling pipe 5a of the above-described additive analyzer 5 is disposed so that the lower end is located slightly below the lower limit sensor 15b of the regeneration tank 15. Further, the supply pipe 7a of the additive replenishment unit 7 described above is disposed so that its lower end is located near the upper limit sensor 15a of the regeneration tank 15.
【0028】再生タンク15の側方にはバッファタンク
25が備えられている。このバッファタンク25にも、
再生タンク15と同様に上限センサ25aと下限センサ
25bが取り付けられている。再生タンク15からバッ
ファタンク25には移送管27が架設されており、その
始端が再生タンク15の下限センサ15b付近に位置
し、その終端がバッファタンク25の上限センサ25a
付近に位置している。また、移送管27にはポンプ29
が取り付けられている。A buffer tank 25 is provided beside the regeneration tank 15. This buffer tank 25 also has
Similarly to the regeneration tank 15, an upper limit sensor 25a and a lower limit sensor 25b are attached. A transfer pipe 27 extends from the regeneration tank 15 to the buffer tank 25, and its starting end is located near the lower limit sensor 15 b of the regeneration tank 15, and its end is located at the upper limit sensor 25 a of the buffer tank 25.
It is located near. The transfer pipe 27 is provided with a pump 29.
Is attached.
【0029】なお、再生タンク15とバッファタンク2
5に取り付けられている上限センサ15a,25aと下
限センサ15b,25bとしては静電容量センサが例示
される。The regeneration tank 15 and the buffer tank 2
The upper limit sensors 15a and 25a and the lower limit sensors 15b and 25b attached to the sensor 5 are exemplified by capacitance sensors.
【0030】始端がバッファタンク25の下限センサ2
5b付近に位置するように設けられた送出管31は、バ
ッファタンク25内の再生メッキ液をメッキ液再生装置
1から送り出すために用いられる。再生メッキ液の送り
出しは、送出管31に取り付けられたポンプ33を作動
させることにより行われる。The lower end sensor 2 of the buffer tank 25 has a starting end.
The delivery pipe 31 provided so as to be located in the vicinity of 5b is used for sending out the regenerating plating solution in the buffer tank 25 from the plating solution regenerating apparatus 1. Delivery of the regenerated plating solution is performed by operating a pump 33 attached to the delivery pipe 31.
【0031】上述したポンプ11,23,29,33
は、磁気結合力により発生させた回転力によって流体を
送り出すマグネットポンプまたはベローズポンプが利用
可能である。The above-described pumps 11, 23, 29, 33
A magnet pump or a bellows pump that sends out a fluid by a rotational force generated by a magnetic coupling force can be used.
【0032】本発明の添加剤除去手段に相当する有機物
吸着フィルタ19は、例えば、活性炭、活性炭素繊維、
ゼオライト、活性アルミナ等のセラミックなどの吸着剤
を含むもので構成されている。ゼオライトとはシリケー
トの格子を有する結晶性モレキュラーシーブを指し、そ
の膜は混合気体の分離に適している。その結晶中には、
分子ふるいとして利用可能な数オングストロームの細孔
が存在する。The organic substance adsorption filter 19 corresponding to the additive removing means of the present invention includes, for example, activated carbon, activated carbon fiber,
It is made of a material containing an adsorbent such as zeolite and ceramic such as activated alumina. Zeolites refer to crystalline molecular sieves having a silicate lattice, the membrane of which is suitable for the separation of gas mixtures. In the crystal,
There are several angstrom pores available as molecular sieves.
【0033】また、本発明のパーティクル除去手段に相
当するパーティクル除去フィルタ21は、フッ素樹脂や
ポリエチレンなどからなる穴径0.1μm程度のメンブ
ランフィルタが例示される。Further, as the particle removing filter 21 corresponding to the particle removing means of the present invention, a membrane filter having a hole diameter of about 0.1 μm made of fluororesin or polyethylene is exemplified.
【0034】次に、図2及び図3の動作説明図を参照し
つつ上述した構成のメッキ液再生装置の動作について説
明する。なお、既に再生処理を施して得られた再生メッ
キ液がバッファタンク25に貯留されているものとす
る。Next, the operation of the plating solution regenerating apparatus having the above-described configuration will be described with reference to the operation explanatory diagrams of FIGS. It is assumed that the regenerated plating solution obtained by performing the regenerating process is already stored in the buffer tank 25.
【0035】まず、制御部9がポンプ11を作動させ、
例えば、図示しない基板メッキ装置から排出されたメッ
キ液を含む廃液を取込管13より取り込んで再生タンク
15に貯留させる。このとき上限センサ15aが作動す
ると、制御部9がポンプ11を停止させる。この状態を
示すのが図2(a)である。First, the control unit 9 operates the pump 11,
For example, a waste solution containing a plating solution discharged from a substrate plating apparatus (not shown) is taken in from the intake pipe 13 and stored in the regeneration tank 15. At this time, when the upper limit sensor 15a operates, the control unit 9 stops the pump 11. FIG. 2A shows this state.
【0036】なお、再生タンク15に廃液が貯留された
時点で、添加剤分析部5により添加剤の劣化度合いを調
べ、後述する廃液の循環時間や循環回数を調整すること
が好ましい。When the waste liquid is stored in the regenerating tank 15, it is preferable that the additive analyzer 5 examines the degree of deterioration of the additive and adjusts the circulation time and the number of circulations of the waste liquid, which will be described later.
【0037】次に、ポンプ33を作動させて、バッファ
タンク25に貯留している再生メッキ液を送出管31か
ら外部に送り出す。Next, the pump 33 is operated to send the regenerated plating solution stored in the buffer tank 25 from the delivery pipe 31 to the outside.
【0038】次に、制御部9はポンプ23を作動させ
る。これにより再生タンク15に貯留している廃液が循
環路17を流通し、有機物吸着フィルタ19とパーティ
クル除去フィルタ21を通って再び再生タンク15に戻
る。上記の状態を示すのが図2(b)である。この循環
を一定時間あるいは一定回数だけ繰り返す。これによ
り、廃液に含まれている劣化した添加剤が有機物吸着フ
ィルタ19により取り除かれるとともに、廃液中のパー
ティクルがパーティクル除去フィルタ21によって除去
される。一般的に、高レベルの清浄度が求められる半導
体産業などにおいては、処理液の再利用などが敬遠され
がちであるが、廃液中のパーティクルを除去することで
再生メッキ液の清浄度を高くできるので再生メッキ液の
利用を促進できる。Next, the control section 9 operates the pump 23. As a result, the waste liquid stored in the regeneration tank 15 flows through the circulation path 17 and returns to the regeneration tank 15 again through the organic substance adsorption filter 19 and the particle removal filter 21. FIG. 2B shows the above state. This circulation is repeated for a certain time or a certain number of times. As a result, the deteriorated additive contained in the waste liquid is removed by the organic substance adsorption filter 19, and the particles in the waste liquid are removed by the particle removal filter 21. Generally, in the semiconductor industry and the like where a high level of cleanliness is required, it is apt to be avoided to reuse the processing solution. However, by removing particles in the waste solution, the cleanness of the regenerated plating solution can be increased. Therefore, the use of the recycled plating solution can be promoted.
【0039】なお、廃液中には劣化していない正常な添
加剤も含まれているが、それらは分子量が大きいままで
あるので有機物吸着フィルタ19によっては吸着されに
くい。劣化した添加剤は劣化度合い等によって分子量が
様々であることから、一度有機物吸着フィルタ19に通
すだけでは完全に除去しきれない場合がある。そこで、
上述した構成により、廃液を有機物吸着フィルタ19に
循環させて劣化した添加剤の除去率を高めることができ
るようにしている。Although the waste liquid contains normal additives which have not deteriorated, they are hardly adsorbed by the organic substance adsorption filter 19 because they have a large molecular weight. Since the deteriorated additive has various molecular weights depending on the degree of deterioration and the like, there is a case where the additive cannot be completely removed only by once passing through the organic substance adsorption filter 19. Therefore,
With the above-described configuration, the waste liquid is circulated through the organic substance adsorption filter 19 so that the removal rate of the deteriorated additive can be increased.
【0040】制御部9はポンプ23を停止させて循環を
終了させた後、添加剤分析部5により再生タンク15内
の、劣化した添加剤及びパーティクルが除去された廃液
(以下、これを除去済みメッキ液と称する)について添
加剤濃度を分析する。具体的には、サンプリング配管5
aから除去済みメッキ液を採取し、CVS法によって添
加剤の濃度を定量する。そして、その結果に基づいて添
加剤補充部7が除去済みメッキ液に対し、供給管7aか
ら添加剤を補充する(図3(a)参照)。After stopping the pump 23 and terminating the circulation, the control unit 9 removes the deteriorated additives and particles from the regenerating tank 15 by the additive analysis unit 5 (hereinafter, this waste liquid is removed). (Referred to as plating solution). Specifically, the sampling pipe 5
The removed plating solution is collected from a and the concentration of the additive is quantified by the CVS method. Then, based on the result, the additive replenishment unit 7 replenishes the removed plating solution with the additive from the supply pipe 7a (see FIG. 3A).
【0041】なお、除去済みメッキ液に添加剤補充部7
から添加剤を補充した後、添加剤分析部5により添加剤
の定量を再度行い、添加剤の補充量が適切か否かを確認
することが好ましい。The additive replenishing section 7 is added to the removed plating solution.
After replenishing the additives, it is preferable that the additive analyzer 5 re-quantifies the additives and confirms whether the replenishment amount of the additives is appropriate.
【0042】再生タンク15に貯留している、添加剤が
調整された除去済みメッキ液(以下、これを再生メッキ
液と称する)をバッファタンク25に移送する。具体的
にはポンプ29を作動させて、移送管27を通して移送
する(図3(b)参照)。このようにバッファタンク2
5に再生メッキ液を移送するので、次に再生すべき廃液
を再生タンク15に素早く取り込むことができる。した
がって、見かけ上、廃液の再生処理時間を見かけ上短く
することができる。The removed plating solution (hereinafter referred to as “regenerated plating solution”) stored in the regenerating tank 15 and adjusted for the additive is transferred to the buffer tank 25. Specifically, the pump 29 is operated to transfer through the transfer pipe 27 (see FIG. 3B). Thus, buffer tank 2
Since the regenerating plating solution is transferred to the tank 5, the waste liquid to be regenerated next can be quickly taken into the regenerating tank 15. Therefore, it is possible to apparently shorten the waste liquid regeneration processing time.
【0043】上述した再生メッキ装置1によると、廃液
を添加剤吸着フィルタ19に通すことで劣化した添加剤
を除去し、添加剤の濃度を調整して再生メッキ液として
送り出すようにしたので、メッキ液を主成分とした廃液
を再利用可能である。したがって、メッキ処理に要する
コストを低減することができる。According to the regenerating plating apparatus 1 described above, the deteriorated additive is removed by passing the waste liquid through the additive adsorption filter 19, and the concentration of the additive is adjusted to be sent out as a regenerated plating solution. Waste liquid containing liquid as a main component can be reused. Therefore, the cost required for the plating process can be reduced.
【0044】なお、メッキ液再生装置は、次のように変
形実施が可能である。The plating solution regenerating apparatus can be modified as follows.
【0045】(1)上記の構成では、本発明における貯
留タンクと再生タンクが再生タンク15によって兼用さ
れているが、貯留タンクを別個に設ける構成としてもよ
い。この場合には貯留タンクから再生タンクへの配管中
に有機物吸着フィルタ19とパーティクル除去フィルタ
21を配設すればよい。(1) In the above configuration, the storage tank and the regeneration tank in the present invention are shared by the regeneration tank 15, but the storage tank may be provided separately. In this case, the organic matter adsorption filter 19 and the particle removal filter 21 may be provided in the pipe from the storage tank to the regeneration tank.
【0046】(2)パーティクル除去フィルタ21は必
須ではなく、有機物吸着フィルタ19だけとしてもよ
い。この場合には、例えば、メッキ液再生装置1から送
出された再生メッキ液を使用する装置側でパーティクル
を除去すればよい。(2) The particle removal filter 21 is not indispensable, and may be the organic substance adsorption filter 19 alone. In this case, for example, the particles may be removed on the side of the apparatus that uses the regenerated plating solution sent from the plating solution regenerating apparatus 1.
【0047】(3)本発明に係るメッキ液再生装置は、
バッファタンク25を必須構成要件とするものではな
く、メッキ液の再生時間が長くなっても問題がない場合
にはバッファタンク25を設ける必要はない。(3) The plating solution regenerating apparatus according to the present invention
The buffer tank 25 is not an essential component, and the buffer tank 25 need not be provided if there is no problem even if the regenerating time of the plating solution is long.
【0048】(4)有機物吸着フィルタ19に代えて、
廃液にオゾンガス若しくは酸素ガス、若しくはオゾンガ
スと酸素ガスの両方を含ませるとともに紫外線照射を照
射することで劣化した添加剤を分解除去する分解ユニッ
トや、触媒を用いて劣化した添加剤を吸着分解する触媒
ユニットなどの添加剤除去手段を採用してもよい。(4) Instead of the organic substance adsorption filter 19,
A decomposition unit that contains ozone gas or oxygen gas, or both ozone gas and oxygen gas in waste liquid, and decomposes and removes additives that have been degraded by irradiating ultraviolet rays, or a catalyst that adsorbs and decomposes degraded additives using a catalyst An additive removing means such as a unit may be employed.
【0049】<基板メッキ装置>図4は本発明に係る基
板メッキ装置の一実施例を示した図である。<Substrate Plating Apparatus> FIG. 4 shows an embodiment of a substrate plating apparatus according to the present invention.
【0050】基板メッキ装置41は、上述したメッキ液
再生装置1と、メッキ処理面を下方に向けた状態で基板
Wを支持する支持部43と、基板Wにメッキ処理を施す
ためのメッキ槽45と、メッキ液を循環させるためのメ
ッキ液循環槽47とを備えている。なお、新しいメッキ
液を補充する液補充装置をさらに備えた構成としてもよ
い。The substrate plating apparatus 41 includes the plating solution regenerating apparatus 1 described above, a support section 43 for supporting the substrate W with the plating surface facing downward, and a plating tank 45 for performing the plating processing on the substrate W. And a plating solution circulation tank 47 for circulating the plating solution. It should be noted that the apparatus may further include a solution replenishing device for replenishing a new plating solution.
【0051】支持部43は、メッキ槽45に対して昇降
可能に、かつ鉛直軸周りに回転可能に構成されている。
メッキ処理を施す際には、支持部43ごとメッキ槽45
に下降し、低速で基板Wを回転するようになっている。The support portion 43 is configured to be able to move up and down with respect to the plating tank 45 and to be rotatable around a vertical axis.
When performing the plating process, the plating tank 45 together with the support 43 is required.
And the substrate W is rotated at a low speed.
【0052】具体的には、環状を呈し、基板Wの下面周
辺部に当接して基板Wを支持するとともに、メッキ処理
面に導通をとり、さらにメッキ液が周辺へ流出すること
を防止するマスク部材43aと、このマスク部材43a
を下端部に取り付けられ、回転および昇降可能に構成さ
れたスピンベース43bと、基板Wの裏面に当接して基
板Wをマスク部材43aに押し当てる基板押さえ43c
とを備える。More specifically, the mask has an annular shape, contacts the peripheral portion of the lower surface of the substrate W to support the substrate W, conducts the plating surface, and prevents the plating solution from flowing out to the periphery. The member 43a and the mask member 43a
Is attached to the lower end, and is configured to be rotatable and vertically movable, and a substrate presser 43c that abuts against the back surface of the substrate W and presses the substrate W against the mask member 43a.
And
【0053】メッキ槽45は二重に構成されており、中
央部が処理槽45aであり、その外周部が回収槽45b
である。メッキ液が下部から供給される処理槽45aは
パンチングプレート45cにより上下に仕切られ、その
下部にはアノード電極45dが配設されている。The plating tank 45 has a double structure. The central part is a processing tank 45a, and the outer peripheral part is a collecting tank 45b.
It is. A processing tank 45a to which a plating solution is supplied from below is vertically divided by a punching plate 45c, and an anode electrode 45d is provided below the processing tank 45a.
【0054】処理槽45aから溢れて回収槽45bに回
収されたメッキ液は、メッキ液循環槽47に送られて一
時的に貯留され、ポンプ47aによって再び処理槽45
aに送られる。また、メッキ液循環槽47には添加剤補
充部49が付設されており、純水、硫酸銅などを主成分
とするメッキ液に有機物添加剤を補充するようになって
いる。さらに処理槽47には、メッキ液再生装置1から
の取込管13と送出管31が延出されている。The plating solution overflowing from the processing tank 45a and collected in the collecting tank 45b is sent to the plating liquid circulation tank 47 and temporarily stored therein, and is again stored in the processing tank 45 by the pump 47a.
sent to a. Further, the plating solution circulation tank 47 is provided with an additive replenishing part 49 so as to replenish the plating solution mainly containing pure water, copper sulfate or the like with an organic additive. Further, an intake pipe 13 and a delivery pipe 31 from the plating solution regenerating apparatus 1 extend to the processing tank 47.
【0055】上述した構成の基板メッキ装置41では、
支持部43に基板Wを支持させた状態で、図中に点線で
示すように処理槽45aに基板Wを浸漬させる。さら
に、ポンプ47aを作動させてメッキ液を循環させると
ともに、スピンベース43bを回転させながらメッキ処
理を施すようになっている。In the substrate plating apparatus 41 having the above configuration,
With the substrate W supported by the support portion 43, the substrate W is immersed in the processing bath 45a as indicated by a dotted line in the drawing. Further, the plating solution is circulated by operating the pump 47a, and the plating process is performed while rotating the spin base 43b.
【0056】メッキ処理を行うにつれて、メッキ液に
は、基板Wの汚れが持ち込まれることによる汚染や、メ
ッキ槽45や循環系からの溶出物による汚染や、アノー
ド電極45dの表面から遊離したフィルム状析出物(い
わゆるブラックフィルム)による汚染などが生じるとと
もに、添加剤が劣化して生じた有機物の残骸が混在する
ことになる。そこで、所定時間使用して従来なら廃棄し
ていたメッキ液(廃液)を、取込管13からメッキ液再
生装置1内に送るとともに、バッファタンク25内の再
生メッキ液を送出管31からメッキ液循環槽47に取り
込む。As the plating process is performed, the plating solution is contaminated by contamination of the substrate W, contaminated by elution from the plating tank 45 and the circulating system, and is in the form of a film released from the surface of the anode electrode 45d. Contamination due to the precipitate (so-called black film) and the like are generated, and debris of an organic substance generated by deterioration of the additive is mixed. Therefore, the plating solution (waste solution) that has been discarded after being used for a predetermined time is sent from the intake pipe 13 into the plating solution regenerating apparatus 1, and the regenerated plating solution in the buffer tank 25 is sent from the sending pipe 31 to the plating solution. Take in the circulation tank 47.
【0057】これにより、劣化した添加剤の悪影響を除
去した再生メッキ液を使用してメッキ処理を行うことが
できるので、メッキ液の消費量が抑制できる。したがっ
て、基板メッキ装置におけるメッキ処理に必要なコスト
を抑制することができるのである。As a result, the plating treatment can be performed using the regenerated plating solution from which the adverse effect of the deteriorated additive has been removed, and the consumption of the plating solution can be suppressed. Therefore, the cost required for the plating process in the substrate plating apparatus can be suppressed.
【0058】<基板メッキ装置>図5は本発明に係るメ
ッキシステムの一実施例を示したブロック図である。<Substrate Plating Apparatus> FIG. 5 is a block diagram showing an embodiment of a plating system according to the present invention.
【0059】1台の基板メッキ装置41は、1台のメッ
キ液再生装置1の取込管13と送出管31が接続されて
いる。また、不足したメッキ液を補うための1台の液補
充装置51が基板メッキ装置41に付設されているとと
もに、基板メッキ装置41のメッキ液循環槽47のメッ
キ液を分析するための1台のメッキ液分析装置53が備
えられている。このメッキ液分析装置53は、濃度情報
などの分析結果を液補充装置51に与える。In one substrate plating apparatus 41, the intake pipe 13 and the delivery pipe 31 of one plating solution regenerating apparatus 1 are connected. Further, one solution replenishing device 51 for supplementing the insufficient plating solution is attached to the substrate plating device 41, and one solution replenishing device 51 for analyzing the plating solution in the plating solution circulation tank 47 of the substrate plating device 41. A plating solution analyzer 53 is provided. The plating solution analyzer 53 gives an analysis result such as concentration information to the solution replenisher 51.
【0060】上述した構成のメッキシステムでは、メッ
キ液を主成分とせず、例えば、リンス液などを多く含む
廃液が基板メッキ装置41及びメッキ液分析装置53か
らでる。これらはメッキ液として再生することができな
いものであるので、それぞれの装置から廃棄41x,5
3xされる。一方、基板メッキ装置41とメッキ液分析
装置53から出される、メッキ液を主成分とした廃液は
取込管31からメッキ液再生装置1に取り込まれ、再生
メッキ液に再生されてそれぞれの装置に送出管31を介
して供給される。In the plating system having the above-described structure, a waste liquid not containing a plating solution as a main component and containing a large amount of a rinsing solution, for example, flows from the substrate plating apparatus 41 and the plating solution analyzing apparatus 53. Since these cannot be regenerated as a plating solution, they are discarded 41x, 5
3x. On the other hand, the waste liquid containing the plating liquid as a main component, which is discharged from the substrate plating apparatus 41 and the plating liquid analyzing apparatus 53, is taken into the plating liquid regenerating apparatus 1 through the intake pipe 31, and is regenerated into a regenerated plating liquid and is supplied to each apparatus. It is supplied via a delivery pipe 31.
【0061】このような構成によるとメッキシステムに
おいても再生メッキ液を使用することができるので、基
板メッキ装置1およびメッキ液分析装置53におけるメ
ッキ液の消費量が抑制できる。したがって、メッキシス
テムにおけるメッキ処理に必要なコストを低減すること
ができる。According to such a configuration, the regenerated plating solution can be used also in the plating system, so that the consumption of the plating solution in the substrate plating apparatus 1 and the plating solution analyzer 53 can be suppressed. Therefore, the cost required for the plating process in the plating system can be reduced.
【0062】なお、メッキシステムとしては、メッキ液
分析装置53を備えず、基板メッキ装置41と、液補充
装置51と、メッキ液再生装置1とからなるシステムで
あってもメッキ処理に必要なコストを低減可能である。It should be noted that even if the plating system does not include the plating solution analyzer 53 and includes the substrate plating device 41, the solution replenishing device 51, and the plating solution regenerating device 1, the cost required for the plating process is reduced. Can be reduced.
【0063】また、上記のメッキシステムでは、1台の
基板メッキ装置41に一台のメッキ液再生装置1を備え
ている構成を例示したが、メッキ液再生装置1の稼働率
を高めるために図6のような構成としてもよい。In the above-described plating system, a configuration in which one substrate plating apparatus 41 is provided with one plating solution regenerating apparatus 1 has been exemplified. 6 may be adopted.
【0064】すなわち、複数台の基板メッキ装置41
(図6では3台)に1台のメッキ液再生装置1と、1台
のメッキ液分析装置53と、液補充装置51とを接続す
るのである。このような構成により、メッキ液再生装置
1は、複数台の基板メッキ装置41と1台のメッキ液分
析装置53のうちのいずれかの廃液を再生処理すること
になるので、稼働率を向上させることができる。That is, a plurality of substrate plating apparatuses 41
One plating solution regenerating device 1, one plating solution analyzing device 53, and a solution replenishing device 51 are connected to (three in FIG. 6). With such a configuration, the plating solution regenerating apparatus 1 regenerates any one of the plurality of substrate plating apparatuses 41 and one of the plating solution analyzers 53, thereby improving the operation rate. be able to.
【0065】[0065]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、廃液を添加剤除去手段に通し
て劣化した添加剤を除去し、添加剤の濃度を調整して再
生メッキ液として送り出すようにしたので、メッキ液を
主成分とした廃液を再利用することができる。したがっ
て、メッキ処理に要するコストを低減することができ
る。As is apparent from the above description, according to the first aspect of the present invention, the waste liquid is passed through the additive removing means to remove the deteriorated additive and adjust the concentration of the additive. Since the plating solution is sent out as a regenerated plating solution, a waste solution containing the plating solution as a main component can be reused. Therefore, the cost required for the plating process can be reduced.
【0066】また、請求項2に記載の発明によれば、廃
液を複数回循環させる構成とすることにより劣化した添
加剤の除去率を高めることができるので、適切に廃液を
再生することができる。According to the second aspect of the present invention, since the waste liquid is circulated a plurality of times, the removal rate of the deteriorated additive can be increased, so that the waste liquid can be appropriately regenerated. .
【0067】また、請求項3に記載の発明によれば、廃
液中のパーティクルを除去することで再生メッキ液の清
浄度を高くできるので、高レベルの清浄度が求められる
半導体産業などにおいても再生メッキ液の利用を促進で
きる。According to the third aspect of the present invention, since the cleanliness of the regenerated plating solution can be increased by removing particles in the waste liquid, the recycled plating solution can be recycled even in the semiconductor industry where a high level of cleanliness is required. Use of plating solution can be promoted.
【0068】また、請求項4に記載の発明によれば、バ
ッファタンクにメッキ液を移送した直後に廃液を取り込
んで次の廃液の再生に取りかかることができるので、見
かけ上の廃液の再生に要する時間を短縮することができ
る。According to the fourth aspect of the present invention, the waste liquid can be taken in immediately after the plating liquid has been transferred to the buffer tank and the next waste liquid can be regenerated, so that it is necessary to reproduce the apparent waste liquid. Time can be reduced.
【0069】また、請求項5に記載の発明によれば、劣
化した添加剤の悪影響を除去した再生メッキ液を使用す
ることができるので、メッキ液の消費量が抑制できる。
したがって、基板メッキ装置におけるメッキ処理に必要
なコストを抑制することができる。Further, according to the fifth aspect of the present invention, it is possible to use a regenerated plating solution from which the adverse effect of the deteriorated additive has been removed, so that the consumption of the plating solution can be suppressed.
Therefore, the cost required for the plating process in the substrate plating apparatus can be suppressed.
【0070】また、請求項6に記載の発明によれば、メ
ッキシステムにおいても再生メッキ液を使用することが
できるので、基板メッキ装置におけるメッキ液の消費量
が抑制できる。したがって、メッキシステムにおけるメ
ッキ処理に必要なコストを低減することができる。Further, according to the present invention, since the regenerated plating solution can be used in the plating system, the consumption of the plating solution in the substrate plating apparatus can be suppressed. Therefore, the cost required for the plating process in the plating system can be reduced.
【0071】また、請求項7に記載の発明によれば、さ
らにメッキ液分析装置を備えたメッキシステムであって
も再生メッキ液を使用することができるので、メッキ液
の消費量が低減でき、メッキシステムにおけるメッキ処
理に要するコストを低減することができる。According to the seventh aspect of the present invention, since the regenerated plating solution can be used even in a plating system having a plating solution analyzer, the consumption of the plating solution can be reduced. The cost required for the plating process in the plating system can be reduced.
【図1】実施例に係るメッキ液再生装置の概略構成を示
したブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a plating solution regenerating apparatus according to an embodiment.
【図2】動作説明に供する図である。FIG. 2 is a diagram provided for explanation of operation.
【図3】動作説明に供する図である。FIG. 3 is a diagram provided for explanation of operation.
【図4】実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示し
た図である。FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate plating apparatus according to an embodiment.
【図5】メッキシステムの一例を示したブロック図であ
る。FIG. 5 is a block diagram showing an example of a plating system.
【図6】メッキシステムの他の例を示したブロック図で
ある。FIG. 6 is a block diagram showing another example of the plating system.
1 … メッキ液再生装置 3 … 再生処理部 5 … 添加再分析部 7 … 添加剤補充部 9 … 制御部 13 … 取込管 15 … 再生タンク(貯留タンク、再生タンク) 17 … 循環路 19 … 有機物吸着フィルタ(添加剤除去手段) 21 … パーティクル除去フィルタ(パーティクル除
去手段) 25 … バッファタンク 31 … 送出管 41 … 基板メッキ装置 51 … 液補充装置 53 … メッキ液分析装置DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Plating liquid regeneration apparatus 3 ... Regeneration processing part 5 ... Addition and reanalysis part 7 ... Additive replenishment part 9 ... Control part 13 ... Intake pipe 15 ... Regeneration tank (storage tank, regeneration tank) 17 ... Circulation path 19 ... Organic matter Adsorption filter (additive removing means) 21: Particle removing filter (particle removing means) 25: Buffer tank 31: Delivery pipe 41: Substrate plating device 51: Liquid replenishing device 53: Plating solution analyzer
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C25D 21/14 C25D 21/14 B 21/18 21/18 G H G01N 33/20 G01N 33/20 Q (72)発明者 溝畑 保廣 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 2G055 AA07 AA30 BA11 DA02 DA26 FA09 FA10 4D006 GA02 JA56A JA67A KA02 KA63 KB14 MA22 MC22 MC28 PB08 PC22 PC80 4K024 AB01 BA11 BB12 CA02 CB11 CB24 CB26 GA16 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) C25D 21/14 C25D 21/14 B 21/18 21/18 GH G01N 33/20 G01N 33/20 Q (72) Invention Person Yasuhiro Mizohata 4-chome Tenjin, Kitamachi, Horikawa-dori-Terauchi, Kamigyo-ku, Kyoto 1 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. F-term (reference) 2G055 AA07 AA30 BA11 DA02 DA26 FA09 FA10 4D006 GA02 JA56A JA67A KA02 KA63 KB14 MA22 MC22 MC28 PB08 PC22 PC80 4K024 AB01 BA11 BB12 CA02 CB11 CB24 CB26 GA16
Claims (7)
メッキ液再生装置において、 廃液を取り込む取込管と、 取り込んだ廃液を貯留する貯留タンクと、 廃液中の劣化した添加剤を除去する添加剤除去手段と、 前記添加剤除去手段を通った廃液を除去済みメッキ液と
して貯留する再生タンクと、 前記再生タンクに貯留している除去済みメッキ液の添加
剤濃度を分析する添加剤分析部と、 前記添加剤分析部による分析結果に応じて添加剤を補充
する添加剤補充部と、 添加剤が補充された除去済みメッキ液を再生メッキ液と
して送り出す送出管と、 前記取込管から前記貯留タンクに廃液を取り込ませ、前
記貯留タンクの廃液を前記添加剤除去手段に流通させて
前記再生タンクに貯留させ、前記添加剤分析部と前記添
加剤補充部を制御して前記再生タンクに貯留している除
去済みメッキ液の添加剤濃度を所定値に調整した後に、
前記送出管から再生メッキ液として送り出すように制御
する制御部と、 を備えたことを特徴とするメッキ液再生装置。1. A plating solution regenerating apparatus for regenerating a waste solution containing a plating solution as a main component, an intake pipe for taking in the waste solution, a storage tank for storing the taken waste solution, and a degraded additive in the waste solution. An additive removing unit; a regeneration tank for storing waste liquid passing through the additive removing unit as a removed plating solution; and an additive analyzer for analyzing an additive concentration of the removed plating solution stored in the regeneration tank. An additive replenishing unit that replenishes the additive according to the analysis result by the additive analyzing unit; a delivery pipe that sends out the removed plating solution with the additive replenished as a regenerated plating solution; and The waste liquid is taken into the storage tank, the waste liquid in the storage tank is circulated through the additive removing means and stored in the regenerating tank, and the additive analyzing section and the additive replenishing section are controlled to control the additive. After adjusting the additive concentration of a removed plating solution is stored in the raw tank to a predetermined value,
And a control unit for controlling so as to send the regenerated plating solution from the delivery pipe.
いて、 前記再生タンクは前記貯留タンクを兼用し、 前記添加剤除去手段は前記再生タンクから送出されて再
び前記再生タンクに戻される循環路に配設され、 前記制御部は廃液を前記添加剤除去手段に複数回循環さ
せるようにしたことを特徴とするメッキ液再生装置。2. The plating solution regenerating apparatus according to claim 1, wherein the regenerating tank also serves as the storage tank, and the additive removing means is sent from the regenerating tank and returned to the regenerating tank again. Wherein the control unit circulates the waste liquid to the additive removing means a plurality of times.
装置において、 前記添加剤除去手段に加えて、廃液中のパーティクルを
除去するパーティクル除去手段を備えたことを特徴とす
るメッキ液再生装置。3. The plating solution regenerating apparatus according to claim 1, further comprising a particle removing unit for removing particles in a waste liquid in addition to the additive removing unit. .
ッキ液再生装置において、 前記再生タンクと送出管との間に別個のバッファタンク
を備え、 前記再生タンク内の再生メッキ液を前記バッファタンク
に移送した後に、前記送出管から送り出すことを特徴と
するメッキ液再生装置。4. The plating solution regenerating apparatus according to claim 1, further comprising a separate buffer tank between the regeneration tank and a delivery pipe, wherein the regeneration plating solution in the regeneration tank is buffered. A plating solution regenerating apparatus, wherein the plating solution is sent out from the delivery pipe after being transferred to a tank.
え、 基板へのメッキ処理で発生する廃液を再生し、基板への
メッキ処理に再利用することを特徴とする基板メッキ装
置。5. A substrate plating apparatus comprising the plating solution regenerating apparatus according to claim 1, wherein a waste liquid generated by plating the substrate is reclaimed and reused for plating the substrate.
を備えたことを特徴とするメッキシステム。6. A plating system, comprising: the substrate plating apparatus according to claim 5; and a liquid replenishing apparatus that replenishes the substrate plating apparatus with a plating solution.
て、 前記基板メッキ装置から取り込んだメッキ液を分析して
添加剤の濃度を分析するメッキ液分析装置をさらに備
え、 前記メッキ液分析装置で発生する廃液をも前記メッキ液
再生装置で再生することを特徴とするメッキシステム。7. The plating system according to claim 6, further comprising: a plating solution analyzer that analyzes a plating solution taken from the substrate plating device to analyze a concentration of an additive, wherein the plating solution is generated by the plating solution analyzer. A plating solution wherein the waste liquid to be recycled is also regenerated by the plating solution regenerating apparatus.
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