JP2002014127A - センシング装置 - Google Patents

センシング装置

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JP2002014127A
JP2002014127A JP2000193676A JP2000193676A JP2002014127A JP 2002014127 A JP2002014127 A JP 2002014127A JP 2000193676 A JP2000193676 A JP 2000193676A JP 2000193676 A JP2000193676 A JP 2000193676A JP 2002014127 A JP2002014127 A JP 2002014127A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 サージ耐圧を上げると共に、信頼性の高いセ
ンシング装置を提供すること。 【解決手段】 印加される電界の強度に依存して、光の
強度を変化させて出射する光変調部を用いた電磁波受信
システムであって、無変調の光を出射する光源部と、電
磁波受信アンテナと、受信周波数以上を透過させるフィ
ルタと、入射した前記無変調光を前記電磁波受信アンテ
ナおよび前記フィルタを通して印加される電界の強度に
依存して変調する前記光変調部と、この変調部から出射
する光を検出する受光器とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として電磁波を
光信号に変換して検出するセンシング装置に係り、特
に、無線通信や放送などに使用される信号電波の検出、
あるいはEMC分野における電界の強度や周波数の検出
および電磁ノイズの検出に好適なセンシング装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】情報通信網の発展に伴い、主要な情報伝
送媒体である電波の利用密度が増加し、その帯域はより
高周波へと広がっている。通信システムにおいても、高
周波化が比較的容易である光ファイバ伝送と無線との融
合が進んでいる。
【0003】また、コンピュータなどの情報機器や通信
装置、ロボットなどのFA機器、自動車の制御装置など
多くの電子装置は、外部から到達する電磁波の影響を受
けて誤動作する危険を常に持っている。外来電磁波への
対策を行うには、まず各装置や機器が発生する電磁波を
正確に測定することが重要である。そこで、光変調器に
アンテナロッドを接続して、電磁波を光信号に直接に変
換して、その光信号の強度や周波数などを検出すること
で、電磁波を測定することができるセンシング装置が開
発されている。
【0004】図3は、従来のセンシング装置の構成の一
例を示す。図4は、そのセンシング装置に用いられる反
射型光変調器の構成を示す図である。図3において、矢
印付きの破線は、光が伝搬される向きを示す。
【0005】図4に示すように、ニオブ酸リチウム結晶
を基板16とし、その上にチタン拡散による入出射光導
波路9、位相シフト光導波路10a,10bと反射部1
1からなる反射型の分岐干渉型光導波路と分割構造の変
調電極12が形成されている。図3の受信アンテナ31
で誘起された交流電圧は、同軸ケーブル38を介して、
変調電極12に導かれ、位相シフト光導波路10a,1
0bに印加される。光源36からの光は、光ファイバ3
5b、光サーキュレータ34、光ファイバ35aを通っ
て、反射型光変調器33の光ファイバ13を介して入出
射光導波路9に入射され、二つの位相シフト導波路10
a,10bにエネルギーが分割され、反射部11で反射
され、再び入出射光導波路9を通って光ファイバ13に
出射される。
【0006】出射光の強度は、変調電極への印加電圧に
応じて変化するので、光ファイバ35a、光サーキュレ
ータ34および光ファイバ35cを介して、その強度の
変化を光検出器37で検出することにより、受信アンテ
ナ31に誘起される電波の強度や周波数、あるいは電波
に含まれる信号などを検出することができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記、従来のセンシン
グ装置においては、電磁波の受信点に電源供給が不要で
あること、受信点と送信点が光ファイバにより電気的に
絶縁できるということにより、雷などへのサージ対策が
可能となっている。しかしながら、光変調部の破壊耐圧
は数十ボルトであり、加えてサージ電圧(DC)が光変
調部に印加されると、DCドリフトを発生し、感度劣化
が生じる。
【0008】そこで、本発明においては、サージ耐圧を
上げると共に、信頼性の高いセンシング装置を提供する
こと課題としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明によるセンシング装置は、以下のように構成
される。
【0010】即ち、本発明のセンシング装置は、印加さ
れる電界の強度に依存して、入射する光の強度を変化さ
せて出射する光変調部を用いた電磁波受信システムであ
って、無変調の光を出射する光源部と、電磁波受信アン
テナと、受信周波数以上を透過させるフィルタと、入射
した前記無変調光を前記電磁波アンテナおよび前記フィ
ルタを通して印加される電界の強度に依存して変調する
前記光変調部と、この光変調部から出射された光を検出
する受光器とを備えて構成される。
【0011】また、前記フィルタは、カットオフ周波数
0.1MHz以下、減衰量20dB以上のものとすること
ができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
【0013】図1は、本発明の実施の一形態に係るセン
シング装置の構成を示す図である。光源6は偏波面が直
交する独立な二つの直線偏光を発生する。光源6から出
射した二つの直線偏光はシングルモードファイバ5bを
透過し、光サーキュレータ4を介し、シングルモードフ
ァイバ5aを経て、反射型光変調器3に入射する。ここ
で用いた反射型光変調器3の構成は、図4に示す従来例
として説明した構成と同じであるので、図4を流用して
説明する。変調電極の端子14aと14bは、それぞれ
リード線15aと15bを経て、インピーダンス調整の
後、図1の同軸ケーブル8bにより、フィルタ2に接続
され、さらに、同軸ケーブル8aを介して、受信アンテ
ナ1に接続さている。なお、図1においても、破線の矢
印は光の進行方向を表している。
【0014】インピーダンス調整について、さらに、図
2を参照して説明する。インダクタL1、キャパシタC
1、抵抗器R1で示される変調部の等価回路にインピー
ダンス調整用のインダクタLとキャパシタCが付加され
た後、特性インピーダンRの同軸ケーブル8bに接続さ
れている。なお、Vはフィルタ2を通して、同軸ケーブ
ル8に供給される交流電圧を表す。
【0015】本実施の形態ではフィルタ2として、カッ
トオフ周波数0.1MHz、減衰量20dBのハイパス
フィルタを用いた。
【0016】図1の反射型光変調器3で変調された光
は、光サーキュレータ4に入射し、シングルモード光フ
ァイバ5cを経由して光検出器7に入射し、電気信号に
復元される。
【0017】本実施の形態によるセンシング装置を用
い、ピーク電圧、±20kV、立ち上がり/立ち下がり
時間、10/200μsの条件で、サージ耐圧試験(フ
ィルタ2への直接入力)を行った。その結果、従来の装
置では、光変調部の破壊が発生したが、本実施の形態の
場合、破壊はもとより感度変化も起きなかった。
【0018】上記のように、図1に示す形態のセンシン
グ装置はサージ耐圧を格段に高めることができ、信頼性
の向上が可能になる。特に、減衰量を20dB以上にす
ることにより、雷のような高電圧のサージについても充
分な耐圧を得ることができる。
【0019】なお、本実施の形態においては、ハイパス
フィルタを用いたが、0.1MHzを越える特定周波数帯
のみを透過するものであっても、同様な効果がある。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フィルタを光変調部の前段に挿入することにより、変調
電極へのサージ電圧を低減することができ、その結果と
して、センシング装置のサージ耐圧を格段に高めること
ができ、信頼性の向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係るセンシング装置の
構成を示す図。
【図2】本発明の一実施の形態に係るセンシング装置の
光変調部のインピーダンス調整回路を説明する図。
【図3】従来のセンシング装置の構成を示す図。
【図4】センシング装置に用いる反射型光変調器の構成
を示す図。
【符号の説明】
1,31 受信アンテナ 2 フィルタ 3,33 反射型光変調器 4,34 光サーキュレータ 5a,5b,5c,13,35a,35b,35c
光ファイバ 6,36 光源 7,37 光検出器 8a,8b,38 同軸ケーブル 9 入出射光導波路 10a,10b 位相シフト光導波路 11 反射部 12 変調電極 14a,14b 変調電極端子 15a,15b リード線 16 基板

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 印加される電界の強度に依存して、入射
    する光の強度を変化させて出射する光変調部を用いた電
    磁波受信システムであって、無変調の光を出射する光源
    部と、電磁波受信アンテナと、受信周波数以上を透過さ
    せるフィルタと、入射した前記無変調光を前記電磁波受
    信アンテナおよび前記フィルタを通して印加される電界
    の強度に依存して変調する前記光変調部と、この光変調
    部から出射した光を検出する受光器とを備えることを特
    徴とするセンシング装置。
  2. 【請求項2】 前記フィルタはカットオフ周波数0.1
    MHz以下、減衰量20dB以上であることを特徴とす
    る請求項1記載のセンシング装置。
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