JP2002004056A - Plasma enhanced film deposition system for conductive metallic thin film - Google Patents

Plasma enhanced film deposition system for conductive metallic thin film

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JP2002004056A
JP2002004056A JP2000186581A JP2000186581A JP2002004056A JP 2002004056 A JP2002004056 A JP 2002004056A JP 2000186581 A JP2000186581 A JP 2000186581A JP 2000186581 A JP2000186581 A JP 2000186581A JP 2002004056 A JP2002004056 A JP 2002004056A
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resin sheet
flexible resin
thin film
group
reaction vessel
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JP2000186581A
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Japanese (ja)
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Haruo Tajima
晴雄 田島
Chie Ando
千恵 安藤
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NIPPON LASER DENSHI KK
Nippon Laser and Electronics Lab
Original Assignee
NIPPON LASER DENSHI KK
Nippon Laser and Electronics Lab
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma enhanced film deposition system for conductive metallic thin film, with which a conductive metallic thin film of nearly uniform thickness can be effectively deposited on a flexible resin sheet by using a small cathode electrode and further cost reduction can be attained by miniaturizing the system itself. SOLUTION: The plasma enhanced film deposition system is constituted of: an anode electrode and the cathode electrode which are relatively arranged at a prescribed space in a reactor vessel; an introducing part for introducing metallic compound gas into the reactor vessel; a vacuum aspirator for evacuating the reactor vessel; and a DC power unit for applying DC high voltage between the anode electrode and the cathode electrode to generate glow discharge. The cathode electrode is provided with a couple of grooves of prescribed width at a prescribed space, and the flexible resin sheet fed through one groove is fed out through the other groove, and the conductive metallic thin film can be deposited on the surface of the flexible resin sheet while making the sheet travel in the negative glow layer region on the cathode electrode.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、導電性金属薄膜の
プラズマ製膜装置、詳しくは可撓性樹脂シートの表面に
導電性金属薄膜をプラズマ製膜する装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for forming a conductive metal thin film on a plasma, and more particularly to an apparatus for forming a conductive metal thin film on a surface of a flexible resin sheet by plasma.

【0002】[0002]

【発明が解決しようとする課題】本出願人は、例えば特
開平6−330295号公報において、真空容器と、前
記真空容器内にて放電面が対向するように配置される陰
電極及び陽電極と、前記真空容器内を高真空状態にする
排気手段と、金属化合物をガス化した原料ガスを、高真
空状態にした前記真空容器内に拡散させるガス導入手段
と、陰電極と陽電極間に直流グロー放電を行なわせる高
電圧印加手段とを備え、負グロー相領域内に配置した基
体の表面に陽イオン化した金属分子を付着堆積させて金
属薄膜を製膜するプラズマ製膜装置を提案した。
The applicant of the present invention has disclosed, for example, in Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 6-330295, a vacuum vessel and a negative electrode and a positive electrode which are arranged so that discharge surfaces face each other in the vacuum vessel. Exhaust means for bringing the inside of the vacuum vessel into a high vacuum state, gas introducing means for diffusing a raw material gas obtained by gasifying a metal compound into the vacuum vessel made into a high vacuum state, and direct current between the negative electrode and the positive electrode. A plasma film forming apparatus comprising a high voltage applying means for performing glow discharge, and depositing and depositing cationized metal molecules on the surface of a substrate disposed in a negative glow phase region to form a metal thin film has been proposed.

【0003】このプラズマ製膜装置は、基板に対して金
属分子を高密度に堆積して製膜することにより膜厚を極
薄にできるにも拘わらず、低電気抵抗値にすることがで
きる処からICチップ等の基板に製膜されるITO膜と
同等の導電性金属薄膜を製膜するのに適している。
[0003] In this plasma film forming apparatus, a metal film is deposited on a substrate at a high density to form a film. It is suitable for forming a conductive metal thin film equivalent to an ITO film formed on a substrate such as an IC chip.

【0004】近年、例えば液晶用や太陽電池用の光透過
型電極板を製造する際に、上記プラズマ製膜装置を使用
して可撓性樹脂シートの表面に導電性金属薄膜を製膜す
ることが提案されているが、上記したプラズマ製膜装置
にあっては、陽イオン化した金属分子が陰電極上の基板
に堆積する際に、陽光柱の外周側に比べて中心部におけ
る陽イオン化された金属分子の密度が低くなる傾向があ
る。このため、基板上に製膜される金属薄膜は陰電極の
中心部に比べて外周側が厚くなって膜厚が不均一になる
問題を有している。この結果、基板に製膜された金属薄
膜の電気抵抗を均一化できず、電極板として使用できな
い問題を有している。
In recent years, for example, when manufacturing a light transmitting electrode plate for a liquid crystal or a solar cell, a conductive metal thin film is formed on the surface of a flexible resin sheet using the above-mentioned plasma film forming apparatus. However, in the above-described plasma film forming apparatus, when the cationized metal molecules are deposited on the substrate on the negative electrode, they are cationized at the center compared to the outer peripheral side of the positive column. The density of metal molecules tends to be low. For this reason, the metal thin film formed on the substrate has a problem that the outer peripheral side is thicker than the central portion of the negative electrode and the film thickness is not uniform. As a result, there is a problem that the electrical resistance of the metal thin film formed on the substrate cannot be made uniform and cannot be used as an electrode plate.

【0005】この欠点は、可撓性樹脂シートにおける製
膜面積に対して約3倍以上の面積とした陰電極を使用す
ることにより解決できるが、プラズマ製膜装置自体が大
型化すると共に高コスト化することが避けられなかっ
た。
[0005] This disadvantage can be solved by using a negative electrode having an area approximately three times or more as large as the film forming area of the flexible resin sheet. However, the plasma film forming apparatus itself becomes large and the cost is high. Was inevitable.

【0006】本発明は、上記した従来の欠点を解決する
ために発明されたものであり、その課題とする処は、小
型の陰電極を使用して可撓性樹脂シート上にほぼ均一な
厚さの導電性金属薄膜を効率的に製膜することができる
導電性金属薄膜のプラズマ製膜装置を提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned conventional drawbacks. An object of the present invention is to use a small negative electrode on a flexible resin sheet with a substantially uniform thickness. It is an object of the present invention to provide a conductive metal thin film plasma forming apparatus capable of efficiently forming a conductive metal thin film.

【0007】本発明の他の課題は、装置自体を小型化し
て低コスト化することができる導電性金属薄膜のプラズ
マ製膜装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide an apparatus for forming a plasma of a conductive metal thin film, which can reduce the size of the apparatus itself and reduce the cost.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、反応容器内に
所定の間隔をおいて相対配置された陽電極及び陰電極
と、反応容器内に金属化合物ガスを導入する導入部と、
反応容器内を真空吸引する真空吸引装置と、揚電極及び
陰電極間に直流高電圧を印加してグロー放電を発生させ
る直流電源装置とからなるプラズマ製膜装置において、
陰電極には所定の幅で所定の間隔をおいて一対の溝を設
け、一方の溝から送入された可撓性樹脂シートを他方の
溝から送出して陰電極上の負グロー層領域内にて可撓性
樹脂シートを走行させながら表面に可能に導電性金属薄
膜を製膜可能にしたことを特徴とする。
According to the present invention, there are provided a positive electrode and a negative electrode which are disposed in a reaction vessel at a predetermined distance from each other, and an introduction part for introducing a metal compound gas into the reaction vessel.
In a plasma film forming apparatus comprising a vacuum suction device for vacuum suction inside the reaction vessel, and a DC power supply device for applying a high DC voltage between the lifting electrode and the negative electrode to generate a glow discharge,
The negative electrode is provided with a pair of grooves having a predetermined width and a predetermined interval, and the flexible resin sheet fed from one groove is sent out from the other groove to form a negative glow layer region on the negative electrode. Wherein a conductive metal thin film can be formed on the surface while running the flexible resin sheet.

【0009】[0009]

【発明の実施形態】以下、本発明の実施形態を図に従っ
て説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0010】実施形態1 図1〜図5において、プラズマ製膜装置1の反応容器3
は耐圧ガラス製の円筒ガラス部5と、円筒ガラス部5の
上部に着脱可能で、気密状に取り付けられる天板部7
と、円筒ガラス部5の下部に着脱可能で、気密状に取り
付けられる基板部9とから構成される。天板部7の中心
部下面には陽電極11が電気的絶縁状態で取り付けら
れ、放電面(図示する下面)を除いた陽電極11の周り
には放電漏洩防止筒13が設けられる。
Embodiment 1 In FIGS. 1 to 5, a reaction vessel 3 of a plasma film forming apparatus 1 is shown.
Is a cylindrical glass part 5 made of pressure-resistant glass, and a top plate part 7 which is detachably attached to the upper part of the cylindrical glass part 5 and is attached in an airtight manner.
And a substrate portion 9 which is detachably attached to the lower portion of the cylindrical glass portion 5 and is attached in an airtight manner. A positive electrode 11 is attached to the lower surface of the central portion of the top plate 7 in an electrically insulated state, and a discharge leakage prevention cylinder 13 is provided around the positive electrode 11 except for a discharge surface (a lower surface shown in the figure).

【0011】陽電極11の周りに位置する天板部7の下
面には昇華室15が取り付けられ、該昇華室15の一部
には原料ガス導入部17が、また原料ガス導入部17と
反対側の昇華室15には原料ガス導出部19が夫々設け
られる。
A sublimation chamber 15 is attached to the lower surface of the top plate 7 located around the positive electrode 11, and a source gas introduction part 17 is provided in a part of the sublimation chamber 15, and is opposite to the source gas introduction part 17. In the sublimation chamber 15 on the side, a source gas outlet 19 is provided.

【0012】原料ガス導入部17内には、有機又は無機
の金属化合物結晶粉末が投入され、投入された金属化合
物結晶粉末は昇華して昇華室15内に充満される。
An organic or inorganic metal compound crystal powder is charged into the raw material gas introduction section 17, and the charged metal compound crystal powder sublimates and fills the sublimation chamber 15.

【0013】金属化合物の金属としては、例えば周期律
表のI族(Au、Ag、Cu)、II族(Mg、Zn、
Cd)、III族(B、Al、Ga、In、Y)、IV
族(Ti、Si、Ge、Sn、Pb)、V族(V、N
b、Ta、As、Sb、Bi)、VI族(Cr、Mo、
W、Se)、VII族(Mn)、VIII族(Os、I
r、Pt、Pd、Rh、Co、Ni、Fe)等が挙げら
れる。本実施形態の好適例として、四酸化オスミウム
(OsO4)が挙げられる。
Examples of the metal of the metal compound include Group I (Au, Ag, Cu) and Group II (Mg, Zn,
Cd), Group III (B, Al, Ga, In, Y), IV
Group (Ti, Si, Ge, Sn, Pb), group V (V, N
b, Ta, As, Sb, Bi), group VI (Cr, Mo,
W, Se), Group VII (Mn), Group VIII (Os, I
r, Pt, Pd, Rh, Co, Ni, Fe) and the like. A preferred example of the present embodiment is osmium tetroxide (OsO 4 ).

【0014】原料ガス導出部19はニードル弁等により
反応容器3に対する開口度を調整可能な構造からなり、
ニードル弁の回動操作により反応容器3内に供給される
金属化合物のガス濃度(圧力)を調整可能にする。
The source gas outlet 19 has a structure in which the degree of opening to the reaction vessel 3 can be adjusted by a needle valve or the like.
The gas concentration (pressure) of the metal compound supplied into the reaction vessel 3 can be adjusted by rotating the needle valve.

【0015】基板部9の中心部上面には陰電極21が電
気的絶縁状態で取り付けられ、電極面(上面)を除いた
陰電極21の周りには放電漏洩防止筒23が取り付けら
れている。陰電極21の中心部には上下方向に貫通し、
所定の幅からなる2本の溝25・27が所定の間隔をお
いて平行に形成される。一方の溝25は後述する可撓性
樹脂シート29の送入通路を、また他方の溝27は可撓
性樹脂シート29の送出通路を構成する。これら溝25
・27の幅及び間隔は溝25・27間に位置する可撓性
樹脂シート29の露出面積が陰電極21の上面に対して
約30〜40%に設定される。
A negative electrode 21 is mounted on the upper surface of the central portion of the substrate portion 9 in an electrically insulated state, and a discharge leakage prevention cylinder 23 is mounted around the negative electrode 21 except for the electrode surface (upper surface). The central part of the negative electrode 21 penetrates in the vertical direction,
Two grooves 25 and 27 having a predetermined width are formed in parallel at a predetermined interval. One groove 25 constitutes a feed passage for a flexible resin sheet 29 described later, and the other groove 27 constitutes a feed passage for the flexible resin sheet 29. These grooves 25
The width and spacing of 27 are set so that the exposed area of the flexible resin sheet 29 located between the grooves 25 and 27 is about 30 to 40% of the upper surface of the negative electrode 21.

【0016】なお、溝25・27の上部に応じた陰電極
21の上面には転向ロール31・33が、陰電極21の
上面から後述する負グロー層領域に応じた高さで突出し
て回転可能に支持され、これら転向ロール31・33に
支持された可撓性樹脂シート29の上面を負グロー層
(陰電極上面から約1〜6mm)内に位置させる。また、
溝25・27の下部には転向ロール35・37が回転可
能に支持される。
On the upper surface of the negative electrode 21 corresponding to the upper portions of the grooves 25 and 27, turning rollers 31 and 33 project from the upper surface of the negative electrode 21 at a height corresponding to a negative glow layer region described later and can be rotated. And the upper surface of the flexible resin sheet 29 supported by the turning rolls 31 and 33 is positioned within the negative glow layer (about 1 to 6 mm from the upper surface of the negative electrode). Also,
Turning rollers 35 and 37 are rotatably supported below the grooves 25 and 27.

【0017】溝25側の陰電極21側方に応じた反応容
器3内には可撓性樹脂シート29が巻回された供給ロー
ル39が回転可能に支持され、供給ロール39から繰り
出された可撓性樹脂シート29の送出通路にはテンショ
ンロール41が可撓性樹脂シート29を挟持して常に一
定の張力を付与するように設けられる。また、溝27側
の陰電極21側方に応じた反応容器3内には巻取りロー
ル45が回転可能に支持される。該巻取りロール45は
反応容器3に対して回転可能で気密状に設けられ、反応
容器3外部に取り付けられた電動モータ47に連結され
た駆動軸49に着脱可能に連結される。
A supply roll 39 on which a flexible resin sheet 29 is wound is rotatably supported in the reaction vessel 3 corresponding to the side of the negative electrode 21 on the groove 25 side. A tension roll 41 is provided in the delivery passage of the flexible resin sheet 29 so as to always apply a constant tension while sandwiching the flexible resin sheet 29. A take-up roll 45 is rotatably supported in the reaction vessel 3 corresponding to the side of the negative electrode 21 on the groove 27 side. The take-up roll 45 is provided rotatably with respect to the reaction vessel 3 in an airtight manner, and is detachably connected to a drive shaft 49 connected to an electric motor 47 mounted outside the reaction vessel 3.

【0018】上記可撓性樹脂シート29としては可撓性
を有し、電気的絶縁物であればよく、好適例としてはポ
リプロピレン、ポリエチレン等が挙げられる。
The flexible resin sheet 29 may have any flexibility as long as it is an electrically insulating material. Preferred examples thereof include polypropylene and polyethylene.

【0019】そして供給ロール39から繰り出された可
撓性樹脂シート29は転向ロール35、溝25、転向ロ
ール31、溝27、転向ロール37を介して巻取りロー
ル45に巻き取られるように張設され、電動モータ47
の駆動に伴って回転駆動される巻取りロール45により
可撓性樹脂シート29を陰電極21上面における溝25
・27間にて所定の速度で走行させる。
The flexible resin sheet 29 fed from the supply roll 39 is stretched so as to be wound on a winding roll 45 via the turning roll 35, the groove 25, the turning roll 31, the groove 27, and the turning roll 37. And the electric motor 47
The flexible resin sheet 29 is rotated by the take-up roll 45 which is rotated with the driving of the
・ Run at a predetermined speed between 27.

【0020】基板部9には真空吸引装置(図示せず)か
らの排気管51aが接続される吸引接続口51が反応容
器3内部と連通するように設けられ、真空吸引装置の駆
動により反応容器3内を所定の真空圧(1×10-6To
rr)に形成する。
The substrate section 9 is provided with a suction connection port 51 to which an exhaust pipe 51a from a vacuum suction device (not shown) is connected so as to communicate with the inside of the reaction vessel 3, and the reaction vessel is driven by the vacuum suction device. 3 at a predetermined vacuum pressure (1 × 10 −6 To
rr).

【0021】陽電極11は直流電源装置53の(+)極
に、また陰電極21は直流電源装置53の(−)極に夫
々接続され、該直流電源装置53は陽電極11及び陰電
極21間に約0.6〜3KVDCの直流高電圧を印加し
て直流グロー放電を発生させる。
The positive electrode 11 is connected to the (+) pole of the DC power supply 53, and the negative electrode 21 is connected to the (-) pole of the DC power supply 53. The DC power supply 53 is connected to the positive electrode 11 and the negative electrode 21. A DC high voltage of about 0.6 to 3 KVDC is applied to generate a DC glow discharge.

【0022】次に、上記したプラズマ製膜装置1による
可撓性樹脂シート29への導電性薄膜の製膜作用を説明
する。
Next, the operation of forming a conductive thin film on the flexible resin sheet 29 by the plasma film forming apparatus 1 will be described.

【0023】先ず、真空吸引装置を駆動して反応容器3
内を高真空状態にした後に、原料ガス導出部19のニー
ドル弁を操作して昇華室15内に充満した酸化オスミウ
ムの昇華ガスを反応容器3内に導入して反応容器3内の
ガス圧を約0.01〜0.1Torrに調整する。
First, the vacuum suction device is driven to drive the reaction vessel 3
After the inside is brought into a high vacuum state, a sublimation gas of osmium oxide filled in the sublimation chamber 15 is introduced into the reaction vessel 3 by operating a needle valve of the raw material gas outlet section 19 to reduce the gas pressure in the reaction vessel 3. Adjust to about 0.01-0.1 Torr.

【0024】なお、原料ガス導出部19を介して反応容
器3内にガスを導入している間には、真空吸引装置を微
駆動して反応容器3内のガス圧が上記数値で平衡させ
る。
While the gas is being introduced into the reaction vessel 3 via the raw material gas outlet 19, the vacuum suction device is finely driven to balance the gas pressure in the reaction vessel 3 with the above value.

【0025】次に、上記状態にて陽電極11及び陰電極
21間に直流高電圧を印加して両者間に直流グロー放電
を発生させて酸化オスミウムの昇華ガス中のオスミウム
分子を陽イオン化してプラズマ化させる。
Next, in the above state, a high DC voltage is applied between the positive electrode 11 and the negative electrode 21 to generate a DC glow discharge therebetween, thereby cationizing osmium molecules in the sublimation gas of osmium oxide. Generate plasma.

【0026】上記状態にて電動モータ47を駆動制御し
て供給ロール39と巻取りロール45との間に張設され
た可撓性樹脂シート29を微小速度で定速走行させる
と、陰電極21上面の溝25及び溝27間に位置する可
撓性樹脂シート29は(−)電荷に帯電した状態で直流
グロー放電の負グロー層内を走行し、陽イオン化したオ
スミウム分子を上面に堆積固定させる。(図5参照)
In this state, when the electric motor 47 is driven and controlled to cause the flexible resin sheet 29 stretched between the supply roll 39 and the take-up roll 45 to run at a constant speed at a minute speed, the negative electrode 21 The flexible resin sheet 29 located between the groove 25 and the groove 27 on the upper surface runs in the negative glow layer of the DC glow discharge in a state charged with (-) charge, and deposits and fixes cationized osmium molecules on the upper surface. . (See Fig. 5)

【0027】このとき、陽電極11及び陰電極21間に
印加される電流はオスミウム分子を電離(イオン化)さ
せる値で、かつ導電性金属薄膜の膜厚及び製膜時間との
関係から相対的に調整すればよい。今、反応容器3内の
酸化オスミウムガス濃度が0.01〜0.1Torr、
陽電極11及び陰電極21間に印加される直流電圧が1
〜1.5KV、イオン電流密度が30〜100μA/c
2としたとき、可撓性樹脂シート29の表面に対して
オスミウム薄膜が5〜50nm/120secで堆積製膜さ
れる。オスミウム薄膜が製膜された可撓性樹脂シート2
9を液晶用及び太陽電池用の透明電極シートとして使用
する場合、ITO薄膜と同等の電気抵抗値にする膜厚と
しては15〜20nm必要になる。オスミウム薄膜の膜厚
は陽電極11及び陰電極21間の放電時間に大きく依然
しているため、放電時間を調整して所望の膜厚を得れば
よい。
At this time, the current applied between the positive electrode 11 and the negative electrode 21 is a value for ionizing (ionizing) the osmium molecules, and is relatively determined from the relationship between the thickness of the conductive metal thin film and the film forming time. Adjust it. Now, when the osmium oxide gas concentration in the reaction vessel 3 is 0.01 to 0.1 Torr,
DC voltage applied between the positive electrode 11 and the negative electrode 21 is 1
1.5 KV, ion current density 30-100 μA / c
When m 2 , an osmium thin film is deposited and formed on the surface of the flexible resin sheet 29 at 5 to 50 nm / 120 sec. Flexible resin sheet 2 on which osmium thin film is formed
When 9 is used as a transparent electrode sheet for liquid crystals and solar cells, a film thickness of 15 to 20 nm is required to make the electric resistance equivalent to that of the ITO thin film. Since the thickness of the osmium thin film largely depends on the discharge time between the positive electrode 11 and the negative electrode 21, the discharge time may be adjusted to obtain a desired film thickness.

【0028】なお、溝25及び溝27間を走行する可撓
性樹脂シート29は陰電極21上面から1〜6mmの負グ
ロー層内を走行するため、負グロー層内においてラジカ
ル化したオスミウム分子は溝25・27間を走行する可
撓性樹脂シート29の下面にも回り込んで堆積するが、
プラズマ中におけるオスミウム分子の密度は可撓性樹脂
シート29の中心部より幅方向端縁にずれた位置に高い
ため、可撓性樹脂シート29の幅方向端縁に堆積固定す
る傾向になる。
Since the flexible resin sheet 29 running between the groove 25 and the groove 27 runs in a negative glow layer 1 to 6 mm from the upper surface of the negative electrode 21, osmium molecules radicalized in the negative glow layer are Although it also wraps around and deposits on the lower surface of the flexible resin sheet 29 running between the grooves 25 and 27,
Since the density of the osmium molecules in the plasma is higher at a position shifted from the center of the flexible resin sheet 29 to the edge in the width direction, the osmium molecules tend to be deposited and fixed on the edge in the width direction of the flexible resin sheet 29.

【0029】このため、オスミウム薄膜の製膜後におい
ては、反応容器3内から取り出した可撓性樹脂シート2
9の幅方向端縁を切断除去することにより一面にのみオ
スミウム薄膜が所定の膜厚で製膜された可撓性樹脂シー
ト29を得ることができる。
For this reason, after the osmium thin film is formed, the flexible resin sheet 2 taken out of the reaction vessel 3
By cutting and removing the width-direction edge of No. 9, it is possible to obtain a flexible resin sheet 29 in which an osmium thin film is formed with a predetermined thickness on only one surface.

【0030】可撓性樹脂シート29の一面に製膜された
オスミウム薄膜は、非結晶状態で製膜されるため、低膜
厚でも極めて低い電気抵抗値を有する特徴をもつ。この
ため、可撓性樹脂シート29をオスミウム薄膜が製膜さ
れた、例えば液晶用透明電極シートとして使用する場合
には透明電極シート自体を薄型化することができる。
Since the osmium thin film formed on one surface of the flexible resin sheet 29 is formed in an amorphous state, the osmium thin film has a characteristic of having an extremely low electric resistance value even with a small thickness. For this reason, when the flexible resin sheet 29 is used as a transparent electrode sheet for liquid crystal on which an osmium thin film is formed, for example, the transparent electrode sheet itself can be thinned.

【0031】実施形態2 実施形態1は、反応容器3内に可撓性樹脂シート29の
供給及び巻取り機構を一体収容した構造からなるのに対
し、本実施形態のプラズマ製膜装置60は反応容器3と
は別に可撓性樹脂シート29の供給機構61を内蔵した
第1副容器63及び巻取り機構65を内蔵した第2副容
器67を設けた構造からなる。
Embodiment 2 Embodiment 1 has a structure in which the supply and take-up mechanism of the flexible resin sheet 29 is integrally accommodated in the reaction vessel 3, whereas the plasma film forming apparatus 60 of this embodiment has a reaction In addition to the container 3, a first sub-container 63 having a supply mechanism 61 for the flexible resin sheet 29 built therein and a second sub-container 67 having a winding mechanism 65 built therein are provided.

【0032】即ち、図6及び図7に示すように反応容器
3の下部側面に供給機構61を収容した第1副容器63
及び巻取り機構65を収容した第2副容器67を、陰電
極21における溝25・27に対して夫々平行になるよ
うに設けた構造からなる。
That is, as shown in FIGS. 6 and 7, the first sub-container 63 containing the supply mechanism 61 is provided on the lower side surface of the reaction vessel 3.
And the second sub-container 67 containing the winding mechanism 65 is provided so as to be parallel to the grooves 25 and 27 in the negative electrode 21 respectively.

【0033】第1副容器63及び第2副容器67は反応
容器3の下部に対して開口69・71を介して連通可能
に取り付けられ、各開口69・71は第1副容器63及
び第2副容器67に夫々回動可能に支持された扉体73
・75により気密状に閉止される。
The first sub-container 63 and the second sub-container 67 are connected to the lower part of the reaction container 3 through openings 69 and 71 so that they can communicate with each other. Doors 73 rotatably supported by the sub-containers 67, respectively.
-It is closed airtight by 75.

【0034】なお、各第1副容器63及び第2副容器6
7の各外側面には供給ロール81及び巻取りロール83
を取り出し可能な大きさの開口77・79が夫々形成さ
れ、各開口77・79は扉体85・87により気密状に
閉止可能に構成される。
Each of the first sub-container 63 and the second sub-container 6
7 has a supply roll 81 and a take-up roll 83
The openings 77 and 79 are sized so that the doors 85 and 87 can be taken out, and the openings 77 and 79 are configured to be airtightly closed by doors 85 and 87.

【0035】第1副容器63内には可撓性樹脂シート2
9が巻き取られた供給ロール81が着脱可能で、回転可
能に支持され、供給ロール81に巻き取られた可撓性樹
脂シート29は一対のローラ89により挟持される。一
対のローラ89の内、一方のローラ89には電動モータ
91が連結され、電動モータ91の駆動に伴って挟持さ
れた可撓性樹脂シート29を走行させる。
The first sub-container 63 contains a flexible resin sheet 2
The supply roll 81 on which the supply roll 9 is wound is detachably and rotatably supported, and the flexible resin sheet 29 wound on the supply roll 81 is sandwiched by a pair of rollers 89. An electric motor 91 is connected to one of the pair of rollers 89, and the flexible resin sheet 29 sandwiched by the driving of the electric motor 91 runs.

【0036】また、第2副容器67に収容される巻取り
機構65は可撓性樹脂シート29が巻き取られる巻取り
ロール83と、巻き取られる可撓性樹脂シート29を送
出案内する一対のロール93と、巻取りロール83に連
結され、巻取りロール83を巻取り方向へ回転させる電
動モータ95とから構成される。
The take-up mechanism 65 accommodated in the second sub-container 67 has a take-up roll 83 for taking up the flexible resin sheet 29 and a pair of guides for sending and guiding the flexible resin sheet 29 to be taken up. It comprises a roll 93 and an electric motor 95 connected to the winding roll 83 and rotating the winding roll 83 in the winding direction.

【0037】なお、各溝25・27の下方に応じた基板
部9は可撓性樹脂シート29を溝25へ案内するガイド
ブロック97及び溝27から送出される可撓性樹脂シー
ト29をロール93側へ案内するガイドブロック99が
夫々取り付けられる。また、陰電極21の側方には先端
部にガイド101が取り付けられたアーム103が回動
可能に支持され、ガイド101における陰電極21への
相対面には溝25から送出された可撓性樹脂シート29
の先端部を溝27内へ送入させるガイド凹部101aが
形成される。アーム103の軸105は円筒ガラス部5
外へ突出し、軸端部に取り付けられたハンドル107に
より回動操作される。
The substrate section 9 corresponding to the lower part of each of the grooves 25 and 27 has a guide block 97 for guiding the flexible resin sheet 29 to the groove 25 and a roll 93 for feeding the flexible resin sheet 29 delivered from the groove 27. Guide blocks 99 for guiding to the sides are respectively attached. An arm 103 having a guide 101 attached to the distal end thereof is rotatably supported on the side of the cathode 21, and the guide 101 has a flexible surface sent out from the groove 25 on a surface facing the cathode 21. Resin sheet 29
A guide concave portion 101a is formed to feed the front end portion into the groove 27. The shaft 105 of the arm 103 is the cylindrical glass part 5
It is projected outward and is rotated by a handle 107 attached to the shaft end.

【0038】上記プラズマ装置60は以下のようにして
可撓性樹脂シート29に導電性金属薄膜を製膜する。な
お、可撓性樹脂シート29に対する導電性金属薄膜の製
膜作用は実施形態1と同様であるため、その詳細な説明
を省略する。
The plasma device 60 forms a conductive metal thin film on the flexible resin sheet 29 as follows. Since the function of forming the conductive metal thin film on the flexible resin sheet 29 is the same as that of the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted.

【0039】陰電極21に対する可撓性樹脂シート29
の装着作用を説明すると、扉体73・75を回動操作し
て反応容器3に連通する開口69・71を気密に閉止し
た後、扉体85を開放操作して開口77を介して第1副
容器63内に供給ロール81を、巻き取られた可撓性樹
脂シート29の先端部がローラ89に挟持されるように
取り付ける。
Flexible resin sheet 29 for negative electrode 21
When the doors 73 and 75 are rotated to open the openings 69 and 71 communicating with the reaction vessel 3 in an airtight manner, the door 85 is opened to open the first through the opening 77. The supply roll 81 is mounted in the sub-container 63 such that the front end of the wound flexible resin sheet 29 is sandwiched between the rollers 89.

【0040】なお、第1副容器63内に供給ロール81
を装着する際に、反応容器3内は真空排気装置の駆動に
より真空状態に保たれる。
The supply roll 81 is placed in the first sub-container 63.
Is attached, the inside of the reaction vessel 3 is maintained in a vacuum state by driving the vacuum exhaust device.

【0041】次に、扉体85により開口77を気密閉止
した後に扉対73・75を回動操作して開口69・71
を開放させた状態で真空排気装置を駆動して第1副容器
63及び第2副容器67内を反応容器3内と同様の真空
状態に形成する。
Next, after the opening 77 is airtightly closed by the door body 85, the pair of doors 73 and 75 are rotated to open the openings 69 and 71.
The vacuum evacuation device is driven in a state where is opened, and the inside of the first sub-container 63 and the second sub-container 67 is formed in the same vacuum state as in the reaction container 3.

【0042】上記状態にてアーム103を回動操作して
ガイド101を、そのガイド凹部101aが陰電極21
における溝25・27上方に位置した状態でローラ89
を回転駆動して供給ロール81に巻き取られた可撓性樹
脂シート29を、開口69を介して反応容器3内に送入
させる。反応容器3内に送入された可撓性樹脂シート2
9の先端部はガイドブロック97により溝25内側へ送
入されて陰電極21の上方に達した後、ガイド凹部10
1aにより湾曲させられて溝27内に導入されて陰電極
21の下方に達した後(図8参照)、ガイドブロック9
9により湾曲案内されながら開口71を通過した電動モ
ータ95の駆動に伴って回転する巻取りロール83に巻
き取らせる。
In the above state, the arm 103 is rotated to operate the guide 101, and the guide recess 101a is
The roller 89 is positioned above the grooves 25 and 27 in FIG.
Is rotated to feed the flexible resin sheet 29 wound around the supply roll 81 into the reaction container 3 through the opening 69. The flexible resin sheet 2 sent into the reaction vessel 3
9 is fed into the groove 25 by the guide block 97 and reaches above the negative electrode 21.
After being curved by 1a and being introduced into the groove 27 and reaching below the negative electrode 21 (see FIG. 8), the guide block 9
The winding roll 83 is rotated by driving the electric motor 95 that has passed through the opening 71 while being curved and guided by 9.

【0043】本実施形態は、陰電極21に対して可撓性
樹脂シート29を装着したり、交換したりする際には、
反応容器3内の真空状態を保ったまま、第1副容器63
及び第2副容器67のみを大気と等圧にして新たな供給
ロール81を装着することができ、製膜作業を開始する
際には第1及び第2副容器63・67のみを真空状態に
すればよく、第1及び第2副容器63・67と共に反応
容器3を真空形成する場合に比べて製膜作業への移行時
間を大幅に短縮することができる。
In the present embodiment, when the flexible resin sheet 29 is attached to the cathode 21 or replaced,
While maintaining the vacuum state in the reaction vessel 3, the first sub-container 63
Only the first and second sub-containers 63 and 67 can be evacuated when the film forming operation is started. As a result, the transition time to the film forming operation can be greatly reduced as compared with the case where the reaction vessel 3 is formed together with the first and second sub-containers 63 and 67 in vacuum.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明は、小型の陰電極を使用して可撓
性樹脂シート上にほぼ均一な厚さの導電性金属薄膜を効
率的に製膜することができる。また、装置自体を小型化
して低コスト化することができる。
According to the present invention, a conductive metal thin film having a substantially uniform thickness can be efficiently formed on a flexible resin sheet using a small negative electrode. In addition, the size of the apparatus itself can be reduced to reduce the cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るプラズマ製膜装置の概略を示す説
明図である。
FIG. 1 is an explanatory view schematically showing a plasma film forming apparatus according to the present invention.

【図2】プラズマ製膜装置の中央縦断面図である。FIG. 2 is a central longitudinal sectional view of the plasma film forming apparatus.

【図3】陰電極の構造を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a structure of a negative electrode.

【図4】図3のIII−III線断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line III-III of FIG. 3;

【図5】製膜作用を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a film forming operation.

【図6】実施形態2にかかるプラズマ製膜装置を示す全
体斜視図である。
FIG. 6 is an overall perspective view showing a plasma film forming apparatus according to a second embodiment.

【図7】図6の中央縦断面図である。FIG. 7 is a central longitudinal sectional view of FIG. 6;

【図8】可撓性樹脂シートの装着状態を示す説明図であ
る。
FIG. 8 is an explanatory view showing a mounted state of a flexible resin sheet.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・60−プラズマ製膜装置、3−反応容器、11−揚
電極、15−昇華室、21−陰電極、25・27−溝、
29−可撓性樹脂シート、39−供給ロール、45−巻
取りロール、61−供給機構、63−第1副容器、65
−巻取り機構、67−第2副容器
1.60-plasma film forming apparatus, 3-reaction vessel, 11-lift electrode, 15-sublimation chamber, 21-negative electrode, 25-27-groove,
29-flexible resin sheet, 39-supply roll, 45-take-up roll, 61-supply mechanism, 63-first sub-container, 65
-Winding mechanism, 67-second sub-container

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】反応容器内に所定の間隔をおいて相対配置
された陽電極及び陰電極と、反応容器内に金属化合物ガ
スを導入する導入部と、反応容器内を真空吸引する真空
吸引装置と、揚電極及び陰電極間に直流高電圧を印加し
てグロー放電を発生させる直流電源装置とからなるプラ
ズマ製膜装置において、陰電極には所定の幅で所定の間
隔をおいて一対の溝を設け、一方の溝から送入された可
撓性樹脂シートを他方の溝から送出して陰電極上の負グ
ロー層領域内にて可撓性樹脂シートを走行させながら表
面に可能に導電性金属薄膜を製膜可能にした導電性金属
薄膜のプラズマ製膜装置。
1. A positive electrode and a negative electrode, which are disposed at predetermined intervals in a reaction vessel, an introduction section for introducing a metal compound gas into the reaction vessel, and a vacuum suction apparatus for vacuum-suctioning the inside of the reaction vessel. And a DC power supply device for generating a glow discharge by applying a high DC voltage between the lifting electrode and the cathode, wherein the cathode has a pair of grooves with a predetermined width and a predetermined interval. The flexible resin sheet sent from one groove is sent out from the other groove, and the flexible resin sheet runs on the surface of the negative resin in the negative glow layer region on the negative electrode. Plasma deposition equipment for conductive metal thin films that enables metal thin films to be formed.
【請求項2】請求項1において、金属化合物は元素周期
律表のI族、II族、III族、IV族、V族、VI
族、VII族、VIII族中から選択されたいずれかの
金属と有機又は無機の化合物からなる導電性金属薄膜の
プラズマ製膜装置。
2. The metal compound according to claim 1, wherein the metal compound is Group I, Group II, Group III, Group IV, Group V, or Group VI of the Periodic Table of the Elements.
A plasma film forming apparatus for forming a conductive metal thin film comprising an organic or inorganic compound and any one of metals selected from the group consisting of a group VII, a group VII and a group VIII.
【請求項3】請求項2において、金属化合物は酸化オス
ミウムである導電性金属薄膜のプラズマ製膜装置。
3. The plasma deposition apparatus according to claim 2, wherein the metal compound is osmium oxide.
【請求項4】請求項1において、一対の溝間における可
撓性樹脂シートは陰電極の全体面積に対して約30〜4
0%の面積比からなる導電性金属薄膜のプラズマ製膜装
置。
4. The flexible resin sheet according to claim 1, wherein the flexible resin sheet between the pair of grooves is about 30 to 4 with respect to the entire area of the negative electrode.
A plasma film forming apparatus for a conductive metal thin film having an area ratio of 0%.
【請求項5】請求項1において、反応容器における送入
溝側に可撓性樹脂シートが巻回された供給ロールが回転
可能に支持すると共に送出溝側に可撓性樹脂シートの巻
取りロールが回転駆動可能に支持して陰電極上にて可撓
性樹脂シートを走行可能にした導電性金属薄膜のプラズ
マ製膜装置。
5. A reaction roll according to claim 1, wherein a supply roll having a flexible resin sheet wound on a feed groove side of the reaction vessel is rotatably supported, and a flexible resin sheet winding roll is provided on a send groove side. Is a conductive metal thin film plasma film forming apparatus which is rotatably supported so that a flexible resin sheet can run on a negative electrode.
【請求項6】請求項1において、反応容器には可撓性樹
脂シートの供給機構及び巻取り機構が設けられた副真空
室を着脱可能に設けた導電性金属薄膜のプラズマ製膜装
置。
6. A plasma film forming apparatus for a conductive metal thin film according to claim 1, wherein a sub-vacuum chamber provided with a flexible resin sheet supply mechanism and a winding mechanism is detachably provided in the reaction vessel.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011144418A (en) * 2010-01-14 2011-07-28 Filgen Inc Plasma deposition method for conductive thin film

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