JP2001525599A - Insulated conductor and contact method - Google Patents

Insulated conductor and contact method

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JP2001525599A JP2000523748A JP2000523748A JP2001525599A JP 2001525599 A JP2001525599 A JP 2001525599A JP 2000523748 A JP2000523748 A JP 2000523748A JP 2000523748 A JP2000523748 A JP 2000523748A JP 2001525599 A JP2001525599 A JP 2001525599A
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トルイビヨルン、イムレル
オケ、オバーグ
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グンナー、キランダー
ウド、フロム
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エービービー エービー
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導電層の局所化された被覆を比較的容易にし、部分放電を防止することによって、この半導電層の加熱を避けることができる。 【解決手段】 高電圧（１０ないし８００ｋＶ）巻線用の絶縁導体は、中心の導電手段と外側の半導電層１８とからなり、その半導電層の一部が接地のために金属粒子２０からなる被覆により覆われている。金属粒子は、好ましくは、ガス流中で外側層１８の方に加速される。弾性金属ばね部材によって、接地線を被覆された外側層に接続してもよい。 (57) Abstract: Heating of a semiconductive layer can be avoided by making localized coating of the semiconductive layer relatively easy and preventing partial discharge. An insulated conductor for high voltage (10 to 800 kV) windings comprises a central conductive means and an outer semiconductive layer, a part of which is formed from metal particles for grounding. Cover. The metal particles are preferably accelerated in the gas stream towards the outer layer 18. The ground wire may be connected to the coated outer layer by an elastic metal spring member.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION 【発明の属する技術分野】TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION

本発明は、絶縁導体に関する。さらに詳しくは、この発明は接地のために接触
する（少なくとも半）導電性材料からなる外側層を有し、高電圧巻線に適用され
る絶縁導体に関する。この導体は、大きな電動機、発電機および変圧器において
、１０ｋVを超える電圧、特に３６ｋVを超える電圧、好ましくは７２．５ｋＶ以
上の電圧で４００ｋVから８００ｋV以上のような非常に高い送電電圧までの電圧
で使用するものである。また、本発明は、（半導電性の）高分子材料により電気
接点を確立する方法に関する。The present invention relates to an insulated conductor. More particularly, the present invention relates to an insulated conductor having an outer layer of (at least half) conductive material in contact for grounding and applied to high voltage windings. This conductor is used in large motors, generators and transformers at voltages higher than 10 kV, in particular higher than 36 kV, preferably higher than 72.5 kV and very high transmission voltages such as 400 kV to higher than 800 kV. To use. The invention also relates to a method for establishing an electrical contact with a (semiconductive) polymeric material.

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

本発明において使用可能な特定の導体が図１の断面図に示されている。導体１
０は、例えば、銅からなる素線１２からなり、その大多数が第１の導電層１４に
よって囲まれて絶縁されている。例えば、架橋したポリエチレン（ＸＬＰＥ）か
らなる絶縁層１６が、第１の導電層１４を囲むとともに、この絶縁層１６が第２
の導電層１８によって囲まれている。 層１４、１８は「導電」と記載されているが、これらの層は、実際には、カー
ボンブラックまたは金属粒子と混合したベースポリマーから形成され、１ないし
１０５Ω・cmの体積抵抗率、好ましくは１０ないし５００Ω・cmの体積抵抗率を
有する。層１４、１８（および絶縁層１６）用の適当なベースポリマーとしては
、エチレン酢酸ビニル共重合体／ニトリルゴム、ブチルグラフトポリセン、エチ
レンアクリル酸ブチル共重合体、エチレンエチルアクリル酸塩共重合体、エチレ
ンプロピレンゴム、低密度ポリエチレン、ポリブチレン、ポリメチルペンテンお
よびエチレンアクリル酸塩共重合体などがある。 第１の導電層１４は、絶縁層１６との間の境界面全体にわたって強固に絶縁層
１６に接続されている。同様に、第２の導電層１８は、絶縁層１６との間の境界
面全体にわたって強固に絶縁層１６に接続されている。層１４〜１６は、固体絶
縁システムを形成し、素線１２のまわりで一緒に都合よく押出し加工される。 第１の導電層１４の導電率は、導電性素線１２の導電率より低いが、その面に
わたって電位を等しくするのに十分である。したがって、電界は絶縁層１６の周
囲で一様に分配され、局所化された電界の拡張および部分放電の危険は最小にな
る。 ゼロまたは大地電位にすべき第２の導電層１８の電位は、この層の導電率によ
ってこの値に等しくされる。同時に、導電層１８は電界を閉じ込めるために十分
な抵抗率を有する。この抵抗率を考慮して、導電性高分子層をこの層に沿って所
定の間隔で接地するのが望ましい。 高分子層との電気接点を作る際に経験する問題は、これら高分子層が、その高
い熱膨張係数のために、使用中に膨張して、機械的負荷の下でクリープ（creep ）することである。 非常に低い信号電流が流れるマイクロ電子デバイスと接触するために、銀粒子
を含む塗料または膠が使用される場合がある。 本発明によれば、中心の導電手段と外側の半導電層とからなり、導体の表面の
一部が金属粒子からなる被覆で覆われることを特徴とする高圧巻線用の導体が提
供される。 好ましい実施例では、中心の導電手段は、導線の１またはそれ以上の素線から
なり、導線より低い導電率の内側層によって囲まれ、次いで絶縁層によって囲ま
れ、次いで、好ましくは絶縁層より高い導電率を有する外側層によって順次囲ま
れている。 被覆は、塗料または膠でもよいが、より好ましくは金属粒子のインパクトボン
ディッド（impact-bonded―衝撃接着された―）層からなる。これらの粒子は好 ましくは銀粒子からなる。 被覆によって外側の高分子層を直接覆ってもよいが、銀箔などの金属箔を被覆
と高分子層の間に挿入するのが好ましい。被覆（およびもしも存在する場合には
箔）を、導体に沿って所定の間隔で高分子層の複数の部分に塗布してもよい。 好ましい実施例においては、少なくとも１つの接地線が被覆に接続されている
。 本発明によれば、金属粒子、好ましくは銀粒子からなる被覆を塗布することか
らなる、半導電性の高分子材料で電気接点を確立する方法が提供される。 被覆を塗装してもよいが、より好ましくは、例えばガス流中で高分子材料の方
に金属粒子を加速することによって被覆を形成する。 １つの実施例では、被覆を高分子材料の表面に直接塗布している。他の実施例
では、本発明の方法は、高分子材料の表面に金属箔を接着する工程と、金属箔の
外面に被覆を塗布する工程とからなる。超音波溶接によって金属箔を半導電性高
分子材料に接着することができた。 高分子材料が導体の半導電性の外側層である場合には、上記の方法は、少なく
とも１つの接地線を被覆に接続する工程を含んでもよい。少なくとも１つの接地
線は、はんだ付けまたはばね型接触装置によって接続してもよい。 好ましくは、被覆は、電気的および熱的安定性のために純粋な金属により行な
われる。 本発明の方法は、半導電層の局所化された被覆を比較的容易にし、この層の加
熱を避けることができる。Specific conductors that can be used in the present invention are shown in the cross-sectional view of FIG. Conductor 1
Numeral 0 is composed of a strand 12 made of, for example, copper, and the majority thereof is surrounded and insulated by the first conductive layer 14. For example, an insulating layer 16 made of cross-linked polyethylene (XLPE) surrounds the first conductive layer 14, and the insulating layer 16
Of the conductive layer 18. Although layers 14 and 18 are described as "conductive", these layers are actually formed from a base polymer mixed with carbon black or metal particles and have a volume resistivity of 1 to 10 5 ohm-cm, It preferably has a volume resistivity of 10 to 500 Ω · cm. Suitable base polymers for layers 14, 18 (and insulating layer 16) include ethylene vinyl acetate copolymer / nitrile rubber, butyl graft polycene, ethylene butyl acrylate copolymer, ethylene ethyl acrylate copolymer , Ethylene propylene rubber, low density polyethylene, polybutylene, polymethylpentene and ethylene acrylate copolymer. The first conductive layer 14 is firmly connected to the insulating layer 16 over the entire interface between the first conductive layer 14 and the insulating layer 16. Similarly, the second conductive layer 18 is firmly connected to the insulating layer 16 over the entire interface with the insulating layer 16. Layers 14-16 form a solid insulation system and are conveniently extruded together around strand 12. The conductivity of the first conductive layer 14 is lower than the conductivity of the conductive strand 12, but is sufficient to make the potential equal over its surface. Thus, the electric field is evenly distributed around the insulating layer 16 and the risk of localized electric field expansion and partial discharge is minimized. The potential of the second conductive layer 18, which should be at zero or ground potential, is made equal to this value by the conductivity of this layer. At the same time, the conductive layer 18 has sufficient resistivity to confine the electric field. In consideration of this resistivity, it is desirable to ground the conductive polymer layer at a predetermined interval along this layer. The problem encountered in making electrical contacts with polymer layers is that these polymer layers expand during use and creep under mechanical loads due to their high coefficient of thermal expansion. It is. Paint or glue containing silver particles may be used to contact microelectronic devices that carry very low signal currents. According to the present invention, there is provided a conductor for a high-voltage winding, comprising a central conductive means and an outer semiconductive layer, wherein a part of the surface of the conductor is covered with a coating made of metal particles. . In a preferred embodiment, the central conductive means consists of one or more strands of the conductor, surrounded by an inner layer of lower conductivity than the conductor, then surrounded by an insulating layer, and then preferably higher than the insulating layer It is successively surrounded by an outer layer having conductivity. The coating may be paint or glue, but more preferably comprises an impact-bonded layer of metal particles. These particles preferably consist of silver particles. The outer polymer layer may be directly covered by the coating, but it is preferable to insert a metal foil such as a silver foil between the coating and the polymer layer. The coating (and foil, if present) may be applied to portions of the polymer layer at predetermined intervals along the conductor. In a preferred embodiment, at least one ground line is connected to the sheath. According to the present invention, there is provided a method for establishing an electrical contact with a semiconductive polymeric material, comprising applying a coating comprising metal particles, preferably silver particles. The coating may be painted, but more preferably the coating is formed, for example, by accelerating the metal particles towards the polymeric material in a gas stream. In one embodiment, the coating is applied directly to the surface of the polymeric material. In another embodiment, the method comprises the steps of bonding a metal foil to a surface of a polymeric material and applying a coating to an outer surface of the metal foil. The metal foil could be bonded to the semiconductive polymer material by ultrasonic welding. Where the polymeric material is a semiconductive outer layer of a conductor, the above method may include the step of connecting at least one ground wire to the coating. The at least one ground wire may be connected by soldering or a spring-type contact device. Preferably, the coating is made of a pure metal for electrical and thermal stability. The method of the present invention makes localized coating of the semiconductive layer relatively easy and avoids heating of this layer.

【実施例】【Example】

以下、添付図面を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明する。 図２は、小さな銀粒子２０が導電性高分子の外側層１８の表面の方に加速され
る様子を示している。粒子２０は、層１８の表面に衝撃を与え、その層に浸透し
てその中の炭素の粒子と接触する。その後、粒子２０は銀の被覆を形成する。 図３は、衝撃接着（impact bonding）に先立って銀箔３０を高分子層１８の表
面上に配置してそれを保護する他の実施例を示している。次に、銀粒子２０’は
、ガス流中で加速され、銀箔３０に衝撃を与え、その上に被覆を形成する。この
実施例では、粒子の衝撃は、導電性の高分子層１８上で最小の効果を有し、それ
によって電気接点が改善される。銀箔３０は、銀粒子２０’の運動エネルギーを
減少させ、これらの粒子が深く埋め込まれ過ぎるのを防ぐ。銀箔を高分子層１８
に超音波溶接してもよい。 銀粒子の被覆が導体１０に塗布されると、それに接地線を接続することができ
る。このため、導体の被覆部分のまわりに（図示しない）弾性金属ばね部材を配
置してもよく、接地線をばね部材にはんだ付けしてもよい。ばね部材は、導体の
まわりに配置されたエンドレスループ内のコイルばね、または巻線状導体のいく
つかの折り返しの方向に付勢される細長いコイルばねから構成してもよい。ばね
部材は、好ましくは、銀、金または白金で被覆した銅合金のようなクラッド金属
からなる。 本発明の方法は、導体（超伝導体でもよい）を製造する押出し法と両立できる
。特に、機械的な応力が最小になって化学反応を避けられるので、外側の導電性
高分子材料は損傷しない。 本発明による導体の絶縁は、非常に高い電圧、例えば８００ｋＶ以上までの電
圧、およびこれらの電圧で起こり得る電気負荷および熱負荷を扱うことができる
。例えば、本発明による導体は、数百ｋＶＡから１０００ＭＶＡ以上までの定格
出力と、３〜４ｋＶから４００〜８００ｋＶ以上の非常に高い送電電圧までの定
格電圧を有する電力変圧器の巻線から構成してもよい。高い動作電圧では、部分
放電、すなわちＰＤは、既知の絶縁システムに重大な問題を招く。絶縁に空洞ま
たは孔が存在すると、内部コロナ放電が生じて、絶縁体が徐々に劣化して、最終
的に絶縁破壊を招く可能性がある。絶縁システムの（半）導電性材料が、それに
よって囲まれる中心の導電手段の導体と同じ電位にあることおよび（半）導電性
の外側層が制御された電位、例えば大地電位にあることを保証することによって
、本発明による導体の使用中の電気絶縁における電気負荷が減少する。したがっ
て、これらの内側層と外側層の間の電気絶縁層中の電界は、中間層の厚さ方向に
わたって略均等に分配される。絶縁システムのこれらの層に同様の熱的性質およ
びわずかな欠陥を有する材料を有することによって、所定の動作電圧でＰＤの可
能性が減少する。したがって、導体は、非常に高い動作電圧、典型的には８００
ｋV以上までに耐えるように設計することができる。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 2 shows that the small silver particles 20 are accelerated toward the surface of the outer layer 18 of conductive polymer. Particles 20 impact the surface of layer 18 and penetrate the layer to contact the particles of carbon therein. Thereafter, the particles 20 form a silver coating. FIG. 3 shows another embodiment in which a silver foil 30 is placed on the surface of the polymer layer 18 to protect it prior to impact bonding. Next, the silver particles 20 ′ are accelerated in the gas stream and impact the silver foil 30 to form a coating thereon. In this embodiment, particle bombardment has a minimal effect on the conductive polymer layer 18, thereby improving electrical contact. The silver foil 30 reduces the kinetic energy of the silver particles 20 'and prevents these particles from being too deeply embedded. Silver foil on polymer layer 18
May be ultrasonically welded. Once the coating of silver particles has been applied to conductor 10, a ground wire can be connected thereto. For this purpose, an elastic metal spring member (not shown) may be arranged around the covered portion of the conductor, and a ground wire may be soldered to the spring member. The spring member may consist of a coil spring in an endless loop placed around the conductor, or an elongated coil spring biased in the direction of several turns of the wound conductor. The spring member is preferably made of a clad metal such as a copper alloy coated with silver, gold or platinum. The method of the present invention is compatible with the extrusion method for producing conductors (which may be superconductors). In particular, the outer conductive polymer material is not damaged because the mechanical stress is minimized and the chemical reaction is avoided. The insulation of the conductor according to the invention can handle very high voltages, for example voltages up to 800 kV or more, and possible electrical and thermal loads at these voltages. For example, a conductor according to the present invention comprises a winding of a power transformer having a rated output from several hundred kVA to over 1000 MVA and a very high transmission voltage from 3-4 kV to very high transmission voltage of 400-800 kV or more. Is also good. At high operating voltages, partial discharge, or PD, poses a serious problem for known insulation systems. If cavities or holes are present in the insulation, an internal corona discharge will occur, which will gradually degrade the insulator and eventually lead to dielectric breakdown. Ensures that the (semi) conductive material of the insulation system is at the same potential as the conductor of the central conductive means surrounded by it and that the (semi) conductive outer layer is at a controlled potential, for example ground potential By doing so, the electrical load on the electrical insulation during use of the conductor according to the invention is reduced. Thus, the electric field in the electrically insulating layer between these inner and outer layers is substantially evenly distributed over the thickness of the intermediate layer. By having materials with similar thermal properties and few defects in these layers of the insulation system, the probability of PD at a given operating voltage is reduced. Thus, the conductors have very high operating voltages, typically 800
It can be designed to withstand up to kV or more.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 被覆を除いた本発明による導体の横断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a conductor according to the present invention without a coating.

【図２】 図１の導体の断片の縦断面図であり、一実施例に従って塗布された被覆を示し
ている。FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional view of a section of the conductor of FIG. 1 showing a coating applied according to one embodiment.

【図３】 図２と同様の断面図であり、他の実施例に従って塗布された被覆を示している
。FIG. 3 is a sectional view similar to FIG. 2, showing the coating applied according to another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ 導体 １２ 素線 １４ 導電層 １６ 絶縁層 １８ 導電層 ２０ 銀粒子 ２０’ 銀粒子 ３０ 銀箔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Conductor 12 Element wire 14 Conductive layer 16 Insulating layer 18 Conductive layer 20 Silver particle 20 'Silver particle 30 Silver foil

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 27/32 Ｈ０１Ｆ 27/32 Ｚ Ｈ０２Ｋ 3/40 Ｈ０２Ｋ 3/40 (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ， ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，Ｌ Ｕ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ， ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，Ｕ Ｇ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 オケ、オバーグ スエーデン国ウプサラ、トルス、ベーグ、 20 ビー (72)発明者 アンダース、ノルドストローム スエーデン国ソレンツナ、クルングスボー ゲン、14 (72)発明者 グンナー、キランダー スエーデン国ベステロス、ステントプロス ガタン、16エー (72)発明者 ウド、フロム スエーデン国ベステロス、リーガタン、33 Ｆターム(参考） 5E043 AA09 AB09 5E044 CA01 CC04 5G309 CA06 LA04 LA08 LA20 LA21 5H604 AA01 BB01 BB03 CC01 DA05 DA14 DA17 PB01 PD02 PD07──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01F 27/32 H01F 27/32 Z H02K 3/40 H02K 3/40 (81) Designated countries EP (AT, BE) , CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE), OA (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA , GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG), AP (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW), EA (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM), AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU , LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, U G, US, UZ, VN, YU, ZW (72) Inventor Oke, Uppsala, Oberg, Sweden, Tors, Beeg, 20 Be (72) Inventor Anders, Nordstrom Solentuna, Sweden, Krungsbogen, 14 (72) Inventor Günner, Kirlander Vasteros, Sweden, Stentpros Gatán, 16 A (72) Inventor Udo, Västeros, From Sweden, Rigatan, 33 F term (reference) 5E043 AA09 AB09 5E044 CA01 CC04 5G309 CA06 LA04 LA08 LA20 LA21 5H604 AA01 BB01 BB03 CC01 DA05 DA14 DA17 PB01 PD02 PD07

Claims (26)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 中心の導電手段と外側の半導電層とからなり、導体の表面の一部が金属粒子か
らなる被覆で覆われていることを特徴とする高圧巻線用の導体。1. A conductor for a high-voltage winding, comprising a central conductive means and an outer semiconductive layer, wherein a part of the surface of the conductor is covered with a coating made of metal particles. 【請求項２】 前記中心の導電手段が、導線の１以上の素線からなり、導線より低い導電率の
内側層によって囲まれ、次いで電気絶縁層によって囲まれ、次いで外側の半導電
層によって順次囲まれることを特徴とする請求項１に記載の導体。2. The central conductive means comprises one or more strands of a conductor, surrounded by an inner layer of lower conductivity than the conductor, then by an electrically insulating layer, and then sequentially by an outer semiconductive layer. The conductor of claim 1, wherein the conductor is enclosed. 【請求項３】 前記外側の半導電層が、１以上のポリマーおよびカーボンブラックからなり、
１ないし１０５Ω・cmの体積抵抗率を有することを特徴とする請求項１または２
に記載の導体。3. The method of claim 1, wherein the outer semiconductive layer comprises one or more polymers and carbon black,
3. The method according to claim 1, wherein the material has a volume resistivity of 1 to 10 5 Ω · cm.
A conductor according to claim 1. 【請求項４】 前記外側の半導電性高分子層の抵抗率が、１０ないし５００のΩ・cmであるこ
とを特徴とする請求項３に記載の導体。4. The conductor according to claim 3, wherein the resistivity of the outer semiconductive polymer layer is 10 to 500 Ω · cm. 【請求項５】 前記被覆が塗料または膠からなることを特徴とする請求項１ないし４の何れか
に記載の導体。5. The conductor according to claim 1, wherein the coating is made of paint or glue. 【請求項６】 前記被覆がインパクトボンディッド層からなることを特徴とする請求項１ない
し４の何れかに記載の導体。6. The conductor according to claim 1, wherein said coating comprises an impact-bonded layer. 【請求項７】 前記金属粒子が銀粒子からなることを特徴とする請求項１ないし６の何れかに
記載の導体。7. The conductor according to claim 1, wherein the metal particles are silver particles. 【請求項８】 金属箔が前記被覆と前記外側の半導電層の間に挿入されることを特徴とする請
求項１ないし７の何れかに記載の導体。8. The conductor according to claim 1, wherein a metal foil is inserted between the coating and the outer semiconductive layer. 【請求項９】 前記金属箔が銀箔からなることを特徴とする請求項８に記載の導体。9. The conductor according to claim 8, wherein said metal foil is made of silver foil. 【請求項１０】 前記被覆が外側の半導電層を直接覆うことを特徴とする請求項１ないし７の何
れかに記載の導体。10. The conductor according to claim 1, wherein the coating directly covers the outer semiconductive layer. 【請求項１１】 前記被覆が、前記導体の複数の部分をそれに沿って所定の間隔で被覆すること
を特徴とする請求項１ないし１０の何れかに記載の導体。11. The conductor according to claim 1, wherein the covering covers a plurality of portions of the conductor at predetermined intervals along the conductor. 【請求項１２】 前記被覆に少なくとも１つの接地線が接続されることを特徴とする請求項１な
いし１１の何れかに記載の導体。12. The conductor according to claim 1, wherein at least one ground wire is connected to the coating. 【請求項１３】 前記接地線が弾性金属ばね部材によって接続されることを特徴とする請求項１
２に記載の導体。13. The device according to claim 1, wherein the ground wire is connected by an elastic metal spring member.
3. The conductor according to 2. 【請求項１４】 前記導電手段および前記外側の半導電層が、１０ｋＶを超える電圧、特に３６
ｋＶを超える電圧、好ましくは７２．５ｋＶ以上で４００ｋＶから８００ｋＶ以
上の非常に高い送電電圧まで電圧の高電圧用に設計されていることを特徴とする
請求項１ないし１３の何れかに記載の導体。14. The method according to claim 1, wherein the conductive means and the outer semiconductive layer have a voltage of more than 10 kV, in particular 36
14. Conductor according to any of the preceding claims, characterized in that it is designed for high voltages of voltages above kV, preferably from 72.5 kV to very high transmission voltages from 400 kV to 800 kV or more. . 【請求項１５】 前記導電手段および前記外側の半導電層が、０．５ＭＶＡを超える電源電圧範
囲、好ましくは３０ＭＶＡを超えて１０００ＭＶＡまでの電源電圧範囲用に設計
されていることを特徴とする請求項１ないし１４の何れかに記載の導体。15. The method according to claim 15, wherein the conductive means and the outer semiconductive layer are designed for a supply voltage range of more than 0.5 MVA, preferably for a supply voltage range of more than 30 MVA up to 1000 MVA. Item 15. The conductor according to any one of Items 1 to 14. 【請求項１６】 金属粒子からなる被覆を塗布することからなる、半導電性の高分子材料により
電気接点を確立する方法。16. A method of establishing an electrical contact with a semiconductive polymeric material, comprising applying a coating of metal particles. 【請求項１７】 前記被覆が銀粒子からなることを特徴とする請求項１６に記載の方法。17. The method of claim 16, wherein said coating comprises silver particles. 【請求項１８】 前記被覆を塗装することからなる請求項１６または１７に記載の方法。18. The method according to claim 16, comprising painting the coating. 【請求項１９】 前記金属粒子を前記半導電性の高分子材料の方に加速させることからなる請求
項１６または１７に記載の方法。19. The method according to claim 16, comprising accelerating the metal particles toward the semiconductive polymeric material. 【請求項２０】 前記粒子がガス流中で加速されることを特徴とする請求項１９に記載の方法。20. The method according to claim 19, wherein the particles are accelerated in a gas stream. 【請求項２１】 前記被覆が前記半導電性の高分子材料の表面に塗布されることを特徴とする請
求項１６ないし２０の何れかに記載の方法。21. The method according to claim 16, wherein the coating is applied to a surface of the semiconductive polymer material. 【請求項２２】 前記半導電性の高分子材料の表面に金属箔を塗布する工程と、この金属箔の外
面に前記被覆を塗布する工程とからなることを特徴とする請求項１６ないし２０
の何れかに記載の方法。22. The method according to claim 16, further comprising the steps of: applying a metal foil to a surface of said semiconductive polymer material; and applying the coating to an outer surface of the metal foil.
The method according to any one of the above. 【請求項２３】 前記箔が超音波溶接によって前記半導電性の高分子材料に接着されることを特
徴とする請求項２２に記載の方法。23. The method of claim 22, wherein said foil is adhered to said semiconductive polymeric material by ultrasonic welding. 【請求項２４】 前記箔が銀箔からなることを特徴とする請求項２２または２３に記載の方法。24. The method according to claim 22, wherein the foil comprises a silver foil. 【請求項２５】 前記半導電性の高分子材料が導体の半導電性の外側層であることを特徴とする
請求項１６ないし２４の何れかに記載の方法。25. The method according to claim 16, wherein the semiconductive polymeric material is a semiconductive outer layer of a conductor. 【請求項２６】 前記被覆に少なくとも１つの接地線を接続する工程を含むことを特徴とする請
求項２５に記載の方法。26. The method of claim 25, comprising connecting at least one ground wire to the coating.
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