JP2001516165A - モジュラートランシーバシステム及びそのモジュールの識別 - Google Patents
モジュラートランシーバシステム及びそのモジュールの識別Info
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04W—WIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
- H04W88/00—Devices specially adapted for wireless communication networks, e.g. terminals, base stations or access point devices
- H04W88/08—Access point devices
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- H—ELECTRICITY
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- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
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- H—ELECTRICITY
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- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/3827—Portable transceivers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Mobile Radio Communication Systems (AREA)
- Near-Field Transmission Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
無線通信ネットワークのモジュラートランシーバシステムに接続する機能的モジュールが提供される。この機能的モジュールは、ＲＦ周波数の入力信号を受け取る入力と、その入力信号を受け取って処理するためのＲＦ信号プロセッサと、機能的モジュールを特徴付けるＩＤ信号を発生するためのＩＤ発生回路と、このＩＤ信号を質問回路へ送信するためのＩＤポートとを有する。ＩＤ信号を受け取ってそれに作用するための自己構成型トランシーバモジュールも提供される。
Description
【０００１】
本発明は、モジュラートランシーバシステム、及びその中のモジュールを識別
することに係る。より詳細には、本発明は、取り付けられたモジュールの機能を
識別する自己構成型モジュラートランシーバシステムに係るが、これに限定され
るものではない。
することに係る。より詳細には、本発明は、取り付けられたモジュールの機能を
識別する自己構成型モジュラートランシーバシステムに係るが、これに限定され
るものではない。
【０００２】
移動無線テレコミュニケーションネットワークは、少なくとも１つのベースス
テーション及び複数の移動ステーションより成る。移動ステーションは、ベース
ステーションを経て互いに通信する。ベースステーションは、ベーストランシー
バシステムを備え、該システムの少なくとも１つのトランシーバは、移動ステー
ションのトランシーバと通信する。エンドユーザが自分のニーズに対してシステ
ムを最適化できるようにベーストランシーバシステムを適応させることが望まれ
る。例えば、著しい信号減衰がある場合には、ベーストランシーバシステム内に
ブースタ回路を設けることにより信号をブーストすることが望まれる一方、著し
いトラフィックがある場合には、ブースタ回路に代わって第２又は第３のトラン
シーバを含ませることが好ましい。それ故、機能的モジュールの交換又は追加に
よって変更又はグレードアップすることのできるモジュラーシステムとしてベー
ストランシーバシステムを市場に出すことが所望される。しかしながら、ベース
トランシーバシステムは、機能的ユニットの複雑な集合体であり、これらユニッ
トを首尾良く集合させることは、熟練度を要する困難な作業である。ベーストラ
ンシーバシステムが自己構成型であることが望まれる。このようにすれば、エン
ドユーザは、必要な機能的モジュールをベーストランシーバステーションに単純
に取り付けることができ、そしてシステムは、所望の機能のワークシステムを得
るようにそれ自身で構成することができる。
テーション及び複数の移動ステーションより成る。移動ステーションは、ベース
ステーションを経て互いに通信する。ベースステーションは、ベーストランシー
バシステムを備え、該システムの少なくとも１つのトランシーバは、移動ステー
ションのトランシーバと通信する。エンドユーザが自分のニーズに対してシステ
ムを最適化できるようにベーストランシーバシステムを適応させることが望まれ
る。例えば、著しい信号減衰がある場合には、ベーストランシーバシステム内に
ブースタ回路を設けることにより信号をブーストすることが望まれる一方、著し
いトラフィックがある場合には、ブースタ回路に代わって第２又は第３のトラン
シーバを含ませることが好ましい。それ故、機能的モジュールの交換又は追加に
よって変更又はグレードアップすることのできるモジュラーシステムとしてベー
ストランシーバシステムを市場に出すことが所望される。しかしながら、ベース
トランシーバシステムは、機能的ユニットの複雑な集合体であり、これらユニッ
トを首尾良く集合させることは、熟練度を要する困難な作業である。ベーストラ
ンシーバシステムが自己構成型であることが望まれる。このようにすれば、エン
ドユーザは、必要な機能的モジュールをベーストランシーバステーションに単純
に取り付けることができ、そしてシステムは、所望の機能のワークシステムを得
るようにそれ自身で構成することができる。
【０００３】
【発明の開示】 本発明の１つの特徴によれば、ＲＦ周波数範囲内のＲＦ周波数で動作する無線
通信ネットワークのモジュラートランシーバシステムに接続される機能的モジュ
ールにおいて、ＲＦ周波数の入力信号を受け取るための入力と、上記入力に接続
され、上記入力信号を受け取って処理するためのＲＦ信号プロセッサと、機能的
モジュールを特徴付ける識別信号を発生するためのＩＤ発生回路と、識別信号を
トランシーバシステムの質問回路に送信するためのＩＤポートとを備えた機能的
モジュールが提供される。
通信ネットワークのモジュラートランシーバシステムに接続される機能的モジュ
ールにおいて、ＲＦ周波数の入力信号を受け取るための入力と、上記入力に接続
され、上記入力信号を受け取って処理するためのＲＦ信号プロセッサと、機能的
モジュールを特徴付ける識別信号を発生するためのＩＤ発生回路と、識別信号を
トランシーバシステムの質問回路に送信するためのＩＤポートとを備えた機能的
モジュールが提供される。
【０００４】 上記機能的モジュールは、例えば、ブースタモジュール又はフィルタモジュー
ルのような電力増幅モジュールである。 又、本発明は、ＲＦ周波数範囲内のＲＦ周波数で動作する無線通信ネットワー
クのモジュラートランシーバシステムに使用される自己構成型トランシーバモジ
ュールにおいて、ＲＦ周波数範囲のＲＦ信号を発生及び受信するためのＲＦユニ
ットと、接続された機能的モジュールから識別信号を受け取るためのＩＤポート
とを備え、上記識別信号は、上記機能的モジュールを特徴付けるものであり、そ
して更に、識別信号から機能的モジュールの性質を識別しそしてそれに応答して
トランシーバシステムを構成するための検出回路を備えたトランシーバモジュー
ルも提供する。
ルのような電力増幅モジュールである。 又、本発明は、ＲＦ周波数範囲内のＲＦ周波数で動作する無線通信ネットワー
クのモジュラートランシーバシステムに使用される自己構成型トランシーバモジ
ュールにおいて、ＲＦ周波数範囲のＲＦ信号を発生及び受信するためのＲＦユニ
ットと、接続された機能的モジュールから識別信号を受け取るためのＩＤポート
とを備え、上記識別信号は、上記機能的モジュールを特徴付けるものであり、そ
して更に、識別信号から機能的モジュールの性質を識別しそしてそれに応答して
トランシーバシステムを構成するための検出回路を備えたトランシーバモジュー
ルも提供する。
【０００５】 これは、トランシーバモジュールが、接続された機能的モジュールに基づいて
トランシーバシステムを自動的に構成できるようにする。従って、モジュラート
ランシーバシステムに挿入されるモジュールの形式をユーザが手動で決定する必
要はない。というのは、自己構成型トランシーバモジュールは、接続された機能
的モジュールに基づいてトランシーバシステムを適切に自動的に構成するからで
ある。
トランシーバシステムを自動的に構成できるようにする。従って、モジュラート
ランシーバシステムに挿入されるモジュールの形式をユーザが手動で決定する必
要はない。というのは、自己構成型トランシーバモジュールは、接続された機能
的モジュールに基づいてトランシーバシステムを適切に自動的に構成するからで
ある。
【０００６】 又、本発明は、別の特徴において、ＲＦ周波数範囲内で動作するモジュラート
ランシーバシステムの機能的モジュールを自動的に識別する方法であって、上記
ＲＦ周波数範囲から外れたチェック周波数におけるチェック信号を機能的モジュ
ールに供給し、上記チェック周波数において上記機能的モジュールの応答を測定
し、この応答は、機能的モジュールの性質を特徴付けるものであり、そして上記
応答に基づいて機能的モジュールの性質を識別し、それに応じてトランシーバシ
ステムを構成するという段階を含む方法も提供する。
ランシーバシステムの機能的モジュールを自動的に識別する方法であって、上記
ＲＦ周波数範囲から外れたチェック周波数におけるチェック信号を機能的モジュ
ールに供給し、上記チェック周波数において上記機能的モジュールの応答を測定
し、この応答は、機能的モジュールの性質を特徴付けるものであり、そして上記
応答に基づいて機能的モジュールの性質を識別し、それに応じてトランシーバシ
ステムを構成するという段階を含む方法も提供する。
【０００７】 この方法は、好ましい実施形態では直流であるチェック周波数における質問に
より機能的モジュールを識別できるようにする。しかしながら、チェック周波数
は、直流である必要はなく、ＲＦ周波数より著しく低い周波数、例えば、ＲＦ周
波数の１／１０又は１／１００であってもよい。 識別信号の電源は、機能的モジュール内に含むこともできるし、又はトランシ
ーバモジュール内に含むこともできる。電源が機能的モジュール内に設けられる
場合には、ＩＤ信号が電圧レベルであってもよいし、電流レベルであってもよい
し、又はシリアルデータ流であってもよい。
より機能的モジュールを識別できるようにする。しかしながら、チェック周波数
は、直流である必要はなく、ＲＦ周波数より著しく低い周波数、例えば、ＲＦ周
波数の１／１０又は１／１００であってもよい。 識別信号の電源は、機能的モジュール内に含むこともできるし、又はトランシ
ーバモジュール内に含むこともできる。電源が機能的モジュール内に設けられる
場合には、ＩＤ信号が電圧レベルであってもよいし、電流レベルであってもよい
し、又はシリアルデータ流であってもよい。
【０００８】 特に好ましい実施形態では、同軸ケーブルの形態の二重コネクタが、ＲＦ信号
を受け取るための入力と、識別信号を送信するための識別ポートとを与える。こ
れは、識別信号がＲＦ周波数範囲から外れた周波数にありそして好ましくはＲＦ
周波数より著しく低い場合に可能となる。このとき、ＩＤ信号及び入力信号は、
機能的モジュール内のチョーク及びキャパシタ構成体と、トランシーバモジュー
ルの同様の構成体とによって分離することができる。
を受け取るための入力と、識別信号を送信するための識別ポートとを与える。こ
れは、識別信号がＲＦ周波数範囲から外れた周波数にありそして好ましくはＲＦ
周波数より著しく低い場合に可能となる。このとき、ＩＤ信号及び入力信号は、
機能的モジュール内のチョーク及びキャパシタ構成体と、トランシーバモジュー
ルの同様の構成体とによって分離することができる。
【０００９】 本発明は、トランシーバモジュールが、出力ＲＦ信号からフィードバックされ
た検出された電力レベルを使用する電力制御ループを有する場合に特に有益であ
る。電力制御ループのコンフィギュレーションは、フィルタモジュールが存在す
るときにある構成を有し、そしてブースタ増幅器モジュールが存在するときに別
の構成を有する。
た検出された電力レベルを使用する電力制御ループを有する場合に特に有益であ
る。電力制御ループのコンフィギュレーションは、フィルタモジュールが存在す
るときにある構成を有し、そしてブースタ増幅器モジュールが存在するときに別
の構成を有する。
【００１０】 既存のトランシーバモジュールにおいては、電力制御ループの要素であるピー
ク電力検出器がトランシーバモジュール内に配置される。ブースタモジュールが
トランシーバモジュールの出力に接続されたときには、ブースタモジュール内の
個別のピーク電力検出器が電力制御ループ内に構成されねばならない。従って、
トランシーバモジュールの電力制御ループ内の残りの電力制御回路は、トランシ
ーバモジュールのピーク電力検出器ではなく、ブースタモジュールのピーク電力
検出器の出力を使用しなければならない。本出願人の英国特許出願第９７０６４
２３．２号に開示されたように、これは、スイッチによって行うことができる。
ク電力検出器がトランシーバモジュール内に配置される。ブースタモジュールが
トランシーバモジュールの出力に接続されたときには、ブースタモジュール内の
個別のピーク電力検出器が電力制御ループ内に構成されねばならない。従って、
トランシーバモジュールの電力制御ループ内の残りの電力制御回路は、トランシ
ーバモジュールのピーク電力検出器ではなく、ブースタモジュールのピーク電力
検出器の出力を使用しなければならない。本出願人の英国特許出願第９７０６４
２３．２号に開示されたように、これは、スイッチによって行うことができる。
【００１１】 本発明の上記特徴によれば、このスイッチは、ブースタモジュールの存在が検
出された際に自動的にトグルすることができ、従って、モジュールをベースとす
るトランシーバシステムがブースタモジュールを利用するようにグレードアップ
される場合にオペレータが介在する必要性を排除することができる。これは、ト
ランシーバモジュールを標準化するという利益も有する。 本発明を良く理解すると共に、本発明がいかに実施されるかを示すために、添
付図面を参照して以下に詳細に説明する。
出された際に自動的にトグルすることができ、従って、モジュールをベースとす
るトランシーバシステムがブースタモジュールを利用するようにグレードアップ
される場合にオペレータが介在する必要性を排除することができる。これは、ト
ランシーバモジュールを標準化するという利益も有する。 本発明を良く理解すると共に、本発明がいかに実施されるかを示すために、添
付図面を参照して以下に詳細に説明する。
【００１２】
図１は移動通信システムにおけるベーストランシーバシステム１０（ＢＴＳ）
を背景技術として示すブロック図である。２つのトランシーバＴＲＸ１、ＴＲＸ
２の各々は、この技術で知られた送信及び受信回路を備えている。送信回路Ｔｘ
１、Ｔｘ２の出力はフィルタ３に接続され、該フィルタは、それら出力を、アン
テナ５を経て送信するための形態で供給する。送信される無線信号は、参照番号
１７で示されている。又、アンテナ５は、移動ステーションから無線信号１９を
受け取り、そしてそれらを受信信号ＲｘとしてトランシーバＴＲＸ１、ＴＲＸ２
の受信回路へ供給する。
を背景技術として示すブロック図である。２つのトランシーバＴＲＸ１、ＴＲＸ
２の各々は、この技術で知られた送信及び受信回路を備えている。送信回路Ｔｘ
１、Ｔｘ２の出力はフィルタ３に接続され、該フィルタは、それら出力を、アン
テナ５を経て送信するための形態で供給する。送信される無線信号は、参照番号
１７で示されている。又、アンテナ５は、移動ステーションから無線信号１９を
受け取り、そしてそれらを受信信号ＲｘとしてトランシーバＴＲＸ１、ＴＲＸ２
の受信回路へ供給する。
【００１３】 送信回路は、送信されるべきデータを適当な搬送波周波数の搬送波に変調する
ための変調回路を備えている。現在、ＧＳＭ規格は、９００ＭＨｚ付近の搬送波
周波数を有し、実際にはアップリンク８９０−９１５ＭＨｚ（移動体−ＢＴＳ）
及びダウンリンク９３５−９６０ＭＨｚ（ＢＴＳ−移動体）の周波数を有してい
る。図２に示すように、各トランシーバＴＲＸは、プロセッサ７及びＲＦユニッ
ト（ＲＦＵ）を備えている。送信されるべきデータは、プロセッサ７から供給さ
れる。又、プロセッサ７及びＲＦユニットは、フィルタユニットからそこに供給
される受信信号Ｒｘのダウン変換、フィルタ、復調及びデコードも行う。又、プ
ロセッサ７は、ＲＦユニットに制御信号も供給する。特に、プロセッサ７は、ト
ランシーバにより送信される信号の電力レベルを制御する電力制御信号Ｖｃを供
給する。
ための変調回路を備えている。現在、ＧＳＭ規格は、９００ＭＨｚ付近の搬送波
周波数を有し、実際にはアップリンク８９０−９１５ＭＨｚ（移動体−ＢＴＳ）
及びダウンリンク９３５−９６０ＭＨｚ（ＢＴＳ−移動体）の周波数を有してい
る。図２に示すように、各トランシーバＴＲＸは、プロセッサ７及びＲＦユニッ
ト（ＲＦＵ）を備えている。送信されるべきデータは、プロセッサ７から供給さ
れる。又、プロセッサ７及びＲＦユニットは、フィルタユニットからそこに供給
される受信信号Ｒｘのダウン変換、フィルタ、復調及びデコードも行う。又、プ
ロセッサ７は、ＲＦユニットに制御信号も供給する。特に、プロセッサ７は、ト
ランシーバにより送信される信号の電力レベルを制御する電力制御信号Ｖｃを供
給する。
【００１４】 図３は、ベーストランシーバシステム１０のモジュラー構造を示す。ベースト
ランシーバシステム１０は、バックプレーンをもつラック１１と、複数のモジュ
ールが各々接続される複数のコネクタ（図示せず）とを備えている。図３は、そ
の状態Ａにおいて、フィルタモジュール３と、第１トランシーバモジュールＴＲ
Ｘ１と、第２トランシーバモジュールＴＲＸ２と、電源モジュールＰＵＳ９とを
示している。ベーストランシーバシステムの機能を実施するために必要に応じて
他のモジュールも存在する。トランシーバは、各トランシーバとフィルタモジュ
ール３との間を接続する同軸ケーブル１４、１５により容易に交換することがで
きる。状態Ａに示された同軸接続は、トランシーバＴＲＸ１、ＴＲＸ２が送信器
として動作するのに必要なものであり、それらが受信器として動作するのに必要
な接続は図示されていない。モジュラーベーストランシーバシステムの利点は、
あるモジュールを、機能の異なる別のモジュールと交換できることである。例え
ば、第１トランシーバＴＲＸ１のコネクタ４０から同軸ケーブル１４を解除しそ
してそれをブースタモジュールの出力コネクタ６２に接続することにより、第１
トランシーバＴＲＸ１をブースタモジュール１２と交換することができる。他方
のトランシーバＴＲＸ２の同軸ケーブル１５は、ブースタモジュール１２の入力
コネクタ５２に接続される。
ランシーバシステム１０は、バックプレーンをもつラック１１と、複数のモジュ
ールが各々接続される複数のコネクタ（図示せず）とを備えている。図３は、そ
の状態Ａにおいて、フィルタモジュール３と、第１トランシーバモジュールＴＲ
Ｘ１と、第２トランシーバモジュールＴＲＸ２と、電源モジュールＰＵＳ９とを
示している。ベーストランシーバシステムの機能を実施するために必要に応じて
他のモジュールも存在する。トランシーバは、各トランシーバとフィルタモジュ
ール３との間を接続する同軸ケーブル１４、１５により容易に交換することがで
きる。状態Ａに示された同軸接続は、トランシーバＴＲＸ１、ＴＲＸ２が送信器
として動作するのに必要なものであり、それらが受信器として動作するのに必要
な接続は図示されていない。モジュラーベーストランシーバシステムの利点は、
あるモジュールを、機能の異なる別のモジュールと交換できることである。例え
ば、第１トランシーバＴＲＸ１のコネクタ４０から同軸ケーブル１４を解除しそ
してそれをブースタモジュールの出力コネクタ６２に接続することにより、第１
トランシーバＴＲＸ１をブースタモジュール１２と交換することができる。他方
のトランシーバＴＲＸ２の同軸ケーブル１５は、ブースタモジュール１２の入力
コネクタ５２に接続される。
【００１５】 図４は、モジュラーベーストランシーバシステム１０に関連した図で、本発明
の特徴を示している。ベーストランシーバシステム１０は、複数の機能的モジュ
ールで構成され、その１つが機能的モジュール３０として個別に示されている。
残りのモジュールは、参照番号２０で示されており、簡単化のために、ここでは
ＢＴＳモジュール２０と称する。ＢＴＳモジュール２０と機能的モジュール３０
との組み合せが、モジュラーベーストランシーバシステム１０を構成する。
の特徴を示している。ベーストランシーバシステム１０は、複数の機能的モジュ
ールで構成され、その１つが機能的モジュール３０として個別に示されている。
残りのモジュールは、参照番号２０で示されており、簡単化のために、ここでは
ＢＴＳモジュール２０と称する。ＢＴＳモジュール２０と機能的モジュール３０
との組み合せが、モジュラーベーストランシーバシステム１０を構成する。
【００１６】 図３の例では、ＢＴＳモジュール２０は、ＴＲＸ２及び電源９を含み、一方、
機能的モジュール３０は、ＴＲＸ２の出力５３に接続されたフィルタ３であるか
、ＴＲＸ２の出力５３に接続された（フィルタの後に）ブースタモジュール１２
であるか、或いは電力増幅モジュール（図示せず）である。従って、ここに示す
実施形態では、機能的モジュール３０は、ＢＴＳモジュール２０の出力２２から
高周波信号（ＲＦ信号）２３を受け取る入力３２を有する。ＲＦ信号プロセッサ
３４は、ＲＦ信号２３を処理し、そしてその出力を出力３５に与える。ＲＦ信号
は、それらが送信されるか又は受信された周波数の信号である。又、機能的モジ
ュール３０は、ＩＤポート３８に識別信号（ＩＤ信号）３７を与えるＩＤ発生回
路３６も有する。ＩＤ信号３７は、機能的モジュール３０を、例えば、ブースタ
モジュール１２、電力増幅モジュール、又はフィルタモジュール３として識別す
る。機能的モジュール３０がブースターモジュールであるときには、ＲＦ信号プ
ロセッサは、ＴＲＸ２からの信号の電力レベルを、アンテナ５へ送信する前に、
ブーストする。機能的モジュール３０がフィルタモジュールであるときは、ＲＦ
信号プロセッサは、ＴＲＸからの信号（適宜ブーストされた）を、アンテナ５へ
送信する前に、フィルタする。機能的モジュール３０が電力増幅モジュールであ
るときには、ＲＦ信号プロセッサは、ＴＲＸ２からの信号の電力レベルを送信前
に増幅する。電力増幅は、ブースト及び／又はフィルタ動作の前に行なわれても
よい。上述したように、ＴＲＸは、フィルタモジュール３に直結することもでき
るし、又はブースタモジュール１２を経てフィルタ３に接続することもできるこ
とが容易に明らかである。
機能的モジュール３０は、ＴＲＸ２の出力５３に接続されたフィルタ３であるか
、ＴＲＸ２の出力５３に接続された（フィルタの後に）ブースタモジュール１２
であるか、或いは電力増幅モジュール（図示せず）である。従って、ここに示す
実施形態では、機能的モジュール３０は、ＢＴＳモジュール２０の出力２２から
高周波信号（ＲＦ信号）２３を受け取る入力３２を有する。ＲＦ信号プロセッサ
３４は、ＲＦ信号２３を処理し、そしてその出力を出力３５に与える。ＲＦ信号
は、それらが送信されるか又は受信された周波数の信号である。又、機能的モジ
ュール３０は、ＩＤポート３８に識別信号（ＩＤ信号）３７を与えるＩＤ発生回
路３６も有する。ＩＤ信号３７は、機能的モジュール３０を、例えば、ブースタ
モジュール１２、電力増幅モジュール、又はフィルタモジュール３として識別す
る。機能的モジュール３０がブースターモジュールであるときには、ＲＦ信号プ
ロセッサは、ＴＲＸ２からの信号の電力レベルを、アンテナ５へ送信する前に、
ブーストする。機能的モジュール３０がフィルタモジュールであるときは、ＲＦ
信号プロセッサは、ＴＲＸからの信号（適宜ブーストされた）を、アンテナ５へ
送信する前に、フィルタする。機能的モジュール３０が電力増幅モジュールであ
るときには、ＲＦ信号プロセッサは、ＴＲＸ２からの信号の電力レベルを送信前
に増幅する。電力増幅は、ブースト及び／又はフィルタ動作の前に行なわれても
よい。上述したように、ＴＲＸは、フィルタモジュール３に直結することもでき
るし、又はブースタモジュール１２を経てフィルタ３に接続することもできるこ
とが容易に明らかである。
【００１７】 ＢＴＳモジュール２０は、質問回路２６を備え、これは、受け取ったＩＤ信号
３７に基づいて機能的モジュール３０を識別し、そして接続された機能的モジュ
ールの識別に基づいてＢＴＳモジュール２０を構成する。 特定の形式の各機能的モジュール３０は、それを異なる形式の機能的モジュー
ル３０と区別する同じＩＤ信号を発生する。このＩＤ信号は、例えば、モジュー
ル３０の機能に基づいて変化する電圧レベルである。次いで、受信したＩＤ信号
３７を予想値と比較し、取り付けられた機能的モジュール３０の機能を決定する
ことができる。機能的モジュール３０の形式の識別を使用して、ＢＴＳモジュー
ル２０を適宜構成することによりベーストランシーバシステム１０の動作を制御
することができる。
３７に基づいて機能的モジュール３０を識別し、そして接続された機能的モジュ
ールの識別に基づいてＢＴＳモジュール２０を構成する。 特定の形式の各機能的モジュール３０は、それを異なる形式の機能的モジュー
ル３０と区別する同じＩＤ信号を発生する。このＩＤ信号は、例えば、モジュー
ル３０の機能に基づいて変化する電圧レベルである。次いで、受信したＩＤ信号
３７を予想値と比較し、取り付けられた機能的モジュール３０の機能を決定する
ことができる。機能的モジュール３０の形式の識別を使用して、ＢＴＳモジュー
ル２０を適宜構成することによりベーストランシーバシステム１０の動作を制御
することができる。
【００１８】 上述したように、ＢＴＳモジュール２０及び機能的モジュール３０は、同軸ケ
ーブルによって相互接続することができる。このような接続は、ＲＦ信号２３を
ＢＴＳモジュール２０から機能的モジュール３０へ通せると共に、ＩＤ信号３７
を機能的モジュール３０からＢＴＳモジュール２０へ通すことができる。 上述したように、ＧＳＭ規格におけるＲＦ信号は、上記のようにアップリンク
とダウンリンクとで分離されて、８９０−９６０ＭＨｚの範囲内にある。この規
格による無線通信は、この定められた周波数範囲内で生じ、そしてＲＦ信号は、
この範囲に適合される。ＢＴＳモジュール２０及び機能的モジュール３０が、Ｒ
Ｆ信号２３及びＩＤ信号３７の両方を同時に通す同軸ケーブルによって相互接続
されるときには、ＩＤ信号が直流で発生されるか、又は同じ同軸ケーブルに沿っ
て搬送できる低い周波数で発生される。
ーブルによって相互接続することができる。このような接続は、ＲＦ信号２３を
ＢＴＳモジュール２０から機能的モジュール３０へ通せると共に、ＩＤ信号３７
を機能的モジュール３０からＢＴＳモジュール２０へ通すことができる。 上述したように、ＧＳＭ規格におけるＲＦ信号は、上記のようにアップリンク
とダウンリンクとで分離されて、８９０−９６０ＭＨｚの範囲内にある。この規
格による無線通信は、この定められた周波数範囲内で生じ、そしてＲＦ信号は、
この範囲に適合される。ＢＴＳモジュール２０及び機能的モジュール３０が、Ｒ
Ｆ信号２３及びＩＤ信号３７の両方を同時に通す同軸ケーブルによって相互接続
されるときには、ＩＤ信号が直流で発生されるか、又は同じ同軸ケーブルに沿っ
て搬送できる低い周波数で発生される。
【００１９】 ＩＤ信号３７は、ＩＤ発生回路３６において発生される。しかしながら、この
発生のための電源は、機能的モジュール３０に配置されてもよいし、又はＢＴＳ
モジュール２０に配置されてもよい。図５ａないし５ｃは、ＩＤ発生回路３６及
び質問回路２６を示すもので、この場合、ＩＤ信号３７の電源は機能的モジュー
ル３０内に配置される。
発生のための電源は、機能的モジュール３０に配置されてもよいし、又はＢＴＳ
モジュール２０に配置されてもよい。図５ａないし５ｃは、ＩＤ発生回路３６及
び質問回路２６を示すもので、この場合、ＩＤ信号３７の電源は機能的モジュー
ル３０内に配置される。
【００２０】 図５ａは、ＢＴＳモジュール２０及び機能的モジュール３０を含むベーストラ
ンシーバシステム１０の一実施形態を示す図である。機能的モジュール３０内の
ＩＤ発生回路３６は、ＩＤ信号３７を確立して維持するための電力を与える。こ
のＩＤ発生回路３６は電圧源であり、ＩＤ信号３７は電圧レベルであり、そして
ＢＴＳモジュール２０の質問回路２６は電圧レベル検出器である。各形式の機能
的モジュールは、ＩＤ発生回路３６として異なる電圧源を有し、従って、ＩＤ信
号３７として異なる電圧レベルを与える。質問回路２６は、受け取った電圧レベ
ルを測定し、そして取り付けられた機能的モジュール３０を識別する。識別は、
測定された電圧レベルと記憶された電圧レベル値との比較によって行なうことが
でき、この場合、各々の記憶された電圧レベル値は、特定形式の機能的モジュー
ル３０に関連される。好ましい実施形態では、ＩＤ発生回路３６は、直流電圧を
与える電圧源である。ＩＤ発生回路３６は、電圧源として示されているが、例え
ば、電流源のようないかなるアクティブな発生器でも充分である。従って、質問
回路２６は、電流の形態のＩＤ信号に応答するように適応される。
ンシーバシステム１０の一実施形態を示す図である。機能的モジュール３０内の
ＩＤ発生回路３６は、ＩＤ信号３７を確立して維持するための電力を与える。こ
のＩＤ発生回路３６は電圧源であり、ＩＤ信号３７は電圧レベルであり、そして
ＢＴＳモジュール２０の質問回路２６は電圧レベル検出器である。各形式の機能
的モジュールは、ＩＤ発生回路３６として異なる電圧源を有し、従って、ＩＤ信
号３７として異なる電圧レベルを与える。質問回路２６は、受け取った電圧レベ
ルを測定し、そして取り付けられた機能的モジュール３０を識別する。識別は、
測定された電圧レベルと記憶された電圧レベル値との比較によって行なうことが
でき、この場合、各々の記憶された電圧レベル値は、特定形式の機能的モジュー
ル３０に関連される。好ましい実施形態では、ＩＤ発生回路３６は、直流電圧を
与える電圧源である。ＩＤ発生回路３６は、電圧源として示されているが、例え
ば、電流源のようないかなるアクティブな発生器でも充分である。従って、質問
回路２６は、電流の形態のＩＤ信号に応答するように適応される。
【００２１】 図５ｂは、図５ａの回路を使用するベーストランシーバシステム１０を示し、
この場合、ＲＦ信号２３及びＩＤ信号３７は、共通の相互接続部に沿ってＢＴＳ
モジュール２０と機能的モジュール３０との間に通される。共通の相互接続部は
図５ｂに示すように同軸ケーブルである。図４及び図５ａと共通の図５ｂの番号
は、同じ特徴を示す。機能的モジュール３０において、入力３２及びＩＤポート
３８は共通である。この共通ポートを経て受け取ったＲＦ信号２３は、ＲＦ信号
プロセッサ３４へ通される。ＩＤ発生回路３６、この場合は電圧源によって発生
されたＩＤ信号３７は、この共通ポート３２、３８及び同軸ケーブル４１を経て
ＢＴＳモジュール２０へ通される。参照番号２４は、ＲＦ信号２３を発生するた
めの機能的回路（例えば、プロセッサ７及びＲＦユニットＲＦＵ）を表わし、上
記信号２３は、出力２２に与えられそして同軸ケーブル４１に沿って送られる。
質問回路２６は、同軸ケーブル４１からＩＤ信号３７を受け取る。
この場合、ＲＦ信号２３及びＩＤ信号３７は、共通の相互接続部に沿ってＢＴＳ
モジュール２０と機能的モジュール３０との間に通される。共通の相互接続部は
図５ｂに示すように同軸ケーブルである。図４及び図５ａと共通の図５ｂの番号
は、同じ特徴を示す。機能的モジュール３０において、入力３２及びＩＤポート
３８は共通である。この共通ポートを経て受け取ったＲＦ信号２３は、ＲＦ信号
プロセッサ３４へ通される。ＩＤ発生回路３６、この場合は電圧源によって発生
されたＩＤ信号３７は、この共通ポート３２、３８及び同軸ケーブル４１を経て
ＢＴＳモジュール２０へ通される。参照番号２４は、ＲＦ信号２３を発生するた
めの機能的回路（例えば、プロセッサ７及びＲＦユニットＲＦＵ）を表わし、上
記信号２３は、出力２２に与えられそして同軸ケーブル４１に沿って送られる。
質問回路２６は、同軸ケーブル４１からＩＤ信号３７を受け取る。
【００２２】 図５ｃは、図５ｂの回路をいかに実施するかを示す。図５ｂと共通の図５ｃの
参照番号は、同じ特徴を示す。同軸ケーブル４１は、ＢＴＳモジュール２０から
機能的モジュール３０へＲＦ信号２３を供給すると共に、機能的モジュール３０
からＢＴＳモジュール２０へＩＤ信号３７を供給し、ＩＤ信号３７は、直流であ
る。これは、ＲＦチョーク、例えば、インダクタンス又は１／４波長トラック、
及びキャパシタの使用によって達成される。共通ポート３２、３８と、ＲＦ信号
プロセッサ３４との間には、キャパシタ３３が接続される。キャパシタ３３は、
高周波数のＲＦ信号２３には低いインピーダンスを与え、そして直流のＩＤ信号
３７には高いインピーダンスを与え、その結果、ＲＦ信号プロセッサ３４をＩＤ
信号３７から分離するが、ＲＦ信号２３の供給を妨げることはない。ＢＴＳモジ
ュール２０のキャパシタ２７は、機能的回路２４に対して全く同等に作用する。
ＲＦチョーク３９は、共通ポート３２、３８と、ＩＤ発生回路３６の電圧源との
間に接続される。ＲＦチョーク３９は、高周波数のＲＦ信号２３に対して高いイ
ンピーダンスを与え、そして直流のＩＤ信号３７に対して低いインピーダンスを
与える。従って、ＲＦチョーク３９は、ＩＤ発生回路３６の電圧源をＲＦ信号２
３から分離するが、ＩＤ信号３７の通過を妨げることはない。ＢＴＳモジュール
２０のＲＦチョーク２８も同様に作用する。機能的モジュール３０のキャパシタ
３１は、ＩＤ発生回路３６の出力をＲＦチョーク３９に接続するノードと、アー
スとの間に接続される。これは、高周波信号に対しアースへの低インピーダンス
経路を与える。ＢＴＳモジュール２０のキャパシタ２１も同様に作用する。
参照番号は、同じ特徴を示す。同軸ケーブル４１は、ＢＴＳモジュール２０から
機能的モジュール３０へＲＦ信号２３を供給すると共に、機能的モジュール３０
からＢＴＳモジュール２０へＩＤ信号３７を供給し、ＩＤ信号３７は、直流であ
る。これは、ＲＦチョーク、例えば、インダクタンス又は１／４波長トラック、
及びキャパシタの使用によって達成される。共通ポート３２、３８と、ＲＦ信号
プロセッサ３４との間には、キャパシタ３３が接続される。キャパシタ３３は、
高周波数のＲＦ信号２３には低いインピーダンスを与え、そして直流のＩＤ信号
３７には高いインピーダンスを与え、その結果、ＲＦ信号プロセッサ３４をＩＤ
信号３７から分離するが、ＲＦ信号２３の供給を妨げることはない。ＢＴＳモジ
ュール２０のキャパシタ２７は、機能的回路２４に対して全く同等に作用する。
ＲＦチョーク３９は、共通ポート３２、３８と、ＩＤ発生回路３６の電圧源との
間に接続される。ＲＦチョーク３９は、高周波数のＲＦ信号２３に対して高いイ
ンピーダンスを与え、そして直流のＩＤ信号３７に対して低いインピーダンスを
与える。従って、ＲＦチョーク３９は、ＩＤ発生回路３６の電圧源をＲＦ信号２
３から分離するが、ＩＤ信号３７の通過を妨げることはない。ＢＴＳモジュール
２０のＲＦチョーク２８も同様に作用する。機能的モジュール３０のキャパシタ
３１は、ＩＤ発生回路３６の出力をＲＦチョーク３９に接続するノードと、アー
スとの間に接続される。これは、高周波信号に対しアースへの低インピーダンス
経路を与える。ＢＴＳモジュール２０のキャパシタ２１も同様に作用する。
【００２３】 ＩＤ信号は、直流である必要はなく、ＲＦ信号２３より著しく低い周波数であ
ってもよい。識別周波数は、定められた周波数範囲の周波数値の１／１０又は１
／１００であるのが好ましい。 従って、ＩＤ発生回路３６の電圧源により発生されるＩＤ信号３７は、ＲＦチ
ョーク３９、共通部分３２、３８、同軸ケーブル４１、ＲＦチョーク２８を経て
進行し、そして質問回路２６に受け取られる。機能的回路２４に発生されたＲＦ
信号２３は、キャパシタ２７、同軸ケーブル４１、キャパシタ３３を通過し、そ
してＲＦ信号プロセッサユニット３４に受け取られる。 ＩＤ発生回路３６と共に、ＩＤ信号３７の電力がＢＴＳモジュール２０によっ
て供給される質問回路２６を示した図６ａ−６ｃについて説明する。
ってもよい。識別周波数は、定められた周波数範囲の周波数値の１／１０又は１
／１００であるのが好ましい。 従って、ＩＤ発生回路３６の電圧源により発生されるＩＤ信号３７は、ＲＦチ
ョーク３９、共通部分３２、３８、同軸ケーブル４１、ＲＦチョーク２８を経て
進行し、そして質問回路２６に受け取られる。機能的回路２４に発生されたＲＦ
信号２３は、キャパシタ２７、同軸ケーブル４１、キャパシタ３３を通過し、そ
してＲＦ信号プロセッサユニット３４に受け取られる。 ＩＤ発生回路３６と共に、ＩＤ信号３７の電力がＢＴＳモジュール２０によっ
て供給される質問回路２６を示した図６ａ−６ｃについて説明する。
【００２４】 図６ａは、ＢＴＳモジュール２０が機能的モジュール３０に電力を供給し、こ
れにより、機能的モジュールがＩＤ信号３７を発生できるベーストランシーバシ
ステム１０（図４について既に述べた）を示す図である。機能的モジュール３０
は、接地点とＩＤポート３８との間に接続されたインピーダンスＺ２を含むＩＤ
発生回路３６を有している。ＢＴＳモジュール２０は、電圧源２５、インピーダ
ンスＺ１及び電圧レベル検出回路２９を含む質問回路２６を有する。ＢＴＳモジ
ュール２０及び機能的モジュール３０は、インピーダンスＺ１及びＺ２が機能的
モジュール３０の接地点とＢＴＳモジュール２０の電圧源２５との間に直列接続
された電圧分割回路を形成するように接続される。電圧レベル検出回路２９は、
インピーダンスＺ２（又はＺ１）にまたがる電圧を測定する。その結果、既知の
電圧源２５に対して、Ｚ２の異なる値は、異なる形式の機能的モジュール３０を
特徴付ける。
れにより、機能的モジュールがＩＤ信号３７を発生できるベーストランシーバシ
ステム１０（図４について既に述べた）を示す図である。機能的モジュール３０
は、接地点とＩＤポート３８との間に接続されたインピーダンスＺ２を含むＩＤ
発生回路３６を有している。ＢＴＳモジュール２０は、電圧源２５、インピーダ
ンスＺ１及び電圧レベル検出回路２９を含む質問回路２６を有する。ＢＴＳモジ
ュール２０及び機能的モジュール３０は、インピーダンスＺ１及びＺ２が機能的
モジュール３０の接地点とＢＴＳモジュール２０の電圧源２５との間に直列接続
された電圧分割回路を形成するように接続される。電圧レベル検出回路２９は、
インピーダンスＺ２（又はＺ１）にまたがる電圧を測定する。その結果、既知の
電圧源２５に対して、Ｚ２の異なる値は、異なる形式の機能的モジュール３０を
特徴付ける。
【００２５】 ＲＦ信号の周波数範囲において、波の反射を防止するために、接続するモジュ
ールの入力インピーダンスと出力インピーダンスが一般的にマッチングされる。
ＲＦ周波数範囲内では、モジュールへの入力インピーダンスが通常５０オームで
ある。しかしながら、設計により、直流では、異なる形式の機能的モジュールが
異なるインピーダンス値を有し、そして同じ形式のモジュールが同じインピーダ
ンス値を有することができる。従って、質問回路が質問信号を機能的モジュール
に送信する場合には、機能的モジュールの測定されたインピーダンス、即ちＩＤ
信号が、機能的モジュールの形式を識別する。
ールの入力インピーダンスと出力インピーダンスが一般的にマッチングされる。
ＲＦ周波数範囲内では、モジュールへの入力インピーダンスが通常５０オームで
ある。しかしながら、設計により、直流では、異なる形式の機能的モジュールが
異なるインピーダンス値を有し、そして同じ形式のモジュールが同じインピーダ
ンス値を有することができる。従って、質問回路が質問信号を機能的モジュール
に送信する場合には、機能的モジュールの測定されたインピーダンス、即ちＩＤ
信号が、機能的モジュールの形式を識別する。
【００２６】 ここに述べる実施形態では、電圧源２５は、一定の直流電圧を発生し、そして
インピーダンスＺ１及びＺ２は抵抗である。電圧レベル検出回路２９は、受け取
った電圧レベルを測定し、そして取り付けられた機能的モジュール３０を識別す
る。識別は、測定された電圧レベルと記憶された電圧レベル値との比較により行
なわれ、この場合、記憶された電圧レベル値の各々は、特定形式の機能的モジュ
ール３０に関連される。 機能的モジュールの識別は、連続的に行うことができる。或いは又、ＩＤ発生
回路３６は、例えば、機能的モジュール３０が最初にＢＴＳモジュールに取り付
けられたときには短い時間中だけイネーブルされてもよいし、又はベーストラン
シーバシステム１０の初期シーケンス中にイネーブルされてもよい。
インピーダンスＺ１及びＺ２は抵抗である。電圧レベル検出回路２９は、受け取
った電圧レベルを測定し、そして取り付けられた機能的モジュール３０を識別す
る。識別は、測定された電圧レベルと記憶された電圧レベル値との比較により行
なわれ、この場合、記憶された電圧レベル値の各々は、特定形式の機能的モジュ
ール３０に関連される。 機能的モジュールの識別は、連続的に行うことができる。或いは又、ＩＤ発生
回路３６は、例えば、機能的モジュール３０が最初にＢＴＳモジュールに取り付
けられたときには短い時間中だけイネーブルされてもよいし、又はベーストラン
シーバシステム１０の初期シーケンス中にイネーブルされてもよい。
【００２７】 図６ｂは、ＲＦ信号２３及びＩＤ信号３７が共通の相互接続部に沿ってＢＴＳ
モジュール２０と機能的モジュール３０との間に通過する図６ａの回路を使用す
るベーストランシーバシステム１０を示す。共通の相互接続部は、図６ｂに示す
ように同軸ケーブル４１である。図４及び図６ａと共通の図６ｂの番号は、同じ
特徴を指す。機能的モジュール３０において、入力３２とＩＤポート３８は共通
である。この共通のポート３２、３８を経て受け取られたＲＦ信号２３は、ＲＦ
信号プロセッサ３４へ通される。ＩＤ発生回路３６に発生されたＩＤ信号３７は
、この共通ポート３２、３８及び同軸ケーブル４１を経てＢＴＳモジュール２０
へ通される。ＢＴＳモジュール２０は、前記したように、ＲＦ信号２３を発生す
るための機能的回路２４を有し、ＲＦ信号は、出力２２に与えられそして同軸ケ
ーブル４１に沿って送られる。質問回路２６（この場合は、電圧レベル検出回路
２９を含む）は、同軸ケーブル４１からＩＤ信号３７を受け取る。ＩＤ信号３７
の電圧レベルは、電圧レベル検出器２９により検出される。Ｚ２に間に発生され
たＩＤ信号３７は、共通の相互接続部に通され、電圧レベル検出回路２９により
測定される。ＩＤ信号３７は、質問信号による励起に対する電圧分割回路の応答
に依存する。
モジュール２０と機能的モジュール３０との間に通過する図６ａの回路を使用す
るベーストランシーバシステム１０を示す。共通の相互接続部は、図６ｂに示す
ように同軸ケーブル４１である。図４及び図６ａと共通の図６ｂの番号は、同じ
特徴を指す。機能的モジュール３０において、入力３２とＩＤポート３８は共通
である。この共通のポート３２、３８を経て受け取られたＲＦ信号２３は、ＲＦ
信号プロセッサ３４へ通される。ＩＤ発生回路３６に発生されたＩＤ信号３７は
、この共通ポート３２、３８及び同軸ケーブル４１を経てＢＴＳモジュール２０
へ通される。ＢＴＳモジュール２０は、前記したように、ＲＦ信号２３を発生す
るための機能的回路２４を有し、ＲＦ信号は、出力２２に与えられそして同軸ケ
ーブル４１に沿って送られる。質問回路２６（この場合は、電圧レベル検出回路
２９を含む）は、同軸ケーブル４１からＩＤ信号３７を受け取る。ＩＤ信号３７
の電圧レベルは、電圧レベル検出器２９により検出される。Ｚ２に間に発生され
たＩＤ信号３７は、共通の相互接続部に通され、電圧レベル検出回路２９により
測定される。ＩＤ信号３７は、質問信号による励起に対する電圧分割回路の応答
に依存する。
【００２８】 図６ｃは、図６ｂの回路をいかに実施するかを示す。図６ｂと共通の図６ｃの
参照番号は同じ特徴を指す。同軸ケーブル４１は、ＲＦ信号２３及び直流の質問
信号をＢＴＳモジュール２０から機能的モジュール３０へ供給すると共に、ＩＤ
信号３７を機能的モジュール３０からＢＴＳ２０へ供給する。ＲＦチョーク、例
えば、インダクタンス又は１／４波長トラック、及びキャパシタが使用される。
共通ポート３２、３８とＲＦ信号プロセッサ３４との間にキャパシタ３３が接続
される。キャパシタ３３は、高周波数のＲＦ信号２３には低いインピーダンスを
与え、そして直流のＩＤ信号３７及び質問信号には高いインピーダンスを与え、
従って、ＲＦ信号プロセッサ３４をＩＤ信号３７及び質問信号から分離するが、
ＲＦ信号２３の供給を妨げることはない。同軸ケーブル４１と機能的回路２４と
の間に接続されたＢＴＳモジュール２０のキャパシタ２７は、機能的回路２４に
対して同様に作用する。共通ポート３２、３８と、ＩＤ発生回路３６との間には
ＲＦチョーク３９が接続される。ＲＦチョーク３９は、高周波数のＲＦ信号２３
に対して高いインピーダンスを与え、そして直流のＩＤ信号３７及び質問信号に
対して低いインピーダンスを与える。従って、ＲＦチョーク３９は、電圧発生器
３６をＲＦ信号２３から分離するが、ＩＤ信号３７及び質問信号の通過を妨げる
ものではない。ＢＴＳモジュール２０のＲＦチョーク２８は、全く同様に作用す
る。ＩＤ発生回路３６の出力をＲＦチョーク３９に接続するノードと、アースと
の間に機能的モジュール３０のキャパシタ３１が接続される。これは、周波数の
高い信号に対しアースへの低インピーダンス路を与える。ＢＴＳモジュール２０
のキャパシタ２１も同様に作用する。
参照番号は同じ特徴を指す。同軸ケーブル４１は、ＲＦ信号２３及び直流の質問
信号をＢＴＳモジュール２０から機能的モジュール３０へ供給すると共に、ＩＤ
信号３７を機能的モジュール３０からＢＴＳ２０へ供給する。ＲＦチョーク、例
えば、インダクタンス又は１／４波長トラック、及びキャパシタが使用される。
共通ポート３２、３８とＲＦ信号プロセッサ３４との間にキャパシタ３３が接続
される。キャパシタ３３は、高周波数のＲＦ信号２３には低いインピーダンスを
与え、そして直流のＩＤ信号３７及び質問信号には高いインピーダンスを与え、
従って、ＲＦ信号プロセッサ３４をＩＤ信号３７及び質問信号から分離するが、
ＲＦ信号２３の供給を妨げることはない。同軸ケーブル４１と機能的回路２４と
の間に接続されたＢＴＳモジュール２０のキャパシタ２７は、機能的回路２４に
対して同様に作用する。共通ポート３２、３８と、ＩＤ発生回路３６との間には
ＲＦチョーク３９が接続される。ＲＦチョーク３９は、高周波数のＲＦ信号２３
に対して高いインピーダンスを与え、そして直流のＩＤ信号３７及び質問信号に
対して低いインピーダンスを与える。従って、ＲＦチョーク３９は、電圧発生器
３６をＲＦ信号２３から分離するが、ＩＤ信号３７及び質問信号の通過を妨げる
ものではない。ＢＴＳモジュール２０のＲＦチョーク２８は、全く同様に作用す
る。ＩＤ発生回路３６の出力をＲＦチョーク３９に接続するノードと、アースと
の間に機能的モジュール３０のキャパシタ３１が接続される。これは、周波数の
高い信号に対しアースへの低インピーダンス路を与える。ＢＴＳモジュール２０
のキャパシタ２１も同様に作用する。
【００２９】 質問信号及びそれに応答するＩＤ信号３７は、ＲＦチョーク３９、共通ポート
３２、３８、同軸ケーブル４１、及びＲＦチョーク２８を経て進行し、ＩＤ信号
は質問回路２６に受け取られる。機能的回路２４に発生されたＲＦ信号は、キャ
パシタ２７、同軸ケーブル４１、キャパシタ３３を通過し、そしてＲＦユニット
３４に受け取られる。 図６ａ−６ｃは、ＩＤ信号３７を発生するためのエネルギーを供給するＢＴＳ
モジュール２０を示している。これらの各図におけるエネルギー供給源は、電圧
源２５である。図７には、ＢＴＳモジュール２０の質問回路２６における電圧源
２５及びインピーダンスＺ１が電流源に置き換えられた別の構成体が示されてい
る。電流源は、ＩＤ信号３７を発生するための電力（質問信号）を供給する。 本発明の特定のそして特に効果的な実施形態を示した図８ないし１２について
以下に説明する。
３２、３８、同軸ケーブル４１、及びＲＦチョーク２８を経て進行し、ＩＤ信号
は質問回路２６に受け取られる。機能的回路２４に発生されたＲＦ信号は、キャ
パシタ２７、同軸ケーブル４１、キャパシタ３３を通過し、そしてＲＦユニット
３４に受け取られる。 図６ａ−６ｃは、ＩＤ信号３７を発生するためのエネルギーを供給するＢＴＳ
モジュール２０を示している。これらの各図におけるエネルギー供給源は、電圧
源２５である。図７には、ＢＴＳモジュール２０の質問回路２６における電圧源
２５及びインピーダンスＺ１が電流源に置き換えられた別の構成体が示されてい
る。電流源は、ＩＤ信号３７を発生するための電力（質問信号）を供給する。 本発明の特定のそして特に効果的な実施形態を示した図８ないし１２について
以下に説明する。
【００３０】 図８は、トランシーバＴＲＸ内の電力レベリングループを示す。増幅回路４は
、第１及び第２の前置増幅器１２４、１２６を伴う前置増幅段４ａと、電力ＲＦ
増幅器１２８を伴う電力増幅段４ｂとを備えている。前置増幅段４ａは、変調さ
れた搬送波をＲＦ入力信号１０８として受け取る。又、前置増幅段４ａは、利得
制御回路１３０、例えば、可変電圧減衰器（ＶＶＡ）１３０も備えている。この
ＶＶＡ１３０は、第１及び第２の増幅器１２４、１２６間に接続され、そして積
分器１３４より成る比較回路から制御入力１３２を受け取る。積分器１３４は、
標準的な積分器であり、ここでは詳細に述べないが、図１０に幾つかの部品が示
されている。適当な積分器が図１１に示されている。前置増幅段４ａに入力され
たＲＦ信号１０８は、第１ＲＦ増幅器１２４によって増幅された後に、ＶＶＡ１
３０及び第２増幅器１２６へ供給される。第２増幅器１２６は、更に、制御信号
１３２によりＶＶＡ１３０にセットされた減衰に基づいて信号を増幅する。この
ようにして増幅された信号は、大部分の電力増幅を行う電力ＲＦ増幅器１２８に
供給される。増幅された信号Ｖａｍｐは、循環回路１４６を経てフィルタ回路３
に供給される。参照番号３２は、フィルタ回路３へのコネクタを示す。
、第１及び第２の前置増幅器１２４、１２６を伴う前置増幅段４ａと、電力ＲＦ
増幅器１２８を伴う電力増幅段４ｂとを備えている。前置増幅段４ａは、変調さ
れた搬送波をＲＦ入力信号１０８として受け取る。又、前置増幅段４ａは、利得
制御回路１３０、例えば、可変電圧減衰器（ＶＶＡ）１３０も備えている。この
ＶＶＡ１３０は、第１及び第２の増幅器１２４、１２６間に接続され、そして積
分器１３４より成る比較回路から制御入力１３２を受け取る。積分器１３４は、
標準的な積分器であり、ここでは詳細に述べないが、図１０に幾つかの部品が示
されている。適当な積分器が図１１に示されている。前置増幅段４ａに入力され
たＲＦ信号１０８は、第１ＲＦ増幅器１２４によって増幅された後に、ＶＶＡ１
３０及び第２増幅器１２６へ供給される。第２増幅器１２６は、更に、制御信号
１３２によりＶＶＡ１３０にセットされた減衰に基づいて信号を増幅する。この
ようにして増幅された信号は、大部分の電力増幅を行う電力ＲＦ増幅器１２８に
供給される。増幅された信号Ｖａｍｐは、循環回路１４６を経てフィルタ回路３
に供給される。参照番号３２は、フィルタ回路３へのコネクタを示す。
【００３１】 積分回路１３４は、電力増幅器１２８からの増幅された信号Ｖａｍｐのピーク
電圧を表わす検出された電圧レベルＶｄｅｔを受け取る。検出された電圧レベル
は、電力カプラー１４４から導出される増幅された信号の割合から検出回路１２
０により検出される。このカプラーは、エッジ結合された並列ラインのマイクロ
ストリップハイブリッド方向性カプラーとして実施することができる。又、積分
器は、プロセッサ７から電力制御信号Ｖｃを受け取り、そしてＶｃとＶｄｅｔと
の間の差１３２を決定する。電力制御信号Ｖｃは、図９に例示されたＴＤＭＡシ
ステムにおいて各信号バーストに対して電圧レベル及び傾斜時間を定めるための
電圧包絡線の形態をとる。各バーストに対する傾斜時間及び巾は、ＧＳＭ規格に
基づいて設定される。典型的な値は、傾斜時間が１０μｓであり、そしてバース
トの巾が５７７μｓである。電圧包絡線の振幅は、所要の電力レベルに依存し、
これは、セルラー移動通信ネットワークにおけるセルサイズ、アンテナの電力効
率、及び移動ステーションにより報告される信号強度を含む多数の異なるパラメ
ータに基づいて設定される。ＶｃとＶｄｅｔ１３２との間の差は、ＶＶＡ１３０
に付与され、その減衰度を制御する。従って、電力レベリングループが確立され
る。
電圧を表わす検出された電圧レベルＶｄｅｔを受け取る。検出された電圧レベル
は、電力カプラー１４４から導出される増幅された信号の割合から検出回路１２
０により検出される。このカプラーは、エッジ結合された並列ラインのマイクロ
ストリップハイブリッド方向性カプラーとして実施することができる。又、積分
器は、プロセッサ７から電力制御信号Ｖｃを受け取り、そしてＶｃとＶｄｅｔと
の間の差１３２を決定する。電力制御信号Ｖｃは、図９に例示されたＴＤＭＡシ
ステムにおいて各信号バーストに対して電圧レベル及び傾斜時間を定めるための
電圧包絡線の形態をとる。各バーストに対する傾斜時間及び巾は、ＧＳＭ規格に
基づいて設定される。典型的な値は、傾斜時間が１０μｓであり、そしてバース
トの巾が５７７μｓである。電圧包絡線の振幅は、所要の電力レベルに依存し、
これは、セルラー移動通信ネットワークにおけるセルサイズ、アンテナの電力効
率、及び移動ステーションにより報告される信号強度を含む多数の異なるパラメ
ータに基づいて設定される。ＶｃとＶｄｅｔ１３２との間の差は、ＶＶＡ１３０
に付与され、その減衰度を制御する。従って、電力レベリングループが確立され
る。
【００３２】 図８は、全ての増幅段が電力レベリングループ内に含まれたトランシーバに対
する既存の電力制御アーキテクチャーを示す。しかしながら、拡張されたセルの
応用に対し、電力ブースタが時々必要になる。ブーストされる電力レベルを正確
に制御することも必要とされるので、電力レベリングループ内にブースタを配置
することが望ましい。 図１０は、ブースタモジュール１２が存在する電力レベリングループのコンフ
ィギュレーションを示す回路図である。図８と同じ部分が同じ番号で示されてい
る。図１０の回路は、本出願人の英国特許出願第９７０６４２３．２号に開示さ
れた回路と同様であり、その内容を参考としてここに援用する。
する既存の電力制御アーキテクチャーを示す。しかしながら、拡張されたセルの
応用に対し、電力ブースタが時々必要になる。ブーストされる電力レベルを正確
に制御することも必要とされるので、電力レベリングループ内にブースタを配置
することが望ましい。 図１０は、ブースタモジュール１２が存在する電力レベリングループのコンフ
ィギュレーションを示す回路図である。図８と同じ部分が同じ番号で示されてい
る。図１０の回路は、本出願人の英国特許出願第９７０６４２３．２号に開示さ
れた回路と同様であり、その内容を参考としてここに援用する。
【００３３】 ブースタモジュール１２は、ブーストされた信号Ｖｂｏｏｓｔを発生するＲＦ
増幅器１１８を含む。電力増幅回路４は、２つのピーク検出器の第１検出器１２
０を含む。２つのピーク検出器の第２検出器１２２は、ブースタ回路１２におい
てＲＦ増幅器の後に接続される。ブーストされた信号Ｖｂｏｏｓｔの一部分は、
カプラー１５８を経て第２検出器１２２に接続される。ここに示す実施形態にお
いては、カプラーが、エッジ接続された並列ラインのマイクロストリップハイブ
リッド方向性カプラーであるが、他の実施も考えられる。ブーストされた信号Ｖ
ｂｏｏｓｔの主成分は、フィルタ回路に供給するために、循環回路１６０を経て
出力コネクタ３５へ供給される。第２検出器１２２は、ブーストされたＲＦ信号
Ｖｂｏｏｓｔのピーク電圧を表わす検出された電圧レベルＶBDETを供給する。第
２検出器１２２からの出力信号は、同軸ケーブル１５を経て電力増幅器４の電力
レベリング回路１３０、１３４へ送信されて戻される。
増幅器１１８を含む。電力増幅回路４は、２つのピーク検出器の第１検出器１２
０を含む。２つのピーク検出器の第２検出器１２２は、ブースタ回路１２におい
てＲＦ増幅器の後に接続される。ブーストされた信号Ｖｂｏｏｓｔの一部分は、
カプラー１５８を経て第２検出器１２２に接続される。ここに示す実施形態にお
いては、カプラーが、エッジ接続された並列ラインのマイクロストリップハイブ
リッド方向性カプラーであるが、他の実施も考えられる。ブーストされた信号Ｖ
ｂｏｏｓｔの主成分は、フィルタ回路に供給するために、循環回路１６０を経て
出力コネクタ３５へ供給される。第２検出器１２２は、ブーストされたＲＦ信号
Ｖｂｏｏｓｔのピーク電圧を表わす検出された電圧レベルＶBDETを供給する。第
２検出器１２２からの出力信号は、同軸ケーブル１５を経て電力増幅器４の電力
レベリング回路１３０、１３４へ送信されて戻される。
【００３４】 同軸ケーブル１５は、増幅された信号Ｖａｍｐを電力増幅器４からブースタ１
２へ供給すると共に、ブースタ１２からのブーストされた信号の検出レベルＶBD ET をＴＲＸ２へ返送する。これは、ＲＦチョーク３９、例えば、インダクタンス
又は１／４波長トラック及びキャパシタ３３、３１の使用により達成される。Ｒ
Ｆチョーク３９及びキャパシタ３１は、入力コネクタ５２（３２）と接地点との
間に直列に接続される。キャパシタ３３は、入力コネクタ５２（３２）とＲＦブ
ースト増幅器１１８との間に接続される。検出レベルＶBDETは、ＲＦチョーク３
９とキャパシタ３１との接続部に供給される。
２へ供給すると共に、ブースタ１２からのブーストされた信号の検出レベルＶBD ET をＴＲＸ２へ返送する。これは、ＲＦチョーク３９、例えば、インダクタンス
又は１／４波長トラック及びキャパシタ３３、３１の使用により達成される。Ｒ
Ｆチョーク３９及びキャパシタ３１は、入力コネクタ５２（３２）と接地点との
間に直列に接続される。キャパシタ３３は、入力コネクタ５２（３２）とＲＦブ
ースト増幅器１１８との間に接続される。検出レベルＶBDETは、ＲＦチョーク３
９とキャパシタ３１との接続部に供給される。
【００３５】 検出レベルＶBDETは、非常にゆっくりと変化し、そして長い時間にわたって一
定の直流レベルにあることが明らかである。変化の周波数は、ＴＤＭＡバースト
のバースト周波数に関連している。いずれにせよ、キャパシタは、検出レベルＶ BDET に対する開路を表わし、一方、ＲＦチョークは、低抵抗経路を表わす。従っ
て、検出レベルは、ＲＦチョーク３９を経、同軸ケーブル１５を経てトランシー
バＴＲＸ２の出力５３（２２）に送信される。これは、キャパシタ３３によりＲ
Ｆ増幅器１１８に影響を及ぼすことが防止される。ＴＲＸの電力増幅段４ｂにも
、検出レベルＶBDETを受け取るために、同様のＲＦチョーク及びキャパシタ構成
体が設けられる。従って、キャパシタ２７は、検出レベルが電力増幅器１２８に
フィードバックされるのを防止し、一方、ＲＦチョーク２８は、ライン４２に沿
ってそれを前置増幅段４ａへ送信する。
定の直流レベルにあることが明らかである。変化の周波数は、ＴＤＭＡバースト
のバースト周波数に関連している。いずれにせよ、キャパシタは、検出レベルＶ BDET に対する開路を表わし、一方、ＲＦチョークは、低抵抗経路を表わす。従っ
て、検出レベルは、ＲＦチョーク３９を経、同軸ケーブル１５を経てトランシー
バＴＲＸ２の出力５３（２２）に送信される。これは、キャパシタ３３によりＲ
Ｆ増幅器１１８に影響を及ぼすことが防止される。ＴＲＸの電力増幅段４ｂにも
、検出レベルＶBDETを受け取るために、同様のＲＦチョーク及びキャパシタ構成
体が設けられる。従って、キャパシタ２７は、検出レベルが電力増幅器１２８に
フィードバックされるのを防止し、一方、ＲＦチョーク２８は、ライン４２に沿
ってそれを前置増幅段４ａへ送信する。
【００３６】 ライン１４２は、ブーストされた信号の検出レベルＶBDETを３端子スイッチ１
３６の１つの入力に供給するために前置増幅段４ａへフィードスルーされる。ス
イッチ１３６の第２入力は、図８について述べたように、元の電力レベリングル
ープから増幅された信号の検出レベルＶｄｅｔを受け取る。 前置増幅段４ａのスイッチ１３６は、ブースタが取り付けられた場合に、第１
検出器１２０からの出力Ｖｄｅｔ、又は第２検出器１２２からの出力ＶBDETのい
ずれかを積分器１３４へ与えるのに使用される。制御信号１３８は、積分器１３
４にどの入力が付与されるかを決定する。
３６の１つの入力に供給するために前置増幅段４ａへフィードスルーされる。ス
イッチ１３６の第２入力は、図８について述べたように、元の電力レベリングル
ープから増幅された信号の検出レベルＶｄｅｔを受け取る。 前置増幅段４ａのスイッチ１３６は、ブースタが取り付けられた場合に、第１
検出器１２０からの出力Ｖｄｅｔ、又は第２検出器１２２からの出力ＶBDETのい
ずれかを積分器１３４へ与えるのに使用される。制御信号１３８は、積分器１３
４にどの入力が付与されるかを決定する。
【００３７】 制御信号１３８は、ライン１４２から入力を受け取る質問モジュール２６によ
って供給される。質問モジュール２６への入力は、ブースタ１２内に収容されて
ＲＦチョーク３９とキャパシタ３１との間のノードに接続されたＩＤ発生回路３
６により与えられる。質問モジュール２６とＩＤ発生回路３６との接続は、図５
ｃ及び６ｃに示すように達成され、そしてこれらの回路は、これらの図面を参照
して説明したように動作する。特に、ＩＤ発生回路３６は、出力ノード５３（Ｒ
Ｆ出力２２として働く）へのブースタ１２の接続を識別するＩＤ信号３７を発生
する。この信号は、質問モジュール２６内の検出回路により検出されると、制御
出力１３８を発生する。この出力は、スイッチ１３６を制御し、そしてライン１
４２が積分器１３４に接続されるよう確保する。図６ｃに基づく１つの実施形態
では、ＩＤ発生回路３６は、５０オームでないインピーダンスＺ２を有する。
って供給される。質問モジュール２６への入力は、ブースタ１２内に収容されて
ＲＦチョーク３９とキャパシタ３１との間のノードに接続されたＩＤ発生回路３
６により与えられる。質問モジュール２６とＩＤ発生回路３６との接続は、図５
ｃ及び６ｃに示すように達成され、そしてこれらの回路は、これらの図面を参照
して説明したように動作する。特に、ＩＤ発生回路３６は、出力ノード５３（Ｒ
Ｆ出力２２として働く）へのブースタ１２の接続を識別するＩＤ信号３７を発生
する。この信号は、質問モジュール２６内の検出回路により検出されると、制御
出力１３８を発生する。この出力は、スイッチ１３６を制御し、そしてライン１
４２が積分器１３４に接続されるよう確保する。図６ｃに基づく１つの実施形態
では、ＩＤ発生回路３６は、５０オームでないインピーダンスＺ２を有する。
【００３８】 図１２について説明する。この図は、ブースタモジュール１２がアンテナフィ
ルタモジュール３に置き換えられたこと以外は、図１０と同じである。アンテナ
フィルタモジュール３は、循環回路１７１を含む。この循環回路は、同軸ケーブ
ル１５を経て電力増幅回路４ｂに接続された共通ポート５４（３２）と、接地さ
れたインピーダンスＺ３と、同軸ケーブル１５を経て受け取ったＲＦ信号をフィ
ルタするように動作する機能的回路１７２とに接続される。インピーダンスＺ３
は、同軸ケーブル１５の特性インピーダンス、例えば、５０オームである。図１
２の回路において、接地点と循環回路１７１との間の接続及びインピーダンスＺ
３は、ＩＤ発生回路３６のように動作する。このＩＤ発生回路は、図１０のＩＤ
発生回路とは著しく異なり、質問モジュール２６は、ブースタの存在とフィルタ
の存在を弁別することができる。質問モジュール２６は、ライン１４２を経て受
け取った信号に基づき、スイッチ１３６を制御する。この場合に、質問モジュー
ルは、電力増幅器４ｂの出力に接続されたブースタ回路１２の存在を識別しない
ので、質問モジュールは、ライン１４２を積分器１３４に接続するようにスイッ
チ１３６を制御しない。その結果、図１２に示す回路の電力制御ループは、図８
に示したものと同等である。
ルタモジュール３に置き換えられたこと以外は、図１０と同じである。アンテナ
フィルタモジュール３は、循環回路１７１を含む。この循環回路は、同軸ケーブ
ル１５を経て電力増幅回路４ｂに接続された共通ポート５４（３２）と、接地さ
れたインピーダンスＺ３と、同軸ケーブル１５を経て受け取ったＲＦ信号をフィ
ルタするように動作する機能的回路１７２とに接続される。インピーダンスＺ３
は、同軸ケーブル１５の特性インピーダンス、例えば、５０オームである。図１
２の回路において、接地点と循環回路１７１との間の接続及びインピーダンスＺ
３は、ＩＤ発生回路３６のように動作する。このＩＤ発生回路は、図１０のＩＤ
発生回路とは著しく異なり、質問モジュール２６は、ブースタの存在とフィルタ
の存在を弁別することができる。質問モジュール２６は、ライン１４２を経て受
け取った信号に基づき、スイッチ１３６を制御する。この場合に、質問モジュー
ルは、電力増幅器４ｂの出力に接続されたブースタ回路１２の存在を識別しない
ので、質問モジュールは、ライン１４２を積分器１３４に接続するようにスイッ
チ１３６を制御しない。その結果、図１２に示す回路の電力制御ループは、図８
に示したものと同等である。
【００３９】 スイッチ１３６の制御は、質問モジュールの感度と、図１０及び１２のＩＤ発
生回路の相違点、即ちＺ３がＺ２と充分に相違することとに依存することが明ら
かであろう。 従って、図１２に示す回路では、ブースタが存在せずそして電力増幅器４ｂが
フィルタに接続されたときに、電力増幅された信号Ｖａｍｐは、第１検出器１２
０、積分器１３４及び減衰回路３０で構成された電力レベリングループを経てそ
のレベルが制御され、そしてこの信号は、ＴＲＸの出力ノード５３（２２）に発
生されて、フィルタモジュール３へ供給される。ブースタモジュール１２が存在
するときには、図１０に示すように、ブーストされた電力信号Ｖｂｏｏｓｔは、
第２検出器１２２、ＲＦチョーク３９の形態の送信回路、ＲＦチョーク２８の形
態の受信回路、積分器１３４及び減衰回路１３０より成る電力レベリングループ
を経てそのレベルが制御される。レベリングされたブースト電力信号Ｖｂｏｏｓ
ｔは、次いで、ブースタの出力コネクタ３５においてフィルタモジュール３へ供
給される。
生回路の相違点、即ちＺ３がＺ２と充分に相違することとに依存することが明ら
かであろう。 従って、図１２に示す回路では、ブースタが存在せずそして電力増幅器４ｂが
フィルタに接続されたときに、電力増幅された信号Ｖａｍｐは、第１検出器１２
０、積分器１３４及び減衰回路３０で構成された電力レベリングループを経てそ
のレベルが制御され、そしてこの信号は、ＴＲＸの出力ノード５３（２２）に発
生されて、フィルタモジュール３へ供給される。ブースタモジュール１２が存在
するときには、図１０に示すように、ブーストされた電力信号Ｖｂｏｏｓｔは、
第２検出器１２２、ＲＦチョーク３９の形態の送信回路、ＲＦチョーク２８の形
態の受信回路、積分器１３４及び減衰回路１３０より成る電力レベリングループ
を経てそのレベルが制御される。レベリングされたブースト電力信号Ｖｂｏｏｓ
ｔは、次いで、ブースタの出力コネクタ３５においてフィルタモジュール３へ供
給される。
【００４０】 同軸ケーブル１５は、ブーストされた信号の検出レベルＶBDETを増幅段４ａ、
４ｂへ返送するのに使用される。又、同軸ケーブルは、電力増幅された信号Ｖａ
ｍｐをブースタモジュール１２へ送信するのにも使用される。この信号Ｖａｍｐ
は、ＧＳＭ規格の場合に９００ＭＨｚ程度のＲＦ周波数であり（他の規格では他
の周波数が適用される）、従って、ＲＦチョーク３９、２８を通過することがで
きない。従って、これらは、ＲＦ信号Ｖａｍｐがライン１４２に沿って下流に進
行するのを防止するか、又は第２検出器２２に影響するのを防止する。キャパシ
タ３３、２７は、周波数が高いことによりＲＦ信号を通過する。従って、同軸ケ
ーブル１５は、増幅されたＲＦ信号Ｖａｍｐ及び直流の検出レベルＶBDETの両方
に対する送信経路を与える。従って、電力レベリングループは、簡単で且つ有効
なやり方で閉じることができる。特に、これは、ブースタモジュール１２がトラ
ンシーバモジュールＴＲＸ１に置き換わるときにラック１１のバックプレーンへ
の変更を必要としない。
４ｂへ返送するのに使用される。又、同軸ケーブルは、電力増幅された信号Ｖａ
ｍｐをブースタモジュール１２へ送信するのにも使用される。この信号Ｖａｍｐ
は、ＧＳＭ規格の場合に９００ＭＨｚ程度のＲＦ周波数であり（他の規格では他
の周波数が適用される）、従って、ＲＦチョーク３９、２８を通過することがで
きない。従って、これらは、ＲＦ信号Ｖａｍｐがライン１４２に沿って下流に進
行するのを防止するか、又は第２検出器２２に影響するのを防止する。キャパシ
タ３３、２７は、周波数が高いことによりＲＦ信号を通過する。従って、同軸ケ
ーブル１５は、増幅されたＲＦ信号Ｖａｍｐ及び直流の検出レベルＶBDETの両方
に対する送信経路を与える。従って、電力レベリングループは、簡単で且つ有効
なやり方で閉じることができる。特に、これは、ブースタモジュール１２がトラ
ンシーバモジュールＴＲＸ１に置き換わるときにラック１１のバックプレーンへ
の変更を必要としない。
【００４１】 図１０ないし１２を参照して上述したシステムは、トランシーバの出力とブー
スタの入力との間に既存のケーブルを使用し、従って、ＢＴＳの他のモジュール
への変更を最小にする。ノイズをピックアップする可能性は最小にされる。とい
うのは、同軸ケーブルにフィードバック経路が維持され、この経路が高速デジタ
ル信号ラインの付近を通らないからである。上記システムは、ＢＴＳ内にブース
タモジュールを有する。しかしながら、ブースタモジュールをＢＴＳから例えば
マストヘッドへ移動して、同軸ケーブルの長さを増加することもできる。この場
合、伝播遅延の影響を考慮しなければならない。
スタの入力との間に既存のケーブルを使用し、従って、ＢＴＳの他のモジュール
への変更を最小にする。ノイズをピックアップする可能性は最小にされる。とい
うのは、同軸ケーブルにフィードバック経路が維持され、この経路が高速デジタ
ル信号ラインの付近を通らないからである。上記システムは、ＢＴＳ内にブース
タモジュールを有する。しかしながら、ブースタモジュールをＢＴＳから例えば
マストヘッドへ移動して、同軸ケーブルの長さを増加することもできる。この場
合、伝播遅延の影響を考慮しなければならない。
【００４２】 図１０ないし１２を参照して上述したシステムにおいて、ブーストされた信号
の検出された電圧レベルは、アナログ電圧として電力レベリングループへフィー
ドバックされる。或いは又、これは、信号対雑音比を高めるデジタル形態でフィ
ードバックすることもできるが、Ａ／Ｄコンバータの使用を必要とする。 ブースタにおける検出器の電圧出力を前置増幅段へフィードバックする別のや
り方は、それが搬送波周波数に変調された場合である。例えば、これは、ブース
タにおいて発生された１００ＭＨｚのＦＭ変調された搬送波をデュープレクサに
より同軸ケーブルを経て送信し、そして同軸ケーブルの他端で別のデュープレク
サにより抽出するという形態をとることができる。この搬送波は、次いで、復調
され、そして元の検出信号を回復することができる。主搬送波周波数とフィード
バック搬送波周波数との間の差に基づき、上記チョークシステムに代わってこれ
ら信号をマルチプレクスするために二重フィルタが必要とされる。
の検出された電圧レベルは、アナログ電圧として電力レベリングループへフィー
ドバックされる。或いは又、これは、信号対雑音比を高めるデジタル形態でフィ
ードバックすることもできるが、Ａ／Ｄコンバータの使用を必要とする。 ブースタにおける検出器の電圧出力を前置増幅段へフィードバックする別のや
り方は、それが搬送波周波数に変調された場合である。例えば、これは、ブース
タにおいて発生された１００ＭＨｚのＦＭ変調された搬送波をデュープレクサに
より同軸ケーブルを経て送信し、そして同軸ケーブルの他端で別のデュープレク
サにより抽出するという形態をとることができる。この搬送波は、次いで、復調
され、そして元の検出信号を回復することができる。主搬送波周波数とフィード
バック搬送波周波数との間の差に基づき、上記チョークシステムに代わってこれ
ら信号をマルチプレクスするために二重フィルタが必要とされる。
【００４３】 図１０の回路は、ＲＦ入力信号を受け取りそして第１の増幅された信号を出力
ノードへ供給するように接続された第１増幅回路と、上記第１の増幅された信号
を検出しそしてその第１の増幅された信号の検出レベルに基づいて第１増幅回路
の増幅係数を変更するように接続できる第１検出回路と、第１入力が第１検出回
路に接続されそして第２入力が第２の増幅された信号の検出レベルを受け取る手
段に接続された自動スイッチ回路とを備え、このスイッチが第１又は第２の入力
を選択するよう制御でき、第２入力が選択されたときに第１増幅回路の増幅係数
が第２の増幅された信号の検出レベルに基づいて変更されるようなベーストラン
シーバシステムのための電力レベリングループを構成する。
ノードへ供給するように接続された第１増幅回路と、上記第１の増幅された信号
を検出しそしてその第１の増幅された信号の検出レベルに基づいて第１増幅回路
の増幅係数を変更するように接続できる第１検出回路と、第１入力が第１検出回
路に接続されそして第２入力が第２の増幅された信号の検出レベルを受け取る手
段に接続された自動スイッチ回路とを備え、このスイッチが第１又は第２の入力
を選択するよう制御でき、第２入力が選択されたときに第１増幅回路の増幅係数
が第２の増幅された信号の検出レベルに基づいて変更されるようなベーストラン
シーバシステムのための電力レベリングループを構成する。
【００４４】 ユニット３４は、ＲＦ信号プロセッサとして示されたが、他の実施形態では、
信号２３がデジタル信号である状態でＤＳＰ機能を遂行することもできる。 図６ａ−６ｃを参照して既に述べた電圧レベル検出回路２９の実施形態を示す
図１３ａ−１３ｃについて以下に説明する。図６ａ−６ｃに使用したものと共通
の図１３ａ−１３ｃの参照番号は、同じ構造素子を示すものである。
信号２３がデジタル信号である状態でＤＳＰ機能を遂行することもできる。 図６ａ−６ｃを参照して既に述べた電圧レベル検出回路２９の実施形態を示す
図１３ａ−１３ｃについて以下に説明する。図６ａ−６ｃに使用したものと共通
の図１３ａ−１３ｃの参照番号は、同じ構造素子を示すものである。
【００４５】 ＢＴＳモジュール２０及び機能的モジュール３０は、インピーダンスＺ１及び
Ｚ２が機能的モジュール３０の接地点とＢＴＳモジュール２０の電圧源２５との
間に直列接続された電圧分割回路を形成するように接続される。電圧レベル検出
回路２９は、インピーダンスＺ１とＺ２との間に位置する電圧ノード６３から入
力（ＩＤ信号３７）を受け取る。電圧レベル検出回路２９は、この電圧ノード６
３の電圧を基準電圧と比較する。比較は、入力ノード４７及び基準ノード４６の
２つの入力を有する比較器４４により行なわれる。入力ノード４７は、ＩＤ信号
３７を受け取り、そして基準ノード４６は、抵抗器４３を経て基準電圧４２に接
続され、そして基準信号４８を受け取る。基準電圧４２は、電圧源２５と同じ電
圧である。従って、比較器４４の出力は、Ｒ、Ｚ１及びＺ２の値に基づく。それ
故、Ｚ２の異なる値が異なる機能的モジュール３０を特徴付けることができる。
図１３ａに示す電圧レベル検出回路２９は、電圧源２５が直流電圧を与えるとき
に使用される。比較器４４の出力は、例えば、図１０及び１２に示すスイッチを
制御するように使用することができる。
Ｚ２が機能的モジュール３０の接地点とＢＴＳモジュール２０の電圧源２５との
間に直列接続された電圧分割回路を形成するように接続される。電圧レベル検出
回路２９は、インピーダンスＺ１とＺ２との間に位置する電圧ノード６３から入
力（ＩＤ信号３７）を受け取る。電圧レベル検出回路２９は、この電圧ノード６
３の電圧を基準電圧と比較する。比較は、入力ノード４７及び基準ノード４６の
２つの入力を有する比較器４４により行なわれる。入力ノード４７は、ＩＤ信号
３７を受け取り、そして基準ノード４６は、抵抗器４３を経て基準電圧４２に接
続され、そして基準信号４８を受け取る。基準電圧４２は、電圧源２５と同じ電
圧である。従って、比較器４４の出力は、Ｒ、Ｚ１及びＺ２の値に基づく。それ
故、Ｚ２の異なる値が異なる機能的モジュール３０を特徴付けることができる。
図１３ａに示す電圧レベル検出回路２９は、電圧源２５が直流電圧を与えるとき
に使用される。比較器４４の出力は、例えば、図１０及び１２に示すスイッチを
制御するように使用することができる。
【００４６】 電圧源２５が交流電圧を与えるときには、図１３ｂに示す電圧レベル検出回路
２９を実施しなければならない。図１３ａと共通の図１３ｂの参照番号は、同じ
構造素子を指す。図１３ｂと図１３ａとの相違は、入力５４及び出力５５を有す
る交流検出器４５が比較器４４への各入力を処理することである。第１の交流検
出器４５が比較器４４の基準ノード４６と抵抗器４３との間に配置される。これ
は、入力５４に基準信号４８を受け取り、そしてその出力５５は、比較器４４の
入力ノード４７に接続される。比較器４４の入力ノード４７と電圧ノード６３と
の間に第２の交流検出器４５が配置される。これは、入力５４にＩＤ信号３７を
受け取り、そしてその出力５５は、比較器４４の入力ノード４７に接続される。
この交流検出器４５は、受け取った交流信号（ＩＤ信号３７及び基準信号４８）
を処理し、そして比較器４４の入力ノード４７及び基準ノード４６に直流信号を
与え、これらは、各々、ＩＤ信号３７及び基準信号４８の交流レベルを表わす。
２９を実施しなければならない。図１３ａと共通の図１３ｂの参照番号は、同じ
構造素子を指す。図１３ｂと図１３ａとの相違は、入力５４及び出力５５を有す
る交流検出器４５が比較器４４への各入力を処理することである。第１の交流検
出器４５が比較器４４の基準ノード４６と抵抗器４３との間に配置される。これ
は、入力５４に基準信号４８を受け取り、そしてその出力５５は、比較器４４の
入力ノード４７に接続される。比較器４４の入力ノード４７と電圧ノード６３と
の間に第２の交流検出器４５が配置される。これは、入力５４にＩＤ信号３７を
受け取り、そしてその出力５５は、比較器４４の入力ノード４７に接続される。
この交流検出器４５は、受け取った交流信号（ＩＤ信号３７及び基準信号４８）
を処理し、そして比較器４４の入力ノード４７及び基準ノード４６に直流信号を
与え、これらは、各々、ＩＤ信号３７及び基準信号４８の交流レベルを表わす。
【００４７】 図１３ｃは、適当な交流検出器４５、即ちダイオード検出器を示す。検出器４
５は、交流信号を受け取る入力５４と、その受け取った交流信号のゆっくり変化
する振幅に比例する直流信号を与える出力５５とを有する。検出器４５は、次の
部品、即ちキャパシタ５７及び６０、抵抗器５８及び６１、ダイオード５９及び
バッファ５６を含む。抵抗器５８及び６１と、キャパシタ６０は、接地される。
検出器のこれら部品は、電圧源の周波数（基準電圧２５の周波数）における受け
取った交流信号の振幅に比例する出力信号を与えるように選択される。この周波
数は、ＲＦ周波数範囲を外れたものであり、そして好ましくは、ＲＦ周波数より
も著しく低い。
５は、交流信号を受け取る入力５４と、その受け取った交流信号のゆっくり変化
する振幅に比例する直流信号を与える出力５５とを有する。検出器４５は、次の
部品、即ちキャパシタ５７及び６０、抵抗器５８及び６１、ダイオード５９及び
バッファ５６を含む。抵抗器５８及び６１と、キャパシタ６０は、接地される。
検出器のこれら部品は、電圧源の周波数（基準電圧２５の周波数）における受け
取った交流信号の振幅に比例する出力信号を与えるように選択される。この周波
数は、ＲＦ周波数範囲を外れたものであり、そして好ましくは、ＲＦ周波数より
も著しく低い。
【００４８】 図１４は本発明の更に別の実施形態を示すもので、図５ａ−５ｃと同じ部分が
同じ番号で示されている。この実施形態は、ＩＤ発生回路がデータ発生器３６’
に置き換えられ、そして質問回路がデータデコーダ２６’に置き換えられた以外
は同様に作用する。データ発生器は、機能的モジュール３０を独特に識別するデ
ータ流を発生し、これは、例えば、「マンチェスター」エンコーディングとも称
される２相フォーマットを使用して同軸ケーブル４１に沿って送信される。デー
タデコーダは、信号をデコードして機能的モジュールを識別する。
同じ番号で示されている。この実施形態は、ＩＤ発生回路がデータ発生器３６’
に置き換えられ、そして質問回路がデータデコーダ２６’に置き換えられた以外
は同様に作用する。データ発生器は、機能的モジュール３０を独特に識別するデ
ータ流を発生し、これは、例えば、「マンチェスター」エンコーディングとも称
される２相フォーマットを使用して同軸ケーブル４１に沿って送信される。デー
タデコーダは、信号をデコードして機能的モジュールを識別する。
【図１】 ベーストランシーバシステムのブロック図である。
【図２】 トランシーバモジュールの内部要素を示すブロック図である。
【図３】 モジュールベースのトランシーバシステムを示す図である。
【図４】 本発明の種々の特徴を理解する原理を示すブロック図である。
【図５ａ】 ベーストランシーバシステムの一実施形態を示す図である。
【図５ｂ】 モジュール間に二重接続を使用した図５ａの実施形態を示す図である。
【図５ｃ】 図５ｂの実施形態を示す回路図である。
【図６ａ】 ベーストランシーバシステムの別の実施形態を示す図である。
【図６ｂ】 モジュール間に二重接続を使用した図６ａの実施形態を示す図である。
【図６ｃ】 図６ｂの実施形態を示す回路図である。
【図７】 前記実施形態において電圧源と電流源との置き換えを示す図である。
【図８】 トランシーバモジュール内の電力レベリングループの回路図である。
【図９】 ＴＤＭＡシステムの信号バーストを示すタイミング図である。
【図１０】 ブースタモジュールが存在する電力レベリングループのコンフィギュレーショ
ンを示す回路図である。
ンを示す回路図である。
【図１１】 図１０の回路に使用するのに適した積分器を示す図である。
【図１２】 フィルタモジュールが接続されたトランシーバモジュールを示す図である。
【図１３ａ】 図６ａないし６ｃに示す電圧レベル検出回路２９の一例を示す図である。
【図１３ｂ】 図６ａないし６ｃに示す電圧レベル検出回路２９の別の例を示す図である。
【図１３ｃ】 図１３ｂの電圧レベル検出回路２９に使用するのに適した交流検出器４５を示
す図である。
す図である。
【図１４】 本発明の更に別の実施形態を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ， ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，Ｌ Ｖ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ， ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，Ｕ Ｓ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 ランド ティモシー イギリス ハンプシャー ジーユー13 ０ ビーエヌ フリート チャーチ クロッカ ム バーンズ アベニュー 22 Ｆターム(参考） 5K011 AA04 AA16 DA01
Claims (15)
- 【請求項１】 ＲＦ周波数範囲内のＲＦ周波数で動作する無線通信ネットワ
ークのモジュラートランシーバシステムに使用される自己構成型トランシーバモ
ジュールにおいて、 ＲＦ周波数範囲のＲＦ信号を発生及び受信するためのＲＦユニットと、 接続された機能的モジュールから識別信号を受け取るためのＩＤポートとを備
え、上記識別信号は、上記機能的モジュールを特徴付けるものであり、そして 更に、上記識別信号から機能的モジュールの性質を識別しそしてそれに応答し
てトランシーバシステムを構成するための検出回路を備えたことを特徴とするト
ランシーバモジュール。 - 【請求項２】 質問信号を発生するための質問回路と、その質問信号を接続
された機能的モジュールへ送信するための出力とを更に備えた請求項１に記載の
システム。 - 【請求項３】 上記質問信号及び識別信号は、共通の相互接続によって搬送
される請求項２に記載のシステム。 - 【請求項４】 上記共通の相互接続は、同軸ケーブルである請求項３に記載
のシステム。 - 【請求項５】 上記ＲＦ信号も、共通の相互接続によって搬送される請求項
３又は４に記載のシステム。 - 【請求項６】 上記質問信号は、ＲＦ周波数範囲から外れたチェック周波数
において発生される請求項１ないし５のいずれかに記載のシステム。 - 【請求項７】 上記チェック周波数は、ＲＦ周波数信号の１／１０未満であ
りそして好ましくは１／１００未満である請求項６に記載のシステム。 - 【請求項８】 上記質問信号を発生するための電源を備えた請求項２又は請
求項３ないし７のいずれかに記載のシステム。 - 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれかに記載の自己構成型トランシー
バシステムと、それに接続された電力増幅モジュールである機能的モジュールと
の組合体。 - 【請求項１０】 請求項１ないし８のいずれかに記載の自己構成型トランシ
ーバシステムと、それに接続されたフィルタモジュールである機能的モジュール
との組合体。 - 【請求項１１】 ＲＦ周波数範囲内のＲＦ周波数で動作する無線通信ネット
ワークのモジュラートランシーバシステム(10)に接続される機能的モジュール(1
,2,3,12;30)において、 ＲＦ周波数の入力信号(23)を受け取るための入力(32)と、 上記入力(32)に接続され、上記入力信号(23)を受け取って処理するためのＲＦ
信号プロセッサ(34)と、 上記機能的モジュール(30)を特徴付ける識別信号(37)を発生するためのＩＤ発
生回路(36)と、 上記識別信号(37)をトランシーバシステム(10)の質問回路(26)に送信するため
のＩＤポート(38)と、 を備えたことを特徴とする機能的モジュール。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の機能的モジュールと、それに接続され
た自己構成型トランシーバモジュールとの組合体であって、自己構成型トランシ
ーバモジュールが請求項１ないし８のいずれかに記載のものである組合体。 - 【請求項１３】 上記識別信号を発生するための電源を備えた請求項１１に
記載の請求項１１に記載の機能的モジュール。 - 【請求項１４】 ＲＦ周波数範囲内で動作するモジュラートランシーバシス
テムの機能的モジュールを自動的に識別する方法において、 上記ＲＦ周波数範囲から外れたチェック周波数におけるチェック信号を機能的
モジュールに供給し、 上記チェック周波数において上記機能的モジュールの応答を測定し、この応答
は、機能的モジュールの性質を特徴付けるものであり、そして 上記応答に基づいて機能的モジュールの性質を識別し、それに応じてトランシ
ーバシステムを構成する、 という段階を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項１５】 上記チェック周波数は、ＲＦ周波数範囲内の動作ＲＦ周波
数の１／１０未満であり、そして好ましくは１／１００未満である請求項１４に
記載の方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| GB9717672.1 | 1997-08-20 | ||
| GB9717672A GB2329792A (en) | 1997-08-20 | 1997-08-20 | Identification signals enable a transceiver module to correctly configure itself to an attached functional module |
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|---|---|
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