JP2001502853A - 連続して形成した集積回路パッケージ - Google Patents

連続して形成した集積回路パッケージ

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JP2001502853A JP11504926A JP50492699A JP2001502853A JP 2001502853 A JP2001502853 A JP 2001502853A JP 11504926 A JP11504926 A JP 11504926A JP 50492699 A JP50492699 A JP 50492699A JP 2001502853 A JP2001502853 A JP 2001502853A
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Abstract

(57)【要約】 高性能ボールグリッド基板パッケージ及びそれの製造方法であり、基板パッケージは第一の表面とその第一の表面と反対側に第二の表面を有する金属コア２０４を持っている。金属コアは、更に少なくとも１つの空洞を持ち、その中に少なくとも１つの集積回路２０２が位置している。誘電体層は金属コアの第一の表面に固定されていて、少なくとも１つの打ち抜かれた空洞が形成されている。そして、導体シード層２１８が金属コアの誘電体層と第一の表面の露出した部分に化学的に付着させられている。導体シード層の近くで第一の回路パターンの中に回路が電解で選択的に形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 連続して形成した集積回路パッケージ 技術分野 本発明は集積回路パッケージに関し、特に連続して形成されたもので少なくと も１つの集積回路を入れることができるボールグリッドアレイ基板パッケージ（ ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｐａｃｋａｇｅ）に関 する。 発明の背景 集積回路を実装するのに用いられる集積回路パッケージには数世代のものがあ る。最近ボールグリッドアレイ基板パッケージとして知られている一つの世代を 導入したことは、前世代の集積回路パッケージよりも幾つかの利点のあるもので ある。前世代の集積回路パッケージはセラミクや金属パッケージを持ち、それら は高価であり製造の困難なものであった。ボールグリッドアレイ基板についての 利点は一般には、（１）集積回路パッケージの外側端までパッケージにリードを 付ける必要がなくなり、（２）より小さなパッケージにしたので同じプリント回 路板に実装するのにパッケージ間隔を狭くすることができ、（３）相互の接続長 さを短くして、電気的な効率を向上させると言うことである。 ボールグリッドアレイ基板パッケージは更に高性能ボールグリッドアレイとマ イクロボールグリッドアレイに分類されていた。典型的なマイクロボールグリッ ドアレイは入出力数の比較的少ない集積回路に用いられている。そのような集積 回路としては種々のメモリーチップである。典型的なマイクロボールグリッドア レイは集積チップと同じ大きさを持った一層のテープで作られている。 高性能ボールグリッドアレイは、３ワット以上の出力のものかあるいは入出力 数の比較的多い集積回路に使われている、入出力数が比較的多いというのは３０ ０〜１０００の範囲である。高性能ボールグリッドアレイに用いられる集積回路 は一般に特定用途の集積回路やデジタル信号処理装置やマイクロ処理装置である 。 高性能ボールグリッドアレイパッケージの例を以下に簡単に述べるがそれは米 国特許第5,583,378号に開示されている。その378特許はマース等に１９９６年１ ２月１０日に発行され、アムロールエレクトロニクス社に譲渡されている。 図１は高性能ボールグリッドアレイパッケージ１００と集積回路１０２と熱導 体１０４の断面図を示すもので、それらすべては378特許に示されているもので ある。典型的な熱導体１０４は銅の薄層（例えば０．１２７から０．２５４ミリ メータ厚さ）であり、高性能ボールグリッドアレイパッケージ１００の外側表面 全体を覆っている。 熱導体１０４は接着層１０８によって内部接続基板１０６に付けられている。 内部接続基板１０６は井戸領域１１０を持った多層プリント回路積層板であり、 その井戸領域に集積回路１０２が位置している。集積回路１０２は熱導体１０４ の基板に直接に付けられていたり、それらの間に必要に応じて接着層１１２を持 つ。 その内部接続基板１０６は良く知られた方法で作られた少なくとも１つの絶縁 層１１４と少なくとも１つの導電トレース層１１６を交互に有するものである。 絶縁層１１４と導電トレース層１１６の数は集積回路１０２の種類や電気設計上 の必要性や回路への必要な内部接続の数に応じて決める。絶縁層１１４と導電ト レース層１１６はエポキシ樹脂で一緒に重ねられている。導電通路すなわちメッ キの付いた通孔１１８はドリルで孔を開けるかレーザ穿孔されて、多層導電トレ ース層１１６間の電気接続をする導体をメッキで形成している。 半田マスク層１２０は一番上の導電トレース層１１６の上に付けられていて、 絶縁体となる。半田マスク層１２０は、その半田マスク層１２０に選択的に開口 を作って形成した複数の電気接点１２２を持つ。典型的な電気接点１２２はニッ ケルと金のメッキで作られていて、集積回路１０２に電気的に接続されている。 電気接点１２２と集積回路１０２との接続は電気接点を導電通路１１８で多くの 導電トレース層１１６に接続した後で、複数のボンドワイア１２４で導電トレー スを集積回路に接続する。 複数の半田ボール１２６は、電気接点１２２に付けられて、高性能ボールグリ ッドアレイパッケージ１００がプリント回路マザーボード（図示せず）のような より大きな電子システムと電気的に連絡できるようにしている。 前に述べたように、集積回路１０２は井戸領域１１０に位置しており、それは 絶縁性充填材１２８で予め決められたレベルまで満たされる。典型的な絶縁性充 填材１２８は、集積回路１０２や複数のボンドワイア１２４を外部環境から保護 する働きを持つエポキシ系プラスチック樹脂である。 低い歩留まりと高い製造原価が現在の高性能ボールグリッドアレイパッケージ １００の欠点である、というのは、ガラス強化エポキシ積層品が内部接続基板１ ０６に用いられているためである。加えて、現在の高性能ボールグリッドアレイ パッケージ１００は反りや表面欠陥や、電気接点１２２へのニッケルと金のメッ キ信頼性のないことなどで、製造工程の間の影響を非常に受けやすいものである 。 更に、電気接点１２２へのニッケルと金を付けることは回路網が必要で、それ は内部接続基板１０６の外にある貴重な場所を占めてしまうものである。その回 路網はまた半田ボール１２６を金で被覆することが必要で、その時に、主な接続 を銅で行われているプリント回路マザーボードに高性能ボールグリッドアレイ１ ００を接続するのに異質金属を使うことによって問題が生じることがある。 従って、連続形成技術を用いた製造方法によって作った新しい世代のボールグ リッドアレイ基板パッケージを必要としている。ボールグリッドアレイ基板パッ ケージの金属コアの中に形成した対応する空洞の中に少なくとも１つの集積回路 を位置させることも必要である。これら及び他の必要性は本発明のボールグリッ ドアレイ基板パッケージによって満足させることができる。 発明の概要 本発明はボールグリッドアレイとともに用いるのに適した高性能基板パッケー ジ及びそれを製造する方法であり、そこでその基板パッケージは第一の表面とそ の第一の表面と反対側に第二の表面を有する金属コアを持つ。その金属コアは更 に少なくとも１つの空洞を持ちそこに少なくとも１つの集積回路が入れられてい る。誘電体層が金属コアの第一の表面に固定されていて、そこに形成された打ち 抜かれた空洞を持つ。その後で、導電シード層が誘電体層と金属コアの第一の表 面の露出部分に化学的に付着させられている。導電シード層の近くに、第一の回 路パターンの中に回路が電解によって選択的に形成されている。電気抵抗半田マ スク層を誘電体層と回路の上に付着させることができる。 接着剤を用いないでその誘電体層をコアに直接に付着できるように、その第一 の表面は接着促進導電表面層を有していることが本発明の１つの特徴である。 前記誘電体層が、金属コアの外側境界の少なくとも一部に沿ったところにある 外側の窪んだ端及び／または前記空洞の外側境界の少なくとも一部に沿ったとこ ろにある内側の窪んだ端を持つことは、本発明の他の特徴である。各々の場合に 、窪んだ端は半田マスク層で被覆されていて、湿気が入ってくることを防ぐこと ができる。 加えて、本発明の基板パッケージは更に、誘電体層及び半田マスク層の厚みを 通って延びている通路あるいは通孔と、半田マスク層の外側表面から接着促進層 の上側表面まで通路を通って延びている導電体を持っていて、そうすることで金 属コアを接地することができる。 本発明によれば、連続形成技術を使って製造されたボールグリッドアレイ基板 パッケージが提供される。また本発明によって、回路の一部の上に電解によって 選択的に形成されたボンディング領域を持ったボールグリッドアレイ基板パッケ ージが提供される。本発明によって更に、導電シード層を除去するのに差別エッ チング工程を用いているボールグリッドアレイ基板パッケージが提供される。更 に本発明によれば、予め決めた場所にニッケルの内層と金の外層を持って選択的 に形成されたボンディング領域を持っているボールグリッドアレイ基板パッケー ジが提供される。 本発明のボールグリッドアレイ基板を製造する方法は、金属コアの第一の表面 を酸化して接着促進層を作ること、その金属コアの第一の表面に誘電体層を付け ること、その誘電体層中に少なくとも１つの打ち抜かれた空洞を形成して金属コ アの第一の表面の一部を露出させること、誘電体層の露出した部分と金属コアの 第一の表面の少なくとも露出部分とに導電シード層を付着させること、及び回路 を電解で形成することの各工程を有する。本発明による改良された製造方法は更 に、接着剤を用いないで電解によって連続した層を形成し、半付加的金属付着技 術によって、回路を形成するのに十分な厚さにシード層を付けて、回路が形成さ れた後で、そのシード層を除去することによって行われる。これら及び他の発明 の特徴は以下の詳細な説明の中で議論される。 図面の簡単な説明 添付図面とともに、以下の詳細な説明を参照することで本発明を更によく理解 できるであろう。 図１は、先行技術の断面図であり、薄い熱導体を持っている高性能ボールグリ ッドアレイ基板を示している。 図２ａ〜２ｏは、本発明のボールグリッドアレイ基板パッケージを形成する種 々の段階の断面図である。 図３は、多くの回路層を有する基板パッケージの断面図である。 図４は、本発明によるパターン板回路とボンディング領域の平面図である。 図５は半田マスク層の平面図である。 図６は、個々に分ける前の基板パッケージシートの斜視図である。 そして、図７は本発明の他の形をしたボールグリッドアレイ基板パッケージの 断面図である。 実施態様の詳細な説明 図面を参照して、同じ参照番号は幾つかの図面を通して同じ部品を示しており 、本発明のボールグリッドアレイ基板パッケージ２００（図３）を開示している 。 写真画像技術を使って製造した基板パッケージ２００を好ましい実施例として 説明しているが、その製造工程は多くの実用的な連続形成技術の１つであるとい うことをこの技術分野の人には理解されるであろう。他の連続形成技術としては レーザ穿孔及びプラズマエッチングがある。従って、説明している基板パッケー ジ２００は限定して解釈すべきではない。 図２ａ〜２ｏを参照して、基板パッケージ２００を製造する種々の段階の断面 図を示しており、図２ａは最初の段階で図２ｏは製造の最後の段階である。しか し、製造は図２ｍに示されている段階ぐらいで終了したと考えることができる。 図２ａでは、第一の表面２０６とそれと反対側に第二の表面２０８を持ってい る金属コア２０４を図示している。金属コア２０４の第一の表面２０６は還元酸 化銅あるいは酸化アルミニウムのような酸化物２１０で処理されていて、接着促 進体として働く。それに代えて、金属コア２０４の上側の表面を機械的に荒らく する(ｒｏｕｇｈｅｎ)、すなわちざらざらにする、例えばジェットで擦ったり 化学的にミクロエッチングをして、誘電体層がそれにより接着できるように表面 層を作ることもできる。理想的には、その表面促進層は金属コア２０４がそれを 通して接地できるように導電性とし、従来の接着剤を付けないものである。表面 積を最大にして、粒子径を最小にする接着促進表面層が最適である。 金属コア２０４は好ましくは銅のような導電性金属で作って、厚さを約０．７ ５ｍｍとするが、他の金属や他の寸法でも良い。金属コア２０４は基板パッケー ジ２００に構造上の一体性を付与するとともに、熱シンク及び電磁干渉(ＥＭＩ) シールドとしても働くものである。 図２ｂでは、金属コア２０４の第一の表面２０６に付けた誘電体層（ｄｉｅｌ ｅｃｔｒｉｃ ｌａｙｅｒ）２１２を図示している。誘電体層２１２は、液体と して塗布された感光性ポリイミドが好ましい。液体ポリイミドを塗布した後で熱 を加えて誘電体層２１２を固化する。それに代えて、固体フイルムでその誘電体 を付けることができ、それは熱を加えて軟化させて、それから真空にして形を作 つてそれが金属コア２０４に直接に接着されることになり、特にその表面が従来 の接着剤の中間層を必要としないで接着促進層となる。誘電体層２１２は一般に 固まったときの厚さ０．００２”で、それは基板パッケージ２００全体の厚さの １／１６以下である。 下の表はポリイミドで作った誘電体層２１２の特性を例示している。誘電体層 ２１２はポリイミド系であり、ガラス強化Ｂステージエポキシ材よりも湿気を吸 収する傾向がより大きいものであるが、ポリイミド誘電体層２１２は、従来の高 性能ボールグリッドアレイ基板パッケージに一般に使われているエポキシ材より も反りの少ないものである。また、誘電体層２１２は薄いものなのでその誘電体 層の端及び／あるいは内側端を窪ませることができ、半田マスク２３２（図３の 右側を見よ）で被覆することができるので湿気を内部に入れる道筋を作ることを 最小にできる。図７は両端に半田マスク２３２を大きく重ねた実施例である。 半田マスク２３２はチバガイギーのプロビマー５２のようなアクリル酸濃度の 低い電気抵抗性のアクリル酸系エポキシで作られていることが好ましい。これは より破損しにくいものでより可撓性があるので、熱を加えてワイアボンディング するような後工程の間に基板パッケージが破損することはより少ない。窪んだ端 すなわち内側の窪んだ端は写真リソグラフィあるいは同様な工程で作ることがで きる。窪んだ端すなわち内側の窪んだ端は一層のあるいは多層の基板パッケージ ２００にも作ることができる。 図２ｃには、一対の通路（ｖｉａｓ）２１４及びそこに形成した打ち抜かれた 空洞（ｄｉｅ ｃａｖｉｔｙ）２１６を有する誘電体層２１２を図示している。 用途に応じて形成した通路２１４あるいは打ち抜かれた空洞（大きな通路）２１ ６の数は変えることができる。写真リソグラフィは通路２１４や打ち抜かれた空 洞２１６を作るのに用いられる好ましい方法である。写真リソグラフィでは誘電 体層２１２の表面にパターンを写真転写し、そのパターンは現像して通路や打ち 抜かれた空洞２１６を形成する。 同じ写真形成操作を用いてその誘電体層２１２に窪みを作って、通路２１４や 打ち抜かれた空洞２１６を形成することは、従来のパッケージで積層したものを 形成するのと比較して加工性や信頼性を極めて増すものである。 図２ｄには、誘電体層２１２と酸化物層２１０の表面に付けた導体シード層( ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）２１８を図示しており、その誘 電体層は活性になっている。導体シード層２１８の付着性は剥離強度や導体シー ド層のメッキ厚さ分布の均一さで評価される。剥離強度は導体シード層２１８が 誘電体層２１２に如何によく付着しているかを見る数字である。例えば、６〜７ ポンド／平方インチの剥離強度なら適当である。 導体シード層２１８は無電解工程あるいは直接メッキ工程で付けることができ 、いずれの工程も銅フラッシュが用いられる。パラジウム・スズの極めて薄い層 (例えば、１０〜１００オングストローム)が最初に付けられて続いて銅の極めて 厚い層が付けられる。メッキ厚さ分布が極めて均一になっていることが必要であ る。というのは、図２ｉについて後で説明することであるが、導体シード層２１ ８は差別エッチングエ程の際に一様に除去されるためである。導体シード層２１ ８の厚さは約５μｍで、分布が＋／−０．５μｍであることが好ましい。 図２ｅは、導体シード層２１８の上に付けられた第一の回路パターン２２０を 図示している。第一の回路パターン２２０は第一の抵抗層２２２を付着させ、像 を露光させて、第一の抵抗層２２２を現像して除く工程で作られる。最初に、第 一の抵抗層２２２が誘電体層２１２の表面全体の上に付けられる。像を写真で作 る工程は、その第一の抵抗層２２２の表面に予め決められたパターンを写真転写 することであり、その予め決められたパターンは現像して第一の回路パターン２ ２０となる。 図２ｆでは、第一の回路パターン２２０の中に電解で形成した回路２２４を図 示している。回路２２４は導電金属例えば銅で作るのが好ましく、パターン板回 路と呼ぶことができる。導体シード層２１８が存在し、それを月いるので電解工 程が可能である。そこで導体シード層は電気の通路すなわち導体として働く。第 一の回路パターン２２０や回路２２４を形成することは半付加的工程と呼ぶこと ができ、そこでは導体シード層２１８はバッシングメカニズムとして作用する。 回路２２０は図５を参照しながら後でより詳しく説明する。 図２ｇは、第一の回路パターン２２０の上に作って付けられている第二の回路 パターン２２６を図示している。第二の回路パターンは、第二の抵抗層２２８を 付けて像を写真で作り、そして第二の抵抗層２２８と第一の抵抗層２２２を現像 して作られる。最初、第二の抵抗層２２８を第一の抵抗層２２２の表面全体に付 ける。抵抗層２２２，２２８は例えばデュポンリストン乾式フィルム光抵抗樹脂 で作ることができる。第二の回路パターン２２６を作る工程は第一の回路パター ン２２０を作るのと非常に似ている。 図２ｈでは、第二の回路パターン２２６の中に電解で作られたボンディング領 域すなわち層２３０を図示している。再び、導体シード層２１８が存在し、使わ れるので電解工程が可能である。ボンド層２３０は一般に各打ち抜かれた空洞の 境界の周りで回路２２４の一部の上に作られるが、他のところに付けることもで きる。ボンディング領域２３０は一般にニッケルの内層２３１ａ（図２ｉ）と金 の外層２３１ｂ（図２ｉ）で作られている。 図２ｉは、導体シード層２１８と第一の回路パターン２２０と第二の回路パタ ーン２２６を除去するのに差別エッチング工程あるいは軽いマイクロエッチング 過硫酸鉛溶液の結果を図示している。比較的薄い導体シード層２１８の除去は回 路の位置に大きな影響がないので、回路２２４は誘電体層２１２の上に乗ったま まになる。基板パッケージ２００全体がその差別エッチング工程を受けるので、 より細かい線分解能でよりよい像品質となる。 差別エッチング工程は基板パッケージ２００の無電解と電解層の間の厚さを化 学的に犯すものである。差別エッチング工程は導電シード層２１８が限られた厚 さをしているので可能である。その工程の間に、導体シード層２１８が非常に一 様に除去されるので、同じメッキ厚さ分布であることが重要である。 図２ｊには、回路２２４と誘電体層２１２の上に層となっている半田マスク２ ３２を図示している。半田マスク２３２はこの技術分野でよく知られているエポ キシのような紫外線硬化型高分子絶縁材でできている。半田マスクは誘電体層２ １２程も純度が高い必要がないので、それは別のより純度の低い樹脂で作ること ができる。通路２１４と打ち抜かれた空洞２１６は半田マスク２３２を通して延 びているきれいな道に通常なっている。各通路２１４のきれいな道はそこに入れ られた半田の島２３３を持っている。半田マスク２３２は図４を参照して後でよ り詳しく説明する。 図２ｋでは金属コア２０４の中に形成された空洞２３４を図示している。空洞 ２３４の深さはｚ軸制御の深さミリングを持った標準の道付け装置で誂えられる 。その空洞２３４は機械的に及び／あるいは化学的ミリングによって形成するこ ともできる。空洞２３４の側壁が導電性をしているのでさらなる電磁干渉シール ドとなって電気的性能を向上する。特別な用途には複数の空洞２３４（図３参照 ）とすることができる。 図２１では、回路２２４に電気接点２３８を介して複数の半田ボール２３６を 付けているのを図示している。複数の穴が写真リソグラフィあるいは同様な工程 によって半田マスク２３２の中に作られ、その中に半田ボール２３６や電気接点 ２３８が付着させられる。図４と５により詳しく図示しているように、半田ボー ル２３６は回路２２４に接続されている。半田ボール２３６の取り付けは空洞２ ３４に結線をする前に完了させることができる。 図２ｍは、空洞２３４の中に位置させられている集積回路２０２を図示してい る。集積回路２０２は複数のボンドワイア２４０でボンディング領域２３０に接 続されている。典型的なボンドワイア２４０は超音波で発熱して接続するもので 、集積回路２０２上の特定の場所をボンディング領域２３０に接続する(図４)。 図２ｎには、集積回路２０２とボンドワイア２４０を覆って付けられた電気絶 縁充填材２４４を図示している。充填材２４４は好ましくはエポキシ系プラスチ ック樹脂であり、集積回路２０２を覆う程度のいかなる望ましい深さまでも入れ ることができる。必要があれば、樹脂の堰２４６を形成するのに縁を使って、充 填材２４４の充填と保持の助けとすることができる。樹脂堰２４６は一般には半 田マスク２３２の上で空洞２３４の境界の周囲に設けられる。充填材２４４は集 積回路２０２とボンドワイア２４０を外部環境から守る助けをする。 図２ｏは樹脂堰２４６で作られた開口の上に置かれた蓋２４８を図示している 。蓋は希望により用いられるもので、外部環境から更に守る助けをする。蓋２４ ８あるいは充填材２４４は特定の用途に応じて、１つだけでも組み合わせてでも 使うことができる。 図３には、多層回路２５０を有する基板パッケージ２００を図示している。多 層回路２５０の各層は、誘電体層２１２の付着（図２ｂ）から差別エッチング工 程（図２ｉ）までの製造工程を連続して繰り返して作られる。誘電体層２１２か ら差別エッチングエ程までは上に既に述べた。加えて、個々の閉じた通路２５６ は誘電体層２１２の多層の各層の中に種々の深さをして形成することができる。 個々の閉じた通路２５６及び／あるいは通路２１４はメッキによって導体を作っ て多層回路２５０の各層間の電気接続をする。通路２１４及び閉じた通路２５６ は導電体をスクリーン印刷して付けることができる。金属コア２０４にメッキで 接続した通路２１４は、金属コア２０４を効果的な接地層にする。 空洞２３４に充填材２４４を入れるのは希望によって行う。樹脂堰２４６と蓋 ２４８は、充填材２４４を用いていなくとも、使用することができる。基板パッ ケージ２００の製造は図２ｊから図２ｏについて前に述べたようにして完成させ られる。 図４は、回路２２４とボンディング領域２３０の平面図を示している。その回 路２２４は複数の導体トレース２５２を持っている。回路２２４は前に述べた複 数の通路２１４と閉じた通路２５６と打ち抜いた空洞２１６を持っている。ボン ディング領域２３０はボンドワイア２４０がそこに付けられている金の外層２３ １ｂを持つ。導体トレース２５２は通路２１４と２５６を金の外層に電気的に接 続して、予め決めた回路を形成している。 図５は、半田マスク２３２の平面図である。半田マスク２３２は半田マスク２ ３２に開口を選択的に作って形成された電気接点を有している。電気接点２３８ は回路２２４の選択された場所を露出させる。各電気接点２３８は回路２２４に 相当していて、回路に電気的に接続されている。半田ボール２３６（図２１）は そして電気接点２３８に接続されていて、基板パッケージ２００はプリント回路 マザーボードのようなより大きな電子システムに電気的に接続をすることができ る。 図６は多層回路２５０を有する複数の基板パッケージ２００を持っているシー ト２５４の斜視図である。典型的なシートの寸法は９”×１２”であるが、他の 寸法でもよい。各基板パッケージ２００はマークされて、シート２５４から個々 に切断される。 本発明を図示した実施例を参照して説明したが、それは発明を限定するもので はなく、その反対に、以下の特許請求の範囲で定義された発明の精神や範囲に含 まれる変更や修正や均等なものをも含むものである。
【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１１年９月２０日（１９９９．９．２０） 【補正内容】 １．第５頁第１４行ないし第７頁第１０行「実施態様の詳細な説明．．．空洞２ １６を形成する。」を次のとおり補正します。 実施態様の詳細な説明 図面を参照して、同じ参照番号は幾つかの図面を通して同じ部品を示しており 、本発明のボールグリッドアレイ基板パッケージ２００（図３）を開示している 。 写真画像技術を使って製造した基板パッケージ２００を好ましい実施例として 説明しているが、その製造工程は多くの実用的な連続形成技術の１つであるとい うことをこの技術分野の人には理解されるであろう。他の連続形成技術としては レーザ穿孔及びプラズマエッチングがある。従って、説明している基板パッケー ジ２００は限定して解釈すべきではない。 図２ａ〜２ｏを参照して、基板パッケージ２００を製造する種々の段階の断面 図を示しており、図２ａは最初の段階で図２ｏは製造の最後の段階である。しか し、製造は図２ｍに示されている段階ぐらいで終了したと考えることができる。 図２ａでは、第一の表面２０６とそれと反対側に第二の表面２０８を持ってい る金属コア２０４を図示している。金属コア２０４の第一の表面２０６は還元酸 化銅 のような酸化物２１０で処理されていて、接着促進体として働く。それに代 えて、金属コア２０４の上側の表面を機械的に荒らすこと、例えばジェットで擦 ったり化学的にミクロエッチングをして、誘電体層がそれにより接着できるよう に表面層を作ることもできる。理想的には、その表面促進層は金属コア２０４が それを通して接地できるように導電性とし、従来の接着剤を付けないものである 。表面積を最大にして、粒子径を最小にする接着促進表面層が最適である。 金属コア２０４は好ましくは銅のような導電性金属で作って、厚さを約０．７ ５ｍｍとするが、他の金属や他の寸法でも良い。金属コア２０４は基板パッケー ジ２００に構造上の一体性を付与するとともに、熱シンク及び電磁干渉（ＥＭＩ ）シールドとしても働くものである。 図２ｂでは、金属コア２０４の第一の表面２０６に付けた誘電体層２１２を図 示している。誘電体層２１２は、液体として塗布された感光性ポリイミドが好ま しい。液体ポリイミドを塗布した後で熱を加えて誘電体層２１２を固化する。そ れに代えて、固体フィルムでその誘電体を付けることができ、それは熱を加えて 軟化させて、それから真空にして形を作ってそれが金属コア２０４に直接に接着 されることになり、特にその表面が従来の接着剤の中間層を必要としないで接着 促進層となる。誘電体層２１２は一般に固まったときの厚さ０．００２”で、そ れは基板パッケージ２００全体の厚さの１／１６以下である。 誘電体層２１２はポリイミド系であり、ガラス強化Ｂステージエボキシ材より も湿気を吸収する傾向がより大きいものであるが、ポリイミド誘電体層２１２は 、従来の高性能ボールグリッドアレイ基板パッケージに一般に使われているエポ キシ材よりも反りの少ないものである。また、誘電体層２１２は薄いものなので その誘電体層の端及び／あるいは内側端を窪ませることができ、半田マスク２３ ２（図３の右側を見よ）で被覆することができるので湿気を内部に入れる道筋を 作ることを最小にできる。図７は両端に半田マスク２３２を大きく重ねた実施例 である。 半田マスク２３２はチバガイギーのプロビマー５２のようなアクリル酸濃度の 低い電気抵抗性のアクリル酸系エポキシで作られていることが好ましい。これは より破損しにくいものでより可撓性があるので、熱を加えてワイアボンディング するような後工程の間に基板パッケージが破損することはより少ない。窪んだ端 すなわち内側の窪んだ端は写真リソグラフィあるいは同様な工程で作ることがで きる。窪んだ端すなわち内側の窪んだ端は一層のあるいは多層の基板パッケージ ２００にも作ることができる。 図２ｃには、一対の通路（ｖｉａｓ）２１４及びそこに形成した打ち抜かれた 空洞（ｄｉｅ ｃａｖｉｔｙ）２１６を有する誘電体層２１２を図示している。 用途に応じて形成した通路２１４あるいは打ち抜かれた空洞（大きな通路）２１ ６の数は変えることができる。写真リソグラフィは通路２１４や打ち抜かれた空 洞２１６を作るのに用いられる好ましい方法である。写真リソグラフィでは誘電 体層２１２の表面にパターンを写真転写し、そのパターンは現像して通路や打ち 抜かれた空洞２１６を形成する。 ２．請求の範囲を次のとおり補正します。 請求の範囲 １． 金属コアであって、その表面に誘電体を接着しやすくなるように処理した 表面を持つ金属コアと、 その金属コアの処理した面に接着した誘電体層であって、少なくとも１つの空 洞を持ち、その空洞は前記金属コアの表面の一部を露出させて成る誘電体層と、 前記金属コア上の回路と、 を有する集積回路パッケージ用の基板。 ２． 前記金属コアは荒らされた表面を有し、その表面に前記誘電体を接着しや すくしている請求項１記載の基板。 ３． 前記金属コアは実質的に銅からできていて、この金属コアの表面は、その 上にある導電性接着促進表面層を持っている請求項１記載の基板。 ４． 更に、前記回路上に電気抵抗性半田マスクと、前記回路上に露出したボン ディング領域とを有し、そのボンディング領域は前記空洞の近くに位置している 請求項１記載の基板。 ５． 更に、前記回路上で電気的接続に対応する位置に前記半田マスクに形成し た孔と、 前記電気接続のところで前記回路に接続されている半田ボールとを有する請求 項４記載の基板。 ６． 更に、前記誘電体及び半田マスク層を通って延びている少なくとも１つの 通路と、 その通路を通って半田マスク層の外表面から金属コアの表面まで延びている導 体とを有することにより、前記金属コアは接地されている請求項５記載の基板。 ７． 金属コアと、 金属コア上の誘電体層と、その誘電体層は集積回路を入れるための空洞を形成 しており、その誘電体層は更に前記空洞に隣接して内側端を持っている、 前記誘電体層上の回路と、 前記誘電体層及び回路を覆っている半田マスク層とを有する集積回路パッケー ジ基板において、 下になっている金属コアの外側端から内側にへっこんでいる、前記誘電体層に 設けられた窪んだ外側端と、 前記誘電体層の外側の窪んだ端を覆っている半田マスクの一部とを 有することを特徴とする基板。 ８． 空洞のところから外側にへっこんでいる前記誘電体層に設けられている内 側端と、 その内側の窪んでいる端を覆っている半田マスクの一部とを 有することを特徴とする請求項７記截の基板。 ９． 前記空洞に位置させられている集積回路と、 前記誘電体層の上に形成された回路にその集積回路を接続する導体と、 前記空洞の少なくとも一部に充填されている充填材とを有し、その充填材は集 積回路と導体とを覆っていることを特徴とする請求項７記載の基板。 １０． 更に、前記金属コアの中に延びている空洞の一部と、 その空洞内の集積回路と、 前記誘電体層上に形成された回路にその集積回路を接続している導体と、 前記空洞の少なくとも一部に充填されている充填材とを有し、 その充填材は前記集積回路と導体とを覆っていることを特徴とする請求項７記 載の基板。 １１． 前記金属コアは導電金属でできており、金属コアに誘電体層を接着しや すくしている導電表面層が金属コアの上に設けられている請求項７記載の基板。 １２．（ａ）金属コアと、 （ｂ）集積回路を受け入れることができる空洞を持っており、金属コアの１つの 表面に形成された誘電体層と、 （ｃ）前記誘電体層と空洞とを覆っている導電性シード層と、 （ｄ）導電性シード層上に形成されており、第一の回路パターンを形作っている 開口を持った第一の抵抗層と、 （ｅ）導電性シード層を用いて、前記回路パターンの中に形成された第一の回路 とを 有する集積回路パッケージの基板。 １３． 前記金属コアは導電金属でできており、金属コアに誘電体層を接着しや すくしている導電表面層が金属コアの上に設けられている請求項１２記載の基板 。 １４． 更に、半田マスク層を覆っている半田マスク層と、 第一の回路上の半田マスク層を通して露出しているボンディング領域と、 第一の回路から離れた位置で、前記誘電体層と半田マスク層を通っている通路 と、 その通路を充たしている導電材とを有し、その導電材は前記金属コアの接地と して働く請求項１３記載の基板。 １５． 更に、前記第一の抵抗層の上に形成されて、開口を有する第二の抵抗層 と、 その第二の抵抗層を通っている前記開口で形成されている第二の回路パターン と、 前記第一の回路パターンと誘電体層の上で、第二の回路パターンの中にある第 二の回路とを有する請求項１２記載の基板。 １６． 更に、前記第一の回路を覆っている半田マスク層と、 半田マスクの開口で形成されているボンディング領域とを有し、その開口は第 二の回路の１つあるいはそれ以上の領域を露出させている請求項１５記載の基板 。 １７． 更に、金属コアの中に延びている空洞の一部と、 前記第一の回路上で、ボンディング領域から離れた場所にある端子と、 前記金属コアと接触している空洞内にある集積回路と、 空洞を通して延びている導電体であって、集積回路をボンディング領域に接続 しているものと、 集積回路、導電体及びボンディング領域を覆っている充填材とを有する請求項 １６記載の基板。 １８． 前記第一の回路上の端子は、第一の回路と接続されている半田ボールを 有する請求項１７記載の基板。 １９． 前記導電シード層は更に、誘電体層と空洞上にあるパラジウム・スズの 層と、 パラジウム・スズ層の上にある銅の層とを有し、 その銅層は、パラジウム・スズ層よりも厚い請求項１２記載の基板。 ２０． 前記パラジウム・スズ層は約１０〜１００オングストロームの厚さを持 つ請求項１９記載の基板。 ２１． 金属コアの表面を、その表面に誘電体を接着しやすくなるように処理す るステップと、 前記金属コアの処理した表面に直接に誘電体層をあてがうステップと、 前記誘電体層に少なくとも１つの空洞を形成し、前記金属コアの表面の一部を 露出させるステップと、 前記金属コア上に回路を形成するステップと、 を有する集積回路パッケージの基板を作る方法。 ２２． 前記処理するステップは、前記金属コアの表面を荒くすることである請 求項２１記載の方法。 ２３． 前記金属コアは実質的に銅からなり、前記処理するステップは還元酸化 銅で金属コアの表面を処理してその上に導電性接着促進表面層を形成することを 含んでいる請求項２１記載の方法。 ２４． 前記回路上に電気抵抗半田マスクを形成するステップと、 前記回路上で前記空洞の近くに位置した露出しているボンディング領域を形成 するステップと、 を更に有する請求項２１記載の方法。 ２５． 前記回路上の電気接続に相当する位置に、半田マスク層に開口を形成す るステップと、 前記電気接続のところにおいて、前記回路に半田ボールを接続するステップと 、を更に有する請求項２４記載の方法。 ２６． 前記誘電体と前記半田マスク層とを通って延びている少なくとも１つの 通路を形成するステップと、 前記半田マスク層の外側表面から前記金属コアの表面まで前記通路を通って導 体を形成するステップと、をさらに備えることにより前記金属コアを接地できる ようにする請求項２５記載の方法。 ２７． 金属コアの上に誘電体層を形成し、その誘電体層は空洞に隣接している 内側端を持つように集積回路を受け入れる空洞を持っている、 その誘電体層の上に回路を形成し、 その誘電体層と回路を覆って半田マスク層を形成する工程を有する方法におい て、 窪みのある外側端を持った誘電体層を形成し、その外側端は下にある金属コア の外側端から内側にへっこんでおり、 その誘電体層の外側の窪みのある端を半田マスク層で被覆する工程を有するこ とを特徴とする集積回路パッケージ基板を作る方法。 ２８． 前記空洞から外側に窪んでいる窪みのある内側端を持った前記誘電体層 を形成し、 前記内側の窪みのある端を半田マスク層で被覆する工程を更に有することを特 徴とする請求項２７記載の方法。 ２９． 前記空洞内に集積回路を置き、 その集積回路を誘電体層の上に形成された回路に導体で接続し、 その空洞を充填材で充たして、前記集積回路と導体を被覆する工程を更に有す ることを特徴とする請求項２７記載の方法。 ３０． 前記金属コアの中に空洞を掘り下げて、 前記空洞内に集積回路を置き、 その集積回路を誘電体層の上に形成された回路に導体で接続し、 その空洞を充填材で充たして、前記集積回路と導体を被覆する工程を更に有す ることを特徴とする請求項２７記載の方法。 ３１． 前記金属コアは導電性金属で作られており、前記誘電体層を金属コアに 直接に接着できるように金属コアの上に導電層を形成する工程を更に有すること を特徴とする請求項２７記載の方法。 ３２． （ａ）集積回路を受け容れるように空洞を持った誘電体層を金属コアの １つの表面に形成するステップと、 （ｂ）誘電体層と前記空洞とを導電シード層で被覆するステップと、 （ｃ）第一の回路パターンを形成する開口を持った第一の抵抗層を前記導電シー ド層上に形成するステップと、 （ｄ）前記導電シード層を用いて、前記回路パターンの中に第一の回路を電解で 形成するステップと、 （ｅ）前記回路パターンを形成している前記導電シード層と第一の抵抗層とを取 り除くことにより、前記誘電体層の上に付着した第一の回路を残すステップと、 を有する集積回路パッケージ基板を作る方法。 ３３． 前記金属コアは導電性金属で作られており、工程（ａ）の前に、前記誘 電体層を金属コアに直接に接着できるように金属コアの上に導電層を形成する工 程を更に有する請求項３２記載の方法。 ３４． 前記第一の回路を覆って半田マスク層を形成し、前記第一の回路の上で ボンディング領域を露出させ、 第一の回路から離れた場所に、前記誘電体層と半田マスク層を通って通路を形 成し、 その通路の中に金属コアの接地となる導電材を充たす工程を更に有する請求項 ３３記載の方法。 ３５． 前記第一の回路を覆って半田マスク層を形成し、第一の回路上にボンデ ィング領域を露出させる工程を更に有する請求項３２記載の方法。 ３６． 工程（ｄ）に続いて、第一の回路パターンと重なっている第二の回路パ ターンを形作っている開口を持った第二の抵抗層を前記第一の回路パターンの上 に形成し、第一の回路パターンの上の第二の回路パターンの中に第二の回路を電 解で形成する工程が有り、 工程（ｅ）は更に第二の回路パターンを形作っている第二の抵抗層を取り除き 、それによって前記誘電体層の上に付着させた第一と第二の回路を残す工程を更 に有する請求項３２記戟の方法。 ３７． 前記第二の回路の１つあるいはそれ以上の領域をボンディング領域とし て露出させたままで残して第一の回路を覆う半田マスク層を形成する更に有する 請求項３６記載の方法。 ３８． 前記金属コアの中に前記空洞を掘り下げて、 前記ボンディング領域から離れた場所で前記第一の回路の上に端子を形成し、 前記金属コアと接触して前記空洞の中に集積回路を置いて、 その集積回路をボンディング領域に、空洞を通って延びている導電体で接続し 、 その集積回路、導体及びボンディング領域を充填材でシールする工程によって 集積回路パッケージを完成させることを更に有する請求項３５記載の方法。 ３９． 前記端子を形成する工程は更に、電気接続に対応する場所で半田マスク 層に開口を形成し、 その電気接続のところで第一の回路に半田ボールを接続することを有する請求 項３８記載の方法。 ４０． 工程（ｂ）は、 前記誘電体層と空洞の上に約１０〜１００オングストローム厚さのパラジウム ・スズ層を形成し、 パラジウム・スズ層の上に、パラジウム・スズ層よりも厚い銅の層を形成する ことを更に有する請求項３２記載の方法。 【手続補正書】 【提出日】平成１１年１２月１７日（１９９９．１２．１７） 【補正内容】 明細書を次のとおり補正致します。 １．請求の範囲を次のとおり補正します（請求項の数は１３となります）。 １． 金属コアであって、その表面に誘電体を接着しやすくなるように処理した 表面を持つ金属コアと、 その金属コアの処理した面に接着した誘電体層であって、少なくとも１つの空 洞を持ち、その空洞は前記金属コアの表面の一部を露出させて成る誘電体層と、 前記金属コア上の回路と、 を有する集積回路パッケージ用の基板。 ２． 前記金属コアは荒らされた表面を有し、その表面に前記誘電体を接着しや すくしている請求項１記載の基板。 ３． 前記金属コアは実質的に銅からできていて、この金属コアの表面は、その 上にある導電性接着促進表面層を持っている請求項１記載の基板。 ４． 更に、前記回路上に電気抵抗性半田マスクと、前記回路上に露出したボン ディング領域とを有し、そのボンディング領域は前記空洞の近くに位置している 請求項１記載の基板。 ５． 更に、前記回路上で電気的接続に対応する位置に前記半田マスクに形成し た孔と、 前記電気接続のところで前記回路に接続されている半田ボールとを有する請求 項４記載の基板。 ６． 更に、前記誘電体及び半田マスク層を通って延びている少なくとも１つの 通路と、 その通路を通って半田マスク層の外表面から金属コアの表面まで延びている導 体とを有することにより、前記金属コアは接地されている請求項５記載の基板。 ７． 金属コアの表面を、その表面に誘電体を接着しやすくなるように処理する ステップと、 前記金属コアの処理した表面に直接に誘電体層をあてがうステップと、 前記誘電体層に少なくとも１つの空洞を形成し、前記金属コアの表面の一部を 露出させるステップと、 前記金属コア上に回路を形成するステップと、 を有する集積回路パッケージの基板を作る方法。 ８． 前記処理するステップは、前記金属コアの表面を荒くすることである請求 項７記載の方法。 ９． 前記金属コアは実質的に銅からなり、前記処理するステップは還元酸化銅 で金属コアの表面を処理してその上に導電性接着促進表面層を形成することを含 んでいる請求項７記載の方法。 １０． 前記回路上に電気抵抗半田マスクを形成するステップと、 前記回路上で前記空洞の近くに位置した露出しているボンディング領域を形成 するステップと、 を更に有する請求項７記載の方法。 １１． 前記回路上の電気接続に相当する位置に、半田マスク層に開口を形成す るステップと、 前記電気接続のところにおいて、前記回路に半田ボールを接続するステップと 、 を更に有する請求項１０記載の方法。 １２． 前記誘電体と前記半田マスク層とを通って延びている少なくとも１つの 通路を形成するステップと、 前記半田マスク層の外側表面から前記金属コアの表面まで前記通路を通って導 体を形成するステップと、をさらに備えることにより前記金属コアを接地できる ようにする請求項１１記載の方法。 １３． （ａ）集積回路を受け容れるように空洞を持った誘電体層を金属コアの １つの表面に形成するステップと、 （ｂ）前記誘電体層と前記空洞とを導電シード層で被覆するステップと、 （ｃ）第一の回路パターンを形成する開口を持った第一の抵抗層を前記導電シー ド層上に形成するステップと、 （ｄ）前記導電シード層を用いて、前記回路パターンの中に第一の回路を電解で 形成するステップと、 （ｅ）前記回路パターンを形成している前記導電シード層と第一の抵抗層とを取 り除くことにより、前記誘電体層の上に付着した第一の回路を残すステップと、 を有する集積回路パッケージ基板を作る方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＣＮ，ＪＰ，Ｋ Ｒ，ＳＧ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １． 第一の表面と、その第一の表面の反対側にある第二の表面を持っている金 属コアであって、その金属コアはその金属コアの第一の表面上に開口を持って形 成された空洞を持ち、その第一の表面は接着剤を用いずに接着促進導電性表面層 を持っているものと、 その金属コアの第一の表面につけられていて、それに前記接着促進導電性表面 層で接着されている誘電体層であって、そこに形成された打ち抜かれた空洞を有 しており、その打ち抜かれた空洞は前記空洞と一致しているものと、 前記誘電体層に付着させられた回路であって、第一の回路パターンの中に電解 によって選択的に形成されたものと、 前記誘電体層と回路の上に付着させられた電気抵抗半田マスク層とを有する ボールグリッドアレイとともに用いるのに適した基板パッケージ。 ２． 更に、前記回路上に位置しているボンディング領域であって、第二の回路 パターンの中に電解によって選択的に形成されたものを有している請求項１記載 の基板パッケージ。 ３． 更に、前記空洞内に位置している集積回路と、前記集積回路を前記ボンデ ィング領域に接続している複数のボンドワイアを有している請求項２記載の基板 パッケージ。 ４． 前記空洞の周囲に位置していて、電気絶縁充填材を入れるのに適している 堰を有している請求項１記載の基板パッケージ。 ５． 前記堰の上に位置している蓋を有している請求項４記載の基板パッケージ 。 ６． 前記半田マスクは更に複数の開口を有し、その開口各々は回路に接続され ている電気接点を持っている請求項１記載の基板パッケージ。 ７． 複数の半田ボールを有していて、その各々は電気接点に接続されている請 求項６記載の基板パッケージ。 ８． 前記誘電体層は更に、金属コアの外側境界の少なくとも一部に沿って外側 の窪んだ端と、前記空洞の外側境界の少なくとも一部に沿って内側の窪んだ端と を有し、それらの外側と内側の窪んだ端は半田マスク層で被覆されている請求項 １記載の基板パッケージ。 ９． 前記半田マスク層の下で、複数の誘電体層とパターンを変えている回路と がお互いに重ねて設けられているものを更に有している請求項１記載の基板パッ ケージ。 １０． 前記接着促進表面層は金属コアの化学的エッチングした面である請求項 １記載の基板パッケージ。 １１． 前記接着促進表面層は金属コアの表面を機械的に荒らした面である請求 項１記載の基板パッケージ。 １２． 前記接着促進表面層が酸化物層である請求項１記載の基板パッケージ。 １３． 第一の表面と、その第一の表面の反対側にある第二の表面を持っている 金属コアであって、その金属コアはその金属コアの第一の表面上に開口を持って いる形成された空洞を持ち、その第一の表面は更に接着促進表面層を持っている ものと、 その金属コアの第一の表面に付けられている誘電体層であって、それはそのな かに打ち抜かれた空洞を持ち、そのうち抜かれた空洞は前記空洞と一致しており 、その誘電体層は更に、金属コアの外側境界の少なくとも一部と、空洞の外側境 界の少なくとも一部との一方あるいは両方に沿って設けられている窪んだ端を持 っている、 前記誘電体層に付着させられた回路であって、第一の回路パターンの中に電解 によって選択的に形成されたものと、 前記誘電体層と回路の上に付着させられた電気抵抗半田マスク層であって、誘 電体層の窪んだ端を覆っているものとを有する ボールグリッドアレイとともに用いるのに適した基板パッケージ。 １４． 前記接着促進表面層は、金属コアのエッチングした表面部分、金属コア の機械的に荒らした表面部分及び酸化物層から選択されたものである請求項１３ 記載の基板パッケージ。 １５． 前記誘電体層は、金属コアの外側境界と、前記空洞の外側境界の少なく とも一部に沿って設けられている内側の窪んだ端を有し、その内側と外側の窪ん だ端各々は半田マスク層で覆われている請求項１３記載の基板パッケージ。 １６． 前記半田マスクは更に複数の開口を有し、その開口各々は回路に接続さ れている電気接点を持っている請求項１５記載の基板パッケージ。 １７． 第一の表面と、その第一の表面の反対側にある第二の表面を持った導電 性金属コアであり、その金属コアは金属コアの第一の表面上に開口して形成され ている空洞を持ち、更にその第一の表面は接着促進導電表面層を持っているもの と、 その金属コアの第一の表面に付けられていて、接着促進表面層によってそこに 接着されている誘電体層であって、その誘電体層はそこに形成された打ち抜かれ た空洞を持ち、そのうち抜かれた空洞は前記空洞と一致しているものと、 前記誘電体層に付着させられた回路であって、その回路は第一の回路パターン の中に電解によって選択的に形成されたものと、 前記誘電体層と回路の上に付着させられた電気抵抗半田マスク層と、 前記誘電体層と半田マスク層の厚みを通して延びている通路と、 半田マスク層の外側表面から接着促進層の上側表面まで通路を通って延びてい る導電体であって、それによって金属コアの接地ができるもの とを有するボールグリッドアレイとともに用いるのに適した基板パッケージ。 １８． 前記接着促進表面層は、金属コアのエッチングした表面部分、金属コア の機械的に荒らした表面部分及び酸化物層から選択されたものである請求項１７ 記載の基板パッケージ。 １９． 前記導電体は通路にメッキで付けられた導電金属である請求項１７記載 の基板パッケージ。 ２０． 金属コアの第一の表面を酸化して接着促進体にして、 その金属コアの第一の表面に誘電体を付けて、 その誘電体中に少なくとも１つの打ち抜かれた空洞を形成して、金属コアの第 一の表面の一部を露出させて、 その誘電体層の露出部分と金属コアの第一の表面の少なくとも露出している部 分とに導体シード層を付けて、 回路を電解して形成する 工程を有するボールグリッドアレイ基板を製造する方法。
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