JP2001358126A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JP2001358126A JP2001358126A JP2000178493A JP2000178493A JP2001358126A JP 2001358126 A JP2001358126 A JP 2001358126A JP 2000178493 A JP2000178493 A JP 2000178493A JP 2000178493 A JP2000178493 A JP 2000178493A JP 2001358126 A JP2001358126 A JP 2001358126A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 石英ガラスから成るマイクロ波透過部材の寿
命を的確に検知することができるプラズマ処理装置を提
供する。 【解決手段】 少なくともフッ素原子を含むプロセスガ
スにマイクロ波を照射して生成したプラズマを利用し
て、真空雰囲気の処理室２内にて被処理物Ｗの処理を行
うプラズマ処理装置である。プラズマを生成する領域に
マイクロ波を導入するための石英ガラスから成るマイク
ロ波透過部材５を有する。マイクロ波透過部材５がプラ
ズマによりエッチングされた際に発生するＳｉＦの発光
を検出する光検出手段８を有する。光検出手段８により
検出されたＳｉＦの発光の強度を積算する機能を有する
監視手段１１を有する。
命を的確に検知することができるプラズマ処理装置を提
供する。 【解決手段】 少なくともフッ素原子を含むプロセスガ
スにマイクロ波を照射して生成したプラズマを利用し
て、真空雰囲気の処理室２内にて被処理物Ｗの処理を行
うプラズマ処理装置である。プラズマを生成する領域に
マイクロ波を導入するための石英ガラスから成るマイク
ロ波透過部材５を有する。マイクロ波透過部材５がプラ
ズマによりエッチングされた際に発生するＳｉＦの発光
を検出する光検出手段８を有する。光検出手段８により
検出されたＳｉＦの発光の強度を積算する機能を有する
監視手段１１を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プロセスガスにマ
イクロ波を照射して生成したプラズマを利用して、真空
雰囲気の処理室内にて被処理物の処理を行うプラズマ処
理装置に関する。
イクロ波を照射して生成したプラズマを利用して、真空
雰囲気の処理室内にて被処理物の処理を行うプラズマ処
理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造用のシリコンウェハや液晶デ
ィスプレイ用ガラス基板といった被処理物を処理するた
めの装置として、プロセスガスにマイクロ波を照射して
プラズマを生成し、このプラズマからのイオンや活性種
を利用して被処理物のドライエッチング処理やアッシン
グ処理等を施すプラズマ処理装置がある。このプラズマ
処理装置を利用したプラズマ技術による微細加工、薄膜
形成等の表面処理は、例えば半導体の高集積化にとって
必要不可欠な技術となっている。
ィスプレイ用ガラス基板といった被処理物を処理するた
めの装置として、プロセスガスにマイクロ波を照射して
プラズマを生成し、このプラズマからのイオンや活性種
を利用して被処理物のドライエッチング処理やアッシン
グ処理等を施すプラズマ処理装置がある。このプラズマ
処理装置を利用したプラズマ技術による微細加工、薄膜
形成等の表面処理は、例えば半導体の高集積化にとって
必要不可欠な技術となっている。
【０００３】プラズマ処理装置にはいくつかの種類があ
り、一例としては、マイクロ波導波管により導いたマイ
クロ波を、マイクロ波導波管に形成されたスロットアン
テナから放射して、真空容器内のプロセスガスにマイク
ロ波を照射してプラズマを生成し、このプラズマを利用
して被処理物にドライエッチングによる微細加工、薄膜
形成等の表面処理を施すものがある。
り、一例としては、マイクロ波導波管により導いたマイ
クロ波を、マイクロ波導波管に形成されたスロットアン
テナから放射して、真空容器内のプロセスガスにマイク
ロ波を照射してプラズマを生成し、このプラズマを利用
して被処理物にドライエッチングによる微細加工、薄膜
形成等の表面処理を施すものがある。
【０００４】このタイプのプラズマ処理装置は、真空容
器の内部で生成したプラズマを被処理物の表面に接触さ
せ、プラズマ中のイオンや活性種等によりドライエッチ
ングやアッシング等の表面処理を施すものと、プラズマ
発生領域と処理室とを分離してプラズマからのダウンフ
ローを被処理物の表面に導いてドライエッチングやアッ
シング等の表面処理を施すものとがある。
器の内部で生成したプラズマを被処理物の表面に接触さ
せ、プラズマ中のイオンや活性種等によりドライエッチ
ングやアッシング等の表面処理を施すものと、プラズマ
発生領域と処理室とを分離してプラズマからのダウンフ
ローを被処理物の表面に導いてドライエッチングやアッ
シング等の表面処理を施すものとがある。
【０００５】また、他の種類のプラズマ処理装置として
は、放電管の内部のプロセスガスにマイクロ波を照射し
て放電管内にてプラズマを生成し、このプラズマにより
生成された活性種を処理室内に導いて被処理物の表面に
供給するタイプの装置がある。
は、放電管の内部のプロセスガスにマイクロ波を照射し
て放電管内にてプラズマを生成し、このプラズマにより
生成された活性種を処理室内に導いて被処理物の表面に
供給するタイプの装置がある。
【０００６】上述したプラズマ処理装置は、プラズマを
生成する領域にマイクロ波を導入するためのマイクロ波
透過部材を備えており、マイクロ波透過部材は通常、石
英ガラスにて形成されている。
生成する領域にマイクロ波を導入するためのマイクロ波
透過部材を備えており、マイクロ波透過部材は通常、石
英ガラスにて形成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したプラズマ処理
装置において、少なくともフッ素原子を含むプロセスガ
スを使用した場合、マイクロ波透過部材を構成する石英
ガラスがエッチングされてしまう。このため、マイクロ
波透過部材は適宜交換する必要があるが、従来は、交換
までの時間（石英寿命）を予め決めておいてその時間が
過ぎたら交換するようにしていた。
装置において、少なくともフッ素原子を含むプロセスガ
スを使用した場合、マイクロ波透過部材を構成する石英
ガラスがエッチングされてしまう。このため、マイクロ
波透過部材は適宜交換する必要があるが、従来は、交換
までの時間（石英寿命）を予め決めておいてその時間が
過ぎたら交換するようにしていた。
【０００８】ところが、石英ガラスのエッチング速度
は、温度、マイクロ波パワー、処理時間等に応じて大き
く変化する。常に一定の条件の下で処理を行う場合には
予め決めておいた石英寿命によって時間管理にてマイク
ロ波透過部材を交換しても大きな問題はないが、各種の
処理条件を混用する場合には、予め決めておいた石英寿
命が最適とは限らない。すなわち、予め決めておいた石
英寿命に達する前にマイクロ波透過部材のエッチングが
進行して使用不可能となったり、或いは逆に、予め決め
ておいた石英寿命に達したにもかかわらず、さらに継続
して使用することが可能であったりするという問題があ
る。
は、温度、マイクロ波パワー、処理時間等に応じて大き
く変化する。常に一定の条件の下で処理を行う場合には
予め決めておいた石英寿命によって時間管理にてマイク
ロ波透過部材を交換しても大きな問題はないが、各種の
処理条件を混用する場合には、予め決めておいた石英寿
命が最適とは限らない。すなわち、予め決めておいた石
英寿命に達する前にマイクロ波透過部材のエッチングが
進行して使用不可能となったり、或いは逆に、予め決め
ておいた石英寿命に達したにもかかわらず、さらに継続
して使用することが可能であったりするという問題があ
る。
【０００９】そこで、本発明の目的は、石英ガラスから
成るマイクロ波透過部材の寿命を的確に検知することが
できるプラズマ処理装置を提供することにある。
成るマイクロ波透過部材の寿命を的確に検知することが
できるプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、少なくともフッ素原子を含むプロセスガス
にマイクロ波を照射して生成したプラズマを利用して、
真空雰囲気の処理室内にて被処理物の処理を行うプラズ
マ処理装置において、プラズマを生成する領域にマイク
ロ波を導入するための石英ガラスから成るマイクロ波透
過部材と、前記マイクロ波透過部材がプラズマによりエ
ッチングされた際に発生するＳｉＦの発光を検出する光
検出手段と、前記光検出手段により検出されたＳｉＦの
発光の強度を積算する機能を有する監視手段と、を備え
たことを特徴とする。
に本発明は、少なくともフッ素原子を含むプロセスガス
にマイクロ波を照射して生成したプラズマを利用して、
真空雰囲気の処理室内にて被処理物の処理を行うプラズ
マ処理装置において、プラズマを生成する領域にマイク
ロ波を導入するための石英ガラスから成るマイクロ波透
過部材と、前記マイクロ波透過部材がプラズマによりエ
ッチングされた際に発生するＳｉＦの発光を検出する光
検出手段と、前記光検出手段により検出されたＳｉＦの
発光の強度を積算する機能を有する監視手段と、を備え
たことを特徴とする。
【００１１】また、好ましくは、前記監視手段は、Ｓｉ
Ｆの発光の強度の積算値が所定の許容限界値を超えたか
否かを判定する機能をさらに有する。
Ｆの発光の強度の積算値が所定の許容限界値を超えたか
否かを判定する機能をさらに有する。
【００１２】また、好ましくは、前記監視手段は、２２
０ｎｍから２７５ｎｍの波長範囲のＳｉＦの発光の強度
を積算する。
０ｎｍから２７５ｎｍの波長範囲のＳｉＦの発光の強度
を積算する。
【００１３】また、好ましくは、前記光検出手段は、Ｓ
ｉＦの発光をその他の発光から区別することなく検出す
る光センサーと、ＳｉＦの発光をその他の発光から区別
するために、前記光センサーにて検出した発光を分光す
る分光器又はモノクロメーターと、を有する。
ｉＦの発光をその他の発光から区別することなく検出す
る光センサーと、ＳｉＦの発光をその他の発光から区別
するために、前記光センサーにて検出した発光を分光す
る分光器又はモノクロメーターと、を有する。
【００１４】また、好ましくは、前記光検出手段は、Ｓ
ｉＦの発光をその他の発光から分離するための光学フィ
ルターと、前記光学フィルターを透過したＳｉＦの発光
を検出するフォトセルと、を有する。
ｉＦの発光をその他の発光から分離するための光学フィ
ルターと、前記光学フィルターを透過したＳｉＦの発光
を検出するフォトセルと、を有する。
【００１５】また、好ましくは、前記プラズマを生成す
る領域は前記処理室から分離されて前記プラズマが前記
被処理物に接触しないように構成されている。
る領域は前記処理室から分離されて前記プラズマが前記
被処理物に接触しないように構成されている。
【００１６】また、好ましくは、前記マイクロ波透過部
材は放電管である。
材は放電管である。
【００１７】また、好ましくは、前記マイクロ波透過部
材は、前記処理室を内部に形成する真空容器の開口部を
封止する窓部材である。
材は、前記処理室を内部に形成する真空容器の開口部を
封止する窓部材である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施形態によ
るプラズマ処理装置について図面を参照して説明する。
るプラズマ処理装置について図面を参照して説明する。
【００１９】図１に示したように本実施形態によるプラ
ズマ処理装置は真空容器１を備えており、この真空容器
１の内部には、被処理物Ｗに対してエッチング等の処理
を施すための処理室２が形成されている。処理室２には
被処理物Ｗを載置するためのステージ３が設けられてい
る。
ズマ処理装置は真空容器１を備えており、この真空容器
１の内部には、被処理物Ｗに対してエッチング等の処理
を施すための処理室２が形成されている。処理室２には
被処理物Ｗを載置するためのステージ３が設けられてい
る。
【００２０】真空容器１の上部開口は、石英ガラスで形
成されたマイクロ波透過窓部材５で封止されており、こ
のマイクロ波透過窓部材５は、プラズマを生成する領域
にマイクロ波を導入するためのマイクロ波透過部材を構
成している。真空容器１の内部には、プラズマを生成す
る領域を処理室２から分離してプラズマが被処理物に接
触しないようにする仕切板４が設けられており、この仕
切板４に形成された孔を介してプラズマ中の活性種がダ
ウンフローにて被処理物Ｗの表面に供給される。
成されたマイクロ波透過窓部材５で封止されており、こ
のマイクロ波透過窓部材５は、プラズマを生成する領域
にマイクロ波を導入するためのマイクロ波透過部材を構
成している。真空容器１の内部には、プラズマを生成す
る領域を処理室２から分離してプラズマが被処理物に接
触しないようにする仕切板４が設けられており、この仕
切板４に形成された孔を介してプラズマ中の活性種がダ
ウンフローにて被処理物Ｗの表面に供給される。
【００２１】真空容器１の側壁には、少なくともフッ素
原子を含むプロセスガスを真空容器１内に導入するため
のガス導入口６が形成されている。また、真空容器１の
底壁には、真空容器１の内部を排気するための排気口７
が形成されている。
原子を含むプロセスガスを真空容器１内に導入するため
のガス導入口６が形成されている。また、真空容器１の
底壁には、真空容器１の内部を排気するための排気口７
が形成されている。
【００２２】そして、マイクロ波導波管１３を経由して
導いたマイクロ波をスロットアンテナ１４から放射し、
マイクロ波透過窓部材５を介して真空容器１内に導入し
てプロセスガスに照射することによりプラズマが生成さ
れる。
導いたマイクロ波をスロットアンテナ１４から放射し、
マイクロ波透過窓部材５を介して真空容器１内に導入し
てプロセスガスに照射することによりプラズマが生成さ
れる。
【００２３】さらに、本実施形態によるプラズマ処理装
置は、マイクロ波透過窓部材５がプラズマによりエッチ
ングされた際に発生するＳｉＦの発光を検出する光検出
手段８を備えており、この光検出手段８は、ＳｉＦの発
光をその他の発光から分離するための光学フィルター９
と、光学フィルター９を透過したＳｉＦの発光を検出す
るフォトダイオード（フォトセル）１０とから構成され
ている。光学フィルター９は、２２０ｎｍから２７５ｎ
ｍの波長範囲の発光を透過し、これによりＳｉＦからの
発光を他の発光から区別して検出することができる。
置は、マイクロ波透過窓部材５がプラズマによりエッチ
ングされた際に発生するＳｉＦの発光を検出する光検出
手段８を備えており、この光検出手段８は、ＳｉＦの発
光をその他の発光から分離するための光学フィルター９
と、光学フィルター９を透過したＳｉＦの発光を検出す
るフォトダイオード（フォトセル）１０とから構成され
ている。光学フィルター９は、２２０ｎｍから２７５ｎ
ｍの波長範囲の発光を透過し、これによりＳｉＦからの
発光を他の発光から区別して検出することができる。
【００２４】フォトダイオード１０は監視手段１１に接
続されており、この監視手段１１は光検出手段８により
検出されたＳｉＦの発光の強度を積算する機能を有して
いる。また、監視手段１１は、ＳｉＦの発光の強度の積
算値が、予め決定された所定の許容限界値を超えたか否
かを判定する機能も有している。真空容器１の側壁に
は、発光を取り出すための観察窓が光透過部材１２によ
って形成されている。
続されており、この監視手段１１は光検出手段８により
検出されたＳｉＦの発光の強度を積算する機能を有して
いる。また、監視手段１１は、ＳｉＦの発光の強度の積
算値が、予め決定された所定の許容限界値を超えたか否
かを判定する機能も有している。真空容器１の側壁に
は、発光を取り出すための観察窓が光透過部材１２によ
って形成されている。
【００２５】そして、本実施形態によるプラズマ処理装
置においては、監視手段１１により算出されたＳｉＦの
発光の強度の積算値が、予め決定された所定の許容限界
値を超えた場合にマイクロ波透過窓部材５を交換するよ
うにする。
置においては、監視手段１１により算出されたＳｉＦの
発光の強度の積算値が、予め決定された所定の許容限界
値を超えた場合にマイクロ波透過窓部材５を交換するよ
うにする。
【００２６】図２は、プラズマ処理装置の使用時間に対
するＳｉＦの発光強度の積算値を示したグラフであり、
処理条件を途中で切り換えたために積算値の増加率が途
中で変化している。このように処理条件の変化は、Ｓｉ
Ｆの発光強度の積算値の増加率に反映される。
するＳｉＦの発光強度の積算値を示したグラフであり、
処理条件を途中で切り換えたために積算値の増加率が途
中で変化している。このように処理条件の変化は、Ｓｉ
Ｆの発光強度の積算値の増加率に反映される。
【００２７】図３は、光学フィルター９に入射する光の
波長分布であり、２２０ｎｍから２７５ｎｍの波長範囲
がＳｉＦの発光に対応する部分である。図３中の「Ｔ」
は放電開始時点からの連続放電時間（秒）を示してい
る。但し、Ｔ＝０は放電開始前ではなく、放電開始直後
に相当する。
波長分布であり、２２０ｎｍから２７５ｎｍの波長範囲
がＳｉＦの発光に対応する部分である。図３中の「Ｔ」
は放電開始時点からの連続放電時間（秒）を示してい
る。但し、Ｔ＝０は放電開始前ではなく、放電開始直後
に相当する。
【００２８】以上述べたように本実施形態によるプラズ
マ処理装置によれば、石英ガラスから成るマイクロ波透
過窓部材５がプラズマによりエッチングされた際に発生
するＳｉＦの発光の強度を積算するようにしたので、こ
の積算値が所定の許容限界値を超えたことを確認するこ
とにより、処理条件が途中で切り換えられた場合でも、
マイクロ波透過窓部材５の寿命を的確に検知することが
できる。
マ処理装置によれば、石英ガラスから成るマイクロ波透
過窓部材５がプラズマによりエッチングされた際に発生
するＳｉＦの発光の強度を積算するようにしたので、こ
の積算値が所定の許容限界値を超えたことを確認するこ
とにより、処理条件が途中で切り換えられた場合でも、
マイクロ波透過窓部材５の寿命を的確に検知することが
できる。
【００２９】次に、本発明の第２実施形態によるプラズ
マ処理装置について、図４を参照して説明する。
マ処理装置について、図４を参照して説明する。
【００３０】本実施形態によるプラズマ処理装置はケミ
カルドライエッチング装置であり、図４に示したよう
に、プラズマを生成する領域にマイクロ波を導入するた
めのマイクロ波透過部材は石英ガラスから成る放電管２
０によって構成されている。この放電管２０にはマイク
ロ波導波管２１が接続されており、このマイクロ波導波
管２１によって導かれたマイクロ波が放電管２０の内部
のプロセスガスに照射され、これによりプラズマが生成
される。プロセスガスとしては、少なくともフッ素原子
を含むガスが使用される。
カルドライエッチング装置であり、図４に示したよう
に、プラズマを生成する領域にマイクロ波を導入するた
めのマイクロ波透過部材は石英ガラスから成る放電管２
０によって構成されている。この放電管２０にはマイク
ロ波導波管２１が接続されており、このマイクロ波導波
管２１によって導かれたマイクロ波が放電管２０の内部
のプロセスガスに照射され、これによりプラズマが生成
される。プロセスガスとしては、少なくともフッ素原子
を含むガスが使用される。
【００３１】さらに、本実施形態によるプラズマ処理装
置は光検出手段２２を備えており、この光検出手段２２
は、ＳｉＦの発光をその他の発光から区別することなく
検出する光センサー２３と、ＳｉＦの発光をその他の発
光から区別するために、光センサー２３にて検出した発
光を分光する分光器２４を備えている。なお、分光器２
４に代えてモノクロメーターを設けても良い。分光器２
４は監視手段２５に接続されており、この監視手段２５
は上述した第１実施形態における監視手段１１と同様の
機能を有している。
置は光検出手段２２を備えており、この光検出手段２２
は、ＳｉＦの発光をその他の発光から区別することなく
検出する光センサー２３と、ＳｉＦの発光をその他の発
光から区別するために、光センサー２３にて検出した発
光を分光する分光器２４を備えている。なお、分光器２
４に代えてモノクロメーターを設けても良い。分光器２
４は監視手段２５に接続されており、この監視手段２５
は上述した第１実施形態における監視手段１１と同様の
機能を有している。
【００３２】そして、本実施形態によるプラズマ処理装
置においては、上述した第１実施形態と同様、監視手段
２５により算出されたＳｉＦの発光の強度の積算値が、
予め決定された所定の許容限界値を超えた場合に放電管
２０を交換するようにする。
置においては、上述した第１実施形態と同様、監視手段
２５により算出されたＳｉＦの発光の強度の積算値が、
予め決定された所定の許容限界値を超えた場合に放電管
２０を交換するようにする。
【００３３】図５は、プラズマ処理装置の使用時間に対
するＳｉＦの発光強度の積算値を示したグラフであり、
処理条件を途中で２回切り換えたために積算値の増加率
が途中で２回変化している。このように処理条件の変化
はＳｉＦの発光強度の積算値の増加率に反映される。
するＳｉＦの発光強度の積算値を示したグラフであり、
処理条件を途中で２回切り換えたために積算値の増加率
が途中で２回変化している。このように処理条件の変化
はＳｉＦの発光強度の積算値の増加率に反映される。
【００３４】以上述べたように本実施形態によるプラズ
マ処理装置によれば、石英ガラスから成る放電管２０が
プラズマによりエッチングされた際に発生するＳｉＦの
発光の強度を積算するようにしたので、この積算値が所
定の許容限界値を超えたことを確認することにより、処
理条件が途中で切り換えられた場合でも、放電管２０の
寿命を的確に検知することができる。
マ処理装置によれば、石英ガラスから成る放電管２０が
プラズマによりエッチングされた際に発生するＳｉＦの
発光の強度を積算するようにしたので、この積算値が所
定の許容限界値を超えたことを確認することにより、処
理条件が途中で切り換えられた場合でも、放電管２０の
寿命を的確に検知することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によるプラズマ
処理装置によれば、マイクロ波透過部材がプラズマによ
りエッチングされた際に発生するＳｉＦの発光の強度を
積算するようにしたので、この積算値が所定の許容限界
値を超えたことを確認することにより、処理条件が途中
で切り換えられた場合でも、マイクロ波透過部材の寿命
を的確に検知することができる。
処理装置によれば、マイクロ波透過部材がプラズマによ
りエッチングされた際に発生するＳｉＦの発光の強度を
積算するようにしたので、この積算値が所定の許容限界
値を超えたことを確認することにより、処理条件が途中
で切り換えられた場合でも、マイクロ波透過部材の寿命
を的確に検知することができる。
【図１】本発明の第１実施形態によるプラズマ処理装置
の概略構成を示した図。
の概略構成を示した図。
【図２】図１に示したプラズマ処理装置の使用時間に対
するＳｉＦの発光強度の積算値を示した図。
するＳｉＦの発光強度の積算値を示した図。
【図３】図１に示したプラズマ処理装置の光学フィルタ
ーに入射する光の波長分布を示した図。
ーに入射する光の波長分布を示した図。
【図４】本発明の第２実施形態によるプラズマ処理装置
の主要部の概略構成を示した図。
の主要部の概略構成を示した図。
【図５】図４に示したプラズマ処理装置の使用時間に対
するＳｉＦの発光強度の積算値を示した図。
するＳｉＦの発光強度の積算値を示した図。
１ 真空容器 ２ 処理室 ３ ステージ ４ 仕切板 ５ マイクロ波透過窓部材 ８、２２ 光検出手段 ９ 光学フィルター １０ フォトダイオード（フォトセル） １１、２５ 監視手段 １２ 光透過部材 １３、２１ マイクロ波導波管 ２０ 放電管 ２３ 光センサー ２４ 分光器 Ｗ 被処理物
Claims (8)
- 【請求項１】少なくともフッ素原子を含むプロセスガス
にマイクロ波を照射して生成したプラズマを利用して、
真空雰囲気の処理室内にて被処理物の処理を行うプラズ
マ処理装置において、 プラズマを生成する領域にマイクロ波を導入するための
石英ガラスから成るマイクロ波透過部材と、 前記マイクロ波透過部材がプラズマによりエッチングさ
れた際に発生するＳｉＦの発光を検出する光検出手段
と、 前記光検出手段により検出されたＳｉＦの発光の強度を
積算する機能を有する監視手段と、を備えたことを特徴
とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】前記監視手段は、ＳｉＦの発光の強度の積
算値が所定の許容限界値を超えたか否かを判定する機能
をさらに有することを特徴とする請求項１記載のプラズ
マ処理装置。 - 【請求項３】前記監視手段は、２２０ｎｍから２７５ｎ
ｍの波長範囲のＳｉＦの発光の強度を積算することを特
徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】前記光検出手段は、ＳｉＦの発光をその他
の発光から区別することなく検出する光センサーと、Ｓ
ｉＦの発光をその他の発光から区別するために、前記光
センサーにて検出した発光を分光する分光器又はモノク
ロメーターと、を有することを特徴とする請求項１乃至
３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】前記光検出手段は、ＳｉＦの発光をその他
の発光から分離するための光学フィルターと、前記光学
フィルターを透過したＳｉＦの発光を検出するフォトセ
ルと、を有することを特徴とする請求項１乃至３のいず
れか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項６】前記プラズマを生成する領域は前記処理室
から分離されて前記プラズマが前記被処理物に接触しな
いように構成されていることを特徴とする請求項１乃至
５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項７】前記マイクロ波透過部材は放電管であるこ
とを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の
プラズマ処理装置。 - 【請求項８】前記マイクロ波透過部材は、前記処理室を
内部に形成する真空容器の開口部を封止する窓部材であ
ることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記
載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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