JP2001356229A - Optical integrated circuit - Google Patents

Optical integrated circuit

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JP2001356229A
JP2001356229A JP2000173824A JP2000173824A JP2001356229A JP 2001356229 A JP2001356229 A JP 2001356229A JP 2000173824 A JP2000173824 A JP 2000173824A JP 2000173824 A JP2000173824 A JP 2000173824A JP 2001356229 A JP2001356229 A JP 2001356229A
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optical waveguide
optical
integrated circuit
phc
light
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JP2000173824A
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Japanese (ja)
Inventor
Emi Tamechika
恵美 為近
Manabu Oguma
学 小熊
Tsutomu Kito
勤 鬼頭
Akio Sugita
彰夫 杉田
Chiharu Takahashi
千春 高橋
Yasuji Omori
保治 大森
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical integrated circuit which can be made small in size and in which input and output of light is rather easily performed and an optical circuit including passive devices can be formed. SOLUTION: A PhC(photonic crystal) circuit 1 and a Si optical waveguide 10 are integrated by connecting the Si optical waveguide 10 to the optical waveguide formed by the PhC structure of the PhC circuit 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は光通信や光信号処理
に用いられる、光導波路を有する光集積回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical integrated circuit having an optical waveguide used for optical communication and optical signal processing.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常の光導波路の曲げ半径は、光導波路
部分とその周辺との屈折率差によって制限される。Si
(シリコン)等の半導体材料は、高い屈折率を持つた
め、周辺との大きな屈折率差を得ることが容易であり、
小型化、高集積化が求められる光導波路に適した材料と
いえる。特に、SiとSiO2 (酸化シリコン)との組
合せは、LSI(大規模集積回路)で培われた量産技
術、高精度な微細加工技術が適用できるため、製造面で
おメリットが大きい。
2. Description of the Related Art The bending radius of an ordinary optical waveguide is limited by the difference in refractive index between the optical waveguide portion and the periphery thereof. Si
Since a semiconductor material such as (silicon) has a high refractive index, it is easy to obtain a large refractive index difference from the periphery.
It can be said that this material is suitable for an optical waveguide that requires miniaturization and high integration. In particular, the combination of Si and SiO 2 (silicon oxide) has a great advantage in terms of manufacturing because mass production technology cultivated in LSI (large-scale integrated circuit) and high-precision fine processing technology can be applied.

【0003】従来の半導体光導波路は、例えば、図6
(a)に示すようにSi基板13上にSiO2 層14を
形成し、その上に更にSi層15を形成した、いわゆる
SOI(Silicon on Insulator)基板を用いて、上のSi
層15の一部を残してエッチングし、図6(b)に示す
ように、コア部11とリブ部16を形成するというもの
であった。図7(a)にリブ型光導波路の断面構造を示
し、図7(b)にコア11及びリブ16をSiO2 等の
クラッド層17で埋め込んだ埋込リブ型光導波路の断面
構造を示す。
A conventional semiconductor optical waveguide is, for example, shown in FIG.
As shown in FIG. 2A, an SiO 2 layer 14 is formed on a Si substrate 13, and a Si layer 15 is further formed on the SiO 2 layer 14, using a so-called SOI (Silicon on Insulator) substrate.
Etching was performed leaving a part of the layer 15 to form the core 11 and the rib 16 as shown in FIG. 6B. FIG. 7A shows a cross-sectional structure of a rib-type optical waveguide, and FIG. 7B shows a cross-sectional structure of a buried rib-type optical waveguide in which a core 11 and a rib 16 are embedded with a cladding layer 17 such as SiO 2 .

【0004】図6(b)、図7(a)(b)ののように
半導体光導波路においてリブ型形状とするのは次のよう
な理由による。Siをコアに、SiO2 をクラッドにす
る光導波路では、通信波長帯1.55μmにおけるSi
(屈折率n1 =3.48)とSiO2 (屈折率n2
1.44)との比屈折率差Δ=(n1 −n2 )/n1
大きい。従って、埋め込み型矩形光導波路などコアの周
りをクラッドが完全に包囲するような型の光導波路で、
大容量伝送に適したシングルモード光導波路にしようと
すると、コア径即ち光導波路の厚みと幅はおよそ0.2
5μm程になり、光の入出力(光ファイバとの接続)が
困難になる。
The reason why the semiconductor optical waveguide is formed into a rib shape as shown in FIGS. 6 (b), 7 (a) and 7 (b) is as follows. In an optical waveguide having Si as a core and SiO 2 as a clad, Si in a communication wavelength band of 1.55 μm is used.
(Refractive index n 1 = 3.48) and SiO 2 (refractive index n 2 =
The relative refractive index difference Δ = (n 1 −n 2 ) / n 1 with 1.44) is large. Therefore, an optical waveguide of a type such that the cladding completely surrounds the core such as a buried rectangular optical waveguide,
To make a single mode optical waveguide suitable for large capacity transmission, the core diameter, that is, the thickness and width of the optical waveguide are about 0.2.
It becomes about 5 μm, and it becomes difficult to input and output light (connection to an optical fiber).

【0005】一方、リブ型光導波路では面内横方向(x
方向)のクラッド相当部の等価屈折率が大きくなり、コ
アに対する比屈折率差が小さくなるので、シングルモー
ドにするための光導波路幅がある程度大きくなり、加工
や光の入出力が比較的容易になる。
On the other hand, in the rib type optical waveguide, the in-plane lateral direction (x
Direction), the equivalent refractive index of the clad-equivalent portion increases, and the relative refractive index difference with respect to the core decreases, so that the width of the optical waveguide for making a single mode increases to some extent, making processing and input / output of light relatively easy. Become.

【0006】従来使われている石英系の平面光波回路(P
laner Lightwave Circuit:以下PLC)において実現さ
れている光合分波器やアレイ導波路回折格子などの受動
デバイスも同様に製作可能である。
Conventionally used quartz-based planar lightwave circuits (P
Passive devices such as an optical multiplexer / demultiplexer and an arrayed waveguide diffraction grating realized in a laner lightwave circuit (hereinafter, PLC) can also be manufactured.

【0007】このような理由から、元々の材料同士の比
屈折率差が大きい組合せにおいて、外部との光入出力を
考慮したリブ型光導波路の研究開発が進められている。
For these reasons, research and development of a rib-type optical waveguide in consideration of light input / output with the outside in a combination in which the relative refractive index difference between the original materials is large has been promoted.

【0008】一方、最近研究が盛んになったフォトニッ
ク結晶構造(以下、PhC構造)とは、光の波長のおよ
そ半分程の周期の微細周期構造を作り込むことにより、
その波長の光が存在できないという、いわゆる光のバン
ドギャップを発生させるものである。
On the other hand, a photonic crystal structure (hereinafter referred to as a PhC structure), which has been actively studied recently, is formed by forming a fine periodic structure having a period of about half the wavelength of light.
This generates a so-called light band gap, in which light of that wavelength cannot exist.

【0009】従って、PhC構造に、光の伝搬すべき経
路に沿って欠陥を作ることにより、その欠陥部分が光導
波路として機能する。この方法による光の伝搬では、1
00%の閉じ込め効果が期待できるため、急激な曲げも
可能となり、光回路の小型化が期待される。
Accordingly, by forming a defect in the PhC structure along the path through which light propagates, the defective portion functions as an optical waveguide. In light propagation by this method, 1
Since a confinement effect of 00% can be expected, sharp bending is also possible, and miniaturization of the optical circuit is expected.

【0010】本来、PhC構造は3次元に作製し、3次
元的にバンドギャップを発生させるが、図8に断面構造
を示すように、高さ方向に対しては、物質7a、7b、
7cの屈折率の違いで光を閉じ込め、面内のPhC構造
4により2次元的な閉じ込めのみを行う2次元PhC構
造は、作製が比較的容易であるため、検討が進んでい
る。
Originally, the PhC structure is formed three-dimensionally and a three-dimensional band gap is generated. However, as shown in the cross-sectional structure in FIG. 8, the materials 7a, 7b,
The two-dimensional PhC structure in which light is confined by a refractive index difference of 7c and only two-dimensional confinement is performed by the in-plane PhC structure 4 is relatively easy to fabricate, and is being studied.

【0011】2次元PhC構造の例を上から見た図を、
図9(a)(b)、図10に示す。このように周期的に
孔8aが並んだ構造、もしくは柱8bが並んだ構造4に
なっていれば良く、その並び方は一通りではない。ま
た、図9、図10では孔8aや柱8bの断面形状を円で
表現しているが、実際には円とは限らず、6角形、4角
形などの形状も試みられている。
A diagram of an example of a two-dimensional PhC structure as viewed from above,
FIGS. 9A and 9B and FIG. Thus, it is sufficient that the structure has the structure in which the holes 8a are periodically arranged or the structure 4 in which the columns 8b are arranged, and the arrangement is not limited to one. 9 and 10, the cross-sectional shapes of the holes 8a and the columns 8b are represented by circles. However, actually, the shapes are not limited to circles, and hexagons, quadrangles, and the like have been tried.

【0012】図11、図12に、2次元PhC構造4に
欠陥を与えることにより光導波路2、3を形成した例を
示す。光導波路2は直線的なもの、光導波路3は曲がり
部分を有するものである。これらは、構造への欠陥の与
え方を示したものであり、必ずしも実際の光波回路の例
にはなっていない。
FIGS. 11 and 12 show examples in which the optical waveguides 2 and 3 are formed by giving defects to the two-dimensional PhC structure 4. FIG. The optical waveguide 2 is linear, and the optical waveguide 3 has a bent portion. These show how to give a defect to the structure and are not necessarily examples of actual lightwave circuits.

【0013】2次元PhC構造(以下、単にPhC構造
と呼ぶ)4は、例えばSiのような屈折率の大きい1つ
の材料を用いて、図9や図10のような微細周期構造を
作れば良いが、3次元方向への拡張性や、他のデバイス
との組合せなどを考慮して孔8a部分もしくは柱8bの
隙間部分を他の材料で埋め込み、また、2次元構造の上
に低屈折率物質を積層するという方法もある。このよう
な場合に材料の組合せが問題となるが、Siとその酸化
物であるSiO2 との組合せは材料の整合性も良く加工
も容易で、最も有望な組合せである。
A two-dimensional PhC structure (hereinafter simply referred to as a PhC structure) 4 may be formed by using a single material having a large refractive index, such as Si, for example, to form a fine periodic structure as shown in FIGS. However, in consideration of the expandability in the three-dimensional direction and the combination with other devices, the holes 8a or the gaps between the columns 8b are filled with another material, and a low-refractive-index substance is placed on the two-dimensional structure. There is also a method of stacking. In such a case, the combination of the materials is problematic, but the combination of Si and its oxide, SiO 2 , is the most promising combination because of its good material consistency and easy processing.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、SO
I基板を用いたリブ型光導波路は、作製上の利点やSi
デバイスとの融合の期待から、廉価な光導波路として検
討が進んでいる。しかし、この方法は、コア・クラッド
間の実効的な非屈折率差を小さく設定するため、閉じ込
め効果が小さく、それに伴って最小曲げ半径が大きくな
り、光集積回路の小型化を阻害するという問題点があ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION As described above, SO
The rib type optical waveguide using the I-substrate has advantages in manufacturing and Si
Due to the expectation of integration with devices, studies are proceeding as inexpensive optical waveguides. However, this method has a problem that the effective non-refractive index difference between the core and the clad is set to be small, so that the confinement effect is small, and the minimum bending radius increases accordingly, which hinders miniaturization of the optical integrated circuit. There is a point.

【0015】一方、急激な曲げが可能なPhC構造を用
いた光導波路は、まだ検討が始まったばかりで、現在光
導波路に光を伝播させる実験が行われている段階であ
り、石英系PLCで実現されている受動回路をどのよう
に実現するかまでには、更なる研究が必要であり、現時
点では設計・加工の両側面から見てまだまだ困難な状況
である。また、回路構成の問題に加えて、スポットサイ
ズの問題がある。
On the other hand, an optical waveguide using a PhC structure capable of sharply bending has just begun to be studied, and an experiment for propagating light to the optical waveguide is currently being conducted. Further research is needed on how to implement the passive circuit that has been implemented, and at present it is still a difficult situation from both sides of design and processing. In addition to the problem of the circuit configuration, there is a problem of the spot size.

【0016】例えば、通常シングルモード光ファイバの
場合、ファイバを伝播する光の広がりは、モードフィー
ルド径がおおよそ8〜10μmであるが、これに対して
PhC構造の光導波路では、設計にもよるがおおよそ
0.3μm前後とスポット径が非常に小さいため、この
光導波路内に効率的に光を入力することは容易ではな
い。言い換えれば、光ファイバとのモード不整合による
結合損失が大き過ぎる。即ち、PhC構造の光導波路に
はスポットサイズが非常に小さくなるため、外部との光
入出力が非常に困難になるという問題があった。
For example, in the case of a normal single mode optical fiber, the spread of light propagating through the fiber has a mode field diameter of about 8 to 10 μm. On the other hand, in an optical waveguide having a PhC structure, it depends on the design. Since the spot diameter is as small as about 0.3 μm, it is not easy to efficiently input light into the optical waveguide. In other words, the coupling loss due to mode mismatch with the optical fiber is too large. That is, since the spot size becomes very small in the optical waveguide having the PhC structure, there is a problem that it becomes very difficult to input and output light to and from the outside.

【0017】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたも
のであり、その課題は、小型化が可能で、光の入出力が
比較的容易にでき、受動デバイスを含む光回路が構成可
能な技術を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has as its object to reduce the size, relatively easily input and output light, and configure an optical circuit including a passive device. It is to provide technology.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明では、通常の半導
体光導波路など一般的な光導波路と、フォトニック結晶
構造の光導波路とを組み合わせることにより上記課題を
解決し、一般的な光導波路が持つ製造上の容易さ・安定
性と、フォトニック結晶構造の高い光閉じ込め効果を兼
ね備えた光導波路や光波回路等の光集積回路を実現す
る。
According to the present invention, the above problems are solved by combining a general optical waveguide such as a normal semiconductor optical waveguide with an optical waveguide having a photonic crystal structure. An optical integrated circuit, such as an optical waveguide or a lightwave circuit, having both ease of manufacture and stability and a high optical confinement effect of a photonic crystal structure is realized.

【0019】即ち、請求項1に係る発明は、光伝搬層内
に形成した微細周期構造による第1の光導波構造を有す
る第1の光集積回路部分と、前記第1の光導波構造に接
続した光伝搬層としてのコアを前記コアよりも屈折率が
低い領域に隣接配置した構造による第2の光導波構造を
有する第2の光集積回路部分とを有するの光集積回路で
ある。
That is, according to the first aspect of the present invention, there is provided a first optical integrated circuit portion having a first optical waveguide structure formed of a fine periodic structure formed in a light propagation layer, and connected to the first optical waveguide structure. And a second optical integrated circuit portion having a second optical waveguide structure in which a core as a light propagation layer is disposed adjacent to a region having a lower refractive index than the core.

【0020】また、請求項2に係る発明の光集積回路
は、前記第1の光導波構造に曲がり導波路構造を導入
し、前記第1の光導波構造の強い光閉じ込め作用により
前記曲がり導波路構造の曲げ半径を小さくしたことを特
徴とし、請求項3に係る発明の光集積回路は、前記第2
の光導波構造を光入力構造又は光出力構造として有する
ことを特徴とし、請求項4に係る発明の光集積回路は、
前記第1の光導波構造と前記第2の光導波構造の少なく
とも一方の光導波構造のサイズを連続的に変化させて導
波光のスポットサイズを変換することを特徴とし、請求
項5に係る発明の光集積回路は、前記コアの材料がSi
であることを特徴とし、請求項6に係る発明の光集積回
路は、前記第2の光導波構造がリブ型光導波路であるこ
とを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the optical integrated circuit, a bent waveguide structure is introduced into the first optical waveguide structure, and the bent waveguide is formed by a strong light confinement effect of the first optical waveguide structure. 4. The optical integrated circuit according to claim 3, wherein a bending radius of the structure is reduced.
The optical integrated circuit of the invention according to claim 4, wherein
6. The invention according to claim 5, wherein the spot size of the guided light is converted by continuously changing the size of at least one of the first optical waveguide structure and the second optical waveguide structure. In the optical integrated circuit of the above, the material of the core is Si
The optical integrated circuit according to the invention according to claim 6 is characterized in that the second optical waveguide structure is a rib-type optical waveguide.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態例とし
て、主として下記の光集積回路について説明する。 (1) 光伝搬層内に形成した微細周期構造いわゆる2次元
フォトニック結晶構造(以下、単にPhC構造と呼ぶ)
内に欠陥を設けることでその欠陥部分に光を閉じ込める
方法と、光の進行方向を含む面に対して垂直な方向にお
いては上下の層に対して光伝播層のみ屈折率を高くする
ことにより光を閉じ込め、上記面内においては光の進む
べき経路に沿って屈折率の高い物質のコアを設けて光を
閉じ込める方法とを組合せた光集積回路。 (2) 主な光回路部分あるいは光伝播部分を高屈折率コア
による光導波路で形成し、光導波路の曲がり部分ように
強い閉じ込め効果が必要な部分についてはPhC構造を
適用することにより曲げ半径を小さくし、全体として回
路を小型化した光集積回路。 (3) 主な光回路部分あるいは光伝播部分をPhC構造に
よる光の閉じ込めで形成し、外部との光入出力部もしく
は同一基板内の他の光スポットサイズが比較的大きい回
路部分との光接続部については高屈折率物質によるコア
を形成する光導波路を用いた光集積回路。 (4) PhC構造による光閉じ込めを用いた光伝搬路と高
屈折率コア形光導波路との接続部分に、スポットサイズ
変換機能を付けることにより、PhC構造部分と通常の
光導波路部分との接続効率を高めた光集積回路。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The following optical integrated circuit will be mainly described as an embodiment of the present invention. (1) Fine periodic structure formed in the light propagation layer, so-called two-dimensional photonic crystal structure (hereinafter simply referred to as PhC structure)
A method of confining light in a defect part by providing a defect in the light, and increasing the refractive index of only the light propagation layer with respect to the upper and lower layers in the direction perpendicular to the plane including the light traveling direction. And an optical integrated circuit in which light is confined by providing a core of a substance having a high refractive index along a path through which light travels in the plane. (2) The main optical circuit portion or the light propagation portion is formed of an optical waveguide with a high refractive index core, and the bending radius of a portion requiring a strong confinement effect such as a bent portion of the optical waveguide is applied by applying a PhC structure. An optical integrated circuit that has been made smaller and smaller overall. (3) The main optical circuit portion or the light propagation portion is formed by confining light by the PhC structure, and optical connection with the optical input / output portion with the outside or other circuit portion having a relatively large light spot size on the same substrate. The part is an optical integrated circuit using an optical waveguide forming a core made of a high refractive index material. (4) The connection efficiency between the PhC structure portion and the ordinary optical waveguide portion is provided by attaching a spot size conversion function to the connection portion between the light propagation path using light confinement by the PhC structure and the high refractive index core type optical waveguide. Optical integrated circuit with enhanced performance.

【0022】このような光集積回路は、通常の半導体光
導波路等、高屈折率コアによる光導波路によりスポット
サイズの大きい外部との光入出力を実現しつつ、PhC
構造により最小曲げ半径を小さく保つことができ、小型
化でき、外部入出力も効率的となる。
Such an optical integrated circuit realizes an optical input / output with a large spot size using an optical waveguide having a high refractive index core, such as a normal semiconductor optical waveguide, while maintaining the PhC.
Due to the structure, the minimum bending radius can be kept small, the size can be reduced, and the external input / output can be made efficient.

【0023】[実施形態例1]図1及び図2に、本発明
の第1実施形態例として、PhC構造により光集積回路
を構成した場合の光入出力部に、Si光導波路を適用し
た例の光集積回路を示す。
[Embodiment 1] FIGS. 1 and 2 show a first embodiment of the present invention in which a Si optical waveguide is applied to an optical input / output unit when an optical integrated circuit is formed by a PhC structure. Is shown.

【0024】図1、図2において、PhC構造により形
成したPhC回路部1は、そのPhC構造内に欠陥を設
けて形成した光導波路構造(図11、図12中の光導波
路2、3参照)を有しており、この光導波路構造にSi
光導波路10のコア(図6、図7中のコア11参照)が
接続される形で集積されている。PhC回路部1は、そ
の回路構成が多岐にわたるという意味でその内容を省略
したが、PhC構造を用いた光共振器や光フィルタ、光
スイッチ等が提案されており、他にもPhC構造により
実現可能な光波回路が含まれるものとする。Si光導波
路10としては、図6(b)や図7(a)に示したリブ
型Si光導波路、あるいは、図7(b)に示した埋込リ
ブ型Si光導波路が用いられる。
In FIGS. 1 and 2, a PhC circuit portion 1 formed by a PhC structure has an optical waveguide structure formed by providing a defect in the PhC structure (see optical waveguides 2 and 3 in FIGS. 11 and 12). And the optical waveguide structure has Si
The cores of the optical waveguide 10 (see the core 11 in FIGS. 6 and 7) are integrated so as to be connected. The content of the PhC circuit unit 1 is omitted in the sense that the circuit configuration is diversified. However, optical resonators, optical filters, optical switches, and the like using a PhC structure have been proposed. A possible lightwave circuit shall be included. As the Si optical waveguide 10, the rib-type Si optical waveguide shown in FIGS. 6B and 7A or the buried rib-type Si optical waveguide shown in FIG. 7B is used.

【0025】図1に示す光集積回路は、単純にPhC回
路部1の周辺部がPhC構造による光導波路に接続され
たSi光導波路10により光ファイバ等の外部入出力に
接続されるものである。
In the optical integrated circuit shown in FIG. 1, the periphery of the PhC circuit section 1 is simply connected to an external input / output such as an optical fiber by a Si optical waveguide 10 connected to an optical waveguide having a PhC structure. .

【0026】図2に示す光集積回路は、Si光導波路1
0を介してPhC回路部1に他の平面光波回路部20も
接続されるものである。
The optical integrated circuit shown in FIG.
The other planar lightwave circuit unit 20 is also connected to the PhC circuit unit 1 via the “0”.

【0027】このようなPhC回路部1とSi光導波路
10との組合せ、あるいは、PhC回路部1とSi光導
波路10と他の光波回路部20との組合せは、PhC構
造により光集積回路を作製する際に、光入出力部におい
て光ファイバとの接続が必要となる場合、もしくは接続
先が光ファイバでなくともPhC回路部1への光入出力
を効率良く行うために、有効である。
The combination of the PhC circuit section 1 and the Si optical waveguide 10 or the combination of the PhC circuit section 1 and the Si optical waveguide 10 and another light wave circuit section 20 forms an optical integrated circuit by a PhC structure. This is effective when the optical input / output unit needs to be connected to an optical fiber, or when the connection destination is not an optical fiber, to efficiently input / output light to / from the PhC circuit unit 1.

【0028】一例として、スポットサイズ(スポット
径)の条件を、PhC回路部1のスポットサイズは0.
3μm、光ファイバのスポットサイズは10μm、Si
光導波路のスポットサイズは3μmであるとして、有効
性を説明す。
As an example, the condition of the spot size (spot diameter) is set as follows.
3 μm, optical fiber spot size is 10 μm, Si
The effectiveness will be described assuming that the spot size of the optical waveguide is 3 μm.

【0029】この場合、従来のように、スポットサイズ
が0.3μmのPhC回路部1にスポットサイズ10μ
mの光ファイバを直接繋げた場合、スポット径が大きく
異なるために生ずるモード不整合損失は、図13を参照
すれば片側24db、入出力両側を考えると49dbに
なる。
In this case, as in the conventional case, the spot size of 10 μm is added to the PhC circuit section 1 having the spot size of 0.3 μm.
When the m optical fibers are directly connected, the mode mismatch loss caused by the large difference in the spot diameter is 24 db on one side when referring to FIG. 13 and 49 db when considering both the input and output sides.

【0030】これに対し、図1、図2のように、スポッ
トサイズ3μmのSi光導波路10を仲介してスポット
サイズが0.3μmのPhC回路部1とスポットサイズ
10μmの光ファイバの接続を行った場合は、Si光導
波路10の仲介により追加される2個所でのモード不整
合損失を加算しても片側19dbとなり、片側で5d
b、両側で10dbの損失を低減できた。
On the other hand, as shown in FIGS. 1 and 2, the PhC circuit section 1 having the spot size of 0.3 μm and the optical fiber having the spot size of 10 μm are connected via the Si optical waveguide 10 having the spot size of 3 μm. In this case, even if the mode mismatch loss at two locations added through the mediation of the Si optical waveguide 10 is added, the sum is 19 db on one side and 5 d on one side.
b, 10 db loss was reduced on both sides.

【0031】更に、仲介するSi光導波路10のスポッ
トサイズを最適化することにより、図13に示すよう
に、モード不整合損失を低減できる。図13から、上述
の条件における仲介スポット径の最適値は1.75μm
で、このときモード不整合損失は38dbとなる。
Further, by optimizing the spot size of the mediating Si optical waveguide 10, the mode mismatch loss can be reduced as shown in FIG. From FIG. 13, the optimum value of the mediating spot diameter under the above conditions is 1.75 μm.
At this time, the mode mismatch loss is 38 db.

【0032】このように、PhC回路部1の光入出力部
にSi光導波路10を用いることにより、モード不整合
による損失を低減できるという効果がある。
As described above, by using the Si optical waveguide 10 for the optical input / output unit of the PhC circuit unit 1, there is an effect that the loss due to mode mismatch can be reduced.

【0033】[実施形態例2]図3に、本発明の第2実
施形態例として、例えば通常作られている石英系の平面
型光波回路(PLC)の回路をそのままSi光導波路で
作製し、その曲げ回路部分にPhC構造を適用した光集
積回路を示す。なお、図3では、通常の光回路部分は省
略し、曲げ部分のみを拡大して示してある。
[Embodiment 2] FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention, in which, for example, a quartz-based planar lightwave circuit (PLC), which is usually made, is directly manufactured using a Si optical waveguide. An optical integrated circuit in which a PhC structure is applied to a bending circuit portion is shown. In FIG. 3, the ordinary optical circuit portion is omitted, and only the bent portion is shown in an enlarged manner.

【0034】図3に示す光集積回路は、図7に断面を示
したようなSi光導波路10によりPLC30の大部分
を形成し、同回路30内にて光導波路を曲げるべき場所
31とその周辺部32にPhC構造4を適用し、曲げる
べき場所31に沿って欠陥を設けて曲がった光導波路5
を形成したものであり、Si光導波路10は例えば光フ
ァイバとの光入出力に用いられる。
In the optical integrated circuit shown in FIG. 3, most of the PLC 30 is formed by the Si optical waveguide 10 whose cross section is shown in FIG. The PhC structure 4 is applied to the portion 32, and a defect is provided along the place 31 to be bent, and the bent optical waveguide 5 is formed.
The Si optical waveguide 10 is used for optical input / output with an optical fiber, for example.

【0035】一般に、現状の石英系PLCは導波路幅1
0μm、許容最小曲げ半径5μm程度である。
In general, the current silica-based PLC has a waveguide width of 1
0 μm and the allowable minimum bending radius is about 5 μm.

【0036】これに対し、前述のSi光導波路10で
は、コアの厚みやリブ部の高さなどの構造パラメータを
調節することにより、より細い導波路幅でシングルモー
ドになるように設計できる。
On the other hand, the Si optical waveguide 10 described above can be designed to have a single waveguide with a narrower waveguide width by adjusting structural parameters such as the thickness of the core and the height of the rib.

【0037】例えば、図7(b)に示したようなSiO
2 埋込型Si光導波路では、コアの前厚みtは4μm、
リブ高さhは2μmという条件下で、シングルモードと
なるような導波路幅は4μmとなる。この導波路幅4μ
mによるスポットサイズは約4μmであり、これは例え
ば光導波路による光検出器(PD)への光の導入を考え
たとき、PDの受光面の大きさに合致するようなスポッ
トサイズである。
For example, as shown in FIG.
2 In the embedded Si optical waveguide, the front thickness t of the core is 4 μm,
Under the condition that the rib height h is 2 μm, the width of the waveguide to be a single mode is 4 μm. This waveguide width 4μ
The spot size based on m is about 4 μm, which is a spot size that matches the size of the light receiving surface of the photodetector (PD) when light is introduced into the photodetector (PD) by, for example, an optical waveguide.

【0038】図3において、スポットサイズ4μmのS
i光導波路10とモードフィールド径10μmの光ファ
イバとの接続においてはモード不整合による結合損失は
3.2dbであり、スポットサイズ0.3μmのPhC
構造による光導波路5と光ファイバとを直接繋いだ場合
のモード不整合による結合損失24dbに比べて、非常
に損失が少ない光導波路構造であるといえる。
In FIG. 3, S having a spot size of 4 μm
In the connection between the i optical waveguide 10 and the optical fiber having a mode field diameter of 10 μm, the coupling loss due to mode mismatch is 3.2 db, and the PhC having a spot size of 0.3 μm is used.
It can be said that the optical waveguide structure has a very small loss as compared with a coupling loss of 24 db due to mode mismatch when the optical waveguide 5 having the structure and the optical fiber are directly connected.

【0039】更に、上記の条件におけるSi光導波路1
0の最小曲げ半径は4mm程度である。
Further, the Si optical waveguide 1 under the above conditions is used.
The minimum bending radius of 0 is about 4 mm.

【0040】即ち、光導波路のコア材料をSiO2 から
Siに変えることでクラッドSiO 2 との比屈折率差が
大きくなるため、導波路幅は小さくなる(10μmから
4μmへ)が、曲げ半径はあまり小さくならない(5m
mから4mmへ)ために、全体としてはあまり小型化の
メリットはない。
That is, the core material of the optical waveguide is SiOTwoFrom
Cladding SiO by changing to Si TwoRelative refractive index difference
The waveguide width becomes smaller because it becomes larger (from 10 μm
4 μm), but the bend radius is not very small (5 m
from 4m to 4mm)
There is no merit.

【0041】これに対し、本例では、PLC30の回路
をそのままSi光導波路10で作製し、その曲げ回路部
分にPhC構造4を適用し、PhC構造4の欠陥による
光導波路5を導入することにより、導波路幅及びスポッ
トサイズはそのままに、つまり、外部との光入出力部に
おける結合損失は抑えて、許容曲げ半径だけを小さくす
ることができる。
On the other hand, in the present embodiment, the circuit of the PLC 30 is manufactured as it is with the Si optical waveguide 10, the PhC structure 4 is applied to the bent circuit portion, and the optical waveguide 5 due to the defect of the PhC structure 4 is introduced. The waveguide width and the spot size can be kept as they are, that is, the coupling loss in the optical input / output portion with the outside can be suppressed, and only the allowable bending radius can be reduced.

【0042】PhC構造は光を完全に閉じ込め、曲げに
対してもその効果が証明されている。上述したような構
造パラメータの光導波路10自体で例えば曲げ半径0.
5mmで曲げようとすると曲げによる放射損失が大きく
光導波路として使用するのは困難であるが、本例のよう
に、その曲げ部分にPhC構造4を適用することによ
り、損失を抑えて半径の小さい曲げを実現することがで
きる。即ち、本例の技術によれば、結合損失を犠牲にす
ることなく、小型化を達成できる。
The PhC structure completely confines light, and its effect on bending has been proved. The optical waveguide 10 itself having the above-described structural parameters has, for example, a bending radius of 0.1 mm.
If it is attempted to bend at 5 mm, the radiation loss due to the bending is large and it is difficult to use it as an optical waveguide. However, by applying the PhC structure 4 to the bent portion as in this example, the loss is suppressed and the radius is small. Bending can be realized. That is, according to the technique of this example, miniaturization can be achieved without sacrificing coupling loss.

【0043】[実施形態例3][Embodiment 3]

【0044】図4、図5に、本発明の第4実施形態例と
して、PhC構造による光導波路とSi光導波路との間
に、スポットサイズ変換(SS変換)構造を有する光集
積回路を示す。
FIGS. 4 and 5 show an optical integrated circuit having a spot size conversion (SS conversion) structure between an optical waveguide having a PhC structure and a Si optical waveguide as a fourth embodiment of the present invention.

【0045】図4、図5に例示した各光集積回路は、図
1、図2に示した第1実施形態例と同様、PhC構造に
より光集積回路を形成した場合の光入出力部にSi光導
波路10を適用した例であるが、実施形態例1との違い
は、PhC構造による光導波路2とSi光導波路10と
の間に、スポットサイズ変換(SS変換)構造を設けて
いることである。
Each of the optical integrated circuits illustrated in FIGS. 4 and 5 has the same structure as that of the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 in the case where the optical integrated circuit is formed by the PhC structure. This is an example in which the optical waveguide 10 is applied. The difference from the first embodiment is that a spot size conversion (SS conversion) structure is provided between the optical waveguide 2 having a PhC structure and the Si optical waveguide 10. is there.

【0046】図4に例示した光集積回路のスポットサイ
ズ変換構造12は、Si光導波路10の導波路幅をPh
C構造4による光導波路2との接続部部分では、PhC
構造4に合わせて小さくし、連続的に徐々にこの導波路
幅を広げてスポットサイズを変換する構造となってい
る。図4中、左側のスポットサイズ変換構造12は途中
から一定幅になっている。
In the spot size conversion structure 12 of the optical integrated circuit illustrated in FIG. 4, the waveguide width of the Si optical waveguide 10 is set to Ph.
At the connection portion with the optical waveguide 2 by the C structure 4, PhC
The size is reduced according to the structure 4, and the width of the waveguide is gradually increased continuously to change the spot size. In FIG. 4, the spot size conversion structure 12 on the left has a constant width from the middle.

【0047】また、図5に例示した光集積回路のスポッ
トサイズ変換構造6は、Si光導波路10との接続のた
めに、PhC構造4による光導波路2を連続的にに徐々
に光閉じ込め幅を拡大してスポットサイズを変換し、S
i光導波路10と接続する構造となっている。
Further, the spot size conversion structure 6 of the optical integrated circuit illustrated in FIG. 5 continuously and gradually increases the optical confinement width of the optical waveguide 2 by the PhC structure 4 for connection with the Si optical waveguide 10. Enlarge and convert spot size, S
The structure connects to the i optical waveguide 10.

【0048】図5中、右側のSi光導波路10には、図
4に示したようなスポットサイズ変換構造12を設けて
ある。
In FIG. 5, the right Si optical waveguide 10 is provided with a spot size conversion structure 12 as shown in FIG.

【0049】図4、図5どちらの光集積回路でも、スポ
ットサイズ0.3μmとスポットサイズ4μmとの直接
接続に比べて、結合効率が増大するのは明らかである。
表1に、この接続スポットサイズと結合損失との関係を
表した。
It is apparent that the coupling efficiency is increased in both the optical integrated circuits of FIGS. 4 and 5 as compared with the direct connection between the spot size of 0.3 μm and the spot size of 4 μm.
Table 1 shows the relationship between the connection spot size and the coupling loss.

【表1】 [Table 1]

【0050】例えば、PhC構造4でのスポットサイズ
0.3μmを持つ光導波路6に対し、1μmのスポット
サイズを持つSi光導波路10を接続し、この接続部分
からスポットサイズ変換構造6、12を用いて4μmま
で拡大し、光ファイバに接続する。これにより、元々2
0db(16.5db+3,2db)であった結合損失
を、8.4db(5.2db+3,2db)まで低く抑
えることができる。
For example, a Si optical waveguide 10 having a spot size of 1 μm is connected to the optical waveguide 6 having a spot size of 0.3 μm in the PhC structure 4, and the spot size conversion structures 6 and 12 are used from this connection portion. To 4 μm and connect to an optical fiber. By this, originally 2
The coupling loss from 0 db (16.5 db + 3, 2 db) can be suppressed to 8.4 db (5.2 db + 3, 2 db).

【0051】即ち、PhC構造4による光導波路2とS
i光導波路10との少なくとも一方のサイズを変化させ
て、導波光のスポットサイズを変換することにより、結
合損失を低減する効果がある。
That is, the optical waveguide 2 of the PhC structure 4 and S
Changing the spot size of the guided light by changing the size of at least one of the i-optical waveguide 10 has the effect of reducing the coupling loss.

【0052】上記各実施形態例においては、半導体光導
波路として特に作製上の利点が大きいと考えられるSi
光導波路を主に例としてあげたが、実際には光導波路も
PhC構造も必ずしもSiである必要はなく、例えばG
aAsやInPなどの化合物半導体や、それらにAlな
どを加えた3元系、4元系の材料など、屈折率差を保て
る材料であれば何でも適用可能である。
In each of the above embodiments, the semiconductor optical waveguide is considered to have a particularly great advantage in fabrication.
Although the optical waveguide has been mainly described as an example, actually, the optical waveguide and the PhC structure do not necessarily need to be made of Si.
Any material that can maintain a difference in refractive index, such as a compound semiconductor such as aAs or InP, or a ternary or quaternary material obtained by adding Al or the like thereto, can be used.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光集積回
路によれば、PhC構造による第1の光導波構造と、光
伝搬層としてのコアを同コアよりも屈折率が低い領域に
隣接配置した構造による第2光導波構造を組み合わせて
両者を結合することにより、PhC構造を利用して小型
化を図ることができ、第2光導波構造により外部等との
光入出力を容易かつ効率的に行うことができるので、小
型で低損失な光集積回路を形成できるという大きな効果
がある。
As described above, according to the optical integrated circuit of the present invention, the first optical waveguide structure having the PhC structure and the core as the light propagation layer are adjacent to the region having a lower refractive index than the core. By combining and combining the second optical waveguide structure of the arranged structure, it is possible to reduce the size by using the PhC structure, and the second optical waveguide structure allows easy and efficient light input and output with the outside and the like. Therefore, there is a great effect that a small-sized and low-loss optical integrated circuit can be formed.

【0054】また、第1の光導波構造に曲がり導波路構
造を導入することにより、第2の光導波構造に曲がり導
波路構造を導入する場合に比べ、第1の光導波構造の強
い光閉じ込め作用で曲げ半径を小さくすることができ
る。
Further, by introducing a bent waveguide structure into the first optical waveguide structure, the strong optical confinement of the first optical waveguide structure is improved as compared with the case where a bent waveguide structure is introduced into the second optical waveguide structure. The bending radius can be reduced by the action.

【0055】また、第2の光導波構造を光入出力構造と
して有することにより、第1の光導波構造を光入出力構
造として有する場合に比べ、外部や同一基板内の他の回
路部分との結合損失が低減する。
In addition, by having the second optical waveguide structure as an optical input / output structure, compared with the case where the first optical waveguide structure is provided as an optical input / output structure, it is possible to connect to the outside or other circuit parts within the same substrate. Coupling loss is reduced.

【0056】また、第1、第2の光導波構造の少なくと
も一方のサイズが連続的に変化させてスポットサイズを
変換することとにより、両光導波構造間の結合損失が低
減する。
Further, by changing the spot size by continuously changing at least one of the sizes of the first and second optical waveguide structures, the coupling loss between the two optical waveguide structures is reduced.

【0057】更に、第2の光導波構造のコア材料をSi
とすることにより、LSIの量産技術や高精度な微細加
工技術を適用できるという作製上の利点がある。
Further, the core material of the second optical waveguide structure is Si
By doing so, there is an advantage in manufacturing that mass production technology of LSI and high-precision fine processing technology can be applied.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態例として、PhC構造に
よる光導波構造を有するPhC回路部と、Si光導波路
を組み合わせた光集積回路を示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing an optical integrated circuit in which a PhC circuit portion having an optical waveguide structure based on a PhC structure and a Si optical waveguide are combined as a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施形態例として、図1の回路に
加え、Si光導波路を仲介してPhC回路部に接続され
る他の光波回路部を組み合わせた光集積回路を示す平面
図。
FIG. 2 is a plan view showing, as a first embodiment of the present invention, an optical integrated circuit in which, in addition to the circuit of FIG. 1, another lightwave circuit unit connected to a PhC circuit unit via a Si optical waveguide is combined; .

【図3】本発明の第2実施形態例として、Si光導波路
の曲げ回路部分にPhC構造による光導波構造を適用し
た光集積回路を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing an optical integrated circuit in which an optical waveguide structure having a PhC structure is applied to a bending circuit portion of a Si optical waveguide as a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3実施形態例として、Si光導波路
のサイズが連続的に変化する光集積回路を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing an optical integrated circuit in which the size of a Si optical waveguide changes continuously as a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3実施形態例として、PhC構造に
よる光導波路のサイズ及びSi光導波路のサイズが連続
的に変化する光集積回路を示す図。
FIG. 5 is a diagram showing an optical integrated circuit in which the size of an optical waveguide having a PhC structure and the size of a Si optical waveguide change continuously as a third embodiment of the present invention.

【図6】SOI基板とそれを用いて形成されるSi光導
波路の例を示す図。
FIG. 6 is a diagram showing an example of an SOI substrate and a Si optical waveguide formed using the SOI substrate.

【図7】リブ型光導波路と埋込リブ型光導波路の断面構
造例を示す図。
FIG. 7 is a diagram showing an example of a cross-sectional structure of a rib-type optical waveguide and a buried rib-type optical waveguide.

【図8】2次元PhC構造の断面構造例を示す図。FIG. 8 is a diagram showing an example of a cross-sectional structure of a two-dimensional PhC structure.

【図9】2次元PhC構造における周期的配列の例を示
す図。
FIG. 9 is a diagram showing an example of a periodic arrangement in a two-dimensional PhC structure.

【図10】2次元PhC構造における周期的配列の他の
例を示す図。
FIG. 10 is a diagram showing another example of a periodic array in the two-dimensional PhC structure.

【図11】2次元PhC構造の欠陥による光導波路形成
の例を示す図。
FIG. 11 is a diagram showing an example of forming an optical waveguide by a defect of a two-dimensional PhC structure.

【図12】2次元PhC構造の欠陥による光導波路形成
の他の例を示す図。
FIG. 12 is a diagram showing another example of the formation of the optical waveguide due to the defect of the two-dimensional PhC structure.

【図13】PhC構造による光導波路と光ファイバとの
接続の際のモード不整合損失を示す図。
FIG. 13 is a diagram showing a mode mismatch loss when connecting an optical waveguide and an optical fiber having a PhC structure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 PhC回路 2 PhC構造による直線的な光導波路 3 PhC構造による曲げ部分を有する光導波路 4 PhC構造 5 SiO2 光導波路に適用したPhC構造による曲が
った光導波路 6 PhC構造よる光導波路におけるサイズが連続的に
変化した構造 8a 孔 8b 柱 10 SiO2 光導波路 11 コア 12 SiO2 光導波路におけるサイズが連続的に変化
した構造 16 リブ 20 他の光波回路 30 PLC回路 31 PLC回路中の曲げ回路部分 32 曲げ回路部分の周辺部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 PhC circuit 2 Linear optical waveguide by PhC structure 3 Optical waveguide having bent portion by PhC structure 4 PhC structure 5 Optical waveguide by PhC structure applied to SiO 2 optical waveguide 6 Size of optical waveguide by PhC structure is continuous varying structure 8a hole 8b pillar 10 SiO 2 optical waveguide 11 core 12 SiO 2 waveguide size continuously altered structure 16 ribs 20 other lightwave circuit 30 PLC circuit 31 bent circuit portion 32 bent in the PLC circuit in Peripheral part of circuit part

フロントページの続き (72)発明者 鬼頭 勤 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 杉田 彰夫 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 高橋 千春 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 大森 保治 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 Fターム(参考) 2H047 KA01 KA12 QA02 TA01 TA31Continued on the front page (72) Inventor Tsutomu Kito 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Akio Sugita 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Sun Within the Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Chiharu Takahashi 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Japan Within the Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Yoji Omori 2-3-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo No. Nippon Telegraph and Telephone Corporation F-term (reference) 2H047 KA01 KA12 QA02 TA01 TA31

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光伝搬層内に形成した微細周期構造によ
る第1の光導波構造を有する第1の光集積回路部分と、
前記第1の光導波構造に接続した光伝搬層としてのコア
を前記コアよりも屈折率が低い領域に隣接配置した構造
による第2の光導波構造を有する第2の光集積回路部分
とを有する光集積回路。
A first optical integrated circuit portion having a first optical waveguide structure based on a fine periodic structure formed in a light propagation layer;
A second optical integrated circuit portion having a second optical waveguide structure in which a core as a light propagation layer connected to the first optical waveguide structure is disposed adjacent to a region having a lower refractive index than the core. Optical integrated circuit.
【請求項2】 前記第1の光導波構造に曲がり導波路構
造を導入し、前記第1の光導波構造の強い光閉じ込め作
用により前記曲がり導波路構造の曲げ半径を小さくした
ことを特徴とする請求項1に記載の光集積回路。
2. A bent waveguide structure is introduced into the first optical waveguide structure, and a bending radius of the bent waveguide structure is reduced by a strong light confinement effect of the first optical waveguide structure. The optical integrated circuit according to claim 1.
【請求項3】 前記第2の光導波構造を、光入力構造又
は光出力構造として有することを特徴とする請求項1又
は2に記載の光集積回路。
3. The optical integrated circuit according to claim 1, wherein the second optical waveguide structure has a light input structure or a light output structure.
【請求項4】 前記第1の光導波構造と前記第2の光導
波構造の少なくとも一方の光導波構造のサイズを連続的
に変化させて導波光のスポットサイズを変換することを
特徴とする請求項1又は2又は3に記載の光集積回路。
4. The spot size of guided light is converted by continuously changing the size of at least one of the first optical waveguide structure and the second optical waveguide structure. Item 4. The optical integrated circuit according to item 1, 2, or 3.
【請求項5】 前記コアの材料はSiであることを特徴
とする請求項1又は2又は3又は4に記載の光集積回
路。
5. The optical integrated circuit according to claim 1, wherein a material of the core is Si.
【請求項6】 前記第2の光導波構造はリブ型光導波路
であることを特徴とする請求項1又は2又は3又は4に
記載の光集積回路。
6. The optical integrated circuit according to claim 1, wherein the second optical waveguide structure is a rib-type optical waveguide.
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