JP2001352068A - Substrate, display element, and display unit - Google Patents

Substrate, display element, and display unit

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JP2001352068A JP2000168546A JP2000168546A JP2001352068A JP 2001352068 A JP2001352068 A JP 2001352068A JP 2000168546 A JP2000168546 A JP 2000168546A JP 2000168546 A JP2000168546 A JP 2000168546A JP 2001352068 A JP2001352068 A JP 2001352068A
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liquid crystal
display device
layer
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Akio Takimoto
昭雄 滝本
Yuji Satani
裕司 佐谷
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low-cost and a robust portable terminal display element and a display unit, and also to provide a display which allows one to casually watch TV, wherever one may be. SOLUTION: This display uses a transparent or a colored high molecular substrate, at least a part of the surface of which is covered by a conductive material, and a substrate which is the same one as this but is provided on the surface with a plurality of thin-film transistors, each of which consists of three terminals, that is, gate electrode, source electrode, and drain electrode, and an active semiconductor layer constituted of an organic thin film.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子あるい
は発光表示素子における基板と素子及び、これを用いた
携帯端末表示装置、映像表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate and a liquid crystal display device or a light emitting display device, and a portable terminal display device and a video display device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯端末表示装置では小型、軽量化への
要望が高まっており、表示装置の基板を軽く丈夫にする
開発が著しい。特に液晶表示素子の基板材料としてプラ
スチック材料を用いることが急がれる状況にある。一
方、表示品質の改善も必要であり、TFT駆動による画質
の向上検討もなされている。一方、大型平板表示装置に
おいても低価格化への取り組みは大いに期待されるとこ
ろである。大型ディスプレイ装置としては液晶表示装置
とPDPプラズマ・ディスプレイ・パネルがあるが、いず
れも大型化に伴って製造コストが著しく増大する傾向に
ある。従って大型化に伴って製造方法の革新が必要とな
る。近年は液晶表示装置以外に自発光表示素子である有
機発光素子が注目を集めており、小型携帯端末表示装置
としての可能性を見せ始めた。更にa-Siトランシ゛スタと組み
合わせて画質の向上を目指す開発が進められている。有
機発光素子自信は低温フ゜ロセスで且つ蒸着法による低分子
発光素子、塗布法による高分子発光素子と低価格で形成
できる可能性を秘めている。
2. Description of the Related Art There is an increasing demand for a small and lightweight portable terminal display device, and the development of a light and strong substrate for a display device is remarkable. In particular, there is an urgent need to use plastic materials as substrate materials for liquid crystal display elements. On the other hand, display quality needs to be improved, and improvement in image quality by TFT driving has been studied. On the other hand, efforts to reduce the price of large flat panel displays are highly expected. As large-sized display devices, there are a liquid crystal display device and a PDP plasma display panel, but both tend to significantly increase the manufacturing cost as the size increases. Therefore, innovation of the manufacturing method is required as the size increases. In recent years, organic light-emitting elements, which are self-luminous display elements, have attracted attention in addition to liquid crystal display apparatuses, and have begun to show potential as small portable terminal display apparatuses. Further development is underway to improve image quality in combination with an a-Si transistor. Organic light emitting devices have the potential to be formed at low cost by low temperature processes and low molecular light emitting devices by vapor deposition and polymer light emitting devices by coating.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】安価で且つ丈夫な携帯
端末表示素子、表示装置を提供する。さらには、テレビ
を気軽にどこでも見ることのできる表示装置も併せて提
供する。
SUMMARY OF THE INVENTION An inexpensive and robust portable terminal display device and display device are provided. Furthermore, a display device that allows the user to easily watch television anywhere is also provided.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】安価で丈夫な液晶表示素
子あるいは有機発光素子を提供するために、少なくとも
導電性材料で表面の一部が覆われた透明あるいは着色し
た高分子基板とその基板上にゲート電極、ソース電極、
ドレイン電極の3端子及び有機薄膜の活性半導体層から
なる薄膜トランジスタが複数個、配置された基板を用い
る。
In order to provide an inexpensive and durable liquid crystal display device or organic light-emitting device, a transparent or colored polymer substrate having at least a part of the surface covered with a conductive material and a transparent or colored polymer substrate are provided. Gate electrode, source electrode,
A substrate on which a plurality of thin film transistors each including three terminals of a drain electrode and an active semiconductor layer of an organic thin film are arranged is used.

【0005】更に高分子基板に有機トランジスタを低温
形成してその特性を安定に維持するため、その大きな阻
害要因である外部から進入する水分を遮断するため、少
なくとも導電性材料で表面の一部が覆われた透明あるい
は着色した高分子具材とこの高分子具材の表面をガスバ
リア膜で覆った基板と、その基板上にゲート電極、ソー
ス電極、ドレイン電極の3端子及び有機薄膜の活性半導
体層からなる薄膜トランジスタが複数個、配置された基
板を用いる。
Further, in order to form an organic transistor on a polymer substrate at a low temperature and maintain its characteristics stably, in order to block moisture that enters from outside, which is a major obstacle, at least a part of the surface is made of a conductive material. A covered transparent or colored polymer material, a substrate having the surface of the polymer material covered with a gas barrier film, and three terminals of a gate electrode, a source electrode, a drain electrode and an active semiconductor layer of an organic thin film on the substrate. A substrate on which a plurality of thin film transistors made of are arranged is used.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図1から図6を用いて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0007】(実施の形態1)図1はバリア層で覆われ
たプラスチック基板上に画素ごとに形成された逆スタガ
ー構造の有機トランジスタと蓄積容量からなる液晶素子
基板と液晶層、対向基板で構成される液晶表示素子の断
面構成例を示す。図1において高分子基板材1であり、
代表的にはポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、
ポリアクリレート、ポリイミドなどである。厚みは0.4m
m程度のシート状が代表例であるが、1mmから10mm程
度までの厚板であっても良いし、0.5mm〜数mmであ
っても良い。ガスバリア層2は代表的にSiO2膜で形
成される。他の例としてTa2O5、Al2O3等のガス
バリア性を有する材料であっても良い。膜厚はおよそ1
00オングストロームから数千オングストロームが最適
である。尚、ガスバリア層を高分子基板の外部に設けて
も良い。更に最外部にきずを防止する保護層を設けても
良い。ゲート電極3は代表的には金、パラジウム、クロ
ムニウム等を用いた。ドレイン電極4とソース電極5に
は代表的にはアルミニウムあるいはクロムニウム等を用
いた。それぞれ電極材料は室温〜100度Cの基板温度
設定で成膜した。膜厚は数百から数千オングストローム
の範囲である。ゲート絶縁層6と層間絶縁層7には塗布
形成できるポリオルガノシロキサンを用いた。膜厚は補
助容量の大きさに依存するが、数百から数千オングスト
ロームの範囲である。活性半導体層8としての有機薄膜
は、蒸着法によって微結晶粒が大きく且つ配向性の良好
な膜形成が可能なチオフェンオリゴマあるいはペンタセ
ンを用いた。微粒子粒の大きさは数ミクロンから数十ミクロン
で、その移動度はa−Siの移動度より大きく1.0以
上を確保できる。この移動度は成膜時の基板温度と蒸着
速度に依存するが、基板温度は室温から100度Cまで
で設定できる。膜厚は数十から数千オングストロームの
範囲であり、代表的には500オングストロームで形成
した。特にトランジスタ性能には有機蒸着層の結晶性で
あるが、その他に、ゲート酸化膜6と活性層8との界面
が重要である。そのため界面近傍の成膜では蒸着速度を
十分に押さえる必要がある。液晶表示素子を形成するた
めに低温形成可能なポリイミド配向膜12を有機トラン
ジスタ基板とカラーフィルターと透明電極13を形成し
た対向基板上に塗布した。通常のラビング処理を施した
後にビーズ分散しセルを組み上げた。
(Embodiment 1) FIG. 1 is composed of a liquid crystal element substrate, a liquid crystal layer, and a counter substrate, each having an inverted staggered organic transistor and a storage capacitor formed for each pixel on a plastic substrate covered with a barrier layer. 1 shows a cross-sectional configuration example of a liquid crystal display element to be used. In FIG. 1, it is a polymer substrate material 1,
Typically, polycarbonate, polyether sulfone,
Examples include polyacrylate and polyimide. 0.4m thick
A sheet shape of about m is a typical example, but may be a thick plate of about 1 mm to about 10 mm, or may be 0.5 mm to several mm. The gas barrier layer 2 is typically formed of a SiO2 film. As another example, a material having gas barrier properties such as Ta2O5 and Al2O3 may be used. The film thickness is about 1
Angstroms to thousands angstroms are optimal. Note that the gas barrier layer may be provided outside the polymer substrate. Further, a protective layer for preventing flaws may be provided on the outermost side. The gate electrode 3 typically uses gold, palladium, chromium, or the like. Typically, aluminum or chromium is used for the drain electrode 4 and the source electrode 5. Each electrode material was formed at a substrate temperature setting of room temperature to 100 ° C. The film thickness ranges from hundreds to thousands of angstroms. Polyorganosiloxane that can be applied and formed is used for the gate insulating layer 6 and the interlayer insulating layer 7. The thickness depends on the size of the auxiliary capacitor, but is in the range of hundreds to thousands of angstroms. As the organic thin film as the active semiconductor layer 8, a thiophene oligomer or pentacene, which can form a film having large fine crystal grains and good orientation by an evaporation method, was used. The size of the fine particles is from several microns to several tens of microns, and the mobility thereof can be as large as 1.0 or more than the mobility of a-Si. Although this mobility depends on the substrate temperature and the deposition rate during film formation, the substrate temperature can be set from room temperature to 100 ° C. The film thickness is in the range of tens to thousands of angstroms, and is typically formed at 500 angstroms. In particular, the crystallinity of the organic vapor-deposited layer is important for transistor performance, but the interface between the gate oxide film 6 and the active layer 8 is also important. Therefore, in the film formation near the interface, it is necessary to sufficiently suppress the deposition rate. In order to form a liquid crystal display element, a polyimide alignment film 12 that can be formed at a low temperature was applied on an opposing substrate on which an organic transistor substrate, a color filter, and a transparent electrode 13 were formed. After performing a normal rubbing treatment, beads were dispersed and a cell was assembled.

【0008】(実施の形態2)図2はバリア層2で覆わ
れたプラスチック基板1上に画素ごとに形成された逆ス
タガー構造の有機トランジスタと、正孔輸送層14、電
界発光層16,17,18、電子輸送層19からなる有
機発光層で構成される発光表示素子の断面構成例を示
す。基板構成は図1と同様であるが、内側には全面に透
明電極9としてITOを成膜する。このITO上に発光
機能を担当する3つの膜は室温で真空蒸着可能なトリフ
ェニルアミンを代表とする正孔輸送層14、オキサジア
ゾールを代表とする電子輸送層19及び、緑色発光16
のアルミニウムキノリン、赤色発光17のペリレン、青
色発光18のテトラフェニルブタジエンの発光層を形成
した。それぞれの膜厚は数十から数千オングストローム
である。この発光層の上に更に有機トランジスタを蒸着
法によって形成した。ゲート電極の形成3、ゲート絶縁
膜の形成6、活性層の形成8、ソース電極4、ドレイン
電極5の形成と行った後に、パッシベーション膜で全面
を覆って素子を完成する。
(Embodiment 2) FIG. 2 shows an organic transistor having an inverted staggered structure formed for each pixel on a plastic substrate 1 covered with a barrier layer 2, a hole transport layer 14, and electroluminescent layers 16 and 17. 1 shows a cross-sectional configuration example of a light-emitting display element including an organic light-emitting layer including an electron transport layer 19 and an electron transport layer 19. The structure of the substrate is the same as that of FIG. 1, but an ITO film is formed as a transparent electrode 9 on the entire surface inside. The three films in charge of the light emitting function on the ITO are a hole transport layer 14 typified by triphenylamine which can be vacuum deposited at room temperature, an electron transport layer 19 typified by oxadiazole, and a green light emitting layer 16.
A luminous layer of aluminum quinoline, perylene of red emission 17 and tetraphenylbutadiene of blue emission 18 was formed. Each film thickness is several tens to several thousand angstroms. An organic transistor was further formed on the light emitting layer by an evaporation method. After forming the gate electrode 3, forming the gate insulating film 6, forming the active layer 8, forming the source electrode 4 and the drain electrode 5, the entire surface is covered with a passivation film to complete the device.

【0009】(実施の形態3)図3は図1のプラスチッ
ク基板と有機トランジスタを用いた液晶表示素子21を
組み込んだ携帯電話20の模式図である。表示部分の画
素数はカラーQVGAである。画質が良好なTFT駆動の液
晶素子がパネル製造の全行程を100度C以下で行える
ため、安価・大量に生産が可能となる。従来のa−Si
トランジスタであるとCVD工程が200度以上必要であ
り、プラスチック基板が使用できなかった。更に耐環境
性にも優れ、安定な表示性能を維持できる。
(Embodiment 3) FIG. 3 is a schematic diagram of a mobile phone 20 incorporating a liquid crystal display element 21 using an organic transistor and the plastic substrate of FIG. The number of pixels in the display portion is color QVGA. Since a TFT driven liquid crystal element having good image quality can perform the entire panel manufacturing process at 100 ° C. or less, it can be mass-produced at low cost. Conventional a-Si
In the case of a transistor, a CVD process was required to be 200 degrees or more, and a plastic substrate could not be used. Furthermore, it has excellent environmental resistance and can maintain stable display performance.

【0010】図4は同じく図2のプラスチック基板と有
機トランジスタを用いた有機発光素子22を組み込んだ
携帯電話20の模式図である。表示部分の画素数はカラ
ーQVGAである。画質が良好なTFT駆動の有機発光素子
を安価にできる。現状のパッシブ駆動では実現できない
効率が可能となる。
FIG. 4 is a schematic diagram of a mobile phone 20 incorporating the organic light emitting element 22 using the plastic substrate and the organic transistor of FIG. The number of pixels in the display portion is color QVGA. A TFT driven organic light emitting device having good image quality can be manufactured at low cost. Efficiency that cannot be achieved with the current passive drive is possible.

【0011】(実施の形態4)図5は図1のプラスチッ
ク基板の液晶表示素子21を大型にして対角20インチ
の大きさの液晶TV23を形成したものである。非常に軽
く、丈夫で持ち運びが簡単で、従来のガラス基板と異な
り衝撃に強く安全なディスプレイとなる。図6は図2の
プラスチック基板の有機発光表示素子22を対角10イ
ンチの大きさにして有機発光の薄型TV24を形成したも
のである。
(Embodiment 4) FIG. 5 shows an embodiment in which the liquid crystal display element 21 of the plastic substrate shown in FIG. 1 is enlarged to form a liquid crystal TV 23 having a diagonal size of 20 inches. Extremely light, durable and easy to carry, unlike conventional glass substrates, it is a shock-resistant and safe display. FIG. 6 shows an organic light-emitting display element 22 of the plastic substrate shown in FIG.

【0012】[0012]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、有機トラ
ンジスタを形成した高分子基板を用いることで安価で丈
夫な液晶表紙素子、有機発光素子と、それらを用いた携
帯端末装置、画像表示装置を実現できる。
As described above, according to the present invention, a liquid crystal cover element and an organic light emitting element which are inexpensive and durable by using a polymer substrate on which an organic transistor is formed, and a portable terminal device and an image display using the same are provided. The device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1による高分子基板を用い
た液晶表示素子を示す図
FIG. 1 is a diagram showing a liquid crystal display device using a polymer substrate according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態2による高分子基板を用い
た有機発光素子を示す図
FIG. 2 shows an organic light emitting device using a polymer substrate according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態3によるプラスチック基板
と有機トランジスタを用いた液晶表示素子を組み込んだ
携帯電話の模式図
FIG. 3 is a schematic diagram of a mobile phone incorporating a liquid crystal display element using a plastic substrate and an organic transistor according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態3によるプラスチック基板
と有機トランジスタを用いた有機発光素子を組み込んだ
携帯電話の模式図
FIG. 4 is a schematic diagram of a mobile phone incorporating an organic light-emitting element using a plastic substrate and an organic transistor according to a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態4によるプラスチック基板
と有機トランジスタを用いた液晶表示素子を組み込んだ
液晶TVの模式図
FIG. 5 is a schematic diagram of a liquid crystal TV incorporating a liquid crystal display device using a plastic substrate and an organic transistor according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施の形態3によるプラスチック基板
と有機トランジスタを用いた有機発光素子を組み込んだ
有機発光の薄型TVの模式図
FIG. 6 is a schematic diagram of an organic light emitting thin TV incorporating an organic light emitting device using a plastic substrate and an organic transistor according to a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 高分子基板 2 ガスバリア層 3 ゲート電極 4 ドレイン電極 5 ソース電極 6 ゲート絶縁層 7 層間絶縁層 8 活性半導体層 9 透明電極 10 共通電極 11 補助容量層 12 配向膜 13 液晶層 14 正孔輸送層 15 電極 16 緑色発光層 17 赤色発光層 18 青色発光層 19 電子輸送層 20 携帯電話 21 プラスチック基板の液晶素子 22 プラスチック基板の有機発光素子 23 液晶TV 24 薄型TV DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Polymer substrate 2 Gas barrier layer 3 Gate electrode 4 Drain electrode 5 Source electrode 6 Gate insulating layer 7 Interlayer insulating layer 8 Active semiconductor layer 9 Transparent electrode 10 Common electrode 11 Auxiliary capacitance layer 12 Alignment film 13 Liquid crystal layer 14 Hole transport layer 15 Electrode 16 Green light emitting layer 17 Red light emitting layer 18 Blue light emitting layer 19 Electron transport layer 20 Mobile phone 21 Liquid crystal element on plastic substrate 22 Organic light emitting element on plastic substrate 23 Liquid crystal TV 24 Thin TV

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 338 H01L 29/78 618B 5F110 H04N 5/66 102 G02F 1/1335 530 5G435 // G09F 9/00 302 1/136 500 Fターム(参考) 2H090 JA07 JB03 JC07 JD11 LA01 LA04 LA17 2H091 FA44Z FB02 GA01 GA13 GA16 LA12 2H092 JA26 KA09 KA13 KA18 KB25 MA04 NA27 PA01 PA08 5C058 AA06 AB06 BA35 5C094 AA15 AA31 AA44 BA03 BA29 BA43 CA19 EA03 EA04 EA07 EB01 FB01 FB14 HA08 HA10 5F110 AA30 BB01 CC07 DD01 DD19 EE02 EE04 FF01 FF21 GG05 GG41 GG42 HK03 HK04 NN02 NN22 NN32 NN72 NN73 5G435 AA06 BB05 EE37 GG31 LL07──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) G09F 9/30 338 H01L 29/78 618B 5F110 H04N 5/66 102 G02F 1/1335 530 5G435 // G09F 9 / 00 302 1/136 500 F term (for reference) 2H090 JA07 JB03 JC07 JD11 LA01 LA04 LA17 2H091 FA44Z FB02 GA01 GA13 GA16 LA12 2H092 JA26 KA09 KA13 KA18 KB25 MA04 NA27 PA01 PA08 5C058 AA06 AB06 BA35 5C094 AA18BA03A29A EA07 EB01 FB01 FB14 HA08 HA10 5F110 AA30 BB01 CC07 DD01 DD19 EE02 EE04 FF01 FF21 GG05 GG41 GG42 HK03 HK04 NN02 NN22 NN32 NN72 NN73 5G435 AA06 BB05 EE37 GG31 LL07

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも導電性材料で表面の一部が覆
われた透明あるいは着色した高分子基板とその基板上に
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の3端子及び有
機薄膜の活性半導体層からなる薄膜トランジスタが複数
個、配置された基板。
1. A transparent or colored polymer substrate whose surface is at least partially covered with a conductive material, and three terminals of a gate electrode, a source electrode and a drain electrode and an active semiconductor layer of an organic thin film on the substrate. A substrate on which a plurality of thin film transistors are arranged.
【請求項2】 少なくとも導電性材料で表面の一部が覆
われた透明あるいは着色した高分子具材とこの高分子具
材の表面をガスバリア膜で覆った基板と、その基板上に
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の3端子及び有
機薄膜の活性半導体層からなる薄膜トランジスタが複数
個、配置された基板。
2. A transparent or colored polymer material at least partially covered with a conductive material, a substrate having a surface covered with a gas barrier film, a gate electrode on the substrate, A substrate on which a plurality of thin film transistors including three terminals of a source electrode and a drain electrode and an active semiconductor layer of an organic thin film are arranged.
【請求項3】 少なくとも請求項1あるいは2記載の基
板と液晶層と透明導電材料で覆った対向基板からなる液
晶表示素子。
3. A liquid crystal display device comprising at least the substrate according to claim 1 or 2, a liquid crystal layer, and a counter substrate covered with a transparent conductive material.
【請求項4】 少なくとも請求項1あるいは2記載の基
板と有機電界発光層からなる有機発光表示素子。
4. An organic light emitting display device comprising at least the substrate according to claim 1 or 2 and an organic electroluminescent layer.
【請求項5】 請求項1あるいは2記載の基板と液晶層
と透明導電材料で覆った対向基板からなる液晶表示素子
を用いた携帯端末表示装置。
5. A mobile terminal display device using a liquid crystal display element comprising the substrate according to claim 1 or 2, a liquid crystal layer, and a counter substrate covered with a transparent conductive material.
【請求項6】 少なくとも請求項1あるいは2記載の基
板と有機電界発光層からなる有機発光表示素子を用いた
携帯端末表示装置。
6. A portable terminal display device using an organic light emitting display element comprising at least the substrate according to claim 1 or 2 and an organic electroluminescent layer.
【請求項7】 少なくとも請求項1あるいは2記載の基
板と液晶層と透明導電材料で覆った対向基板からなる液
晶表示素子とテレビチューナを備えた映像表示装置。
7. A video display device comprising a television tuner and a liquid crystal display element comprising at least the substrate according to claim 1 or 2, a liquid crystal layer, and a counter substrate covered with a transparent conductive material.
【請求項8】 少なくとも請求項1あるいは2記載の基
板と有機電界発光層からなる有機発光表示素子とテレビ
チューナを備えた映像表示装置。
8. An image display device comprising a television tuner and an organic light emitting display element comprising at least the substrate according to claim 1 or 2 and an organic electroluminescent layer.
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