JP2001351886A - 統合されたクリーニング及びバフ仕上げ用ステーション - Google Patents
統合されたクリーニング及びバフ仕上げ用ステーションInfo
- Publication number
- JP2001351886A JP2001351886A JP2000357972A JP2000357972A JP2001351886A JP 2001351886 A JP2001351886 A JP 2001351886A JP 2000357972 A JP2000357972 A JP 2000357972A JP 2000357972 A JP2000357972 A JP 2000357972A JP 2001351886 A JP2001351886 A JP 2001351886A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cleaning
- polishing
- buffing
- station
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B29/00—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
- B24B29/02—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents designed for particular workpieces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学的機械研磨後に基板を洗浄および研磨す
る方法と装置を提供すること。 【解決手段】 化学的機械研磨装置は、複数の研磨用ス
テーションとクリーニング用ステーションを有する。ク
リーニング用ステーションは、ウエハを洗浄するクリー
ニング用モジュールと、クリーニング用モジュールにお
ける洗浄の前にウエハをバフ仕上げするバフ仕上げ用モ
ジュールとを含む。
る方法と装置を提供すること。 【解決手段】 化学的機械研磨装置は、複数の研磨用ス
テーションとクリーニング用ステーションを有する。ク
リーニング用ステーションは、ウエハを洗浄するクリー
ニング用モジュールと、クリーニング用モジュールにお
ける洗浄の前にウエハをバフ仕上げするバフ仕上げ用モ
ジュールとを含む。
Description
【０００１】
【背景】本発明は、全般的に基板の化学的機械研磨に関
するもので、より詳細には、化学的機械研磨後に基板を
洗浄および磨くための方法と装置に関する。
するもので、より詳細には、化学的機械研磨後に基板を
洗浄および磨くための方法と装置に関する。
【０００２】集積回路は、通常、シリコンウエハ上で導
電性、半導体性、絶縁性の層を順次堆積することにより
形成される。一つの作製ステップは、非平坦化表面にわ
たり充填層を堆積する工程、非平坦化表面が露出するま
で充填層を平坦化する工程を含む。たとえば、導電性充
填層は、パターン化された絶縁層上に堆積することがで
き、絶縁層内の溝または孔を充填する。充填層は、その
後、ふくらんだ絶縁層のパターンが露出されるまで磨か
れる。平坦化の後、絶縁層のふくらんだパターン間に残
る導電層部分は、ウエハ上の薄膜回路間に導電経路を提
供するバイア、プラグ、ラインを形成する。それに加え
て、平坦化はフォトリトグラフィーのためにウエハ面を
平坦化することが必要である。
電性、半導体性、絶縁性の層を順次堆積することにより
形成される。一つの作製ステップは、非平坦化表面にわ
たり充填層を堆積する工程、非平坦化表面が露出するま
で充填層を平坦化する工程を含む。たとえば、導電性充
填層は、パターン化された絶縁層上に堆積することがで
き、絶縁層内の溝または孔を充填する。充填層は、その
後、ふくらんだ絶縁層のパターンが露出されるまで磨か
れる。平坦化の後、絶縁層のふくらんだパターン間に残
る導電層部分は、ウエハ上の薄膜回路間に導電経路を提
供するバイア、プラグ、ラインを形成する。それに加え
て、平坦化はフォトリトグラフィーのためにウエハ面を
平坦化することが必要である。
【０００３】化学的機械研磨（CMP）は、認められた平
坦化方法の1つである。この平坦化方法は、ウエハがキ
ャリアまたは研磨ヘッド上に搭載されることを通常、必
要とする。ウエハの露出面は、回転している研磨ディス
クパッドまたはベルトパッドに押し付けられる。研摩パ
ッドは、「標準の」パッドか固定した研摩材パッドでも
よい。標準のパッドは、耐久性のある粗くなった面を有
するが、固定した研削材パッドは、包含媒体内に保持さ
れた研摩粒子を有する。キャリアヘッドは、ウエハ上に
制御可能な荷重を提供し、研磨用パッドに対し、それを
押し付ける。少なくとも1つの化学反応剤と、標準パッ
ドが使用されるときには研磨粒子とを含む研磨スラリ
は、研磨用パッドの表面に供給される。
坦化方法の1つである。この平坦化方法は、ウエハがキ
ャリアまたは研磨ヘッド上に搭載されることを通常、必
要とする。ウエハの露出面は、回転している研磨ディス
クパッドまたはベルトパッドに押し付けられる。研摩パ
ッドは、「標準の」パッドか固定した研摩材パッドでも
よい。標準のパッドは、耐久性のある粗くなった面を有
するが、固定した研削材パッドは、包含媒体内に保持さ
れた研摩粒子を有する。キャリアヘッドは、ウエハ上に
制御可能な荷重を提供し、研磨用パッドに対し、それを
押し付ける。少なくとも1つの化学反応剤と、標準パッ
ドが使用されるときには研磨粒子とを含む研磨スラリ
は、研磨用パッドの表面に供給される。
【０００４】主要な研磨ステップの後、ウエハは欠陥を
減らすために一般的に磨かれる。従来のバフ仕上げステ
ップは、より軟かい研摩パッドと、主要な研磨ステップ
より低い圧力を使う。バフ仕上げに続き、メガソニック
クリーナ、選択用ブラシ等でウエハを洗浄することがで
きる。
減らすために一般的に磨かれる。従来のバフ仕上げステ
ップは、より軟かい研摩パッドと、主要な研磨ステップ
より低い圧力を使う。バフ仕上げに続き、メガソニック
クリーナ、選択用ブラシ等でウエハを洗浄することがで
きる。
【０００５】
【概要】一態様において、本発明は化学的機械研磨装置
に向けられている。装置は、複数の研磨用ステーション
とクリーニング用ステーションを有する。クリーニング
用ステーションは、ウエハを洗浄する為のクリーニング
用モジュールと、クリーニング用モジュール内で洗浄す
る前にウエハをバフ仕上げするバフ仕上げ用モジュール
とを含む。
に向けられている。装置は、複数の研磨用ステーション
とクリーニング用ステーションを有する。クリーニング
用ステーションは、ウエハを洗浄する為のクリーニング
用モジュールと、クリーニング用モジュール内で洗浄す
る前にウエハをバフ仕上げするバフ仕上げ用モジュール
とを含む。
【０００６】本発明の実施は、次の特徴中の一以上を含
んでもよい。バフ仕上げ用モジュールは、例えば、ウエ
ハに対し回転できる等、移動可能なバフ仕上げ用パッド
を含み、回転可能なウエハ支持体を含んでもよい。バフ
仕上げ用パッドは、ウエハとほぼ同一径でもよい。ウエ
ハ搬送装置は、研磨用ステーションからクリーニング用
ステーションにウエハを運び、研磨用ステーションの一
つでウエハが研磨され、クリーニング用ステーション内
でバフ仕上げ用モジュールに搬送され、そのバフ仕上げ
用モジュール内でバフ仕上げされるようにコントローラ
が作動可能になっていてもよい。クリーニング用ステー
ションは、ウエハをバフ仕上げ用モジュールからクリー
ニング用モジュールに搬送する為に第二のウエハ搬送装
置を含み、コントローラは、そのウエハをバフ仕上げ用
モジュールからクリーニング用モジュールに搬送させ、
クリーニング用モジュール内で洗浄させる為に作動可能
であってもよい。クリーニング用モジュールは、ブラシ
スクラバまたはスピン-リンス乾燥装置を含んでもよ
い。
んでもよい。バフ仕上げ用モジュールは、例えば、ウエ
ハに対し回転できる等、移動可能なバフ仕上げ用パッド
を含み、回転可能なウエハ支持体を含んでもよい。バフ
仕上げ用パッドは、ウエハとほぼ同一径でもよい。ウエ
ハ搬送装置は、研磨用ステーションからクリーニング用
ステーションにウエハを運び、研磨用ステーションの一
つでウエハが研磨され、クリーニング用ステーション内
でバフ仕上げ用モジュールに搬送され、そのバフ仕上げ
用モジュール内でバフ仕上げされるようにコントローラ
が作動可能になっていてもよい。クリーニング用ステー
ションは、ウエハをバフ仕上げ用モジュールからクリー
ニング用モジュールに搬送する為に第二のウエハ搬送装
置を含み、コントローラは、そのウエハをバフ仕上げ用
モジュールからクリーニング用モジュールに搬送させ、
クリーニング用モジュール内で洗浄させる為に作動可能
であってもよい。クリーニング用モジュールは、ブラシ
スクラバまたはスピン-リンス乾燥装置を含んでもよ
い。
【０００７】もう一つの態様において、本発明は化学的
機械研磨の方法に向けられる。ウエハは、2つ以上の研
磨用ステーションの一つで研磨されて、クリーニング用
ステーションに搬送され、バフ仕上げ用パッドを備えた
クリーニング用ステーションでバフ仕上げされ、クリー
ニング用ステーションで洗浄される。
機械研磨の方法に向けられる。ウエハは、2つ以上の研
磨用ステーションの一つで研磨されて、クリーニング用
ステーションに搬送され、バフ仕上げ用パッドを備えた
クリーニング用ステーションでバフ仕上げされ、クリー
ニング用ステーションで洗浄される。
【０００８】本発明の実施例は、次の特徴を含んでもよ
い。バフ仕上げステップは、研磨ステップよりかなり短
くてもよい。
い。バフ仕上げステップは、研磨ステップよりかなり短
くてもよい。
【０００９】もう一つの態様で、発明は化学機械研磨の
方法に向けられ、そこでは、複数のウエハが複数の研磨
用ステーションで同時に研磨される。ウエハは、クリー
ニング用ステーションに連続して搬送され、クリーニン
グ用ステーション内で連続してバフ仕上げ用パッドでバ
フ仕上げされ、クリーニング用ステーション内で連続し
て洗浄される。
方法に向けられ、そこでは、複数のウエハが複数の研磨
用ステーションで同時に研磨される。ウエハは、クリー
ニング用ステーションに連続して搬送され、クリーニン
グ用ステーション内で連続してバフ仕上げ用パッドでバ
フ仕上げされ、クリーニング用ステーション内で連続し
て洗浄される。
【００１０】本発明の実施例は、次の特徴中の一以上を
含んでもよい。複数のウエハの各々は、クリーニング用
ステーションに搬送される前に、研磨用ステーションの
一つで完了まで研磨されるか、ウエハ研磨の実質的に等
しい部分は、当該ウエハがクリーニング用ステーション
に搬送される前に、各研磨用ステーションで実行されて
もよい。
含んでもよい。複数のウエハの各々は、クリーニング用
ステーションに搬送される前に、研磨用ステーションの
一つで完了まで研磨されるか、ウエハ研磨の実質的に等
しい部分は、当該ウエハがクリーニング用ステーション
に搬送される前に、各研磨用ステーションで実行されて
もよい。
【００１１】発明の考えられる利点は、改良された処理
能力である。
能力である。
【００１２】本発明の一以上の実施例の詳細は、添付図
面と以下の説明に述べられている。本発明の他の特徴、
目的、利点は、説明、図面、特許請求の範囲から明らか
である。
面と以下の説明に述べられている。本発明の他の特徴、
目的、利点は、説明、図面、特許請求の範囲から明らか
である。
【００１３】いろいろな図面における同一符号は、同一
要素を示す。
要素を示す。
【００１４】
【詳細な説明】幾つかのCMP機は、並列に複数の研磨ま
たはバフ仕上げ動作を実行する為の複数の研磨用ステー
ションを含む。本発明は、例えばクリーニング用ステー
ション内のような、主要な研磨用ステーションの外側で
ウエハのバフ仕上げを実行することによって、そのよう
な研磨機における処理能力を改善することができる。こ
れにより、CMP機における主要な研磨用ステーションの
全てが研磨のために使われ、それによって、処理能力を
高めている。
たはバフ仕上げ動作を実行する為の複数の研磨用ステー
ションを含む。本発明は、例えばクリーニング用ステー
ション内のような、主要な研磨用ステーションの外側で
ウエハのバフ仕上げを実行することによって、そのよう
な研磨機における処理能力を改善することができる。こ
れにより、CMP機における主要な研磨用ステーションの
全てが研磨のために使われ、それによって、処理能力を
高めている。
【００１５】図１は、２つの研磨用ステーション２０を
含む、化学的機械研磨（CMP）１０を示す。各研磨用ス
テーションは、プラテン２４を含み、このプラテンに、
従来の永続的な研摩用パッドや包含媒体中に研磨粒子が
埋め込まれた固定した研磨材パッドのような研磨用パッ
ドが固定されている。全般的に長方形に図示されるよう
に、各プラテンは、固定されるか回転可能になってお
り、各研磨用パッドは、プラテン、前進可能なウェブや
リニアベルトに添えつけられている。それに加えて、２
つの研磨用ステーションが示されるが、CMP装置は３つ
以上の研磨用ステーションを含むことができる。さら
に、クラスタまたは他の一部の機器構成において、ステ
ーションを直線状に配置することができる。
含む、化学的機械研磨（CMP）１０を示す。各研磨用ス
テーションは、プラテン２４を含み、このプラテンに、
従来の永続的な研摩用パッドや包含媒体中に研磨粒子が
埋め込まれた固定した研磨材パッドのような研磨用パッ
ドが固定されている。全般的に長方形に図示されるよう
に、各プラテンは、固定されるか回転可能になってお
り、各研磨用パッドは、プラテン、前進可能なウェブや
リニアベルトに添えつけられている。それに加えて、２
つの研磨用ステーションが示されるが、CMP装置は３つ
以上の研磨用ステーションを含むことができる。さら
に、クラスタまたは他の一部の機器構成において、ステ
ーションを直線状に配置することができる。
【００１６】一以上のキャリアヘッド２６が研磨用ステ
ーションの上方に置かれ、各キャリアヘッド２６は、制
御可能な荷重でウエハを研摩パッドの一つに保持する。
研磨用パッドとウエハ間の相対運動は、研磨用パッドの
運動（例えば、固定された研磨用パッドを備えたプラテ
ンの回転または環状運動、研磨ベルトの直線運動）によ
って、又はキャリアの運動（例えば、回転、環状、横振
動）によって、或いはキャリア及び研磨用パッドの両方
の運動によって、提供することができる。研磨液体２８
（固定した研磨材研磨用パッドが使用されるときには研
磨粒子を含む必要はないが）は、研磨用パッドの表面に
供給される。
ーションの上方に置かれ、各キャリアヘッド２６は、制
御可能な荷重でウエハを研摩パッドの一つに保持する。
研磨用パッドとウエハ間の相対運動は、研磨用パッドの
運動（例えば、固定された研磨用パッドを備えたプラテ
ンの回転または環状運動、研磨ベルトの直線運動）によ
って、又はキャリアの運動（例えば、回転、環状、横振
動）によって、或いはキャリア及び研磨用パッドの両方
の運動によって、提供することができる。研磨液体２８
（固定した研磨材研磨用パッドが使用されるときには研
磨粒子を含む必要はないが）は、研磨用パッドの表面に
供給される。
【００１７】CMP装置１０も同様に、ウエハステーショ
ン３０、オプションの度量衡学ステーション４０、ウエ
ハ搬送装置５０を含み、研磨用ステーション２０、ウエ
ハ搬送ステーション３０、オプションの度量衡学ステー
ション４０の間でウエハを移動させる。ドライ−イン
ウエット−アウトまたはウエット−イン ウエット−ア
ウトステーションの可能性もあるが、ウエハ搬送ステー
ション３０は、ドライ−イン−ドライ−アウトステーシ
ョンであることが好ましい。度量衡学ステーション４０
は、従来の度量衡学ツール４２を含み、研磨の均一性と
研磨用ステーションからのウエハのウエハ欠陥とを計測
することができる。ウエハ搬送装置５０は、研磨装置を
横切って直線状に伸びるように示されるが、回転可能な
カルーゼルでもよい。
ン３０、オプションの度量衡学ステーション４０、ウエ
ハ搬送装置５０を含み、研磨用ステーション２０、ウエ
ハ搬送ステーション３０、オプションの度量衡学ステー
ション４０の間でウエハを移動させる。ドライ−イン
ウエット−アウトまたはウエット−イン ウエット−ア
ウトステーションの可能性もあるが、ウエハ搬送ステー
ション３０は、ドライ−イン−ドライ−アウトステーシ
ョンであることが好ましい。度量衡学ステーション４０
は、従来の度量衡学ツール４２を含み、研磨の均一性と
研磨用ステーションからのウエハのウエハ欠陥とを計測
することができる。ウエハ搬送装置５０は、研磨装置を
横切って直線状に伸びるように示されるが、回転可能な
カルーゼルでもよい。
【００１８】CMP装置１０も、結合されたクリーニング
及びバフ仕上げ用ステーション６０を含む。 ウエハ
は、度量衡学ステーション４０から（又は、度量衡学ス
テーション４０が存在しない場合にはウエハ搬送装置５
０から）ウエハ搬送ステーション３０に、クリーニング
及びバフ仕上げ用ステーション６０を介して搬送するこ
とができる。ウエハは、度量衡学ステーション４０か
ら、クリーニング及びバフ仕上げ用ステーション６０を
結合したものに、ウエハ搬送装置５０により、又は、ク
リーニング及びバフ仕上げ用ステーション６０を結合し
たものの中にあるロボットにより、充填することが可能
である。クリーニング及びバフ仕上げ用ステーション６
０は、一以上の洗浄モジュール６２（例えば、ブラシス
クラバや度量衡学クリーナ）と、一以上の乾燥モジュー
ル６４（例えば、スピンリンスドライヤー）とを含み、
ウエハを洗浄して乾燥させる。
及びバフ仕上げ用ステーション６０を含む。 ウエハ
は、度量衡学ステーション４０から（又は、度量衡学ス
テーション４０が存在しない場合にはウエハ搬送装置５
０から）ウエハ搬送ステーション３０に、クリーニング
及びバフ仕上げ用ステーション６０を介して搬送するこ
とができる。ウエハは、度量衡学ステーション４０か
ら、クリーニング及びバフ仕上げ用ステーション６０を
結合したものに、ウエハ搬送装置５０により、又は、ク
リーニング及びバフ仕上げ用ステーション６０を結合し
たものの中にあるロボットにより、充填することが可能
である。クリーニング及びバフ仕上げ用ステーション６
０は、一以上の洗浄モジュール６２（例えば、ブラシス
クラバや度量衡学クリーナ）と、一以上の乾燥モジュー
ル６４（例えば、スピンリンスドライヤー）とを含み、
ウエハを洗浄して乾燥させる。
【００１９】クリーニング及びバフ仕上げ用ステーショ
ン６０も、初期バフ仕上げ用モジュール７０を含む。図
２で示すように、バフ仕上げ用モジュール７０は、移動
してウエハと接触できる回転可能なバフ仕上げパッド７
４と、ウエハ支持体７２とを含む。研磨用ステーション
２０における研磨用パッド２４と対比して、バフ仕上げ
用パッド７４は、比較的に小さく、例えばウエハとほぼ
同一径にすることができる。幾つかの研磨動作におい
て、研磨用ステーション２０で要求される比較的に長い
（他えば数分の）研磨と比較すると、比較的に少量（例
えば２〜３秒）のバフ仕上げだけが要求される。研磨用
ステーション２０の一つがバフ仕上げに使用される場
合、そのステーションは、他の研磨用ステーションで研
磨されるべきウエハを待ってアイドル状態になり、その
ため、処理能力が減少するので、結合されたクリーニン
グとバフ仕上げ用ステーション６０は、特にそのような
操作で有効である。対比すると、両方の研磨用ステーシ
ョンは通常の研磨に使用される場合、その研磨装置の処
理能力は、実際に２倍になる。それに加えて、バフ仕上
げ用パッド７４は小さいことから、それはクリーニング
とバフ仕上げ用ステーション６０に適合し、専用のステ
ーションを必要としない。
ン６０も、初期バフ仕上げ用モジュール７０を含む。図
２で示すように、バフ仕上げ用モジュール７０は、移動
してウエハと接触できる回転可能なバフ仕上げパッド７
４と、ウエハ支持体７２とを含む。研磨用ステーション
２０における研磨用パッド２４と対比して、バフ仕上げ
用パッド７４は、比較的に小さく、例えばウエハとほぼ
同一径にすることができる。幾つかの研磨動作におい
て、研磨用ステーション２０で要求される比較的に長い
（他えば数分の）研磨と比較すると、比較的に少量（例
えば２〜３秒）のバフ仕上げだけが要求される。研磨用
ステーション２０の一つがバフ仕上げに使用される場
合、そのステーションは、他の研磨用ステーションで研
磨されるべきウエハを待ってアイドル状態になり、その
ため、処理能力が減少するので、結合されたクリーニン
グとバフ仕上げ用ステーション６０は、特にそのような
操作で有効である。対比すると、両方の研磨用ステーシ
ョンは通常の研磨に使用される場合、その研磨装置の処
理能力は、実際に２倍になる。それに加えて、バフ仕上
げ用パッド７４は小さいことから、それはクリーニング
とバフ仕上げ用ステーション６０に適合し、専用のステ
ーションを必要としない。
【００２０】図示されるように、バフ仕上げ用パッド７
４は、駆動シャフト７８でモータ（図示せず）に連結さ
れている回転可能なバッキングプレート７６に取付け可
能である。また、バフ仕上げ用パッドは静止したままに
することができ、ウエハ支持体７２によりウエハＷを回
転させることができる。約３０から２００rpmまでの相
対的回転速度は、バフ仕上げ用パッド７４に適切であ
る。バフ仕上げ用パッドとウエハとの間の相対運動は、
バッキングプレート７６かウエハ支持体７２のどちらか
一方、若しくは両方の回転により作られるが、ウエハに
かかるバフ仕上げ用パッドの圧力は、バッキングプレー
ト７６かウエハ支持体７２のいずれか一方もしくは両方
の垂直作動により作られる。バフ仕上げ用パッド７４の
下方にウエハＷと共に図示されているが、バフ仕上げ用
モジュールは、他の位置決め基準点を持つことができ
る。
４は、駆動シャフト７８でモータ（図示せず）に連結さ
れている回転可能なバッキングプレート７６に取付け可
能である。また、バフ仕上げ用パッドは静止したままに
することができ、ウエハ支持体７２によりウエハＷを回
転させることができる。約３０から２００rpmまでの相
対的回転速度は、バフ仕上げ用パッド７４に適切であ
る。バフ仕上げ用パッドとウエハとの間の相対運動は、
バッキングプレート７６かウエハ支持体７２のどちらか
一方、若しくは両方の回転により作られるが、ウエハに
かかるバフ仕上げ用パッドの圧力は、バッキングプレー
ト７６かウエハ支持体７２のいずれか一方もしくは両方
の垂直作動により作られる。バフ仕上げ用パッド７４の
下方にウエハＷと共に図示されているが、バフ仕上げ用
モジュールは、他の位置決め基準点を持つことができ
る。
【００２１】いろいろなウエハ搬送装置の操作をコーデ
ィネートする、プログラム可能なデジタルコンピュータ
のようなコントローラにより、ＣＭＰ装置は操作され
る。コントローラは、ウエハを研磨用ステーションの一
つで研磨させ、クリーニング用ステーションに搬送さ
せ、バフ仕上げ用モジュールでバフ仕上げされ、クリー
ニング用モジュールで洗浄されるように、動作可能であ
る。実質的に等しい部分のウエハ研磨が各研磨用ステー
ションで実行される連続研磨モードで、或いは、他の研
磨用ステーションまたは複数のステーションで研磨され
ずウエハが研磨用ステーションの一つで完全に研磨さ
れ、その後、クリーニングが組み合わされたバフ研磨用
ステーションに移動されるパラレル研磨モードで、ＣＭ
Ｐ装置は動作可能である。
ィネートする、プログラム可能なデジタルコンピュータ
のようなコントローラにより、ＣＭＰ装置は操作され
る。コントローラは、ウエハを研磨用ステーションの一
つで研磨させ、クリーニング用ステーションに搬送さ
せ、バフ仕上げ用モジュールでバフ仕上げされ、クリー
ニング用モジュールで洗浄されるように、動作可能であ
る。実質的に等しい部分のウエハ研磨が各研磨用ステー
ションで実行される連続研磨モードで、或いは、他の研
磨用ステーションまたは複数のステーションで研磨され
ずウエハが研磨用ステーションの一つで完全に研磨さ
れ、その後、クリーニングが組み合わされたバフ研磨用
ステーションに移動されるパラレル研磨モードで、ＣＭ
Ｐ装置は動作可能である。
【００２２】本発明の多くの実施例を説明してきた。そ
れでも、本発明の精神および範囲から逸脱することな
く、様々な変形例が可能である。したがって、他の実施
例は、特許請求の範囲内にある。
れでも、本発明の精神および範囲から逸脱することな
く、様々な変形例が可能である。したがって、他の実施
例は、特許請求の範囲内にある。
【図１】図１は、２つの研磨用ステーションとクリーニ
ング及びバフ仕上げ用ステーションを備えた研摩装置の
概略平面図である。
ング及びバフ仕上げ用ステーションを備えた研摩装置の
概略平面図である。
【図２】図２は、バフ仕上げ装置の側面図である。
１０…化学的機械研磨装置、２０…研磨用ステーショ
ン、２４…プラテン、２６…キャリアヘッド、２８…研
磨液体、３０…ウエハ搬送ステーション、４０…度量衡
学ステーション、５０…ウエハ搬送装置、６０…バフ仕
上げ用ステーション、６２…クリーニング用モジュー
ル、６４…乾燥モジュール、７０…バフ仕上げ用モジュ
ール、７２…ウエハ支持体、７４…バフ仕上げ用パッ
ド、７６…バッキングプレート、７８…駆動シャフト。
ン、２４…プラテン、２６…キャリアヘッド、２８…研
磨液体、３０…ウエハ搬送ステーション、４０…度量衡
学ステーション、５０…ウエハ搬送装置、６０…バフ仕
上げ用ステーション、６２…クリーニング用モジュー
ル、６４…乾燥モジュール、７０…バフ仕上げ用モジュ
ール、７２…ウエハ支持体、７４…バフ仕上げ用パッ
ド、７６…バッキングプレート、７８…駆動シャフト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サッソン ソメク アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ロス アルトス ヒルズ， ムーディ ロ ード 25625 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AA18 AB03 AB08 CB03 DA12 DA18
Claims (15)
- 【請求項１】 複数の研磨用ステーションとクリーニン
グ用ステーションとを備える化学的機械研磨装置であっ
て、上記クリーニング用ステーションは、ウエハを洗浄
するクリーニング用モジュールと、上記クリーニング用
モジュール内での洗浄の前にウエハをバフ仕上げするバ
フ仕上げ用モジュールとを含む、化学的機械研磨装置。 - 【請求項２】 上記バフ仕上げ用モジュールは、ウエハ
に対し移動可能なバフ仕上げ用パッドを含む、請求項１
記載の装置。 - 【請求項３】 上記バフ仕上げ用パッドは、ウエハと同
じ直径を有する、請求項２記載の装置。 - 【請求項４】 上記バフ仕上げ用パッドは、回転可能で
ある、請求項２記載の装置。 - 【請求項５】 バフ仕上げ用モジュールは、回転可能な
ウエハ支持体を含む、請求項１記載の装置。 - 【請求項６】 ウエハを研磨用ステーションからクリー
ニング用ステーションに運ぶウエハ搬送装置と、ウエハ
を研磨用ステーションの一つで研磨させ、クリーニング
用ステーションにおけるバフ仕上げ用モジュールに搬送
させ、バフ仕上げ用モジュールでバフ仕上げさせる為に
動作可能なコントローラと、を更に備える、請求項１記
載の装置。 - 【請求項７】 ウエハをバフ仕上げ用モジュールからク
リーニング用モジュールに搬送する為に第二のウエハ搬
送装置を含む、請求項６記載の装置。 - 【請求項８】 上記コントローラは、ウエハをバフ仕上
げ用モジュールからクリーニング用モジュールに搬送さ
せ、クリーニング用モジュールで洗浄させる為に動作可
能である、請求項７記載の装置。 - 【請求項９】 上記クリーニング用モジュールは、ブラ
シスクラバを含む、請求項１記載の装置。 - 【請求項１０】 上記クリーニング用モジュールは、ス
ピンリンスドライヤを含む、請求項９記載の装置。 - 【請求項１１】 ２以上の研磨用ステーション中の一つ
でウエハを研磨するステップと、ウエハをクリーニング
用ステーションに搬送するステップと、上記クリーニン
グ用ステーション内でウエハをバフ仕上げ用パッドでバ
フ仕上げするステップと、上記クリーニング用ステーシ
ョン内でウエハを洗浄するステップと、を備える化学的
機械研磨方法。 - 【請求項１２】 上記バフ仕上げするステップは、上記
研磨するステップよりかなり短い、請求項１１記載の方
法。 - 【請求項１３】 複数の研磨用ステーションで複数のウ
エハを同時に研磨するステップと、ウエハを連続してク
リーニング用ステーションに搬送するステップと、上記
クリーニング用ステーション内で上記ウエハをバフ仕上
げ用パッドで連続してバフ仕上げするステップと、上記
クリーニング用ステーションで上記ウエハを連続して洗
浄するステップと、を備える化学的機械研磨方法。 - 【請求項１４】 複数のウエハの各々が、クリーニング
用ステーションに搬送される前に研磨用ステーションの
一つで完全に研磨される、請求項１３記載の方法。 - 【請求項１５】 ウエハがクリーニング用ステーション
に搬送される前に、実質的に等しい部分のウエハ研磨が
各研磨用ステーションで実行される、請求項１３記載の
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16741299P | 1999-11-24 | 1999-11-24 | |
| US60/167412 | 1999-11-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001351886A true JP2001351886A (ja) | 2001-12-21 |
Family
ID=22607285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000357972A Withdrawn JP2001351886A (ja) | 1999-11-24 | 2000-11-24 | 統合されたクリーニング及びバフ仕上げ用ステーション |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1111659A2 (ja) |
| JP (1) | JP2001351886A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6445298B2 (ja) * | 2014-10-09 | 2018-12-26 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、及び、処理方法 |
| CN111341700A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-06-26 | 北京烁科精微电子装备有限公司 | 一种共用清洗模块、抛光设备及集成电路制造系统 |
-
2000
- 2000-11-24 JP JP2000357972A patent/JP2001351886A/ja not_active Withdrawn
- 2000-11-24 EP EP20000310460 patent/EP1111659A2/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1111659A2 (en) | 2001-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW471994B (en) | System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers | |
| US7166016B1 (en) | Six headed carousel | |
| JP3645528B2 (ja) | 研磨方法及び半導体装置の製造方法 | |
| US5702563A (en) | Reduced chemical-mechanical polishing particulate contamination | |
| JP2004517479A (ja) | 表面積を減じた研磨パッドと可変式部分的パッド−ウェーハ・オーバラップ技法を用いて半導体ウェーハを研磨し平坦化するためのシステム及び方法 | |
| JP2001068441A (ja) | 選択的ダマシンケミカルメカニカルポリシング | |
| JP2002518845A (ja) | シリコンを化学機械研磨する技術 | |
| US5975991A (en) | Method and apparatus for processing workpieces with multiple polishing elements | |
| US6218306B1 (en) | Method of chemical mechanical polishing a metal layer | |
| JP3560051B2 (ja) | 基板の研磨方法及び装置 | |
| US6758726B2 (en) | Partial-membrane carrier head | |
| JP3362478B2 (ja) | ウェハ研磨装置及びウェハ研磨方法 | |
| JP2002510875A (ja) | ケミカルメカニカルポリシングにおいてスラリーを除去する装置および方法 | |
| JP2001351886A (ja) | 統合されたクリーニング及びバフ仕上げ用ステーション | |
| JPH11207594A (ja) | モジュール式ウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法 | |
| JP3556148B2 (ja) | ウェハ研磨装置 | |
| JP3528501B2 (ja) | 半導体の製造方法 | |
| US6833324B2 (en) | Process and device for cleaning a semiconductor wafer | |
| JP3045233B2 (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
| JP2000133623A (ja) | 平坦化方法及び平坦化装置 | |
| JP2001009710A (ja) | ウエーハ研磨装置 | |
| JP2001345293A (ja) | 化学機械研磨方法及び化学機械研磨装置 | |
| JPH08250457A (ja) | 縦型ウエハ研磨装置 | |
| KR20070077979A (ko) | 화학적 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 웨이퍼의 연마방법 | |
| US20050181708A1 (en) | Removal of embedded particles during chemical mechanical polishing |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080205 |