JP2001351851A

JP2001351851A - 半導体製造装置および半導体デバイス製造方法

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Publication number: JP2001351851A
Application number: JP2000171454A
Authority: JP
Inventors: Hajime Nakamura; 中村　　元
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-06-08
Filing date: 2000-06-08
Publication date: 2001-12-21

Abstract

(57)【要約】【課題】光路上に空気の揺らぎを生じさせることなく
遮光装置を効率よく冷却することができ、空気の揺らぎ
に起因する短時間での照度変化や照度むらをなくして不
良素子の製造要因を排除し、装置稼動率を上げかつ装置
稼動コストを減少させることが可能な半導体製造装置を
提供する。【解決手段】冷却制御部１８と送風制御部１９により
それぞれ制御される冷却機１６と送風機１７によって温
調された冷却用空気を中空形状のシャッター１０の内部
空間に供給することにより、光源ランプ９からの光の遮
光と投光動作を行うシャッター１０を内部から冷却する
ようにして、冷却用空気による光路上の空気の揺らぎを
発生させず、また、シャッター１０の投光状態や遮光状
態、遮光状態保持時間さらに光源ランプ９への入力電力
等に応じて、冷却用空気の送風量や温度を制御して、シ
ャッター１０を効率よく冷却する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光源からの光路の
開閉を行う遮光装置を備えた半導体製造装置および半導
体デバイス製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の半導体素子においては微細化が進
み、半導体製造過程では微細加工に伴い半導体素子を製
造する半導体露光装置や半導体製造装置についても、ま
すます微細化加工が可能な環境が必要とされている。ま
た、半導体露光装置について、その生産性、生産効率の
向上も叫ばれている。

【０００３】このような状況において、その生産性向上
のために、高出力の光源装置を使用し、短時間の露光で
半導体素子を製造し、生産効率を向上させている。

【０００４】従来、半導体露光装置においては、光源か
ら発せられた露光光は、シャッターと呼ばれる遮光装置
によって遮光および投光の動作が行われ、素子製作に適
した適正露光量で露光されるように制御され、露光光は
レチクル等の原版上に描画されたパターンや光学系を通
してレチクル等の原版のパターン像をウエハ等の基板上
に露光する。通常、生産効率の向上を目指す場合、露光
光の光源を大光量の光源に変更し、同じ露光光を求める
に際して照度が上がった分、露光時間を短くし、単位時
間当りのウエハ等の基板処理枚数を多くしている。この
ような方法によって、素子製作の生産性をあげ、装置自
体の生産効率をアップさせるようにしている。

【０００５】この場合、遮光装置としては、従来と同様
に金属板を使用し、金属板の回転または直線動作により
遮光および投光の動作を行っているが、光源の光量アッ
プにより、遮光装置の光源側の表面が大光量の光照射に
よる熱等の要因でダメージを受けていた。このようなダ
メージを減少させるために冷却手段を遮光装置に付加す
る技術が特開平９−２７４４６号公報等に提案されてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たように、露光光の光源を大光量の光源に変更して照度
を上げ、露光時間を短くし、単位時間当りのウエハ等の
基板処理枚数を多くして、装置自体の生産性をアップさ
せているが、装置自体の生産効率をアップさせると、光
源の光量アップにより、遮光装置の光源側の表面が大光
量の熱等の要因によりダメージを受けてしまうという現
象が発生する。このようなダメージは、装置の使用状態
や光源の使用状態によって変化するために、ユーザーが
知らないうちに、遮光装置のダメージが進み、このダメ
ージにより遮光部片からの漏れ光が発生し、この漏れ光
により不良素子を製造させてしまうという問題点があっ
た。

【０００７】また、ダメージを減少させるために遮光装
置に冷却手段を付加する装置では、冷却手段によって、
遮光状態や露光状態にかかわらず、また、光源ランプの
入力電力の高低にかかわらず、常にケミカルフィルター
を通した空気を光路上に吹き付けている。遮光装置の光
路上に直接冷却のための空気を常に吹き付けているた
め、露光状態すなわち遮光装置が投光（透過）状態のと
き、光路上に空気の揺らぎが発生し、短時間での照度変
化が生じさらに照度むらを発生させる。このような照度
変化や照度むらにより、不良素子を製造させてしまうと
いう問題点があった。また、空気を清浄化するために空
気を通過させるケミカルフィルターは高価であり、その
寿命は通過する空気の量により決まるため、常にケミカ
ルフィルターに空気を通していることから、ケミカルフ
ィルターの交換頻度が上がり、装置を稼動するにあたり
稼動コストの増大という問題が発生している。

【０００８】そこで、本発明は、前述した従来技術の有
する未解決の課題に鑑みてなされたものであって、光路
上に空気の揺らぎを生じさせることなく大光量の光の照
射を受ける遮光装置を効率よく冷却することができ、空
気の揺らぎに起因する短時間での照度変化や照度むらを
なくして不良素子の製造要因を排除し、さらに、装置稼
動率を上げかつ装置稼動コストを減少させることが可能
な半導体製造装置および半導体デバイス製造方法を提供
することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体製造装置は、光源からの光の遮光動
作を行う遮光装置を備えた半導体製造装置において、前
記遮光装置を内部から冷却することを特徴とする。

【００１０】本発明の半導体製造装置においては、前記
遮光装置を中空構造とし、該中空構造内に温調された気
体または冷媒を流すことにより、前記遮光装置を内部か
ら冷却することが好ましい。

【００１１】本発明の半導体製造装置においては、半導
体製造装置の稼動状態によって前記遮光装置の冷却を制
御することが好ましい。

【００１２】本発明の半導体製造装置においては、前記
遮光装置の遮光状態や投光状態に応じて、および／また
は、前記遮光装置の遮光状態保持時間に応じて、前記遮
光装置の冷却を制御することが好ましく、また、前記半
導体製造装置の光源ランプへの入力電力に応じて、およ
び／または、光源ランプの輝度に応じて、前記遮光装置
の冷却を制御することが好ましい。

【００１３】本発明の半導体製造装置においては、前記
遮光装置の冷却の制御は、該遮光装置の内部へ供給する
気体または冷媒の温度および／または気体または冷媒の
供給量を制御することにより行うことが好ましい。

【００１４】本発明の半導体製造装置においては、前記
遮光装置の中空構造内に流す気体は、ケミカルフィルタ
ーを介して取り込まれ、送風機および冷却機によりその
供給量と温度が制御されることが好ましい。

【００１５】本発明の半導体製造装置においては、前記
送風機および冷却機により制御された気体は、前記遮光
装置の中空構造の中央部から外周側部に流れ、該外周側
部から外部へ排出されるように構成されていることが好
ましい。

【００１６】本発明の半導体製造装置においては、前記
遮光装置の中空構造内に流す気体または冷媒は、温調さ
れる気体または熱吸収の高い物質であり、冷却機により
温調され、ポンプにより供給量が制御されることが好ま
しく、また、前記気体または冷媒は、前記遮光装置の中
空構造内に配置された冷却路内を流れ、前記冷却機およ
びポンプを介して循環するように構成されていることが
好ましい。

【００１７】本発明の半導体製造装置においては、前記
遮光装置は回転体または直線移動体で形成することがで
きる。

【００１８】本発明の半導体製造装置においては、前記
遮光装置の内部に熱移動機能を備えることが好ましく、
また、前記遮光装置の中空構造の内部に作業液を封入
し、該作業液の沸騰と凝縮作用により熱を移動させるこ
とが好ましい。

【００１９】本発明の半導体製造装置においては、前記
遮光装置の熱吸収位置と熱放出位置は前記遮光装置内の
異なる位置に設定することができ、前記熱吸収位置は、
前記光源からの光が通過する個所であることが好まし
く、前記熱放出位置には、冷却手段が設けられているこ
とが好ましい。

【００２０】さらに、本発明の半導体製造装置において
は、ディスプレイと、ネットワークインターフェイス
と、ネットワークアクセス用ソフトウェアを実行するコ
ンピュータとをさらに有し、半導体製造装置の保守情報
をコンピュータネットワークを介してデータ通信するこ
とを可能にすることが好ましく、また、前記ネットワー
クアクセス用ソフトウェアは、前記半導体製造装置のベ
ンダーもしくはユーザーが提供する保守データベースに
アクセスするためのユーザーインターフェースを前記デ
ィスプレイ上に提供し、前記コンピュータネットワーク
に接続されたインターネットまたは専用線ネットワーク
を介して該データベースから情報を得ることを可能にす
ることが好ましい。

【００２１】さらに、本発明の半導体デバイス製造方法
は、前述した半導体製造装置を含む各種プロセス用の製
造装置群を半導体製造工場に設置するステップと、前記
製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバ
イスを製造するステップとを有することを特徴とする。

【００２２】本発明の半導体デバイス製造方法において
は、前記製造装置群をローカルエリアネットワークで接
続するステップと、前記ローカルエリアネットワークと
前記半導体製造工場外の外部ネットワークであるインタ
ーネットまたは専用線ネットワークとの間で、前記製造
装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信する
ステップとをさらに有することが好ましい。

【００２３】本発明の半導体デバイス製造方法において
は、前記データ通信によって、半導体デバイスの製造者
または前記半導体製造装置の供給者が提供するデータベ
ースに前記外部ネットワークを介してアクセスして前記
製造装置の保守情報を得、あるいは前記半導体製造工場
とは別の半導体製造工場との間で前記外部ネットワーク
を介してデータ通信して生産管理を行うことが好まし
い。

【００２４】

【作用】本発明の半導体製造装置によれば、半導体製造
装置における遮光装置の冷却を遮光装置の内部から行う
ことができ、冷却のための空気等を光路上を通過さない
ことから、光路上の空気の揺らぎを発生させることがな
く、空気の揺らぎによる短時間での照度変化や照度むら
をなくし、不良素子の製造の原因となる照度変化や照度
むらを排除することが可能となる。

【００２５】また、半導体製造装置における遮光装置の
冷却のため、遮光装置の内部空間に温調された空気を流
し、半導体製造装置の稼動状態（すなわち、遮光装置の
状態（投光状態と遮光状態）、遮光装置が遮光状態にな
ってからの経過時間、あるいは、光源ランプの入力電力
や輝度等）に応じて、遮光装置の冷却を制御することが
でき、また、冷却用の空気の温度や流量に関して、半導
体製造装置の稼動状態のデータにより、遮光装置の冷却
として、温度を下げて冷却するか、あるいは風量を多く
して冷却するか、あるいはまた温度と風量の両方を調節
して冷却するか等の適切な冷却方法を適宜選択すること
ができ、冷却すべき遮光装置が投光状態のときに冷却用
空気の風量を微少量に制御し、かつ冷却空気を光路上に
通過させることなく遮光装置の内部空間を流すことによ
り、光路上にて空気の揺らぎをなくすることができ、空
気の揺らぎによる短時間での照度変化さらには照度むら
をなくすることができる。

【００２６】さらに、半導体製造装置の稼動状態に応じ
て冷却手段を制御することにより、ケミカルフィルター
を通した冷却用空気の使用量を最小にし、高価なケミカ
ルフィルターの交換頻度を下げて、装置稼動率を上昇さ
せかつ装置稼動コストを減少させることが可能となる。

【００２７】また、遮光装置の内部空間に温調された気
体または熱吸収性の高い物質等の冷媒を循環させ、冷媒
によって遮光装置に蓄積された熱を吸収して熱移動を行
い、該熱を冷却手段により他に変換して放出することに
より、遮光装置を内部から冷却することができ、光路上
に冷却用空気等を流す必要がない。これにより、冷却用
空気の流れや冷却用空気の温度差等の要因による光路上
の空気の揺らぎを発生させることがなく、空気の揺らぎ
による短時間での照度変化や照度むらをなくすことが可
能となる。さらに、半導体製造装置の稼動状態によって
遮光装置の内部からの冷却を制御することにより、冷媒
の循環量や温度を制御して冷媒の使用量や冷却動作を最
小にし、装置稼動コストを減少させることが可能とな
る。

【００２８】また、傾斜して設置された中空形状の遮光
装置の内部空間に沸騰気化と凝縮液化を繰り返すことに
より熱を移動させる機能を備える作業液（冷媒）を封入
し、遮光装置の光路と反対側を包囲する空間に冷却用の
空気を供給するように構成することにより、遮光装置内
の作業液は、遮光装置の光路部分において露光光の熱に
より沸騰気化して遮光装置の熱を吸収し、光路と反対側
に移動して、作業液の凝縮作用により熱を放出して液化
し、再度光路側に戻るという作用を繰り返し行い、光路
側の露光光による熱を光路とは反対側に移動させること
ができ、このため、露光光に影響を与えることなく遮光
装置を冷却することが可能となり、さらに、光路上に冷
却用空気を通過させることなく遮光装置内で光路と異な
る位置に熱を移動させて冷却を行うようにし、遮光装置
を冷却するための空間も最小限の空間で冷却することが
できる。したがって、光路上に冷却用空気を流す必要が
なく、光路上に空気の揺らぎを発生させることがなく、
空気の揺らぎによる短時間での照度変化や照度むらが原
因である不良素子の製造をなくすことが可能となる。さ
らに、遮光装置の冷却位置を光路部分とは異なる位置に
設定することができ、冷却空間を自由に設定することが
可能となり、また、作業空間を小さくすることができ、
装置の小形化を可能にし、クリーンルームコストを減少
させることができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。

【００３０】図１は、本発明の第１実施例の半導体製造
装置の構成を示す概略図であり、図２は、本発明の第１
実施例の半導体製造装置における光源部とシャッターの
冷却制御系を示す概略図であり、図３は、本発明の第１
実施例の半導体製造装置におけるシャッターを示す図で
あって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−
Ｂ線に沿って破断した断面図、（ｃ）はＣ方向から見た
側面図であり、図４の（ａ）および（ｂ）は、本発明の
第１実施例の半導体製造装置におけるシャッターと光束
の関係を示す概略図であり、図５は、本発明の第１実施
例の半導体製造装置における制御シーケンスを説明する
図であって、シャッターの開閉状態（Ａ）、光源ランプ
の入力電力（Ｂ）、送風機の噴出し風量（Ｃ）および冷
却機の噴出し温度（Ｄ）の関係を経時的に示す概要図で
ある。

【００３１】図１に図示する本発明の第１実施例の半導
体製造装置は、レチクル等の原版上のパターンを投影光
学系を介してウエハ等の基板上の各ショット領域に一括
露光するステップ・アンド・リピート方式の露光装置で
あり、半導体パターンの焼き付けを行うための光を発す
る光源ランプ９および光源ランプ９から発せられる光の
遮光および投光動作を行う遮光装置としてのシャッター
１０を備える光源部１と、光源部１から発せられる光の
照明分布を均一な光束に整形して該光束をパターンが描
画されているレチクル等の原版３に導く照明光学系２
と、原版３を搭載して原版３の位置決めを行う原版ステ
ージ４と、原版３のパターンを露光対象のウエハ等の基
板６に投影露光する投影光学系５と、ウエハ等の基板６
を搭載して基板６を露光位置へ移動させる基板ステージ
７とから構成され、光源部１の光源ランプ９から発せら
れる露光光は、照明光学系２により照明分布が均一な光
束に整形され反射ミラー等を介して原版ステージ４上に
搭載されている原版３を照射し、原版３に描画されてい
るパターンは投影光学系５を介して基板ステージ７上に
載置している基板６の各ショット領域に転写され、基板
６上に半導体パターンの焼付けを行うように構成されて
いる。

【００３２】光源部およびシャッターの冷却制御系を図
示する図２において、光源部１の内部には、光源ランプ
９から発せられ楕円ミラー９ａにて集光された光束Ｌの
遮光と投光動作を行う遮光装置としての中空形状のシャ
ッター１０が配設され、シャッター１０は、その中空の
回転中心軸１１に設けられた歯車群を介してシャッター
駆動モーター１２により回転駆動され、その回転位置は
シャッター位置センサー１３により検出される。シャッ
ター駆動モーター１２とシャッター位置センサー１３
は、モーター制御部１５に接続されている。また、シャ
ッター１０を冷却するための空気を中空形状のシャッタ
ー１０の中空内部に送るために、所望量の空気を冷却し
て供給する冷却手段に接続される配管１４が中空の回転
中心軸１１に配管１４が接続されている。冷却手段は、
冷却機１６と送風機１７とから構成され、送風機１７の
空気取り入れ口には化学フィルターであるケミカルフィ
ルター１７ａが取付けられている。このケミカルフィル
ター１７ａは空気中の塵埃を除去するとともに光学系等
に曇り物質を生成する不純物質を化学吸着的に除去して
清浄な空気を送風機１７内に取り込む作用をする。これ
らの冷却機１６と送風機１７は、それぞれ冷却制御部１
８と送風制御部１９に接続され、それぞれの制御部１
８、１９によってシャッター１０を冷却するための空気
の温度や送風する空気量が制御される。これらの冷却制
御部１８と送風制御部１９は、モーター制御部１５とと
もに、装置シーケンスコントロール部２０に接続され、
これらは、冷却空気の温度や風量およびシャッター状態
をデータとして受渡しを行う。装置シーケンスコントロ
ール部２０は、さらに、ランプ電源部２１に接続され、
光源ランプ９の入力電力や輝度等を制御し、そして、ラ
ンプ電源部２１との間で光源ランプ９の状態をデータと
して受渡しを行う。また、装置シーケンスコントロール
部２０は、図示しないステージ制御部等にも接続されて
おり、前記の各制御部を連動させるように制御し、さら
に、装置全体のシーケンス制御を行うことができるよう
に構成されている。

【００３３】シャッター１０は、直線移動体あるいは回
転体で形成することができるが、本実施例においては、
図３の（ａ）ないし（ｃ）に図示するように、円周状に
等間隔に形成された３枚の羽根状の遮光部片１０ａを有
する回転体として形成され、内部に冷却空気を流すこと
ができるように中空構造（または２重構造）で構成され
ており、さらに、各遮光部片１０ａの外周側面には空気
を流出させるための複数の排気孔１０ｃ（図３の（ｃ）
参照）が設けられている。また、回転中心軸１１も同様
に中空構造に構成されている。このように構成されるシ
ャッター１０において、冷却用の空気は、冷却手段に接
続されている配管１４から回転中心軸１１の中空部１１
ａを介してシャッター１０の内部空間１０ｂへ送り込ま
れ、３枚の遮光部片１０ａの内部を通り、それぞれの遮
光部片１０ａの外周側面に設けられている複数の排気孔
１０ｃから排出され、冷却用の空気が３枚の遮光部片１
０ａの内部空間１０ｂを通過する間に、シャッター１０
を内部から冷却することができる構造となっている。

【００３４】そして、シャッター１０は、シャッター駆
動モーター１２により、図４の（ａ）および（ｂ）に示
すように、一方向に６０度づつ回転駆動され、光源ラン
プ９から発せられ楕円ミラー９ａにて集光された光束Ｌ
の投光および遮光を行う。図４の（ａ）は、シャッター
１０の１枚の羽根状の遮光部片１０ａに光束Ｌ全体があ
たっている遮光状態を示し、同（ｂ）は、シャッター１
０の遮光部片１０ａにはまったく光束Ｌがあたらない状
態の投光状態を示す。ここで、シャッター１０の一枚の
遮光部片１０ａに注目すると、遮光部片１０ａは、シャ
ッター駆動モーター１２により一方向に６０度づつ回転
しているため、３回の遮光と透過を繰り返し、その後に
再度光束Ｌが通過する部分に戻ってくる。

【００３５】次に、以上のように構成される本実施例の
半導体製造装置の動作を図１ないし図５を参照して具体
的に説明する。

【００３６】半導体製造装置において、半導体パターン
を露光する場合、光源ランプ９は常時点灯状態で使用
し、シャッター１０は通常遮光状態（図４の（ａ）に示
す状態）に位置付けられ、不要な光が光学系に導入され
ないようにする。

【００３７】そして、半導体パターンを露光するに際し
て、レチクル等の原版３とウエハ等の基板６がそれぞれ
原版ステージ４と基板ステージ７の所定の位置にセット
され、露光が可能な状態になると、光源ランプ９から発
せられ楕円ミラー９ａで集光された光束Ｌを光学系２、
５に導入するため、モーター制御部１５はシャッター駆
動モーター１２を制御し、シャッター１０を６０度回転
させ、図４の（ａ）に示す遮光状態から同（ｂ）に示す
投光状態となるようにする。シャッター１０が投光状態
となると、集光された光束Ｌは、光学系２、５に導か
れ、露光が開始される。露光が開始され、装置が必要と
している露光量分だけ露光されると、シャッター１０を
回転させ、投光状態から遮光状態にし、露光は完了す
る。半導体パターンの露光は前述した動作を繰り返し行
い、基板上の全面に露光を行う。

【００３８】以上のような半導体製造装置の露光シーケ
ンスは、装置シーケンスコントロール部２０内で処理さ
れる。装置シーケンスコントロール部２０はさらに図示
しないステージ制御部等にも接続されており、装置全体
のシーケンス制御を行う。

【００３９】次に、露光シャッターおよび光源部分に注
目して、図５も参照して説明する。通常露光を行ってい
る場合（図５におけるＴ₁ まで）には、モーター制御部
１５は、装置シーケンスコントロール部２０からの指令
に従い、シャッター１０を６０度づつ回転動作させるよ
うにシャッター駆動モーター１２を制御する。これによ
り、３枚の遮光部片１０ａを有するシャッター１０は、
６０度づつ回転し、図４の（ａ）に示す遮光状態すなわ
ち閉（ｃｌｏｓｅ）状態と、図４の（ｂ）に示す投光状
態すなわち開（ｏｐｅｎ）状態を繰り返す（図５におけ
る（Ａ）のＴ₁まで参照）。また、露光時において、ラ
ンプ電源部２１は、図５における（Ｂ）に示すように、
光源ランプ９が最大光量を出すような入力電力（ｗ₁ ）
を入力している。この動作シーケンスにおいては、露光
中ということで、シャッター１０の１枚の遮光部片１０
ａにはシャッター全体に照射される光のうち１／３の光
しかあたらないこととなり、シャッター１０の温度上昇
も低くなっている。そこで、この露光中における冷却に
ついては、冷却能力最大の冷却を取る必要がなく、冷却
のための風量を少なくすることができる。すなわち、装
置シーケンスコントロール部２０からの指令により、送
風制御部１９は、送風機１７から送る空気を通常状態
（ｑ₂ ）の１／３程度の噴出し風量（ｑ₁ ）に押えるよ
うに制御する（図５における（Ｃ）参照）。このとき、
送風機１７はケミカルフィルター１７ａを通して空気を
取り入れ、通常状態の１／３程度の能力で送風を行う。
送風機１７から冷却機１６に送られた空気は、冷却のた
めの所定の温度（ｔ₁ ）に温度調節され、配管１４を介
してシャッター１０に送られる。シャッター１０では、
配管１４からの空気が、中空の回転中心軸１１を介して
シャッター１０の内部空間１０ｂに流入し、シャッター
１０を内部から冷却する。シャッター１０の内部空間１
０ｂを通りシャッター１０を冷却した空気は、シャッタ
ー１０の各遮光部片１０ａの外周側面に設けられている
排気孔１０ｃから排出される。このため、シャッター１
０を冷却するための空気は、図２に示すように、光束Ｌ
の光路上に流れることがなく、空気の流れや冷却空気の
温度差等の要因による空気の揺らぎを発生させることな
くシャッター１０を冷却することができ、空気の揺らぎ
が原因となる照度むらや照度変化等を防ぐことができ
る。

【００４０】露光が終了すると、装置シーケンスコント
ロール部２０では、モーター制御部１５へシャッター停
止および遮光状態保持の指令を出し、シャッター１０を
閉（ｃｌｏｓｅ）状態すなわち遮光状態とする（図５に
おける（Ａ）参照）。このとき、シャッター１０は３枚
の遮光部片１０ａの特定の１枚の遮光部片１０ａにのみ
光があたることとなる（図５における（Ａ）のＴ₁ 以
降）。このため、シャッター１０の１枚の遮光部片１０
ａに注目すると、その遮光部片１０ａについては温度上
昇が大きくなり、強く冷却する必要性がでてくる。

【００４１】このような状態において、装置シーケンス
コントロール部２０は、モーター制御部１５へシャッタ
ー停止および遮光状態保持の指令を出した後、シャッタ
ー１０へのダメージをなくする目的から、送風機１７の
噴出し風量を増加させるように送風制御部１９に指令を
出す（図５における（Ｃ）のＴ₂ ）。すなわち、送風制
御部１９は、露光中には、送風機１７から通常状態の１
／３程度である噴出し風量（ｑ₁ ）の空気が流れるよう
に送風機１７を制御しているが、光の照射を受けている
１枚の遮光部片１０ａを冷却することができるだけの風
量（通常状態）に変更するように事前に設定された「シ
ャッター停止時」の必要風量（ｑ₂ ）を送風機１７から
送風するように制御を行う。このとき、送風機１７から
送風され、冷却機１６で冷却されて温調された空気は、
すべて、配管１４を介してシャッター１０の内部空間１
０ｂに送られ、シャッター１０を内部から冷却するため
に使用される。

【００４２】また、半導体製造装置の使用形態として、
このシャッター停止および遮光状態保持の状態から再度
露光処理を行う場合、送風制御部１９は、送風機１７の
噴出し風量として、前述した露光中の風量である通常状
態の１／３の風量（ｑ₁ ）に変更し、そして、冷却制御
部１８は冷却機１６を制御し、露光中の噴出し温度（ｔ
₁ ）に制御する。

【００４３】次に、シャッター停止および遮光状態保持
の状態で長時間経過した場合について説明する。シャッ
ター１０が停止してシャッター１０の遮光状態保持の状
態である一定時間経過した場合（例えば、図５における
Ｔ₁ 〜Ｔ₃ ）、シャッター１０の３枚の遮光部片の内の
１枚の遮光部片１０ａで長時間遮光状態を保持すること
となり、光による熱がシャッター１０に蓄積される。こ
の場合、装置シーケンスコントロール部２０は、送風機
１７の噴出し風量を通常状態（ｑ₂ ）にするだけでは、
シャッター１０のダメージをなくすことができない場合
がある。このような場合には、装置シーケンスコントロ
ール部２０は、送風制御部１９により、事前に設定され
た「シャッター停止時」の通常状態の噴出し風量（ｑ
₂ ）を送風機１７から出力するように制御を行うととも
に、冷却制御部１８により、冷却機１６の冷却温度をさ
らに低くするように制御する（図５における（Ｄ）での
Ｔ₃において、温度（ｔ₂ ，ｔ₂ ＜ｔ₁ ）とする）。す
なわち、シャッター１０に蓄積された熱を放出すること
ができる噴出し温度（ｔ₂ ）になるように冷却制御部１
８の温度を設定する。冷却制御部１８は、送風機１７か
ら送られてくる空気の温度を指示された温度に下げるよ
うに冷却機１６の温度を設定する。また、送風機１６は
風量的にもこれまでの噴出し風量（ｑ₂ ）を維持し、温
度的に下げられた冷却空気を配管１４に送り込む。温調
された冷却空気は、配管１４を通りシャッター１０の内
部空間１０ｂ内に送り込まれる。これにより、風量的に
は通常状態と同じであるが、通常状態より低い温度（ｔ
₂ ）でシャッター１０を内部から冷却することが可能と
なる。また、送風機１６による噴出し風量は、これまで
の風量を維持しているため、冷却能力がアップしている
にもかかわらず、ケミカルフィルター１７ａを通過する
空気の量は一定となっている。

【００４４】また、半導体製造装置においては、通常、
光源ランプ９の高寿命化を目的として、長時間露光処理
を行わないとき、光源ランプ９への入力電力を、電極や
内部ガスに変化が起きない範囲で低くするのが一般的に
なっている。このような状態の場合について説明する。

【００４５】装置のシャッター１０が停止し、遮光状態
を保持している状態において、長時間経過するアイドリ
ング状態、例えば、装置の処理ロット待ちの状態が長く
続いた場合には、装置シーケンスコントロール部２０
は、光源ランプ９の長寿命化を目的として、光源ランプ
９への入力電力を下げ、装置をアイドリング状態にす
る。このとき、光源ランプ９への入力電力を低くする
（図５における（Ｂ）に示すように、ｗ₁ からｗ₂ へ低
下させる）。このため、シャッター１０へ届く光の量も
少なくなる。つまり、シャッター１０に加わる熱も少な
くなっていく。この場合、光源ランプ９への入力電力が
最大の時と同様の冷却を行うと、過冷却となり、無駄に
ケミカルフィルターを通した空気を送ることになる。一
般に、ケミカルフィルターの寿命は、通過させる空気の
量によって決まる。つまり、ケミカルフィルターを通過
させる空気の量を下げることによって長寿命化を実現す
ることができる。そこで、装置シーケンスコントロール
部２０は、ランプ電源部２１への入力電力を下げるよう
に指令を出し、ランプ電源部２１は、その指令にしたが
って、光源ランプ９への入力電力を下げる。その後、装
置シーケンスコントロール部２０は、ケミカルフィルタ
ー１７ａを通過する空気の量を減少させる目的で、送風
機１７の噴出し風量を下げるように送風制御部１９に指
令を出す。送風制御部１９は、装置シーケンスコントロ
ール部２０からの指令にしたがい、送風機１７の噴出し
風量を下げる（図５における（Ｃ）でのＴ₄ において、
噴出し風量をｑ₃ （ｑ₂ ＞ｑ₃ ＞ｑ₁ ）とする）。これ
により、ケミカルフィルター１７ａを通過する空気の量
を減少させることができる。つまり、シャッター１０に
届く光の量の減少によるシャッター１０の温度変化に応
じて空気の使用量を減少させることができる。前述した
露光中や遮光保持状態と同じように、送風機１７と冷却
機１６を介して温調された冷却空気はすべて配管１４を
通りシャッター１０の内部に導かれ、シャッター１０を
内部から冷却することができる。

【００４６】また、前述した実施例では、光源ランプ９
の入力電力に基づいて、冷却機１６や送風機１７等によ
って空気の温調を行っているが、シャッターの裏面反射
の光が届く位置に光学センサーを取り付け、シャッター
に届く光の量を実際に測定し、この測定データに基づい
て冷却機や送風機等による温調を行うように構成するこ
ともできる。なお、この例においても、冷却機や送風機
等の冷却手段の構成およびそれらの制御系は前述した実
施例と同様とし、光源ランプ９の入力電力に加え、シャ
ッター１０の裏面反射の光が届く位置に取り付けた光学
センサー（不図示）の出力も含めて、冷却空気の温調制
御に使用する。つまり、最大入力電力時の光源ランプ９
の明るさは、経時変化するものであり、新品のときの明
るさと例えば１年間等の長期間使用したものではその明
るさも変わってくる。そこで、この例では、経年変化で
光源ランプの明るさ、輝度が暗くなったとき、この変化
を光学センサーで検出して、この変化に追従するよう
に、送風機１７の噴出し風量あるいは冷却機１６による
冷却温度を制御し、例えば、送風機１７の噴出し風量を
少なくしていくように調節する。

【００４７】また、このとき、シャッター１０の裏面反
射の光が届く位置の光学センサーをシャッター１０の裏
面状態を監視するセンサーとして共用することもでき
る。この場合、シャッター１０の光源側の金属部にトラ
ブルが発生して、穴あき状態になったとき、裏面反射の
光学センサーへの反射光の入力がなくなり、前記光学セ
ンサーによりその状態を検知することができ、シャッタ
ー１０の異常検知機能としても使用することができる。
なお、シャッター１０の光源側の金属部にトラブルが発
生して穴あき状態になったとしても、シャッターは中空
状態となっており、光がシャッター内部にまで回りこむ
が、光学系側の金属部により遮光状態を維持することが
でき、漏れ光の影響を受けることはない。

【００４８】次に、本発明の第２実施例の半導体製造装
置について、図６ないし図８を参照して説明する。な
お、本実施例においては、シャッターを内部から冷却す
るために、シャッターの内部に温調された気体や熱吸収
性の高い物質等の冷媒を循環させるように構成するもの
であり、前述した実施例と同様の部材には同一符号を付
して説明する。

【００４９】本実施例の半導体製造装置の全体構成は、
前述した実施例と同様に図１に図示するように構成され
ているが、光源部１において、シャッターの構成および
その冷却手段の構成が相違する。図６に図示する光源部
１において、光源ランプ９から発せられ楕円ミラー９ａ
にて集光された光束Ｌの遮光と投光動作を行う遮光装置
としての中空形状のシャッター３０が配設され、本実施
例における中空形状のシャッター３０は、前述した実施
例と同様に、円周状に等間隔に形成された３枚の羽根状
の遮光部片３０ａを有する回転体として形成され、その
中空の回転中心軸３１に設けられた歯車群を介してシャ
ッター駆動モーター１２により、図４の（ａ）および
（ｂ）に示すと同様に、一方向に６０度づつ回転駆動さ
れ、光源ランプ９から発せられる光束Ｌの投光および遮
光を行うように構成されている。シャッター３０の回転
位置はシャッター位置センサー１３により検出され、シ
ャッター駆動モーター１２とシャッター位置センサー１
３は、モーター制御部１５に接続されている。

【００５０】本実施例の中空形状のシャッター３０は、
図７の（ａ）および（ｂ）に図示するように、回転中心
軸３１を含めて中空構造（または２重構造）で構成さ
れ、シャッター３０の内部空間３０ｂには、シャッター
３０を冷却するための気体や熱吸収性の高い物質等の冷
媒（以下、単に冷媒という）を流すための細かいパイプ
３４が配置され、パイプ３４は３枚の遮光部片３０ａの
それぞれに中央部から外周内壁部に向かうようにジグザ
グ状に折り曲げられた状態で這わされそして外周内壁部
から中心部へ戻るように配置されており、シャッター３
０の内部空間３０ｂの中央部分には、各遮光部片３０ａ
のパイプ３４の供給側に接続されて冷媒内の細かな空気
を抜くための供給側タンク３４ａと各遮光部片３０ａの
パイプ３４の回収側に接続され冷媒を集める回収側タン
ク３４ｂとが配置されている。回転中心軸３１の中空部
３１ａには、冷媒の供給側タンク３４ａに冷媒を供給す
るためのパイプ３５ａと回収側タンク３４ｂから冷媒を
回収するためのパイプ３５ｂが挿入され、さらに、冷媒
を供給するパイプ３５ａは、図６に図示するように、供
給配管３２を介して冷媒の循環量を調節するポンプ３７
に接続され、冷媒を回収するパイプ３５ｂは回収配管３
３を介して冷媒の温度調節を行う冷却機３６に接続され
る。これらの冷却機３６とポンプ３７は、冷却手段を構
成し、冷却制御部３８とポンプ制御部３９にそれぞれ接
続されて、制御部３８、３９によりそれぞれ制御され
る。これらの冷却制御部３８とポンプ制御部３９は、モ
ーター制御部１５とともに、装置シーケンスコントロー
ル部２０に接続され、これらは冷媒の循環量や温度およ
びシャッター状態をデータとして受渡しを行う。

【００５１】以上のように構成されるシャッター３０に
おいて、シャッター３０を内部から冷却するための冷媒
は、ポンプ制御部３９により制御されるポンプ３７から
制御された量の冷媒が供給配管３２と回転中心軸３１内
のパイプ３５ａを介してシャッター３０内の供給側タン
ク３４ａへ供給されてそのタンク３４ａ内に溜まり、供
給側タンク３４ａからシャッター３０の各遮光部片３０
ａのパイプ３４を通り、この間にシャッター３０の熱を
吸収し、シャッター３０を内部から冷却する。パイプ３
４を介してシャッター３０の内部を通りシャッター３０
を冷却した冷媒は回収側タンク３４ｂに集められ、回転
中心軸３１内のパイプ３５ｂと回収配管３３を介して冷
却機３６へ回収される。冷却機３６に回収された冷媒
は、冷却制御部３８により制御される冷却機３６によっ
て所定の温度に調整されてポンプ３７へ送られ、再循環
する。このようにシャッター３０は３枚の遮光部片３０
ａを内部から冷却可能な構造となっている。そして、シ
ャッター３０の冷却を行う冷媒は、シャッター３０の内
部を通過するのみであるので、冷却のための空気の流れ
や冷却空気の温度差等の要因による光路上の空気の揺ら
ぎを発生させることなくシャッター３０の冷却を行うが
でき、空気の揺らぎが原因となる照度むらや照度変化を
防ぐことができる。

【００５２】また、光源ランプ９は、ランプ電源部２１
に接続されており、ランプ電源部２１は、装置シーケン
スコントロール部２０に接続され、装置シーケンスコン
トロール部２０は、光源ランプ９の入力電力や輝度等を
制御し、かつ、光源ランプ９の状態をデータとして受渡
しを行う。また、装置シーケンスコントロール部２０
は、図示しないステージ制御部等にも接続されており、
前記の各制御部を連動させるように制御し、さらに、装
置全体のシーケンス制御を行うことができるように構成
されている。

【００５３】次に、以上のように構成される本実施例の
半導体製造装置の動作を図６ないし図８を参照して具体
的に説明する。なお、図８は、本実施例の半導体製造装
置における制御シーケンスを説明する図であって、シャ
ッターの開閉状態（Ａ）、光源ランプの入力電力（Ｂ）
およびポンプの供給流量（Ｃ）の関係を経時的に示す概
要図である。

【００５４】本実施例の半導体製造装置においても、半
導体パターンを露光する場合、光源ランプ９は常時点灯
状態で使用し、シャッター３０は通常遮光状態に位置付
けられ、不要な光が露光光学系に導入されないようにな
っている。

【００５５】そして、半導体パターンを露光するに際し
て、図１に図示するように、装置の原版ステージ４と基
板ステージ７にそれぞれレチクル等の原版３とウエハ等
の基板６が所定の位置にセットされ、露光が可能な状態
になると、光源ランプ９から発せられ楕円ミラー９ａで
集光された光を光学系２、５に導入するため、モーター
制御部１５はシャッター駆動モーター１２を制御し、シ
ャッター３０を６０度回転させ、遮光状態から投光状態
となるようにする。シャッター３０が投光状態となる
と、集光された光は、光学系２、５に導かれ、露光が開
始される。露光が開始され、装置が必要としている露光
量分だけ露光されると、シャッター３０を回転させ、投
光状態から遮光状態にし、露光は完了する。半導体パタ
ーンの露光は前述した動作を繰り返し行い、基板上全面
に露光を行う。

【００５６】次に、露光シャッターおよび光源部分に注
目して説明する。通常露光を行っている場合（図８にお
けるＴ₁ まで）には、装置シーケンスコントロール部２
０からの指令に従い、モーター制御部１５は、露光を行
うためにシャッター３０を６０度づつ回転動作させるよ
うにシャッター駆動モーター１２を制御する。これによ
り、シャッター３０は、６０度づつ回転し、遮光状態す
なわち閉（ｃｌｏｓｅ）状態と、投光状態すなわち開
（ｏｐｅｎ）状態を繰り返す（図８における（Ａ）参
照）。本実施例の３枚の遮光部片３０ａにおいて、１枚
の遮光部片３０ａに注目すると、閉状態と開状態を３回
繰り返した後、光束のあたる位置に戻ってくることとな
る。また、露光時においては、ランプ電源部２１は、光
源ランプ９が最大光量を出すような入力電力（ｗ₁ ）を
入力する。

【００５７】この動作シーケンスにおいては、露光中と
いうことで、シャッター３０の１枚の遮光部片３０ａに
は露光中にシャッター全体に照射される光のうち１／３
の光しかあたらないこととなり、シャッター３０の温度
上昇も低くなっている。このような露光中における冷却
については、冷却能力最大の冷却を取る必要がなく、冷
却のための冷媒の流量を少なくすることができる。つま
り、装置シーケンスコントロール部２０からの指令によ
り、ポンプ制御部３９は、ポンプ３７から送り出す冷媒
の量が通常状態の１／３程度の循環量（ｑ₁ ）に押える
ようにポンプ３７を制御する（図８における（Ｃ）参
照）。したがって、ポンプ３７は、冷却機３６で冷却さ
れた冷媒を通常状態の１／３程度の循環量（ｑ₁ ）でシ
ャッター３０へ供給する。冷却機３６による再冷却によ
って温調された冷媒は、ポンプ３７により供給配管３２
を介してシャッター３０に送られ、シャッター３０内の
供給側タンク３４ａへ供給されてそのタンク３４ａに溜
まり、供給側タンク３４ａからシャッター３０の各遮光
部片３０ａのパイプ３４内を流れる。冷媒は、パイプ３
４を通過する際にシャッター３０の熱を吸収し、シャッ
ター３０を内部から冷却する。シャッター３０の内部を
流れてシャッター３０を冷却した冷媒は回収側タンク３
４ｂに集められ、回転中心軸３１内のパイプ３５ｂおよ
び回収配管３３を介して冷却機３６に回収される。この
ようにシャッター３０の３枚の羽根状の遮光部片３０ａ
を内部から冷却を行う冷媒は、シャッター３０の内部を
通過するのみであるので、シャッター３０を冷却するた
めの空気の流れや冷却空気の温度差等の要因による光路
上の空気の揺らぎを発生させることなく、シャッターの
冷却ができ、空気の揺らぎが原因となる照度むらや照度
変化を防ぐことができる。

【００５８】露光が終了すると、装置シーケンスコント
ロール部２０は、モーター制御部１５へシャッター停止
および遮光状態保持の指令を出し、シャッター３０は閉
状態すなわち遮光状態となる。このとき、シャッター３
０は３枚の遮光部片３０ａの特定の１枚の遮光部片３０
ａにのみ光があたることとなる（図８における（Ａ）の
Ｔ₁ 以降）。このため、シャッター３０の１枚の羽根状
の遮光部片３０ａに注目すると、その１枚の遮光部片３
０ａについては温度上昇が大きくなり、強く冷却する必
要性がでてくる。

【００５９】このような状態において、装置シーケンス
コントロール部２０では、モーター制御部１５へシャッ
ター停止および遮光状態保持の指令を出した後、シャッ
ター３０へのダメージをなくする目的から、ポンプ３７
にて冷媒の循環量を増加させるようにポンプ制御部３９
に指令を出す（図８における（Ｃ）のＴ₂ ）。すなわ
ち、ポンプ制御部３９は、露光中には、ポンプ３７で通
常状態の１／３程度の循環量（ｑ₁ ）になるようにポン
プ３７を制御しているが、温度上昇の大きい１枚の遮光
部片３０ａを冷却することができるだけの循環量（通常
状態）に変更するように、事前に設定された「シャッタ
ー停止時」の必要循環量（ｑ₂ ）をポンプ３７から送り
出すように制御を行う（図８における（Ｃ）のＴ₂ ）。
これにより、冷却機３６で冷却されポンプ３７から送り
出される冷媒は、供給配管３２を通りシャッター３０の
内部に送られ、シャッター３０を内部から冷却する。

【００６０】また、半導体製造装置の使用形態として、
このシャッター停止および遮光状態保持の状態から再度
露光処理を行う場合、ポンプ制御部３９は、冷媒の循環
量として、露光中の循環量である通常状態の１／３の循
環量（ｑ₁ ）に変更するように制御する。

【００６１】次に、シャッター停止および遮光状態保持
で長時間経過した場合について説明する。シャッター３
０が停止し、３枚の遮光部片３０ａのうち１枚の遮光部
片３０ａで遮光状態を保持し、かつ、ある一定時間（図
８におけるＴ₁ 〜Ｔ₃ ）経過した場合、シャッター３０
の１枚の遮光部片３０ａに光による熱が蓄積される。こ
の場合、装置シーケンスコントロール部２０は、ポンプ
３７の循環量がこれまでと同様の状態では、シャッター
３０のダメージをなくすことができない場合がある。こ
のような場合には、ポンプ制御部３９により、事前に設
定された「シャッター停止時」の通常状態の循環量（ｑ
₂ ）を変更してさらに多くの冷媒を送るようにする（図
８における（Ｃ）のＴ₃ ）。これにより、ポンプ３７
は、シャッター３０に蓄積された熱を冷却するような冷
媒の循環量（ｑ₃ ，ｑ₃ ＞ｑ₂ ）を送る。このように、
熱量の増加にしたがい冷却能力をアップするような制御
を行う。

【００６２】また、半導体製造装置においては、通常、
光源ランプ９の高寿命化を目的として、長時間露光を行
わないとき、光源ランプ９への入力電力を、電極や内部
ガスに変化が起きない範囲で低くするのが一般的になっ
ている。このような状態の場合について説明すると、シ
ャッター３０が停止し、遮光状態を保持している状態に
おいて、長時間経過するアイドリング状態、例えば、装
置の処理ロット待ちの状態が続いた場合には、装置シー
ケンスコントロール部２０は、光源ランプ９の長寿命化
を目的として、光源ランプ９への入力電力を下げ（図８
における（Ｂ）に示すようにｗ₁ からｗ₂ へ低下させ
る）、装置をアイドリング状態にする。このとき、光源
ランプ９への入力電力が低くなるため、シャッター３０
へ届く光の量も少なくなっている。つまり、シャッター
３０に加わる熱も少なくなっていく。この場合、光源ラ
ンプ９への入力電力が最大の時と同様の冷却を行うと、
過冷却となり、無駄に冷媒を循環させることになる。

【００６３】このときの動作として、装置シーケンスコ
ントロール部２０は、ランプ電源部２１へ入力電力を下
げるように指令を出し、ランプ電源部２１は、指令にし
たがって、光源ランプ９への入力電力を下げる（ｗ₁ か
らｗ₂ へ）。また、装置シーケンスコントロール部２０
は、ランプ電源部２１へ入力電力を下げるように指令を
出した後に、冷媒の循環量を減らす目的で、ポンプ３７
の循環量を減少させるようにポンプ制御部３９に指令を
出す。ポンプ制御部３９は、装置シーケンスコントロー
ル部２０からの指令にしたがい、ポンプ３７の冷媒の循
環量を下げる（図８における（Ｃ）でのＴ₄ において、
循環量をｑ₄ （ｑ₄ ＜ｑ₃ ）とする）。これにより、シ
ャッター３０の内部を循環する冷媒の量は減少する。こ
のように、シャッター３０の温度変化にしたがって、冷
媒の循環量および冷媒を冷却するための冷却機の動作を
減少させることができる。前述した露光中や遮光保持状
態と同じように、ポンプ３７と冷却機３６を通った冷媒
はすべて供給配管３２を介してシャッター３０の内部に
導かれ、シャッター３０を内部から冷却することがで
き、効率の良い冷却を行うことができる。

【００６４】なお、上述した実施例では、温調された冷
媒の循環量を調節制御することによってシャッターの冷
却を制御しているけれども、冷媒を冷却する冷却機の能
力を用いて冷媒の温度を調節してシャッターの冷却の制
御を行うようにすることもでき、さらに、冷媒の循環量
と冷媒の温度の両者を制御することによって、シャッタ
ーの冷却の制御を行うようにすることもできる。

【００６５】次に、本発明の第３実施例の半導体製造装
置について、図９ないし図１１を参照して説明する。本
実施例においては、シャッターの内部に熱移動機能を備
える点で前述した実施例と相違するが、前述した実施例
と同様の部材には同一符号を付して説明する。

【００６６】本実施例の半導体製造装置の全体構成は、
前述した実施例と同様に図１に図示するように構成され
ているが、光源部１の構成とシャッター４０の冷却手段
において相違する。図９に図示する光源部１において、
光源ランプ９から発せられ楕円ミラー９ａにて集光され
た光束Ｌの遮光および投光動作を行う遮光装置としての
中空形状のシャッター４０が配設され、本実施例の中空
形状のシャッター４０は、前述した実施例と同様に、円
周状に等間隔に形成された３枚の羽根状の遮光部片４０
ａを有する回転体として形成され、そして、光源ランプ
９から発せられた光束Ｌを遮光および投光する側が下方
になるように傾斜して配置されており、図４の（ａ）お
よび（ｂ）に示すと同様に、シャッター駆動モーター１
２により一方向に６０度づつ回転駆動されるように構成
されている。また、光源部１には、シャッター４０の回
転中心軸を挟んで光源ランプ９から発せられる光束Ｌと
反対側に、シャッター４０の一部を収容しその部分を冷
却するための小さな冷却空間４１が付設されている。冷
却空間４１とシャッター４０との位置関係は、図１０の
（ａ）および（ｂ）に示すように、シャッター４０の１
枚の遮光部片４０ａが光源ランプ９から発せられた光束
Ｌを遮光する状態にあるとき、他の２枚の遮光部片４０
ａは冷却空間４１内に位置して冷却空間４１で冷却され
るように形成されている。この冷却空間４１には、シャ
ッター４０が通過する開口部４１ａと、シャッター４０
を冷却するための冷却空気を供給する供給管４２と冷却
に使われた空気を排出する排気管４３が接続されてい
る。なお、本実施例においても、冷却空気は、ケミカル
フィルター等の化学フィルターを通して清浄化された空
気を温調して用いることが望ましい。

【００６７】また、シャッター４０の密閉された内部空
間４０ｂには、図１１に図示するように、羽根状の遮光
部片４０ａのそれぞれの内部壁面には中央部から外周に
向かって延びる複数の溝４０ｃが形成され、沸騰（蒸
発）気化および凝縮液化を繰り返すことにより熱を移動
させる機能を備える作業液（冷媒）４５が封入されてい
る。シャッター４０の内壁面の溝４０ｃは作業液４５の
移動を容易にして熱移動の効率を向上させる作用をす
る。シャッター４０の内部空間４０ｂに封入されている
作業液４５は、シャッター４０が傾斜して配設されてい
るので、通常は光軸側の下方に位置する遮光部片４０ａ
内に滞留する。遮光部片４０ａに光が照射されると、遮
光部片４０ａ内の作業液４５は、光の熱による沸騰作用
により蒸発して気化する。このとき、シャッター４０の
光軸側の熱を吸収する。気化した作業液は、傾斜した内
部空間４０ｂを上昇して、光軸と反対側の冷却空間４１
内の遮光部片４０ａに移動し、そこで冷却空間４１を流
れる冷却空気により冷却され、気化した作業液４５は熱
を冷却空気への移動を行う凝縮作用が生じて、液化し、
その後、作業液４５はその重力により内部空間４０ｂの
壁面に設けられている複数の溝４０ｃに沿って流れ、光
軸側の遮光部片４０ａに移動する。このように、シャッ
ター４０の内部空間４０ｂに作業液（冷媒）４５を封入
することにより、ヒートパイプと同様の熱移動を行うよ
うに構成されている。

【００６８】次に、以上のように構成される本実施例の
半導体製造装置の動作について具体的に説明する。

【００６９】半導体製造装置において、半導体パターン
を露光するに際して、光源ランプ９は常時点灯状態で使
用し、シャッター４０は、通常、遮光状態に位置付けら
れ、不要な光が光学系に導入されないようになってい
る。光源ランプ９から発せられる光は楕円ミラー９ａで
集光され、集光された光を光学系２、５に導入するた
め、シャッター４０を６０度回転させ、遮光状態から投
光状態となるようにする。シャッター４０が投光状態と
なると、集光された光は、照明光学系２から露光光学系
５に導かれ、露光が開始される。露光が開始され、装置
が必要としている露光量分だけ露光されると、シャッタ
ー４０を回転させ、投光状態から遮光状態にし、露光は
完了する。半導体パターンの露光は前述した動作を繰り
返し行い基板上全面に露光を行う。

【００７０】次に、本実施例におけるシャッターの冷却
動作について説明する。

【００７１】半導体製造装置の露光シーケンスにおい
て、遮光状態、すなわち、シャッター４０の１枚の遮光
部片４０ａが露光光を遮光している状態では、遮光して
いる遮光部片４０ａに露光光が照射されており、この１
枚の遮光部片４０ａのみが露光光により熱くなる。この
とき、作業液４５が溜まっている遮光部片４０ａは図１
１に示すように露光光に照射されている部分であり、こ
の部分が熱吸収位置となる。この露光光による熱によ
り、遮光部片４０ａ内の作業液４５の沸騰現象が生じ、
この沸騰作用により、シャッター４０の光軸側の熱が吸
収され作業液４５に移動する。このように沸騰し気化し
た作業液４５は、シャッター４０の内部空間４０ｂを上
昇し、光軸とは反対側の冷却空間４１内の遮光部片４０
ａの方へ移動する。シャッター４０の光軸と反対側の２
枚の遮光部片４０ａは、図１０に図示するように、冷却
空間４１の内部に位置しており、冷却空間４１内で供給
管４１ａから供給される冷却空気によりシャッター４０
の２枚の遮光部片４０ａを冷却する。この部分が熱放出
位置となる。気化作業液４５は、冷却空気による冷却に
よって凝縮という過程により熱を放出し、熱移動を行
い、同時に、作業液４５自身は凝縮の過程で液化する。
このとき、シャッター４０の内側壁面に設けられている
複数の溝４０ｃのために、作業液４５とシャッター４０
の内部接触面積が広がり、気化作業液４５からシャッタ
ー４０への熱の放出、熱移動が効率よく行われる。

【００７２】冷却空間４１内に位置する遮光部片４０ａ
の内部で液化した作業液４５は、シャッター４０の内側
壁面の溝４０ｃに沿って重力にしたがって移動し、再度
光軸側の遮光部片４０ａの方へ移動する。また、冷却空
間４１内でシャッター４０から熱移動を受けた冷却空気
は排気管４３から排出する。

【００７３】シャッター４０が遮光状態にあるときは、
前述した熱移動のサイクルを繰り返し、光軸側のシャッ
ター４０の遮光部片４０ａの熱を移動させ、冷却空間４
１にて冷却を行う。

【００７４】露光処理に際しては、シャッター４０は、
シャッター駆動モーター１２により回転駆動され、遮光
と投光の動作を繰り返す。すなわち、３枚の遮光部片４
０ａが交互に光軸で遮光と投光を繰り返す。このとき、
シャッター４０内での前述した熱移動のサイクルは成り
立たなくなる。このような露光動作に際しては、シャッ
ター４０は一方向のみに回転駆動され、シャッター４０
の各遮光部片４０ａが光束Ｌを遮光している時間はわず
かであり、また、遮光動作から投光動作へ移動し、そし
て、その後は冷却空間４１内にて冷却空気により直接冷
却されることになる。つまり、露光動作中は、シャッタ
ー４０の各遮光部片４０ａが冷却空間４１内を移動する
ことにより、冷却空気により直接冷却を行い、そして、
装置アイドリングのような遮光状態においては、シャッ
ター４０の内部にて前述した熱移動を行い、シャッター
４０の冷却を行うことになる。

【００７５】以上のように、本実施例においては、遮光
装置としての中空形状のシャッター内部に、熱による沸
騰、蒸気の移動、凝縮および液の還流を繰り返して熱移
動を行うことができる作業液を封入することにより、光
路側の露光光による熱を光路とは反対側に移動させ、シ
ャッターのみを冷却する最小限の空間で冷却することが
可能となり、冷却空間を露光光に影響を与えることのな
い位置に設定することができ、冷却空間を自由に設定す
ることが可能となり、作業液の使用量や作業液の動作を
最小にし、さらに、冷却空間を最小限の空間とすること
ができることから、冷却空間に流す冷却空気の流量も少
なくすることができ、装置稼動コストを減少させること
が可能となる。また、シャッターを冷却するための冷却
空気を光路上に流す必要がなく、光路上の空気の揺らぎ
を発生させることがない。したがって、空気の揺らぎに
よる短時間での照度変化さらには照度むらをなくし、照
度変化や照度むらが原因である不良素子の製造をなくす
ことができる。

【００７６】次に、前述した半導体製造装置を利用する
半導体デバイスの生産システムについて説明する。本実
施例における半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体
チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイク
ロマシン等）の生産システムは、半導体製造工場に設置
された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あ
るいはソフトウェアの提供などの保守サービスを製造工
場外のコンピュータネットワークを利用して行うもので
ある。

【００７７】図１２は、全体システムを示す概要図であ
り、図中、１０１は半導体デバイスの製造装置を提供す
るベンダー（装置供給メーカー）の事業所である。製造
装置の実例として、半導体製造工場で使用する各種プロ
セス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光
装置、レジスト処理装置、熱処理装置、成膜装置等）や
後工程用機器（組立装置、検査装置等）を想定してい
る。事業所１０１内には、製造装置の保守データベース
を提供するホスト管理システム１０８、複数の操作端末
コンピュータ１１０、これらを結んでイントラネットを
構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１０９
を備える。ホスト管理システム１０８は、ＬＡＮ１０９
を事業所の外部ネットワークであるインターネット１０
５に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセ
スを制限するセキュリティ機能を備える。

【００７８】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザーとしての半導体製造メーカーの製造工場である。製
造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカーに属す
る工場であっても良いし、同一のメーカーに属する工場
（例えば、前工程用の工場と後工程用の工場等）であっ
ても良い。各工場１０２〜１０４内には、それぞれ、複
数の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネット
を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１
１と、各製造装置１０６の稼働状況を監視する監視装置
としてホスト管理システム１０７とが設けられている。
各工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム
１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネット
ワークであるインターネット１０５に接続するためのゲ
ートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１
からインターネット１０５を介してベンダー１０１側の
ホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホ
スト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限
られたユーザーだけがアクセスが許可となっている。具
体的には、インターネット１０５を介して、各製造装置
１０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラ
ブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー
側に通知する他、その通知に対応する応答情報（例え
ば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用
のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘ
ルプ情報などの保守情報をベンダー側から受け取ること
ができる。各工場１０２〜１０４とベンダー１０１との
間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮ等）を利用
することもできる。また、ホスト管理システムはベンダ
ーが提供するものに限らずユーザーがデータベースを構
築して外部ネットワーク上に置き、ユーザーの複数の工
場から該データベースへのアクセスを許可するようにし
てもよい。

【００７９】また、図１３は半導体デバイスの生産シス
テムの全体システムを図１２とは別の角度から切り出し
て表現した概要図である。前述した例では、それぞれが
製造装置を備えた複数のユーザー工場と該製造装置のベ
ンダーの管理システムとを外部ネットワークで接続し
て、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少
なくとも１台の製造装置の情報をデータ通信するもので
あったが、本例は、複数のベンダーの製造装置を備えた
工場と該複数の製造装置のそれぞれのベンダーの管理シ
ステムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製
造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、
２０１は製造装置ユーザー（半導体デバイス製造メーカ
ー）の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロ
セスを行う製造装置、ここでは例として露光装置２０
２、レジスト処理装置２０３、成膜処理装置２０４が導
入されている。なお、図１３では製造工場２０１は１つ
だけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワ
ーク化されている。工場内の各装置はＬＡＮ２０６で接
続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム
２０５で製造ラインの稼動管理がされている。一方、露
光装置メーカー２１０、レジスト処理装置メーカー２２
０、成膜装置メーカー２３０などベンダー（装置供給メ
ーカー）の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔
保守を行うためのホスト管理システム２１１、２２１、
２３１を備え、これらは前述したように保守データベー
スと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザ
ーの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム
２０５と各装置のベンダーの管理システム２１１、２２
１、２３１とは、外部ネットワーク２００であるインタ
ーネットもしくは専用線ネットワークによって接続され
ている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製
造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ライン
の稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベ
ンダーからインターネット２００を介した遠隔保守を受
けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの休止を最
小限に抑えることができる。

【００８０】半導体製造工場に設置された各製造装置
は、それぞれ、ディスプレイとネットワークインターフ
ェースと記憶装置にストアされたネットワークアクセス
用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実
行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メ
モリやハードディスク、あるいはネットワークファイル
サーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフ
トウェアは、専用または汎用のウェブブラウザを含み、
例えば図１４に一例を示すような画面のユーザーインタ
ーフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造
装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製
造装置の機種（４０１）、シリアルナンバー（４０
２）、トラブルの発生日や件名（４０３）、トラブルの
緊急度（４０５）、症状（４０６）、対処法（４０
７）、経過（４０８）等の情報を画面上の入力項目に入
力する。入力された情報は、インターネットを介して保
守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報
が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示
される。また、ウェブブラウザが提供するユーザーイン
ターフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能
（４１０〜４１２）を実現し、オペレ−タは各項目の更
に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダーが提供するソ
フトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バー
ジョンのソフトウェアを引き出したり、工場のオペレー
タの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引き出し
たりすることができる。

【００８１】次に、上記説明した生産システムを利用し
た半導体デバイスの製造プロセスを説明する。

【００８２】図１５は半導体デバイスの全体的な製造の
フローを示す。ステップＳ１１（回路設計）では半導体
デバイスのパターン設計を行う。ステップＳ１２（マス
ク製作）では設計したパターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップＳ１３（ウエハ製造）ではシリコ
ン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ１４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。ステップＳ１５（組立）
は後工程と呼ばれ、ステップＳ１４によって作製された
ウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の組立工程を含む。ステップ
Ｓ１６（検査）ではステップＳ１５で作製された半導体
デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
を出荷（ステップＳ１７）する。前工程と後工程はそれ
ぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明
した遠隔保守システムによって保守がなされる。また、
前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットま
たは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守の
ための情報がデータ通信される。

【００８３】図１６は、上記ウエハプロセスの詳細なフ
ローを示す。ステップＳ２１（酸化）ではウエハの表面
を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤ）ではウエハ表
面に絶縁膜を成膜する。ステップＳ２３（電極形成）で
はウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ
２４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。
ステップＳ２５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を
塗布する。ステップＳ２６（露光）では露光装置によっ
てマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステ
ップＳ２７（現像）では露光したウエハを現像する。ス
テップＳ２８（エッチング）では現像したレジスト像以
外の部分を削り取る。ステップＳ２９（レジスト剥離）
ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウ
エハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用
する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって
保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐととも
に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従
来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることが
できる。

【００８４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体製造装置における遮光装置の冷却を遮光装置の内
部から行うことができ、冷却のための空気等を光路上を
通過させないことから、光路上の空気の揺らぎを発生さ
せることがなく、空気の揺らぎによる短時間での照度変
化さらには照度むらをなくし、不良素子の製造の原因と
なる照度変化や照度むらを排除することが可能となる。

【００８５】また、半導体製造装置における遮光装置の
冷却のため、遮光装置の内部空間に温調された空気を流
し、半導体製造装置の稼動状態（すなわち、遮光装置の
状態（投光状態と遮光状態）、遮光装置が遮光状態にな
ってからの経過時間、あるいは、光源ランプの入力電力
や輝度等）に応じて、遮光装置の冷却を制御することが
でき、また、冷却するための空気の温度や流量に関し
て、半導体製造装置の稼動状態のデータにより、遮光装
置の冷却として、温度を下げて冷却するか、あるいは風
量を多くして冷却するか、あるいは温度と風量の両方を
調節して冷却する等の適切な冷却方法を適宜選択するこ
とができ、冷却すべき遮光装置が投光状態のときに冷却
空気の風量を微少量に制御し、かつ冷却空気を光路上に
通過させることなく遮光装置の内部空間を流すことによ
り、光路上にて空気の揺らぎをなくすることができ、空
気の揺らぎによる短時間での照度変化や照度むらをなく
し、照度変化や照度むらが原因である不良素子の製造を
なくすことが可能となる。

【００８６】さらに、半導体製造装置の稼動状態に応じ
て冷却手段を制御することにより、ケミカルフィルター
を通した冷却空気の使用量を最小にし、高価なケミカル
フィルターの交換頻度を下げて、装置稼動率を上昇させ
かつ装置稼動コストを減少させることが可能となる。

【００８７】また、遮光装置の内部空間に温調された気
体または熱吸収性の高い物質等の冷媒を循環させ、冷媒
によって遮光装置に蓄積された熱を吸収して熱移動を行
い、該熱を冷却手段により他に変換して放出することに
より、遮光装置を内部から冷却することができ、光路上
に冷却用の空気を流す必要がない。これにより、冷却用
空気の流れや冷却用空気の温度差等の要因による光路上
の空気の揺らぎを発生させることがなく、空気の揺らぎ
による短時間での照度変化や照度むらをなくし、これら
の照度変化や照度むらが原因となる不良素子の製造をな
くすことが可能となる。さらに、半導体製造装置の稼動
状態によって遮光装置の内部からの冷却を制御すること
により、冷媒の循環量や温度を制御して冷媒の使用量や
冷却動作を最小にし、装置稼動コストを減少させること
が可能となる。

【００８８】また、傾斜して設置された中空形状の遮光
装置の内部空間に沸騰気化と凝縮液化を繰り返すことに
より熱を移動させる機能を備える作業液（冷媒）を封入
し、遮光装置の光路と反対側を包囲する空間に冷却用の
空気を供給するように構成することにより、遮光装置内
の作業液は、遮光装置の光路部分において露光光の熱に
より沸騰気化して遮光装置の熱を吸収し、光路と反対側
に移動して、作業液の凝縮作用により熱を放出して液化
し、再度光路側に戻るという作用を繰り返し行い、光路
側の露光光による熱を光路とは反対側に移動させること
ができ、これによって、露光光に影響を与えることなく
遮光装置を冷却することが可能となり、さらに、光路上
に冷却用の空気を通過させることなく遮光装置内で光路
と異なる位置に熱を移動させて冷却を行うようにし、遮
光装置を冷却するための空間も最小限の空間で冷却する
ことができる。したがって、光路上に冷却の空気を流す
必要がなく、光路上に空気の揺らぎを発生させることが
なく、空気の揺らぎによる短時間での照度変化や照度む
らをなくし、照度変化や照度むらが原因である不良素子
の製造をなくすことが可能となる。さらに、遮光装置の
冷却位置を光路部分とは異なる位置に設定することがで
き、冷却空間を自由に設定することが可能となり、ま
た、作業空間を小さくすることができ、装置の小形化を
可能にし、さらに、装置稼動コストであるクリーンルー
ムコストを減少させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の半導体製造装置の構成を
示す概略図である。

【図２】本発明の第１実施例の半導体製造装置における
光源部とシャッターの冷却制御系を示す概略図である。

【図３】本発明の第１実施例の半導体製造装置における
シャッターを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）
は（ａ）におけるＢ−Ｂ線に沿って破断した断面図、
（ｃ）はＣ方向から見た側面図である。

【図４】（ａ）および（ｂ）は、本発明の第１実施例の
半導体製造装置におけるシャッターと光束の関係を示す
概略図である。

【図５】本発明の第１実施例の半導体製造装置における
制御シーケンスを説明する図であって、シャッターの開
閉状態（Ａ）、光源ランプの入力電力（Ｂ）、送風機の
噴出し風量（Ｃ）および冷却機の噴出し温度（Ｄ）の関
係を経時的に示す概要図である。

【図６】本発明の第２実施例の半導体製造装置における
光源部とシャッターの冷却制御系を示す概略図である。

【図７】（ａ）は、本発明の第２実施例の半導体製造装
置におけるシャッターを一部破断して示す平面図であ
り、（ｂ）は同シャッターの断面図である。

【図８】本発明の第２実施例の半導体製造装置における
制御シーケンスを説明する図であって、シャッターの開
閉状態（Ａ）、光源ランプの入力電力（Ｂ）およびポン
プの供給流量（Ｃ）の関係を経時的に示す概要図であ
る。

【図９】本発明の第３実施例の半導体製造装置における
光源部とシャッターを示す概略図である。

【図１０】（ａ）および（ｂ）は、本発明の第３実施例
の半導体製造装置におけるシャッターと冷却空間の関係
を示す概略的な斜視図と断面図である。

【図１１】本発明の第３実施例の半導体製造装置におけ
るシャッターを示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）
は一部を判断して示す平面図、（ｃ）はシャッター内の
熱移動を説明するための概略図である。

【図１２】半導体デバイスの生産システムの全体概要図
である。

【図１３】半導体デバイスの生産システムの他の形態を
示す全体概要図である。

【図１４】トラブルデータベースの入力画面のユーザー
インターフェースの一例を示す図である。

【図１５】半導体デバイスの製造プロセスを示すフロー
チャートである。

【図１６】ウエハプロセスを示すフローチャートであ
る。

【符号の説明】

１光源部２照明光学系３原版（レチクル）４原版ステージ５投影光学系６基板（ウエハ）７基板ステージ９光源ランプ９ａ楕円ミラー１０シャッター（遮光装置）１０ａ遮光部片１０ｂ内部空間１０ｃ排気孔１１回転中心軸１２シャッター駆動モーター１３シャッター位置センサー１４配管１５モーター制御部１６冷却機１７送風機１７ａケミカルフィルター１８冷却制御部１９送風制御部２０装置シーケンスコントロール部２１ランプ電源部３０シャッター（遮光装置）３０ａ遮光部片３０ｂ内部空間３１回転中心軸３２供給配管３３回収配管３４パイプ３４ａ供給側タンク３４ｂ回収側タンク３５ａ、３５ｂパイプ３６冷却機３７ポンプ３８冷却制御部３９ポンプ制御部４０シャッター（遮光装置）４０ａ遮光部片４０ｂ内部空間４０ｃ溝４１冷却空間４１ａ開口部４２供給管４３排気管４５作業液

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光源からの光の遮光動作を行う遮光装置
を備えた半導体製造装置において、前記遮光装置を内部
から冷却することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】前記遮光装置を中空構造とし、該中空構
造内に温調された気体または冷媒を流すことにより、前
記遮光装置を内部から冷却することを特徴とする請求項
１記載の半導体製造装置。
【請求項３】半導体製造装置の稼動状態によって前記
遮光装置の冷却を制御することを特徴とする請求項１ま
たは２記載の半導体製造装置。
【請求項４】前記遮光装置の遮光状態や投光状態に応
じて、および／または、前記遮光装置の遮光状態保持時
間に応じて、前記遮光装置の冷却を制御することを特徴
とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体
製造装置。
【請求項５】前記半導体製造装置の光源ランプへの入
力電力に応じて、および／または、光源ランプの輝度に
応じて、前記遮光装置の冷却を制御することを特徴とす
る請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体製造
装置。
【請求項６】前記遮光装置の冷却の制御は、該遮光装
置の内部へ供給する気体または冷媒の温度および／また
は気体または冷媒の供給量を制御することにより行うこ
とを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載
の半導体製造装置
【請求項７】前記遮光装置の中空構造内に流す気体
は、ケミカルフィルターを介して取り込まれ、送風機お
よび冷却機によりその供給量と温度が制御されることを
特徴とする請求項１ないし６記載の半導体製造装置。
【請求項８】前記送風機および冷却機により制御され
た気体は、前記遮光装置の中空構造の中央部から外周側
部に流れ、該外周側部から外部へ排出されるように構成
されていることを特徴とする請求項７記載の半導体製造
装置。
【請求項９】前記遮光装置の中空構造内に流す気体ま
たは冷媒は、温調される気体または熱吸収の高い物質で
あり、冷却機により温調され、ポンプにより供給量が制
御されることを特徴とする請求項１ないし６記載の半導
体製造装置。
【請求項１０】前記気体または冷媒は、前記遮光装置
の中空構造内に配置された冷却路内を流れ、前記冷却機
およびポンプを介して循環するように構成されているこ
とを特徴とする請求項９記載の半導体製造装置。
【請求項１１】前記遮光装置は回転体または直線移動
体で形成されていることを特徴とする請求項１ないし１
０のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１２】前記遮光装置の内部に熱移動機能を備
えることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項１３】前記遮光装置の中空構造の内部に作業
液を封入し、該作業液の沸騰と凝縮作用により熱を移動
させることを特徴とする請求項１２記載の半導体製造装
置。
【請求項１４】前記遮光装置の熱吸収位置と熱放出位
置を、前記遮光装置内の異なる位置に設定してあること
を特徴とする請求項１３記載の半導体製造装置。
【請求項１５】前記遮光装置の熱吸収位置は、前記光
源からの光が通過する個所であることを特徴とする請求
項１４記載の半導体製造装置。
【請求項１６】前記遮光装置の熱放出位置には、冷却
手段が設けられていることを特徴とする請求項１４また
は１５記載の半導体製造装置。
【請求項１７】前記冷却手段として温調された気体を
用いることを特徴とする請求項１６記載の半導体製造装
置。
【請求項１８】前記遮光装置は回転体で形成されてい
ることを特徴とする請求項１２ないし１７のいずれか１
項に記載の半導体製造装置。
【請求項１９】請求項１ないし１８のいずれか１項に
記載の半導体製造装置において、ディスプレイと、ネッ
トワークインターフェイスと、ネットワークアクセス用
ソフトウェアを実行するコンピュータとをさらに有し、
半導体製造装置の保守情報をコンピュータネットワーク
を介してデータ通信することを可能にした半導体製造装
置。
【請求項２０】前記ネットワークアクセス用ソフトウ
ェアは、前記半導体製造装置のベンダーもしくはユーザ
ーが提供する保守データベースにアクセスするためのユ
ーザーインターフェースを前記ディスプレイ上に提供
し、前記コンピュータネットワークに接続されたインタ
ーネットまたは専用線ネットワークを介して該データベ
ースから情報を得ることを可能にする請求項１９記載の
半導体製造装置。
【請求項２１】請求項１ないし２０のいずれか１項に
記載の半導体製造装置を含む各種プロセス用の製造装置
群を半導体製造工場に設置するステップと、前記製造装
置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを
製造するステップとを有することを特徴とする半導体デ
バイス製造方法。
【請求項２２】前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続するステップと、前記ローカルエリアネ
ットワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワーク
であるインターネットまたは専用線ネットワークとの間
で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデ
ータ通信するステップとをさらに有することを特徴とす
る請求項２１記載の半導体デバイス製造方法。
【請求項２３】前記データ通信によって、半導体デバ
イスの製造者または前記半導体製造装置の供給者が提供
するデータベースに前記外部ネットワークを介してアク
セスして前記製造装置の保守情報を得、あるいは前記半
導体製造工場とは別の半導体製造工場との間で前記外部
ネットワークを介してデータ通信して生産管理を行うこ
とを特徴とする請求項２１または２２記載の半導体デバ
イス製造方法。