JP2001345660A - Temperature variable resistance circuit, high frequency circuit, temperature variable attenuator and wireless communicating apparatus - Google Patents
Temperature variable resistance circuit, high frequency circuit, temperature variable attenuator and wireless communicating apparatusInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、温度変化が発生す
る環境で使用される高周波帯域の無線通信装置等に用い
られる高周波電子機器に係り、詳しくは、高周波用の温
度可変抵抗回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency electronic device used in a radio communication device in a high-frequency band used in an environment where a temperature change occurs, and more particularly to a high-frequency temperature variable resistance circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】温度可変抵抗回路の一例として、従来の
高周波用温度可変型減衰器は、電子式アッテネータ回路
を備えて構成されている。この電子式アッテネータ回路
は、サーミスタ等の温度変化による電気抵抗の変化を、
演算増幅器を用いることによって電流の変化に変換し、
この変換された電流の変化によって電子式アッテネータ
の減衰量を制御する回路である。また、特開平８−１２
５４５１号公報、特開平１０−２５６９３１号公報に
は、抵抗器とサーミスタとを備えて構成された減衰器
（低周波用温度可変型減衰器）によるゲイン補正回路が
開示されている。2. Description of the Related Art As an example of a temperature variable resistance circuit, a conventional high frequency temperature variable attenuator is provided with an electronic attenuator circuit. This electronic attenuator circuit detects changes in electrical resistance due to temperature changes in thermistors, etc.
By using an operational amplifier to convert to a change in current,
This circuit controls the attenuation of the electronic attenuator based on the change in the converted current. Also, JP-A-8-12
Japanese Patent Application Publication No. 5451 and Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. Hei 10-256931 disclose a gain correction circuit using an attenuator (a low-frequency temperature-variable attenuator) including a resistor and a thermistor.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電子式アッテネータ回路は、極めて複雑な回路とな
るため、小型回路の設計が困難であるという問題点があ
った。また、抵抗器とサーミスタとを備えて構成された
上記従来の温度可変型減衰器によると、高周波帯域にお
いて使用した場合、減衰量が一定にならないという問題
点があった。However, the above-mentioned conventional electronic attenuator circuit has a problem that it is difficult to design a small circuit because the circuit is extremely complicated. Further, according to the above-described conventional temperature variable attenuator including a resistor and a thermistor, there is a problem that the attenuation is not constant when used in a high frequency band.
【０００４】本発明は、上記従来の事情や問題点に鑑み
てなされたものであって、高周波帯域におけるインピー
ダンスを一定の値となるようにすることが可能であり、
温度可変型減衰器又は高周波回路に組み込むことによ
り、上記問題点を解決することができる温度可変抵抗回
路を提供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances and problems, and it is possible to make the impedance in a high frequency band have a constant value.
It is an object of the present invention to provide a temperature variable resistance circuit that can solve the above-mentioned problems by incorporating the variable temperature attenuator or a high-frequency circuit in a high-frequency circuit.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の温度可変抵抗回路は、温度可変抵抗素子
と、前記温度可変抵抗素子に対して並列に接続された容
量性素子とを備え、前記容量性素子の容量を、前記温度
可変抵抗素子の寄生容量によるリアクタンス成分の変動
を緩和できる大きな容量に設定することを特徴とする。In order to solve the above problems, a temperature variable resistance circuit according to the present invention comprises a temperature variable resistance element and a capacitive element connected in parallel to the temperature variable resistance element. Wherein the capacitance of the capacitive element is set to a large capacitance that can reduce the variation of the reactance component due to the parasitic capacitance of the temperature variable resistance element.
【０００６】本発明の高周波帯域において用いられる高
周波回路は、温度可変抵抗素子と、前記温度可変抵抗素
子に対して並列に接続された容量性素子とを備え、前記
容量性素子の容量が、この高周波回路を通過する高周波
信号の帯域での前記温度可変抵抗素子の寄生容量による
リアクタンス成分の変動を緩和できる大きな容量である
温度可変抵抗回路を備えている。A high-frequency circuit used in the high-frequency band according to the present invention includes a temperature variable resistance element and a capacitive element connected in parallel to the temperature variable resistance element, and the capacitance of the capacitive element is equal to or smaller than the temperature variable resistance element. There is provided a temperature variable resistance circuit having a large capacitance capable of reducing a variation in a reactance component due to a parasitic capacitance of the temperature variable resistance element in a band of a high frequency signal passing through the high frequency circuit.
【０００７】本発明の高周波帯域において用いられる温
度可変型減衰器は、温度可変抵抗素子と、前記温度可変
抵抗素子に対して並列に接続された容量性素子とを備
え、前記容量性素子の容量が、この温度可変型減衰器を
通過する高周波信号の帯域での前記温度可変抵抗素子の
寄生容量によるリアクタンス成分の変動を緩和できる大
きな容量である温度可変抵抗回路を備えている。A temperature-variable attenuator used in a high-frequency band according to the present invention includes a temperature-variable resistance element, and a capacitive element connected in parallel to the temperature-variable resistance element, wherein the capacitance of the capacitive element is However, there is provided a temperature variable resistance circuit having a large capacitance capable of alleviating a variation in a reactance component due to a parasitic capacitance of the temperature variable resistance element in a band of a high-frequency signal passing through the temperature variable attenuator.
【０００８】本発明の温度可変型減衰器の変形例であ
り、前記温度可変型減衰器の前記温度可変抵抗素子に対
してコイルが並列に接続されている。This is a modification of the variable temperature attenuator of the present invention, wherein a coil is connected in parallel to the variable temperature attenuator of the variable temperature attenuator.
【０００９】本発明の高周波帯域において用いられる無
線通信装置は、前記高周波回路を有するＲＦ回路部を備
えている。A radio communication device used in a high frequency band according to the present invention includes an RF circuit section having the high frequency circuit.
【００１０】上記構成では、基板の実装状態から生じる
寄生容量モデルの容量値Ｃｘ［Ｆ］による高周波領域に
おけるサーミスタのインピーダンスのリアクタンス成分
の変動を緩和することが可能となる。また、この場合、
可変抵抗回路のインピーダンスが一定の値となる回路を
容易かつ小型に構成可能となる。With the above configuration, it is possible to reduce the variation in the reactance component of the impedance of the thermistor in the high frequency region due to the capacitance value Cx [F] of the parasitic capacitance model generated from the mounting state of the board. Also, in this case,
A circuit in which the impedance of the variable resistance circuit has a constant value can be easily and compactly configured.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】〔第１の実施形態〕図１は、本発
明の第１の実施形態に係る温度可変抵抗回路を示す構成
図である。図１において、本実施形態の温度可変抵抗回
路１は、温度可変型抵抗素子に該当するサーミスタ１０
と、サーミスタ１０に対して並列に接続された容量性素
子に該当するコンデンサ１２とを備えて構成されてい
る。このコンデンサ１２の容量値を、基板の実装状態に
よって生じる寄生容量モデルの容量による高周波領域に
おけるサーミスタ１０のインピーダンスのリアクタンス
成分の変動を緩和する十分に大きな容量値に設定する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Embodiment] FIG. 1 is a block diagram showing a temperature variable resistance circuit according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, a temperature variable resistance circuit 1 according to the present embodiment includes a thermistor 10 corresponding to a temperature variable resistance element.
And a capacitor 12 corresponding to a capacitive element connected in parallel to the thermistor 10. The capacitance value of the capacitor 12 is set to a sufficiently large capacitance value to mitigate the fluctuation of the reactance component of the impedance of the thermistor 10 in a high frequency region due to the capacitance of the parasitic capacitance model caused by the mounting state of the board.
【００１２】次に、サーミスタ１０の寄生容量モデルに
ついて図２を用いて説明する。図２は、高周波帯域にお
けるサーミスタ１０の等価回路（以下、サーミスタモデ
ルという）を示す構成図である。図２に示すサーミスタ
モデル２において、２０はサーミスタ、２２はサーミス
タの寄生容量モデルである。サーミスタ１０を高周波帯
域、例えば、周波数２ＧＨｚ帯において所定のインピー
ダンスで動作させるためには、回路解析上、サーミスタ
モデル２における寄生容量モデル２２の寄生容量による
高周波領域でのサーミスタ１０のインピーダンスのリア
クタンス成分の変動を考慮しなければならない。Next, a parasitic capacitance model of the thermistor 10 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a configuration diagram illustrating an equivalent circuit of the thermistor 10 in a high frequency band (hereinafter, referred to as a thermistor model). In the thermistor model 2 shown in FIG. 2, 20 is a thermistor, and 22 is a parasitic capacitance model of the thermistor. In order to make the thermistor 10 operate at a predetermined impedance in a high frequency band, for example, a frequency band of 2 GHz, the circuit analysis requires that the reactance component of the impedance of the thermistor 10 in the high frequency region due to the parasitic capacitance of the parasitic capacitance model 22 in the thermistor model 2 be determined. Fluctuations must be taken into account.
【００１３】ここで、使用する周波数をｆ［Ｈｚ］、サ
ーミスタ２０の抵抗値をＲ［Ω］、寄生容量モデル２２
の容量値をＣｘ［Ｆ］とすると、図２に示す高周波帯域
におけるサーミスタモデル２のインピーダンス｜Ｚ１｜
［Ω］は次式で表される。Here, the frequency used is f [Hz], the resistance value of the thermistor 20 is R [Ω], and the parasitic capacitance model 22
Is the capacitance value of Cx [F], the impedance | Z1 | of the thermistor model 2 in the high frequency band shown in FIG.
[Ω] is represented by the following equation.
【００１４】 ｜Ｚ１｜＝１／｛（１／Ｒ）2＋（２πｆＣｘ）2｝1/2 …（１）| Z1 | = 1 / ｛(1 / R) 2 + (2πfCx) 2 ｝ 1/2 (1)
【００１５】式（１）に示すように、サーミスタにおい
ては、基板の実装状態によって寄生容量モデル２２の容
量値が変動する（すなわち、寄生容量のばらつき）た
め、高周波領域におけるサーミスタ１０のインピーダン
スのリアクタンス成分を計算で求めることは困難であっ
た。このため、高周波帯域においてサーミスタモデル２
のインピーダンス｜Ｚ１｜は一定の値をとらず、サーミ
スタを用いた回路を設計する際に、高周波帯域において
所望の特性を得ることは困難であった。As shown in equation (1), in the thermistor, the capacitance value of the parasitic capacitance model 22 varies depending on the mounting state of the substrate (ie, the variation of the parasitic capacitance), and thus the reactance of the impedance of the thermistor 10 in a high frequency region. It was difficult to calculate the components. Therefore, in the high frequency band, thermistor model 2
Does not take a constant value, and when designing a circuit using a thermistor, it is difficult to obtain desired characteristics in a high frequency band.
【００１６】図３は、サーミスタ１０をサーミスタモデ
ル２で表した図１の温度可変抵抗回路１を示す構成図で
ある。図３において、図１及び図２と重複する部分には
同一の符号を付して説明を省略する。図３において、使
用する周波数をｆ［Ｈｚ］、サーミスタ２０の抵抗値を
Ｒ［Ω］、寄生容量モデル２２の容量値をＣｘ［Ｆ］、
コンデンサ１２の容量値をＣ［Ｆ］とすると、この高周
波用温度可変抵抗回路１のインピーダンス｜Ｚ２｜
［Ω］は、次式で表される。FIG. 3 is a configuration diagram showing the temperature variable resistance circuit 1 of FIG. 1 in which the thermistor 10 is represented by a thermistor model 2. 3, the same reference numerals are given to the same portions as those in FIGS. 1 and 2, and the description will be omitted. In FIG. 3, the frequency used is f [Hz], the resistance value of the thermistor 20 is R [Ω], the capacitance value of the parasitic capacitance model 22 is Cx [F],
Assuming that the capacitance value of the capacitor 12 is C [F], the impedance | Z2 |
[Ω] is represented by the following equation.
【００１７】 ｜Ｚ２｜＝１／｛（１／Ｒ）2＋（２πｆ（Ｃｘ＋Ｃ））2｝1/2 …（２）| Z2 | = 1 / ｛(1 / R) 2 + (2πf (Cx + C)) 2 ｝ 1/2 (2)
【００１８】式（２）において、コンデンサ１２の容量
値Ｃ［Ｆ］を、寄生容量モデル２２の容量値Ｃｘ［Ｆ］
より十分大きい容量にとる。これによって、寄生容量モ
デル２２の寄生容量による高周波領域におけるサーミス
タ１０のインピーダンスのリアクタンス成分の変動が緩
和され、高周波用温度可変抵抗回路１のインピーダンス
｜Ｚ２｜を一定の値にすることができるため、高周波帯
域、特に、周波数０．１〜５［ＧＨｚ］において、サー
ミスタが組み込まれた回路は所望の特性を得ることがで
きる。また、高周波用温度可変抵抗回路１のインピーダ
ンス｜Ｚ２｜を一定の値にすることができるため、容易
に高周波用温度可変抵抗回路１を設計可能である。例え
ば、基板の実装状態によって寄生容量モデル２２の寄生
容量は約０〜５［ｐＦ］の範囲で生じるものとする。こ
のとき、コンデンサ１２の容量値を寄生容量モデル２２
の容量値の約４倍の値に設定すると、インピーダンスの
リアクタンス成分の変動を緩和することができる。コン
デンサ１２の容量値が大きいほどサーミスタ１０のイン
ピーダンスのリアクタンス成分の変動幅が小さくなる
が、コンデンサ１２の容量値が大きすぎると、様々な問
題が生じるため、コンデンサ１２の容量値を寄生容量モ
デル２２の容量値の約４倍程度の値にすることが望まし
い。In the equation (2), the capacitance value C [F] of the capacitor 12 is represented by the capacitance value Cx [F] of the parasitic capacitance model 22.
Take a much larger capacity. Thereby, the variation of the reactance component of the impedance of the thermistor 10 in the high frequency region due to the parasitic capacitance of the parasitic capacitance model 22 is reduced, and the impedance | Z2 | of the high frequency temperature variable resistance circuit 1 can be set to a constant value. In a high-frequency band, particularly in a frequency range of 0.1 to 5 [GHz], a circuit in which the thermistor is incorporated can obtain desired characteristics. Further, since the impedance | Z2 | of the high-frequency temperature variable resistance circuit 1 can be set to a constant value, the high-frequency temperature variable resistance circuit 1 can be easily designed. For example, it is assumed that the parasitic capacitance of the parasitic capacitance model 22 occurs in a range of about 0 to 5 [pF] depending on the mounting state of the substrate. At this time, the capacitance value of the capacitor 12 is
When the capacitance value is set to about four times the capacitance value, the variation in the reactance component of the impedance can be reduced. The larger the capacitance value of the capacitor 12, the smaller the fluctuation range of the reactance component of the impedance of the thermistor 10. However, if the capacitance value of the capacitor 12 is too large, various problems occur. Is desirably about four times as large as the capacitance value of.
【００１９】なお、抵抗値を変えるために、サーミスタ
に対して並列に抵抗器を接続した場合、サーミスタの寄
生容量に抵抗器の寄生容量を加えた容量よりも十分に大
きい容量を有するコンデンサを、サーミスタ及び抵抗器
に対して並列に接続することによって、本実施形態の高
周波用温度可変抵抗回路１と同様の効果を得ることがで
きる。When a resistor is connected in parallel to the thermistor to change the resistance value, a capacitor having a capacitance sufficiently larger than the sum of the parasitic capacitance of the thermistor and the parasitic capacitance of the resistor is used. By connecting the thermistor and the resistor in parallel, the same effect as that of the high-frequency temperature variable resistor circuit 1 of the present embodiment can be obtained.
【００２０】〔第２の実施形態〕図４は、本発明の第２
の実施形態に係る高周波用温度可変抵抗回路を備える高
周波回路を示す構成図である。図４において、図１及び
図３と重複する部分には同一符号を付して説明を省略す
る。本実施形態の高周波回路４は、高周波デバイス４０
と、高周波デバイス４０の出力段とグランドとの間に接
続された高周波用温度可変抵抗回路１とを備えて構成さ
れている。高周波デバイス４０は、例として、入力され
る高周波信号を増幅する高周波増幅器である。[Second Embodiment] FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a configuration diagram illustrating a high-frequency circuit including the high-frequency temperature variable resistance circuit according to the embodiment. 4, the same reference numerals are given to the same parts as those in FIGS. 1 and 3, and the description will be omitted. The high-frequency circuit 4 of the present embodiment includes a high-frequency device 40
And a high-frequency temperature-variable resistance circuit 1 connected between the output stage of the high-frequency device 40 and the ground. The high-frequency device 40 is, for example, a high-frequency amplifier that amplifies an input high-frequency signal.
【００２１】次に、高周波回路４の動作を説明する。高
周波信号が高周波増幅器４０に入力されると、温度可変
抵抗回路１の抵抗値に基づく増幅係数に応じて増幅され
た出力信号が出力される。一般に、高周波デバイスは５
０Ω整合で使用される。しかし、高周波デバイスの多く
は、温度変化によって整合状態が変化してしまう。この
整合状態の変化により、高周波回路全体の特性が劣化し
てしまう場合がある。Next, the operation of the high frequency circuit 4 will be described. When a high-frequency signal is input to the high-frequency amplifier 40, an output signal amplified according to an amplification coefficient based on the resistance value of the temperature variable resistance circuit 1 is output. Generally, high-frequency devices are 5
Used with 0Ω matching. However, in many high-frequency devices, the matching state changes due to temperature changes. Due to this change in the matching state, the characteristics of the entire high-frequency circuit may be degraded.
【００２２】しかし、図４に示すように、本実施形態の
高周波回路４は、高周波デバイス４０の出力段とグラン
ドとの間に高周波用温度可変抵抗回路１が接続された構
成である。この高周波用温度可変抵抗回路１は、第１の
実施形態で説明したように、高周波用温度可変抵抗回路
１のコンデンサ１２の容量値Ｃ［Ｆ］を、温度変化及び
基板の実装状態等によって生じる寄生容量モデル２２の
容量による高周波領域におけるサーミスタ１０のインピ
ーダンスのリアクタンス成分の変動を緩和する十分に大
きい容量に設定する。このため、高周波用温度可変抵抗
回路１のインピーダンス｜Ｚ２｜を一定の値にすること
ができるので、所望の温度範囲における温度変化に対し
て高周波デバイス４０のインピーダンスが補償される。
すなわち、高周波デバイス４０の整合の劣化を補償する
ことができる。また、所定の温度に対して、高周波用温
度可変抵抗回路１のインピーダンス｜Ｚ２｜の値を容易
に設計することができる。さらに、上記従来の電子式ア
ッテネータ回路を備えた高周波回路と比較して、高周波
用温度可変抵抗回路１を備えた高周波回路４は、構成が
簡略化されているため、より小型の高周波回路にするこ
とができる。However, as shown in FIG. 4, the high-frequency circuit 4 of the present embodiment has a configuration in which the high-frequency temperature variable resistance circuit 1 is connected between the output stage of the high-frequency device 40 and the ground. As described in the first embodiment, the high-frequency temperature variable resistance circuit 1 generates the capacitance value C [F] of the capacitor 12 of the high-frequency temperature variable resistance circuit 1 due to a temperature change, a mounting state of a board, and the like. The capacitance is set to be large enough to reduce the variation of the reactance component of the impedance of the thermistor 10 in the high frequency region due to the capacitance of the parasitic capacitance model 22. Therefore, the impedance | Z2 | of the high-frequency temperature variable resistance circuit 1 can be set to a constant value, so that the impedance of the high-frequency device 40 is compensated for a temperature change in a desired temperature range.
That is, the deterioration of the matching of the high-frequency device 40 can be compensated. Further, the value of impedance | Z2 | of high-frequency temperature variable resistance circuit 1 can be easily designed for a predetermined temperature. Further, as compared with the above-described conventional high-frequency circuit including an electronic attenuator circuit, the high-frequency circuit 4 including the high-frequency temperature-variable resistance circuit 1 has a simplified configuration, and thus has a more compact high-frequency circuit. be able to.
【００２３】〔第３の実施形態〕図５は、本発明の第３
の実施形態に係る高周波用温度可変型減衰器を示す構成
図である。図５において、図１及び図３と重複する部分
には同一符号を付して説明を省略する。本実施形態の高
周波用温度可変型減衰器５は、π型減衰器であり、抵抗
器５０，５１と、高周波用温度可変抵抗回路１とを備え
て構成されている。次に、高周波用温度可変型減衰器５
の動作を説明する。高周波信号が高周波用温度可変型減
衰器５に入力されると、高周波用温度可変型抵抗回路１
及び抵抗器５０，５１の抵抗値に基づく減衰係数に応じ
て減衰された出力信号が出力される。[Third Embodiment] FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention.
It is a lineblock diagram showing the temperature variable type attenuator for high frequencies concerning an embodiment. 5, the same reference numerals are given to the same parts as those in FIGS. 1 and 3, and the description will be omitted. The high-frequency variable temperature attenuator 5 according to the present embodiment is a π-type attenuator, and includes resistors 50 and 51 and the high-frequency variable temperature resistor circuit 1. Next, the high-frequency variable temperature attenuator 5
Will be described. When the high-frequency signal is input to the high-frequency variable temperature attenuator 5, the high-frequency variable temperature resistor circuit 1
An output signal attenuated according to the attenuation coefficient based on the resistance values of the resistors 50 and 51 is output.
【００２４】一般に、所定の減衰量を有する高周波用減
衰器を設計する場合は、所定の周波数においてこの高周
波用減衰器が所定のインピーダンスの値となる必要があ
る。しかし、高周波用減衰器の多くは、高周波用減衰器
が有するサーミスタの寄生容量によって、高周波用減衰
器のインピーダンスの値が一定の値にならない。すなわ
ち、高周波用減衰器の減衰量が一定の値とならないた
め、高周波用減衰器は所望の特性を得ることが困難であ
った。Generally, when designing a high-frequency attenuator having a predetermined attenuation, the high-frequency attenuator needs to have a predetermined impedance value at a predetermined frequency. However, in many high-frequency attenuators, the impedance value of the high-frequency attenuator does not become constant due to the parasitic capacitance of the thermistor of the high-frequency attenuator. That is, since the attenuation of the high-frequency attenuator does not become a fixed value, it is difficult for the high-frequency attenuator to obtain desired characteristics.
【００２５】しかし、図５に示すように、本実施形態の
高周波用温度可変型減衰器５は、π型減衰器の入力端子
及び出力端子の間に高周波用温度可変抵抗回路１が接続
されている構成である。この高周波用温度可変抵抗回路
１は、第１の実施形態で説明したように、高周波用温度
可変抵抗回路１のコンデンサ１２の容量値Ｃ［Ｆ］を、
基板の実装状態によって生じる寄生容量モデル２２の容
量による高周波領域におけるサーミスタ１０のインピー
ダンスのリアクタンス成分の変動を緩和できる大きな容
量に設定すると、高周波用温度可変抵抗回路１のインピ
ーダンス｜Ｚ２｜のリアクタンス成分は一定の値とな
る。このため、本実施形態の高周波用温度可変型減衰器
５のインピーダンスの値は一定となり、高周波用温度可
変型減衰器５の減衰量を一定の値とすることができる。
すなわち、高周波帯域において高周波用減衰器は所望の
特性を得ることができる。また、高周波用温度可変型減
衰器５の減衰量を容易に計算することができる。However, as shown in FIG. 5, the high-frequency variable temperature attenuator 5 of the present embodiment has the high-frequency variable temperature resistor circuit 1 connected between the input terminal and the output terminal of the π-type attenuator. Configuration. As described in the first embodiment, the high-frequency temperature variable resistance circuit 1 sets the capacitance C [F] of the capacitor 12 of the high-frequency temperature variable resistance circuit 1 to:
When the capacitance is set to be large enough to reduce the variation of the reactance component of the impedance of the thermistor 10 in the high frequency region due to the capacitance of the parasitic capacitance model 22 caused by the mounting state of the substrate, the reactance component of the impedance | Z2 | It has a constant value. Therefore, the value of the impedance of the high-frequency variable temperature attenuator 5 of the present embodiment becomes constant, and the attenuation of the high-frequency variable temperature attenuator 5 can be set to a constant value.
That is, in the high frequency band, the high frequency attenuator can obtain desired characteristics. Further, the attenuation of the high-frequency variable temperature attenuator 5 can be easily calculated.
【００２６】なお、高周波用温度可変型減衰器５の構成
は、本実施形態の示すπ型減衰器の限るものではなく、
Ｔ型減衰器、Ｌ型減衰器及び他の構成の減衰器であって
もよく、高周波用温度可変抵抗回路１を備える減衰器で
あれば、同様の効果を得ることができる。The configuration of the high-frequency variable temperature attenuator 5 is not limited to the π-type attenuator shown in the present embodiment.
A T-type attenuator, an L-type attenuator, and other types of attenuators may be used. A similar effect can be obtained as long as the attenuator includes the high-frequency temperature-variable resistance circuit 1.
【００２７】また、図６に示すように、高周波用温度可
変型減衰器５の高周波用温度可変抵抗回路１に対してコ
イル６０が並列に接続された構成としてもよい。図６
は、高周波用温度可変型減衰器５と、高周波用温度可変
型減衰器５の高周波用温度可変抵抗回路１に対して並列
に接続されたコイル６０とを備えて構成された高周波用
温度可変型減衰器６を示す構成図である。一般に、コン
デンサに対してコイルを並列に接続したＬＣ並列回路に
おいて、コンデンサの容量をＣ［Ｆ］、コイルの容量を
Ｌ［Ｈ］とすると、このＬＣ並列回路のコンデンサ及び
コイルの容量によって決定する共振周波数ｆ１［Ｈｚ］
は次の式で表される。また、共振周波数ｆ１［Ｈｚ］に
おける高周波回路であるＬＣ並列回路のインピーダンス
は、数Ｍ［Ω］以上となる。As shown in FIG. 6, a coil 60 may be connected in parallel to the high-frequency temperature variable resistor circuit 1 of the high-frequency variable temperature attenuator 5. FIG.
Is a high-frequency temperature-variable attenuator 5 and a coil 60 connected in parallel to the high-frequency temperature-variable resistance circuit 1 of the high-frequency temperature-variable attenuator 5. FIG. 3 is a configuration diagram illustrating an attenuator 6. Generally, in an LC parallel circuit in which a coil is connected in parallel to a capacitor, assuming that the capacitance of the capacitor is C [F] and the capacitance of the coil is L [H], the capacitance is determined by the capacitance of the capacitor and the coil of the LC parallel circuit. Resonance frequency f1 [Hz]
Is represented by the following equation. Further, the impedance of the LC parallel circuit, which is a high-frequency circuit at the resonance frequency f1 [Hz], is several M [Ω] or more.
【００２８】 ｆ１＝１／｛２π（Ｌ×Ｃ）1/2｝ …（３）F1 = 1 / {2π (L × C) 1/2 } (3)
【００２９】しかし、図６に示すように、本実施形態の
高周波用温度可変型減衰器６は、高周波用温度可変抵抗
回路１に対してコイル６０が並列に接続された構成であ
る。本実施形態で説明したように、高周波用温度可変抵
抗回路１のコンデンサ１２の容量値Ｃ［Ｆ］を、基板の
実装状態によって生じる寄生容量モデル２２の寄生容量
による高周波領域におけるサーミスタ１０のインピーダ
ンス｜Ｚ１｜のリアクタンス成分の変動を緩和する十分
大きい容量値に設定する。このため、高周波用温度可変
抵抗回路１のインピーダンス｜Ｚ２｜のリアクタンス成
分は、一定の値となるので、高周波用温度可変型減衰器
６のインピーダンスの値は一定となり、高周波用温度可
変型減衰器６の減衰量を一定の値にすることができる。
すなわち、高周波帯域において、高周波用減衰器は所望
の特性を得ることができる。また、高周波用温度可変型
減衰器６の減衰量が一定であるため、減衰量を容易に計
算することができる。However, as shown in FIG. 6, the high-frequency variable temperature attenuator 6 of the present embodiment has a configuration in which the coil 60 is connected in parallel to the high-frequency variable temperature resistor circuit 1. As described in the present embodiment, the capacitance value C [F] of the capacitor 12 of the high-frequency temperature-variable resistance circuit 1 is determined by the impedance of the thermistor 10 in the high-frequency region due to the parasitic capacitance of the parasitic capacitance model 22 generated by the mounting state of the substrate. Z1 | is set to a sufficiently large capacitance value to mitigate the fluctuation of the reactance component. Therefore, the reactance component of the impedance | Z2 | of the high-frequency temperature-variable resistance circuit 1 has a constant value, so that the impedance value of the high-frequency temperature-variable attenuator 6 is constant, and the high-frequency temperature-variable attenuator 6 has a constant value. 6 can be set to a constant value.
That is, in the high frequency band, the high frequency attenuator can obtain desired characteristics. Further, since the attenuation of the high-frequency variable temperature attenuator 6 is constant, the attenuation can be easily calculated.
【００３０】さらに、高周波用温度可変抵抗回路１のイ
ンピーダンス｜Ｚ２｜のリアクタンス成分を容易に計算
することができるので、式（３）において、共振周波数
ｆ１［Ｈｚ］における高周波用温度可変型減衰器６のイ
ンピーダンスを抵抗成分のみとすることができる。その
結果、共振周波数ｆ１における高周波用温度可変型減衰
器６のインピーダンスを、本実施形態の高周波用温度可
変型減衰器５のインピーダンスより小さい値にとること
ができる。Further, since the reactance component of the impedance | Z2 | of the high-frequency temperature variable resistor circuit 1 can be easily calculated, the high-frequency variable temperature attenuator at the resonance frequency f1 [Hz] in the equation (3) is used. 6 can be made only the resistance component. As a result, the impedance of the high-frequency variable temperature attenuator 6 at the resonance frequency f1 can be set to a value smaller than the impedance of the high-frequency variable temperature attenuator 5 of the present embodiment.
【００３１】〔第４の実施形態〕図７は、本発明の第４
の実施形態に係る高周波用温度可変型減衰器を有する高
周波回路を示す構成図である。図７において、図１、図
３及び図５と重複する部分には同一符号を付して説明を
省略する。本実施形態の高周波回路７は、高周波デバイ
ス７０と、高周波デバイス７０の出力段に直列に接続さ
れた高周波用温度可変型減衰器５とを備えて構成されて
いる。高周波デバイス７０は、例として、入力される高
周波信号を増幅する高周波増幅器である。次に、高周波
回路７の動作を説明する。高周波信号が高周波増幅器７
０の入力端子に入力されると、高周波増幅器７０の増幅
係数に応じて、増幅された出力信号が出力される。そし
て、その増幅された出力信号が高周波用温度可変型減衰
器５に入力され、高周波用温度可変型減衰器５の減衰係
数に応じて減衰された信号が出力される。[Fourth Embodiment] FIG. 7 shows a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a configuration diagram illustrating a high-frequency circuit having a high-frequency variable temperature attenuator according to the embodiment. 7, the same reference numerals are given to the same parts as those in FIGS. 1, 3, and 5, and the description will be omitted. The high-frequency circuit 7 of the present embodiment includes a high-frequency device 70 and a high-frequency variable temperature attenuator 5 connected in series to an output stage of the high-frequency device 70. The high-frequency device 70 is, for example, a high-frequency amplifier that amplifies an input high-frequency signal. Next, the operation of the high frequency circuit 7 will be described. High frequency signal is high frequency amplifier 7
When input to the input terminal of 0, an amplified output signal is output according to the amplification coefficient of the high-frequency amplifier 70. Then, the amplified output signal is input to the high-frequency variable temperature attenuator 5, and a signal attenuated according to the attenuation coefficient of the high-frequency variable temperature attenuator 5 is output.
【００３２】高周波デバイス７０は、例として図８に示
す温度−利得特性を有する高周波増幅器である。図８
は、横軸に温度、縦軸に利得をとった、温度の上昇に比
例して利得が減衰する特性を有する高周波デバイス７０
の特性図である。また、高周波用温度可変型減衰器５
は、例として、図９に示す温度−利得特性を有する減衰
器である。図９は、横軸に温度、縦軸に利得をとった、
温度の上昇に比例して利得が増幅する特性を有する高周
波用温度可変型減衰器５の特性図である。The high-frequency device 70 is, for example, a high-frequency amplifier having a temperature-gain characteristic shown in FIG. FIG.
Is a high-frequency device 70 having a characteristic that the temperature is plotted on the horizontal axis and the gain is plotted on the vertical axis, and the gain attenuates in proportion to the temperature rise.
FIG. In addition, a high-frequency variable temperature attenuator 5
Is an attenuator having a temperature-gain characteristic shown in FIG. 9 as an example. FIG. 9 shows temperature on the horizontal axis and gain on the vertical axis.
FIG. 7 is a characteristic diagram of a high-frequency variable temperature attenuator 5 having a characteristic that a gain is amplified in proportion to a rise in temperature.
【００３３】本実施形態の高周波回路７は、高周波デバ
イス７０と高周波用温度可変型減衰器５とが直列に接続
される構成である。第１の実施形態で説明したように、
高周波用温度可変抵抗回路１のコンデンサ１２の容量値
Ｃ［Ｆ］を、基板の実装状態によって生じる寄生容量モ
デル２２の寄生容量による高周波領域におけるサーミス
タ１０のインピーダンスのリアクタンス成分の変動を緩
和する十分大きい容量に設定する。このため、高周波用
温度可変抵抗回路１のインピーダンス｜Ｚ２｜を一定の
値にすることができる。すなわち、高周波帯域において
高周波用温度可変抵抗回路１が組み込まれた高周波用温
度可変型減衰器５の減衰量を一定の値にすることができ
る。その結果、所望の温度範囲において、温度変化に対
する安定した利得補償を行うことができ、高周波用温度
可変型減衰器５が組み込まれた高周波回路７の利得を一
定の値にとることができる。さらに、上記従来の電子式
アッテネータ回路を備えた減衰器を有する高周波回路と
比較して、高周波用温度可変抵抗回路１を簡略化するこ
とができるため、高周波回路７を小型化することができ
る。The high-frequency circuit 7 of this embodiment has a configuration in which a high-frequency device 70 and a high-frequency variable temperature attenuator 5 are connected in series. As described in the first embodiment,
The capacitance value C [F] of the capacitor 12 of the high-frequency temperature-variable resistance circuit 1 is set to be sufficiently large to alleviate the variation in the reactance component of the impedance of the thermistor 10 in the high-frequency region due to the parasitic capacitance of the parasitic capacitance model 22 caused by the mounting state of the substrate. Set to capacity. Therefore, impedance | Z2 | of high-frequency temperature variable resistance circuit 1 can be set to a constant value. That is, the attenuation of the high-frequency variable temperature attenuator 5 in which the high-frequency variable temperature resistor circuit 1 is incorporated can be set to a constant value in the high-frequency band. As a result, in a desired temperature range, stable gain compensation for a temperature change can be performed, and the gain of the high-frequency circuit 7 in which the high-frequency variable attenuator 5 is incorporated can be set to a constant value. Furthermore, the high-frequency temperature variable resistance circuit 1 can be simplified as compared with the high-frequency circuit having an attenuator provided with the above-mentioned conventional electronic attenuator circuit, so that the high-frequency circuit 7 can be downsized.
【００３４】なお、本実施形態において、高周波用温度
可変型減衰器５が高周波デバイス７０の後段に接続され
た構成を示したが、高周波用温度可変型減衰器５が高周
波デバイス７０の前段に接続された構成であっても、同
様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態にお
いて、第３の実施形態の高周波用温度可変型減衰器５を
用いたが、第３の実施形態の高周波用温度可変型減衰器
６を用いても同様の効果を得ることができる。In this embodiment, the high-frequency variable attenuator 5 is connected downstream of the high-frequency device 70, but the high-frequency variable attenuator 5 is connected upstream of the high-frequency device 70. The same effect can be obtained even with the configuration described above. Further, in this embodiment, the high-frequency variable temperature attenuator 5 of the third embodiment is used, but the same effect can be obtained by using the high-frequency variable attenuator 6 of the third embodiment. Can be.
【００３５】〔第５の実施形態〕図１０は、本発明の第
５の実施形態に係る無線通信装置の概略構成を示すブロ
ック図である。図１０において、図１、図３及び図７と
重複する部分には同一符号を付して説明を省略する。図
１０において、本実施形態の無線通信装置１００は、ア
ンテナ１０１と、アンテナ共用器１０２と、高周波回路
７を有するＲＦ回路を備える受信装置１０３と、送信装
置１０４とを備えて構成されている。無線通信装置１０
０は、例として、移動体通信の基地局装置又は携帯端末
などの移動局装置である。次に、無線通信装置１００の
動作を説明する。アンテナ１０１で受信して得られた受
信信号は、受信装置１０３に入力され、その後、復調処
理される。また、送信装置１０４で変調処理されて出力
される送信信号は、アンテナ１０１より通信相手局へ送
信される。なお、アンテナ共用器１０２は、送信信号の
受信装置１０３への入力又は受信信号の送信装置１０４
への入力を防止する。[Fifth Embodiment] FIG. 10 is a block diagram showing a schematic configuration of a wireless communication apparatus according to a fifth embodiment of the present invention. 10, the same reference numerals are given to the same parts as those in FIGS. 1, 3, and 7, and the description is omitted. In FIG. 10, the wireless communication apparatus 100 according to the present embodiment includes an antenna 101, an antenna duplexer 102, a receiving apparatus 103 including an RF circuit having the high-frequency circuit 7, and a transmitting apparatus 104. Wireless communication device 10
0 is, for example, a mobile station device such as a mobile communication base station device or a mobile terminal. Next, the operation of the wireless communication device 100 will be described. A received signal obtained by receiving with the antenna 101 is input to the receiving device 103, and then demodulated. Further, a transmission signal modulated and output by transmitting apparatus 104 is transmitted from antenna 101 to a communication partner station. The antenna duplexer 102 is used to input a transmission signal to the reception device 103 or to transmit a reception signal to the reception device 103.
Prevent input to.
【００３６】本実施形態の無線通信装置１００は、受信
装置１０３に高周波回路７を有するＲＦ回路を備える構
成である。第４の実施形態で説明したように、高周波回
路７に組み込まれた高周波用温度可変抵抗回路１のコン
デンサ１２の容量値Ｃ［Ｆ］を、基板の実装状態によっ
て生じる寄生容量モデルの寄生容量による高周波領域に
おけるサーミスタ１０のインピーダンスのリアクタンス
成分の変動を緩和することができる十分大きい容量値に
設定する。このため、温度可変抵抗回路１のインピーダ
ンス｜Ｚ２｜のリアクタンス成分は一定の値をとる。す
なわち、高周波用温度可変型減衰器５の減衰量が一定の
値をとることができる。その結果、高周波回路７を備え
る受信装置１０３は、所望の温度領域において、温度変
化に対する安定した利得補償を行うことができる。さら
に、上記従来の電子式アッテネータ回路を備えた高周波
回路が組み込まれた受信装置と比較して、高周波用温度
可変抵抗回路１を簡略化することができるため、高周波
回路７を備える受信装置１０３を小型化することができ
る。The wireless communication apparatus 100 according to the present embodiment has a configuration in which the receiving apparatus 103 includes an RF circuit having the high-frequency circuit 7. As described in the fourth embodiment, the capacitance value C [F] of the capacitor 12 of the high-frequency temperature variable resistance circuit 1 incorporated in the high-frequency circuit 7 is determined by the parasitic capacitance of the parasitic capacitance model caused by the mounting state of the board. The capacitance is set to a sufficiently large value that can reduce the variation in the reactance component of the impedance of the thermistor 10 in the high frequency region. Therefore, the reactance component of impedance | Z2 | of temperature variable resistance circuit 1 takes a constant value. That is, the attenuation of the high-frequency variable temperature attenuator 5 can have a constant value. As a result, the receiving device 103 including the high-frequency circuit 7 can perform stable gain compensation for a temperature change in a desired temperature region. Furthermore, compared to the above-described receiving apparatus in which a high-frequency circuit including an electronic attenuator circuit is incorporated, the high-frequency temperature variable resistance circuit 1 can be simplified, so that the receiving apparatus 103 including the high-frequency circuit 7 can be used. The size can be reduced.
【００３７】なお、本実施形態において、第４の実施形
態の高周波回路７を有するＲＦ回路を備える受信装置１
０３について説明したが、第４の実施形態の高周波回路
７を有するＲＦ回路を、送信装置１０４に備えても同様
の効果を得ることができる。また、本実施形態におい
て、第４の実施形態の高周波回路７を有する場合につい
て示したが、第２の実施形態の高周波回路４、第３の実
施形態の高周波用温度可変型減衰器５及び高周波用温度
可変型減衰器６を有しても同様の効果を得ることができ
る。In this embodiment, the receiving apparatus 1 including the RF circuit having the high-frequency circuit 7 of the fourth embodiment
However, the same effect can be obtained by providing the transmitting device 104 with an RF circuit having the high-frequency circuit 7 of the fourth embodiment. Further, in the present embodiment, the case where the high-frequency circuit 7 of the fourth embodiment is provided has been described. However, the high-frequency circuit 4 of the second embodiment, the high-frequency temperature-variable attenuator 5 of the third embodiment, and the high-frequency circuit The same effect can be obtained even with the variable temperature attenuator 6.
【００３８】[0038]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
温度可変抵抗回路のインピーダンスが一定の値となるよ
うにすることができる。As described above, according to the present invention,
The impedance of the temperature variable resistance circuit can be set to a constant value.
【図１】本発明の第１の実施形態に係る温度可変抵抗回
路を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a temperature variable resistance circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図２】高周波帯域におけるサーミスタの等価回路を示
す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing an equivalent circuit of a thermistor in a high frequency band.
【図３】サーミスタをサーミスタモデルで表した図１の
温度可変抵抗回路を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing the temperature variable resistance circuit of FIG. 1 in which a thermistor is represented by a thermistor model.
【図４】本発明の第２の実施形態に係る高周波回路を示
す構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram illustrating a high-frequency circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第３の実施形態に係る高周波用温度可
変型減衰器を示す構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram showing a high-frequency variable temperature attenuator according to a third embodiment of the present invention.
【図６】並列にコイルを接続した高周波用温度可変型減
衰器の変形例を示す構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram showing a modified example of a high-frequency variable temperature attenuator in which coils are connected in parallel.
【図７】本発明の第４の実施形態に係る高周波用温度可
変型減衰器を有する高周波回路を示す構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram showing a high-frequency circuit having a high-frequency variable temperature attenuator according to a fourth embodiment of the present invention.
【図８】温度の上昇に比例して利得が減少する特性を有
する高周波デバイスの特性図である。FIG. 8 is a characteristic diagram of a high-frequency device having a characteristic that a gain decreases in proportion to a rise in temperature.
【図９】温度の上昇に比例して利得が増加する特性を有
する高周波用温度可変型減衰器の特性図である。FIG. 9 is a characteristic diagram of a high-frequency variable temperature attenuator having a characteristic that a gain increases in proportion to a rise in temperature.
【図１０】本発明の第５の実施形態に係る無線通信装置
の概略構成を示すブロック図である。FIG. 10 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a wireless communication device according to a fifth embodiment of the present invention.
１ 温度可変抵抗回路 ２ サーミスタモデル ４ 高周波回路 ５ 高周波用温度可変型減衰器 ６ 高周波用温度可変型減衰器 ７ 高周波回路 １０ サーミスタ １２ コンデンサ ２０ サーミスタ ２２ 寄生容量モデル ４０ 高周波デバイス／高周波増幅器 ５０ 抵抗器 ５１ 抵抗器 ６０ コイル ７０ 高周波デバイス／高周波増幅器 １００ 無線通信装置 １０１ アンテナ １０２ アンテナ共用部 １０３ 受信装置 １０４ 送信装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Temperature variable resistance circuit 2 Thermistor model 4 High frequency circuit 5 High frequency variable temperature attenuator 6 High frequency variable temperature attenuator 7 High frequency circuit 10 Thermistor 12 Capacitor 20 Thermistor 22 Parasitic capacitance model 40 High frequency device / high frequency amplifier 50 Resistor 51 Resistor 60 Coil 70 High-frequency device / high-frequency amplifier 100 Wireless communication device 101 Antenna 102 Antenna common unit 103 Receiver 104 Transmitter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 和彦 石川県金沢市彦三町二丁目１番45号 株式 会社松下通信金沢研究所内 (72)発明者 森野 宜芳 神奈川県横浜市港北区綱島東四丁目３番１ 号 松下通信工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5J026 AA03 AA08 5K062 AB04 AD07 AD08 AG01 BA06 BB00 BB02 BB03 BB09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Kazuhiko Ikeda 2-1-1, Hikosancho, Kanazawa-shi, Ishikawa Pref. Inside Matsushita Communication Kanazawa Research Institute Co., Ltd. (72) Inventor Yoshiyoshi Morino Tsunashima East, Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture 4-3-1, Matsushita Communication Industrial Co., Ltd. F-term (reference) 5J026 AA03 AA08 5K062 AB04 AD07 AD08 AG01 BA06 BB00 BB02 BB03 BB09
Claims (5)
素子と、を備え、 前記容量性素子の容量が、前記温度可変抵抗素子の寄生
容量によるリアクタンス成分の変動を緩和できる大きな
容量であることを特徴とする温度可変抵抗回路。A temperature variable resistance element; and a capacitive element connected in parallel to the temperature variable resistance element, wherein the capacitance of the capacitive element is a reactance due to a parasitic capacitance of the temperature variable resistance element. A temperature variable resistance circuit having a large capacitance capable of alleviating component fluctuation.
であって、 温度可変抵抗素子と、 前記温度可変抵抗素子に対して並列に接続された容量性
素子と、を備え、 前記容量性素子の容量が、この高周波回路を通過する高
周波信号の帯域での前記温度可変抵抗素子の寄生容量に
よるリアクタンス成分の変動を緩和できる大きな容量で
あることを特徴とする高周波回路。2. A high-frequency circuit used in a high-frequency band, comprising: a temperature variable resistance element; and a capacitive element connected in parallel to the temperature variable resistance element, wherein the capacitance of the capacitive element is A high-frequency circuit having a large capacitance capable of reducing a variation in a reactance component due to a parasitic capacitance of the temperature variable resistance element in a band of a high-frequency signal passing through the high-frequency circuit.
減衰器であって、 温度可変抵抗素子と、 前記温度可変抵抗素子に対して並列に接続された容量性
素子と、を備え、 前記容量性素子の容量が、この温度可変型減衰器を通過
する高周波信号の帯域での前記温度可変抵抗素子の寄生
容量によるリアクタンス成分の変動を緩和できる大きな
容量であることを特徴とする温度可変型減衰器。3. A variable temperature attenuator used in a high frequency band, comprising: a temperature variable resistance element; and a capacitive element connected in parallel to the temperature variable resistance element. Is a large capacity capable of alleviating fluctuation of a reactance component due to a parasitic capacitance of the temperature variable resistance element in a band of a high-frequency signal passing through the temperature variable type attenuator.
列に接続したことを特徴とする請求項３記載の温度可変
型減衰器。4. A variable temperature attenuator according to claim 3, wherein a coil is connected in parallel to said variable temperature resistance element.
回路部を備えることを特徴とする無線通信装置。5. An RF having the high-frequency circuit according to claim 2.
A wireless communication device comprising a circuit unit.
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